JP2001262058A - シリコン膜形成用組成物およびシリコン膜の形成方法 - Google Patents
シリコン膜形成用組成物およびシリコン膜の形成方法Info
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シクロペンタシランを出発物質として溶液法
により、支持体上に均一な膜厚と鏡面を持つシリコン膜
を短時間で形成するための組成物および方法を提供す
る。 【解決手段】 シクロペンタシランおよびラジカル開始
剤を含有する溶液組成物を調製し、この溶液組成物を、
場合により紫外線照射に付したのち、支持体上に塗布し
て塗膜を形成し、次いでこの塗膜を加熱してシリコン膜
を生成せしめることによる、支持体上にシリコン膜を形
成する。
により、支持体上に均一な膜厚と鏡面を持つシリコン膜
を短時間で形成するための組成物および方法を提供す
る。 【解決手段】 シクロペンタシランおよびラジカル開始
剤を含有する溶液組成物を調製し、この溶液組成物を、
場合により紫外線照射に付したのち、支持体上に塗布し
て塗膜を形成し、次いでこの塗膜を加熱してシリコン膜
を生成せしめることによる、支持体上にシリコン膜を形
成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は支持体上にシリコン
膜を形成するための溶液組成物およびそれを用いたシリ
コン膜の形成方法に関する。さらに詳しくは、シクロペ
ンタシランを出発シリコン源として支持体上にシリコン
膜を形成する方法に関する。
膜を形成するための溶液組成物およびそれを用いたシリ
コン膜の形成方法に関する。さらに詳しくは、シクロペ
ンタシランを出発シリコン源として支持体上にシリコン
膜を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】特開昭６０−２４２６１２号公報には、
下記式
下記式
【０００３】
【化２】
【０００４】（ここでｎは３、４または５であり、Ｒは
ＨまたはＳｉＨ3である）で表される環式シラン化合物
およびハロゲン化合物の気体状雰囲気を、支持体が配置
された体積室内に形成し、次いでこれらの化合物に熱エ
ネルギーを与えて上記支持体上にシリコン原子を含む堆
積膜を製造する方法が開示されている。上記公報には、
上記式で表される環式シラン化合物は熱エネルギーによ
り効率良い励起、分解が得られず、良好な成膜速度が得
られないこと、そしてこれを解決するため、ハロゲン化
合物例えばＣｌ2、Ｂｒ2、Ｉ2、Ｆ2等が用いられること
が開示されている。上記方法は気相法であり、大掛かり
な装置を必要としまた堆積膜の形成に比較的長時間を要
すると言える。
ＨまたはＳｉＨ3である）で表される環式シラン化合物
およびハロゲン化合物の気体状雰囲気を、支持体が配置
された体積室内に形成し、次いでこれらの化合物に熱エ
ネルギーを与えて上記支持体上にシリコン原子を含む堆
積膜を製造する方法が開示されている。上記公報には、
上記式で表される環式シラン化合物は熱エネルギーによ
り効率良い励起、分解が得られず、良好な成膜速度が得
られないこと、そしてこれを解決するため、ハロゲン化
合物例えばＣｌ2、Ｂｒ2、Ｉ2、Ｆ2等が用いられること
が開示されている。上記方法は気相法であり、大掛かり
な装置を必要としまた堆積膜の形成に比較的長時間を要
すると言える。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、支持
体上に溶液のコーティング・焼成法によりシリコン膜、
特にアモルファスシリコン膜や多結晶シリコン膜を形成
するための溶液組成物およびその製造方法を提供するこ
とにある。本発明のさらに他の目的は、支持体上に、均
一な膜厚と鏡面を持つシリコン膜を短時間で形成する方
法を提供することにある。本発明のさらに他の目的およ
び利点は、以下の説明から明らかになろう。
体上に溶液のコーティング・焼成法によりシリコン膜、
特にアモルファスシリコン膜や多結晶シリコン膜を形成
するための溶液組成物およびその製造方法を提供するこ
とにある。本発明のさらに他の目的は、支持体上に、均
一な膜厚と鏡面を持つシリコン膜を短時間で形成する方
法を提供することにある。本発明のさらに他の目的およ
び利点は、以下の説明から明らかになろう。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、本発明
の上記目的および利点は、第１に、下記式（Ａ）
の上記目的および利点は、第１に、下記式（Ａ）
【０００７】
【化３】
【０００８】で表されるシクロペンタシランおよびラジ
カル発生剤を含有するシリコン膜形成用溶液組成物によ
って達成される。
カル発生剤を含有するシリコン膜形成用溶液組成物によ
って達成される。
【０００９】本発明によれば、本発明の上記目的および
利点は、第２に、上記式（Ａ）で表されるシクロペンタ
シランおよびラジカル開始剤を含有する溶液組成物を調
製し、（２）この溶液組成物を支持体上に塗布して塗膜
を形成し、次いで（３）この塗膜を加熱してシリコン膜
を生成せしめる、ことを特徴とする、支持体上にシリコ
ン膜を形成する方法（以下、本発明の第１方法というこ
とがある）によって達成される。
利点は、第２に、上記式（Ａ）で表されるシクロペンタ
シランおよびラジカル開始剤を含有する溶液組成物を調
製し、（２）この溶液組成物を支持体上に塗布して塗膜
を形成し、次いで（３）この塗膜を加熱してシリコン膜
を生成せしめる、ことを特徴とする、支持体上にシリコ
ン膜を形成する方法（以下、本発明の第１方法というこ
とがある）によって達成される。
【００１０】さらに、本発明の上記目的および利点は、
第３に、（１）上記式（Ａ）で表されるシクロペンタシ
ランを含有する溶液組成物を調製し、（２）この溶液組
成物を、紫外線の照射に付したのち、支持体上に塗布し
て塗膜を形成し、次いで（３）この塗膜を加熱してシリ
コン膜を生成せしめる、ことを特徴とする支持体上にシ
リコン膜を形成する方法（以下、本発明の第２方法とい
う）によって達成される。
第３に、（１）上記式（Ａ）で表されるシクロペンタシ
ランを含有する溶液組成物を調製し、（２）この溶液組
成物を、紫外線の照射に付したのち、支持体上に塗布し
て塗膜を形成し、次いで（３）この塗膜を加熱してシリ
コン膜を生成せしめる、ことを特徴とする支持体上にシ
リコン膜を形成する方法（以下、本発明の第２方法とい
う）によって達成される。
【００１１】本発明のシリコン膜形成用溶液組成物は、
上記式（Ａ）で表されるシクロペンタシランとラジカル
発生剤を含有する。シクロペンタシランは、例えばジフ
ェニルジクロロシランをテトラヒドロフラン中金属リチ
ウムで環化せしめてデカフェニルシクロペンタシランを
生成せしめ、次いで塩化アルミニウムの存在下、塩化水
素で処理しさらにリチウム水素化アルミニウム、シリカ
ゲルで処理することにより製造することができる。
上記式（Ａ）で表されるシクロペンタシランとラジカル
発生剤を含有する。シクロペンタシランは、例えばジフ
ェニルジクロロシランをテトラヒドロフラン中金属リチ
ウムで環化せしめてデカフェニルシクロペンタシランを
生成せしめ、次いで塩化アルミニウムの存在下、塩化水
素で処理しさらにリチウム水素化アルミニウム、シリカ
ゲルで処理することにより製造することができる。
【００１２】また、本発明で用いられるラジカル発生剤
としては、熱および／または光により、ラジカルを発生
する化合物である。このような化合物としては、ビイミ
ダゾール系化合物、ベンゾイン系化合物、トリアジン系
化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化
合物、α−ジケトン系化合物、多核キノン系化合物、キ
サントン系化合物、アゾ系化合物等を挙げることができ
る。これらのうちでもビイミダゾール系化合物、トリア
ジン系化合物、アセトフェノン系化合物、アゾ系化合物
が好ましい。上記ビイミダゾール化合物としては、例え
ば２,２’−ビス（２−クロロフェニル）−４,４’,５,
５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）
−１,２’−ビイミダゾール、２,２’−ビス（２−ブロ
モフェニル）−４,４’,５,５’−テトラキス（４−エ
トキシカルボニルフェニル）−１,２’−ビイミダゾー
ル、２,２’−ビス（２−クロロフェニル）−４,４’,
５,５’−テトラフェニル−１,２’−ビイミダゾール、
２,２’−ビス（２,４−ジクロロフェニル）−４,４’,
５,５’−テトラフェニル−１,２’−ビイミダゾール、
２,２’−ビス（２,４,６−トリクロロフェニル）−４,
４’,５,５’−テトラフェニル−１,２’−ビイミダゾ
ール、２,２’−ビス（２−ブロモフェニル）−４,
