JP2001237440A - 太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置 - Google Patents
太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
(57)【要約】
【課題】 多数段の太陽電池セルを集積した太陽電池モ
ジュールに対して逆バイアス処理を効率的に実施できる
逆バイアス処理装置を提供する。 【解決手段】 各々太陽電池モジュール（１０）を載置
する複数の逆バイアス処理ユニット（２０）と、複数の
逆バイアス処理ユニット（２０）にそれぞれ設けられた
太陽電池モジュール（１０）の搬送機構と、複数の逆バ
イアス処理ユニットにそれぞれ昇降可能に取り付けら
れ、太陽電池モジュールの全段数のうち一部の段数の太
陽電池セルの第２電極層に一括して接触可能な複数のプ
ローブを有するプローブユニット（２７）と、複数のプ
ローブが複数段の太陽電池セル（１０）の第２電極層に
一括して接触した状態で、隣り合う１対の太陽電池セル
の第２電極層に順次逆バイアス電圧を印加する手段とを
有する逆バイアス処理装置。
ジュールに対して逆バイアス処理を効率的に実施できる
逆バイアス処理装置を提供する。 【解決手段】 各々太陽電池モジュール（１０）を載置
する複数の逆バイアス処理ユニット（２０）と、複数の
逆バイアス処理ユニット（２０）にそれぞれ設けられた
太陽電池モジュール（１０）の搬送機構と、複数の逆バ
イアス処理ユニットにそれぞれ昇降可能に取り付けら
れ、太陽電池モジュールの全段数のうち一部の段数の太
陽電池セルの第２電極層に一括して接触可能な複数のプ
ローブを有するプローブユニット（２７）と、複数のプ
ローブが複数段の太陽電池セル（１０）の第２電極層に
一括して接触した状態で、隣り合う１対の太陽電池セル
の第２電極層に順次逆バイアス電圧を印加する手段とを
有する逆バイアス処理装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池モジュー
ルの逆バイアス処理装置に関する。
ルの逆バイアス処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９に薄膜太陽電池モジュール１０の構
造を示す。これらの図に示されるように、ガラスなどの
絶縁性基板１上にＳｎＯ2などの透明導電性酸化物から
なる第１電極層（透明電極）２が成膜され、レーザース
クライビングによりストリング状に分離されている。こ
の透明電極２上にたとえばｐ型ａ−Ｓｉ層、ｉ型ａ−Ｓ
ｉ層およびｎ型ａ−Ｓｉ層の積層構造を有する光電変換
半導体層３が成膜され、透明電極２のスクライブ線とず
らせた位置でレーザースクライビングによりストリング
状に分離されている。この半導体層３上に金属からなる
第２電極層（裏面電極）４が成膜され、半導体層３のス
クライブ線とずらせた位置でレーザースクライビングに
よりストリング状に分離されている。このように各層の
スクライブ線をずらせることにより、ある太陽電池セル
の第２電極層４の端部は半導体スクライブ線を通して隣
の太陽電池セルの第１電極層２の端部と接続され、多数
の太陽電池セル５が直列接続される。
造を示す。これらの図に示されるように、ガラスなどの
絶縁性基板１上にＳｎＯ2などの透明導電性酸化物から
なる第１電極層（透明電極）２が成膜され、レーザース
クライビングによりストリング状に分離されている。こ
の透明電極２上にたとえばｐ型ａ−Ｓｉ層、ｉ型ａ−Ｓ
ｉ層およびｎ型ａ−Ｓｉ層の積層構造を有する光電変換
半導体層３が成膜され、透明電極２のスクライブ線とず
らせた位置でレーザースクライビングによりストリング
状に分離されている。この半導体層３上に金属からなる
第２電極層（裏面電極）４が成膜され、半導体層３のス
クライブ線とずらせた位置でレーザースクライビングに
よりストリング状に分離されている。このように各層の
スクライブ線をずらせることにより、ある太陽電池セル
の第２電極層４の端部は半導体スクライブ線を通して隣
の太陽電池セルの第１電極層２の端部と接続され、多数
の太陽電池セル５が直列接続される。
【０００３】太陽電池モジュールを構成する個々の太陽
電池セルにおいて、例えば製造時に光電変換半導体層に
ピンホールが生じると、太陽電池セルの第１電極層と第
２電極層とが短絡することがある。短絡が生じた太陽電
池セルは発電に寄与しなくなるため、太陽電池の発電特
性が低下する。そこで、発電特性を改善するために、太
陽電池セルに逆バイアス電圧を印加して短絡部を除去す
る処理（逆バイアス処理）が行われる。
電池セルにおいて、例えば製造時に光電変換半導体層に
ピンホールが生じると、太陽電池セルの第１電極層と第
２電極層とが短絡することがある。短絡が生じた太陽電
池セルは発電に寄与しなくなるため、太陽電池の発電特
性が低下する。そこで、発電特性を改善するために、太
陽電池セルに逆バイアス電圧を印加して短絡部を除去す
る処理（逆バイアス処理）が行われる。
【０００４】図９を参照して、太陽電池セル５ｂの光電
変換半導体層３ｂに生じた短絡部を除去する場合につい
て説明する。この場合、太陽電池セル５ｂの第２電極層
４ｂおよび隣接する太陽電池セル５ｃの第２電極層４ｃ
（この第２電極層４ｃは、太陽電池セル５ｂの第１電極
層２ｂに直列接続されている）にそれぞれ１対のプロー
ブ６ａ、６ｂを接触させ、発電に寄与する光電変換半導
体層３ｂを挟む第１電極層２ｂと第２電極層４ｂ間に耐
電圧以下の逆バイアス電圧を印加する。逆バイアス電圧
を印加すると短絡部に電流が集中してジュール熱が発生
するため、短絡部において第２電極層を構成する金属が
飛散したり、この金属が酸化されて絶縁膜に変換され
る。こうして短絡部がなくなるため、動作時の発電特性
の低下を抑えることができる。
変換半導体層３ｂに生じた短絡部を除去する場合につい
て説明する。この場合、太陽電池セル５ｂの第２電極層
４ｂおよび隣接する太陽電池セル５ｃの第２電極層４ｃ
（この第２電極層４ｃは、太陽電池セル５ｂの第１電極
層２ｂに直列接続されている）にそれぞれ１対のプロー
ブ６ａ、６ｂを接触させ、発電に寄与する光電変換半導
体層３ｂを挟む第１電極層２ｂと第２電極層４ｂ間に耐
電圧以下の逆バイアス電圧を印加する。逆バイアス電圧
を印加すると短絡部に電流が集中してジュール熱が発生
するため、短絡部において第２電極層を構成する金属が
