JP2010129775A - 逆バイアス処理装置および逆バイアス処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の光電変換素子にリーク電流が流れる場合にもリーク欠陥の修復ができて逆バイアス処理が可能な逆バイアス処理装置および逆バイアス処理方法を提供する。
【解決手段】光電変換ストリングがＮ列（Ｎは自然数）並列配置された太陽光発電モジュールの逆バイアス処理装置であって、光電変換ストリングの各々は、Ｍ段（Ｍは自然数）の光電変換部と、Ｍ段の光電変換部に共通に接続された電源と、電源に接続された電流計とを備える。Ｍ段の光電変換部は、光電変換部の段方向の隣接間に（Ｍ−１）個の光電変換素子と、光電変換素子に対する電源からの逆バイアス印加を切り換える光電変換部ごとのスイッチとを含む。
【選択図】図１

Description

この発明は、逆バイアス処理装置および逆バイアス処理方法に関し、特に、光電変換素子の逆バイアス処理装置および逆バイアス処理方法に関する。より特定的には、直並列接続された光電変換素子に逆バイアス電圧を印加して光電変換素子間の短絡箇所を切断するための逆バイアス処理装置および逆バイアス処理方法に関する。

近年、ガスを原料としてプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により生成される薄膜太陽電池が注目されている。薄膜太陽電池の例として、シリコン系薄膜太陽電池、ＣＩＳ（Cu-In-Se）化合物薄膜太陽電池、ＣＩＧＳ（Cu-In-Ga-Se）化合物薄膜太陽電池などが挙げられる。薄膜太陽電池は、開発および生産量の拡大が進められている。

薄膜太陽電池は、プラズマＣＶＤ法の他、スパッタ法、真空蒸着法などにより、基板上に半導体膜または電極膜を積層して形成される。薄膜太陽電池は２つの電極に挟まれた半導体層の層厚が薄いため、半導体層中のピンホールによる電極間の短絡が生じ易い。また、薄膜太陽電池では光電変換素子を直列接続するため、半導体膜および電極膜を加工する際に欠陥で素子間に短絡部分が発生する。これらの短絡により、薄膜太陽電池の発電特性が低下する。

上記のような薄膜太陽電池の特性低下を回復する目的として、特許文献１には太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置が開示されている（たとえば下記の図９参照）。当該逆バイアス処理装置は、太陽電池セルの電極間に逆バイアス電圧を印加することにより、電極間の短絡部分を除去する。

図９は、太陽電池モジュールに用いられる従来の逆バイアス処理装置８００を示した模式図である。

図９を参照して、従来の逆バイアス処理装置８００は、電源８０２と、光電変換素子８０３ａ〜８０３ｆと、電極５５４ａ〜５５４ｇと、プローブ８０５ａ〜８０５ｇと、切換スイッチ８０６とを備える。さらに、逆バイアス処理装置８００は、複数段のプローブ８０５ａ〜８０５ｇを一体的に昇降させるための図示しない制御機構を備える。切換スイッチ８０６は、スイッチ素子８１６ａ〜８１６ｇを含む。光電変換素子８０３ａ〜８０３ｆ、電極５５４ａ〜５５４ｇは、それぞれ光電変換素子８０３、電極５５４とも総称する。

プローブ８０５ａ〜８０５ｇは、互いに隣り合う３段以上の光電変換素子８０３ａ〜８０３ｆの電極５５４ａ〜５５４ｇにそれぞれ電気的または機械的に接触する。切換スイッチ８０６は、複数段のプローブ８０５ａ〜８０５ｇのうち、電極５５４ａ〜５５４ｇの隣り合う任意の１対間に逆バイアス電圧を印加する１対のプローブを選択する。

逆バイアス処理装置８００は、プローブ８０５ａ〜８０５ｇを下降させて太陽電池セルの電極５５４に接触させた後でスイッチ素子８１６ａ〜８１６ｇを切り換えることにより、複数段の太陽電池セルの逆バイアス処理ができる。これにより、最も時間のかかるプローブの下降操作の回数を従来よりも大幅に減少させることができる。その結果、逆バイアス処理全体の効率を向上させることができるとされている。

図１０は、複数の光電変換素子が直列接続された従来の光電変換装置８０３の概略的な構成を示した断面図である。

図１０を参照して、従来の光電変換装置８０３は、複数の光電変換素子８０３ａ〜８０３ｆを備える。光電変換素子８０３ａ〜８０３ｆは、ガラス等の透明絶縁基板５０６上に、ＳｎＯ₂（二酸化錫）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）等の透明導電膜からなる表面電極５０７ａ〜５０７ｆと、光電変換層を含む半導体層５０８ａ〜５０８ｇと、金属および透明電極からなる裏面電極５０４ａ〜５０４ｇとが順に積層された構造を有する。表面電極５０７ａ〜５０７ｆ、半導体層５０８ａ〜５０８ｇ、裏面電極５０４ａ〜５０４ｇは、それぞれ表面電極５０７、半導体層５０８、裏面電極５０４とも総称する。

光電変換素子８０３ａ〜８０３ｆは、表面電極５０７、半導体層５０８および裏面電極５０４の一部が除去されて、隣接する光電変換素子の表面電極５０７ａと裏面電極５０４ｂ、表面電極５０７ｂと裏面電極５０４ｃ、・・・、および表面電極５０７ｆと裏面電極５０４ｇが電気的に接続されている。この構造により、光電変換素子８０３ａ〜８０３ｆは直列接続されている。

図１１は、複数の光電変換素子が直列接続された従来の光電変換装置８０３の等価回路を示した図である。

図１１を参照して、従来の光電変換装置８０３の等価回路は、裏面電極５０４ａ〜５０４ｇに接続された複数の光電変換素子８０３ａ〜８０３ｆを含む。光電変換装置８０３は、裏面電極５０４ａと裏面電極５０４ｂとの間すなわち光電変換素子８０３ａに逆バイアス電圧を印加して逆バイアス処理を行なう。その後、図９の切換スイッチ８０６により、今度は裏面電極５０４ｂと裏面電極５０４ｃとの間すなわち光電変換素子８０３ｂに逆バイアス電圧を印加して逆バイアス処理を行なう。その後、順次光電変換素子８０３ｆまで逆バイアス処理を行なう。

