JP2001281345A - エネルギー線検出装置およびその温度調整方法 - Google Patents
エネルギー線検出装置およびその温度調整方法Info
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上にＳｅからなるエネルギー吸収体を設
けたＳｅ検出器を備えるエネルギー線検出装置におい
て、高温状態で発生するＳｅの軟化やバルク結晶化の進
行による使用寿命の短縮を抑制し、また低温状態で動作
させた場合に発生する基板とＳｅとの間の熱ストレスに
起因するＳｅと基板の剥離等を予防する。 【解決手段】 放射線源１０より発せられ被験者１１を
透過した記録光L1がＳｅ検出器である放射線固体検出器
１０１に照射され、放射線画像として記録され、その
後、読取光により露光走査され、電流検出部１０２を介
して画像が読み出される。移動禁止部１０５は、所定時
間間隔で、サーミスタ１０４から放射線固体検出器１０
１の温度Ｔを読み出し、温度Ｔが０℃以上５０℃以下で
ない場合には、電流検出部１０２の動作を禁止する。こ
のため、低温領域で動作が行われることも、高温領域で
動作が継続され、さらに温度が上昇することもない。
けたＳｅ検出器を備えるエネルギー線検出装置におい
て、高温状態で発生するＳｅの軟化やバルク結晶化の進
行による使用寿命の短縮を抑制し、また低温状態で動作
させた場合に発生する基板とＳｅとの間の熱ストレスに
起因するＳｅと基板の剥離等を予防する。 【解決手段】 放射線源１０より発せられ被験者１１を
透過した記録光L1がＳｅ検出器である放射線固体検出器
１０１に照射され、放射線画像として記録され、その
後、読取光により露光走査され、電流検出部１０２を介
して画像が読み出される。移動禁止部１０５は、所定時
間間隔で、サーミスタ１０４から放射線固体検出器１０
１の温度Ｔを読み出し、温度Ｔが０℃以上５０℃以下で
ない場合には、電流検出部１０２の動作を禁止する。こ
のため、低温領域で動作が行われることも、高温領域で
動作が継続され、さらに温度が上昇することもない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｓｅからなるエネ
ルギー吸収体によりエネルギー線を検出するエネルギー
線検出装置に関するものである。
ルギー吸収体によりエネルギー線を検出するエネルギー
線検出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、エネルギー線に感応するエネ
ルギー線吸収体であるＳｅ（セレン）から構成されるＳ
ｅ検出器を用いたエネルギー線検出装置を使用した装置
が各種提案、実用化されている。
ルギー線吸収体であるＳｅ（セレン）から構成されるＳ
ｅ検出器を用いたエネルギー線検出装置を使用した装置
が各種提案、実用化されている。
【０００３】例えば、医療用放射線撮影において、被験
者の受ける放射線量の減少、診断性能の向上などのため
に、放射線を効率よく検出できるエネルギー線検出装置
を用いた放射線撮影読取システムが知られている。
者の受ける放射線量の減少、診断性能の向上などのため
に、放射線を効率よく検出できるエネルギー線検出装置
を用いた放射線撮影読取システムが知られている。
【０００４】これらのシステムでは、被験者を透過した
放射線の線量に応じた量の電荷がＳｅ検出器の一種であ
る放射線固体検出器内の光導電層に潜像電荷として蓄積
され、放射線画像情報が静電潜像として記録されるもの
であり、この潜像電荷の量に応じた画像信号を読み出す
電荷読み出しプロセスの面から、ＴＦＴ読出方式と、光
読出方式のものがある。
放射線の線量に応じた量の電荷がＳｅ検出器の一種であ
る放射線固体検出器内の光導電層に潜像電荷として蓄積
され、放射線画像情報が静電潜像として記録されるもの
であり、この潜像電荷の量に応じた画像信号を読み出す
電荷読み出しプロセスの面から、ＴＦＴ読出方式と、光
読出方式のものがある。
【０００５】なお、光導電層は放射線の照射を受けるこ
とにより導電性を呈するものであるので、放射線導電層
というべきところであるが、放射線導電層は「X-Ray Ph
oto-conductor」というように広義の光導電層に含まれ
るので、ここでは光導電層と称している。
とにより導電性を呈するものであるので、放射線導電層
というべきところであるが、放射線導電層は「X-Ray Ph
oto-conductor」というように広義の光導電層に含まれ
るので、ここでは光導電層と称している。
【０００６】ＴＦＴ読出方式とは、ＴＦＴ（薄膜トラン
ジスタ）を走査駆動して、光導電層に蓄積された潜像電
荷を放射線画像信号に変換して出力するものであり、例
えば、本出願人による特願平10-243379号では、放射線
が照射されると可視光を発する蛍光体層上に、透明電極
である第１電極と、ａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）を
主成分とする厚さが約４００μｍの光導電層と、厚さ3m
m の石英ガラスからなる絶縁基板上に所定のピッチでマ
トリックス状に配列された夫々が画素に対応する複数個
の電荷収集電極と、各電荷収集電極で収集された信号電
荷を潜像電荷として夫々蓄積するコンデンサおよび該コ
ンデンサに蓄積された潜像電荷を検出回路側へ転送する
ＴＦＴと、第２電極とが、この順に配してなる放射線固
体検出器を提案している。
ジスタ）を走査駆動して、光導電層に蓄積された潜像電
荷を放射線画像信号に変換して出力するものであり、例
えば、本出願人による特願平10-243379号では、放射線
が照射されると可視光を発する蛍光体層上に、透明電極
である第１電極と、ａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）を
主成分とする厚さが約４００μｍの光導電層と、厚さ3m
m の石英ガラスからなる絶縁基板上に所定のピッチでマ
トリックス状に配列された夫々が画素に対応する複数個
の電荷収集電極と、各電荷収集電極で収集された信号電
荷を潜像電荷として夫々蓄積するコンデンサおよび該コ
ンデンサに蓄積された潜像電荷を検出回路側へ転送する
ＴＦＴと、第２電極とが、この順に配してなる放射線固
体検出器を提案している。
【０００７】上記蛍光体層としては、例えばＧｄ２０２
Ｓ：Ｔｂを主成分とする厚さが約１００μｍのものを使
用し、該蛍光体層を第１電極に密着或いは近接させて設
けると良い。光導電層は、画像情報を担持する放射線だ
けでなく、蛍光体層から発せられた可視光の照射を受け
ることによっても電荷を発生するものである。
Ｓ：Ｔｂを主成分とする厚さが約１００μｍのものを使
用し、該蛍光体層を第１電極に密着或いは近接させて設
けると良い。光導電層は、画像情報を担持する放射線だ
けでなく、蛍光体層から発せられた可視光の照射を受け
ることによっても電荷を発生するものである。
【０００８】蛍光体層側に画像情報を担持する放射線を
照射すると、蛍光体層内で放射線の一部が可視光に変換
され、変換された可視光と残りの放射線とが第１電極を
透過し、光導電層に入射する。光導電層としては、可視
光および放射線の何れの照射を受けても電荷を発生する
ものを使用しているので、可視光と放射線が光導電層に
入射すると、可視光と残りの放射線とが担持する画像情
報に応じた電荷が光導電層内に発生し、ＴＦＴを介して
読み出される。この放射線固体検出器は、高い画質の放
射線画像が得られる優れた検出器であり、光導電層はａ
−Ｓｅを主成分とするものであり、一種のＳｅ検出器と
みなすことができる。
照射すると、蛍光体層内で放射線の一部が可視光に変換
され、変換された可視光と残りの放射線とが第１電極を
透過し、光導電層に入射する。光導電層としては、可視
光および放射線の何れの照射を受けても電荷を発生する
ものを使用しているので、可視光と放射線が光導電層に
入射すると、可視光と残りの放射線とが担持する画像情
報に応じた電荷が光導電層内に発生し、ＴＦＴを介して
読み出される。この放射線固体検出器は、高い画質の放
射線画像が得られる優れた検出器であり、光導電層はａ
−Ｓｅを主成分とするものであり、一種のＳｅ検出器と
みなすことができる。
【０００９】一方、光読出方式とは、読取光を照射して
光導電層に蓄積された潜像電荷を画像信号に変換して出
力するものである。（例えば、米国特許第 4176275号，
同第5268569号，同第5354982号，同第4535468号、"2302
7 Method and device forrecording and transducing a
n electromagnetic energy pattern";ReserchDisclosur
e June 1983、 特開平9-5906号、米国特許第4961209
号、"X-rayimaging using amorphous selenium";Med Ph
ys.22(12)など）。
光導電層に蓄積された潜像電荷を画像信号に変換して出
力するものである。（例えば、米国特許第 4176275号，
同第5268569号，同第5354982号，同第4535468号、"2302
7 Method and device forrecording and transducing a
n electromagnetic energy pattern";ReserchDisclosur
e June 1983、 特開平9-5906号、米国特許第4961209
号、"X-rayimaging using amorphous selenium";Med Ph
ys.22(12)など）。
【００１０】具体的には、例えば上記米国特許第 45354
68号には、比較的厚い２mm厚のＡｌなどからなり、記録
用の電磁波（以下記録光ともいう）としての放射線に対
して透過性を有する導電性基板としての記録光側電極層
上に、ａ−Ｓｅを主成分とする１００〜５００μｍ厚の
記録用光導電層と、０．０１〜１０．０μｍ厚のＡｓＳ
４ ，Ａｓ２Ｓ３，Ａｓ２Ｓｅ３などからなり記録用光
導電層内で発生した潜像極性電荷がトラップとして蓄積
される中間層（トラップ層）と、ａ−Ｓｅを主成分とす
る０．５〜１００μｍ厚の読取用光導電層と、１００ｎ
ｍ厚のＡｕやＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなり読取
用の電磁波（以下読取光ともいう）に対して透過性を有
する導電性基板としての読取光側電極層とを、この順に
積層してなる放射線固体検出器が開示されている。この
放射線固体検出器は、高い暗抵抗を有する読取りの応答
速度が優れた検出器であり、記録用光導電層および読取
用光導電層はａ−Ｓｅを主成分とするものであり、一種
のＳｅ検出器とみなすことができる。
68号には、比較的厚い２mm厚のＡｌなどからなり、記録
用の電磁波（以下記録光ともいう）としての放射線に対
して透過性を有する導電性基板としての記録光側電極層
上に、ａ−Ｓｅを主成分とする１００〜５００μｍ厚の
記録用光導電層と、０．０１〜１０．０μｍ厚のＡｓＳ
４ ，Ａｓ２Ｓ３，Ａｓ２Ｓｅ３などからなり記録用光
導電層内で発生した潜像極性電荷がトラップとして蓄積
される中間層（トラップ層）と、ａ−Ｓｅを主成分とす
る０．５〜１００μｍ厚の読取用光導電層と、１００ｎ
ｍ厚のＡｕやＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなり読取
用の電磁波（以下読取光ともいう）に対して透過性を有
する導電性基板としての読取光側電極層とを、この順に
積層してなる放射線固体検出器が開示されている。この
放射線固体検出器は、高い暗抵抗を有する読取りの応答
速度が優れた検出器であり、記録用光導電層および読取
用光導電層はａ−Ｓｅを主成分とするものであり、一種
のＳｅ検出器とみなすことができる。
【００１１】ここで、画像のＳ／Ｎ向上のため、さらに
は並列読取り（主に主走査方向）を行なって読出時間の
短縮を図るために、読取光側電極層の電極を、多数のエ
レメント（線状電極）を画素ピッチで配列してなるスト
ライプ電極とすることがある（例えば、本願出願人によ
る特願平 10-232824号）。しかしながら、上記米国特許
第 4535468号に記載の放射線固体検出器の積層構成で
は、製造の最終工程において、読取用光導電層を成膜し
た後に読取光側電極層を形成しなければならず、前記ス
トライプ電極を形成することは困難である。これは、ス
トライプ電極の形成のために電極の微細加工を行なうに