４’,５,５’−テトラフェニル−１,２’−ビイミダゾ
ール、２,２’−ビス（２,４−ジブロモフェニル）−
４,４’,５,５’−テトラフェニル−１,２’−ビイミダ
ゾール、２,２’−ビス（２,４,６−トリブロモフェニ
ル）−４,４’,５,５’−テトラフェニル−１,２’−ビ
イミダゾール等を挙げることができる。これらのビイミ
ダゾール系化合物のうち、好ましい化合物は２,２’−
ビス（２−クロロフェニル）−４,４’,５,５’−テト
ラフェニル−１,２’−ビイミダゾール、２,２’−ビス
（２,４−ジクロロフェニル）−４,４’,５,５’−テト
ラフェニル−１,２’−ビイミダゾール、２,２’−ビス
（２,４,６−トリクロロフェニル）−４,４’,５,５’
−テトラフェニル−１,２’−ビイミダゾールであり、
特に好ましい化合物は２,２’−ビス（２,４−ジクロロ
フェニル）−４,４’,５,５’−テトラフェニル−１,
２’−ビイミダゾールである。また、上記トリアジン系
化合物の具体例としては、２,４,６−トリス（トリクロ
ロメチル）−ｓ−トリアジン、２−メチル−４,６−ビ
ス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−
（５−メチルフラン−２−イル）エテニル］−４,６−
ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２
−（フラン−２−イル）エテニル］−４,６−ビス（ト
リクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（４−
ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル］−
４,６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、
２−［２−（３,４−ジメトキシフェニル）エテニル］
−４,６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジ
ン、２−（４−メトキシフェニル）−４,６−ビス（ト
リクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−エトキ
シスチリル）−４,６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ
−トリアジン、２−（４−ｎ−ブトキシフェニル）−
４,６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン等
のハロメチル基を有するトリアジン系化合物を挙げるこ
とができる。これらのトリアジン系化合物のうち、２−
［２−（３,４−ジメトキシフェニル）エテニル］−４,
６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンが好ま
しい。これらトリアジン系化合物は、単独でまたは２種
以上を混合して使用することができる。上記アセトフェ
ノン系化合物の具体例としては、２−ヒドロキシ−２−
メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、２−メチル
−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォ
リノプロパノン−１、２−ベンジル−２−ジメチルアミ
ノ−１−（４−モルフォリノフェニル）ブタノン−１、
１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、
２,２−ジメトキシ−１,２−ジフェニルエタン−１−オ
ン等を挙げることができる。これらのアセトフェノン系
化合物のうち、特に、２−ベンジル−２−ジメチルアミ
ノ−１−（４−モルフォリノフェニル）ブタノン−１が
好ましい。これらのアセトフェノン系化合物は、単独
で、または２種以上を混合して使用することができる。
前記アゾ系化合物の具体例としては、２,２’−アゾビ
ス（４−メトキシー２,４−ジメチルバレロニトリ
ル）、２,２’−アゾビス（４−ジメチルバレロニトリ
ル）、２,２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリ
ル）、２,２’−アゾビス（２−メチルブチロニトリ
ル）、１,１’−アゾビス（シクロヘキサンー１−カル
ボニトリル）、４,４’−アゾビス（４−シアノバレリ
ックアシッド）、１,１’−アゾビス（１−アセトキシ
ー１−フェニルエタン）等を挙げることができる。これ
らのアゾ系化合物のうち、特に２,２’−アゾビス（４
−メトキシ−２,４−ジメチルバレロニトリル）、２,
２’−アゾビス（４−ジメチルバレロニトリル）、２,
２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）、２,
２’−アゾビスブチロニトリル、２,２’−アゾビス
（２−メチルブチロニトリル）、１,１’−アゾビス
（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）等が好ましく
使用できる。さらに、ラジカル発生剤としては、過酸化
ベンゾイル、過酸化ラウロイルの如きジアシロイルペル
オキシドおよび下記式
としては、熱および／または光により、ラジカルを発生
する化合物である。このような化合物としては、ビイミ
ダゾール系化合物、ベンゾイン系化合物、トリアジン系
化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化
合物、α−ジケトン系化合物、多核キノン系化合物、キ
サントン系化合物、アゾ系化合物等を挙げることができ
る。これらのうちでもビイミダゾール系化合物、トリア
ジン系化合物、アセトフェノン系化合物、アゾ系化合物
が好ましい。上記ビイミダゾール化合物としては、例え
ば２,２’−ビス（２−クロロフェニル）−４,４’,５,
５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）
−１,２’−ビイミダゾール、２,２’−ビス（２−ブロ
モフェニル）−４,４’,５,５’−テトラキス（４−エ
トキシカルボニルフェニル）−１,２’−ビイミダゾー
ル、２,２’−ビス（２−クロロフェニル）−４,４’,
５,５’−テトラフェニル−１,２’−ビイミダゾール、
２,２’−ビス（２,４−ジクロロフェニル）−４,４’,
５,５’−テトラフェニル−１,２’−ビイミダゾール、
２,２’−ビス（２,４,６−トリクロロフェニル）−４,
４’,５,５’−テトラフェニル−１,２’−ビイミダゾ
ール、２,２’−ビス（２−ブロモフェニル）−４,
４’,５,５’−テトラフェニル−１,２’−ビイミダゾ
ール、２,２’−ビス（２,４−ジブロモフェニル）−
４,４’,５,５’−テトラフェニル−１,２’−ビイミダ
ゾール、２,２’−ビス（２,４,６−トリブロモフェニ
ル）−４,４’,５,５’−テトラフェニル−１,２’−ビ
イミダゾール等を挙げることができる。これらのビイミ
ダゾール系化合物のうち、好ましい化合物は２,２’−
ビス（２−クロロフェニル）−４,４’,５,５’−テト
ラフェニル−１,２’−ビイミダゾール、２,２’−ビス
（２,４−ジクロロフェニル）−４,４’,５,５’−テト
ラフェニル−１,２’−ビイミダゾール、２,２’−ビス
（２,４,６−トリクロロフェニル）−４,４’,５,５’
−テトラフェニル−１,２’−ビイミダゾールであり、
特に好ましい化合物は２,２’−ビス（２,４−ジクロロ
フェニル）−４,４’,５,５’−テトラフェニル−１,
２’−ビイミダゾールである。また、上記トリアジン系
化合物の具体例としては、２,４,６−トリス（トリクロ
ロメチル）−ｓ−トリアジン、２−メチル−４,６−ビ
ス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−
（５−メチルフラン−２−イル）エテニル］−４,６−
ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２
−（フラン−２−イル）エテニル］−４,６−ビス（ト
リクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（４−
ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル］−
４,６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、
２−［２−（３,４−ジメトキシフェニル）エテニル］
−４,６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジ
ン、２−（４−メトキシフェニル）−４,６−ビス（ト
リクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−エトキ
シスチリル）−４,６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ
−トリアジン、２−（４−ｎ−ブトキシフェニル）−
４,６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン等
のハロメチル基を有するトリアジン系化合物を挙げるこ
とができる。これらのトリアジン系化合物のうち、２−
［２−（３,４−ジメトキシフェニル）エテニル］−４,
６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンが好ま
しい。これらトリアジン系化合物は、単独でまたは２種
以上を混合して使用することができる。上記アセトフェ
ノン系化合物の具体例としては、２−ヒドロキシ−２−
メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、２−メチル
−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォ
リノプロパノン−１、２−ベンジル−２−ジメチルアミ
ノ−１−（４−モルフォリノフェニル）ブタノン−１、
１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、
２,２−ジメトキシ−１,２−ジフェニルエタン−１−オ
ン等を挙げることができる。これらのアセトフェノン系
化合物のうち、特に、２−ベンジル−２−ジメチルアミ
ノ−１−（４−モルフォリノフェニル）ブタノン−１が
好ましい。これらのアセトフェノン系化合物は、単独
で、または２種以上を混合して使用することができる。
前記アゾ系化合物の具体例としては、２,２’−アゾビ
ス（４−メトキシー２,４−ジメチルバレロニトリ
ル）、２,２’−アゾビス（４−ジメチルバレロニトリ
ル）、２,２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリ
ル）、２,２’−アゾビス（２−メチルブチロニトリ
ル）、１,１’−アゾビス（シクロヘキサンー１−カル
ボニトリル）、４,４’−アゾビス（４−シアノバレリ
ックアシッド）、１,１’−アゾビス（１−アセトキシ
ー１−フェニルエタン）等を挙げることができる。これ
らのアゾ系化合物のうち、特に２,２’−アゾビス（４
−メトキシ−２,４−ジメチルバレロニトリル）、２,
２’−アゾビス（４−ジメチルバレロニトリル）、２,
２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）、２,
２’−アゾビスブチロニトリル、２,２’−アゾビス
（２−メチルブチロニトリル）、１,１’−アゾビス
（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）等が好ましく
使用できる。さらに、ラジカル発生剤としては、過酸化
ベンゾイル、過酸化ラウロイルの如きジアシロイルペル
オキシドおよび下記式
【００１３】
【化４】
【００１４】で表されるシリルシクロペンタシラン等を
用いることができる。シリルシクロペンタシランは上記
のシクロペンタシランを製造する際に副生成物として得
られる。
用いることができる。シリルシクロペンタシランは上記
のシクロペンタシランを製造する際に副生成物として得
られる。
【００１５】本発明のシクロペンタシランおよびラジカ
ル発生剤を含有する溶液組成物は、これらの化合物を適
当な溶媒に溶解させることにより調製することができ
る。かかる溶媒は、シクロペンタシランとラジカル発生
剤を溶解し溶媒と反応しないものであれば特に限定され
ない。例えば、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、
トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジ
ペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタ
レン、シクロへキシルベンゼンなどの炭化水素系溶媒；
エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコ
ールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチ
ルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、
ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレング
リコールメチルエチルエーテル、１,２−ジメトキシエ
タン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオ
キサンなどのエーテル系溶媒；さらにプロピレンカーボ
ネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、
シクロヘキサノンなどの非プロトン性極性溶媒を好まし
いものとして挙げることができる。これらの内、環状ケ
イ素化合物の溶解性と該溶液の安定性の点で炭化水素系
溶媒、エーテル系溶媒がさらに好ましく、特に好ましい
溶媒としては炭化水素系溶媒を挙げることができる。こ
れらの溶媒は、単独でも、或いは２種以上の混合物とし
ても使用できる。
ル発生剤を含有する溶液組成物は、これらの化合物を適
当な溶媒に溶解させることにより調製することができ
る。かかる溶媒は、シクロペンタシランとラジカル発生
剤を溶解し溶媒と反応しないものであれば特に限定され
ない。例えば、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、
トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジ
ペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタ
レン、シクロへキシルベンゼンなどの炭化水素系溶媒；
エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコ
ールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチ
ルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、
ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレング
リコールメチルエチルエーテル、１,２−ジメトキシエ
タン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオ
キサンなどのエーテル系溶媒；さらにプロピレンカーボ
ネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、
シクロヘキサノンなどの非プロトン性極性溶媒を好まし
いものとして挙げることができる。これらの内、環状ケ
イ素化合物の溶解性と該溶液の安定性の点で炭化水素系
溶媒、エーテル系溶媒がさらに好ましく、特に好ましい
溶媒としては炭化水素系溶媒を挙げることができる。こ
れらの溶媒は、単独でも、或いは２種以上の混合物とし
ても使用できる。
【００１６】本発明の溶液組成物における固形分濃度は
形成しようとするシリコン膜の厚みによってその適当な
範囲は変動するが、例えば０.０１〜３０重量％である
のが好ましく、０.１〜２０重量％がさらに好ましく、
１〜１０重量％であるのが特に好ましい。
形成しようとするシリコン膜の厚みによってその適当な
範囲は変動するが、例えば０.０１〜３０重量％である
のが好ましく、０.１〜２０重量％がさらに好ましく、
１〜１０重量％であるのが特に好ましい。
【００１７】また、シクロペンタシランとラジカル発生
剤との割合は、シクロペンタシラン１００重量部に対し
０.０１〜３０重量部が好ましく、０.５〜２０重量部が
さらに好ましい。
剤との割合は、シクロペンタシラン１００重量部に対し
０.０１〜３０重量部が好ましく、０.５〜２０重量部が
さらに好ましい。
【００１８】本発明の第１方法について説明する。工程
（１）では、本発明の溶液組成物が、例えば上記の如く
して調製される。次に、工程（２）において、この溶液
組成物を支持体上に塗布して塗膜を形成する。支持体の
材質、形状等は特に制限はないが、材質は次工程の熱処
理に耐えられるものが好ましく、また塗膜を形成する支
持体は平面であるのが好ましい。これらの支持体の材質
の具体例としては、ガラス、金属、プラスチック、セラ
ミックスなどを挙げることができ、ガラスとしては石英