図１２は、光電変換素子を直列接続したものを並列配置した従来の太陽電池モジュール１００の構成を示した回路図である。

図１２を参照して、従来の太陽電池モジュール１００は、直列接続された光電変換素子８１３ａ〜８１３ｆと、直列接続された光電変換素子８２３ａ〜８２３ｆと、直列接続された光電変換素子８３３ａ〜８３３ｆとが並列配置されている。光電変換素子８１３ａ〜８１３ｆは、裏面電極５１４ａ〜５１４ｇに接続されている。光電変換素子８２３ａ〜８２３ｆは、裏面電極５２４ａ〜５２４ｇに接続されている。光電変換素子８３３ａ〜８３３ｆは、裏面電極５３４ａ〜５３４ｇに接続されている。

図１３は、太陽電池モジュールに用いられる従来の逆バイアス処理装置２００を示した回路図である。

図１３を参照して、従来の逆バイアス処理装置２００は、電源８０２と、光電変換部８１０ａ〜８１０ｇ、８２０ａ〜８２０ｇ、８３０ａ〜８３０ｇ、８４０ａ〜８４０ｇと、切換スイッチ８０６ａ〜８０６ｇとを備える。電源８０２は、切換スイッチ８０６ａ〜８０６ｇに接続されている。光電変換部８１０ａ〜８１０ｇ、８２０ａ〜８２０ｇ、８３０ａ〜８３０ｇ、８４０ａ〜８４０ｇは、Ｍ段Ｎ列に拡大縮小可能である。

光電変換部８１０ａ〜８１０ｇは、直列接続された光電変換素子８１３ａ〜８１３ｆを隣接間で共有する。光電変換部８２０ａ〜８２０ｇは、直列接続された光電変換素子８２３ａ〜８２３ｆを隣接間で共有する。光電変換部８３０ａ〜８３０ｇは、直列接続された光電変換素子８３３ａ〜８３３ｆを隣接間で共有する。光電変換部８４０ａ〜８４０ｇは、直列接続された光電変換素子８４３ａ〜８４３ｆを隣接間で共有する。

切換スイッチ８０６ａは、光電変換部８１０ａ，８２０ａ，８３０ａ，８４０ａに接続されている。切換スイッチ８０６ｂは、光電変換部８１０ｂ，８２０ｂ，８３０ｂ，８４０ｂに接続されている。・・・切換スイッチ８０６ｇは、光電変換部８１０ｇ，８２０ｇ，８３０ｇ，８４０ｇに接続されている。

図１３の逆バイアス処理装置２００は、図１２に示すような太陽電池モジュール１００において逆バイアス処理を行なう場合に用いられる。逆バイアス処理装置２００は、直並列に配列された光電変換素子において、まず、列方向の１つの段に位置する光電変換素子を並列接続して、１つの列に逆バイアスを印加する。逆バイアス処理装置２００は、この動作を列の順番に繰り返すことで、上述と同様に逆バイアス処理を行なっている。

逆バイアス処理装置２００は、直並列に配列された光電変換素子の列方向の１つの段に位置する光電変換素子を並列接続して、それらを一度に逆バイアス処理する。これにより、光電変換素子を直列接続したストリングを並列配置した太陽光発電モジュールを逆バイアス処理することができる。
特開平１１−１３４０６９号公報

薄膜太陽電池の大面積化にともない、図１２のように光電変換素子を直列接続したストリングを並列配置した太陽電池モジュール１００が製造されている。このような太陽光発電モジュールを逆バイアス処理する場合、光電変換素子を１つずつ逆バイアス処理することも可能だが、図１３の逆バイアス処理装置２００のように逆バイアス処理を行なうことが効率的で生産性も高いため従来から採用されている。逆バイアス処理装置２００は、直並列に配列された光電変換素子の列方向の１つの段に位置する光電変換素子を並列処理して、それらを一度に逆バイアス処理する。

しかしながら、図１３の逆バイアス処理装置２００は、複数の光電変換素子にリーク電流が流れる場合、それらのリーク電流の和が大きいと電源の電流容量が不足してリーク欠陥の修復ができない。また、リーク電流が流れる複数の光電変換素子のうち修復不可能なリーク欠陥が１つでもあれば、他の修復可能なリーク欠陥のある光電変換素子に逆バイアス電流が十分流れず、逆バイアス処理ができないという問題があった。

それゆえに、この発明の目的は、複数の光電変換素子にリーク電流が流れる場合にもリーク欠陥の修復ができて逆バイアス処理が可能な逆バイアス処理装置および逆バイアス処理方法を提供することである。

この発明のある局面によれば、光電変換ストリングがＮ列（Ｎは自然数）並列配置された太陽光発電モジュールの逆バイアス処理装置であって、光電変換ストリングの各々は、Ｍ段（Ｍは自然数）の光電変換部と、Ｍ段の光電変換部に共通に接続された電源と、電源に接続された電流計とを備える。Ｍ段の光電変換部は、光電変換部の段方向の隣接間に（Ｍ−１）個の光電変換素子と、光電変換素子に対する電源からの逆バイアス印加を切り換える光電変換部ごとのスイッチとを含む。

この発明の他の局面によれば、光電変換ストリングがＮ列（Ｎは自然数）並列配置された太陽光発電モジュールの逆バイアス処理装置であって、電源と、電源に接続された電流計とを備える。光電変換ストリングの各々は、Ｍ段（Ｍは自然数）の光電変換部と、電源と光電変換ストリングとの接続を切り換える切換スイッチとを含む。Ｍ段の光電変換部は、光電変換部の段方向の隣接間に（Ｍ−１）個の光電変換素子と、光電変換素子に対する電源からの逆バイアス印加を切り換える光電変換部ごとのスイッチとを含む。

この発明の他の局面によれば、光電変換ストリングがＮ列（Ｎは自然数）並列配置された太陽光発電モジュールの逆バイアス処理装置であって、電源を備え、光電変換ストリングの各々は、Ｍ段（Ｍは自然数）の光電変換部を含み、光電変換部の列方向ごとに、電源と光電変換部のストリングとの接続を切り換える切換スイッチを含む。Ｍ段の光電変換部は、光電変換部の段方向の隣接間に（Ｍ−１）個の光電変換素子と、光電変換素子に対する電源からの逆バイアス印加を切り換える光電変換部ごとのスイッチと、光電変換部ごとに設けられた電流計とを含む。

好ましくは、逆バイアス処理装置は、光電変換素子に逆バイアスより小さな電圧を印加することで電流計に流れるリーク電流を計測することにより、逆バイアス処理後のリーク抵抗を測定する。

