JPH0297500A

JPH0297500A - ＧａＡｓ単結晶鏡面ウエハおよびその製造方法

Info

Publication number: JPH0297500A
Application number: JP25141788A
Authority: JP
Inventors: Takayuki Nishiura; 隆幸西浦
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1988-10-05
Filing date: 1988-10-05
Publication date: 1990-04-10
Anticipated expiration: 2010-06-07
Also published as: JPH0753640B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］この出願にかかる発明は、Ｇ　ａ　、Ａ　ｓ単結晶鏡面
ウェハおよびその製造方法に関するものであり、特に研
磨剤または化学研磨液によりウェハ表面の加工ダメージ
層を０１磨除去した後、その表面層に形成された酸化膜
やＨ機物汚染膜等の表面膜をエツチング除去したＧａＡ
ｓ単結晶鏡而ウエ面つおよびその製造方法に関するもの
である。

［従来の技術］Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　ｌｌｉ結晶は、インボッＩ・をカッテ
ィングしてウェハとした後、そのカッティングの際の加
エダメージ層を除去するため、研磨剤または化学研府液
により研磨されて、鏡面ウェハとされる。

この加工ダメージ層の研磨に用いられる研磨剤および化
学研磨液としては、種々のものが知られており、たとえ
ば特公昭６２−１７７０００号公報に示されているよう
な塩素系研磨剤である「インセック」などがある。この
ようにして鏡面加工されたｖｉ而面ェハの表面は、１１
磨剤等の成分が残留していたり、あるいはａ１磨後に酸
化したりもしくは有機物が付むしたりしており、バルク
とは異なる層を形成している（このような鏡面加工後に
鏡面ウェハ上に存在する層を、この明細書では「表面膜
」という）。このような表面膜の存在している鏡面ウェ
ハを、そのままデバイス作成のためのＭ　ＯＣＶ　Ｄや
イオン注入等のプロセスに供与すると、成長不良や特性
不良等を生じる。このため、従来より表面膜をエツチン
グにより除去した後に、ＭＯＣＶＤ等のプロセスに供与
している。

この出願にかかる発明は、この表面膜を除去した鏡面ウ
ェハおよびその製造方法に関するものである。この表面
膜のエツチング除去に関する従来の技術は、たとえばＪ
、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、。

ｖｏｌ、６２．Ｎｏ、９．Ｉ　　Ｎｏｖｅｍｂｅｒ１９
８７　　ｐ、３６８８〜３６９５、Ｊ　ｏｕ　ｒｎａｌ
　　ｏｆ　　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　　５ｃｉｅｎｃｅ　
旦ス（１９８７）ｐ、１２９９〜１３ｏ４、およびＪ、
Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、５ｏｃＳｏｌｉｄ　　５ｔａ
ｔｅ　　５ｃｉｅｎｃｅ　　＆Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、
Ｖｏ１．１２８　　Ｎｏ。

６、Ｊｕｎｅ　　１９８１　　ｐ、１３４２〜１３４９
などに開示されている。また、Ｊ、Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈ
ｅｍ、　　　Ｓｏｃ、　　　５ｏｌｉｄ　　５ｔａｔｅ
　　５ｃｉｅｎｃｅ　　＆　　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、
ｖｏｌ、１′３１．Ｎｏ、６　（１９８４）１３５７に
おいて、Ｋ、Ｐ、Ｐａｎｄｅらはプラズマ利用のＭＯＣ
Ｖ　ＤＪＩＩＧ　ａ　Ａ　ｓウェハのエツチングｉｔｋ
として、Ｈ２ＳＯ，：　Ｈ２Ｏ２：　Ｈ２Ｏ−３１：１
の組成のエツチングｌｆｋを開示している。Ｊ。

Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｎ＋、　　　Ｓｏｃ　　　５ｏｌ
ｉｄ　　Ｓ　Ｌ　ａ　ｔ　ｅ　　Ｓ　ｃ　ｉ　ｅ　ｎ　
ｃ　ｅ　　＆　　Ｔ　ｅ　ａ　ｌｘｎｏｌｏｇｙ、　　
ｖｏｌ、　　１３０．　　Ｎｏ、　　１０　　（１９８
Ｂ）２０９９において、Ｔ、Ｎｉ１ｎａらはＺｎ５ｅ膜
Ｍ　Ｂ　Ｅ用ＧａＡｓウェハのエツチング液として、Ｈ
２ＳＯ４；Ｈ２０□　：Ｈ２Ｏ−５：１：１の組成のエ
ツチング液を開示している。さらに、Ｊ、Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎｃｈｅｍ、　　　Ｓｏｃ。

