JP4661988B1 - 太陽電池セル検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 太陽電池セル検査装置の製造コストを低額に抑える。
【解決手段】 ステージ１０上に、電極間に導線を介して抵抗を接続した太陽電池セルＳＣを載置固定する。発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎが太陽電池セルＳＣの表面を照射し、磁気センサ３２−１，３２−２・・・３２−Ｎが光の照射によって太陽電池セルＳＣに電流が流れることにより発生する磁界を検出する。発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎは複数の異なる周波数の発光制御信号によって駆動される。信号選択回路４６，４７及びロックインアンプ４８は、複数の異なる発光制御信号の周波数ごとに、磁気センサ３２−１，３２−２・・・３２−Ｎによって検出された磁界に含まれて前記周波数で変化する信号成分を取出す。
【選択図】 図１

Description

本発明は、太陽電池セルを検査するための太陽電池セル検査装置に関する。

太陽電池セルにクラック等の欠陥が存在すると、発電電力が低下するために、製造された太陽電池セルを太陽電池パネルの製造前に検査する必要がある。簡易の検査方法としては、作業者の目視によって欠陥の有無を検査する方法がある。しかし、この方法では、個々の作業者の検査能力に差があって検査ミスが生じる可能性があるとともに、検査に時間がかかるという問題もある。

そのため、従来から、例えば下記特許文献１〜３に示されているように、目視以外の方法で太陽電池セルの検査を精度よく短時間で行う方法が提案されている。下記特許文献１には、太陽電池セルに正方向に電流を流すと太陽電池セルが発光するとういう性質を利用して、太陽電池セルに正方向に電流を流すとともに太陽電池セルを撮像し、発光強度の異なる箇所を検出することで太陽電池セルの欠陥を検出する方法が示されている。また、下記特許文献２には、太陽電池セルのフォトルミネセンス効果を利用して、太陽電池セルに発光ダイオード（ＬＥＤ）の光を照射するとともに太陽電池セルを撮像し、発光強度の異なる箇所を検出することで太陽電池セルの欠陥を検出する方法が示されている。また、下記特許文献３には、太陽電池セルに振動を与えることによって音を発生させ、発生した音を捉えて音響解析を行うことによりパワースペクトルを求め、所定の周波数領域のスペクトル強度に基づいて太陽電池セルの欠陥を検出する方法が示されている。

特開２００８−２６１１３号公報 特開２００８−２２４４３２号公報 特開２００５−１４２４９５号公報

前記のように、太陽電池セルから発生する光や音により太陽電池セルの欠陥を検出する方法は提案されているが、前記方法では撮像装置、音響解析装置等が必要となり、さらに外乱である光や音を除外するための設備も必要となるため、太陽電池セル検査装置が高額になるという問題がある。

本発明は、この問題を解決するためになされたもので、その目的は、製造コストを抑えた太陽電池セル検査装置を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の特徴は、電極間に導線を介して抵抗を接続した状態の太陽電池セルの表面に複数の発光素子からの光を照射する光照射手段と、光照射手段による光の照射によって太陽電池セルに電流が流れることにより発生する磁界を検出する磁界検出手段と、異なる周波数で時間変化する駆動制御信号で複数の発光素子をそれぞれ駆動して、各発光素子ごとに異なる周波数で強度が変化する光で太陽電池セルを照射させる発光制御手段と、駆動制御信号の異なる周波数ごとに、磁界強度検出手段によって検出された磁界に含まれていて前記周波数で変化する信号成分を取出す信号成分取出手段とを備えたことにある。

この場合、磁界検出手段を、例えば、太陽電池セルを挟んで複数の発光素子によって光がそれぞれ照射される位置の反対側に対向して配置された複数の磁気センサで構成するとよい。また、磁界検出手段を、太陽電池セルを挟んで複数の発光素子によって光が照射される面と反対側の面に対向して、太陽電池セルに対して固定した位置に配置された一つの磁気センサで構成してもよい。また、磁界検出手段を、導線に対向して配置された一つの磁気センサで構成してもよい。

上記のように構成した本発明においては、光照射手段によって太陽電池セルに光が照射されると、太陽電池セルには発電により電流が流れる。そして、この太陽電池セルを流れる電流によって発生される磁界が、磁界検出手段によって検出される。この場合、光照射手段は、複数の発光素子で太陽電池セルの表面を照射するので、前記検出される磁界の変化により、太陽電池セルの表面におけるクラック等の欠陥を検出できる。したがって、光照射手段及び磁界検出手段を備えれば、太陽電池セルの検査が可能になるので、検査装置の製造コストを低額に抑えることができる。また、この太陽電池セル検査装置においては、発光制御手段が、各発光素子ごとに異なる周波数で強度が変化する光で太陽電池セルを照射させ、信号成分取出手段が、異なる周波数ごとに、磁界強度検出手段によって検出された磁界に含まれていて、前記周波数で変化する信号成分を取出す。これにより、太陽電池セルの部分ごとの検査を短時間で行うことができるようになるとともに、太陽電池セル検査装置が置かれた場所に外乱光を除外する装置を設けなくても、外乱光の影響を除外することができる。

また、本発明の他の特徴は、さらに、信号成分取出手段によって取出された磁界の信号成分に関する情報を、光照射手段による光の照射位置に対応させて表示する表示手段を設けたことにある。これによれば、作業者は、表示手段による表示を見ることにより、太陽電池セルの欠陥を簡単かつ正確に見つけることができる。

また、本発明の他の特徴は、さらに、信号成分取出手段によって取出された磁界の信号成分に関する情報と、予め用意した基準情報とを比較して、太陽電池セルの欠陥を判定する判定手段を設けたことにある。これによれば、作業者の判断によることなく、太陽電池セルの欠陥が自動的に検出される。

本発明の一実施形態に係る太陽電池セル検査装置の全体構成図である。 図１のステージ及びＹ方向スライド機構の具体例を説明する概略斜視図である。 図１の磁気センサ及びセンサ信号取出回路の詳細回路ブロック図である。 図１のロックインアンプの詳細回路ブロック図である。 図1のコントローラによって実行されるデータ取得プログラムを示すフローチャートである。 図1のコントローラによって実行される評価プログラムを示すフローチャートである。 太陽電池セルへの発光素子による照射状態を説明するための図である。 図１の表示装置における面電流の大きさ及び方向の表示例を示す図である。

以下、本発明の一実施形態に係る太陽電池セル検査装置について図面を用いて説明する。図1は、この太陽電池セル検査装置の全体概略図である。太陽電池セル検査装置は、太陽電池セルＳＣを載置固定するステージ１０を有し、ステージ１０は、Ｙ方向スライド機構２０によってＹ方向（紙面垂直方向）に移動する。

ステージ１０は、図２に詳細に示すように、方形状の枠体で一体的に形成され、上面にて太陽電池セルＳＣが載置されるようになっている。Ｙ方向スライド機構２０は、Ｙ方向に平行に延設された溝を有する１対の支持部材２１，２２を備え、ステージ１０のＸ方向端部にてＹ方向に延設された一対の脚部１０ａ，１０ｂをＹ方向に摺動可能に収容している。支持部材２２内には、Ｙ方向に延設された雄ねじ２３が支持部材２２のＹ方向両端部にて回転可能に支持されて収容されている。この雄ねじ２３には、ステージ１０の脚部１０ｂに設けた雌ねじが螺合して、この雌ねじは雄ねじ２３と共にボールねじ機構を構成している。支持部材２２のＹ方向の一端には、雄ねじ２３を軸線周りに回転させるＹ方向モータ２４が組み付けられており、Ｙ方向モータ２４の回転によりステージ１０がＹ方向に移動する。

ステージ１０上に載置された太陽電池セルＳＣの上方には、複数の発光素子（ＬＥＤ）３１−１，３１−２・・３１−ＮがＸ方向に等間隔で配置されている。太陽電池セルＳＣの下方には、それぞれ磁気抵抗センサ（ＭＲセンサ）からなり、前記発光素子３１−１，３１−２・・３１−Ｎと同数の磁気センサ３２−１，３２−２・・３２−Ｎが配置されている。図２に示すように、発光素子３１−１，３１−２・・３１−Ｎは、支持機構３３に固定支持されるようになっており、支持機構３３によって発光素子３１−１，３１−２・・３１−Ｎの上下位置が調整されるようになっている。磁気センサ３２−１，３２−２・・３２−Ｎは支持台３４上に載置され、支持台３４の高さ調整によって太陽電池セルＳＣに対する上下位置が調整されるようになっている。そして、本実施形態では、発光素子３１−１，３１−２・・３１−Ｎと磁気センサ３２−１，３２−２・・３２−ＮのＸＹ方向位置はそれぞれ同じである。なお、磁気センサ３２−１，３２−２・・３２−Ｎに関しては、詳しく後述する。

