JP2000261009A - 集積型光起電力装置 - Google Patents
集積型光起電力装置Info
- Publication number
- JP2000261009A JP2000261009A JP11063815A JP6381599A JP2000261009A JP 2000261009 A JP2000261009 A JP 2000261009A JP 11063815 A JP11063815 A JP 11063815A JP 6381599 A JP6381599 A JP 6381599A JP 2000261009 A JP2000261009 A JP 2000261009A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode film
- metal electrode
- back metal
- glass substrate
- resin coat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、ガラス基板が大面積化しても反
りの発生を抑制できる光起電力装置を提供することを目
的とする。 【解決手段】 透光性ガラス基板１の一主面上に、透明
導電膜２、非晶質半導体層３、裏面金属電極膜４をこの
順序で積層した光起電力素子が複数個設けられた集積型
光起電力装置であって、前記裏面金属電極膜４に複数の
孔４１が設けられている。
りの発生を抑制できる光起電力装置を提供することを目
的とする。 【解決手段】 透光性ガラス基板１の一主面上に、透明
導電膜２、非晶質半導体層３、裏面金属電極膜４をこの
順序で積層した光起電力素子が複数個設けられた集積型
光起電力装置であって、前記裏面金属電極膜４に複数の
孔４１が設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ガラス基板を支
持体とし、ガラス基板側から光を入射する集積型光起電
力装置に関する。
持体とし、ガラス基板側から光を入射する集積型光起電
力装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）系半導体を
光活性層に用いた光起電力装置が色々な用途に使用され
ている。これは一枚の基板上に多数の光電変換素子をカ
スケード接続することにより、高電圧を取り出すように
した集積型光起電力装置の開発に負うところが大きい。
光活性層に用いた光起電力装置が色々な用途に使用され
ている。これは一枚の基板上に多数の光電変換素子をカ
スケード接続することにより、高電圧を取り出すように
した集積型光起電力装置の開発に負うところが大きい。
【０００３】一般的なａ−Ｓｉ光起電力装置は、ガラス
基板上に、透明導電膜、内部にｐｉｎ接合を有するａ−
Ｓｉからなる非晶質半導体層膜及び裏面金属電極膜をこ
の順序で積層して形成されている。そして、これら光起
電力装置を屋外の屋根などに設置して電力用として用い
るために、裏面金属電極膜上に、防水・防湿のためにエ
ポキシ系樹脂コートが施されている。
基板上に、透明導電膜、内部にｐｉｎ接合を有するａ−
Ｓｉからなる非晶質半導体層膜及び裏面金属電極膜をこ
の順序で積層して形成されている。そして、これら光起
電力装置を屋外の屋根などに設置して電力用として用い
るために、裏面金属電極膜上に、防水・防湿のためにエ
ポキシ系樹脂コートが施されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、電力用ａ−
Ｓｉ光起電力装置の低コスト化のためには、高スループ
ット化、大面積化及び高性能化が必要不可欠である。大
面積化においては、近年メートル角級サイズが主流にな
りつつある。しかし、上記したように、ａ−Ｓｉ光起電
力装置は、支持基板であるガラス基板の片面に光起電力
素子が形成されるので、サイズが大きくなるにつれて反
りが発生し、場合によってはガラス基板に割れが生じた
りするなどの問題があった。即ち、裏面金属電極を形成
した後、金属とガラスの膨張係数の違いから反りが発生
する。裏面金属電極膜の厚みは約０．３μｍ程度と非常
に薄膜なため、電極の中心への引っ張り力は小さくガラ
スを元に戻そうとする力との間で釣り合った位置で反り
が安定する。この反りは基板の面積が大きくなるほど大
きくなる。さらに、裏面金属電極膜の上に防水・防湿用
の樹脂コートを形成すると、電極の引っ張り力に樹脂コ
ート膜の引っ張り力が加わるために、反りがさらに大き
くなる。
Ｓｉ光起電力装置の低コスト化のためには、高スループ
ット化、大面積化及び高性能化が必要不可欠である。大
面積化においては、近年メートル角級サイズが主流にな
りつつある。しかし、上記したように、ａ−Ｓｉ光起電
力装置は、支持基板であるガラス基板の片面に光起電力
素子が形成されるので、サイズが大きくなるにつれて反
りが発生し、場合によってはガラス基板に割れが生じた
りするなどの問題があった。即ち、裏面金属電極を形成
した後、金属とガラスの膨張係数の違いから反りが発生
する。裏面金属電極膜の厚みは約０．３μｍ程度と非常
に薄膜なため、電極の中心への引っ張り力は小さくガラ
スを元に戻そうとする力との間で釣り合った位置で反り
が安定する。この反りは基板の面積が大きくなるほど大
