TWI649582B - 放射線檢測元件基板、放射線檢測元件基板的檢查裝置、放射線檢測元件基板的檢查方法 - Google Patents

Abstract

本發明的目的在於提供一種放射線檢測元件基板、放射線檢測元件基板的檢查裝置、及放射線檢測元件基板的檢查方法，無須對1個畫素中具有1個電晶體的放射線檢測元件基板的檢查用的檢查裝置進行大的追加變更，便可進行1個控制焊墊中具有多個通道的端子的放射線檢測元件基板的檢查。將控制配線M延長至安裝基板更外側的區域為止並相互接線，並且設置有檢查用控制焊墊，該檢查用控制焊墊是亦自第1控制端子延長控制配線並設有檢查用第1控制端子。並且，對使控制配線相互接線的接線端子統一施加閘極斷開電壓以進行檢查。

Description

放射線檢測元件基板、放射線檢測元件基板的檢查 裝置、放射線檢測元件基板的檢查方法

本發明是有關於一種放射線檢測元件基板、放射線檢測元件基板的檢查裝置、及放射線檢測元件基板的檢查方法。

近年來，平板探測器(Flat Panel Detector，FPD)等放射線檢測器(有時稱作「電子暗盒(cassette)」等)已得到實用化，所述平板探測器是在薄膜電晶體(Thin Film Transistor，TFT)主動矩陣(active matrix)基板(以下簡稱作TFT基板，但有時將被用於放射線檢測器的TFT基板特別稱作放射線檢測元件基板)上配置放射線感應層，可將放射線量轉換為數位資料(digital data)(電氣信號)。而且，使用該放射線檢測器來對由所照射的放射線量所表現的放射線影像進行攝影的放射線影像攝影裝置亦得到實用化。

而且，在如上所述的被用於電子暗盒的TFT基板中，藉 由在畫素內連接多個電晶體而實現高功能化的做法正在推廣。

例如，在日本專利特開2012-130656號公報(專利文獻1)中，除了以往的進行每1個畫素的讀出的1×1讀出以外，還可實現2×2讀出，所述2×2讀出是指將2×2的4個畫素匯總讀出為類比(analog)值。

而且，在日本專利特開2013-033945號公報(專利文獻2)中，分別設置讀出用的電晶體與重設(reset)用電晶體，從而實現重設的高速化。

另一方面，在被用於可攜式(portable)用途的電子暗盒中，正推進窄邊緣化，亦開發出將多個電晶體連接於1個閘極焊墊(gate pad)(以下稱作控制焊墊)的技術。該技術中，可在1個控制焊墊上鄰接地排列多個通道(channel)(功能)的端子，從而可根據使用用途來分開使用進行動作的通道(功能)。

TFT基板的檢查裝置多沿用液晶用TFT的檢查裝置，但液晶用TFT一般採用1個畫素中具有1個電晶體(開關(switching)元件)的結構。在如專利文獻1、專利文獻2般相對於1個畫素具有多個電晶體的TFT基板中，在如上所述般1個控制焊墊中具有多個通道的端子的情況下，在檢查時必須對每個通道進行高度的控制。在一般的檢查裝置中，未曾設想過此種高度的控制，因此為了使高度的控制成為可能，檢查裝置的改造需要巨額的費用。

本發明是考慮所述事實而完成，其目的在於提供一種放射線檢測元件基板、放射線檢測元件基板的檢查裝置、及放射線檢測元件基板的檢查方法，無須對1個畫素中具有1個開關元件的放射線檢測元件基板的導通檢查用的檢查裝置進行大的追加變更，便可進行1個控制焊墊中具有多個通道的端子的放射線檢測元件基板的檢查。

為了達成所述目的，本發明的放射線檢測元件基板包括：第1區域，所述第1區域包含多個第1開關元件、1個以上的第2開關元件、第1控制端子、第2控制端子及信號端子，所述多個第1開關元件是對應於多個畫素中的每1個畫素而設置，用於讀出對應於放射線而產生的電荷，所述1個以上的第2開關元件是對應於多個畫素中的1個以上的畫素而設置，且用途不同於第1開關元件的用途，所述第1控制端子經由與第1開關元件的控制端連接的第1控制用配線而連接於第1開關元件，所述第2控制端子是與第1控制端子並行排列，並且經由與第2開關元件的控制端連接的第2控制用配線而連接於第2開關元件，所述信號端子經由與第1開關元件的輸出端連接的信號配線而連接於第1開關元件；以及第2區域，所述第2區域包含連接於第2控制端子的檢查用連接配線部、及連接於第1控制端子的檢查用第1控制端子，且設置在與第1區域鄰接且在檢查結束後被去除的部分。

根據本發明的放射線檢測元件基板，相對於具備第1區 域的放射線檢測元件基板，而在設置於與第1區域鄰接且在檢查結束後被去除的部分的第2區域中，設置有連接於第2控制端子的檢查用連接配線部、及連接於第1控制端子的檢查用第1控制端子，所述第1區域包含多個第1開關元件、1個以上的第2開關元件、第1控制端子、第2控制端子及信號端子，所述多個第1開關元件用於讀出對應於放射線而產生的與1個畫素對應的電荷，所述1個以上的第2開關元件是對應於多個畫素中的1個以上的畫素而設置，且用途不同於第1開關元件的用途，所述第1控制端子經由與第1開關元件的控制端連接的第1控制用配線而連接於第1開關元件，所述第2控制端子是與第1控制端子並行排列，並且經由與第2開關元件的控制端連接的第2控制用配線而連接於第2開關元件，所述信號端子經由與第1開關元件的輸出端連接的信號配線而連接於第1開關元件。

藉由如此般在設置於與第1區域鄰接且在檢查結束後被去除的部分的第2區域中，設置檢查用連接配線部及檢查用第1控制端子，從而在基板的功能檢查時對檢查用連接配線部施加使第2開關元件斷開的電壓，藉此，可使用以往的檢查裝置來進行1個控制焊墊中具有多個通道的端子的放射線檢測元件基板的檢查。