ガラス、ホウ珪酸ガラス、ソーダガラス、鉛ガラスが使
用でき、金属としては金、銀、銅、ニッケル、アルミニ
ウム、鉄の他ステンレス鋼などが使用できる、プラスチ
ックとしては、ポリイミド、ポリエーテルスルホン、さ
らにこれらの材質形状はバルク形状、板状、フィルム形
状などで特に制限されるものではない。
（１）では、本発明の溶液組成物が、例えば上記の如く
して調製される。次に、工程（２）において、この溶液
組成物を支持体上に塗布して塗膜を形成する。支持体の
材質、形状等は特に制限はないが、材質は次工程の熱処
理に耐えられるものが好ましく、また塗膜を形成する支
持体は平面であるのが好ましい。これらの支持体の材質
の具体例としては、ガラス、金属、プラスチック、セラ
ミックスなどを挙げることができ、ガラスとしては石英
ガラス、ホウ珪酸ガラス、ソーダガラス、鉛ガラスが使
用でき、金属としては金、銀、銅、ニッケル、アルミニ
ウム、鉄の他ステンレス鋼などが使用できる、プラスチ
ックとしては、ポリイミド、ポリエーテルスルホン、さ
らにこれらの材質形状はバルク形状、板状、フィルム形
状などで特に制限されるものではない。
【００１９】本発明の溶液組成物で塗膜を形成するに際
し、溶液組成物はテフロン（登録商標）製や再生セルロ
ース製のメンブランフィルターなどで固形異物を濾過し
て使用することができる。本発明の溶液組成物の塗布に
際しては、塗布方法は特に限定されない。例えばスピン
コート、ディップコート、カーテンコート、ロールコー
ト、スプレーコート、インクジェット法などにより実施
することができる。塗布は１回で行うことができ、また
複数回重ね塗りすることもできる。好適な塗膜の厚みは
固形分濃度に依存して適宜変動するが、固形分として
０.０１〜１００μｍとなる厚みが好ましく、０.１〜１
０μｍとなる厚みがさらに好ましい。
し、溶液組成物はテフロン（登録商標）製や再生セルロ
ース製のメンブランフィルターなどで固形異物を濾過し
て使用することができる。本発明の溶液組成物の塗布に
際しては、塗布方法は特に限定されない。例えばスピン
コート、ディップコート、カーテンコート、ロールコー
ト、スプレーコート、インクジェット法などにより実施
することができる。塗布は１回で行うことができ、また
複数回重ね塗りすることもできる。好適な塗膜の厚みは
固形分濃度に依存して適宜変動するが、固形分として
０.０１〜１００μｍとなる厚みが好ましく、０.１〜１
０μｍとなる厚みがさらに好ましい。
【００２０】最後に、工程（３）において、塗膜は加熱
される。加熱によって、溶液組成物中の溶媒が揮散し、
そして塗膜中のシリコン化合物が分解してシリコン膜を
生成する。工程（３）で加熱される塗膜がラジカル発生
剤を含有することにより、生成されるシリコン膜が均一
な厚みと鏡面状態に仕上がるのは驚くべきことである。
なぜなら、ラジカル発生剤を含有しない塗膜では厚みの
不均一なシリコン膜あるいは場合によっては部分的に破
れたシリコン膜が形成されることが多発するからであ
る。
される。加熱によって、溶液組成物中の溶媒が揮散し、
そして塗膜中のシリコン化合物が分解してシリコン膜を
生成する。工程（３）で加熱される塗膜がラジカル発生
剤を含有することにより、生成されるシリコン膜が均一
な厚みと鏡面状態に仕上がるのは驚くべきことである。
なぜなら、ラジカル発生剤を含有しない塗膜では厚みの
不均一なシリコン膜あるいは場合によっては部分的に破
れたシリコン膜が形成されることが多発するからであ
る。
【００２１】加熱温度は、３００℃以上とするのが好ま
しく、４００℃〜５００℃とするのがさらに好ましい。
加熱時間は３０秒から３０分程度で十分である。また、
加熱雰囲気は不活性雰囲気例えば窒素、ヘリウム、アル
ゴンなどからなる雰囲気が好ましい。これらは必要に応
じて水素などの還元性ガスを含んだものでもよい。未だ
詳細は究明されていないが、本発明者らの研究によれ
ば、この加熱により先ず溶媒が揮発し、それと同時にあ
るいはそれと前後してシクロペンタシランのラジカル的
開環反応が起こって一部がオリゴマー化し、その後この
オリゴマーおよびシクロペンタシランの熱分解により水
素を生成し同時にシリコン膜が形成されるものと信じら
れる。なお、含有されるラジカル発生剤がシリルシクロ
ペンタシランであるときにはシリル基が外れてシリルラ
ジカルとシクロペンタシラニルラジカルが生成するもの
と信じられる。
しく、４００℃〜５００℃とするのがさらに好ましい。
加熱時間は３０秒から３０分程度で十分である。また、
加熱雰囲気は不活性雰囲気例えば窒素、ヘリウム、アル
ゴンなどからなる雰囲気が好ましい。これらは必要に応
じて水素などの還元性ガスを含んだものでもよい。未だ
詳細は究明されていないが、本発明者らの研究によれ
ば、この加熱により先ず溶媒が揮発し、それと同時にあ
るいはそれと前後してシクロペンタシランのラジカル的
開環反応が起こって一部がオリゴマー化し、その後この
オリゴマーおよびシクロペンタシランの熱分解により水
素を生成し同時にシリコン膜が形成されるものと信じら
れる。なお、含有されるラジカル発生剤がシリルシクロ
ペンタシランであるときにはシリル基が外れてシリルラ
ジカルとシクロペンタシラニルラジカルが生成するもの
と信じられる。
【００２２】また、工程（３）では、必要に応じ、加熱
の前に塗膜に紫外線を照射することができる。紫外線照
射については、後述する本発明の第２方法の工程（２）
についての記載が適用される。
の前に塗膜に紫外線を照射することができる。紫外線照
射については、後述する本発明の第２方法の工程（２）
についての記載が適用される。
【００２３】かくして、本発明の第１方法によれば、支
持体の上にシリコン膜特にアモルファスシリコン膜を有
利に形成することができる。シリコン膜の厚みは、例え
ば０.００１μｍ〜１０μｍとすることができる。
持体の上にシリコン膜特にアモルファスシリコン膜を有
利に形成することができる。シリコン膜の厚みは、例え
ば０.００１μｍ〜１０μｍとすることができる。
【００２４】本発明の溶液組成物は目的の機能を損なわ
ない範囲で必要に応じてフッ素系、シリコーン系、ノニ
オン系などの表面張力調節材を微量添加することができ
る。これらの溶液は目的の機能を損なわない範囲で必要
に応じてフッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表
面張力調節材を微量添加することができる。このノニオ
ン系表面張力調節材は、溶液の塗布対象物への濡れ性を
良好化し、塗布した膜のレベルリング性を改良し、塗膜
のぶつぶつの発生、ゆず肌の発生などを防止しに役立つ
ものである。かかる非イオン性界面活性剤としては、フ
ッ化アルキル基もしくはパーフルオロアルキル基を有す
るフッ素系界面活性剤、又はオキシアルキル基を有する
ポリエーテルアルキル系界面活性剤を挙げることができ
る。前記フッ素系界面活性剤としては、Ｃ9Ｆ19ＣＯＮ
ＨＣ12Ｈ25、Ｃ8Ｆ17ＳＯ2ＮＨ−（Ｃ2Ｈ4Ｏ）6Ｈ、Ｃ9
Ｆ17Ｏ（プルロニックＬ−３５）Ｃ9Ｆ17、Ｃ9Ｆ17Ｏ
（プルロニックＰ−８４）Ｃ9Ｆ17、Ｃ9Ｆ7Ｏ（テトロ
ニック−７０４）（Ｃ9Ｆ17） 2などを挙げることができ
る。（ここで、プルロニックＬ−３５：旭電化工業
（株）製、ポリオキシプロピレン−ポリオキシエチレン
ブロック共重合体、平均分子量１,９００；プルロニッ
クＰ−８４：旭電化工業（株）製、ポリオキシプロピレ
ン−ポリオキシエチレンブロック共重合体、平均分子量
４,２００；テトロニック−７０４：旭電化工業（株）
製、Ｎ,Ｎ,Ｎ’,Ｎ’−テトラキス（ポリオキシプロピ
レン−ポリオキシエチレンブロック共重合体）、平均分
子量５,０００）などを挙げることができる。これらの
フッ素系界面活性剤の具体例としては、商品名で、エフ
トップＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２（新秋
田化成（株）製）、メガファックＦ１７１、同Ｆ１７３
（大日本インキ（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０
（旭硝子（株）製）、フロラードＦＣ−１７０Ｃ、同Ｆ
Ｃ４３０、同ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、
サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ１０１、同ＳＣ１０２、
同ＳＣ１０３、同ＳＣ１０４、同ＳＣ１０５、同ＳＣ１
０６（旭硝子（株）製）、ＢＭ−１０００、同１１００
（Ｂ.Ｍ−Ｃｈｅｍｉｅ社製）、Ｓｃｈｓｅｇｏ−Ｆｌ
ｕｏｒ（Ｓｃｈｗｅｇｍａｎｎ社製）などを挙げること
がでる。又ポリエーテルアルキル系界面活性剤として
