JPH09206293A

JPH09206293A - Ｘ線撮像装置

Info

Publication number: JPH09206293A
Application number: JP8019554A
Authority: JP
Inventors: Masayuki Nishiki; 雅行西木; Manabu Tanaka; 学田中; Takayuki Tomizaki; 隆之富崎
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1996-02-06
Filing date: 1996-02-06
Publication date: 1997-08-12

Abstract

(57)【要約】【課題】撮影と透視の両方に使用した場合、従来よりも
さらに実用的でかつ、撮影時と透視時のそれぞれの場合
の時に、Ｘ線検出器に対して要求されること、即ち、撮
影の場合はＸ線検出器の蓄積用コンデンサの容量を大き
くすることであり、透視の場合は読み出し時定数を小さ
くすること、これらのことの両方を従来よりも簡単にか
つ同時に満足し、さらに、入射Ｘ線のうち信号として利
用できる割合を向上させるようなＸ線検出器を持ったＸ
線撮像装置を提供することを目的とする。【解決手段】Ｘ線検出器に補助容量用電極１１９を設
け、その補助容量用電極１１９と、もともと設けられて
いる電荷を蓄積する電極とをＸ線検出器全体で一個のス
イッチを介して接続可能な状態にしておき、透視時はス
イッチを開いたままにしておき、撮影時は、スイッチを
閉じて、前記補助容量用電極１１９を使用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被検体にＸ線を照
射し、その透過したＸ線をＸ線検出器で検出し、その検
出したＸ線量をデジタル信号に変換して表示するＸ線撮
像装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年では、Ｘ線撮像装置として、イメー
ジ・インテンシファイア（Ｉ．Ｉ．）−ＴＶシステムと
比較して、コンパクトでかつフィルム撮影に匹敵する高
解像度化の可能性が見出だされつつあるＸ線半導体平面
検出器を使用したものが注目されてきている。

【０００３】この様なＸ線半導体平面検出器の一例とし
て特開昭６１ー２４４１７６号公報に開示されたものが
知られている。図６にこのＸ線半導体平面検出器の一画
素分の等価回路を示す。ここで、光電変換素子（フォト
ダイオード）１２４の陽極側は逆負バイアス電源（ーＶ
ｎ）に接続され、蓄積用コンデンサ１２３、補助容量Ｃ
ｄがフォトダイオード１２４と並列に接続され、補助容
量ＣｄにはスイッチＳＷａが直列接続されている。一
方、フォトダイオード１２４の陰極側はスイッチング素
子１２１を介してデータ転送ラインに接続されている。
このようなエレメントを多数２次元状に配列することに
よりＸ線半導体平面検出器が構成されている。

【０００４】このようなＸ線半導体平面検出器を用いて
Ｘ線画像を得ようとする場合、まずゲート駆動ラインを
介してスイッチング素子１２１をＯＦＦにする。する
と、蓄積用コンデンサ１２３に所定量の電荷が蓄積され
る。次に被検体にＸ線を曝射し、その透過Ｘ線はフォト
ダイオード１２４の前段に配置された蛍光体（図示せ
ず）により可視光に変換され、フォトダイオード１２４
に入射する。フォトダイオード１２４は入射光を電荷に
変換する。このようにして発生した電荷は蓄積用コンデ
ンサ１２３に蓄積されている電荷を消失させ、フォトダ
イオード１２４で発生した電荷分だけ蓄積用コンデンサ
１２３の電荷が減少することになる。その後ゲート駆動
ラインを介してスイッチング素子１２１をＯＮすること
によって蓄積用コンデンサ１２３の電荷が読み出され、
多数の素子から順次電荷が読み出されることによって一
画像分のデータがそろうことになる。

【０００５】ここで、医用Ｘ線診断装置の分野において
は、透視と撮影という二つのモードを選択的に用いる必
要がある。ところがこの場合、蓄積用コンデンサの容量
Ｃとスイッチング素子のＯＮ抵抗Ｒの積で表される読み
出し時定数τ； τ＝Ｃ×Ｒによって制約を受ける。