きくなる。さらに、裏面金属電極膜の上に防水・防湿用
の樹脂コートを形成すると、電極の引っ張り力に樹脂コ
ート膜の引っ張り力が加わるために、反りがさらに大き
くなる。
【０００５】従って、電力用に光起電力装置を用いるた
めには、防水・防湿用の樹脂コートを施す必要がある
が、基板の反りが大きいと、モジュール化する際の作業
性が低下するとともに、モジュール化の際に基板に割れ
が発生するなど問題が生じていた。
めには、防水・防湿用の樹脂コートを施す必要がある
が、基板の反りが大きいと、モジュール化する際の作業
性が低下するとともに、モジュール化の際に基板に割れ
が発生するなど問題が生じていた。
【０００６】この発明は、上述した従来の問題点を解決
するためになされたものにして、ガラス基板が大面積化
しても反りの発生を抑制できる集積型光起電力装置を提
供することを目的とする。
するためになされたものにして、ガラス基板が大面積化
しても反りの発生を抑制できる集積型光起電力装置を提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、透光性ガラ
ス基板の一主面上に、透明導電膜、非晶質半導体層、裏
面金属電極膜をこの順序で積層した光起電力素子が複数
個設けられた集積型光起電力装置であって、前記裏面金
属電極膜に複数の孔を設けたことを特徴とする。
ス基板の一主面上に、透明導電膜、非晶質半導体層、裏
面金属電極膜をこの順序で積層した光起電力素子が複数
個設けられた集積型光起電力装置であって、前記裏面金
属電極膜に複数の孔を設けたことを特徴とする。
【０００８】前記裏面金属電極膜に設けた孔の開口面積
の総計が全受光面積の５％ないし８％であるように、孔
を形成すればよい。
の総計が全受光面積の５％ないし８％であるように、孔
を形成すればよい。
【０００９】また、前記裏面金属電極膜に設ける孔の形
状を、裏面金属電極膜の分離溝の方向と平行な方向に長
径とする楕円にするよい。
状を、裏面金属電極膜の分離溝の方向と平行な方向に長
径とする楕円にするよい。
【００１０】前記裏面金属電極膜上に防湿用樹脂コート
が設けられ、この樹脂コートが７００ｎｍ以上の波長の
可視光に対して高い反射率を有するように、赤色系又は
白色系にするとよい。
が設けられ、この樹脂コートが７００ｎｍ以上の波長の
可視光に対して高い反射率を有するように、赤色系又は
白色系にするとよい。
【００１１】上記のように構成することで、従来生じて
いたガラス基板と裏面金属電極膜並びに樹脂層との界面
において熱膨張係数差により発生するストレスが裏面金
属電極膜に形成される複数の孔により緩和され、反りの
低減が図れる。その結果、反りによるガラス基板の割れ
の発生や作業性の低下によるスループット低下を防止で
きる。
いたガラス基板と裏面金属電極膜並びに樹脂層との界面
において熱膨張係数差により発生するストレスが裏面金
属電極膜に形成される複数の孔により緩和され、反りの
低減が図れる。その結果、反りによるガラス基板の割れ
の発生や作業性の低下によるスループット低下を防止で
きる。
【００１２】また、孔の総トータルの開口面積を全受光
面積の５％から８％にし、裏面金属電極膜上に防水、防
湿のために形成する防湿用樹脂コートを７００ｎｍ以上
の波長の可視光に対して高い反射率を有する赤色系のも
のかさらに好ましくは白色のものを使用することによ
り、裏面金属電極膜の孔部分に照射した光が防湿用樹脂
コートにより反射しこの界面で乱反射され、非晶質半導
体層に吸収され、発電に再利用される。このため裏面金
属電極膜に設けた孔が原因となる反射の低下を抑制する
ことができる。
面積の５％から８％にし、裏面金属電極膜上に防水、防
湿のために形成する防湿用樹脂コートを７００ｎｍ以上
の波長の可視光に対して高い反射率を有する赤色系のも
のかさらに好ましくは白色のものを使用することによ
り、裏面金属電極膜の孔部分に照射した光が防湿用樹脂
コートにより反射しこの界面で乱反射され、非晶質半導
体層に吸収され、発電に再利用される。このため裏面金
属電極膜に設けた孔が原因となる反射の低下を抑制する
ことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
き、図面を参照して説明する。図１は、この発明の集積
型光起電力装置の要部を示す断面図、図２は、樹脂コー
トを施す前の集積型光起電力装置を示す斜視図、図３は
裏面金属電極膜を示す平面図である。
き、図面を参照して説明する。図１は、この発明の集積
型光起電力装置の要部を示す断面図、図２は、樹脂コー
トを施す前の集積型光起電力装置を示す斜視図、図３は
裏面金属電極膜を示す平面図である。
【００１４】図に示すように、支持体である１００ｃｍ
×１００ｃｍサイズの透光性ガラス基板１の一主面上に
膜厚０．２〜１μｍ程度のＳｎＯ2 、ＩＴＯ、ＺｎＯ等
からなる透明導電膜２が設けられている。この透明導電
膜２は、スパッタ法、ＣＶＤ法等によりガラス基板１上
に設けられ、例えば、レーザービームの照射によりパタ
ーニングされ、任意の段数に短冊状に分割されている。
×１００ｃｍサイズの透光性ガラス基板１の一主面上に
膜厚０．２〜１μｍ程度のＳｎＯ2 、ＩＴＯ、ＺｎＯ等
からなる透明導電膜２が設けられている。この透明導電
膜２は、スパッタ法、ＣＶＤ法等によりガラス基板１上