飛散したり、この金属が酸化されて絶縁膜に変換され
る。こうして短絡部がなくなるため、動作時の発電特性
の低下を抑えることができる。
【０００５】しかし、各太陽電池セルにおいては、複数
のピンホールが全くランダムに発生する。このような複
数のピンホールを有する太陽電池セルに対して１対の点
接触のプローブを接触させて逆バイアス電圧を印加する
場合、太陽電池セルの長手方向に沿ってプローブから遠
く離れた短絡部があると、電圧降下が無視できなくなっ
て種々の問題が生じる。すなわち、プローブから短絡部
までの距離が短かければ、短絡部に十分な電流が流れる
ため上記のように短絡部を飛散または酸化させて除去で
きる。一方、プローブから短絡部までの距離が長いと、
電圧降下が大きく短絡部に十分な電圧が印加されないた
め短絡部を飛散または酸化させることができずに短絡部
を除去できなくなる。この問題に対処するために、プロ
ーブから遠く離れた短絡部を確実に除去しようとして逆
バイアス電圧を大きくすると、プローブの近くにある短
絡部に大電流が流れ多量の発熱によりピンホールが大き
くなったり、正常な素子部に耐電圧以上の電圧が印加さ
れて正常な素子部が破壊されるという問題が生じる。
のピンホールが全くランダムに発生する。このような複
数のピンホールを有する太陽電池セルに対して１対の点
接触のプローブを接触させて逆バイアス電圧を印加する
場合、太陽電池セルの長手方向に沿ってプローブから遠
く離れた短絡部があると、電圧降下が無視できなくなっ
て種々の問題が生じる。すなわち、プローブから短絡部
までの距離が短かければ、短絡部に十分な電流が流れる
ため上記のように短絡部を飛散または酸化させて除去で
きる。一方、プローブから短絡部までの距離が長いと、
電圧降下が大きく短絡部に十分な電圧が印加されないた
め短絡部を飛散または酸化させることができずに短絡部
を除去できなくなる。この問題に対処するために、プロ
ーブから遠く離れた短絡部を確実に除去しようとして逆
バイアス電圧を大きくすると、プローブの近くにある短
絡部に大電流が流れ多量の発熱によりピンホールが大き
くなったり、正常な素子部に耐電圧以上の電圧が印加さ
れて正常な素子部が破壊されるという問題が生じる。
【０００６】そこで、本発明者らは特開平１０−４２０
２号において、１対のプローブとして、太陽電池セルの
長手方向に沿って１段当たり複数の点接触のプローブを
設けるか、または１段当たり１つもしくは複数の線接触
もしくは面接触のプローブを設けた逆バイアス処理装置
を開示している。このような逆バイアス処理装置では、
プローブから短絡部までの距離を電圧降下が問題になら
ない範囲に収めることができるので、短絡部を除去でき
なくなったり、逆に正常な素子部が破壊されるという問
題を解消できる。
２号において、１対のプローブとして、太陽電池セルの
長手方向に沿って１段当たり複数の点接触のプローブを
設けるか、または１段当たり１つもしくは複数の線接触
もしくは面接触のプローブを設けた逆バイアス処理装置
を開示している。このような逆バイアス処理装置では、
プローブから短絡部までの距離を電圧降下が問題になら
ない範囲に収めることができるので、短絡部を除去でき
なくなったり、逆に正常な素子部が破壊されるという問
題を解消できる。
【０００７】従来の逆バイアス処理装置では、１対のプ
ローブ（またはプローブ列）を下降させて１対の太陽電
池セルの第２電極層に接触させ、逆バイアス処理を行
い、プローブを上昇させ、隣の太陽電池セルの位置まで
移動させる操作を太陽電池セルの段数分だけ繰り返す。
この場合、太陽電池セルの長手方向に沿って１段当たり
複数の点接触のプローブ、または１段当たり１つもしく
は複数の線接触もしくは面接触のプローブを設けている
ため、位置によってプローブ−太陽電池セル間の高低差
が生じるのを避けられない。このため、局所的に大きな
応力が作用して素子を機械的に傷つけることがないよう
に、プローブをゆっくりと下降させる必要がある。した
がって、太陽電池モジュールの数十段の太陽電池セルの
全てに逆バイアス処理を施すには長時間を要し、太陽電
池モジュールの生産効率が低下する。しかも、プローブ
の昇降回数が多いため、摩耗による装置の故障回数が増
加する。
ローブ（またはプローブ列）を下降させて１対の太陽電
池セルの第２電極層に接触させ、逆バイアス処理を行
い、プローブを上昇させ、隣の太陽電池セルの位置まで
移動させる操作を太陽電池セルの段数分だけ繰り返す。
この場合、太陽電池セルの長手方向に沿って１段当たり
複数の点接触のプローブ、または１段当たり１つもしく
は複数の線接触もしくは面接触のプローブを設けている
ため、位置によってプローブ−太陽電池セル間の高低差
が生じるのを避けられない。このため、局所的に大きな
応力が作用して素子を機械的に傷つけることがないよう
に、プローブをゆっくりと下降させる必要がある。した
がって、太陽電池モジュールの数十段の太陽電池セルの
全てに逆バイアス処理を施すには長時間を要し、太陽電
池モジュールの生産効率が低下する。しかも、プローブ
の昇降回数が多いため、摩耗による装置の故障回数が増
加する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、多数
段の太陽電池セルを集積した太陽電池モジュールに対し
て逆バイアス処理を効率的に実施できる逆バイアス処理
装置を提供することにある。
段の太陽電池セルを集積した太陽電池モジュールに対し
て逆バイアス処理を効率的に実施できる逆バイアス処理
装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の太陽電池モジュ
ールの逆バイアス処理装置は、基板上に順次形成された
第１電極層、光電変換半導体層および第２電極層を含む
複数段のストリング状の太陽電池セルを有する太陽電池
モジュールに対し、各太陽電池セルに逆バイアス電圧を
印加して短絡部を除去する太陽電池モジュールの逆バイ
アス処理装置であって、各々太陽電池モジュールを載置
する複数の逆バイアス処理ユニットと、前記複数の逆バ
イアス処理ユニットにそれぞれ設けられた太陽電池モジ
ュールの搬送機構と、前記複数の逆バイアス処理ユニッ
トにそれぞれ昇降可能に取り付けられ、太陽電池モジュ
ールの全段数のうち一部の段数の太陽電池セルの第２電
極層に一括して接触可能な複数のプローブを有するプロ
ーブユニットと、前記複数のプローブが複数段の太陽電
