JP2000323738A - 太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置 - Google Patents
太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置Info
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】
【課題】 多数段の太陽電池セルを集積した太陽電池モ
ジュールに対して逆バイアス処理を効率的に実施できる
逆バイアス処理装置を提供する。 【解決手段】 基板上にそれぞれ成膜およびスクライブ
加工された第１電極層、半導体層および第２電極層が順
次積層された複数段の太陽電池セルを有する太陽電池モ
ジュール（１０）に対し、隣り合う太陽電池セルの電極
間に逆バイアス電圧を印加して短絡部を除去する逆バイ
アス処理装置であって、互いに隣り合う３段以上の太陽
電池セルの電極に接触する複数段のプローブ（１５）
と、複数段のプローブ（１５）を一体的に昇降させる昇
降手段と、複数段のプローブ（１５）から隣り合う任意
の１対の太陽電池セルの電極間に逆バイアス電圧を印加
する１対のプローブを選択する切換スイッチ（１７）と
を有する。
ジュールに対して逆バイアス処理を効率的に実施できる
逆バイアス処理装置を提供する。 【解決手段】 基板上にそれぞれ成膜およびスクライブ
加工された第１電極層、半導体層および第２電極層が順
次積層された複数段の太陽電池セルを有する太陽電池モ
ジュール（１０）に対し、隣り合う太陽電池セルの電極
間に逆バイアス電圧を印加して短絡部を除去する逆バイ
アス処理装置であって、互いに隣り合う３段以上の太陽
電池セルの電極に接触する複数段のプローブ（１５）
と、複数段のプローブ（１５）を一体的に昇降させる昇
降手段と、複数段のプローブ（１５）から隣り合う任意
の１対の太陽電池セルの電極間に逆バイアス電圧を印加
する１対のプローブを選択する切換スイッチ（１７）と
を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池モジュー
ル、特にアモルファス太陽電池モジュールの逆バイアス
処理装置に関する。
ル、特にアモルファス太陽電池モジュールの逆バイアス
処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池モジュールを構成する個々の太
陽電池セルに短絡部（ピンホールともいう）が生じる
と、発電特性が低下する。そこで、発電特性を改善する
ために、隣り合う太陽電池セルの電極間に逆バイアス電
圧を印加して、短絡部を除去する工程が行われる。
陽電池セルに短絡部（ピンホールともいう）が生じる
と、発電特性が低下する。そこで、発電特性を改善する
ために、隣り合う太陽電池セルの電極間に逆バイアス電
圧を印加して、短絡部を除去する工程が行われる。
【０００３】このような逆バイアス電圧の印加による短
絡部の除去について図５を参照して説明する。図５にお
いて、ガラス基板１上にＳｎＯ2などの透明導電性酸化
物からなる透明電極（第１電極層）２が成膜され、レー
ザースクライビングにより分離されている。この透明電
極２上にたとえばｐ型ａ−Ｓｉ層、ｉ型ａ−Ｓｉ層およ
びｎ型ａ−Ｓｉ層の積層構造からなる半導体層３が成膜
され、透明電極２のスクライブ線とずらせてレーザース
クライビングにより分離されている。この半導体層３上
に金属からなる裏面電極（第２電極層）４が成膜され、
半導体層３のスクライブ線とずらせてレーザースクライ
ビングにより分離されている。このように各層のスクラ
イブ線をずらせることにより、ある太陽電池セルの裏面
電極４の端部は半導体スクライブ線を通して隣の太陽電
池セルの透明電極２の端部と導通しており、多数の太陽
電池セルが直列接続されている。この図に示されるよう
に、逆バイアス電圧は隣り合う太陽電池セルの裏面電極
４に１対のプローブ（印加手段）５を接触させて印加さ
れる。
絡部の除去について図５を参照して説明する。図５にお
いて、ガラス基板１上にＳｎＯ2などの透明導電性酸化
