JP2013145816A - 太陽電池セル検査装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 太陽電池セルのＰＮ接合不良を検出できるようにする。
【解決手段】 通電回路６６は、コントローラ７０により制御されて、オフセット電圧に交流信号を重畳した第３印加電圧を太陽電池パネルＳＰに印加する。この第３印加電圧は、複数の発電セルのＰＮ接合による降伏電圧未満の逆方向電圧である。コントローラ７０は、第３印加電圧の印加状態で磁気センサ１０から取得した磁界信号を用いて、太陽電池セルにおける発電セルのＰＮ接合不良を検出する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、電圧印加により太陽電池に流れる電流によって発生する磁界を複数の箇所で検出して、太陽電池セルを検査する太陽電池セル検査装置に関する。
太陽電池セルには、アモルファス太陽電池の場合によくあるように、図９Ａ及び図９Ｂに示すように複数の発電セルを直列接続にした構造にして太陽電池セルのみで高電圧を取出すことができるようにしたものがある。このような太陽電池セルは両端にある外部に電流を取出すための取出電極と内部電極とを導電性ペースト又は半田により接続しているが、複数の太陽電池セルを接続して製造される太陽電池パネルは、高温、低温、雨、雪等に晒される環境下で使用されるため、長期間が経過すると、この接続箇所が劣化する可能性がある。そのため、長期間使用した太陽電池パネルは、太陽電池セルごとにこの接続箇所に接続不良が発生していないことを検査する必要がある。また、太陽電池セルを製造した直後又は太陽電池セルから太陽電池パネルを製造した直後も、この接続箇所に接続不良がないことを検査する必要がある。さらに、前記取出電極の接続不良よりも発生頻度は低いが、製造直後の太陽電池セルには発電セル内にも欠陥が存在する場合があり、検査によりこのような太陽電池セルを取り除く必要がある。この欠陥の一つは、発電セル内にクラック、ピンホールなどが存在して発電セル内の抵抗が大きくなって、電流が流れ難くなっている状態であり、以下の説明では、この欠陥を発電セルの接続不良と呼ぶ。
太陽電池セルや、太陽電池セルから製造される太陽電池パネルを検査する方法にはいくつかの方法があるが、例えば下記特許文献１に紹介されているように、発電によって発生する電流によって各点で発生する磁界を磁気センサにより検出し、磁界の分布状態又は磁界から計算され得る電流の分布状態を、正常なものと比較することで欠陥の有無を判断する方法がある。この方法であれば、太陽電池セルであっても、太陽電池パネル（下記特許文献１では太陽電池モジュールと記載されている）であっても、検査対象を発電により電流が流れる状態にすれば、取出電極及び発電セルの接続不良及び接続不良箇所を非接触で精度よく検出することができる。
特開２０１０−１７１０６５号公報
この発電により太陽電池セルに電流を流す方法によれば、前述した取出電極及び発電セルの接続不良に関しては、精度よく検出することができる。しかしながら、発明者が様々な実験により確認した結果、太陽電池の発電セルには前記接続不良のほかに発電セル間の電極が導通されていて、又は同一発電セルの正極と負極とが導通されていてリーク電流が発生する欠陥、すなわち前記取出電極及び発電セルの接続不良とは逆に電流が流れ易くなっている状態（以下、この状態を発電セルのリーク不良という）や、発電セルのＰＮ接合が不良である欠陥、すなわちＮ層とＰ層とが小さな抵抗をもって接続されているような状態で、発電の際には逆方向（Ｐ層からＮ層方向）にも電流が流れる状態（以下、この状態を発電セルのＰＮ接合不良という）があることが分かった。そして、発明者が実験により確認した結果、このような発電セルのリーク不良及びＰＮ接合不良の箇所は、太陽電池セルに発電により電流を流しても、発生する磁界の分布状態又は磁界から検出され得る電流の分布状態には正常な場合と比較して大きな差が現れず、前記電流により発生する磁界を各点で測定する方法では、発電セルのリーク不良及びＰＮ接合不良を精度よく検出することができないという問題がある。
本発明は、この問題を解消するためになされたもので、太陽電池に流れる電流により発生する磁界を複数の箇所で検出して、太陽電池セルの欠陥を検出する太陽電池セル検査装置において、太陽電池セルの発電セルのリーク不良及びＰＮ接続不良をも精度よく検出することができるようにすることにある。なお、下記本発明の各構成要件の記載においては、本発明の理解を容易にするために、実施形態の対応箇所の符号を括弧内に記載しているが、本発明の各構成要件は、実施形態の符号によって示された対応箇所の構成に限定解釈されるべきものではない。
上記目的を達成するために、本発明の特徴は、第１方向に沿って配置されるとともに直列接続されてなり、ＰＮ接合を有して、光の照射により発電する複数の発電セル（８３）と、第１方向とは直交する第２方向に延設されるとともに、複数の発電セルのうちの両端の一対の発電セルにそれぞれ内部電極（８６，８８）を介して接続されて、前記複数の発電セルによって発電された電力を取出すための一対の長尺状の取出電極（８１，８２）とを有する太陽電池セルを検査する太陽電池セル検査装置において、太陽電池セルに対向するように配置されて、太陽電池セルの各部に流れる電流によって発生される磁界を検出する磁気センサ（１０）と、太陽電池セルの第１の不良を検出するために、前記複数の発電セルのＰＮ接合による降伏電圧未満の逆方向電圧を前記一対の取出電極に印加した状態で、太陽電池セルの各部に流れる電流によりそれぞれ発生されて前記磁気センサによって検出される磁界を表す磁界信号をそれぞれ取出す第１磁界信号取出手段（６５〜６８，７０，Ｓ２２０〜Ｓ２２４，Ｓ２２６〜Ｓ２６０）とを備えたことにある。
この場合、太陽電池セルの第１の不良は、発電セルのＰＮ接合不良及びリーク不良のうちの少なくとも一方であり、第１磁界信号取出手段は、一対の取出電極間の発電面領域の各部に流れる電流によりそれぞれ発生されて前記磁気センサによって検出される磁界を表す磁界信号をそれぞれ取出すとよい。
前述のように、発電による電流を太陽電池セルに流せば、取出電極及び発電セルの接続不良に関しては、精度よく検出することができるが、発電セルのＰＮ接合不良及びリーク不良に関しては、発電により電流を流しても、発生する磁界の分布状態又は磁界から計算される得る電流の分布状態が正常な場合と比較して大きな差が現われないため、精度よく検出することができない。そこで、本発明者は、実験により、外部から太陽電池セルにＰＮ接合による降伏電圧未満の逆方向電圧を印加することにより、発電セルのＰＮ接合不良及びリーク不良の位置に流れる電流がその周りの正常部分に流れる電流よりも非常に大きくなり、これに伴い、発電セルのＰＮ接合不良及びリーク不良の位置で発生する磁界もその周りの正常部分で発生する磁界よりも非常に大きくなり、発電セルのＰＮ接合不良及びリーク不良を検出できることを発見した。そして、前記のように構成した本発明によれば、第１磁界信号取出手段が、太陽電池セルの第１の不良を検出するために、複数の発電セルのＰＮ接合による降伏電圧未満の逆方向電圧を一対の取出電極に印加した状態で、太陽電池セルの各部に流れる電流によりそれぞれ発生されて磁気センサによって検出される磁界を表す磁界信号をそれぞれ取出す。これにより、第１磁界信号取出手段によってそれぞれ取出された太陽電池セルの各部に流れる電流によりそれぞれ発生される磁界信号を用いれば、太陽電池セルにおける発電セルのＰＮ接合不良又はリーク不良を精度よく検出できる。
また、本発明の他の特徴は、逆方向電圧はオフセット電圧に交流信号を重畳した電圧であり、第１磁界信号取出手段は、交流信号の周期で変化する磁界信号を取出すことにある。
このような交流信号をオフセット電圧に重畳させた逆方向電圧を印加した場合においても、発電セルのＰＮ接合不良及びリーク不良の位置に大きな電流が流れ、発電セルのＰＮ接合不良又はリーク不良が精度よく検出される。また、前記のように構成した本発明の他の特徴によれば、太陽電池セルには、交流信号の周期を有する電流が流れ、第１磁界信号取出手段は、交流信号の周期で変化する磁界信号をそれぞれ取出す。したがって、これによれば、外乱光や、外部磁界が存在しても、これらの影響を受けずに、太陽電池セルに対向する各部の箇所で磁界を検出することができる。
また、本発明の他の特徴は、さらに、太陽電池セルの第２の不良を検出するために、複数の発電セルのＰＮ接合による順方向電圧降下よりも大きな順方向電圧を一対の取出電極に印加した状態で、太陽電池セルの各部に流れる電流によりそれぞれ発生されて磁気センサによって検出される磁界を表す磁界信号をそれぞれ取出す第２磁界信号取出手段（６５〜６８，７０，Ｓ２０６〜Ｓ２１８，Ｓ２２６〜Ｓ２６０）を備えたことにある。
この場合、例えば、太陽電池セルの第２の不良は、一対の取出電極の接続不良及び発電セルの接続不良のうちの少なくとも一方の接続不良であり、第２磁界信号取出手段（６５〜６８，７０，Ｓ２０６〜Ｓ２１０，Ｓ２２６〜Ｓ２６０）は、一対の取出電極の近傍領域及び一対の取出電極間の発電面領域のうちの少なくとも一方の領域の各部に流れる電流によりそれぞれ発生されて磁気センサによって検出される磁界を表す磁界信号をそれぞれ取出すとよい。また、太陽電池セルの第２の不良は、発電セルのリーク不良であり、第２磁界信号取出手段（６５〜６８，７０，Ｓ２１４〜Ｓ２１８，Ｓ２２６〜Ｓ２６０）は、一対の取出電極間の発電面領域の各部に流れる電流によりそれぞれ発生されて磁気センサによって検出される磁界を表す磁界信号をそれぞれ取出してもよい。ただし、発電セルのリーク不良を検出する場合の順方向電圧は、取出電極の接続不良及び発電セルの接続不良を検出する場合の順方向電圧よりも小さくするとよい。
本発明者は、実験により、外部から太陽電池セルに順方向電圧を印加して太陽電池に電流を流すことにより、取出電極及び発電セルの接続不良の位置に流れる電流がその周りの正常部分に流れる電流よりも非常に小さくなり、これに伴い、取出電極及び発電セルの接続不良の位置で発生する磁界もその周りの正常部分で発生する磁界よりも非常に小さくなり、取出電極及び発電セルの接続不良を検出できることを確認している。そして、これに加え、発電セルのリーク不良に関しても、太陽電池セルに順方向電圧を印加して太陽電池に電流を流すことにより、発電セルのリーク不良の位置に流れる電流がその周りの正常部分に流れる電流よりも非常に大きくなり、発電セルのリーク不良の位置で発生する磁界もその周りの正常部分で発生する磁界より非常に大きくなり、発電セルのリーク不良も検出できることを発見している。したがって、前記本発明の他の特徴のように、複数の発電セルのＰＮ接合による順方向電圧降下よりも大きな順方向電圧を一対の取出電極に印加した状態で、太陽電池セルの各部に流れる電流によりそれぞれ発生されて磁気センサによって検出される磁界を表す磁界信号をそれぞれ取出せば、太陽電池セルの第２の不良（取出電極の接続不良、発電セルの接続不良又は発電セルのリーク不良）も精度よく検出できる。
また、本発明の他の特徴は、順方向電圧はオフセット電圧に交流信号を重畳した電圧であり、第２磁界信号取出手段は、交流信号の周期で変化する磁界信号を取出すことにある。
このような交流信号をオフセット電圧に重畳させた順方向電圧を印加した場合においても、取出電極及び発電セルの接続不良の位置に流れる電流が小さくなり、また発電セルのリーク不良の位置に流れる電流が大きくなり、取出電極の接続不良、発電セルの接続不良又は発電セルのリーク不良が精度よく検出される。また、前記のように構成した本発明の他の特徴によれば、太陽電池セルには、交流信号の周期を有する電流が流れ、第２磁界信号取出手段は、交流信号の周期で変化する磁界信号をそれぞれ取出す。したがって、これによれば、前述した場合と同様に、外乱光や、外部磁界が存在しても、これらの影響を受けずに、太陽電池セルに対向する各部の箇所で磁界を検出することができる。
また、本発明の他の特徴は、複数の発電セルのＰＮ接合による順方向電圧降下よりも大きな順方向電圧を一対の取出電極に印加した状態で、第１方向に沿った太陽電池セルの各部に流れる電流によりそれぞれ発生されて磁気センサによって検出される磁界を表す磁界信号をそれぞれ取出す領域決定用磁界信号取出手段（６５〜６８，７０，Ｓ１０６〜Ｓ１２８）と、領域決定用磁界信号取出手段によって取出された信号に基づいて、第１方向に沿った各部にて第２方向に流れる電流の大きさをそれぞれ計算する電流計算手段（７０，Ｓ３０２〜Ｓ３２４）と、電流計算手段によって計算された電流の大きさの分布におけるピーク値の位置を一対の取出電極の位置として決定する取出電極位置決定手段（７０，Ｓ３２６）と、取出電極位置決定手段によって決定された一対の取出電極位置を用いて、一対の取出電極の近傍領域及び一対の取出電極間の発電面領域を決定する領域決定手段（７０，Ｓ３３０〜Ｓ３４４）とを備えたことにある。
この種の太陽電池セルにおいては、一対の取出電極間の発電面領域では主に第１方向（取出電極の延設方向と直交する方向）に電流が流れ、一対の取出電極部では主に第２方向（取出電極の延設方向）に電流が流れる。したがって、前記本発明の他の特徴のように、電流計算手段により、領域決定用磁界信号取出手段によって取出された信号に基づいて計算される、一対の取出電極と交差して第１方向に沿った各部にて第２方向に流れる電流の大きさは、取出電極位置において発電面領域に比べて極めて大きくなる。したがって、取出電極位置決定手段によって取出電極の位置が的確に決定されるとともに、領域決定手段によって一対の取出電極の近傍領域及び発電面領域が自動的かつ的確に決定される。その結果、不良の種類に応じて磁界信号を取出す領域が自動的かつ的確に決定でき、取出電極の接続不良、発電セルの接続不良、発電セルのリーク不良及び発電セルのＰＮ接合不良が効率よく的確に検出されるようになる。
また、本発明の他の特徴は、さらに、太陽電池セルの各部に流れる電流によってそれぞれ発生されて第1磁界信号取出手段によってそれぞれ取出された磁界信号に基づいて、太陽電池セルの各部における第２方向の磁界の強さ又は第1方向の電流の大きさを第1対象物理量として計算する第１対象物理量計算手段（７０，Ｓ４０２〜Ｓ４２４，Ｓ４１８〜Ｓ４３２）と、太陽電池セルの各部に流れる電流によってそれぞれ発生されて第２磁界信号取出手段によってそれぞれ取出された磁界信号に基づいて、太陽電池セルの各部における第２方向の磁界の強さ又は第1方向の電流の大きさを第２対象物理量として計算する第２対象物理量計算手段（７０，Ｓ４０２〜Ｓ４３２）を備えたことにある。
本発明者は、前述した太陽電池セルの発電セルのＰＮ接合不良、発電セルのリーク不良、取出電極の接続不良及び発電セルの接続不良における電流の大きさ及び磁界の強さの変化において、第１方向（取出電極の延設方向と直交する方向）の電流の大きさの変化及び第２方向（取出電極の延設方向）の磁界の強さの変化が極めて大きいことも実験により発見している。したがって、この本発明の他の特徴によれば、太陽電池セルの各部における第２方向の磁界の強さ又は第1方向の電流の大きさが第1及び第２対象物理量として計算されるので、太陽電池セル発電セルのＰＮ接合不良、発電セルのリーク不良、取出電極の接続不良及び発電セルの接続不良をより簡単かつ精度よく検出できるようになる。
また、本発明の他の特徴は、第1対象物理量計算手段によって計算された太陽電池セルの各部における第１対象物理量を用いて、前記各部について互いに第1方向に所定距離だけ離れた位置の第１対象物理量間の差をそれぞれ計算する第1差計算手段（７０，Ｓ６０８，Ｓ６１０，Ｓ６１６，Ｓ６２４，Ｓ６２６）と、第２対象物理量計算手段によって計算された太陽電池セルの各部における第２対象物理量を用いて、前記各部について互いに第1方向に所定距離だけ離れた位置の第２対象物理量間の差をそれぞれ計算する第２差計算手段（７０，Ｓ６００〜Ｓ６０６，Ｓ６１４〜Ｓ６２２）を備えたことにある。
この本発明の他の特徴においては、第１及び第２差計算手段によって、互いに第1方向に所定距離だけ離れた位置の第１対象物理量間の差、及び互いに第1方向に所定距離だけ離れた位置の第２対象物理量間の差がそれぞれ計算される。そして、この第1方向に所定距離だけ離れた一対の各部の第１及び第２対象物理量の差（第１方向の電流の大きさの変化及び第２方向の磁界の強さの変化）は、太陽電池セルの発電セルのＰＮ接合不良、発電セルのリーク不良、取出電極の接続不良及び発電セルの接続不良を顕著に表すので、太陽電池セルの発電セルのＰＮ接合不良、発電セルのリーク不良、取出電極の接続不良及び発電セルの接続不良を簡単かつ精度よく検出できるようになる。
なお、この場合、さらに、第１及び第２差検出手段によって計算された差の変動を表す特性値をそれぞれ計算する変動特性値計算手段（７０，７１０，Ｓ７２６，Ｓ７３６，Ｓ７４６）を設けるとよい。さらに、変動特性値計算手段によって計算された特性値が第１及び第２差検出手段によって計算された差の変動が大きいことを表すことを条件に、発電セルのＰＮ接合不良、発電セルのリーク不良、取出電極の接続不良及び発電セルの接続不良を判定する判定手段（７０，Ｓ７１２、Ｓ７１４，Ｓ７２８，Ｓ７３８，Ｓ７４８）を設けるとよい。また、第１及び第２差検出手段によって計算された差の分布を視覚的に示す画像を表示する表示手段を設けるとよい。これらによれば、作業者は、前記太陽電池セルの発電セルのＰＮ接合不良、発電セルのリーク不良、取出電極の接続不良及び発電セルの接続不良をより簡単に認識できるようになる。
また、本発明の他の特徴は、さらに、第1対象物理量計算手段によって計算された太陽電池セルの各部における第１対象物理量と、第２対象物理量計算手段によって計算された太陽電池セルの各部における第２対象物理量とを表示する表示手段（７０，Ｓ８００）を備えたことにある。
前述のように、第１及び第２対象物理量（第２方向の磁界の強さ又は第1方向の電流の大きさ）の変化は、太陽電池セルの発電セルのＰＮ接合不良、発電セルのリーク不良、取出電極の接続不良及び発電セルの接続不良を表す。そして、この本発明の特徴においては、表示手段によって第１及び第２対象物理量が表示されるので、太陽電池セルの発電セルのＰＮ接合不良、発電セルのリーク不良、取出電極の接続不良及び発電セルの接続不良が視覚的に認識される。
本発明の一実施形態に係る太陽電池セル検査装置の全体構成図である。 図１のステージ及び磁気センサのスライド機構の具体例を示す概略斜視図である。 図１の磁気センサ及びセンサ信号取出回路の詳細回路ブロック図である。 図１のロックインアンプの詳細回路ブロック図である。 図1のコントローラによって実行されるデータ取得プログラムの先頭部分を示すフローチャートである。 前記データ取得プログラムの図５Ａに続く部分を示すフローチャートである。 前記データ取得プログラムの図５Ｂに続く部分を示すフローチャートである。 図５Ａのデータ取得プログラム中の領域区分サブルーチンの前半部分を示すフローチャートである。 前記領域区分サブルーチンの後半部分を示すフローチャートである。 図1のコントローラによって実行される評価プログラムの先頭部分を示すフローチャートである。 前記評価プログラムの図７Ａに続く部分を示すフローチャートである。 前記評価プログラムの図７Ｂに続く部分を示すフローチャートである。 前記評価プログラムの図７Ｃに続く部分を示すフローチャートである。 前記評価プログラムの図７Ｄに続く部分を示すフローチャートである。 前記評価プログラムの図７Ｅに続く部分を示すフローチャートである。 前記評価プログラムの図７Ｆに続く部分を示すフローチャートである。 前記評価プログラムの図７Ｇに続く部分を示すフローチャートである。 太陽電池パネルの一例を示す概略平面図である。 図８の太陽電池セルの概略平面図である。 図９ＡのＢ−Ｂ線に沿って見た太陽電池セルの拡大断面図である。 図９Ａ及び図９Ｂの等価回路図及び発電セルのＰＮ接合不良の検出動作の説明図である。 太陽電池パネルに印加される第１乃至第３印加電圧波形を示す波形図である。 (Ａ)は太陽電池パネルの電極近傍領域と発電面領域を説明するための説明図であり、(Ｂ)は電極を検出するためのＹ方向電流の大きさの変化を示す図である。 磁気センサによる太陽電池パネルの走査態様を説明するための説明図である。 太陽電池セルの取出電極に接続不良がある場合における電流の変化を説明するための説明図である。 太陽電池セルの発電セルに接続不良がある場合における電流の変化を説明するための説明図である。 太陽電池セルの発電セルにリーク不良がある場合における電流の変化を説明するための説明図である。 太陽電池セルの発電セルにＰＮ接合不良がある場合における電流の変化を説明するための説明図である。 太陽電池パネルに流れる電流の大きさの分布図である。
ａ．構成例
以下、本発明の一実施形態に係る太陽電池セル検査装置について図面を用いて説明する。図1は、この太陽電池セル検査装置の全体概略図である。太陽電池セル検査装置は、磁気センサ１０を支持固定するセンサ支持台１１を有し、センサ支持台１１は、Ｘ方向スライド機構２０によってＸ方向（紙面左右方向）に移動するとともに、Ｙ方向スライド機構３０によってＹ方向（紙面垂直方向）に移動する。センサ支持台１１は、図２に詳細に示すように、方形状の平板で構成されて、上面にて磁気センサ１０を支持固定する。このセンサ支持台１１は、Ｘ方向スライド機構２０の一部を構成する方形状の移動部材２１により支持されている。この移動部材２１には、センサ支持台１１を上下に変位させて磁気センサ１０の上下方向位置を調整する調整機構（図示しない）が設けられており、調整つまみ２２の操作によりセンサ支持台１１が上下方向に位置調整されるようになっている。
移動部材２１の下面には、Ｙ方向に所定の幅を有する凸部２１ａが設けられている。この凸部２１ａは、Ｘ方向に延設された支持部材２３の上面に設けた溝２３ａに侵入して、溝２３ａ内をＸ方向にスライドするようになっている。支持部材２３の溝２３ａ内には、Ｘ方向に延設されて移動部材２１の凸部２１ａを貫通する雄ねじ２４が収容されている。移動部材２１の凸部２１ａ内には、雄ねじ２４に螺合した図示しないナットが組み込まれており、雄ねじ２４の回転により、移動部材２１がＸ方向に移動するようになっている。すなわち、雄ねじ２４と移動部材２１に組み込まれたナットにより、ボールねじ機構が構成されている。雄ねじ２４の一端は、支持部材２３の一端に組み付けたＸ方向モータ２５の回転軸に連結され、雄ねじ２４の他端は支持部材２３の他端に回転可能に支持されている。これにより、Ｘ方向モータ２５の回転により雄ねじ２４が軸線周りに回転して、移動部材２１、センサ支持台１１及び磁気センサ１０がＸ方向に移動する。
支持部材２３のＸ方向の両端近傍部の下面には、Ｘ方向に所定の幅を有する凸部２３ｂ，２３ｃがそれぞれ設けられている。これらの凸部２３ｂ、２３ｃは、Ｙ方向にそれぞれ延設された支持部材３１，３２の上面に設けた溝３１ａ，３２ａに侵入して、溝３１ａ，３２ａ内をＹ方向にスライドするようになっている。支持部材３１の溝３１ａ内には、Ｙ方向に延設されて支持部材２３の凸部２３ｂを貫通する雄ねじ３３が収容されている。支持部材２３の凸部２３ｂ内には、雄ねじ３３に螺合した図示しないナットが組み込まれており、雄ねじ３３の回転により、支持部材２３がＹ方向に移動するようになっている。すなわち、雄ねじ３３と支持部材２３に組み込まれたナットにより、ボールねじ機構が構成されている。雄ねじ３３の一端は、支持部材３１の一端に組み付けたＹ方向モータ３４の回転軸に連結され、雄ねじ３３の他端は支持部材３１の他端に回転可能に支持されている。これにより、Ｙ方向モータ３４の回転により雄ねじ３３が軸線周りに回転して、支持部材２３が移動部材２１、センサ支持台１１及び磁気センサ１０と共にＹ方向に移動する。
また、この太陽電池セル検査装置は、太陽電池パネルＳＰを載置するための、ステージ４０を備えている。ステージ４０は、支持部材３１，３２の各端部から上方に延設された連結部４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄを介して、支持部材３１，３２の上方に配置された方形状の枠体４２を有している。枠体４２は、支持部材３１，３２の上方にそれぞれ位置する支持部４２ａ，４２ｂと、両支持部４２ａ，４２ｂの両端部をそれぞれ連結する支持部４２ｃ，４２ｄとを備えている。支持部４２ａ，４２ｂ，４２ｃには、内側方向に突出して太陽電池パネルＳＰを載置する載置部が設けられている。支持部４２ａ，４２ｂには、移動載置部材４３が両端部にてＹ方向に摺動可能に組み付けられている。この移動載置部材４３にも、支持部４２ｃ方向に突出して太陽電池パネルＳＰを載置する載置部が設けられている。そして、太陽電池パネルＳＰを枠体４２の支持部４２ａ，４２ｂ，４２ｃ及び移動載置部材４３上に載置した状態では、磁気センサ１０が太陽電池パネルＳＰの下方に位置するようになっている。
ふたたび図１の説明に戻ると、Ｘ方向モータ２５内には、Ｘ方向モータ２５の回転を検出して、その回転を表す回転信号を出力するエンコーダ２５ａが組み込まれている。この回転信号は、Ｘ方向モータ２５が所定の微少角度だけ回転するたびにハイレベルとローレベルとを交互に切替えるパルス列信号であって、回転方向を識別するために互いにπ／２だけ位相のずれたＡ相信号とＢ相信号とで構成される。回転信号は、Ｘ方向位置検出回路６１及びＸ方向フィードモータ制御回路６２に出力される。Ｘ方向位置検出回路６１は、前記回転信号のパルス数をＸ方向モータ２５の回転方向に応じてカウントアップ又はカウントダウンし、そのカウント値からＸ方向モータ２５によるステージ４０（太陽電池パネルＳＰ）に対するセンサ支持台１１のＸ方向位置（すなわち磁気センサ１０のＸ方向位置）を検出し、検出したＸ方向位置をＸ方向フィードモータ制御回路６２及び後述するコントローラ７０に出力する。Ｘ方向フィードモータ制御回路６２は、コントローラ７０の指示により、Ｘ方向モータ２５の駆動及び停止を制御する。このＸ方向モータ２５の駆動時においては、Ｘ方向フィードモータ制御回路６２は、エンコーダ２５ａからの回転信号を用いてＸ方向モータ２５を所定の回転速度で回転させる。
Ｘ方向位置検出回路６１におけるカウント値の初期設定は、電源投入時にコントローラ７０の指示によって行われる。すなわち、コントローラ７０は、電源投入時に、Ｘ方向フィードモータ制御回路６２にセンサ支持台１１の初期位置に対応したＸ方向限界位置への移動を指示するとともに、Ｘ方向位置検出回路６１に初期設定を指示する。この指示により、Ｘ方向フィードモータ制御回路６２は、Ｘ方向モータ２５を駆動してセンサ支持台１１を初期位置に対応したＸ方向限界位置まで移動させる。Ｘ方向位置検出回路６１は、センサ支持台１１のＸ方向への移動中、Ｘ方向モータ２５内のエンコーダ２５ａからの回転信号を入力し続けている。そして、センサ支持台１１が初期位置に対応したＸ方向限界位置まで達してＸ方向モータ２５の回転が停止すると、Ｘ方向位置検出回路６１はエンコーダ２５ａからの回転信号の入力停止を検出して、カウント値を「０」にリセットする。このとき、Ｘ方向位置検出回路６１は、Ｘ方向フィードモータ制御回路６２に出力停止のための信号を出力し、これにより、Ｘ方向フィードモータ制御回路６２はＸ方向モータ２５への駆動信号の出力を停止する。その後に、Ｘ方向モータ２５が駆動された際には、Ｘ方向位置検出回路６１は、回転信号のパルス数をＸ方向モータ２５の回転方向に応じてカウントアップ又はカウントダウンし、そのカウント値に基づいてセンサ支持台１１のＸ方向位置を計算し、計算したＸ方向位置をＸ方向フィードモータ制御回路６２及びコントローラ７０に出力し続ける。
Ｙ方向モータ３４内には、Ｙ方向モータ３４の回転を検出して、前記Ｘ方向モータ２５と同様に、その回転を表す回転信号を出力するエンコーダ３４ａが組み込まれている。この回転信号は、Ｙ方向位置検出回路６３及びＹ方向フィードモータ制御回路６４に出力される。Ｙ方向位置検出回路６３は、前記回転信号のパルス数をＹ方向モータ３４の回転方向に応じてカウントアップ又はカウントダウンし、そのカウント値からＹ方向モータ３４によるセンサ支持台１１のＹ方向位置（すなわち磁気センサ１０のＹ方向位置）を検出し、検出したＹ方向位置をＹ方向フィードモータ制御回路６４及びコントローラ７０に出力する。Ｙ方向フィードモータ制御回路６４は、コントローラ７０の指示により、前記Ｘ方向フィードモータ制御回路６２の場合と同様に、Ｙ方向モータ３４の駆動及び停止を制御する。
Ｙ方向位置検出回路６３におけるカウント値の初期設定は、電源投入時にコントローラ７０の指示によって行われる。すなわち、コントローラ７０は、電源投入時に、Ｙ方向フィードモータ制御回路６４にセンサ支持台１１の初期位置に対応したＹ方向限界位置への移動を指示するとともに、Ｙ方向位置検出回路６３に初期設定を指示する。この指示により、Ｙ方向フィードモータ制御回路６４は、Ｙ方向モータ３４を駆動してセンサ支持台１１を初期位置に対応したＹ方向限界位置まで移動させる。Ｙ方向位置検出回路６３は、センサ支持台１１のＹ方向への移動中、Ｙ方向モータ３４内のエンコーダ３４ａからの回転信号を入力し続けている。そして、センサ支持台１１が初期位置に対応したＹ方向限界位置まで達してＹ方向モータ３４の回転が停止すると、Ｙ方向位置検出回路６３はエンコーダ３４ａからの回転信号の入力停止を検出して、カウント値を「０」にリセットする。このとき、Ｙ方向位置検出回路６３は、Ｙ方向フィードモータ制御回路６４に出力停止のための信号を出力し、これにより、Ｙ方向フィードモータ制御回路６４はＹ方向モータ３４への駆動信号の出力を停止する。その後に、Ｙ方向モータ３４が駆動された際には、Ｙ方向位置検出回路６３は、回転信号のパルス数をＹ方向モータ３４の回転方向に応じてカウントアップ又はカウントダウンし、そのカウント値に基づいてセンサ支持台１１のＹ方向位置を計算し、計算したＹ方向位置をＹ方向フィードモータ制御回路６４及びコントローラ７０に出力し続ける。
この太陽電池検査装置は、さらに、通電信号供給回路６５、通電回路６６、センサ信号取出回路６７、ロックインアンプ６８及びコントローラ７０を備えている。通電信号供給回路６５は、正弦波発振器及び矩形波変換回路を含み、コントローラ７０によって作動制御されて、正弦波発振器によって発振される正弦波信号を通電信号として通電回路６６に供給する。なお、通電信号は、「０」を基準に正負に変化する信号であり、その周波数は、例えば数１０ヘルツから数１００ヘルツ程度である。また、通電信号供給回路６５は、前記正弦波信号からなる通電信号を矩形波変換回路による変換により、前記通電信号と同期して「０」を中心として正負に変化する矩形波信号を生成して、参照信号としてロックインアンプ６８に出力する。
通電回路６６も、コントローラ７０によって作動制御されて、前記供給された通電信号に基づいて接続端子Ｓt1，Ｓt2を介して詳しくは後述する太陽電池パネルＳＰに通電する。この場合、通電回路６６は、通電信号供給回路６５から供給される「０」を基準に正負に変化する正弦波信号にオフセット電圧を加算して、前記オフセット電圧を中心に正弦波状に変化して常に正及び負の範囲内でそれぞれ変化する通電信号に選択的に変換して、太陽電池パネルＳＰの接続端子Ｓt1に接続ラインＬ１を介して供給する（図８参照）。一方、通電回路６６の接地電圧は、太陽電池パネルＳＰの接続端子Ｓt2に接続ラインＬ２を介して接地電圧として供給される。すなわち、所定周波数の交流成分を重畳させた正及び負の直流電圧が、太陽電池パネルＳＰの接続端子Ｓt1，Ｓt2間に選択的にそれぞれ印加される。
この場合、通電回路６６は、コントローラ７０によって制御されて、通電信号供給回路６５からの正弦波信号の振幅及びオフセット電圧を変更して、第１、第２及び第３印加電圧を太陽電池パネルＳＰにそれぞれ印加する。第1印加電圧の平均電圧（オフセット電圧）Ｖave1及び交流信号（正弦波信号）のピーク間電圧Ｖp-p1は、図１０に示すように、第２印加電圧の平均電圧（オフセット電圧）Ｖave2及び交流信号（正弦波信号）のピーク間電圧Ｖp-p2よりも大きい。第1印加電圧の平均電圧Ｖave1及び交流信号のピーク間電圧Ｖp-p1は、例えば５．２Ｖ及び４Ｖである。第２印加電圧の平均電圧Ｖave2及び交流信号のピーク間電圧Ｖp-p2は、例えば３．５Ｖ及び０．５Ｖである。なお、第１及び第２印加電圧の最小電圧は、太陽電池セルＳＰの順方向電圧降下（順方向に電流を流すのに必要な最低限の電圧：例えば３．０Ｖ程度）より大きな電圧である。特に、本実施形態では、第1印加電圧の平均電圧Ｖave1は順方向電圧降下よりもかなり大きいが、第２印加電圧の平均電圧Ｖave2は順方向電圧降下よりもやや大きな電圧で、第２印加電圧の交流信号のピーク間電圧Ｖp-p2はかなり小さい。第３印加電圧の平均電圧Ｖave３及び交流信号のピーク間電圧Ｖp-p3は、例えば−１０．０Ｖ及び２Ｖである。第３印加電圧の最小電圧（すなわち、絶対値が最大の負電圧：例えば−１１Ｖ）の絶対値は、太陽電池セルＳＰのＰＮ接合における降伏電圧（ツェナー降伏やなだれ降伏を起こして逆方向に大量の電流を流してしまう逆方向電圧）より小さい。この降伏電圧は、太陽電池のＰＮ接合の種類、直列接続しているる単位セルの個数などにより大きく異なるが、本実施形態の太陽電池では例えば３０．０Ｖ程度である。
次に、磁気センサ１０について説明しておく。磁気センサ１０は、図３に示すように、Ｘ方向の磁界を検出するＸ方向磁気センサ１０Ａと、Ｙ方向の磁界を検出するＹ方向磁気センサ１０Ｂとを備えている。Ｘ方向磁気センサ１０Ａは、抵抗ｒ11，ｒ12，ｒ13及び磁気抵抗素子ＭＲ１からなるブリッジ回路で構成されており、抵抗ｒ11，ｒ13の接続点と、抵抗ｒ12及び磁気抵抗素子ＭＲ１の接続点との間に、センサ信号取出回路６７の後述する定電圧供給回路６７ａから電圧＋Ｖ，−Ｖが印加されるようになっている。また、Ｘ方向磁気センサ１０Ａにおいては、抵抗ｒ13及び磁気抵抗素子ＭＲ１の接続点と、抵抗ｒ11，ｒ12間の接続点との間の電圧をＸ方向磁気検出信号として出力する。抵抗ｒ11，ｒ12，ｒ13の値は同じであり、磁界の強さが「０」であるときの磁気抵抗素子ＭＲ１の抵抗値に等しい。これにより、ほぼ「０」を基準としたＸ方向の磁界の正負の変化により、Ｘ方向磁気検出信号はほぼ「０」を基準にＸ方向の磁界の大きさに比例して正負に変化する電圧信号となる。
Ｙ方向磁気センサ１０Ｂは、抵抗ｒ21，ｒ22，ｒ23及び磁気抵抗素子ＭＲ２からなるブリッジ回路で構成されており、抵抗ｒ21，ｒ22の接続点と、抵抗ｒ23及び磁気抵抗素子ＭＲ２の接続点との間に、センサ信号取出回路６７の後述する定電圧供給回路６７ｂから電圧＋Ｖ，−Ｖが印加されるようになっている。また、Ｙ方向磁気センサ１０Ｂにおいては、抵抗ｒ22及び磁気抵抗素子ＭＲ２の接続点と、抵抗ｒ21，ｒ23間の接続点との間の電圧をＹ方向磁気検出信号として出力する。抵抗ｒ21，ｒ22，ｒ23の値は同じであり、磁界の強さが「０」であるときの磁気抵抗素子ＭＲ２の抵抗値に等しい。これにより、ほぼ「０」を基準としたＹ方向の磁界の正負の変化により、Ｙ方向磁気検出信号はほぼ「０」を基準にＹ方向の磁界の大きさに比例して正負に変化する電圧信号となる。