この発明の他の局面によれば、光電変換ストリングがＮ列（Ｎは自然数）並列配置された太陽光発電モジュールの逆バイアス処理装置であって、電源を備え、光電変換ストリングの各々は、Ｍ段（Ｍは自然数）の光電変換部とを含む。光電変換部の列方向ごとに、電源と光電変換部のストリングとの接続を切り換える切換スイッチを含む。Ｍ段の光電変換部は、光電変換部の段方向の隣接間に（Ｍ−１）個の光電変換素子と、光電変換素子に対する電源からの逆バイアス印加を切り換える光電変換部ごとのスイッチと、光電変換部ごとの誘導コイルと、光電変換ストリングごとの誘導起電力計とを含む。

好ましくは、誘導コイルは、段方向の隣接間においてコイルの巻き方が互いに逆向きに直列接続され、その直列接続の両端に誘導起電力計が接続されている。

好ましくは、誘導起電力計は、光電変換素子に逆バイアス電圧を印加して流れるリーク電流によって誘導コイルに生じる誘導起電力を計測する。

好ましくは、誘導起電力計は、誘導コイルに誘起される電流を測定し、逆バイアス処理後にリークしている光電変換素子を特定する。

好ましくは、逆バイアス処理装置は、誘導起電力計において計測されるリーク電流および誘導起電力により、逆バイアス処理後のリーク抵抗を測定する。

好ましくは、誘導コイルおよび誘導起電力計は、磁気検出素子を使用した磁気測定系に置き換えることが可能である。

好ましくは、光電変換部は、光電変換素子の電極に電気的または機械的に接触するプローブと、プローブの接触を制御する制御機構とをさらに含む。

この発明の他の局面によれば、光電変換素子がＭ段Ｎ列（Ｍ、Ｎは自然数）に配列された太陽光発電モジュールの逆バイアス処理方法であって、１つの段に位置する光電変換素子のスイッチをすべて閉じて逆バイアス処理を行なうステップと、逆バイアス処理の電圧より小さな印加電圧でリーク電流を測定し、逆バイアス処理後のリーク抵抗を測定するステップと、リークがある光電変換素子のスイッチを１つずつ閉じて、個別に逆バイアス処理を行なうステップとを備える。

好ましくは、個別に逆バイアス処理を行なうステップは、逆バイアス処理後に光電変換素子に対する電圧印加を継続し、逆バイアス処理後にリークしている光電変換素子を特定するステップと、リーク抵抗から修復不能な光電変換素子を判定するステップと、修復不能な光電変換素子を除いて、修復可能な光電変換素子に個別に逆バイアス処理電流が流れるようにスイッチを開閉するステップとを含む。

好ましくは、逆バイアス処理の電圧は、光電変換素子の耐圧を超えない電圧範囲で、時間的に単調増加または単調減少する電圧波形を有する。

好ましくは、逆バイアス処理後の電圧は、逆バイアス処理の電圧より低い電圧範囲で、時間的に単調増加または単調減少する電圧波形を有する。

この発明の実施の形態によれば、複数の光電変換素子にリーク電流が流れて、電源の電流供給処理能力を超える場合にも、リーク欠陥の修復を確実にできる逆バイアス処理が可能となる。

以下、この発明の実施の形態について図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。

［実施の形態１］
図１は、この発明の実施の形態１による太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置１Ａを示した回路図である。

図１を参照して、実施の形態１の逆バイアス処理装置１Ａは、電源１０，２０，３０，４０と、電流計１１，２１，３１，４１と、光電変換部１５ａ〜１５ｇ、２５ａ〜２５ｇ、３５ａ〜３５ｇ、４５ａ〜４５ｇとを備える。光電変換部１５ａ〜１５ｇ、２５ａ〜２５ｇ、３５ａ〜３５ｇ、４５ａ〜４５ｇは、スイッチ１３ａ〜１３ｇ、２３ａ〜２３ｇ、３３ａ〜３３ｇ、４３ａ〜４３ｇをそれぞれ含む。光電変換部１５ａ〜４５ｇは、Ｍ段Ｎ列（Ｍ、Ｎは自然数）に拡大縮小可能である。

光電変換部１５ａ〜１５ｇは、直列接続された光電変換素子１２ａ〜１２ｆを隣接間で共有する。光電変換部２５ａ〜２５ｇは、直列接続された光電変換素子２２ａ〜２２ｆを隣接間で共有する。光電変換部３５ａ〜３５ｇは、直列接続された光電変換素子３２ａ〜３２ｆを隣接間で共有する。光電変換部４５ａ〜４５ｇは、直列接続された光電変換素子４２ａ〜４２ｆを隣接間で共有する。

電源１０は、電流計１１を介して、スイッチ１３ａ〜１３ｇに接続されている。スイッチ１３ａ〜１３ｇは、光電変換素子１２ａ〜１２ｆへの逆バイアス印加を切り換える。電源２０は、電流計２１を介して、スイッチ２３ａ〜２３ｇに接続されている。スイッチ２３ａ〜２３ｇは、光電変換素子２２ａ〜２２ｆへの逆バイアス印加を切り換える。電源３０は、電流計３１を介して、スイッチ３３ａ〜３３ｇに接続されている。スイッチ３３ａ〜３３ｇは、光電変換素子３２ａ〜３２ｆへの逆バイアス印加を切り換える。電源４０は、電流計４１を介して、スイッチ４３ａ〜４３ｇに接続されている。スイッチ４３ａ〜４３ｇは、光電変換素子４２ａ〜４２ｆへの逆バイアス印加を切り換える。

図１２に示すような太陽電池モジュール１００において逆バイアス処理を行なう場合、従来は図１３の逆バイアス処理装置２００が用いられていた。逆バイアス処理装置２００は、直列接続ストリングを構成する光電変換素子と、光電変換素子の直列接続ストリング毎に設けられた逆バイアス処理用電源と、光電変換素子への電源の正負の出力を切り換える切換スイッチとを備えている。逆バイアス処理装置２００は、光電変換素子ごとに順番に切換スイッチの接続を切り換えることで、逆バイアス処理を並列的に行なう。しかしながら、逆バイアス処理装置２００は、同一の段において複数の光電変換素子でリーク欠陥がある場合、電源の供給能力を超える電流が流れる状態になる。その場合、逆バイアス処理電圧が十分にかからず、リーク欠陥修復が不完全な状態になる。

上記に対し、図１に示した実施の形態１の逆バイアス処理装置１Ａは、直並列接続された光電変換素子の直列接続ストリング（光電変換ストリング）すべてに、逆バイアス処理用の電源および電流計を備えている。さらに、逆バイアス処理装置１Ａは、光電変換素子ごとに逆バイアス電圧印加用のスイッチを設けている。このような素子配列により、逆バイアス処理装置１Ａは、スイッチを切り換えることで、電源には１つの光電変換素子しか接続されないように制御できる。よって、複数の光電変換素子のリークのために、電源の電流供給能力が不足して逆バイアス処理が不十分になることはない。

