JPS584353A - ラツピング装置 - Google Patents
ラツピング装置Info
- Publication number
- JPS584353A JPS584353A JP56096723A JP9672381A JPS584353A JP S584353 A JPS584353 A JP S584353A JP 56096723 A JP56096723 A JP 56096723A JP 9672381 A JP9672381 A JP 9672381A JP S584353 A JPS584353 A JP S584353A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- surface plate
- inclination
- optical flat
- lapping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、試料の加工対象面と2ツブ足盤との相対位置
[係をm出する慎榊を具備するラッピング装置に関する
ものである。
[係をm出する慎榊を具備するラッピング装置に関する
ものである。
磁気ヘッド等の尚精度部品の最終仕上〃ロエにはラッピ
ング加工が従来より採用されている。
ング加工が従来より採用されている。
ラッピング加工は安価な装置で尚精度の〃0工ができる
ことで古くから行なわれており、通常のラップ盤で7エ
ライト材を加工しても1表圓めらさ0.02sthax
以下、平坦度(14pm/2QmyiL 程度は加工条
件を選定することにより達成できる・し。
ことで古くから行なわれており、通常のラップ盤で7エ
ライト材を加工しても1表圓めらさ0.02sthax
以下、平坦度(14pm/2QmyiL 程度は加工条
件を選定することにより達成できる・し。
かじながら、従来の2ツビング加工はいかにして試料を
ラップ盤になら動せるかが主題であるため、傾いて加工
されたものを修正する舵力なもちあわせていない。この
ため、加工用治具に工夫をこらせ、負荷圧力を場所によ
り変化させ傾きを補正する方法をとっていた。しかしこ
の場合は負荷圧力の大きさと分布がむずかしく要用的で
ない。そこで第1図に示す如く傾き修正装置を具備した
ラッピング装置が考案された。
ラップ盤になら動せるかが主題であるため、傾いて加工
されたものを修正する舵力なもちあわせていない。この
ため、加工用治具に工夫をこらせ、負荷圧力を場所によ
り変化させ傾きを補正する方法をとっていた。しかしこ
の場合は負荷圧力の大きさと分布がむずかしく要用的で
ない。そこで第1図に示す如く傾き修正装置を具備した
ラッピング装置が考案された。
図において、ハンドル1を回ますことにより上下部ll
11機構2が上昇又は下呻し、それにともないヒンジ5
を介して連結しているアー44を鯛か丁。アーム4の他
端には試料5tとりつけ試料5は回転又は摺動するラッ
プ定盤6の上に設置されている。このような状態のもと
て〕・ンドル1を操作することにより試料5とラップ定
盤6との接触する角が制御でき鑓い【加工された試料の
修正がIv能となる。
11機構2が上昇又は下呻し、それにともないヒンジ5
を介して連結しているアー44を鯛か丁。アーム4の他
端には試料5tとりつけ試料5は回転又は摺動するラッ
プ定盤6の上に設置されている。このような状態のもと
て〕・ンドル1を操作することにより試料5とラップ定
盤6との接触する角が制御でき鑓い【加工された試料の
修正がIv能となる。
しかしながら、通常は生麺性同上のため加工も−RIN
Iでなく荒加工、中仕上、厳科仕上加工等の段階を踏む
ことが多い。この場合同一加工砿で加工することはまれ
で機械が異なることが普通である。段取0を変えると数
Jjmlの取付誤差が発生する。最終仕上加工は一般に
表面性状を良くするため、aaiかい砥粒な用いて加工
するため加工鱈率が惑い、そのためで龜るかぎり加工取
代は少ないことが好ましく取付けによるw4!lIを少
なくする必要があるが、従来機は、取付は誤11を少な
くで龜る機構を具備していない。
Iでなく荒加工、中仕上、厳科仕上加工等の段階を踏む
ことが多い。この場合同一加工砿で加工することはまれ
で機械が異なることが普通である。段取0を変えると数
Jjmlの取付誤差が発生する。最終仕上加工は一般に
表面性状を良くするため、aaiかい砥粒な用いて加工
するため加工鱈率が惑い、そのためで龜るかぎり加工取
代は少ないことが好ましく取付けによるw4!lIを少
なくする必要があるが、従来機は、取付は誤11を少な
くで龜る機構を具備していない。
本発明は、上記した従来技術の欠点をなくし試料とラッ
プ定盤の位置関係を検出し、l1ll111で龜る機構
を具備したツVビンダ装置を提供するにある。
プ定盤の位置関係を検出し、l1ll111で龜る機構
を具備したツVビンダ装置を提供するにある。
本発明は、試料の傾きを修正できる機構を有するツVビ
ンダ装置においてラップ定盤と同一基準面44Fする検
出系をもうけ、加工試料と検出部が豪すべく移驕させ、
試料と検出部の相対位置な検出し1両者の2点あるいは
それ以上の検出点において葺が一定値以下になるよう傾
龜修正装置により1111できるようにしたラッピング
装置に関するものである。
ンダ装置においてラップ定盤と同一基準面44Fする検
出系をもうけ、加工試料と検出部が豪すべく移驕させ、
試料と検出部の相対位置な検出し1両者の2点あるいは
それ以上の検出点において葺が一定値以下になるよう傾
龜修正装置により1111できるようにしたラッピング
装置に関するものである。
具体的実施例につ!図賃用いて説明する。第2図は21
Fピング装置の主1部概略図、第11は検出法に関する
具体的実施filを示す。jI2図において、ハンドル
1を回転させることKより上下駆励機構2が上下動し、
その童を検出−7により検出する。上下部IIb機構2
Fi一方向KwA転自在のとンジ5を介し、アーム4と
連結しているアーム4の先端に試料5を取付ける。試料
5はラップ剤を供給した回転又紘摺醗這鋤するツVプ定
盤6上に設置し一定加圧状態のもとて相対運動させ加工
する機構となっている。さらに本f装置においては、試
料5をアーム4の先端にとりつけ、加工する前に試料5
が2シブ定−4に対し傾いているか否かを検出する検出
機構9を有する。検出機構9により、傾きが検出された
場合へyドル1を操作する仁とにより上下部―機構部2
を上下動させ傾き量を少なくするようil豊する。欠き
゛に検出機構9に′)き第1麿を用いてIR説する0本
実施例はレーず光による干渉縞を検出し[を1li11
11する方法である。レ−ず光#A10より発生したレ
ーザ光はコリメータ11により平行かつ光束を拡げ半透
鏡12を介し・オプティカル7ツツト1暴を通過し試料
5とオプティカルフラット15閣で干渉を生じ、干渉縞
を形成し、A方向から目視できる。この干渉縞の状態を
観察しつつ、上下部IIJ機構2を上下動させ試料5と
オプティカルフラット1sの閾の平行を出す。オプティ
カルフラット1sとラップ定盤4はあらかじめ、高さを
等しく設定し℃おけば試料5とオプティカルフラツ)1
5の間の平行を出すことKより、試料5とラップ定盤6
0間の平行も出せることがわかる。またオプティカルフ
ラット1sとラップ定盤6の関に*IEがありても、6
らかじめ測定しておくことにより補正できることは言う
までもない。