５ｏｌｉｄ　　５ｔａｔｅ　　５ｃｉｅｎｃｅ　　＆Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、ｖｏ１．１３０．Ｎｏ。

３　（１９８３）６７５において、Ｐ、Ｈ，Ｒｅｅｐら
は、ＭＯＣＶＤＪｔｊＧ　ａ　Ａ　ｓウニ１１として、
７０％ＨＮＯ，：８５％Ｈ，ＰＯ，−１１＋４９の組成
のエツチング液を開示している。

これらの従来のエツチング液は、通常の条件下で、Ｇａ
Ａｓに対し数μｍ　／分のエツチング速度を示すもので
ある。そして、従来はこのようなエツチング液を用いて
研磨により鏡面加工した後のウェハ表面を数μｍ〜数１
０μｍの厚みでエツチング除去している。

［発明が解決しようとする課題］しかしながら、このような従来の技術ては、上述のよう
な速い速度を示すエツチングｌｆｋで、数１ｔＩ１１〜
数１０μＩＴＩという大きな厚みてウェハ表面をエツチ
ングしているため、エツチング除去後のフラットネスか
エツチング前に比へてかなり悪くなるという問題点かあ
った。

また、このような鏡面膜のエツチング除去の工程をでき
るたけ簡略化し、低コスト化を図りたいという要望が従
来からあった。

この出ｋｌ（ｉにかかる一連の発明のトＩ的は、かかる
従来の問題点を解消し、エツチング前とほぼ同程度のフ
ラットネスを（１″し、エツチング工程を簡易にして低
コスト化を図ることのできるＧ　ａ　Ａ　ｓ　１１結晶
鏡而ウエハを提供するとともに、その製造り法およびエ
ツチングｌｆｋをＱ（ｊＥすることにある。

［課題を解決するための手段および作用］本発明者は、
かかる従来の問題点を解消するため、鋭意研究を重ねた
結果、従来の技術では表面膜の厚みに対して過剰の厚み
でエツチングしていることを見出し、この出願にかかる
発明をなすに至ったものである。

すなわち、請求項１の発明は、研磨剤または化学研磨液
による研出後のウェハ表面を、２〜２００ｎｍの厚みで
エツチング除去し、該エツチング除去後に新たに形成さ
れる表面層の厚みを２Ｄｍ以下としたことを特徴として
いる。

エツチング除去するウェハ表面の厚みを２Ｄｍ以上とし
ているのは、エツチング除去する必要のある表面膜の厚
みが、通常２　ｎ　ｒｎ以上であるからである。また、
エツチング除去するウェハ表面の厚みを２００ｎｍ以下
としているのは、厚みが２Ｄ　Ｏｎ　ｍを超えるように
なると、エツチング除去による表面のフラットネスの悪
化が著しくなるためである。

第１図〜第３図は、この発明を説明するための断面図で
ある。第３図は、エツチング前の鏡面ウェハ４を示して
おり、表面膜２の境界を想像線で示す。第４図は、エツ
チング前の鏡面ウエノ１の表面膜の膜厚の分布の一例を
示す図である。第４図に示されるように、表面膜の厚み
は、通常１〜５ｎｍ程度の厚みである。

第２図は、従来の鏡面ウェハを示すｌｌｉ而図面あり、
鏡面ウェハ３は、表面膜２に比べてかなり大きなｊＬＩ
みてエツチング除去されて形成されている。

第２図においても表面膜２の境界を想像線で示している
。従来の技術で用いられているエツチングｉ１には、エ
ツチング速度の速いものであり、一般に拡散律速タイプ
のエツチングｉｔｋであるため、端の部分がよりエンチ
ングされやすく、第２図に示すＪ：うに端部分か大きく
エツチングされた形状となる。

