JP5277163B2 - 複数の部分を有する窓をもつ研磨パッド - Google Patents

複数の部分を有する窓をもつ研磨パッド Download PDF

Info

Publication number
JP5277163B2
JP5277163B2 JP2009518606A JP2009518606A JP5277163B2 JP 5277163 B2 JP5277163 B2 JP 5277163B2 JP 2009518606 A JP2009518606 A JP 2009518606A JP 2009518606 A JP2009518606 A JP 2009518606A JP 5277163 B2 JP5277163 B2 JP 5277163B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
layer
polishing pad
light transmissive
outer portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009518606A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009542451A5 (ja
JP2009542451A (ja
Inventor
ドミニック ベンヴェグヌ,
ボグスロウ スウェデック,
ジミン チャン,
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2009542451A publication Critical patent/JP2009542451A/ja
Publication of JP2009542451A5 publication Critical patent/JP2009542451A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5277163B2 publication Critical patent/JP5277163B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/205Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/12Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means

Description

関連出願への相互参照
本出願は、2006年7月3日に出願された米国特許出願第60/818,423号の優先権を主張する。
背景
本発明は、化学的機械的研磨(CMP)に使用するための研磨パッドに関する。
近代的な半導体集積回路(IC)を製造するプロセスでは、基板の外面を平坦化することがしばしば必要になる。例えば、導電性フィラー層を、その下に横たわる層の上面が露出するまで研磨除去して、絶縁層の持ち上がったパターン間に導電性材料を残し、基板上の薄膜回路間に導電性経路を与えるビア、プラグ及びラインを形成するために、平坦化が必要になる場合がある。加えて、酸化物層をフラットに且つ薄くして、ホトリソグラフィーに適したフラットな表面を設けるために、平坦化が必要になる場合もある。
半導体基板の平坦化又はトポグラフィー除去を達成するための1つの方法は、化学的機械的研磨(CMP)である。従来の化学的機械的研磨(CMP)プロセスは、磨き剤スラリーの存在中で回転する研磨パッドに基板を押し付けることを含む。
一般に、研磨を停止すべきかどうか決定するには、希望の表面平坦性又は層厚みに到達したとき又はその下に横たわる層が露出したときに、それを検出することが必要である。CMPプロセス中に終了点を現場で検出するために、多数の技術が開発されている。例えば、層の研磨中に基板上の層の均一性を現場で測定するための光学的監視システムが使用されている。この光学的監視システムは、研磨中に基板に光ビームを向ける光源と、基板から反射された光を測定する検出器と、検出器からの信号を分析し、終了点が検出されたかどうか計算するコンピュータとを備えることができる。あるCMPシステムでは、研磨パッドの窓を通して光ビームが基板に向けられる。
概要
1つの態様において、本発明は、研磨パッドに向けられる。研磨パッドは、貫通アパーチャー及び研磨面をもつ不透明な研磨層と、アパーチャーにおける固体の光透過窓とを有する。固体の光透過窓は、研磨層に固定された外側部分と、該外側部分に固定された内側部分とを含む。外側部分は、研磨面に対して窪んだ上面を有し、一方、内側部分は、研磨面と実質的に同一平面である上面を有する。