【０００６】静止画像を得ることが目的である撮影にお
いては、画像のＳ／Ｎ比を高めるために入射Ｘ線量を多
くするが、画像読み出しレートは遅くてもよい（例えば
１枚／秒）。この撮影の場合、Ｘ線検出器に対して要求
されることは、蓄積用コンデンサの容量を大きくするこ
とである。容量が大きくなれば、入射Ｘ線量を多くさせ
ても充電した電荷が飽和してしまうということはない。
蓄積用コンデンサの容量を大きくすることによって読み
出し時定数は大きくなるが、撮影の場合は画像読み出し
レートは遅くてもよいので、このことは許容される。

【０００７】一方、動画像を収集することが目的である
透視においては、被検者の被曝量を抑えるために１画像
当たりのＸ線量はごく小さく設定されるが、画像読み出
しレートは速くする必要がある（例えば３０枚／秒）。
従って、この透視の場合、Ｘ線検出器に対して要求され
ることは、読み出し時定数τを小さくすることである。
読み出し時定数τを小さくするためには、蓄積用コンデ
ンサの容量Ｃとスイッチング素子のＯＮ抵抗Ｒのいずれ
か一方、あるいは両方を小さくさせればよいのだが、実
際に、スイッチング素子のＯＮ抵抗Ｒを小さくさせるこ
とは難しいので、蓄積用コンデンサの容量Ｃを小さくす
ることが実用的である。したがって、Ｘ線検出器を撮影
と透視の両方に使おうとした場合、それぞれの場合の時
のＸ線検出器に対する（蓄積用コンデンサの容量Ｃに対
する）要求が相反してしまうが、この従来技術において
は、各Ｘ線検出素子毎に付加容量Ｃｄを付け、撮影時に
スイッチＳＷａを閉じて蓄積用コンデンサ（この場合、
付加容量Ｃｄも蓄積用コンデンサの一部と見ている。）
の容量を増やし、透視時にはスイッチＳＷａを開けて蓄
積用コンデンサの容量を減らすことによって、読み出し
時定数を小さくすることができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】このような従来技術に
おいては、各Ｘ線検出素子毎にスイッチＳＷａを持たせ
ているため、このスイッチをＴＦＴ（薄膜トランジスタ
（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｇｉｓｔｅｒ））で構
成するとそれだけ製造プロセスが複雑化し、また、スイ
ッチの占めている面積の分だけフォトダイオードの占め
る面積が減少するという問題を伴う。フォトダイオード
の占める面積が減少すると、入射Ｘ線のうち信号として
利用できる割合が低下してしまい、これは望ましくな
い。

【０００９】そこで、本発明は、従来の有するこのよう
な問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とする
ところは、撮影時と透視時のそれぞれの場合に、Ｘ線検
出器に対して求められる要求の両方を従来よりも簡単に
かつ同時に満足し、さらに、入射Ｘ線のうち信号として
利用できる割合を向上させるようなＸ線検出器を持った
Ｘ線撮像装置を提供しようとするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明では、被検体に向けてＸ線を曝射するＸ線発
生手段と、前記被検体からの透過Ｘ線を電荷に変換しア
レイ状に配列された複数のＸ線電気変換手段と、このＸ
線電気変換手段に発生する電荷を蓄積する第一の静電容
量と、前記複数のＸ線電気変換手段の内の少なくとも２
つ以上に対応するように且つ全てのＸ線電気変換手段に
渡って配置される１以上の第２の静電容量用電極と、前
記第２の静電容量用電極を有効にするスイッチと、前記
複数のＸ線電気変換手段に発生する電荷相当量を読み出
す電荷読み出し手段と、この読み出し手段から読み出さ
れた電荷に基づいてＸ線画像を表示する表示手段とを備
えたことを特徴とするＸ線撮像装置を提供する。

【００１１】上記本発明により、Ｘ線検出器は、従来よ
りもさらに実用的になり、そして、撮影時と透視時のそ
れぞれの場合の時に、Ｘ線検出器に対して求められる要
求の両方を従来よりも簡単にかつ同時に満足し、さら
に、入射Ｘ線のうち信号として利用できる割合を向上さ
せることができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。図４は、本発明の第一の実
施形態のＸ線撮像装置におけるＸ線検出器の全体構成を
模式的に示す図である。