再者，第2區域亦可與第1控制端子及第2控制端子側的第1區域鄰接地設置，並且更包括連接於檢查用連接配線部的接線端子。此時，接線端子亦可以與第1控制端子及第2控制端 子並行排列的方式而配置。

而且，作為第2開關元件，既可適用用於解析度轉換的開關元件，亦可適用用於重設電荷的開關元件，還可適用用於蓄積電荷的開關元件。

而且，在進行檢查時，對檢查用連接配線部施加使第2開關元件斷開的電壓，藉此可使第2開關元件無效化，從而可利用以往的檢查裝置來進行檢查。

而且，第2區域亦可與第1控制端子及第2控制端子側的第1區域鄰接地設置，並且該第2區域更包括：接線端子，連接於檢查用連接配線部；檢查用第2控制端子，連接於第2控制端子；以及第3開關元件，被設置在接線端子與檢查用第2控制端子之間，藉由對接線端子施加的電壓來使第2開關元件斷開。

第2區域亦可與第1控制端子及第2控制端子側的第1區域鄰接地設置，並且該第2區域更包括：接線端子，連接於檢查用連接配線部；檢查用第2控制端子，連接於第2控制端子；以及切換部，將藉由對接線端子施加的電壓而斷開的開關元件切換為第1開關元件或第2開關元件。

而且，第1控制端子及第2控制端子亦可對應於排列的順序，而配置在沿與排列方向交叉的方向錯開的位置。

而且，檢查用第1控制端子亦可對應於排列的順序，而配置在沿與排列方向交叉的方向錯開的位置。

另一方面，本發明的放射線檢測元件基板的檢查裝置包 括：第1探針單元，用於與放射線檢測元件基板中的檢查用第1控制端子接觸，所述放射線檢測元件基板包括第1區域及第2區域，所述第1區域包含多個第1開關元件、1個以上的第2開關元件、第1控制端子、第2控制端子及信號端子，所述多個第1開關元件是對應於多個畫素中的每1個畫素而設置，用於讀出對應於放射線而產生的電荷，所述1個以上的第2開關元件是對應於多個畫素中的1個以上的畫素而設置，且用途不同於第1開關元件的用途，所述第1控制端子經由與第1開關元件的控制端連接的第1控制用配線而連接於第1開關元件，所述第2控制端子是與第1控制端子並行排列，並且經由與第2開關元件的控制端連接的第2控制用配線而連接於第2開關元件，所述信號端子經由與第1開關元件的輸出端連接的信號配線而連接於第1開關元件，所述第2區域包含連接於所述第2控制端子的檢查用連接配線部、及連接於第1控制端子的檢查用第1控制端子，且設置在與第1區域鄰接且在檢查結束後被去除的部分；第2探針單元，用於與信號端子接觸；以及電壓施加部，用於對檢查用連接配線部施加使第2開關元件斷開的電壓。

根據本發明的放射線檢測元件基板的檢查裝置，相對於以往的檢查裝置(1個畫素中具有1個開關元件的放射線檢測元件基板的檢查裝置)，而設置有電壓施加部，所述電壓施加部用於對檢查用連接配線部施加使第2開關元件斷開的電壓。藉此，藉由使第1探針單元接觸至檢查用第1控制端子，並且使第2探針單 元接觸至信號端子，從而與以往同樣，可進行1個控制焊墊中具有多個通道的端子的放射線檢測元件基板的檢查。

再者，電壓施加部亦可自第1探針單元或第2探針單元的空端子來施加使第2開關元件斷開的電壓。

進而，本發明的放射線檢測元件基板的檢查方法，是藉由在如下狀態下進行下述步驟，來實施放射線檢測元件基板的檢查，所述狀態是對放射線檢測元件基板中的檢查用連接配線部施加使第2開關元件斷開的電壓的狀態，所述放射線檢測元件基板包括第1區域及第2區域，所述第1區域包含多個第1開關元件、1個以上的第2開關元件、第1控制端子、第2控制端子及信號端子，所述多個第1開關元件是對應於多個畫素中的每1個畫素而設置，用於讀出對應於放射線而產生的電荷，所述1個以上的第2開關元件是對應於多個畫素中的1個以上的畫素而設置，且用途不同於第1開關元件的用途，所述第1控制端子經由與第1開關元件的控制端連接的第1控制用配線而連接於第1開關元件，所述第2控制端子是與第1控制端子並行排列，並且經由與第2開關元件的控制端連接的第2控制用配線而連接於第2開關元件，所述信號端子經由與第1開關元件的輸出端連接的信號配線而連接於第1開關元件，所述第2區域包含連接於所述第2控制端子的檢查用連接配線部、及連接於第1控制端子的檢查用第1控制端子，且設置在與第1區域鄰接且在檢查結束後被去除的部分，所述步驟是指：電壓施加步驟，自檢查用第1控制端子施加使第1 開關元件接通的電壓；蓄積步驟，在電壓施加步驟中施加有使第1開關元件接通的電壓的狀態下，自信號端子施加固定電壓，以使電荷蓄積在各畫素中；保持步驟，自檢查用第1控制端子施加使第1開關元件斷開的電壓，並將藉由蓄積步驟來進行的各畫素的電荷蓄積保持固定時間；以及讀出步驟，自檢查用第1控制端子施加使第1開關元件接通的電壓，並自信號端子讀出在保持步驟中保持的電荷。

根據本發明的放射線檢測元件基板的檢查方法，在對檢查用連接配線部施加有使第2開關元件斷開的電壓的狀態下，與以往的導通檢查(1個畫素中具有1個開關元件的放射線檢測元件基板的檢查)同樣地進行檢查。因而，只要對檢查用連接配線部施加使第2開關元件斷開的電壓，便可使第2開關元件無效化，從而可利用檢查用第1控制端子而與以往同樣地，進行1個畫素中具有多個開關元件的放射線檢測元件基板的檢查。

