CN101515609A - 薄膜型太阳能电池及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种薄膜型太阳能电池及其制造方法，能够通过减小死区而实现提高太阳能电池的效率，其中，所述方法包括：在基板上形成多个前电极，其中所述多个前电极通过各个插置其间中的第一分隔部分以固定间隔形成；在包括所述前电极的所述基板的整个表面上形成半导体层和透明导电层；通过去除所述半导体层和所述透明导电层的预定部分形成与所述第一分隔部分接触的接触部分；通过去除所述透明导电层的预定部分形成第二分隔部分；以及形成经接触部分与前电极相连接的后电极。

Description

薄膜型太阳能电池及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池，更特别地，涉及一种具有多个串联连接的单体电池的薄膜型太阳能电池。
背景技术
具有半导体特性的太阳能电池将光能转化为电能。
下面对根据现有技术的太阳能电池的构造和原理进行简要介绍。太阳能电池以P型半导体与N型半导体结合在一起的PN结的构造形成。当太阳光线照射在具有PN结构造的太阳能电池上的时候，由于太阳光线的能量而生成空穴(+)和电子(-)。由于在PN结的区域产生了电场，空穴(+)向P型半导体移动，电子(-)向N型半导体移动，因此随着电势的出现而形成电源。
太阳能电池主要分为硅晶型太阳能电池和薄膜型太阳能电池。
硅晶型太阳能电池使用诸如硅等半导体材料制成的晶片。然而，薄膜型太阳能电池是通过在玻璃基板上以薄膜的形式形成半导体而制成。
就效率而言，硅晶型太阳能电池优于薄膜型太阳能电池。然而，对硅晶型太阳能电池来说，因其制造工艺而难以实现较小的厚度。此外，硅晶型太阳能电池使用昂贵的半导体基板，因此增加了它的制造成本。
尽管薄膜型太阳能电池在效率上低于硅晶型太阳能电池，但薄膜型太阳能电池具有诸如实现薄形体和使用低价材料等优点。因此，薄膜型太阳能电池适于大规模生产。
薄膜型太阳能电池通过顺序地执行以下步骤而制成：在玻璃基板上形成前电极、在前电极上形成半导体层以及在半导体层上形成后电极。在这种情况下，由于前电极相当于光线入射表面，因此前电极由氧化锌等透明导电材料制成。随着基板尺寸的增大，由于透明导电层的电阻使得功率损耗增大。
因此，提出了一种用于最小化功率损耗的方法，该方法中，薄膜型太阳能电池被分为多个串联连接的单体电池。该方法使得由透明导电材料的电阻引起的功率损耗最小化。
在下文中，将参照图1A至图1F说明根据现有技术的具有多个串联连接的单体电池的薄膜型太阳能电池的制造方法。
图1A至图1F是示出了根据现有技术的具有多个串联连接的单体电池的薄膜型太阳能电池的制造方法的剖面图。
首先，如图1A所示，在基板10上形成前电极层20a。
接着，如图1B所示，在前电极20上通过激光划片工艺去除前电极层20a的预定部分而形成多个前电极20，其中多个前电极20通过各个第一分隔部分25被置于前电极之间中而按固定的间隔设置。
然后，如图1C所示，在基板10的整个表面上顺序地形成半导体层30a和透明导电层40a。
如图1D所示，通过激光划片工艺去除半导体层30a和透明导电层40a的预定部分而形成多个半导体层30和透明导电层40，其中多个半导体层30a和透明导电层40a通过各个插置其间中的接触部35按固定的间隔设置。
如图1E所示，在基板10的整个表面上形成后电极层50a。
如图1F所示，通过激光划片工艺去除半导体层30、透明导电层40和后电极层50a的预定部分而形成第二分隔部分45。因此，多个后电极50通过各个插置其间中的第二分隔部分45以固定的间隔形成。
然而，现有技术的制造薄膜型太阳能电池的方法具有以下缺点：