【００１３】このＸ線検出器は、Ｘ線検出領域を形成す
る複数のＸ線検出素子１２８と、これらＸ線検出素子１
２８からの電荷読み出しや初期状態へのリセットのため
のスイッチングを行うＴＦＴ１２１と、このＴＦＴ１２
１への駆動信号を供給するゲートドライバ１２５と、Ｔ
ＦＴ１２１のドレイン端子に列（図４では上下方向）毎
にデータ転送ラインを介して共通に接続される積分回路
１２６（主にリードアウトアンプとコンデンサによって
構成されている）と、この複数の積分回路１２６に接続
され画素情報を時系列的に出力するマルチプレクサ１２
７と全てのＸ線検出素子１２８にわたって配置された補
助容量用電極１１９とを備える。

【００１４】次に、Ｘ線検出素子１２８及びＴＦＴ１２
１の詳細構成を図１を用いて説明する。Ｘ線検出素子１
２８は主に、ｎ＋層１０９、ｉ層１１０及びｐ+ 層１
１１ｌからなるｐｉｎ構造のフォトダイオード、透明電
極１１３、ソース電極１０６、補助容量用電極１１９、
ソース電極１０６と補助容量用電極１１９の間に配置さ
れるＳｉＯｘ層１０３、及び蛍光体１１７によってこう
されており、ＴＦＴ１２１はソース電曲１０６、ドレイ
ン電極１０５、ゲート電極１０２、ａ・Ｓｉ（アモルフ
ァスシリコン）層１０４、及びｎ+ ａ・Ｓｉ層１０７、
１０８によって構成される。光反射膜１１８はＸ線以外
の可視光が蛍光体１１７に入射するのを防止するために
設けられている。金属電極１１４は離間する透明電極１
１３を電気的に接続する働きとＴＦＴ領域への光入射を
防止する働きとを持っている。第１のポリミイド層１１
２は隙間を埋めるために設けられたものであるが、必ず
しも充填されるべきものではない。第２のポリミイド層
１１５は透明保護膜１１６と透明電極１１３とを接着す
るための透光性接着剤としての働きを持っているが製造
法によっては省略可能なものである。

【００１５】次に、Ｘ線検出素子１２８の周辺の部分的
構成を拡大したものを図２に示す。図２に示すように、
本発明の第１の実施形態のＸ線撮像装置におけるＸ線半
導体平面検出器を構成するＸ線検出素子において、ＴＦ
Ｔ１２１のゲート端子はライン毎にゲート駆動ラインと
して共通に接続されている。また、前記ＴＦＴ１２１の
ドレイン端子は列毎にデータ信号ラインとして共通に接
続されている。そして、前記ＴＦＴ１２１のソース端子
はソース電極１０６に接続されている。これらは、それ
ぞれＴＦＴを含めた一つのＸ線検出素子毎に構成され、
列及びラインにアレイ状に２次元的にそれらが配列され
ているわけであるが、それに加えて、前記ソース電極の
下部に、前記ソース電極１０６に対して平行な位置に前
記補助容量用電極が設置されている。そして、前記ソー
ス電極１０６と前記補助容量用電極１１９の間の隙間
は、ＳｉＯｘで占められている。

【００１６】この前記補助容量用電極１１９は、図２の
中の破線で示したように、各Ｘ線検出素子毎に設置され
ているのではなく、Ｘ線検出器全体に対して１枚である
ことに特徴がある。図２には明示していなかったが、透
明電極１１３も通常は各Ｘ線検出素子毎に設置されてい
るのではなく、Ｘ線検出器全体に対して１枚として形成
され、各Ｘ線検出素子毎に設置されているのは、ソース
電極１０６のみである。この様な構成の等価回路を模式
的に表すと図３のようになる。