センサ信号取出回路６７は、定電圧供給回路６７ａ，６７ｂ及び増幅器６７ｃ，６７ｄを備えている。定電圧供給回路６７ａ，６７ｂは、コントローラ７０からの指示により、Ｘ方向磁気センサ１０Ａ及びＹ方向磁気センサ１０Ｂに対して、定電圧＋Ｖ，−Ｖを供給する。増幅器６７ｃ、６７ｄは、Ｘ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号をそれぞれ増幅してロックインアンプ６８に出力する。
ロックインアンプ６８は、図４に詳細に示すように、Ｘ方向磁気センサ１０Ａから増幅器６７ｃを介して供給されるＸ方向磁気検出信号を入力するハイパスフィルタ６８ａと、Ｙ方向磁気センサ１０Ｂから増幅器６７ｄを介して供給されるＹ方向磁気検出信号を入力するハイパスフィルタ６８ｂとを備えている。ハイパスフィルタ６８ａ，６８ｂは、Ｘ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号に含まれる、磁界の強さに比例した信号成分以外の不要な成分を取り除くとともに、信号をグランドレベルを中心に変化するようにする。
ハイパスフィルタ６８ａの出力は、増幅器６８ｃを介して位相検波回路６８ｄ，６８ｅに供給される。位相検波回路６８ｄ，６８ｅは、それぞれ乗算器によって構成されている。位相検波回路６８ｄは、ハイパスフィルタ６８ａ及び増幅器６８ｃを介して供給されるＸ方向磁気検出信号に、通電信号供給回路６５からの参照信号を乗算してローパスフィルタ６８ｆに出力する。位相検波回路６８ｅは、ハイパスフィルタ６８ａ及び増幅器６８ｃを介して供給されるＸ方向磁気検出信号に、通電信号供給回路６５からの参照信号を位相シフト回路６８ｇで９０度位相を遅らせた遅延参照信号を乗算してローパスフィルタ６８ｈに出力する。これにより、ローパスフィルタ６８ｆにはＸ方向磁気検出信号の通電信号（参照信号）と同期した成分が供給され、ローパスフィルタ６８ｆは供給された成分信号をローパスフィルタ処理してＸ方向磁気検出信号の通電信号と同期した成分の大きさを表す信号を出力する。ローパスフィルタ６８ｈにはＸ方向磁気検出信号の通電信号よりも９０度位相を遅らせた信号（遅延参照信号）と同期した成分が供給され、ローパスフィルタ６８ｈは供給された成分信号をローパスフィルタ処理してＸ方向磁気検出信号の通電信号よりも９０度位相を遅らせた信号と同期した成分の大きさを表す信号を出力する。
ハイパスフィルタ６８ｂの出力は、増幅器６８ｉを介して位相検波回路６８ｊ，６８ｋに供給される。位相検波回路６８ｊ，６８ｋには、ローパスフィルタ６８ｍ，６８ｎが接続されている。位相検波回路６８ｊ，６８ｋ及びローパスフィルタ６８ｍ，６８ｎは、前述した位相検波回路６８ｄ，６８ｅ及びローパスフィルタ６８ｆ，６８ｈと同様に構成されている。これにより、ローパスフィルタ６８ｍにはＹ方向磁気検出信号の通電信号（参照信号）と同期した成分が供給され、ローパスフィルタ６８ｍは供給された成分信号をローパスフィルタ処理してＹ方向磁気検出信号の通電信号と同期した成分の大きさを表す信号を出力する。ローパスフィルタ６８ｎにはＹ方向磁気検出信号の通電信号よりも９０度位相を遅らせた信号（遅延参照信号）と同期した成分が供給され、ローパスフィルタ６８ｎは供給された成分信号をローパス処理してＹ方向磁気検出信号の通電信号よりも９０度位相を遅らせた信号と同期した成分の大きさを表す信号を出力する。ローパスフィルタ６８ｆ，６８ｈ，６８ｍ，６８ｎは、Ａ／Ｄ変換器６８ｏ，６８ｐ，６８ｑ，６８ｒにそれぞれ接続されている。Ａ／Ｄ変換器６８ｏ，６８ｐ，６８ｑ，６８ｒは、所定の時間間隔ごとに、ローパスフィルタ６８ｆ，６８ｈ，６８ｍ，６８ｎからの信号をそれぞれＡ／Ｄ変換してコントローラ７０に供給する。
ふたたび図１の説明に戻り、コントローラ７０は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭを備えたマイクロコンピュータと、ハードディスクや不揮発性メモリなどの記憶装置と、入出力インタフェース等から構成される電子制御装置である。コントローラ７０は、記憶装置に記憶された図５Ａ乃至図５Ｃのデータ取得プログラム、図６Ａ及び図６Ｂの領域区分サブルーチン、並びに図７Ａ乃至図７Ｈの評価プログラムを実行してこの太陽電池セル検査装置の動作を制御する。コントローラ７０には、作業者が各種パラメータや処理等を指示するための入力装置７１と、作業者に対して作動状況等を視覚的に知らせるための表示装置７２とが接続されている。
ｂ．太陽電池パネル例
次に、太陽電池パネルＳＰについて説明しておく。太陽電池パネルＳＰは、図８に示すように、マトリクス状に配置されて基板８０上に固定された多数の太陽電池セルＳＣを有する。本実施形態では、Ｘ方向にｔmax個、Ｙ方向にｓmax個の太陽電池セルＳＣが配置されているものとする。
各太陽電池セルＳＣは、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、方形状に形成され、外部に電力を取出すための長尺状の一対の取出電極８１，８２（正側の取出電極８１及び負側の取出電極８２）を上面にて平行に延設させており、一対の取出電極８１，８２の間を前記取出電極８１，８２と同一方向に延設させた複数の発電セル８３を直列接続した構造を有している。各発電セル８３は、表面電極８３ａ、半導体層８３ｂ及び裏面電極８３ｃからなる。半導体層８３ｂは、上側をＰ層とするとともに下側をＮ層としており、発電による発生電流は裏面電極８３ｃから表面電極８３ａの方向に流れる。ただし、本実施形態では、太陽電池セルＳＣに対する電圧の印加により太陽電池セルＳＣ内に電流を流すので、第１及び第２印加電圧（順方向電圧）を印加した場合には、電圧印加による通電電流が表面電極８３ａから裏面電極８３ｃの方向に流れる。また、詳しくは後述するように、第３印加電圧（逆方向電圧）を印加した場合には、発電セル８３にＰＮ接合不良が生じている場合にのみ、電圧印加による通電電流が裏面電極８３ｃ側から表面電極８３ａ側の方向に流れる。
隣り合う発電セル８３，８３間は、一方の表面電極８３ａと他方の裏面電極８３ｃが導電層８４によって電気的に接続され、かつ絶縁層８５によって絶縁されている。一端（図示右側端）の発電セル８３の表面電極８３ａは、導電層からなる内部電極８６を介して正側の取出電極８１に接続され、この発電セル８３の外側には絶縁層８７ａが設けられている。他端（図示左側端）の発電セル８３の裏面電極８３ｃは、導電層からなる内部電極８８を介して負側の取出電極８２に接続されており、この発電セル８３の外側には絶縁層８７ｂが設けられている。この太陽電池セルＳＣの上面はガラス層８９で覆われており、取出電極８１，８２は、内部電極８６，８８に導電性ペースト又は半田により接続されている。
また、太陽電池セルＳＣ内には、図９Ａ及び図９Ｃに示すように、発電セル８３にそれぞれ対応したバイパスダイオード９５が設けられている。各バイパスダイオード９５は、各発電セル８３にそれぞれ並列に接続され、そのアノード側が各発電セル８３のＮ層側に接続されているとともに、そのカソード側が各発電セル８３のＰ層側に接続されている。そして、各バイパスダイオード９５は直列に接続されて、その両端は取出電極８１，８２にそれぞれ接続されている。これにより、太陽電池セルＳＣの一部が影になって、その部分の発電セル８３が発電しなくなって抵抗として作用する場合には、他の発電セル８３による発電電流が抵抗として作用する発電セル８３に対応したバイパスダイオード９５を介して流れ、太陽電池セルＳＣの電流出力の抑制が回避される。なお、通電回路６６によって第３印加電圧（逆方向電圧）が印加された場合には、発電セル８３にリーク不良及びＰＮ接合不良が生じていなければ、図９Ｃに破線矢印で示すように、各太陽電池セルＳＣ内ではバイパスダイオード９５を介して電流が流れるのみで、発電セル８３内には電流は流れない。一方、発電セル８３にリーク不良又はＰＮ接合不良（図９Ｃの×印）が生じていれば、図９Ｃに２点鎖線矢印で示すように、前記不良が生じている発電セル８３及びバイパスダイオード９５を介して電流が流れる。なお、符号９６は、前記第３印加電圧を印加する電源を意味する。
このように構成した複数の太陽電池セルＳＣにおいては、図８に示すように、Ｙ方向に配置されたｓmax個の太陽電池セルＳＣの各電極８１，８２は接続線９１でそれぞれ直列に接続され、この直列に接続されたｓmax個の電極８１，８２は接続線９２，９３によりそれぞれ並列に接続されている。接続線９２側には正側の接続端子Ｓｔ１が設けられるとともに、接続線９３側には負側の接続端子Ｓｔ２が設けられている。そして、通電回路６６による第１及び第２印加電圧（順方向電圧）の印加により、電流は図示矢印方向に流れ、通電回路６６による第３印加電圧（逆方向電圧）の印加により、電流は図示矢印方向とは反対方向に流れる。
ｃ．作動説明
次に、上記のように構成した太陽電池セル検査装置の動作について説明する。作業者は、図１に示すように、通電回路６６の出力端子を、導線Ｌ１，Ｌ２を介して検査対象となる太陽電池パネルＳＰの接続端子Ｓｔ１，Ｓｔ２に接続する。そして、太陽電池セルＳＣをステージ４０上に載置する。この場合、太陽電池パネルＳＰのＸ−Ｙ平面の原点となる位置（後述するプログラムで変数ｎ，ｍが共に「１」となる位置）の近傍のコーナーを、ステージ４０の所定位置（本実施形態では図２の左下に位置するコーナー付近）に合わせる。この状態で、太陽電池セル検査装置の電源が投入されると、上述したように、コントローラ７０の指示により、Ｘ方向フィードモータ制御回路６２及びＹ方向フィードモータ制御回路６４は磁気センサ１０をＸ方向及びＹ方向の限界位置に移動させるとともに、Ｘ方向位置検出回路６１及びＹ方向位置検出回路６３は検出されるＸ方向位置及びＹ方向位置を初期値に設定する。
その後、作業者は、入力装置７１を操作することにより、太陽電池パネルＳＰの計測に必要なパラメータを入力する。この場合、必要なパラメータとしては、太陽電池パネルＳＰのＸ，Ｙ方向の長さ、Ｘ，Ｙ方向への磁気センサ１０の移動ピッチ（太陽電池パネルＳＰのＸ，Ｙ方向の走査間隔）ΔＸ，ΔＹ、太陽電池セルＳＣのＸ方向及びＹ方向の数ｔmax，ｓmax、各太陽電池セルＳＣのＸ方向及びＹ方向の長さなどである。この入力されたパラメータは、コントローラ７０に記憶される。また、後述するデータ処理プログラムや評価プログラムにて使用されるＸ方向終了位置Ｘmax、Ｙ方向終了位置Ｙmax、値Ｎｎ、値Ｎｍ等のパラメータが、この入力されたパラメータから計算されて記憶される。なお、移動ピッチΔＸ，ΔＹは微小値（例えば、１ｍｍ）であり、作業者が入力するのではなく、予め用意された値でもよい。
この状態で、作業者は、入力装置７１を操作することにより、コントローラ７０に図５Ａ乃至図５Ｃのデータ取得プログラムの実行を開始させる。すなわち、太陽電池パネルＳＰの計測の開始をコントローラ７０に指示する。この指示に応答して、コントローラ７０は、図５ＡのステップＳ１００にてデータ取得プログラムの実行を開始し、ステップＳ１０２にて変数ｐ，ｑをそれぞれ「１」に初期設定する。変数ｐは、図１１(Ａ)に示すように、Ｘ方向の初期値Ｘｓによって表される開始位置から終了値Ｘmaxによって表される終了位置を越えるまで所定の移動ピッチΔＸずつ移動制御される磁気センサ１０の走査位置を示す変数である。変数ｑは、図８に示す太陽電池パネルＳＰにおいて、「１」により最上段の複数の太陽電池セルＳＣを示し、「２」により最下段の複数の太陽電池セルＳＣを示す。
なお、以下に説明するステップＳ１０４〜Ｓ１３６の処理は、太陽電池パネルＳＰの平面位置を発電面領域と電極近傍領域とに区分して、Ｘ方向の走査位置（測定位置）を表す変数ｎを発電面領域又は電極近傍領域に割当てるための処理である。発電面領域とは、図８及び図１１(Ａ)にて、取出電極８２から右方に距離Ｃ・ΔＸだけ離れた境界位置（破線位置）と、取出電極８１から左方に距離Ｃ・ΔＸだけ離れた境界位置（破線位置）に挟まれた領域（太陽電池セルＳＣの取出電極８１，８２間の中央領域）である。電極近傍領域は、前記発電面領域以外の領域すなわち取出電極８１，８２の左右近傍の領域である。ここで、Ｃ・ΔＸは例えば６ｍｍ程度である。また、Ｃは比較的小さな所定の整数値であり、前述のようにΔＸ＝１ｍｍであれば、Ｃ＝６である。
前記ステップＳ１０２の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ１０４にて、Ｘ方向フィードモータ制御回路６２に対して磁気センサ１０をＸ方向に移動して測定位置がＸ方向の初期値Ｘｓによって表される初期位置になるように指示するとともに、Ｙ方向フィードモータ制御回路６４に対して磁気センサ１０をＹ方向に移動して測定位置が値Ｙｓ＋Ａによって表される第１位置になるように指示する。値Ｙｓは測定位置のＹ方向の初期値である。値Ａは、値Ｙｓ＋Ａで指定されるＹ方向の測定位置が図８に示す太陽電池パネルＳＰにおける最上段の複数の太陽電池セルＳＣのＹ方向の中央付近になるように、太陽電池セルＳＣのＹ方向の長さの半分程度の値であり、前記入力された太陽電池セルＳＣのＹ方向の長さから計算される。この指示に応答して、Ｘ方向フィードモータ制御回路６２は、Ｘ方向位置検出回路６１からＸ方向検出位置を入力しながら、Ｘ方向検出位置が初期値Ｘｓに一致するまでＸ方向モータ２５を駆動制御する。Ｙ方向フィードモータ制御回路６４は、Ｙ方向位置検出回路６３からＹ方向検出位置を入力しながら、Ｙ方向検出位置が値Ｙｓ＋Ａに一致するまでＹ方向モータ３４を駆動制御する。これにより、磁気センサ１０の位置は、図８の太陽電池パネルＳＰの最も左上の太陽電池セルＳＣの取出電極８２の延設方向のほぼ中央であって、取出電極８２の若干左側に位置することになる。
ステップＳ１０４の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ１０６にて通電信号供給回路６５に作動開始を指示する。この指示に応答して、通電信号供給回路６５は、作動を開始して正弦波信号を通電回路６６に供給し始めるとともに、ロックインアンプ６８に前記正弦波信号と同期した矩形波信号を供給し始める。次に、コントローラ７０は、ステップＳ１０８にて通電回路６６に作動開始を指示するとともに第１印加電圧（図１０参照）を出力するように指示する。この指示に応答して、通電回路６６は、第１印加電圧を接続線Ｌ１，Ｌ２を介して太陽電池パネルＳＰの接続端子Ｓｔ１，Ｓｔ２間にそれぞれ供給する。その結果、太陽電池パネルＳＰにおいては、取出電極８１，８２に図８の矢印で示す方向に電流が流れ始めるとともに、各太陽電池セルＳＣ内では取出電極８１から取出電極８２に向かってＸ方向の電流が流れ始める。
次に、コントローラ７０は、ステップＳ１１０にてセンサ信号取出回路６７の作動開始を指示する。この指示に応答して、センサ信号取出回路６７内の定電圧供給回路６７ａ，６７ｂは、Ｘ方向磁気センサ１０Ａ及びＹ方向磁気センサ１０Ｂに定電圧信号＋Ｖ，−Ｖを供給し始める。これにより、Ｘ方向磁気センサ１０Ａ及びＹ方向磁気センサ１０ＢによるＸ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号が、増幅器６７ｃ，６７ｄを介してロックインアンプ６８にそれぞれ供給され始める。この場合、前記通電回路６６による太陽電池パネルＳＰへの通電によって太陽電池パネルＳＰには電流が流れており、各太陽電池セルＳＣの表裏面近傍には、前記電流による磁界Ｈが発生する。したがって、Ｘ方向磁気センサ１０Ａは、Ｘ方向の磁界Ｈｘの大きさに比例した電圧をＸ方向磁気検出信号として出力し始める。また、Ｙ方向磁気センサ１０Ｂは、Ｙ方向の磁界Ｈｙの大きさに比例した電圧をＹ方向磁気検出信号として出力し始める。これらのＸ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号は、各太陽電池セルＳＣに流れる電流が正弦波状に変化するので、正弦波状に変化する信号である。ただし、Ｘ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号の位相は、通電回路６６から出力される正弦波状の第１印加電圧の位相とは若干異なる。
ロックインアンプ６８においては、入力されたＸ方向磁気検出信号がハイパスフィルタ６８ａ及び増幅器６８ｃを介して位相検波回路（乗算器）６８ｄ，６８ｅにそれぞれ供給されるとともに、入力されたＹ方向磁気検出信号がハイパスフィルタ６８ｂ及び増幅器６８ｉを介して位相検波回路（乗算器）６８ｊ，６８ｋにそれぞれ供給される。位相検波回路６８ｄ，６８ｊには、通電信号信号供給回路６５からの矩形波状の参照信号が供給されている。また、位相検波回路６８ｅ，６８ｋには、前記参照信号の位相を位相シフト回路６８ｇで９０度遅らせた遅延参照信号が供給されている。そして、位相検波回路６８ｄ，６８ｅは、増幅器６８ｃを介して供給されたＸ方向磁気検出信号に参照信号及び遅延参照信号をそれぞれ乗算して、乗算した信号をローパスフィルタ６８ｆ，６８ｈを介してＡ／Ｄ変換器６８ｏ，６８ｐにそれぞれ供給する。位相検波回路６８ｊ，６８ｋは、増幅器６８ｃを介して供給されたＹ方向磁気検出信号に参照信号及び遅延参照信号をそれぞれ乗算して、乗算した信号をローパスフィルタ６８ｍ，６８ｎを介してＡ／Ｄ変換器６８ｑ，６８ｒにそれぞれ供給する。
ここで、ローパスフィルタ６８ｆ，６８ｈ，６８ｍ，６８ｎは供給された信号の成分の大きさを表す信号すなわち正弦波状の信号の振幅に比例した大きさを表す信号を出力するように機能する。したがって、Ａ／Ｄ変換器６８ｏには、Ｘ方向磁気検出信号の参照信号（すなわち通電信号）に同期した信号成分の大きさを表す信号が供給される。Ａ／Ｄ変換器６８ｐには、Ｘ方向磁気検出信号の参照信号から９０度だけ位相の遅れた信号成分の大きさを表す信号が供給される。Ａ／Ｄ変換器６８ｑには、Ｙ方向磁気検出信号の参照信号に同期した信号成分の大きさを表す信号が供給される。Ａ／Ｄ変換器６８ｒには、Ｙ方向磁気検出信号の参照信号から９０度だけ位相の遅れた信号成分の大きさを表す信号が供給される。そして、Ａ／Ｄ変換器６８ｏ，６８ｐ，６８ｑ，６８ｒは、それぞれ供給された信号を所定時間ごとにサンプリングしてＡ／Ｄ変換し、Ａ／Ｄ変換したサンプリングデータをコントローラ７０に供給する。したがって、コントローラ７０には前記各信号成分の所定時間ごとの大きさを表すサンプリングデータが所定時間ごとに供給されるようになる。
前記ステップＳ１１０の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ１１２にて、ロックインアンプ６８のＡ／Ｄ変換器６８ｏ，６８ｐ，６８ｑ，６８ｒから供給されるサンプリングデータを取込み、ステップＳ１１４にて取込んだ各サンプリングデータの数が所定数Ｋに達したか否かを判定する。この所定数Ｋは、例えば数個から数十個の各サンプリングデータの数を表す値に設定されている。各サンプリングデータの数が所定数Ｋに達していなければ、コントローラ７０は、ステップＳ１１４にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ１１２にてＡ／Ｄ変換器６８ｏ，６８ｐ，６８ｑ，６８ｒから次に出力されるサンプリングデータを取込む。そして、Ａ／Ｄ変換器６８ｏ，６８ｐ，６８ｑ，６８ｒから取込んだ各サンプリングデータの数が所定数Ｋに達すると、コントローラ７０は、ステップＳ１１４にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ１１６以降の処理を実行する。ステップＳ１１２にて取込まれたサンプリングデータは、変数ｐ，ｑによって指定されるサンプリングデータ群として、ＲＡＭに記憶される。
具体的には、Ａ／Ｄ変換器６８ｏから取込んだ所定数Ｋのサンプリングデータ、すなわちＸ方向磁気検出信号の参照信号と同期した信号成分の大きさを表す所定数Ｋのデータは、サンプリングデータ群Ｓx1(ｐ，ｑ)としてＲＡＭに記憶される。Ａ／Ｄ変換器６８ｐから取込んだ所定数Ｋのサンプリングデータ、すなわちＸ方向磁気検出信号の遅延参照信号と同期した信号成分の大きさを表す所定数Ｋのデータは、サンプリングデータ群Ｓx2(ｐ，ｑ)としてＲＡＭに記憶される。Ａ／Ｄ変換器６８ｐから取込んだ所定数Ｋのサンプリングデータ、すなわちＹ方向磁気検出信号の参照信号と同期した信号成分の大きさを表す所定数Ｋのデータは、サンプリングデータ群Ｓy1(ｐ，ｑ)としてＲＡＭに記憶される。Ａ／Ｄ変換器６８ｒから取込んだ所定数Ｋのサンプリングデータ、すなわちＹ方向磁気検出信号の遅延参照信号と同期した信号成分の大きさを表す所定数Ｋのデータは、サンプリングデータ群Ｓy2(ｐ，ｑ)としてＲＡＭに記憶される。なお、この場合の変数ｐ，ｑは、共に「１」である。
前記ステップＳ１１２，１１４の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ１１６にて、値Ｘｓ＋ｐ・ΔＸがＸ方向の終了値Ｘmaxよりも大きいか否かを判定する。値Ｘｓ＋ｐ・ΔＸは、Ｘ方向の走査間隔を表す所定値ΔＸに変数ｐを乗算して初期値Ｘｓを加算した値であり、次のＸ方向の測定位置を表す値である。この場合、変数ｐは「１」であり、値Ｘｓ＋ｐ・ΔＸが終了値Ｘmax以下であるので、コントローラ７０は、ステップＳ１１６にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ１１８にて、Ｘ方向フィードモータ制御回路６２に、磁気センサ１０の中心位置をＸ方向正側に移動させるように指示する。これにより、Ｘ方向フィードモータ制御回路６２は、Ｘ方向モータ２５を作動させて磁気センサ１０の中心位置をＸ方向正側に移動させ始める。
次に、コントローラ７０は、ステップＳ１２０にてＸ方向位置検出回路６１からＸ方向位置を入力し、ステップＳ１２２にて入力したＸ方向位置が次のＸ方向の測定位置に達したか否か、すなわちＸ方向位置を示す値が値Ｘｓ＋ｐ・ΔＸ以上になったか否かを判定する。そして、Ｘ方向位置検出回路６１から入力したＸ方向位置が次のＸ方向の測定位置に達するまで、コントローラ７０は、ステップＳ１２２にて「Ｎｏ」と判定し続けて、ステップＳ１２０，Ｓ１２２の処理を繰り返し実行する。Ｘ方向位置検出回路６１から入力したＸ方向位置が次のＸ方向の測定位置に達すると、コントローラ７０は、ステップＳ１２２２にて「Ｙｅｓ」と判定し、ステップＳ１２４にてＸ方向フィードモータ制御回路６２に、磁気センサ１０のＸ方向正側への移動を停止させることを指示する。これにより、Ｘ方向フィードモータ制御回路６２は、Ｘ方向モータ２５の作動を停止させて、磁気センサ１０のＸ方向正側への移動を停止させる。その結果、磁気センサ１０は、値Ｘｓ＋ｐ・ΔＸで表されたＸ方向位置、かつ値Ｙｓ＋Ａによって表されるＹ方向位置を測定位置として、太陽電池パネルＳＰの磁界を検出し始める。
前記ステップＳ１２４の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ１２６にて変数ｐに「１」を加算してステップＳ１１２に戻り、前述のステップＳ１１２，Ｓ１１４のサンプリングデータの取込み処理を実行する。これらのステップＳ１１２，Ｓ１１４の処理により、値Ｘｓ＋(ｐ−１)・ΔＸで表されたＸ方向位置、かつ値Ｙｓ＋Ａによって表されるＹ方向位置を測定位置とする磁気センサ１０の磁界検出によるサンプリングデータがＲＡＭに新たに記憶される。具体的には、Ｘ方向磁気検出信号の参照信号及び遅延参照とそれぞれ同期した信号成分の大きさを表す所定数Ｋのサンプリングデータが、サンプリングデータ群Ｓx1(ｐ，ｑ)，Ｓx2(ｐ，ｑ)としてＲＡＭに記憶される。また、Ｙ方向磁気検出信号の参照信号及び遅延参照信号とそれぞれ同期した信号成分の大きさを表す所定数Ｋのサンプリングデータが、サンプリングデータ群Ｓy1(ｐ，ｑ)，Ｓy2(ｐ，ｑ)としてＲＡＭに記憶される。なお、この場合の変数ｐは「２」であり、変数ｑは「１」である。
そして、コントローラ７０は、次のＸ方向の測定位置（Ｘ方向の走査位置）を表す値Ｘｓ＋ｐ・ΔＸが終了値Ｘmaxよりも大きくなるまで、ステップＳ１１２〜Ｓ１２６の処理により、磁気センサ１０による測定位置をＸ方向正側に所定値ΔＸずつ移動させるとともに、変数ｐを「１」ずつ増加させながら、サンプリングデータを取込む。そして、次のＸ方向の測定位置を表す値Ｘｓ＋ｎ・ΔＸが終了値Ｘmaxよりも大きくなると、コントローラ７０は、ステップＳ１１６にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ１２８に進む。この状態では、サンプリングデータ群Ｓx1(ｐ，ｑ)，Ｓx2(ｐ，ｑ)，Ｓy1(ｐ，ｑ)，Ｓy2(ｐ，ｑ)（ｐ＝１，２，３・・・ｐmax，ｑ＝１）がＲＡＭに記憶されている。なお、値ｐmaxは、終了値Ｘmax直前の測定位置によるサンプリングデータ群に関する変数ｐの値であって、Ｘ方向における測定位置の数を表している。
ステップＳ１２８においては、変数ｑが「２」であるか否かを判定する。この場合、変数ｑは「１」であるので、コントローラ７０は、ステップＳ１２８にて「Ｎｏ」と判定して、コントローラ７０は、ステップＳ１３０にて変数ｐを「１」に初期設定し、ステップＳ１３２にて変数ｑを「２」に変更する。次に、ステップＳ１３４の処理を実行した後、ステップＳ１１２に戻る。ステップＳ１３４においては、コントローラ７０は、Ｘ方向フィードモータ制御回路６２に対して磁気センサ１０をＸ方向に移動して測定位置がＸ方向の初期値Ｘｓによって表される初期位置になるように指示するとともに、Ｙ方向フィードモータ制御回路６４に対して磁気センサ１０をＹ方向に移動して測定位置が値Ｙｓ＋Ｂによって表される第２位置になるように指示する。値Ｂは、値Ｙｓ＋Ｂで指定されるＹ方向の測定位置が図８に示す太陽電池パネルＳＰにおける最下段の複数の太陽電池セルＳＣのＹ方向の中央付近になるように、太陽電池パネルＳＰのＹ方向の長さから太陽電池セルＳＣのＹ方向の長さの半分の長さを減算した程度の値であり、前記入力された太陽電池パネルＳＰのＹ方向の長さ及び太陽電池セルＳＣのＹ方向の長さから計算される。
この指示に応答して、Ｘ方向フィードモータ制御回路６２は、Ｘ方向位置検出回路６１からＸ方向検出位置を入力しながら、Ｘ方向検出位置が初期値Ｘｓに一致するまでＸ方向モータ２５を駆動制御する。Ｙ方向フィードモータ制御回路６４は、Ｙ方向位置検出回路６３からＹ方向検出位置を入力しながら、Ｙ方向検出位置が値Ｙｓ＋Ｂに一致するまでＹ方向モータ３４を駆動制御する。これにより、磁気センサ１０の位置は、図８の太陽電池パネルＳＰの最も左下の太陽電池セルＳＣの取出電極８２の延設方向のほぼ中央であって、取出電極８２の若干左側に位置することになる。
前記ステップＳ１３４の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ１１２に戻り、Ｘ方向の測定位置（Ｘ方向の走査位置）を表す値Ｘｓ＋ｐ・ΔＸが終了値Ｘmaxよりも大きくなるまで、ステップＳ１１２〜Ｓ１２６の処理により、磁気センサ１０による測定位置をＸ方向正側に所定値ΔＸずつ移動させるとともに、変数ｐを「１」ずつ増加させながら、サンプリングデータを取込む。その結果、前記値Ｙｓ＋Ｂによって示されるＹ方向位置において、本実施形態においては図８の太陽電池パネルＳＰの最下段の複数の太陽電池セルＳＣのＹ方向のほぼ中央位置において、Ｘ方向における初期値Ｘｓによって表される初期位置からの終了値Ｘmaxによって表される終了位置の直前位置までの各測定位置ごとのサンプリングデータ群Ｓx1(ｐ，ｑ)，Ｓx2(ｐ，ｑ)，Ｓy1(ｐ，ｑ)，Ｓy2(ｐ，ｑ)（ｐ＝１，２，３・・・ｐmax，ｑ＝２）がＲＡＭに記憶される。
そして、Ｘ方向の測定位置（Ｘ方向の走査位置）を表す値Ｘｓ＋ｐ・ΔＸが終了値Ｘmaxよりも大きくなると、コントローラ７０は、ステップＳ１１６にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ１２８にて変数ｑが「２」であるかを判定する。この場合、変数ｑは、「２」に設定されているので、コントローラ７０は、ステップＳ１２８にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ１３６にて、領域区分サブルーチンを実行する。
領域区分サブルーチンは図６ＡのステップＳ３００にて開始され、コントローラ７０は、ステップＳ３０２にて、変数ｐ，ｑをそれぞれ「１」に初期設定する。変数ｐは、前記場合と同様に、Ｘ方向における測定位置を指定するための変数である。また、変数ｑは、図８の太陽電池パネルＳＰのＹ方向の異なる２つの位置における複数の太陽電池セルＳＣを指定する変数、本実施形態では、最上段及び最下段の複数の太陽電池セルＳＣを指定する変数である。次に、コントローラ７０は、ステップＳ３０４にて、変数ｐ，ｑによって指定される所定数Ｋずつのサンプリングデータ群Ｓx1(ｐ，ｑ)，Ｓx2(ｐ，ｑ)，Ｓy1(ｐ，ｑ)，Ｓy2(ｐ，ｑ)の磁界の大きさの各平均値Ｓx1，Ｓx2，Ｓy1，Ｓy2を計算する。具体的には、各サンプリングデータ群Ｓx1(ｐ，ｑ)，Ｓx2(ｐ，ｑ)，Ｓy1(ｐ，ｑ)，Ｓy2(ｐ，ｑ)ごとに、Ｋ個のサンプリングデータを加算して値Ｋで除算する。
次に、コントローラ７０は、ステップＳ３０６にて、前記計算した平均値Ｓx1，Ｓx2を用いた下記式１，２の演算の実行により、Ｘ方向磁気検出信号の極大値Ｈｘと、Ｘ方向磁気検出信号の参照信号に対する位相シフト量θｘとを計算する。
Ｈｘ＝(Ｓx12＋Ｓx22)1/2 …式１
θｘ＝tan-1(Ｓx2/Ｓx1) …式２
これにより、Ｘ方向磁気検出信号としてＨｘ・sin(２πｆｔ＋θｘ)が検出されたことになる。なお、ｆは、通電信号供給回路６５から出力される通電信号及び参照信号の周波数に等しい。
次に、コントローラ７０は、ステップＳ３０８にて、前記計算した平均値Ｓy1，Ｓy2を用いた下記式３，４の演算の実行により、Ｙ方向磁気検出信号の極大値Ｈｙと、Ｙ方向磁気検出信号の参照信号に対する位相シフト量θｙとを計算する。
Ｈｙ＝(Ｓy12＋Ｓy22)1/2 …式３
θｙ＝tan-1(Ｓy2/Ｓy1) …式４
これにより、Ｙ方向磁気検出信号としてＨｙ・sin(２πｆｔ＋θｙ)が検出されたことになる。
次に、コントローラ７０は、ステップＳ３１０にて、前記計算したＨｘ，θｘ，Ｈｙ，θｙを用いた下記式５，６の演算の実行により、通電電流すなわち第１印加電圧が最大となるタイミング（前記Ｘ方向磁気検出信号Ｈｘ・sin(２πｆｔ＋θｘ)及び前記Ｙ方向磁気検出信号Ｈｙ・sin(２πｆｔ＋θｙ)における２πｆｔがπ／２のタイミング）における、測定位置の磁界の強さＨxy及び磁界の向きθxyを計算する。この場合、通電電流が最大となるタイミングを採用した理由は、位相シフト量θｘ，θｙは小さく、通電電流が最大となるタイミング近傍で測定位置の磁界の強さＨxyが最大値近傍の値になるためである。なお、位相シフト量θｘ，θｙが小さくなく、通電電流が最大となるタイミング近傍で測定位置の磁界の強さＨxyが最大値近傍にならない場合には、磁界の強さＨxyが最大値近傍になるようなタイミングの角度をπ／２に代えて用いればよい。
Ｈxy＝[{Ｈｘ・sin(π/２+θx)}2＋{Ｈｙ・sin(π/２+θｙ)}2]1/2 …式５
θxy＝tan-1{Ｈｙ・sin(π/２+θｙ)}/{Ｈｘ・sin(π/２+θx)} …式６
次に、コントローラ７０は、ステップＳ３１２にて、太陽電池パネルＳＰに流れる電流は前記磁界の強さＨxyに比例し、かつ方向が磁界の方向θxyと−π／２異なることから、前記計算したＨxy，θxyを用いた下記式７，８の演算の実行により、通電電流が最大となるタイミングにおける、太陽電池パネルＳＰの測定位置に流れる電流の大きさＩxy及び方向θixyを計算する。ただし、この場合の値Ｋは、比例定数である。
Ｉxy＝Ｋ・Ｈxy …式７
θixy＝θxy−π／２ …式８
次に、コントローラ７０は、ステップＳ３１４にて、前記計算したＩxy，θixyを用いた下記式９の演算の実行により、太陽電池パネルＳＰの測定位置においてＹ方向に流れる電流の大きさＩyを計算する。
Ｉy＝Ｉxy・sinθixy …式９
そして、このステップＳ３１４にて、前記計算された電流の大きさＩyは、太陽電池パネルＳＰの測定位置を表す変数ｐ，ｑを用いて電流の大きさデータＩy(ｐ，ｑ)としてＲＡＭ又は記憶装置に記憶される。
次に、コントローラ７０は、ステップＳ３１６にて変数ｐがＸ方向の測定位置数を表す値ｐmaxに達したか否かを判定する。変数ｐが値ｐmaxに達していなければ、コントローラ７０は、ステップＳ３１６にて「Ｎｏ」と判定し、ステップＳ３１８にて変数ｐに「１」を加算してステップＳ３０４に戻る。そして、前述したステップＳ３０４〜Ｓ３１４の処理を実行した後、コントローラ７０は、ステップＳ３１６にてふたたび変数ｐが値ｐmaxに達したか否かを判定する。変数ｐが値ｐmaxに達しない限り、ステップＳ３０４〜３１８の処理が繰り返し実行される。
このようなステップＳ３０４〜Ｓ３１８の繰り返し処理中、変数ｐが値ｐmaxに達すると、コントローラ７０は、ステップＳ３１６にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ３２０にて変数ｑが２番目のＹ方向位置における複数の太陽電池セルＳＣを表す値「２」であるかを判定する。変数ｑが「２」でなければ、コントローラ７０は、ステップＳ３２０にて「Ｎｏ」と判定し、ステップＳ３１２にて変数ｑを「２」に変更し、ステップＳ３２４にて変数ｐを「１」に初期設定して、ステップＳ３０４に戻る。そして、変数ｐが値ｐmaxに達するまで前述したステップＳ３０４〜Ｓ３１８の処理を繰り返し実行した後、コントローラ７０は、ステップＳ３２０にてふたたび変数ｑが値「２」であるかを判定する。この場合、変数ｑが「２」であるので、コントローラ７０は、ステップＳ３２０にて「Ｙｅｓ」と判定して、図６ＢのステップＳ３２６に進む。
ステップＳ３２６においては、コントローラ７０は、変数ｑ（＝１，２）ごとに、Ｙ方向の電流の大きさデータＩｙ(ｐ，ｑ)を変数ｐ（＝１〜ｐmax）の順に並べて、電流の大きさデータＩｙ(ｐ，ｑ)のピーク位置を検出し、ピーク位置を表す変数ｐを順に並べてピーク位置ｐ(ｋ，ｑ)（ｋ＝１，２，３・・・ｋmax，ｑ＝１，２）として記憶する。なお、値ｋmaxは、Ｘ方向の取出電極８１，８２の数（Ｘ方向の太陽電池セルＳＣの数ｔmaxの２倍）（図８参照）に等しい。この場合、太陽電池パネルＳＰにおいては、図１１(Ｂ)に示すように、取出電極８１，８２部分に他の部分に比べて極めて大きなＹ方向の電流が流れるので、図８の最上段及び最下段の複数の太陽電池セルＳＣの取出電極８１，８２のＸ方向の位置が検出され、検出された取出電極８１，８２のＸ方向の位置を表す変数ｐがピーク位置ｐ(ｋ，ｑ)として記憶されることになる。
