JP2001291686A - 窓漏れの少ない透明窓を有するケミカルメカニカルポリシング装置用ポリシングパッド - Google Patents

窓漏れの少ない透明窓を有するケミカルメカニカルポリシング装置用ポリシングパッド

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ケミカルメカニカルポリシング装置に用いら
れるポリシングパッドのスラリー漏れの防止に対する効
果的な解決法を提供する。 【解決手段】 本発明は、ケミカルメカニカルポリシン
グ装置用のポリシングパッド１４およびこのポリシング
パッドの作製方法を提供する。このポリシングパッド
は、上層６６および下層６０、上層上の研磨面、ならび
に２層間に挟まれた材料からなる透明シート６４を備え
ている。ケミカルメカニカルポリシングプロセスからの
スラリーは、不浸透性の透明シートを浸透してポリシン
グパッドの下層に至ることはできなくなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、全体として半導体
の製造に関し、特に、ケミカルメカニカルポリシング
（ＣＭＰ）において用いられるポリシングパッドに透明
な窓を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最新の半導体集積回路（ＩＣ）を製造す
る工程においては、予め形成した層および構造体の上に
各種材料の層および構造体を形成する必要がある。しか
しながら、前の形成物は、隆起部、高さの不均一な領
域、トラフ、トレンチおよび／または他の表面凹凸によ
ってインプロセスウェーハの上面トポグラフィを極めて
不規則な状態にすることが多い。このような凹凸は、次
の層の形成時に問題を引き起こす。例えば、前に形成し
た層の上に小さな幾何学形状を有するフォトリソグラフ
ィパターンを印刷する場合、非常に浅い焦点深度が必要
とされる。従って、平坦な表面を有することが必須にな
る。そうでなければ、パターンの一部に焦点が合い、他
の部分には焦点が合わなくなる。実際、２５×２５ｍｍ
ダイにわたる表面ばらつきが、１０００オングストロー
ム（Å）未満のオーダであることが好ましい。更に、各
主要な処理ステップにおいて凹凸がレベリングされなけ
れば、ウェーハの表面トポグラフィが一層不規則にな
り、処理を更に行う間に層が積み重ねられるにつれて更
なる問題を生じさせることがある。ダイの種類および付
随する幾何学形状の大きさによっては、表面凹凸が不十
分な歩留りとデバイス性能につながる可能性がある。従
って、ＩＣ構造体のある種の平坦化、あるいはレベリン
グを行うことが望ましい。実際、最も高密度のＩＣ製造
技術では、製造プロセスにおける重要な点において平坦
化ウェーハ表面を形成するためのいくつかの方法が使用
されている。
【０００３】半導体ウェーハの平坦化またはトポグラフ
ィー除去を達成する一つの方法は、ケミカルメカニカル
ポリシング（ＣＭＰ）プロセスである。一般的に、ケミ
カルメカニカルポリシング（ＣＭＰ）プロセスは、制御
された圧力のもとで回転研磨プラテンにウェーハを当て
て保持および／または回転させる操作を含んでいる。図
１に示されるように、典型的なＣＭＰ装置１０は、研磨
プラテン１６に当てて半導体ウェーハ１４を保持する研
磨ヘッド１２を含む。研磨プラテン１６は、パッド１８
によって覆われている。このパッド１８は、通常、プラ
テンの表面と接続するバッキング層２０およびウェーハ
１４を研磨するためにケミカルポリシングスラリーと共
に用いられる被覆層２２をもつ。しかしながら、いくつ
かのパッドは、被覆層のみをもち、バッキング層をもた
ない。被覆層２２は、通常、ブローンポリウレタンパッ
ド（例えば、Rodel IC1000）や溝付き表面を有するポリ
ウレタンシート（例えば、Rodel OXP3000）である。パ
ッド材料は、研磨材および化学薬剤の双方を含むケミカ
ルポリシングスラリーによって湿潤される。一つの典型
的なケミカルスラリーは、ＫＯＨ（水酸化カリウム）お
よびヒュームドシリカ粒子を含む。プラテンは、通常、
中心軸２４を中心として回転する。更に、研磨ヘッド
は、通常は中心軸２６を中心として回転し、また、並進
アーム２８によってプラテン１６の表面を横切るように
移動する。図１にはただ一つの研磨ヘッドしか示されて
いないが、ＣＭＰ装置は、通常、研磨プラテンの周囲に
離間して配置された２個以上のヘッドを有する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＣＭＰプロセス中に遭
遇する具体的な問題は、ある部分が所望の平坦度または
相対厚さまで平坦化されたことを判断する際に起こる。
一般に、望ましい表面特性または平面状態に達した時点
を調べる必要がある。これは、様々な方法で行われる。
初期のうちは、ＣＭＰプロセス中にウェーハの特性を監
視することはできなかった。通常、ウェーハは、ＣＭＰ
装置から取り外され、他の場所で検査された。ウェーハ
が望ましい状態になっていなかった場合には、再びウェ
ーハをＣＭＰ装置に設置し直し、再研磨しなければなら
なかった。これは、時間の浪費であり、労力のかかる方
法であった。また、その検査法は、過度の量の物質が除
去され、その部分が使用不可にすることがわかった。従
って、望ましい表面特性または厚さに達した時点をＣＭ
Ｐプロセス中にin-situに調べることを可能にする装置
に関する技術が必要とされた。
【０００５】ＣＭＰプロセス中にin-situで終点を検出
するために、いくつかの装置および方法が開発された。
例えば、超音波と共に使用する装置および方法や、機械
的抵抗、電気的インピーダンス、またはウェーハ表面温
度などの変化の検知と共に使用する装置および方法が用
いられてきた。これらの装置および方法は、厚さの変化
を監視することによって、ウェーハの厚さまたはウェー
ハの層の厚さを求め、プロセスの終点を定めることに依
存している。ウェーハの表面層が薄くされている場合
は、厚さの変化を用いることで表面層が所望の深さを有
する時点を検出する。また、不規則な表面を有するパタ
ーニング済ウェーハを平坦化する場合は、厚さの変化を
監視し、表面凹凸のおおよその深さを知ることによっ
て、終点を検出する。厚さの変化と凹凸の深さが等しく
なったとき、ＣＭＰプロセスは終了する。これらの装置
および方法は、意図される用途においてかなり良く機能
するが、終点をより正確に検出するシステムがなお求め
られている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、ケミカルメカ
ニカルポリシング装置用のポリシングパッドを提供す
る。このポリシングパッドは、研磨面、底面、および研
磨面に形成された開口を備えている。この開口は、パッ
ドの研磨面から底面までポリシングパッドを貫通して延
びている。開口をシールしてポリシングパッドの研磨面
から底面への流体漏れを防ぐために、研磨面の下方に透
明シートが配置される。
【０００７】開口をシールして流体漏れを防ぐように研
磨面の下方に透明シートを配置することにより、本発明
は、レーザ光を大きく回折させることなくパッド上に位
置するウェーハの研磨状態を検出するように、パッドが
取り付けられるプラテンの内部または下方で、レーザ干
渉計を使用できるようにする。透明シートは、比較的安
価で軽量な方法でこの機能を果たす。
【０００８】前述の要望は、本発明の他の態様によって
も満たすことができる。この態様は、ポリシングパッド
中に開口を形成するステップを備えている。この開口
は、ポリシングパッドの研磨面からポリシングパッドの
底面まで延びている。ポリシングパッドの研磨面の下方
には、開口をシールしてポリシングパッドの研磨面から
底面への流体漏れを防ぐ位置に透明シートが固定されて
いる。特定の態様では、この透明シートは、上面と底面
の間で開口を横断して延在するように配置される。
【０００９】上面と底面の間で開口を横断するように透
明シートを配置する潜在的な利点の１つは、ポリシング
パッドの上面および底面間の流体の流れに対するバリヤ
が提供されることである。透明シートは、レーザ光を実
質的に散乱するであろう位置へのスラリー流を防ぐよう
に機能する。
【００１０】本発明の上記および他の特徴、態様および
利点は、添付の図面と併せた本発明の以下の詳細な説明
から明らかになるであろう。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明は、ポリシングプロセスの
終点を検出するためにケミカルメカニカルポリシング装
置においてレーザ干渉計と共に用いられる窓を有するポ
リシングパッドに伴う問題を克服する。本発明によって
対処される問題のうち、ポリシングパッドの研磨面から