池セルの第２電極層に一括して接触した状態で、隣り合
う１対の太陽電池セルの第２電極層に順次逆バイアス電
圧を印加する手段とを具備したことを特徴とする。
ールの逆バイアス処理装置は、基板上に順次形成された
第１電極層、光電変換半導体層および第２電極層を含む
複数段のストリング状の太陽電池セルを有する太陽電池
モジュールに対し、各太陽電池セルに逆バイアス電圧を
印加して短絡部を除去する太陽電池モジュールの逆バイ
アス処理装置であって、各々太陽電池モジュールを載置
する複数の逆バイアス処理ユニットと、前記複数の逆バ
イアス処理ユニットにそれぞれ設けられた太陽電池モジ
ュールの搬送機構と、前記複数の逆バイアス処理ユニッ
トにそれぞれ昇降可能に取り付けられ、太陽電池モジュ
ールの全段数のうち一部の段数の太陽電池セルの第２電
極層に一括して接触可能な複数のプローブを有するプロ
ーブユニットと、前記複数のプローブが複数段の太陽電
池セルの第２電極層に一括して接触した状態で、隣り合
う１対の太陽電池セルの第２電極層に順次逆バイアス電
圧を印加する手段とを具備したことを特徴とする。
【００１０】本発明の装置では、たとえば前記逆バイア
ス処理ユニットがｎ個（ｎは偶数）設けられ、各逆バイ
アス処理ユニットに設けられた前記プローブユニットは
太陽電池モジュールの全段数の１／ｎまたは２／ｎの段
数の太陽電池セルの第２電極層に一括して接触可能な複
数のプローブを有する形態が考えられる。具体的には、
逆バイアス処理ユニットが４個設けられたものが挙げら
れる。
ス処理ユニットがｎ個（ｎは偶数）設けられ、各逆バイ
アス処理ユニットに設けられた前記プローブユニットは
太陽電池モジュールの全段数の１／ｎまたは２／ｎの段
数の太陽電池セルの第２電極層に一括して接触可能な複
数のプローブを有する形態が考えられる。具体的には、
逆バイアス処理ユニットが４個設けられたものが挙げら
れる。
【００１１】本発明の装置は、前記各逆バイアス処理ユ
ニットが太陽電池モジュール上の特定領域の太陽電池セ
ルの第２電極層に対して複数のプローブが一括して接触
するように、太陽電池モジュールを位置決めする機構を
有することが好ましい。
ニットが太陽電池モジュール上の特定領域の太陽電池セ
ルの第２電極層に対して複数のプローブが一括して接触
するように、太陽電池モジュールを位置決めする機構を
有することが好ましい。
【００１２】本発明の装置では、前記各逆バイアス処理
ユニットが太陽電池モジュールの各太陽電池セルについ
て逆バイアス処理時の電圧値に対応する電流値を測定す
る機能を有することが好ましい。
ユニットが太陽電池モジュールの各太陽電池セルについ
て逆バイアス処理時の電圧値に対応する電流値を測定す
る機能を有することが好ましい。
【００１３】本発明の装置は、さらに、前記各逆バイア
ス処理ユニットで得られる太陽電池モジュールの一部の
太陽電池セルの逆バイアス処理時の測定データを集計し
て、太陽電池モジュールの全段の太陽電池セルの測定デ
ータを構成するコントローラーを有することが好まし
い。
ス処理ユニットで得られる太陽電池モジュールの一部の
太陽電池セルの逆バイアス処理時の測定データを集計し
て、太陽電池モジュールの全段の太陽電池セルの測定デ
ータを構成するコントローラーを有することが好まし
い。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。以下においては、たとえば図９に示
すように９１０ｍｍ×９１０ｍｍのガラス基板上に順次
形成された第１電極層、光電変換半導体層および第２電
極層からなるストリング状の太陽電池セルが１００段形
成された構造を有する太陽電池モジュールを逆バイアス
処理するものとする。この実施形態の逆バイアス装置
は、それぞれ２５段の太陽電池セルを逆バイアス処理で
きるユニットを４つ設けて、太陽電池モジュールを各ユ
ニットへ順次移動させて全段の太陽電池セルを逆バイア
ス処理するようにしたものである。
参照して説明する。以下においては、たとえば図９に示
すように９１０ｍｍ×９１０ｍｍのガラス基板上に順次
形成された第１電極層、光電変換半導体層および第２電
極層からなるストリング状の太陽電池セルが１００段形
成された構造を有する太陽電池モジュールを逆バイアス
処理するものとする。この実施形態の逆バイアス装置
は、それぞれ２５段の太陽電池セルを逆バイアス処理で
きるユニットを４つ設けて、太陽電池モジュールを各ユ
ニットへ順次移動させて全段の太陽電池セルを逆バイア
ス処理するようにしたものである。
【００１５】図１は本発明に係る太陽電池モジュールの
逆バイアス装置の全体構成を示す図である。図１を参照
して、この装置による逆バイアス処理を概略的に説明す
る。図１に示すように、４つの逆バイアス処理ユニット
２０Ａ〜２０Ｄが、一方向に沿って配置されている。太
陽電池モジュール１０は外部からコンベアベルト４１に
より太陽電池セルのストリングに直交する方向へ（この
図では右側から左側へ向かって）搬送され、第１のユニ
ット２０Ａのステージ上に位置決めされて載置される。
この第１のユニット２０Ａ上では、プローブユニット２
７を下降させることにより太陽電池モジュール１０の進
行方向に向かって前端から２５段分（第１の１／４領
域）の太陽電池セルについて逆バイアス処理がなされ
る。
逆バイアス装置の全体構成を示す図である。図１を参照
して、この装置による逆バイアス処理を概略的に説明す
る。図１に示すように、４つの逆バイアス処理ユニット
２０Ａ〜２０Ｄが、一方向に沿って配置されている。太
陽電池モジュール１０は外部からコンベアベルト４１に
より太陽電池セルのストリングに直交する方向へ（この
図では右側から左側へ向かって）搬送され、第１のユニ
ット２０Ａのステージ上に位置決めされて載置される。
この第１のユニット２０Ａ上では、プローブユニット２
７を下降させることにより太陽電池モジュール１０の進
行方向に向かって前端から２５段分（第１の１／４領
域）の太陽電池セルについて逆バイアス処理がなされ
る。
【００１６】第１のユニット２０Ａ上で逆バイアス処理
がなされた太陽電池モジュール１０は、第１のユニット
２０Ａから第２のユニット２０Ｂへ搬送されてステージ
上に位置決めされて載置される。この第２のユニット２
０Ｂ上では、プローブユニット２７を下降させることに
より太陽電池モジュール１０の次の２５段分（第２の１
