JP2001284642A - Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高光度で長寿命の半導体発光素子を低コスト
で量産可能にする。 【解決手段】 発光素子単位の分離溝２１を切削形成す
る分離溝形成工程と、半導体ウエハの基板１１を研削又
は研磨する薄板化工程と、ウエハの基板側の面１１ｂを
表にして粘着シート２４に貼り付ける貼り付け工程と、
面１１ｂに発光素子単位に分割線２５を罫描くスクライ
ブ工程と、透光層１０１と反射層１０２と耐蝕層１０３
の３層より成る鏡部１０の各層を順次スパッタリング又
は蒸着により成膜する鏡部成膜工程を順次実行する。こ
の透光層の材料はシート上にも成膜されるので、粘着材
から揮発し易いガスは封止され、反射層１０２の金属と
は化学結合しなくなる。よって、反射層の反射率は良好
に維持できる。反射層は多層構造でも良い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、 III族窒化物系化
合物半導体発光素子とその製造方法に関し、特に、反射
効果等を鑑みて形成される基板裏面の鏡部の構造とその
形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】反射効果等を鑑みて基板裏面に鏡部が形
成された III族窒化物系化合物半導体発光素子、又はそ
の製造方法に関する従来技術としては、公開特許公報
「特開平１１−１２６９２４：窒化ガリウム系化合物半
導体素子の製造方法」や「特開平１１−１２６９２
５」、「特開平５−１２９６５８」、「特開平１１−２
６１１１２」に記載されているもの等が一般に知られて
いる。

【０００３】図１４は、上記の公開特許公報「特開平１
１−１２６９２４：窒化ガリウム系化合物半導体素子の
製造方法」で開示されている III族窒化物系化合物半導
体発光素子を例示する半導体発光素子９００の模式的な
断面図である。薄板状の基板１１は、略正方形に形成さ
れている。この基板１１の上には、バッファ層１２が設
けられ、その上にｎ型コンタクト層１３（以下、「高キ
ャリア濃度ｎ⁺ 層１３」或いは、単に「ｎ⁺ 層１３」等
と言う場合がある。）が形成されている。この高キャリ
ア濃度ｎ⁺ 層１３の上にｎ型クラッド層１４が形成され
ている。

【０００４】そして、ｎ型クラッド層１４の上にバリア
層１５１と井戸層１５２とが交互に周期的に積層された
多重量子井戸（ＭＱＷ）構造の発光層１５が形成されて
いる。バリア層１５１は６層、井戸層１５２は５層であ
る。発光層１５の上にはｐ型クラッド層１６が形成され
ている。さらに、ｐ型クラッド層１６の上にはｐ型コン
タクト層１７が形成されている。

【０００５】又、コンタクト層１７の上の透光性の正電
極１８Ａは、コンタクト層１７に接合する１層目の薄膜
金属層と、この薄膜金属層に接合する２層目の薄膜金属
層とで構成されている。ｎ⁺ 層１３上の負電極１８Ｂ
は、多層構造の複数の金属層より構成されている。更
に、正電極１８Ａ上の一部領域には、金属製の電極パッ
ド２０が形成されている。また、基板１１（サファイア
基板１１）の裏面には、膜厚約200nm のアルミニウム(A
l)から成る金属層９０（鏡部９０）が形成されている。

【０００６】また、例えば、サファイヤ等から構成され
る基板は一般に固いので、半導体ウエハを正確に分離す
るために、半導体発光素子９００の集合体である一連の
半導体ウエハ（図略）の基板の上下両面には、上記の各
電極形成後、分離溝や分割線（スクライブライン）が設
けられる。この分離溝を半導体ウエハの電極側の面（上
側）より形成する際には、基板にある程度の強度が要求
されるため、基板の厚さは約数百μｍ程度とされるが、
その後、歩留り良く半導体発光素子を分離するために、
基板は適当な厚さにまで研磨される。上記の分割線は、
この研磨済みの基板裏側の表面（ひょうめん）にスクラ
イブされるものである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
な従来技術においては製造工程上以下の問題があり、上
記の様な反射金属層を有する III族窒化物系化合物半導
体発光素子は、その量産や商用化が容易でなかった。

【０００８】（問題点１）分割線の形成手順の問題 以下の理由（障害要因）により、基板裏面の金属層を形
成する前に分割線（スクライブライン）を半導体ウエハ
の裏面（基板の裏側表面（ひょうめん））に入れる必要
が有る。 （理由ａ）スクライビングカッターは、ダイヤモンドの
粒（小片）を多数集めて構成されているが、このカッタ
ーの刃は、成膜された金属により目詰まりを起こすた
め、金属層形成後は分割線が形成できない。 （理由ｂ）スクライビングカッターの位置合わせを正確
に行う際、被切削面上に成膜された金属層が障害とな
る。また、上記の公開特許公報に掲載されている様な、
位置合わせのために金属層を基板裏面の一部分領域には
形成しない方法も考えられるが、上記の従来技術におけ
るこの様な方法によれば、金属層（鏡部）が無く製品化
できない半導体発光素子が生じてしまい、歩留りが低下
する。

【０００９】しかしながら、以下の理由（障害要因）に
より、金属層９０（鏡部９０）を形成する前に分割線を
半導体ウエハの裏面（基板の裏側表面）に入れる（スク
ライブする）ことは容易でない。 （理由ｃ）半導体ウエハは、通常粘着シートに密着・固
定された状態でスクライブされるが、その後、粘着シー
トが付着したままの状態で半導体ウエハの基板面に金属
層を成膜させると、成膜処理中に粘着シートの表面上の
粘着材から不要なガスが多量に揮発する。このガスは蒸
着又はスパッタされる金属と化学的に結合するため、成
膜される金属層の、反射率や基板との親和性（密着性）
が大きく低下する。

【００１０】（問題点２）鏡部の耐蝕性の問題 発光素子をリードフレーム、サブマウント、ステム等の
基材にボンディングするために用いる接着剤（例えば、
銀を含んだペースト材等）と上記の鏡部の金属層とが接
触し、金属層が合金化や酸化等により劣化して、鏡部の
反射率が低下することがある。また、ブレーク工程を含
めブレーク工程以降の発光素子の取り扱い時に、反射層
に傷が付くことがあり、損傷の度合いによっては、反射
光の光量が低下したり、或いは反射層が剥離したりする
恐れが生じる。