如以上所說明的，本發明具有如下所述的優異效果，即，可提供一種放射線檢測元件基板、放射線檢測元件基板的檢查裝置、及放射線檢測元件基板的檢查方法，無須對1個畫素中具有1個開關元件的放射線檢測元件基板的導通檢查用的檢查裝置進行大的追加變更，便可進行1個控制焊墊中具有多個通道的端子的放射線檢測元件基板的檢查。

10‧‧‧放射線檢測元件基板

11‧‧‧第1區域

12‧‧‧感測器部

14‧‧‧第1控制端子

16‧‧‧第2控制端子

18、DT‧‧‧信號端子

20‧‧‧畫素

21‧‧‧第2區域

22‧‧‧檢查用第1控制端子

23‧‧‧檢查用第2控制端子

24‧‧‧接線端子

25‧‧‧檢查用連接配線部

26‧‧‧控制焊墊

28‧‧‧檢查用控制焊墊

30‧‧‧第1探針單元

32‧‧‧第2探針單元

34‧‧‧控制單元

36‧‧‧固定電位施加部

50‧‧‧檢查裝置

100‧‧‧放射線影像攝影系統

102‧‧‧被檢測體

104‧‧‧放射線照射裝置

106‧‧‧放射線檢測器

108‧‧‧放射線影像攝影裝置

110‧‧‧控制裝置

D(D1~D5)‧‧‧信號配線

G(G1~G8)‧‧‧控制配線

M(M1~M4)‧‧‧控制配線

GT‧‧‧控制端子

SW1、SW2‧‧‧開關

Tr1、Tr2、Tr3、Tr4、Tr5‧‧‧電晶體

TrA‧‧‧重設電晶體

TrB‧‧‧蓄積電晶體

TrC‧‧‧讀出電晶體

圖1是本實施形態的放射線影像攝影系統的一例的概略結構圖。

圖2是表示本實施形態的放射線檢測元件基板的第1區域的一例的結構的圖。

圖3是表示對1個畫素中設置有1個電晶體的放射線檢測元件基板進行檢查的以往的檢查裝置的一例的圖。

圖4是表示本實施形態的放射線檢測元件基板的一例的結構的圖。

圖5是表示進行本實施形態的放射線檢測元件基板的導通檢查的檢查裝置的一例的圖。

圖6是表示進行本實施形態的放射線檢測元件基板的導通檢查的檢查裝置的檢查序列(sequence)的一例的時序圖(timing chart)。

圖7是表示本實施形態的放射線檢測元件基板的結構的第1變形例的圖。

圖8是表示本實施形態的放射線檢測元件基板的結構的第2變形例的圖。

圖9是表示連接於畫素的電晶體為3個時的一例的圖。

圖10是表示將第1控制端子及第2控制端子根據排列的順序而錯開地配置成2行時的變形例的圖。

圖11是表示將第1控制端子及第2控制端子根據排列的順序 而錯開地配置成3行時的變形例的圖。

圖12是表示將第1控制端子及第2控制端子根據排列的順序而錯開地配置成2行時的另一變形例的圖。

圖13是將檢查用第1控制端子根據排列的順序而錯開地配置成2行時的變形例的圖。

首先，對使用放射線影像攝影裝置的放射線影像攝影系統的概略結構進行說明，所述放射線影像攝影裝置包含本實施形態的放射線檢測元件基板。圖1是本實施形態的放射線影像攝影系統的一例的概略結構圖。

放射線影像攝影系統100包括：放射線照射裝置104，將放射線(例如X射線(X-ray)等)照射至被檢測體102；放射線影像攝影裝置108，具備放射線檢測器106，，所述放射線檢測器106對自放射線照射裝置104照射並穿透被檢測體102的放射線進行檢測；以及控制裝置110，指示放射線影像的攝影，並且自放射線影像攝影裝置108獲取放射影像。在基於控制裝置110的控制的時機，將放射線照射至放射線影像攝影裝置108，所述放射線是自放射線照射裝置104照射並穿透位於攝影位置的被檢測體102，藉此而承載有影像資訊。

再者，放射線影像攝影系統100具有進行靜態影像攝影及動態影像攝影的功能，控制裝置110基於用戶(user)的指示或放射線照射裝置104的控制，對進行靜態影像攝影及動態影像攝 影中的哪一種進行切換，並將該意旨指示給放射線影像攝影裝置108。

放射線影像攝影裝置108具備放射線檢測器106。放射線檢測器106具有如下功能：產生與穿透被檢測體102的放射線的射線量相應的電荷，並基於所產生的電荷的電荷量，生成表示放射線影像的影像資訊並輸出。

繼而，對適用於本實施形態的放射線檢測器106的放射線檢測元件基板進行說明。本實施形態的放射線檢測元件基板具備第1區域及第2區域。圖2是表示本實施形態的放射線檢測元件基板的第1區域的結構的圖。本實施形態中，以將X射線等放射線暫時轉換為光並將轉換所得的光轉換為電荷的間接轉換方式的放射線檢測元件基板為一例來進行說明，但亦可使用產生與放射線相應的電荷的直接轉換方式的放射線檢測元件基板。再者，本實施形態中，第1區域是指與有時被稱作所謂的安裝基板的基板對應的區域。

在適用於本實施形態的放射線檢測器中的放射線檢測元件基板10的第1區域11中，呈矩陣(matrix)狀地配置有多個畫素20，所述畫素20包含：感測器(sensor)部12，接收光並產生電荷，且蓄積所產生的電荷；以及作為開關元件的2個電晶體Tr1、Tr2，用於讀出蓄積在感測器部12中的電荷。再者，本實施形態中，藉由閃爍體(scintillator)而由放射線轉換而成的光被照射至感測器部12，藉此，感測器部12產生電荷。

多個畫素20沿一方向(與圖2的橫向對應的控制配線方向，以下亦稱作「列方向」)及相對於列方向的交叉方向(與圖2的縱向對應的信號配線方向，以下亦稱作「行方向」)而配置成矩陣狀。圖2中，簡化示出了畫素20的排列，但例如畫素20是在列方向及行方向上配置有1024×1024個。