首先，如图1F所示，有一个对应于“A”区域的死区，即从第一分隔部分25的一端到第二分离部分45的一端的区域，其中死区表示不能作为太阳能电池工作的区域。在现有技术中，由于多个第一分隔部分25、接触部分35和第二分隔部分45是以固定间隔形成的，因此死区具有相当大的尺寸，从而降低了太阳能电池的效率。
特别地，第二分隔部分45是通过以图1F中的箭头方向照射激光而形成。当照射激光时，半导体层30a和透明导电层40被激光分开，并且同时后电极层50a受半导体层30和透明导电层40分离带来的影响也被分离。因此，如果第二分隔部分45太靠近接触部分35，则与前电极20接触的后电极50会受到影响而被分离，从而导致接触失败。因为这个原因，如果第二分隔部分45是通过激光划片工艺而形成，则第二分隔部分45应当以距离接触部分35固定的间隔形成。
此外，用以形成第一分隔部分25、接触部分35和第二分隔部分45的步骤必需要使用三次激光划片工艺。在这三次激光划片工艺期间，在基板上残留的剩余物会污染基板。为此，还需要额外地执行清洁工艺以防止基板被污染。然而，附加的清洁工艺会导致工艺复杂和产率降低。
发明内容
因此，本发明为了解决上述问题而提出，并且本发明的目的在于提供一种薄膜型太阳能电池及其制造方法，能够防止现有技术的一个或多个问题。
本发明的一个目的在于提供一种薄膜型太阳能电池及其制造方法，通过减小死区的尺寸而能够提高太阳能电池的效率。
本发明的另一个目的在于提供一种薄膜型太阳能电池及其制造方法，能够通过减少执行激光划片工艺的次数而最小化污染基板的可能性，并且能够通过减少执行清洁工艺的次数而提高产率。
为实现上述目标和其它优点并且与本发明的目的一致，如在此举例并概括描述的，一种用于制造薄膜型太阳能电池的方法，包括：在基板上形成多个前电极，其中多个前电极通过插置其间中的第一分隔部分以固定的间隔形成；在包括前电极的基板的整个表面上形成半导体层和透明导电层；通过去除半导体层和透明导电层的预定部分形成与第一分隔部分接触的接触部分；通过去除半导体层和透明导电层的预定部分形成第二分隔部分；以及通过接触部分形成与前电极相连接的后电极。
本发明的另一方面是提供一种薄膜型太阳能电池，包括：基板；在基板上通过插置其间中的各个第一分隔部分以固定间隔形成的多个前电极；通过插置其间中的各个接触部分以固定间隔形成的多个半导体层，其中接触部分与第一分隔部分接触；通过接触部分和第二分隔部分以固定间隔形成的多个透明导电层；以及通过接触部分与前电极相连接的后电极。
根据本发明的薄膜型太阳能电池及其制造方法具有以下优点。
首先，接触部分被定位以与第一分隔部分相接触，以便能减少死区，从而提高太阳能电池的效率。
另外，第二分隔部分被定位以与接触部分相接触，以便能减少死区，从而提高太阳能电池的效率。特别地，多个后电极是通过印刷法以固定间隔形成，而不是通过现有技术的包括在基板的整个表面上形成后电极层和通过激光划片工艺以固定间隔形成第二分隔部分的连续步骤的方法形成。因此，即使在第二分隔部分被定位以与接触部分相接触时，也能够防止在后电极与前电极之间的接触失败。
此外，能够通过减少执行激光划片工艺的次数而最小化污染基板的可能性，并且能够通过减少执行清洁工艺的次数而提高产率。
附图说明
图1A至1F是示出根据现有技术的薄膜型太阳能电池的制造方法的剖面图。
图2A至2F是示出根据本发明第一实施例的薄膜型太阳能电池的制造方法的剖面图。
图3A至图3F是示出根据本发明第二实施例的薄膜型太阳能电池的制造方法的剖面图。
图4A至图4F是示出根据本发明第三实施例的薄膜型太阳能电池的制造方法的剖面图。
图5A至图5F是示出根据本发明第四实施例的薄膜型太阳能电池的制造方法的剖面图。