【００１７】図３で示すように、リードアウトアンプ１
２２と蓄積用コンデンサ１２３（通常はフォトダイオー
ド自身が持つ静電容量が蓄積用コンデンサの役割を果た
すが、便宜上ここでは別けておく。）との接続点は、Ｔ
ＦＴ１２１のドレイン端子に接続され、ＴＦＴ１２１の
ソース端子は、ソース電極に接続されている。これら
は、各Ｘ線検出素子毎に設置される。また、透明電極１
１３と補助容量用電極１１９はそれぞれソース電極１０
６の上部、下部に設置され、しかも、共にＸ線検出器全
体に対して１枚で形成される。ここで、前記ソース電極
１０６と前記透明電極１１３との間の隙間はｐｉｎダイ
オード（材質としてはａ・Ｓｉ）で占められ、前記ソー
ス電極１０６と前記補助容量用電極１１９との間の隙間
は、ＳｉＯｘで占められる。一方、前記透明電極１１３
は、逆バイアス電源（−Ｖｎ）に接続され、前記逆バイ
アス電源（−Ｖｎ）と前記補助容量用電極１１９は、ス
イッチＳＷｂを介して接続可能な状態になっている。

【００１８】まず透視の場合、スイッチＳＷｂは開いた
状態にしておく。そして、ＴＦＴ１２１をＯＮにする。
すると、逆バイアス電源（−Ｖｎ）により、透明電極１
１３に負の電荷、ソース電極１０６に正の電荷が蓄積さ
れた状態になる。このように充電された後、ＴＦＴ１２
１をＯＦＦにする。この状態で低線量のＸ線をＸ線管か
ら被検体に向けて照射する。被検体により減衰を受けて
透過したＸ線は、光反射層１１８を透過して蛍光体１１
７に入射し、蛍光体１１７で入射Ｘ線は可視光に変換さ
れる。そして、この可視光が透明保護膜１１６及び第二
のポリイミド樹脂層１１５を透過し、さらに透明電極１
１３を介して可視光に感度のあるフォトダイオード１２
４（ｎ+ 層１０９、ｉ層１１０、ｐ+ 層１１１）により
受光され、光の強弱に応じた電荷量に変換され、そのフ
ォトダイオード１２４により発生した電荷は、透明電極
１１３とソース電極１０６に流れ込み、予め充電されて
いた電荷を打ち消す。その打ち消される電荷の量は被検
体からの透過Ｘ線量に対応する。そして、ＴＦＴ１２１
を再びＯＮにする。そうすると、はじめと同じように、
打ち消された電荷の量を補う分だけ逆バイアス電源（−
Ｖｎ）により、透明電極１１３に負の電荷、ソース電極
１０６に正の電荷が供給され、充電された状態になる。
この充電された電荷量を積分回路１２６により検出する
ことによって、各Ｘ線検出素子毎に入射したＸ線の強度
に応じた出力を得ることができる。

【００１９】また撮影の場合、スイッチＳＷｂは閉じた
状態にしておく。そして、ＴＦＴ１２１をＯＮにする。
すると、逆バイアス電源（−Ｖｎ）により、透明電極１
１３に負の電荷、ソース電極１０６に正の電荷が蓄積さ
れた状態になると同時にスイッチＳＷｂを閉じた状態に
してあるので、逆バイアス電源（−Ｖｎ）により補助容
量用電極１１９にも負の電荷が蓄積される。つまり、ソ
ース電極１０６と逆バイアス電源（ーＶｎ）との静電容
量が増加するため、ソース電極１０６に蓄積される電荷
が多くなるのである。このように充電された後、ＴＦＴ
１２１をＯＦＦにする。この状態で透視の時よりも高線
量のＸ線をＸ線管から被検体に向けて照射する。被検体
により減衰を受けて透過したＸ線は、透視の場合と同様
にして、光反射層１１８を透過して蛍光体１１７に入射
され、蛍光体１１７で入射Ｘ線のエネルギーは光のエネ
ルギー（可視光）に変換される。そして、この可視光が
透明保護膜１１６及び第二のポリイミド樹脂層１１５を
透過し、さらに透明電極１１３を介して可視光に感度の
あるフォトダイオード１２４（ｎ+ 層１０９、ｉ層１１
０、ｐ+ 層１１１）により受光される。その後、入射Ｘ
線のエネルギーは、このフォトダイオード１２４によ
り、光の強弱に比例した電荷量に変換され、そのフォト
ダイオード１２４により発生した電荷は、透明電極１１
３とソース電極１０６に流れ込み、予め充電されていた
電荷を打ち消す。その打ち消される電荷の量は入射した
Ｘ線の強度に対応しているので透視の場合よりもその打
ち消される電荷の量は多い。そして、ＴＦＴ１２１を再
びＯＮにする。そうすると、はじめと同じように、打ち
消された電荷の量を補う分だけ逆バイアス電源（−Ｖ
ｎ）により電荷が供給され、充電された状態になる。そ
して、透視の場合と同様に、この充電された電荷量を積
分回路１２６により検出することによって、各Ｘ線検出
素子毎に入射したＸ線の強度に応じた出力を得ることが
できる。