物からなる透明電極（第１電極層）２が成膜され、レー
ザースクライビングにより分離されている。この透明電
極２上にたとえばｐ型ａ−Ｓｉ層、ｉ型ａ−Ｓｉ層およ
びｎ型ａ−Ｓｉ層の積層構造からなる半導体層３が成膜
され、透明電極２のスクライブ線とずらせてレーザース
クライビングにより分離されている。この半導体層３上
に金属からなる裏面電極（第２電極層）４が成膜され、
半導体層３のスクライブ線とずらせてレーザースクライ
ビングにより分離されている。このように各層のスクラ
イブ線をずらせることにより、ある太陽電池セルの裏面
電極４の端部は半導体スクライブ線を通して隣の太陽電
池セルの透明電極２の端部と導通しており、多数の太陽
電池セルが直列接続されている。この図に示されるよう
に、逆バイアス電圧は隣り合う太陽電池セルの裏面電極
４に１対のプローブ（印加手段）５を接触させて印加さ
れる。
【０００４】太陽電池セルに短絡部Ｓが発生している場
合、逆バイアス電圧を印加すると短絡部に電流が集中し
てジュール熱が発生するため、短絡部Ｓにおいて裏面電
極を構成する金属が飛散したり、この金属が酸化されて
絶縁膜に変換される。こうして短絡部が絶縁した状態に
なってなくなるため、動作時の発電特性の低下を抑える
ことができる。
合、逆バイアス電圧を印加すると短絡部に電流が集中し
てジュール熱が発生するため、短絡部Ｓにおいて裏面電
極を構成する金属が飛散したり、この金属が酸化されて
絶縁膜に変換される。こうして短絡部が絶縁した状態に
なってなくなるため、動作時の発電特性の低下を抑える
ことができる。
【０００５】しかし、各太陽電池セルにおいて、複数の
ピンホールが全くランダムに発生する。このような複数
のピンホールを有する太陽電池セルに対して１対（２段
分で２個）の点接触のプローブを接触させて逆バイアス
電圧を印加する場合、長手方向に沿ってプローブからの
距離が長くなって電圧降下が無視できなくなる短絡部Ｓ
があると種々の問題が生じる。すなわち、プローブから
短絡部までの距離が短かければ、短絡部に十分な電流が
流れるため上記のように短絡部を飛散または酸化させて
除去できる。一方、プローブから短絡部までの距離が長
いと、電圧降下が大きく短絡部に十分な電流が流れない
ため短絡部を飛散または酸化させることができずに短絡
部を除去できなくなる。この問題に対応してプローブか
ら遠く離れた短絡部を確実に除去するために逆バイアス
電圧を大きくすると、プローブの近くにある短絡部に大
電流が流れ多量の発熱によりピンホールが大きくなった
り、耐電圧以上の電圧が印加されて正常な素子部が破壊
されるという問題が生じる。
ピンホールが全くランダムに発生する。このような複数
のピンホールを有する太陽電池セルに対して１対（２段
分で２個）の点接触のプローブを接触させて逆バイアス
電圧を印加する場合、長手方向に沿ってプローブからの
距離が長くなって電圧降下が無視できなくなる短絡部Ｓ
があると種々の問題が生じる。すなわち、プローブから
短絡部までの距離が短かければ、短絡部に十分な電流が
流れるため上記のように短絡部を飛散または酸化させて
除去できる。一方、プローブから短絡部までの距離が長
いと、電圧降下が大きく短絡部に十分な電流が流れない
ため短絡部を飛散または酸化させることができずに短絡
部を除去できなくなる。この問題に対応してプローブか
ら遠く離れた短絡部を確実に除去するために逆バイアス
電圧を大きくすると、プローブの近くにある短絡部に大
電流が流れ多量の発熱によりピンホールが大きくなった
り、耐電圧以上の電圧が印加されて正常な素子部が破壊
されるという問題が生じる。
【０００６】そこで、本発明者らは特開平１０−４２０
２号において、１対（２段分）のプローブとして、太陽
電池セルの長手方向に沿って１段当たり複数の点接触の
プローブを設けるか、または１段当たり１つもしくは複
数の線接触もしくは面接触のプローブを設けた逆バイア
ス処理装置を開示している。このような逆バイアス処理
装置では、プローブから短絡部までの距離を電圧降下が
問題にならない範囲に収めることができるので、短絡部
