JP2000261010A - 光起電力装置 - Google Patents
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、ガラス基板が大面積化しても反
りの発生を抑制できる光起電力装置を提供することを目
的とする。 【解決手段】 透光性ガラス基板１の一主面上に、透明
導電膜２、非晶質半導体層３、裏面金属電極膜４をこの
順序で積層した光起電力装置であって、裏面金属電極膜
４上に内部にシリカを有する多孔質の第１の樹脂層５が
設けられ、この第１の樹脂層５上に防湿樹脂層６が設け
られている。
りの発生を抑制できる光起電力装置を提供することを目
的とする。 【解決手段】 透光性ガラス基板１の一主面上に、透明
導電膜２、非晶質半導体層３、裏面金属電極膜４をこの
順序で積層した光起電力装置であって、裏面金属電極膜
４上に内部にシリカを有する多孔質の第１の樹脂層５が
設けられ、この第１の樹脂層５上に防湿樹脂層６が設け
られている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ガラス基板を支
持体とし、ガラス基板側から光を入射する光起電力装置
に関する。
持体とし、ガラス基板側から光を入射する光起電力装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）系半導体を
光活性層に用いた光起電力装置が色々な用途に使用され
ている。これは一枚の基板上に多数の光電変換素子をカ
スケード接続することにより、高電圧を取り出すように
した集積型光起電力装置の開発に負うところが大きい。
光活性層に用いた光起電力装置が色々な用途に使用され
ている。これは一枚の基板上に多数の光電変換素子をカ
スケード接続することにより、高電圧を取り出すように
した集積型光起電力装置の開発に負うところが大きい。
【０００３】一般的なａ−Ｓｉ光起電力装置は、ガラス
基板上に、透明導電膜、内部にｐｉｎ接合を有するａ−
Ｓｉからなる非晶質半導体層膜及び裏面金属電極膜をこ
の順序で積層して形成されている。そして、これら光起
電力装置を屋外の屋根などに設置して電力用として用い
るために、裏面金属電極膜上に、防水・防湿のためにエ
ポキシ系樹脂コートが施されている。
基板上に、透明導電膜、内部にｐｉｎ接合を有するａ−
Ｓｉからなる非晶質半導体層膜及び裏面金属電極膜をこ
の順序で積層して形成されている。そして、これら光起
電力装置を屋外の屋根などに設置して電力用として用い
るために、裏面金属電極膜上に、防水・防湿のためにエ
ポキシ系樹脂コートが施されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、電力用ａ−
Ｓｉ光起電力装置の低コスト化のためには、高スループ
ット化、大面積化及び高性能化が必要不可欠である。大
面積化においては、近年メートル角級サイズが主流にな
りつつある。しかし、上記したように、ａ−Ｓｉ光起電
力装置は、支持基板であるガラス基板の片面に光起電力
素子が形成されるので、サイズが大きくなるにつれて反
りが発生し、場合によってはガラス基板に割れが生じた
りするなどの問題があった。即ち、裏面金属電極を形成
した後、金属とガラスの膨張係数の違いから反りが発生
する。裏面金属電極膜の厚みは約０．３μｍ程度と非常
に薄膜なため、電極の中心への引っ張り力は小さくガラ
スを元に戻そうとする力との間で釣り合った位置で反り
が安定する。この反りは基板の面積が大きくなるほど大
きくなる。さらに、裏面金属電極膜の上に防水・防湿用
の樹脂コートを形成すると、電極の引っ張り力に樹脂コ
ート膜の引っ張り力が加わるために、反りがさらに大き
くなる。
Ｓｉ光起電力装置の低コスト化のためには、高スループ
ット化、大面積化及び高性能化が必要不可欠である。大
面積化においては、近年メートル角級サイズが主流にな
りつつある。しかし、上記したように、ａ−Ｓｉ光起電
力装置は、支持基板であるガラス基板の片面に光起電力
素子が形成されるので、サイズが大きくなるにつれて反
りが発生し、場合によってはガラス基板に割れが生じた
りするなどの問題があった。即ち、裏面金属電極を形成
した後、金属とガラスの膨張係数の違いから反りが発生
する。裏面金属電極膜の厚みは約０．３μｍ程度と非常
