JPS58178526A - ウエ−ハポリシング方法 - Google Patents
ウエ−ハポリシング方法Info
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- JPS58178526A JPS58178526A JP6189882A JP6189882A JPS58178526A JP S58178526 A JPS58178526 A JP S58178526A JP 6189882 A JP6189882 A JP 6189882A JP 6189882 A JP6189882 A JP 6189882A JP S58178526 A JPS58178526 A JP S58178526A
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- Japan
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- wafer
- polishing
- hole
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- laser beam
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本偽−社所望Ｏボリシング加工量を除去したか否か０４
１１定を自動的に検知できるクエーノ１ポリシング方渋
Ｋｌｌするものである。
１１定を自動的に検知できるクエーノ１ポリシング方渋
Ｋｌｌするものである。
従来Ｏ片画ボリシング方法を用いた場合、ボリシング加
工量社ボリシング速度を一定と仮定して。
工量社ボリシング速度を一定と仮定して。
ボリシンダ時間で推測してい九が、ボリシ／グ速度は研
摩布ｏｔｓａ、加圧力およびボリシンダ液濃度を九は種
類１１により、異なる丸め、ポリシング量にバラツキを
生じ、数μｍの除去をポリシングで行なうえめには、数
分ポリシングする毎に、ウェーハの厚みを測定する必要
があり、非常に繁雑で不正確である。
摩布ｏｔｓａ、加圧力およびボリシンダ液濃度を九は種
類１１により、異なる丸め、ポリシング量にバラツキを
生じ、数μｍの除去をポリシングで行なうえめには、数
分ポリシングする毎に、ウェーハの厚みを測定する必要
があり、非常に繁雑で不正確である。
本ｌｉ明は、この欠点を除去し、ウェーハを付着する加
圧板に貫通穴を設け、レーザー光線の波長に対して遥明
な材料の表面に、所望のポリシング加工量と同量の研摩
布と反射率の異なる材質を付着し九りヱーハを加工量検
知用として、加圧板の貫通穴をし中へいするように加圧
板のボリシング面に付着し、ボリシング中に前記貫通穴
を通して。
圧板に貫通穴を設け、レーザー光線の波長に対して遥明
な材料の表面に、所望のポリシング加工量と同量の研摩
布と反射率の異なる材質を付着し九りヱーハを加工量検
知用として、加圧板の貫通穴をし中へいするように加圧
板のボリシング面に付着し、ボリシング中に前記貫通穴
を通して。
レーず一光線を前記検知用クエーノに照射し、ウェーハ
からの反射を太陽電池等の光量針で調定しつつ、ボリシ
ングすることによ〉、所望のポリシリコンをボリシング
したか否かの判定を自動的に検知することができる丸め
、従来のボリンング方法におけるように、数分毎にボリ
シングを中断して、ウェーハ厚みを調定する必要がなく
、従って。
からの反射を太陽電池等の光量針で調定しつつ、ボリシ
ングすることによ〉、所望のポリシリコンをボリシング
したか否かの判定を自動的に検知することができる丸め
、従来のボリンング方法におけるように、数分毎にボリ
シングを中断して、ウェーハ厚みを調定する必要がなく
、従って。
省力的で正確なりエーノ・加工量を制御できるウエーハ
ボリシング方法を提供する。
ボリシング方法を提供する。
以下実施例を用いて１本発明の詳細な説明する。
本発明の一実施例を図に示す。
加圧板ＩＫ設は九貫通穴２０ボリシング面に＋Ｈｅ−Ｎ
ｅレーザー光線を通す例えばガラス表面にポリシング加
工量と同量の研摩布と反射率の異なる物質９例えばポリ
シリコンを付着した加工量検知用ウェーハ３を前記貫通
穴２をし中へいするように付着し９貫通穴２を通し、加
工量検知用ウエーノ〜１３１にレーザー光線発生装置４
例えばＨｅ −Ｎｅレーザー俵装から発生するレーザー
光線５を照射し。
ｅレーザー光線を通す例えばガラス表面にポリシング加
工量と同量の研摩布と反射率の異なる物質９例えばポリ
シリコンを付着した加工量検知用ウェーハ３を前記貫通
穴２をし中へいするように付着し９貫通穴２を通し、加
工量検知用ウエーノ〜１３１にレーザー光線発生装置４
例えばＨｅ −Ｎｅレーザー俵装から発生するレーザー
光線５を照射し。
反射光を光量針６例えば太陽電池６によ〉検出しつつ、
ウェーハ７をポリシングする。ボリシ／グ中、所望の加
工量ポリシングされない時は、加工量検知用ウェーへ３
Ｋｍｌｌ達したレーザー光線５は。
ウェーハ７をポリシングする。ボリシ／グ中、所望の加
工量ポリシングされない時は、加工量検知用ウェーへ３
Ｋｍｌｌ達したレーザー光線５は。
前記検知用ウェーハ３の表面に付着した材質９゜例えば
ポリシリコンで反射するが、ボリシングがさらに道み、
検知用ウェーハ３の表面上の材質９゜例えばポリシリコ
ンが除去されると、レーザー光線５は研摩布８で反射す
る。研摩布８は前記検知用ウェー八表面上の材質９１例
えばポリシリコンと反射率が異なる丸め１反射光量検出
用の光量針６例えば太陽電池で検出される光量に差が生
じ。
ポリシリコンで反射するが、ボリシングがさらに道み、
検知用ウェーハ３の表面上の材質９゜例えばポリシリコ
ンが除去されると、レーザー光線５は研摩布８で反射す
る。研摩布８は前記検知用ウェー八表面上の材質９１例
えばポリシリコンと反射率が異なる丸め１反射光量検出
用の光量針６例えば太陽電池で検出される光量に差が生
じ。
ポリシリコンが所望Ｏ量になったことを示し、ボリシン
グを終了する１本発明の方法を用いるとボリシング中和
、Ｆ％望のポリシリコンを自動的に検出できる刹点があ
る。
グを終了する１本発明の方法を用いるとボリシング中和
、Ｆ％望のポリシリコンを自動的に検出できる刹点があ
る。
本＊＊０ウエーハボリシング懐鍛を用いて、直径７６■