／４領域）の太陽電池セルについて逆バイアス処理がな
される。さらに、上記と同様にして、第３のユニット２
０Ｃおよび第４のユニット２０Ｄにおいて、太陽電池モ
ジュール１０の第３および第４の１／４領域の２５段分
の太陽電池セルについてそれぞれ逆バイアス処理がなさ
れる。こうして全段の太陽電池セルの逆バイアス処理が
終了した太陽電池モジュール１０はコンベアベルト４２
により搬出される。このようにして、ある時点では４個
の太陽電池モジュール１０ａ〜１０ｄがそれぞれ第１〜
第４の逆バイアス処理ユニット１０Ａ〜１０Ｄ上で同時
に逆バイアス処理されている。
がなされた太陽電池モジュール１０は、第１のユニット
２０Ａから第２のユニット２０Ｂへ搬送されてステージ
上に位置決めされて載置される。この第２のユニット２
０Ｂ上では、プローブユニット２７を下降させることに
より太陽電池モジュール１０の次の２５段分（第２の１
／４領域）の太陽電池セルについて逆バイアス処理がな
される。さらに、上記と同様にして、第３のユニット２
０Ｃおよび第４のユニット２０Ｄにおいて、太陽電池モ
ジュール１０の第３および第４の１／４領域の２５段分
の太陽電池セルについてそれぞれ逆バイアス処理がなさ
れる。こうして全段の太陽電池セルの逆バイアス処理が
終了した太陽電池モジュール１０はコンベアベルト４２
により搬出される。このようにして、ある時点では４個
の太陽電池モジュール１０ａ〜１０ｄがそれぞれ第１〜
第４の逆バイアス処理ユニット１０Ａ〜１０Ｄ上で同時
に逆バイアス処理されている。
【００１７】以上のように、本発明の逆バイアス処理装
置を用いて１００段分の太陽電池セルについて逆バイア
ス処理するには、太陽電池モジュールの搬送、プローブ
の下降、逆バイアス電圧の印加およびプローブの上昇を
一連の工程とする操作を４つの逆バイアス処理ユニット
で順次繰り返せばよい。したがって、従来の方法よりも
逆バイアス処理の作業効率を大幅に向上できる。また、
本発明の逆バイアス処理装置では、一体化されたプロー
ブ列の昇降回数が従来よりも大幅に減少するため、摩耗
による装置の故障回数も減少する。
置を用いて１００段分の太陽電池セルについて逆バイア
ス処理するには、太陽電池モジュールの搬送、プローブ
の下降、逆バイアス電圧の印加およびプローブの上昇を
一連の工程とする操作を４つの逆バイアス処理ユニット
で順次繰り返せばよい。したがって、従来の方法よりも
逆バイアス処理の作業効率を大幅に向上できる。また、
本発明の逆バイアス処理装置では、一体化されたプロー
ブ列の昇降回数が従来よりも大幅に減少するため、摩耗
による装置の故障回数も減少する。
【００１８】図２を参照して逆バイアス処理ユニットの
構造を詳細に説明する。図２において、逆バイアス処理
ユニット２０の上面は太陽電池モジュール１０を載置す
るステージ２１となっている。ステージ２１の下部に
は、コンベア昇降機２２により昇降可能なコンベアベル
ト２３が設けられている。外部のコンベアベルトまたは
上流の逆バイアス処理ユニットのコンベアベルトにより
搬送されてきた太陽電池モジュール１０は、コンベア昇
降機２２に上昇したコンベアベルト２３により搬送され
る。具体的には、太陽電池モジュール１０は、その後端
が上下動および回動可能な基板押し当てツメ２４により
押し当てられ、その側端が１つの突き当て突起（図示せ
ず）に当接しながら滑り、その前端が上下動および回動
可能な２つの突き当て突起２５に突き当てられることに
より所定に位置に位置決めして載置される。図２に示し
た例では、太陽電池モジュール１０の前端から第３の１
／４領域の逆バイアス処理が実施できるように位置決め
されている。前端（２つ）および側端（１つ）の３つの
突き当て突起により、太陽電池モジュール１０の位置決
め誤差を数百μｍ以下にすることができる。
構造を詳細に説明する。図２において、逆バイアス処理
ユニット２０の上面は太陽電池モジュール１０を載置す
るステージ２１となっている。ステージ２１の下部に
は、コンベア昇降機２２により昇降可能なコンベアベル
ト２３が設けられている。外部のコンベアベルトまたは
上流の逆バイアス処理ユニットのコンベアベルトにより
搬送されてきた太陽電池モジュール１０は、コンベア昇
降機２２に上昇したコンベアベルト２３により搬送され
る。具体的には、太陽電池モジュール１０は、その後端
が上下動および回動可能な基板押し当てツメ２４により
押し当てられ、その側端が１つの突き当て突起（図示せ
ず）に当接しながら滑り、その前端が上下動および回動
可能な２つの突き当て突起２５に突き当てられることに
より所定に位置に位置決めして載置される。図２に示し
た例では、太陽電池モジュール１０の前端から第３の１
／４領域の逆バイアス処理が実施できるように位置決め
されている。前端（２つ）および側端（１つ）の３つの
突き当て突起により、太陽電池モジュール１０の位置決
め誤差を数百μｍ以下にすることができる。
【００１９】各逆バイアス処理ユニット２０Ａ〜２０Ｄ
で太陽電池モジュール１０の進行方向における基板押し
当てツメ２４および突き当て突起２５の位置が調節され
ている。こうして、それぞれの逆バイアス処理ユニット
２０Ａ〜２０Ｄで太陽電池モジュール１０上の特定領
域、すなわち図１で説明した第１〜第４の１／４領域の
逆バイアス処理が実施できるように太陽電池モジュール
の位置決めがなされる。
で太陽電池モジュール１０の進行方向における基板押し
当てツメ２４および突き当て突起２５の位置が調節され
ている。こうして、それぞれの逆バイアス処理ユニット
２０Ａ〜２０Ｄで太陽電池モジュール１０上の特定領
域、すなわち図１で説明した第１〜第４の１／４領域の
逆バイアス処理が実施できるように太陽電池モジュール
の位置決めがなされる。
【００２０】逆バイアス処理ユニット２０の両側部に設
けられた支柱にはプローブユニット昇降機２６が取り付
けられ、このプローブユニット昇降機２６にプローブユ
ニット２７が太陽電池モジュール１０の上方に位置する
ように昇降可能に支持されている。このプローブユニッ
ト２７は下降したときに太陽電池モジュール１０の所定
領域の２５段分の太陽電池セルに一括して接触するプロ
ーブ２８が下向きに取り付けられている。これらのプロ
ーブ２８にはマルチプレクサ２９および逆バイアス処理
回路３０が接続されている。逆バイアス処理回路３０に
はファンクションジネレータ、増幅器などが含まれる。
そして、プローブ２８が２５段の太陽電池セルの第２電