パッド下面の穴への化学機械研磨スラリーの漏れが防止
される。上層と下層の間に挟まれた透明シートは、研磨
面からのスラリーのフロー経路を遮断する障壁として働
く。穴をスラリーのない状態に維持することにより、ス
ラリーの存在によるレーザ光の散乱と減衰が回避され
る。
【００１２】図２は、本発明の一実施形態によって修正
されたＣＭＰ装置の一部を示している。穴３０は、プラ
テン１６とその上に位置するプラテンパッド１８内に形
成される。この穴３０は、ヘッド１２の並進位置にかか
わらず、プラテンの回転の一部の間に研磨ヘッド１２に
よって固定されたウェーハ１４が見えるように配置され
る。レーザ干渉計３２は、プラテン１６の下方におい
て、穴３０がウェーハ１４の付近にある間、レーザ干渉
計３２によって投射されるレーザビーム３４がプラテン
１６内の穴３０を通過し、上に位置するウェーハ１４の
表面に当たることを可能にする位置に固定される。
【００１３】図２の装置とともに使用可能なポリシング
パッドの窓部分の実現可能な構成を図３に示す。ポリシ
ングパッド４０は、下層４２と上層４４を含んでいる。
下層４２は、Rodel製のSUBA-IVのようなフェルトポリウ
レタンから形成することができる。上層４４は、Rodel
IC 1000材料のようなブローンポリウレタンパッド、す
なわち微小球で充填されたパッドから構成されていても
よい。感圧接着剤４６の薄層によって、上層４４と下層
４２が一体に固定される。
【００１４】図３に示されるポリシングパッド４０を組
み立てるため、無傷の下層４２（即ち、層４２内に開口
が形成されていない）の上面は、感圧接着剤４６で覆わ
れている。次に、無傷の上層４４が下層４２および感圧
接着剤に押し付けられる。あるいは、上層４４は、上層
４４が感圧接着剤４６に押し付けられる前に既に開口４
８を含んでいてもよい。
【００１５】上層４４を下層４２上に配置した後、下層
４２内に開口５０が形成される。この開口５０の形成に
よって開口５０中の感圧接着剤４６が除去されるので、
ポリシングパッド４０を貫通する開放チャネルが存在す
ることになる。上層４４内の開口４８は、下層４２内の
開口５０より広い。これによって、感圧接着剤４６で被
覆された棚部５２がつくられる。透明窓ブロック５４を
形成しているポリウレタン窓は、棚部５２上の感圧接着
剤に押し付けることができる。透明窓ブロック５４は、
上層４４内の第１開口４８を完全に充填する。レーザ干
渉計からのレーザ光は、第１開口５０を通り、上層４４
の開口４８内に置かれた透明窓ブロック５４を通ってウ
ェーハ上に向かうことができる。
【００１６】図３に示されるポリシングパッドは図２の
ケミカルメカニカルポリシング装置と共に用いることが
できるが、開口５０へのスラリー漏れの弊害を被る可能
性がある。接着剤４６は第１開口５０に広がらないこと
から、これは接着剤４６の使用と無関係に起こる。スラ
リーの流れは、図３の矢印で示された経路５６を進むこ
とができる。スラリーは、ブローンポリウレタンによっ
て形成され、従ってあまり吸収性の高くない上層４４と
透明窓ブロック５４との間の経路５６を進むことができ
る。スラリーは、棚部５２上の経路ならびに接着剤およ
び透明窓ブロック５４間に形成されたチャネルに沿って
進む。この後、スラリーは、開口５０へ逃げて、下層４
２を湿潤させることがある。下層４２は、フェルトポリ
ウレタンからつくられているので比較的吸収力がある。
ポリシング中の下層４２の圧縮性により、パッドに対し
て下向きの圧力が印加および緩和され、スラリーの流量
を増加させる局部ポンプ作用が生じる。前述のように、
開口５０内に液体が存在すると、レーザ干渉計からのレ
ーザ光が減衰しかつレーザ光が散乱する。
【００１７】本発明は、図３の実施形態のように構成さ
れたポリシングパッドの使用によって生じた問題の一部
を克服する。図４は、ポリシングパッドの下層を示す断
面図である。下層６０は開口６２を有している。この開
口は、例えば、以前の無傷下層６０から開口を切ること
により形成される。下層６０は、工業上、一般的に使用
されるSUBA-IVのようなフェルトポリウレタンでもよ
い。
【００１８】図５は、透明シート６４が下層６０の上面
に配置された後の下層６０を示す断面図である。透明シ
ート６４は、ミネソタ州セントポールの３Ｍから入手可
能な品番４４２の両面テープのように、その両面に感圧
接着剤を有している。例えば、透明シート６４の厚さ
は、約０．００５インチ以下であることが好ましい。透
明シート６４は、下層６０の全面を被覆してもよく、あ
るいは開口６２の全体や開口６２の周囲の領域の一部に
だけ延在してもよい。透明シート６４は、ポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）またはマイラーのような材料
からつくられ、化学機械研磨スラリーに対して不浸透性
であるので、下層６０のフェルトポリウレタンに到達し
ようとするスラリーに対するバリヤを形成することがで
きる。
【００１９】図６に示されるように、Rodel IC 1000な
どのブローンポリウレタンから構成される上層６６は、
透明シート６４上の接着剤に押し付けられる。上層６６
は、透明シート６４に上層６６を押し付ける前に形成さ
れた開口６７を既に含んでいる。従って、層６０、６
４、６６を押し付けて一体にしたあとは、これらの層の
いずれにも開口は切り込まれない。これにより、透明シ
ート６４が開口６２および下層６０の上で無傷の状態を
保つことができるようになる。
【００２０】図７は、透明窓ブロック６８が上層６６の
開口６７に押し込まれた後のポリシングパッドを示す断
面図である。透明窓ブロック６８は、上層６６と同様の
材料から形成され、上層のパラメータと合致していても
よく（例えば、透明キャストポリウレタン）、透明シー
ト６４上の接着剤によって所定の位置に保持される。
【００２１】透明シート６４は、スラリーの下層６０へ
の浸透を防ぐ障壁として働く。スラリーがとる経路７０
は、透明窓ブロック６８と上層６６との間の境界面にし
かない。スラリーは、ポリシングパッドの第１内面７２
と透明シート６４との間を進むことができる。従って、
わずかな量のスラリーが透明窓ブロック６８と透明シー
ト６４の間に存在してもよい。しかしながら、透明窓ブ
ロック６８と透明シート６４の間に入ることができるス
ラリー量は、レーザ干渉計からのレーザ光の減衰または
散乱に対して認識できる影響を及ぼさない。透明シート
６４は、下層６０の上面によって形成されたポリシング
パッドの第２内面７４にスラリーが到達することを防止
する。
【００２２】図７の構造を形成する際の問題の１つは、
下層６０内の開口６２と上層６６内の開口６７との位置
合わせである。この問題のために、図３に示されるポリ
シングパッドは、下層４２と上層４４が押し付けられて
一体にされた後にのみ切り出された開口４８、５０を有
している。上層および下層４２、４４が一体に押し付け
られた後に開口を切り出すと、ＰＥＴまたはマイラーの
透明シートなど、バリヤ材料からなる境界シートが開口
内で無傷の状態を保てなくなる。上層および下層４２、
４４が一体に押し付けられた後に開口を切断する理由の
１つは、これらの開口を上層および下層４２、４４が一
体に押し付けられる前に切り出すと上の開口４８と下の
開口５０を位置合わせすることが問題になるからであ
る。この問題を克服し、これらの層を一体に押し付ける
前に開口を個々の層で切り出せるようにし、これによっ
てバリヤ材料からなる境界シートの使用を可能にするた
めに、本発明は、上層および下層６０、６６上に位置合
わせ表示を設ける。
【００２３】図８ａ〜図８ｃは、組立の種々の段階にお
ける本発明のポリシングパッドを示している。図８ａで
は、下層６０の平面図が示される。開口６２は、既に下
層６０中に切り込まれている。レジストレーションノッ
チ８０、または下層６０の外周上の線のような他のレジ
ストレーションマークが下層６０に設けられている。位
置合わせノッチ８０は、研磨性能に悪影響を及ぼさない
ように小さなサイズ（１／２″ダイ以下）とすることが
できる。
【００２４】図８ｂは、ＰＥＴやマイラーなどの透明シ
ート６４が下層６０の上面に配置された後のポリシング
パッドを示す平面図である。ノッチ８０、窓６２および
下層６０は、図８ｂでは透明シート６４の下にあるの
で、想像線で示されている。
【００２５】図８ｃは、上層６６が位置合わせされ、透
明シート６４上の接着剤に押し付けられた後のポリシン
グパッドを示す平面図である。上層６６の開口６７は、
上層６６が透明シート６４に押し付けられる前に切り出
されている。上層６６は、また、下層６０のレジストレ
ーションマーク８０と位置合わせされるレジストレーシ