图6是示出由本发明第一实施例制成的薄膜型太阳能电池的剖面图。
图7是示出由本发明第二实施例制成的薄膜型太阳能电池的剖面图。
图8是示出由本发明第三实施例制成的薄膜型太阳能电池的剖面图。
图9是示出由本发明第四实施例制成的薄膜型太阳能电池的剖面图。
具体实施方式
下面将详细地讲述本发明的优选实施例，本发明优选实施例的例子表示在附图中。在所有可能的情况下，在全部附图中将使用相同的附图标记表示相同或相似的组成部分。
在下文中，将参照附图描述根据本发明的薄膜型太阳能电池及其制造方法。
<薄膜型太阳能电池的制造方法>
图2A至2F是示出根据本发明第一实施例的薄膜型太阳能电池的制造方法的剖面图。
首先，如图2A所示，前电极层200a在基板100上形成。
基板100可由玻璃或透明塑料形成。前电极层200a可由透明导电材料，例如：ZnO(氧化锌)，ZnO:B(掺硼氧化锌)，ZnO:Al(掺铝氧化锌)，SnO2(氧化锡)，SnO2:F(掺氟氧化锡)，或ITO(铟锡氧化物)通过溅射或MOCVD(有机金属化学气相沉积)形成。
前电极层200a相当于太阳光线入射表面。就此而言，重要的是前电极层200a将太阳光线传送到太阳能电池的内部，增加太阳光线的吸收。为此，可对前电极层200a额外地执行变形工艺(texturing process)。
通过变形工艺，材料层的表面通过利用光刻法的蚀刻工艺、利用化学溶液的各向异性蚀刻工艺或者机械划线工艺被给予不平整的表面，即纹理结构。在对前电极层200a执行变形工艺的情况下，因太阳光线的散射而使太阳能电池上的太阳光线的反射率降低，而太阳能电池上的太阳光线的吸收率提高，从而提高太阳能电池的效率。
接着，如图2B所示，第一分隔部分250通过去除前电极层200a的预定部分而形成。因此，多个前电极200通过各个插置其间中的第一分隔部分250以固定的间隔形成。
形成第一分隔部分250的步骤可通过激光划片工艺实现。
同时，多个前电极200也可通过执行诸如丝网印刷法、喷墨印刷法、凹版印刷法或微接触印刷法等简单的方法通过各个插置其间中的第一分隔部分以固定间隔直接在基板100上形成，而无需对基板100的整个表面上形成的前电极层200a应用如图2A和图2B所示的激光划片工艺。
如果是通过执行诸如丝网印刷法、喷墨印刷法、凹版印刷法或微接触印刷法形成的前电极，则与激光划片工艺相比，几乎不用担心基板的污染，并且无需进行防止基板污染的清洁工艺。
如图2C所示，半导体层300a和透明导电层400a顺序地在基板100的整个表面上形成。
半导体层300a可由硅基半导体材料通过等离子体化学气相沉积法形成。
半导体层300a可以按照PIN结构形成，在PIN结构中，P型半导体层、I型半导体层和N型半导体层被顺序地沉积。
在具有PIN结构的半导体层300a中，通过P型半导体层和N型半导体层在I型半导体层产生耗尽，从而在其中产生电场。因此，通过太阳光线产生的电子和空穴被电场移动，并且被移动的电子和空穴分别聚集在N型半导体层和P型半导体层中。如果形成具有PIN结构的半导体层300a，则优选地，P型半导体层首先形成，随后在其上形成I型和N型半导体层。这是因为空穴的漂移迁移率低于电子的漂移迁移率。为了使入射光线的聚集效率最大化，P型半导体层被设为与光线入射表面相邻。
透明导电层400a可由诸如氧化锌、掺硼氧化锌、掺铝氧化锌或银等透明导电材料通过溅射或MOCVD形成。透明导电层400a使太阳光线以各个角度散射，因此太阳光线在待描述的后电极被反射，从而使得在半导体层300a上的太阳光线的再入射增加。
如图2D所示，接触部分350通过去除半导体层300a和透明导电层400a的预定部分而形成。因此，半导体层300和透明导电层400b顺序沉积的多个图案，通过各个插置其间中的接触部分350以固定的间隔形成。