に設けられ、例えば、レーザービームの照射によりパタ
ーニングされ、任意の段数に短冊状に分割されている。
【００１５】この透明導電膜２上に内部にｐｉｎ接合を
有するａ−Ｓｉ半導体からなる膜厚０．３μｍ程度の非
晶質半導体層３がプラズマＣＶＤ法などにより形成され
ている。この非晶質半導体層３も透明導電膜２の分割ラ
インに重ならないようにして例えば、レーザービームの
照射により分割されている。
有するａ−Ｓｉ半導体からなる膜厚０．３μｍ程度の非
晶質半導体層３がプラズマＣＶＤ法などにより形成され
ている。この非晶質半導体層３も透明導電膜２の分割ラ
インに重ならないようにして例えば、レーザービームの
照射により分割されている。
【００１６】この非晶質半導体層３上にアルミニウム等
からなる膜厚０．３μｍ程度の裏面金属電極膜がスパッ
タ法、蒸着法等により形成され、隣接する境界部分で透
明導電膜２と裏面金属電極膜４とが接続され、各光電変
換素子が直列に接続されている。
からなる膜厚０．３μｍ程度の裏面金属電極膜がスパッ
タ法、蒸着法等により形成され、隣接する境界部分で透
明導電膜２と裏面金属電極膜４とが接続され、各光電変
換素子が直列に接続されている。
【００１７】ところで、この裏面金属電極膜４を非晶質
半導体層３の全面に形成した後、室温の状態に戻すと、
金属とガラスの膨張係数の違いからガラス基板１に反り
が発生する。この反りは、金属電極膜の厚みが約０．３
μｍ程度と非常に薄膜なため、電極の中心への引っ張り
力は小さく、ガラスを元に戻そうとする力により釣り合
った位置で安定する。
半導体層３の全面に形成した後、室温の状態に戻すと、
金属とガラスの膨張係数の違いからガラス基板１に反り
が発生する。この反りは、金属電極膜の厚みが約０．３
μｍ程度と非常に薄膜なため、電極の中心への引っ張り
力は小さく、ガラスを元に戻そうとする力により釣り合
った位置で安定する。
【００１８】そして、図２及び図３に示すように、裏面
金属電極膜４は透明導電膜２及び非晶質半導体層３の分
割ラインに沿って金属膜が除去された分離溝７により、
隣接する光電変換素子間が分離されている。この金属膜
の除去された分離溝７は基板サイズが大きくなるにつ
れ、隣接する光電変換素子間の分離を確実にするため
に、その幅を大きくとらざるを得ない。このため、無効
部分が多くなる。この分離溝７により、分離溝７と直交
する方向の裏面金属電極膜４の引っ張り力は緩和され、
分離溝７と直交する方向のガラス基板１の反りは減少す
る。
金属電極膜４は透明導電膜２及び非晶質半導体層３の分
割ラインに沿って金属膜が除去された分離溝７により、
隣接する光電変換素子間が分離されている。この金属膜
の除去された分離溝７は基板サイズが大きくなるにつ
れ、隣接する光電変換素子間の分離を確実にするため
に、その幅を大きくとらざるを得ない。このため、無効
部分が多くなる。この分離溝７により、分離溝７と直交
する方向の裏面金属電極膜４の引っ張り力は緩和され、
分離溝７と直交する方向のガラス基板１の反りは減少す
る。
【００１９】さらに、この発明では、ガラス基板１の反
りを減少させるために、裏面金属電極膜４に金属膜を貫
通する複数の孔４１…を形成している。この複数の孔４
１…により、裏面金属電極膜４の引っ張り力が緩和され
反りが減少する。上述したように、分離溝７と直交する
方向の裏面金属電極膜４の引っ張り力は、分離溝７によ
り緩和されているので、この発明では、分離溝７と平行
方向の金属電極膜４の引っ張り力をより緩和するため、
開口する孔４１…の形状を分離溝７と平行な方向を長径
とする楕円形状にしている。この楕円形状は、長径：短
径＝１．５：１となるようにに加工している。このよう
に楕円形状の孔４１…を設けることで、分離溝７と直交
する方向並びに平行な方向の引っ張り力が緩和され、ガ
ラス基板１の反りが減少する。尚、孔４１…による引っ
張り力の緩和は、分離溝７と平行な方向の方が大きく作
用すると考えられる。
りを減少させるために、裏面金属電極膜４に金属膜を貫
通する複数の孔４１…を形成している。この複数の孔４
１…により、裏面金属電極膜４の引っ張り力が緩和され
反りが減少する。上述したように、分離溝７と直交する
方向の裏面金属電極膜４の引っ張り力は、分離溝７によ
り緩和されているので、この発明では、分離溝７と平行
方向の金属電極膜４の引っ張り力をより緩和するため、
開口する孔４１…の形状を分離溝７と平行な方向を長径
とする楕円形状にしている。この楕円形状は、長径：短
径＝１．５：１となるようにに加工している。このよう
に楕円形状の孔４１…を設けることで、分離溝７と直交
する方向並びに平行な方向の引っ張り力が緩和され、ガ
ラス基板１の反りが減少する。尚、孔４１…による引っ
張り力の緩和は、分離溝７と平行な方向の方が大きく作
用すると考えられる。
【００２０】上記した分離溝７と孔４１…の形成は、非
晶質半導体層３上に裏面金属電極膜４を全面に形成した
後に、エッチング法により形成するか、或いはレーザー
パターニング法により形成すればよい。
晶質半導体層３上に裏面金属電極膜４を全面に形成した
後に、エッチング法により形成するか、或いはレーザー
パターニング法により形成すればよい。
【００２１】続いて、この裏面金属電極膜４上に、防水
・防湿を目的として、樹脂コート５を形成する。この発