ョンノッチ８２または他のレジストレーションマークを
含んでいる。組立中、層６０、６６のレジストレーショ
ンマーク８０、８２は、上層６６を透明シート６４に押
し付ける前に位置合わせされる。アライメントマーク８
０、８２が完全に合わせられると、開口６２、６７およ
び層６０、６６が適切に位置合わせされる。上記の方法
では、上層および下層６６、６０の組立中に開口の位置
合わせを行うことにより、ＰＥＴまたはマイラーからな
る透明シートなどの境界バリヤが開口内で境界状態を維
持することができ、流体が下層６０の開口に入らないよ
うにすることができる。
【００２６】本発明は、ポリシングパッド上の半導体ウ
ェーハの表面状態を検出するためにレーザ干渉計を使う
ケミカルメカニカルポリシング装置に用いられるポリシ
ングパッドの漏れ防止に対する効果的な解決法を提供す
る。この解決法は、比較的費用がかからず、また、レー
ザ光を回折および減衰させることができるスラリーの量
を減少させることによりレーザ干渉分析法または測定法
の性能を向上させる。
【００２７】本発明を詳細に説明および図示してきた
が、これは図示および説明のために過ぎず、限定的なも
のではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって
のみ制限される。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術によって構成されたケミカルメカニカ
ルポリシング（ＣＭＰ）装置の側面図である。
【図２】本発明によって構成された終点検出を伴うケミ
カルメカニカルポリシング装置の側面図である。
【図３】図２のケミカルメカニカルポリシング装置で使
用可能なポリシングパッドの窓部分の概略断面図であ
る。
【図４】最初の準備段階後における本発明の実施形態に
したがって構成されたポリシングパッドの下層の概略断
面図である。
【図５】透明シートが下層の上面に配置された後の本発
明の実施形態に係る図４のポリシングパッドの断面図で
ある。
【図６】ポリシングパッドの上層が透明シートの上に配
置された後の本発明の実施形態に係るポリシングパッド
の窓の断面図である。
【図７】ポリシングパッドの上層の開口において透明窓
ブロックを取り付けた後の図６の窓装置の断面図であ
る。
【図８】（ａ）は、本発明の実施形態に係るポリシング
パッドの下層の平面図であり、（ｂ）は、図５の断面に
示されたように透明シートが下層の上面に配置された後
の図８（ａ）のポリシングパッドの平面図であり、
（ｃ）は、図６の断面に示されるように、上層が透明シ
ート上に配置された後の図８（ｂ）のポリシングパッド
の平面図である。
【符号の説明】
１０…ＣＭＰ装置、１２…研磨ヘッド、１４…ウェー
ハ、１６…プラテン、１８…プラテンパッド、２０…バ
ッキング層、２２…被覆層、２４…中心軸、２６…中心
軸、２８…並進アーム、３０…穴、３２…レーザ干渉
計、３４…レーザビーム、４０…ポリシングパッド、４
２…下層、４４…上層、４６…感圧接着剤、４８…開
口、５０…開口、５２…棚部、５４…透明窓ブロック、
５６…通路、６０…下層、６２…開口、６４…透明シー
ト、６６…上層、６７…開口、６８…透明窓ブロック、
７０…通路、７２…第１内面、７４…第２内面、８０…
レジストレーションノッチ、８２…レジストレーション
ノッチ。

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ケミカルメカニカルポリシング装置用の
    ポリシングパッドであって、 研磨面と、 底面と、 前記研磨面に形成され、前記研磨面から前記底面まで当
    該ポリシングパッドを貫通して延びる開口と、 前記開口をシールして当該ポリシングパッドの前記研磨
    面から前記底面への流体漏れを防ぐように前記研磨面の
    下方に配置された透明シートと、を備えるポリシングパ
    ッド。
  2. 【請求項２】 前記透明シートが当該ポリシングパッド
    内において前記研磨面と前記底面との間に配置され、前
    記開口全体を横断して延在している、請求項１記載のポ
    リシングパッド。
  3. 【請求項３】 前記研磨面と前記底面が実質的に平坦で
    相互に平行であり、前記透明シートが前記研磨面および
    前記底面に平行な面内にある、請求項２記載のポリシン
    グパッド。
  4. 【請求項４】 パッド下層および前記パッド下層の上に
    配置されたパッド上層の２つのパッド層を備え、これら
    のパッド層の各々は、他方のパッド層の開口部分と位置
    合わせ可能な開口部分を有しており、前記透明シート
    が、前記パッド下層の開口部分および前記パッド上層の
    開口部分を覆うように、これらのパッド層の間に配置さ
    れている、請求項３記載のポリシングパッド。
  5. 【請求項５】 前記透明シートがポリエチレンテレフタ
    レート（ＰＥＴ）またはマイラーから構成されている、
    請求項４記載のポリシングパッド。
  6. 【請求項６】 前記研磨面と前記底面が実質的に平坦で
    相互に平行であり、前記透明シートが前記研磨面および
    前記底面に平行な面内にある、請求項１記載のポリシン
    グパッド。
  7. 【請求項７】 前記透明シートが化学機械研磨スラリー
    に対して実質的に非反応性の材料から形成されている、
    請求項６記載のポリシングパッド。
  8. 【請求項８】 前記材料がＰＥＴまたはマイラーを含ん
    でいる、請求項７記載のポリシングパッド。
  9. 【請求項９】 前記透明シートの上方において前記開口
    内に配置され、前記透明シートから前記研磨面に向かっ
    て延在する窓を更に備え、前記窓が透明なブロック材料
    を備えている、請求項１記載のポリシングパッド。
  10. 【請求項１０】 前記パッド下層および前記パッド上層
    の各々が、それぞれの開口を相互に位置合わせするため
    の位置合わせノッチを備えている、請求項４記載のポリ
    シングパッド。
  11. 【請求項１１】 ポリシングパッド内に前記ポリシング
    パッドの研磨面から前記ポリシングパッドの底面まで延
    びる開口を形成するステップと、 前記ポリシングパッドの前記研磨面の下方において、前
    記開口をシールして前記ポリシングパッドの前記研磨面
    から前記底面への流体漏れを防ぐ位置に透明シートを固
    定するステップと、を備える、ポリシングパッドの形成
    方法。
  12. 【請求項１２】 透明シートを固定する前記ステップ
    が、前記開口内において前記上面と前記底面の間に前記
    透明シートを配置するステップを含んでいる、請求項１
    １記載の方法。
  13. 【請求項１３】 前記透明シートがＰＥＴまたはマイラ
    ーを含んでいる、請求項１２記載の方法。
  14. 【請求項１４】 前記ポリシングパッドが、前記ポリシ
    ングパッドの前記研磨面を形成する第１平坦面および前
    記ポリシングパッドの第１内面を形成する第２平坦面を
    有する上層と、前記ポリシングパッドの底面を形成する
    第１平坦面および前記ポリシングパッドの第２内面を形
    成する第２平坦面を有する下層と、を含んでいる、請求
    項１３記載の方法。
  15. 【請求項１５】 透明シートを配置する前記ステップ
    が、前記透明シートを前記下層の第２面上に取り付ける
    ステップを含んでいる、請求項１４記載の方法。
  16. 【請求項１６】 ポリシングパッド内に開口を形成する
    前記ステップが、前記下層内に開口を形成するステップ
    および前記上層内に開口を形成するステップを含んでい
    る、請求項１５記載の方法。
  17. 【請求項１７】 ポリシングパッド内に開口を形成する
    前記ステップが、前記上層を前記透明シート上に配置す
    るステップと、前記上層および下層内の前記開口を位置
    合わせして、前記ポリシングパッドを貫通する光学的に
    透明な経路を形成するステップと、を更に含んでいる、
    請求項１６記載の方法。
  18. 【請求項１８】 前記開口を位置合わせする前記ステッ
    プが、前記上層の前記透明シート上への配置中に前記上
    層および下層上のアライメントマークを位置合わせする
    ステップを含んでいる、請求項１７記載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記透明シートが前記ポリシングパッ
    ドの第２内面の実質的に全体にわたって延在している、
    請求項１８記載の方法。
  20. 【請求項２０】 前記上層内の前記開口中に透明な窓ブ