ｙ方向モータ２４内には、Ｙ方向モータ２４の回転を検出して、その回転を表す回転信号を出力するエンコーダ２４ａが組み込まれている。この回転信号は、Ｙ方向モータ２４が所定の微少角度だけ回転するたびにハイレベルとローレベルとを交互に切替えるパルス列信号であって、回転方向を識別するために互いにπ／２だけ位相のずれたＡ相信号とＢ相信号とで構成される。回転信号は、Ｙ方向位置検出回路４１に出力される。Ｙ方向位置検出回路４１は、前記回転信号のパルス数をＹ方向モータ２４の回転方向に応じてカウントアップ又はカウントダウンし、そのカウント値からＹ方向モータ２４によるステージ１０（太陽電池セルＳＣ）に対する発光素子３１−１，３１−２・・・３１−ＮのＹ方向位置（すなわち発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎによる光のＹ方向の照射中心位置）を検出し、検出したＹ方向位置をＹ方向フィードモータ制御回路４２及び後述するコントローラ５０に出力する。Ｙ方向フィードモータ制御回路４２は、コントローラ５０の指示により、Ｙ方向モータ２４の駆動及び停止を制御する。

Ｙ方向位置検出回路４１におけるカウント値の初期設定は、電源投入時にコントローラ５０の指示によって行われる。すなわち、コントローラ５０は、電源投入時に、Ｙ方向フィードモータ制御回路４２にステージ１０の初期位置に対応したＹ方向限界位置への移動、及びＹ方向位置検出回路４１に初期設定を指示する。この指示により、Ｙ方向フィードモータ制御回路４２は、Ｙ方向モータ２４を駆動してステージ１０を初期位置に対応したＹ方向限界位置まで移動させる。Ｙ方向位置検出回路４１は、ステージ１０のＸ方向への移動中、Ｙ方向モータ２４内のエンコーダ２４ａからの回転信号を入力し続けている。そして、ステージ１０が初期位置に対応したＹ方向限界位置まで達してＹ方向モータ２４の回転が停止すると、Ｙ方向位置検出回路４１はエンコーダ２４ａからの回転信号の入力停止を検出して、カウント値を「０」にリセットする。このとき、Ｙ方向位置検出回路４１は、Ｙ方向フィードモータ制御回路４２に出力停止のための信号を出力し、これにより、Ｙ方向フィードモータ制御回路４２はＹ方向モータ２４への駆動信号の出力を停止する。その後に、Ｙ方向モータ２４が駆動された際には、Ｙ方向位置検出回路４１は、回転信号のパルス数をＹ方向モータ２４の回転方向に応じてカウントアップ又はカウントダウンし、そのカウント値に基づいてステージ１０に対する発光素子３１−１，３１−２・・・３１−ＮのＹ方向位置を計算し、計算したＹ方向位置をＹ方向フィードモータ制御回路４２及びコントローラ５０に出力し続ける。

この太陽電池セル検査装置は、さらに、それぞれＮ個ずつの発光信号供給回路４３−１，４３−２・・・４３−Ｎ、発光素子駆動回路４４−１，４４−２・・・４４−Ｎ、センサ信号取出回路４５−１，４５−２・・・４５−Ｎを備えるとともに、信号選択回路４６，４７、ロックインアンプ４８及びコントローラ５０を備えている。

発光信号供給回路４３−１，４３−２・・・４３−Ｎは、正弦波発振器及び矩形波変換回路をそれぞれ含み、コントローラ５０によって作動制御されて、正弦波発振器によって発振される正弦波信号を発光制御信号として発光素子駆動回路４４−１，４４−２・・・４４−Ｎに供給する。なお、発光制御信号は、「０」を基準に正負に変化する信号であり、それらの周波数は、例えば数１０ヘルツから数１００ヘルツ程度の範囲にあり、数ヘルツずつ異なる。また、発光信号供給回路４３−１，４３−２・・・４３−Ｎは、前記正弦波信号からなる発光制御信号を矩形波変換回路による変換により、前記発光制御信号と同期して「０」を中心として正負に変化する矩形波信号をそれぞれ生成して、参照信号として信号選択回路４６に出力する。発光素子駆動回路４４−１，４４−２・・・４４−Ｎも、コントローラ５０によって作動制御されて、前記供給された発光制御信号によって発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎをそれぞれ発光制御する。発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎは、前記発光制御信号に同期して正弦波状に変化する発光強度で太陽電池セルＳＣの表面をそれぞれ照射する。

次に、磁気センサ３２−１，３２−２・・３２−Ｎについて説明しておく。磁気センサ３２−１，３２−２・・３２−Ｎのうちの一つの磁気センサ３２−ｎ（ｎ＝１〜Ｎ）は、図３に示すように、Ｘ方向の磁界を検出するＸ方向磁気センサ３２Ａと、Ｙ方向の磁界の変化を検出するＹ方向磁気センサ３２Ｂとを備えている。Ｘ方向磁気センサ３２Ａは、抵抗ｒ11，ｒ12，ｒ13及び磁気抵抗素子ＭＲ１からなるブリッジ回路で構成されており、抵抗ｒ11，ｒ13の接続点と、抵抗ｒ12及び磁気抵抗素子ＭＲ１の接続点との間に、センサ信号取出回路４５−ｎ（ｎ＝１〜Ｎ）の後述する定電圧供給回路４５ａから電圧＋Ｖ，−Ｖが印加されるようになっている。また、Ｘ方向磁気センサ３２Ａにおいては、抵抗ｒ13及び磁気抵抗素子ＭＲ１の接続点と、抵抗ｒ11，ｒ12間の接続点との間の電圧をＸ方向磁気検出信号として出力する。抵抗ｒ11，ｒ12，ｒ13の値は同じであり、磁界の強さが「０」であるときの磁気抵抗素子ＭＲ１の抵抗値に等しい。これにより、ほぼ「０」を基準としたＸ方向の磁界の正負の変化により、Ｘ方向磁気検出信号はほぼ「０」を基準にＸ方向の磁界の大きさに比例して正負に変化する電圧信号となる。

Ｙ方向磁気センサ３２Ｂは、抵抗ｒ21，ｒ22，ｒ23及び磁気抵抗素子ＭＲ２からなるブリッジ回路で構成されており、抵抗ｒ21，ｒ22の接続点と、抵抗ｒ23及び磁気抵抗素子ＭＲ２の接続点との間に、センサ信号取出回路４５−ｎの後述する定電圧供給回路４５ｂから電圧＋Ｖ，−Ｖが印加されるようになっている。また、Ｙ方向磁気センサ３２Ｂにおいては、抵抗ｒ23及び磁気抵抗素子ＭＲ２の接続点と、抵抗ｒ21，ｒ22間の接続点との間の電圧をＹ方向磁気検出信号として出力する。抵抗ｒ21，ｒ22，ｒ23の値は同じであり、磁界の強さが「０」であるときの磁気抵抗素子ＭＲ２の抵抗値に等しい。これにより、ほぼ「０」を基準としたＹ方向の磁界の正負の変化により、Ｙ方向磁気検出信号はほぼ「０」を基準にＹ方向の磁界の大きさに比例して正負に変化する電圧信号となる。

センサ信号取出回路４５−１，４５−２・・・４５−Ｎは、定電圧供給回路４５ａ，４５ｂ及び増幅器４５ｃ，４５ｄをそれぞれ備えている。図３には、センサ信号取出回路４５−１，４５−２・・・４５−Ｎのうちの一つのセンサ信号取出回路４５−ｎ（ｎ＝１〜Ｎ）を代表して示している。定電圧供給回路４５ａ，４５ｂは、コントローラ５０からの指示により、Ｘ方向磁気センサ３２Ａ及びＹ方向磁気センサ３２Ｂに対して、定電圧＋Ｖ，−Ｖを供給する。増幅器４５ｃ、４５ｄは、Ｘ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号をそれぞれ増幅して信号選択回路４７へ出力する。

信号選択回路４６は、コントローラ５０によって制御されて、発光信号供給回路４３−１，４３−２・・・４３−Ｎからそれぞれ出力されるＮ個の参照信号を一つずつ選択してロックインアンプ４８へ出力する。信号選択回路４７も、コントローラ５０によって制御されて、センサ信号取出回路４５−１，４５−２・・・４５−Ｎからそれぞれ出力されるＮ組のＸ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号を一組ずつ選択してロックインアンプ４８へ出力する。

ロックインアンプ４８は、図４に詳細に示すように、磁気センサ３２−１，３２−２・・・３２−ＮのＸ方向磁気センサ３２Ａから増幅器４７ｃ及び信号選択回路４７を介して供給されるＸ方向磁気検出信号を入力するハイパスフィルタ４８ａと、磁気センサ３２−１，３２−２・・・３２−ＮのＹ方向磁気センサ３２Ｂから増幅器４７ｄ及び信号選択回路４７を介して供給されるＹ方向磁気検出信号を入力するハイパスフィルタ４８ｂとを備えている。ハイパスフィルタ４８ａ，４８ｂは、Ｘ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号に含まれる、磁界の強さに比例した信号成分以外の不要な成分を取り除くとともに、信号をグランドレベルを中心に変化するようにする。

