JPS58178526A - ウエ−ハポリシング方法 - Google Patents
ウエ−ハポリシング方法Info
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- JPS58178526A JPS58178526A JP6189882A JP6189882A JPS58178526A JP S58178526 A JPS58178526 A JP S58178526A JP 6189882 A JP6189882 A JP 6189882A JP 6189882 A JP6189882 A JP 6189882A JP S58178526 A JPS58178526 A JP S58178526A
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- JP
- Japan
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- wafer
- polishing
- hole
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- laser beam
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本偽−社所望Oボリシング加工量を除去したか否か04
11定を自動的に検知できるクエーノ1ポリシング方渋
Kllするものである。
11定を自動的に検知できるクエーノ1ポリシング方渋
Kllするものである。
従来O片画ボリシング方法を用いた場合、ボリシング加
工量社ボリシング速度を一定と仮定して。
工量社ボリシング速度を一定と仮定して。
ボリシンダ時間で推測してい九が、ボリシ/グ速度は研
摩布otsa、加圧力およびボリシンダ液濃度を九は種
類11により、異なる丸め、ポリシング量にバラツキを
生じ、数μmの除去をポリシングで行なうえめには、数
分ポリシングする毎に、ウェーハの厚みを測定する必要
があり、非常に繁雑で不正確である。
摩布otsa、加圧力およびボリシンダ液濃度を九は種
類11により、異なる丸め、ポリシング量にバラツキを
生じ、数μmの除去をポリシングで行なうえめには、数
分ポリシングする毎に、ウェーハの厚みを測定する必要
があり、非常に繁雑で不正確である。
本li明は、この欠点を除去し、ウェーハを付着する加
圧板に貫通穴を設け、レーザー光線の波長に対して遥明
な材料の表面に、所望のポリシング加工量と同量の研摩
布と反射率の異なる材質を付着し九りヱーハを加工量検
知用として、加圧板の貫通穴をし中へいするように加圧
板のボリシング面に付着し、ボリシング中に前記貫通穴
を通して。
圧板に貫通穴を設け、レーザー光線の波長に対して遥明
な材料の表面に、所望のポリシング加工量と同量の研摩
布と反射率の異なる材質を付着し九りヱーハを加工量検
知用として、加圧板の貫通穴をし中へいするように加圧
板のボリシング面に付着し、ボリシング中に前記貫通穴
を通して。
レーず一光線を前記検知用クエーノに照射し、ウェーハ
からの反射を太陽電池等の光量針で調定しつつ、ボリシ
ングすることによ〉、所望のポリシリコンをボリシング
したか否かの判定を自動的に検知することができる丸め
、従来のボリンング方法におけるように、数分毎にボリ
シングを中断して、ウェーハ厚みを調定する必要がなく
、従って。
からの反射を太陽電池等の光量針で調定しつつ、ボリシ
ングすることによ〉、所望のポリシリコンをボリシング
したか否かの判定を自動的に検知することができる丸め
、従来のボリンング方法におけるように、数分毎にボリ
シングを中断して、ウェーハ厚みを調定する必要がなく
、従って。
省力的で正確なりエーノ・加工量を制御できるウエーハ
ボリシング方法を提供する。
ボリシング方法を提供する。
以下実施例を用いて1本発明の詳細な説明する。
本発明の一実施例を図に示す。
加圧板IK設は九貫通穴20ボリシング面に+He−N
eレーザー光線を通す例えばガラス表面にポリシング加
工量と同量の研摩布と反射率の異なる物質9例えばポリ
シリコンを付着した加工量検知用ウェーハ3を前記貫通
穴2をし中へいするように付着し9貫通穴2を通し、加
工量検知用ウエーノ〜131にレーザー光線発生装置4
例えばHe −Neレーザー俵装から発生するレーザー
光線5を照射し。
eレーザー光線を通す例えばガラス表面にポリシング加
工量と同量の研摩布と反射率の異なる物質9例えばポリ
シリコンを付着した加工量検知用ウェーハ3を前記貫通
穴2をし中へいするように付着し9貫通穴2を通し、加
工量検知用ウエーノ〜131にレーザー光線発生装置4
例えばHe −Neレーザー俵装から発生するレーザー
光線5を照射し。
反射光を光量針6例えば太陽電池6によ〉検出しつつ、
ウェーハ7をポリシングする。ボリシ/グ中、所望の加
工量ポリシングされない時は、加工量検知用ウェーへ3
Kmll達したレーザー光線5は。
ウェーハ7をポリシングする。ボリシ/グ中、所望の加
工量ポリシングされない時は、加工量検知用ウェーへ3
Kmll達したレーザー光線5は。
前記検知用ウェーハ3の表面に付着した材質9゜例えば
ポリシリコンで反射するが、ボリシングがさらに道み、
検知用ウェーハ3の表面上の材質9゜例えばポリシリコ
ンが除去されると、レーザー光線5は研摩布8で反射す
る。研摩布8は前記検知用ウェー八表面上の材質91例
えばポリシリコンと反射率が異なる丸め1反射光量検出
用の光量針6例えば太陽電池で検出される光量に差が生
じ。
ポリシリコンで反射するが、ボリシングがさらに道み、
検知用ウェーハ3の表面上の材質9゜例えばポリシリコ
ンが除去されると、レーザー光線5は研摩布8で反射す
る。研摩布8は前記検知用ウェー八表面上の材質91例
えばポリシリコンと反射率が異なる丸め1反射光量検出
用の光量針6例えば太陽電池で検出される光量に差が生
じ。
ポリシリコンが所望O量になったことを示し、ボリシン
グを終了する1本発明の方法を用いるとボリシング中和
、F%望のポリシリコンを自動的に検出できる刹点があ
る。
グを終了する1本発明の方法を用いるとボリシング中和
、F%望のポリシリコンを自動的に検出できる刹点があ
る。