    ロックを取り付けるステップを更に備える請求項１９記
    載の方法。
  21. 【請求項２１】 前記上層内の前記開口が前記下層内の
    前記開口より大きく、前記ポリシングパッドの前記第１
    内面に接する前記透明シートの表面が感圧接着剤で被覆
    されており、透明窓ブロックを取り付ける前記ステップ
    が、前記上層内の前記開口中における前記透明シート上
    の前記感圧接着剤に前記ブロックを押し付けるステップ
    を含んでいる、請求項２０記載の方法。
  22. 【請求項２２】 前記透明窓ブロックが透明ポリウレタ
    ンを含み、前記上層がブローンポリウレタンを含み、前
    記下層がフェルトポリウレタンを含んでいる、請求項２
    １記載の方法。
  23. 【請求項２３】 研磨面および底面を有する不透明な研
    磨材と、 前記不透明研磨材内に形成され、前記研磨面から前記底
    面に至る透明窓と、 前記底面の下方に配置され、前記透明窓を覆う透明シー
    トを備えるポリシングパッド。
  24. 【請求項２４】 前記透明シートの下方に配置されたバ
    ッキング層を更に備える請求項２３記載のポリシングパ
    ッド。
  25. 【請求項２５】 前記バッキング層内に形成され、前記
    研磨層内の前記透明窓と位置合わせされた開口を更に備
    える請求項２４記載のポリシングパッド。
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Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003510826A (ja) * 1999-09-29 2003-03-18 ロデール ホールディングス インコーポレイテッド 研磨パッド
US6676483B1 (en) 2003-02-03 2004-01-13 Rodel Holdings, Inc. Anti-scattering layer for polishing pad windows
JP2004311722A (ja) * 2003-04-07 2004-11-04 Rodel Nitta Co 研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法
JP2005138277A (ja) * 2003-11-04 2005-06-02 Samsung Electronics Co Ltd 不均一強度を有する研磨面を使用した化学的機械的研磨装置および方法
JP2005354077A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc 応力が軽減した窓を有する研磨パッド
US6994607B2 (en) 2001-12-28 2006-02-07 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window
US7081044B2 (en) 2001-06-15 2006-07-25 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing pad
JP2006527664A (ja) * 2003-06-17 2006-12-07 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 光透過領域を有する研磨パッドを製造するための超音波溶接法
CN100445091C (zh) * 2002-06-07 2008-12-24 普莱克斯S.T.技术有限公司 控制渗透子垫
US7871309B2 (en) 2004-12-10 2011-01-18 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad
US7874894B2 (en) 2006-05-17 2011-01-25 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad
US8348724B2 (en) 2007-05-16 2013-01-08 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad manufacturing method
US8398794B2 (en) 2006-04-19 2013-03-19 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Method for manufacturing polishing pad
US8409308B2 (en) 2007-05-31 2013-04-02 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Process for manufacturing polishing pad
KR20140051441A (ko) 2011-09-01 2014-04-30 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드
CN104029116A (zh) * 2013-03-07 2014-09-10 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 具有广谱终点检测窗口的化学机械抛光垫以及使用该抛光垫进行抛光的方法
US9126304B2 (en) 2010-04-15 2015-09-08 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad
JP2015213978A (ja) * 2014-05-09 2015-12-03 富士通セミコンダクター株式会社 研磨装置及び研磨方法
CN109500728A (zh) * 2017-09-15 2019-03-22 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 凸缘光学端点检测窗口和含有其的cmp抛光垫

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6876454B1 (en) * 1995-03-28 2005-04-05 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations
US5893796A (en) 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
EP0738561B1 (en) * 1995-03-28 2002-01-23 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for in-situ endpoint detection and monitoring for chemical mechanical polishing operations
US6832950B2 (en) * 2002-10-28 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window
US6190234B1 (en) * 1999-01-25 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Endpoint detection with light beams of different wavelengths
US6179709B1 (en) * 1999-02-04 2001-01-30 Applied Materials, Inc. In-situ monitoring of linear substrate polishing operations
US6524164B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-25 Applied Materials, Inc. Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus
US7374477B2 (en) * 2002-02-06 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Polishing pads useful for endpoint detection in chemical mechanical polishing
US8485862B2 (en) * 2000-05-19 2013-07-16 Applied Materials, Inc. Polishing pad for endpoint detection and related methods