に薄膜なため、電極の中心への引っ張り力は小さくガラ
スを元に戻そうとする力との間で釣り合った位置で反り
が安定する。この反りは基板の面積が大きくなるほど大
きくなる。さらに、裏面金属電極膜の上に防水・防湿用
の樹脂コートを形成すると、電極の引っ張り力に樹脂コ
ート膜の引っ張り力が加わるために、反りがさらに大き
くなる。
【０００５】従って、電力用に光起電力装置を用いるた
めには、防水・防湿用の樹脂コートを施す必要がある
が、樹脂コートにより基板の反りが大きくなるので、モ
ジュール化する際の作業性が低下するとともに、モジュ
ール化の際に基板に割れが発生するなど問題が生じてい
た。
めには、防水・防湿用の樹脂コートを施す必要がある
が、樹脂コートにより基板の反りが大きくなるので、モ
ジュール化する際の作業性が低下するとともに、モジュ
ール化の際に基板に割れが発生するなど問題が生じてい
た。
【０００６】一方、高性能化の面でも、大面積化に伴っ
て集積型の構造形成による無効部分、即ち、それぞれの
光電変換素子を確実に分離するために、分離用のパター
ニングの幅も大きくとる必要があり、この部分に照射さ
れる光を有効利用することができないという問題があっ
た。
て集積型の構造形成による無効部分、即ち、それぞれの
光電変換素子を確実に分離するために、分離用のパター
ニングの幅も大きくとる必要があり、この部分に照射さ
れる光を有効利用することができないという問題があっ
た。
【０００７】この発明は、上述した従来の問題点を解決
するためになされたものにして、ガラス基板が大面積化
しても反りの発生を抑制できる光起電力装置を提供する
ことを目的とする。
するためになされたものにして、ガラス基板が大面積化
しても反りの発生を抑制できる光起電力装置を提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、透光性ガラ
ス基板の一主面上に、透明導電膜、非晶質半導体層、裏
面金属電極膜をこの順序で積層した光起電力装置であっ
て、前記裏面金属電極膜上に内部に粒状物を有する第１
の樹脂層が設けられ、この第１の樹脂層上に防湿樹脂層
が設けられていることを特徴とする。
ス基板の一主面上に、透明導電膜、非晶質半導体層、裏
面金属電極膜をこの順序で積層した光起電力装置であっ
て、前記裏面金属電極膜上に内部に粒状物を有する第１
の樹脂層が設けられ、この第１の樹脂層上に防湿樹脂層
が設けられていることを特徴とする。
【０００９】前記第１の樹脂層の粒状物は、粒径１〜５
μｍのシリカ粒を用いるとよい。
μｍのシリカ粒を用いるとよい。
【００１０】前記第１の樹脂層は７００ｎｍ以上の波長
の可視光に対して高い反射率を有するように、赤色系又
は白色に着色するとよい。
の可視光に対して高い反射率を有するように、赤色系又
は白色に着色するとよい。
【００１１】上記のように構成することで、従来生じて
いたガラス基板と裏面金属電極膜並びに樹脂層との界面
において熱膨張係数差により発生するストレスが第１の
樹脂層により緩和でき、反りの低減が図れる。その結
果、反りによるガラス基板の割れの発生や作業性の低下
によるスループットの低下を防止できる。
いたガラス基板と裏面金属電極膜並びに樹脂層との界面
において熱膨張係数差により発生するストレスが第１の
樹脂層により緩和でき、反りの低減が図れる。その結
果、反りによるガラス基板の割れの発生や作業性の低下
によるスループットの低下を防止できる。
【００１２】また、第１の樹脂層として、７００ｎｍ以
上の波長の可視光に対して高い反射率を有した赤色系の
ものか、さらに好ましくは白色のものを使用すること
で、集積型構造の無効部分である裏面金属電極膜のパタ
ーニング部分に照射した光が第１の樹脂層により反射
し、この界面で乱反射され、非晶質半導体層に吸収さ
れ、発電に再利用される。
上の波長の可視光に対して高い反射率を有した赤色系の
ものか、さらに好ましくは白色のものを使用すること
で、集積型構造の無効部分である裏面金属電極膜のパタ
ーニング部分に照射した光が第１の樹脂層により反射
し、この界面で乱反射され、非晶質半導体層に吸収さ
れ、発電に再利用される。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
き、図面を参照して説明する。図１は、この発明の集積