本**0ウエーハボリシング懐鍛を用いて、直径76■
厚さ400声atのシリコンウェーハ5枚と直aSO■
で厚さ390μmのガラス基板の上に、ポリ 。
厚さ400声atのシリコンウェーハ5枚と直aSO■
で厚さ390μmのガラス基板の上に、ポリ 。
シリコン10#mを付着させた加工量検知用ウェーハを
圧力100f/j、研摩液グ2ンゾツクス(商品名)、
研摩布としてスバ(4品名)でポリシングしたところ、
シリコンクニー71の厚す390μm±1μmが得られ
た。
圧力100f/j、研摩液グ2ンゾツクス(商品名)、
研摩布としてスバ(4品名)でポリシングしたところ、
シリコンクニー71の厚す390μm±1μmが得られ
た。
以上の実施例において、加工量検知用ウエーノ・とじて
、ガラス基板を選び、ガラス基板表面上の研摩布と反射
率の異なる材質としてポリシリコンを選ん友が、ボリシ
/グされる材質に合わせて、他の材料を用いても有効で
ある。
、ガラス基板を選び、ガラス基板表面上の研摩布と反射
率の異なる材質としてポリシリコンを選ん友が、ボリシ
/グされる材質に合わせて、他の材料を用いても有効で
ある。
以上述べ九ように1不発@によるウエーノ・ボリシング
方法を用いると、ポリシリコンを数分毎にチェックする
必要がなく、ボリシング中に所望のポリシリコンを検出
できる丸め、非常に省力的で正確な量のボリシングが可
能となる。
方法を用いると、ポリシリコンを数分毎にチェックする
必要がなく、ボリシング中に所望のポリシリコンを検出
できる丸め、非常に省力的で正確な量のボリシングが可
能となる。
図線9本発明の一実施例を示すもので、ポリ/フグ中の
様子を定板の断1iIK画直方向から見た状態を示す。 1、加圧板 1貫通穴 3.加工量検知用ウェーハ4、
レーザー光線発生装置 5.レーザー光線6、光量針
7.ウェーハ 8.研摩布 9.加工量検知用ウェーハ
表面 Km成した研摩布と反射率の異なる物質。
様子を定板の断1iIK画直方向から見た状態を示す。 1、加圧板 1貫通穴 3.加工量検知用ウェーハ4、
レーザー光線発生装置 5.レーザー光線6、光量針
7.ウェーハ 8.研摩布 9.加工量検知用ウェーハ
表面 Km成した研摩布と反射率の異なる物質。
Claims (1)
- (1) ウェーハを加圧板に付着し−て、ウェーハ0
片画をポリシングする片開ボリシング方法にお込て。 厚み方向に貫通穴を設けえ加圧板のウェーハ付着面に、
ウェーハO加工量検知用ウェーハを該貫通穴をし中へい
するように付着し、加圧板kW&ゆえ貫通穴を遇して、
前記検知用ウェーハにレーザー光線を照射し、前記検知
用ウェーハからの反射を太陽電池等の光量計て測定しつ
つ、ポリシング加工量を制御すゐことを特徴とするウェ
ーハボリシング方法。 偉) 前記加工量検知用ウェーハは、前記レーザー先の
波長に対して、透−な材料の表面上に、研摩布と反射率
の異なる物質を所望のウェーハ加工量と同量付着したも
のからなることを特徴とする特許請求の範W菖1項記載
のクエーハボリシング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6189882A JPS58178526A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | ウエ−ハポリシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6189882A JPS58178526A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | ウエ−ハポリシング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58178526A true JPS58178526A (ja) | 1983-10-19 |
Family
ID=13184417
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6189882A Pending JPS58178526A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | ウエ−ハポリシング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58178526A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5722875A (en) * | 1995-05-30 | 1998-03-03 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for polishing |
DE4125732C2 (de) * | 1990-08-06 | 2002-05-29 | Micron Technology Inc | Verfahren und Gerät zum Polieren eines flachen Wafers |
US6676717B1 (en) | 1995-03-28 | 2004-01-13 | Applied Materials Inc | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
US6876454B1 (en) | 1995-03-28 | 2005-04-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
US6994607B2 (en) | 2001-12-28 | 2006-02-07 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window |
US7011565B2 (en) | 1995-03-28 | 2006-03-14 | Applied Materials, Inc. | Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus |
US7264536B2 (en) | 2003-09-23 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window |