次に、コントローラ７０は、ステップＳ３２８にて、ピーク位置ｐ(ｋ，１)，ｐ(ｋ，２)の数がそれぞれＸ方向の太陽電池セルＳＣの数ｔmaxの２倍（２・ｔmax）であるかを判定する。この場合、前記ステップＳ３２６の処理によって図８の最上段及び最下段の複数の太陽電池セルＳＣの取出電極８１，８２が正確に検出されていれば、ピーク位置ｐ(ｋ，１)，ｐ(ｋ，２)の数はそれぞれＸ方向の太陽電池セルＳＣの数ｔmaxの２倍であるはずである。したがって、前記取出電極８１，８２が正確に検出されていれば、コントローラ７０は、ステップＳ３２８にて「Ｙｅｓ」と判定し、ステップＳ３３０にて変数ｋを「１」に初期設定して、ステップＳ３３２〜Ｓ３４２の循環処理を繰返し実行する。なお、前記取出電極８１，８２が正確に検出されていなければ、コントローラ７０は、ステップＳ３２８にて「Ｎｏ」と判定して、詳しくは後述するステップＳ３４６，Ｓ３４８の処理を実行する。
前記循環処理においては、コントローラ７０は、ステップＳ３３２にて、ピーク位置ｐ(ｋ，１)とピーク位置ｐ(ｋ，２)との差の絶対値｜ｐ(ｋ，１)−ｐ(ｋ，２)｜が所定の許容値以下であるかを判定する。この場合、太陽電池パネルＳＰがステージ４０上に正しくセットされていれば、図８の最上段と最下段の各太陽電池セルＳＣの取出電極８１，８２のＸ方向位置はそれぞれ等しいはずであり、前記ステップＳ３２８の処理によって取出電極８１，８２のＸ方向の位置が正確に検出されていれば、両ピーク位置ｐ(ｋ，１)，ｐ(ｋ，２)はほぼ等しいはずである。したがって、太陽電池パネルＳＰが正しくセットされ、かつ取出電極８１，８２が正確に検出されていれば、コントローラ７０はステップＳ３３２にて「Ｙｅｓ」判定してステップＳ３３４に進む。そうでない場合には、コントローラ７０は、ステップＳ３３２にて「Ｎｏ」と判定して、詳しくは後述するステップＳ３４６，Ｓ３４８の処理を実行する。
ステップＳ３３４においては、コントローラ７０は、変数ｋが奇数であるか否かを判定する。この判定処理は、ピーク位置ｐ(ｋ，１)，ｐ(ｋ，２)が太陽電池セルＳＣの取出電極８１，８２のうちのいずれに関するものであるかを判定する処理であり、変数ｋが奇数であればピーク位置ｐ(ｋ，１)，ｐ(ｋ，２)は取出電極８２に関するものであることを示し、変数ｋが偶数であればピーク位置ｐ(ｋ，１)，ｐ(ｋ，２)は取出電極８１に関するものであることを示しである（図１１(Ａ)参照）。
そして、変数ｋが奇数であれば、コントローラ７０は、ステップＳ３３４にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ３３６にて、ピーク位置ｐ(ｋ，１)，ｐ(ｋ，２)の平均値{ｐ(ｋ，１)＋ｐ(ｋ，２)／２}の小数部を切捨て又は切上げすることにより、平均値{ｐ(ｋ，１)＋ｐ(ｋ，２)／２}を整数値化して、この整数値化した値に前述した所定の整数値Ｃを加算して、加算結果をＬ(ｋ)として設定する。これにより、図１１(Ａ)に示すように、取出電極８２の直近右側の発電面領域の境界線位置が境界位置Ｌ(ｋ)として設定される。また、変数ｋが偶数であれば、コントローラ７０は、ステップＳ３３４にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ３３８にて、ピーク位置ｐ(ｋ，１)，ｐ(ｋ，２)の平均値{ｐ(ｋ，１)＋ｐ(ｋ，２)／２}の小数部を切捨て又は切上げすることにより、平均値{ｐ(ｋ，１)＋ｐ(ｋ，２)／２}を整数値化して、この整数値化した値から前述した所定の整数値Ｃを減算して、減算結果をＬ(ｋ)として設定する。これにより、図１１(Ａ)に示すように、取出電極８１の直近左側の発電面領域の境界線位置が境界位置Ｌ(ｋ)として設定される。なお、境界位置Ｌ(ｋ)は、変数１，２，３・・・ｋmaxのいずれかの整数値によってＸ方向の位置を示すデータである。
前記ステップＳ３３６，Ｓ３３８の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ３４０にて変数ｋに「１」を加算して、ステップＳ３４２にて変数ｋが最大値ｋmax（Ｘ方向の検査終了位置に最も近い取出電極８２に対応）を超えたかを判定する。コントローラ７０は、変数ｋが最大値ｋmaxを超えるまで、ステップＳ３４２にて「Ｎｏ」と判定して前述したステップＳ３３２〜３４２の循環処理を繰返し実行する。そして、変数ｋが最大値ｋmaxを超えると、コントローラ７０は、ステップＳ３４２にて「Ｙｅｓ」と判定してステップＳ３４４に進む。この状態では、図１１(Ａ)に示すように、複数の取出電極８２，８１に対する境界位置Ｌ(１)，Ｌ(２)，Ｌ(３)・・・Ｌ(ｋmax)がそれぞれ設定されている。そして、奇数である変数ｋによって指定される境界位置Ｌ(ｋ)（Ｌ(１)，Ｌ(３)・・Ｌ(ｋmax−１)）は取出電極８２の直近右側の発電面領域の境界線位置を示し、偶数である変数ｋによって指定される境界位置Ｌ(ｋ)（Ｌ(２)，Ｌ(４)・・Ｌ(ｋmax)）は取出電極８１の直近左側の発電面領域の境界線位置を示す。
ステップＳ３４４においては、コントローラ７０は、後述する処理によって用いられてＸ方向の測定位置を表す変数ｎ（ｎ＝１，２，３・・・ｎmax）に対して電極近傍領域又は発電面領域をそれぞれ割当て、変数ｎ（ｎ＝１，２，３・・・ｎmax）によって指定される領域指定値ｄ(ｎ)を電極近傍領域を表す「１」又は発電面領域を表す「３」に設定する。なお、この場合の「１」は通電回路６６によって第1印加電圧を太陽電池パネルＳＰに印加することを表し、「３」は通電回路６６によって第1乃至第３印加電圧を太陽電池パネルＳＰに印加することを表している。具体的には、奇数である変数ｋによって指定される境界位置Ｌ(ｋ)，Ｌ(ｋ＋１)に対して、変数ｎが境界位置Ｌ(ｋ)以上かつ境界位置Ｌ(ｋ＋１)以下である変数ｎ（Ｌ(ｋ)≦ｎ≦Ｌ(ｋ＋１)）には発電面領域が割当てられて、前記条件の変数ｎによって指定される領域指定値ｄ(ｎ)は「３」に設定される。偶数である変数ｋによって指定される境界位置Ｌ(ｋ)，Ｌ(ｋ＋１)に対して、変数ｎが境界位置Ｌ(ｋ)より大きくかつ境界位置Ｌ(ｋ＋１)未満である変数ｎ（Ｌ(ｋ)＜ｎ＜Ｌ(ｋ＋１)）には電極近傍領域が割当てられて、前記条件の変数ｎによって指定される領域指定値ｄ(ｎ)は「１」に設定される。また、変数ｎが境界位置Ｌ(１)未満又は境界位置Ｌ(ｋmax)より大きい変数ｎ（ｎ＜Ｌ(１)又はｎ＞Ｌ(ｋmax)）には電極近傍領域が割当てられて、前記条件の変数ｎによって指定される領域指定値ｄ(ｎ)は「１」に設定される。その結果、図１１(Ａ)に示すように、取出電極８１，８２の近傍領域の領域指定値ｄ(ｎ)は「１」に設定され、取出電極８２，８１間の発電面領域の領域指定値ｄ(ｎ)は「３」に設定される。そして、ステップＳ３４４の処理後、コントローラ７０はステップＳ３５０にて領域区分サブルーチンの実行を終了して、図５ＡのステップＳ１３８に戻る。
次に、前述のように、太陽電池パネルＳＰがステージ４０上に正しくセットされておらず、又は取出電極８１，８２が正確に検出されなくて、ステップＳ３２８又はステップＳ３３２にて「Ｎｏ」と判定された場合について説明する。この場合、コントローラ７０は、ステップＳ３４６にて表示装置７２に「異常」を表示し、ステップＳ３４８にて変数ｐ（＝１〜ｐmax）によって指定される電流の大きさデータＩｙ(ｐ，１)，Ｉｙ(ｐ，２)によって表されるＹ方向の電流の大きさの変化を示す曲線を表示装置７２に表示する。これにより作業者は、異常発生により次の処理が行えないことを知ると同時に、前記表示装置７２に表示された曲線、すなわちＸ方向におけるＹ方向の電流の大きさの変化から異常の原因を知ることができる。前記ステップＳ３４８の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ３５０にて領域区分サブルーチンの実行を終了して、図５ＡのステップＳ１３８に戻る。
ステップＳ１３８においては、コントローラ７０は、前述したステップＳ３４６の「異常」の表示がなされたか否かを判定する。「異常」の表示がなされなければ、コントローラ７０は、ステップＳ１３８にて「Ｎｏ」と判定して、図５ＢのステップＳ２００以降の処理を実行して、太陽電池パネルＳＰの測定及び検査のためのプログラムの実行を続行する。一方、「異常」の表示がなされた場合には、コントローラ７０は、ステップＳ１３８にて「Ｙｅｓ」と判定して、図５ＣのステップＳ２６２以降の処理を実行して、太陽電池パネルＳＰの測定及び検査のためのプログラムの実行を終了する。
この太陽電池パネルＳＰの測定及び検査のためのプログラムの実行を終了について先に説明しておく。この場合、コントローラ７０は、ステップＳ２６２にてセンサ信号取出回路６７の作動停止を指示し、ステップＳ２６４にて通電回路６６の作動停止を指示し、ステップＳ２６６にて通電信号供給回路６５の作動停止を指示する。これらの作動停止の指示により、センサ信号取出回路６７、通電信号供給回路６５、通電回路６６、ロックインアンプ６８及び磁気センサ１０の作動が停止する。前記ステップＳ２６６の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ２６８にて、磁気センサ１０をＸ方向駆動限界位置まで移動させることをＸ方向位置検出回路６１及びＸ方向フィードモータ制御回路６２に指示するとともに、磁気センサ１０をＹ方向駆動限界位置まで移動させることをＹ方向位置検出回路６３及びＹ方向フィードモータ制御回路６４に指示して、ステップＳ２７０にてデータ取得プログラムの実行を終了する。Ｘ方向フィードモータ制御回路６２は、前述の初期設定のように、Ｘ方向位置検出回路６１と協働して、磁気センサ１０をＸ方向駆動限界位置まで移動させる。Ｙ方向フィードモータ制御回路６４は、前述のように、Ｙ方向位置検出回路６３と協働して、磁気センサ１０をＹ方向駆動限界位置まで移動させる。
そして、この場合には、図７Ａ〜図７Ｇの評価プログラムは実行されない。この場合、前述したステップＳ３２８又はステップＳ３３２にて「Ｎｏ」と判定された理由が判明すれば、その理由を解消した後に、太陽電池パネルＳＰの測定を再び開始すればよい。また、太陽電池セル検査装置自体に異常が発生していれば、その異常を解消するか、他の太陽電池セル検査装置を用意して、太陽電池パネルＳＰの測定を再び開始すればよい。
次に、太陽電池パネルＳＰがステージ４０上に正しくセットされ、かつ取出電極８１，８２が正確に検出されて、前述したステップＳ３２８又はステップＳ３３２にて「Ｙｅｓ」と判定されて、プログラムが図５ＢのステップＳ２００に進められた場合について説明する。この場合、コントローラ７０は、ステップＳ２００にて変数ｎを「０」に初期設定するとともに、変数ｍ，ａをそれぞれ「１」に初期設定する。変数ｎ，ｍは、太陽電池パネルＳＰに対する磁気センサ１０の走査位置（測定位置）を示す変数である。なお、磁気センサ１０は、図１２に示すように、まず、Ｘ方向に初期値Ｘｓによって表される開始位置から終了値Ｘmaxによって表される終了位置を越えるまで所定の移動ピッチΔＸずつ移動制御される。そして、Ｘ方向の終了位置に達すると、磁気センサ１０はＹ方向に所定の移動ピッチΔＹだけ移動制御され、その後に、Ｘ方向の終了位置からＸ方向の開始位置まで移動ピッチΔＸずつ移動制御される。そして、ふたたび、磁気センサ１０はＹ方向に移動ピッチΔＹだけ移動制御されて、Ｘ方向の開始位置から終了位置まで移動ピッチΔＸずつ移動制御される。このように、磁気センサ１０は、Ｘ方向に往復運動しながらＹ方向に移動して、太陽電池パネルＳＰを走査する。なお、移動ピッチΔＸ，ΔＹは、太陽電池セルＳＣの縦横の長さに比べて極めて小さい。変数ａは、「１」により磁気センサ１０の中心位置がＸ方向正側に移動している状態を表し、「−１」により磁気センサ１０の中心位置がＸ方向負側に移動している状態を表している。以降、この磁気センサ１０の中心位置を測定位置という。
前記ステップＳ２００の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ２０２にて、Ｘ方向フィードモータ制御回路６２に対して磁気センサ１０をＸ方向に移動して測定位置がＸ方向の初期値Ｘｓによって表される初期位置になるように指示するとともに、Ｙ方向フィードモータ制御回路６４に対して磁気センサ１０をＹ方向に移動して測定位置がＹ方向の初期値Ｙｓによって表される初期位置になるように指示する。この指示に応答して、Ｘ方向フィードモータ制御回路６２は、Ｘ方向位置検出回路６１からＸ方向検出位置を入力しながら、Ｘ方向測定位置が初期値Ｘｓに一致するまでＸ方向モータ２５を駆動制御する。Ｙ方向フィードモータ制御回路６４は、Ｙ方向位置検出回路６３からＹ方向検出位置を入力しながら、Ｙ方向測定位置が初期値Ｙｓに一致するまでＹ方向モータ３４を駆動制御する。
前記ステップＳ２０２の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ２０４〜Ｓ２４６からなる測定処理を実行する。ステップＳ２０４においては、コントローラ７０は、変数ｎに変数ａを加算する。この場合、ステップＳ２０４の処理前の変数ｎは「０」であり、変数ａは「１」であるので、変数ｎは「１」に変更される。前記ステップＳ２０４の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ２０６にて、通電回路６６に対して第１印加電圧（図１０参照）を出力するように指示する。この指示に応答して、通電回路６６は、第１印加電圧を接続線Ｌ１，Ｌ２を介して太陽電池パネルＳＰの接続端子Ｓｔ１，Ｓｔ２間にそれぞれ供給する。その結果、太陽電池パネルＳＰにおいては、取出電極８１，８２に図８の矢印で示す方向に第１印加電圧による電流が流れ始めるとともに、各太陽電池セルＳＣ内では取出電極８１から取出電極８２に向かってＸ方向に第１印加電圧による電流が流れ始める。ただし、このステップＳ２０６の処理は後述するステップＳ２２０の処理によって通電回路６６から出力される電圧を第３印加電圧から第1印加電圧に切換えるための処理であり、初期の段階では、前述のように、通電回路６６から既に第１印加電圧が出力されているので、このステップＳ２０６の処理によって太陽電池セル検査装置の動作が実質的に変更されるものではない。また、この状態では、センサ信号取出回路６７及びロックインアンプ６８も作動しているので、コントローラ７０には、Ａ／Ｄ変換器６８ｏ，６８ｐ，６８ｑ，６８ｒから上述のような磁界に関する各信号成分の大きさを表すサンプリングデータが所定時間ごとに供給されている。
前記ステップＳ２０６の処理後、コントローラ７０は、上記図５ＡのステップＳ１１２，Ｓ１１４と同様なステップＳ２０８，Ｓ２１０の処理により、ロックインアンプ６８のＡ／Ｄ変換器６８ｏ〜６８ｒから所定数Ｋずつのサンプリングデータを取込んで、サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓx2(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy2(ｎ，ｍ，ｈ)としてそれぞれＲＡＭに記憶する。なお、変数ｎ，ｍはＸ方向及びＹ方向の測定位置を表す変数（上述した変数ｐ，ｑに対応した変数）であり、この場合には、変数ｎ，ｍは共に「１」である。変数ｈは、「１」により太陽電池パネルＳＰへの第１印加電圧の印加による前記サンプリングデータであることを表し、「２」
により太陽電池パネルＳＰへの第２印加電圧の印加による前記サンプリングデータであることを表し、かつ「３」 により太陽電池パネルＳＰへの第３印加電圧の印加による前記サンプリングデータであることを表す。そして、この場合には、太陽電池パネルＳＰへの第１印加電圧の印加による前記サンプリングデータであるので、サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓx2(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy2(ｎ，ｍ，ｈ) の変数ｈは「１」である。
前記ステップＳ２０８，２１０の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ２１２にて、変数ｎによって指定される領域指定値ｄ(ｎ)が「３」であるか否かを判定する。領域指定値ｄ(ｎ)が「１」であれば、コントローラ７０は、ステップＳ２１２にて「Ｎｏ」と判定して、図５ＣのステップＳ２２６に進む。一方、領域指定値ｄ(ｎ)が「３」であれば、コントローラ７０は、ステップＳ２１２にて「Ｙｅｓ」と判定し、ステップＳ２１４にて通電回路６６に対して第２印加電圧（図１０参照）を出力するように指示する。この指示に応答して、通電回路６６は、第２印加電圧を接続線Ｌ１，Ｌ２を介して太陽電池パネルＳＰの接続端子Ｓｔ１，Ｓｔ２間にそれぞれ供給する。その結果、太陽電池パネルＳＰにおいては、取出電極８１，８２に図８の矢印で示す方向に第２印加電圧による電流が流れ始めるとともに、各太陽電池セルＳＣ内では取出電極８１から取出電極８２に向かってＸ方向に第２印加電圧による電流が流れ始める。
このステップＳ２１４の処理後、コントローラ７０は、前記ステップＳ２０８，Ｓ２１０と同様なステップＳ２１６，Ｓ２１８の処理により、ロックインアンプ６８のＡ／Ｄ変換器６８ｏ〜６８ｒから所定数Ｋずつのサンプリングデータを取込んで、サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓx2(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy2(ｎ，ｍ，ｈ)としてそれぞれＲＡＭに記憶する。ただし、この場合、太陽電池パネルＳＰへの第２印加電圧の印加による前記サンプリングデータであるので、サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓx2(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy2(ｎ，ｍ，ｈ)の変数ｈは「２」である。
前記ステップＳ２１６，２１８の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ２２０にて通電回路６６に対して第３印加電圧（図１０参照）を出力するように指示する。この指示に応答して、通電回路６６は、第３印加電圧（逆方向電圧）を接続線Ｌ１，Ｌ２を介して太陽電池パネルＳＰの接続端子Ｓｔ１，Ｓｔ２間にそれぞれ供給する。その結果、太陽電池パネルＳＰにおいては、取出電極８１，８２に図８の矢印方向と反対方向に第３印加電圧による電流が流れ始めるとともに、各太陽電池セルＳＣ内では取出電極８２から取出電極８１に向かってＸ方向に第３印加電圧による電流が流れ始める（図９Ｃの破線参照）。ただし、この場合、発電セル８３にリーク不良及びＰＮ接合不良が生じていなければ、各太陽電池セルＳＣ内ではバイパスダイオード９５を介して電流が流れるのみで、発電セル８３内には電流は流れない。一方、発電セル８３にリーク不良又はＰＮ接合不良が生じていれば、前記不良が生じている太陽電池セルＳＣ内ではバイパスダイオード９５及び発電セル８３を介して電流が流れる。
このステップＳ２２０の処理後、コントローラ７０は、前記ステップＳ２０８，Ｓ２１０と同様なステップＳ２２２，Ｓ２２４の処理により、ロックインアンプ６８のＡ／Ｄ変換器６８ｏ〜６８ｒから所定数Ｋずつのサンプリングデータを取込んで、サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓx2(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy2(ｎ，ｍ，ｈ)としてそれぞれＲＡＭに記憶する。ただし、この場合、太陽電池パネルＳＰへの第３印加電圧の印加による前記サンプリングデータであるので、サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓx2(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy2(ｎ，ｍ，ｈ)の変数ｈは「３」である。
なお、変数ｎが前記のように「１」であれば、測定位置は電極近傍領域にあって、領域指定値ｄ(ｎ)が「１」であるので、ステップＳ２１４〜Ｓ２２４からなる処理は実行されない。そして、変数ｎが「１」よりも大きくなる今後の処理においても、ステップＳ２１４〜Ｓ２２４からなる処理は、あくまでも測定位置が発電面領域にあって領域指定値ｄ(ｎ)が「３」である場合にのみ実行されるもので、測定位置が電極近傍領域にあって領域指定値ｄ(ｎ)が「１」である場合には実行されるものではない。
前記ステップＳ２０６〜Ｓ２２４の処理後、コントローラ７０は、図５ＣのステップＳ２２６にて変数ａが「１」であるか否かを判定する。変数ａは「１」に初期設定されているので、この場合、コントローラ７０は、ステップＳ２２６にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ２２８にて、値Ｘｓ＋ｎ・ΔＸがＸ方向の終了値Ｘmaxよりも大きいか否かを判定する。値Ｘｓ＋ｎ・ΔＸは、Ｘ方向の走査間隔を表す所定値ΔＸに変数ｎを乗算して初期値Ｘｓを加算した値であり、次のＸ方向の測定位置（Ｘ方向の走査位置）を表す値（図１２参照）である。この場合、変数ｎが「１」であり、値Ｘｓ＋ｎ・ΔＸが終了値Ｘmax以下であるので、コントローラ７０は、ステップＳ２２８にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ２３０にて、Ｘ方向フィードモータ制御回路６２に、磁気センサ１０の中心位置をＸ方向正側に移動させるように指示する。これにより、Ｘ方向フィードモータ制御回路６２は、Ｘ方向モータ２５を作動させて磁気センサ１０の中心位置をＸ方向正側に移動させ始める。
次に、コントローラ７０は、ステップＳ２３２にてＸ方向位置検出回路６１からＸ方向検出位置を入力し、ステップＳ２３４にて入力したＸ方向検出位置が次のＸ方向の測定位置に達したか否か、すなわちＸ方向検出位置を示す値が値Ｘｓ＋ｎ・ΔＸ以上になったか否かを判定する。そして、Ｘ方向位置検出回路６１から入力したＸ方向検出位置が次のＸ方向の測定位置に達するまで、コントローラ７０は、ステップＳ２３４にて「Ｎｏ」と判定し続けて、ステップＳ２３２，Ｓ２３４の処理を繰り返し実行する。Ｘ方向位置検出回路６１から入力したＸ方向検出位置が次のＸ方向の測定位置に達すると、コントローラ７０は、ステップＳ２３４にて「Ｙｅｓ」と判定し、ステップＳ２３６にてＸ方向フィードモータ制御回路６２に、磁気センサ１０のＸ方向正側への移動を停止させることを指示する。これにより、Ｘ方向フィードモータ制御回路６２は、Ｘ方向モータ２５の作動を停止させて、磁気センサ１０のＸ方向正側への移動を停止させる。その結果、磁気センサ１０は、値Ｘｓ＋ｎ・ΔＸで表されたＸ方向位置、かつＹ方向初期値Ｙｓを磁気センサ１０の測定位置として、太陽電池パネルＳＰの磁界を検出し始める。
前記ステップＳ２３６の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ２０４に戻って、ステップＳ２０４の処理によって変数ｎに変数ａ（この場合、ａ＝１）を加算して、前述のステップＳ２０６〜Ｓ２２４の太陽電池パネルＳＰへの第１乃至第３印加電圧の印加及びサンプリングデータの取込み処理を実行する。これらのステップＳ２０６〜Ｓ２２４の処理により、値Ｘｓ＋(ｎ−１)・ΔＸで表されたＸ方向位置、かつＹ方向初期値Ｙｓを測定位置とする磁気センサ１０の磁界検出による所定数ＫのサンプリングデータＳx1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓx2(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy2(ｎ，ｍ，ｈ)がＲＡＭに記憶される。なお、この場合の変数ｎは「２」であり、変数ｍは「１」である。また、この場合も、変数ｎは小さく、測定位置は電極近傍領域にあって領域指定値ｄ(ｎ)が「１」であるので、ステップＳ２０６〜Ｓ２１０の処理によって変数ｈが「１」であるサンプリングデータＳx1(ｎ，ｍ，１)，Ｓx2(ｎ，ｍ，１)，Ｓy1(ｎ，ｍ，１)，Ｓy2(ｎ，ｍ，１)はＲＡＭに記憶されるが、ステップＳ２１４〜Ｓ２２４からなる処理は実行されず、変数ｈが「２」であるサンプリングデータＳx1(ｎ，ｍ，２)，Ｓx2(ｎ，ｍ，２)，Ｓy1(ｎ，ｍ，２)，Ｓy2(ｎ，ｍ，２)はＲＡＭには記憶されないとともに、変数ｈが「３」であるサンプリングデータＳx1(ｎ，ｍ，３)，Ｓx2(ｎ，ｍ，３)，Ｓy1(ｎ，ｍ，３)，Ｓy2(ｎ，ｍ，３)もＲＡＭには記憶されない。
そして、コントローラ７０は、次のＸ方向の測定位置（Ｘ方向の走査位置）を表す値Ｘｓ＋ｎ・ΔＸが終了値Ｘmaxよりも大きくなるまで、ステップＳ２０４〜Ｓ２３６の処理により、磁気センサ１０による測定位置をＸ方向正側に所定値ΔＸずつ移動させるとともに、変数ｎを「１」ずつ増加させながら、サンプリングデータを取込む。この場合、変数ｎの変化により、測定位置が発電面領域にあって領域指定値ｄ(ｎ)が「３」であれば、ステップＳ２０６〜Ｓ２１０の処理によって変数ｈが「１」であるサンプリングデータＳx1(ｎ，ｍ，１)，Ｓx2(ｎ，ｍ，１)，Ｓy1(ｎ，ｍ，１)，Ｓy2(ｎ，ｍ，１)がＲＡＭに記憶されるのに加えて、、ステップＳ２１４〜Ｓ２１８の処理によって変数ｈが「２」であるサンプリングデータＳx1(ｎ，ｍ，２)，Ｓx2(ｎ，ｍ，２)，Ｓy1(ｎ，ｍ，２)，Ｓy2(ｎ，ｍ，２)もＲＡＭには記憶されるとともに、ステップＳ２２０〜Ｓ２２４の処理によって変数ｈが「３」であるサンプリングデータＳx1(ｎ，ｍ，３)，Ｓx2(ｎ，ｍ，３)，Ｓy1(ｎ，ｍ，３)，Ｓy2(ｎ，ｍ，３)もＲＡＭには記憶される。ただし、前述のように、変数ｎが大きくなっても、測定位置が電極近傍領域にあって領域指定値ｄ(ｎ)が「１」であれば、ステップＳ２０６〜Ｓ２１０の処理によって変数ｈが「１」であるサンプリングデータＳx1(ｎ，ｍ，１)，Ｓx2(ｎ，ｍ，１)，Ｓy1(ｎ，ｍ，１)，Ｓy2(ｎ，ｍ，１)はＲＡＭに記憶されるが、ステップＳ２１４〜Ｓ２２４からなる処理は実行されず、変数ｈが「２」であるサンプリングデータＳx1(ｎ，ｍ，２)，Ｓx2(ｎ，ｍ，２)，Ｓy1(ｎ，ｍ，２)，Ｓy2(ｎ，ｍ，２)はＲＡＭには記憶されないとともに、変数ｈが「３」であるサンプリングデータＳx1(ｎ，ｍ，３)，Ｓx2(ｎ，ｍ，３)，Ｓy1(ｎ，ｍ，３)，Ｓy2(ｎ，ｍ，３)もＲＡＭには記憶されない。
このようなステップＳ２０４〜Ｓ２３６からなる循環処理により、次のＸ方向の測定位置を表す値Ｘｓ＋ｎ・ΔＸが終了値Ｘmaxよりも大きくなると、コントローラ７０は、ステップＳ２２８にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ２４８に進む。この状態では、サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓx2(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy2(ｎ，ｍ，ｈ)（ｎ＝１，２，３・・・ｎmax，ｍ＝１，ｈ＝１〜３）がＲＡＭに記憶されている。なお、値ｎmaxは、終了値Ｘmax直前の測定位置によるサンプリングデータ群に関する変数ｎの値であって、Ｘ方向における測定位置の数を表している。また、変数ｈが「１」の場合には、変数ｎ（＝１，２，３・・・ｎmax）の全てに関して、サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓx2(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy2(ｎ，ｍ，ｈ)が存在するわけではない。
コントローラ７０は、ステップＳ２４８において、Ｙ方向フィードモータ制御回路６４に、磁気センサ１０による測定位置をＹ方向正側に移動させるように指示する。これにより、Ｙ方向フィードモータ制御回路６４は、Ｙ方向モータ３４を作動させて磁気センサ１０による測定位置をＹ方向正側に移動させ始める。次に、コントローラ７０は、ステップＳ２５０にてＹ方向位置検出回路６３からＹ方向検出位置を入力し、ステップＳ２５２にて入力したＹ方向検出位置が次のＹ方向の測定位置Ｙｓ＋ｍ・ΔＹに達したか否かを判定する。この次のＹ方向の測定位置Ｙｓ＋ｍ・ΔＹは、Ｘ方向の次の測定位置Ｘｓ＋ｎ・ΔＸと同様に、Ｙ方向の走査間隔を表す所定値ΔＹに変数ｍを乗算して初期値Ｙｓを加算した値である（図１２参照）。そして、Ｙ方向位置検出回路６３から入力したＹ方向検出位置が次のＹ方向の測定位置に達するまで、コントローラ７０は、ステップＳ２５２にて「Ｎｏ」と判定し続けて、ステップＳ２５０，Ｓ２５２の処理を繰り返し実行する。Ｙ方向位置検出回路６３から入力したＹ方向検出位置が次のＹ方向の測定位置に達すると、コントローラ７０は、ステップＳ２５２にて「Ｙｅｓ」と判定し、ステップＳ２５４にてＹ方向フィードモータ制御回路６４に、磁気センサ１０のＹ方向正側への移動を停止させることを指示する。これにより、Ｙ方向フィードモータ制御回路６４は、Ｙ方向モータ３４の作動を停止させて、磁気センサ１０測定位置のＹ方向正側への移動を停止させる。その結果、磁気センサ１０は、値Ｘｓ＋(ｎ-１)・ΔＸ（＝Ｘｓ＋(ｎmax-１)・ΔＸ）で表されたＸ方向位置、かつ値Ｙｓ＋ｍ・ΔＹ（＝Ｙｓ＋ΔＹ）で表されたＹ方向位置を測定位置として、太陽電池パネルＳＰの表面近傍の磁界を検出し始める。
前記ステップＳ２５４の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ２５６にて、Ｙ方向位置検出回路６３からＹ方向検出位置を入力して、入力したＹ方向検出位置が終了値Ｙmaxによって表されたＹ方向の走査終了位置を越えたか否かを判定する。この場合、Ｙ方向位置はＹｓ＋ΔＹであり、Ｙ方向検出位置が走査終了位置Ｙmaxを越えていないので、コントローラ７０は、ステップＳ２５６にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ２５８にて変数ｍに「１」を加算し、ステップＳ２６０にて変数ａに「−１」を乗算する。この場合、ステップＳ２５８の処理によって変数ｍは「２」になり、ステップＳ２６０の処理によって変数ａは「−１」になる。また、変数ｎは値ｎmaxに保たれている。前記ステップＳ２６０の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ２０６に戻って、ステップＳ２０６〜Ｓ２２４の処理より、前述の太陽電池パネルＳＰへの第１乃至第３印加電圧の印加及びサンプリングデータの取込み処理を実行する。
前記ステップＳ２０６〜Ｓ２２４の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ２２６にて変数ａは「１」であるか否かを判定する。この場合、前記ステップＳ２６０の処理によって変数ａは「−１」に設定されているので、コントローラ７０は、ステップＳ２２６にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ２３８にて、値Ｘｓ＋(ｎ−２)・ΔＸがＸ方向の初期値Ｘｓよりも小さいか否かを判定する。この場合、変数ｎはｎmaxであり、値Ｘｓ＋(ｎ−２)・ΔＸは、太陽電池パネルＳＰの図１２における終了値Ｘmax直前の測定位置を左側へ移動させた際における次のＸ方向の測定位置（Ｘ方向の走査位置）を表す値である。この場合、値Ｘｓ＋(ｎ−２)・ΔＸが初期値Ｘｓよりも小さくないので、コントローラ７０は、ステップＳ２３８にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ２４０にて、Ｘ方向フィードモータ制御回路６２に、磁気センサ１０による測定位置をＸ方向負側に移動させるように指示する。これにより、Ｘ方向フィードモータ制御回路６２は、Ｘ方向モータ２５を作動させて磁気センサ１０による測定位置をＸ方向負側に移動させ始める。
次に、コントローラ７０は、ステップＳ２４２にてＸ方向位置検出回路６１からＸ方向検出位置を入力し、ステップ２４４にて入力したＸ方向位置が次のＸ方向の測定位置に達したか否か、すなわちＸ方向位置を示す値が値Ｘｓ＋(ｎ−２)・ΔＸ以下になったか否かを判定する。そして、Ｘ方向位置検出回路６１から入力したＸ方向検出位置が次のＸ方向の測定位置に達するまで、コントローラ７０は、ステップＳ２４４にて「Ｎｏ」と判定し続けて、ステップＳ２４２，Ｓ２４４の処理を繰り返し実行する。Ｘ方向位置検出回路６１から入力したＸ方向検出位置が次のＸ方向の測定位置に達すると、コントローラ７０は、ステップＳ２４４にて「Ｙｅｓ」と判定し、ステップＳ２４６にてＸ方向フィードモータ制御回路６２に、測定位置のＸ方向負側への移動を停止させることを指示する。これにより、Ｘ方向フィードモータ制御回路６２は、Ｘ方向モータ２５の作動を停止させて、磁気センサ１０による測定位置のＸ方向負側への移動を停止させる。その結果、磁気センサ１０は、値Ｘｓ＋(ｎ−２)・ΔＸ（＝Ｘｓ＋(ｎmax−２)・ΔＸ）で表されたＸ方向位置、かつ値Ｙｓ＋(ｍ−１)・ΔＹｓ（＝Ｙｓ＋ΔＹｓ）で表されたＹ方向位置を測定位置として、太陽電池パネルＳＰの表面近傍の磁界を検出し始める。
前記ステップＳ２４６の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ２０４に戻って、ステップＳ２０４の処理によって変数ｎに変数ａ（この場合、ａ＝−１）を加算して、前述のステップＳ２０６〜Ｓ２２４の太陽電池パネルＳＰへの第１乃至第３印加電圧の印加及びサンプリングデータの取込み処理を実行する。これらのステップＳ２０６〜Ｓ２２４の処理により、前記ステップＳ２０４の処理前の値Ｘｓ＋(ｎ−２)・ΔＸ（＝Ｘｓ＋(ｎmax−２)・ΔＸ）で表されたＸ方向位置、かつ値Ｙｓ＋(ｍ−１)・ΔＹｓ（＝Ｙｓ＋ΔＹｓ）で表されたＹ方向位置を測定位置とするＫ個ずつの各サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓx2(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy2(ｎ，ｍ，ｈ)が取込み記憶される。なお、この取込み記憶されるサンプリングデータ群に関する変数ｎは値ｎmax−１であり、変数ｍは「２」である。そして、この場合も、前述のように、測定位置が発電面領域にあって領域指定値ｄ(ｎ)が「３」であれば、変数ｈが「１」乃至「３」であるサンプリングデータＳx1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓx2(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy2(ｎ，ｍ，ｈ)がＲＡＭに記憶されるが、測定位置が電極近傍領域にあって領域指定値ｄ(ｎ)が「１」であれば、変数ｈが「１」であるサンプリングデータＳx1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓx2(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy2(ｎ，ｍ，ｈ)のみがＲＡＭに記憶される。