ハイパスフィルタ４８ａの出力は、増幅器４８ｃを介して位相検波回路４８ｄ，４８ｅに供給される。位相検波回路４８ｄ，４８ｅは、それぞれ乗算器によって構成されている。位相検波回路４８ｄは、ハイパスフィルタ４８ａ及び増幅器４８ｃを介して供給されるＸ方向磁気検出信号に、発光信号供給回路４３−１，４３−２・・・４３−Ｎからの参照信号を乗算してローパスフィルタ４８ｆに出力する。位相検波回路４８ｅは、ハイパスフィルタ４８ａ及び増幅器４８ｃを介して供給されるＸ方向磁気検出信号に、発光信号供給回路４３−１，４３−２・・・４３−Ｎからの参照信号を位相シフト回路４８ｇで９０度位相を遅らせた遅延参照信号を乗算してローパスフィルタ４８ｈに出力する。これにより、ローパスフィルタ４８ｆにはＸ方向磁気検出信号の発光制御信号（参照信号）と同期した成分が供給され、ローパスフィルタ４８ｆは供給された成分信号をローパスフィルタ処理してＸ方向磁気検出信号の発光制御信号と同期した成分の大きさを表す信号を出力する。ローパスフィルタ４８ｈにはＸ方向磁気検出信号の発光制御信号よりも９０度位相を遅らせた信号（遅延参照信号）と同期した成分が供給され、ローパスフィルタ４８ｈは供給された成分信号をローパスフィルタ処理してＸ方向磁気検出信号の発光制御信号よりも９０度位相を遅らせた信号と同期した成分の大きさを表す信号を出力する。

ハイパスフィルタ４８ｂの出力は、増幅器４８ｉを介して位相検波回路４８ｊ，４８ｋに供給される。位相検波回路４８ｊ，４８ｋには、ローパスフィルタ４８ｍ，４８ｎが接続されている。位相検波回路４８ｊ，４８ｋ及びローパスフィルタ４８ｍ，４８ｎは、前述した位相検波回路４８ｄ，４８ｅ及びローパスフィルタ４８ｆ，４８ｈと同様に構成されている。これにより、ローパスフィルタ４８ｍにはＹ方向磁気検出信号の発光制御信号（参照信号）と同期した成分が供給され、ローパスフィルタ４８ｍは供給された成分信号をローパスフィルタ処理してＹ方向磁気検出信号の発光制御信号と同期した成分の大きさを表す信号を出力する。ローパスフィルタ４８ｎにはＹ方向磁気検出信号の発光制御信号よりも９０度位相を遅らせた信号（遅延参照信号）と同期した成分が供給され、ローパスフィルタ４８ｎは供給された成分信号をローパス処理してＹ方向磁気検出信号の発光制御信号よりも９０度位相を遅らせた信号と同期した成分の大きさを表す信号を出力する。ローパスフィルタ４８ｆ，４８ｈ，４８ｍ，４８ｎは、Ａ／Ｄ変換器４８ｏ，４８ｐ，４８ｑ，４８ｒにそれぞれ接続されている。Ａ／Ｄ変換器４８ｏ，４８ｐ，４８ｑ，４８ｒは、所定の時間間隔ごとに、ローパスフィルタ４８ｆ，４８ｈ，４８ｍ，４８ｎからの信号をそれぞれＡ／Ｄ変換してコントローラ５０に供給する。

ふたたび図１の説明に戻り、コントローラ５０は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭを備えたマイクロコンピュータと、ハードディスクや不揮発性メモリなどの記憶装置と、入出力インタフェース等から構成される電子制御装置である。コントローラ５０は、記憶装置に記憶された図５のデータ取得プログラム及び図６の評価プログラムを実行してこの太陽電池セル検査装置の動作を制御する。コントローラ５０には、作業者が各種パラメータや処理等を指示するための入力装置５１と、作業者に対して作動状況等を視覚的に知らせるための表示装置５２とが接続されている。

次に、上記のように構成した実施形態の動作について説明する。作業者は、図７に示すように、検査対象となる太陽電池セルＳＣの正負電極間に導線Ｌ１，Ｌ２を介して小さな抵抗Ｒcs（例えば、５オーム程度の抵抗）を接続して、ステージ１０上に載置固定する。抵抗Ｒcsを接続する理由は、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎを用いた光の照射により、太陽電池セルＳＣの発電による電流が太陽電池セルＳＣを流れるようにするためである。ステージ１０の上方には支持機構３３に固定支持された発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎが配置され、ステージ１０の下方には支持台３４に載置された磁気センサ３２−１，３２−２・・・３２−Ｎが配置されていて、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎ及び磁気センサ３２−１，３２−２・・・３２−Ｎの高さは既に調整されている。この状態で、太陽電池セル検査装置の電源が投入されると、上述したように、コントローラ５０の指示により、Ｙ方向フィードモータ制御回路４２はステージ１０をＹ方向限界位置に移動させるとともに、Ｙ方向位置検出回路４１は検出されるＹ方向位置を初期値に設定する。

その後、作業者は、入力装置５１を操作することにより、太陽電池セルＳＣの計測の開始をコントローラ５０に指示する。この指示に応答して、コントローラ５０は、図５のステップＳ１０にてデータ取得プログラムの実行を開始し、ステップＳ１１にて変数ｎ，ｍをそれぞれ「１」に初期設定する。変数ｎは、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎ及び磁気センサ３２−１，３２−２・・・３２−Ｎ、すなわち太陽電池セルＳＣのＮ個のＸ方向位置を指定するための変数である。変数ｍは、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎ及び磁気センサ３２−１，３２−２・・・３２−Ｎの太陽電池セルＳＣに対するＹ方向位置を指定するための変数である。なお、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎ及び磁気センサ３２−１，３２−２・・・３２−Ｎは、ステージ１０に対して相対的に、Ｙ方向に初期値Ｙｓによって表される開始位置から終了値Ｙmaxによって表される終了位置を越えるまで所定の微小値ΔＹずつ移動制御される（図７参照）。なお、以降、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−ＮによるＹ方向の光照射位置、すなわち磁気センサ３２−１，３２−２・・・３２−ＮによるＹ方向の磁界の検出位置を、Ｙ軸方向の検査位置という。

前記ステップＳ１１の処理後、コントローラ５０は、ステップＳ１２にて、Ｙ方向フィードモータ制御回路４２に対してステージ１０をＹ軸方向に移動して検査位置がＹ軸方向の初期値Ｙｓによって表される初期位置になるように指示する。この指示に応答して、Ｙ方向フィードモータ制御回路４２は、Ｙ方向位置検出回路４１からＹ方向検出位置（Ｙ軸方向の検査位置）を入力しながら、Ｙ方向検出位置が初期値Ｙｓに一致するまでＹ方向モータ２４を駆動制御する。

ステップＳ１２の処理後、コントローラ５０は、ステップＳ１３にて発光信号供給回路４３−１，４３−２・・・４３−Ｎの作動開始を指示する。この指示に応答して、発光信号供給回路４３−１，４３−２・・・４３−Ｎは、それぞれ周波数の異なる正弦波状の発光制御信号を発光素子駆動回路４４−１，４４−２・・・４４−Ｎに供給するとともに、前記発光制御信号とそれぞれ同期した矩形波状の参照信号を信号選択回路４６に供給し始める。次に、コントローラ５０は、ステップＳ１４にて発光素子駆動回路４４−１，４４−２・・・４４−Ｎの作動開始を指示する。この指示に応答して、発光素子駆動回路４４−１，４４−２・・・４４−Ｎは、前記供給された発光制御信号に応じて正弦波状に変化する駆動制御信号を発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎにそれぞれ供給して、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎを発光制御し始める。次に、コントローラ５０は、ステップＳ１５にて、センサ信号取出回路４５−１，４５−２・・・４５−Ｎの作動開始を指示する。この指示に応答して、センサ信号取出回路４５−１，４５−２・・・４５−Ｎ内の各定電圧供給回路４５ａ，４５ｂは、磁気センサ３２−１，３２−２・・・３２−Ｎ内の各Ｘ方向磁気センサ３２Ａ及びＹ方向磁気センサ３２Ｂにそれぞれ定電圧信号＋Ｖ，−Ｖを供給し始める。これにより、磁気センサ３２−１，３２−２・・・３２−Ｎ内の各Ｘ方向磁気センサ３２Ａ及びＹ方向磁気センサ３２ＢによるＸ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号が、センサ信号取出回路４５−１，４５−２・・・４５−Ｎ内の各増幅器４５ｃ，４５ｄを介して信号選択回路４７にそれぞれ供給され始める。