US6612901B1 (en) * 2000-06-07 2003-09-02 Micron Technology, Inc. Apparatus for in-situ optical endpointing of web-format planarizing machines in mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6609947B1 (en) * 2000-08-30 2003-08-26 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and control systems for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of micro electronic substrates
WO2002102547A1 (en) * 2001-06-15 2002-12-27 Rodel Holdings, Inc. Polishing apparatus that provides a window
JP4570286B2 (ja) 2001-07-03 2010-10-27 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド
US7341502B2 (en) * 2002-07-18 2008-03-11 Micron Technology, Inc. Methods and systems for planarizing workpieces, e.g., microelectronic workpieces
US7704125B2 (en) 2003-03-24 2010-04-27 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US8864859B2 (en) 2003-03-25 2014-10-21 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US9278424B2 (en) 2003-03-25 2016-03-08 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US7238097B2 (en) * 2003-04-11 2007-07-03 Nihon Microcoating Co., Ltd. Polishing pad and method of producing same
US20040209066A1 (en) * 2003-04-17 2004-10-21 Swisher Robert G. Polishing pad with window for planarization
KR100532440B1 (ko) * 2003-06-05 2005-11-30 삼성전자주식회사 윈도로의 유체의 침투를 막는 실링 장벽부를 가지는 화학기계적 연마 장비에 사용되는 연마 패드
KR100541545B1 (ko) * 2003-06-16 2006-01-11 삼성전자주식회사 화학기계적 연마 장비의 연마 테이블
US6884156B2 (en) * 2003-06-17 2005-04-26 Cabot Microelectronics Corporation Multi-layer polishing pad material for CMP
US7435161B2 (en) * 2003-06-17 2008-10-14 Cabot Microelectronics Corporation Multi-layer polishing pad material for CMP
US7126303B2 (en) * 2003-07-08 2006-10-24 Board Of Regents Of The University Of Nebraska Robot for surgical applications
US20050032464A1 (en) * 2003-08-07 2005-02-10 Swisher Robert G. Polishing pad having edge surface treatment
US20070015448A1 (en) * 2003-08-07 2007-01-18 Ppg Industries Ohio, Inc. Polishing pad having edge surface treatment
US7195539B2 (en) * 2003-09-19 2007-03-27 Cabot Microelectronics Coporation Polishing pad with recessed window
US7264536B2 (en) * 2003-09-23 2007-09-04 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window
US7654885B2 (en) * 2003-10-03 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Multi-layer polishing pad
US20050173259A1 (en) * 2004-02-06 2005-08-11 Applied Materials, Inc. Endpoint system for electro-chemical mechanical polishing
US8066552B2 (en) * 2003-10-03 2011-11-29 Applied Materials, Inc. Multi-layer polishing pad for low-pressure polishing
US7132033B2 (en) 2004-02-27 2006-11-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of forming a layered polishing pad
US7204742B2 (en) * 2004-03-25 2007-04-17 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising hydrophobic region and endpoint detection port
US8153344B2 (en) 2004-07-16 2012-04-10 Ppg Industries Ohio, Inc. Methods for producing photosensitive microparticles, aqueous compositions thereof and articles prepared therewith
US20060089094A1 (en) * 2004-10-27 2006-04-27 Swisher Robert G Polyurethane urea polishing pad
US20060089095A1 (en) * 2004-10-27 2006-04-27 Swisher Robert G Polyurethane urea polishing pad
US20060089093A1 (en) * 2004-10-27 2006-04-27 Swisher Robert G Polyurethane urea polishing pad
TWI385050B (zh) * 2005-02-18 2013-02-11 Nexplanar Corp 用於ｃｍｐ之特製拋光墊及其製造方法及其用途
US20070141312A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 James David B Multilayered polishing pads having improved defectivity and methods of manufacture
US20070197132A1 (en) * 2006-02-15 2007-08-23 Applied Materials, Inc. Dechuck using subpad with recess
CA2655964C (en) * 2006-06-22 2014-10-28 Board Of Regents Of The University Of Nebraska Magnetically coupleable robotic devices and related methods