極層に一括して接触した状態で、マルチプレクサ２９に
より逆バイアス処理を実施する太陽電池セル（隣り合う
１対の太陽電池セルの第２電極層に接触しているプロー
ブ対）が順次選択され、逆バイアス処理回路３０から供
給される逆バイアス電圧が順次印加されて２５段の太陽
電池セルの逆バイアス処理が実施される。以上の各部材
の動作はコントローラ３１により制御される。
けられた支柱にはプローブユニット昇降機２６が取り付
けられ、このプローブユニット昇降機２６にプローブユ
ニット２７が太陽電池モジュール１０の上方に位置する
ように昇降可能に支持されている。このプローブユニッ
ト２７は下降したときに太陽電池モジュール１０の所定
領域の２５段分の太陽電池セルに一括して接触するプロ
ーブ２８が下向きに取り付けられている。これらのプロ
ーブ２８にはマルチプレクサ２９および逆バイアス処理
回路３０が接続されている。逆バイアス処理回路３０に
はファンクションジネレータ、増幅器などが含まれる。
そして、プローブ２８が２５段の太陽電池セルの第２電
極層に一括して接触した状態で、マルチプレクサ２９に
より逆バイアス処理を実施する太陽電池セル（隣り合う
１対の太陽電池セルの第２電極層に接触しているプロー
ブ対）が順次選択され、逆バイアス処理回路３０から供
給される逆バイアス電圧が順次印加されて２５段の太陽
電池セルの逆バイアス処理が実施される。以上の各部材
の動作はコントローラ３１により制御される。
【００２１】図３を参照してプローブユニットによる逆
バイアス処理について説明する。図３に示すように、プ
ローブ２８は１段の太陽電池セルあたりその長手方向の
全長にわたって３０ｍｍの等間隔で約３０個設けられて
おり、２５列のプローブ列２８が一体的に昇降するよう
になっている。１つのプローブ列２８は共通の接続ワイ
ヤ３２により接続されている。接続ワイヤ３２の一端は
上述したマルチプレクサ２９に接続されているが、図３
ではマルチプレクサ２９をそれと等価なリレースイッチ
で示し、スイッチの切換順序をＲ１〜Ｒ５で示す。
バイアス処理について説明する。図３に示すように、プ
ローブ２８は１段の太陽電池セルあたりその長手方向の
全長にわたって３０ｍｍの等間隔で約３０個設けられて
おり、２５列のプローブ列２８が一体的に昇降するよう
になっている。１つのプローブ列２８は共通の接続ワイ
ヤ３２により接続されている。接続ワイヤ３２の一端は
上述したマルチプレクサ２９に接続されているが、図３
ではマルチプレクサ２９をそれと等価なリレースイッチ
で示し、スイッチの切換順序をＲ１〜Ｒ５で示す。
【００２２】スイッチＲ１を閉じて、端から２段分の太
陽電池セルの第２電極層に接触している１対のプローブ
列２８に通電して、最も端にある太陽電池セルについて
逆バイアス処理を施す。次に、スイッチＲ１を開き、ス
イッチＲ２を閉じて端から２段目および３段目の２段分
の太陽電池セルの第２電極層に接触している１対のプロ
ーブ列２８に通電して、端から２段目の太陽電池セルに
ついて逆バイアス処理を施す。このような切換を順次行
い、１台の逆バイアス処理ユニットで特定領域の２５段
の太陽電池セルについて逆バイアス処理を施す。このと
き、１段の太陽電池セルあたり多数（この例では約３０
個）のプローブが設けられているので、プローブから短
絡部までの距離は電圧降下が問題にならない範囲内（最
大でプローブ間の間隔３０ｍｍの半分の１５ｍｍ）にあ
り、短絡部を除去できなくなったり、逆に正常な素子部
が破壊されるという問題が生じることはない。
陽電池セルの第２電極層に接触している１対のプローブ
列２８に通電して、最も端にある太陽電池セルについて
逆バイアス処理を施す。次に、スイッチＲ１を開き、ス
イッチＲ２を閉じて端から２段目および３段目の２段分
の太陽電池セルの第２電極層に接触している１対のプロ
ーブ列２８に通電して、端から２段目の太陽電池セルに
ついて逆バイアス処理を施す。このような切換を順次行
い、１台の逆バイアス処理ユニットで特定領域の２５段
の太陽電池セルについて逆バイアス処理を施す。このと
き、１段の太陽電池セルあたり多数（この例では約３０
個）のプローブが設けられているので、プローブから短
絡部までの距離は電圧降下が問題にならない範囲内（最
大でプローブ間の間隔３０ｍｍの半分の１５ｍｍ）にあ
り、短絡部を除去できなくなったり、逆に正常な素子部
が破壊されるという問題が生じることはない。
【００２３】各逆バイアス処理装置１０Ａ〜１０Ｄで
は、各太陽電池セルに印加された逆バイアス電圧に応じ
て流れるリーク電流値を測定できるようになっている。
このようなリーク電流の測定は、たとえば以下のような
逆バイアス処理操作のために行われる。
は、各太陽電池セルに印加された逆バイアス電圧に応じ
て流れるリーク電流値を測定できるようになっている。
このようなリーク電流の測定は、たとえば以下のような
逆バイアス処理操作のために行われる。
【００２４】一般的に太陽電池セルの逆耐圧は８〜１０
Ｖである。こうした太陽電池セルに対して、耐電圧以下
であるが４Ｖ以上の比較的高い逆バイアス電圧を最初か
ら印加すると、かえって短絡部が除去しにくい状態にな
ることがある。すなわち本来であれば、短絡部が除去さ
れずに残っている状態ではリーク電流（短絡部を流れる
電流）は逆バイアス電圧に比例してリニアなＶ−Ｉ特性
を示し、短絡部が除去された後にリーク電流が急激に減
少するはずである。しかし、最初からピーク値が高い逆
バイアス電圧を印加した場合には観測されるリーク電流
が想定したＶ−Ｉ特性の直線よりも大きくなることがあ
る。こうした太陽電池セルに対して最初のピーク値より
も高いピーク値を有する逆バイアス電圧を印加しても、
さらにリーク電流の増加傾向が顕著になり、短絡部をよ
り一層除去しにくくなることが多い。これに対して、逆
バイアス電圧のピーク値を低い値（具体的には２Ｖ以
下）から徐々に高い値へと変化させながら本発明による
短時間の逆バイアス処理を繰り返すと、リーク電流の変
化の傾向から、その太陽電池セルの短絡部が除去可能で
あるか、または除去しにくくなる性質のものであるかを
判断することができる。したがって、逆バイアス処理の
続行または終了を適切に決定して、最適な逆バイアス処
理が可能になる。
Ｖである。こうした太陽電池セルに対して、耐電圧以下
であるが４Ｖ以上の比較的高い逆バイアス電圧を最初か
ら印加すると、かえって短絡部が除去しにくい状態にな