而且，在放射線檢測元件基板10上，彼此交叉地設置有：用於控制電晶體Tr1的接通/斷開的多條控制配線G(圖2中為G1~G8)及用於控制電晶體Tr2的接通/斷開的多條控制配線M(圖2中為M1~M4)；以及多條信號配線D(圖2中為D1~D5)，用於讀出蓄積在所述感測器部12中的電荷，且對應於畫素20的每行而設置。

再者，各畫素20的感測器部12連接於省略圖示的公用配線，經由公用配線而自電源(圖示省略)施加偏電壓(bias voltage)。

在控制配線G上，連接有各電晶體Tr1的控制端，供用於對各電晶體Tr1進行開關的控制信號流動。藉由如此般使控制信號流經各控制配線G，從而對各電晶體Tr1進行開關。而且，在控制配線M上，連接有各電晶體Tr2的控制端，供用於對各電晶體Tr2進行開關的控制信號流動。藉由如此般使控制信號流經各控制配線M，從而對各電晶體Tr2進行開關。

在信號配線D上，連接有各畫素20的電晶體Tr1的輸出端及電晶體Tr2的輸出端。在信號配線D上，對應於電晶體Tr1 的開關狀態及電晶體Tr2的開關狀態，與蓄積在各畫素20中的電荷量相應的電氣信號經由電晶體Tr1或電晶體Tr2而流動。

本實施形態中，如圖2所示，在控制配線G的偶數排(line)與奇數排中，電晶體Tr1、電晶體Tr2及感測器部12的配置關係反轉(圖2的上下反轉)。

而且，在控制配線G上，連接有第1控制端子14，在控制配線M上，連接有第2控制端子16，在信號配線D上，連接有信號端子18。本實施形態中，第1控制端子14與第2控制端子16被設置在相同的控制焊墊26上，且控制焊墊26被配置在放射線檢測元件基板10的一邊側。

本實施形態的放射線檢測元件基板10中，可利用不同的兩種解析度來進行攝影。再者，以下，將兩種解析度中較高的解析度稱作高解析度，將較低的解析度稱作低解析度。

即，在進行高解析度攝影的情況下，經由第2控制端子16對控制配線M輸入控制信號，以使電晶體Tr2斷開，另一方面，依序經由第1控制端子14來對控制配線G輸入控制信號，以使電晶體Tr1接通。電晶體Tr1為接通狀態的畫素20中，自感測器部12讀出電荷，並對信號配線D依序輸出1個畫素20的電荷。

而且，在進行低解析度攝影的情況下，經由第1控制端子14對控制配線G輸入控制信號，以使電晶體Tr1斷開，另一方面，依序經由第2控制端子16對控制配線M輸入控制信號，以使各電晶體Tr2接通。電晶體Tr2為接通狀態的畫素20中，自感測 器部12讀出電荷，並對信號配線D輸出電荷。此處，對1條信號配線D輸出的電荷是將4個畫素20的電荷匯總而輸出，解析度比使電晶體Tr2斷開並使電晶體Tr1接通的情況低。

此外，放射線檢測元件基板10中，於1個畫素20中設置有多個電晶體Tr1、Tr2，因此，利用對1個畫素20中設置有1個電晶體的放射線檢測元件基板進行檢查的以往的檢查裝置無法進行檢查。

此處，說明對1個畫素中設置有1個電晶體的以往的放射線檢測元件基板進行檢查的以往的檢查裝置。圖3是表示對1個畫素中設置有1個電晶體的放射線檢測元件基板進行檢查的以往的檢查裝置的圖。再者，本實施形態中，作為檢查的具體例，對進行導通檢查的情況進行詳細說明。

以往的檢查裝置如圖3所示，具備：第1探針單元30，用於使控制配線進行動作；第2探針單元32，自信號配線進行影像讀出；以及控制單元34，對第1探針單元30及第2探針單元32進行控制。

第1探針單元30及第2探針單元32分別具備針狀的接觸端子(探針)，使第1探針單元30接觸至對讀出放射線檢測元件基板的電荷的畫素進行選擇的控制端子GT，使第2探針單元32接觸至讀出放射線檢測元件基板的電荷的信號端子DT而進行動作。

檢查序列是：由第1探針單元30對每1列施加閘極接 通電壓，以將對讀出電荷的畫素進行選擇的電晶體設為接通狀態，由第2探針單元32施加固定電壓以使電荷蓄積於各畫素20中。繼而，由第1探針單元30施加閘極斷開電壓以將電晶體設為斷開狀態，並保持固定時間。繼而，由第1探針單元30對每1列施加閘極接通電壓以將電晶體設為接通狀態，利用第2探針單元32來進行影像讀出並將二維影像輸出至控制單元34。藉此，基於二維影像，由控制單元34來判定點缺陷或線缺陷等不良。

如本實施形態的放射線檢測元件基板10的第1區域11般，在1個畫素中具有多個電晶體的放射線檢測元件基板中，當使用無法個別地控制各電晶體的檢查裝置來進行檢查時，在將電晶體Tr1設為斷開狀態並保持固定時間的過程中，蓄積的電荷會經由電晶體Tr2而洩漏，從而即使並非缺陷亦會被判定為缺陷。而且，如本實施形態的放射線檢測元件基板10的第1區域11般，在一邊側(同一控制焊墊上)配置有2通道控制端子(第1控制端子14及第2控制端子16)的放射線檢測元件基板中，在進行每1列的讀出時會產生無法正確地進行讀出的問題，從而無法進行基板的檢查。