Fピング装置の主1部概略図、第11は検出法に関する
具体的実施filを示す。jI2図において、ハンドル
1を回転させることKより上下駆励機構2が上下動し、
その童を検出−7により検出する。上下部IIb機構2
Fi一方向KwA転自在のとンジ5を介し、アーム4と
連結しているアーム4の先端に試料5を取付ける。試料
5はラップ剤を供給した回転又紘摺醗這鋤するツVプ定
盤6上に設置し一定加圧状態のもとて相対運動させ加工
する機構となっている。さらに本f装置においては、試
料5をアーム4の先端にとりつけ、加工する前に試料5
が2シブ定−4に対し傾いているか否かを検出する検出
機構9を有する。検出機構9により、傾きが検出された
場合へyドル1を操作する仁とにより上下部―機構部2
を上下動させ傾き量を少なくするようil豊する。欠き
゛に検出機構9に′)き第1麿を用いてIR説する0本
実施例はレーず光による干渉縞を検出し[を1li11
11する方法である。レ−ず光#A10より発生したレ
ーザ光はコリメータ11により平行かつ光束を拡げ半透
鏡12を介し・オプティカル7ツツト1暴を通過し試料
5とオプティカルフラット15閣で干渉を生じ、干渉縞
を形成し、A方向から目視できる。この干渉縞の状態を
観察しつつ、上下部IIJ機構2を上下動させ試料5と
オプティカルフラット1sの閾の平行を出す。オプティ
カルフラット1sとラップ定盤4はあらかじめ、高さを
等しく設定し℃おけば試料5とオプティカルフラツ)1
5の間の平行を出すことKより、試料5とラップ定盤6
0間の平行も出せることがわかる。またオプティカルフ
ラット1sとラップ定盤6の関に*IEがありても、6
らかじめ測定しておくことにより補正できることは言う
までもない。
上ml実施例では、平行度を検出する方法として、レー
ず干渉を用いた方法について述べたがエアマイクロ計や
、圧力センサーを用い試料の片蟲り状態を検出すること
により同様の検出が装置#4により、試料の傾f1を修
正で龜る機構を具備するラッピング装置に訃いて、試料
とラップ定盤の間の傾龜量を検出し、1llil!Iで
きることにより、試料の設置が容易となり、かつ傾龜量
を修正することにより、加工取代を少なくでき、加工時
開は短縮で自る効果がある。
ず干渉を用いた方法について述べたがエアマイクロ計や
、圧力センサーを用い試料の片蟲り状態を検出すること
により同様の検出が装置#4により、試料の傾f1を修
正で龜る機構を具備するラッピング装置に訃いて、試料
とラップ定盤の間の傾龜量を検出し、1llil!Iで
きることにより、試料の設置が容易となり、かつ傾龜量
を修正することにより、加工取代を少なくでき、加工時
開は短縮で自る効果がある。
第1図社従来技術を説明するラッピング装置の概略図、
#I2図は、装置QljKよる具体的実施例を示す装置
の主要部概略図、落墨図は1重置@による具体的実施例
を示す検出swIF)m略−である。 10・・・レーず光#11・−コリメー−12・・・中
速@ 15−・・オプティカルフラット
塩
″れ第 2 図 ′ 1図 °Y 八
#I2図は、装置QljKよる具体的実施例を示す装置
の主要部概略図、落墨図は1重置@による具体的実施例
を示す検出swIF)m略−である。 10・・・レーず光#11・−コリメー−12・・・中
速@ 15−・・オプティカルフラット
塩
″れ第 2 図 ′ 1図 °Y 八
Claims (1)
- 回転又は摺#這動する2ツブ定盤とこの定盤と同一−に
検出基準をもうけ、検出基準と加工試料との閣の傾きを
検出する機構と傾きを修正で龜る機構とを具備したこと
を特徴とするラッピング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56096723A JPS584353A (ja) | 1981-06-24 | 1981-06-24 | ラツピング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56096723A JPS584353A (ja) | 1981-06-24 | 1981-06-24 | ラツピング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS584353A true JPS584353A (ja) | 1983-01-11 |
Family
ID=14172651
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56096723A Pending JPS584353A (ja) | 1981-06-24 | 1981-06-24 | ラツピング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS584353A (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0824995A1 (en) * | 1996-08-16 | 1998-02-25 | Applied Materials, Inc. | Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus |
US6524164B1 (en) | 1999-09-14 | 2003-02-25 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus |
US6537133B1 (en) | 1995-03-28 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
US6676717B1 (en) | 1995-03-28 | 2004-01-13 | Applied Materials Inc | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
US6716085B2 (en) | 2001-12-28 | 2004-04-06 | Applied Materials Inc. | Polishing pad with transparent window |
US6719818B1 (en) | 1995-03-28 | 2004-04-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
US6849152B2 (en) | 1992-12-28 | 2005-02-01 | Applied Materials, Inc. | In-situ real-time monitoring technique and apparatus for endpoint detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization |
US6876454B1 (en) | 1995-03-28 | 2005-04-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
US6991517B2 (en) | 1999-02-04 | 2006-01-31 | Applied Materials Inc. | Linear polishing sheet with window |