そして、コントローラ７０は、次のＸ方向の測定位置（Ｘ方向の走査位置）を表す値Ｘｓ＋(ｎ−２)・ΔＸが初期値Ｘｓよりも小さくなるまで、ステップＳ２０４〜Ｓ２２６，Ｓ２３８〜Ｓ２４６の処理により、測定位置をＸ方向負側に所定値ΔＸずつ移動させるとともに、変数ｎを「１」ずつ減少させながら、サンプリングデータを取込む。そして、次のＸ方向の測定位置を表す値Ｘｓ＋(ｎ−２)・ΔＸが初期値Ｘｓよりも小さくなると、コントローラ７０は、ステップＳ２３８にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ２４８に進む。なお、このときの変数ｎは「１」である。この状態では、前述したサンプリングデータ群Ｓx1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓx2(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy2(ｎ，ｍ，ｈ)（ｎ＝１，２，３・・・ｎmax，ｍ＝１，ｈ＝１〜３）に加えて、サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓx2(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy2(ｎ，ｍ，ｈ)（ｎ＝１，２，３・・・ｎmax，ｍ＝２，ｈ＝１〜３）がＲＡＭに記憶されている。
コントローラ７０は、前述したステップＳ２４８〜Ｓ２５４の処理により、Ｙ方向モータ３４を作動させて磁気センサ１０による測定位置を次のＹ方向測定位置Ｙｓ＋ｍ・ΔＹに移動させる。その結果、磁気センサ１０は、初期値Ｘｓで表されたＸ方向の初期位置、かつ値Ｙｓ＋ｍ・ΔＹ（＝Ｙｓ＋２・ΔＹ）で表されたＹ方向位置を測定位置として、太陽電池パネルＳＰの表面近傍の磁界を検出し始める。次に、コントローラ７０は、Ｙ方向位置検出回路６３によって検出されたＹ方向位置が終了位置を越えていないことを条件に、コントローラ７０は、ステップＳ２５６にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ２５８にて変数ｍに「１」を加算し、ステップＳ２６０にて変数ａに「−１」を乗算する。この場合、ステップＳ２５８の処理によって変数ｍは「３」になり、ステップＳ２６０の処理によって変数ａは「１」になる。また、変数ｎは「１」に保たれている。前記ステップＳ２６０の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ２０６に戻って、ステップＳ２０６〜Ｓ２２４の処理より、前述の太陽電池パネルＳＰへの第１乃至第３印加電圧の印加及びサンプリングデータの取込み処理を実行する。
前記ステップＳ２０６〜Ｓ２２４の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ２２６にて変数ａは「１」であるか否かを判定する。この場合、前記ステップＳ２６０の処理によって変数ａは「１」に設定されているので、コントローラ７０は、ステップＳ２２６にて「Ｙｅｓ」と判定して、前述したステップＳ２２８〜Ｓ２３６，Ｓ２０４〜Ｓ２２６の処理を、値Ｘｓ＋ｎ・ΔＸが終了値Ｘmaxよりも大きくなるまで繰り返し実行する。これにより、磁気センサ１０による測定位置がＸ方向正側に走査されて、サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓx2(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy2(ｎ，ｍ，ｈ)（ｎ＝１，２，３・・・ｎmax，ｍ＝３，ｈ＝１〜３）がＲＡＭに新たに記憶される。
そして、変数ｍを「３」に設定した状態で、磁気センサ１０の測定位置のＸ方向正側への走査が終了すると、ステップＳ２２８の判定処理により、ステップＳ２４８〜Ｓ２６０の処理が実行されて、磁気センサ１０による測定位置が次のＹ方向位置に変更されるとともに、変数ｍ，ａが変更される。そして、前述したステップＳ２０４〜Ｓ２２６，Ｓ２３８〜Ｓ２４６の処理により、磁気センサ１０による測定位置がＸ方向負側へ走査され、サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓx2(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy2(ｎ，ｍ，ｈ)（ｎ＝１，２，３・・・ｎmax，ｍ＝４，ｈ＝１〜３）がＲＡＭに新たに記憶される。
このようなステップＳ２０４〜Ｓ２６０の処理により、磁気センサによる測定位置がＸ方向を往復するように走査されるとともにＹ方向正側に走査されて、Ｙ方向位置検出回路６３によって検出されるＹ方向検出位置が終了値Ｙmaxよりも大きくなると、コントローラ７０は、ステップＳ２５６にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ２６２以降の処理を実行する。この状態では、ＲＡＭ内に、Ｋ個ずつの各サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓx2(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy2(ｎ，ｍ，ｈ)（ｎ＝１〜ｎmax，ｍ＝１〜ｍmax，ｈ＝１〜３）が記憶されている。なお、値ｍmaxは、終了値Ｙmax直前の測定位置におけるサンプリングデータ群に関する変数ｍの値であって、Ｙ方向における測定位置の数を表している。また、前述のように、測定位置が発電面領域にあって領域指定値ｄ(ｎ)が「３」であれば、変数ｈが「１」乃至「３」であるサンプリングデータＳx1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓx2(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy2(ｎ，ｍ，ｈ)がＲＡＭに記憶されているが、測定位置が電極近傍領域にあって領域指定値ｄ(ｎ)が「１」であれば、変数ｈが「１」であるサンプリングデータＳx1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓx2(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy2(ｎ，ｍ，ｈ)のみがＲＡＭに記憶されている。
そして、コントローラ７０は、前述したステップＳ２６２〜Ｓ２６６の処理により、センサ信号取出回路６７、通電信号供給回路６５、通電回路６６、ロックインアンプ６８及び磁気センサ１０の作動を停止させ、前述したステップＳ２６８の処理により、磁気センサ１０をＸ方向及びＹ方向駆動限界位置まで移動させて、ステップＳ２７０にてデータ取得プログラムの実行を終了する。
次に、前記データ取得プログラムで取得した所定数Ｋずつのサンプリングデータ群Ｓx1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓx2(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy2(ｎ，ｍ，ｈ)（ｎ＝１〜ｎmax，ｍ＝１〜ｍmax，ｈ＝１〜３）を用いて、太陽電池パネルＳＰを評価する方法について説明する。前記データ取得プログラムの実行終了後、コントローラ７０は図７Ａ乃至図７Ｈの評価プログラムの実行を開始する。この評価プログラムにおいては、太陽電池パネルＳＰの合否判定が行われ、また作業者が太陽電池パネルＳＰ（太陽電池セルＳＣ）の合否を判定するために、太陽電池パネルＳＰのＸ−Ｙ座標の各点における電流の大きさと向きである電流分布の画像が表示装置７２に表示される。
ここで、評価プログラムを説明する前に、太陽電池セルＳＣの取出電極８１，８２に欠陥が発生した場合と、太陽電池セルＳＣの発電セル８３に欠陥が存在する場合について説明しておく。取出電極８１，８２の欠陥に関しては、取出電極８１，８２が内部電極８６，８８に導電性ペースト又は半田により接続されているので、取出電極８１，８２と内部電極８６，８８との間の接続不良が欠陥の原因となる。また、発電セル８３の欠陥に関しては、接続不良、リーク不良及びＰＮ接合不良の３種類がある。接続不良の原因は、ピンホール、クラック、異物混入など様々であるが、太陽電池セルＳＣの各層からなる構造に正規の構造とは異なる構造が生じていることが原因であり、発電セル８３に電流が流れ難い状態である。リーク不良は、発電セル８３間の電極が導通されていて、又は同一発電セル８３の正極（表面電極８３ａ）と負極（裏面電極８３ｃ）とが導通されていてリーク電流が発生するものである。ＰＮ接合不良は、発電セル８３のＮ層とＰ層とが小さな抵抗をもって接続されているような欠陥で、発電の際には逆方向（Ｐ層からＮ層方向）にも電流が流れるものである。
そして、本実施形態においては、これらの不良の検出に関して、太陽電池セルＳＣに外部から印加電圧を印加して、太陽電池セルＳＣの各部に電流を流すことにより検出するものである。また、前記実験により、発電セル８３のリーク不良においては、取出電極８１，８２の接続不良及び発電セル８３の接続不良の場合のようにある程度大きな順方向電圧（太陽電池セルＳＣの正側の取出電極８１が正電圧となり、負側の取出電極８２が負電圧（接地電圧）となる電圧）を印加してある程度大きな電流を流しても、発生する磁界の分布状態又は磁界から計算され得る電流の分布状態が正常な場合と比較して大きな差が現われないことが分かった。そして、このリーク不良の場合には、取出電極８１，８２に小さな順方向電圧を印加して小さな電流を流すことにより、リーク不良箇所には正常箇所に比べて大きな電流が流れて正常箇所との差を検出できることが実験により分かった。
また、この発電セル８３のリーク不良においては、取出電極８１，８２間に降伏電圧未満の逆方向電圧（太陽電池セルＳＣの負側の取出電極８２が正電圧となり、正側の取出電極８１が負電圧（接地電圧）となる電圧）を印加することにより、リーク不良箇所には正常箇所に比べて大きな電流が流れて正常箇所との差を検出できることも実験により分かった。さらに、前記実験により、発電セル８３のＰＮ接合不良においても、前記発電セル８３のリーク不良の場合と同様に、取出電極８１，８２間に降伏電圧未満の逆方向電圧を印加することにより、ＰＮ接続不良箇所には正常箇所に比べて大きな電流が流れて正常箇所との差を検出できることも実験により分かった。なお、逆方向電圧を印加する場合で、発電セル８３のリーク不良やＰＮ接合不良の場合には、ＰＮ接続不良の発電セル８３に対応したバイパスダイオード９５に流れる電流量も変化する。
１つの太陽電池セルＳＣにおいて、取出電極８１，８２間に比較的大きな順方向電圧を印加した状態で、取出電極８１，８２が正常な場合と接続不良による場合との電流の分布について、図１３を用いて説明する。（Ａ）は、×印位置にて、取出電極８１と内部電極８６との間に接続不良が発生している状態を示している。（Ｂ）は、実線により、太陽電池セルＳＣが正常な状態において、取出電極８１の位置における電流の大きさＩxyを、取出電極８１のＹ方向位置に対応させて示している。また、（Ｂ）は、破線により、太陽電池セルＳＣに前記接続不良が発生した状態において、取出電極８１の位置における電流の大きさＩxyを、取出電極８１のＹ方向位置に対応させて示している。この場合、Ｙ方向位置に応じて電流の大きさＩxyが変化するのは、（Ａ）の矢印のように電流が流れるため、すなわち上側位置に流れる電流は下側位置にも重なって流れるためである。なお、この場合の電流の大きさＩxyとは、電流の向きとは無関係な電流の大きさの絶対値である。したがって、（Ｂ）のグラフからは、太陽電池セルＳＣの取出電極８１，８２が正常な場合と接続不良の場合とでは、電流の大きさＩxyの変化において差があまり大きくなく、電流の大きさＩxyは共に滑らかに変化していることが分かる。これは、接続不良の欠陥箇所においても、取出電極８１及び内部電極８６自体には、接続不良が発生しているわけではなく、取出電極８１及び内部電極８６が延設されているＹ方向には前記接続不良とは無関係に充分な電流が流れ得るからであると推定される。
一方、（Ｃ）は、実線により、太陽電池セルＳＣの取出電極８１，８２が正常な状態において、取出電極８１の延設方向における各測定位置（Ｙ方向の各測定位置）のＸ方向（取出電極８１に直交する方向）の電流の大きさＩｘから、取出電極８１から太陽電池セルＳＣの内側Ｘ方向に所定距離だけ隔てた位置すなわち取出電極８１と対となる取出電極８２側のＸ方向内側位置における同じＹ方向の各測定位置のＸ方向の電流の大きさＩｘを減算した電流差Ｄｅを、取出電極８１のＹ方向位置に対応させて示している。なお、前記所定距離とは例えば５ｍｍ程度の距離であり、前記Ｘ方向内側位置とは、例えば取出電極８１の位置から５ｍｍ程度内側の位置である。前記のように移動ピッチΔＸが１ｍｍ程度であると、前記Ｘ方向内側位置は取出電極８１からａ・ΔＸ（ａ＝５）だけ内側に入った位置となる。また、（Ｃ）は、破線により、太陽電池セルＳＣに前記接続不良が発生した状態において、前記電流差Ｄｅを、取出電極８１のＹ方向位置に対応させて示している。そして、（Ｃ）のグラフからは、太陽電池セルＳＣの取出電極８１が正常な場合と接続不良の場合とでは、電流差Ｄｅの変化において差が大きく、正常な場合にはほぼ一定の値であるが、接続不良の場合には電流差Ｄｅは接続不良箇所近傍で大きく変動していることが分かる。これは、接続不良箇所において、接続不良箇所を避けて電流がＹ方向に傾いて流れ、Ｘ方向の電流の大きさが減少するためであると推定される。
一方、（Ｄ）は、実線により、太陽電池セルＳＣが正常な状態において、取出電極８１のＸ方向近傍位置（具体的には、例えば取出電極８１から内側へ１〜２ｍｍ程度の位置、すなわち移動ピッチΔＸが１ｍｍとするとΔＸ又は２・ΔＸ程度内側の位置）のＹ方向における各測定位置のＸ方向の電流の大きさＩｘから、前記Ｘ方向近傍位置から所定距離（例えば、５ｍｍ程度の短い距離）だけ内側の位置（前記のように移動ピッチΔＸが１ｍｍ程度であると、前記Ｘ方向近傍位置からａ・ΔＸ（ａ＝５）だけ内側に入った位置）における同じＹ方向位置の各測定位置におけるＸ方向の電流の大きさＩｘを減算した電流差Ｄｅを、取出電極８１のＹ方向位置に対応させて示している。また、（Ｄ）は、破線により、太陽電池セルＳＣに前記接続不良が発生した状態において、前記電流差Ｄｅを、取出電極８１のＹ方向位置に対応させて示している。そして、（Ｄ）のグラフからは、太陽電池セルＳＣが正常な場合にはほぼ一定の値であるが、接続不良の場合には電流差Ｄｅは接続不良箇所近傍で大きく変動していることが分かる。なお、（Ｄ）の場合には、（Ｃ）の場合よりも、電流差Ｄｅが大きい。これも、接続不良箇所において、接続不良箇所を避けて電流がＹ方向に傾いて流れ、Ｘ方向の電流が減少するためであると推定される。
本発明は、これらの取出電極８１の位置又は近傍位置における前記電流差Ｄｅの変化に着目して、取出電極８１，８２の接続不良を検出するものである。また、取出電極８２と内部電極８８との間の接続不良の発生時においても同じ結果を得ている。すなわち、本発明は、取出電極８１，８２の位置又はその近傍位置における前記電流差ＤｅのＹ方向に沿った変化において、前記電流差Ｄｅの変動が接続不良箇所の近傍にて大きくなることに着目して、取出電極８１，８２と内部電極８６，８８との接続不良を検出するようにしている。
次に、１つの太陽電池セルＳＣにおいて、取出電極８１，８２間に比較的大きな順方向電圧を印加した状態で、発電セル８３に接続不良が発生した場合の電流の分布について、図１４を用いて説明する。（Ａ）は、図示ＡのＸ方向位置の×印位置にて、発電セル８３に接続不良が生じて電流が流れ難くなっている状態を示している。（Ｂ）は、実線により、図示ＡのＸ方向位置に発電セル８３の接続不良が生じていない状態すなわち太陽電池セルＳＣが正常な状態において、図示ＡのＸ方向位置におけるＹ方向の各測定位置のＸ方向の電流の大きさＩｘから、前記各測定位置から太陽電池セルＳＣの内側Ｘ方向に所定距離だけ隔てた位置における同じＹ方向の各測定位置のＸ方向（取出電極８１に直交する方向）の電流の大きさＩｘを減算した電流差Ｄｅを、前記各測定位置のＹ方向位置に対応させて示している。すなわち、取出電極８１、８２のＸ方向中央位置を挟んで、各測定位置が取出電極８１に近い場合には、各測定位置のＸ方向の電流の大きさＩｘから、各測定位置から取出電極８２側のＸ方向に所定距離だけ離れた位置のＸ方向の電流の大きさＩｘを減算した電流差Ｄｅを、前記各測定位置のＹ方向位置に対応させて示している。また、取出電極８１、８２のＸ方向中央位置を挟んで、各測定位置が取出電極８２に近い場合には、各測定位置のＸ方向の電流の大きさＩｘから、各測定位置から取出電極８１側のＸ方向に所定距離だけ離れた位置のＸ方向の電流の大きさＩｘを減算した電流差Ｄｅを、前記各測定位置のＹ方向位置に対応させて示している。なお、この場合も、前記所定距離は、例えば５ｍｍ程度の短い距離であり、前記のように移動ピッチΔＸが１ｍｍ程度であると、ａ・ΔＸ（ａ＝５）程度の距離である。また、（Ｂ）は、破線により、前記図示ＡのＸ方向位置の一部の発電セル８３に接続不良が生じている状態において、前記電流差ＤｅをＹ方向位置に対応させて示している。そして、（Ｂ）のグラフからは、太陽電池セルＳＣの発電セル８３が正常な場合と発電セル８３に接続不良がある場合とでは、電流差Ｄｅの変化において差が大きく、正常な場合にはほぼ「０」であるが、接続不良の場合には電流差Ｄｅは接続不良位置で大きく負の値に変動していることが分かる。これは、発電セル８３の接続不良箇所において、接続不良箇所を避けて電流がＹ方向に傾いて流れ、Ｘ方向の電流の大きさが減少するためであると推定される。
次に、１つの太陽電池セルＳＣにおいて、取出電極８１，８２間に比較的小さな順方向電圧を印加した状態で、発電セル８３にリーク不良が発生した場合の電流の分布について、図１５を用いて説明する。（Ａ）は、図示ＡのＸ方向位置の×印位置にて、発電セル８３にリーク不良が発生してリーク電流が流れる状態を示している。（Ｂ）は、実線により、図示ＡのＸ方向位置に発電セル８３のリーク不良がない状態すなわち太陽電池セルＳＣが正常な状態において、図示ＡのＸ方向位置におけるＹ方向の各測定位置のＸ方向の電流の大きさＩｘから、前記各測定位置から太陽電池セルＳＣの内側Ｘ方向に所定距離だけ隔てた位置における同じＹ方向の各測定位置のＸ方向（取出電極８１に直交する方向）の電流の大きさＩｘを減算した電流差Ｄｅを、前記各測定位置のＹ方向位置に対応させて示している。すなわち、取出電極８１、８２のＸ方向中央位置を挟んで、各測定位置が取出電極８１に近い場合には、各測定位置のＸ方向の電流の大きさＩｘから、各測定位置から取出電極８２側のＸ方向に所定距離だけ離れた位置のＸ方向の電流の大きさＩｘを減算した電流差Ｄｅを、前記各測定位置のＹ方向位置に対応させて示している。また、取出電極８１、８２のＸ方向中央位置を挟んで、各測定位置が取出電極８２に近い場合には、各測定位置のＸ方向の電流の大きさＩｘから、各測定位置から取出電極８１側のＸ方向に所定距離だけ離れた位置のＸ方向の電流の大きさＩｘを減算した電流差Ｄｅを、前記各測定位置のＹ方向位置に対応させて示している。なお、この場合も、前記所定距離は、例えば５ｍｍ程度の短い距離であり、前記のように移動ピッチΔＸが１ｍｍ程度であると、ａ・ΔＸ（ａ＝５）程度の距離である。また、（Ｂ）は、破線により、前記図示ＡのＸ方向位置の一部に発電セル８３のリーク不良が生じて電流が流れ易くなっている状態において、前記電流差ＤｅをＹ方向位置に対応させて示している。そして、（Ｂ）のグラフからは、太陽電池セルＳＣの発電セル８３が正常な場合と発電セル８３にリーク不良がある場合とでは、電流差Ｄｅの変化において差が大きく、正常な場合にはほぼ「０」であるが、リーク不良の場合には電流差Ｄｅはリーク不良箇所で大きく正の値に変動していることが分かる。これは、発電セル８３のリーク不良箇所において、他の部分に比べてＸ方向に多くの電流が流れ、Ｘ方向の電流の大きさが増加するためであると推定される。
１つの太陽電池セルＳＣにおいて、取出電極８１，８２間に降伏電圧未満の逆方向電圧を印加した状態で、発電セル８３にＰＮ接続不良が発生した場合の電流の分布について、図１６を用いて説明する。（Ａ）は、図示ＡのＸ方向位置の×印位置にて、発電セル８３にＰＮ接続不良が発生して電流が流れる状態を示している。（Ｂ）は、実線により、図示ＡのＸ方向位置に発電セル８３のＰＮ接続不良がない状態すなわち太陽電池セルＳＣが正常な状態において、図示ＡのＸ方向位置におけるＹ方向の各測定位置のＸ方向の電流の大きさＩｘから、前記各測定位置から太陽電池セルＳＣの内側Ｘ方向に所定距離だけ隔てた位置における同じＹ方向の各測定位置のＸ方向（取出電極８１に直交する方向）の電流の大きさＩｘを減算した電流差Ｄｅを、前記各測定位置のＹ方向位置に対応させて示している。すなわち、取出電極８１、８２のＸ方向中央位置を挟んで、各測定位置が取出電極８１に近い場合には、各測定位置のＸ方向の電流の大きさＩｘから、各測定位置から取出電極８２側のＸ方向に所定距離だけ離れた位置のＸ方向の電流の大きさＩｘを減算した電流差Ｄｅを、前記各測定位置のＹ方向位置に対応させて示している。また、取出電極８１、８２のＸ方向中央位置を挟んで、各測定位置が取出電極８２に近い場合には、各測定位置のＸ方向の電流の大きさＩｘから、各測定位置から取出電極８１側のＸ方向に所定距離だけ離れた位置のＸ方向の電流の大きさＩｘを減算した電流差Ｄｅを、前記各測定位置のＹ方向位置に対応させて示している。なお、この場合も、前記所定距離は、例えば５ｍｍ程度の短い距離であり、前記のように移動ピッチΔＸが１ｍｍ程度であると、ａ・ΔＸ（ａ＝５）程度の距離である。また、（Ｂ）は、破線により、前記図示ＡのＸ方向位置の一部に発電セル８３のＰＮ接続不良が生じて電流が流れるようになっている状態において、前記電流差ＤｅをＹ方向位置に対応させて示している。そして、（Ｂ）のグラフからは、前記図１５の場合と同様に、太陽電池セルＳＣの発電セル８３が正常な場合と発電セル８３にＰＮ接続不良がある場合とでは、電流差Ｄｅの変化において差が大きく、正常な場合にはほぼ「０」であるが、ＰＮ接続不良の場合には電流差ＤｅはＰＮ接続不良箇所で大きく正の値に変動していることが分かる。これは、発電セル８３のＰＮ接続不良箇所において、他の部分に比べてＸ方向に多くの電流が流れ、Ｘ方向の電流の大きさが増加するためであると推定される。ただし、この場合のＸ方向の電流の向きは、図１５の場合とは逆方向である。
また、１つの太陽電池セルＳＣにおいて、取出電極８１，８２間に降伏電圧未満の逆方向電圧を印加した状態で、発電セル８３にリーク不良が発生した場合の電流の分布について説明しておくと、この場合の電流分布も、取出電極８１，８２間に前記比較的小さな順方向電圧を印加した場合（図１５）と、取出電極８１，８２間に降伏電圧未満の逆方向電圧を印加した場合（図１６）と同様になる。したがって、太陽電池セルＳＣの発電セル８３が正常な場合と発電セル８３にリーク不良がある場合とでは、電流差Ｄｅの変化において差が大きく、正常な場合にはほぼ「０」であるが、ＰＮ接続不良の場合には電流差ＤｅはＰＮ接続不良箇所で大きく正の値に変動していることが分かる。この場合も、発電セル８３のリーク不良箇所において、他の部分に比べてＸ方向に多くの電流が流れ、Ｘ方向の電流の大きさが増加するためであると推定される。ただし、この場合のＸ方向の電流の向きは、図１５の場合とは逆方向であると同時に、逆方向電圧の絶対値が前記比較的小さな順方向電圧を印加した場合よりも大きければ（本実施形態では、この逆方向電圧の絶対値は前記比較的小さな順方向電圧よりも大きい）、電流差Ｄｅは図１５(Ｂ)及び図１６(Ｂ)の場合よりも大きくなる。
本発明は、前記各測定位置のＸ方向の電流の大きさＩｘの変化に着目して、太陽電池セルＳＣの取出電極８１，８２の接続不良と、発電セル８３の接続不良と、発電セル８３のリーク不良と、発電セル８３のＰＮ接続不良を検出するものである。すなわち、本発明は、取出電極８１，８２に挟まれた太陽電池セルＳＣの発電セル８３において、発電セル８３の不良部分のＸ方向の電流の大きさＩｘがその近傍位置に比べて小さくなること又は大きくなることに着目して、取出電極８１，８２の接続不良、発電セル８３の接続不良、発電セル８３のリーク不良、及び発電セル８３のＰＮ接続不良を検出するようにしている。
次に、評価プログラムの実行について説明する。この評価プログラムの実行は図７ＡのステップＳ４００にて開始され、コントローラ７０は、ステップＳ４０２にて変数ｎ，ｍ，ｈをそれぞれ「１」に初期設定する。変数ｎ，ｍはそれぞれＸ，Ｙ方向における検出位置を指定するための変数であり、変数ｈは、「１」により電極近傍領域及び発電面領域における第１印加電圧の印加による検出結果を指定し、「２」により発電面領域における第２印加電圧の印加による検出結果を指定し、かつ「３」により発電面領域における第３印加電圧の印加による検出結果を指定する変数である。そして、値ｎmax，ｍmaxは、前述のように、それぞれＸ，Ｙ方向における測定位置の数を表している。前記ステップＳ４０２の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ４０４にて、変数ｎ，ｍ，ｈによって指定される所定数Ｋずつのサンプリングデータ群Ｓx1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓx2(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy2(ｎ，ｍ，ｈ)の磁界の大きさの各平均値Ｓx1，Ｓx2，Ｓy1，Ｓy2を計算する。具体的には、各サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓx2(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy1(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｓy2(ｎ，ｍ，ｈ)ごとに、Ｋ個のサンプリングデータを加算して値Ｋで除算する。
次に、コントローラ７０は、上記図６ＡのステップＳ３０６〜Ｓ３１０の処理と同様なステップＳ４０６〜Ｓ４１０の処理により、前記計算した平均値Ｓx1，Ｓx2，Ｓy1，Ｓy2を用いた上記式１〜６の演算の実行により、測定位置の磁界の強さＨxy及び磁界の向きθxyを計算する。
次に、コントローラ７０は、上記ステップＳ３１２の処理と同様なステップＳ４１２の処理により、上記式７，８を用いて太陽電池パネルＳＰの測定位置に流れる電流の大きさＩxy及び方向θixyを計算する。そして、この場合には、前記計算された電流の大きさＩxy及び方向θixyは、太陽電池パネルＳＰの測定位置及び測定態様を表す変数ｎ，ｍ，ｈを用いて電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ，ｈ)及び方向データθixy(ｎ，ｍ，ｈ)としてＲＡＭ又は記憶装置に記憶される。
次に、コントローラ７０は、ステップＳ４１４にて、上記ステップＳ３１４と同様な処理により、前記計算したＩxy，θixyを用いた上記式９の演算の実行によりＹ方向に流れる電流の大きさＩyを計算するとともに、前記計算したＩxy，θixyを用いた下記式１０の演算の実行により、太陽電池パネルＳＰの測定位置においてＸ方向に流れる電流の大きさＩxも計算する。
Ｉx＝Ｉxy・cosθixy …式１０
そして、このステップＳ４１４においても、前記計算された電流の大きさＩx，Ｉyも、太陽電池パネルＳＰの測定位置及び測定態様を表す変数ｎ，ｍ，ｈを用いて電流の大きさデータＩx(ｎ，ｍ，ｈ)，Ｉy(ｎ，ｍ，ｈ)としてＲＡＭ又は記憶装置に記憶される。
次に、コントローラ７０は、ステップＳ４１６にて、領域指定値ｄ(ｎ)が「３」であるか否かを判定する。現在の測定位置が電極近傍領域であって、変数ｎによって指定される領域指定値ｄ(ｎ)が「１」であれば、コントローラ７０は、ステップＳ４１６にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳＳ４１８に進む。ステップＳ４１８においては、コントローラ７０は、変数ｎがＸ方向の測定位置数を表す値ｎmaxに達したか否かを判定する。変数ｎが値ｎmaxに達していなければ、コントローラ７０は、ステップＳ４１８にて「Ｎｏ」と判定し、ステップＳ４２０にて変数ｎに「１」を加算してステップＳ４０４に戻り、前述したステップＳ４０４〜Ｓ４１４の処理を実行する。これによれば、変数ｎを「１」増加させて、すなわちＸ方向の測定位置を変更したうえで、第１印加電圧による、次の電流の大きさＩxy、電流の方向θxy、Ｘ方向の電流の大きさＩx及びＹ方向の電流の大きさＩyが計算されて、電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ，ｈ)、電流の方向データθxy(ｎ，ｍ，ｈ)、Ｘ方向の電流の大きさデータＩx(ｎ，ｍ，ｈ)及びＹ方向の電流の大きさデータＩy(ｎ，ｍ，ｈ)としてＲＡＭ又は記憶装置に記憶される。
一方、領域指定値ｄ(ｎ)が「３」であれば、コントローラ７０は、ステップＳ４１６にて「Ｙｅｓ」と判定し、ステップＳ４２２にて変数ｈが「３」であるかを判定する。変数ｈが「３」でなければ、コントローラ７０は、ステップＳ４２２にて「Ｎｏ」と判定し、ステップＳ４２４にて変数ｈに「１」を加算することによって変数ｈを「２」に変更し、ステップＳ４０４に戻り、前述したステップＳ４０４〜Ｓ４１４の処理を実行する。この場合、変数ｎは以前の値に保たれて変数ｈ（＝２）により指定される第２印加電圧の印加による、次の電流の大きさＩxy、電流の方向θxy、Ｘ方向の電流の大きさＩx及びＹ方向の電流の大きさＩyが計算されて、電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ，ｈ)、電流の方向データθxy(ｎ，ｍ，ｈ)、Ｘ方向の電流の大きさデータＩx(ｎ，ｍ，ｈ)及びＹ方向の電流の大きさデータＩy(ｎ，ｍ，ｈ)としてＲＡＭ又は記憶装置に記憶される。
そして、前記ステップＳ４０４〜Ｓ４１４の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ４１６にてふたたび「Ｙｅｓ」すなわち変数ｄ(ｎ)は「３」であると判定し、ステップＳ４２２にて変数ｈが「３」であるかをふたたび判定する。この場合、変数ｈは「２」であるので、コントローラ７０は、ステップＳ４２２にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ４２４にてふたたび変数ｈに「１」を加算することにより変数ｈを「３」に変更して、ステップＳ４０４に戻る。そして、前述したステップＳ４０４〜Ｓ４１４の処理により、変数ｈ（＝３）により指定される第３印加電圧の印加による、次の電流の大きさＩxy、電流の方向θxy、Ｘ方向の電流の大きさＩx及びＹ方向の電流の大きさＩyが計算されて、電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ，ｈ)、電流の方向データθxy(ｎ，ｍ，ｈ)、Ｘ方向の電流の大きさデータＩx(ｎ，ｍ，ｈ)及びＹ方向の電流の大きさデータＩy(ｎ，ｍ，ｈ)としてＲＡＭ又は記憶装置に記憶される。
その結果、変数ｄ(ｎ)が「３」の場合には、前記第１印加電圧の印加による電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ，１)、電流の方向データθxy(ｎ，ｍ，１)、Ｘ方向の電流の大きさデータＩx(ｎ，ｍ，１)及びＹ方向の電流の大きさデータＩy(ｎ，ｍ，１)、前記第２印加電圧の印加による電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ，２)、電流の方向データθxy(ｎ，ｍ，２)、Ｘ方向の電流の大きさデータＩx(ｎ，ｍ，２)及びＹ方向の電流の大きさデータＩy(ｎ，ｍ，２)、及び前記第３印加電圧の印加による電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ，３)、電流の方向データθxy(ｎ，ｍ，３)、Ｘ方向の電流の大きさデータＩx(ｎ，ｍ，３)及びＹ方向の電流の大きさデータＩy(ｎ，ｍ，３)が計算されるとともにＲＡＭ又は記憶装置に記憶される。
そして、この場合には、前記ステップＳ４０４〜Ｓ４１４の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ４１６にて「Ｙｅｓ」すなわち領域指定値ｄ(ｎ)が「３」であると判定し、ステップＳ４２２にて「Ｙｅｓ」すなわち変数ｈが「３」であると判定して、ステップＳ４２６に進む。ステップＳ４２６においては、変数ｈを「１」に変更して、前記ステップＳ４１８にて変数ｎがＸ方向の測定位置数を表す値ｎmaxに達したか否かをふたたび判定する。そして、変数ｎが値ｎmaxに達しない限り、ステップＳ４１８にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ４２０にて変数ｎに「１」を加算して、ステップＳ４０４〜４１４の処理を実行する。これによれば、変数ｎを「１」増加させて、すなわちＸ方向の測定位置を変更したうえで、第１乃至第３印加電圧による、次の電流の大きさＩxy、電流の方向θxy、Ｘ方向の電流の大きさＩx及びＹ方向の電流の大きさＩyが計算されて、電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ，ｈ)、電流の方向データθxy(ｎ，ｍ，ｈ)、Ｘ方向の電流の大きさデータＩx(ｎ，ｍ，ｈ)及びＹ方向の電流の大きさデータＩy(ｎ，ｍ，ｈ)としてＲＡＭ又は記憶装置に記憶される。