US7455571B1 (en) 2007-06-20 2008-11-25 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Window polishing pad
US20090088050A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Wei-Yung Hsu Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US20090305610A1 (en) * 2008-06-06 2009-12-10 Applied Materials, Inc. Multiple window pad assembly
US8083570B2 (en) 2008-10-17 2011-12-27 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad having sealed window
US9017140B2 (en) 2010-01-13 2015-04-28 Nexplanar Corporation CMP pad with local area transparency
US9156124B2 (en) 2010-07-08 2015-10-13 Nexplanar Corporation Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate
US10226853B2 (en) * 2013-01-18 2019-03-12 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for conditioning of chemical mechanical polishing pads
US9108290B2 (en) 2013-03-07 2015-08-18 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Multilayer chemical mechanical polishing pad
US20140256231A1 (en) 2013-03-07 2014-09-11 Dow Global Technologies Llc Multilayer Chemical Mechanical Polishing Pad With Broad Spectrum, Endpoint Detection Window
US9446497B2 (en) * 2013-03-07 2016-09-20 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Broad spectrum, endpoint detection monophase olefin copolymer window with specific composition in multilayer chemical mechanical polishing pad
US8961266B2 (en) 2013-03-15 2015-02-24 Applied Materials, Inc. Polishing pad with secondary window seal
US9233451B2 (en) 2013-05-31 2016-01-12 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad stack
US9238296B2 (en) 2013-05-31 2016-01-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Multilayer chemical mechanical polishing pad stack with soft and conditionable polishing layer
US9238295B2 (en) 2013-05-31 2016-01-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Soft and conditionable chemical mechanical window polishing pad
US9102034B2 (en) 2013-08-30 2015-08-11 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of chemical mechanical polishing a substrate
US9868185B2 (en) * 2015-11-03 2018-01-16 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad with foundation layer and window attached thereto
TWI626117B (zh) 2017-01-19 2018-06-11 智勝科技股份有限公司 研磨墊及研磨方法
KR101945869B1 (ko) * 2017-08-07 2019-02-11 에스케이씨 주식회사 우수한 기밀성을 갖는 연마패드

Family Cites Families (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1075634A (fr) 1953-03-12 1954-10-19 Dispositif de meulage à meule entaillée permettant d'observer le travail effectué
JPS5854368B2 (ja) 1976-07-14 1983-12-05 松下電器産業株式会社 液晶表示装置
JPS57138575A (en) 1981-02-16 1982-08-26 Hitachi Ltd Grinding machine
JPS584353A (ja) 1981-06-24 1983-01-11 Hitachi Ltd ラツピング装置
US4604153A (en) * 1982-01-15 1986-08-05 Kroy Inc. Method of manufacturing figures from a laminated tape and applying the same to a desired medium
JPS58178526A (ja) 1982-04-14 1983-10-19 Nec Corp ウエ−ハポリシング方法
JPS6037076A (ja) 1983-08-08 1985-02-26 Canon Inc 入力装置
JPS62190728A (ja) 1986-02-18 1987-08-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> エツチング終点モニタ法および装置
JPS62211927A (ja) 1986-03-12 1987-09-17 Nec Corp 半導体ウエ−ハの加工方法
US4676005A (en) * 1986-06-02 1987-06-30 Seligman Arnold D Wedding cake tier aligner
US4927485A (en) 1988-07-28 1990-05-22 Applied Materials, Inc. Laser interferometer system for monitoring and controlling IC processing
JPH02222533A (ja) 1989-02-23 1990-09-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ウェーハの研削装置
JPH0359666U (ja) * 1989-10-16 1991-06-12
JPH03234467A (ja) 1990-02-05 1991-10-18 Canon Inc スタンパの金型取付面の研磨方法およびその研磨機
US5257478A (en) 1990-03-22 1993-11-02 Rodel, Inc. Apparatus for interlayer planarization of semiconductor material
FR2660654B1 (fr) * 1990-04-04 1993-10-08 Commissariat A Energie Atomique Derives de tetracyanoquinodimethane utilisables en magnetometrie par resonance paramagnetique electronique (rpe).