は、半導体製造で用いられるフォトエッチングを行なう
必要があるが、この工程中には、フォトレジストのべー
キング工程などの高温（例えば２００℃）プロセスを通
常必要とし、既に製膜された光導電層をなすａ−Ｓｅは
このような高温に耐えられず、その特性が悪化するから
である。
は並列読取り（主に主走査方向）を行なって読出時間の
短縮を図るために、読取光側電極層の電極を、多数のエ
レメント（線状電極）を画素ピッチで配列してなるスト
ライプ電極とすることがある（例えば、本願出願人によ
る特願平 10-232824号）。しかしながら、上記米国特許
第 4535468号に記載の放射線固体検出器の積層構成で
は、製造の最終工程において、読取用光導電層を成膜し
た後に読取光側電極層を形成しなければならず、前記ス
トライプ電極を形成することは困難である。これは、ス
トライプ電極の形成のために電極の微細加工を行なうに
は、半導体製造で用いられるフォトエッチングを行なう
必要があるが、この工程中には、フォトレジストのべー
キング工程などの高温（例えば２００℃）プロセスを通
常必要とし、既に製膜された光導電層をなすａ−Ｓｅは
このような高温に耐えられず、その特性が悪化するから
である。
【００１２】さらに、フォトレジストの現像工程で用い
られるアルカリ現像液とａ−Ｓｅとは接触して有害なガ
スを出すので、その除害のために工程が複雑化、高コス
ト化する問題もある。
られるアルカリ現像液とａ−Ｓｅとは接触して有害なガ
スを出すので、その除害のために工程が複雑化、高コス
ト化する問題もある。
【００１３】一方、本願出願人は、特願平 10-232824号
において、Ｓｎ０２ （ネサ被膜）からなり、記録光と
しての放射線に対して透過性を有する記録光側電極層
と、ａ−Ｓｅを主成分とする記録用光導電層と、有機物
あるいは塩素（Ｃｌ）を１０〜２００−ｐｐｍドープし
たａ−Ｓｅなどからなり記録用光導電層で発生した潜像
極性電荷を蓄積する蓄電部を前記記録用光導電層との界
面に形成するための電荷輸送層と、ａ−Ｓｅを主成分と
する読取用光導電層と、読取光に対して透過性を有する
読取光側電極層とを、この順に配してなる放射線固体検
出器を提案している。
において、Ｓｎ０２ （ネサ被膜）からなり、記録光と
しての放射線に対して透過性を有する記録光側電極層
と、ａ−Ｓｅを主成分とする記録用光導電層と、有機物
あるいは塩素（Ｃｌ）を１０〜２００−ｐｐｍドープし
たａ−Ｓｅなどからなり記録用光導電層で発生した潜像
極性電荷を蓄積する蓄電部を前記記録用光導電層との界
面に形成するための電荷輸送層と、ａ−Ｓｅを主成分と
する読取用光導電層と、読取光に対して透過性を有する
読取光側電極層とを、この順に配してなる放射線固体検
出器を提案している。
【００１４】この放射線固体検出器を製造するに際して
は、記録光側電極層から順に製膜するのか、逆に読取光
側電極層から順に製膜するのかは、特に明言しておら
ず、いずれの順に製膜してもよかった。ただし、読取光
側電極層としては、支持体としての透明ガラス基板にネ
サ被膜などの導電性物質を設けたものを提案し、該読取
光側電極層を正極として使用すると共に高精細な「画素
ピッチに対応するクシ歯のピッチ」で「半導体形成技術
によってクシ歯を十分に狭い間隔でもって形成する」こ
と、すなわち読取光側電極層の電極を画素ピッチで分割
されたストライプ電極とすることを提案しており、この
場合には、最初に透明ガラス基板上にストライプ電極を
フォトエッチングなどにより形成した後、読取用光導電
層〜記録光側電極層を順次製膜することになる。なお、
画素ピッチの具体的数値は直接には示していないが、医
療用Ｘ線撮影において高い鮮鋭度を維持しつつ高Ｓ／Ｎ
を可能ならしめるものであることから、該画素ピッチと
して５０〜２００μｍが用いられることは当業者には想
到可能である。
は、記録光側電極層から順に製膜するのか、逆に読取光
側電極層から順に製膜するのかは、特に明言しておら
ず、いずれの順に製膜してもよかった。ただし、読取光
側電極層としては、支持体としての透明ガラス基板にネ
サ被膜などの導電性物質を設けたものを提案し、該読取
光側電極層を正極として使用すると共に高精細な「画素
ピッチに対応するクシ歯のピッチ」で「半導体形成技術
によってクシ歯を十分に狭い間隔でもって形成する」こ
と、すなわち読取光側電極層の電極を画素ピッチで分割
されたストライプ電極とすることを提案しており、この
場合には、最初に透明ガラス基板上にストライプ電極を
フォトエッチングなどにより形成した後、読取用光導電
層〜記録光側電極層を順次製膜することになる。なお、
画素ピッチの具体的数値は直接には示していないが、医
療用Ｘ線撮影において高い鮮鋭度を維持しつつ高Ｓ／Ｎ
を可能ならしめるものであることから、該画素ピッチと
して５０〜２００μｍが用いられることは当業者には想
到可能である。
【００１５】他方、本願発明者らは、上記特願平 10-23
2824号に提案した放射線固体検出器についてのその後の
検討により、製造の際には、読取光側電極層として、透
明ガラス基板上に、比較的薄い、５０〜２００ｎｍ厚の
ＩＴＯ膜を成膜した後、フォトエッチングによりストラ
イプ電極を形成する方法が、安価に高精細なストライプ
パターンを形成することができるため適していることを
発見した。
2824号に提案した放射線固体検出器についてのその後の
検討により、製造の際には、読取光側電極層として、透
明ガラス基板上に、比較的薄い、５０〜２００ｎｍ厚の
ＩＴＯ膜を成膜した後、フォトエッチングによりストラ
イプ電極を形成する方法が、安価に高精細なストライプ
パターンを形成することができるため適していることを
発見した。
【００１６】以上のことから、上記特願平 10-232824号
に記載の放射線固体検出器は、高い暗抵抗を有し読取り
の応答速度が優れた検出器である。また、この放射線固
体検出器においても、ａ−Ｓｅを主成分とする記録用光
導電層および読取用光導電層の２層がエネルギー吸収体
として使用され、この放射線固体検出器もＳｅ検出器で
あると言える。また、ガラス基板としては、例えばコー
ニング社の１７３７（１．１ｍｍ厚）が使われ、このと
きの媒体の大きさとしては、例えば有効サイズ２０×２
０ｃｍ以上で、胸部撮影に使用するためには有効サイズ
４３×４３ｃｍとして構成される。
に記載の放射線固体検出器は、高い暗抵抗を有し読取り
の応答速度が優れた検出器である。また、この放射線固
体検出器においても、ａ−Ｓｅを主成分とする記録用光
導電層および読取用光導電層の２層がエネルギー吸収体
として使用され、この放射線固体検出器もＳｅ検出器で
あると言える。また、ガラス基板としては、例えばコー
ニング社の１７３７（１．１ｍｍ厚）が使われ、このと
きの媒体の大きさとしては、例えば有効サイズ２０×２
０ｃｍ以上で、胸部撮影に使用するためには有効サイズ
４３×４３ｃｍとして構成される。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したＳ
ｅ検出器（放射線固体検出器）は、周囲温度が高い状態
で長時間使用されると、高温状態に至る場合がある。ま
た、寒冷地で使用されている場合等などには、保管時等
に低温状態にさらされることががある。
ｅ検出器（放射線固体検出器）は、周囲温度が高い状態
で長時間使用されると、高温状態に至る場合がある。ま
た、寒冷地で使用されている場合等などには、保管時等
に低温状態にさらされることががある。
【００１８】上記Ｓｅ検出器に使用されるアモルファス
状態のセレン膜では、通常使用状態においても、暗抵抗
特性が低下する問題、いわゆるバルク結晶化が時間とと
もに進行し、使用可能な寿命が制限されるものである
が、そのバルク結晶化は温度が４５℃を超えると進行が
早まり、また５０℃を超えるとセレン膜の軟化が生じ使
用可能な寿命が著しく短くなる恐れがあった。
状態のセレン膜では、通常使用状態においても、暗抵抗
特性が低下する問題、いわゆるバルク結晶化が時間とと
もに進行し、使用可能な寿命が制限されるものである
が、そのバルク結晶化は温度が４５℃を超えると進行が
早まり、また５０℃を超えるとセレン膜の軟化が生じ使
用可能な寿命が著しく短くなる恐れがあった。
【００１９】一方、上記特願平 10-232824号に記載のも
ののうち、ガラス基板上にＳｅ多層膜を形成したＳｅ検
出器では、該ガラス基板とＳｅ材料の熱膨張率の違い
（凡そ１桁程度）により、低温状態では、ガラス基板と
Ｓｅ膜（光導電層）との界面で熱ストレスが生じ、Ｓｅ
膜とガラス基板が物理的に剥離しやす状態になる。低温
状態で熱ストレスが生じてはいるが、Ｓｅ膜とガラス基
板が剥離していない場合でも、いきなり検出動作が開始
されると、ガラス基板とＳｅ膜に温度差が生じ、Ｓｅ膜
とガラス基板の剥離を招くおそれがあった。
ののうち、ガラス基板上にＳｅ多層膜を形成したＳｅ検
出器では、該ガラス基板とＳｅ材料の熱膨張率の違い
（凡そ１桁程度）により、低温状態では、ガラス基板と
Ｓｅ膜（光導電層）との界面で熱ストレスが生じ、Ｓｅ
膜とガラス基板が物理的に剥離しやす状態になる。低温
状態で熱ストレスが生じてはいるが、Ｓｅ膜とガラス基
板が剥離していない場合でも、いきなり検出動作が開始
されると、ガラス基板とＳｅ膜に温度差が生じ、Ｓｅ膜
とガラス基板の剥離を招くおそれがあった。
【００２０】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、エネルギー線検出装置において、高温状態で発
生するＳｅの軟化やバルク結晶化の進行による使用寿命
の短縮を抑制し、また、低温状態で動作させた場合に発
生する基板とＳｅとの間の熱ストレスに起因するＳｅと
基板の剥離等を予防できる信頼性の向上したエネルギー
線検出装置を提供することを目的とするものである。
であり、エネルギー線検出装置において、高温状態で発
生するＳｅの軟化やバルク結晶化の進行による使用寿命
の短縮を抑制し、また、低温状態で動作させた場合に発
生する基板とＳｅとの間の熱ストレスに起因するＳｅと
基板の剥離等を予防できる信頼性の向上したエネルギー
線検出装置を提供することを目的とするものである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明による第１のエネ
ルギー検出装置の温度調整方法は、基板および基板上に
設けられたＳｅからなるエネルギー線吸収体により構成
されるＳｅ検出器を備えるエネルギー線検出装置の温度
調整方法であって、前記Ｓｅ検出器の温度を検知し、前
記Ｓｅ検出器の動作時には、前記Ｓｅ検出器の温度を０
℃以上５０℃以下に保つように、前記Ｓｅ検出器の温度
を調整することを特徴とする方法である。
ルギー検出装置の温度調整方法は、基板および基板上に
設けられたＳｅからなるエネルギー線吸収体により構成
されるＳｅ検出器を備えるエネルギー線検出装置の温度
調整方法であって、前記Ｓｅ検出器の温度を検知し、前
記Ｓｅ検出器の動作時には、前記Ｓｅ検出器の温度を０
℃以上５０℃以下に保つように、前記Ｓｅ検出器の温度
を調整することを特徴とする方法である。
【００２２】本発明の第２のエネルギー検出装置の温度
調整方法は、基板および基板上に設けられたＳｅからな
るエネルギー線吸収体により構成されるＳｅ検出器を有
するエネルギー線検出装置の温度調整方法であって、前
記Ｓｅ検出器の温度を検知し、前記Ｓｅ検出器の動作時
には、前記Ｓｅ検出器の温度を１０℃以上４５℃以下に
保つように、前記Ｓｅ検出器の温度を調整することを特
徴とする方法である。
調整方法は、基板および基板上に設けられたＳｅからな
るエネルギー線吸収体により構成されるＳｅ検出器を有
するエネルギー線検出装置の温度調整方法であって、前
記Ｓｅ検出器の温度を検知し、前記Ｓｅ検出器の動作時
には、前記Ｓｅ検出器の温度を１０℃以上４５℃以下に
保つように、前記Ｓｅ検出器の温度を調整することを特
徴とする方法である。
【００２３】本発明による第３のエネルギー検出装置の
温度調整方法は、基板および基板上に設けられたＳｅか
らなるエネルギー線吸収体により構成されるＳｅ検出器
を有するエネルギー線検出装置の温度調整方法であっ
て、前記Ｓｅ検出器の温度を検知し、前記Ｓｅ検出器の
動作時には、前記Ｓｅ検出器の温度を３０℃以上４０℃
以下に保つように、前記Ｓｅ検出器の温度を調整するこ
とを特徴とする方法である。
温度調整方法は、基板および基板上に設けられたＳｅか
らなるエネルギー線吸収体により構成されるＳｅ検出器
を有するエネルギー線検出装置の温度調整方法であっ