第１園は、この発明の鏡面ウニＩ＼を示す断面図であり
、鏡面ウェハ１は、第２図に示す従来よりも少ない厚み
でエツチング除ノ２されて形成されている。この発明で
は、エツチング除去する厚みか少ないため、エツチング
除去により形成される表面の凹凸は、従来のしのより少
なくなる。したかって、第２図の従来の鏡面ウニｌ＼の
ように、エツチング前よりも表面のフラットネスか悪く
なったり、端の部分かより多くエツチング除去された形
状となることはない。

この発明では、このようにエツチング除去する厚みを従
来よりも薄くしているので、従来のようなエツチング除
ノミによる表面のフラットネスの悪化が生じない。

また、この発明ではエツチング除去後に新たに形成され
る表面層の厚みを２　ｎ　ｍ以ドとしている。

このような表面層は、エツチング除去後に、雰囲気の酸
素等により形成される自然酸化膜などが原因して生じる
ものと考えられる。この明細書では、このようなエツチ
ング除去後に新たに形成される膜を１表面層」と呼び、
エツチング除去前の「表面膜」と区別している。この表
面層の厚みは、工Ｊプソメー夕で測定される値である。

従来の技術によるエツチング除去によっても、この表面
層は同様に形成される。本発明者は、このようにエツチ
ング除去後に形成される表面層の厚みが２　ｎ　ｍ以下
であれば、後のデバイス作製上程に悪影響を与えないこ
とを見出し、表面層の厚みが２Ｄｍ以下になるようにエ
ツチングすれば、従来のような大きな厚みでエツチング
除去しなく−（５、後のデバイス作製のプロセス工程に
悪影ｌ、１を与えないことを見出したものである。なお
、表面層の卸みはできるだけｌ・Ｖいことか望ましいの
であるが、Ｏ、’＞　ｎ　ｎ＋未ｌ茜にすることは困難
と思、１〕れる。

１；［ｌｉ請求項の−）−〇明は、請求ＪＪ′１１の鏡
面ウェハを製造する方ｔノ、を提供するものであり、研
磨材または化学研磨ｌｆｋによりウニ／１表面の加工ダ
メージ層を研磨除去した後、２００ｋＨｚ以上の超音波
振動を印加ながら、０．２〜５　ｆ−）　ｎ　ｎ＋　／
分のエツチング速度で、ｔｌｒ　暦後の９１７１表面を
２−２００　ｎ　ｍの厚みでエツチング除去し、エツチ
ング除去後に新たに形成される表面層の厚みを２　ｎ　
ｍ以下にすることを特徴としている。

従来の技術では、エツチング速度の速いエツチング液を
用いていたため、第８図に示すように、ウェハ２１をエ
ツチングｉｌｋ　２２中に水十に配置する必要があった
。これは、垂直方向に配置すると、ウェハ表面で発生し
た気泡がそのｌｔ力により上方に移動して、ウェハ表面
に線条か形成されてしまうためである。この発明では、
２００　ｋ　Ｈｚ以」二の超音波振動を印加しながら、
しかも０．２〜５０ｎｍ／分という遅いエツチング速度
でエツチング除去しているため、従来のようにウェハ表
面で気泡が発生し、ウェハ表面か傷つくおそれがほとん
どない。このため、この発明の方法では、ウェハを垂直
方向にエツチング液中で配置することかできる。また、
超音波振動を印加しているため、ウェハ表面をより均一
にエツチングすることができる。

請求項３の発明では、さらにＧａＡｓ単結晶鏡而ウ鏡面
を１勺数枚同時にエツチングすることを特徴としている
。ずなわち、１情求項゛３の発明では、ウェハをエツチ
ング液中に垂直方向に配置ロエ能なことを利用し、ウェ
ハを１！数枚同時にエツチングするものである。従来の
技術では、複数のウェハを支持台等で支ｒ、′ｆしてエ
ツチング液中に浸漬すると、支ＩＩｆ台等との接触部分
がエツチングされやすいなどの問題があり、１枚ごとに
エツチング処理を行なっていた。しかしなから、この発
明では、エツチング速度を遅くし、しかも超音波振動を
印加しながらエツチングするので、従来のこのようなエ
ツチングの不均一を著しく抑制することができる。この
ため、複数のウェハを支持台等で支持してエツチングｌ
Ｉｋ中に浸けても、エツチングむらを生じることなくエ
ツチング除去することができる。

