JPS62211927A - 半導体ウエ−ハの加工方法 - Google Patents
半導体ウエ−ハの加工方法Info
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- JPS62211927A JPS62211927A JP61055667A JP5566786A JPS62211927A JP S62211927 A JPS62211927 A JP S62211927A JP 61055667 A JP61055667 A JP 61055667A JP 5566786 A JP5566786 A JP 5566786A JP S62211927 A JPS62211927 A JP S62211927A
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Weting (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１産業−１−の利用分野゛１
本発明はセ１−導体ウェーハの加工方法に関し、特に半
導体ウェーハの表面を無歪鏡面に研磨する半導体ウェー
ハの前二「方法に関する。
導体ウェーハの表面を無歪鏡面に研磨する半導体ウェー
ハの前二「方法に関する。
（従来の技術１
従来の１そ導体ウェーへの前二［ノブ法は、砥粒か半導
体ウェーハ面上を転動又は滑動することにより、つＪ−
ハ表面を極微少量ずつ除去する方法１１＞るいはエツチ
ンクによる化学研磨の方法かある。
体ウェーハ面上を転動又は滑動することにより、つＪ−
ハ表面を極微少量ずつ除去する方法１１＞るいはエツチ
ンクによる化学研磨の方法かある。
しかしなから、これらの方法は、前二［能率や表面゛ビ
滑性の点て必ずしも満足できるものてなかった。
滑性の点て必ずしも満足できるものてなかった。
本願発明名が先に出願した特願昭（＞ Ｏ−１１２２７
５づによる加工方法は、１−記めｊＴ法を改良しな゛１
″導体ウェー八丙加圧方法である。その前二り方法は、
光企通ず窓を設けた研磨板と半導体ウェーハとを化学液
を介ｉ〜で対向するように配置し、恋を通して、１ヒ学
液及び半導体ウェーハの表面に光を照射しながら、半導
体ウェーハと研磨板とを相対運動さぜることに、１す、
半導体ウェーハ表面を鏡面研磨し、ている、 １発明が解決し、Ｌうとする問題点） １−１述した従来の半導体ウェーハの加工力法は、窓を
設（１か研磨板を用いるため、半導体ウェーハの表面ト
で光が照射される部分とされない部分か生し、光が照射
される部分では、半導体ウエーハ及び化学７夜か励起状
態となり、ゾ１か明射さノ１ない部分に比Ｉ＼加−［速
疫が速くなり、半導体ウェーハ面１−に研磨板の窓の大
きさに対応した凹凸が牛しるという問題点がある。
５づによる加工方法は、１−記めｊＴ法を改良しな゛１
″導体ウェー八丙加圧方法である。その前二り方法は、
光企通ず窓を設けた研磨板と半導体ウェーハとを化学液
を介ｉ〜で対向するように配置し、恋を通して、１ヒ学
液及び半導体ウェーハの表面に光を照射しながら、半導
体ウェーハと研磨板とを相対運動さぜることに、１す、
半導体ウェーハ表面を鏡面研磨し、ている、 １発明が解決し、Ｌうとする問題点） １−１述した従来の半導体ウェーハの加工力法は、窓を
設（１か研磨板を用いるため、半導体ウェーハの表面ト
で光が照射される部分とされない部分か生し、光が照射
される部分では、半導体ウエーハ及び化学７夜か励起状
態となり、ゾ１か明射さノ１ない部分に比Ｉ＼加−［速
疫が速くなり、半導体ウェーハ面１−に研磨板の窓の大
きさに対応した凹凸が牛しるという問題点がある。
更に、表面か異種材料で形成された半導体つ工−ハの表
面平坦化を行つ場合には 化学液の材料ｌ＼の工・ｔ
−ｆ−：／グ作用か異なるなめ半導体ウェーハ表面をｆ
Ｌ坦にすることかてきないといら問題点かある。
面平坦化を行つ場合には 化学液の材料ｌ＼の工・ｔ
−ｆ−：／グ作用か異なるなめ半導体ウェーハ表面をｆ
Ｌ坦にすることかてきないといら問題点かある。
本発明の目的は、゛Ｖ−面度の優れた半導体ウェーハを
能率良く加Ｔてきる半導体ウェーハの加工方法を提１１