ることがある。すなわち本来であれば、短絡部が除去さ
れずに残っている状態ではリーク電流（短絡部を流れる
電流）は逆バイアス電圧に比例してリニアなＶ−Ｉ特性
を示し、短絡部が除去された後にリーク電流が急激に減
少するはずである。しかし、最初からピーク値が高い逆
バイアス電圧を印加した場合には観測されるリーク電流
が想定したＶ−Ｉ特性の直線よりも大きくなることがあ
る。こうした太陽電池セルに対して最初のピーク値より
も高いピーク値を有する逆バイアス電圧を印加しても、
さらにリーク電流の増加傾向が顕著になり、短絡部をよ
り一層除去しにくくなることが多い。これに対して、逆
バイアス電圧のピーク値を低い値（具体的には２Ｖ以
下）から徐々に高い値へと変化させながら本発明による
短時間の逆バイアス処理を繰り返すと、リーク電流の変
化の傾向から、その太陽電池セルの短絡部が除去可能で
あるか、または除去しにくくなる性質のものであるかを
判断することができる。したがって、逆バイアス処理の
続行または終了を適切に決定して、最適な逆バイアス処
理が可能になる。
【００２５】再び図１を参照すると、上述したような最
適な逆バイアス処理がなされた太陽電池セルについての
測定結果のデータは中央コントローラ（コンピュータ）
５０のディスプレイに表示され、最終的に集計されて記
録媒体に保存される。具体的には、第１の逆バイアス処
理ユニット２０Ａにおける太陽電池モジュール１０の最
初の２５段の太陽電池セルの逆バイアス処理による測定
結果は、中央コントローラ５０のディスプレイのａの位
置に表示される。次に、太陽電池モジュール１０が第２
の逆バイアス処理ユニット２０Ｂに搬送されると、その
太陽電池モジュール１０の測定結果は中央コントローラ
５０のディスプレイのｂの位置にシフトして表示され
る。ユニット２０Ｂにおける太陽電池モジュール１０の
次の２５段の太陽電池セルの逆バイアス処理による測定
結果は、中央コントローラ５０のディスプレイのｂの位
置に、ユニット２０Ａの測定結果とともに表示される。
同様に、太陽電池モジュール１０が第３の逆バイアス処
理ユニット２０Ｃに搬送され、ユニット２０Ｃにおける
２５段の太陽電池セルの逆バイアス処理による測定結果
が、中央コントローラ５０のディスプレイのｃの位置
に、それまでの測定結果とともに表示される。また、ユ
ニット２０Ｄにおける２５段の太陽電池セルの逆バイア
ス処理に伴う測定結果が、中央コントローラ５０のディ
スプレイのｄの位置に、それまでの測定結果とともに表
示される。最終的に、１００段の太陽電池セルの逆バイ
アス処理が終了し、外部へ搬出された太陽電池モジュー
ルの測定結果はディスプレイから消えて、その測定結果
はハードディスクなどに記録される。
適な逆バイアス処理がなされた太陽電池セルについての
測定結果のデータは中央コントローラ（コンピュータ）
５０のディスプレイに表示され、最終的に集計されて記
録媒体に保存される。具体的には、第１の逆バイアス処
理ユニット２０Ａにおける太陽電池モジュール１０の最
初の２５段の太陽電池セルの逆バイアス処理による測定
結果は、中央コントローラ５０のディスプレイのａの位
置に表示される。次に、太陽電池モジュール１０が第２
の逆バイアス処理ユニット２０Ｂに搬送されると、その
太陽電池モジュール１０の測定結果は中央コントローラ
５０のディスプレイのｂの位置にシフトして表示され
る。ユニット２０Ｂにおける太陽電池モジュール１０の
次の２５段の太陽電池セルの逆バイアス処理による測定
結果は、中央コントローラ５０のディスプレイのｂの位
置に、ユニット２０Ａの測定結果とともに表示される。
同様に、太陽電池モジュール１０が第３の逆バイアス処
理ユニット２０Ｃに搬送され、ユニット２０Ｃにおける
２５段の太陽電池セルの逆バイアス処理による測定結果
が、中央コントローラ５０のディスプレイのｃの位置
に、それまでの測定結果とともに表示される。また、ユ
ニット２０Ｄにおける２５段の太陽電池セルの逆バイア
ス処理に伴う測定結果が、中央コントローラ５０のディ
スプレイのｄの位置に、それまでの測定結果とともに表
示される。最終的に、１００段の太陽電池セルの逆バイ
アス処理が終了し、外部へ搬出された太陽電池モジュー
ルの測定結果はディスプレイから消えて、その測定結果
はハードディスクなどに記録される。
【００２６】なお、太陽電池セルはダイオードと等価で
あるため、逆バイアス電圧を印加すると、太陽電池セル
がコンデンサーとして働き、逆バイアス電圧を除いた後
にも電荷が蓄積しやすい。この蓄積電荷に起因して正常
であるが耐圧の低い光電変換半導体層の部分が破壊され
ることがある。このため、逆バイアス処理は電荷のでき
るだけ蓄積しない条件で行うことが好ましい。
あるため、逆バイアス電圧を印加すると、太陽電池セル
がコンデンサーとして働き、逆バイアス電圧を除いた後
にも電荷が蓄積しやすい。この蓄積電荷に起因して正常
であるが耐圧の低い光電変換半導体層の部分が破壊され
ることがある。このため、逆バイアス処理は電荷のでき
るだけ蓄積しない条件で行うことが好ましい。
【００２７】たとえば、逆バイアス電圧として周期的に
変化する波形を示す電圧を印加することが好ましい。こ
のような逆バイアス電圧の波形の例を図４（Ａ）〜
（Ｃ）に示す。図４（Ａ）は正弦波、図４（Ｂ）正弦波
の半波、図４（Ｃ）はノコギリ波である。周期的に変化
する波形を示す逆バイアス電圧を印加すれば、電圧値が
０Ｖの期間及びピーク値から０Ｖに近づく期間に蓄積さ
れた電荷を効果的に放電できるので、蓄積電荷に起因し
て短絡部以外の正常な部分が破壊されるのを抑制でき
る。
変化する波形を示す電圧を印加することが好ましい。こ
のような逆バイアス電圧の波形の例を図４（Ａ）〜
（Ｃ）に示す。図４（Ａ）は正弦波、図４（Ｂ）正弦波
の半波、図４（Ｃ）はノコギリ波である。周期的に変化
する波形を示す逆バイアス電圧を印加すれば、電圧値が
０Ｖの期間及びピーク値から０Ｖに近づく期間に蓄積さ
れた電荷を効果的に放電できるので、蓄積電荷に起因し
て短絡部以外の正常な部分が破壊されるのを抑制でき
る。
【００２８】逆バイアス電圧の周波数は、太陽電池セル
の容量Ｃと逆方向の抵抗Ｒで定義される時定数にマッチ
ングさせることが好ましい。逆バイアス電圧の周波数を
上記のように設定すると、印加電圧の波形を電源電圧の
波形に追随させることができる。具体的には、逆バイア
ス電圧の周波数は２０〜１０００Ｈｚ、さらに５０〜１