逆バイアス処理装置１Ａは、電源ごとに電流計を設けることによって、逆バイアス処理時の電流を同時に測定することができる。また、逆バイアス処理装置１Ａは、逆バイアス処理後に逆バイアスより小さな電圧を印加し、リーク電流を計測することで、逆バイアス処理後のリーク抵抗を同時に測定することができる。これらの測定により、特別な抵抗測定の工程を追加することなく、太陽電池モジュールのリーク欠陥のデータを収集することができる。当該測定データは、太陽光発電モジュールの製造工程における異常の原因究明および品質改善のために利用することができる。

以上のように、実施の形態１の逆バイアス処理装置は、光電変換素子を直列接続したストリング毎の逆バイアス処理用の電源と、逆バイアス処理を行なう光電変換素子を選択する配線およびスイッチとを設けている。これにより、光電変換素子を直列接続したストリングを並列配置した太陽光発電モジュールを逆バイアス処理する際に、電源の電流供給能力の制限によって修復できなかった欠陥を確実に修復することができる。

また、実施の形態１の逆バイアス処理装置は、比較的簡単な構造の装置で、処理時間、測定時間の増大を招くこともなく、逆バイアス処理をすると同時にリーク電流がある光電変換素子のリーク抵抗を測定することができる。その結果、逆バイアス処理を行なう光電変換素子を選択して逆バイアス処理を行なうことができる。

［実施の形態２］
図２は、この発明の実施の形態２による太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置１Ｂを示した回路図である。

図２を参照して、実施の形態２の逆バイアス処理装置１Ｂは、電源５０と、電流計５１と、光電変換部１５ａ〜１５ｇ、２５ａ〜２５ｇ、３５ａ〜３５ｇ、４５ａ〜４５ｇと、切換スイッチ１６，１７，２６，２７，３６，３７，４６，４７とを備える。光電変換部１５ａ〜１５ｇ、２５ａ〜２５ｇ、３５ａ〜３５ｇ、４５ａ〜４５ｇは、スイッチ１３ａ〜１３ｇ、２３ａ〜２３ｇ、３３ａ〜３３ｇ、４３ａ〜４３ｇをそれぞれ含む。光電変換部１５ａ〜４５ｇは、Ｍ段Ｎ列に拡大縮小可能である。

電源５０は、切換スイッチ１６，２６，３６，４６に接続されるとともに、電流計５１を介して切換スイッチ１７，２７，３７，４７に接続されている。切換スイッチ１６，１７は、光電変換部１５ａ〜１５ｇに接続されている。切換スイッチ２６，２７は、光電変換部２５ａ〜２５ｇに接続されている。切換スイッチ３６，３７は、光電変換部３５ａ〜３５ｇに接続されている。切換スイッチ４６，４７は、光電変換部４５ａ〜４５ｇに接続されている。

光電変換部１５ａ〜１５ｇは、直列接続された光電変換素子１２ａ〜１２ｆを隣接間で共有する。光電変換部２５ａ〜２５ｇは、直列接続された光電変換素子２２ａ〜２２ｆを隣接間で共有する。光電変換部３５ａ〜３５ｇは、直列接続された光電変換素子３２ａ〜３２ｆを隣接間で共有する。光電変換部４５ａ〜４５ｇは、直列接続された光電変換素子４２ａ〜４２ｆを隣接間で共有する。

スイッチ１３ａ〜１３ｇは、光電変換素子１２ａ〜１２ｆへの逆バイアス印加を切り換える。スイッチ２３ａ〜２３ｇは、光電変換素子２２ａ〜２２ｆへの逆バイアス印加を切り換える。スイッチ３３ａ〜３３ｇは、光電変換素子３２ａ〜３２ｆへの逆バイアス印加を切り換える。スイッチ４３ａ〜４３ｇは、光電変換素子４２ａ〜４２ｆへの逆バイアス印加を切り換える。

図１に示した実施の形態１の逆バイアス処理装置１Ａは、光電変換素子の直列ストリングの並列配置の数だけ逆バイアス処理用の電源が必要となる。最近の太陽光発電モジュールの大型化にともない、光電変換素子の直列ストリングの並列配置の数が増加し、装置が巨大化してコストアップにつながるという問題があった。

これに対し、図２に示した実施の形態２の逆バイアス処理装置１Ｂは、電源１台で光電変換素子の直列接続ストリングを一列づつ選択することができる。そのため、直列接続ストリングごとに逆バイアス処理および逆バイアス処理後の抵抗測定を行なうことが可能となる。

［実施の形態３］
図３は、この発明の実施の形態３による太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置１Ｃを示した回路図である。

図３を参照して、実施の形態３の逆バイアス処理装置１Ｃは、電源５０と、光電変換部１５ａ〜１５ｇ、２５ａ〜２５ｇ、３５ａ〜３５ｇ、４５ａ〜４５ｇと、切換スイッチ５２ａ〜５２ｇとを備える。光電変換部１５ａ〜１５ｇ、２５ａ〜２５ｇ、３５ａ〜３５ｇ、４５ａ〜４５ｇは、電流計１１ａ〜１１ｇ，２１ａ〜２１ｇ，３１ａ〜３１ｇ，４１ａ〜４１ｇと、スイッチ１４ａ〜１４ｇ、２４ａ〜２４ｇ、３４ａ〜３４ｇ、４４ａ〜４４ｇとをそれぞれ含む。光電変換部１５ａ〜４５ｇは、Ｍ段Ｎ列に拡大縮小可能である。

電源５０は、切換スイッチ５２ａ〜５２ｇに接続されている。切換スイッチ５２ａは、光電変換部１５ａ，２５ａ，３５ａ，４５ａに接続されている。切換スイッチ５２ｂは、光電変換部１５ｂ，２５ｂ，３５ｂ，４５ｂに接続されている。・・・切換スイッチ５２ｇは、光電変換部１５ｇ，２５ｇ，３５ｇ，４５ｇに接続されている。

光電変換部１５ａ〜１５ｇは、直列接続された光電変換素子１２ａ〜１２ｆを隣接間で共有する。光電変換部２５ａ〜２５ｇは、直列接続された光電変換素子２２ａ〜２２ｆを隣接間で共有する。光電変換部３５ａ〜３５ｇは、直列接続された光電変換素子３２ａ〜３２ｆを隣接間で共有する。光電変換部４５ａ〜４５ｇは、直列接続された光電変換素子４２ａ〜４２ｆを隣接間で共有する。