型光起電力装置の要部を示す断面図、図２は、樹脂コー
トを施す前の光起電力装置を示す斜視図である。
き、図面を参照して説明する。図１は、この発明の集積
型光起電力装置の要部を示す断面図、図２は、樹脂コー
トを施す前の光起電力装置を示す斜視図である。
【００１４】図に示すように、支持体である１００ｃｍ
×１００ｃｍサイズの透光性ガラス基板１の一主面上に
膜厚０．２〜１μｍ程度のＳｎＯ2 、ＩＴＯ、ＺｎＯ等
からなる透明導電膜２が設けられている。この透明導電
膜２は、スパッタ法、ＣＶＤ法等によりガラス基板１上
に設けられ、例えば、レーザービームの照射によりパタ
ーニングされ、任意の段数に短冊状に分割されている。
×１００ｃｍサイズの透光性ガラス基板１の一主面上に
膜厚０．２〜１μｍ程度のＳｎＯ2 、ＩＴＯ、ＺｎＯ等
からなる透明導電膜２が設けられている。この透明導電
膜２は、スパッタ法、ＣＶＤ法等によりガラス基板１上
に設けられ、例えば、レーザービームの照射によりパタ
ーニングされ、任意の段数に短冊状に分割されている。
【００１５】この透明導電膜２上に内部にｐｉｎ接合を
有するａ−Ｓｉ半導体からなる膜厚０．３μｍ程度の非
晶質半導体層３がプラズマＣＶＤ法などにより形成され
ている。この非晶質半導体層３も透明導電膜２の分割ラ
インに重ならないようにして例えば、レーザービームの
照射により分割されている。
有するａ−Ｓｉ半導体からなる膜厚０．３μｍ程度の非
晶質半導体層３がプラズマＣＶＤ法などにより形成され
ている。この非晶質半導体層３も透明導電膜２の分割ラ
インに重ならないようにして例えば、レーザービームの
照射により分割されている。
【００１６】この非晶質半導体層３上にアルミニウム等
からなる膜厚０．３μｍ程度の裏面電極膜がスパッタ
法、蒸着法等により形成され、隣接する境界部分で透明
導電膜２と裏面金属電極膜４とが接続され、各光電変換
素子が直列に接続されている。
からなる膜厚０．３μｍ程度の裏面電極膜がスパッタ
法、蒸着法等により形成され、隣接する境界部分で透明
導電膜２と裏面金属電極膜４とが接続され、各光電変換
素子が直列に接続されている。
【００１７】この裏面金属電極を形成後、金属とガラス
の膨張係数の違いから反りが発生するが、金属電極膜の
厚みは約０．３μｍ程度と非常に薄膜なため、電極の中
心への引っ張り力は小さく、ガラスを元に戻そうとする
力により釣り合った位置で反りが安定する。
の膨張係数の違いから反りが発生するが、金属電極膜の
厚みは約０．３μｍ程度と非常に薄膜なため、電極の中
心への引っ張り力は小さく、ガラスを元に戻そうとする
力により釣り合った位置で反りが安定する。
【００１８】そして、図２に示すように、裏面金属電極
膜４は、透明導電膜２及び非晶質半導体層３の分割ライ
ンに沿って、レーザビームの照射により金属膜が除去さ
れ、隣接する光電変換素子間が分離されている。この金
属膜の除去されるパターニング部はサイズが大きくなる
につれ、隣接する光電変換素子間の分離を確実にするた
めに、その幅を大きくとらざるを得ない。このため、無
効部分が多くなる。
膜４は、透明導電膜２及び非晶質半導体層３の分割ライ
ンに沿って、レーザビームの照射により金属膜が除去さ
れ、隣接する光電変換素子間が分離されている。この金
属膜の除去されるパターニング部はサイズが大きくなる
につれ、隣接する光電変換素子間の分離を確実にするた
めに、その幅を大きくとらざるを得ない。このため、無
効部分が多くなる。
【００１９】この裏面金属電極膜４上に、防水・防湿を
目的として、樹脂コートを形成する。この発明では、樹
脂コートを第１の樹脂層５と防湿用樹脂層６とで形成し
ている。
目的として、樹脂コートを形成する。この発明では、樹
脂コートを第１の樹脂層５と防湿用樹脂層６とで形成し
ている。
【００２０】まず、裏面金属電極膜４上に内部に粒状物
を有する膜厚１０〜２０μｍ程度の第１の樹脂層５が設
けられる。第１の樹脂層５は、裏面金属電極膜４上に樹
脂ペーストを塗布した後、焼成して形成される。この実
施の形態では、第１の樹脂層５の内部に分散される粒状
物として、粒径１〜５μｍ程度のシリカ粒５１を用いて
いる。第１の樹脂層５を形成するための樹脂ペースト
は、エポキシ系樹脂ペースト、例えば日本ペルノックス
社製「ベルコートＸＣ−２０４５−７」の中にシリカ粒