を除去できなくなったり、逆に正常な素子部が破壊され
るという問題を解消できる。
２号において、１対（２段分）のプローブとして、太陽
電池セルの長手方向に沿って１段当たり複数の点接触の
プローブを設けるか、または１段当たり１つもしくは複
数の線接触もしくは面接触のプローブを設けた逆バイア
ス処理装置を開示している。このような逆バイアス処理
装置では、プローブから短絡部までの距離を電圧降下が
問題にならない範囲に収めることができるので、短絡部
を除去できなくなったり、逆に正常な素子部が破壊され
るという問題を解消できる。
【０００７】この逆バイアス処理装置では、一体化され
た１対（２段分）のプローブを太陽電池セルの電極に接
触させ、逆バイアス処理を行い、プローブを上昇させ、
隣の太陽電池セルの位置まで移動させるという操作を太
陽電池セルの段数分だけ繰り返す。この場合、太陽電池
セルの長手方向に沿って１段当たり複数の点接触のプロ
ーブまたは１段当たり１つもしくは複数の線接触もしく
は面接触のプローブを設けているため、位置によってプ
ローブ−太陽電池セル間の高低差が生じるのを避けられ
ない。このため、局所的に大きな応力が作用して素子を
機械的に傷つけることがないように、プローブをゆっく
りと下降させる必要がある。したがって、数十段にもお
よぶ太陽電池モジュールの全段にわたって逆バイアス処
理を施すには長時間を要し、太陽電池モジュールの生産
効率が低下する。また、一体化されたプローブの昇降回
数が多いため、摩耗による装置の故障回数が増加する。
た１対（２段分）のプローブを太陽電池セルの電極に接
触させ、逆バイアス処理を行い、プローブを上昇させ、
隣の太陽電池セルの位置まで移動させるという操作を太
陽電池セルの段数分だけ繰り返す。この場合、太陽電池
セルの長手方向に沿って１段当たり複数の点接触のプロ
ーブまたは１段当たり１つもしくは複数の線接触もしく
は面接触のプローブを設けているため、位置によってプ
ローブ−太陽電池セル間の高低差が生じるのを避けられ
ない。このため、局所的に大きな応力が作用して素子を
機械的に傷つけることがないように、プローブをゆっく
りと下降させる必要がある。したがって、数十段にもお
よぶ太陽電池モジュールの全段にわたって逆バイアス処
理を施すには長時間を要し、太陽電池モジュールの生産
効率が低下する。また、一体化されたプローブの昇降回
数が多いため、摩耗による装置の故障回数が増加する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、多数
段の太陽電池セルを集積した太陽電池モジュールに対し
て逆バイアス処理を効率的に実施できる逆バイアス処理
装置を提供することにある。
段の太陽電池セルを集積した太陽電池モジュールに対し
て逆バイアス処理を効率的に実施できる逆バイアス処理
装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の太陽電池モジュ
ールの逆バイアス処理装置は、基板上にそれぞれ成膜お
よびスクライブ加工された第１電極層、半導体層および
第２電極層が順次積層された複数段の太陽電池セルを有
する太陽電池モジュールに対し、隣り合う太陽電池セル
の電極間に逆バイアス電圧を印加して短絡部を除去する
太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置において、互
いに隣り合う３段以上の太陽電池セルの電極に接触する
複数段のプローブと、複数段のプローブを一体的に昇降
させる昇降手段と、複数段のプローブから隣り合う任意
の１対の太陽電池セルの電極間に逆バイアス電圧を印加
する１対のプローブを選択する切換スイッチとを具備し
たことを特徴とする。
ールの逆バイアス処理装置は、基板上にそれぞれ成膜お
よびスクライブ加工された第１電極層、半導体層および
第２電極層が順次積層された複数段の太陽電池セルを有
する太陽電池モジュールに対し、隣り合う太陽電池セル
の電極間に逆バイアス電圧を印加して短絡部を除去する
太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置において、互