これらのＸ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号について説明しておく。前記発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎの発光制御により、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎは、その発光強度を前記発光制御信号に同期して正弦波状に変化させながら、太陽電池セルＳＣの表面に光をそれぞれ照射する。この場合、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎの正弦波状に変化する発光強度の周波数は、それぞれ異なる。これらの光の照射により、太陽電池セルＳＣは前記発光強度に応じて電力を発電し始める。この電力の発電により、太陽電池セルＳＣの表面には面電流が流れるとともに、電極を介して導線Ｌ１，Ｌ２及び抵抗Ｒcsに電流が流れ、太陽電池セルＳＣの表裏面近傍には、前記面電流による磁界が発生する。そして、磁気センサ３２−１，３２−２・・・３２−Ｎ内の各Ｘ方向磁気センサ３２Ａは、Ｘ方向の磁界Ｈの大きさに比例した電圧をＸ方向磁気検出信号としてそれぞれ出力し始める。また、磁気センサ３２−１，３２−２・・・３２−Ｎ内のＹ方向磁気センサ３２Ｂは、Ｙ方向の磁界Ｈの大きさに比例した電圧をＹ方向磁気検出信号としてそれぞれ出力し始める。これらのＸ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号は、前記発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎの発光強度がそれぞれ異なる周波数で正弦波状に変化するので、異なる周波数で正弦波状に変化する信号をそれぞれ合成したものである。ただし、Ｘ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号に含まれる各周波数成分の位相は、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎを駆動制御するための正弦波状の発光制御信号とは若干異なる。

ふたたび図５のデータ取得プログラムの説明にもどると、前記ステップＳ１５の処理後、コントローラ５０は、ステップＳ１６にて、信号選択回路４６，４７にそれぞれ変数ｎを出力する。信号選択回路４６は、発光信号給回路４３−１，４３−２・・・４３−Ｎのうちで変数ｎによって指定される発光信号供給回路４３−ｎから出力されている参照信号を選択してロックインアンプ４８に出力する。信号選択回路４７は、センサ信号取出回路４５−１，４５−２・・・４５−Ｎのうちで変数ｎによって指定されるセンサ信号取出回路４５−ｎから出力されているＸ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号を選択してロックインアンプ４８に出力する。この場合、変数ｎは「１」であるので、ロックインアンプ４８には、発光信号供給回路４３−１からの参照信号が供給されるとともに、センサ信号取出回路４５−１からのＸ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号、すなわち磁気センサ３２−１の検出に基づくＸ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号が供給されることになる。

ロックインアンプ４８においては、入力されたＸ方向磁気検出信号がハイパスフィルタ４８ａ及び増幅器４８ｃを介して位相検波回路（乗算器）４８ｄ，４８ｅにそれぞれ供給されるとともに、入力されたＹ方向磁気検出信号がハイパスフィルタ４８ｂ及び増幅器４８ｉを介して位相検波回路（乗算器）４８ｊ，４８ｋにそれぞれ供給される。位相検波回路４８ｄ，４８ｊには、発光信号供給回路４３−１，４３−２・・・４３−Ｎのうちのいずれか一つからの矩形波状の参照信号が供給されている。また、位相検波回路４８ｅ，４８ｋには、前記参照信号の位相を位相シフト回路４８ｇで９０度遅らせた遅延参照信号が供給されている。そして、位相検波回路４８ｄ，４８ｅは、増幅器４８ｃを介して供給されたＸ方向磁気検出信号に参照信号及び遅延参照信号をそれぞれ乗算して、乗算した信号をローパスフィルタ４８ｆ，４８ｈを介してＡ／Ｄ変換器４８ｏ，４８ｐにそれぞれ供給する。位相検波回路４８ｊ，４８ｋは、増幅器４８ｃを介して供給されたＹ方向磁気検出信号に参照信号及び遅延参照信号をそれぞれ乗算して、乗算した信号をローパスフィルタ４８ｍ，４８ｎを介してＡ／Ｄ変換器４８ｑ，４８ｒにそれぞれ供給する。

この場合、前述のように、ロックインアンプ４８には、発光信号供給回路４３−１からの参照信号が供給されているとともに、磁気センサ３２−１の検出に基づくＸ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号が供給されている。そして、発光信号供給回路４３−１からの参照信号の周波数は、発光素子３１−１を駆動制御する発光制御信号の周波数と同じである。したがって、位相検波回路４８ｄ及びローパスフィルタ４８ｆは、発光素子３１−１の光照射によって発生された正弦波状に変化するＸ方向の磁界の大きさであって、参照信号（すなわち発光制御信号）に同期した信号成分の振幅に比例した大きさを表す信号をＡ／Ｄ変換器４８ｏに出力する。位相検波回路４８ｅ及びローパスフィルタ４８ｈは、発光素子３１−１の光照射によって発生された正弦波状に変化するＸ方向の磁界の大きさであって、参照信号（すなわち発光制御信号）の位相をπ／２だけ遅らせた信号に同期した信号成分の振幅に比例した大きさを表す信号をＡ／Ｄ変換器４８ｐに出力する。位相検波回路４８ｊ及びローパスフィルタ４８ｍは、発光素子３１−１の光照射によって発生された正弦波状に変化するＹ方向の磁界の大きさであって、参照信号（すなわち発光制御信号）に同期した信号成分の振幅に比例した大きさを表す信号をＡ／Ｄ変換器４８ｑに出力する。位相検波回路４８ｋ及びローパスフィルタ４８ｎは、発光素子３１−１の光照射によって発生された正弦波状に変化するＹ方向の磁界の大きさであって、参照信号（すなわち発光制御信号）の位相をπ／２だけ遅らせた信号に同期した信号成分の振幅に比例した大きさを表す信号をＡ／Ｄ変換器４８ｒに出力する。そして、Ａ／Ｄ変換器４８ｏ，４８ｐ，４８ｑ，４８ｒは、それぞれ供給された信号を所定時間ごとにサンプリングしてＡ／Ｄ変換し、Ａ／Ｄ変換したサンプリングデータをコントローラ５０に供給する。したがって、コントローラ５０には前記各信号成分の所定時間ごとの大きさを表すサンプリングデータが所定時間ごとに供給されるようになる。

前記ステップＳ１６の処理後、コントローラ５０は、ステップＳ１７にて、ロックインアンプ４８のＡ／Ｄ変換器４８ｏ，４８ｐ，４８ｑ，４８ｒから供給されるサンプリングデータを取込み、ステップＳ１８にて取込んだ各サンプリングデータの数が所定数Ｋに達したか否かを判定する。この所定数Ｋは、例えば数個から数十個の各サンプリングデータの数を表す値に設定されている。各サンプリングデータの数が所定数Ｋに達していなければ、コントローラ５０は、ステップＳ１８にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ１７にてＡ／Ｄ変換器４８ｏ，４８ｐ，４８ｑ，４８ｒから次に出力されるサンプリングデータを取込む。そして、Ａ／Ｄ変換器４８ｏ，４８ｐ，４８ｑ，４８ｒから取込んだ各サンプリングデータの数が所定数Ｋに達すると、コントローラ５０は、ステップＳ１８にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ１９以降の処理を実行する。ステップＳ１７にて取込まれたサンプリングデータは、変数ｎ，ｍによって指定されるサンプリングデータ群として、ＲＡＭに記憶される。

具体的には、Ａ／Ｄ変換器４８ｏから取込んだ所定数Ｋのサンプリングデータ、すなわちＸ方向磁気検出信号の参照信号と同期した信号成分の大きさを表す所定数Ｋのデータは、サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)としてＲＡＭに記憶される。Ａ／Ｄ変換器４８ｐから取込んだ所定数Ｋのサンプリングデータ、すなわちＸ方向磁気検出信号の遅延参照信号と同期した信号成分の大きさを表す所定数Ｋのデータは、サンプリングデータ群Ｓx2(ｎ,ｍ)としてＲＡＭに記憶される。Ａ／Ｄ変換器４８ｐから取込んだ所定数Ｋのサンプリングデータ、すなわちＹ方向磁気検出信号の参照信号と同期した信号成分の大きさを表す所定数Ｋのデータは、サンプリングデータ群Ｓy1(ｎ,ｍ)としてＲＡＭに記憶される。Ａ／Ｄ変換器４８ｒから取込んだ所定数Ｋのサンプリングデータ、すなわちＹ方向磁気検出信号の遅延参照信号と同期した信号成分の大きさを表す所定数Ｋのデータは、サンプリングデータ群Ｓy2(ｎ,ｍ)としてＲＡＭに記憶される。なお、この場合の変数ｎ，ｍは、共に「１」である。

前記ステップＳ１７，Ｓ１８の処理後、コントローラ５０は、ステップＳ１９にて変数ｎが値Ｎであるか否かを判定する。変数ｎは「１」に初期設定されているので、この場合、コントローラ５０は、ステップＳ１９にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ２０にて変数ｎに「１」を加算して、ステップＳ１６に戻る。ステップＳ１６においては、コントローラ５０は、前述した場合と同様に信号選択回路４６，４７にそれぞれ変数ｎを出力する。そして、信号選択回路４６は、前述のように変数ｎによって指定される発光信号供給回路４３−ｎから出力されている参照信号を選択してロックインアンプ４８に出力する。また、信号選択回路４７も、前述のように変数ｎによって指定されるセンサ信号取出回路４５−ｎから出力されているＸ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号を選択してロックインアンプ４８に出力する。この場合、変数ｎは「２」であるので、ロックインアンプ４８には、発光信号供給回路４３−２からの参照信号が供給されるとともに、センサ信号取出回路４５−２からのＸ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号、すなわち磁気センサ３２−２の検出に基づくＸ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号が供給されることになる。