【００２０】このように、透視の場合、スイッチＳＷｂ
を開けた状態にしておくことによって補助容量用電極を
使わないようにする。こうしてＸ線検出器全体の容量を
小さい状態にしておくことにより、読み出し時定数は小
さくすることができる。そのことにより、画像読み出し
レートを速くすることが可能になる。

【００２１】一方、撮影の場合、スイッチＳＷｂを閉じ
た状態にしておくことによって補助容量を活用し、ＴＦ
ＴがＯＦＦの時にソース電極１０６に充電される電荷量
を増大させるようにする。このことによって読み出し時
定数は大きくなるが、ソース電極１０６に充電される電
荷量が増大した分、入射Ｘ線量、即ち信号電荷量を増大
させることができるので、画像のＳ／Ｎ比の向上をはか
ることが可能となる。

【００２２】しかもこの構成によれば、撮影と透視のそ
れぞれの場合にＸ線検出器に対して要求されること、即
ち、撮影の場合はＸ線検出器の蓄積用コンデンサの容量
を大きくすることであり、透視の場合は読み出し時定数
を小さくすること、これらのことをＸ線検出器全体で一
つのスイッチＳＷｂを用いるだけで実現できる。その点
からみて、従来よりも実用的であり、また、Ｘ線検出器
全体に対してスイッチを一つと従来よりもスイッチの数
を極端に減らすことができるため、フォトダイオードの
占める面積を増加させることができ、そのことにより、
入射Ｘ線のうち信号として利用できる割合を高くするこ
とが可能となり、以て、画像のＳ／Ｎ比の向上をはかる
ことができる。

【００２３】上記補助容量用電極の材質として、Ａｌや
ＭｏＴａ、ＭｏＷを使用しても上記と同様の実施の形態
によりまったく同様の効果を得ることができる。次に、
本発明の第二の実施形態を図７〜図１０を用いて説明す
る。

【００２４】本発明の第一の実施形態では、蛍光体とフ
ォトダイオードとでＸ線を検出するものであったが、こ
こでは、ａ・Ｓｅ（アモルファスセレン）膜のようなＸ
線を直接検出できる膜を用いるＸ線検出器を本発明の第
二の実施形態として挙げる。

【００２５】従来このようなタイプのＸ線検出器は図７
に示すように、Ｘ線を直接入射させた時、電荷を発生さ
せるａ・Ｓｅ膜２０２と、その電荷を収集する電荷収集
用電極２０３と、電荷を蓄積する信号蓄積容量２０４
と、電荷を読み出す（出力する）ためのＴＦＴ１２１か
ら構成され、図８のように、前記電荷収集用電極２０３
及び前記信号蓄積容量２０４からなるＸ線検出素子（前
記ＴＦＴ１２１をＸ線検出素子に含めてもよい）を一素
子として、これを列及びラインにアレイ状に２次元的に
配列して構成されている。

【００２６】さらに、前記ＴＦＴ１２１のゲート端子
は、ライン毎にゲート駆動ラインとして共通に接続さ
れ、ゲートドライバの各ライン出力端子に接続されてい
る。また、前記ＴＦＴ１２１のドレイン端子は列毎にデ
ータ信号ラインとして共通に接続され、リードアウトア
ンプとコンデンサとからなる積分回路１２６に接続され
ている。

【００２７】前記Ｘ線検出素子の電荷蓄積容量の構成は
図９に示すように、支持体１０１上の複数のＴＦＴ領域
にはゲート電極１０２が形成され、その上に誘電体層２
０８が形成されている。この誘電体層２０８の上にはａ
・Ｓｉ層１０４、亜硝酸ケイ素２０７，ドレイン電極１
０５、及びソース電極１０６が形成されている。そし
て、前記ドレイン電極１０５と前記ソース電極１０６と
は、前記ａ・Ｓｉ層１０４を介して接続されており、直
接接触しないようになっている。