本発明の具現化は、次の特徴の1つ以上を含むことができる。外側部分は、内側部分を取り巻くことができる。外側部分は、長方形で、内側部分は、方形とすることができる。内側部分及び研磨層は、実質的に同じ硬度をもつことができる。外側部分は、内側部分より硬くすることができる。外側部分は、研磨層と実質的に同じ硬度をもつことができる。外側部分の上面より上に突出する内側部分の角は、平滑化することができ、例えば、傾斜付け又は丸み付けすることができる。外側部分の上面より上に突出する研磨層の内縁の角は、平滑化することができる。内側部分を外側部分に成形することができる。研磨層、第1部分及び第2部分の底面は、実質的に同一平面とすることができる。
別の具現化において、本発明は、研磨パッドの製造方法に向けられる。この方法は、不透明な研磨層のアパーチャーに第1の光透過層を形成するステップと、この第1の光透過層のアパーチャーに第2の光透過層を形成するステップと、を備えている。第1の光透過層は、研磨層の研磨面に対して窪んだ上面を有し、第2の光透過層は、研磨面と実質的に同一平面である上面を有している。
本発明の具現化は、次の特徴の1つ以上を含むことができる。第1の光透過層のアパーチャーに第2の光透過層を形成するステップは、第1の光透過層に穴をカットする段階を含むことができる。また、第1の光透過層のアパーチャーに第2の光透過層を形成するステップは、第1の光透過層の穴に液体先駆体を充填する段階と、この先駆体を硬化する段階とを含むことができる。先駆体を硬化する段階は、研磨面の上に突出する透明な本体を生成することができる。この本体は、第2部分の上面が研磨面と実質的に同一平面になるまで磨くことができる。穴に液体先駆体を充填する段階は、研磨面の上に突出するメニスカスを生成することができる。第1部分の上面の上に突出する第2部分の角は、平滑化することができる。
本発明の潜在的な効果は、次のうちの1つ以上を含むことができる。窓は、(例えば、IC1000タイプの研磨パッドの従来の窓に比して)比較的柔軟である。従って、窓は、基板にかき傷を付ける危険性の低い柔軟な研磨パッド、例えば、ポリテックス(Politex)研磨パッドと共に使用することができる。
本発明の1つ以上の実施形態を、添付図面を参照して以下に詳細に説明する。本発明の他の特徴、目的及び効果は、以下の説明、添付図面、及び特許請求の範囲から明らかとなろう。
終了点検出のための光学的監視システムを伴う化学的機械的研磨装置の概略断面側面図である。 窓を伴う研磨パッドの簡単な上面図である。 図2の3−3線に沿った研磨パッドの簡単な概略断面図である。 感圧接着剤及びライナーを伴う研磨パッドの簡単な概略断面図である。 研磨パッドの組み立てを示す断面図である。 研磨パッドの組み立てを示す断面図である。 研磨パッドの組み立てを示す断面図である。 研磨パッドの組み立てを示す断面図である。
種々の図面において同じ素子は、同じ参照記号で示す。
詳細な説明
図1に示すように、CPM装置10は、半導体基板14をプラテン16上の研磨パッド18に対して保持するための研磨ヘッド12を備えている。このCMP装置は、米国特許第5,738,574号に述べられたように構成することができ、該特許の全開示を参考としてここに援用する。
基板は、例えば、(例えば、複数のメモリ又はプロセッサダイを含む)製品基板、テスト基板、ベア基板、及びゲート基板である。基板は、集積回路製造の種々のステージにあるもので、例えば、ベアウェハでもよいし、又は1つ以上の堆積及び/又はパターン化された層を含むものでもよい。基板という語は、円形のディスクや、長方形のシートを含むことができる。
研磨パッド18の有効部分は、プラテン16に固定された底面22と、基板に接触するための研磨面24とを伴う研磨層20を含むことができる。この研磨層は、バフプロセスに適した比較的柔軟な材料である。このような研磨パッドは、ショアA範囲の硬度、例えば、50から80ショアAを有することができる。1つの具現化において、研磨パッドは、大きな垂直配向の孔が微孔性フェールト基板上に配設されたポロメリック被覆を含む。このような研磨パッドは、ロームアンドハス(Rohm & Hass)社からポリテックス(Politex)という商標で入手できる。柔軟な研磨パッドの一例が、米国特許第4,841,680号に述べられている。ある具現化では、研磨面24に溝を形成することができる。
典型的に、研磨パッド材料は、磨き剤粒子を伴う化学的研磨液体溶液30で濡らされる。この液体は、化学反応成分を含む溶液である。例えば、スラリーは、KOH(水酸化カリウム)及び霧化されたシリカ粒子を含むことができる。しかしながら、ある研磨プロセスは、「磨き剤なし」である。