FR2665024B1 (fr) 1990-07-20 1994-02-18 Jean Galvier Procede de determination de l'elimination complete d'une couche mince sur un substrat non plan.
US5081796A (en) 1990-08-06 1992-01-21 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical planarization and endpoint detection of a semiconductor wafer
JPH05138531A (ja) 1991-11-21 1993-06-01 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 研磨装置
US5196353A (en) 1992-01-03 1993-03-23 Micron Technology, Inc. Method for controlling a semiconductor (CMP) process by measuring a surface temperature and developing a thermal image of the wafer
DE69311105T2 (de) 1992-04-13 1997-10-30 Minnesota Mining And Mfg. Co., Saint Paul, Minn. Schleifmittel
JP2770101B2 (ja) 1992-05-08 1998-06-25 コマツ電子金属株式会社 貼り合わせウェーハの研磨方法
US5265378A (en) 1992-07-10 1993-11-30 Lsi Logic Corporation Detecting the endpoint of chem-mech polishing and resulting semiconductor device
JPH0639705A (ja) 1992-07-27 1994-02-15 Sharp Corp 研磨装置
US5499733A (en) 1992-09-17 1996-03-19 Luxtron Corporation Optical techniques of measuring endpoint during the processing of material layers in an optically hostile environment
US6614529B1 (en) 1992-12-28 2003-09-02 Applied Materials, Inc. In-situ real-time monitoring technique and apparatus for endpoint detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization
US5384988A (en) * 1993-02-05 1995-01-31 Practical Systems, Inc. Lens surfacing assembly
US5823189A (en) * 1993-03-16 1998-10-20 Ep Technologies, Inc. Multiple electrode support structures with spline elements and over-molded hub
JP3326443B2 (ja) 1993-08-10 2002-09-24 株式会社ニコン ウエハ研磨方法及びその装置
US5486129A (en) * 1993-08-25 1996-01-23 Micron Technology, Inc. System and method for real-time control of semiconductor a wafer polishing, and a polishing head
US5433651A (en) 1993-12-22 1995-07-18 International Business Machines Corporation In-situ endpoint detection and process monitoring method and apparatus for chemical-mechanical polishing
US5413941A (en) 1994-01-06 1995-05-09 Micron Technology, Inc. Optical end point detection methods in semiconductor planarizing polishing processes
US5489233A (en) 1994-04-08 1996-02-06 Rodel, Inc. Polishing pads and methods for their use
JP3313505B2 (ja) 1994-04-14 2002-08-12 株式会社日立製作所 研磨加工法
WO1996009915A1 (de) * 1994-09-26 1996-04-04 Heinrich Lippert Gmbh Werkzeug für die mechanische oberflächenbehandlung
US5791969A (en) 1994-11-01 1998-08-11 Lund; Douglas E. System and method of automatically polishing semiconductor wafers
US5773195A (en) * 1994-12-01 1998-06-30 International Business Machines Corporation Cap providing flat surface for DCA and solder ball attach and for sealing plated through holes, multi-layer electronic structures including the cap, and a process of forming the cap and for forming multi-layer electronic structures including the cap
JPH08174411A (ja) 1994-12-22 1996-07-09 Ebara Corp ポリッシング装置
US5597346A (en) 1995-03-09 1997-01-28 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for holding a semiconductor wafer during a chemical mechanical polish (CMP) process
US6676717B1 (en) * 1995-03-28 2004-01-13 Applied Materials Inc Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations
US5893796A (en) * 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
US6537133B1 (en) * 1995-03-28 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations
US6719818B1 (en) * 1995-03-28 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations
US5964643A (en) 1995-03-28 1999-10-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for in-situ monitoring of chemical mechanical polishing operations
EP0738561B1 (en) 1995-03-28 2002-01-23 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for in-situ endpoint detection and monitoring for chemical mechanical polishing operations
US5838447A (en) 1995-07-20 1998-11-17 Ebara Corporation Polishing apparatus including thickness or flatness detector
JP3321338B2 (ja) 1995-07-24 2002-09-03 株式会社東芝 半導体装置の製造方法および製造装置
US5695392A (en) 1995-08-09 1997-12-09 Speedfam Corporation Polishing device with improved handling of fluid polishing media
JPH0957608A (ja) * 1995-08-11 1997-03-04 Sony Corp 研磨パッド及びこれを用いた被表面処理加工物の研磨方法
US5605760A (en) 1995-08-21 1997-02-25 Rodel, Inc. Polishing pads
JP3042593B2 (ja) * 1995-10-25 2000-05-15 日本電気株式会社 研磨パッド
US5696536A (en) * 1995-12-22 1997-12-09 Murphy; Kevin M. Photo mouse pad and method of making
JP3045966B2 (ja) 1996-02-16 2000-05-29 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置および方法
KR100485002B1 (ko) 1996-02-16 2005-08-29 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 작업물폴리싱장치및방법
JP3239764B2 (ja) * 1996-07-17 2001-12-17 株式会社ニコン Ｃｍｐ用研磨装置及び研磨ポリシャ
JPH09277162A (ja) 1996-04-12 1997-10-28 Nikon Corp 半導体研磨装置
US5663797A (en) * 1996-05-16 1997-09-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for detecting the endpoint in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US6090475A (en) * 1996-05-24 2000-07-18 Micron Technology Inc. Polishing pad, methods of manufacturing and use
JPH1034522A (ja) * 1996-07-17 1998-02-10 Nikon Corp Ｃｍｐ用研磨装置及びｃｍｐ用装置システム
US5872633A (en) 1996-07-26 1999-02-16 Speedfam Corporation Methods and apparatus for detecting removal of thin film layers during planarization
JP3106418B2 (ja) 1996-07-30 2000-11-06 株式会社東京精密 研磨装置
JPH1091070A (ja) * 1996-09-18 1998-04-10 Seiko Epson Corp 印刷テープ
US6102775A (en) * 1997-04-18 2000-08-15 Nikon Corporation Film inspection method
US5803739A (en) * 1997-05-12 1998-09-08 Hitchcock; Sherry Total environment decorating aid