５１…を混入し、溶剤とメチルエチルケトンとトルエン
の混合物を樹脂ペーストに対して重量比で１／２〜１／
３混ぜ合わせたものである。
を有する膜厚１０〜２０μｍ程度の第１の樹脂層５が設
けられる。第１の樹脂層５は、裏面金属電極膜４上に樹
脂ペーストを塗布した後、焼成して形成される。この実
施の形態では、第１の樹脂層５の内部に分散される粒状
物として、粒径１〜５μｍ程度のシリカ粒５１を用いて
いる。第１の樹脂層５を形成するための樹脂ペースト
は、エポキシ系樹脂ペースト、例えば日本ペルノックス
社製「ベルコートＸＣ−２０４５−７」の中にシリカ粒
５１…を混入し、溶剤とメチルエチルケトンとトルエン
の混合物を樹脂ペーストに対して重量比で１／２〜１／
３混ぜ合わせたものである。
【００２１】このようにして形成された樹脂ペーストを
裏面金属電極膜４上にスクリーン印刷法により塗布し、
その後１３０〜１５０℃で焼成して、１０〜２０μｍ程
度の第１の樹脂層５が形成される。この焼成時に、ペー
スト中の溶剤が蒸発されることにより、内部にシリカ粒
５１…を有する多孔質の第１の樹脂層５が形成される。
この実施の形態では、第１の樹脂層５として、赤色又は
白色のものを用いている。赤色又は白色の樹脂はエポキ
シ系樹脂中に赤色又は白色の染料を混入して形成され
る。
裏面金属電極膜４上にスクリーン印刷法により塗布し、
その後１３０〜１５０℃で焼成して、１０〜２０μｍ程
度の第１の樹脂層５が形成される。この焼成時に、ペー
スト中の溶剤が蒸発されることにより、内部にシリカ粒
５１…を有する多孔質の第１の樹脂層５が形成される。
この実施の形態では、第１の樹脂層５として、赤色又は
白色のものを用いている。赤色又は白色の樹脂はエポキ
シ系樹脂中に赤色又は白色の染料を混入して形成され
る。
【００２２】この第１の樹脂層５は、内部にシリカ粒５
１…が分散されているので、第１の樹脂層５はガラス基
板１の熱膨張係数と近くなり、焼成時から室温に戻るま
での温度変化による熱ストレスは小さく、ガラス基板１
の反りを抑制できる。また、第１の樹脂層５は多孔質に
形成されているため、中空状態の部分が存在することに
よって、その空間部が中心への引っ張り力を緩和して、
反りを抑制する。
１…が分散されているので、第１の樹脂層５はガラス基
板１の熱膨張係数と近くなり、焼成時から室温に戻るま
での温度変化による熱ストレスは小さく、ガラス基板１
の反りを抑制できる。また、第１の樹脂層５は多孔質に
形成されているため、中空状態の部分が存在することに
よって、その空間部が中心への引っ張り力を緩和して、
反りを抑制する。
【００２３】この第１の樹脂層５上にエポキシ系樹脂ペ
ースト、例えば日本ペルノックス社製「ベルコートＸＣ
−２０４５−７」をスクリーン印刷法により塗布し、そ
の後１３０〜１５０℃で焼成して、１０〜２０μｍ程度
の緻密で防湿・防水効果に優れた防湿樹脂層６が設けら
れる。
ースト、例えば日本ペルノックス社製「ベルコートＸＣ
−２０４５−７」をスクリーン印刷法により塗布し、そ
の後１３０〜１５０℃で焼成して、１０〜２０μｍ程度
の緻密で防湿・防水効果に優れた防湿樹脂層６が設けら
れる。
【００２４】この樹脂層６の焼成時の熱により、ガラス
基板１、第１の樹脂層５と防湿樹脂層６との界面におい
て、熱膨張係数の差によりストレスが発生する。この発
明では、第１の樹脂層５の内部には、シリカ粒５１…が
分散されているので、このシリカ粒５１…により第１の
樹脂層５は、ガラス基板１の膨張係数に近く防湿樹脂層
６とガラス基板１との間の緩和層として樹脂層５、６間
でそのストレスを緩和する。また、第１の樹脂層５は、
多孔質に形成されているため、第１樹脂層５が中空状態
になっていることにより、その空間部が中心への引っ張
り力を緩和する作用をし、上部の樹脂層６との熱膨張係
数の差によるストレスを緩衝し、ガラス基板１の反りが
抑制される。
基板１、第１の樹脂層５と防湿樹脂層６との界面におい
て、熱膨張係数の差によりストレスが発生する。この発
明では、第１の樹脂層５の内部には、シリカ粒５１…が
分散されているので、このシリカ粒５１…により第１の
樹脂層５は、ガラス基板１の膨張係数に近く防湿樹脂層
６とガラス基板１との間の緩和層として樹脂層５、６間
でそのストレスを緩和する。また、第１の樹脂層５は、
多孔質に形成されているため、第１樹脂層５が中空状態