因此，本實施形態的放射線檢測元件基板10中，在第2區域21中設置有檢查用連接配線部25，該檢查用連接配線部25是將控制配線M延長至圖4中所示的由一點鏈線圍成的區域即第1區域11更外側的區域為止，並使控制配線M相互接線。而且，控制配線G亦自第1控制端子14延長，且在第2區域21中設置 有設有檢查用第1控制端子22的檢查用控制焊墊28。具體而言，本實施形態的放射線檢測元件基板10如圖4所示，鄰接於第1區域11而具備第2區域21，該第2區域21包含檢查用連接配線部25、檢查用控制焊墊28及接線端子24。並且，在進行導通檢查的情況下，對將控制配線M相互接線的接線端子24統一施加閘極斷開電壓。再者，本實施形態中，所謂「鄰接」，除了在相鄰的位置未隔開間隔地配置的情況以外，還包括在相鄰的位置隔開間隔地配置的情況。例如，亦可在第1區域11與第2區域21之間設置有其他區域。

即，藉由對接線端子24統一施加閘極斷開電壓，從而電晶體Tr2成為斷開狀態，因此在將電晶體Tr1設為斷開狀態並保持固定時間的過程中，蓄積的電荷不會經由電晶體Tr2而洩漏。因而，可利用以往的檢查序列來檢測畫素的缺陷。

而且，在檢查用控制焊墊28上，僅設有檢查用第1控制端子22，因此可直接使用以往的第1探針單元30。

而且，檢查用控制焊墊28被設置在第1區域11外側的第2區域21中，因此在導通檢查結束後，進行切斷等而予以去除，藉此不會造成安裝上的問題。進而，藉由將檢查用控制焊墊28與第1區域11切斷地設置，將有可能會因檢查的實施而受到損傷(damage)的檢查用第1控制端子22予以切斷，從而可將無損傷的第1控制端子14有效利用於放射線影像的攝影。

再者，接線端子24亦可如圖4所示，與第1區域11的 第2控制端子16並行地排列在第1區域11外側的第2區域21內。而且，接線端子24亦可與第1區域11的第1控制端子14並行地排列在第1區域11外側的第2區域21內。藉此，在進行檢查時，可利用與第1控制端子14或第2控制端子16接觸的探針單元的空端子來施加閘極斷開電壓。

再者，接線端子24亦可設置在第1區域11的與檢查用控制焊墊28(檢查用第1控制端子22)不同的區域中。此時，第2區域21只要設為包含多個區域的區域即可。例如，第2區域21亦可針對每個通道來設置區域。作為具體例，第2區域21亦可設為設置有檢查用控制焊墊28的區域、與設置有檢查用連接配線部25及接線端子24中的至少一者的區域。再者，在如此般於第2區域21中設置有多個區域的情況下，亦可不使所有區域鄰接於第1區域11的一邊側(圖4中為設置有控制焊墊26的一側)而設置。例如，亦可將設有檢查用控制焊墊28的區域、及設有檢查用連接配線部25及接線端子24中至少一者的區域中的任一區域設置於第1區域11的設有控制焊墊26的一側(邊)，而將另一區域設置於第1區域11的相向的一側(邊)。

圖5是表示進行本實施形態的放射線檢測元件基板10的導通檢查的檢查裝置的一例的圖。

對本實施形態的放射線檢測元件基板10進行檢查的檢查裝置50，是對圖3所示的以往的檢查裝置追加有固定電位施加部36，該固定電位施加部36對接線端子24施加固定電位(閘極 斷開電壓)。

作為固定電位施加部36施加固定電位的施加方法，在以往的檢查裝置的第1探針單元30或第2探針單元32中存在空端子的情況下，藉由使用空端子來施加閘極斷開電壓，從而可直接使用以往的檢查裝置。

而且，在第1探針單元30或第2探針單元32無空端子的情況下，藉由追加簡單的電源來作為固定電位施加部36，從而可直接使用以往的檢查裝置。

再者，圖5中，為了簡化圖示，對於自固定電位施加部36對接線端子24直接施加固定電位的狀態省略了圖示。

繼而，對進行本實施形態的放射線檢測元件基板10的導通檢查的檢查裝置50的檢查序列進行說明。圖6是表示進行本實施形態的放射線檢測元件基板10的導通檢查的檢查裝置50的檢查序列的時序圖。

本實施形態中，使第1探針單元30接觸至放射線檢測元件基板10的檢查用控制焊墊28的檢查用控制端子22，並使第2探針單元接觸至放射線檢測元件基板10的信號端子18，並且使固定電位施加部36連接於接線端子24而進行動作。即，在自固定電位施加部36經由接線端子24來對所有第2控制端子16統一施加有閘極斷開電壓的狀態下進行導通檢查。

本實施形態中，藉由對所有第2控制端子16統一施加閘極斷開電壓，從而在將電晶體Tr2設為斷開狀態而無效化之後 進行導通檢查。導通檢查是與所述以往的檢查序列同樣地進行。

即，由第1探針單元30對每1列施加閘極接通電壓，以將電晶體Tr1設為接通狀態，由第2探針單元32施加固定電壓以使電荷蓄積於各畫素20中。繼而，由第1探針單元30施加閘極斷開電壓以將電晶體Tr1設為斷開狀態，並保持固定時間。繼而，由第1探針單元30對每1列施加閘極接通電壓以將電晶體Tr1設為接通狀態，利用第2探針單元32來進行影像讀出並將二維影像輸出至控制單元34。藉此，基於二維影像，由控制單元34來判定點缺陷或線缺陷等不良。

此處，在信號配線D、控制配線G及電晶體Tr1發生了斷線或短路(short)等不良的情況下，可與以往檢查同樣地根據二維影像來確定不良部位。而且，在控制配線M或電晶體Tr2發生了斷線或短路等不良的情況下，由於無法使電晶體Tr2正常動作，因此無法正確讀出相關畫素的信號，從而亦可根據所輸出的二維影像來檢測其不良。

現有技術中，專用探針單元的製作與控制用軟體的開發會產生巨額的費用，從而成為基板開發的瓶頸(neck)，但藉由適用本實施形態的放射線檢測元件基板10的結構來進行檢查，可直接沿用以往的檢查裝置，從而可實現大幅的成本降低(cost down)。

繼而，對本實施形態的放射線檢測元件基板10的變形例進行說明。圖7是表示本實施形態的具備第1區域11及第2區 域21的放射線檢測元件基板10的結構的第1變形例的圖。

