JP2009206364A - 薄膜光電変換モジュールの製造方法および製造装置 - Google Patents
薄膜光電変換モジュールの製造方法および製造装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】直列接続された光電変換素子Dにおいて、隣接する一方の光電変換素子Dの第2電極と他方の光電変換素子Dの第1電極とが接続される。薄膜光電変換モジュールの製造方法は、複数個の光電変換素子Dのうち、複数個の光電変換素子Dが間に接続された1対の光電変換素子Dを第1の光電変換素子Dおよび第2の光電変換素子Dに設定するステップと、第1の光電変換素子Dおよび第2の光電変換素子Dの第1電極にそれぞれ第1の電圧を供給し、かつ第1の光電変換素子Dおよび第2の光電変換素子Dの第2電極にそれぞれ第2の電圧を供給することにより、第1の光電変換素子Dおよび第2の光電変換素子Dに逆バイアスをかけるステップとを含む。
【選択図】図1
Description
上記課題を解決するために、この発明のある局面に係わる薄膜光電変換モジュールの製造装置は、直列接続され、各々が第1電極および第2電極を有する複数個の光電変換素子を含み、隣接する一方の光電変換素子の第2電極と他方の光電変換素子の第1電極とが接続された薄膜光電変換モジュールの製造装置であって、第1の電位および第2の電位を生成することが可能に構成された電位生成部と、電位生成部によって生成された第1の電位および第2の電位を光電変換素子に供給することが可能に構成された電位供給部とを備え、電位供給部は、複数個の光電変換素子が間に接続された第1の光電変換素子および第2の光電変換素子の第1電極にそれぞれ第1の電位を供給し、かつ第1の光電変換素子および第2の光電変換素子の第2電極にそれぞれ第2の電位を供給することが可能に構成されている。
[構成および基本動作]
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る薄膜光電変換モジュールの製造装置の概略図である。
次に、本発明の第1の実施の形態に係る薄膜光電変換モジュールの製造装置が光電変換素子に逆バイアスをかける際の動作について説明する。
本実施の形態は、第1の実施の形態に係る薄膜光電変換モジュールの製造方法および製造装置と比べて印加する電位の種類を増やした薄膜光電変換モジュールの製造方法および製造装置に関する。以下で説明する内容以外は第1の実施の形態に係る薄膜光電変換モジュールの製造方法および製造装置と同様である。
本実施の形態は、切り替え部を用いない薄膜光電変換モジュールの製造方法および製造装置に関する。以下で説明する内容以外は第1の実施の形態に係る薄膜光電変換モジュールの製造方法および製造装置と同様である。
Claims (10)
- 直列接続され、各々が第1電極および第2電極を有する複数個の光電変換素子を含み、隣接する一方の前記光電変換素子の第2電極と他方の前記光電変換素子の第1電極とが接続された薄膜光電変換モジュールの製造方法であって、
第1の電位および第2の電位を生成するステップと、
前記複数個の光電変換素子のうち、複数個の前記光電変換素子が間に接続された1対の前記光電変換素子を第1の前記光電変換素子および第2の前記光電変換素子に設定するステップと、
前記第1の光電変換素子および前記第2の光電変換素子の第1電極にそれぞれ前記第1の電位を供給し、かつ前記第1の光電変換素子および前記第2の光電変換素子の第2電極にそれぞれ前記第2の電位を供給することにより、前記第1の光電変換素子および前記第2の光電変換素子に逆バイアスをかけるステップとを含む薄膜光電変換モジュールの製造方法。 - 前記薄膜光電変換モジュールの製造方法は、さらに、
前記第1の電位と前記第2の電位との間のレベルを有する1または複数の電位を生成するステップと、
前記第1の光電変換素子および前記第2の光電変換素子の間に接続された複数個の前記光電変換素子同士を接続する1または複数のノードに前記1または複数の電位を供給するステップとを含む請求項1に記載の薄膜光電変換モジュールの製造方法。 - 前記薄膜光電変換モジュールの製造方法は、さらに、
前記第1の電位と前記第2の電位との間のレベルを有する1または複数の電位を生成するステップと、
前記第1の光電変換素子および前記第2の光電変換素子の間に接続された前記複数個の光電変換素子にそれぞれ順バイアスがかかるように、前記第1の光電変換素子および前記第2の光電変換素子の間に接続された前記複数個の光電変換素子同士を接続する複数のノードに前記1または複数の電位を供給するステップとを含む請求項1に記載の薄膜光電変換モジュールの製造方法。 - 前記第1の光電変換素子および前記第2の光電変換素子を設定するステップにおいては、前記複数個の光電変換素子のうち、3個以上の前記光電変換素子が間に接続された1対の前記光電変換素子を前記第1の光電変換素子および前記第2の光電変換素子に設定し、
前記複数の電位を生成するステップにおいては、前記3個以上の前記光電変換素子同士を接続する複数のノードの数の電位であって、等間隔のレベル差を有する複数の電位を生成する請求項3に記載の薄膜光電変換モジュールの製造方法。 - 前記薄膜光電変換モジュールの製造方法は、さらに、