は、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシ
エチレンアリルエーテル、ポリオキシエチレンアルキル
フェノールエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステ
ル、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソ
ルビタン脂肪酸エステル、オキシエチレンオキシプロピ
レンブロックポリマーなどを挙げることができる。これ
らのポリエーテルアルキル系界面活性剤の具体例として
は、商品名で、エマルゲン１０５、同４３０、同８１
０、同９２０、レオドールＳＰ−４０Ｓ、同ＴＷ−Ｌ１
２０、エマノール３１９９、同４１１０、エキセルＰ−
４０Ｓ、ブリッジ３０、同５２、同７２、同９２、アラ
ッセル２０、エマゾール３２０、ツィーン２０、同６
０、マージ４５（いずれも（株）花王製）、ノニボール
５５（三洋化成（株）製）などを挙げることができる。
上記以外の非イオン性界面活性剤としては、例えばポリ
オキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソ
ルビタン脂肪酸エステル、ポリアルキレンオキサイドブ
ロック共重合体などがあり、具体的にはケミスタット２
５００（三洋化成工業（株）製）、ＳＮ−ＥＸ９２２８
（サンノプコ（株）製）、ノナール５３０（東邦化学工
業（株）製）などを挙げることができる。
ない範囲で必要に応じてフッ素系、シリコーン系、ノニ
オン系などの表面張力調節材を微量添加することができ
る。これらの溶液は目的の機能を損なわない範囲で必要
に応じてフッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表
面張力調節材を微量添加することができる。このノニオ
ン系表面張力調節材は、溶液の塗布対象物への濡れ性を
良好化し、塗布した膜のレベルリング性を改良し、塗膜
のぶつぶつの発生、ゆず肌の発生などを防止しに役立つ
ものである。かかる非イオン性界面活性剤としては、フ
ッ化アルキル基もしくはパーフルオロアルキル基を有す
るフッ素系界面活性剤、又はオキシアルキル基を有する
ポリエーテルアルキル系界面活性剤を挙げることができ
る。前記フッ素系界面活性剤としては、Ｃ9Ｆ19ＣＯＮ
ＨＣ12Ｈ25、Ｃ8Ｆ17ＳＯ2ＮＨ−（Ｃ2Ｈ4Ｏ）6Ｈ、Ｃ9
Ｆ17Ｏ（プルロニックＬ−３５）Ｃ9Ｆ17、Ｃ9Ｆ17Ｏ
（プルロニックＰ−８４）Ｃ9Ｆ17、Ｃ9Ｆ7Ｏ（テトロ
ニック−７０４）（Ｃ9Ｆ17） 2などを挙げることができ
る。（ここで、プルロニックＬ−３５：旭電化工業
（株）製、ポリオキシプロピレン−ポリオキシエチレン
ブロック共重合体、平均分子量１,９００；プルロニッ
クＰ−８４：旭電化工業（株）製、ポリオキシプロピレ
ン−ポリオキシエチレンブロック共重合体、平均分子量
４,２００；テトロニック−７０４：旭電化工業（株）
製、Ｎ,Ｎ,Ｎ’,Ｎ’−テトラキス（ポリオキシプロピ
レン−ポリオキシエチレンブロック共重合体）、平均分
子量５,０００）などを挙げることができる。これらの
フッ素系界面活性剤の具体例としては、商品名で、エフ
トップＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２（新秋
田化成（株）製）、メガファックＦ１７１、同Ｆ１７３
（大日本インキ（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０
（旭硝子（株）製）、フロラードＦＣ−１７０Ｃ、同Ｆ
Ｃ４３０、同ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、
サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ１０１、同ＳＣ１０２、
同ＳＣ１０３、同ＳＣ１０４、同ＳＣ１０５、同ＳＣ１
０６（旭硝子（株）製）、ＢＭ−１０００、同１１００
（Ｂ.Ｍ−Ｃｈｅｍｉｅ社製）、Ｓｃｈｓｅｇｏ−Ｆｌ
ｕｏｒ（Ｓｃｈｗｅｇｍａｎｎ社製）などを挙げること
がでる。又ポリエーテルアルキル系界面活性剤として
は、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシ
エチレンアリルエーテル、ポリオキシエチレンアルキル
フェノールエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステ
ル、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソ
ルビタン脂肪酸エステル、オキシエチレンオキシプロピ
レンブロックポリマーなどを挙げることができる。これ
らのポリエーテルアルキル系界面活性剤の具体例として
は、商品名で、エマルゲン１０５、同４３０、同８１
０、同９２０、レオドールＳＰ−４０Ｓ、同ＴＷ−Ｌ１
２０、エマノール３１９９、同４１１０、エキセルＰ−
４０Ｓ、ブリッジ３０、同５２、同７２、同９２、アラ
ッセル２０、エマゾール３２０、ツィーン２０、同６
０、マージ４５（いずれも（株）花王製）、ノニボール
５５（三洋化成（株）製）などを挙げることができる。
上記以外の非イオン性界面活性剤としては、例えばポリ
オキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソ
ルビタン脂肪酸エステル、ポリアルキレンオキサイドブ
ロック共重合体などがあり、具体的にはケミスタット２
５００（三洋化成工業（株）製）、ＳＮ−ＥＸ９２２８
（サンノプコ（株）製）、ノナール５３０（東邦化学工
業（株）製）などを挙げることができる。
【００２５】次に、本発明の第２方法について説明す
る。工程（１）において、シクロペンタシランを含有す
る溶液組成物が調製される。この溶液組成物はラジカル
発生剤を含有していても含有していなくてもよい。ラジ
カル発生剤としては第１方法の工程（１）について記載
したものと同じものを挙げることができる。また、ここ
に記載はないが、第１方法の工程（１）について記載さ
れている事項はそのまま第２方法の工程（２）に適用さ
れると理解されるべきである。工程（２）において、上
記溶液組成物を支持体上に塗布して塗膜を形成する前
に、紫外線照射に付す。紫外線照射により、その理由は
必ずしも明らかではないが、溶液組成物の塗布能が向上
し、均一な膜厚の塗膜を容易に形成することを可能とす
る。紫外線照射は３６５ｎｍで０.１〜１００Ｊ／ｃｍ2
の紫外線量で十分である。紫外線の光源としては、低圧
あるいは高圧の水銀ランプ、重水素ランプあるいはアル
ゴン、クリプトン、キセノン等の希ガスの放電光の他、
ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザ
ー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、
ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源と
して使用することができる。これらの光源は一般には、
１０〜５０００Ｗの出力のものが用いられるが、通常１
００〜１０００Ｗで十分である。
る。工程（１）において、シクロペンタシランを含有す
る溶液組成物が調製される。この溶液組成物はラジカル
発生剤を含有していても含有していなくてもよい。ラジ
カル発生剤としては第１方法の工程（１）について記載
したものと同じものを挙げることができる。また、ここ
に記載はないが、第１方法の工程（１）について記載さ
れている事項はそのまま第２方法の工程（２）に適用さ
れると理解されるべきである。工程（２）において、上
記溶液組成物を支持体上に塗布して塗膜を形成する前
に、紫外線照射に付す。紫外線照射により、その理由は
必ずしも明らかではないが、溶液組成物の塗布能が向上
し、均一な膜厚の塗膜を容易に形成することを可能とす
る。紫外線照射は３６５ｎｍで０.１〜１００Ｊ／ｃｍ2
の紫外線量で十分である。紫外線の光源としては、低圧
あるいは高圧の水銀ランプ、重水素ランプあるいはアル
ゴン、クリプトン、キセノン等の希ガスの放電光の他、
ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザ
ー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、
ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源と
して使用することができる。これらの光源は一般には、
１０〜５０００Ｗの出力のものが用いられるが、通常１
００〜１０００Ｗで十分である。
【００２６】また、ここに記載はないが、第１方法の工
程（２）について記載された事項はそのまま第２方法の