明では、樹脂コート５に７００ｎｍ以上の波長の可視光
に対して高い反射率を有した赤色系のものか、さらに好
ましくは白色のものを使用している。この実施の形態に
おいては、赤色系のものを用いた。
・防湿を目的として、樹脂コート５を形成する。この発
明では、樹脂コート５に７００ｎｍ以上の波長の可視光
に対して高い反射率を有した赤色系のものか、さらに好
ましくは白色のものを使用している。この実施の形態に
おいては、赤色系のものを用いた。
【００２２】この樹脂コート５は、裏面金属電極膜４上
にエポキシ系樹脂ペースト、例えば日本ペルノックス社
製「ぺルコートＸＣ−２０４５−７」をスクリーン印刷
法により塗布し、その後１３０〜１５０℃で焼成して、
１０〜２０μｍ程度の緻密で防湿・防水効果に優れた樹
脂コート５が設けられる。この樹脂コート５は、エポキ
シ樹脂中に赤色の染料を混入させて赤色に形成してい
る。尚、白色にするときには、白色の染料を混入させれ
ばよい。
にエポキシ系樹脂ペースト、例えば日本ペルノックス社
製「ぺルコートＸＣ−２０４５−７」をスクリーン印刷
法により塗布し、その後１３０〜１５０℃で焼成して、
１０〜２０μｍ程度の緻密で防湿・防水効果に優れた樹
脂コート５が設けられる。この樹脂コート５は、エポキ
シ樹脂中に赤色の染料を混入させて赤色に形成してい
る。尚、白色にするときには、白色の染料を混入させれ
ばよい。
【００２３】この樹脂コート５の焼成時の熱により、ガ
ラス基板１、裏面金属電極膜４と樹脂コート５との界面
において熱膨張係数の差によりストレスが発生する。こ
の発明では、裏面金属電極膜４に設けた孔４１…が中心
に向かう引っ張り力を緩和する作用をし、熱膨張係数の
差によるストレスを緩衝し、ガラス基板１の反りが抑制
される。
ラス基板１、裏面金属電極膜４と樹脂コート５との界面
において熱膨張係数の差によりストレスが発生する。こ
の発明では、裏面金属電極膜４に設けた孔４１…が中心
に向かう引っ張り力を緩和する作用をし、熱膨張係数の
差によるストレスを緩衝し、ガラス基板１の反りが抑制
される。
【００２４】このようにして形成された、この発明に係
る集積型光起電力装置は、ガラス基板１の反りが抑制さ
れる。そして、樹脂コート５が赤色系又は白色に形成さ
れているので、７００ｎｍ以上の可視光に対して８０％
以上の高い反射率を有する。このため、図１に示すよう
に、ガラス基板１側から入射し、分離溝７及び孔部４１
の無効部分から樹脂コート５に照射される光はこの界面
で乱反射され、非晶質半導体層３に戻されることによ
り、発電に再利用できる。
る集積型光起電力装置は、ガラス基板１の反りが抑制さ
れる。そして、樹脂コート５が赤色系又は白色に形成さ
れているので、７００ｎｍ以上の可視光に対して８０％
以上の高い反射率を有する。このため、図１に示すよう
に、ガラス基板１側から入射し、分離溝７及び孔部４１
の無効部分から樹脂コート５に照射される光はこの界面
で乱反射され、非晶質半導体層３に戻されることによ
り、発電に再利用できる。
【００２５】次に、この発明の集積型光電変換装置と裏
面金属電極膜４に孔を設けない以外はこの発明と同様に
形成した従来の集積型光起電力装置を用意し、それぞれ
の反り及び特性等を測定した。サンプルは１００ｃｍ×
１００ｃｍサイズのガラス基板上にａ−Ｓｉ光起電力装
置を形成した。これらサンプルの反り、太陽電池最大出
力Ｐｍａｘ及びその短絡電流Ｉｓｃとを測定した結果を
表１に示す。ここで、反りに関しては、平坦な台上に集
積型光起電力装置をおき、隙間ゲージにより測定した。
また、太陽電池最大出力とその短絡電流については、孔
を設けていない従来構造の集積型光起電力装置の値で規
格化している。また、開口率は、孔を設けていない集積
型光起電力装置の全受光面積に対する孔４１…の総トー
タルの開口面積との比率である。
面金属電極膜４に孔を設けない以外はこの発明と同様に
形成した従来の集積型光起電力装置を用意し、それぞれ
の反り及び特性等を測定した。サンプルは１００ｃｍ×
１００ｃｍサイズのガラス基板上にａ−Ｓｉ光起電力装
置を形成した。これらサンプルの反り、太陽電池最大出
力Ｐｍａｘ及びその短絡電流Ｉｓｃとを測定した結果を
表１に示す。ここで、反りに関しては、平坦な台上に集
積型光起電力装置をおき、隙間ゲージにより測定した。
また、太陽電池最大出力とその短絡電流については、孔
を設けていない従来構造の集積型光起電力装置の値で規
格化している。また、開口率は、孔を設けていない集積
型光起電力装置の全受光面積に対する孔４１…の総トー
タルの開口面積との比率である。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１より、孔４１の形状が円よりも楕円の
方が反りの低減に効果的であり、結果的にトータルの孔
４１…の開口面積が全受光面積の５〜８％において、太
陽電池出力特性が大きく低下することなく、反りのない
良好な集積型光起電力装置を得ることができる。
方が反りの低減に効果的であり、結果的にトータルの孔
４１…の開口面積が全受光面積の５〜８％において、太
陽電池出力特性が大きく低下することなく、反りのない
良好な集積型光起電力装置を得ることができる。
【００２８】上記した実施の形態においては、樹脂コー
ト５の形成時、樹脂コート５の引っ張り力がガラス基板