このような複数枚の同時処理の結果、このエツチング除
去の工程にかかるコストを低減させることかできる。ま
た、従来の技術では、］攻ごとにエツチング処理を行な
っており、ウェハをエツチング液中に浸漬する１庭に、
ウニｌ＼表面に併行しているごみかエツチング液中に導
入されて、後になればなるほど多量のごみを含むエツチ
ング液となった。このため、エツチング除去後のウェハ
表面に多量のごみかイ・するするという問題を生じた。

この発明の方法によれば、多数のウェハを同時にエツチ
ングすることかでき、しかも超ｇ波振動を印加しながら
エツチング除去しているので、エツチング除去後のウェ
ハに付着するごみを従来よりも少なくすることができる
。

請求項４の発明では、Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　ｆｌｔ結晶鏡面
ウェハの表面を、０．２〜５０　ｒ＋　ｍ　７分の速度
でエツチングするエツチング〆ｔｋを提供する。このよ
うな遅いエンチング速度のエツチングｉｆｋを用いて、
ＧａＡｓ単結晶鏡而ウ鏡面を、従来よりも少ない厚みで
エツチング除去すれば、エツチング除去の処理の時間と
してコントロール可能な時間を設定することかできる。

すなわち、従来から知られているような速いエツチング
速度のエツチング液を用いて、エツチングしようとする
と、エツチングの厚みが非常に薄いので、エツチング処
理の時間が冷めて短い時間となり、時間的なコントロー
ルが困難となり、結果として、製品ごとのばらつき等を
生じるおそれがある。この発明のエツチング液を用いれ
ば、エツチング除去の時間をコントロール可能な時間と
することかできるので、製品ごとの品質のばらつきを抑
えることができるなど、歩留り向上を図ることができる
。

このようなエツチング速度の遅いエツチングｌＩｋの１
つのタイプとして、従来から知られているような迷い速
度のエツチング液を水等で希釈したものがある。このよ
うなものとして、たとえばＨ２ＳＯ，−Ｈ２Ｏ２−Ｈ２
Ｏ系あるいはＮＨ，０Ｈ−Ｈ２Ｏ。−Ｈ２Ｏ系のエラチ
ャン！・を水で希釈したものを挙げることができる。

また、この発明の遅い速度のエツチング液の池のタイプ
のものとしては、アミン水溶液を挙げることができる。

このようなアミン水溶液としては、以ドに示すようなア
ミンの水溶液か例として月くされる。

エチルヒドロキシルアミンＣ２Ｈ５０ＮＩ（２２−工ｌ・キシエチルアミンＣ２Ｈ，０ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ。

トリエタノールアミン（ＨＯＣＨ２ＣＨ２）３　Ｎジェタノールアミン（ＨＯＣＨ２ＣＨ２）２　ＮＨエチルアミンＣ２Ｈ，ＮＨ２トリメチルアミン（ＣＨａ　）　ａ　Ｎジエチルアミン（Ｃ２Ｈｓ　）　２　ＮＨジメチルアミン（ＣＨ３）２　ＮＨエタノールアミンＨＯＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２トリメチル（２−ヒドロキシメチル）アンモニウムヒド
ロキシド：　（コリン）（ＣＨ，）、Ｎ”　ＣＨ２ＣＨ，、Ｏ，Ｈ−ＯＨ−テト
ラエチルアンモニウムヒドロキシド（Ｃ２Ｈ５）４Ｎ＋
　・ＯＨ− テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＣＨ３）４　
Ｎ＋　・ＯＨ− ［実施例］第５図は、この発明の製造方法を説明するための装置を
示す概略（Ｒ成因である。エツチングに！１１３内には
、エツチング液として、１．０％のテトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシドの水溶液が入れられている。エツチ
ング槽１３には、超音波発振器１４が取付けられている
。この超音波発振器１４により、１０００ｋＨ２の超音
波振動をエツチングｉ（ｌに与えながら、保持治具１２
によって垂直に保持された１夏数枚のＧａＡｓの鏡面ウ
ェハ１１を浸漬さぜる。超音波振動を継続して印加しな
がら、ｌｎｍ／分の速度で１０分間エツチングを行ない
、ウェハ表面を１０　ｎ　ｍの厚さでエツチング除去し
た。