【００１１】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的は、高光度で長寿命の半導
体発光素子を低コストで量産するための、発光素子の構
造とその製造方法を提案することである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めには、以下の手段が有効である。即ち、第１の手段
は、基板の上に III族窒化物系化合物半導体より成る複
数の半導体層が結晶成長により積層された半導体発光素
子において、基板の発光層が位置する側とは反対側の面
に、透光性の金属酸化物又は透光性のセラミックスより
成る透光層と、発光層から放出される光を基板側に反射
する金属製の反射層とを順次積層することにより、鏡部
を形成することである。

【００１３】また、第２の手段は、基板の上に III族窒
化物系化合物半導体より成る複数の半導体層が結晶成長
により積層された半導体発光素子において、基板の発光
層が位置する側とは反対側の面に、発光層から放出され
る光を基板側に反射する金属製の反射層と、金属酸化物
又はセラミックスより成る耐蝕層とを順次積層すること
により、鏡部を形成することである。

【００１４】また、第３の手段は、上記の第１の手段に
おいて、鏡部の最後に積層される層として、更に、金属
酸化物又はセラミックスより成る耐蝕層を積層すること
である。

【００１５】また、第４の手段は、上記の第１乃至第３
の何れか１つの手段において、反射層をアルミニウム
（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、又はこれらの金属元素の内の少
なくとも１種類以上を含んだ合金より形成することであ
る。

【００１６】また、第５の手段は、上記の第１乃至第４
の何れか１つの手段において、反射層の膜厚を５ｎｍ以
上、２０μｍ以下にすることである。

【００１７】また、第６の手段は、上記の第１、第３、
第４、又は第５の何れか１つの手段において、透光層を
Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＴｉＯ₂ 、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ₃ 、Ｔａ₂ Ｏ
₅ 、ＺｎＯ、Ｉｎ₂ Ｏ₃ 、ＳｉＯ₂ 、ＳｎＯ₂ 、ＺｒＯ
₂ 等の、透光性の酸化金属又は酸化物より形成すること
である。

【００１８】また、第７の手段は、上記の第１の手段、
又は、上記の第３乃至第６の何れか１つの手段におい
て、透光層の膜厚を５ｎｍ以上、１０μｍ以下にするこ
とである。

【００１９】また、第８の手段は、上記の第２乃至第７
の何れか１つの手段において、耐蝕層をＡｌ₂ Ｏ₃ 、Ｔ
ｉＯ₂ 、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ₃ 、Ｔａ₂ Ｏ₅ 、ＺｎＯ、Ｉ
ｎ₂Ｏ₃ 、ＳｉＯ₂ 、ＳｎＯ₂ 、ＺｒＯ₂ 等の、耐蝕性
の酸化金属又は酸化物、或いは、耐蝕性の金属炭化物、
金属窒化物又は金属ホウ化物より形成することである。

【００２０】また、第９の手段は、上記の第２乃至第８
の何れか１つの手段において、耐蝕層の膜厚を５ｎｍ以
上、１０μｍ以下にすることである。

【００２１】また、第１０の手段は、上記の第１乃至第
９の何れか１つの手段において、基板を厚さが７５μｍ
以上、１５０μｍ以下のサファイヤより構成することで
ある。

【００２２】また、第１１の手段は、上記の第１乃至第
１０の何れか１つの手段において、反射層をロジウム
（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａ
ｕ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃ
ｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン
（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、
又はこれらの金属元素の内の少なくとも１種類以上を含
んだ合金より形成することである。

【００２３】また、第１２の手段は、上記の第１乃至第
１１の何れか１つの手段において、反射層を複数の金属
層より構成された多層構造にすることである。

【００２４】また、第１３の手段は、基板と電極等を有
して複数の半導体層より成る半導体ウエハの基板側の面
に、透光層、及び／又は、反射層、及び／又は、耐蝕層
より成る鏡部の各層を、順次、スパッタリング又は蒸着
により成膜する鏡部成膜工程を、上記の III族窒化物系
化合物半導体発光素子の製造工程に設けることである。

【００２５】更に、第１４の手段は、上記の第１３の手
段において、半導体ウエハを半導体発光素子単位に分割
するブレーク工程を更に設けることである。

【００２６】また、第１５の手段は、上記の第１３又は
第１４の手段において、上記の半導体ウエハを電極側か
ら所定の深さまで切削することにより半導体発光素子単
位の分離溝を形成する分離溝形成工程と、半導体ウエハ
の基板を所望の厚さにまで研削又は研磨する薄板化工程
と、半導体ウエハの基板側の面が表側に表れる様に、半
導体ウエハを粘着シートに貼り付ける貼り付け工程と、
半導体ウエハの基板側の面に半導体発光素子単位に分割
線を罫描くスクライブ工程と、上記の鏡部成膜工程とを
組み合わせて、これらの各工程を本請求項に記載の順序
で直列に実行することである。以上の手段により、前記
の課題を解決することができる。

【００２７】

【作用及び発明の効果】基板と反射層との間に、透光性
の金属酸化物又は透光性のセラミックスより成る透光層
を設けることにより、粘着シートからのガスの揮発を抑
えることができるので、反射層の反射率の低下を防止す
ることが可能となる。

【００２８】また、鏡部の最後に積層される層として、
金属酸化物又はセラミックスより成る耐蝕層を積層する
ことにより、鏡部の耐蝕性の問題（前記の問題点２）を
解決することができる。これは、本耐蝕層により、反射
層が保護されるためである。この耐蝕層の材料として
は、反射層と合金化し難く、機械的強度が高く硬質な、
耐蝕性の有るものであれば良く、望ましくは、半田等に
よりリードフレーム、サブマウント、ステム等の基材に
確実にボンディングすることが容易なものが良い。この
様な条件を満たす材料としては、金属酸化物や、セラミ
ックス等が考えられる。

【００２９】また、反射層の材料として、アルミニウム
（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、又はこれらの金属元素の内の少
なくとも１種類以上を含んだ合金を選択することによ
り、極めて反射率の高い反射層を構成することが可能と
なる。この反射層の膜厚は、５ｎｍ以上、２０μｍ以下
であれば良い。ただし、より望ましいこの膜厚の範囲
は、金属の種類にも若干は依存するものの、概ね３０〜
１０００ｎｍ程度であり、更により望ましくは５０〜５
００ｎｍ程度が理想的である。この膜厚が薄過ぎると反
射率が低くなり、また、厚過ぎると成膜コスト（金属材
料、成膜時間等のコスト）が必要以上に高くなる。