US6994607B2 (en) | 2001-12-28 | 2006-02-07 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window |
US7001242B2 (en) | 2002-02-06 | 2006-02-21 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus of eddy current monitoring for chemical mechanical polishing |
US7037403B1 (en) | 1992-12-28 | 2006-05-02 | Applied Materials Inc. | In-situ real-time monitoring technique and apparatus for detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization |
US7264536B2 (en) | 2003-09-23 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window |
US7731566B2 (en) | 1995-03-28 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing metrology using interference signals |
-
1981
- 1981-06-24 JP JP56096723A patent/JPS584353A/ja active Pending
Cited By (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7569119B2 (en) | 1992-12-28 | 2009-08-04 | Applied Materials, Inc. | In-situ real-time monitoring technique and apparatus for detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization |
US6849152B2 (en) | 1992-12-28 | 2005-02-01 | Applied Materials, Inc. | In-situ real-time monitoring technique and apparatus for endpoint detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization |
US7024063B2 (en) | 1992-12-28 | 2006-04-04 | Applied Materials Inc. | In-situ real-time monitoring technique and apparatus for endpoint detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization |
US7582183B2 (en) | 1992-12-28 | 2009-09-01 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization |
US7037403B1 (en) | 1992-12-28 | 2006-05-02 | Applied Materials Inc. | In-situ real-time monitoring technique and apparatus for detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization |
US6860791B2 (en) | 1995-03-28 | 2005-03-01 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad for in-situ endpoint detection |
US6910944B2 (en) | 1995-03-28 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Method of forming a transparent window in a polishing pad |
US8556679B2 (en) | 1995-03-28 | 2013-10-15 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing metrology using interference signals |
US6719818B1 (en) | 1995-03-28 | 2004-04-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
US6537133B1 (en) | 1995-03-28 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
US5893796A (en) * | 1995-03-28 | 1999-04-13 | Applied Materials, Inc. | Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus |
US6875078B2 (en) | 1995-03-28 | 2005-04-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
US6876454B1 (en) | 1995-03-28 | 2005-04-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
US6045439A (en) * | 1995-03-28 | 2000-04-04 | Applied Materials, Inc. | Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus |
US7255629B2 (en) | 1995-03-28 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Polishing assembly with a window |
US8092274B2 (en) | 1995-03-28 | 2012-01-10 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing metrology using interference signals |
US7841926B2 (en) | 1995-03-28 | 2010-11-30 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing metrology using interference signals |
US7775852B2 (en) | 1995-03-28 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