所述實施形態中，對下述示例進行了說明，即，將控制配線M延長至圖4的一點鏈線所示的安裝基板更外側的區域為止並相互接線，並且設置有檢查用控制焊墊28，該檢查用控制焊墊28是亦自第1控制端子14延長控制配線G並設有檢查用第1控制端子22，但變形例中，亦自第2控制端子16進一步延長控制配線M而在檢查用控制焊墊28中進一步設置檢查用第2控制端子23，並且可藉由電晶體Tr3而將檢查用第2控制端子23自檢查用控制焊墊28電性分離。

具體而言，將控制配線M延長至與第1區域11鄰接的第2區域21為止而將檢查用第2控制端子23設置於檢查用控制焊墊28上。並且，在第2控制端子16與檢查用第2控制端子23間設置有電晶體Tr3，經由電晶體Tr3，控制配線M分別連接於接線端子24。

第1變形例的放射線檢測元件基板10中，藉由對接線端子24施加閘極斷開電壓，從而可與所述實施形態同樣地進行動作。

圖8是表示本實施形態的具備第1區域11及第2區域21的放射線檢測元件基板10的結構的第2變形例的圖。

第1變形例中，相對於所述圖4所示的放射線檢測元件基板10，經由電晶體Tr3將檢查用第2控制端子23設置於檢查用控制焊墊28上，使檢查用第2控制端子23可電性分離，但第2 變形例中，設置有可對檢查對象的通道(第1控制端子14或第2控制端子16)進行切換的檢查用控制焊墊28。

具體而言，如圖8所示，在各控制端子(第1控制端子14及第2控制端子16)與各檢查用控制端子間，設置2個電晶體Tr4、Tr5。即，在其中一個電晶體Tr4的源極(source)-汲極(drain)上，連接有用於統一施加閘極斷開電壓的接線端子24與各控制端子(第1控制端子14及第2控制端子16)。並且，連接於第1控制端子14的電晶體Tr4的閘極連接於作為切換部的一例的開關SW2，連接於第2控制端子16的電晶體Tr4的閘極連接於作為切換部的一例的開關SW1。

另一方面，在另一個電晶體Tr5的源極-汲極上，連接有各控制端子(第1控制端子14及第2控制端子16)與各檢查用控制端子(檢查用第1控制端子22及檢查用第2控制端子23)。並且，連接於第1控制端子14的電晶體Tr5的閘極連接於開關SW1，連接於第2控制端子16的電晶體Tr5的閘極連接於開關SW2。

藉此，藉由進行開關SW1、SW2的切換，從而其中一個通道可統一施加閘極斷開電壓，而另一個通道可使用檢查用控制端子來進行檢查。

例如，當進行第1控制端子14側的通道檢查時，藉由對開關SW1施加閘極接通電壓，並對開關SW2施加閘極斷開電壓，從而可將第2控制端子16側的通道電性分離，藉由對接線端子24施加閘極斷開電壓，從而可與以往同樣地進行第1控制端子 14側的通道的導通檢查。而且，在對第2控制端子16側的通道進行檢查時，藉由對開關SW1施加閘極斷開電壓，並對開關SW2施加閘極接通電壓，從而可進行第2控制端子16側的通道檢查。此時，如先前所述，檢查裝置是對每1排進行讀出，因此存在未動作的通道部分會被視為斷線而輸出的問題。然而，由於未動作的通道的座標為已知，因此可藉由影像處理來僅提取必要的影像，並進行影像判定，藉此可消除問題。

而且，圖8所示的放射線檢測元件基板10中，只要使開關SW1接通並使開關SW2斷開，便可進行作為製品時的動作。此時，亦可在第1區域11內而非第1區域11的外側設置該些結構。

再者，所述第1變形例及第2變形例中，在第2區域21上，設置有電晶體Tr3或電晶體Tr4、Tr5及開關SW1、SW2，但當然亦可與所述接線端子24同樣地，設置在與檢查用控制焊墊28(檢查用第1控制端子22)等不同的區域上。而且，當然亦可設置在與接線端子24或控制焊墊26等不同的區域上。

再者，本實施形態中，舉在1個畫素內具備解析度變更用電晶體的放射線檢測元件基板10為例進行了說明，但連接於畫素的電晶體的功能並無限制，亦可適用具備其他功能(例如電荷重設用的重設電晶體或電荷蓄積用的蓄積電晶體等)的電晶體者。

而且，本實施形態中，對在所有畫素上連接有多個電晶體的示例進行了說明，但無須在所有畫素上連接有多個電晶體， 亦可適用如僅於至少1個以上的特定畫素連接有多個(例如2個)電晶體、而其他畫素上連接有1個電晶體般的放射線檢測元件基板。而且，連接於1個畫素的電晶體的個數並無上限，亦可為3個以上。例如，亦可適用如下所述的放射線檢測元件基板，即，如圖9所示，1個畫素中具備：重設電晶體TrA，對感測器部12的電荷進行重設；蓄積電晶體TrB，蓄積感測器部所產生的電荷；以及讀出電晶體TrC，讀出蓄積於蓄積電晶體中的電荷。但是，在具備3個以上的電晶體的情況下，在進行導通檢查時，對於1×1影像讀出用電晶體以外的電晶體統一施加閘極斷開信號以使其分離。

而且，所述實施形態中，對下述示例進行了說明，即，對所有畫素設置有電晶體Tr2，當以低解析度進行讀出時，使電晶體Tr1斷開並使電晶體Tr2接通，藉此來匯總讀出4個畫素，從而進行低解析度的讀出，但藉由電晶體Tr2來實現的解析度的轉換方法並不限於此。例如，亦可並非對所有畫素設置電晶體Tr2，而是如對4個畫素設置1個電晶體Tr2般，以對多個畫素設置1個的比例來設置電晶體Tr2，藉由使電晶體Tr1斷開並使電晶體Tr2接通，從而進行低解析度的讀出。