工程（２）に適用されると理解されるべきである。工程
（３）は第１方法の工程（３）と同じであり、第１方法
の工程（３）に記載された事項がやはりそのまま適用さ
れると理解されるべきである。本発明により形成された
アモルファスシリコン膜は、太陽電池、光センサー、薄
膜トランジスター、感光ドラム、保護膜など種々の電子
デバイスに利用される。
程（２）について記載された事項はそのまま第２方法の
工程（２）に適用されると理解されるべきである。工程
（３）は第１方法の工程（３）と同じであり、第１方法
の工程（３）に記載された事項がやはりそのまま適用さ
れると理解されるべきである。本発明により形成された
アモルファスシリコン膜は、太陽電池、光センサー、薄
膜トランジスター、感光ドラム、保護膜など種々の電子
デバイスに利用される。
【００２７】
【実施例】以下に、本発明を下記実施例により詳細に説
明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。
明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。
【００２８】合成例１ 温度計、冷却コンデンサー、滴下ロートおよび攪拌装置
を取り付けた内容量が３Ｌの４つ口フラスコ内をアルゴ
ンガスで置換した後、乾燥したテトラヒドロフラン１Ｌ
とリチウム金属１８.３ｇを仕込み、アルゴンガスでバ
ブリングした。この懸濁液を０℃で攪拌しながらジフェ
ニルジクロロシラン３３３ｇを滴下ロートより添加し、
滴下終了後、室温下でリチウム金属が完全に消失するま
でさらに１２時間攪拌を続けた。反応混合物を５Ｌの氷
水に注ぎ、反応生成物を沈殿させた。この沈殿物を濾別
し、水で良く洗浄した後シクロヘキサンで洗浄し、真空
乾燥することにより白色固体１４０ｇを得た。この白色
固体はＩＲ、1Ｈ−ＮＭＲ、29Ｓｉ−ＮＭＲの各スペク
トルにより、２成分から成る混合物（以下、ケイ素化合
物の混合物Ａと称す）であることが示唆された。このケ
イ素化合物の混合物Ａを高速液体クロマトグラフィーに
より分離したところ、主生成物と副生成物の比は８：１
であることが判った。さらに、それぞれのＩＲ、1Ｈ−
ＮＭＲ、29Ｓｉ−ＮＭＲ、ＴＯＦ−ＭＳの各スペクトル
を測定し、主生成物はデカフェニルシクロペンタシラン
（以下、ケイ素化合物Ｂと称す）、副生成物はドデカフ
ェニルシクロヘキサシラン（以下、ケイ素化合物Ｃと称
す）であることを確認した。
を取り付けた内容量が３Ｌの４つ口フラスコ内をアルゴ
ンガスで置換した後、乾燥したテトラヒドロフラン１Ｌ
とリチウム金属１８.３ｇを仕込み、アルゴンガスでバ
ブリングした。この懸濁液を０℃で攪拌しながらジフェ
ニルジクロロシラン３３３ｇを滴下ロートより添加し、
滴下終了後、室温下でリチウム金属が完全に消失するま
でさらに１２時間攪拌を続けた。反応混合物を５Ｌの氷
水に注ぎ、反応生成物を沈殿させた。この沈殿物を濾別
し、水で良く洗浄した後シクロヘキサンで洗浄し、真空
乾燥することにより白色固体１４０ｇを得た。この白色
固体はＩＲ、1Ｈ−ＮＭＲ、29Ｓｉ−ＮＭＲの各スペク
トルにより、２成分から成る混合物（以下、ケイ素化合
物の混合物Ａと称す）であることが示唆された。このケ
イ素化合物の混合物Ａを高速液体クロマトグラフィーに
より分離したところ、主生成物と副生成物の比は８：１
であることが判った。さらに、それぞれのＩＲ、1Ｈ−
ＮＭＲ、29Ｓｉ−ＮＭＲ、ＴＯＦ−ＭＳの各スペクトル
を測定し、主生成物はデカフェニルシクロペンタシラン
（以下、ケイ素化合物Ｂと称す）、副生成物はドデカフ
ェニルシクロヘキサシラン（以下、ケイ素化合物Ｃと称
す）であることを確認した。
【００２９】合成例２ 上記のケイ素化合物の混合物Ａ５０ｇと乾燥したトルエ
ン５００ｍｌを１Ｌのフラスコに仕込み、塩化アルミニ
ウム２ｇを加え、室温下で塩化水素を導入し、アルゴン
雰囲気下で５時間反応を続けた。ここで別途に、水素化
リチウムアルミニウム２０ｇとジエチルエーテル２００
ｍｌを２Ｌのフラスコに仕込み、アルゴン雰囲気下、０
℃で攪拌しながら上記の反応混合物を加え、同温にて１
時間撹拌後さらに室温で１２時間撹拌を続けた。反応混
合物よりアルミ化合物を除去し溶媒を留去したところ粘
稠な油状物が５ｇ得られた。このものはＩＲ、1Ｈ−Ｎ
ＭＲ、29Ｓｉ−ＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳの各スペクトルよ
り、シクロペンタシラン（以下、ケイ素化合物Ｄと称
す）およびシリルシクロペンタシラン（以下、ケイ素化
合物Ｅと称す）を８：１の比で含む混合物（以下、ケイ
素化合物の混合物Ｆ）であることが判った。
ン５００ｍｌを１Ｌのフラスコに仕込み、塩化アルミニ
ウム２ｇを加え、室温下で塩化水素を導入し、アルゴン
雰囲気下で５時間反応を続けた。ここで別途に、水素化
リチウムアルミニウム２０ｇとジエチルエーテル２００
ｍｌを２Ｌのフラスコに仕込み、アルゴン雰囲気下、０
℃で攪拌しながら上記の反応混合物を加え、同温にて１
時間撹拌後さらに室温で１２時間撹拌を続けた。反応混
合物よりアルミ化合物を除去し溶媒を留去したところ粘
稠な油状物が５ｇ得られた。このものはＩＲ、1Ｈ−Ｎ
ＭＲ、29Ｓｉ−ＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳの各スペクトルよ
り、シクロペンタシラン（以下、ケイ素化合物Ｄと称
す）およびシリルシクロペンタシラン（以下、ケイ素化
合物Ｅと称す）を８：１の比で含む混合物（以下、ケイ
素化合物の混合物Ｆ）であることが判った。
【００３０】合成例３ ケイ素化合物の混合物Ａ ８５ｇを酢酸エチル４Ｌで再
結晶すると、純粋なケイ素化合物Ｂが５５ｇ得られた。
かくして得られたケイ素化合物Ｂ ５０ｇを合成例２に
準じた工程に付すと、純粋なケイ素化合物Ｄ５ｇが得ら
れた。このものは、ガスクロマトグラフィーにより純度
９９％以上であることを確認した。
結晶すると、純粋なケイ素化合物Ｂが５５ｇ得られた。
かくして得られたケイ素化合物Ｂ ５０ｇを合成例２に
準じた工程に付すと、純粋なケイ素化合物Ｄ５ｇが得ら
れた。このものは、ガスクロマトグラフィーにより純度
９９％以上であることを確認した。
【００３１】実施例１ アルゴン雰囲気下、合成例２で得られたケイ素化合物の
混合物Ｆ ５ｇをトルエン９５ｇに溶解して溶液を調製
した。この溶液をアルゴン雰囲気下にて石英基板にスピ
ンコートしケイ素化合物の混合物Ｆの膜を形成した。こ
の塗布基板をアルゴン雰囲気中で５００℃にて５分加熱
すると基板上にはシリコンの膜が残留した。このシリコ
ン膜はラマン散乱スペクトルから、１００％アモルファ
ス状態であった。このアモルファス状態のシリコンにＸ
ｅＣｌエキシマレーザー（３０８ｎｍ）を照射したとこ
ろ、シリコンが多結晶化し結晶化率が７５％であった。
多結晶化したシリコン膜をＥＳＣＡスペクトルにてケイ
素原子の２Ｐ軌道エネルギーを測定すると９９.０ｅＶ
であることが判明しシリコンであることが判った。
混合物Ｆ ５ｇをトルエン９５ｇに溶解して溶液を調製
した。この溶液をアルゴン雰囲気下にて石英基板にスピ
ンコートしケイ素化合物の混合物Ｆの膜を形成した。こ
の塗布基板をアルゴン雰囲気中で５００℃にて５分加熱
すると基板上にはシリコンの膜が残留した。このシリコ
ン膜はラマン散乱スペクトルから、１００％アモルファ
ス状態であった。このアモルファス状態のシリコンにＸ
ｅＣｌエキシマレーザー（３０８ｎｍ）を照射したとこ
ろ、シリコンが多結晶化し結晶化率が７５％であった。
多結晶化したシリコン膜をＥＳＣＡスペクトルにてケイ
素原子の２Ｐ軌道エネルギーを測定すると９９.０ｅＶ
であることが判明しシリコンであることが判った。
【００３２】比較例１ アルゴン雰囲気下、合成例３で得られたケイ素化合物Ｄ
５ｇをトルエン９５ｇに溶解して溶液を調製した。こ
の溶液をアルゴン雰囲気下にて石英基板にスピンコート
したが、ハジキが酷く均一な膜が得られなかった。
５ｇをトルエン９５ｇに溶解して溶液を調製した。こ
の溶液をアルゴン雰囲気下にて石英基板にスピンコート
したが、ハジキが酷く均一な膜が得られなかった。
【００３３】実施例２ アルゴン雰囲気下、合成例３で得られたケイ素化合物Ｄ
５ｇとアゾビスイソブチロニトリル５０ｍｇをトルエ
ン９５ｇに溶解して溶液を調製した。この溶液をアルゴ
ン雰囲気下にて石英基板にスピンコートしケイ素化合物
の膜を形成した。この塗布基板をアルゴン雰囲気中で５
００℃にて５分加熱すると基板上にはシリコンの膜が残
留した。このシリコン膜はラマン散乱スペクトルから、
１００％アモルファス状態であった。このアモルファス
状態のシリコンにＸｅＣｌエキシマレーザー（３０８ｎ
ｍ）を照射したところ、シリコンが多結晶化し結晶化率
が７５％であった。多結晶化したシリコン膜をＥＳＣＡ