図２に示した実施の形態２の逆バイアス処理装置１Ｂは、直列接続ストリングの数だけ逆バイアス処理を繰り返す。そのため、逆バイアス処理の時間が増大し、装置の処理能力が低下するという問題があった。

これに対し、図３に示した実施の形態３の逆バイアス処理装置１Ｃは、直並列接続した光電変換素子の１つの段に位置する光電変換素子の逆バイアス処理を行なうとき、いったん逆バイアス処理をした後に逆バイアス処理電圧より低い電圧を印加してリーク電流を測定する。リーク電流が検出された光電変換素子が複数ある場合は、リークのある光電変換素子の直列ストリングを一つずつ選択し、個別に逆バイアス処理を行なう。

具体的には、図３の逆バイアス処理装置１Ｃに示すように、直並列接続された光電変換素子のすべてに電流計およびスイッチを設ける。逆バイアス処理装置１Ｃは、最初に１つの段に位置する光電変換素子のスイッチをすべて閉じて逆バイアス処理を行なう。その後、逆バイアスより小さな印加電圧でリーク電流を測定する。その後、リークがある光電変換素子のスイッチを１つずつ閉じて、個別に逆バイアス処理を行なう。これにより、逆バイアス処理時間の増大を抑えることができる。

［実施の形態４］
図４は、この発明の実施の形態４による太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置１Ｄを示した回路図である。

図４を参照して、実施の形態４の逆バイアス処理装置１Ｄは、電源５０と、光電変換部１５ａ〜１５ｇ、２５ａ〜２５ｇ、３５ａ〜３５ｇ、４５ａ〜４５ｇと、切換スイッチ５２ａ〜５２ｇと、誘導起電力計１９，２９，３９，４９とを備える。光電変換部１５ａ〜１５ｇ、２５ａ〜２５ｇ、３５ａ〜３５ｇ、４５ａ〜４５ｇは、スイッチ１４ａ〜１４ｇ、２４ａ〜２４ｇ、３４ａ〜３４ｇ、４４ａ〜４４ｇと、誘導コイル１８ａ〜１８ｇ，２８ａ〜２８ｇ，３８ａ〜３８ｇ，４８ａ〜４８ｇとをそれぞれ含む。光電変換部１５ａ〜４５ｇは、Ｍ段Ｎ列に拡大縮小可能である。

電源５０は、切換スイッチ５２ａ〜５２ｇに接続されている。切換スイッチ５２ａは、光電変換部１５ａ，２５ａ，３５ａ，４５ａに接続されている。切換スイッチ５２ｂは、光電変換部１５ｂ，２５ｂ，３５ｂ，４５ｂに接続されている。・・・切換スイッチ５２ｇは、光電変換部１５ｇ，２５ｇ，３５ｇ，４５ｇに接続されている。

光電変換部１５ａ〜１５ｇは、直列接続された光電変換素子１２ａ〜１２ｆを隣接間で共有する。光電変換部２５ａ〜２５ｇは、直列接続された光電変換素子２２ａ〜２２ｆを隣接間で共有する。光電変換部３５ａ〜３５ｇは、直列接続された光電変換素子３２ａ〜３２ｆを隣接間で共有する。光電変換部４５ａ〜４５ｇは、直列接続された光電変換素子４２ａ〜４２ｆを隣接間で共有する。

誘導起電力計１９は、直列接続された誘導コイル１８ａ〜１８ｇの両端に対して接続されている。誘導起電力計２９は、直列接続された誘導コイル２８ａ〜２８ｇの両端に対して接続されている。誘導起電力計３９は、直列接続された誘導コイル３８ａ〜３８ｇの両端に対して接続されている。誘導起電力計４９は、直列接続された誘導コイル４８ａ〜４８ｇの両端に対して接続されている。

図３に示した実施の形態３の逆バイアス処理装置１Ｃは、光電変換素子ごとに電流計を設けなければならない。大面積の太陽電池モジュールでは、光電変換素子の直列数および並列数が増大するため、非常に多くの電流計を設置しなければならない。この場合、逆バイアス処理装置１Ｃは非常に複雑となり、装置のコストが非常に高くなる。

上記に対し、図４に示した実施の形態４の逆バイアス処理装置１Ｄは、図１３に示す逆バイアス処理装置２００において特定の部材を追加することにより、比較的簡単な構造で実施の形態１〜３と同様の機能を実現することができる。具体的には、光電変換素子ごとに切換スイッチを設け、さらに光電変換素子の逆バイアス電流が流れる配線ごとに誘導コイルを設けている。

逆バイアス処理装置１Ｄは、光電変換素子を直列接続したストリングを並列配置した太陽光発電モジュールに対して、直並列に配列された光電変換部が列方向に直列接続されている。このとき、その１つの段に位置する光電変換素子をすべて並列接続して、それらを１つの電源に接続し、１つの段の光電変換素子を一度に逆バイアス処理する。

上記の一度の逆バイアス処理に際し、並列接続配線から光電変換素子に接続する配線ごとに誘導コイルを設けている。１つの直列接続ストリングで隣接する誘導コイルの巻き方は、互いに逆方向となるようにされている。それらの誘導コイルは直列に接続され、その直列接続の両端に誘導起電力を測定する計測器が接続されている。

逆バイアス処理時に直列接続された光電変換素子のいずれかにリーク電流が流れれば、その直列接続ストリングに設けられた誘導コイルに誘導起電力が発生する。これにより、逆バイアス処理装置１Ｄは、逆バイアス処理電圧の変化率および誘導コイルに誘起する電流を測定することができる。

逆バイアス処理装置１Ｄは、直並列配置された光電変換素子のすべての直列接続ストリングに上記の誘導コイルおよび誘導起電力計を設けて誘導起電力を測定している。これにより、逆バイアス処理時にどの直列接続ストリングに電流が流れたかを同時に検出することができる。また、逆バイアス処理後に電圧印加して誘導コイルの誘導起電力を測定することによって、リーク抵抗を同時に測定することができる。

複数の光電変換素子にリーク電流が流れる場合、逆バイアス処理で修復できなかった光電変換素子に対し、逆バイアス処理後に印加電圧を変化させてリーク抵抗を測定する。逆バイアス処理装置１Ｄは、リーク抵抗値によって逆バイアス処理での修復可否を判断し、修復不可能な光電変換素子のみ個別にスイッチを閉じて逆バイアス処理を行なうことによって、これまで修復できなかったリーク欠陥を修復することができる。