１を反る方向に働く。そこで、この樹脂コート５の引っ
張り力をさらに低減した実施の形態を以下に説明する。
裏面金属電極膜４までは、上述した実施の形態と同じ構
成なので、同じ部分には同じ符号を付し説明を省略す
る。
ト５の形成時、樹脂コート５の引っ張り力がガラス基板
１を反る方向に働く。そこで、この樹脂コート５の引っ
張り力をさらに低減した実施の形態を以下に説明する。
裏面金属電極膜４までは、上述した実施の形態と同じ構
成なので、同じ部分には同じ符号を付し説明を省略す
る。
【００２９】この実施の形態においては、裏面金属電極
膜４上に、防水・防湿を目的として形成する樹脂コート
５を第１の樹脂コート５ａと防湿用の第２の樹脂コート
５ｂで形成している。
膜４上に、防水・防湿を目的として形成する樹脂コート
５を第１の樹脂コート５ａと防湿用の第２の樹脂コート
５ｂで形成している。
【００３０】まず、裏面金属電極膜４上に内部に粒状物
を有する膜厚１０〜２０μｍ程度の第１の樹脂コート５
ａが設けられる。第１の樹脂コート５ａは、裏面金属電
極膜４上に樹脂ペーストを塗布した後、焼成して形成さ
れる。この実施の形態では、第１の樹脂コート５ａの内
部に分散される粒状物として、粒径１〜５μｍ程度のシ
リカ粒を用いている。第１の樹脂コート５ａを形成する
ための樹脂ペーストは、エポキシ系樹脂ペースト、例え
ば日本ペルノックス社製「ペルコートＸＣ−２０４５−
７」の中にシリカ粒を混入し、溶剤とメチルエチルケト
ンとトルエンの混合物を樹脂ペーストに対して重量比で
１／２〜１／３混ぜ合わせたものである。
を有する膜厚１０〜２０μｍ程度の第１の樹脂コート５
ａが設けられる。第１の樹脂コート５ａは、裏面金属電
極膜４上に樹脂ペーストを塗布した後、焼成して形成さ
れる。この実施の形態では、第１の樹脂コート５ａの内
部に分散される粒状物として、粒径１〜５μｍ程度のシ
リカ粒を用いている。第１の樹脂コート５ａを形成する
ための樹脂ペーストは、エポキシ系樹脂ペースト、例え
ば日本ペルノックス社製「ペルコートＸＣ−２０４５−
７」の中にシリカ粒を混入し、溶剤とメチルエチルケト
ンとトルエンの混合物を樹脂ペーストに対して重量比で
１／２〜１／３混ぜ合わせたものである。
【００３１】このようにして形成された樹脂ペーストを
裏面金属電極膜４上にスクリーン印刷法により塗布し、
その後１３０〜１５０℃で焼成して、１０〜２０μｍ程
度の第１の樹脂層５が形成される。この焼成時に、ペー
スト中の溶剤が蒸発されることにより、内部にシリカ粒
を有する多孔質の第１の樹脂コート５ａが形成される。
この実施の形態では、第１の樹脂コート５ａとして、赤
色又は白色のものを用いている。赤色又は白色の樹脂は
エポキシ系樹脂中に赤色又は白色の染料を混入して形成
される。
裏面金属電極膜４上にスクリーン印刷法により塗布し、
その後１３０〜１５０℃で焼成して、１０〜２０μｍ程
度の第１の樹脂層５が形成される。この焼成時に、ペー
スト中の溶剤が蒸発されることにより、内部にシリカ粒
を有する多孔質の第１の樹脂コート５ａが形成される。
この実施の形態では、第１の樹脂コート５ａとして、赤
色又は白色のものを用いている。赤色又は白色の樹脂は
エポキシ系樹脂中に赤色又は白色の染料を混入して形成
される。
【００３２】この第１の樹脂コート５ａは、内部にシリ
カ粒が分散されているので、第１の樹脂コート５ａ５は
ガラス基板１の熱膨張係数と近くなり、焼成時から室温
に戻るまでの温度変化による熱ストレスは小さく、ガラ
ス基板１の反りを抑制できる。また、第１の樹脂コート
５ａ５は多孔質に形成されているため、中空状態の部分
が存在することによって、その空間部が中心への引っ張
り力を緩和して、反りを抑制する。この第１の樹脂コー
ト５ａ上にエポキシ系樹脂ペースト、例えば日本ペルノ
ックス社製「ペルコートＸＣ−２０４５−７」をスクリ
ーン印刷法により塗布し、その後１３０〜１５０℃で焼
成して、１０〜２０μｍ程度の緻密で防湿・防水効果に
優れた第２の樹脂コート５ｂが設けられる。
カ粒が分散されているので、第１の樹脂コート５ａ５は
ガラス基板１の熱膨張係数と近くなり、焼成時から室温
に戻るまでの温度変化による熱ストレスは小さく、ガラ
ス基板１の反りを抑制できる。また、第１の樹脂コート
５ａ５は多孔質に形成されているため、中空状態の部分
が存在することによって、その空間部が中心への引っ張
り力を緩和して、反りを抑制する。この第１の樹脂コー
ト５ａ上にエポキシ系樹脂ペースト、例えば日本ペルノ
ックス社製「ペルコートＸＣ−２０４５−７」をスクリ
ーン印刷法により塗布し、その後１３０〜１５０℃で焼
成して、１０〜２０μｍ程度の緻密で防湿・防水効果に
優れた第２の樹脂コート５ｂが設けられる。
【００３３】この第２の樹脂コート５ｂの焼成時の熱に
より、ガラス基板１、裏面金属電極膜４、第１の樹脂層
５ａと第２の樹脂コート６との界面において熱膨張係数
の差によりストレスが発生する。この実施の形態ではで
は、第１の樹脂コート５ａの内部には、シリカ粒が分散
されているので、このシリカ粒により第１の樹脂コート
５ａは、ガラス基板１の膨張係数に近く第２の樹脂コー
ト５ｂとガラス基板１との間の緩和層として樹脂コート
５ａ、５ｂ間でそのストレスを緩和する。また、第１の
樹脂コート５ａは、多孔質に形成されているため、第１