２０Ｈｚの範囲に設定することが好ましい。
の容量Ｃと逆方向の抵抗Ｒで定義される時定数にマッチ
ングさせることが好ましい。逆バイアス電圧の周波数を
上記のように設定すると、印加電圧の波形を電源電圧の
波形に追随させることができる。具体的には、逆バイア
ス電圧の周波数は２０〜１０００Ｈｚ、さらに５０〜１
２０Ｈｚの範囲に設定することが好ましい。
【００２９】逆バイアス電圧は、逆バイアス電圧を主と
して、一部順方向成分を含んでいてもよい。このような
逆バイアス電圧の波形の例を図５（Ａ）〜（Ｄ）に示
す。図５（Ａ）は一部順方向成分を含む正弦波、図５
（Ｂ）は一部順方向成分を含む正弦波の半波、図５
（Ｃ）は一部順方向成分を含む矩形波、図５（Ｄ）は一
部順方向成分を含むノコギリ波である。このような波形
を示す逆バイアス電圧を印加すると、順方向成分の印加
時に蓄積電荷をさらに減少させることができ、太陽電池
セルの正常な部分の破壊を抑制できる。
して、一部順方向成分を含んでいてもよい。このような
逆バイアス電圧の波形の例を図５（Ａ）〜（Ｄ）に示
す。図５（Ａ）は一部順方向成分を含む正弦波、図５
（Ｂ）は一部順方向成分を含む正弦波の半波、図５
（Ｃ）は一部順方向成分を含む矩形波、図５（Ｄ）は一
部順方向成分を含むノコギリ波である。このような波形
を示す逆バイアス電圧を印加すると、順方向成分の印加
時に蓄積電荷をさらに減少させることができ、太陽電池
セルの正常な部分の破壊を抑制できる。
【００３０】逆バイアス電圧の印加時間（図４および図
５においてＴ1で表示）は０．２秒以下に設定すること
が好ましい。逆バイアス電圧の印加時間を０．２秒以下
という短時間に限定すれば、太陽電池セルにおける電荷
の蓄積を極力抑制できる。逆バイアス電圧の印加時間
は、（１／逆バイアス電圧の周波数）秒以上であれば十
分である。たとえば、逆バイアス電圧として周波数６０
Ｈｚの正弦波を印加する場合、逆バイアス電圧の印加時
間は１〜１２サイクル時間に相当する時間でよい。
５においてＴ1で表示）は０．２秒以下に設定すること
が好ましい。逆バイアス電圧の印加時間を０．２秒以下
という短時間に限定すれば、太陽電池セルにおける電荷
の蓄積を極力抑制できる。逆バイアス電圧の印加時間
は、（１／逆バイアス電圧の周波数）秒以上であれば十
分である。たとえば、逆バイアス電圧として周波数６０
Ｈｚの正弦波を印加する場合、逆バイアス電圧の印加時
間は１〜１２サイクル時間に相当する時間でよい。
【００３１】また、周期的に変化する波形を示す逆バイ
アス電圧を０．２秒以下の時間だけ印加する操作を、上
述したように逆バイアス電圧のピーク値を２Ｖ以下の低
い値から始めて順次増加させながら繰り返すことが好ま
しい。さらに、逆バイアス電圧のピーク値を順次増加さ
せる操作において、図６に示すように、ある回の逆バイ
アス電圧の印加時間（Ｔ1）と、前回の逆バイアス電圧
よりも高いピーク値を有する次の逆バイアス電圧の印加
時間（Ｔ1）との間のＴ2時間に、−０．５Ｖ以下の順方
向電圧を印加してもよい。このようにＴ2時間に順方向
電圧を印加すれば、蓄積電荷をさらに減少させることが
でき、正常な部分の破壊を抑制できる。逆バイアス電圧
の変化のさせ方は、図６に示す例に限らず、種々の態様
が考えられる。
アス電圧を０．２秒以下の時間だけ印加する操作を、上
述したように逆バイアス電圧のピーク値を２Ｖ以下の低
い値から始めて順次増加させながら繰り返すことが好ま
しい。さらに、逆バイアス電圧のピーク値を順次増加さ
せる操作において、図６に示すように、ある回の逆バイ
アス電圧の印加時間（Ｔ1）と、前回の逆バイアス電圧
よりも高いピーク値を有する次の逆バイアス電圧の印加
時間（Ｔ1）との間のＴ2時間に、−０．５Ｖ以下の順方
向電圧を印加してもよい。このようにＴ2時間に順方向
電圧を印加すれば、蓄積電荷をさらに減少させることが
でき、正常な部分の破壊を抑制できる。逆バイアス電圧
の変化のさせ方は、図６に示す例に限らず、種々の態様
が考えられる。
【００３２】以上の説明では、太陽電池セル１０の第２
電極層と点接触するプローブを用いたが、本発明におい
て用いられるプローブの形状は特に限定されない。例え
ば、図７に示すように太陽電池セル１０の第２電極層と
線接触する線状のプローブ３５を用いてもよい。また、
図８に示すように太陽電池セル１０の第２電極層と面接
触するブロック状のプローブ３６を用いてもよい。
電極層と点接触するプローブを用いたが、本発明におい
て用いられるプローブの形状は特に限定されない。例え
ば、図７に示すように太陽電池セル１０の第２電極層と
線接触する線状のプローブ３５を用いてもよい。また、
図８に示すように太陽電池セル１０の第２電極層と面接
触するブロック状のプローブ３６を用いてもよい。
【００３３】さらに、以上の説明では、太陽電池モジュ
ールの１００段の太陽電池セルのうち１／４の２５段分
を逆バイアス処理できるプローブを有するプローブユニ
ットを用いたが、プローブユニットは処理効率を考慮し
て様々に設計できる。
ールの１００段の太陽電池セルのうち１／４の２５段分
を逆バイアス処理できるプローブを有するプローブユニ
ットを用いたが、プローブユニットは処理効率を考慮し
て様々に設計できる。
【００３４】たとえば、１００段の太陽電池セルのうち
１／２の５０段分を逆バイアス処理できるプローブを有
するプローブユニットを用いてもよい。このようなプロ
ーブを用い、かつ図１に示したように４つの逆バイアス
処理ユニットを使用する場合には以下のように操作が行
われる。すなわち、上流側の２つの逆バイアス処理ユニ
ットで同時に２つの太陽電池セルについて太陽電池モジ
ュールの全段数（１００段）の最初の１／２の段数（５
０段）の太陽電池セルの逆バイアス処理を行う。次に、
太陽電池モジュールを２つ下流の逆バイアス処理ユニッ
トまで搬送（１０Ａから１０Ｃ、１０Ｂから１０Ｄ）す
る。そして、下流側の２つの逆バイアス処理ユニットで
同時に２つの太陽電池セルについて太陽電池モジュール
の全段数（１００段）の次の１／２の段数（５０段）の
太陽電池セルの逆バイアス処理を行う。また、５０段の
太陽電池セルを有する太陽電池モジュールに対して、以
上で説明した２５段分（この場合も全段数の１／２）を
逆バイアス処理できるプローブを有するプローブユニッ
トを用いで逆バイアス処理する場合にも、上記と同様な
操作が行われる。
１／２の５０段分を逆バイアス処理できるプローブを有