前記第1の光電変換素子および前記第2の光電変換素子の間に接続された複数個の光電変換素子のうちのいずれかを新たな第1の光電変換素子に設定し、かつ前記第1の光電変換素子との間に前記第2の光電変換素子を挟む前記光電変換素子を新たな第2の光電変換素子に設定するステップと、
前記新たな第1の光電変換素子および前記新たな第2の光電変換素子の第1電極にそれぞれ前記第1の電位を供給し、かつ前記新たな第1の光電変換素子および前記新たな第2の光電変換素子の第2電極にそれぞれ前記第2の電位を供給するステップとを含む請求項1に記載の薄膜光電変換モジュールの製造方法。 - 前記第1の光電変換素子および前記第2の光電変換素子を設定するステップにおいては、前記第1の電位および前記第2の電位の差を前記光電変換素子の内蔵電位で除した数より大きい数の前記光電変換素子が間に接続された1対の前記光電変換素子を前記第1の光電変換素子および前記第2の光電変換素子に設定する請求項1に記載の薄膜光電変換モジュールの製造方法。
- 前記第1の電位および前記第2の電位の差は、前記光電変換素子の耐電圧以下である請求項1に記載の薄膜光電変換モジュールの製造方法。
- 直列接続され、各々が第1電極および第2電極を有する複数個の光電変換素子を含み、隣接する一方の前記光電変換素子の第2電極と他方の前記光電変換素子の第1電極とが接続された薄膜光電変換モジュールの製造装置であって、
第1の電位および第2の電位を生成することが可能に構成された電位生成部と、
前記電位生成部によって生成された前記第1の電位および前記第2の電位を前記光電変換素子に供給することが可能に構成された電位供給部とを備え、
前記電位供給部は、複数個の前記光電変換素子が間に接続された第1の前記光電変換素子および第2の前記光電変換素子の第1電極にそれぞれ前記第1の電位を供給し、かつ前記第1の光電変換素子および前記第2の光電変換素子の第2電極にそれぞれ前記第2の電位を供給することが可能に構成された薄膜光電変換モジュールの製造装置。 - 前記電位生成部は、さらに、前記第1の電位と前記第2の電位との間のレベルを有する1または複数の電位を生成することが可能に構成され、
前記電位供給部は、さらに、前記第1の光電変換素子および前記第2の光電変換素子の間に接続された複数個の前記光電変換素子同士を接続する1または複数のノードに前記1または複数の電位を供給することが可能に構成された請求項8に記載の薄膜光電変換モジュールの製造装置。 - 前記電位生成部は、さらに、前記第1の電位と前記第2の電位との間のレベルを有する1または複数の電位を生成することが可能に構成され、
前記電位供給部は、さらに、前記第1の光電変換素子および前記第2の光電変換素子の間に接続された前記複数個の光電変換素子にそれぞれ順バイアスがかかるように、前記第1の光電変換素子および前記第2の光電変換素子の間に接続された前記複数個の光電変換素子同士を接続する複数のノードに前記1または複数の電位を供給することが可能に構成された請求項8に記載の薄膜光電変換モジュールの製造装置。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62176173A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置作成方法 |
JPS6341081A (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-22 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜半導体装置の製造方法 |
JP2000323738A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-24 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置 |
JP2001237440A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62176173A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置作成方法 |
JPS6341081A (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-22 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜半導体装置の製造方法 |
JP2000323738A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-24 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置 |
JP2001237440A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105978066A (zh) * | 2011-10-21 | 2016-09-28 | 索尼公司 | 馈电单元 |
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