この場合、発光信号供給回路４３−２からの参照信号の周波数は、発光素子３１−２を駆動制御する発光制御信号の周波数と同じである。したがって、位相検波回路４８ｄ，４８ｅ，４８ｊ，４８ｋ及びローパスフィルタ４８ｆ，４８ｈ，４８ｍ，４８ｎは、前述した場合と同様に動作し、発光素子３１−２の光照射によって発生された正弦波状に変化するＸ方向及びＹ方向の磁界の大きさであって、参照信号（すなわち発光制御信号）及び参照信号（すなわち発光制御信号）の位相をπ／２だけに遅らせた信号にそれぞれ同期した信号成分の振幅に比例した大きさを表す信号をＡ／Ｄ変換器４８ｏ，４８ｐ，４８ｑ，４８ｒに供給する。そして、Ａ／Ｄ変換器４８ｏ，４８ｐ，４８ｑ，４８ｒは、それぞれ供給された信号を所定時間ごとにサンプリングしてＡ／Ｄ変換し、Ａ／Ｄ変換したサンプリングデータをコントローラ５０に供給する。

前記ステップＳ１６の処理後、コントローラ５０は、前記場合と同様に、ステップＳ１７，Ｓ１８の処理により、Ｋ個ずつのサンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)，Ｓx2(ｎ,ｍ)，Ｓy1(ｎ,ｍ)，Ｓy2(ｎ,ｍ)をＲＡＭに記憶する。なお、この場合の変数ｎは「２」であり、変数ｍは「１」である。そして、変数ｎが値Ｎになるまで、前記ステップＳ１６〜Ｓ２０からなる処理を繰り返し実行する。変数ｎが値Ｎになると、コントローラ５０は、ステップＳ１９にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ２１に進む。この状態では、サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)，Ｓx2(ｎ,ｍ)，Ｓy1(ｎ,ｍ)，Ｓy2(ｎ,ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１）がＲＡＭに記憶されている。

コントローラ５０は、ステップＳ２１にて、値Ｙｓ＋ｍ・ΔＹが終了値Ｙmaxよりも大きいかを判定する。値Ｙｓ＋ｍ・ΔＹは、Ｙ軸方向の走査間隔を表す所定値ΔＹに変数ｍを乗算して初期値Ｙｓを加算した値であり、次のＹ軸方向の光照射位置（Ｙ軸方向の走査位置）を表す値である（図７参照）。値Ｙｓ＋ｍ・ΔＹが終了値Ｙmax以下であれば、コントローラ５０は、ステップＳ２１にて「Ｎｏ」と判定し、ステップＳ２２にてＹ方向フィードモータ制御回路４２に、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎによる光照射位置をＹ軸方向正側に移動させるように指示する。これにより、Ｙ方向フィードモータ制御回路４２は、Ｙ方向モータ２４を作動させて発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎによる光照射位置をＹ軸方向正側に移動させ始める。次に、コントローラ５０は、ステップＳ２３にてＹ方向位置検出回路４１からＹ方向位置を入力し、ステップＳ２４にて入力したＹ方向位置が次のＹ軸方向の光照射位置Ｙｓ＋ｍ・ΔＹに達したか否かを判定する。そして、Ｙ方向位置検出回路４１から入力したＹ方向位置が次のＹ軸方向の光照射位置に達するまで、コントローラ５０は、ステップＳ２４にて「Ｎｏ」と判定し続けて、ステップＳ２３，Ｓ２４の処理を繰り返し実行する。Ｙ方向位置検出回路４１から入力したＹ方向位置が次のＹ軸方向の光照射位置に達すると、コントローラ５０は、ステップＳ２４にて「Ｙｅｓ」と判定し、ステップＳ２５にてＹ方向フィードモータ制御回路４２に、光照射位置のＹ軸方向正側への移動を停止させることを指示する。これにより、Ｙ方向フィードモータ制御回路４２は、Ｙ方向モータ２４の作動を停止させて、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎによる光照射位置のＹ軸方向正側への移動を停止させる。その結果、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎは、値Ｙｓ＋ｍ・ΔＹ（＝Ｙｓ＋ΔＹ）で表されたＹ軸方向位置を光照射の中心位置として、太陽電池セルＳＣの表面を照射し始める。

前記ステップＳ２５の処理後、コントローラ５０は、ステップＳ２６にて変数ｍに「１」を加算し、ステップＳ２７にて変数ｎを初期値「１」に戻す。この場合、変数ｍは「２」になる。前記ステップＳ２７の処理後、コントローラ５０は、ステップＳ１６に戻って、前述したステップＳ１６〜Ｓ２０の処理を実行する。このステップＳ１６〜Ｓ２０の処理により、前述したサンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)，Ｓx2(ｎ,ｍ)，Ｓy1(ｎ,ｍ)，Ｓy2(ｎ,ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１）に加えて、サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)，Ｓx2(ｎ,ｍ)，Ｓy1(ｎ,ｍ)，Ｓy2(ｎ,ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝２）がＲＡＭに記憶される。

前記ステップＳ１６〜Ｓ２０の処理後、コントローラ５０は、前述したステップＳ２１の判定処理をふたたび実行する。そして、値Ｙｓ＋ｍ・ΔＹが終了値Ｙmax以下である限り、コントローラ５０は、ステップＳ１６〜Ｓ２７の処理を実行し続ける。その結果、値Ｙｓ＋ｍ・ΔＹが終了値Ｙmaxよりも大きくなると、コントローラ５０は、ステップＳ２１にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ２８以降に進む。この状態では、ＲＡＭ内に、Ｋ個ずつの各サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)，Ｓx2(ｎ,ｍ)，Ｓy1(ｎ,ｍ)，Ｓy2(ｎ,ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）が記憶されている。なお、値Ｍは、終了値Ｙmax直前の光照射位置によるサンプリングデータ群に関する変数ｍの値であって、Ｙ軸方向における光照射位置の数を表している。

コントローラ５０は、ステップＳ２８にてセンサ信号取出回路４５−１，４５−２・・・４５−Ｎの作動停止を指示し、ステップＳ２９にて発光素子駆動回路４４−１，４４−２・・・４４−Ｎの作動停止を指示し、ステップＳ３０にて発光信号供給回路４３−１，４３−２・・・４３−Ｎの作動停止を指示する。これらの作動停止の指示により、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎ、磁気センサ３２−１，３２−２・・・３２−Ｎ、発光信号供給回路４３−１，４３−２・・・４３−Ｎ、発光素子駆動回路４４−１，４４−２・・・４４−Ｎ、センサ信号取出回路４５−１，４５−２・・・４５−Ｎ及びロックインアンプ４８の作動が停止する。前記ステップＳ３０の処理後、コントローラ５０は、ステップＳ３１にて、ステージ１０をＹ方向駆動限界位置まで移動させることをＹ方向位置検出回路４１及びＸ方向フィードモータ制御回路４２に指示して、ステップＳ３２にてデータ取得プログラムの実行を終了する。Ｙ方向フィードモータ制御回路４２は、前述のように、Ｙ方向位置検出回路４１と協働して、ステージ１０をＹ方向駆動限界位置まで移動させる。

次に、前記データ取得プログラムで取得した所定数Ｋずつのサンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)，Ｓx2(ｎ,ｍ)，Ｓy1(ｎ,ｍ)，Ｓy2(ｎ,ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）を用いて、太陽電池セルＳＣを評価する方法について説明する。この場合、作業者は、入力装置５１を操作して、コントローラ５０に図６の評価プログラムを実行させる。この評価プログラムの実行はステップＳ５０にて開始され、コントローラ５０は、ステップＳ５１にて変数ｎ，ｍをそれぞれ「１」に初期設定した後、ステップＳ５２にて、変数ｎ，ｍによって指定される所定数Ｋずつのサンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)，Ｓx2(ｎ,ｍ)，Ｓy1(ｎ,ｍ)，Ｓy2(ｎ,ｍ)の磁界の大きさの各平均値Ｓx1，Ｓx2，Ｓy1，Ｓy2を計算する。具体的には、各サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)，Ｓx2(ｎ,ｍ)，Ｓy1(ｎ,ｍ)，Ｓy2(ｎ,ｍ)ごとに、Ｋ個のサンプリングデータを加算して値Ｋで除算する。

次に、コントローラ５０は、ステップＳ５３にて、前記計算した平均値Ｓx1，Ｓx2を用いた下記数１，２の演算の実行により、Ｘ方向磁気検出信号の極大値Ｈｘと、Ｘ方向磁気検出信号の参照信号に対する位相シフト量θｘとを計算する。