而且，所述實施形態中，將第1控制端子14及第2控制端子16以沿著第1區域11的邊排列成一行的方式而設置於控制焊墊26上，但第1控制端子14及第2控制端子16的排列並不限於所述實施形態。第1控制端子14及第2控制端子16的排列 的變形例如圖10~圖12所示。圖10~圖12表示將第1控制端子14及第2控制端子16根據排列的順序而沿與排列方向交叉的方向錯開地配置的情況。圖10所示的控制焊墊26表示將第1控制端子14及第2控制端子16配置成2行時的一例。在圖10所示的變形例的情況下，整體的排列順序為：第偶數個的第1控制端子14或第2控制端子16與第奇數個的第1控制端子14或第2控制端子16的排列不同。而且，圖11所示的控制焊墊26表示將第1控制端子14及第2控制端子16配置成3行時的一例。在圖11所示的變形例的情況下，整體的排列順序為：處於以3除盡之順序的第1控制端子14或第2控制端子16、處於以3除而餘2之順序的第1控制端子14或第2控制端子16、與處於以3除而餘1之順序的第1控制端子14或第2控制端子16的排列不同。而且，圖12所示的控制焊墊26表示將第1控制端子14及第2控制端子16配置成2行時的另一例。在圖12所示的變形例的情況下，第1控制端子14與第2控制端子16採用不同的排列。再者，對於設置檢查用第2控制端子23時的排列，當然亦可設為同樣。如此，在將第1控制端子14及第2控制端子16並行設置的情況下，藉由多個排列來進行設置，藉此，可使鄰接的控制端子(第1控制端子14或第2控制端子16)間的間隔大於藉由單一排列來設置的情況。因此，可加大控制端子的面積。再者，在控制焊墊26上藉由多個排列來設置第1控制端子14及第2控制端子16的變形例當然不限於圖10~圖12所例示者。作為變形例，例如亦可排列成4 行以上。

而且，對於檢查用第1控制端子22的配置，亦與第1控制端子14及第2控制端子16同樣。所述實施形態中，將檢查用第1控制端子22以沿著第2區域21的邊排列成一行的方式而設置於檢查用控制焊墊28上，但檢查用第1控制端子22的排列並不限於所述實施形態。例如，檢查用第1控制端子22亦可與所述第1控制端子14及第2控制端子16同樣地，根據排列的順序而沿與排列方向交叉的方向錯開地配置。檢查用第1控制端子22的排列的變形例如圖13所示。圖13所示的檢查用控制焊墊28表示將檢查用第1控制端子22配置成2行時的一例。在圖13所示的變形例的情況下，整體的排列順序為：第偶數個的檢查用第1控制端子22與第奇數個的檢查用第1控制端子22的排列不同。再者，在檢查用控制焊墊28上藉由多個排列來設置檢查用第1控制端子22的變形例當然不限於圖13所例示者。作為變形例，例如亦可排列成3行以上。

而且，本實施形態中，作為對放射線檢測元件基板10進行的檢查，對進行導通檢查的檢查裝置進行了詳細說明，但並不限於此，對於進行其他檢查的檢查裝置，當然亦與本實施形態同樣地，對於進行功能檢查(功能測試(function test))的檢查裝置而言亦可適用。

而且，圖2所示的去除第2區域21後的放射檢測元件基板10中，示出了控制配線G設置至第1控制端子14為止，且 控制配線M設置至第2控制端子16為止的狀態，但控制配線G及控制配線M的狀態並不限於圖2所示的狀態。例如，控制配線G及控制配線M如上所述，分別通過第1控制端子14或第2控制端子16而延長至第1區域11的外側、即第2區域21為止，因此，控制配線G及控制配線M亦可為如下狀態，即：在去除第2區域21後，仍通過第1控制端子14或第2控制端子16而延長至第1區域11的端部的邊為止。此時，較佳為，對控制配線G及控制配線M的端部進行處理，以使延長的控制配線G及控制配線M的端部不會露出至第1區域11的剖面(被切斷的面)。

而且，本實施形態中的放射線並無特別限定，可適用X射線或γ射線等。

此外，本實施形態中說明的放射線檢測元件基板10等的結構、動作等僅為一例，在不脫離本發明的主旨的範圍內，當然可視狀況來進行變更。

Claims (20)