するプローブユニットを用いてもよい。このようなプロ
ーブを用い、かつ図１に示したように４つの逆バイアス
処理ユニットを使用する場合には以下のように操作が行
われる。すなわち、上流側の２つの逆バイアス処理ユニ
ットで同時に２つの太陽電池セルについて太陽電池モジ
ュールの全段数（１００段）の最初の１／２の段数（５
０段）の太陽電池セルの逆バイアス処理を行う。次に、
太陽電池モジュールを２つ下流の逆バイアス処理ユニッ
トまで搬送（１０Ａから１０Ｃ、１０Ｂから１０Ｄ）す
る。そして、下流側の２つの逆バイアス処理ユニットで
同時に２つの太陽電池セルについて太陽電池モジュール
の全段数（１００段）の次の１／２の段数（５０段）の
太陽電池セルの逆バイアス処理を行う。また、５０段の
太陽電池セルを有する太陽電池モジュールに対して、以
上で説明した２５段分（この場合も全段数の１／２）を
逆バイアス処理できるプローブを有するプローブユニッ
トを用いで逆バイアス処理する場合にも、上記と同様な
操作が行われる。
【００３５】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、多
数段の太陽電池セルを集積した太陽電池モジュールに対
して逆バイアス処理を効率的に実施できる逆バイアス処
理装置を提供することができる。
数段の太陽電池セルを集積した太陽電池モジュールに対
して逆バイアス処理を効率的に実施できる逆バイアス処
理装置を提供することができる。
【図１】本発明に係る太陽電池モジュールの逆バイアス
装置の全体構成を示す図。
装置の全体構成を示す図。
【図２】本発明の逆バイアス装置を構成する逆バイアス
処理ユニットの構成を示す図。
処理ユニットの構成を示す図。
【図３】本発明の逆バイアス装置を構成するプローブユ
ニットによる逆バイアス処理の操作を説明する図。
ニットによる逆バイアス処理の操作を説明する図。
【図４】本発明において使用される逆バイアス電圧の波
形の例を示す波形図。
形の例を示す波形図。
【図５】本発明において使用される逆バイアス電圧の波
形の他の例を示す波形図。
形の他の例を示す波形図。
【図６】本発明において使用される逆バイアス電圧の波
形のさらに他の例を示す波形図。
形のさらに他の例を示す波形図。
【図７】本発明において使用される他の形状のプローブ
の例を示す図。
の例を示す図。
【図８】本発明において使用されるさらに他の形状のプ
ローブの例を示す図。
ローブの例を示す図。
【図９】薄膜太陽電池モジュールの構造を示す斜視図。
１…絶縁性基板 ２…第１電極層 ３…光電変換半導体層 ４…第２電極層 ５…太陽電池セル １０…太陽電池モジュール ２０…逆バイアス処理ユニット ２１…ステージ ２２…コンベア昇降機 ２３…コンベアベルト ２４…基板押し当てツメ ２５…突き当て突起 ２６…プローブユニット昇降機 ２７…プローブユニット ２８…プローブ ２９…マルチプレクサ ３０…逆バイアス処理回路 ３１…コントローラ ３２…接続ワイヤ ３５、３６…プローブ ４１、４２…コンベアベルト ５０…中央コントローラ
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に順次形成された第１電極層、光
電変換半導体層および第２電極層を含む複数段のストリ
ング状の太陽電池セルを有する太陽電池モジュールに対
し、各太陽電池セルに逆バイアス電圧を印加して短絡部
を除去する太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置で
あって、 各々太陽電池モジュールを載置する複数の逆バイアス処
理ユニットと、 前記複数の逆バイアス処理ユニットにそれぞれ設けられ
た太陽電池モジュールの搬送機構と、 前記複数の逆バイアス処理ユニットにそれぞれ昇降可能
に取り付けられ、太陽電池モジュールの全段数のうち一
部の段数の太陽電池セルの第２電極層に一括して接触可
能な複数のプローブを有するプローブユニットと、 前記複数のプローブが複数段の太陽電池セルの第２電極
層に一括して接触した状態で、隣り合う１対の太陽電池
セルの第２電極層に順次逆バイアス電圧を印加する手段
とを具備したことを特徴とする太陽電池モジュールの逆
バイアス処理装置。 - 【請求項２】 前記逆バイアス処理ユニットはｎ個（ｎ
は偶数）設けられ、各逆バイアス処理ユニットに設けら
れた前記プローブユニットは太陽電池モジュールの全段
数の１／ｎまたは２／ｎの段数の太陽電池セルの第２電
極層に一括して接触可能な複数のプローブを有すること
を特徴とする請求項１記載の太陽電池モジュールの逆バ
イアス処理装置。 - 【請求項３】 前記逆バイアス処理ユニットの数ｎが４
個であることを特徴とする請求項２記載の太陽電池モジ
ュールの逆バイアス処理装置。 - 【請求項４】 前記各逆バイアス処理ユニットは、太陽
電池モジュール上の特定領域の太陽電池セルの第２電極
層に対して複数のプローブが一括して接触するように、
太陽電池モジュールを位置決めする機構を有することを
特徴とする請求項１ないし３いずれか１項記載の太陽電
池モジュールの逆バイアス処理装置。 - 【請求項５】 前記各逆バイアス処理ユニットは、太陽
電池モジュールの各太陽電池セルについて逆バイアス処
理時の電圧値に対応する電流値を測定する機能を有する
ことを特徴とする請求項１ないし４いずれか１項記載の
太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置。 - 【請求項６】 さらに、前記各逆バイアス処理ユニット
で得られる太陽電池モジュールの一部の太陽電池セルの
逆バイアス処理時の測定データを集計して、太陽電池モ
ジュールの全段の太陽電池セルの測定データを構成する
コントローラーを具備したことを特徴とする請求項１な
いし５いずれか１項記載の太陽電池モジュールの逆バイ
アス処理装置。
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| JP2000044527A JP4783487B2 (ja) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | 太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置 |
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