【００３０】また、前記の条件を満たす透光層の材料と
しては、より具体的には、Ａｌ₂ Ｏ ₃ 、ＴｉＯ₂ 、Ｍｇ
Ｏ、ＭｇＣＯ₃ 、Ｔａ₂ Ｏ₅ 、ＺｎＯ、Ｉｎ₂ Ｏ₃ 、Ｓ
ｉＯ ₂ 、ＳｎＯ₂ 、ＺｒＯ₂ 等の、透光性の酸化金属又
は酸化物等が考えられる。この透光層の膜厚は、５ｎｍ
以上、１０μｍ以下であれば良い。ただし、より望まし
いこの膜厚の範囲は、材料の種類にも依存するものの、
概ね１０〜５００ｎｍ程度であり、更により望ましくは
２０〜３００ｎｍ程度が理想的である。この膜厚が薄過
ぎると基板との密着性が弱くなり、また、厚過ぎるとそ
の厚さに応じて透光量が徐々に低下すると共に、成膜コ
スト（材料、成膜時間等のコスト）が必要以上に高くな
る。

【００３１】また、前記の条件を満たす耐蝕層の材料と
しては、より具体的には、Ａｌ₂ Ｏ ₃ 、ＴｉＯ₂ 、Ｍｇ
Ｏ、ＭｇＣＯ₃ 、Ｔａ₂ Ｏ₅ 、ＺｎＯ、Ｉｎ₂ Ｏ₃ 、Ｓ
ｉＯ ₂ 、ＳｎＯ₂ 、ＺｒＯ₂ 等の、耐蝕性の酸化金属又
は酸化物、或いは、耐蝕性の金属炭化物、金属窒化物又
は金属ホウ化物等が考えられる。この耐蝕層の膜厚は、
５ｎｍ以上、１０μｍ以下であれば良い。ただし、より
望ましいこの膜厚の範囲は、材料の種類にも依存するも
のの、概ね３０〜５００ｎｍ程度であり、更により望ま
しくは５０〜３００ｎｍ程度が理想的である。この膜厚
が薄過ぎると鏡部の耐蝕性の問題（前記の問題点２）が
表面化し、また、厚過ぎると成膜コスト（材料、成膜時
間等のコスト）が必要以上に高くなる。

【００３２】また、基板を厚さが７５μｍ以上、１５０
μｍ以下のサファイヤより構成することにより、分割線
（スクライブライン）を罫描くスクライブ工程と、その
後のスクライブ工程において、歩留り良く半導体チップ
を分離することができる。ただし、この基板のより望ま
しい厚さは、８０〜１１０μｍ程度であり、更により望
ましくは、約８５〜１００μｍ程度が理想的である。こ
の基板の厚さが厚過ぎると歩留りが低下し、また、この
基板の厚さが薄過ぎると、その後の洗浄工程やスクライ
ブ工程に十分に耐え得る基板の強度を得ることができな
くなる。

【００３３】また、反射層をロジウム（Ｒｈ）、ルテニ
ウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム
（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバル
ト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、モ
リブデン（Ｍｏ）、又はこれらの金属元素の内の少なく
とも１種類以上を含んだ合金より形成することによって
も上記の作用効果をある程度まで有効に得ることができ
る。

【００３４】中でも特にロジウム（Ｒｈ）は、銀（Ａ
ｇ）やアルミニウム（Ａｌ）程ではないが、反射率が高
い金属であるため、反射層には有用な金属である。ま
た、ロジウム（Ｒｈ）は、銀（Ａｇ）やアルミニウム
（Ａｌ）よりも固い金属であるため、スクライビングカ
ッターの目詰まりが生じ難い。このため、反射層をロジ
ウム（Ｒｈ）で構成することにより、前記の分割線の形
成手順の問題（前記の問題点１）の理由ａを排除するこ
とが可能となる。

【００３５】また、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒ
ｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、
コバルト（Ｃｏ）、パラジウム（Ｐｄ）は、比較的耐蝕
性に優れた金属であるため、前記の耐蝕層を形成しない
場合に、特に有効である。

【００３６】また、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒ
ｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）は、基板と
の親和性（密着性）に比較的優れた金属であるため、前
記の透光層を形成しない場合に、特に有効である。例え
ば、透光層の代わりに、或いは、反射層の一部として反
射層の内で最初に積層される層として、ロジウム（Ｒ
ｈ）より成る膜厚約１５Å程度の薄膜金属層を積層する
等の方法を採用しても良い。例えば、このような構成に
よれば、ロジウム（Ｒｈ）は反射率が比較的高い金属で
あるため、鏡部全体の反射率を落すことなく、鏡部の剥
離を防止する効果が得られる。

【００３７】また、金（Ａｕ）は、赤色光に対して、ア
ルミニウム（Ａｌ）よりも高い反射率を示すため、比較
的長波長の光を発光する半導体発光素子の反射層を構成
する金属として特に有効である。

【００３８】また、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒ
ｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、又はこれらの金属元
素の内の少なくとも１種類以上を含んだ合金は、蒸着又
はスパッタリングによる成膜時に、雰囲気ガスと化学結
合し難いため、前記の透光層を成膜しなくとも反射率の
高い鏡部を構成し得る。

【００３９】また、前記の第１３の手段により、即ち、
分割線形成後に、透光層、及び／又は、反射層、及び／
又は、耐蝕層より成る鏡部の各層を順次スパッタリング
又は蒸着により成膜することにより、前記の分割線の形
成手順の問題（前記の問題点１）が解決できる。

【００４０】また、透光層成膜後には、粘着シートの表
面上の粘着材から不要なガスが揮発することが無くな
る。これは、後から図６等を用いて詳述する様に、粘着
材が露出していた粘着シートの表面が透光層成膜時に、
蒸着、若しくは、スパッタリングにより透光層の形成材
料で全面的に覆われてしまうためである。このため、粘
着材のガスは揮発しなくなり、その後処理空間内に以前
より残留している粘着材の揮発ガスを排気してしまえ
ば、その後は粘着材のガスが蒸着又はスパッタされる金
属と化学的に結合することも無くなる。従って、透光層
の次に成膜される金属層（反射層）の、反射率は良好に
維持される。

【００４１】以上の理由により、鏡部（反射層）を形成
する前に分割線（スクライブライン）を半導体ウエハの
裏面（基板の裏側表面（ひょうめん））に入れることが
容易となり、前記の分割線の形成手順の問題（前記の問
題点１）が解消される。