此时，接触部分350被定位以与第一分隔部分250相接触。更特别地，半导体层300a和透明导电层400a在前电极200上的预定部分被去除，以使第一分隔部分250的一端与接触部分350的一端相接合。在第一分隔部分250的一端接合接触部分350的一端的情况下，可以使太阳能电池的死区最小化。
形成接触部分350的步骤可通过激光划片工艺实现。
如图2E所示，第二分隔部分450通过去除透明导电层400b的预定部分而形成。因此，多个透明导电层400通过接触部分350和第二分隔部分450以固定的间隔被图案化。
此时，透明导电层400b的预定部分被去除从而使第二分隔部分450与接触部分350相接触。在第二分隔部分450接触接触部分350的情况下，可以使太阳能电池的死区最小化。
形成第二分隔部分450的步骤可通过激光划片工艺实现。尽管第二分隔部分450与接触部分350相接触，但是后电极与前电极之间不会发生接触失败。这是因为形成第二分隔部分450的步骤在形成后电极的步骤之前执行。
如图2F所示，后电极500经接触部分350与前电极200连接。
多个后电极500通过各个插置其间中的第二分隔部分450以固定间隔形成。
后电极500可由金属材料例如银、铝、银加钼、银加镍或者银加铜通过丝网印刷法、喷墨印刷法、凹版印刷法或微接触印刷法形成。
图3A至图3F是示出根据本发明第二实施例的薄膜型太阳能电池的制造方法的剖面图。
除了用以形成接触部分350的步骤之外，根据本发明第二实施例的薄膜型太阳能电池的制造方法与根据本发明第一实施例的薄膜型太阳能电池的制造方法相同。在所有可能的情况下，在全部附图中将使用相同的附图标记表示上述实施例的相同或相似的组成部分，并且省略对相同或相似部分的详细描述。
首先，如图3A所示，前电极层200a在基板100上形成。
接着，如图3B所示，第一分隔部分250通过去除前电极层200a的预定部分而形成。因此，多个前电极200通过各个插置其间中的第一分隔部分250以固定的间隔形成。
如图3C所示，半导体层300a和透明导电层400a顺序地在基板100的整个表面上形成。
如图3D所示，接触部分350通过去除半导体层300a和透明导电层400a的预定部分而形成。因此，半导体层300和透明导电层400b顺序沉积的多个图案通过各个插置其间中的接触部分350以固定的间隔形成。
为了使接触部分350和第一分隔部分250在其预定部分部分地重叠，需要去除设在前电极200上的半导体层300a和透明导电层400a的预定部分，并且去除设在第一分隔部分250内部的半导体层300a和透明导电层400a的预定部分。在接触部分350和第一分隔部分250在其预定部分部分地重叠的情况下，可以使太阳能电池的死区最小化。此外，由于接触部分350和第一分隔部分250在其预定部分部分地重叠，前电极200的上表面和侧面通过接触部分350被暴露。因此，待描述的后电极与前电极200的侧面相接触，也与前电极200的上表面相接触。
如图3E所示，第二分隔部分450通过去除透明导电层400b的预定部分而形成。因此，多个透明导电层400通过接触部分350和第二分隔部分450以固定的间隔形成。
此时，透明导电层400b的预定部分被去除从而使第二分隔部分450与接触部分350相接触。在第二分隔部分450被设为与接触部分350相接触的情况下，可以使太阳能电池的死区最小化。
如图3F所示，后电极500经接触部分350与前电极200连接。
多个后电极500通过各个插置其间中的第二分隔部分450以固定间隔形成。
图4A至图4F是示出根据本发明第三实施例的薄膜型太阳能电池的制造方法的剖面图。