スペクトルにてケイ素原子の２Ｐ軌道エネルギーを測定
すると９９.０ｅＶであることがわかりシリコンである
ことが判った。
５ｇとアゾビスイソブチロニトリル５０ｍｇをトルエ
ン９５ｇに溶解して溶液を調製した。この溶液をアルゴ
ン雰囲気下にて石英基板にスピンコートしケイ素化合物
の膜を形成した。この塗布基板をアルゴン雰囲気中で５
００℃にて５分加熱すると基板上にはシリコンの膜が残
留した。このシリコン膜はラマン散乱スペクトルから、
１００％アモルファス状態であった。このアモルファス
状態のシリコンにＸｅＣｌエキシマレーザー（３０８ｎ
ｍ）を照射したところ、シリコンが多結晶化し結晶化率
が７５％であった。多結晶化したシリコン膜をＥＳＣＡ
スペクトルにてケイ素原子の２Ｐ軌道エネルギーを測定
すると９９.０ｅＶであることがわかりシリコンである
ことが判った。
【００３４】実施例３ 実施例３で使用したラジカル発生剤のアゾビスイソブチ
ロニトリル５０ｍｇを、２−［２−（３,４−ジメトキ
シフェニル）エテニル］−４,６−ビス（トリクロロメ
チル）−ｓ−トリアジン９７ｍｇに替えて溶液組成物を
調製した。この溶液を用いて、他は実施例２と同様にし
て石英基板にスピンコートしケイ素化合物の膜を形成し
た。この塗布基板をアルゴン雰囲気中で４５０℃にて１
０分加熱すると基板上にはシリコンの膜が残留した。こ
のシリコン膜はラマン散乱スペクトルから、１００％ア
モルファス状態であった。このアモルファス状態のシリ
コンにＸｅＣｌエキシマレーザー（３０８ｎｍ）を照射
したところ、シリコンが多結晶化し結晶化率が７０％で
あった。このシリコン膜をＥＳＣＡスペクトルにてケイ
素原子の２Ｐ軌道エネルギーを測定すると９９.０ｅＶ
であることがわかりシリコンであることが判った。
ロニトリル５０ｍｇを、２−［２−（３,４−ジメトキ
シフェニル）エテニル］−４,６−ビス（トリクロロメ
チル）−ｓ−トリアジン９７ｍｇに替えて溶液組成物を
調製した。この溶液を用いて、他は実施例２と同様にし
て石英基板にスピンコートしケイ素化合物の膜を形成し
た。この塗布基板をアルゴン雰囲気中で４５０℃にて１
０分加熱すると基板上にはシリコンの膜が残留した。こ
のシリコン膜はラマン散乱スペクトルから、１００％ア
モルファス状態であった。このアモルファス状態のシリ
コンにＸｅＣｌエキシマレーザー（３０８ｎｍ）を照射
したところ、シリコンが多結晶化し結晶化率が７０％で
あった。このシリコン膜をＥＳＣＡスペクトルにてケイ
素原子の２Ｐ軌道エネルギーを測定すると９９.０ｅＶ
であることがわかりシリコンであることが判った。
【００３５】実施例４ アルゴン雰囲気下、合成例３で得られたケイ素化合物Ｄ
５ｇをトルエン９５ｇに溶解して溶液を調製した。こ
の溶液にアルゴン雰囲気下にてＵＶを照射の後、石英基
板にスピンコートしケイ素化合物の膜を形成した。この
塗布基板をアルゴン雰囲気中で５００℃にて５分加熱す
ると基板上にはシリコンの膜が残留した。このシリコン
膜はラマン散乱スペクトルから、１００％アモルファス
状態であった。このアモルファス状態のシリコンにＸｅ
Ｃｌエキシマレーザー（３０８ｎｍ）を照射したとこ
ろ、シリコンが多結晶化し結晶化率が７５％であった。
多結晶化したシリコン膜をＥＳＣＡスペクトルにてケイ
素原子の２Ｐ軌道エネルギーを測定すると９９.０ｅＶ
であることがわかりシリコンであることが判った。
５ｇをトルエン９５ｇに溶解して溶液を調製した。こ
の溶液にアルゴン雰囲気下にてＵＶを照射の後、石英基
板にスピンコートしケイ素化合物の膜を形成した。この
塗布基板をアルゴン雰囲気中で５００℃にて５分加熱す
ると基板上にはシリコンの膜が残留した。このシリコン
膜はラマン散乱スペクトルから、１００％アモルファス
状態であった。このアモルファス状態のシリコンにＸｅ
Ｃｌエキシマレーザー（３０８ｎｍ）を照射したとこ
ろ、シリコンが多結晶化し結晶化率が７５％であった。
多結晶化したシリコン膜をＥＳＣＡスペクトルにてケイ
素原子の２Ｐ軌道エネルギーを測定すると９９.０ｅＶ
であることがわかりシリコンであることが判った。
【００３６】実施例５ アルゴン雰囲気下、合成例２で得られたケイ素化合物の
混合物Ｆ ５ｇをトルエン９５ｇに溶解して溶液を調製
した。この溶液をアルゴン雰囲気下にて石英基板にスピ
ンコートしケイ素化合物の混合物Ｆの膜を形成した。こ
の塗布基板に、アルゴン雰囲気下、ＵＶを照射の後５０
０℃にて５分加熱すると基板上にはシリコンの膜が残留
した。このシリコン膜はラマン散乱スペクトルから、１
００％アモルファス状態であった。このアモルファス状
態のシリコンにＸｅＣｌエキシマレーザー（３０８ｎ
ｍ）を照射したところ、シリコンが多結晶化し結晶化率
が７５％であった。多結晶化したシリコン膜をＥＳＣＡ
スペクトルにてケイ素原子の２Ｐ軌道エネルギーを測定
すると９９.０ｅＶであることがわかりシリコンである
ことが判った。
混合物Ｆ ５ｇをトルエン９５ｇに溶解して溶液を調製
した。この溶液をアルゴン雰囲気下にて石英基板にスピ
ンコートしケイ素化合物の混合物Ｆの膜を形成した。こ
の塗布基板に、アルゴン雰囲気下、ＵＶを照射の後５０
０℃にて５分加熱すると基板上にはシリコンの膜が残留
した。このシリコン膜はラマン散乱スペクトルから、１
００％アモルファス状態であった。このアモルファス状
態のシリコンにＸｅＣｌエキシマレーザー（３０８ｎ
ｍ）を照射したところ、シリコンが多結晶化し結晶化率
が７５％であった。多結晶化したシリコン膜をＥＳＣＡ
スペクトルにてケイ素原子の２Ｐ軌道エネルギーを測定
すると９９.０ｅＶであることがわかりシリコンである
ことが判った。
【００３７】実施例６ シクロペンタシラン５ｇをデカヒドロナフタレン４５ｇ
に溶解し、この溶液に光ラジカル重合開始剤としてリン
原子、炭素原子および酸素原子を含有するルシリン（登
録商標）（チバガイギー社製）０.１ｇを溶解し溶液を
調製した。この溶液に５００Ｗの高圧水銀ランプで紫外
線（３６５ｎｍの１５ｍＷ／ｃｍ2）を１分間照射した
後、ガスクロマトグラフィーでシクロペンタシランの有
無を調べたところ、シクロペンタシランモノマーは全く
検出されず、全て高沸点のポリシランへ変換されてい
た。このポリシラン溶液をガラス基板に１,５００ｒｐ
ｍでスピンコートしたところ良好なポリシラン膜が形成
されていた。このポリシラン膜を窒素雰囲気中で５００
℃で５分間加熱処理したところ、金属光沢を有するシリ
コン膜が得られた。このシリコン膜のＥＳＣＡを測定し
たところ、９９ｅＶに金属性シリコンのピークの他に、
２８６ｅＶにＣ1sに帰属されるピークの他に、５３５ｅ
ＶにＯ1sに帰属されるピークと１３３ｅＶにＰ2pに帰属
されるピークが観察された。
に溶解し、この溶液に光ラジカル重合開始剤としてリン
原子、炭素原子および酸素原子を含有するルシリン（登
録商標）（チバガイギー社製）０.１ｇを溶解し溶液を
調製した。この溶液に５００Ｗの高圧水銀ランプで紫外
線（３６５ｎｍの１５ｍＷ／ｃｍ2）を１分間照射した
後、ガスクロマトグラフィーでシクロペンタシランの有
無を調べたところ、シクロペンタシランモノマーは全く
検出されず、全て高沸点のポリシランへ変換されてい
た。このポリシラン溶液をガラス基板に１,５００ｒｐ
ｍでスピンコートしたところ良好なポリシラン膜が形成
されていた。このポリシラン膜を窒素雰囲気中で５００
℃で５分間加熱処理したところ、金属光沢を有するシリ
コン膜が得られた。このシリコン膜のＥＳＣＡを測定し
たところ、９９ｅＶに金属性シリコンのピークの他に、
２８６ｅＶにＣ1sに帰属されるピークの他に、５３５ｅ
ＶにＯ1sに帰属されるピークと１３３ｅＶにＰ2pに帰属
されるピークが観察された。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０８Ｌ 101:00 Ｈ０１Ｌ 31/10 Ａ Ｆターム(参考） 4F006 AA39 AA40 AB39 AB67 BA06 CA05 CA08 EA03 EA05 4J035 KA01 LB01 LB20 4J038 DL011 KA03 LA02 NA01 NA23 PA17 PA19 PC02 PC03 PC08 5F049 MA01 MB05 PA05 PA11 PA18 PA20 5F051 AA05 CA06 CA20 CA34 CA40
Claims (3)
- 【請求項１】（１）下記式（Ａ） 【化１】 で表される化合物およびラジカル発生剤を含有すること
を特徴とするシリコン膜形成用溶液組成物。 - 【請求項２】 （１）上記式（Ａ）で表されるシクロペ
ンタシランおよびラジカル開始剤を含有する溶液組成物
を調製し、（２）この溶液組成物を支持体上に塗布して
塗膜を形成し、次いで（３）この塗膜を加熱してシリコ
ン膜を生成せしめる、ことを特徴とする、支持体上にシ