【００４２】尚、この透光層の膜厚は、５ｎｍ以上、１
０μｍ以下であれば良い。ただし、より望ましいこの膜
厚の範囲は、材料の種類にも依存するものの、概ね１５
〜１５０ｎｍ程度であり、更により望ましくは２０〜３
００ｎｍ程度が理想的である。この膜厚が薄過ぎると、
粘着材が露出した粘着シートの表面が透光層成膜時に、
十分には覆われなくなり、ガスの揮発の抑止効果が不足
する。このため、反射層の金属が成膜過程でガスと化学
反応し、このため、反射率が劣化すると同時に基板と鏡
部との密着性も弱くなる。また、厚過ぎるとその厚さに
応じて透光量が徐々に低下すると共に、成膜コスト（材
料、成膜時間等のコスト）が必要以上に高くなる。

【００４３】また、半導体ウエハを半導体発光素子単位
に分割するブレーク工程を更に設けることにより、発光
素子単位の製造・販売が可能となる。ただし、本工程
は、省略することも可能である。例えば、半導体ウエハ
の購買者が、上記の半導体発光素子単位の分割（上記の
ブレーク工程）を実施しても良い。

【００４４】尚、半導体結晶の成長基板には、サファイ
ア、スピネル、シリコン、炭化シリコン、酸化亜鉛、リ
ン化ガリウム、砒化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化
マンガン、酸化ガリウムチチウム（ＬｉＧａＯ₂ ）、硫
化モリブデン（ＭｏＳ）等の材料を用いることができ
る。

【００４５】また、前記の分離溝の各種基板に対する深
さは、分離溝の幅や、基板の種類、薄板化工程後の厚さ
等にも依存するが、例えば、サファイアより発光素子の
基板を構成する場合等には、基板の厚みに対する分離溝
の深さは、概ね１／３０〜１／２程度で良い。ただし、
より望ましくは、１０％前後（５〜１５％）が理想的で
ある。この分離溝が深過ぎると、これにより、分離溝形
成工程、薄板化工程、スクライブ工程等の途中の製造工
程において生じ得る半導体ウエハの部分的な亀裂等の破
損のために、発光素子を所望の形状に正確に分離できな
くなる恐れが生じる。また、この分離溝が浅過ぎると、
ブレーク工程において発光素子を分割することが困難と
なるか、又は、所望の形状に正確に分離できなくなる、
と言う恐れが生じる。

【００４６】尚、以上の作用・効果は、少なくともＡｌ
_x Ｇａ_y Ｉｎ_1-x-y Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦
ｘ＋ｙ≦１）にて表される２元系、３元系、若しくは４
元系の半導体から成る半導体層が積層されたＬＥＤ等の
III族窒化物系化合物半導体発光素子一般に対して得る
ことができる。また、更に、 III族元素の一部は、ボロ
ン（Ｂ）、タリウム（Tl）で置き換えても良く、また、
窒素（Ｎ）の一部、若しくは全部をリン（Ｐ）、砒素
（As）、アンチモン（Sb）、又はビスマス（Bi）で置き
換えても良い。

【００４７】

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的な実施例に
基づいて説明する。ただし、本発明は以下に示す実施例
に限定されるものではない。 （第１実施例）図１は、本第１実施例に係わる III族窒
化物系化合物半導体発光素子１００（以下、「半導体発
光素子１００」或いは、単に「素子１００」等と言う場
合がある。）の模式的な断面図である。本発光素子１０
０は、図１４に示した従来技術による半導体発光素子９
００と殆ど同じ構造をしているが、しかし、本発光素子
１００は、サファイヤより成る基板１１の裏面に形成さ
れた光反射用の鏡部１０の構造に大きな特徴を有する。
より具体的には、本第１実施例の半導体発光素子１００
の構造は、以下に示す通りである。

【００４８】即ち、基板１１は、略正方形に形成されて
いる。この基板１１の上には窒化アルミニウム(AlN) か
ら成る膜厚約25nmのバッファ層１２が設けられ、その上
にシリコン(Si)ドープのGaN から成る膜厚約4.0 μｍの
高キャリア濃度ｎ⁺ 層１３（ｎ型コンタクト層１３）が
形成されている。この高キャリア濃度ｎ⁺ 層１３（ｎ型
コンタクト層１３）の上にSiドープのｎ型GaN から成る
膜厚約0.5 μｍのｎ型クラッド層１４が形成されてい
る。そして、ｎ型クラッド層１４の上に膜厚約35ÅのGa
N から成るバリア層１５１と膜厚約35ÅのGa_0.8In_0.2N
から成る井戸層１５２とが交互に積層された多重量子井
戸（ＭＱＷ）構造の発光層１５が形成されている。バリ
ア層１５１は６層、井戸層１５２は５層である。発光層
１５の上にはｐ型Al_0.15Ga_0.85N から成る膜厚約50nmの
ｐ型クラッド層１６が形成されている。さらに、ｐ型ク
ラッド層１６の上にはｐ型GaN から成る膜厚約１００ｎ
ｍのｐ型コンタクト層１７が形成されている。

【００４９】又、ｐ型コンタクト層１７の上には金属蒸
着による透光性の正電極１８Ａが、ｎ⁺ 層１３の上には
負電極１８Ｂが形成されている。透光性の正電極１８Ａ
は、ｐ型コンタクト層１７に接合する膜厚約15Åのコバ
ルト(Co)と、Coに接合する膜厚約60Åの金(Au)とで構成
されている。負電極１８Ｂは膜厚約 200Åのバナジウム
(V) と、膜厚約1.8 μｍのアルミニウム(Al)又はAl合金
で構成されている。正電極１８Ａ上の一部には、Coもし
くはNiとAu、Al、又は、それらの合金から成る膜厚約1.
5 μｍの電極パッド２０が形成されている。更に、基板
１１の裏面１１ｂ（図３）には、後から図８（若しくは
図１１）を用いて詳細にその積層構成・製法等が説明さ
れる様に、鏡部１０が形成されている。

【００５０】次に、この発光素子１００の製造方法につ
いて説明する。上記発光素子１００は、有機金属気相成
長法（以下「MOVPE 」と略す）による気相成長により製
造された。用いられたガスは、アンモニア(NH₃) 、キャ
リアガス(H₂,N₂) 、トリメチルガリウム(Ga(CH₃)₃)（以
下「TMG 」と記す）、トリメチルアルミニウム(Al(CH₃)
₃)（以下「TMA 」と記す）、トリメチルインジウム(In
(CH₃)₃)（以下「TMI 」と記す）、シラン(SiH₄)とシク
ロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C₅H₅)₂) （以下「CP
₂Mg 」と記す）である。まず、有機洗浄及び熱処理によ
り洗浄したａ面を主面とした単結晶の基板１１をMOVPE
装置の反応室に載置されたサセプタに装着する。次に、
常圧でH₂を反応室に流しながら温度1100℃で基板１１を
ベーキングした。次に、基板１１の温度を400 ℃まで低
下させて、H₂、NH₃ 及びTMA を供給してAlN のバッファ
層１２を約25nmの膜厚に形成した。