て、前記Ｓｅ検出器の温度を検知し、前記Ｓｅ検出器の
動作時には、前記Ｓｅ検出器の温度を３０℃以上４０℃
以下に保つように、前記Ｓｅ検出器の温度を調整するこ
とを特徴とする方法である。
【００２４】本発明による第１のエネルギー線検出装置
は、基板および基板上に設けられたＳｅからなるエネル
ギー線吸収体により構成されるＳｅ検出器を有するエネ
ルギー線検出装置であって、前記Ｓｅ検出器の温度を検
知する温度検知手段と、前記Ｓｅ検出器の動作時には、
前記Ｓｅ検出器の温度を所定温度範囲内の温度に保つよ
うに、前記Ｓｅ検出器の温度を調整する温度調整手段と
を備えていることを特徴とするものである。
は、基板および基板上に設けられたＳｅからなるエネル
ギー線吸収体により構成されるＳｅ検出器を有するエネ
ルギー線検出装置であって、前記Ｓｅ検出器の温度を検
知する温度検知手段と、前記Ｓｅ検出器の動作時には、
前記Ｓｅ検出器の温度を所定温度範囲内の温度に保つよ
うに、前記Ｓｅ検出器の温度を調整する温度調整手段と
を備えていることを特徴とするものである。
【００２５】本発明による第２のエネルギー線検出装置
は、基板および基板上に設けられたＳｅからなるエネル
ギー線吸収体により構成されるＳｅ検出器を有するエネ
ルギー線検出装置であって、前記Ｓｅ検出器の温度を検
知する温度検知手段と、前記Ｓｅ検出器の温度が所定温
度範囲以外であった場合には、前記Ｓｅ検出器の動作を
禁止する動作禁止手段とを備えていることを特徴とする
ものである。
は、基板および基板上に設けられたＳｅからなるエネル
ギー線吸収体により構成されるＳｅ検出器を有するエネ
ルギー線検出装置であって、前記Ｓｅ検出器の温度を検
知する温度検知手段と、前記Ｓｅ検出器の温度が所定温
度範囲以外であった場合には、前記Ｓｅ検出器の動作を
禁止する動作禁止手段とを備えていることを特徴とする
ものである。
【００２６】本発明による第３のエネルギー線検出装置
は、基板および基板上に設けられたＳｅからなるエネル
ギー線吸収体により構成されるＳｅ検出器を有するエネ
ルギー線検出装置であって、前記Ｓｅ検出器の温度を検
知する温度検知手段と、前記Ｓｅ検出器の温度が所定温
度範囲以外であった場合には、前記Ｓｅ検出器の温度が
所定温度範囲以外であることを使用者に報知する報知手
段とを備えていることを特徴とするものである。
は、基板および基板上に設けられたＳｅからなるエネル
ギー線吸収体により構成されるＳｅ検出器を有するエネ
ルギー線検出装置であって、前記Ｓｅ検出器の温度を検
知する温度検知手段と、前記Ｓｅ検出器の温度が所定温
度範囲以外であった場合には、前記Ｓｅ検出器の温度が
所定温度範囲以外であることを使用者に報知する報知手
段とを備えていることを特徴とするものである。
【００２７】本発明による第１、第２および第３のエネ
ルギー線検出装置においては、上記所定温度範囲は、０
℃以上５０℃以下、または１０℃以上４５℃以下である
ことが好ましい。
ルギー線検出装置においては、上記所定温度範囲は、０
℃以上５０℃以下、または１０℃以上４５℃以下である
ことが好ましい。
【００２８】本発明による第４のエネルギー線検出装置
は、基板および基板上に設けられたＳｅからなるエネル
ギー線吸収体により構成されるＳｅ検出器を有するエネ
ルギー線検出装置であって、前記Ｓｅ検出器の温度を検
知する温度検知手段と、前記Ｓｅ検出器の温度が所定上
限温度以下となるように、前記Ｓｅ検出器の温度を制御
する高温側制御手段とを備えていることを特徴とするも
のである。
は、基板および基板上に設けられたＳｅからなるエネル
ギー線吸収体により構成されるＳｅ検出器を有するエネ
ルギー線検出装置であって、前記Ｓｅ検出器の温度を検
知する温度検知手段と、前記Ｓｅ検出器の温度が所定上
限温度以下となるように、前記Ｓｅ検出器の温度を制御
する高温側制御手段とを備えていることを特徴とするも
のである。
【００２９】また、前記Ｓｅ検出器の温度が所定下限温
度以上となるように、前記Ｓｅ検出器の温度を制御する
低温側制御手段とを備えているものでもよい。
度以上となるように、前記Ｓｅ検出器の温度を制御する
低温側制御手段とを備えているものでもよい。
【００３０】本発明による第４のエネルギー線検出装置
においては、前記上限温度が、４０℃、４５℃または５
０℃であることが、好ましい。また前記下限温度として
は、０℃、１０℃または３０℃であることが好ましい。
においては、前記上限温度が、４０℃、４５℃または５
０℃であることが、好ましい。また前記下限温度として
は、０℃、１０℃または３０℃であることが好ましい。
【００３１】また、前記上限温度が、４０℃であり下限
温度が３０℃であるものでもよい。
温度が３０℃であるものでもよい。
【００３２】上記高温側制御手段としては、前記Ｓｅ検
出器を冷却する冷却手段が好適である。ここで、「冷却
手段」とは、送風により冷却を行うファン等の機械的冷
却手段あるいはペルチェ素子等の電子的冷却手段等を含
むものである。
出器を冷却する冷却手段が好適である。ここで、「冷却
手段」とは、送風により冷却を行うファン等の機械的冷
却手段あるいはペルチェ素子等の電子的冷却手段等を含
むものである。
【００３３】上記低温側制御手段としては、前記Ｓｅ検
出器を加温する加温手段が好適である。ここで加温手段
とは、温風送風機等あるいはヒータ等を含むものであ
る。
出器を加温する加温手段が好適である。ここで加温手段
とは、温風送風機等あるいはヒータ等を含むものであ
る。
【００３４】なお、前記Ｓｅ検出器は、前記基板上にＳ
ｅ多層膜が積層されたものであり、該Ｓｅ多層膜の厚さ
が１５０μｍ以上１５００μｍ以下であることが好まし
い。
ｅ多層膜が積層されたものであり、該Ｓｅ多層膜の厚さ
が１５０μｍ以上１５００μｍ以下であることが好まし
い。
【００３５】なお、「Ｓｅ検出器の温度」とは、Ｓｅ検
出器本体の温度およびＳｅ検出器近傍の温度を含むもの
である。
出器本体の温度およびＳｅ検出器近傍の温度を含むもの
である。
【００３６】
【発明の効果】本発明による第１のエネルギー線検出装
置によれば、Ｓｅ検出器の温度を調整する温度調整手段
を備えることにより、Ｓｅ検出器の動作時には、Ｓｅ検
出器の温度を所望の温度範囲内に保つことができ、例え
ば、Ｓｅ検出器の温度を０℃以上５０℃以下の温度範囲
に保つ場合には、高温領域における、Ｓｅの軟化による
Ｓｅ検出器の寿命の著しい短縮や、基板とＳｅの間の熱
ストレスが大きくなる低温領域における、Ｓｅ検出器を
動作させることによる生じるＳｅと基板の剥離を防止す
ることができ、エネルギー線検出装置の信頼度を向上さ
せることができる。
置によれば、Ｓｅ検出器の温度を調整する温度調整手段
を備えることにより、Ｓｅ検出器の動作時には、Ｓｅ検
出器の温度を所望の温度範囲内に保つことができ、例え
ば、Ｓｅ検出器の温度を０℃以上５０℃以下の温度範囲
に保つ場合には、高温領域における、Ｓｅの軟化による
Ｓｅ検出器の寿命の著しい短縮や、基板とＳｅの間の熱
ストレスが大きくなる低温領域における、Ｓｅ検出器を
動作させることによる生じるＳｅと基板の剥離を防止す
ることができ、エネルギー線検出装置の信頼度を向上さ
せることができる。
【００３７】また、Ｓｅ検出器の温度を１０℃以上４５
℃以下の温度範囲に保つ場合には、高温領域におけるＳ
ｅのバルク結晶化の進行による使用寿命の短縮を抑制で
き、また低温領域における基板とＳｅ間の熱ストレスに
起因する剥離等を確実に防止できる。
℃以下の温度範囲に保つ場合には、高温領域におけるＳ
ｅのバルク結晶化の進行による使用寿命の短縮を抑制で
き、また低温領域における基板とＳｅ間の熱ストレスに
起因する剥離等を確実に防止できる。
【００３８】本発明による第２のエネルギー線検出装置
によれば、Ｓｅ検出器の温度が所定温度範囲以外であっ
た場合には、Ｓｅ検出器の動作を禁止するので、確実に
所定温度範囲内のみでＳｅ検出器を動作させることがで
き、Ｓｅの軟化や、バルク結晶化の進行による使用寿命
の短縮を抑制でき、また基板とＳｅとの間の熱ストレス
に起因する剥離等を防止できる。
によれば、Ｓｅ検出器の温度が所定温度範囲以外であっ
た場合には、Ｓｅ検出器の動作を禁止するので、確実に
所定温度範囲内のみでＳｅ検出器を動作させることがで
き、Ｓｅの軟化や、バルク結晶化の進行による使用寿命
の短縮を抑制でき、また基板とＳｅとの間の熱ストレス
に起因する剥離等を防止できる。
【００３９】本発明の第３のエネルギー線検出装置によ
れば、Ｓｅ検出器の温度が所定温度範囲以外であった場
合には、Ｓｅ検出器の温度が所定温度範囲以外であるこ
とを使用者に報知するので、使用者は適切な対応を行う
ことで、Ｓｅの軟化や、バルク結晶化の進行による使用
寿命の短縮を抑制し、また基板とＳｅとの間の熱ストレ
スに起因する剥離等を防止しながら、エネルギー線検出
装置の使用を継続できるので、エネルギー線検出装置の
使い勝手を向上することができる。
れば、Ｓｅ検出器の温度が所定温度範囲以外であった場
合には、Ｓｅ検出器の温度が所定温度範囲以外であるこ
とを使用者に報知するので、使用者は適切な対応を行う
ことで、Ｓｅの軟化や、バルク結晶化の進行による使用
寿命の短縮を抑制し、また基板とＳｅとの間の熱ストレ
スに起因する剥離等を防止しながら、エネルギー線検出
装置の使用を継続できるので、エネルギー線検出装置の
使い勝手を向上することができる。
【００４０】本発明の第４のエネルギー線検出装置によ
れば、Ｓｅ検出器の温度が所定上限温度以下となるよう
に、Ｓｅ検出器の温度を制御するので、短時間でＳｅ検
出器の温度を所望の温度まで下げることができ、Ｓｅの
軟化や、バルク結晶化の進行による使用寿命の短縮を一
層抑制しながら、エネルギー線検出装置の使用を継続で
きるので、エネルギー線検出装置の使い勝手をさらに向
上することができる。
れば、Ｓｅ検出器の温度が所定上限温度以下となるよう
に、Ｓｅ検出器の温度を制御するので、短時間でＳｅ検
出器の温度を所望の温度まで下げることができ、Ｓｅの
軟化や、バルク結晶化の進行による使用寿命の短縮を一
層抑制しながら、エネルギー線検出装置の使用を継続で
きるので、エネルギー線検出装置の使い勝手をさらに向
上することができる。
【００４１】また、Ｓｅ検出器の温度を３０℃以上４０
℃以下の温度範囲に制御する場合には、Ｓｅ検出器の寿
命の短縮や、基板とＳｅの間の熱ストレスに起因する剥
離を防止できると共に、Ｓｅ検出器の検出感度が良好な
温度範囲で検出を行うことでき、検出感度を向上させる
ことができる。
℃以下の温度範囲に制御する場合には、Ｓｅ検出器の寿
命の短縮や、基板とＳｅの間の熱ストレスに起因する剥
離を防止できると共に、Ｓｅ検出器の検出感度が良好な
温度範囲で検出を行うことでき、検出感度を向上させる
ことができる。
【００４２】冷却手段を用いれば、容易にＳｅ件出器の
温度を所望温度まで下げることができる。
温度を所望温度まで下げることができる。
【００４３】さらに、Ｓｅ検出器の温度が所定下限温度
以上となるように、Ｓｅ検出器の温度を制御する場合に
は、基板とＳｅとの間の熱ストレスに起因する剥離等を
防止できるとともに、Ｓｅ検出器の検出感度が良好とな
る温度範囲で検出を行うことでき、検出感度を向上させ
ることができる。
以上となるように、Ｓｅ検出器の温度を制御する場合に
は、基板とＳｅとの間の熱ストレスに起因する剥離等を
防止できるとともに、Ｓｅ検出器の検出感度が良好とな
る温度範囲で検出を行うことでき、検出感度を向上させ
ることができる。
【００４４】加温手段を用いれば、容易にＳｅ検出器の
温度を所望温度まで上げることができる。
温度を所望温度まで上げることができる。
【００４５】なお、前記Ｓｅ検出器が、前記基板上にＳ
ｅ多層膜が積層されたものであり、該Ｓｅ多層膜の厚さ
が１５０μｍ以上１５００μｍ以下であれば、検出する
エネルギー線のエネルギーが少ない場合から、多い場合
まで、良好な感度で検出を行うことができる。
ｅ多層膜が積層されたものであり、該Ｓｅ多層膜の厚さ
が１５０μｍ以上１５００μｍ以下であれば、検出する
エネルギー線のエネルギーが少ない場合から、多い場合
まで、良好な感度で検出を行うことができる。
【００４６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について詳細に説明する。図１は本発明による
エネルギー線検出装置を適用した放射線画像撮影読取シ
ステムの概略構成図である。
施の形態について詳細に説明する。図１は本発明による
エネルギー線検出装置を適用した放射線画像撮影読取シ
ステムの概略構成図である。