除了用以形成第二分隔部分450的步骤之外，根据本发明第三实施例的薄膜型太阳能电池的制造方法与根据本发明第一实施例的薄膜型太阳能电池的制造方法相同。在所有可能的情况下，在全部附图中将使用相同的附图标记表示上述实施例的相同或相似的组成部分，并且省略对相同或相似部分的详细描述。
首先，如图4A所示，前电极层200a在基板100上形成。
接着，如图4B所示，第一分隔部分250通过去除前电极层200a的预定部分而形成。因此，多个前电极200通过各个插置其间中的第一分隔部分250以固定的间隔形成。
如图4C所示，半导体层300a和透明导电层400a顺序地在基板100的整个表面上形成。
如图4D所示，接触部分350通过去除半导体层300a和透明导电层400a的预定部分而形成。因此，半导体层300和透明导电层400b顺序沉积的多个图案通过各个插置其间中的接触部分350以固定的间隔形成。
此时，接触部分350被定位以与第一分隔部分250相接触。更特别地，半导体层300a和透明导电层400a在前电极200上的预定部分被去除以便第一分隔部分250的一端与接触部分350的一端相接触。在第一分隔部分250的一端接合接触部分350的一端的情况下，可以使太阳能电池的死区最小化。
以与根据本发明第二实施例的方法(见图3D)同样的方式，为了使接触部分350和第一分隔部分250在其预定部分部分地重叠，可以去除设在前电极200上的半导体层300a和透明导电层400a的预定部分，并且去除设在第一分隔部分250内部的半导体层300a和透明导电层400a的预定部分。
如图4E所示，第二分隔部分450通过去除透明导电层400b的预定部分而形成。因此，多个透明导电层400通过接触部分350和第二分隔部分450以固定的间隔形成。
此时，透明导电层400b的预定部分被去除以防止第二分隔部分450与接触部分350相接触。
参照本发明的第一实施例，当后电极500通过印刷工艺(参见图2F)在形成与接触部分350相接触的第二分隔部分450(参见图2E)之后形成时，会出现由于印刷工艺的错误而使后电极500被设置在第二分隔部分450之上的可能。在这种情况下，需要通过各个单体电池电气隔离的后电极500相互间电气连接，从而导致短路。
在本发明的第三实施例中，第二分隔部分450与接触部分350不接触。因此，即使后电极500由于印刷工艺的错误而被设置在第二分隔部分450之上，仍可以最小化电极500之间短路的发生率。为了最小化短路的发生率，多个第二分隔部分450可在各个后电极500之间形成。
如图4F所示，后电极500经接触部分350与前电极200连接。
多个后电极500通过各个插置其间中的第二分隔部分450和与第二分隔部分450相邻的透明导电层400以固定间隔形成。
图5A至图5F是示出根据本发明第四实施例的薄膜型太阳能电池的制造方法的剖面图。
除了用以形成第一分隔部分250的步骤之外，根据本发明第四实施例的薄膜型太阳能电池的制造方法与根据本发明第一实施例的薄膜型太阳能电池的制造方法相同。在所有可能的情况下，在全部附图中将使用相同的附图标记表示上述实施例的相同或相似的组成部分，并且省略对相同或相似部分的详细描述。
首先，如图5A所示，前电极层200a在基板100上形成。
接着，如图5B所示，第一分隔部分250通过去除前电极层200a的预定部分而形成。因此，多个前电极200通过各个插置其间中的第一分隔部分250以固定的间隔形成。
此时，第一分隔部分250的宽度自其底部向其顶部的方向逐渐增大，从而使第一分隔部分250的侧面倾斜，如剖面图中所示。
第一分隔部分250倾斜的侧面使前电极200与待描述的后电极之间的接触表面增大。