研磨ヘッド12は、プラテンがその中心軸の周りを回転するときに、研磨パッド18に対して基板14に圧力を付与する。更に、研磨ヘッド12は、通常、その中心軸の周りを回転され、駆動シャフト又は並進移動アーム32を経て、プラテン16の表面を横切って並進移動される。基板と研磨面との間の圧力及び相対的移動が、研磨溶液とあいまって、基板の研磨を生じさせる。
プラテン16の頂面には、光学的アパーチャー34が形成される。レーザのような光源36及び光検出器のような検出器38を含む光学的監視システムは、プラテン16の頂面の下に配置することができる。例えば、この光学的監視システムは、光学的アパーチャー34と光学的に連通するプラテン16内のチャンバーに配置して、プラテンと共に回転することができる。光学的アパーチャー34は、これに石英ブロックのような透明固体部片を埋めることもできるし、又は空の穴とすることもできる。1つの具現化において、光学的監視システム及び光学的アパーチャーは、プラテンの対応くぼみに嵌合するモジュールの一部分として形成される。或いは又、光学的監視システムは、プラテンの下に配置される静止システムでもよく、また、光学的アパーチャーは、プラテンを貫通して延びてもよい。光源は、遠赤外線から紫外線までのどこかの波長、例えば、赤色光線を使用できるが、広帯域スペクトル、例えば、白色光も使用でき、また、検出器は、分光計でよい。
上に横たわる研磨パッド18には窓40が形成されて、プラテンの光学的アパーチャー34と整列される。窓40及びアパーチャー34は、ヘッド12の並進移動位置に関わらず、プラテンの回転の少なくとも一部分中に、研磨ヘッド12により保持された基板14が見えるように位置付けることができる。
光源36は、少なくとも窓40がその上に横たわる基板14に隣接する時間中に、アパーチャー34及び窓40を通して光ビームを投射して基板14の表面に当てる。基板から反射された光は、その結果として生じるビームを形成し、検出器38で検出される。光源及び検出器は、図示されていないコンピュータに結合され、このコンピュータは、検出器から測定された光の強度を受け取り、それを使用して、例えば、新たな層が露出したことを示す基板反射度の急激な変化を検出するか、干渉計の原理を使用して(透明な酸化物層のような)外側層から除去された厚みを計算するか、又は所定の終了点基準に対して信号を監視することにより、研磨終了点を決定する。
図2を参照すれば、一実施形態において、研磨パッド18は、半径Rが15.0インチ(381.00mm)であり、その対応直径が30インチである。他の具現化では、研磨パッド18は、その半径が15.25インチ(387.35mm)又は15.5インチ(393.70mm)であり、その対応直径が30.5インチ又は31インチである。光学的監視システムは、研磨パッド18の中心から7.5インチ(190.50mm)の距離Dを中心として、約0.5インチ(12.70mm)巾及び0.75インチ(19.05mm)長さの面積を使用することができる。従って、窓は、少なくともこの面積をカバーしなければならない。
図2−図3を参照すれば、窓40は、2つの部分、即ち薄い外側部分50、及び厚い中央部分60を含むことができる。窓の両部分は、ポリマー材料、例えば、ポリウレタンから形成することができる。
薄い外側部分50は、非圧縮の研磨面24に対して窪んだ頂面54を有することができる。外側部分50は、研磨層20の内縁26に固定することができる。或いは又、研磨パッド18がバッキング層、例えば、圧縮性サブパッド又は非圧縮性バッキング膜を含む場合には、外側部分をバッキング層に固定することができる。更に、窓40の外側部分50は、研磨層20より硬い材料、例えば、フィラーを伴わない比較的純粋なポリウレタン、例えば、JR111又はカルタン(Calthan)3200で形成することができる。研磨層20それ自体は、窓40の外側部分50上に延びず、従って、頂面54が研磨環境に露出され、光を透過することができる。
窓40の外側部分50は、長方形であって、その長手寸法は、窓の中心を通過する研磨パッドの半径に実質的に平行である。しかしながら、外側部分50は、円又は楕円のような他の形状を有することもでき、窓の中心が、光学的監視システムにより使用される面積の中心に配置される必要はない。外側部分62は、長さが約2.25インチ(57.15mm)で、巾が約0.75インチ(19.05mm)である。