厚さ４００声ａｔのシリコンウェーハ５枚と直ａＳＯ■
で厚さ３９０μｍのガラス基板の上に、ポリ 。
厚さ４００声ａｔのシリコンウェーハ５枚と直ａＳＯ■
で厚さ３９０μｍのガラス基板の上に、ポリ 。
シリコン１０＃ｍを付着させた加工量検知用ウェーハを
圧力１００ｆ／ｊ、研摩液グ２ンゾツクス（商品名）、
研摩布としてスバ（４品名）でポリシングしたところ、
シリコンクニー７１の厚す３９０μｍ±１μｍが得られ
た。
圧力１００ｆ／ｊ、研摩液グ２ンゾツクス（商品名）、
研摩布としてスバ（４品名）でポリシングしたところ、
シリコンクニー７１の厚す３９０μｍ±１μｍが得られ
た。
以上の実施例において、加工量検知用ウエーノ・とじて
、ガラス基板を選び、ガラス基板表面上の研摩布と反射
率の異なる材質としてポリシリコンを選ん友が、ボリシ
／グされる材質に合わせて、他の材料を用いても有効で
ある。
、ガラス基板を選び、ガラス基板表面上の研摩布と反射
率の異なる材質としてポリシリコンを選ん友が、ボリシ
／グされる材質に合わせて、他の材料を用いても有効で
ある。
以上述べ九ように１不発＠によるウエーノ・ボリシング
方法を用いると、ポリシリコンを数分毎にチェックする
必要がなく、ボリシング中に所望のポリシリコンを検出
できる丸め、非常に省力的で正確な量のボリシングが可
能となる。
方法を用いると、ポリシリコンを数分毎にチェックする
必要がなく、ボリシング中に所望のポリシリコンを検出
できる丸め、非常に省力的で正確な量のボリシングが可
能となる。
図線９本発明の一実施例を示すもので、ポリ／フグ中の
様子を定板の断１ｉＩＫ画直方向から見た状態を示す。 １、加圧板 １貫通穴 ３．加工量検知用ウェーハ４、
レーザー光線発生装置 ５．レーザー光線６、光量針
７．ウェーハ ８．研摩布 ９．加工量検知用ウェーハ
表面 Ｋｍ成した研摩布と反射率の異なる物質。
様子を定板の断１ｉＩＫ画直方向から見た状態を示す。 １、加圧板 １貫通穴 ３．加工量検知用ウェーハ４、
レーザー光線発生装置 ５．レーザー光線６、光量針
７．ウェーハ ８．研摩布 ９．加工量検知用ウェーハ
表面 Ｋｍ成した研摩布と反射率の異なる物質。
Claims (1)
- （１） ウェーハを加圧板に付着し−て、ウェーハ０
片画をポリシングする片開ボリシング方法にお込て。 厚み方向に貫通穴を設けえ加圧板のウェーハ付着面に、
ウェーハＯ加工量検知用ウェーハを該貫通穴をし中へい
するように付着し、加圧板ｋＷ＆ゆえ貫通穴を遇して、
前記検知用ウェーハにレーザー光線を照射し、前記検知
用ウェーハからの反射を太陽電池等の光量計て測定しつ
つ、ポリシング加工量を制御すゐことを特徴とするウェ
ーハボリシング方法。 偉） 前記加工量検知用ウェーハは、前記レーザー先の
波長に対して、透−な材料の表面上に、研摩布と反射率
の異なる物質を所望のウェーハ加工量と同量付着したも
のからなることを特徴とする特許請求の範Ｗ菖１項記載
のクエーハボリシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6189882A JPS58178526A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | ウエ−ハポリシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6189882A JPS58178526A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | ウエ−ハポリシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58178526A true JPS58178526A (ja) | 1983-10-19 |
Family
ID=13184417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6189882A Pending JPS58178526A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | ウエ−ハポリシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58178526A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5722875A (en) * | 1995-05-30 | 1998-03-03 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for polishing |
| DE4125732C2 (de) * | 1990-08-06 | 2002-05-29 | Micron Technology Inc | Verfahren und Gerät zum Polieren eines flachen Wafers |
| US6676717B1 (en) | 1995-03-28 | 2004-01-13 | Applied Materials Inc | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
| US6876454B1 (en) | 1995-03-28 | 2005-04-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
| US6994607B2 (en) | 2001-12-28 | 2006-02-07 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window |
| US7011565B2 (en) | 1995-03-28 | 2006-03-14 | Applied Materials, Inc. | Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus |
| US7264536B2 (en) | 2003-09-23 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window |