【００４７】図１に示すように、この放射線画像撮影読
取システムは、放射線源１０およびエネルギー線検出装
置である撮影・読取部１００から構成されている。撮影
・読取部１００は、Ｓｅ検出器であるフラットパネル形
態の放射線固体検出器１０１と、画像情報を電流値とし
て読み出す電流検出部１０２と、読取光による露光走査
を行うＬＥＤアレイ１０３と、放射線固体検出器１０１
の温度を検知する温度検知手段としてのサーミスタ１０
４と、動作禁止手段１０５とから構成されている。
取システムは、放射線源１０およびエネルギー線検出装
置である撮影・読取部１００から構成されている。撮影
・読取部１００は、Ｓｅ検出器であるフラットパネル形
態の放射線固体検出器１０１と、画像情報を電流値とし
て読み出す電流検出部１０２と、読取光による露光走査
を行うＬＥＤアレイ１０３と、放射線固体検出器１０１
の温度を検知する温度検知手段としてのサーミスタ１０
４と、動作禁止手段１０５とから構成されている。
【００４８】この放射線固体検出器１０１は、図２に示
すように、記録用の放射線である記録光L1（Ｘ線）を他
の波長領域の光、例えば、青色光に波長変換するいわゆ
るＸ線シンチレータといわれる波長変換層１、青色光に
対して透過性を有する導電性の第１電極層２、この第１
電極層２を透過した青色光の照射を受けることにより導
電性を呈する厚さ約１０００μmの記録用光導電層３、
第1電極層２に帯電される電荷である潜像極性電荷に対
しては略絶縁体として作用し、かつ、該電荷と逆極性の
電荷である輸送極性電荷に対しては略導電体として作用
する電荷輸送層４、読取光L2の照射を受けることにより
導電性を呈するの読取用光導電層５、電荷検出用の多数
の導電性のエレメント６ａをストライプ状に配列してな
るストライプ電極６が形成された第２電極層７、ガラス
基板９を、この順に積層してなるものである。なお、第
２電極層７の隙間８には、読取光L2に対して透過性を有
する絶縁物質が充填されている。上記放射線固体検出器
１０１のガラス基板９を除く部分の厚さは、約１０５０
μｍである。上記放射線固体検出器１０１のガラス基板
９は本発明の基板に相当し、ガラス基板９を除く部分
は、Ｓｅ多層膜に相当する。
すように、記録用の放射線である記録光L1（Ｘ線）を他
の波長領域の光、例えば、青色光に波長変換するいわゆ
るＸ線シンチレータといわれる波長変換層１、青色光に
対して透過性を有する導電性の第１電極層２、この第１
電極層２を透過した青色光の照射を受けることにより導
電性を呈する厚さ約１０００μmの記録用光導電層３、
第1電極層２に帯電される電荷である潜像極性電荷に対
しては略絶縁体として作用し、かつ、該電荷と逆極性の
電荷である輸送極性電荷に対しては略導電体として作用
する電荷輸送層４、読取光L2の照射を受けることにより
導電性を呈するの読取用光導電層５、電荷検出用の多数
の導電性のエレメント６ａをストライプ状に配列してな
るストライプ電極６が形成された第２電極層７、ガラス
基板９を、この順に積層してなるものである。なお、第
２電極層７の隙間８には、読取光L2に対して透過性を有
する絶縁物質が充填されている。上記放射線固体検出器
１０１のガラス基板９を除く部分の厚さは、約１０５０
μｍである。上記放射線固体検出器１０１のガラス基板
９は本発明の基板に相当し、ガラス基板９を除く部分
は、Ｓｅ多層膜に相当する。
【００４９】電流検出部１０２は、第２電極層７のスト
ライプ電極６の各エレメント６ａに接続された多数の電
流検出アンプ２１を有しており、読取光L2の露光により
各エレメント６ａに流れる電流をエレメント６ａ毎に並
列的に検出するものである。放射線固体検出器１０１の
第１電極層２は、２入力１出力の接続手段２２の一方の
入力および電源２３の負極に接続されており、電源２３
の正極は接続手段２２の他方の入力に接続されている。
接続手段２２の出力は各電流検出アンプ２１に接続され
ている。
ライプ電極６の各エレメント６ａに接続された多数の電
流検出アンプ２１を有しており、読取光L2の露光により
各エレメント６ａに流れる電流をエレメント６ａ毎に並
列的に検出するものである。放射線固体検出器１０１の
第１電極層２は、２入力１出力の接続手段２２の一方の
入力および電源２３の負極に接続されており、電源２３
の正極は接続手段２２の他方の入力に接続されている。
接続手段２２の出力は各電流検出アンプ２１に接続され
ている。
【００５０】ＬＥＤアレイ１０３は、ライン状に略一様
な読取光L2を放射線固体検出器１０１上に照射するもの
であり、水平に配置されている。また図示省略した走査
部により、放射線固体検出器１０１の長手方向（図中の
矢印方向）に、放射線固体検出器１０１の面上の添って
移動されることにより、放射線固体検出器１０１上を均
一な読取光L2で露光走査する。
な読取光L2を放射線固体検出器１０１上に照射するもの
であり、水平に配置されている。また図示省略した走査
部により、放射線固体検出器１０１の長手方向（図中の
矢印方向）に、放射線固体検出器１０１の面上の添って
移動されることにより、放射線固体検出器１０１上を均
一な読取光L2で露光走査する。
【００５１】なお、記録用光導電層３および読取用光導
電層５は、ａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）を主成分と
する光導電性物質により形成されている。
電層５は、ａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）を主成分と
する光導電性物質により形成されている。
【００５２】動作禁止手段１０５は、サーミスタ１０４
および電流検出部１０２に接続され、サーミスタ１０４
で検知された温度が０℃より低い場合、または５０℃よ
り高い場合には、電流検出部１０２の動作を停止する。
および電流検出部１０２に接続され、サーミスタ１０４
で検知された温度が０℃より低い場合、または５０℃よ
り高い場合には、電流検出部１０２の動作を停止する。
【００５３】次に、上記放射線画像撮影読取システムに
おける作用について説明する。まず上記構成の放射線画
像撮影読取システムにおける通常の作用について説明す
る。
おける作用について説明する。まず上記構成の放射線画
像撮影読取システムにおける通常の作用について説明す
る。
【００５４】まず放射線固体検出器１０１に静電潜像を
記録する際には、先ず接続手段２２を電源２３に切り替
え、第１電極層２と第２電極層７のエレメント６ａとの
間に直流電圧を印加し両導電体層を帯電させる。これに
より放射線固体検出器１０１内の第１電極層２とエレメ
ント６ａとの間に、エレメント６ａをＵ字の凹部とする
Ｕ字状の電界が形成される。
記録する際には、先ず接続手段２２を電源２３に切り替
え、第１電極層２と第２電極層７のエレメント６ａとの
間に直流電圧を印加し両導電体層を帯電させる。これに
より放射線固体検出器１０１内の第１電極層２とエレメ
ント６ａとの間に、エレメント６ａをＵ字の凹部とする
Ｕ字状の電界が形成される。
【００５５】次に放射線源１０から記録光L1を被験者１
１に爆射し、被験者１１を透過した記録光L1、すなわち
被験者１１の放射線画像情報を担持する放射線を放射線
固体検出器１０１に照射する。
１に爆射し、被験者１１を透過した記録光L1、すなわち
被験者１１の放射線画像情報を担持する放射線を放射線
固体検出器１０１に照射する。
【００５６】被験者１１を透過した記録光L1は、波長変
換層１に入射する。波長変換層１は、記録光L1を青色光
に波長変換し、波長変換された青色光は第１電極層２を
透過し、記録用光導電層３を照射する。記録用光導電層
３はこの透過した青色光を受け導電性を呈するようにな
り、記録用光導電層３内で正負の電荷対が発生し、その
内の負電荷が上述の電界分布に沿ってエレメント６ａに
集中せしめられ、記録用光導電層３と電荷輸送層４との
界面に負電荷が蓄積される。この蓄積される負電荷（潜
像電荷）の量は照射放射線量に略比例するので、この潜
像電荷が静電潜像を担持することとなる。このようにし
て静電潜像が放射線固体検出器１０１に記録される。一
方、記録用光導電層３内で発生する正電荷は第１電極層
２に引き寄せられて、電源２３から注入された負電荷と
電荷再結合し消滅する。
換層１に入射する。波長変換層１は、記録光L1を青色光
に波長変換し、波長変換された青色光は第１電極層２を
透過し、記録用光導電層３を照射する。記録用光導電層
３はこの透過した青色光を受け導電性を呈するようにな
り、記録用光導電層３内で正負の電荷対が発生し、その
内の負電荷が上述の電界分布に沿ってエレメント６ａに
集中せしめられ、記録用光導電層３と電荷輸送層４との
界面に負電荷が蓄積される。この蓄積される負電荷（潜
像電荷）の量は照射放射線量に略比例するので、この潜
像電荷が静電潜像を担持することとなる。このようにし
て静電潜像が放射線固体検出器１０１に記録される。一
方、記録用光導電層３内で発生する正電荷は第１電極層
２に引き寄せられて、電源２３から注入された負電荷と
電荷再結合し消滅する。
【００５７】放射線固体検出器１０１から静電潜像を読
み取る際には、先ず接続手段２２を放射線固体検出器１
０１の第１電極層２側に接続する。
み取る際には、先ず接続手段２２を放射線固体検出器１
０１の第１電極層２側に接続する。
【００５８】ＬＥＤアレイ１０３から出力されるライン
状の読取光L2がガラス基板９および第２電極層７を透過
する。すると、光導電層５内に正負の電荷対が発生し、
その内の正電荷が記録用光導電層３と電荷輸送層４との
界面に蓄積された負電荷（潜像電荷）に引きつけられる
ように電荷輸送層４内を急速に移動し、記録用光導電層
３と電荷輸送層４との界面で潜像電荷と電荷再結合し消
滅する。一方、読取用光導電層５に生じた負電荷は電源
２３から第２電極層７に注入される正電荷と電荷再結合
し消滅する。このようにして、放射線固体検出器１０１
に蓄積されていた負電荷が電荷再結合により消滅し、こ
の電荷再結合の際の電荷の移動による電流が放射線固体
検出器１０１内に生じる。各エレメント６ａ毎に接続さ
れた電流検出アンプ２１により、この電流を各エレメン
ト６ａ毎に並列的に検出する。読取りの際に放射線固体
検出器１０１内を流れる電流は、潜像電荷すなわち静電
潜像に応じたものであるから、この電流を検出すること
により静電潜像を読み取ることができる。なお、ＬＥＤ
アレイ１０３は図中矢印方向に走査露光するものであ
り、これにより放射線固体検出器１０１の全面露光がな
される。
状の読取光L2がガラス基板９および第２電極層７を透過
する。すると、光導電層５内に正負の電荷対が発生し、
その内の正電荷が記録用光導電層３と電荷輸送層４との
界面に蓄積された負電荷（潜像電荷）に引きつけられる
ように電荷輸送層４内を急速に移動し、記録用光導電層
３と電荷輸送層４との界面で潜像電荷と電荷再結合し消
滅する。一方、読取用光導電層５に生じた負電荷は電源
２３から第２電極層７に注入される正電荷と電荷再結合
し消滅する。このようにして、放射線固体検出器１０１
に蓄積されていた負電荷が電荷再結合により消滅し、こ
の電荷再結合の際の電荷の移動による電流が放射線固体
検出器１０１内に生じる。各エレメント６ａ毎に接続さ
れた電流検出アンプ２１により、この電流を各エレメン
ト６ａ毎に並列的に検出する。読取りの際に放射線固体
検出器１０１内を流れる電流は、潜像電荷すなわち静電
潜像に応じたものであるから、この電流を検出すること
により静電潜像を読み取ることができる。なお、ＬＥＤ
アレイ１０３は図中矢印方向に走査露光するものであ
り、これにより放射線固体検出器１０１の全面露光がな
される。
【００５９】また、第２電極層７において、ストライプ
電極６がＬＥＤ光源１０３の長手方向に対して分割され
たエレメント６ａから構成されるため、図１に示す放射
線固体検出器１０１の横方向における画素ピクセルは、
エレメント電極の間隔により定まる。また縦方向におけ
る画素ピクセルは、接続手段２２のスイッチング時間に
より定まる。このため、ＬＥＤアレイ１０３により略一
様な読取光L2を照射した際に、静電潜像を所定の画素ピ
クセルで読み出すことができる。
電極６がＬＥＤ光源１０３の長手方向に対して分割され
たエレメント６ａから構成されるため、図１に示す放射
線固体検出器１０１の横方向における画素ピクセルは、
エレメント電極の間隔により定まる。また縦方向におけ
る画素ピクセルは、接続手段２２のスイッチング時間に
より定まる。このため、ＬＥＤアレイ１０３により略一