リコン膜を形成する方法。 - 【請求項３】 （１）上記式（Ａ）で表されるシクロペ
ンタシランを含有する溶液組成物を調製し、（２）この
溶液組成物を、紫外線の照射に付したのち、支持体上に
塗布して塗膜を形成し、次いで（３）この塗膜を加熱し
てシリコン膜を生成せしめる、ことを特徴とする支持体
上にシリコン膜を形成する方法。
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|---|---|---|---|
| JP2000069314A JP3424232B2 (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | シリコン膜の形成方法 |
| US09/802,918 US6503570B2 (en) | 2000-03-13 | 2001-03-12 | Cyclosilane compound, and solution composition and process for forming a silicon film |
| TW090105731A TWI281921B (en) | 2000-03-13 | 2001-03-12 | Novel cyclosilane compound, and solution composition and process for forming a silicon film |
| DE60128611T DE60128611T2 (de) | 2000-03-13 | 2001-03-12 | Cyclosilan, eine flüssige Zusammensetzung und ein Verfahren zur Bildung eines Silicium-Films |
| EP01106037A EP1134224B1 (en) | 2000-03-13 | 2001-03-12 | Cyclosilane compound, and solution composition and process for forming a silicon film |
| KR1020010012516A KR100562815B1 (ko) | 2000-03-13 | 2001-03-12 | 실리콘막 형성용 용액 조성물 및 실리콘막의 형성 방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| JP2003055556A (ja) * | 2001-08-14 | 2003-02-26 | Jsr Corp | シリコン膜またはシリコン酸化膜の形成方法およびそのための組成物 |
| JP2006256918A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Seiko Epson Corp | 高次シラン組成物、膜付基板の製造方法、電気光学装置および電子デバイス |
| US7223802B2 (en) | 2002-04-22 | 2007-05-29 | Seiko Epson Corporation | High order silane composition, and method of forming silicon film using the composition |
| JP2008143782A (ja) * | 2008-02-08 | 2008-06-26 | Jsr Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JP2009102224A (ja) * | 2003-06-13 | 2009-05-14 | Jsr Corp | シリコン膜形成のための方法と組成物 |
| KR100974154B1 (ko) | 2003-01-17 | 2010-08-04 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 규소·알루미늄막 형성용 조성물, 규소·알루미늄막 및 그의형성 방법 |
| WO2016009827A1 (ja) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | 日産化学工業株式会社 | 高分子量ポリシラン及びその製造方法 |
| WO2016009897A1 (ja) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | 日産化学工業株式会社 | 加熱重合によるポリシランの製造方法 |
| US9257273B2 (en) | 2010-09-28 | 2016-02-09 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Charged particle beam apparatus, thin film forming method, defect correction method and device forming method |
| KR20170030563A (ko) | 2014-07-16 | 2017-03-17 | 씬 필름 일렉트로닉스 에이에스에이 | 농축법을 이용한 고리형 실란의 제조방법 |
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| JP2018062465A (ja) * | 2012-12-25 | 2018-04-19 | 株式会社日本触媒 | シクロヘキサシラン |
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2000
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| US7223802B2 (en) | 2002-04-22 | 2007-05-29 | Seiko Epson Corporation | High order silane composition, and method of forming silicon film using the composition |
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| JP2009102224A (ja) * | 2003-06-13 | 2009-05-14 | Jsr Corp | シリコン膜形成のための方法と組成物 |
| JP2006256918A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Seiko Epson Corp | 高次シラン組成物、膜付基板の製造方法、電気光学装置および電子デバイス |
| JP2008143782A (ja) * | 2008-02-08 | 2008-06-26 | Jsr Corp | 太陽電池の製造方法 |
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| US9257273B2 (en) | 2010-09-28 | 2016-02-09 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Charged particle beam apparatus, thin film forming method, defect correction method and device forming method |
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| WO2016009897A1 (ja) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | 日産化学工業株式会社 | 加熱重合によるポリシランの製造方法 |
| KR20170030563A (ko) | 2014-07-16 | 2017-03-17 | 씬 필름 일렉트로닉스 에이에스에이 | 농축법을 이용한 고리형 실란의 제조방법 |
| CN106660810A (zh) * | 2014-07-16 | 2017-05-10 | 薄膜电子有限公司 | 高分子量聚硅烷及其制造方法 |
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| JPWO2016009827A1 (ja) * | 2014-07-16 | 2017-06-15 | シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ | 高分子量ポリシラン及びその製造方法 |
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