図５は、図４の逆バイアス処理装置１Ｄ中の光電変換素子１２ａ〜１２ｆの直列接続ストリングを取り出したものを示した図である。

図５を参照して、逆バイアス処理装置１Ｄは、逆バイアス処理の際、光電変換素子１２ｂのＮ層側に正電位＋を印加し、Ｐ層側に負電位−を印加する。その結果、リーク欠陥に電流Ｉｃが流れた場合、正負の電位が印加された配線には互いに逆方向の電流が流れる。したがって、逆バイアス処理装置１Ｄにおいて、逆バイアス電圧が印加される２つの配線には互いに逆方向の電流が流れる。

図６は、図４の逆バイアス処理装置１Ｄの中の誘導コイル１８ａ，１８ｂに流れる誘導電流の様子を示した図である。

図６を参照して、直列接続された隣接する光電変換素子に設けられる誘導コイルの巻き方は、互いに逆方向となる。図６の（Ｉ）に示す誘導コイル１８ａは、電流Ｉｄに対して右ネジ方向に誘導電流Ｉｃ１が流れるようにコイルが巻かれている。図６の（ＩＩ）に示す誘導コイル１８ｂは、電流Ｉｄに対して左ネジ方向に誘導電流Ｉｃ２が流れるようにコイルが巻かれている。このような誘導コイル１８ａ，１８ｂを図５のＩ，ＩＩ，Ｉ，ＩＩ，Ｉ，・・・のように直列接続ストリングに対して交互に配置する。

図５に示すように、逆バイアス処理装置１Ｄでは、直列接続ストリングに設けられた誘導コイル１８ａ〜１８ｇが直列に接続され、その両端には誘導起電力を測定する誘導起電力計１９が接続されている。逆バイアス処理時に直列接続された光電変換素子１２ａ〜１２ｆのいずれかの配線にリーク電流が流れれば、その配線に設けられた誘導コイル１８ａ〜１８ｇのいずれかに誘導起電力が発生する。誘導起電力計１９は、光電変換素子１２ａ〜１２ｆのいずれかで発生した誘導起電力を検出する。

逆バイアス処理装置１Ｄは、逆バイアス処理電圧の変化率および誘導コイルに誘起する誘導起電力からリーク抵抗を測定することができる。逆バイアス処理時に逆バイアス処理電圧Ｖが印加され、光電変換素子のリーク抵抗ＲＬにリーク電流Ｉが流れたとき、逆バイアス処理電圧Ｖは以下の式（１）で表わされる。

Ｖ＝ＲＬ・Ｉ （１）
誘導コイルの相互インダクタンスをＬ１とすると、誘導起電力を測定する誘導起電力計１９に誘起される電圧Ｕ１は以下の式（２）で表わされる。

Ｕ１＝−２・Ｌ１（ｄＩ／ｄｔ） （２）
式（１）および式（２）から、リーク抵抗ＲＬと逆バイアス処理電圧の変化率ｄＶ／ｄｔとの関係を求めると、以下の式（３）のようになる。

ＲＬ＝−（２・Ｌ１／Ｕ１）ｄＶ／ｄｔ （３）
図５の逆バイアス処理装置１Ｄでは、直並列配列された光電変換素子からなる太陽電池モジュールにおいて、上記の誘導コイル１８ａ〜１８ｇと誘導起電力計１９とが並列に接続されている。逆バイアス処理装置１Ｄは、並列接続された光電変換素子１２ａ〜１２ｆに同時に逆バイアス処理をして、誘導コイル１８ａ〜１８ｇに誘起する誘導起電力Ｕ１を測定する。逆バイアス処理装置１Ｄは、式（２）により、逆バイアス処理された複数の列のうちどの列でリーク電流が発生したかを同時に検出することができる。

逆バイアス処理装置１Ｄは、各々の列の誘導起電力Ｕ１を測定し、式（３）によってリーク抵抗ＲＬを同時に測定する。また、逆バイアス処理装置１Ｄは、逆バイアス処理後に光電変換素子１２ａ〜１２ｆの印加電圧を時間的に変化させて、直列接続ストリング毎に誘導コイルに誘起する起電力を測定する。その後、式（３）によって、光電変換素子ごとに逆バイアス処理後のリーク抵抗ＲＬを測定する。

逆バイアス処理でリーク欠陥がある光電変換素子が１つの列に複数ある場合、電源の電流容量が不足し、光電変換素子のリーク電流が特定の光電変換素子に偏ってしまう。この場合、リーク欠陥のある他の光電変換素子に十分な電流が流れず、リーク電流が生じる光電変換素子の十分な修復ができない場合がある。

上記のような場合、逆バイアス処理装置１Ｄは、予め、逆バイアス処理を繰り返して修復できないリーク抵抗値のデータを取得しておき、修復可能なリーク抵抗値の下限を定めておく。逆バイアス処理装置１Ｄは、下限を割るリーク抵抗値の光電変換素子がある列の光電変換素子のスイッチをすべて開放し、それ以外の修復可能なリーク抵抗値の光電変換素子がある列のスイッチを閉じて電源に接続する。下限を割るリーク抵抗値の光電変換素子が複数ある場合は、個別に一つずつ逆バイアス処理を行なう。

逆バイアス処理を行なうための電圧波形および逆バイアス処理後にリーク抵抗を測定するための電圧波形は、時間的に電圧が変化するならば任意の波形でよい。具体的には、たとえば図７の上部および図８の上部に示されるような逆バイアス処理電圧が光電変換素子に印加される。光電変換素子にリーク欠陥がなければリーク電流は流れず、誘導コイルに誘導起電力は発生しない。

図７は、リーク欠陥が逆バイアス処理で修復された場合の逆バイアス処理電圧および誘導起電力の時間変化を示した図である。

図７に示すように、逆バイアス処理で修復可能なリーク欠陥があった場合、リーク電流Ｉｒが流れ、逆バイアス処理電圧を昇圧している間は誘導コイルに誘導起電力Ｕａ１が発生する。時刻ｔ１１において、逆バイアス処理電圧の昇圧が光電変換素子の耐圧前のＶｂに達して完了するとリーク電流Ｉｒの変化はなくなり、誘導起電力はゼロとなる。時刻ｔ１２において、ジュール熱でリーク欠陥が焼き切れた瞬間に急激にリーク電流Ｉｒが減少するため、誘導起電力Ｕａ２が発生する。

しかし、時刻ｔ１３において、逆バイアス処理完了までにはリーク電流Ｉｒはなくなり、誘導起電力も再びゼロとなる。図７において、時刻ｔ１４までが逆バイアス処理Ｐ１であり、時刻ｔ１４〜ｔ１５がリーク欠陥の修復有無判定期間Ｐ２であり、時刻ｔ１５〜ｔ１６がリーク抵抗測定期間Ｐ３である。