様な読取光L2を照射した際に、静電潜像を所定の画素ピ
クセルで読み出すことができる。
【００６０】また、放射線固体検出器１０１の記録用光
導電層３がａ−Ｓｅを主成分とするものであるので、波
長変換層１で波長変換された記録光L1が効率良く、静電
電荷として蓄積され、また読取光L2により、記録された
画像情報を高効率で読み出すことができる。
導電層３がａ−Ｓｅを主成分とするものであるので、波
長変換層１で波長変換された記録光L1が効率良く、静電
電荷として蓄積され、また読取光L2により、記録された
画像情報を高効率で読み出すことができる。
【００６１】次に温度調整動作について説明する。放射
線固体検出器１０１の温度が０℃以下の場合には、読取
用電極層７が薄いストライプパターン電極であることか
ら、特に読取用光導電層５とガラス基板９の間に生じる
熱ストレスが問題となる。
線固体検出器１０１の温度が０℃以下の場合には、読取
用電極層７が薄いストライプパターン電極であることか
ら、特に読取用光導電層５とガラス基板９の間に生じる
熱ストレスが問題となる。
【００６２】読取用光導電層５がａ−Ｓｅから形成さ
れ、Ｓｅの熱膨張率が３．６８×１０ −５／Ｋ＠４０℃
であり、またガラスは、例えば、厚さ１．１ｍｍのコ
ーニング１７３７の場合、熱膨張率が０．３７８×１０
−５／Ｋ＠４０℃であることを考慮すると、放射線固体
検出器１０１の温度が０℃以下では、読取用光導電層５
とガラス基板９の間には、熱ストレスが生じていると考
えられる。したがって、放射線固体検出器１０１の温度
が０℃以下の場合に、いきなり動作させると、読取用光
導電層５とガラス基板９の間に温度差が生じ、剥離する
恐れがある。
れ、Ｓｅの熱膨張率が３．６８×１０ −５／Ｋ＠４０℃
であり、またガラスは、例えば、厚さ１．１ｍｍのコ
ーニング１７３７の場合、熱膨張率が０．３７８×１０
−５／Ｋ＠４０℃であることを考慮すると、放射線固体
検出器１０１の温度が０℃以下では、読取用光導電層５
とガラス基板９の間には、熱ストレスが生じていると考
えられる。したがって、放射線固体検出器１０１の温度
が０℃以下の場合に、いきなり動作させると、読取用光
導電層５とガラス基板９の間に温度差が生じ、剥離する
恐れがある。
【００６３】一方放射線固体検出器１０１の温度が５０
℃を超えると、セレン膜の軟化が生じ使用可能な寿命が
著しく短くなる恐れがある。
℃を超えると、セレン膜の軟化が生じ使用可能な寿命が
著しく短くなる恐れがある。
【００６４】動作禁止部１０５は、本装置の電源がオン
されると、直ちに動作を開始し、サーミスタ１０４から
放射線固体検出器１０１の温度を読み出す、サーミスタ
１０４で検知された温度が０℃より低い場合には、電流
検出部１０２の動作を禁止する。
されると、直ちに動作を開始し、サーミスタ１０４から
放射線固体検出器１０１の温度を読み出す、サーミスタ
１０４で検知された温度が０℃より低い場合には、電流
検出部１０２の動作を禁止する。
【００６５】装置本体の電源がオンされた場合には、内
部の回路部品が熱を発するため、時間とともに放射線固
体検出器１０１の温度も上昇する。動作禁止部１０５
は、周期的にサーミスタ１０４から放射線固体検出器１
０１の温度を読み出し、０℃以上となったところで、電
流検出部１０２の動作禁止を解除する。このため、放射
線固体検出器１０１の温度が０℃以上になったところ
で、通常の動作が可能となる。
部の回路部品が熱を発するため、時間とともに放射線固
体検出器１０１の温度も上昇する。動作禁止部１０５
は、周期的にサーミスタ１０４から放射線固体検出器１
０１の温度を読み出し、０℃以上となったところで、電
流検出部１０２の動作禁止を解除する。このため、放射
線固体検出器１０１の温度が０℃以上になったところ
で、通常の動作が可能となる。
【００６６】また、動作禁止部１０５は、サーミスタ１
０４で検知された温度が５０℃より高くなった場合に
も、電流検出部１０２の動作を禁止する。温度が上昇し
ている場合には、動作を停止すると、温度は下がってく
るので、動作禁止部１０５は、周期的にサーミスタ１０
４から放射線固体検出器１０１の温度を読み出し、５０
℃以下となったところで、電流検出部１０２の動作禁止
を解除する。このため、放射線固体検出器１０１の温度
が５０℃以上になったところで、通常の動作が可能とな
る。
０４で検知された温度が５０℃より高くなった場合に
も、電流検出部１０２の動作を禁止する。温度が上昇し
ている場合には、動作を停止すると、温度は下がってく
るので、動作禁止部１０５は、周期的にサーミスタ１０
４から放射線固体検出器１０１の温度を読み出し、５０
℃以下となったところで、電流検出部１０２の動作禁止
を解除する。このため、放射線固体検出器１０１の温度
が５０℃以上になったところで、通常の動作が可能とな
る。
【００６７】動作禁止部１０５は、上記のサーミスタ１
０４からの温度読み出しと、温度判定を周期的に継続
し、必要に応じて、上記禁止動作を行う。
０４からの温度読み出しと、温度判定を周期的に継続
し、必要に応じて、上記禁止動作を行う。
【００６８】上記ような動作により、放射線固体検出器
１０１による撮影、読取動作時には、放射線固体検出器
１０１の温度を所望の温度範囲に保つことができ、高温
領域における、Ｓｅの軟化によるＳｅ検出器の寿命の著
しい短縮や、基板とＳｅの間の熱ストレスが大きくなる
低温領域における、放射線固体検出器１０１を動作させ
ることにより生じるＳｅと基板の剥離を防止することが
でき、放射線画像撮影読取システムの信頼度を向上させ
ることができる。
１０１による撮影、読取動作時には、放射線固体検出器
１０１の温度を所望の温度範囲に保つことができ、高温
領域における、Ｓｅの軟化によるＳｅ検出器の寿命の著
しい短縮や、基板とＳｅの間の熱ストレスが大きくなる
低温領域における、放射線固体検出器１０１を動作させ
ることにより生じるＳｅと基板の剥離を防止することが
でき、放射線画像撮影読取システムの信頼度を向上させ
ることができる。
【００６９】なお、放射線固体検出器１０１の温度が０
℃から５０℃までの温度範囲以外であった場合には、放
射線固体検出器１０１の動作を禁止するので、確実に０
℃から５０℃までの温度範囲内のみで放射線固体検出器
１０１を動作させることができ、Ｓｅの軟化や、バルク
結晶化の進行による使用寿命の短縮を抑制でき、また基
板とＳｅとの間の熱ストレスに起因する剥離等を防止で
きる。
℃から５０℃までの温度範囲以外であった場合には、放
射線固体検出器１０１の動作を禁止するので、確実に０
℃から５０℃までの温度範囲内のみで放射線固体検出器
１０１を動作させることができ、Ｓｅの軟化や、バルク
結晶化の進行による使用寿命の短縮を抑制でき、また基
板とＳｅとの間の熱ストレスに起因する剥離等を防止で
きる。
【００７０】なお、上記第１の実施の形態の変形例とし
て、放射線固体検出器１０１の温度を１０℃以上４５℃
以下の温度範囲に保つものも考えられる。この場合に
は、高温領域におけるＳｅのバルク結晶化の進行による
使用寿命の短縮を抑制でき、また基板とＳｅ間の熱スト
レスに起因する剥離等を確実に防止できる。
て、放射線固体検出器１０１の温度を１０℃以上４５℃
以下の温度範囲に保つものも考えられる。この場合に
は、高温領域におけるＳｅのバルク結晶化の進行による
使用寿命の短縮を抑制でき、また基板とＳｅ間の熱スト
レスに起因する剥離等を確実に防止できる。
【００７１】次に、本発明のエネルギー線検出装置を適
用した第２の実施の形態である放射線画像撮影読取シス
テムについて図３を用いて説明する。
用した第２の実施の形態である放射線画像撮影読取シス
テムについて図３を用いて説明する。
【００７２】図３は第２の実施の形態による放射線画像
撮影読取システムの概略構成を示す図であり、この放射
線画像撮影読取システムは、放射線源１０およびエネル
ギー線検出装置である撮影・読取部２００から構成され
ている。撮影・読取部２００は、Ｓｅ検出器であるフラ
ットパネル形態の放射線固体検出器１０１と、画像情報
を電流値として読み出す電流検出部１０２と、読取光に
よる露光走査を行うＬＥＤアレイ１０３と、放射線固体
検出器１０１の温度を検知する温度検知手段としてのサ
ーミスタ１０４と、報知制御部２０１と、警報機２０２
とから構成されている。なお、図１に示す第１の具体的
な実施の形態と同等の要素については同番号を付し、特
に必要のない限りその説明は省略する。
撮影読取システムの概略構成を示す図であり、この放射
線画像撮影読取システムは、放射線源１０およびエネル
ギー線検出装置である撮影・読取部２００から構成され
ている。撮影・読取部２００は、Ｓｅ検出器であるフラ
ットパネル形態の放射線固体検出器１０１と、画像情報
を電流値として読み出す電流検出部１０２と、読取光に
よる露光走査を行うＬＥＤアレイ１０３と、放射線固体
検出器１０１の温度を検知する温度検知手段としてのサ
ーミスタ１０４と、報知制御部２０１と、警報機２０２
とから構成されている。なお、図１に示す第１の具体的
な実施の形態と同等の要素については同番号を付し、特
に必要のない限りその説明は省略する。
【００７３】報知制御部２０１は、サーミスタ１０４お
よび警報機２０２に接続され、所定周期でサーーミスタ
１０４から放射線固体検出器１０１の温度を読み出し、
サーミスタ１０４で検知された温度が１０℃より低い場
合、または４５℃より高い場合には、警報機２０２から
警報を発し、使用者に放射線固体検出器１０１の温度が
１０℃より低いかまたは４５℃より高いことを報知す
る。放射線固体検出器１０１の温度が４５℃を超える
と、暗抵抗特性が低下する問題、いわゆるバルク結晶化
の進行が早まり、使用可能な寿命が短くなるため放射線
固体検出器１０１の温度が４５℃を超えることは好まし
いことではないので、警報音を発し、使用者に適切な対
応を促すものである。
よび警報機２０２に接続され、所定周期でサーーミスタ
１０４から放射線固体検出器１０１の温度を読み出し、
サーミスタ１０４で検知された温度が１０℃より低い場
合、または４５℃より高い場合には、警報機２０２から
警報を発し、使用者に放射線固体検出器１０１の温度が
１０℃より低いかまたは４５℃より高いことを報知す
る。放射線固体検出器１０１の温度が４５℃を超える
と、暗抵抗特性が低下する問題、いわゆるバルク結晶化
の進行が早まり、使用可能な寿命が短くなるため放射線
固体検出器１０１の温度が４５℃を超えることは好まし
いことではないので、警報音を発し、使用者に適切な対
応を促すものである。
【００７４】また、放射線固体検出器の温度が１０℃よ
り低い場合には、使用可能ではあるが、望まし温度では
ないため、使用者に報知する。なお、報知制御部２０１
および警報機２０２は発明の報知手段を構成するもので
ある。
り低い場合には、使用可能ではあるが、望まし温度では
ないため、使用者に報知する。なお、報知制御部２０１
および警報機２０２は発明の報知手段を構成するもので
ある。
【００７５】上記のような動作により、放射線固体検出
器１０１の温度が１０℃〜４５℃の温度範囲を逸脱して
いる場合には、放射線固体検出器１０１の温度が所定温
度範囲以外であることを使用者に報知するので、使用者
は適切な対応を行うことで、Ｓｅの軟化や、バルク結晶
化の進行によるの使用寿命の短縮を抑制し、また基板と
Ｓｅとの間の熱ストレスに起因する剥離等を防止しなが
ら、放射線固体検出器１０１の使用を継続できるので、
放射線画像撮影読取システムの使い勝手を向上すること
ができる。
器１０１の温度が１０℃〜４５℃の温度範囲を逸脱して
いる場合には、放射線固体検出器１０１の温度が所定温
度範囲以外であることを使用者に報知するので、使用者
は適切な対応を行うことで、Ｓｅの軟化や、バルク結晶
化の進行によるの使用寿命の短縮を抑制し、また基板と
Ｓｅとの間の熱ストレスに起因する剥離等を防止しなが
ら、放射線固体検出器１０１の使用を継続できるので、
放射線画像撮影読取システムの使い勝手を向上すること
ができる。
【００７６】なお、本実施の形態の変形例として、放射
線固体検出器１０１の温度が０℃〜５０℃の温度範囲を
逸脱している場合には、放射線固体検出器１０１の温度
が所定温度範囲以外であることを使用者に報知するもの
も考えることができる。この場合には、使用者は適切な
対応を行うことで、Ｓｅの軟化によるの使用寿命の著し
い短縮を抑制し、また基板とＳｅとの間の熱ストレスに
起因する剥離等を防止しながら、放射線固体検出器１０
１の使用を継続できる。また、警報音が発せられる頻度