窓40の厚い中央部分60は、研磨面24と実質的に同一平面である頂面64を有することができる。中央部分60の底面は、薄い部分50及び研磨層20の両底面と同一平面にすることができる。中央部分60は、例えば、外側部分のアパーチャーの場所で硬化され、ひいては、外側部分に成形されることにより、外側部分50の内縁56に固定することができる。外側部分50は、中央部分60を完全に取り巻くことができる。
厚い中央部分60は、薄い外側部分50と同じ材料、例えば、フィラーを伴わない比較的純粋なポリウレタンで、研磨層20とほぼ同じ硬度をもつように形成することができる(厚い部分は、異なる硬度を得るために、薄い部分とは異なる比率で先駆体、例えば、ポリオール及びジイソシアネートを使用して形成することができる)。従って、厚い部分60は、薄い部分50より柔軟である。中央部分60は、研磨層20とほぼ同じ硬度を有するので、基板にかき傷を付けるおそれを減少し、収率を高めることができる。
窓40の中央部分60は、方形で、外側部分50の中央に位置付けることができる。しかしながら、中央部分60は、円のような他の形状をもつこともできる。円形の中央部分は、基板にかき傷を付けるおそれを少なくすることができる。中央部分は、さしわたしが約0.5インチであり、例えば、0.5x0.5インチ平方である。
研磨パッドの1つの具現化においては、外側部分50が長方形で、中央部分60が方形である。別の具現化においては、外側部分50が長方形で、中央部分60が円形である。別の具現化では、外側部分50及び中央部分60が一般的に合同の形状であり、例えば、両方が長方形であるか、又は両方が円形である。
薄い外側部分50の上に突出する厚い中央部分60の角68は、基板にかき傷を付けるおそれを更に減少するために、平滑化することができ、例えば、丸み付け又は傾斜付けすることができる。また、研磨層20の内側角28も平滑化することができ、例えば、丸み付け又は傾斜付けすることができる。
図4を参照すれば、プラテンに設置する前に、研磨パッド18は、研磨パッドの底面22に広がる感圧接着剤70及びライナー72も含むことができる。使用中に、ライナーが研磨層20から剥離され、研磨層20が感圧接着剤70と共にプラテンに付着される。感圧接着剤70及びライナー72は、窓40に広げることもできるし、或いはそのいずれか又は両方を窓40の領域内及びそのすぐ近くの周囲において除去することもできる。
研磨パッドを製造するために、最初に、図5に示すように、(薄い部分50となる)薄い窓層を研磨層20に設置することができる。次いで、図6に示すように、厚い中央部分が形成される領域を窓層から除去する。1つ以上の液体ポリウレタン先駆体を穴に注ぐ。先駆体液体の表面張力は、図7に示すように、メニスカスが形成されて、研磨面24の上に液体が突出するようなものである。次いで、図8に示すように、液体ポリウレタンを硬化して固体プラスチックを形成し、この固体プラスチックを、例えば、ダイヤモンドコンディショニングディスクでの磨きによってフラットにし、窓の厚い中央部分を形成する。次いで、厚い中央部分及び研磨層の角を、必要に応じて、平滑化することができる。
別の具現化では、窓の薄い外側部分及び厚い内側部分の両方を柔軟な材料で形成して、実質的に同じ硬度をもつようにする。従って、薄い外側部分及び厚い内側部分の両方が、研磨層20とほぼ同じ硬度を有する。
一般的に、バフのために使用される研磨パッド、例えば、ポリテックス(Politex)は、研磨のために使用される研磨パッド、例えば、ロームアンドハス(Rohm & Hass)社からのIC−1000材料のようなフィラーを伴う鋳造ポリウレタンより柔軟である。従って、基板が異なるステーションにおいて異なる研磨パッドにより順次に研磨されるような複数ステーションの研磨システムでは、研磨パッド18は、シーケンスにおいて最後の研磨パッドであり、シーケンスにおいて最も柔軟な研磨を行うことができる。
本発明の幾つかの実施形態について説明した。しかしながら、本発明の精神及び範囲から逸脱せずに種々の変更がなされ得ることが理解されよう。例えば、本発明は、他の材料、例えば、ポリエステルファイバーフェルトで作られた研磨パッド、又は多層研磨パッドに適用されてもよい。従って、他の実施形態は、特許請求の範囲内に包含される。
10…CMP装置、12…研磨ヘッド、14…半導体基板、16…プラテン、18…研磨パッド、20…研磨層、22…底面、24…研磨面、28…角、30…化学的研磨液体溶液、32…駆動シャフト又は並進移動アーム、34…光学的アパーチャー、36…光源、38…検出器、40…窓、50…薄い外側部分、54…頂面、60…厚い中央部分、64…頂面、68…角、70…感圧接着剤、72…ライナー