いに隣り合う３段以上の太陽電池セルの電極に接触する
複数段のプローブと、複数段のプローブを一体的に昇降
させる昇降手段と、複数段のプローブから隣り合う任意
の１対の太陽電池セルの電極間に逆バイアス電圧を印加
する１対のプローブを選択する切換スイッチとを具備し
たことを特徴とする。
【００１０】本発明の逆バイアス装置を用いれば、プロ
ーブを下降させて太陽電池セルの電極に接触させた後、
スイッチ切換により複数段の太陽電池セルの逆バイアス
処理ができるので、最も時間のかかるプローブの下降操
作の回数を従来よりも大幅に減少させることができ、逆
バイアス処理全体の効率を向上できる。
ーブを下降させて太陽電池セルの電極に接触させた後、
スイッチ切換により複数段の太陽電池セルの逆バイアス
処理ができるので、最も時間のかかるプローブの下降操
作の回数を従来よりも大幅に減少させることができ、逆
バイアス処理全体の効率を向上できる。
【００１１】本発明において、プローブとは逆バイアス
電圧を印加するための印加手段（電極）を意味し、プロ
ーブの太陽電池セルの電極に対する接触部は点状でも、
線状でも面状でもよい。太陽電池セルの１段分に着目す
れば、その長手方向に沿って１段当たり複数の点接触の
プローブ群を設けるか、または１段当たり１つもしくは
複数の線接触もしくは面接触のプローブ群を設けること
が好ましい。このようなプローブを設ければ、プローブ
から遠く離れた短絡部がなくなるので、電圧降下に起因
する悪影響を避けることができる。
電圧を印加するための印加手段（電極）を意味し、プロ
ーブの太陽電池セルの電極に対する接触部は点状でも、
線状でも面状でもよい。太陽電池セルの１段分に着目す
れば、その長手方向に沿って１段当たり複数の点接触の
プローブ群を設けるか、または１段当たり１つもしくは
複数の線接触もしくは面接触のプローブ群を設けること
が好ましい。このようなプローブを設ければ、プローブ
から遠く離れた短絡部がなくなるので、電圧降下に起因
する悪影響を避けることができる。
【００１２】なお、太陽電池セルの電極に対して線接触
または面接触するプローブを用いる場合、１つまたは複
数のプローブの（合計の）接触長さは太陽電池セルの長
手方向の長さの５０％以上とすることが好ましい。
または面接触するプローブを用いる場合、１つまたは複
数のプローブの（合計の）接触長さは太陽電池セルの長
手方向の長さの５０％以上とすることが好ましい。
【００１３】本発明の逆バイアス処理装置では、スイッ
チ切換により２段分のプローブに通電して１段の太陽電
池セルの逆バイアス処理を行うので、一体化されたｎ段
分のプローブ群を下降させて太陽電池セルの電極に接触
させた状態でスイッチ切換により逆バイアス処理できる
太陽電池セルの段数は（ｎ−１）段となる。本発明にお
いては、プローブの段数は３段以上であればよいが、５
〜１０段であることが好ましい。プローブの段数が少な
いと、逆バイアス処理全体の効率がそれほど向上しな
い。プローブの段数が多いと、全てのプローブを太陽電
池セルの電極に均一な応力で接触させることが困難にな
り、局所的に素子が機械的に破壊される危険性が高くな
る。
チ切換により２段分のプローブに通電して１段の太陽電
池セルの逆バイアス処理を行うので、一体化されたｎ段
分のプローブ群を下降させて太陽電池セルの電極に接触
させた状態でスイッチ切換により逆バイアス処理できる
太陽電池セルの段数は（ｎ−１）段となる。本発明にお
いては、プローブの段数は３段以上であればよいが、５
〜１０段であることが好ましい。プローブの段数が少な
いと、逆バイアス処理全体の効率がそれほど向上しな
い。プローブの段数が多いと、全てのプローブを太陽電
池セルの電極に均一な応力で接触させることが困難にな
り、局所的に素子が機械的に破壊される危険性が高くな
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１（ａ）は本発明の装置の平面
図、図１（ｂ）は本発明の装置の長手方向に沿う側面
図、図１（ｃ）は本発明の装置の幅方向に沿う側面図で