が少なくなり、警報音による煩わしさが低減する。
線固体検出器１０１の温度が０℃〜５０℃の温度範囲を
逸脱している場合には、放射線固体検出器１０１の温度
が所定温度範囲以外であることを使用者に報知するもの
も考えることができる。この場合には、使用者は適切な
対応を行うことで、Ｓｅの軟化によるの使用寿命の著し
い短縮を抑制し、また基板とＳｅとの間の熱ストレスに
起因する剥離等を防止しながら、放射線固体検出器１０
１の使用を継続できる。また、警報音が発せられる頻度
が少なくなり、警報音による煩わしさが低減する。
【００７７】次に、本発明のエネルギー線検出装置を適
用した第３の実施の形態である放射線画像撮影読取シス
テムについて図４および５を用いて説明する。
用した第３の実施の形態である放射線画像撮影読取シス
テムについて図４および５を用いて説明する。
【００７８】図４は第３の実施の形態による放射線画像
撮影読取システムの概略構成を示す図であり、この放射
線画像撮影読取システムは、放射線源１０およびエネル
ギー線検出装置である撮影・読取部３００から構成され
ている。撮影・読取部３００は、Ｓｅ検出器であるフラ
ットパネル形態の放射線固体検出器１０１と、画像情報
を電流値として読み出す電流検出部１０２と、読取光に
よる露光走査を行うＬＥＤアレイ１０３と、放射線固体
検出器１０１の温度を検知する温度検知手段としてのサ
ーミスタ１０４と、温度制御部３０１と、加温手段とし
てのヒータ３０２と、冷却手段としてのファン３０３と
から構成されている。なお、図１に示す第１の具体的な
実施の形態と同等の要素については同番号を付し、特に
必要のない限りその説明は省略する。
撮影読取システムの概略構成を示す図であり、この放射
線画像撮影読取システムは、放射線源１０およびエネル
ギー線検出装置である撮影・読取部３００から構成され
ている。撮影・読取部３００は、Ｓｅ検出器であるフラ
ットパネル形態の放射線固体検出器１０１と、画像情報
を電流値として読み出す電流検出部１０２と、読取光に
よる露光走査を行うＬＥＤアレイ１０３と、放射線固体
検出器１０１の温度を検知する温度検知手段としてのサ
ーミスタ１０４と、温度制御部３０１と、加温手段とし
てのヒータ３０２と、冷却手段としてのファン３０３と
から構成されている。なお、図１に示す第１の具体的な
実施の形態と同等の要素については同番号を付し、特に
必要のない限りその説明は省略する。
【００７９】温度制御部３０１は、サーミスタ１０４、
ヒータ３０２およびファン３０３に接続され、所定周期
でサーーミスタ１０４から放射線固体検出器１０１の温
度を読み出し、サーミスタ１０４で検知された温度によ
り、ヒータ３０２またはファン３０３を動作させる。な
お、温度制御部３０１およびファン３０３は発明の高温
側制御手段を構成し、温度制御部３０１およびヒータ３
０２は低温側制御手段を構成する。
ヒータ３０２およびファン３０３に接続され、所定周期
でサーーミスタ１０４から放射線固体検出器１０１の温
度を読み出し、サーミスタ１０４で検知された温度によ
り、ヒータ３０２またはファン３０３を動作させる。な
お、温度制御部３０１およびファン３０３は発明の高温
側制御手段を構成し、温度制御部３０１およびヒータ３
０２は低温側制御手段を構成する。
【００８０】温度制御部３０１の動作の詳細を図５に示
すフローチャートを用いて説明する。
すフローチャートを用いて説明する。
【００８１】まず装置本体の電源がオンされると、ステ
ップ１０１で温度制御部３０１はサーミスタ１０４から
放射線固体検出器１０１の温度Ｔを読み込み、その温度
Ｔが３０℃以上であるか否かを判定する。温度Ｔが３０
℃より低ければ、ステップ１０２へ進む。温度Ｔが３０
℃以上であれば、ステップ１０３へ進む。
ップ１０１で温度制御部３０１はサーミスタ１０４から
放射線固体検出器１０１の温度Ｔを読み込み、その温度
Ｔが３０℃以上であるか否かを判定する。温度Ｔが３０
℃より低ければ、ステップ１０２へ進む。温度Ｔが３０
℃以上であれば、ステップ１０３へ進む。
【００８２】ステップ１０２では、ヒータ３０２が動作
していなければ、ヒータ３０２をオンして動作させ、ス
テップ１０１へ戻る。ヒータ３０２が動作していれば、
なにもせずにステップ１０１へ戻る。ステップ１０１で
は、所定時間間隔で放射線固体検出器１０１の温度Ｔを
読み込み、判定を繰り返す。
していなければ、ヒータ３０２をオンして動作させ、ス
テップ１０１へ戻る。ヒータ３０２が動作していれば、
なにもせずにステップ１０１へ戻る。ステップ１０１で
は、所定時間間隔で放射線固体検出器１０１の温度Ｔを
読み込み、判定を繰り返す。
【００８３】ステップ１０３では、温度Ｔが４０℃以上
であるか否かを判定する。４０℃以上であれば、ステッ
プ１０４に進む。温度Ｔが４０℃より低ければステップ
１０５へ進む。
であるか否かを判定する。４０℃以上であれば、ステッ
プ１０４に進む。温度Ｔが４０℃より低ければステップ
１０５へ進む。
【００８４】ステップ１０４では、ファン３０３が動作
していなければ、ファン３０３をオンにして動作させ、
ステップ１０１へ戻る。ファン３０３が動作していいれ
ば、何もせずにステップ１０１へ戻る。
していなければ、ファン３０３をオンにして動作させ、
ステップ１０１へ戻る。ファン３０３が動作していいれ
ば、何もせずにステップ１０１へ戻る。
【００８５】ステップ１０５では、ヒータ３０２が動作
していれば、ヒータ３０２の動作をオフにして停止さ
せ、またファン３０３が動作していれば、ファン３０３
をオフにして停止させ、ステップ１０１に戻る。ヒータ
３０２もファン３０３も動作していない場合には、その
ままステップ１０１に戻る。
していれば、ヒータ３０２の動作をオフにして停止さ
せ、またファン３０３が動作していれば、ファン３０３
をオフにして停止させ、ステップ１０１に戻る。ヒータ
３０２もファン３０３も動作していない場合には、その
ままステップ１０１に戻る。
【００８６】このような動作の流れにより、まず通常動
作開始時には、放射線固体検出器１０１の温度Ｔは３０
℃より低いことが多く、ステップ１０１からステップ１
０２に進み、ヒータ３０２が動作する。放射線固体検出
器１０１の温度Ｔが３０℃まで上昇すると、ステップ１
０１からステップ１０３に進む。この場合には、温度Ｔ
はほぼ３０℃であるため、ステップ１０３からステップ
１０５に進み、ヒータ３０２はオフにされステップ１０
１に戻る。
作開始時には、放射線固体検出器１０１の温度Ｔは３０
℃より低いことが多く、ステップ１０１からステップ１
０２に進み、ヒータ３０２が動作する。放射線固体検出
器１０１の温度Ｔが３０℃まで上昇すると、ステップ１
０１からステップ１０３に進む。この場合には、温度Ｔ
はほぼ３０℃であるため、ステップ１０３からステップ
１０５に進み、ヒータ３０２はオフにされステップ１０
１に戻る。
【００８７】周囲温度が低い場合等には、放射線固体検
出器１０１の温度Ｔが再度３０℃以下に戻ることがある
が、通常はヒータ３０２の動作が停止しても、使用中で
あれば、温度は３０℃以上を保ち、ステップ１０１、ス
テップ１０３およびステップ１０５が所定時間間隔で、
繰り返される。
出器１０１の温度Ｔが再度３０℃以下に戻ることがある
が、通常はヒータ３０２の動作が停止しても、使用中で
あれば、温度は３０℃以上を保ち、ステップ１０１、ス
テップ１０３およびステップ１０５が所定時間間隔で、
繰り返される。
【００８８】周囲温度が高い場合には、使用を続ける
と、放射線固体検出器１０１の温度Ｔが４０℃を超える
場合がある、この場合には、ステップ１０３からステッ
プ１０４に進み、ファン３０３がオンされ、放射線固体
検出器１０１が冷却される。放射線固体検出器１０１の
温度が４０℃以下まで冷却されると、ステップ１０３か
らステップ１０５へすすみ、ファン３０３がオフにされ
る。周囲温度が高い場合には、ファン３０３のオンオフ
が繰り返される場合が多い。
と、放射線固体検出器１０１の温度Ｔが４０℃を超える
場合がある、この場合には、ステップ１０３からステッ
プ１０４に進み、ファン３０３がオンされ、放射線固体
検出器１０１が冷却される。放射線固体検出器１０１の
温度が４０℃以下まで冷却されると、ステップ１０３か
らステップ１０５へすすみ、ファン３０３がオフにされ
る。周囲温度が高い場合には、ファン３０３のオンオフ
が繰り返される場合が多い。
【００８９】上記のような動作により、放射線固体検出
器１０１の温度が３０℃以上４０℃以下となるように、
放射線固体検出器１０１の温度を制御するので、短時間
で放射線固体検出器１０１の温度を所望の温度範囲に制
御することができる。このため、Ｓｅの軟化や、バルク
結晶化の進行による使用寿命の短縮を一層抑制しなが
ら、エネルギー線検出装置の使用を継続できるので、エ
ネルギー線検出装置の使い勝手をさらに向上することが
できる。
器１０１の温度が３０℃以上４０℃以下となるように、
放射線固体検出器１０１の温度を制御するので、短時間
で放射線固体検出器１０１の温度を所望の温度範囲に制
御することができる。このため、Ｓｅの軟化や、バルク
結晶化の進行による使用寿命の短縮を一層抑制しなが
ら、エネルギー線検出装置の使用を継続できるので、エ
ネルギー線検出装置の使い勝手をさらに向上することが
できる。
【００９０】また、放射線固体検出器１０１の温度を３
０℃以上４０℃以下の温度範囲に制御できるので、放射
線固体検出器１０１の検出感度が良好な温度範囲で検出
を行うことができ、検出感度を向上させることができ
る。
０℃以上４０℃以下の温度範囲に制御できるので、放射
線固体検出器１０１の検出感度が良好な温度範囲で検出
を行うことができ、検出感度を向上させることができ
る。
【００９１】また、ヒータ３０２およびファン３０３を
用いているので、容易に放射線固体検出器１０１の温度
を所望温度に制御することができる。
用いているので、容易に放射線固体検出器１０１の温度
を所望温度に制御することができる。
【００９２】なお、上記第３の実施の形態の変形例とし
て、放射線固体検出器１０１の温度を０℃または１０℃
以上４５℃または５０℃以下の温度範囲に保つものも考
えられる。また、他の変形例として、温度制御部３０１
とファン３０３を備え、ヒータ３０２を備えていないも
のも考えられる。この場合には、使用開始時に、放射線
固体検出器１０１の温度が低い場合に、温度Ｔの上昇に
多少時間が必要となるが、ヒータ３０２が不要であるた
め、コスト低減および小型化が可能になる等の利点があ
る。
て、放射線固体検出器１０１の温度を０℃または１０℃
以上４５℃または５０℃以下の温度範囲に保つものも考
えられる。また、他の変形例として、温度制御部３０１
とファン３０３を備え、ヒータ３０２を備えていないも
のも考えられる。この場合には、使用開始時に、放射線
固体検出器１０１の温度が低い場合に、温度Ｔの上昇に
多少時間が必要となるが、ヒータ３０２が不要であるた
め、コスト低減および小型化が可能になる等の利点があ
る。
【００９３】また、第１、第２および第３の実施の形態
では、胸部Ｘ線撮影用の装置であるため、ガラス基板上
に厚さ１０５０μmのＳｅ多層膜を積層したＳｅ検出器
を使用したが、検出するエネルギー線のエネルギーが小
さい場合などには、Ｓｅ多層膜の厚さは、もっと薄いも
のでよく、例えばマンモグラフィに使用されるＳｅ検出
器であれば、Ｓｅ多層膜の厚さは１５０μｍ程度で十分
であるが、Ｓｅ多層膜の厚さが１５０μｍを超えると、
基板とＳｅ多層膜の熱膨張率の差に起因する剥離が生じ
る可能性があるため、本発明が適用される。
では、胸部Ｘ線撮影用の装置であるため、ガラス基板上
に厚さ１０５０μmのＳｅ多層膜を積層したＳｅ検出器
を使用したが、検出するエネルギー線のエネルギーが小
さい場合などには、Ｓｅ多層膜の厚さは、もっと薄いも
のでよく、例えばマンモグラフィに使用されるＳｅ検出
器であれば、Ｓｅ多層膜の厚さは１５０μｍ程度で十分
であるが、Ｓｅ多層膜の厚さが１５０μｍを超えると、
基板とＳｅ多層膜の熱膨張率の差に起因する剥離が生じ
る可能性があるため、本発明が適用される。
【００９４】以上、本発明の好ましい実施の形態につい
て説明したが、上述した実施の形態に限定されるもので
はなく、本発明の要旨を逸脱しない限りにおいて、種々
の変更を行なうことが可能である。
て説明したが、上述した実施の形態に限定されるもので
はなく、本発明の要旨を逸脱しない限りにおいて、種々
の変更を行なうことが可能である。
【００９５】例えば、Ｓｅ検出器において、画像情報を