DE19720623C1 (de) * 1997-05-16 1998-11-05 Siemens Ag Poliervorrichtung und Poliertuch
US6111634A (en) 1997-05-28 2000-08-29 Lam Research Corporation Method and apparatus for in-situ monitoring of thickness using a multi-wavelength spectrometer during chemical-mechanical polishing
US6146248A (en) * 1997-05-28 2000-11-14 Lam Research Corporation Method and apparatus for in-situ end-point detection and optimization of a chemical-mechanical polishing process using a linear polisher
US6108091A (en) 1997-05-28 2000-08-22 Lam Research Corporation Method and apparatus for in-situ monitoring of thickness during chemical-mechanical polishing
US5926720A (en) * 1997-09-08 1999-07-20 Lsi Logic Corporation Consistent alignment mark profiles on semiconductor wafers using PVD shadowing
JPH11156699A (ja) * 1997-11-25 1999-06-15 Speedfam Co Ltd 平面研磨用パッド
JP3152188B2 (ja) * 1997-11-28 2001-04-03 日本電気株式会社 研磨パッド
JPH11277408A (ja) * 1998-01-29 1999-10-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウエーハの鏡面研磨用研磨布、鏡面研磨方法ならびに鏡面研磨装置
US6068539A (en) * 1998-03-10 2000-05-30 Lam Research Corporation Wafer polishing device with movable window
JP2917992B1 (ja) 1998-04-10 1999-07-12 日本電気株式会社 研磨装置
US6077783A (en) * 1998-06-30 2000-06-20 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for detecting a polishing endpoint based upon heat conducted through a semiconductor wafer
US6280289B1 (en) * 1998-11-02 2001-08-28 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for detecting an end-point in chemical mechanical polishing of metal layers
US6190234B1 (en) * 1999-01-25 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Endpoint detection with light beams of different wavelengths
US6179709B1 (en) * 1999-02-04 2001-01-30 Applied Materials, Inc. In-situ monitoring of linear substrate polishing operations
US6213845B1 (en) * 1999-04-26 2001-04-10 Micron Technology, Inc. Apparatus for in-situ optical endpointing on web-format planarizing machines in mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies and methods for making and using same
US6171181B1 (en) 1999-08-17 2001-01-09 Rodel Holdings, Inc. Molded polishing pad having integral window
WO2001015861A1 (fr) * 1999-08-27 2001-03-08 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Tampon de polissage et dispositif de polissage
US6524164B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-25 Applied Materials, Inc. Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus
JP2003510826A (ja) 1999-09-29 2003-03-18 ロデール ホールディングス インコーポレイテッド 研磨パッド
US6562683B1 (en) * 2000-08-31 2003-05-13 Advanced Micro Devices, Inc. Bit-line oxidation by removing ONO oxide prior to bit-line implant
US6391700B1 (en) * 2000-10-17 2002-05-21 United Microelectronics Corp. Method for forming twin-well regions of semiconductor devices

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003510826A (ja) * 1999-09-29 2003-03-18 ロデール ホールディングス インコーポレイテッド 研磨パッド
US7081044B2 (en) 2001-06-15 2006-07-25 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing pad
US7198544B2 (en) 2001-12-28 2007-04-03 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window
US6994607B2 (en) 2001-12-28 2006-02-07 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window
CN100445091C (zh) * 2002-06-07 2008-12-24 普莱克斯S.T.技术有限公司 控制渗透子垫
US6676483B1 (en) 2003-02-03 2004-01-13 Rodel Holdings, Inc. Anti-scattering layer for polishing pad windows
JP2004311722A (ja) * 2003-04-07 2004-11-04 Rodel Nitta Co 研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法
JP4526778B2 (ja) * 2003-04-07 2010-08-18 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法
JP2006527664A (ja) * 2003-06-17 2006-12-07 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 光透過領域を有する研磨パッドを製造するための超音波溶接法
JP2005138277A (ja) * 2003-11-04 2005-06-02 Samsung Electronics Co Ltd 不均一強度を有する研磨面を使用した化学的機械的研磨装置および方法
JP4641781B2 (ja) * 2003-11-04 2011-03-02 三星電子株式会社 不均一強度を有する研磨面を使用した化学的機械的研磨装置および方法
JP2005354077A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc 応力が軽減した窓を有する研磨パッド
US7871309B2 (en) 2004-12-10 2011-01-18 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad
US8500932B2 (en) 2006-04-19 2013-08-06 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Method for manufacturing polishing pad
US9050707B2 (en) 2006-04-19 2015-06-09 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Method for manufacturing polishing pad
US8398794B2 (en) 2006-04-19 2013-03-19 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Method for manufacturing polishing pad
US7874894B2 (en) 2006-05-17 2011-01-25 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad
US8348724B2 (en) 2007-05-16 2013-01-08 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad manufacturing method
US8409308B2 (en) 2007-05-31 2013-04-02 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Process for manufacturing polishing pad
US9126304B2 (en) 2010-04-15 2015-09-08 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad
KR20140051441A (ko) 2011-09-01 2014-04-30 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드
US9156126B2 (en) 2011-09-01 2015-10-13 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad
CN104029116A (zh) * 2013-03-07 2014-09-10 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 具有广谱终点检测窗口的化学机械抛光垫以及使用该抛光垫进行抛光的方法
JP2015213978A (ja) * 2014-05-09 2015-12-03 富士通セミコンダクター株式会社 研磨装置及び研磨方法
CN109500728A (zh) * 2017-09-15 2019-03-22 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 凸缘光学端点检测窗口和含有其的cmp抛光垫

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