随后，如图5C所示，半导体层300a和透明导电层400a顺序地在基板100的整个表面上形成。
如图5D所示，接触部分350通过去除半导体层300a和透明导电层400a的预定部分而形成。因此，半导体层300和透明导电层400b顺序沉积的多个图案通过各个插置其间中的接触部分350以固定的间隔形成。
此时，接触部分350的一个侧面被定位在第一分隔部分250的底部的一个端部，也就是说，接触部分350的一个侧面与第一分隔部分250的底部的一个端部相接合，其中第一分隔部分250的底部相对于第一分隔部分250的顶部更狭窄。这种结构能够使前电极200与后电极500之间的接触表面增大。
如图5E所示，第二分隔部分450通过去除透明导电层400b的预定部分而形成。因此，多个透明导电层400通过接触部分350和第二分隔部分450以固定的间隔形成。
此时，如附图所示，第二分隔部分450可与接触部分350相接触。以与根据本发明第三实施例的方法(见图4E)同样的方式，第二分隔部分450可不与接触部分350相接触。
如图5F所示，后电极500经接触部分350与前电极200连接。
多个后电极500通过各个插置其间中的第二分隔部分450以固定间隔形成。
此时，第一分隔部分250的一个侧面经过图5B所示的工艺而倾斜，并且接触部分350的一个侧面经过图5D所示的工艺被定位在第一分隔部分250的底部的一个端部，从而使前电极200与后电极500之间的接触面积增大。
<薄膜型太阳能电池>
图6是示出由本发明第一实施例制成的薄膜型太阳能电池的剖面图。图7是示出由本发明第二实施例制成的薄膜型太阳能电池的剖面图。图8是示出由本发明第三实施例制成的薄膜型太阳能电池的剖面图。图9是示出由本发明第四实施例制成的薄膜型太阳能电池的剖面图。
如图6至图9所示，根据本发明的薄膜型太阳能电池包括：基板100、前电极200、半导体层300、透明导电层400以及后电极500。
多个前电极200在基板100上形成，其中多个前电极200由插置其间中的第一分隔部分250以固定的间隔形成。在图9中，第一分隔部分250的宽度可自其底部向其顶部的方向逐渐增大，从而使第一分隔部分250的侧边相对于垂直剖面倾斜。前电极200可具有不平整的表面。
多个半导体层300通过各个插置其间中的接触部分350以固定间隔形成。如图6和图8所示，接触部分350的一端与第一分隔部分250的一端接合。如图7所示，接触部分350和第一分隔部分250在它们的预定部分可部分地重叠。如图9所示，接触部分350的一个侧面被定位在第一分隔部分250的底部的一个端部。
多个透明导电层400通过接触部分350和第二分隔部分450以固定间隔形成。此时，第二分隔部分450可与接触部分350相接触，如图6、图7和图9所示，或者第二分隔部分450也可与接触部分350不接触，如图8所示。如果第二分隔部分450与接触部分350不接触，则多个第二分隔部分450可设置在各个后电极500之间。
后电极500经接触部分350与前电极200连接。后电极500可以与前电极200的上表面相接触，如图6和图8所示，或者后电极500可与前电极200的上表面和侧面相接触，如图7和图9所示。
本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明的主旨和范围的情况下，可以对本发明进行各种改进和变形。因此，本发明旨在涵盖本发明的各种改进和变形，倘若这些改进和变形落在由权利要求及其等同物限定的本发明范围内。

Claims (19)

1.一种薄膜型太阳能电池的制造方法，包括：
在基板上形成多个前电极，其中所述多个前电极通过各个插置其间中的第一分隔部分以固定间隔形成；