図８は、リーク欠陥が逆バイアス処理で修復されなかった場合の逆バイアス処理電圧および誘導起電力の時間変化を示した図である。

図８に示すように、逆バイアス処理で修復できないリーク欠陥があった場合、時刻ｔ２２において逆バイアス処理Ｐ１が完了しても、リーク電流Ｉｒが流れる状態となる。そのため、逆バイアス処理後の降圧にともなうリーク電流Ｉｒの変化から、リーク欠陥の修復可否判断Ｐ２およびリーク抵抗測定Ｐ３が可能となる。

修復可否判断Ｐ２の期間は、複数の光電変換素子でリーク電流Ｉｒが発生して、電源の電流供給能力が不足する可能性がある逆バイアス処理の電圧範囲で設定される。その期間でも逆バイアス処理電圧の減少にともなってリーク電流Ｉｒも減少するので、時刻ｔ２２において誘導起電力Ｕｂ１が発生する。逆バイアス処理電圧の減少にともない、電源の電流供給能力に余裕が生じる。

複数の光電変換素子でリーク電流が発生しても電源の電流供給能力不足が発生しない電圧Ｖｒになると、リーク抵抗に応じたリーク電流が流れる。そのため、時刻ｔ２３において、そのリーク電流の変化から誘導起電力Ｕｂ２が発生し、これ以降の期間でリーク抵抗測定Ｐ３が行なわれる。

以上のように、実施の形態４の逆バイアス処理装置１Ｄは、逆バイアス処理期間中に発生した誘導起電力Ｕａ２の大きさから、修復されたリーク欠陥の大きさを相対的に測定することができる。また、逆バイアス処理完了後の修復可否判定期間中に誘導起電力を測定することによって、逆バイアス処理での修復有無を判断することができる。さらに、リーク抵抗測定期間において誘導起電力Ｕｂ２を測定し、式（３）によってリーク抵抗ＲＬを測定することができる。

逆バイアス処理後のリーク抵抗がたとえば２Ω以下と低い場合、リーク欠陥が大きいため逆バイアス処理のジュール熱では欠陥を修復することができない。また、並列に接続された複数の光電変換素子でリーク電流が流れた場合も、逆バイアス処理用電源の電流供給能力が不足して、十分にリーク欠陥の修復ができない場合がある。

上記のような場合にも、逆バイアス処理装置１Ｄにおいて、確実に逆バイアス処理を行なうことができる。具体的には、逆バイアス処理で修復が不可能なリーク抵抗のある光電変換素子を除いて、修復可能なリーク抵抗の光電変換素子について、該当する光電変換素子に接続するスイッチを閉じて個別に１つずつ逆バイアス処理を行なうことにより、確実に逆バイアス処理を行なうことができる。

また、逆バイアス処理にともなう光電変換素子のリーク電流およびリーク抵抗を測定したデータを管理することによって処理工程を管理でき、製品の品質および歩留まりを改善することができる。

上述した実施の形態１〜４では、光電変換素子のリーク電流を検出するのに電流計または誘導コイルを使用している。しかしながら、ホール素子等の磁気検出素子を使用して光電変換素子のリーク電流を検出することによっても、実施の形態３および４と同様な効果を得ることが可能である。

光電変換素子のリーク電流の検出に通常の電流計を使う代わりに、誘導コイルやホール素子等の磁気検出素子を使用することによって、光電変換素子ごとに電流検出手段を設けることが容易になる。

今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

この発明の実施の形態１による太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置１Ａを示した回路図である。 この発明の実施の形態２による太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置１Ｂを示した回路図である。 この発明の実施の形態３による太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置１Ｃを示した回路図である。 この発明の実施の形態４による太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置１Ｄを示した回路図である。 図４の逆バイアス処理装置１Ｄ中の光電変換素子１２ａ〜１２ｆの直列接続ストリングを取り出したものを示した図である。 図４の逆バイアス処理装置１Ｄの中の誘導コイル１８ａ，１８ｂに流れる誘導電流の様子を示した図である。 リーク欠陥が逆バイアス処理で修復された場合の逆バイアス処理電圧および誘導起電力の時間変化を示した図である。 リーク欠陥が逆バイアス処理で修復されなかった場合の逆バイアス処理電圧および誘導起電力の時間変化を示した図である。 太陽電池モジュールに用いられる従来の逆バイアス処理装置８００を示した模式図である。 複数の光電変換素子が直列接続された従来の光電変換装置８０３の概略的な構成を示した断面図である。 複数の光電変換素子が直列接続された従来の光電変換装置８０３の等価回路を示した図である。 光電変換素子を直列接続したものを並列配置した従来の太陽電池モジュール１００の構成を示した回路図である。 太陽電池モジュールに用いられる従来の逆バイアス処理装置２００を示した回路図である。

符号の説明

１Ａ〜１Ｄ，２００，８００ 逆バイアス処理装置、１０，２０，３０，４０，５０，８０２ 電源、１１，１１ａ〜１１ｇ，２１ａ〜２１ｇ，３１ａ〜３１ｇ，４１ａ〜４１ｇ，２１，３１，４１，５１ 電流計、１２ａ〜１２ｆ，２２ａ〜２２ｆ，３２ａ〜３２ｆ，４２ａ〜４２ｆ，８０３，８０３ａ〜８０３ｆ，８１３ａ〜８１３ｆ，８２３ａ〜８２３ｆ，８３３ａ〜８３３ｆ 光電変換素子、１３ａ〜１３ｇ，１４ａ〜１４ｇ，２３ａ〜２３ｇ，２４ａ〜２４ｇ，３３ａ〜３３ｇ，３４ａ〜３４ｇ，４３ａ〜４３ｇ，４４ａ〜４４ｇ スイッチ、１５ａ〜１５ｇ，２５ａ〜２５ｇ，３５ａ〜３５ｇ，４５ａ〜４５ｇ，８１０ａ〜８１０ｇ，８２０ａ〜８２０ｇ，８３０ａ〜８３０ｇ，８４０ａ〜８４０ｇ 光電変換部、１６，１７，２６，２７，３６，３７，４６，４７，５２ａ〜５２ｇ，８０６ 切換スイッチ、１８ａ〜１８ｇ，２８ａ〜２８ｇ，３８ａ〜３８ｇ，４８ａ〜４８ｇ 誘導コイル、１９，２９，３９，４９ 誘導起電力計、１００ 太陽電池モジュール、５０４，５０４ａ〜５０４ｇ，５１４ａ〜５１４ｇ，５２４ａ〜５２４ｇ，５３４ａ〜５３４ｇ 裏面電極、５０６ 透明絶縁基板、５０７，５０７ａ〜５０７ｆ 表面電極、５０８，５０８ａ〜５０８ｇ 半導体層、５５４，５５４ａ〜５５４ｇ 電極、８０５ａ〜８０５ｇ プローブ、８１６ａ〜８１６ｇ スイッチ素子。