【００２８】また、前記ドレイン電極１０５及び前記ソ
ース電極１０６と前記ａ・Ｓｉ層１０４との間の隙間に
はｎ+ 層１０９が形成されている。以上によりＴＦＴ領
域が形成されている。

【００２９】一方、支持体１０１上の複数のＸ線検出領
域には、グランド電極２０５，誘電体層２０８、信号電
極２０６、及び補助容量用電極１１９が形成されてい
る。さらに、このグランド電極２０５と補助容量用電極
１１９は、それぞれ各Ｘ線検出素子間で接続されてお
り、一か所にＴＦＴがあってＯＮ／ＯＦＦできる。図１
０に示すように、バイアス電源Ｖｂ、ａ・Ｓｅ膜２０
２、信号電極２０６、及び前記グランド電極２０５は直
列に接続されている。そして、前記補助容量用電極１１
９は、スイッチＳＷｃを介して前記グランド電極２０５
と並列に接続可能な状態になっている。そして、この全
体の上部にａ・Ｓｅ膜がある。

【００３０】まず透視の場合、スイッチＳＷｃは開いた
状態にしておく。一方、前記信号電極２０６、及び前記
ゲランド電極２０５に蓄積されている電荷がない状態で
前記ＴＦＴ１２１をＯＦＦにする。この後で低線量のＸ
線をＸ線管から被検体に向けて曝射する。被検体により
減衰を受けて透過したＸ線がバイアスを印可したａ・Ｓ
ｅ膜２０２に入射すると電子ー正孔対を生じ、この入射
したＸ線の強度に比例した量の電荷は前記電荷収集用電
極２０３で収集され、その収集された電荷は前記信号電
極２０６、及び前記グランド電極２０５（前記信号蓄積
容量２０４）に蓄積される。これを前記ＴＦＴ１２１を
ＯＮすることにより外部に読み出す（出力する）。

【００３１】また撮影の場合、スイッチＳＷｃは閉じた
状態にしておく。一方、透視の場合と同様に、前記信号
電極２０６、及び前記ゲランド電極２０５に蓄積されて
いる電荷がない状態で前記ＴＦＴ１２１をＯＦＦにす
る。この後で透視の時よりも高線量のＸ線をＸ線管から
被検体に向けて曝射する。被検体により減衰を受けて透
過したＸ線がバイアスを印可したａ・Ｓｅ膜２０２に入
射すると電子ー正孔対を生じ、この入射したＸ線の強度
に比例した量の電荷は前記電荷収集用電極２０３で収集
され、その収集された電荷は前記信号電極２０６、前記
グランド電極２０５、及び前記補助容量用電極１１９
（前記信号蓄積容量２０４）に蓄積される。これを前記
ＴＦＴ１２１をＯＮすることにより外部に読み出す（出
力する）。

【００３２】この第二の実施の形態として考えたＸ線検
出器の場合も、画像の読み出しの速さは、Ｘ線検出器に
おける電荷蓄積容量とＴＦＴのＯＮ抵抗の積で定義され
る読み出し時定数で決まる。

【００３３】従って、透視の場合はスイッチＳＷｃを開
けた状態にしておくことによって補助容量用電極を使わ
ないようにし、Ｘ線検出器全体の容量を減らすことによ
って読み出し時定数は小さくすることができる。Ｘ線検
出器全体の容量が減った分だけ信号電荷量は減少する
が、画像読み出し速度を速くすることが可能になる。

【００３４】一方、撮影の場合、スイッチＳＷｂを閉じ
た状態にしておくことによって補助容量用電極を活用
し、ＴＦＴがＯＦＦの時に信号電極に蓄積することがで
きる電荷量を増大させるようにする。このことによって
読み出し時定数は大きくなるが、蓄積される電荷量が増
大した分、入射Ｘ線量、即ち信号電荷量を増大させるこ
とができるので、画像のＳ／Ｎ比の向上をはかることが
可能となる。

【００３５】しかも、撮影と透視のそれぞれの場合、以
上のことをＸ線検出器全体で一つのスイッチＳＷｃを用
いるだけで実現できる。その点からみて、従来よりも実
用的である。