このようなステップＳ４０４〜Ｓ４２６の繰り返し処理中、変数ｎが値ｎmaxに達すると、コントローラ７０は、ステップＳ４１８にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ４２８にて変数ｍがＹ方向の測定位置数を表す値ｍmaxに達したか否かを判定する。変数ｍが値ｍmaxに達しなければ、コントローラ７０は、ステップＳ４２８にて「Ｎｏ」と判定し、ステップＳ４３０にて変数ｍに「１」を加算し、ステップＳ４３２にて変数ｎを「１」に初期設定して、ステップＳ４０４に戻る。そして、変数ｎが所定値ｎmaxに達するまで前述したステップＳ４０４〜Ｓ４２６の処理を繰り返し実行した後、コントローラ７０は、ステップＳ４２８にてふたたび変数ｍが値ｍmaxに達したか否かを判定する。変数ｍが値ｍmaxに達しない限り、ステップＳ４０４〜４３２の処理が繰り返し実行される。そして、変数ｍが値ｍmaxに達すると、コントローラ７０は、ステップＳ４２８にて「Ｙｅｓ」と判定して、図７ＢのステップＳ５００に進む。
この時点では、太陽電池パネルＳＰの測定位置ごとに、電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ，ｈ)、電流の方向データθixy(ｎ，ｍ，ｈ)、Ｘ方向の電流の大きさデータＩx(，ｍ，ｈ)及びＹ方向の電流の大きさデータＩy(ｎ，ｍ，ｈ)（ｎ＝１〜ｎmax，ｍ＝１〜ｍmax，ｈ＝１〜３）が、ＲＡＭ又は記憶装置に記憶されている。ただし、電極近傍領域に対応した変数ｎに対しては、変数ｈの「２」及び「３」に対応するデータは、ＲＡＭ又は記憶装置には記憶されていない。
次に、取出電極８１，８２の位置を示す電極位置座標Ｂxy(ｎ，ｍ)（すなわち磁気センサ１０による測定位置群）を検出して、マトリクス状に配置した取出電極８１，８２のＸ方向及びＹ方向の順番を特定するＸ方向電極番号ｇｘ及びＹ方向電極番号ｇｙ（図８参照）を、前記検出した電極位置座標Ｂxy(ｎ，ｍ)に割当てる図７Ｂ及び図７ＣのステップＳ５００〜Ｓ５４２の処理について説明する。なお、値ｎ，ｍは、Ｘ方向及びＹ方向の磁気センサ１０による測定位置をそれぞれ示す変数である。
まず、コントローラ７０は、ステップＳ５００にて、前記計算した全ての電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ，１)の中から、取出電極８１，８２位置及びその近傍位置の電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ，１)を取出す。この場合、電流の大きさデータＩxy(ｎ)の分布は、図１７に示すように、取出電極８１，８２位置及びその近傍位置における大きな電流の分布と、それ以外の部分における小さな電流の分布とに大別される。したがって、このステップＳ５００においては、前記全ての電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ，１)の中から、予め決められた所定値以上の値を有する電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ，１)を抽出すればよい。次に、コントローラ７０は、ステップＳ５０２にて、変数ｎを「１」に初期設定するとともに、Ｘ方向電極番号ｇｘ及びＹ方向電極番号ｇｙをそれぞれ「１」に初期設定する。
前記ステップＳ５０２の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ５０４にて、前記ステップＳ５００にて抽出した全ての電流の大きさデータIxy(ｎ，ｍ，１)に含まれて変数ｎによって指定される電流の大きさデータIxy(ｎ，ｍ，１)の数を値Ｎnmとして計算する。そして、コントローラ７０は、ステップＳ５０６にて、この値Ｎnmが所定数以上であるかを判定する。これらのステップＳ５０４，Ｓ５０６の処理は、変数ｎによって指定されるＸ方向位置が取出電極８１，８２の位置に対応していれば、取出電極８１，８２の位置では電流の大きさデータIxy(ｎ，ｍ，１)はかなり多いはずであるので、値Ｎnmもかなり大きいはずである。なお、前記所定数は、取出電極８１，８２のＹ方向の合計長さとＹ方向の移動距離単位ΔＹによって決まる値であり、例えば、前記合計長さを移動距離単位ΔＹで除した値よりも若干小さな値である。変数ｎによって指定されるＸ方向位置が取出電極８１，８２の位置に対応していなければ、値Ｎnmは小さいので、コントローラ７０は、ステップＳ５０６にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ５０８にて変数ｎがＸ方向の測定位置数を表す値ｎmaxに達したか判定する。変数ｎが値ｎmaxに達していなければ、コントローラ７０は、ステップＳ５０８にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ５１０にて変数ｎに「１」を加算して、前記ステップＳ５０４，Ｓ５０６の処理を実行する。
変数ｎによって指定されるＸ方向位置が取出電極８１，８２の位置に対応していて値Ｎnmが所定数よりも大きくなると、コントローラ７０は、ステップＳ５０６にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ５１２にて、Ｙ方向の磁気センサ１０の測定位置を示す変数ｍを「１」に初期設定するとともに、取出電極８１，８２のＹ方向の測定位置の数（取出電極８１，８２の長さをＹ方向の移動距離単位ΔＹで除した数）をカウントするための変数ｐを「０」に初期設定して、ステップＳ５１４の判定処理を実行する。
ステップＳ５１４においては、変数ｎ，ｍによって指定されるＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)が所定の小さな値ΔＩｘ以下であるかを判定することにより、変数ｎ，ｍによって示される測定位置が取出電極８１，８２の位置にあるか、取出電極８１，８２の間の接続線９１にあるかを判定する。これは、変数ｍによって指定されるＹ方向位置が取出電極８１，８２に対応した位置にあるときには、Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)はある程度の値を示すが、変数ｍによって指定されるＹ方向位置が取出電極８１，８２の間の接続線９１に対応した位置にあるときには、Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)はほぼ「０」である。
したがって、変数ｍによって指定されるＹ方向位置が取出電極８１，８２に対応する位置であれば、コントローラ７０は、ステップＳ５１４にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ５１６にて変数ｐに「１」を加算し、ステップＳ５１８にて変数ｍに「１」を加算して、ステップＳ５１４に戻る。変数ｍの増加によって測定位置がＹ方向に移動されても、測定位置が取出電極８１，８２に対応する位置である限り、前記ステップＳ５１４〜Ｓ５１８の循環処理が繰り返し実行されて、変数ｐが変数ｍの増加に従って増加する。このステップＳ５１４〜Ｓ５１８の循環処理中、測定位置が取出電極８１，８２を超えて接続線９１の領域に入ると、コントローラ７０は、ステップＳ５１４にて「Ｙｅｓ」と判定して、図７ＣのステップＳ５２０に進む。
ステップＳ５２０においては、前記変数ｐが所定数以上であるかを判定する。この場合、所定数は、取出電極８１，８２の長さを移動距離単位ΔＹで除した値よりも若干小さな値であり、前記入力した太陽電池セルＳＣのＹ方向の長さと移動距離単位ΔＹとにより予め決められた値である。取出電極８１，８２の位置に対応したＸ方向の電流の大きさＩｘ(ｎ，ｍ，１)が正確に検出されていれば、変数ｐは所定数以上であるので、コントローラ７０はステップＳ５２０にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ５２２にて取出電極８１，８２のＸ−Ｙ座標位置を表す電極位置座標Ｂxy(ｎ−１，ｍ−ｐ)〜Ｂxy(ｎ−１，ｍ−１)内のいずれかにＸ方向電極番号ｇｘ及びＹ方向電極番号ｇｙが割当てられているか否かを判定する。この判定処理は、今回検出した取出電極８１，８２の位置を表す電極位置座標Ｂxy(ｎ，ｍ)を定義して同電極位置座標Ｂxy(ｎ，ｍ)にＸ方向電極番号ｇｘ及びＹ方向電極番号ｇｙを割当てる前に、Ｘ方向位置が変数ｎ−１で指定される前回検出の取出電極８１，８２の位置に対応した電極位置座標Ｂxy(ｎ−１，ｍ)にＸ方向電極番号ｇｘ及びＹ方向電極番号ｇｙが既に割当てられているかを判定するものである。もし、前回検出の取出電極８１，８２の位置を表す電極位置座標Ｂxy(ｎ−１，ｍ−ｐ)〜Ｂxy(ｎ−１，ｍ−１)に未だＸ方向電極番号ｇｘ及びＹ方向電極番号ｇｙが割当てられていなければ（すなわち電極位置座標Ｂxy(ｎ−１，ｍ−ｐ)〜Ｂxy(ｎ−１，ｍ−１)が未だ定義されていなければ）、コントローラ７０は、ステップＳ５２２にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ５２４にて電極位置座標Ｂxy(ｎ，ｍ−ｐ)〜Ｂxy(ｎ，ｍ−１)を定義してＸ方向電極番号ｇｘ及びＹ方向電極番号ｇｙを割当て、ステップＳ５３４に進む。この場合、変数ｐの使用により、取出電極８１，８２の長さに対応した位置分の電極位置座標Ｂxy(ｎ，ｍ−ｐ)〜Ｂxy(ｎ，ｍ−１)が定義されて、この定義された電極位置座標Ｂxy(ｎ，ｍ−ｐ)〜Ｂxy(ｎ，ｍ−１)にＸ方向電極番号ｇｘ及びＹ方向電極番号ｇｙが割当てられたことになる。
一方、前回検出の電極位置座標Ｂxy(ｎ−１，ｍ−ｐ)〜Ｂxy(ｎ−１，ｍ−１)にＸ方向電極番号ｇｘ及びＹ方向電極番号ｇｙが既に割当てられていれば、コントローラ７０は、ステップＳ５２２にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ５２６，Ｓ５２８に進む。ステップＳ５２６においては、前回検出の電極位置座標Ｂxy(ｎ−１，ｍ−ｐ)〜Ｂxy(ｎ−１，ｍ−１)に対応した位置の電流の大きさデータＩxy(ｎ−１，ｍ−ｐ)〜Ｉxy(ｎ−１，ｍ−１)の平均値Ｉavebが計算される。また、ステップＳ５２８においては、今回検出の電極位置座標Ｂxy(ｎ，ｍ−ｐ)〜Ｂxy(ｎ，ｍ−１)に対応した位置の電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ−ｐ)〜Ｉxy(ｎ，ｍ−１)の平均値Ｉaveaが計算される。そして、コントローラ７０は、ステップＳ５３０にて、今回の平均値Ｉaveaが前回の平均値Ｉaveb以上であるか否かを判定する。今回の平均値Ｉaveaが前回の平均値Ｉaveb以上であれば、コントローラ７０は、ステップＳ５３０にて「Ｙｅｓ」と判定して、前回検出の電極位置座標Ｂxy(ｎ−１，ｍ−ｐ)〜Ｂxy(ｎ−１，ｍ−１)に割当てられているＸ方向電極番号ｇｘ及びＹ方向電極番号ｇｙを、今回検出の電極位置座標Ｂxy(ｎ，ｍ−ｐ)〜Ｂxy(ｎ，ｍ−１)に割当て、ステップＳ５３４に進む。
一方、今回の平均値Ｉaveaが前回の平均値Ｉaveb以上でなければ、コントローラ７０は、ステップＳ５３０にて「Ｎｏ」と判定して、前記割当ての変更を行うことなく、ステップＳ５３４に進む。これらのステップＳ５２２〜Ｓ５３２の処理により、１つの取出電極８１又は８２に対しては、最も平均電流の大きな１組の電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ−ｐ)〜Ｉxy(ｎ，ｍ−１)に対応した電極位置座標Ｂxy(ｎ，ｍ−ｐ)〜Ｂxy(ｎ，ｍ−１)にのみ、Ｘ方向電極番号ｇｘ及びＹ方向電極番号ｇｙが割当てられる。ステップＳ５３４においては、コントローラ７０は、Ｙ方向電極番号ｇｙに「１」を加算して、ステップＳ５３６に進む。これは、図８のＹ方向に沿って次の取出電極８１，８２の検出を意味する。
また、前記ステップＳ５２０の判定処理において、「Ｎｏ」すなわち変数ｐが所定数未満である場合には、コントローラ７０は、ステップＳ５２０にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ５２２〜Ｓ５３４の処理を実行しないで、ステップＳ５３６に進む。この場合、電極位置座標Ｂxy(ｎ，ｍ−ｐ)〜Ｂxy(ｎ，ｍ−１)に対する、Ｘ方向電極番号ｇｘ及びＹ方向電極番号ｇｙの割当ては行われない。
ステップＳ５３６においては、変数ｍが値ｍmax（すなわち終了値Ｙmax直前の測定位置によるサンプリングデータ群に関する変数ｍの値）に達したかが判定される。変数ｍが値ｍmaxに達していなければ、コントローラ７０は、ステップＳ５３６にて「Ｎｏ」と判定し、ステップＳ５３８にて変数ｐを「０」に初期設定して、図７ＢのステップＳ５１８に進む。コントローラ７０は、ステップＳ５１８にて変数ｍに「１」を加算し、ステップＳ５１４の判定処理をふたたび実行する。ステップＳ５１４の処理は、前述のように、Ｙ方向の測定位置が取出電極８１，８２に対応しているか、取出電極８１，８２間の接続線９１に対応しているかを判定する処理である。そして、測定位置が接続線９１に対応した位置にある状態では、Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ)は所定値ΔＩｘ以下であり、コントローラ７０は、ステップＳ５１４にて「Ｙｅｓ」と判定して、図７ＣのステップＳ５２０に進む。この場合、変数ｐは前記ステップＳ５３８の処理により「０」に保たれるので、コントローラ７０はステップＳ５２０にて「Ｎｏ」と判定し続けて、図７ＣのステップＳ５２０，Ｓ５３６，Ｓ５３８及び図７ＢのステップＳ５１８，Ｓ５１４の循環処理を繰り返し実行する。
この循環処理中、ステップＳ５１８による変数ｍの増加により、測定位置が取出電極８１，８２に対応した位置まで来ると、前述の場合と同様に、コントローラ７０は、ステップＳ５１４にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ５１４〜Ｓ５１８の循環処理を繰り返し実行する。そして、測定位置が接続線９１の領域に入ると、前述のように、コントローラ７０は、ステップＳ５１４にて「Ｙｅｓ」と判定して、図７ＣのステップＳ５２０〜Ｓ５３４の処理を実行する。これらのステップＳ５２０〜Ｓ５３４の処理により、Ｙ方向の次の取出電極８１，８２に対応した電極位置座標Ｂxy(ｎ，ｍ−ｐ)〜Ｂxy(ｎ，ｍ−１)が定義されて次のＸ方向電極番号ｇｘ及びＹ方向電極番号ｇｙが割当てられる。また、変数ｐが所定数未満のときには、ステップＳ５２０における「Ｎｏ」との判定のもとに、Ｘ方向電極番号ｇｘ及びＹ方向電極番号ｇｙの割当ては行われない。
これらのステップＳ５２０〜Ｓ５３４の処理後、コントローラ７０は、前記ステップＳ５３６，Ｓ５３８の処理を実行して、ふたたび図７ＢのステップＳ５１８に進む。これにより、変数ｍの増加により、図８に示すＹ方向の取出電極８１，８２の位置を表す電極位置座標Ｂxy(ｎ，ｍ−ｐ)〜Ｂxy(ｎ，ｍ−１)が次々に定義されてＸ方向電極番号ｇｘ及びＹ方向電極番号ｇｙが割当てられていく。そして、変数ｍが値ｍmaxに達すると、コントローラ７０は、ステップＳ５３６にて「Ｙｅｓ」と判定し、ステップＳ５４０にてＸ方向電極番号ｇｘに「１」を加算し、ステップＳ５４２にてＹ方向電極番号ｇｙを「１」に戻して、図７ＢのステップＳ５１０に進む。コントローラ７０は、ステップＳ５１０にて変数ｎに「１」を加算した後、ステップＳ５０４に進み、前述したステップＳ５０４〜Ｓ５１０の循環処理により、図８に示すＸ方向の次の取出電極８１，８２の列を検出する。そして、前記ステップＳ５１４〜Ｓ５３８の処理により、次のＸ方向の列におけるＹ方向の複数の取出電極８１，８２を検出し、前記ステップＳ５４０，Ｓ５４２の処理後の図７ＢのステップＳ５０４〜Ｓ５１８及び図７ＣのステップＳ５２０〜Ｓ５３８の処理により、Ｘ方向に移動しながら次々に取出電極８１，８２を検出して、取出電極８１，８２の位置を表す電極位置座標Ｂxy(ｎ，ｍ−ｐ)〜Ｂxy(ｎ，ｍ−１)が次々に定義されてＸ方向電極番号ｇｘ及びＹ方向電極番号ｇｙが割当てられていく。そして、変数ｎが値ｎmax（終了値Ｘmax直前の測定位置によるサンプリングデータ群に関する変数ｎの値）に達すると、コントローラ７０は、ステップＳ５０８にて「Ｙｅｓ」と判定して、図７ＤのステップＳ６００に進む。
次に、第１乃至第３印加電圧の印加によるデータであって、太陽電池パネルＳＰの合否の判定に利用する変数ｎ，ｍによって指定される位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)，Ｉｘ(ｎ，ｍ，２) ，Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)から、前記位置から太陽電池セルＳＣの取出電極８１，８２の内側のＸ方向に所定距離だけ離れた位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ＋ａ，ｍ，１)，Ｉｘ(ｎ＋ａ，ｍ，２) ，Ｉｘ(ｎ＋ａ，ｍ，３)（又はＩｘ(ｎ−ａ，ｍ，１)，Ｉｘ(ｎ−ａ，ｍ，２) ，Ｉｘ(ｎ−ａ，ｍ，３)）を減算した差データＤｅ(ｎ，ｍ，１)，Ｄｅ(ｎ，ｍ，２) ，Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)を計算する図７Ｄ及び図７ＥのステップＳ６００〜Ｓ６３８の処理について説明する。この場合、前記所定距離は例えば５ｍｍ程度であり、移動ピッチΔＸ，ΔＹが前述のように例えば１ｍｍ程度であれば、前記値ａは例えば「５」程度の値である。これらの変数ｎ，ｍも、測定位置のＸ座標値（ｎ＝１〜ｎmax）及びＹ座標値（ｙ＝１〜ｍmax）を示す値である（図８参照）。
ステップＳ６００においては、コントローラ７０は、第1印加電圧の印加による測定結果である全てのＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)に対して、Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)−Ｉｘ(ｎ＋ａ，ｍ，１)なる演算を実行して演算結果を差データＤｅ(ｎ，ｍ，１，１)として記憶する。この差データＤｅ(ｎ，ｍ，１，１)は、Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)からＸ方向右側にａ・ΔＸだけ離れた位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ＋ａ，ｍ，１)を減算した値である。なお、この演算において、値ｎ＋ａが値ｎmaxよりも大きい場合には、前記Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)−Ｉｘ(ｎ＋ａ，ｍ，１)なる演算を行わない。次に、ステップＳ６０２において、コントローラ７０は、第1印加電圧の印加による測定結果である全てのＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)に対して、Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)−Ｉｘ(ｎ−ａ，ｍ，１)なる演算を実行して演算結果を差データＤｅ(ｎ，ｍ，１，２)として記憶する。この差データＤｅ(ｎ，ｍ，１，２)は、Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)からＸ方向左側にａ・ΔＸだけ離れた位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ−ａ，ｍ，１)を減算した値である。なお、この演算においても、値ｎ−ａの値が値「１」よりも小さい場合には、前記Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)−Ｉｘ(ｎ−ａ，ｍ，１)なる演算を行わない。
ステップＳ６０４においては、コントローラ７０は、第２印加電圧の印加による測定結果である全てのＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，２)に対して、Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)−Ｉｘ(ｎ＋ａ，ｍ，２)なる演算を実行して演算結果を差データＤｅ(ｎ，ｍ，２，１)として記憶する。この差データＤｅ(ｎ，ｍ，２，１)は、Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，２)からＸ方向右側にａ・ΔＸだけ離れた位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ＋ａ，ｍ，２)を減算した値である。なお、この演算において、電流の大きさデータＩｘ(ｎ＋ａ，ｍ，２)が存在しない場合には、前記Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)−Ｉｘ(ｎ＋ａ，ｍ，２)なる演算を行わない。次に、ステップＳ６０６において、コントローラ７０は、第２印加電圧の印加による測定結果である全てのＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，２)に対して、Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)−Ｉｘ(ｎ−ａ，ｍ，２)なる演算を実行して演算結果を差データＤｅ(ｎ，ｍ，２，２)として記憶する。この差データＤｅ(ｎ，ｍ，２，２)は、Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，２)からＸ方向左側にａ・ΔＸだけ離れた位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ−ａ，ｍ，２)を減算した値である。なお、この演算においても、電流の大きさデータＩｘ(ｎ−ａ，ｍ，２)が存在しない場合には、前記Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)−Ｉｘ(ｎ−ａ，ｍ，２)なる演算を行わない。
ステップＳ６０８においては、コントローラ７０は、第３印加電圧の印加による測定結果である全てのＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，３)に対して、Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)−Ｉｘ(ｎ＋ａ，ｍ，３)なる演算を実行して演算結果を差データＤｅ(ｎ，ｍ，３，１)として記憶する。この差データＤｅ(ｎ，ｍ，２，３)は、Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，３)からＸ方向右側にａ・ΔＸだけ離れた位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ＋ａ，ｍ，３)を減算した値である。なお、この演算において、電流の大きさデータＩｘ(ｎ＋ａ，ｍ，３)が存在しない場合には、前記Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)−Ｉｘ(ｎ＋ａ，ｍ，３)なる演算を行わない。次に、ステップＳ６１０において、コントローラ７０は、第３印加電圧の印加による測定結果である全てのＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，３)に対して、Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)−Ｉｘ(ｎ−ａ，ｍ，３)なる演算を実行して演算結果を差データＤｅ(ｎ，ｍ，３，２)として記憶する。この差データＤｅ(ｎ，ｍ，３，２)は、Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，３)からＸ方向左側にａ・ΔＸだけ離れた位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ−ａ，ｍ，３)を減算した値である。なお、この演算においても、電流の大きさデータＩｘ(ｎ−ａ，ｍ，３)が存在しない場合には、前記Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)−Ｉｘ(ｎ−ａ，ｍ，３)なる演算を行わない。
前記ステップＳ６００〜Ｓ６１０の処理後、コントローラ７０は、まず、ステップＳ６１２にて、変数ｋ，ｓ，ｔを「１」にそれぞれ初期設定する。図８に示すように、変数ｋは、Ｘ方向電極番号ｇｘを指定するための１〜ｋmaxで変化する変数である。変数ｓは、Ｙ方向電極番号ｇｙを指定するための１〜ｓmaxで変化する変数である。変数ｔは、Ｘ方向の太陽電池セルＳＣを指定するための１〜ｔmaxで変化する変数である。次に、コントローラ７０は、ステップＳ６１４にて、前記ステップＳ６００の処理によって記憶した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１，１)及び前記ステップＳ６０２の処理によって記憶した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１，２)の中から、変数ｋに等しいＸ方向電極番号ｇｘ（＝ｋ）及び変数ｓに等しいＹ方向電極番号ｇｙ（＝ｓ）が割当てられた電極位置座標群Ｂxy(ｎ，ｍ)と、変数ｋ＋１に等しいＸ方向電極番号ｇｘ（＝ｋ＋１）及び変数ｓに等しいＹ方向電極番号ｇｙ（＝ｓ）が割当てられた電極位置座標群Ｂxy(ｎ，ｍ)とを含む、それらの電極位置座標群Ｂxy(ｎ，ｍ)の間に位置する座標群(ｎ，ｍ)に対応した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１，１)，Ｄｅ(ｎ，ｍ，１，２)を抽出する。言い換えれば、Ｙ方向電極番号ｇｙ（＝ｓ）及び変数ｔにより指定される太陽電池セルＳＣに関する差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１，１)，Ｄｅ(ｎ，ｍ，１，２)を抽出する。この場合、変数ｋ，ｓ，ｔは共に「１」であるので、図８の最上段の最も左の太陽電池セルＳＣに関する差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１，１)，Ｄｅ(ｎ，ｍ，１，２)を抽出する。
次に、コントローラ７０は、ステップＳ６１６にて、前記座標位置(ｎ，ｍ)中の変数ｎの最大値と最小値とを抽出して、変数ｎの最大値から最小値を減算し、減算結果を「２」で除して、除した結果を変数ｎの最小値に加算して、加算結果を中央値Ｃｅｎとする。この中央値Ｃｅｎは、前記座標位置(ｎ，ｍ)すなわちＹ方向電極番号ｇｙ（＝ｓ）及び変数ｔにより指定される太陽電池セルＳＣのＸ方向の中央位置を示す。そして、コントローラ７０は、ステップＳ６１８にて、前記計算した中央値Ｃｅｎ及び前記抽出した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１，１)，Ｄｅ(ｎ，ｍ，１，２)を用いて、差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)を生成する。具体的には、変数ｎが中央値Ｃｅｎ未満である差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１，１)を差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)とし、変数ｎが中央値Ｃｅｎ以上である差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１，２)を差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)とする。これにより、前記太陽電池セルＳＣのＸ方向中央よりも左側の差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)は、Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)からＸ方向右側にａ・ΔＸだけ離れた位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ＋ａ，ｍ，１)を減算した値となる。また、前記太陽電池セルＳＣのＸ方向中央よりも右側の差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)は、Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)からＸ方向左側にａ・ΔＸだけ離れた位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ−ａ，ｍ，１)を減算した値となる。これにより、図８の最上段の最も左の太陽電池セルＳＣに関する第1印加電圧の印加による差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)が計算される。
次に、コントローラ７０は、ステップＳ６２０にて、前記ステップＳ６０４の処理によって記憶した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２，１)及び前記ステップＳ６０６の処理によって記憶した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２，２)の中から、変数ｋに等しいＸ方向電極番号ｇｘ（＝ｋ）及び変数ｓに等しいＹ方向電極番号ｇｙ（＝ｓ）が割当てられた電極位置座標群Ｂxy(ｎ，ｍ)と、変数ｋ＋１に等しいＸ方向電極番号ｇｘ（＝ｋ＋１）及び変数ｓに等しいＹ方向電極番号ｇｙ（＝ｓ）が割当てられた電極位置座標群Ｂxy(ｎ，ｍ)とを含む、それらの電極位置座標群Ｂxy(ｎ，ｍ)の間に位置する座標群(ｎ，ｍ)に対応した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２，１)，Ｄｅ(ｎ，ｍ，２，２)を抽出する。言い換えれば、Ｙ方向電極番号ｇｙ（＝ｓ）及び変数ｔにより指定される太陽電池セルＳＣに関する差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２，１)，Ｄｅ(ｎ，ｍ，２，２)を抽出する。この場合も、変数ｋ，ｓ，ｔは共に「１」であるので、図８の最上段の最も左の太陽電池セルＳＣに関する差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２，１)，Ｄｅ(ｎ，ｍ，２，２)を抽出する。
次に、コントローラ７０は、ステップＳ６２２にて、前記ステップＳ６１６の処理より計算した中央値Ｃｅｎ及び前記抽出した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２，１)，Ｄｅ(ｎ，ｍ，２，２)を用いて、差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)を生成する。具体的には、変数ｎが中央値Ｃｅｎ未満である差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２，１)を差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)とし、変数ｎが中央値Ｃｅｎ以上である差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２，２)を差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)とする。これにより、前記太陽電池セルＳＣのＸ方向中央よりも左側の差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)は、Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，２)からＸ方向右側にａ・ΔＸだけ離れた位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ＋ａ，ｍ，２)を減算した値となる。また、前記太陽電池セルＳＣのＸ方向中央よりも右側の差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)は、Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，２)からＸ方向左側にａ・ΔＸだけ離れた位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ−ａ，ｍ，２)を減算した値となる。これにより、図８の最上段の最も左の太陽電池セルＳＣに関する第２印加電圧の印加による差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)が計算される。
次に、コントローラ７０は、図７ＥのステップＳ６２４にて、前記ステップＳ６０８の処理によって記憶した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３，１)及び前記ステップＳ６１０の処理によって記憶した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３，２)の中から、変数ｋに等しいＸ方向電極番号ｇｘ（＝ｋ）及び変数ｓに等しいＹ方向電極番号ｇｙ（＝ｓ）が割当てられた電極位置座標群Ｂxy(ｎ，ｍ)と、変数ｋ＋１に等しいＸ方向電極番号ｇｘ（＝ｋ＋１）及び変数ｓに等しいＹ方向電極番号ｇｙ（＝ｓ）が割当てられた電極位置座標群Ｂxy(ｎ，ｍ)とを含む、それらの電極位置座標群Ｂxy(ｎ，ｍ)の間に位置する座標群(ｎ，ｍ)に対応した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３，１)，Ｄｅ(ｎ，ｍ，３，２)を抽出する。言い換えれば、Ｙ方向電極番号ｇｙ（＝ｓ）及び変数ｔにより指定される太陽電池セルＳＣに関する差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３，１)，Ｄｅ(ｎ，ｍ，３，２)を抽出する。この場合も、変数ｋ，ｓ，ｔは共に「１」であるので、図８の最上段の最も左の太陽電池セルＳＣに関する差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３，１)，Ｄｅ(ｎ，ｍ，３，２)を抽出する。
