JPS58178526A - ウエ−ハポリシング方法 - Google Patents

ウエ−ハポリシング方法

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JPS58178526A
JPS58178526A JP6189882A JP6189882A JPS58178526A JP S58178526 A JPS58178526 A JP S58178526A JP 6189882 A JP6189882 A JP 6189882A JP 6189882 A JP6189882 A JP 6189882A JP S58178526 A JPS58178526 A JP S58178526A
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JP
Japan
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wafer
polishing
hole
amount
laser beam
Prior art date
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Pending
Application number
JP6189882A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsuneo Hamaguchi
浜口 恒夫
Masakazu Kimura
正和 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS58178526A publication Critical patent/JPS58178526A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002Preparing wafers
    • H01L21/02005Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008Multistep processes
    • H01L21/0201Specific process step
    • H01L21/02024Mirror polishing

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本偽−社所望Oボリシング加工量を除去したか否か04
11定を自動的に検知できるクエーノ1ポリシング方渋
Kllするものである。
従来O片画ボリシング方法を用いた場合、ボリシング加
工量社ボリシング速度を一定と仮定して。
ボリシンダ時間で推測してい九が、ボリシ/グ速度は研
摩布otsa、加圧力およびボリシンダ液濃度を九は種
類11により、異なる丸め、ポリシング量にバラツキを
生じ、数μmの除去をポリシングで行なうえめには、数
分ポリシングする毎に、ウェーハの厚みを測定する必要
があり、非常に繁雑で不正確である。
本li明は、この欠点を除去し、ウェーハを付着する加
圧板に貫通穴を設け、レーザー光線の波長に対して遥明
な材料の表面に、所望のポリシング加工量と同量の研摩
布と反射率の異なる材質を付着し九りヱーハを加工量検
知用として、加圧板の貫通穴をし中へいするように加圧
板のボリシング面に付着し、ボリシング中に前記貫通穴
を通して。
レーず一光線を前記検知用クエーノに照射し、ウェーハ
からの反射を太陽電池等の光量針で調定しつつ、ボリシ
ングすることによ〉、所望のポリシリコンをボリシング
したか否かの判定を自動的に検知することができる丸め
、従来のボリンング方法におけるように、数分毎にボリ
シングを中断して、ウェーハ厚みを調定する必要がなく
、従って。
省力的で正確なりエーノ・加工量を制御できるウエーハ
ボリシング方法を提供する。
以下実施例を用いて1本発明の詳細な説明する。
本発明の一実施例を図に示す。
加圧板IK設は九貫通穴20ボリシング面に+He−N
eレーザー光線を通す例えばガラス表面にポリシング加
工量と同量の研摩布と反射率の異なる物質9例えばポリ
シリコンを付着した加工量検知用ウェーハ3を前記貫通
穴2をし中へいするように付着し9貫通穴2を通し、加
工量検知用ウエーノ〜131にレーザー光線発生装置4
例えばHe −Neレーザー俵装から発生するレーザー
光線5を照射し。
反射光を光量針6例えば太陽電池6によ〉検出しつつ、
ウェーハ7をポリシングする。ボリシ/グ中、所望の加
工量ポリシングされない時は、加工量検知用ウェーへ3
Kmll達したレーザー光線5は。
前記検知用ウェーハ3の表面に付着した材質9゜例えば
ポリシリコンで反射するが、ボリシングがさらに道み、
検知用ウェーハ3の表面上の材質9゜例えばポリシリコ
ンが除去されると、レーザー光線5は研摩布8で反射す
る。研摩布8は前記検知用ウェー八表面上の材質91例
えばポリシリコンと反射率が異なる丸め1反射光量検出
用の光量針6例えば太陽電池で検出される光量に差が生
じ。
ポリシリコンが所望O量になったことを示し、ボリシン
グを終了する1本発明の方法を用いるとボリシング中和
、F%望のポリシリコンを自動的に検出できる刹点があ
る。
本**0ウエーハボリシング懐鍛を用いて、直径76■
厚さ400声atのシリコンウェーハ5枚と直aSO■
で厚さ390μmのガラス基板の上に、ポリ  。
シリコン10#mを付着させた加工量検知用ウェーハを
圧力100f/j、研摩液グ2ンゾツクス(商品名)、
研摩布としてスバ(4品名)でポリシングしたところ、
シリコンクニー71の厚す390μm±1μmが得られ
た。
以上の実施例において、加工量検知用ウエーノ・とじて
、ガラス基板を選び、ガラス基板表面上の研摩布と反射
率の異なる材質としてポリシリコンを選ん友が、ボリシ
/グされる材質に合わせて、他の材料を用いても有効で
ある。
以上述べ九ように1不発@によるウエーノ・ボリシング
方法を用いると、ポリシリコンを数分毎にチェックする
必要がなく、ボリシング中に所望のポリシリコンを検出
できる丸め、非常に省力的で正確な量のボリシングが可
能となる。
【図面の簡単な説明】
図線9本発明の一実施例を示すもので、ポリ/フグ中の
様子を定板の断1iIK画直方向から見た状態を示す。 1、加圧板 1貫通穴 3.加工量検知用ウェーハ4、
レーザー光線発生装置 5.レーザー光線6、光量針 
7.ウェーハ 8.研摩布 9.加工量検知用ウェーハ
表面 Km成した研摩布と反射率の異なる物質。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  ウェーハを加圧板に付着し−て、ウェーハ0
    片画をポリシングする片開ボリシング方法にお込て。 厚み方向に貫通穴を設けえ加圧板のウェーハ付着面に、
    ウェーハO加工量検知用ウェーハを該貫通穴をし中へい
    するように付着し、加圧板kW&ゆえ貫通穴を遇して、
    前記検知用ウェーハにレーザー光線を照射し、前記検知
    用ウェーハからの反射を太陽電池等の光量計て測定しつ
    つ、ポリシング加工量を制御すゐことを特徴とするウェ
    ーハボリシング方法。 偉) 前記加工量検知用ウェーハは、前記レーザー先の
    波長に対して、透−な材料の表面上に、研摩布と反射率
    の異なる物質を所望のウェーハ加工量と同量付着したも
    のからなることを特徴とする特許請求の範W菖1項記載
    のクエーハボリシング方法。
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