【００５１】次に、基板１１の温度を1150℃に保持し、
H₂、NH₃ 、TMG 及びシランを供給し、膜厚約4.0 μｍ、
電子濃度2 ×10¹⁸/cm³のGaN から成る高キャリア濃度ｎ
⁺ 層１３を形成した。次に、基板１１の温度を1150℃に
保持し、N₂又はH₂、NH₃ 、TMG 、TMA 及びシランを供給
して、膜厚約0.5 μｍ、電子濃度1 ×10¹⁸/cm³のGaN か
ら成るクラッド層１４を形成した。上記のクラッド層１
４を形成した後、続いて、N₂又はH₂、NH₃ 及びTMG を供
給して、膜厚約35ÅのGaN から成るバリア層１５１を形
成した。次に、N₂又はH₂、NH₃ 、TMG 及びTMI を供給し
て、膜厚約35ÅのGa_0.8In_0.2N から成る井戸層１５２を
形成した。さらに、バリア層１５１と井戸層１５２を同
一条件で４周期形成し、その上にGaN から成るバリア層
１５１を形成した。このようにして５周期のMQW 構造の
発光層１５を形成した。

【００５２】次に、基板１１の温度を1100℃に保持し、
N₂又はH₂、NH₃ 、TMG 、TMA 及びCP ₂Mg を供給して、膜
厚約50nm、マグネシウム(Mg)をドープしたｐ型Al_0.15Ga
_0.85N から成るクラッド層１６を形成した。次に、基板
１１の温度を1100℃に保持し、N₂又はH₂、NH₃ 、TMG 及
びCP₂Mg を供給して、膜厚約100nm 、Mgをドープしたｐ
型GaN から成るコンタクト層１７を形成した。次に、コ
ンタクト層１７の上にエッチングマスクを形成し、所定
領域のマスクを除去して、マスクで覆われていない部分
のコンタクト層１７、クラッド層１６、発光層１５、ク
ラッド層１４、ｎ⁺ 層１３の一部を塩素を含むガスによ
る反応性イオンエッチングによりエッチングして、ｎ⁺
層１３の表面を露出させた。次に、以下の手順で、ｎ⁺
層１３に対する電極１８Ｂと、コンタクト層１７に対す
る透光性の電極１８Ａとを形成した。

【００５３】(1) フォトレジストを塗布し、フォトリソ
グラフィによりｎ⁺ 層１３の露出面上の所定領域に窓を
形成して、10^-6Torrオーダ以下の高真空に排気した後、
膜厚約 200Åのバナジウム(V) と膜厚約 1.8μｍのAlを
蒸着した。次に、フォトレジストを除去する。これによ
りｎ⁺ 層１３の露出面上に電極１８Ｂが形成される。 (2) 次に、表面上にフォトレジストを一様に塗布して、
フォトリソグラフィにより、コンタクト層１７の上の電
極形成部分のフォトレジストを除去して、窓部を形成す
る。 (3) 蒸着装置にて、フォトレジスト及び露出させたコン
タクト層１７上に、10 ^-6Torrオーダ以下の高真空に排気
した後、膜厚約15ÅのCoを成膜し、このCo上に膜厚約60
ÅのAuを成膜する。

【００５４】(4) 次に、試料を蒸着装置から取り出し、
リフトオフ法によりフォトレジスト上に堆積したCo、Au
を除去し、コンタクト層１７上に透光性の電極１８Ａを
形成する。 (5) 次に、透光性の電極１８Ａ上の一部にボンディング
用の電極パッド２０を形成するために、フォトレジスト
を一様に塗布して、その電極パッド２０の形成部分のフ
ォトレジストに窓を開ける。次に、CoもしくはNiとAu、
Al、又は、それらの合金を膜厚1.5 μｍ程度に、蒸着に
より成膜させ、(4) の工程と同様に、リフトオフ法によ
り、フォトレジスト上に堆積したCoもしくはNiとAu、A
l、又はそれらの合金から成る膜を除去して、電極パッ
ド２０を形成する。 (6) その後、試料雰囲気を真空ポンプで排気し、O₂ガス
を供給して圧力 3Paとし、その状態で雰囲気温度を約 5
50℃にして、3 分程度、加熱し、コンタクト層１７、ク
ラッド層１６をｐ型低抵抗化すると共にコンタクト層１
７と電極１８Ａとの合金化処理、ｎ⁺ 層１３と電極１８
Ｂとの合金化処理を行った。このようにして、鏡部１０
のない半導体ウエハ２００が形成される。

【００５５】以下、図２〜図８を用いて、鏡部１０の形
成方法と半導体発光素子１００の分離方法について説明
する。図２は、本第１実施例の分離溝形成工程を説明す
る半導体ウエハ２００の模式的な断面図である。まず、
本図２に示すように、ブレード４０を用いて基板１１に
達する程度の深さに半導体ウエハ２００をダイシング
し、分離溝２１を形成する（分離溝形成工程）。この分
離溝の基板に対する深さ（基板上面からの深さ）は、約
６μｍ〜１５μｍ程度で良い。本実施例においては、約
１０μｍ程度とした。

【００５６】次に、研磨盤を用いて、図２の半導体ウエ
ハ２００の基板１１の下面１１ｂを研磨し、基板１１を
薄板化する（薄板化工程）。これにより、図３に示す断
面構成、及び図４に示す平面構成が得られる。即ち、こ
の状態を、基板１１の下面１１ｂ側から見ると、図４に
示す様に、分離溝２１の部分が最も薄肉であるので、分
離溝２１を視覚的に認識することができる。ただし、図
３、図４は、それぞれ本実施例の半導体ウエハ２００の
薄板化工程終了後の模式的な断面図、及び、基板側（下
面１１ｂ）から見た模式的な平面図である。