比較として、従来の第８図に示すような方法で、エツチ
ング液中に鏡面ウェハを水平に配置してエツチング除去
したものを作製した。エツチング液としては、従来のＨ
２ＳＯ，：　Ｈ２Ｏ２：　Ｈ２Ｏ−３：１：１の組成の
ものを用い、ウェハ表面を４０００ｎｍ　（４７ｚｍ）
の厚さエツチングした（比較例）。

この発明に従う実施例による鏡面ウェハの表面層を、エ
リプソメータで測定した。エリプソメータでのＡ＋す定
条件としては、入ｆ１．１先の波長６３２８人、入η・
１角７０゛を用いた。これにより求まったΔ（反射によ
って生じた偏光間の位相差）およびψ（反射光ベクトル
のＰ、Ｓ成分の振幅反射率の絶対値の比の逆正接）と、
！！仮定数（基板屈折率ｎ５−３．８５７．基板消衰係
数Ｋｓ−０，２１７）および、膜の屈折率ｎｕ＝１．８
　（仮定）より、計算機による繰返し＃１算を行ない膜
厚を求めた。

なお、エリプソメータで、ｌ　Ｑ　ｎ　ｍ以下の膜厚を
測定する場合、膜の屈折率として、仮定の値を代入する
が、これは計算上で解を収束させるための操作であり、
実際求められる膜厚はｌＱｎｍ以下ではΔに比例する。

今回の表面層の厚さ２　ｎ　ｍ以下に対応するΔの鎖は
、第９図に示すように、波長６３２８Ａ、入射角７０°
の条件下で、Δ−１６４．３°以上に対応する。

第６図は、この表面層の厚さの分布を示す図である。第
６図に示されるように、表面層の厚さは２％ｍ以下であ
った。従来の技術に従う比較例の鏡面ウェハについても
、エリプソメータで同様に表面層の厚みをｄＰｊ定した
ところ、はぼ実施例と同様の結果が得られた。

エツチング前後のフラットネスの変化を、実施例および
比較例ついて測定した。測定結果を第７図に示ず。フラ
ットネスの変化は、エツチング後のちのからエツチング
前の数値を差し引いて、μ「１１の１１１（立で示して
いる。第７図の（黄軸は、各測定項ト１を示している。

ＴＴＶ　（Ｔｏｔａ　ｌ　　Ｔｈ１ｃｌｃｎｅｓｓ　　
Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）は、ウェハをチャックし、周縁３
〜５　ｍ　ｒｎを除いた、仝而の厚さを測定し、測定値
の最大値と最小値の差を表わしたものである。ＮＴＶ　
（Ｎｏｎ　　Ｌｉｎｅａｒ　　Ｔｂ１ｃｋｎｅｓｓ　　
Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）は、ウェハをチャックし、山と山
、谷と谷を結んだＭｅ而からの凹凸の最大値を示したし
のである。

ＴＩＲ（Ｔｏｔａｌ　　Ｉｎｄｉｃａｔｅｄ　　Ｒｅａ
ｄｉｎｇｓ）は、ウェハをチャックし、仮想面（フォー
カスする而）を基準面とし、その面からの凹凸それぞれ
の最大値の合計で表イ〕シたものである。ＦＰＤ　（Ｆ
ｏｃａ　ｌ　　Ｐｌａｎｅ　　Ｄｅｖｊａｔｊｏｎ）は
、ウェハをチャックし、仮想而（フォーカスする而）を
基準面とし、その面からの凹凸の最大値を表わしたもの
である。ＷＡＲＰは、平面に置かれた状態でのウェハの
厚さを除いた最大変位を示している。Ｓ　ＩＴＥは、任
意のサイズの正方形の内側で測定したことを示しており
、ここでは、１５ｍｍ四方内での７９１定データを示し
ている。