ある。
参照して説明する。図１（ａ）は本発明の装置の平面
図、図１（ｂ）は本発明の装置の長手方向に沿う側面
図、図１（ｃ）は本発明の装置の幅方向に沿う側面図で
ある。
【００１５】図１に示されるように、基台１１上にワー
クとして太陽電池モジュール１０が載置される。太陽電
気モジュール１０の微細構造は図５と同様であり、ガラ
ス基板１上にそれぞれ成膜およびスクライビングされた
透明電極（第１電極層）２、半導体層３および裏面電極
（第２電極層）４が積層されている。この太陽電池モジ
ュール１０はたとえば装置の長手方向（図１（ａ）に矢
印で表示）に沿う片側に設けられた搬入コンベア（図示
せず）により搬入され、他方の側に設けられた搬出コン
ベア（図示せず）により搬出される。太陽電池モジュー
ル１０の大きさは長さ８４０〜９１０ｍｍ、幅４２３〜
９１０ｍｍであり、装置の長手方向に対して太陽電池セ
ルの長手方向（スクライブ線の方向）が直交するように
基台１１上に載置される。この太陽電池モジュール１０
では、４０段の太陽電池セルが集積化されているものと
する。
クとして太陽電池モジュール１０が載置される。太陽電
気モジュール１０の微細構造は図５と同様であり、ガラ
ス基板１上にそれぞれ成膜およびスクライビングされた
透明電極（第１電極層）２、半導体層３および裏面電極
（第２電極層）４が積層されている。この太陽電池モジ
ュール１０はたとえば装置の長手方向（図１（ａ）に矢
印で表示）に沿う片側に設けられた搬入コンベア（図示
せず）により搬入され、他方の側に設けられた搬出コン
ベア（図示せず）により搬出される。太陽電池モジュー
ル１０の大きさは長さ８４０〜９１０ｍｍ、幅４２３〜
９１０ｍｍであり、装置の長手方向に対して太陽電池セ
ルの長手方向（スクライブ線の方向）が直交するように
基台１１上に載置される。この太陽電池モジュール１０
では、４０段の太陽電池セルが集積化されているものと
する。
【００１６】基台１１の一端側の上部にはステッピング
機構１２が立設されている。このステッピング機構１２
の上部には昇降機構１３が基台１１の内側に向かって突
出するように設けられている。昇降機構１３にはプロー
ブのホルダー１４が昇降可能に取り付けられており、ホ
ルダー１４の下面に多数のプローブ１５が取り付けられ
ている。
機構１２が立設されている。このステッピング機構１２
の上部には昇降機構１３が基台１１の内側に向かって突
出するように設けられている。昇降機構１３にはプロー
ブのホルダー１４が昇降可能に取り付けられており、ホ
ルダー１４の下面に多数のプローブ１５が取り付けられ
ている。
【００１７】図２に一例を示すように、プローブ１５は
１段の太陽電池セルの長手方向の全長にわたって３０ｍ
ｍの等間隔で約３０個設けられており、６段分のプロー
ブ群が一体的に昇降するようになっている。１段分のプ
ローブ群は共通の接続ワイヤ１６により接続されてい
る。接続ワイヤ１６の一端側は、６段分のプローブから
隣り合う任意の１対の太陽電池セルの電極間に逆バイア
ス電圧を印加する１対のプローブ群を選択する切換スイ
ッチ１７に接続されている。この切換スイッチ１７の切
換順序をＲ１〜Ｒ５で示す。さらに、これらの切換スイ
ッチ１７は逆バイアス電源１８に接続されている。
１段の太陽電池セルの長手方向の全長にわたって３０ｍ
ｍの等間隔で約３０個設けられており、６段分のプロー
ブ群が一体的に昇降するようになっている。１段分のプ
ローブ群は共通の接続ワイヤ１６により接続されてい
る。接続ワイヤ１６の一端側は、６段分のプローブから
隣り合う任意の１対の太陽電池セルの電極間に逆バイア
ス電圧を印加する１対のプローブ群を選択する切換スイ
ッチ１７に接続されている。この切換スイッチ１７の切
換順序をＲ１〜Ｒ５で示す。さらに、これらの切換スイ
ッチ１７は逆バイアス電源１８に接続されている。
【００１８】この逆バイアス装置の操作について説明す
る。図示しない搬入コンベアから太陽電池モジュールが
搬入されて基台１１上に載置され、位置合わせマーク
（図示せず）を基準として位置決めがなされる。次に、