（数１）
Ｈｘ＝(Ｓx1²＋Ｓx2²)^1/2

（数２）
θｘ＝tan^-1(Ｓx2/Ｓx1)
これにより、Ｘ方向磁気検出信号としてＨｘ・sin(２πｆｔ＋θｘ)が検出されたことになる。なお、ｆは、発光信号供給回路４３−１，４３−２・・・４３−Ｎから出力される発光制御信号及び参照信号の周波数に等しい。

次に、コントローラ５０は、ステップＳ５４にて、前記計算した平均値Ｓy1，Ｓy2を用いた下記数３，４の演算の実行により、Ｙ方向磁気検出信号の極大値Ｈｙと、Ｙ方向磁気検出信号の参照信号に対する位相シフト量θｙとを計算する。

（数３）
Ｈｙ＝(Ｓy1²＋Ｓy2²)^1/2

（数４）
θｙ＝tan^-1(Ｓy2/Ｓy1)
これにより、Ｙ方向磁気検出信号としてＨｙ・sin(２πｆｔ＋θｙ)が検出されたことになる。

次に、コントローラ５０は、ステップＳ５５にて、前記計算したＨｘ，θｘ，Ｈｙ，θｙを用いた下記数５，６の演算の実行により、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎの発光量が最大となるタイミング（前記Ｘ方向磁気検出信号Ｈｘ・sin(２πｆｔ＋θｘ)及び前記Ｙ方向磁気検出信号Ｈｙ・sin(２πｆｔ＋θｙ)における２πｆｔがπ／２のタイミング）における、検査位置の磁界の強さＨxy及び磁界の向きθxyを計算する。この場合、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎの発光量が最大となるタイミングを採用した理由は、位相シフト量θｘ，θｙは小さく、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎの発光量が最大となるタイミング近傍で検査位置の磁界の強さＨxyが最大値近傍の値になるためである。なお、位相シフト量θｘ，θｙが小さくなく、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎの発光量が最大となるタイミング近傍で検査位置の磁界の強さＨxyが最大値近傍にならない場合には、磁界の強さＨxyが最大値近傍になるようなタイミングの角度をπ／２に代えて用いればよい。

（数５）
Ｈxy＝[{Ｈｘ・sin(π/２+θx)}²＋{Ｈｙ・sin(π/２+θｙ)}²]^1/2

（数６）
θxy＝tan^-1{Ｈｙ・sin(π/２+θｙ)}/{Ｈｘ・sin(π/２+θx)}

次に、コントローラ５０は、ステップＳ５６にて、太陽電池セルＳＣに流れる面電流は前記磁界の強さＨxyに比例し、かつ方向が磁界の方向θxyと−π／２異なることから、前記計算したＨxy，θxyを用いた下記数７，８の演算の実行により、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎの発光量が最大となるタイミングにおける、太陽電池セルＳＣの検査位置に流れる面電流の大きさＩxy及び方向θixyを計算する。ただし、値Ｋは、比例定数である。

（数７）
Ｉxy＝Ｋ・Ｈxy

（数８）
θixy＝θixy−π／２
そして、このステップＳ５６にて、前記計算された面電流の大きさＩxy及び方向θixyは、太陽電池セルＳＣの検査位置を表す変数ｍ，ｎを用いて面電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ)及び方向データθixy(ｎ，ｍ)としてＲＡＭ又は記憶装置に記憶される。

前記ステップＳ５６の処理後、コントローラ５０は、ステップＳ５７，Ｓ５８の判定処理を実行する。ステップＳ５７においては、前記計算した面電流の大きさＩxyと面電流の大きさの基準値Ｉref(ｎ，ｍ)との差の絶対値｜Ｉxy−Ｉref(ｎ，ｍ)｜が、比較値３・DEVi(ｎ，ｍ)以上であるか否かを判定する。ステップＳ５８においては、前記計算した面電流の向きθixyと面電流の向きの基準値θref(ｎ，ｍ)との差の絶対値｜θixy−θref(ｎ，ｍ)｜が、比較値３・DEVθ(ｎ，ｍ)以上であるか否かを判定する。

この場合、基準値Ｉref(ｎ，ｍ)，θref(ｎ，ｍ)及び比較値３・DEVi(ｎ，ｍ)，３・DEVθ(ｎ，ｍ)は、次のような方法で事前に用意されて記憶装置に予め記憶されているデータである。まず、良品である複数の太陽電池セルＳＣに係るサンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)，Ｓx2(ｎ,ｍ)，Ｓy1(ｎ,ｍ)，Ｓy2(ｎ,ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）を図５に示すようなデータ取得プログラムで取得する。そして、上述した図６の評価プログラムのステップＳ５２〜Ｓ５６と同様な処理により、検査位置ごとの面電流の大きさＩxy(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）及び方向θixy(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）を計算して記憶装置に記憶しておく。さらに、検査位置ごとに、前記複数の太陽電池セルＳＣの電流の大きさＩxy(ｎ，ｍ)及び方向θixy(ｎ，ｍ)の平均値を計算して、これらの計算した平均値を基準値Ｉref(ｎ，ｍ)，θref(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）として記憶装置に記憶しておく。また、検査位置ごとに、前記複数の太陽電池セルＳＣの電流の大きさＩxy(ｎ，ｍ)及び方向θixy(ｎ，ｍ)の標準偏差DEVi(ｎ，ｍ)，DEVθ(ｎ，ｍ)を計算して、計算した標準偏差DEVi(ｎ，ｍ)，DEVθ(ｎ，ｍ)を３倍した値を比較値３・DEVi(ｎ，ｍ)，３・DEVθ(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）として記憶装置に記憶しておく。したがって、前記ステップＳ５７，Ｓ５８の判定は、検査対象の太陽電池セルＳＣの検査位置の面電流の大きさＩxy及び方向θxyが、良品である太陽電池セルＳＣの前記検査位置と同一位置の面電流の大きさ及び方向よりも許容値以上に大きく異なっているか否かを判定するものである。

ふたたびステップＳ５７，Ｓ５８の処理の説明に戻ると、前記絶対値｜Ｉxy−Ｉref(ｎ，ｍ)｜が比較値３・DEVi(ｎ，ｍ)未満であり、かつ前記絶対値｜θixy−θref(ｎ，ｍ)｜が比較値３・DEVθ(ｎ，ｍ)未満であれば、コントローラ５０は、ステップＳ５７，Ｓ５８にて共に「Ｎｏ」と判定し、ステップＳ６０に進む。一方、前記絶対値｜Ｉxy−Ｉref(ｎ，ｍ)｜が比較値３・DEVi(ｎ，ｍ)以上であれば、コントローラ５０は、ステップＳ５７にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ５９に進む。また、前記絶対値｜θixy−θref(ｎ，ｍ)｜が比較値３・DEVθ(ｎ，ｍ)以上であれば、コントローラ５０は、ステップＳ５８にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ５９に進む。ステップＳ５９においては、コントローラ５０は、検査位置を特定する変数ｎ，ｍにより指定されるエラーデータＥ(ｎ，ｍ)を異常を表す“１”に設定する。なお、エラーデータＥ(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）は、初期の状態では全て“０”に設定されている。このステップＳ５９の処理後、ステップＳ６０に進む。

コントローラ５０は、ステップＳ６０にて変数ｎに「１」を加算し、ステップＳ６１にて変数ｎがＸ軸方向の検出位置数を表す値Ｎよりも大きい否かを判定する。変数ｎが値Ｎ以下であれば、コントローラ５０は、ステップＳ６１にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ５２に戻って前述したステップＳ５２〜Ｓ６０の処理を繰り返し実行する。このようなステップＳ５２〜Ｓ６１の繰り返し処理中、変数ｎが値Ｎよりも大きくなると、コントローラ５０は、ステップＳ６１にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ６２にてＹ軸方向の検査位置を規定する変数ｍに「１」を加算して、ステップＳ６３にて変数ｍがＹ軸方向の検出位置数を表す値Ｍよりも大きい否かを判定する。変数ｍが値Ｍ以下であれば、コントローラ５０は、ステップＳ６３にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ６４にて変数ｎを初期値「１」に戻した後、前述したステップＳ５２〜Ｓ６４の処理を繰り返し実行する。このようなステップＳ５２〜Ｓ６４の繰り返し処理中、変数ｍが値Ｍよりも大きくなると、コントローラ５０は、ステップＳ６３にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ６５に進む。

この時点では、太陽電池セルＳＣの検査位置ごとに、面電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ)及び方向データθixy(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）が、ＲＡＭ又は記憶装置に記憶されている。また、前記検査位置の異常の有無を表すエラーデータＥ(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）も、ＲＡＭ又は記憶装置に記憶されている。

ステップＳ６５においては、コントローラ５０は、前記面電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ)及び方向データθixy(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）から表示用画像データを生成して、表示装置５２に画像データによって表された画像を表示する。この画像は、図８に示すように、太陽電池セルＳＣの検査位置ごとに、面電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ)に応じて明度、色彩などを異ならせて表示するとともに、面電流の方向データθixy(ｎ，ｍ)によって示された方向を示す矢印を表示するものである。