1. 一種放射線檢測元件基板，包括：第1區域，所述第1區域包含多個第1開關元件，對應於多個畫素中的每1個畫素而設置，用於讀出對應於放射線而產生的電荷，1個以上的第2開關元件，對應於所述多個畫素中的1個以上的畫素而設置，且用途不同於所述第1開關元件的用途，第1控制端子，經由與所述第1開關元件的控制端連接的第1控制用配線而連接於所述第1開關元件，第2控制端子，與所述第1控制端子並行排列，並且經由與所述第2開關元件的控制端連接的第2控制用配線而連接於所述第2開關元件，及信號端子，經由與所述第1開關元件的輸出端連接的信號配線而連接於所述第1開關元件；以及第2區域，所述第2區域包含連接於所述第2控制端子的檢查用連接配線部、及連接於所述第1控制端子的檢查用第1控制端子，且所述第2區域設置在與所述第1區域鄰接且在檢查結束後被去除的部分。
2. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測元件基板，其中所述第2區域是與所述第1控制端子及所述第2控制端子側的所述第1區域鄰接地設置，並且更包括連接於所述檢查用連接 配線部的接線端子。
3. 如申請專利範圍第2項所述的放射線檢測元件基板，其中所述接線端子以與所述第1控制端子及所述第2控制端子並行排列的方式而配置。
4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的放射線檢測元件基板，其中所述第2開關元件是用於進行解析度轉換者。
5. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的放射線檢測元件基板，其中所述第2開關元件是用於重設所述電荷者。
6. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的放射線檢測元件基板，其中所述第2開關元件是用於蓄積所述電荷者。
7. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的放射線檢測元件基板，其中在進行所述檢查時，對所述檢查用連接配線部施加使所述第2開關元件斷開的電壓。
8. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測元件基板，其中所述第2區域是與所述第1控制端子及所述第2控制端子側的所述第1區域鄰接地設置，並且所述第2區域更包括：接線端子，連接於所述檢查用連接配線部；檢查用第2控制端子，連接於所述第2控制端子；以及 第3開關元件，被設置在所述接線端子與所述檢查用第2控制端子之間，藉由對所述接線端子施加的電壓來使所述第2開關元件斷開。
9. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測元件基板，其中所述第2區域是與所述第1控制端子及所述第2控制端子側的所述第1區域鄰接地設置，並且所述第2區域更包括：接線端子，連接於所述檢查用連接配線部；檢查用第2控制端子，連接於所述第2控制端子；以及切換部，將藉由對所述接線端子施加的電壓而斷開的開關元件切換為所述第1開關元件或所述第2開關元件。
10. 如申請專利範圍第1項至第3項、第8項與第9項中任一項所述的放射線檢測元件基板，其中所述第1控制端子及所述第2控制端子對應於排列的順序，而配置在沿與排列方向交叉的方向錯開的位置。
11. 如申請專利範圍第4項所述的放射線檢測元件基板，其中所述第1控制端子及所述第2控制端子對應於排列的順序，而配置在沿與排列方向交叉的方向錯開的位置。
12. 如申請專利範圍第5項所述的放射線檢測元件基板，其中所述第1控制端子及所述第2控制端子對應於排列的順序，而配置在沿與排列方向交叉的方向錯開的位置。
13. 如申請專利範圍第6項所述的放射線檢測元件基板，其中所述第1控制端子及所述第2控制端子對應於排列的順序， 而配置在沿與排列方向交叉的方向錯開的位置。
14. 如申請專利範圍第1項至第3項、第8項與第9項中任一項所述的放射線檢測元件基板，其中所述檢查用第1控制端子對應於排列的順序，而配置在沿與排列方向交叉的方向錯開的位置。
15. 如申請專利範圍第4項所述的放射線檢測元件基板，其中所述檢查用第1控制端子對應於排列的順序，而配置在沿與排列方向交叉的方向錯開的位置。
16. 如申請專利範圍第5項所述的放射線檢測元件基板，其中所述檢查用第1控制端子對應於排列的順序，而配置在沿與排列方向交叉的方向錯開的位置。
17. 如申請專利範圍第6項所述的放射線檢測元件基板，其中所述檢查用第1控制端子對應於排列的順序，而配置在沿與排列方向交叉的方向錯開的位置。
18. 一種放射線檢測元件基板的檢查裝置，包括：第1探針單元，用於與放射線檢測元件基板中的檢查用第1控制端子接觸，所述放射線檢測元件基板包括第1區域及第2區域，所述第1區域包含多個第1開關元件、1個以上的第2開關元件、第1控制端子、第2控制端子及信號端子，所述多個第1開關元件是對應於多個畫素中的每1個畫素而設置，用於讀出對應於放射線而產生的電荷，所述1個以上的第2開關元件是對應於所述多個畫素中的1個以上的畫素而設置，且用途不同於所述第1 開關元件的用途，所述第1控制端子經由與所述第1開關元件的控制端連接的第1控制用配線而連接於所述第1開關元件，所述第2控制端子是與所述第1控制端子並行排列，並且經由與所述第2開關元件的控制端連接的第2控制用配線而連接於所述第2開關元件，所述信號端子經由與所述第1開關元件的輸出端連接的信號配線而連接於所述第1開關元件，所述第2區域包含連接於所述第2控制端子的檢查用連接配線部、及連接於所述第1控制端子的所述檢查用第1控制端子，且設置在與所述第1區域鄰接且在檢查結束後被去除的部分；第2探針單元，用於與所述信號端子接觸；以及電壓施加部，用於對所述檢查用連接配線部施加使所述第2開關元件斷開的電壓。
19. 如申請專利範圍第18項所述的放射線檢測元件基板的檢查裝置，其中所述電壓施加部自所述第1探針單元或所述第2探針單元的空端子來施加使所述第2開關元件斷開的電壓。
20. 一種放射線檢測元件基板的檢查方法，藉由在如下狀態下進行下述步驟，來實施所述放射線檢測元件基板的檢查，所述狀態是對放射線檢測元件基板中的檢查用連接配線部施加使第2開關元件斷開的電壓的狀態，所述放射線檢測元件基板包括第1區域及第2區域，所述第1區域包含多個第1開關元件、1個以上的所述第2開關元件、第1控制端子、第2控制端子及信 號端子，所述多個第1開關元件是對應於多個畫素中的每1個畫素而設置，用於讀出對應於放射線而產生的電荷，所述1個以上的第2開關元件是對應於所述多個畫素中的1個以上的畫素而設置，且用途不同於所述第1開關元件的用途，所述第1控制端子經由與所述第1開關元件的控制端連接的第1控制用配線而連接於所述第1開關元件，所述第2控制端子是與所述第1控制端子並行排列，並且經由與所述第2開關元件的控制端連接的第2控制用配線而連接於所述第2開關元件，所述信號端子經由與所述第1開關元件的輸出端連接的信號配線而連接於所述第1開關元件，所述第2區域包含連接於所述第2控制端子的所述檢查用連接配線部、及連接於所述第1控制端子的檢查用第1控制端子，且設置在與所述第1區域鄰接且在檢查結束後被去除的部分，所述步驟是指：電壓施加步驟，自所述檢查用第1控制端子施加使所述第1開關元件接通的電壓；蓄積步驟，在所述電壓施加步驟中施加有使所述第1開關元件接通的電壓的狀態下，自所述信號端子施加固定電壓，以使電荷蓄積在各畫素中；保持步驟，自所述檢查用第1控制端子施加使所述第1開關元件斷開的電壓，並將藉由所述蓄積步驟來進行的各畫素的電荷蓄積保持固定時間；以及讀出步驟，自所述檢查用第1控制端子施加使所述第1開關 元件接通的電壓，並自所述信號端子讀出在所述保持步驟中保持的電荷。