在包括所述前电极的所述基板的整个表面上形成半导体层和透明导电层；
通过去除所述半导体层和所述透明导电层的预定部分形成与所述第一分隔部分接触的接触部分；
通过去除所述透明导电层的预定部分形成第二分隔部分；以及
形成经接触部分与前电极相连接的后电极。
2.如权利要求1所述的方法，其中，用以形成所述接触部分的工艺包括如下步骤：
去除设在所述前电极上的所述半导体层和所述透明导电层的预定部分从而使所述第一分隔部分的一端与所述接触部分的一端相接合。
3.如权利要求1所述的方法，其中，用以形成所述接触部分的工艺包括如下步骤：
去除设在所述前电极上的所述半导体层和所述透明导电层的预定部分并且去除设在所述第一分隔部分中的所述半导体层和所述透明导电层的预定部分，从而使所述第一分隔部分与所述接触部分在二者的预定部分部分地重叠。
4.如权利要求1所述的方法，其中，用以形成所述前电极的工艺包括如下步骤：
在所述基板上形成前电极层；以及
通过去除所述前电极层的预定部分而形成所述第一分隔部分。
5.如权利要求4所述的方法，其中，用以形成所述第一分隔部分的工艺包括如下步骤：
通过自所述第一分隔部分的底部向其顶部的方向逐渐增大第一分隔部分宽度而形成所述第一分隔部分的倾斜的侧面。
6.如权利要求5所述的方法，其中，用以形成所述接触部分的工艺包括如下步骤：
使所述接触部分的一个侧面定位在所述第一分隔部分的底部的一个端部，其中所述第一分隔部分的所述底部相对所述第一分隔部分的所述顶部更狭窄。
7.如权利要求1所述的方法，其中，用以形成所述第二分隔部分的工艺包括如下步骤：
去除所述透明导电层的预定部分从而使所述第二分隔部分与所述接触部分被定位为相互接触。
8.如权利要求1所述的方法，其中，用以形成所述第二分隔部分的工艺包括如下步骤：
去除所述透明导电层的预定部分从而使所述第二分隔部分与所述接触部分被定位为不相互接触。
9.如权利要求8所述的方法，其中，所述多个第二分隔部分在各个所述后电极之间形成。
10.如权利要求1所述的方法，其中，用以形成所述后电极的工艺包括如下步骤：
形成与所述前电极的上表面和侧表面相接触的所述后电极。
11.一种薄膜型太阳能电池，包括：
基板；
多个前电极，通过各个插置其间中的第一分隔部分以固定间隔在所述基板上形成；
多个半导体层，通过各个插置其间中的接触部分以固定间隔形成，所述接触部分与所述第一分隔部分相接触；
多个透明导电层，通过所述接触部分和所述第二分隔部分以固定间隔形成；以及
后电极，经所述接触部分与所述前电极相连接。
12.如权利要求11所述的薄膜型太阳能电池，其中，所述接触部分的一端与所述第一分隔部分的一端相接触。
13.如权利要求11所述的薄膜型太阳能电池，其中，所述第一分隔部分与所述接触部分在二者的预定部分部分地重叠。
14.如权利要求11所述的薄膜型太阳能电池，其中，所述第一分隔部分的一个侧面通过自其底部向其顶部的方向逐渐增大所述第一分隔部分的宽度而倾斜。
15.如权利要求14所述的薄膜型太阳能电池，其中，所述接触部分的一个侧面定位在所述第一分隔部分的底部的一个端部，其中所述第一分隔部分的所述底部相对所述第一分隔部分的所述顶部更狭窄。
16.如权利要求11所述的薄膜型太阳能电池，其中，所述第二分隔部分与所述接触部分相接触。
17.如权利要求11所述的薄膜型太阳能电池，其中，所述第二分隔部分与所述接触部分不接触。
18.如权利要求17所述的薄膜型太阳能电池，其中，所述多个第二分隔部分在各个所述后电极之间形成。
19.如权利要求11所述的薄膜型太阳能电池，其中，所述后电极与所述前电极的上表面和侧表面相接触。
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