ステッピング機構１２を動作させて、昇降機構１３、ホ
ルダー１４およびプローブ１５を逆バイアス処理すべき
太陽電池セルの上方に移動させる。次いで、昇降機構１
３を動作させ、局所的に大きな応力が作用して素子を機
械的に傷つけることがないように、ホルダー１４および
プローブ１５をゆっくりと下降させて太陽電池セルの上
部に接触させる。
る。図示しない搬入コンベアから太陽電池モジュールが
搬入されて基台１１上に載置され、位置合わせマーク
（図示せず）を基準として位置決めがなされる。次に、
ステッピング機構１２を動作させて、昇降機構１３、ホ
ルダー１４およびプローブ１５を逆バイアス処理すべき
太陽電池セルの上方に移動させる。次いで、昇降機構１
３を動作させ、局所的に大きな応力が作用して素子を機
械的に傷つけることがないように、ホルダー１４および
プローブ１５をゆっくりと下降させて太陽電池セルの上
部に接触させる。
【００１９】そして、切換スイッチ１７のスイッチＲ１
を接続して右端の２段分のプローブ群に通電して、最も
右端の太陽電池セルについて逆バイアス処理を施す。次
に、スイッチＲ２を接続して右端から２段目および３段
目の２段分のプローブ群に通電して、右端から２段目の
太陽電池セルについて逆バイアス処理を施す。このよう
なスイッチの切換を順次行い、右端から５段目の太陽電
池セルまで逆バイアス処理を施す。このように、１対
（２段分）のプローブ群を用いて１段の太陽電池セルに
ついて逆バイアス処理を行うので、上記のように６段分
のプローブ群を切換スイッチ１７で切り換えて使用する
ことにより５段分の太陽電池セルの逆バイアス処理を実
施できる。このとき、１段の太陽電池セルあたり多数
（この例では約３０個）のプローブが設けられているの
で、プローブから短絡部までの距離は電圧降下が問題に
ならない範囲内（最大でプローブ間の間隔３０ｍｍの半
分の１５ｍｍ）にあり、短絡部を除去できなくなった
り、逆に正常な素子部が破壊されるという問題が生じる
ことはない。
を接続して右端の２段分のプローブ群に通電して、最も
右端の太陽電池セルについて逆バイアス処理を施す。次
に、スイッチＲ２を接続して右端から２段目および３段
目の２段分のプローブ群に通電して、右端から２段目の
太陽電池セルについて逆バイアス処理を施す。このよう
なスイッチの切換を順次行い、右端から５段目の太陽電
池セルまで逆バイアス処理を施す。このように、１対
（２段分）のプローブ群を用いて１段の太陽電池セルに
ついて逆バイアス処理を行うので、上記のように６段分
のプローブ群を切換スイッチ１７で切り換えて使用する
ことにより５段分の太陽電池セルの逆バイアス処理を実
施できる。このとき、１段の太陽電池セルあたり多数
（この例では約３０個）のプローブが設けられているの
で、プローブから短絡部までの距離は電圧降下が問題に
ならない範囲内（最大でプローブ間の間隔３０ｍｍの半
分の１５ｍｍ）にあり、短絡部を除去できなくなった
り、逆に正常な素子部が破壊されるという問題が生じる
ことはない。
【００２０】続いて、昇降機構１３を動作させてホルダ
ー１４およびプローブ１５を上昇させ、ステッピング機
構１２を動作させて昇降機構１３、ホルダー１４および
プローブ１５を次回に逆バイアス処理すべき太陽電池セ
ルの上方に移動させた後に上記の操作を繰り返す。すな
わち、本発明の逆バイアス処理装置を用いて４０段分の
太陽電池セルについて逆バイアス処理するには、プロー
ブのステップ移動、プローブの下降、スイッチ切換によ
る逆バイアス処理およびプローブの上昇を一連の工程と
する操作を８回繰り返せばよい。これは、従来の逆バイ
アス処理装置を用いた場合には、４０段の太陽電池セル
を逆バイアス処理するには上記のような操作を４０回繰
り返す必要があったのと比較すると、生産効率を約５倍
に向上できることを意味する。また、本発明の逆バイア
ス処理装置では、一体化されたプローブ群の昇降回数が
従来より少ないため、摩耗による装置の故障回数も減少
する。
ー１４およびプローブ１５を上昇させ、ステッピング機
構１２を動作させて昇降機構１３、ホルダー１４および