【００５７】次に、電極が形成されている面に、ステン
レス製の支持リング６０にて支持されている粘着シート
２４を貼着し、図５、及び図６（ａ）に示す構成を得る
（貼り付け工程）。ただし、図５は、本第１実施例の本
貼り付け工程後の粘着シート２４を有する半導体ウエハ
２００（以下、「半導体ウエハ２０１」と言う。）の模
式的な断面図であり、図６は、本貼り付け工程、及びそ
の後のスクライブ工程を説明する、基板側から見た半導
体ウエハ２０１の模式的な平面図である。

【００５８】次に、基板１１の下面１１ｂ側を分離溝２
１に沿ってスクライバを用いてスクライビングし、分割
線（スクライブライン）２５を形成する（スクライブ工
程：図６（ｂ））。この分割線形成後の断面構成を示せ
ば、図７のようになる。即ち、図７は、本第１実施例の
半導体ウエハ２０１のスクライブ工程後の断面形状を示
す模式的な断面図である。

【００５９】次に、以下のスパッタリング実施条件に従
って、基板１１の下面１１ｂ上に、透光層１０１、反射
層１０２、及び耐蝕層１０３をそれぞれ順次積層するこ
とにより鏡部１０を形成する。 （スパッタリング実施条件） （１）透光層１０１（膜厚約３０ｎｍのＡｌ₂ Ｏ₃ 層） （ａ）スパッタリング方式：ＲＦスパッタ（１００Ｗ） （ｂ）スパッタ装置の処理空間内の到達真空度：２×１
０^-4Ｐａ （ｃ）加圧に使用する不活性ガスのガス圧：４×１０^-1
Ｐａ（Ａｒガス） （２）反射層１０２（膜厚約３００ｎｍのＡｌ層） （ａ）スパッタリング方式：ＤＣスパッタ（２００ｍ
Ａ，３８０Ｖ） （ｂ）スパッタ装置の処理空間内の到達真空度：２×１
０^-4Ｐａ （ｃ）加圧に使用する不活性ガスのガス圧：４×１０^-1
Ｐａ（Ａｒガス） （３）耐蝕層１０３（膜厚約１００ｎｍのＡｌ₂ Ｏ
₃ 層） （ａ）スパッタリング方式：ＲＦスパッタ（１００Ｗ） （ｂ）スパッタ装置の処理空間内の到達真空度：２×１
０^-4Ｐａ （ｃ）加圧に使用する不活性ガスのガス圧：４×１０^-1
Ｐａ（Ａｒガス）

【００６０】以上の様にして、図８に示される鏡部１０
が形成される（鏡部成膜工程）。即ち、図８は、本第１
実施例の半導体ウエハ２０１の鏡部成膜工程後の断面形
状を示す模式的な断面図である。次に、ブレーキング装
置により分割線付近に荷重を作用させて、ウエハをチッ
プに分離し、図１の構成を得る（ブレーク工程）。

【００６１】上記に示すように、基板１１下面に鏡部１
０を形成することにより、反射層１０２の反射率の劣化
が抑制できるため、発光層１５より出力される光を効果
的に反射できる（高光度化）。例えば、上記の様に本発
明に基づいて製造された発光素子１００は、基板の裏面
に鏡部を有しない従来の半導体発光素子と比べて、約１
３０％の光度を示した。また、鏡部１０は基板１１の下
面１１ｂから剥離する恐れがない（長寿命化）。

【００６２】図９は、本第１実施例における半導体ウエ
ハ２０１から、上記のブレーキングにより分離した III
族窒化物系化合物半導体発光素子１００の長時間連続通
電テストにおけるテスト結果を示す表である。ただし、
光度維持率（％）とは、発光素子の初期の光度に対する
連続通電後の光度の比率（百分率）を示すものである。
この表に示されるように、長時間連続通電後も、本発明
に基づいて製造された発光素子１００は、鏡部１０によ
り、従来の構造の鏡部９０を有する発光素子９００より
も光を効果的に反射して、高い発光強度を示すことが判
る。

【００６３】尚、透過層１０１、反射層１０２、及び耐
蝕層１０３の形成は、上記のブレーク工程後に実施して
も良い。

【００６４】（第２実施例）その他の製造方法として、
本第２実施例では、半導体ウエハ３００（図４）より、
図１に示す構成（断面形状）を有する III族窒化物系化
合物半導体発光素子１００を得るまでの各工程について
説明する。

【００６５】本第２実施例の薄板化工程終了後の基板側
（１１ｂ）から見た半導体ウエハ３００の模式的な平面
図を図４に示す。この薄板化工程終了後の半導体ウエハ
３００は、上記の第１実施例の薄板化工程終了後の半導
体ウエハ２００（図４）と同じものである。

【００６６】その後、半導体ウエハ３００をアセトン又
はＩＰＡ等により、有機洗浄し、基板の表面温度を約１
５０℃にまで、昇温する。次に、図１０に示す様に、マ
スク工程を実施する。図１０は、本第２実施例のマスク
工程及び鏡部成膜工程を説明する半導体ウエハ３００と
外付けマスク７０の模式的な平面図（ａ），（ｂ）及
び、模式的な断面図（ｃ）である。本半導体ウエハ３０
０から分離可能な III族窒化物系化合物半導体発光素子
１００の平面図上の形状は、その一辺（Ｌ１）が約３３
０μｍの略正方形である（図１０（ａ））。

【００６７】また、外付けマスク７０はステンレスによ
り、図１０（ｂ）に示す様な格子型の網状に形成されて
おり、この外付けマスク７０によりマスクされるストラ
イプ幅Ｄ２は、分離溝２１のストライプ幅Ｌ２の約３倍
に設定されている。外付けマスク７０は、図１０（ｃ）
に示す様に、基板１１の底面１１ｂに対して略平行に、
かつ、外付けマスク７０のストライプ幅Ｄ２の中心線
が、分離溝２１のストライプ幅Ｌ２の中心線と略一致す
る様に配置される（マスク工程）。

【００６８】尚、基板１１の底面１１ｂと、外付けマス
ク７０との間隔は、その後順次積層される鏡部１０の厚
さや、その材料等に応じて決定すれば良い。また、その
間隔は、約０μｍとしても良い。また、上記の昇温は、
外付けマスク７０に対する通電によって外付けマスク７
０を加熱することにより実施しても良い。また、上記の
昇温は、必ずしも実施しなくとも良い。

【００６９】図１１に、上記のマスキングに基づいて実
施した鏡部成膜工程後の半導体ウエハ３００の模式的な
断面図を示す。多層構造の反射層１０２０は、膜厚約９
００ÅのＡｇ層１０２ａと、膜厚約３００ÅのＮｉ／Ｍ
ｏ層１０２ｂと、膜厚約３０００ÅのＡｕ層１０２ｃと
から構成されている。これらの金属層の成膜は、エレク
トロンビーム蒸着により実施することができる。その
後、耐蝕層１０３を上記のマスキングに基づいて、第１
実施例と略同様の条件で形成した。ただし、本第２実施
例における耐蝕層１０３は、必ずしも形成しなくとも良
い。