Claims (14)

  1. 貫通アパーチャーを有し且つ研磨面を有する不透明な研磨層と、
    上記アパーチャーにおける固体の光透過窓と、を備え、
    上記固体の光透過窓は、
    上記研磨層に固定された外側部分であって、上記研磨面に対してくぼんだ上面を有する外側部分、及び
    上記外側部分に固定された内側部分であって、上記研磨面と実質的に同一平面である上面を有する内側部分、を含むものであり、
    上記外側部分は、上記内側部分よりも硬い、研磨パッド。
  2. 上記外側部分が上記内側部分を取り巻く、請求項1に記載の研磨パッド。
  3. 上記内側部分及び上記研磨層は、実質的に同じ硬度を有する、請求項1に記載の研磨パッド。
  4. 上記外側部分は、上記研磨層と実質的に同じ硬度を有する、請求項に記載の研磨パッド。
  5. 上記外側部分の上面より上に突出する上記内側部分の角が平滑化される、請求項1に記載の研磨パッド。
  6. 上記外側部分の上面より上に突出する上記研磨層の内縁の角が平滑化される、請求項1に記載の研磨パッド。
  7. 上記内側部分は、上記外側部分に成形される、請求項1に記載の研磨パッド。
  8. 上記研磨層、上記第1部分及び上記第2部分の底面は、実質的に同一平面上にある、請求項1に記載の研磨パッド。
  9. 上記研磨層は、微孔性フェールト基板上に配設されたポロメリック被覆を含む、請求項1に記載の研磨パッド。
  10. 研磨パッドを製造する方法であって
    不透明な研磨層のアパーチャーに、該研磨層の研磨面に対してくぼんだ上面を有する外側の第1の光透過層を形成するステップと、
    上記第1の光透過層のアパーチャーに、上記研磨面と実質的に同一平面である上面を有する内側の第2の光透過層を形成するステップと、を備え
    上記外側の第1の光透過層は、上記内側の第2の光透過層よりも硬い、方法。
  11. 第1の光透過層のアパーチャーに第2の光透過層を形成する上記ステップは、上記第1の光透過層に穴をカットする段階を含む、請求項10に記載の方法。
  12. 第1の光透過層のアパーチャーに第2の光透過層を形成する上記ステップは、上記第1の光透過層の穴を液体先駆体で埋めて、上記研磨面より上に突出するメニスカスを生成する段階と、上記先駆体を硬化させる段階とを含む、請求項10に記載の方法。
  13. 上記第2部分の上面が上記研磨面と実質的に同一平面となるまで上記本体を磨く段階を更に含む、請求項12に記載の方法。
  14. 上記第1部分の上面より上に突出する上記第2部分の角を平滑化するステップを更に備えた、請求項10に記載の方法。
JP2009518606A 2006-07-03 2007-07-02 複数の部分を有する窓をもつ研磨パッド Active JP5277163B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US81842306P 2006-07-03 2006-07-03
US60/818,423 2006-07-03
PCT/US2007/072690 WO2008005951A2 (en) 2006-07-03 2007-07-02 Polishing pad with window having multiple portions

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009542451A JP2009542451A (ja) 2009-12-03
JP2009542451A5 JP2009542451A5 (ja) 2010-08-12
JP5277163B2 true JP5277163B2 (ja) 2013-08-28

Family

ID=38895428

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009518606A Active JP5277163B2 (ja) 2006-07-03 2007-07-02 複数の部分を有する窓をもつ研磨パッド

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7942724B2 (ja)
JP (1) JP5277163B2 (ja)
TW (1) TWI370039B (ja)
WO (1) WO2008005951A2 (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7967661B2 (en) * 2008-06-19 2011-06-28 Micron Technology, Inc. Systems and pads for planarizing microelectronic workpieces and associated methods of use and manufacture
US9017140B2 (en) 2010-01-13 2015-04-28 Nexplanar Corporation CMP pad with local area transparency
US20110281510A1 (en) * 2010-05-12 2011-11-17 Applied Materials, Inc. Pad Window Insert
US9156124B2 (en) 2010-07-08 2015-10-13 Nexplanar Corporation Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate
TWI521625B (zh) * 2010-07-30 2016-02-11 應用材料股份有限公司 使用光譜監測來偵測層級清除
WO2012068428A2 (en) * 2010-11-18 2012-05-24 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising transmissive region
US8920219B2 (en) * 2011-07-15 2014-12-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with alignment aperture
JP2014113644A (ja) * 2012-12-06 2014-06-26 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド
US8961266B2 (en) 2013-03-15 2015-02-24 Applied Materials, Inc. Polishing pad with secondary window seal
US20160144477A1 (en) * 2014-11-21 2016-05-26 Diane Scott Coated compressive subpad for chemical mechanical polishing
US9475168B2 (en) * 2015-03-26 2016-10-25 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad window
KR20230058559A (ko) * 2016-02-26 2023-05-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 얇은 연마 패드 내의 윈도우
US10213894B2 (en) * 2016-02-26 2019-02-26 Applied Materials, Inc. Method of placing window in thin polishing pad
JP2019528187A (ja) * 2016-08-31 2019-10-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 環状プラテン又は研磨パッドを有する研磨システム
JP7022647B2 (ja) 2018-05-08 2022-02-18 株式会社荏原製作所 光透過性部材、研磨パッドおよび基板研磨装置
US11633830B2 (en) 2020-06-24 2023-04-25 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. CMP polishing pad with uniform window
US20220203495A1 (en) 2020-12-29 2022-06-30 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Cmp polishing pad with window having transparency at low wavelengths and material useful in such window