プローブ１５を次回に逆バイアス処理すべき太陽電池セ
ルの上方に移動させた後に上記の操作を繰り返す。すな
わち、本発明の逆バイアス処理装置を用いて４０段分の
太陽電池セルについて逆バイアス処理するには、プロー
ブのステップ移動、プローブの下降、スイッチ切換によ
る逆バイアス処理およびプローブの上昇を一連の工程と
する操作を８回繰り返せばよい。これは、従来の逆バイ
アス処理装置を用いた場合には、４０段の太陽電池セル
を逆バイアス処理するには上記のような操作を４０回繰
り返す必要があったのと比較すると、生産効率を約５倍
に向上できることを意味する。また、本発明の逆バイア
ス処理装置では、一体化されたプローブ群の昇降回数が
従来より少ないため、摩耗による装置の故障回数も減少
する。
【００２１】なお、本発明において、プローブの形状は
特に限定されない。例えば、図３に示すように太陽電池
セル１０の裏面電極４と線接触する線状のプローブ２１
を用いてもよい。また、図４に示すように太陽電池セル
１０の裏面電極４と面接触するブロック状のプローブ２
２を用いてもよい。
特に限定されない。例えば、図３に示すように太陽電池
セル１０の裏面電極４と線接触する線状のプローブ２１
を用いてもよい。また、図４に示すように太陽電池セル
１０の裏面電極４と面接触するブロック状のプローブ２
２を用いてもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上詳述したように本発明の逆バイアス
処理装置を用いれば、複数段のプローブ群をスイッチ切
換により作動させて多数段の太陽電池セルを集積した太
陽電池モジュールに対して逆バイアス処理を効率的に実
施でき、しかも摩耗による装置の故障回数も減少する。
処理装置を用いれば、複数段のプローブ群をスイッチ切
換により作動させて多数段の太陽電池セルを集積した太
陽電池モジュールに対して逆バイアス処理を効率的に実
施でき、しかも摩耗による装置の故障回数も減少する。
【図１】本発明の一実施形態に係る逆バイアス処理装置
を示す平面図および側面図。
を示す平面図および側面図。
【図２】図１の逆バイアス処理装置におけるプローブの
配置を示す図。
配置を示す図。
【図３】本発明の他の実施形態に係る逆バイアス処理装
置を示す斜視図。
置を示す斜視図。
【図４】本発明の他の実施形態に係る逆バイアス処理装
置を示す斜視図。
置を示す斜視図。
【図５】逆バイアス処理を説明する断面図。
１…ガラス基板 ２…透明電極 ３…半導体層 ４…裏面電極 ５…プローブ １０…太陽電池モジュール １１…基台 １２…ステッピング機構 １３…昇降機構 １４…ホルダー １５…プローブ １６…接続ワイヤ １７…切換スイッチ １８…逆バイアス電源 ２１、２２…プローブ
【手続補正書】
【提出日】平成１２年２月３日（２０００．２．３）
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上にそれぞれ成膜およびスクライブ
加工された第１電極層、半導体層および第２電極層が順
次積層された複数段の太陽電池セルを有する太陽電池モ
ジュールに対し、隣り合う太陽電池セルの電極間に逆バ
イアス電圧を印加して短絡部を除去する太陽電池モジュ
ールの逆バイアス処理装置において、互いに隣り合う３
段以上の太陽電池セルの電極に接触する複数段のプロー
ブと、複数段のプローブを一体的に昇降させる昇降手段
と、複数段のプローブから隣り合う任意の１対の太陽電
池セルの電極間に逆バイアス電圧を印加する１対のプロ
ーブを選択する切換スイッチとを具備したことを特徴と
する太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11134069A JP2000323738A (ja) | 1999-05-14 | 1999-05-14 | 太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置 |
| AU22398/00A AU766466B2 (en) | 1999-05-14 | 2000-03-20 | Reverse biasing apparatus for solar battery module |