樹脂コート５ａが中空状態になっていることにより、そ
の空間部が中心への引っ張り力を緩和する作用をし、上
部の樹脂コート５ｂ６との熱膨張係数の差によるストレ
スを緩衝し、ガラス基板１の反りがさらに抑制される。
より、ガラス基板１、裏面金属電極膜４、第１の樹脂層
５ａと第２の樹脂コート６との界面において熱膨張係数
の差によりストレスが発生する。この実施の形態ではで
は、第１の樹脂コート５ａの内部には、シリカ粒が分散
されているので、このシリカ粒により第１の樹脂コート
５ａは、ガラス基板１の膨張係数に近く第２の樹脂コー
ト５ｂとガラス基板１との間の緩和層として樹脂コート
５ａ、５ｂ間でそのストレスを緩和する。また、第１の
樹脂コート５ａは、多孔質に形成されているため、第１
樹脂コート５ａが中空状態になっていることにより、そ
の空間部が中心への引っ張り力を緩和する作用をし、上
部の樹脂コート５ｂ６との熱膨張係数の差によるストレ
スを緩衝し、ガラス基板１の反りがさらに抑制される。
【００３４】このようにして形成された、この実施の形
態に係る集積型光起電力装置は、ガラス基板１の反りが
さらに抑制される。そして、第１の樹脂コート５ａが赤
色系又は白色に形成されているので、７００ｎｍ以上の
可視光に対して８０％以上の高い反射率を有する。この
ため、図４に示すように、ガラス基板１側から入射し、
分離溝７及び孔部４１の無効部分から第１の樹脂コート
５ａに照射される光は界面で乱反射され、非晶質半導体
層３に戻されることにより、発電に再利用できる。
態に係る集積型光起電力装置は、ガラス基板１の反りが
さらに抑制される。そして、第１の樹脂コート５ａが赤
色系又は白色に形成されているので、７００ｎｍ以上の
可視光に対して８０％以上の高い反射率を有する。この
ため、図４に示すように、ガラス基板１側から入射し、
分離溝７及び孔部４１の無効部分から第１の樹脂コート
５ａに照射される光は界面で乱反射され、非晶質半導体
層３に戻されることにより、発電に再利用できる。
【００３５】尚、上記した実施の形態においては、粒状
物として、シリカ粒を用いた場合につき説明したが、シ
リカ粒以外にガラス短繊維、炭酸カルシウム等の無機充
填材を用いてもよい。また、樹脂層としては、上記した
エポキシ系樹脂以外にポリウレタン樹脂やポリブタジエ
ン樹脂等を用いることもできる。
物として、シリカ粒を用いた場合につき説明したが、シ
リカ粒以外にガラス短繊維、炭酸カルシウム等の無機充
填材を用いてもよい。また、樹脂層としては、上記した
エポキシ系樹脂以外にポリウレタン樹脂やポリブタジエ
ン樹脂等を用いることもできる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、従来生じていたガラス基板と金属電極並びに樹脂層
との界面における熱膨張係数差により生じていたストレ
スが金属電極膜に設けた孔部により緩和でき、反りの低
減が図れ、反りによるガラス基板の割れの発生や作業性
の低下によるスループット低下を防止することできる。
ば、従来生じていたガラス基板と金属電極並びに樹脂層
との界面における熱膨張係数差により生じていたストレ
スが金属電極膜に設けた孔部により緩和でき、反りの低
減が図れ、反りによるガラス基板の割れの発生や作業性
の低下によるスループット低下を防止することできる。
【図１】この発明の実施の形態にかかる集積型光起電力
装置の要部を示す断面図である。
装置の要部を示す断面図である。
【図２】樹脂コートを施す前の集積型光起電力装置を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図３】裏面金属電極膜を示す平面図である。
【図４】この発明の他の実施の形態にかかる集積型光起
電力装置の要部を示す断面図である。
電力装置の要部を示す断面図である。
１ ガラス基板 ２ 透明導電膜 ３ 非晶質半導体層 ４ 裏面金属電極膜 ４１ 孔 ５ 樹脂コート ５ａ 第１の樹脂コート ５ｂ 第２の樹脂コート
Claims (4)
- 【請求項１】 透光性ガラス基板の一主面上に、透明導
電膜、非晶質半導体層、裏面金属電極膜をこの順序で積
層した光起電力素子が複数個設けられた集積型光起電力
装置であって、前記裏面金属電極膜に複数の孔を設けた
ことを特徴とする集積型光起電力装置。 - 【請求項２】 前記裏面金属電極膜に設けた孔の開口面
積の総計が全受光面積の５％ないし８％であることを特
徴とする請求項１に記載の集積型光起電力装置。 - 【請求項３】 前記裏面金属電極膜に設ける孔の形状
が、裏面金属電極膜の分離溝の方向と平行な方向に長径
とする楕円であることを特徴とする請求項１又は２に記
載の集積型光起電力装置。 - 【請求項４】 前記裏面金属電極膜上に防湿用樹脂コー
トが設けられ、この樹脂コートが７００ｎｍ以上の波長
の可視光に対して高い反射率を有することを特徴とする