| JP2010052062A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削方法 |
| US7677959B2 (en) | 1999-09-14 | 2010-03-16 | Applied Materials, Inc. | Multilayer polishing pad and method of making |
| US7731566B2 (en) | 1995-03-28 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing metrology using interference signals |
-
1982
- 1982-04-14 JP JP6189882A patent/JPS58178526A/ja active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4125732C2 (de) * | 1990-08-06 | 2002-05-29 | Micron Technology Inc | Verfahren und Gerät zum Polieren eines flachen Wafers |
| US7118450B2 (en) | 1995-03-28 | 2006-10-10 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window and method of fabricating a window in a polishing pad |
| US6676717B1 (en) | 1995-03-28 | 2004-01-13 | Applied Materials Inc | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
| US6876454B1 (en) | 1995-03-28 | 2005-04-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
| US8556679B2 (en) | 1995-03-28 | 2013-10-15 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing metrology using interference signals |
| US7011565B2 (en) | 1995-03-28 | 2006-03-14 | Applied Materials, Inc. | Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus |
| US7731566B2 (en) | 1995-03-28 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing metrology using interference signals |
| US8506356B2 (en) | 1995-03-28 | 2013-08-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
| US7255629B2 (en) | 1995-03-28 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Polishing assembly with a window |
| US8092274B2 (en) | 1995-03-28 | 2012-01-10 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing metrology using interference signals |
| US7841926B2 (en) | 1995-03-28 | 2010-11-30 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing metrology using interference signals |
| US7775852B2 (en) | 1995-03-28 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
| US5722875A (en) * | 1995-05-30 | 1998-03-03 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for polishing |
| US7677959B2 (en) | 1999-09-14 | 2010-03-16 | Applied Materials, Inc. | Multilayer polishing pad and method of making |
| US7198544B2 (en) | 2001-12-28 | 2007-04-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window |
| US6994607B2 (en) | 2001-12-28 | 2006-02-07 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window |
| US7547243B2 (en) | 2003-09-23 | 2009-06-16 | Applied Materials, Inc. | Method of making and apparatus having polishing pad with window |
| US7264536B2 (en) | 2003-09-23 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window |
| JP2010052062A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削方法 |
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