JP2010052062A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削方法 |
US7677959B2 (en) | 1999-09-14 | 2010-03-16 | Applied Materials, Inc. | Multilayer polishing pad and method of making |
US7731566B2 (en) | 1995-03-28 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing metrology using interference signals |
-
1982
- 1982-04-14 JP JP6189882A patent/JPS58178526A/ja active Pending
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4125732C2 (de) * | 1990-08-06 | 2002-05-29 | Micron Technology Inc | Verfahren und Gerät zum Polieren eines flachen Wafers |
US7118450B2 (en) | 1995-03-28 | 2006-10-10 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window and method of fabricating a window in a polishing pad |
US6676717B1 (en) | 1995-03-28 | 2004-01-13 | Applied Materials Inc | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
US6876454B1 (en) | 1995-03-28 | 2005-04-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
US8556679B2 (en) | 1995-03-28 | 2013-10-15 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing metrology using interference signals |
US7011565B2 (en) | 1995-03-28 | 2006-03-14 | Applied Materials, Inc. | Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus |
US7731566B2 (en) | 1995-03-28 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing metrology using interference signals |
US8506356B2 (en) | 1995-03-28 | 2013-08-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
US7255629B2 (en) | 1995-03-28 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Polishing assembly with a window |
US8092274B2 (en) | 1995-03-28 | 2012-01-10 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing metrology using interference signals |
US7841926B2 (en) | 1995-03-28 | 2010-11-30 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing metrology using interference signals |
US7775852B2 (en) | 1995-03-28 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
US5722875A (en) * | 1995-05-30 | 1998-03-03 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for polishing |
US7677959B2 (en) | 1999-09-14 | 2010-03-16 | Applied Materials, Inc. | Multilayer polishing pad and method of making |
US7198544B2 (en) | 2001-12-28 | 2007-04-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window |
US6994607B2 (en) | 2001-12-28 | 2006-02-07 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window |
US7547243B2 (en) | 2003-09-23 | 2009-06-16 | Applied Materials, Inc. | Method of making and apparatus having polishing pad with window |
US7264536B2 (en) | 2003-09-23 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window |
JP2010052062A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削方法 |
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