【００３６】以上実施の形態では、Ｘ線検出器全体で一
つの補助容量用電極と一つのスイッチを用いた場合を例
にとって説明したが、例えば複数の画素毎に一つの補助
容量用電極を設け、その補助容量用電極ごとにスイッチ
を設けてもよい。また、補助容量用電極はすべての画素
毎でなく、幾つかの画素に一つ設け、その補助容量用電
極にスイッチ設けるという形態でもよい。

【００３７】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、撮影と透
視の両方に使用した場合、従来よりもさらに実用的でか
つ、撮影時と透視時のそれぞれの場合の時に、Ｘ線検出
器に対して要求されること、即ち、撮影の場合はＸ線検
出器の蓄積用コンデンサの容量を大きくすることであ
り、透視の場合は読み出し時定数を小さくすること、こ
れらのことの両方を従来よりも簡単にかつ同時に満足
し、さらに、入射Ｘ線のうち信号として利用できる割合
を向上させるようなＸ線検出器を持ったＸ線撮像装置を
提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一の実施の形態のＸ線撮像装置にお
けるＸ線検出器を構成するＸ線検出素子の要部構造を示
す断面図。

【図２】本発明の第一の実施の形態のＸ線撮像装置にお
けるＸ線検出器の要部構成を示す回路図。

【図３】本発明の第一の実施の形態のＸ線撮像装置にお
けるＸ線検出器の要部構成の概略を示す回路図。

【図４】本発明の第一の実施の形態のＸ線撮像装置にお
けるＸ線検出器の全体構成を模式的に示す図。

【図５】従来のＸ線撮像装置におけるＸ線検出器を構成
するＸ線検出素子を示す回路図。

【図６】従来のＸ線撮像装置におけるＸ線検出器を構成
するＸ線検出素子を示す回路図。

【図７】従来のＸ線撮像装置におけるＸ線検出器の要部
構成を示す断面図。

【図８】本発明の第二の実施の形態のＸ線撮像装置にお
けるＸ線検出器の要部構成を示す回路図。

【図９】本発明の第二の実施の形態のＸ線撮像装置にお
けるＸ線検出器の要部構成を示す断面図。

【図１０】本発明の第二の実施の形態のＸ線撮像装置に
おけるＸ線検出器を構成するＸ線検出素子の要部構成を
示す回路図。

【符号の説明】

１１９補助容量用電極１２１スイッチング素子１２２リードアウトアンプ１２３蓄積用コンデンサ１２４フォトダイオード１２５ゲートドライバ１２６積分回路１２７マルチプレクサ１２８Ｘ線検出素子２０１第一の信号電極２０２ａ・Ｓｅ（アモルファスセレン）膜２０３電荷収集用電極２０４信号蓄積容量２０５グランド電極２０６第二の信号電極２０７亜硝酸ケイ素２０８誘電体層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被検体に向けてＸ線を曝射するＸ線発生手
段と、前記被検体からの透過Ｘ線を電荷に変換しアレイ
状に配列された複数のＸ線電気変換手段と、このＸ線電
気変換手段に発生する電荷を蓄積する第一の静電容量
と、前記複数のＸ線電気変換手段の内の少なくとも２つ
以上に対応するように且つ全てのＸ線電気変換手段に渡
って配置される１以上の第２の静電容量用電極と、前記
第２の静電容量用電極を有効にするスイッチと、前記複
数のＸ線電気変換手段に発生する電荷相当量を読み出す
電荷読み出し手段と、この読み出し手段から読み出され
た電荷に基づいてＸ線画像を表示する表示手段とを備え
たことを特徴とするＸ線撮像装置。
【請求項２】前記Ｘ線電気変換手段は、蛍光体とフォト
ダイオードであることを特徴とする請求項１記載のＸ線
撮像装置。
【請求項３】前記Ｘ線電気変換手段は、光導電体である
ことを特徴とする請求項１記載のＸ線撮像装置。
【請求項４】前記複数のＸ線電気変換手段に発生する電
荷相当量を読み出す電荷読み出し手段は、薄膜トランジ
スタによるものであることを特徴とする請求項１記載の
Ｘ線撮像装置。