次に、コントローラ７０は、ステップＳ６２６にて、前記ステップＳ６１６の処理より計算した中央値Ｃｅｎ及び前記抽出した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３，１)，Ｄｅ(ｎ，ｍ，３，２)を用いて、差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)を生成する。具体的には、変数ｎが中央値Ｃｅｎ未満である差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３，１)を差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)とし、変数ｎが中央値Ｃｅｎ以上である差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３，２)を差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)とする。これにより、前記太陽電池セルＳＣのＸ方向中央よりも左側の差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)は、Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，３)からＸ方向右側にａ・ΔＸだけ離れた位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ＋ａ，ｍ，３)を減算した値となる。また、前記太陽電池セルＳＣのＸ方向中央よりも右側の差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)は、Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，３)からＸ方向左側にａ・ΔＸだけ離れた位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ−ａ，ｍ，３)を減算した値となる。これにより、図８の最上段の最も左の太陽電池セルＳＣに関する第３印加電圧の印加による差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)が計算される。
前記ステップＳ６２６の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ６２８にて、変数ｔがＸ方向の太陽電池セルＳＣの数ｔmaxに達したか否かを判定する。変数ｔが数ｔmaxに達していなければ、コントローラ７０は、ステップＳ６２８にて「Ｎｏ」と判定して、図８の最上段の左から２番目の太陽電池セルＳＣを指定するために、ステップＳ６３０にて変数ｋに「２」を加算し、ステップＳ６３２にて変数ｔに「１」を加算する。そして、コントローラ７０は、前述したステップＳ６１４〜Ｓ６２６の処理を実行する。これにより、図８の最上段の左から２番目の太陽電池セルＳＣに関する前述の差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)，Ｄｅ(ｎ，ｍ，２) ，Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)が計算される。
そして、コントローラ７０は、ステップＳ６２８にて、ふたたび、変数ｔがＸ方向の太陽電池セルＳＣの数ｔmaxに達したか否かを判定する。そして、変数ｔが数ｔmaxに達するまで、コントローラ７０は、ステップＳ６２８にて「Ｎｏ」と判定し続けて、ステップＳ６３０，Ｓ６３２，Ｓ６１４〜Ｓ６２６からなる循環処理を実行し続ける。そして、図８の最上段の全ての太陽電池セルＳＣに関する前述の差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)，Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)，Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)が計算されて、変数ｔがＸ方向の太陽電池セルＳＣの数ｔmaxに達すると、コントローラ７０は、ステップＳ６２８にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ６３４に進む。
ステップＳ６３４においては、コントローラ７０は、変数ｓがＹ方向の太陽電池セルＳＣの数ｓmaxに達したか否かを判定する。変数ｓが数ｓmaxに達していなければ、コントローラ７０は、ステップＳ６３４にて「Ｎｏ」と判定して、図８の上から２段目の最も左の太陽電池セルＳＣを指定するために、ステップＳ６３６にて変数ｓに「１」を加算し、ステップＳ６３８にて変数ｋ，ｔを「１」に初期設定する。そして、コントローラ７０は、前述したステップＳ６１４〜Ｓ６３２の処理を実行する。これにより、図８の上から２段目の変数ｔ（＝１〜ｔmax）によって指定される全ての太陽電池セルＳＣに関する前述の差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)，Ｄｅ(ｎ，ｍ，２) ，Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)が計算される。その後、変数ｓがＹ方向の太陽電池セルＳＣの数ｓmaxに達するまで、コントローラ７０は、ステップＳ６３４にて「Ｎｏ」と判定して、前述したステップＳ６３６，Ｓ６３８，Ｓ６１４〜Ｓ６３２の処理によってＹ方向の次の全ての太陽電池セルＳＣを指定して、前記次の全ての太陽電池セルＳＣに関する前述の差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)，Ｄｅ(ｎ，ｍ，２) ，Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)を計算する。その後、変数ｓがＹ方向の太陽電池セルＳＣの数ｓmaxに達すると、コントローラ７０は、ステップＳ６３４にて「Ｙｅｓ」と判定して、図７ＦのステップＳ７００に進む。
次に、太陽電池パネルＳＰの合否の判定を行う図７Ｆ及び図７ＧのステップＳ７００〜Ｓ７６４の処理について説明する。まず、コントローラ７０は、ステップＳ７００にて、変数ｋ，ｓ，ｔ，ｅｐを「１」にそれぞれ初期設定する。この場合も、図８に示すように、変数ｋは、Ｘ方向電極番号ｇｘを指定するための１〜ｋmaxで変化する変数である。変数ｓは、Ｙ方向電極番号ｇｙを指定するための１〜ｓmaxで変化する変数である。変数ｔは、Ｘ方向の太陽電池セルＳＣを指定するための１〜ｔmaxで変化する変数である。変数ｅｐは、１つの太陽電池セルＳＣ内の取出電極８１，８２を指定するための変数であり、「１」により図８の左側の取出電極８２を示し、「２」により図８の右側の取出電極８１を示す。なお、前記変数ｋ，ｓ，ｔ，ｅｐの「１」への初期設定により、図８の最上段の最も左側の取出電極８２が指定されることになる。
前記ステップＳ７００の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ７０２にて、変数ｅｐが「１」であるか否かを判定する。この初期の状態では、変数ｅｐは「１」であるので、コントローラ７０は、ステップＳ７０２にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ７０４にて値ｎｅを予め決めた正の小さな整数値Ａに設定する。一方、後述するように、変数ｅｐが「２」である場合は、コントローラ７０は、ステップＳ７０２にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ７０６にて値ｎｅを予め決めた絶対値の小さな負の整数値−Ａに設定する。この値ｎｅ（値Ａ，−Ａ）は、図８の取出電極８１，８２の内側近傍の測定位置、すなわち前述したステップＳ５００〜Ｓ５４２の処理によって変数ｇｘ，ｇｙを割当てた電極位置座標Ｂxy(ｎ，ｍ−ｐ)〜Ｂxy(ｎ，ｍ−１)が示すＸ方向位置の内側近傍の測定位置（取出電極８２にあっては右側近傍位置、取出電極８１にあっては左側近傍位置）を指定するための値である。これは、図１３(Ｃ)(Ｄ)で説明したように、太陽電池セルＳＣの取出電極８１，８２と内部電極８６，８８との接続不良においては、取出電極８１，８２の位置よりもそれらの内側近傍位置のＸ方向の電流の大きさのＹ方向における変化が大きいためである。したがって、値Ａは、前記電極位置座標Ｂxy(ｎ，ｍ−ｐ)〜Ｂxy(ｎ，ｍ−１)が示すＸ方向位置と、前記接続不良時の電流の大きさの変化が最大となるＸ方向位置との差に対応した値がＸ方向の移動ピッチΔＸ（例えば、１ｍｍ程度）を用いて計算して予め設定されている。例えば、値Ａは、取出電極８１，８２の位置よりも１〜２ｍｍ程度内側を示す値「１」又は「２」に設定されている。
前記ステップＳ７０４の処理後のステップＳ７０８においては、コントローラ７０は、前記図７ＤのステップＳ６１８の処理によって生成した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)及び前記図７ＡのステップＳ４１４の処理によって記憶したＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)の中から、変数ｋに等しいＸ方向電極番号ｇｘ及び変数ｓに等しいＹ方向電極番号ｇｙが割当てられた電極位置座標群Ｂxy(ｎ，ｍ)の内側近傍位置すなわち右側近傍位置の座標群(ｎ＋ｎｅ，ｍ)に対応した差データ群Ｄｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)を抽出する。すなわち、Ｘ方向電極番号ｇｘ（＝ｋ）及びＹ方向電極番号ｇｙ（＝ｓ）によって指定される取出電極８２の右側の近傍位置であって、取出電極８２と平行な位置の差データ群Ｄｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)が抽出される。なお、これらの差データ群Ｄｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)は、「１」ずつ順次増加する変数ｍによって指定される取出電極８２のＹ方向の長さ分のデータ数を含む。
前記ステップＳ７０８の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ７１０にて、前記抽出した差データ群Ｄｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)を用いて次のような計算を実行する。まず、前記抽出した差データ群Ｄｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)を前記抽出したＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)でそれぞれ除算することにより、比率データ群Ｄｅｒ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)（＝Ｄｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)／Ｉｘ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)）をそれぞれ計算する。そして、この比率データＤｅｒ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)の最大値と最小値との差を評価データＢ（ｔ，ｓ，ｅｐ）として記憶する。次に、前記比率データ群Ｄｅｒ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)の標準偏差を計算して評価データＣ（ｔ，ｓ，ｅｐ）として記憶する。この状態では、変数ｔ，ｓ，ｅｐによって指定される取出電極（この場合、図８の最上段の最も左側の太陽電池セルＳＣの左側の取出電極８２に関する比率データ群Ｄｅｒ(ｎ＋ｎｅ，ｍ)の評価データＢ（ｔ，ｓ，ｅｐ），Ｃ（ｔ，ｓ，ｅｐ）が計算されて記憶されることになる。そして、これらの評価データＢ（ｔ，ｓ，ｅｐ），Ｃ（ｔ，ｓ，ｅｐ）は、前記差データ群Ｄｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)及び比率データ群Ｄｅｒ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)の変動を表している。
前記ステップＳ７１０の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ７１２にて、評価データＢ(ｔ，ｓ，ｅｐ)が所定の許容値よりも大きいか否かを判定するとともに、ステップＳ７１４にて評価データＣ(ｔ，ｓ，ｅｐ)が所定の許容値よりも大きいか否かを判定する。評価データＢ(ｔ，ｓ，ｅｐ)が所定の許容値よりも大きければ、コントローラ７０は、ステップＳ７１２にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ７１６にて取出電極に関するエラーデータＥｒ１(ｔ，ｓ，ｅｐ)を“１”に設定して、図７ＦのステップＳ７１８に進む。また、評価データＣ(ｔ，ｓ，ｅｐ)が所定の許容値よりも大きければ、コントローラ７０は、ステップＳ７１４にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ７１６にて取出電極に関するエラーデータＥｒ１(ｔ，ｓ，ｅｐ)を“１”に設定して、ステップＳ７１８に進む。また、評価データＢ(ｔ，ｓ，ｅｐ)が所定の許容値以下であり、かつ評価データＣ(ｔ，ｓ，ｅｐ)が所定の許容値以下であれば、コントローラ７０は、ステップＳ７１２、Ｓ７１４にて共に「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ７１８に進む。
ステップＳ７１８においては、コントローラ７０は、変数ｅｐが「２」であるかを判定する。この場合、変数ｅｐは「１」であるので、コントローラ７０は、ステップＳ７１８にて「Ｎｏ」と判定し、ステップＳ７２０にて変数ｅｐに「１」を加算して「２」に設定し、ステップＳ７２２にて変数ｋに「１」を加算して「２」に設定して、図７ＦのステップＳ７０２に戻る。この状態では、変数ｓ，ｔは「１」に初期設定されたままであり、変数ｋ，ｅｐは「２」に変更されているので、図８の最上段の左から２番目の取出電極８１が指定されることになる。そして、コントローラ７０は、ステップＳ７０２にて「Ｎｏ」すなわち変数ｅｐが「１」でないと判定して、ステップＳ７０６にて値ｎｅを負の値−Ａに設定する。そして、コントローラ７０は、前述したステップＳ７０８〜Ｓ７１６の処理を実行する。ステップＳ７０８においては、値ｎｅが負の値−Ａに設定されているために、変数ｋに等しいＸ方向電極番号ｇｘ及び変数ｓに等しいＹ方向電極番号ｇｙが割当てられた電極位置座標群Ｂxy(ｎ，ｍ)の左側近傍位置の座標群(ｎ＋ｎｅ，ｍ)に対応した差データ群Ｄｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)が抽出される。すなわち、Ｘ方向電極番号ｇｘ（＝ｋ）及びＹ方向電極番号ｇｙ（＝ｓ）によって指定される取出電極８１の左側の近傍位置（例えば、取出電極８１から左側へ１〜２ｍｍ程度離れた位置）であって、取出電極８１と平行な位置の差データ群Ｄｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)が抽出される。
そして、ステップＳ７１０の処理により、前記取出電極８１の左側の近傍位置に関する前述した評価データＢ(ｔ，ｓ，ｅｐ)，Ｃ(ｔ，ｓ，ｅｐ)が計算される。次に、ステップＳ７１２〜Ｓ７１６の処理により、前記計算された評価データＢ(ｔ，ｓ，ｅｐ)，Ｃ(ｔ，ｓ，ｅｐ)が評価されて、前記取出電極８１と内部電極８６との接続不良が発生していれば、変数ｔ，ｓ，ｅｐによって指定されるエラーデータＥｒ(ｔ，ｓ，ｅｐ)が“１”に設定されてＲＡＭ又は記憶装置に記憶される。その結果、この状態では、図８の最上段の左から１番目の太陽電池セルＳＣの一対の取出電極８１，８２の接続不良が判定される。
前記ステップＳ７１２〜Ｓ７１６の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ７１８にて変数ｅｐが「２」であるかをふたたび判定する。この場合、変数ｅｐが「２」であるので、コントローラ７０は、ステップＳ７１８にて「Ｙｅｓ」と判定し、ステップＳ７２４に進む。ステップＳ７２４においては、コントローラ７０は、前記図７ＤのステップＳ６１８の処理によって生成した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)及び前記図７ＡのステップＳ４１４の処理によって記憶したＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)の中から、変数ｋ−１に等しいＸ方向電極番号ｇｘ（＝ｋ−１）及び変数ｓに等しいＹ方向電極番号ｇｙ（＝ｓ）が割当てられた電極位置座標群Ｂxy(ｎ，ｍ)の内側位置（図８の右側位置）の座標群 (ｎ＋ｄ，ｍ)と、変数ｋに等しいＸ方向電極番号ｇｘ（＝ｋ）及び変数ｓに等しいＹ方向電極番号ｇｙ（＝ｓ）が割当てられた電極位置座標群Ｂxy(ｎ，ｍ)の内側位置（図８の左側位置）の座標群(ｎ−ｄ，ｍ)とを含む、それらの座標群 (ｎ＋ｄ，ｍ)， (ｎ−ｄ，ｍ)の間に位置する座標位置(ｎ，ｍ)に対応した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)を抽出する。なお、これらの差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)は、発電セル８３の接続不良を検出するために第１印加電圧を太陽電池パネルＳＰに印加した場合の測定結果に基づくものである。
この場合、値ｄは例えば「８」程度の値であり、移動ピッチΔＸ，ΔＹが１ｍｍ程度であることを考慮すれば、図８の１つの太陽電池セルＳＣの取出電極８２の右側に８ｍｍ程度の位置から、取出電極８１の左側に８ｍｍ程度の位置までの間の位置における差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)が抽出されることになる。これらの抽出したデータ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)，Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)は、太陽電池セルＳＣの発電セル８３の接続不良を検出するもので、取出電極８２，８１からそれらの内側に８ｍｍ程度の位置までのデータ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)，Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)を削除した理由は、前述した取出電極８２，８１に接続不良があった場合には差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)が異常な値を示すためである。
前記ステップＳ７２４の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ７２６にて、前記抽出した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)を用いて次のような計算を実行する。前記抽出した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)を前記抽出したＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)でそれぞれ除算することにより、比率データ群Ｄｅｒ(ｎ，ｍ，１)（＝Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)／Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)）をそれぞれ計算する。そして、コントローラ７０は、ステップＳ７２８にて、前記計算した全ての比率データＤｅｒ(ｎ，ｍ，１)の中に、許容値（所定の負の値）よりも小さな比率データＤｅｒ(ｎ，ｍ，１) が存在するかを判定する。存在すれば、コントローラ７０は、ステップＳ７２８にて「Ｙｅｓ」と判定し、ステップＳ７３０にて該当する比率データＤｅｒ(ｎ，ｍ，１)を不良位置データＥｒｐ(ｎ，ｍ，１)として記憶し、ステップＳ７３２にて変数ｔ，ｓによって指定されるエラーデータＥｒ２(ｔ，ｓ)を“１”に設定する。これらの不良位置データＥｒｐ(ｎ，ｍ，１)及びエラーデータＥｒ２(ｔ，ｓ)は対応させて記憶される。また、前記計算した全ての比率データＤｅｒ(ｎ，ｍ，１)の中に、許容値（所定の負の値）よりも小さな比率データＤｅｒ(ｎ，ｍ，１) が存在しなければ、コントローラ７０は、ステップＳ７２８にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ７３４に進む。なお、前記許容値を負の所定値に設定した理由は、接続不良が存在している位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)は、他の位置のＸ方向の電流の大きさデータ、本実施形態では接続不良の存在位置から太陽電池セルＳＣの内側に５ｍｍ程度離れた位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ＋ａ，ｍ，１)又はＩｘ(ｎ−ａ，ｍ，１)（値ａは、図７ＤのステップＳ６００，Ｓ６０２で用いた値）よりも小さいからである。
ステップＳ７３４においては、コントローラ７０は、前記図７ＤのステップＳ６２２の処理によって生成した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)及び前記図７ＡのステップＳ４１４の処理によって記憶したＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)の中から、変数ｋ−１に等しいＸ方向電極番号ｇｘ（＝ｋ−１）及び変数ｓに等しいＹ方向電極番号ｇｙ（＝ｓ）が割当てられた電極位置座標群Ｂxy(ｎ，ｍ)の内側位置（図８の右側位置）の座標群 (ｎ＋ｄ，ｍ)と、変数ｋに等しいＸ方向電極番号ｇｘ（＝ｋ）及び変数ｓに等しいＹ方向電極番号ｇｙ（＝ｓ）が割当てられた電極位置座標群Ｂxy(ｎ，ｍ)の内側位置（図８の左側位置）の座標群(ｎ−ｄ，ｍ)とを含む、それらの座標群
(ｎ＋ｄ，ｍ)， (ｎ−ｄ，ｍ)の間に位置する座標位置(ｎ，ｍ)に対応した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)を抽出する。なお、これらの差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)は、発電セル８３のリーク不良を検出するために第２印加電圧を太陽電池パネルＳＰに印加した場合の測定結果に基づくものである。
この場合も、値ｄは例えば「８」程度の値であり、移動ピッチΔＸ，ΔＹが１ｍｍ程度であることを考慮すれば、図８の１つの太陽電池セルＳＣの取出電極８２の右側に８ｍｍ程度の位置から、取出電極８１の左側に８ｍｍ程度の位置までの間の位置における差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)が抽出されることになる。これらの抽出したデータ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)，Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)は、太陽電池セルＳＣの発電セル８３のリーク不良を検出するもので、取出電極８２，８１からそれらの内側に８ｍｍ程度の位置までのデータ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)，Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)を削除した理由は、前記発電セル８３の接続不良の場合と同じである。
前記ステップＳ７３４の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ７３６にて、前記抽出した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)を用いて次のような計算を実行する。前記抽出した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)を前記抽出したＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)でそれぞれ除算することにより、比率データ群Ｄｅｒ(ｎ，ｍ，２)（＝Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)／Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)）をそれぞれ計算する。そして、コントローラ７０は、ステップＳ７３８にて、前記計算した全ての比率データＤｅｒ(ｎ，ｍ，２)の中に、許容値（所定の正の値）よりも大きな比率データＤｅｒ(ｎ，ｍ，２) が存在するかを判定する。存在すれば、コントローラ７０は、ステップＳ７３８にて「Ｙｅｓ」と判定し、ステップＳ７４０にて該当する比率データＤｅｒ(ｎ，ｍ，２)を不良位置データＥｒｐ(ｎ，ｍ，２)として記憶し、ステップＳ７４２にて変数ｔ，ｓによって指定されるエラーデータＥｒ３(ｔ，ｓ)を“１”に設定する。これらの不良位置データＥｒｐ(ｎ，ｍ，２)及びエラーデータＥｒ３(ｔ，ｓ)は対応させて記憶される。また、前記計算した全ての比率データＤｅｒ(ｎ，ｍ，２)の中に、許容値（所定の正の値）よりも大きな比率データＤｅｒ(ｎ，ｍ，２) が存在しなければ、コントローラ７０は、ステップＳ７３８にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ７４４に進む。なお、前記許容値を正の所定値に設定した理由は、リーク不良が存在している位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，２)は、他の位置のＸ方向の電流の大きさデータ、本実施形態ではリーク不良の存在位置から太陽電池セルＳＣの内側に５ｍｍ程度離れた位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ＋ａ，ｍ，２)又はＩｘ(ｎ−ａ，ｍ，２)（値ａは、図７ＤのステップＳ６０４，Ｓ６０６で用いた値）よりも大きいからである。
ステップＳ７４４においては、コントローラ７０は、前記図７ＤのステップＳ６２６の処理によって生成した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)及び前記図７ＡのステップＳ４１４の処理によって記憶したＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)の中から、変数ｋ−１に等しいＸ方向電極番号ｇｘ（＝ｋ−１）及び変数ｓに等しいＹ方向電極番号ｇｙ（＝ｓ）が割当てられた電極位置座標群Ｂxy(ｎ，ｍ)の内側位置（図８の右側位置）の座標群 (ｎ＋ｄ，ｍ)と、変数ｋに等しいＸ方向電極番号ｇｘ（＝ｋ）及び変数ｓに等しいＹ方向電極番号ｇｙ（＝ｓ）が割当てられた電極位置座標群Ｂxy(ｎ，ｍ)の内側位置（図８の左側位置）の座標群(ｎ−ｄ，ｍ)とを含む、それらの座標群
(ｎ＋ｄ，ｍ)， (ｎ−ｄ，ｍ)の間に位置する座標位置(ｎ，ｍ)に対応した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)を抽出する。なお、これらの差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)は、発電セル８３のＰＮ接合不良及びリーク不良を検出するために第３印加電圧（逆方向電圧）を太陽電池パネルＳＰに印加した場合の測定結果に基づくものである。
この場合も、値ｄは例えば「８」程度の値であり、移動ピッチΔＸ，ΔＹが１ｍｍ程度であることを考慮すれば、図８の１つの太陽電池セルＳＣの取出電極８２の右側に８ｍｍ程度の位置から、取出電極８１の左側に８ｍｍ程度の位置までの間の位置における差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)が抽出されることになる。これらの抽出したデータ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)，Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)は、太陽電池セルＳＣの発電セル８３のＰＮ接合不良及びリーク不良を検出するもので、取出電極８２，８１からそれらの内側に８ｍｍ程度の位置までのデータ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)，Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)を削除した理由は、前記発電セル８３の接続不良及びリーク不良の場合と同じである。
前記ステップＳ７４４の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ７４６にて、前記抽出した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)を用いて次のような計算を実行する。前記抽出した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)を前記抽出したＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)でそれぞれ除算することにより、比率データ群Ｄｅｒ(ｎ，ｍ，３)（＝Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)／Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)）をそれぞれ計算する。そして、コントローラ７０は、ステップＳ７４８にて、前記計算した全ての比率データＤｅｒ(ｎ，ｍ，３)の中に、許容値（所定の正の値）よりも大きな比率データＤｅｒ(ｎ，ｍ，３) が存在するかを判定する。存在すれば、コントローラ７０は、ステップＳ７４８にて「Ｙｅｓ」と判定し、ステップＳ７５０にて該当する比率データＤｅｒ(ｎ，ｍ，３)を不良位置データＥｒｐ(ｎ，ｍ，３)として記憶し、ステップＳ７５２にて変数ｔ，ｓによって指定されるエラーデータＥｒ４(ｔ，ｓ)を“１”に設定する。これらの不良位置データＥｒｐ(ｎ，ｍ，３)及びエラーデータＥｒ４(ｔ，ｓ)は対応させて記憶される。また、前記計算した全ての比率データＤｅｒ(ｎ，ｍ，３)の中に、許容値（所定の正の値）よりも大きな比率データＤｅｒ(ｎ，ｍ，３) が存在しなければ、コントローラ７０は、ステップＳ７４８にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ７５４に進む。なお、前記許容値を正の所定値に設定した理由は、ＰＮ接合不良又はリーク不良が存在している位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，３)は、他の位置のＸ方向の電流の大きさデータ、本実施形態ではＰＮ接続不良又はリーク不良の存在位置から太陽電池セルＳＣの内側に５ｍｍ程度離れた位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ＋ａ，ｍ，３)又はＩｘ(ｎ−ａ，ｍ，３)（値ａは、図７ＤのステップＳ６０８，Ｓ６１０で用いた値）よりも大きいからである。
この場合、変数ｋ，ｅｐは「２」であり、変数ｓ，ｔは「１」である。したがって、前述したステップＳ７０２〜Ｓ７５２の処理により、図８の最上段の最も左の太陽電池セルＳＣに関する欠陥が検出される。具体的には、前述したステップＳ７０２〜Ｓ７１６の処理により、前記太陽電池セルＳＣの１対の取出電極８２，８１の接続不良が検出される。すなわち、前記太陽電池セルＳＣの１対の取出電極８２，８１の接続不良が判定され、接続不良が判定された場合には、エラーデータＥｒ１(ｔ，ｓ，ｅｐ)（ｔ，ｓ＝１，ｅｐ＝１又は２）が“１”に設定される。また、前述したステップＳ７２４〜Ｓ７３２の処理により、前記太陽電池セルＳＣの発電セル８３の接続不良が検出される。すなわち、前記太陽電池セルＳＣの発電セル８３の接続不良が判定され、接続不良が判定された場合には、エラーデータＥｒ２(ｔ，ｓ)（ｔ，ｓ＝１）が“１”に設定される。また、この場合には、不良位置を表す不良位置データＥｒｐ(ｎ，ｍ，１)も記憶される。
また、前述したステップＳ７３４〜Ｓ７４２の処理により、前記太陽電池セルＳＣの発電セル８３のリーク不良が検出される。すなわち、前記太陽電池セルＳＣの発電セル８３のリーク不良が判定され、リーク不良が判定された場合には、エラーデータＥｒ３(ｔ，ｓ)（ｔ，ｓ＝１）が“１”に設定される。また、この場合にも、不良位置を表す不良位置データＥｒｐ(ｎ，ｍ，２)も記憶される。さらに、前述したステップＳ７４４〜Ｓ７５２の処理により、前記太陽電池セルＳＣの発電セル８３のＰＮ接合不良及びリーク不良が検出される。すなわち、前記太陽電池セルＳＣの発電セル８３のＰＮ接合不良又はリーク不良が判定され、ＰＮ接合不良又はリーク不良が判定された場合には、エラーデータＥｒ４(ｔ，ｓ)（ｔ，ｓ＝１）が“１”に設定される。また、この場合にも、不良位置を表す不良位置データＥｒｐ(ｎ，ｍ，３)も記憶される。