担持する潜像電荷を発生させる電荷生成プロセスとして
は、実施の形態に記載した蛍光体による光変換方式＋直
接変換方式に限定されるものではなく、光変換方式や直
接変換方式のもの、さらには改良を加えた改良型光また
は直接変換方式等の種々の方式を採用したものを使用す
ることができる。
担持する潜像電荷を発生させる電荷生成プロセスとして
は、実施の形態に記載した蛍光体による光変換方式＋直
接変換方式に限定されるものではなく、光変換方式や直
接変換方式のもの、さらには改良を加えた改良型光また
は直接変換方式等の種々の方式を採用したものを使用す
ることができる。
【００９６】また、電荷読取プロセスの面においても、
実施の形態における光読出方式に限定されるものではな
く、特願平10-243379号に記載された様なＴＦＴ読出方
式や、改良を加えた光またはＴＦＴ読出方式等の種々の
方式を採用したものを使用することができる。
実施の形態における光読出方式に限定されるものではな
く、特願平10-243379号に記載された様なＴＦＴ読出方
式や、改良を加えた光またはＴＦＴ読出方式等の種々の
方式を採用したものを使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による第１の実施の形態である放射線画
像撮影読取システムの概略構成図
像撮影読取システムの概略構成図
【図２】放射線固体検出器の側断面および電流検出部の
回路構成を示す図
回路構成を示す図
【図３】本発明による第２の実施の形態である放射線画
像撮影読取システムの概略構成図
像撮影読取システムの概略構成図
【図４】本発明による第３の実施の形態である放射線画
像撮影読取システムの概略構成図
像撮影読取システムの概略構成図
【図５】温度制御部の動作の流れを説明するフローチャ
ート
ート
１ 波長変換層 ２ 第１電極層 ３ 記録用光導電層 ４ 電荷輸送層 ５ 読取用光導電層 ６ ストライプ電極 ６ａ エレメント ７ 第２電極層 ８ 隙間 ９ ガラス基板 １０ 放射線源 １１ 被験者 １００，２００，３００ 撮影・読取部 １０１ 放射線固体検出器 １０２ 電流検出部 １０３ ＬＥＤアレイ １０４ サーミスタ １０５ 動作禁止手段 ２０１ 報知制御部 ２０２ 警報機 ３０１ 温度制御部 ３０２ ヒータ ３０３ ファン
Claims (16)
- 【請求項１】 基板および基板上に設けられたＳｅから
なるエネルギー線吸収体により構成されるＳｅ検出器を
備えるエネルギー線検出装置の温度調整方法であって、 前記Ｓｅ検出器の温度を検知し、 前記Ｓｅ検出器の動作時には、前記Ｓｅ検出器の温度を
０℃以上５０℃以下に保つように、前記Ｓｅ検出器の温
度を調整することを特徴とするエネルギー線検出装置の
温度調整方法。 - 【請求項２】 基板および基板上に設けられたＳｅから
なるエネルギー線吸収体により構成されるＳｅ検出器を
有するエネルギー線検出装置の温度調整方法であって、 前記Ｓｅ検出器の温度を検知し、 前記Ｓｅ検出器の動作時には、前記Ｓｅ検出器の温度を
１０℃以上４５℃以下に保つように、前記Ｓｅ検出器の
温度を調整することを特徴とするエネルギー線検出装置
の温度調整方法。 - 【請求項３】 基板および基板上に設けられたＳｅから
なるエネルギー線吸収体により構成されるＳｅ検出器を
有するエネルギー線検出装置の温度調整方法であって、 前記Ｓｅ検出器の温度を検知し、 前記Ｓｅ検出器の動作時には、前記Ｓｅ検出器の温度を
３０℃以上４０℃以下に保つように、前記Ｓｅ検出器の
温度を調整することを特徴とするエネルギー線検出装置
の温度調整方法。 - 【請求項４】 基板および基板上に設けられたＳｅから
なるエネルギー線吸収体により構成されるＳｅ検出器を
有するエネルギー線検出装置であって、 前記Ｓｅ検出器の温度を検知する温度検知手段と、 前記Ｓｅ検出器の動作時には、前記Ｓｅ検出器の温度を
所定温度範囲内の温度に保つように、前記Ｓｅ検出器の
温度を調整する温度調整手段とを備えていることを特徴
とするエネルギー線検出装置。 - 【請求項５】 基板および基板上に設けられたＳｅから
なるエネルギー線吸収体により構成されるＳｅ検出器を
有するエネルギー線検出装置であって、 前記Ｓｅ検出器の温度を検知する温度検知手段と、 前記Ｓｅ検出器の温度が所定温度範囲以外であった場合
には、前記Ｓｅ検出器の動作を禁止する動作禁止手段と
を備えていることを特徴とするエネルギー線検出装置。 - 【請求項６】 基板および基板上に設けられたＳｅから
なるエネルギー線吸収体により構成されるＳｅ検出器を
有するエネルギー線検出装置であって、 前記Ｓｅ検出器の温度を検知する温度検知手段と、 前記Ｓｅ検出器の温度が所定温度範囲以外であった場合
には、前記Ｓｅ検出器の温度が所定温度範囲以外である
ことを使用者に報知する報知手段とを備えていることを
特徴とするエネルギー線検出装置。 - 【請求項７】 前記所定温度範囲が、０℃以上５０℃以
下であることを特徴とする請求項４から６いずれか１項
記載のエネルギー線検出装置。 - 【請求項８】 前記所定温度範囲が、１０℃以上４５℃
以下であることを特徴とする請求項４から６いずれか１
項記載のエネルギー線検出装置。 - 【請求項９】 基板および基板上に設けられたＳｅから
なるエネルギー線吸収体により構成されるＳｅ検出器を
有するエネルギー線検出装置であって、 前記Ｓｅ検出器の温度を検知する温度検知手段と、 前記Ｓｅ検出器の温度が所定上限温度以下となるよう
に、前記Ｓｅ検出器の温度を制御する高温側制御手段と
を備えていることを特徴とするエネルギー線検出装置。 - 【請求項１０】 前記Ｓｅ検出器の温度が所定下限温度
以上となるように、前記Ｓｅ検出器の温度を制御する低
温側制御手段を備えていることを特徴とする請求項９記
載のエネルギー線検出装置。 - 【請求項１１】 前記上限温度が、４０℃、４５℃また
は５０℃であることを特徴とする請求項９または１０記
載のエネルギー線検出装置。 - 【請求項１２】 前記下限温度が、０℃、１０℃または
３０℃であることを特徴とする請求項１０または１１記
載のエネルギー線検出装置。 - 【請求項１３】 前記上限温度が４０℃であり、下限温
度が３０℃である請求項１０記載のエネルギー線検出装
置。 - 【請求項１４】 前記高温側制御手段が、前記Ｓｅ検出
器を冷却する冷却手段を備えていることを特徴とする請
求項１０から１３いずれか１項記載のエネルギー線検出
装置。 - 【請求項１５】 前記低温側制御手段が、前記Ｓｅ検出
器を加温する加温手段を備えていることを特徴とする請
求項１１から１４いずれか１項記載のエネルギー線検出
装置。 - 【請求項１６】 前記Ｓｅ検出器が、前記基板上にＳｅ
多層膜が積層されたものであり、該Ｓｅ多層膜の厚さが
１５０μｍ以上１５００μｍ以下であることを特徴とす
る請求項４から１５いずれか１項記載のエネルギー線検
出装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000098724A JP2001281345A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | エネルギー線検出装置およびその温度調整方法 |
| US09/822,210 US6469312B2 (en) | 2000-03-31 | 2001-04-02 | Energetic-beam detection apparatus including temperature-controlled selenium detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000098724A JP2001281345A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | エネルギー線検出装置およびその温度調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001281345A true JP2001281345A (ja) | 2001-10-10 |
Family
ID=18613177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000098724A Pending JP2001281345A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | エネルギー線検出装置およびその温度調整方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6469312B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001281345A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007527987A (ja) * | 2003-04-24 | 2007-10-04 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｘ線検出器素子 |
| JP2009098136A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-05-07 | Fujifilm Corp | 画像検出器及び画像撮影システム |
| JP2009098134A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-05-07 | Fujifilm Corp | 画像検出器及び画像撮影システム |
| CN102551758A (zh) * | 2010-12-20 | 2012-07-11 | 富士胶片株式会社 | 放射线检测器、其制造方法和放射线摄影图像拍摄设备 |
| US8294113B2 (en) | 2007-09-28 | 2012-10-23 | Fujifilm Corporation | Image detecting device and image capturing system |
| JP2013230373A (ja) * | 2013-06-13 | 2013-11-14 | Canon Inc | 放射線撮影装置、放射線撮影装置の撮影方法 |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3907913B2 (ja) * | 2000-04-04 | 2007-04-18 | 富士フイルム株式会社 | 画像検出器の読取用露光装置 |
| JP2003014860A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-15 | Toshiba Corp | 放射線検出器および放射線検査装置 |
| US6801596B2 (en) * | 2001-10-01 | 2004-10-05 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Methods and apparatus for void characterization |
| CN100336422C (zh) * | 2001-12-04 | 2007-09-05 | X射线光学系统公司 | 输出稳定性增强的x射线源组件及优化x射线传输的方法 |
| JP2003215736A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-07-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像撮像装置 |
| JP4091343B2 (ja) * | 2002-05-30 | 2008-05-28 | 富士フイルム株式会社 | 画像記録媒体 |
| JP4138458B2 (ja) * | 2002-11-20 | 2008-08-27 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像記録媒体 |
| JP4659341B2 (ja) * | 2003-06-23 | 2011-03-30 | キヤノン株式会社 | Ｘ線撮影装置 |
| US7317190B2 (en) * | 2004-09-24 | 2008-01-08 | General Electric Company | Radiation absorbing x-ray detector panel support |