請求項１ないし３のいずれかに記載の集積型光起電力装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11063815A JP2000261009A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 集積型光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11063815A JP2000261009A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 集積型光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000261009A true JP2000261009A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13240253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11063815A Pending JP2000261009A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 集積型光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000261009A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003142664A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-05-16 | Seiko Epson Corp | 半導体基板の製造方法、半導体基板、電気光学装置並びに電子機器 |
| JP2008205063A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| WO2012017742A1 (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-09 | 三菱電機株式会社 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| JP2012059886A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置 |
| JP2012151438A (ja) * | 2011-01-14 | 2012-08-09 | Lg Electronics Inc | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
| TWI387115B (zh) * | 2008-02-20 | 2013-02-21 | Jusung Eng Co Ltd | 薄膜型太陽能電池及其製造方法 |
| WO2013046376A1 (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-04 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池 |
| CN112038323A (zh) * | 2019-11-05 | 2020-12-04 | 友达光电股份有限公司 | 电路装置 |
-
1999
- 1999-03-10 JP JP11063815A patent/JP2000261009A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003142664A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-05-16 | Seiko Epson Corp | 半導体基板の製造方法、半導体基板、電気光学装置並びに電子機器 |
| JP4653374B2 (ja) * | 2001-08-23 | 2011-03-16 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
| JP2008205063A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| TWI387115B (zh) * | 2008-02-20 | 2013-02-21 | Jusung Eng Co Ltd | 薄膜型太陽能電池及其製造方法 |
| KR101460580B1 (ko) * | 2008-02-20 | 2014-11-12 | 주성엔지니어링(주) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 |
| WO2012017742A1 (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-09 | 三菱電機株式会社 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| US9293618B2 (en) | 2010-08-06 | 2016-03-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Thin-film solar battery and manufacturing method thereof |
| JP2012059886A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置 |