前記ステップＳ７０２〜Ｓ７５２の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ７５４にて変数ｔが前記入力したＸ方向の太陽電池セルＳＣの数ｔmaxに達したか否かを判定する（図８参照）。変数ｔがＸ方向の太陽電池セルＳＣの数ｔmaxに達していなければ、コントローラ７０は、ステップＳ７５４にて「Ｎｏ」と判定し、ステップＳ７５６にて変数ｔに「１」を加算し、ステップＳ７５８にて変数ｅｐを初期値「１」に戻し、ステップＳ７２２にて変数ｋに「１」を加算して、ステップＳ７０２に戻る。そして、コントローラ７０は、前述したステップＳ７０２〜Ｓ７１６の処理により、図８の最上段の左から２番目の太陽電池セルＳＣの１対の取出電極８２，８１の接続不良を検出する。また、前述したステップＳ７２４〜Ｓ７３２の処理により、図８の最上段の左から２番目の太陽電池セルＳＣの発電セル８３の接続不良を検出する。また、前述したステップＳ７３４〜Ｓ７４２の処理により、図８の最上段の左から２番目の太陽電池セルＳＣの発電セル８３のリーク不良を検出する。さらに、前述したステップＳ７４４〜Ｓ７５２の処理により、図８の最上段の左から２番目の太陽電池セルＳＣの発電セル８３のＰＮ接続不良及びリーク不良を検出する。
その後、変数ｔが前記入力したＸ方向の太陽電池セルＳＣの数ｔmaxに達するまで、ステップＳ７５４にて「Ｎｏ」と判定され続けて、ステップＳ７５６，Ｓ７５８，Ｓ７２２の処理より変数ｔ，ｅｐ，ｋが変更されて、前述したステップＳ７０２〜Ｓ７５２の処理により、図８の最上段において順次右に向かって太陽電池セルＳＣの１対の取出電極８２，８１の接続不良、太陽電池セルＳＣの発電セル８３の接続不良、太陽電池セルＳＣの発電セル８３のリーク不良、並びに太陽電池セルＳＣの発電セル８３のＰＮ接合不良及びリーク不良が検出される。そして、変数ｔが前記入力したＸ方向の太陽電池セルＳＣの数ｔmaxに達すると、コントローラ７０は、ステップＳ７５４にて「Ｙｅｓ」と判定し、ステップＳ７６０にて変数ｓが前記入力したＹ方向の太陽電池セルＳＣの数ｓmaxに達したか否かを判定する。この場合、変数ｓは「１」であり、変数ｓがＹ方向の太陽電池セルＳＣの数ｓmaxに達していないので、コントローラ７０は、ステップＳ７６０にて「Ｎｏ」と判定し、ステップＳ７６２にて変数ｓに「１」を加算し、ステップＳ７６４にて変数ｋ，ｔ，ｅｐを初期値「１」に戻して、ステップＳ７０２に戻る。そして、コントローラ７０は、前述したステップＳ７０２〜Ｓ７６４の処理を繰り返し実行して、図８の最上段から２段目以降の太陽電池セルＳＣであって変数ｔ，ｓ，ｅｐによって指定される取出電極８２，８１の接続不良、太陽電池セルＳＣの発電セル８３の接続不良、太陽電池セルＳＣの発電セル８３のリーク不良、並びに太陽電池セルＳＣの発電セル８３のＰＮ接合不良及びリーク不良を検出する。
そして、これらのステップＳ７０２〜Ｓ７６４の処理を全ての太陽電池セルＳＣに対して実行した後、コントローラ７０は、ステップＳ７６０にて「Ｙｅｓ」すなわち変数ｓがＹ方向の太陽電池セルＳＣの数ｓmaxに達していると判定して、図７ＨのステップＳ８００に進む。
ステップＳ８００においては、コントローラ７０は、前記ＲＡＭ又は記憶装置に記憶した電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ，ｈ)、電流の方向データθixy(ｎ，ｍ，ｈ)、Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，ｈ)、Ｙ方向の電流の大きさデータＩｙ(ｎ，ｍ，ｈ)及び差データＤｅ(ｎ，ｍ，ｈ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ，ｈ＝１〜３）から表示用画像データを生成して、表示装置７２に画像データによって表された画像を表示する。この画像は、例えば、太陽電池セルＳＣの測定位置ごとに、電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ，ｈ)に応じて明度、色彩などを異ならせて表示するとともに、電流の方向データθixy(ｎ，ｍ，ｈ)によって示された方向を示す矢印を表示する。また、Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，ｈ)、Ｙ方向の電流の大きさデータＩｙ(ｎ，ｍ，ｈ)及び差データＤｅ(ｎ，ｍ，ｈ)に応じて明度、色彩などを異ならせて表示するとよい。また、表示装置７２の表示画面の大きさに応じて、画像を拡大して、各太陽電池セルＳＣごと、又は各太陽電池セルＳＣの一部のみを表示したりするようにするとよい。
また、本実施形態では、取出電極８１，８２の接続不良を視覚判断できるように、取出電極８１，８２の対応位置及びその近傍位置（取出電極８１，８２の間であって取出電極８１，８２の近傍位置）の差データＤｅ(ｎ，ｍ，１)，Ｄｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)のみを、取出電極８１，８２ごと又は太陽電池セルＳＣごとに表示するようにするとよい。この場合、ステップＳ７０８の処理により抽出した差データＤｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)をそれぞれ記憶しておいて、取出電極８１，８２の近傍位置に関しては、前記値ｎｅ分だけ左側又は右側の差データＤｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)を表示装置７２で表示する。また、取出電極８１，８２の対応位置に関しては、差データＤｅ(ｎ，ｍ，１)を表示装置７２で表示する。さらに、取出電極８１，８２の近傍位置及び対応位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)，Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)を同時に表示してもよい。
前記ステップＳ８００の処理後、コントローラ７０は、ステップＳ８０２〜Ｓ８０８の判定処理を実行する。ステップＳ８０２においては、エラーデータＥｒ１(ｔ，ｓ，ｅｐ)（ｔ＝１〜ｔmax，ｓ＝１〜ｓmax，ｅｐ＝１，２）の中に“１”を示すエラーデータが存在するかを調べる。ステップＳ８０４においては、エラーデータＥｒ２(ｔ，ｓ)（ｔ＝１〜ｔmax，ｓ＝１〜ｓmax）の中に“１”を示すエラーデータが存在するかを調べる。ステップＳ８０６においては、エラーデータＥｒ３(ｔ，ｓ)（ｔ＝１〜ｔmax，ｓ＝１〜ｓmax）の中に“１”を示すエラーデータが存在するかを調べる。ステップＳ８０８においては、エラーデータＥｒ４(ｔ，ｓ)（ｔ＝１〜ｔmax，ｓ＝１〜ｓmax）の中に“１”を示すエラーデータが存在するかを調べる。エラーデータＥｒ１(ｔ，ｓ，ｅｐ)，Ｅｒ２(ｔ，ｓ)，Ｅｒ３(ｔ，ｓ) ，Ｅｒ４(ｔ，ｓ)に“１”を示すエラーデータが存在しなければ、コントローラ７０は、ステップＳ８０２〜Ｓ８０８にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ８１０にて表示装置７２に「合格」を表示し、ステップＳ８２２にてこの評価プログラムの実行を終了する。
一方、“１”を示すエラーデータがエラーデータＥｒ１(ｔ，ｓ，ｅｐ)、Ｅｒ２(ｔ，ｓ)，Ｅｒ３(ｔ，ｓ) ，Ｅｒ４(ｔ，ｓ)のいずれかに存在すると、コントローラ７０は、ステップＳ８０２〜Ｓ８０８のいずれかにて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ８１２にて表示装置７２に「不合格」を表示する。
前記ステップＳ８１２の処理後、エラーデータＥｒ１(ｔ，ｓ，ｅｐ)に“１”が含まれていれば、ステップＳ８１４にて、エラーデータＥｒ１（ｔ，ｓ，ｅｐ）が“１”である変数ｔ，ｓ，ｅｐを取り出して、前記表示した画像中の変数ｔ，ｓ，ｅｐによって指定される取出電極８１，８２を接続不良ありとして表示する。また、エラーデータＥｒ２(ｔ，ｓ)に“１”が含まれていれば、ステップＳ８１６にて、エラーデータＥｒ２（ｔ，ｓ）が“１”である変数ｔ，ｓを取り出して、前記表示した画像中の変数ｔ，ｓによって指定される太陽電池セルＳＣの発電セル８３に接続不良ありとして表示するとともに、前記図７ＦのステップＳ７３０の処理によって記憶した不良位置データＥｒｐ(ｎ，ｍ，１)の変数ｎ，ｍを取り出して、変数ｎ，ｍによって指定される太陽電池セルＳＣの発電セル８３の接続不良位置を表示する。
また、エラーデータＥｒ３(ｔ，ｓ)に“１”が含まれていれば、ステップＳ８１８にて、エラーデータＥｒ３（ｔ，ｓ）が“１”である変数ｔ，ｓを取り出して、前記表示した画像中の変数ｔ，ｓによって指定される太陽電池セルＳＣの発電セル８３にリーク不良ありとして表示するとともに、前記図７ＧのステップＳ７４０の処理によって記憶した不良位置データＥｒｐ(ｎ，ｍ，２)の変数ｎ，ｍを取り出して、変数ｎ，ｍによって指定される太陽電池セルＳＣの発電セル８３のリーク不良位置を表示する。さらに、エラーデータＥｒ４(ｔ，ｓ)に“１”が含まれていれば、ステップＳ８２０にて、エラーデータＥｒ４（ｔ，ｓ）が“１”である変数ｔ，ｓを取り出して、前記表示した画像中の変数ｔ，ｓによって指定される太陽電池セルＳＣの発電セル８３にＰＮ接合不良又はリーク不良ありとして表示するとともに、前記図７ＧのステップＳ７５０の処理によって記憶した不良位置データＥｒｐ(ｎ，ｍ，３)の変数ｎ，ｍを取り出して、変数ｎ，ｍによって指定される太陽電池セルＳＣの発電セル８３のＰＮ接合不良又はリーク不良位置を表示する。ただし、このステップＳ８２０の処理においては、ステップＳ８１８の処理により不良位置データＥｒｐ(ｎ，ｍ，２)を用いた表示と重複する場合には、重複した箇所を除外する。そして、コントローラ７０は、ステップＳ８２２にてこの評価プログラムの実行を終了する。
上記のように動作する太陽電池セル検査装置においては、通電回路６６は、オフセット電圧に交流信号を重畳した電圧を太陽電池パネルＳＰに印加することにより、太陽電池パネルＳＰに電流を流す。そして、Ｘ方向及びＹ方向スライド機構２０，３０により、磁気センサ１０で太陽電池パネルＳＰの表面全体を走査し、センサ信号取出回路６７及びロックインアンプ６８が、太陽電池パネルＳＰに流れる電流により発生する磁界であって、前記所定周期と等しい周期で強度が変化する磁界を検出する。したがって、外乱光や、外部磁界が存在しても、コストを抑えたうえで、これらの影響を受けずに、太陽電池パネルＳＰに対向する複数の箇所で磁界を精度よく検出することができる。
そして、前記検出結果に基づいて、コントローラ７０は、図５ＡのステップＳ１０２〜Ｓ１３６及び図６Ａ及び図６ＢのステップＳ３０２〜Ｓ３４８の処理により、前記検出磁界に基づくＹ方向の電流Ｉｙの大きさを用いて、太陽電池パネルＳＰの表面を電極近傍領域と発電面領域とに区分する。そして、図５Ｂ及び図５ＣのステップＳ２００〜Ｓ２６０の処理により、太陽電池パネルＳＰへの印加電圧を第１印加電圧に設定して電極近傍領域及び発電面領域の両方の領域の磁界を検出し、太陽電池パネルＳＰへの印加電圧を第２印加電圧に設定して発電面領域の磁界を検出し、かつ太陽電池パネルＳＰへの印加電圧を第３印加電圧に設定して発電面領域の磁界を検出する。第1乃至第３印加電圧は、平均電圧（オフセット電圧）に交流信号（正弦波信号）を重畳したものである。第1印加電圧は接続不良を検出するための順方向電圧であり、第２印加電圧はリーク不良を検出するための順方向電圧であり、第１印加電圧の平均電圧は第２印加電圧の平均電圧よりも大きく、かつ第1印加電圧の交流信号の振幅は第２印加電圧の交流信号の振幅よりも大きい。そして、第１及び第２印加電圧の最小電圧は、太陽電池セルＳＰの順方向電圧降下より大きい。また、第３印加電圧はＰＮ接合不良及びリーク不良を検出するための逆方向電圧（正側の取出電極８１に負電圧を供給し、負側の取出電極８２を接地する）であり、この逆方向電圧の絶対値の最大値は太陽電池セルＳＰの降伏電圧未満である。
また、図７ＡのステップＳ４００〜Ｓ４３２の処理により、太陽電池パネルＳＰに第１印加電圧を印加した状態における検出磁界に基づいて、太陽電池パネルＳＰの電極近傍領域及び発電面領域の各測定位置の電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ，１)、電流の方向データθixy(ｎ，ｍ，１)、Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)及びＹ方向の電流の大きさデータＩｙ(ｎ，ｍ，１)を計算する。また、太陽電池パネルＳＰに第２印加電圧を印加した状態における検出磁界に基づいて、太陽電池パネルＳＰの発電面領域の各測定位置の電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ，２)、電流の方向データθixy(ｎ，ｍ，２)、Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，２)及びＹ方向の電流の大きさデータＩｙ(ｎ，ｍ，２)を計算する。また、太陽電池パネルＳＰに第３印加電圧を印加した状態における検出磁界に基づいて、太陽電池パネルＳＰの発電面領域の各測定位置の電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ，２)、電流の方向データθixy(ｎ，ｍ，２)、Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，２)及びＹ方向の電流の大きさデータＩｙ(ｎ，ｍ，２)を計算する。さらに、コントローラ７０は、図７Ｂ及び図７ＣのステップＳ５００〜Ｓ５４２の処理により、太陽電池パネルＳＰ上の複数の太陽電池セルＳＣの取出電極位置Ｂxy(ｎ，ｍ)を検出する。
また、図７Ｄ及び図７ＥのステップＳ６００〜Ｓ６３８の処理により、太陽電池パネルＳＰ内の複数の太陽電池セルＳＣのそれぞれに対して、取出電極８１，８２間の各位置のＸ方向の電流の大きさデータから、太陽電池セルＳＣのＸ方向内側に所定距離（５ｍｍ程度）だけ離れた位置のＸ方向の電流の大きさデータを減算した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)，Ｄｅ(ｎ，ｍ，２) ，Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)を計算する。なお、差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)は第１印加電圧の印加による測定結果に基づくデータ群であり、差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)は第２印加電圧の印加による測定結果に基づくデータ群であり、差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)は第３印加電圧の印加による測定結果に基づくデータ群である。
また、図７ＦのステップＳ７０２〜Ｓ７１６の処理により、前記第１印加電圧の印加による差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)とＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)の中から、取出電極８１，８２の近傍位置における差データ群Ｄｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)を抽出する。そして、これらの差データ群Ｄｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１))を用いて、取出電極８１，８２の延設方向に沿った前記差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)の変動を表す評価データＢ(ｔ，ｓ，ｅｐ)，Ｃ(ｔ，ｓ，ｅｐ)を計算して、取出電極８１，８２の接続不良を判定する。
このような太陽電池セルＳＣにおいては、図１３を用いて説明したように、前記差データ群Ｄｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)は取出電極８１，８２が正常であればほぼ一定値である。しかし、取出電極８１，８２に接続不良が発生している場合には、接続不良位置において、前記差データ群Ｄｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)は一定値から大きく変動する。したがって、上記実施形態によれば、取出電極８１，８２の接続不良を高精度で簡単に検出することができる。
また、ステップＳ７２４〜Ｓ７３２の処理により、前記第１印加電圧の印加による差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)とＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)の中から、取出電極８１，８２間の位置における差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)を抽出する。そして、これらの差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)を用いて、前記Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)に対する差データＤｅ(ｎ，ｍ，１)の比の値である比率データＤｅｒ(ｎ，ｍ，１)が負の値の許容値より小さいことを条件に、太陽電池セルＳＣの発電セル８３の接続不良を検出する。
このような太陽電池セルＳＣにおいては、図１４を用いて説明したように、前記差データＤｅ(ｎ，ｍ，１)は太陽電池セルＳＣの発電セル８３が正常であればほぼ「０」である。しかし、太陽電池セルＳＣの発電セル８３に接続不良がある場合には、接続不良位置において、前記差データＤｅ（ｎ，ｍ，１）は「０」から負側に大きく変動する。したがって、上記実施形態によれば、太陽電池セルＳＣの発電セル８３の接続不良を高精度で簡単に検出することができる。
また、ステップＳ７３４〜Ｓ７４２の処理により、前記第２印加電圧の印加による差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)とＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)の中から、取出電極８１，８２間の位置における差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)を抽出する。そして、これらの差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)を用いて、前記Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，２)に対する差データＤｅ(ｎ，ｍ，２)の比の値である比率データＤｅｒ(ｎ，ｍ，２)が正の値の許容値より大きいことを条件に、太陽電池セルＳＣの発電セル８３のリーク不良を検出する。
このような太陽電池セルＳＣにおいては、図１５を用いて説明したように、前記差データＤｅ(ｎ，ｍ，２)は太陽電池セルＳＣの発電セル８３が正常であればほぼ「０」である。しかし、太陽電池セルＳＣの発電セル８３にリーク不良がある場合には、リーク不良位置において、前記差データＤｅ(ｎ，ｍ，２)は「０」から正側に大きく変動する。したがって、上記実施形態によれば、太陽電池セルＳＣの発電セル８３のリーク不良を高精度で簡単に検出することができる。特に、第１印加電圧とは異なり、第２印加電圧の平均電圧及び交流信号の振幅を小さく、すなわち第２印加電圧の平均電圧及び交流信号の振幅よりも小さくしたので、リーク不良の検出が良好となる。
また、ステップＳ７４４〜Ｓ７５２の処理により、前記第３印加電圧（逆方向電圧）の印加による差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)とＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)の中から、取出電極８１，８２間の位置における差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)を抽出する。そして、これらの差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)を用いて、前記Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，３)に対する差データＤｅ(ｎ，ｍ，３)の比の値である比率データＤｅｒ(ｎ，ｍ，３)が正の値の許容値より大きいことを条件に、太陽電池セルＳＣの発電セル８３のＰＮ接合不良及びリーク不良を検出する。
このような太陽電池セルＳＣにおいては、図１６を用いて説明したように、前記差データＤｅ(ｎ，ｍ，３)は太陽電池セルＳＣの発電セル８３が正常であればほぼ「０」である。しかし、太陽電池セルＳＣの発電セル８３にＰＮ接合不良又はリーク不良がある場合には、ＰＮ接合不良位置又はリーク不良位置において、前記差データＤｅ(ｎ，ｍ，３)は「０」から正側に大きく変動する。したがって、上記実施形態によれば、太陽電池セルＳＣの発電セル８３のＰＮ接合不良及びリーク不良を高精度で簡単に検出することができる。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の実施にあたっては、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を逸脱しない限りにおいて種々の変形も可能である。
上記実施形態においては、太陽電池パネルＳＰをＸ方向において電極近傍領域と発電面領域に区分するために、図８に示す太陽電池パネルＳＰにおける最上段の複数の太陽電池セルＳＣと最下段の複数の太陽電池セルＳＣの各Ｙ方向中央付近においてＹ方向に流れる電流の大きさＩｙをＸ方向に沿って検出するようにした。しかし、これらの最上段及び最下段の複数の太陽電池セルＳＣでなくても、Ｘ方向に沿って配置された２列の複数の太陽電池セルＳＣなら、Ｙ方向の任意の位置の複数の太陽電池セルＳＣにおいてＹ方向に流れる電流を用いて前記領域区分を行うようにしてもよい。また、２列でなく、さらに多くの列の複数の太陽電池セルＳＣにおけるＹ方向に流れる電流を用いて前記領域区分を行うようにしてもよい。また、この領域区分はそれほど厳密に領域を区分するものでもないので、Ｘ方向に沿って配置された１列の複数の太陽電池セルＳＣにおけるＹ方向に流れる電流のみを用いて前記領域区分を行うようにしてもよい。さらに、検査対象である太陽電池パネルＳＰが限定されていて取出電極８１，８２の位置が予め分かっているならば、取出電極８１，８２の位置検出を行わずに、前記領域区分を行うようにしてもよい。
また、上記実施形態では、取出電極８１，８２の位置を検出して電極近傍領域と発電面領域に区分し、電極近傍領域では太陽電池パネルＳＰに第１印加電圧を印加し、発電面領域では第１乃至第３印加電圧を印加して、磁気センサ１０を太陽電池パネルＳＰの全体にわたって１回走査させるだけで磁界検出を行うようにした。しかし、これに代えて、取出電極８１，８２の接続不良及び発電面領域の接続不良の検出のために、太陽電池パネルＳＰに第１印加電圧を印加した状態で、磁気センサ１０を太陽電池パネルＳＰの全体にわたって走査させて磁界検出を行い、この磁界検出で得られた磁界に基づいて取出電極８１，８２の位置を検出して、電極近傍領域と発電面領域に区分するようにしてもよい。その後、発電セル８３のリーク不良及びＰＮ接合不良の検出のために、太陽電池パネルＳＰに第２及び第３印加電圧を印加した状態で、磁気センサ１０を発電面領域のみをそれぞれ走査させて磁界検出を行い、この磁界検出で得られた磁界に基づいて発電セル８３のリーク不良及びＰＮ接合不良の検出を行うようにしてもよい。
また、上記実施形態では、電極近傍領域では取出電極８１，８２の接続不良を検出するために第１印加電圧の印加による磁界の測定を行い、発電面領域では発電セル８３の接続不良、リーク不良及びＰＮ接合不良を検出するために第１乃至第３印加電圧の印加による磁界の測定を行うようにした。しかし、これに代えて、発電面領域では、発電セル８３のリーク不良を検出するために第２印加電圧の印加による磁界の測定を行い、発電セル８３の接続不良を検出するために第１印加電圧とは異なる第４印加電圧の印加による磁界の測定を行うようにしてもよい。なお、この第４印加電圧においては、その平均電圧及び交流信号の振幅は第２印加電圧の平均電圧及び交流信号の振幅よりもそれぞれ大きく、かつその最低電圧は太陽電池セルＳＣにおけるＰＮ接合の順方向電圧降下よりも大きい。また、発電面領域でリーク不良の検査のみを行いたい場合には、発電面領域では第２印加電圧の印加による磁界の測定のみを行うようにすればよい。また、取出電極８１，８２の接続不良の検査が不要な場合には、電極近傍領域における第１印加電圧の印加による磁界の測定を省略すればよい。
また、上記実施形態では、発電セル８３のリーク不良を検出するために第２印加電圧の印加による磁界の測定を行うようにした。しかし、リーク不良に関しては、リーク不良とＰＮ接合不良の判別はできないが、第３印加電圧の印加による磁界の測定でも検出可能であるので、リーク不良の検出のための第２印加電圧の印加による磁界の測定を省略してもよい。
また、上記実施形態では、第１乃至第３印加電圧の印加による磁界の測定により、取出電極８１，８２の接続不良、発電セル８３の接続不良、発電セル８３のリーク不良及び発電セル８３のＰＮ接合不良を検出するようにした。しかし、これらの４種類の不良のうち、いずれか１つ又は複数の不良の検出が不要であったり、必要な不良の種類の検出が限定されていたりする場合には、印加電圧の種類は第１乃至第３印加電圧のうちの１つ又は２つのいずれかであってもよい。例えば、発電セル８３のＰＮ接合不良の検出か、発電セル８３のＰＮ接合不良及びリーク不良の検出かが必要である場合には、第３印加電圧の印加による磁界の測定のみを行うようにしてもよい。
また、上記実施形態では、第１乃至第３印加電圧の印加による磁界を測定して、測定した磁界に基づくＸ方向近傍位置のＸ方向の電流の大きさＩｘの差により各種不良を検出するようにした。しかし、第３印加電圧（逆方向電圧）の印加による発電セル８３のＰＮ接合不良及びリーク不良の検出の場合、正常箇所のＸ方向の電流の大きさＩｘは「０」に近く、Ｘ方向近傍位置のＸ方向の電流の大きさＩｘの差と、Ｘ方向の電流の大きさＩｘとの間には大きな差がないので、Ｘ方向の電流の大きさＩｘを用いた評価により、発電セル８３のＰＮ接合不良及びリーク不良を検出するようにしてもよい。
また、上記実施形態では、交流成分を含む直流電圧を太陽電池パネルＳＰに印加して磁界の測定を行うようにした。しかし、地磁気の影響、及び外部磁界の影響を無視することができれば、一定値の直流電圧である第1乃至第３印加電圧を太陽電池パネルＳＰに印加して磁界の測定を行うようにしてもよい。この場合も、取出電極８１，８２及び発電セル８３の接続不良の検出のための第１印加電圧は発電セル８３のリーク不良の検出のための第２印加電圧よりも大きく、かつ第1及び第２印加電圧は共に太陽電池セルＳＣにおけるＰＮ接合の順方向電圧降下よりも大きい。なお、第１及び第２印加電圧は、順方向電圧（正側の取出電極８１側を正として、負側の取出電極８２側を負とする電圧）である。また、第３印加電圧は、逆方向電圧（負側の取出電極８２側を正として、正側の取出電極８１側を負とする電圧）であり、その大きさは降伏電圧未満である。そして、例えば、この変形例に係る第１印加電圧を上記実施形態の第1印加電圧の平均電圧（オフセット電圧）Ｖave1に等しく設定し、この変形例に係る第２印加電圧を上記実施形態の第２印加電圧の平均電圧（オフセット電圧）Ｖave2に等しく設定し、この変形例に係る第３印加電圧を上記実施形態の第３印加電圧の平均電圧（オフセット電圧）Ｖave3に等しく設定するとよい。
また、上記実施形態では、取出電極８１，８２の近傍位置のＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)（又はＩｘ(ｎ−ｎｅ，ｍ，１)）から、前記近傍位置から所定距離（５ｍｍ：ａ・ΔＸ）だけＸ方向内側に離れた位置のＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ＋ｎｅ＋ａ，ｍ，１)（又はＩｘ(ｎ−ｎｅ−ａ，ｍ，１)）を減算した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)の変動により太陽電池セルＳＣの取出電極８１，８２の接続不良（取出電極８１，８２と内部電極８６，８８との接続不良）を検出するようにした。しかし、これに代えて、図１３(Ｄ)に示すように、太陽電池セルＳＣの取出電極８１，８２に接続不良が発生すれば、取出電極８１，８２位置にてＸ方向に流れる電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)から、取出電極８１，８２から所定距離（５ｍｍ：ａ・ΔＸ）だけＸ方向内側に離れた位置のＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ＋ａ，ｍ，１)（又はＩｘ(ｎ−ａ，ｍ，１)）を減算した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)も変動する。したがって、この差データＤｅ(ｎ，ｍ，１)を用いて、太陽電池セルＳＣの取出電極８１，８２の接続不良を検出するようにしてもよい。なお、この場合には、図７ＥのステップＳ７０２〜Ｓ７０６の処理が不要となるとともに、ステップＳ７０８においては電極位置座標群Ｂxy(ｎ，ｍ)に対応した差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)及びＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)が抽出されて、ステップＳ７１０にてデータ群Ｄｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)，Ｉｘ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)に代えてデータ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)，Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)が用いられる。
また、上記実施形態においては、Ｘ方向電極番号ｇｘ及びＹ方向電極番号ｇｙを電極位置座標Ｂxy(ｎ，ｍ)に割当てる図７Ｂ及び図７ＣのステップＳ５００〜Ｓ５４２の処理において、電流の大きさデータIxy(ｎ，ｍ，１)を用いて取出電極８１，８２の位置を検出するようにした。しかし、取出電極８１，８２位置を流れる電流の向きはほぼＹ方向であるので、前記電流の大きさデータIxy(ｎ，ｍ，１)に代えて、Ｙ方向の電流の大きさデータＩｙ(ｎ，ｍ，１)を用いるようにしてもよい。
また、上記実施形態では、図７ＡのステップＳ４０４〜Ｓ４１０の処理により、磁気センサ１０の測定位置のＸ方向磁気検出信号の極大値Ｈｘ、Ｘ方向磁気検出信号の参照信号に対する位相シフト量θｘ、Ｙ方向磁気検出信号の極大値Ｈｙ、Ｙ方向磁気検出信号の参照信号に対する位相シフト量θｙ、磁界の強さＨxy及び磁界の向きθxyを計算して、ステップＳ４１２，Ｓ４１４の処理により、磁気センサ１０の測定位置の電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ，１)，Ｉxy(ｎ，ｍ，２)，Ｉxy(ｎ，ｍ，３)、前記電流の方向データθixy(ｎ，ｍ，１)，θixy(ｎ，ｍ，２)，θixy(ｎ，ｍ，３)、Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)，Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)，Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)及びＹ方向の電流の大きさデータＩｙ(ｎ，ｍ，１)，Ｉｙ(ｎ，ｍ，２)，Ｉｙ(ｎ，ｍ，３)を計算した。そして、次に、図７Ｄ及び図７ＥのステップＳ６００〜Ｓ６２６の処理により、Ｘ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)，Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)，Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)を用いて差データＤｅ(ｎ，ｍ，１)，Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)，Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)を計算した。そして、図７Ｆ及び図７ＧのステップＳ７００〜Ｓ７６４の処理により、この差データＤｅ(ｎ，ｍ，１)及びＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)を用いて、太陽電池セルＳＣの取出電極８１，８２の接続不良を検出するとともに、太陽電池セルＳＣの発電セル８３の接続不良を検出するようにした。また、差データＤｅ(ｎ，ｍ，２)及びＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，２)を用いて、太陽電池セルＳＣの発電セル８３のリーク不良を検出するようにした。さらに、差データＤｅ(ｎ，ｍ，３)及びＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，３)を用いて、太陽電池セルＳＣの発電セル８３のＰＮ接合不良及びリーク不良を検出するようにした。
しかし、電流の大きさは磁界の大きさに比例しており、電流の方向は磁界の方向とπ／２異なるだけである。したがって、磁界に関する情報を電流に関する情報に変換しなくても、磁気センサ１０で検出された各測定位置の磁界の強さＨxyと磁界の向きθxyから下記式１１によって計算されるＹ方向の磁界の大きさＨｙ’を、上記実施形態のＸ方向の電流の大きさＩｘ(ｎ，ｍ，１)，Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)，Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)に代えて用いることにより、差データＤｅ(ｎ，ｍ，１)，Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)，Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)を計算するようにしてもよい。
Ｈｙ’＝Ｈxy・sinθxy …式１１