（することにある。
能率良く加Ｔてきる半導体ウェーハの加工方法を提１１
（することにある。
１間圧点を解決するためのｆ段１
本発明の半導体ウェーハの加工方法は、回転する半導１
水ウエーハを所定間隙を０−、）て透光性を有する研磨
板に対向して相対的に移動し 前記゛（先導体ウェーハ
σ）研磨面と前記研磨板とを砥粒を混合した化学液から
成る研磨液Ｇこ浸し、前記研磨面に前記研磨板の反対側
がら光を照則するよっに横Ｉｔされる。
水ウエーハを所定間隙を０−、）て透光性を有する研磨
板に対向して相対的に移動し 前記゛（先導体ウェーハ
σ）研磨面と前記研磨板とを砥粒を混合した化学液から
成る研磨液Ｇこ浸し、前記研磨面に前記研磨板の反対側
がら光を照則するよっに横Ｉｔされる。
１作 用１
本発明に６１：れば、゛１邑導体ウェーハ表面及び砥粒
を混合しｊコ化学液から成る研磨液に力り丁−期間中を
通じて一様に光を照射することで！１′、導体ウェー八
表面及び研磨液が光学的又は熱的に一様に励起されて半
導体ウェーハと研磨液との反応を促進し、四に、砥粒を
含む研１ｍ液を介して研磨板と半導体ウェーハとを相対
運動させることで半導体ウェーハ表面での砥粒の転動及
び滑動を活発化し、加工性を、白土１．能率よく平滑な
表面加重を行うことができる。
を混合しｊコ化学液から成る研磨液に力り丁−期間中を
通じて一様に光を照射することで！１′、導体ウェー八
表面及び研磨液が光学的又は熱的に一様に励起されて半
導体ウェーハと研磨液との反応を促進し、四に、砥粒を
含む研１ｍ液を介して研磨板と半導体ウェーハとを相対
運動させることで半導体ウェーハ表面での砥粒の転動及
び滑動を活発化し、加工性を、白土１．能率よく平滑な
表面加重を行うことができる。
［実施例）
次に、本発明の実施例について図面を参照ｊ、て説明す
る。
る。
第１１２１は本発明の一実施ρ１を用い７：４ａ導体ウ
ェーハ研磨装置の側面図である。
ェーハ研磨装置の側面図である。
第１］゛４において、半導体ウェーハ２は表面が二酸化
シリ−１ンとシリコンとから形成され、表面の凹凸か２
００ｎｍである半導体ウェーハ基板である。
シリ−１ンとシリコンとから形成され、表面の凹凸か２
００ｎｍである半導体ウェーハ基板である。
回転可能な支持ヌ１（板１に接ン、されｌ、 ！ｌ’−
導体つ工−ハ２と、水銀３ランプ等グ）光源３との間Ｇ
、：研磨板羽根配置される。？ｉｌｌ ｌｆｉ板４は光
源３の尤を通ずことができる石英カラス製であり、６１
１磨板４と同一・の材料で作られた槽５の中に回転可能
な支柱６に支持されている。
導体つ工−ハ２と、水銀３ランプ等グ）光源３との間Ｇ
、：研磨板羽根配置される。？ｉｌｌ ｌｆｉ板４は光
源３の尤を通ずことができる石英カラス製であり、６１
１磨板４と同一・の材料で作られた槽５の中に回転可能
な支柱６に支持されている。
槽５の中にはフッ化すｌ・リウムの化学液に二酸化シリ
コンから成る砥粒を混合した研磨液７が注入され半導体
ウェーハ２の研磨面と研磨板４とは研磨液７に浸されて
いる。
コンから成る砥粒を混合した研磨液７が注入され半導体
ウェーハ２の研磨面と研磨板４とは研磨液７に浸されて
いる。
半導体ウェーハ２と研磨板４の間隙を数１０μｍとし、
′ｉ導体ウェーハ２の研磨面に光源３から紫外光８を照
射しながら槽５に保持された研磨液７を介して、゛１′
−導体ウェーハ２と研磨板４とを第１図に矢印で示す方
向にそれぞれ回転させる。この回転によって、半導体ウ
ェーハ２と研磨板４とは相対運動を行い、半導体ウェー
ハ２表面の研磨面が研磨される。
′ｉ導体ウェーハ２の研磨面に光源３から紫外光８を照
射しながら槽５に保持された研磨液７を介して、゛１′
−導体ウェーハ２と研磨板４とを第１図に矢印で示す方
向にそれぞれ回転させる。この回転によって、半導体ウ
ェーハ２と研磨板４とは相対運動を行い、半導体ウェー
ハ２表面の研磨面が研磨される。
紫外光８を照射することにより、半導体ウェーハ２及び
研磨液７を構成する光学液は励起活性状スサにムリ、”
ｌ″、導体ウェーハ２と光学液が反応し易くなる。従っ
て、゛１′−導体ウエーハ２の加Ｉ速度が［冒し、川に
、研磨板４と゛１′−導体ウエーハ２との間隙を研磨液