前記ステップＳ６５の処理後、コントローラ５０は、ステップＳ６６にて、エラーデータ(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）の中に“１”を示すエラーデータが存在するかを調べる。“１”を示すエラーデータが存在しなければ、コントローラ５０は、ステップＳ６６にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ６７にて表示装置５２に「合格」を表示し、ステップＳ７０にてこの評価プログラムの実行を終了する。一方、“１”を示すエラーデータが存在すると、コントローラ５０は、ステップＳ６６にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ６８にて表示装置５２に「不合格」を表示し、ステップＳ６９にてエラーデータＥ（ｎ，ｍ）が“１”である変数ｎ，ｍを取り出し、前記ステップＳ６５の処理によって表示した画像中の変数ｎ，ｍによって指定される位置に欠陥を表すマーク、色彩などを表示する。

上記のように動作する実施形態においては、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎによる光照射によって発電された電力に起因して太陽電池セルＳＣに流れる面電流によって発生される磁界の強さＨxy及び方向θxyを、磁気センサ３２−１，３２−２・・・３２−Ｎ、センサ信号取出回路４５−１，４５−２・・・４５−Ｎ、ロックインアンプ４８、コントローラ５０のステップＳ１０〜Ｓ３２，Ｓ５０〜Ｓ５５，Ｓ６０〜Ｓ６３の処理などにより検出した。そして、コントローラ５０のステップＳ５６の処理によって前記磁界の強さＨxy及び方向θxyを用いて太陽電池セルＳＣに流れる面電流の大きさＩxy及び方向θixyを検出し、コントローラ５０のステップＳ５７〜Ｓ５９，Ｓ６６〜Ｓ６９の処理により、太陽電池セルＳＣの欠陥を検出するとともに、欠陥位置を表示するようにした。このような太陽電池セルＳＣの検査装置においては、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎと磁気センサ３２−１，３２−２・・・３２−Ｎという簡単な装置を用いて太陽電池セルＳＣの欠陥を検出できるので、太陽電池セル検査装置の製造コストを低額に抑えることができる。

また、前記磁界の検出においては、複数の発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎにおける光強度変化の周期を発光制御信号に応じて異ならせ、ロックインアンプ４８により、それぞれの周期と等しい周期で変化する磁界の強度を検出するようにした。したがって、太陽電池セルＳＣの部分ごとの検査を短時間で行うことができる。また、ロックインアンプ４８は、発光信号供給回路４３−１，４３−２・・・４３−Ｎから出力される発光制御信号に同期した参照信号を用いて、前記発光制御信号に応じて強度が変化する磁界を検出する。したがって、このような所定周期で強度が変化する光を用いることにより、太陽電池セル検査装置が置かれた場所に外乱光を除外する設備を設けなくても、外乱光の影響を除外することができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の実施にあたっては、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を逸脱しない限りにおいて種々の変形も可能である。

上記実施形態では、図６のステップＳ５７，Ｓ５８の両判定処理により、面電流の大きさＩxy及び方向θixyの異常を判定することにより、太陽電池セルＳＣの欠陥を見つけるようにした。しかし、前記ステップＳ５７，Ｓ５８の一方の処理を省略して、面電流の大きさＩxy又は面電流の方向θixyの異常を判定することにより、太陽電池セルＳＣの欠陥を見つけるようにしてもよい。

また、上記実施形態では、図６のステップＳ５６の処理によって面電流の大きさＩxy及び方向θixyを計算し、ステップＳ５７，Ｓ５８の判定処理によって面電流の大きさＩxy及び方向θixyを用いて太陽電池セルＳＣの欠陥を見つけるようにした。しかし、面電流の大きさＩxyはステップＳ５５の処理によって計算される磁界の大きさＨxyに比例しており、面電流の方向θixyはステップＳ５５の処理によって計算される磁界の方向θxyとπ／２異なるだけである。したがって、ステップＳ５６の処理を省略して、ステップＳ５７，Ｓ５８にてステップＳ５５で検出した磁界の大きさＨxy及び方向θxyを用いて太陽電池セルＳＣの欠陥を見つけるようにしてもよい。

この場合には、面電流に関する基準値Ｉref(ｎ，ｍ)，θref(ｎ，ｍ)及び比較値３・DEVi(ｎ，ｍ)，３・DEVθ(ｎ，ｍ)に代えて、磁界に関する基準値Ｈref(ｎ，ｍ)，θref(ｎ，ｍ)及び比較値３・DEVh(ｎ，ｍ)，３・DEVθ(ｎ，ｍ)を用いればよい。そして、この場合にも、良品である複数の太陽電池セルＳＣに係るサンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)，Ｓx2(ｎ,ｍ)，Ｓy1(ｎ,ｍ)，Ｓy2(ｎ,ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）を図５Ａ及び図５Ｂに示すようなデータ取得プログラムで取得して、図６の評価プログラムのステップＳ５２〜Ｓ５５と同様な処理により、検査位置ごとの磁界の大きさＨxy(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）及び方向θxy(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）を計算して記憶装置に記憶しておく。そして、上記実施形態の場合と同様にして、平均値及び標準偏差の計算により基準値Ｈref(ｎ，ｍ)，θref(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）及び比較値３・DEVh(ｎ，ｍ)，３・DEVθ(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）を用意すればよい。また、この場合にも、面電流の場合と同様に、磁界の大きさＨxy及び磁界の方向θxyの一方のみの異常を判定することにより、太陽電池セルＳＣの欠陥を見つけるようにしてもよい。

また、上記実施形態においては、図６のステップＳ５７，Ｓ５８の処理によって太陽電池セルＳＣの欠陥を判定するとともに、ステップＳ６６〜Ｓ６９の処理によって前記判定結果を表示するようにした。しかし、これらの処理を省略して、ステップＳ６５の処理によって表示装置５２に表示された面電流の大きさＩxy(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）及び方向θixy(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）に従って、作業者の判断により太陽電池セルＳＣの欠陥を判定させるようにしてもよい。すなわち、作業者は、面電流の大きさＩxy(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）に応じた明度、色彩の異常等、さらには面電流の方向θixy(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）に応じた矢印の向きの異常により、太陽電池セルＳＣの欠陥を判定するようにしてもよい。

また、この場合、上記実施形態の図６のステップＳ５７，Ｓ５８で用いた面電流の大きさの基準値Ｉref(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）及び面電流の向きの基準値θref(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）を用いて、良品の太陽電池セルＳＣの面電流の大きさ及び向きを、ステップＳ６５による検査対象である太陽電池セルＳＣの面電流の大きさ及び向きの表示と共に表示装置５２に表示して、作業者に両者の比較により検査対象である太陽電池セルＳＣの欠陥を判断させるようにするとよい。

また、この場合も、太陽電池セルＳＣの面電流の大きさ及び向きのうちの一方、すなわち面電流の大きさ又は面電流の向きの表示のみにより、作業者に太陽電池セルＳＣの異常の判断をさせるようにしてもよい。さらに、この場合も、前述のように、面電流に代えて、磁界の大きさ及び／又は向きを表示装置５２に表示させて、作業者に磁界に基づいて太陽電池セルＳＣの欠陥を判断させるようにしてもよい。

また、上記実施形態においては、太陽電池セルＳＣを載置したステージ１０をＹ軸方向に移動することにより、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎ及び磁気センサ３２−１，３２−２・・・３２−Ｎを太陽電池セルＳＣに対して相対的にＹ軸方向に移動させて、太陽電池セルＳＣの表面をＹ軸方向に走査しながら、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎの光照射によって発生される磁界を検出するようにした。しかし、ステージ１０をＹ軸方向に移動することに代えて、ステージ１０すなわち太陽電池セルＳＣを固定して、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎ及び磁気センサ３２−１，３２−２・・・３２−ＮをＹ軸方向に移動させて、太陽電池セルＳＣの表面をＹ軸方向に走査しながら、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎの光照射によって発生される磁界を検出するようにしてもよい。

また、磁気センサを一つだけ用いて、磁気センサの太陽電池セルＳＣに対する相対位置を固定したまま、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎによる光照射位置のみを太陽電池セルＳＣに対してＹ軸方向に相対的に移動させて、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎの光照射によって発生される磁界を検出するようにしてもよい。この場合、太陽電池セルＳＣを載置したステージ１０及び一つの磁気センサを固定して、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−ＮをＹ軸方向に移動させればよい。また、逆に、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎを固定して、太陽電池セルＳＣを載置したステージ１０及び一つの磁気センサをＹ軸方向に移動させてもよい。また、この場合には、センサ信号取出回路も一つだけ設けるとともに、信号選択回路４７を省略して、前記一つのセンサ取出回路の出力が常にロックインアンプ４８に供給されることになる。なお、この場合も、一つの磁気センサは、太陽電池セルＳＣの表面位置に対向している。また、この場合も、変数ｎによる信号選択回路４６による信号選択は実行される。これによれば、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎによる光照射位置と、前記光照射による太陽電池セルＳＣの発電に伴って太陽電池セルＳＣを流れる電流によって発生される磁界の位置との相対的位置が、光照射位置ごとに異なるので、検出される磁界の大きさと向きは上記実施形態とは異なるものとなる。しかし、図６のステップＳ５７〜Ｓ５９の評価処理に利用される基準値及び標準偏差を、この変形例による発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎの光照射及び磁気センサによる磁界の検出の場合と同じ方法で取得すれば、この変形例による場合も、良品である太陽電池セルＳＣとの比較になるので、太陽電池セルＳＣの欠陥の検出は可能である。