ただし、この場合のＹ方向の磁界の大きさＨｙ’は、第１乃至第３印加電圧を太陽電池パネルＳＰにそれぞれ印加した３組の測定結果に基づくものである。そして、これらの差データＤｅ(ｎ，ｍ，１)と前記第１印加電圧を印加した場合のＹ方向の磁界の大きさＨｙ’を用いて、太陽電池セルＳＣの取出電極８１，８２の接続不良を検出したり、太陽電池セルＳＣの発電セル８３の接続不良を検出するようにしてもよい。また、差データＤｅ(ｎ，ｍ，２)と前記第２印加電圧を印加した場合のＹ方向の磁界の大きさＨｙ’を用いて、太陽電池セルＳＣの発電セル８３のリーク不良を検出するようにしてもよい。さらに、差データＤｅ(ｎ，ｍ，３)と前記第３印加電圧を印加した場合のＹ方向の磁界の大きさＨｙ’を用いて、太陽電池セルＳＣの発電セル８３のＰＮ接合不良及びリーク不良を検出するようにしてもよい。
また、上記実施形態及び変形例では、取出電極８１，８２の位置を自動的に検出し、検出した取出電極８１，８２の位置及びその近傍位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)，Ｉｘ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)から差データＤｅ(ｎ，ｍ，１)，Ｄｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)，比率データＤｅｒ(ｎ，ｍ，１)，Ｄｅｒ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)，評価データＢ(ｔ，ｓ，ｅｐ)，Ｃ(ｔ，ｓ，ｅｐ)を計算して、取出電極８１，８２と内部電極８６，８８との接続不良の有無を判定するようにした。しかし、これに代えて、作業者が表示装置７２に表示される電流分布の画像を見て取出電極８１，８２の位置をコントローラ７０に指示し、コントローラ７０がこの指示された位置及びその近傍のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)，Ｉｘ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)から差データＤｅ(ｎ，ｍ，１)，Ｄｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)，比率データＤｅｒ(ｎ，ｍ，１)，Ｄｅｒ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)，評価データＢ(ｔ，ｓ，ｅｐ)，Ｃ(ｔ，ｓ，ｅｐ)を計算して、取出電極８１，８２と内部電極８６，８８との接続不良の有無を判定するようにしてもよい。
また、コントローラ７０は、取出電極８１，８２と内部電極８６，８８との接続不良の判定まで行わなくて、評価データＢ(ｔ，ｓ，ｅｐ)，Ｃ(ｔ，ｓ，ｅｐ)を表示装置７２に表示し、作業者に取出電極８１，８２と内部電極８６，８８との接続不良の有無を判定させるようにしてもよい。さらに、コントローラ７０は、評価データＢ(ｔ，ｓ，ｅｐ)，Ｃ(ｔ，ｓ，ｅｐ)の計算も行わずに、取出電極８１，８２の位置及びその近傍位置のＸ方向の電流の大きさＩｘ(ｎ，ｍ，１)，Ｉｘ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)、差データＤｅ(ｎ，ｍ，１)，Ｄｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)，比率データＤｅｒ(ｎ，ｍ，１)，Ｄｅｒ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)の分布を画像で表示装置７２に表示し、作業者はこの表示を見て取出電極８１，８２と内部電極８６，８８との接続不良の有無を判定するようにしてもよい。
また、太陽電池セルＳＣの発電セル８３の接続不良及びリーク不良に関しても、差データ群Ｄｅ（ｎ，ｍ，１），Ｄｅ（ｎ，ｍ，２）又は比率データ群Ｄｅｒ（ｎ，ｍ，１），Ｄｅｒ（ｎ，ｍ，２）を表示装置７２に表示し、作業者に太陽電池セルＳＣの発電セル８３の接続不良及びリーク不良の有無を判定させるようにしてもよい。さらに、コントローラ７０は、差データ群Ｄｅ（ｎ，ｍ，１），Ｄｅ（ｎ，ｍ，２）又は比率データ群Ｄｅｒ（ｎ，ｍ，１），Ｄｅｒ（ｎ，ｍ，２）の計算も行わずに、取出電極８１，８２間のＸ方向の電流の大きさＩｘ(ｎ，ｍ，１)，Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)の分布を画像で表示装置７２に表示し、作業者はこの表示を見て太陽電池セルＳＣの発電セル８３の接続不良及びリーク不良の有無を判定するようにしてもよい。
また、太陽電池セルＳＣの発電セル８３のＰＮ接合不良及びリーク不良に関しても、差データ群Ｄｅ（ｎ，ｍ，３）又は比率データ群Ｄｅｒ（ｎ，ｍ，３）を表示装置７２に表示し、作業者に太陽電池セルＳＣの発電セル８３のＰＮ接合不良及びリーク不良の有無を判定させるようにしてもよい。さらに、コントローラ７０は、差データ群Ｄｅ（ｎ，ｍ，３）又は比率データ群Ｄｅｒ（ｎ，ｍ，３）の計算も行わずに、取出電極８１，８２間のＸ方向の電流の大きさＩｘ(ｎ，ｍ，３)の分布を画像で表示装置７２に表示し、作業者はこの表示を見て太陽電池セルＳＣの発電セル８３のＰＮ接合不良及びリーク不良の有無を判定するようにしてもよい。
また、上記実施形態における取出電極８１，８２の接続不良の検出においては、図７ＦのステップＳ７１０の処理により、差データ群Ｄｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)をＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)でそれぞれ除して比率データ群Ｄｅｒ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)（＝Ｄｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)／Ｉｘ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)）を計算するとともに、この比率データ群Ｄｅｒ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)を用いて評価データＢ(ｔ，ｓ，ｅｐ)，Ｃ(ｔ，ｓ，ｅｐ)を計算し、ステップＳ７１２，Ｓ７１４の判定処理により評価データＢ(ｔ，ｓ，ｅｐ)，Ｃ(ｔ，ｓ，ｅｐ)が許容値よりも大きいことを条件に、取出電極８１，８２の接続不良を判定するようにした。この場合、差データ群Ｄｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)をＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)でそれぞれ除して比率データ群Ｄｅｒ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)を計算することで、取出電極８１，８２の接続不良の判定精度は向上する。しかし、検査対象の太陽電池セルＳＣごとのＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)の変化を小さくすることができ、高い精度を要求しなければ、差データ群Ｄｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)をＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)でそれぞれ除することなく、差データ群Ｄｅ(ｎ＋ｎｅ，ｍ，１)を用いて評価データＢ(ｔ，ｓ，ｅｐ)，Ｃ(ｔ，ｓ，ｅｐ)を計算するようにしてもよい。
また、太陽電池セルＳＣの発電セル８３の接続不良の検出においては、図７ＦのステップＳ７２６の処理により差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)をＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)でそれぞれ除して比率データ群Ｄｅｒ(ｎ，ｍ，１)（＝Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)／Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)）を計算し、ステップＳ７２８にて比率データ群Ｄｅｒ(ｎ，ｍ，１)のいずれかが許容値（負の所定値）よりも小さいことを条件に発電セル８３の接続不良を判定した。この場合も、差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)をＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)でそれぞれ除して比率データ群Ｄｅｒ(ｎ，ｍ，１)を計算することで、発電セル８３の接続不良の判定精度は向上する。しかし、検査対象の太陽電池セルＳＣごとのＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)の変化を小さくすることができ、高い精度を要求しなければ、差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)をＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)でそれぞれ除することなく、差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)のいずれかが所定の負の値よりも小さいことを条件に発電セル８３の接続不良を判定するようにしてもよい。
また、太陽電池セルＳＣの発電セル８３の接続の検出においては、各太陽電池セルＳＣの発電面のＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)の平均値を計算し、前記Ｘ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)から前記計算した平均値をそれぞれ減算し、いずれかの減算結果が所定の負の値よりも小さいことを条件に発電セル８３の接続不良を判定するようにしてもよい。さらに、太陽電池セルＳＣごとのＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)をほぼ一定値にすることができれば、前記Ｘ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，１)そのものの値のいずれかが所定の正の値よりも小さいことを条件に発電セル８３の接続不良を判定するようにしてもよい。
また、太陽電池セルＳＣの発電セル８３のリーク不良の検出においては、図７ＧのステップＳ７３６の処理により差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)をＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)でそれぞれ除して比率データ群Ｄｅｒ(ｎ，ｍ，２)（＝Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)／Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)）を計算し、ステップＳ７３８にて比率データ群Ｄｅｒ(ｎ，ｍ，２)のいずれかが許容値（正の所定値）よりも大きいことを条件に発電セル８３のリーク不良を判定した。この場合も、差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)をＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)でそれぞれ除して比率データ群Ｄｅｒ(ｎ，ｍ，２)を計算することで、発電セル８３のリーク不良の判定精度は向上する。しかし、検査対象の太陽電池セルＳＣごとのＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)の変化を小さくすることができ、高い精度を要求しなければ、差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)をＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)でそれぞれ除することなく、差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，２)のいずれかが所定の正の値よりも大きいことを条件に発電セル８３のリーク不良を判定するようにしてもよい。
また、太陽電池セルＳＣの発電セル８３のリーク不良の検出においても、各太陽電池セルＳＣの発電面のＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)の平均値を計算し、前記Ｘ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)から前記計算した平均値をそれぞれ減算し、減算結果のいずれかが所定の正の値よりも大きいことを条件に発電セル８３のリーク不良を判定するようにしてもよい。さらに、太陽電池セルＳＣごとのＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)をほぼ一定値にすることができれば、前記Ｘ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)そのものの値のいずれかが所定の正の値よりも大きいことを条件に発電セル８３のリーク不良を判定するようにしてもよい。
さらに、太陽電池セルＳＣの発電セル８３のＰＮ接合不良及びリーク不良の検出においては、図７ＧのステップＳ７４６の処理により差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)をＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)でそれぞれ除して比率データ群Ｄｅｒ(ｎ，ｍ，３)（＝Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)／Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)）を計算し、ステップＳ７４８にて比率データ群Ｄｅｒ(ｎ，ｍ，３)のいずれかが許容値（正の所定値）よりも大きいことを条件に発電セル８３のＰＮ接合不良又はリーク不良を判定した。この場合も、差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)をＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)でそれぞれ除して比率データ群Ｄｅｒ(ｎ，ｍ，３)を計算することで、発電セル８３のＰＮ接合不良及びリーク不良の判定精度は向上する。しかし、検査対象の太陽電池セルＳＣごとのＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)の変化を小さくすることができ、高い精度を要求しなければ、差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)をＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)でそれぞれ除することなく、差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，３)が所定の正の値よりも大きいことを条件に発電セル８３のＰＮ接合不良又はリーク不良を判定するようにしてもよい。
また、太陽電池セルＳＣの発電セル８３のＰＮ接合不良及びリーク不良の検出においても、各太陽電池セルＳＣの発電面のＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)の平均値を計算し、前記Ｘ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)から前記計算した平均値をそれぞれ減算し、減算結果のいずれかが所定の正の値よりも大きいことを条件に発電セル８３のＰＮ接合不良又はリーク不良を判定するようにしてもよい。さらに、太陽電池セルＳＣごとのＸ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)をほぼ一定値にすることができれば、前記Ｘ方向の電流の大きさデータ群Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)そのものの値のいずれかが所定の正の値よりも大きいことを条件に発電セル８３のＰＮ接合不良及びリーク不良を判定するようにしてもよい。
また、上記実施形態においては、図７ＤのステップＳ６００，Ｓ６０２，Ｓ６１８の処理により、座標値(ｎ，ｍ)によって指定される位置におけるＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)から前記位置の近傍位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ＋ａ，ｍ，１)(又はＩｘ(ｎ−ａ，ｍ，１))を減算して、差データＤｅ(ｎ，ｍ，１)を計算するようにした。しかし、ステップＳ６００，Ｓ６０２，Ｓ６１８の処理により、前記とは逆に、近傍の位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ＋ａ，ｍ，１)(又はＩｘ(ｎ−ａ，ｍ，１))から前記座標値(ｎ，ｍ)によって指定される位置におけるＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)を減算して、差データＤｅ(ｎ，ｍ，１)を計算するようにしてもよい。この場合には、図１４（Ｃ）に示すように、接続不良箇所の差データＤｅ(ｎ，ｍ，１)は正側に変化する。したがって、この場合には、ステップＳ７２８の判定処理で、比率データ群Ｄｅｒ(ｎ，ｍ，１)又は差データＤｅ(ｎ，ｍ，１)が所定の正の値よりも大きいことを条件に発電セル８３の接続不良を検出するようにすればよい。
また、この近傍位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ＋ａ，ｍ，１)(又はＩｘ(ｎ−ａ，ｍ，１))から前記座標値(ｎ，ｍ)によって指定される位置におけるＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)を減算して、差データＤｅ(ｎ，ｍ，１)を逆に計算した結果は、取出電極８１，８２の接続不良の判定にも利用することができる。なぜならば、この逆に計算した差データＤｅ(ｎ，ｍ，１)は図１３(Ｃ)(Ｄ)の縦軸正負を反対にした結果となるだけで、ステップＳ７１０の評価データＢ(ｔ，ｓ，ｅｐ)，Ｃ(ｔ，ｓ，ｅｐ)にはほとんど影響を与えないからである。
また、上記実施形態においては、図７ＤのステップＳ６０４，Ｓ６０６，Ｓ６２２の処理により、座標値(ｎ，ｍ)によって指定される位置におけるＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，２)から前記位置の近傍位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ＋ａ，ｍ，２)(又はＩｘ(ｎ−ａ，ｍ，２))を減算して、差データＤｅ(ｎ，ｍ，２)を計算するようにした。しかし、ステップＳ６０４，Ｓ６０６，Ｓ６２２の処理により、前記とは逆に、近傍の位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ＋ａ，ｍ，２)(又はＩｘ(ｎ−ａ，ｍ，２))から前記座標値(ｎ，ｍ)によって指定される位置におけるＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，２)を減算して、差データＤｅ(ｎ，ｍ，２)を計算するようにしてもよい。この場合には、図１５（Ｃ）に示すように、リーク不良箇所の差データＤｅ(ｎ，ｍ，２)は負側に変化する。したがって、この場合には、ステップＳ７３８の判定処理で、比率データ群Ｄｅｒ(ｎ，ｍ，２)又は差データＤｅ(ｎ，ｍ，２)が所定の負の値よりも小さいことを条件に発電セル８３のリーク不良を検出するようにすればよい。
さらに、上記実施形態においては、図７Ｄ及び図７ＥのステップＳ６０８，Ｓ６１０，Ｓ６２６の処理により、座標値(ｎ，ｍ)によって指定される位置におけるＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，３)から前記位置の近傍位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ＋ａ，ｍ，３)(又はＩｘ(ｎ−ａ，ｍ，３))を減算して、差データＤｅ(ｎ，ｍ，３)を計算するようにした。しかし、ステップＳ６０８，Ｓ６１０，Ｓ６２６の処理により、前記とは逆に、近傍の位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ＋ａ，ｍ，３)(又はＩｘ(ｎ−ａ，ｍ，３))から前記座標値(ｎ，ｍ)によって指定される位置におけるＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，３)を減算して、差データＤｅ(ｎ，ｍ，３)を計算するようにしてもよい。この場合には、図１６（Ｃ）に示すように、ＰＮ接合及びリーク不良箇所の差データＤｅ(ｎ，ｍ，３)は負側に変化する。したがって、この場合には、ステップＳ７４８の判定処理で、比率データ群Ｄｅｒ(ｎ，ｍ，３)又は差データＤｅ(ｎ，ｍ，３)が所定の負の値よりも小さいことを条件に発電セル８３のＰＮ接合不良及びリーク不良を検出するようにすればよい。
また、上記実施形態における発電セル８３の接続不良の判定においては、座標値(ｎ，ｍ)によって指定される位置におけるＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)から、前記位置から太陽電池セルＳＣの内側の近傍位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ＋ａ，ｍ，１)(又はＩｘ(ｎ−ａ，ｍ，１))を減算して、差データＤｅ(ｎ，ｍ，１)を計算し、この差データＤｅ(ｎ，ｍ，１)を発電セル８３の接続不良の判定に用いるようにした。しかし、この場合の座標値(ｎ，ｍ)は太陽電池セルＳＣの取出電極８１，８２から例えば８ｍｍ（８・ΔＸ）以上内側の位置である。したがって、この発電セル８３の接続不良の判定に用いる差データＤｅ(ｎ，ｍ，１)に関しては、座標値(ｎ，ｍ)によって指定される位置におけるＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)から、前記位置から太陽電池セルＳＣの外側方向の近傍位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ−ａ，ｍ，１)(又はＩｘ(ｎ＋ａ，ｍ，１))を減算して、差データＤｅ(ｎ，ｍ，１)を計算するようにしてもよい。また、発電セル８３のリーク不良に関しても、同様に、差データＤｅ(ｎ，ｍ，２)に関しては、座標値(ｎ，ｍ)によって指定される位置におけるＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，２)から、前記位置から太陽電池セルＳＣの外側方向の近傍位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ−ａ，ｍ，２)(又はＩｘ(ｎ＋ａ，ｍ，２))を減算して、差データＤｅ(ｎ，ｍ，２)を計算するようにしてもよい。さらに、発電セル８３のＰＮ接合不良及びリーク不良に関しても、同様に、差データＤｅ(ｎ，ｍ，３)に関しては、座標値(ｎ，ｍ)によって指定される位置におけるＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，３)から、前記位置から太陽電池セルＳＣの外側方向の近傍位置のＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ−ａ，ｍ，３)(又はＩｘ(ｎ＋ａ，ｍ，３))を減算して、差データＤｅ(ｎ，ｍ，３)を計算するようにしてもよい。
また、Ｘ方向スライド機構２０を構成するセンサ支持台１１又は移動部材２１の上面に、２つの磁気センサをＸ方向に前記所定距離（５ｍｍ程度）だけ離して配置しておき、取出電極８１，８２の接続不良検出のために、一方の磁気センサを取出電極８１，８２の近傍位置又は取出電極８１，８２の位置にセットし、他方の磁気センサを取出電極８１，８２の内側の前記所定距離だけ離れた位置にセットされるようにして、２つの磁気センサを取出電極８１，８２の延設方向に１回だけ移動させて磁界の強さを測定するようにしてもよい。そして、この１回の磁気センサの移動により取得した磁界の強さに基づいて、前記差データ群Ｄｅ(ｎ，ｍ，１)を計算するようにしてもよい。また、この２つの磁気センサを用いた変形例においては、太陽電池の発電セル８３の接続不良、リーク不良及びＰＮ接合不良の検出のために２つの磁気センサを発電面を走査させるようにしてもよい。
また、上記実施形態では、複数の太陽電池セルＳＣを有する太陽電池パネルＳＰを検査するようにした。しかし、本発明は、これに代えて、太陽電池セルＳＣを個々に検査する検査装置にも適用できる。
また、上記実施形態においては、磁気センサ１０を固定した移動部材２１をＸ，Ｙ方向に移動するようにした。しかし、これに代えて、太陽電池パネルＳＰ又は太陽電池セルＳＣをセットするステージ４０をＸ，Ｙ方向に移動するようにしてもよい。また、移動部材２１とステージ４０の双方がＸ，Ｙ方向に移動するようにしてもよい。さらには、磁気センサ１０及び太陽電池パネルＳＰ（又は太陽電池セルＳＣ）をセットするステージ４０を移動させる機構を設けずに、多数の磁気センサ１０を、マトリクス状に配置するようにしてもよい。
また、上記実施形態においては、取出電極８１，８２に関する評価データＢ(ｔ，ｓ，ｅｐ)，Ｃ(ｔ，ｓ，ｅｐ)を計算して、評価データの値によって取出電極８１，８２と内部電極８６，８８との接続不良の有無を判定するとともに、比率データ群Ｄｅｒ（ｎ，ｍ，１），Ｄｅｒ（ｎ，ｍ，２），Ｄｅｒ（ｎ，ｍ，２）の値によって太陽電池セルＳＣの発電セル８３の接続不良、リーク不良及びＰＮ接合不良の有無を判定するようにした。しかし、太陽電池パネルＳＰ又は太陽電池セルＳＣの形状及び大きさが１つに限定されていれば、検査対象である太陽電池パネルＳＰ又は太陽電池セルＳＣのＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)，Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)，Ｉｘ(ｎ，ｍ，３)の分布と共に、正常な太陽電池パネルＳＰ又は太陽電池セルＳＣのＸ方向の電流の大きさデータＩｘ(ｎ，ｍ，１)，Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)，Ｉｘ(ｎ，ｍ，２)の分布を表示して、作業者に対比観察により取出電極８１，８２の接続不良、太陽電池セルＳＣの発電セル８３の接続不良、リーク不良及びＰＮ接合不良の有無の判定を行わせるようにしてもよい。
また、上記実施形態では、磁気センサとして磁気抵抗素子（ＭＲ素子）を利用したが、これに代えて、ホール素子、磁気インピーダンス素子効果センサ、フラックスゲート、超伝導量子干渉素子などを利用するようにしてもよい。
１０…磁気センサ、１１…センサ支持台、２０…Ｘ方向スライド機構、２５…Ｘ方向モータ、３０…Ｙ方向スライド機構、３４…Ｙ方向モータ、４０…ステージ、６５…通電信号供給回路、６６…通電回路、６７…センサ信号取出回路、６８…ロックインアンプ、７０…コントローラ、７１…入力装置、７２…表示装置、８１，８２…取出電極、８３…発電セル、８６，８８…内部電極

Claims (11)

  1. 第１方向に沿って配置されるとともに直列接続されてなり、ＰＮ接合を有して、光の照射により発電する複数の発電セルと、
    前記第１方向とは直交する第２方向に延設されるとともに、前記複数の発電セルのうちの両端の一対の発電セルにそれぞれ内部電極を介して接続されて、前記複数の発電セルによって発電された電力を取出すための一対の長尺状の取出電極とを有する太陽電池セルを検査する太陽電池セル検査装置において、
    太陽電池セルに対向するように配置されて、太陽電池セルの各部に流れる電流によって発生される磁界を検出する磁気センサと、
    前記太陽電池セルの第１の不良を検出するために、前記複数の発電セルのＰＮ接合による降伏電圧未満の逆方向電圧を前記一対の取出電極に印加した状態で、太陽電池セルの各部に流れる電流によりそれぞれ発生されて前記磁気センサによって検出される磁界を表す磁界信号をそれぞれ取出す第１磁界信号取出手段と
    を備えたことを特徴とする太陽電池セル検査装置。
  2. 請求項１に記載した太陽電池セル検査装置において、
    前記太陽電池セルの第１の不良は、前記発電セルのＰＮ接合不良及びリーク不良のうちの少なくとも一方であり、
    前記第１磁界信号取出手段は、前記一対の取出電極間の発電面領域の各部に流れる電流によりそれぞれ発生されて前記磁気センサによって検出される磁界を表す磁界信号をそれぞれ取出す太陽電池セル検査装置。
  3. 請求項１又は２に記載した太陽電池セル検査装置において、
    前記逆方向電圧はオフセット電圧に交流信号を重畳した電圧であり、
    前記第１磁界信号取出手段は、前記交流信号の周期で変化する磁界信号を取出すことを特徴とする太陽電池セル検査装置。
  4. 請求項１乃至３うちのいずれか1つに記載した太陽電池セル検査装置において、さらに、
    前記太陽電池セルの第２の不良を検出するために、前記複数の発電セルのＰＮ接合による順方向電圧降下よりも大きな順方向電圧を前記一対の取出電極に印加した状態で、太陽電池セルの各部に流れる電流によりそれぞれ発生されて前記磁気センサによって検出される磁界を表す磁界信号をそれぞれ取出す第２磁界信号取出手段
    を備えたことを特徴とする太陽電池セル検査装置。
  5. 請求項４に記載した太陽電池セル検査装置において、
    前記太陽電池セルの第２の不良は、前記一対の取出電極の接続不良及び前記発電セルの接続不良のうちの少なくとも一方の接続不良であり、
    前記第２磁界信号取出手段は、前記一対の取出電極の近傍領域及び前記一対の取出電極間の発電面領域のうちの少なくとも一方の領域の各部に流れる電流によりそれぞれ発生されて前記磁気センサによって検出される磁界を表す磁界信号をそれぞれ取出す太陽電池セル検査装置。
  6. 請求項４に記載した太陽電池セル検査装置において、
    前記太陽電池セルの第２の不良は、前記発電セルのリーク不良であり、
    前記第２磁界信号取出手段は、前記一対の取出電極間の発電面領域の各部に流れる電流によりそれぞれ発生されて前記磁気センサによって検出される磁界を表す磁界信号をそれぞれ取出す太陽電池セル検査装置。
  7. 請求項４乃至６のうちのいずれか一つに記載した太陽電池セル検査装置において、
    前記順方向電圧はオフセット電圧に交流信号を重畳した電圧であり、
    前記第２磁界信号取出手段は、前記交流信号の周期で変化する磁界信号を取出すことを特徴とする太陽電池セル検査装置。
  8. 請求項２，５，６のうちのいずれか1つに記載した太陽電池セル検査装置において、さらに、
    前記複数の発電セルのＰＮ接合による順方向電圧降下よりも大きな順方向電圧を前記一対の取出電極に印加した状態で、前記第１方向に沿った前記太陽電池セルの各部に流れる電流によりそれぞれ発生されて前記磁気センサによって検出される磁界を表す磁界信号をそれぞれ取出す領域決定用磁界信号取出手段と、
    前記領域決定用磁界信号取出手段によって取出された信号に基づいて、前記第１方向に沿った各部にて前記第２方向に流れる電流の大きさをそれぞれ計算する電流計算手段と、
    前記電流計算手段によって計算された電流の大きさの分布におけるピーク値の位置を前記一対の取出電極の位置として決定する取出電極位置決定手段と、
    前記取出電極位置決定手段によって決定された一対の取出電極位置を用いて、前記一対の取出電極の近傍領域及び前記一対の取出電極間の発電面領域を決定する領域決定手段と
    を備えたことを特徴とする太陽電池セル検査装置。
  9. 請求項４乃至８のうちのいずれか一つに記載した太陽電池セル検査装置において、さらに、
    太陽電池セルの各部に流れる電流によってそれぞれ発生されて前記第1磁界信号取出手段によってそれぞれ取出された磁界信号に基づいて、太陽電池セルの各部における前記第２方向の磁界の強さ又は前記第１方向の電流の大きさを第1対象物理量として計算する第１対象物理量計算手段と、
    太陽電池セルの各部に流れる電流によってそれぞれ発生されて前記第２磁界信号取出手段によってそれぞれ取出された磁界信号に基づいて、太陽電池セルの各部における前記第２方向の磁界の強さ又は前記第１方向の電流の大きさを第２対象物理量として計算する第２対象物理量計算手段と
    を備えたことを特徴とする太陽電池セル検査装置。
  10. 請求項９に記載した太陽電池セル検査装置において、さらに
    前記第1対象物理量計算手段によって計算された太陽電池セルの各部における第１対象物理量を用いて、前記各部について互いに前記第１方向に所定距離だけ離れた位置の第１対象物理量間の差をそれぞれ計算する第1差計算手段と、
    前記第２対象物理量計算手段によって計算された太陽電池セルの各部における第２対象物理量を用いて、前記各部について互いに前記第１方向に所定距離だけ離れた位置の第２対象物理量間の差をそれぞれ計算する第２差計算手段と
    を備えたことを特徴とする太陽電池セル検査装置。
  11. 請求項９又は１０に記載した太陽電池セル検査装置において、さらに
    前記第1対象物理量計算手段によって計算された太陽電池セルの各部における第１対象物理量と、前記第２対象物理量計算手段によって計算された太陽電池セルの各部における第２対象物理量とを表示する表示手段を備えたことを特徴とする太陽電池セル検査装置。
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