【００７０】この様な構成によっても、通常、反射層の
反射率は膜厚が約８００〜１０００Å程度で飽和するた
め十分に高い反射率が得られ、尚且つ、高い耐蝕性をも
同時に確保することができる。即ち、例えば、この様に
鏡部１０を構成することによっても、第１実施例の場合
と同等レベルの高い反射率と耐蝕性を得ることができ
る。

【００７１】その後、第１実施例と同様の貼り付け工程
を実施することにより、図１２に模式的に示す、粘着シ
ート２４を有する半導体ウエハ３０１の断面構成を得
る。その後、第１実施例と同様のスクライブ工程を実施
することにより、図１３に模式的に示す、分割線２５を
有する半導体ウエハ３０１の断面構成を得る。

【００７２】次に、ブレーキング装置により分割線付近
に荷重を作用させて、ウエハをチップに分離し、図１の
構成を得る（ブレーク工程）。

【００７３】以上に示すように、基板１１下面に鏡部１
０を形成することにより、反射層１０２０（特に、光を
反射する主たる層１０２ａ）の反射率の劣化が抑制でき
るため、発光層１５より出力される光を効果的に反射で
きる（高光度化）。

【００７４】また、鏡部１０は分割線（スクライブライ
ン）の設定予定領域には積層（成膜）されないので、半
導体ウエハ３０１では、スクライブ工程において鏡部１
０側から分離溝２１を視覚的に容易に認識できる。よっ
て、半導体ウエハ３０１では、基板１１の下面に鏡部１
０を形成した後のスクライビングが容易となり、更に、
この分割線によりその後の素子１００の分割が容易に行
える。

【００７５】また、第２実施例においては、鏡部成膜工
程においては、まだ粘着シートが使用されていないた
め、この段階で半導体ウエハ３００を洗浄したり、加熱
したりすることが可能である。また、成膜時にも粘着シ
ートがないため不要なガスが揮発しないので、基板面に
透光層１０１を成膜しなくとも反射率や密着性の高い鏡
部を形成することができる。

【００７６】また、多層構造の反射層１０２０の代わり
に、例えば、膜厚１０００Å程度のロジウム（Ｒｈ）よ
りなる金属層を形成しても良い。Ｒｈは、基板との密着
性に優れており、また、耐蝕性や反射率も比較的高いた
め、この様な金属層によっても高い密着性と反射率を同
時に確保することができる。

【００７７】また、外付けマスクを厚さが２０μｍ以
上、５００μｍ以下のステンレスより形成することによ
り、上記の外付けマスクを作成することができる。ただ
し、この厚さの範囲は、より望ましくは、約３０〜３０
０μｍ程度であり、更により望ましくは、５０μｍ前後
（約３０〜１００μｍ程度）が理想的である。この厚さ
が薄過ぎるとこの外付けマスクの再利用が不能となった
り、破損し易くなったりして、望ましくない。また、こ
の厚さが厚過ぎるとマスクするべき領域の縁の境界線周
辺での鏡部の膜厚にバラツキが生じ易くなり、正確なマ
スクができなくなる。

【００７８】また、外付けマスクがマスクするストライ
プ幅は、分離溝の幅の概ね１倍以上、１０倍以下程度が
良い。分離溝の幅に対するこのストライプ幅の比の範囲
は、分離溝の幅の絶対値にもよるが、望ましくは、およ
そ２倍から５倍程度であり、更により望ましくは、３倍
前後が理想的である。この幅が広過ぎると、鏡部の有効
面積が狭くなり、反射光の光量が低下する。また、この
幅が狭過ぎると、極めて高度なマスクの位置付け精度が
要求されると同時に、鏡部成膜後、スクライビングカッ
ターの位置合わせを行う際に分離溝を視覚的に認識する
ことが難しくなる。

【００７９】尚、上記の各実施例においては、発光素子
１００の発光層１５はＭＱＷ構造としたが、ＳＱＷやGa
_0.8In_0.2N 等から成る単層、その他、任意の混晶比の４
元、３元系のAlGaInN としても良い。又、ｐ型不純物と
してMgを用いたがベリリウム(Be)、亜鉛(Zn)等の２族元
素を用いることができる。又、本発明はＬＥＤやＬＤの
発光素子に利用可能であると共に受光素子にも利用する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の各実施例に係わる III族窒化物系化合
物半導体発光素子１００の模式的な断面図。