US6280290B1 (en) | 1995-03-28 | 2001-08-28 | Applied Materials, Inc. | Method of forming a transparent window in a polishing pad |
US8506356B2 (en) | 1995-03-28 | 2013-08-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
US7118450B2 (en) | 1995-03-28 | 2006-10-10 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window and method of fabricating a window in a polishing pad |
US7731566B2 (en) | 1995-03-28 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing metrology using interference signals |
US7011565B2 (en) | 1995-03-28 | 2006-03-14 | Applied Materials, Inc. | Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus |
US6676717B1 (en) | 1995-03-28 | 2004-01-13 | Applied Materials Inc | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
EP0824995A1 (en) * | 1996-08-16 | 1998-02-25 | Applied Materials, Inc. | Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus |
US6991517B2 (en) | 1999-02-04 | 2006-01-31 | Applied Materials Inc. | Linear polishing sheet with window |
US7189141B2 (en) | 1999-09-14 | 2007-03-13 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus |
US7677959B2 (en) | 1999-09-14 | 2010-03-16 | Applied Materials, Inc. | Multilayer polishing pad and method of making |
US6524164B1 (en) | 1999-09-14 | 2003-02-25 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus |
US6896585B2 (en) | 1999-09-14 | 2005-05-24 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus |
US7198544B2 (en) | 2001-12-28 | 2007-04-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window |
US6994607B2 (en) | 2001-12-28 | 2006-02-07 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window |
US6716085B2 (en) | 2001-12-28 | 2004-04-06 | Applied Materials Inc. | Polishing pad with transparent window |
US7591708B2 (en) | 2002-02-06 | 2009-09-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus of eddy current monitoring for chemical mechanical polishing |
US7001242B2 (en) | 2002-02-06 | 2006-02-21 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus of eddy current monitoring for chemical mechanical polishing |
US7264536B2 (en) | 2003-09-23 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window |
US7547243B2 (en) | 2003-09-23 | 2009-06-16 | Applied Materials, Inc. | Method of making and apparatus having polishing pad with window |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS584353A (ja) | ラツピング装置 | |
JP4824166B2 (ja) | 工作物の皮むき研削におけるプロセスガイドのための方法及び研削盤 | |
US6038489A (en) | Machine tools | |
JP2009095976A (ja) | 半導体ウェハの同時両面研削 | |
JP2006015477A (ja) | 多頭研削盤及び多頭研削盤を用いた研削方法 | |
JPS60180770A (ja) | 研削盤用測定ヘツド | |
EP0950214B1 (en) | Method of controlling a machine tool | |
JPH079332A (ja) | 円筒研削盤およびその円筒研削盤による研削加工方法 | |
JPS60238258A (ja) | 自動芯出し装置 | |
JPH05200649A (ja) | 工具心出し装置 | |
JPH06258050A (ja) | 砥石形状計測装置 | |
JP2546062B2 (ja) | 長尺軸の外面研削装置 | |
JPS6071162A (ja) | アンギュラ研削盤における位置補正装置 | |
JPH10109250A (ja) | フライス加工方法及び装置 | |
JPH0392267A (ja) | 自動円筒研削装置 | |
JP2861931B2 (ja) | ワーク基準面からの精密加工装置 | |
JP2003236748A (ja) | 研削装置 | |
JP3050904B2 (ja) | 研削機能を備えた工作機械 | |
JPH07164314A (ja) | 研削盤における砥石寸法測定方法およびその装置 | |
JPH10138135A (ja) | 研削盤 | |
JPH08281539A (ja) | ロール研削盤の芯出し方法 | |
JP3411225B2 (ja) | フィードバック式加工条件補正方法および記録媒体 | |
JPH0581381B2 (ja) | ||
JPH06103512A (ja) | 磁気ヘッドブロックの加工方法及びその装置 | |
JP2002321140A (ja) | 工作機械のワーク計測装置 |