また、表示装置５２に電流（又は磁界）の大きさ及び／又は向きを表示して、作業者が太陽電池セルＳＣの欠陥を判断する場合にも、前記変形例による方法を適用できる。特に、作業者が表示装置５２の表示に、上述のように、検査対象となる太陽電池セルＳＣの電流（又は磁界）の大きさ及び／又は向きと、良品である電流（又は磁界）の大きさ及び／又は向き（すなわち基準値）とを並行して表示するようにすれば、作業者は太陽電池セルＳＣの異常を簡単かつ確実に判断できる。

さらに、図７に示すように、一つの磁気センサ３２を太陽電池セルＳＣと抵抗Ｒcsとを接続する導線Ｌ１（又は導線Ｌ２）に対向させて固定配置し、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎによる光照射位置のみを太陽電池セルＳＣに対してＹ軸方向に相対的に移動させて、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎの光照射によって発生される磁界を検出するようにしてもよい。この場合も、太陽電池セルＳＣを載置したステージ１０を固定して、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−ＮをＹ軸方向に移動させてもよいし、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎを固定して、太陽電池セルＳＣを載置したステージ１０をＹ軸方向に移動させてもよい。また、この場合も、センサ信号取出回路を一つだけ設けるとともに、信号選択回路４７を省略して、前記一つのセンサ取出回路の出力が常にロックインアンプ４８に供給されることになる。さらに、この場合も、変数ｎによる信号選択回路４６による信号選択は実行される。

ただし、この場合には、太陽電池セルＳＣの発電による電流の向きはＹ軸方向のみであり、磁界はＸ軸方向のみに発生することになる。したがって、この変形例では、図６のステップＳ５４の処理を省略し、ステップＳ５３で上記数１，２の演算に基づくＸ方向磁気検出信号の極大値Ｈｘと、Ｘ方向磁気検出信号の参照信号に対する位相シフト量θｘとによって定義されるＸ方向磁気検出信号Ｈｘ・sin(２πｆｔ＋θｘ)を用いて最終的な磁気の強さＨxyをステップＳ５５で計算することになる。この場合も、上記実施形態と同様に、値２πｆｔにπ／２を代入して磁界の強さＨxyを計算する。なお、磁界の向きは常に一定であるので、計算する必要はない。したがって、この場合は、太陽電池セルＳＣの欠陥が、磁界の強さＨxy又はステップＳ５６で計算される電流の大きさＩxyのみを用いて、ステップＳ５７〜Ｓ５９，Ｓ６６〜Ｓ６９からなる評価処理、又はステップＳ６５の画像表示（又は基準値に関する画像表示も含めて）を用いた作業者の判断によって検査されることになる。

また、上記実施形態及び変形例では、発光素子３１−１，３１−２・・・３１−Ｎ及び磁気センサ３２−１，３２−２・・・３２−ＮをＸ軸方向に沿って一列だけ設けた。しかし、これに代えて、発光素子及び磁気センサの数を増して、発光素子及び磁気センサをＹ軸方向に２列、３列等の複数列設けるようにしてもよい。この場合、発光素子及び磁気センサを太陽電池セルＳＣに対して相対的にＹ軸方向に移動させる際には、Ｙ軸方向に２列、３列等の複数列分ずつ移動させるようにすればよい。なお、この場合も、複数の発光素子に対応した発光制御信号及び参照信号の周波数をそれぞれ異なるようにする。これによれば、より短時間で、太陽電池セルＳＣの欠陥を検査できるようになる。

また、発光素子及び磁気センサの数をさらに増して、太陽電池セルＳＣの表面全体にわたって発光素子及び磁気センサを設けて、発光素子及び磁気センサを太陽電池セルＳＣに対して相対的にＹ軸方向に移動させないようにしてもよい。この場合も、複数の発光素子に対応した発光制御信号及び参照信号の周波数をそれぞれ異なるようにする。これによれば、さらに短時間で、太陽電池セルＳＣの欠陥を検査できるようになる。

また、逆に、発光素子及び磁気センサの数を減らし、太陽電池セルＳＣのＸ軸方向の検査範囲を満たさない数の発光素子及び磁気センサを設けるようにしてもよい。この場合、発光素子及び磁気センサを太陽電池セルＳＣに対してＸ軸方向にも相対的に移動させる必要がある。さらに、前記のような太陽電池セルＳＣのＸ軸方向の検査範囲を満たさない数の発光素子及び磁気センサを設けた場合も、Ｙ軸方向に複数列の発光素子及び磁気センサを設けるようにしてもよい。この場合も、発光素子及び磁気センサを太陽電池セルＳＣに対してＸ軸方向及びＹ軸方向の両方向に相対的に移動させる必要がある。

また、このように上記実施形態の場合よりも多い発光素子又は上記実施形態の場合よりも少ない発光素子を利用する場合でも、前記変形例のように、一つの磁気センサを太陽電池セルＳＣに対向させて配置したり、導線Ｌ１（又は導線Ｌ２）に対向させて配置させるようにしてもよい。

また、上記実施形態では、磁気センサとして磁気抵抗素子（ＭＲ素子）を利用したが、これに代えて、ホール素子、磁気インピーダンス素子効果センサ、フラックスゲート、超伝導量子干渉素子などを利用するようにしてもよい。

さらに、上記実施形態においては、太陽電池セルＳＣの欠陥を検出するようにした。しかし、本発明は、複数の太陽電池セルを１セットとして有する太陽電池パネルに適用して、太陽電池パネル内の太陽電池セルの欠陥を検出できるものでもある。

ＳＣ…太陽電池セル、１０…ステージ、２０…Ｘ方向スライド機構、２４…Ｘ方向モータ、３１−１，３１−２・・・３２−Ｎ…発光素子、３２，３２−１，３２−２・・・３２−Ｎ…磁気センサ、４１…Ｘ方向位置検出回路、４２…Ｘ方向フィードモータ制御回路、４３−１，４３−２・・・４３−Ｎ…発光信号給回路、４４−１，４４−２・・・４４−Ｎ…発光素子駆動回路、４５−１，４５−２・・・４５−Ｎ…センサ信号取出回路、４６，４７…信号選択回路、４８…ロックインアンプ、５０…コントローラ、５１…入力装置、５２…表示装置

Claims (6)

1. 電極間に導線を介して抵抗を接続した状態の太陽電池セルの表面に複数の発光素子からの光を照射する光照射手段と、
   前記光照射手段による光の照射によって前記太陽電池セルに電流が流れることにより発生する磁界を検出する磁界検出手段と、
   異なる周波数で時間変化する駆動制御信号で前記複数の発光素子をそれぞれ駆動して、前記各発光素子ごとに異なる周波数で強度が変化する光で前記太陽電池セルを照射させる発光制御手段と、
   前記駆動制御信号の異なる周波数ごとに、前記磁界強度検出手段によって検出された磁界に含まれていて前記周波数で変化する信号成分を取出す信号成分取出手段と
   を備えたことを特徴とする太陽電池セル検査装置。
2. 請求項１に記載した太陽電池セル検査装置において、さらに、
   前記信号成分取出手段によって取出された磁界の信号成分に関する情報を、前記光照射手段による光の照射位置に対応させて表示する表示手段を設けたことを特徴とする太陽電池セル検査装置。
3. 請求項１又は２に記載した太陽電池セル検査装置において、さらに、
   前記信号成分取出手段によって取出された磁界の信号成分に関する情報と、予め用意した基準情報とを比較して、前記太陽電池セルの欠陥を判定する判定手段を設けたことを特徴とする太陽電池セル検査装置。
4. 請求項１乃至３のうちのいずれか一つに記載した太陽電池セル検査装置において、
   前記磁界検出手段を、前記太陽電池セルを挟んで前記複数の発光素子によって光がそれぞれ照射される位置の反対側に対向して配置された複数の磁気センサで構成したことを特徴とする太陽電池セル検査装置。
5. 請求項１乃至３のうちのいずれか一つに記載した太陽電池セル検査装置において、
   前記磁界検出手段を、前記太陽電池セルを挟んで前記複数の発光素子によって光が照射される面と反対側の面に対向して、前記太陽電池セルに対して固定した位置に配置された一つの磁気センサで構成したことを特徴とする太陽電池セル検査装置。
6. 請求項１乃至３のうちのいずれか一つに記載した太陽電池セル検査装置において、
   前記磁界検出手段を、前記導線に対向して配置された一つの磁気センサで構成したことを特徴とする太陽電池セル検査装置。

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