| EP00106128A EP1052704B1 (en) | 1999-05-14 | 2000-03-21 | Reverse biasing apparatus for solar battery module |
| DE60028452T DE60028452T2 (de) | 1999-05-14 | 2000-03-21 | Eine umgekehrte Vorspannung liefernder Generator für ein Solarzellenmodul |
| EP06005885A EP1670067B1 (en) | 1999-05-14 | 2000-03-21 | Reverse biasing method and apparatus for solar battery module |
| US09/532,111 US6365825B1 (en) | 1999-05-14 | 2000-03-21 | Reverse biasing apparatus for solar battery module |
| AT06005885T ATE396505T1 (de) | 1999-05-14 | 2000-03-21 | Eine umgekehrte vorspannung liefernder generator für ein solarzellenmodul |
| ES06005885T ES2303705T3 (es) | 1999-05-14 | 2000-03-21 | Procedimiento de polarizacion inversa y aparato para un modulo de celulas solares. |
| DE60038990T DE60038990D1 (de) | 1999-05-14 | 2000-03-21 | Eine umgekehrte Vorspannung liefernder Generator für ein Solarzellenmodul |
| AT00106128T ATE329372T1 (de) | 1999-05-14 | 2000-03-21 | Eine umgekehrte vorspannung liefernder generator für ein solarzellenmodul |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11134069A JP2000323738A (ja) | 1999-05-14 | 1999-05-14 | 太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009247833A Division JP2010021593A (ja) | 2009-10-28 | 2009-10-28 | 太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323738A true JP2000323738A (ja) | 2000-11-24 |
Family
ID=15119661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11134069A Pending JP2000323738A (ja) | 1999-05-14 | 1999-05-14 | 太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000323738A (ja) |
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-
1999
- 1999-05-14 JP JP11134069A patent/JP2000323738A/ja active Pending
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