| US7189972B2 (en) * | 2004-10-04 | 2007-03-13 | General Electric Company | X-ray detector with impact absorbing cover |
| US7046764B1 (en) | 2004-10-04 | 2006-05-16 | General Electric Company | X-ray detector having an accelerometer |
| US7866163B2 (en) * | 2004-10-04 | 2011-01-11 | General Electric Company | Radiographic detector docking station with dynamic environmental control |
| US7342998B2 (en) * | 2004-11-18 | 2008-03-11 | General Electric Company | X-ray detector quick-connect connection system |
| US7581885B2 (en) * | 2004-11-24 | 2009-09-01 | General Electric Company | Method and system of aligning x-ray detector for data acquisition |
| US7381964B1 (en) | 2004-11-24 | 2008-06-03 | General Electric Company | Method and system of x-ray data calibration |
| US7304308B2 (en) * | 2005-02-16 | 2007-12-04 | Hologic, Inc. | Amorphous selenium flat panel x-ray imager for tomosynthesis and static imaging |
| US7233005B2 (en) * | 2005-02-16 | 2007-06-19 | Hologic, Inc. | Amorphous selenium flat panel x-ray imager for tomosynthesis and static imaging |
| US7122803B2 (en) * | 2005-02-16 | 2006-10-17 | Hologic, Inc. | Amorphous selenium flat panel x-ray imager for tomosynthesis and static imaging |
| JP2006261206A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線画像検出器および放射線画像検出システム |
| JP2008210906A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出器 |
| JP2008227346A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Fujifilm Corp | 放射線検出装置 |
| JP2009164215A (ja) | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出装置および放射線画像検出器の製造方法 |
| JP5294763B2 (ja) * | 2008-09-02 | 2013-09-18 | キヤノン株式会社 | 放射線撮影装置、放射線撮影装置の撮影方法 |
| FI20086240A (fi) | 2008-12-23 | 2010-06-24 | Palodex Group Oy | Kuvalevyn lukijalaitteen puhdistusjärjestelmä |
| FI20086241L (fi) * | 2008-12-23 | 2010-06-24 | Palodex Group Oy | Kuvalevyn lukijalaite |
| JP4906882B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2012-03-28 | キヤノン株式会社 | 放射線撮影装置 |
| US8134695B2 (en) * | 2009-08-05 | 2012-03-13 | Emhart Glass S.A. | Glass container stress measurement using fluorescence |
| US8824635B2 (en) * | 2011-10-27 | 2014-09-02 | General Electric Company | Detector modules for imaging systems and methods of manufacturing |
| TW201503236A (zh) * | 2013-07-05 | 2015-01-16 | Sekisui Chemical Co Ltd | 半導體膜之製造方法、半導體膜製造用原料粒子、半導體膜、光電極及色素增感太陽電池 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4176275A (en) | 1977-08-22 | 1979-11-27 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Radiation imaging and readout system and method utilizing a multi-layered device having a photoconductive insulative layer |
| DE3236137A1 (de) | 1982-09-29 | 1984-03-29 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Bildaufnahmeeinrichtung |
| CA1276320C (en) | 1987-12-01 | 1990-11-13 | John Allan Rowlands | System for measuring the charge distribution on a photoreceptor surface |
| JP2680039B2 (ja) * | 1988-06-08 | 1997-11-19 | 株式会社日立製作所 | 光情報記録再生方法及び記録再生装置 |
| JP3092127B2 (ja) * | 1989-09-08 | 2000-09-25 | 株式会社日立メディコ | Ｘ線ｃｔ装置 |
| US5132627A (en) * | 1990-12-28 | 1992-07-21 | Xerox Corporation | Motionless scanner |
| JPH05158174A (ja) * | 1991-12-04 | 1993-06-25 | Konica Corp | 放射線画像読取装置 |
| US5268569A (en) | 1992-07-22 | 1993-12-07 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Imaging system having optimized electrode geometry and processing |
| US5925890A (en) | 1995-06-08 | 1999-07-20 | Agfa-Gevaert N.V. | Apparatus for recording and reading out a pattern of penetrating electromagnetic radiation |
| EP0748115A1 (en) | 1995-06-08 | 1996-12-11 | Agfa-Gevaert N.V. | Method for recording and reading out a pattern of penetrating electromagnetic radiation |
| JP3162313B2 (ja) * | 1997-01-20 | 2001-04-25 | 工業技術院長 | 薄膜製造方法および薄膜製造装置 |
| EP0898421A3 (en) | 1997-08-19 | 2001-12-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Electrostatic recording member, electrostatic latent image recording apparatus, and electrostatic latent image read-out apparatus |
| JP3445164B2 (ja) | 1997-08-19 | 2003-09-08 | 富士写真フイルム株式会社 | 静電記録体、静電潜像記録装置および静電潜像読取装置 |
| GB9724150D0 (en) * | 1997-11-14 | 1998-01-14 | Univ Southampton | Apparatus providing variable refectivity to electromagnetic radiation |
| JP2000137080A (ja) | 1998-08-28 | 2000-05-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線画像検出装置 |
-
2000
- 2000-03-31 JP JP2000098724A patent/JP2001281345A/ja active Pending
-
2001
- 2001-04-02 US US09/822,210 patent/US6469312B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007527987A (ja) * | 2003-04-24 | 2007-10-04 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｘ線検出器素子 |
| JP2009098134A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-05-07 | Fujifilm Corp | 画像検出器及び画像撮影システム |
| JP2009098136A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-05-07 | Fujifilm Corp | 画像検出器及び画像撮影システム |
| US8294113B2 (en) | 2007-09-28 | 2012-10-23 | Fujifilm Corporation | Image detecting device and image capturing system |
| CN102551758A (zh) * | 2010-12-20 | 2012-07-11 | 富士胶片株式会社 | 放射线检测器、其制造方法和放射线摄影图像拍摄设备 |
| US8946644B2 (en) | 2010-12-20 | 2015-02-03 | Fujifilm Corporation | Radiation detector, method of manufacturing radiation detector, and radiographic image capturing apparatus incorporating radiation detector |
| CN102551758B (zh) * | 2010-12-20 | 2015-11-25 | 富士胶片株式会社 | 放射线检测器、其制造方法和放射线摄影图像拍摄设备 |
| JP2013230373A (ja) * | 2013-06-13 | 2013-11-14 | Canon Inc | 放射線撮影装置、放射線撮影装置の撮影方法 |
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