７に混合され／、：砥粒か通過して、半導体ウェーハ２
の表面を平滑化する。この結咀、表面の凹凸か約２４’
） ｎ ｍの半導体ウェーへか得られた。
研磨液７を構成する光学液は励起活性状スサにムリ、”
ｌ″、導体ウェーハ２と光学液が反応し易くなる。従っ
て、゛１′−導体ウエーハ２の加Ｉ速度が［冒し、川に
、研磨板４と゛１′−導体ウエーハ２との間隙を研磨液
７に混合され／、：砥粒か通過して、半導体ウェーハ２
の表面を平滑化する。この結咀、表面の凹凸か約２４’
） ｎ ｍの半導体ウェーへか得られた。
なお、本実施例では半導体ウェーハはシリコンを用いた
が、曲の半導体用結晶基板、例えは、ＧａＡＳ、ＴｎＰ
についても本発明の加工Ｊｉ−法を適用できる。その場
合、光源の種類 研磨板グ）材料を選択できることは言
うまでもない。
が、曲の半導体用結晶基板、例えは、ＧａＡＳ、ＴｎＰ
についても本発明の加工Ｊｉ−法を適用できる。その場
合、光源の種類 研磨板グ）材料を選択できることは言
うまでもない。
１発明の効県１
ｒ」、上説明したように本発明σ）半導体ウェーハの加
工方法は、加工の全期間にわたり先エネルギを半導体ウ
ェー八表面及び研磨液に一様に作用させろと！１ミに、
研磨液に混合しな砥粒の流体潤滑作用を併用することに
より、平面度に帰れた半導体ウコーーハをｆ指率良く加
［できるという効県がある。
工方法は、加工の全期間にわたり先エネルギを半導体ウ
ェー八表面及び研磨液に一様に作用させろと！１ミに、
研磨液に混合しな砥粒の流体潤滑作用を併用することに
より、平面度に帰れた半導体ウコーーハをｆ指率良く加
［できるという効県がある。
し１面ノ）簡Ｑｉな説明
第１国は本発明の−・実施例を用いｔ−土樽体つ工−ハ
／ｉＪＩ磨装置の側面図である。
／ｉＪＩ磨装置の側面図である。
１−支持Ｊ、（板、２゛１′導体ウェーハ、３ 尤７原
、４ 研磨板、５ 槽、Ｃ）・支柱、７−１ｉＪＩ Ｉ
Ｆ’。
、４ 研磨板、５ 槽、Ｃ）・支柱、７−１ｉＪＩ Ｉ
Ｆ’。
ｌ＾、８．紫外光、
Claims (1)
- 回転する半導体ウェーハを所定間隙をもって透光性を有
する研磨板に対向して相対的に移動し、前記半導体ウェ
ーハの研磨面と前記研磨板とを砥粒を混合した化学液か
ら成る研磨液に浸し、前記研磨面に前記研磨板の反対側
から光を照射することを特徴とする半導体ウェーハの加
工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61055667A JPS62211927A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | 半導体ウエ−ハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61055667A JPS62211927A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | 半導体ウエ−ハの加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62211927A true JPS62211927A (ja) | 1987-09-17 |
Family
ID=13005208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61055667A Pending JPS62211927A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | 半導体ウエ−ハの加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62211927A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1986
- 1986-03-12 JP JP61055667A patent/JPS62211927A/ja active Pending
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