【図２】本発明の第１及び第２実施例の分離溝形成工程
を説明する半導体ウエハ２００の模式的な断面図。

【図３】本発明の第１及び第２実施例の薄板化工程を説
明する半導体ウエハ２００の模式的な断面図。

【図４】本発明の第１及び第２実施例の薄板化工程終了
後の基板側（１１ｂ）から見た半導体ウエハ２００又は
３００の模式的な平面図。

【図５】本発明の第１実施例の貼り付け工程を説明する
半導体ウエハ２０１の模式的な断面図。

【図６】本発明の第１実施例の貼り付け工程及びスクラ
イブ工程を説明する、基板側から見た半導体ウエハ２０
１の模式的な平面図。

【図７】本発明の第１実施例のスクライブ工程を説明す
る半導体ウエハ２０１の模式的な断面図。

【図８】本発明の第１実施例の鏡部成膜工程を説明する
半導体ウエハ２０１の模式的な断面図。

【図９】本発明の第１実施例における半導体ウエハ２０
１から、ブレーキングにより分離した III族窒化物系化
合物半導体発光素子１００のテスト結果を示す表。

【図１０】本発明の第２実施例のマスク工程及び鏡部成
膜工程を説明する半導体ウエハ３００の模式的な平面図
（ａ），（ｂ）及び、模式的な断面図（ｃ）。

【図１１】本発明の第２実施例の鏡部成膜工程を説明す
る半導体ウエハ３００の模式的な断面図。

【図１２】本発明の第２実施例の貼り付け工程を説明す
る半導体ウエハ３０１の模式的な断面図。

【図１３】本発明の第２実施例のスクライブ工程を説明
する半導体ウエハ３０１の模式的な断面図。

【図１４】従来技術による III族窒化物系化合物半導体
発光素子９００の模式的な断面図。

【符号の説明】

１００ … ＬＥＤ（ III族窒化物系化合物半導体発
光素子） ２００，２０１，３００，３０１ … 半導体ウエハ １１ … 基板 １２ … バッファ層 １３ … ｎ型コンタクト層 １４ … ｎ型クラッド層 １５ … 発光層（ＭＱＷ発光層） １６ … ｐ型クラッド層 １７ … ｐ型コンタクト層 １８Ａ … 正電極金属層 １８Ｂ … 負電極金属層 １０ … 鏡部 １０１ … 透光層 １０２ … 反射層 １０３ … 耐蝕層 ２１ … 分離溝 ２４ … 粘着シート ２５ … 分割線（スクライブライン） ４０ … ブレード（ダイシング・カッター） ７０ … 外付けマスク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長坂 尚久 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 橋村 昌樹 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 平野 敦雄 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 只野 博 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１ 株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 加地 徹 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１ 株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 細川 秀記 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１ 株式会社豊田中央研究所内 Ｆターム(参考） 5F041 AA04 AA06 CA40 CA75 CA76 CB15 EE23

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の上に III族窒化物系化合物半導体
   より成る複数の半導体層が結晶成長により積層された半
   導体発光素子において、前記基板の発光層が位置する側
   とは反対側の面に、 透光性の金属酸化物又は透光性のセラミックスより成る
   透光層と、 前記発光層から放出される光を前記基板側に反射する金
   属製の反射層とを順次積層することにより、鏡部が形成
   されていることを特徴とする III族窒化物系化合物半導
   体発光素子。
2. 【請求項２】 基板の上に III族窒化物系化合物半導体
   より成る複数の半導体層が結晶成長により積層された半
   導体発光素子において、前記基板の発光層が位置する側
   とは反対側の面に、 前記発光層から放出される光を前記基板側に反射する金
   属製の反射層と、 金属酸化物又はセラミックスより成る耐蝕層とを順次積
   層することにより、鏡部が形成されていることを特徴と
   する III族窒化物系化合物半導体発光素子。
3. 【請求項３】 前記鏡部の最後に積層される層として、 更に、金属酸化物又はセラミックスより成る耐蝕層が積
   層されていることを特徴とする請求項１に記載の III族
   窒化物系化合物半導体発光素子。
4. 【請求項４】 前記反射層は、 アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、又はこれらの金属
   元素の内の少なくとも１種類以上を含んだ合金より形成
   されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のい
   ずれか１項に記載の III族窒化物系化合物半導体発光素
   子。
5. 【請求項５】 前記反射層の膜厚は、 ５ｎｍ以上、２０μｍ以下であることを特徴とする請求
   項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の III族窒化物
   系化合物半導体発光素子。
6. 【請求項６】 前記透光層は、 Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＴｉＯ₂ 、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ₃ 、Ｔａ₂ Ｏ
   ₅ 、ＺｎＯ、Ｉｎ₂ Ｏ ₃ 、ＳｉＯ₂ 、ＳｎＯ₂ 、ＺｒＯ
   ₂ 等の、透光性の酸化金属又は酸化物より形成されてい
   ることを特徴とする請求項１、請求項３、請求項４、又
   は請求項５に記載の III族窒化物系化合物半導体発光素
   子。
7. 【請求項７】 前記透光層の膜厚は、 ５ｎｍ以上、１０μｍ以下であることを特徴とする請求
   項１、又は、請求項３乃至請求項６のいずれか１項に記
   載の III族窒化物系化合物半導体発光素子。
8. 【請求項８】 前記耐蝕層は、 Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＴｉＯ₂ 、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ₃ 、Ｔａ₂ Ｏ
   ₅ 、ＺｎＯ、Ｉｎ₂ Ｏ ₃ 、ＳｉＯ₂ 、ＳｎＯ₂ 、ＺｒＯ
   ₂ 等の、耐蝕性の酸化金属又は酸化物、或いは、 耐蝕性の金属炭化物、金属窒化物又は金属ホウ化物より
   形成されていることを特徴とする請求項２乃至請求項７
   の何れか１項に記載の III族窒化物系化合物半導体発光
   素子。
9. 【請求項９】 前記耐蝕層の膜厚は、 ５ｎｍ以上、１０μｍ以下であることを特徴とする請求
   項２乃至請求項８のいずれか１項に記載の III族窒化物
   系化合物半導体発光素子。
10. 【請求項１０】 前記基板は、 厚さが７５μｍ以上、１５０μｍ以下のサファイヤより
    構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項９
    のいずれか１項に記載の III族窒化物系化合物半導体発
    光素子。
11. 【請求項１１】 前記反射層は、 ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐ
    ｔ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、
    クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃ
    ｏ）、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、モリブデ
    ン（Ｍｏ）、又はこれらの金属元素の内の少なくとも１
    種類以上を含んだ合金より形成されていることを特徴と
    する請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の I
    II族窒化物系化合物半導体発光素子。
12. 【請求項１２】 前記反射層は、 複数の金属層より構成された多層構造を有することを特
    徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載
    の III族窒化物系化合物半導体発光素子。
13. 【請求項１３】 請求項１乃至請求項１２のいずれか１
    項に記載の III族窒化物系化合物半導体発光素子の製造
    方法であって、 前記基板と電極等を有して前記複数の半導体層より成る
    半導体ウエハの前記基板側の面に、前記透光層、及び／
    又は、前記反射層、及び／又は、前記耐蝕層より成る前
    記鏡部の各層を、順次、スパッタリング又は蒸着により
    成膜する鏡部成膜工程を有することを特徴とする III族
    窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記半導体ウエハを前記半導体発光素
    子単位に分割するブレーク工程を更に有することを特徴
    とする請求項１３に記載の III族窒化物系化合物半導体
    発光素子の製造方法。
15. 【請求項１５】 前記半導体ウエハを前記電極側から所
    定の深さまで切削することにより、前記半導体発光素子
    単位の分離溝を形成する分離溝形成工程と、 前記半導体ウエハの前記基板を所望の厚さにまで研削又
    は研磨する薄板化工程と、 前記半導体ウエハの前記基板側の面が表側に表れる様
    に、前記半導体ウエハを粘着シートに貼り付ける貼り付
    け工程と、 前記半導体ウエハの前記基板側の面に前記半導体発光素
    子単位に分割線を罫描くスクライブ工程と、 前記鏡部成膜工程とを有して、 これらの各工程を本請求項に記載の順序で直列に実行す
    ることを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載の
    III族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。