| JP2012151438A (ja) * | 2011-01-14 | 2012-08-09 | Lg Electronics Inc | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
| WO2013046376A1 (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-04 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池 |
| CN112038323A (zh) * | 2019-11-05 | 2020-12-04 | 友达光电股份有限公司 | 电路装置 |
| CN112038323B (zh) * | 2019-11-05 | 2023-04-18 | 友达光电股份有限公司 | 电路装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101216996B1 (ko) | 태양전지의 제조방법, 태양전지 및 반도체 장치의 제조방법 | |
| US8975506B2 (en) | Solar cell module and photovoltaic power generator using the same | |
| ES2356162T3 (es) | Célula solar en tandem de película delgada. | |
| Heo et al. | Determining the effectiveness of radiative cooler‐integrated solar cells | |
| US3539883A (en) | Antireflection coatings for semiconductor devices | |
| JP2020508559A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JP2000261009A (ja) | 集積型光起電力装置 | |
| US20200176623A1 (en) | Solar cell element and solar cell module | |
| Du et al. | Surface passivation of ITO on heterojunction solar cells with enhanced cell performance and module reliability | |
| JP7165198B2 (ja) | 均質な色印象を有するソーラーモジュール | |
| US8993876B2 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| JP5014223B2 (ja) | 太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 | |
| JP2000261010A (ja) | 光起電力装置 | |
| KR101622088B1 (ko) | 태양전지 | |
| KR101166456B1 (ko) | 태양전지 및 그 제조방법 | |
| US20230039806A1 (en) | Method of manufacturing a solar cell with integral cover glass, and cell obtained | |
| JPS63185071A (ja) | 非晶質太陽電池 | |
| Li et al. | Electrical and optical analysis of polymer rear insulation layers for back contact cells | |
| KR102253547B1 (ko) | 무색 투명 반도체 기판 및 이의 제조방법 | |
| JP2006287027A (ja) | 太陽電池 | |
| JP7349979B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| Gjessing et al. | An optical model for predicting the quantum efficiency of solar modules | |
| CN114175278A (zh) | 晶片太阳能电池、太阳能模块以及用于制造晶片太阳能电池的方法 | |
| JPS6269566A (ja) | 光電変換装置作製方法 | |
| JPS6213829B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051215 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081014 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081021 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081216 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081216 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090203 |