JP7157423B2 - 容量検出エリアセンサ及び、その容量検出エリアセンサを有する導電パターン検査装置 - Google Patents
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Description
また、2点の検査位置による検出では、欠陥の有無は検出できるが、パターン途中にある欠陥箇所の位置は特定できない。このため、光学系の観察機器又は撮像機器が搭載された回路検査装置であれば、例えば、欠陥を有していると判定された導電パターンを拡大表示して、作業者の目視で欠陥箇所まで導電パターンを追跡しなければならない。欠陥箇所の検出に要する時間においても作業者の能力や経験度の違いなど人的な要因が大きいため、作業効率を改善することは容易ではない。
水平シフトレジスタ(HSR)44によって、サンプルホールド回路19から読み出されたセンサ出力信号は、前述した第1信号増幅部28及び第2信号増幅部29に出力される。さらに、第1信号増幅部28及び第2信号増幅部29により増幅された第1信号及び第2信号の差分信号は、図3に示した差分信号生成回路13で生成される。差分信号は、画像処理回路14により画像信号に変換される。
図10は、容量検出エリアセンサを搭載する導電パターン検査装置の概念的な構成を示す図である。図11は、判定基準に用いる正常な導電パターン情報に基づく、導電パターン画像の一例を示す図である。図12は、検査対象となった導電パターン画像であり、画像マッチングによる欠陥の有無及び欠陥位置の検出に関して説明するための図である。
制御部64は、装置全体を制御して検査に必要な指示や演算処理を行う、例えば、パーソナルコンピュータやCPU(中央演算処理部)等が用いられる。
制御部64は、図示しない基板搬送機構を用いて、回路基板を検査装置の検査テーブルの基板装着位置に配置する(ステップS21)。次に、制御部64は、回路基板における基準位置マーク又は導電パターンの一部で予め定めた箇所を基準位置として定めた後、基準位置を座標原点(x=0,y=0)として、座標設定を行う(ステップS22)。この時、制御部64は、エリアセンサ80を導電パターンに近接させるために、検査テーブル面又は回路基板の導電パターン形成面を高さ方向(Z方向)における座標原点(z=0)の基準も設定する。
次に、容量検出エリアセンサを利用した細胞サイズ検出装置について説明する。
図14は、容量検出エリアセンサを搭載する細胞サイズ検出装置300の概念的な構成を示す図である。図15A,15Bは、細胞サイズ検出装置300における細胞のサイズを検出する動作について説明するための概念図である。図16Aは、エリアセンサ上に存在する細胞を概念的に示す図、図16Bは、図16Aを画像化して、表示画面に表示された細胞画像を概念的に示す図である。尚、図14に示す構成部位について、前述した第1の実施形態の構成部位と同等の機能又は作用する構成部位には、同じ参照符号を付して、その詳細な説明は省略する。
次に、容量検出エリアセンサを利用した抗原捕捉検出装置について説明する。
Claims (6)
- 電荷を有する検出対象物と対向することで前記検出対象物と容量結合して容量変化に従う電荷を検出するセンサ電極と、該センサ電極の電荷を蓄電する蓄電素子と、導通することによって前記蓄電素子に蓄電される電荷をリセットするリセット素子とを含む複数の容量センサ素子を、2次元アレイ状に配置する容量検出エリアセンサ回路と、
前記容量センサ素子を行毎又は列毎に順次、選択するセンサ素子選択回路と、
前記検出対象物の電位が第1電位であるときに、前記センサ素子選択回路によって選択された前記容量センサ素子の前記蓄電素子に蓄電された第1電荷に基づく第1信号を前記蓄電素子から取得し、前記検出対象物の電位が第2電位であるときに、前記センサ素子選択回路によって選択された前記容量センサ素子の前記蓄電素子に蓄電された第2電荷に基づく第2信号を前記蓄電素子から取得する読み出し回路と、
同一の前記蓄電素子からの前記第1信号と前記第2信号の差分をとり、差分信号を生成する差分信号生成回路と、
前記差分信号生成回路からの前記差分信号のレベルに基づいた2色以上の色又は2つ以上の階調を有する、前記センサ電極が対向している前記検出対象物の形状を示す画像を生成する画像処理回路と、
前期検出対象物の電位が第1電位であるときに前記リセット素子を導通に設定して前記蓄電素子に蓄電される電荷がリセットされた後で前記リセット素子を非導通に設定して前記読み出し回路に前記第1信号を取得させ、前記第1信号が取得されてから予め設定した期間の経過後に前記読み出し回路に前記第2信号を取得させるように制御する制御部と、
を備える容量検出エリアセンサ。 - それぞれの前記センサ電極の周囲を囲んでそれぞれの前記センサ電極と離間するとともに前記検出対象物と対向するように配置され、検査信号電源に接続されたシールド電極をさらに具備し、
前記シールド電極には、前記検査信号電源によって前記第1電位又は前記第2電位が印加される、請求項1に記載の容量検出エリアセンサ。 - 基板上に形成される検査対象の少なくとも1つの導電パターンのそれぞれに接触するプローブに接続され、前記プローブを介してそれぞれの前記導電パターンに電位差を有する第1電位と第2電位の検査信号を供給する検査信号供給部と、
前記導電パターンと対向することで前記導電パターンと容量結合して容量変化に従う電荷を検出するセンサ電極を有し、前記導電パターンへ給電する前記検査信号の第1電位時と第2電位時のタイミングで前記センサ電極から第1のセンサ出力信号と第2のセンサ出力信号を取得する容量センサ素子を、2次元アレイ状に配置する容量検出エリアセンサと、
前記容量検出エリアセンサを保持し、前記導電パターンの検査対象領域に前記容量検出エリアセンサの前記センサ電極を移動し、前記センサ電極を前記導電パターンに近接するセンサ移動機構と、
前記容量検出エリアセンサから取得した同一の前記容量センサ素子についての前記第1のセンサ出力信号と前記第2のセンサ出力信号から差分を取り、差分信号を生成する差分信号生成回路を搭載する制御部と、
前記制御部から出力された前記差分信号の値により異なる色又は異なる階調の画像を割り当て、それぞれの前記センサ電極が対向している前記導電パターンの形状を示す検査導電パターン画像を生成する画像処理部と、
予め設定された前記導電パターンの比較基準となる基準導電パターン画像と、前記画像処理部により生成された前記検査導電パターン画像とを比較して、差異による不良箇所を判定する比較判定部と、
を備える、導電パターン検査装置。 - それぞれの前記センサ電極の前記導電パターンと対向する表面に、絶縁性を有する薄膜からなる保護膜が形成されている、請求項3に記載の導電パターン検査装置。
- 請求項1に記載の前記容量検出エリアセンサを備える装置であって、
前記センサ電極は、固有の容量を有する少なくとも1つの検出対象物が混入された電解液を介して外部電極と対向するように配置され、
前記外部電極には前記第1電位又は前記第2電位が与えられる、
容量検出エリアセンサ装置。 - 前記検出対象物は、前記センサ電極の上に積層して形成された、定着層、架橋剤及びアプタマーと、前記電解液に混入された固有の容量を有する少なくとも1つの抗原とを含む、請求項5に記載の容量検出エリアセンサ装置。
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