第７図のΔｐ１定結果から明らかなように、この発明に
従う実施例の鏡面ウェハは、エツチング前のフラットネ
スとほぼ同じであり、従来のようなエツチングによるフ
ラットネスの悪化はほとんど認められなかった。

また、エツチング後にウェハ表面に付着したごみについ
ても３・ト価した。比較例の鏡面ウェハでは、ウェハ表
面上でカウントされた０、２μｍ以上のごみは、７０個
であったのに対し、実施例では、１５個であった。この
ことからも明らかなように、この発明の製造方法に従え
ば、ウェハ表面上に付着するごみを従来よりも低減させ
ることができる。

［発明の効果コ λｉ′ｉ求項請求発明では、従来よりもエツチング除去
する厚みを少なくし、２〜２００ｎｍの厚みでエツチン
グ除去しているため、エツチング除去によるウェハ表面
のフラットネスの低下を著しく少なくし、エツチング前
とほぼ同程度の良好なフラットネスをＨする鏡面ウェハ
とすることができる。

請求項２の発明では、２００ｋＨｚ以上の超音波振動を
印加しながら、０．２〜５０ｎｍ／分のエツチング速度
でエツチングしているため、従来よりもエツチングむら
を少なくして、良好なフラットネスをウェハ表面にりえ
るとともに、ウェハ表面に付着するごみを従来よりも少
なくすることができる。

請求項３の発明では、同時にＩＭ数枚のウェハをエツチ
ングしているため、１度に多量のウエノ１を処理するこ
とができ、低コスト化を図ることかできる。

＋？ｊ’；求項４の発明のエツチング液を用いれば、エ
ツチング時間として、十分にコントロール可能な時間を
確保できるので、製品ごとのばらつきを抑えることかき
、歩留りを向上させることかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明のＧａＡｓ単結晶鏡面ウェハを示す
断面図である。第２図は、従来のＧａＡｓ単結晶鏡面ウ
ェハを示す断面図である。第３図は、エツチング除去工
程前のウェハ表面の表面膜を示す断面図である。第４図
は、エツチング前のウェハの表面膜の膜厚の分布を示す
図である。第５図は、この発明の製造方法を説明するた
めの装置を示す図である。第６図は、この発明の実施例
における表面層の厚みの分布を示す図である。第７図は
、この発明の実施例におけるフラットネスを示す図であ
る。第８図は、従来のエツチング方法を示す断面図であ
る。第９図は、エリプソメータで測定されるΔの値と膜
厚との関係を示す図である。図において、１は鏡面ウェハ、２は表面膜、４はエツチ
ング前の鏡面ウェハ、１１は鏡面ウェハ、１２は保持治
具、１３はエツチング槽、１４は超音波発振器を示す。第１図第２図第３図に庄ヵ月艷のＡＮＮ１３　　　（ｎｍ）第５図第６図第８図第７図第９図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）研磨剤または化学研磨液によりウェハ表面の加工
ダメージ層を研磨除去したＧａＡｓ単結晶鏡面ウェハで
あって、前記研磨剤または化学研磨液による研磨後のウェハ表面
を、２〜２００ｎｍの厚みでエッチング除去し、該エッ
チング除去後に新たに形成される表面層の厚みを２ｎｍ
以下としたことを特徴とする、ＧａＡｓ単結晶鏡面ウェ
ハ。
（２）研磨剤または化学研磨液によりウェハ表面の加工
ダメージ層を研磨除去した後、２００ｋＨｚ以上の超音波振動を印加しながら、０．２
〜５０ｎｍ／分のエッチング速度で、前記研磨後のウェ
ハ表面を２〜２００ｎｍの厚みでエッチング除去し、前記エッチング除去後に新たに形成される表面層の厚み
を２ｎｍ以下にすることを特徴とする、ＧａＡｓ単結晶
鏡面ウェハの製造方法。
（３）ＧａＡｓ単結晶鏡面ウェハを複数枚同時にエッチ
ングすることを特徴とする、請求項２記載のＧａＡｓ単
結晶鏡面ウェハの製造方法。
（４）ＧａＡｓ単結晶鏡面ウェハの表面を、０．２〜５
０ｎｍ／分の速度でエッチングすることを特徴とする、
ＧａＡｓ単結晶鏡面ウェハのエッチング液。