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5893796A (en) * 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
US6068539A (en) * 1998-03-10 2000-05-30 Lam Research Corporation Wafer polishing device with movable window
JP3367496B2 (ja) * 2000-01-20 2003-01-14 株式会社ニコン 研磨体、平坦化装置、半導体デバイス製造方法、および半導体デバイス
WO2000060650A1 (fr) * 1999-03-31 2000-10-12 Nikon Corporation Corps de polissage, dispositif de polissage, procede de reglage du dispositif de polissage, dispositif de mesure de l'epaisseur du film poli ou du point terminal de polissage, procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur
US6454630B1 (en) * 1999-09-14 2002-09-24 Applied Materials, Inc. Rotatable platen having a transparent window for a chemical mechanical polishing apparatus and method of making the same
US6685537B1 (en) * 2000-06-05 2004-02-03 Speedfam-Ipec Corporation Polishing pad window for a chemical mechanical polishing tool
US6641470B1 (en) * 2001-03-30 2003-11-04 Lam Research Corporation Apparatus for accurate endpoint detection in supported polishing pads
DE60228784D1 (de) * 2001-04-25 2008-10-23 Jsr Corp Lichtduchlässiges Polierkissen für eine Halbleiterschleife
JP4570286B2 (ja) * 2001-07-03 2010-10-27 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド
JP2003133270A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Jsr Corp 化学機械研磨用窓材及び研磨パッド
US7175503B2 (en) * 2002-02-04 2007-02-13 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a characteristic of polishing within a zone on a specimen from combined output signals of an eddy current device
JP2003285259A (ja) * 2002-03-28 2003-10-07 Toray Ind Inc 研磨パッド、研磨装置及び半導体デバイスの製造方法
KR20040093402A (ko) 2003-04-22 2004-11-05 제이에스알 가부시끼가이샤 연마 패드 및 반도체 웨이퍼의 연마 방법
US6997777B2 (en) * 2003-06-17 2006-02-14 Cabot Microelectronics Corporation Ultrasonic welding method for the manufacture of a polishing pad comprising an optically transmissive region
US7264536B2 (en) * 2003-09-23 2007-09-04 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window
US7258602B2 (en) * 2003-10-22 2007-08-21 Iv Technologies Co., Ltd. Polishing pad having grooved window therein and method of forming the same
CN100424830C (zh) * 2004-04-23 2008-10-08 Jsr株式会社 用于抛光半导体晶片的抛光垫、层叠体和方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7942724B2 (en) 2011-05-17
WO2008005951A2 (en) 2008-01-10
US8475228B2 (en) 2013-07-02
US20080003923A1 (en) 2008-01-03
US20110212673A1 (en) 2011-09-01
WO2008005951A3 (en) 2009-04-09
TWI370039B (en) 2012-08-11
TW200824841A (en) 2008-06-16
JP2009542451A (ja) 2009-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5277163B2 (ja) 複数の部分を有する窓をもつ研磨パッド
JP5363470B2 (ja) 窓付きの薄い研磨パッド及び成形プロセス
TWI663021B (zh) 插入式墊窗
US11826875B2 (en) Window in thin polishing pad
JP5474093B2 (ja) 窓支持部を具備する研磨パッドおよび研磨システム
US20230278158A1 (en) Polishing Pad with Secondary Window Seal
JP6794464B2 (ja) 薄い研磨パッド内の窓

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100624

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100624

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20101130

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20101210

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120619

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120621

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120918

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120925

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20120925

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121114

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130423

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130520

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5277163

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250