Claims (15)

1. 光電変換ストリングがＮ列（Ｎは自然数）並列配置された太陽光発電モジュールの逆バイアス処理装置であって、
   前記光電変換ストリングの各々は、
   Ｍ段（Ｍは自然数）の光電変換部と、
   前記Ｍ段の光電変換部に共通に接続された電源と、
   前記電源に接続された電流計とを備え、
   前記Ｍ段の光電変換部は、
   前記光電変換部の段方向の隣接間に（Ｍ−１）個の光電変換素子と、
   前記光電変換素子に対する前記電源からの逆バイアス印加を切り換える前記光電変換部ごとのスイッチとを含む、逆バイアス処理装置。
2. 光電変換ストリングがＮ列（Ｎは自然数）並列配置された太陽光発電モジュールの逆バイアス処理装置であって、
   電源と、
   前記電源に接続された電流計とを備え、
   前記光電変換ストリングの各々は、
   Ｍ段（Ｍは自然数）の光電変換部と、
   前記電源と前記光電変換ストリングとの接続を切り換える切換スイッチとを含み、
   前記Ｍ段の光電変換部は、
   前記光電変換部の段方向の隣接間に（Ｍ−１）個の光電変換素子と、
   前記光電変換素子に対する前記電源からの逆バイアス印加を切り換える前記光電変換部ごとのスイッチとを含む、逆バイアス処理装置。
3. 光電変換ストリングがＮ列（Ｎは自然数）並列配置された太陽光発電モジュールの逆バイアス処理装置であって、電源を備え、
   前記光電変換ストリングの各々は、Ｍ段（Ｍは自然数）の光電変換部を含み、
   前記光電変換部の列方向ごとに、前記電源と前記光電変換部のストリングとの接続を切り換える切換スイッチを含み、
   前記Ｍ段の光電変換部は、
   前記光電変換部の段方向の隣接間に（Ｍ−１）個の光電変換素子と、
   前記光電変換素子に対する前記電源からの逆バイアス印加を切り換える前記光電変換部ごとのスイッチと、
   前記光電変換部ごとに設けられた電流計とを含む、逆バイアス処理装置。
4. 前記逆バイアス処理装置は、前記光電変換素子に前記逆バイアスより小さな電圧を印加することで前記電流計に流れるリーク電流を計測することにより、逆バイアス処理後のリーク抵抗を測定する、請求項１〜３のいずれかに記載の逆バイアス処理装置。
5. 光電変換ストリングがＮ列（Ｎは自然数）並列配置された太陽光発電モジュールの逆バイアス処理装置であって、電源を備え、
   前記光電変換ストリングの各々は、Ｍ段（Ｍは自然数）の光電変換部を含み、
   前記光電変換部の列方向ごとに、前記電源と前記光電変換部のストリングとの接続を切り換える切換スイッチを含み、
   前記Ｍ段の光電変換部は、
   前記光電変換部の段方向の隣接間に（Ｍ−１）個の光電変換素子と、
   前記光電変換素子に対する前記電源からの逆バイアス印加を切り換える前記光電変換部ごとのスイッチと、
   前記光電変換部ごとの誘導コイルと、
   前記光電変換ストリングごとの誘導起電力計とを含む、逆バイアス処理装置。
6. 前記誘導コイルは、段方向の隣接間においてコイルの巻き方が互いに逆向きに直列接続され、該直列接続の両端に前記誘導起電力計が接続されている、請求項５に記載の逆バイアス処理装置。
7. 前記誘導起電力計は、前記光電変換素子に逆バイアス電圧を印加して流れるリーク電流によって前記誘導コイルに生じる誘導起電力を計測する、請求項５に記載の逆バイアス処理装置。
8. 前記誘導起電力計は、前記誘導コイルに誘起される電流を測定し、逆バイアス処理後にリークしている前記光電変換素子を特定する、請求項７に記載の逆バイアス処理装置。
9. 前記逆バイアス処理装置は、前記誘導起電力計において計測されるリーク電流および誘導起電力により、逆バイアス処理後のリーク抵抗を測定する、請求項７に記載の逆バイアス処理装置。
10. 前記誘導コイルおよび前記誘導起電力計は、磁気検出素子を使用した磁気測定系に置き換えることが可能である、請求項７に記載の逆バイアス処理装置。
11. 前記光電変換部は、
    前記光電変換素子の電極に電気的または機械的に接触するプローブと、
    前記プローブの接触を制御する制御機構とをさらに含む、請求項１〜１０のいずれかに記載の逆バイアス処理装置。
12. 光電変換素子がＭ段Ｎ列（Ｍ、Ｎは自然数）に配列された太陽光発電モジュールの逆バイアス処理方法であって、
    １つの段に位置する前記光電変換素子のスイッチをすべて閉じて逆バイアス処理を行なうステップと、
    前記逆バイアス処理の電圧より小さな印加電圧でリーク電流を測定し、逆バイアス処理後のリーク抵抗を測定するステップと、
    リークがある前記光電変換素子のスイッチを１つずつ閉じて、個別に逆バイアス処理を行なうステップとを備える、逆バイアス処理方法。
13. 前記個別に逆バイアス処理を行なうステップは、
    逆バイアス処理後に前記光電変換素子に対する電圧印加を継続し、逆バイアス処理後にリークしている光電変換素子を特定するステップと、
    前記リーク抵抗から修復不能な前記光電変換素子を判定するステップと、
    前記修復不能な前記光電変換素子を除いて、修復可能な光電変換素子に個別に逆バイアス処理電流が流れるようにスイッチを開閉するステップとを含む、請求項１２に記載の逆バイアス処理方法。
14. 前記逆バイアス処理の電圧は、前記光電変換素子の耐圧を超えない電圧範囲で、時間的に単調増加または単調減少する電圧波形を有する、請求項１２または１３に記載の逆バイアス処理方法。
15. 前記逆バイアス処理後の電圧は、前記逆バイアス処理の電圧より低い電圧範囲で、時間的に単調増加または単調減少する電圧波形を有する、請求項１２または１３に記載の逆バイアス処理方法。

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