になっていることにより、その空間部が中心への引っ張
り力を緩和する作用をし、上部の樹脂層６との熱膨張係
数の差によるストレスを緩衝し、ガラス基板１の反りが
抑制される。
【００２５】このようにして形成された、この発明に係
る光起電力装置は、ガラス基板１の反りが抑制される。
そして、第１の樹脂層５が赤色系又は白色に形成されて
いるので、７００ｎｍ以上の可視光に対して８０％以上
の高い反射率を有する。このため、図１に示すように、
ガラス基板１側から入射し、パターニング部の無効部分
から第１の樹脂層５に照射される光７は界面で乱反射さ
れ、非晶質半導体層３に戻されることにより、発電に再
利用できる。
る光起電力装置は、ガラス基板１の反りが抑制される。
そして、第１の樹脂層５が赤色系又は白色に形成されて
いるので、７００ｎｍ以上の可視光に対して８０％以上
の高い反射率を有する。このため、図１に示すように、
ガラス基板１側から入射し、パターニング部の無効部分
から第１の樹脂層５に照射される光７は界面で乱反射さ
れ、非晶質半導体層３に戻されることにより、発電に再
利用できる。
【００２６】次に、この発明の光電変換装置と第１の樹
脂層５を設けない以外はこの発明と同様に形成した従来
の光起電力装置を用意した。サンプルは１００ｃｍ×１
００ｃｍサイズのガラス基板上にａ−Ｓｉ光起電力装置
を形成した。これら両サンプルの反り、太陽電池最大出
力Ｐｍａｘ及びその短絡電流Ｉｓｃとを測定し比較し
た。その結果を表１に示す。ここで、反りに関しては、
平坦な台上に光起電力装置をおき、隙間ゲージにより測
定した。また、太陽電池最大出力とその短絡電流につい
ては、従来構造の光起電力装置の値で規格化している。
脂層５を設けない以外はこの発明と同様に形成した従来
の光起電力装置を用意した。サンプルは１００ｃｍ×１
００ｃｍサイズのガラス基板上にａ−Ｓｉ光起電力装置
を形成した。これら両サンプルの反り、太陽電池最大出
力Ｐｍａｘ及びその短絡電流Ｉｓｃとを測定し比較し
た。その結果を表１に示す。ここで、反りに関しては、
平坦な台上に光起電力装置をおき、隙間ゲージにより測
定した。また、太陽電池最大出力とその短絡電流につい
ては、従来構造の光起電力装置の値で規格化している。
【００２７】
【表１】
【００２８】表１より、本発明によれば、反りが大きく
改善されているとともに、太陽電池出力特性及び短絡電
流が改善されている。これは、図１に示すように、第１
の樹脂層５により、無効部分から透過した光が反射さ
れ、再び非晶質半導体層３に与えられて発電に再利用さ
れるからである。
改善されているとともに、太陽電池出力特性及び短絡電
流が改善されている。これは、図１に示すように、第１
の樹脂層５により、無効部分から透過した光が反射さ
れ、再び非晶質半導体層３に与えられて発電に再利用さ
れるからである。
【００２９】尚、上記した実施の形態においては、粒状
物として、シリカ粒を用いた場合につき説明したが、シ
リカ粒以外にガラス短繊維、炭酸カルシウム等の無機充
填材を用いてもよい。また、樹脂層としては、上記した
エポキシ系樹脂以外にポリウレタン樹脂やポリブタジエ
ン樹脂等を用いることもできる。
物として、シリカ粒を用いた場合につき説明したが、シ
リカ粒以外にガラス短繊維、炭酸カルシウム等の無機充
填材を用いてもよい。また、樹脂層としては、上記した
エポキシ系樹脂以外にポリウレタン樹脂やポリブタジエ
ン樹脂等を用いることもできる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、従来生じていたガラス基板と金属電極並びに樹脂層
との界面における熱膨張係数差により生じていたストレ
スが第１の樹脂層により緩和でき、反りの低減が図れ、
反りによるガラス基板の割れの発生や作業性の低下によ
るスループット低下を防止することできる。
ば、従来生じていたガラス基板と金属電極並びに樹脂層
との界面における熱膨張係数差により生じていたストレ
スが第１の樹脂層により緩和でき、反りの低減が図れ、
反りによるガラス基板の割れの発生や作業性の低下によ
るスループット低下を防止することできる。
【図１】この発明の集積型光起電力装置の要部を示す断
面図である。
面図である。
【図２】樹脂コートを施す前の光起電力装置を示す斜視
図である。
図である。
１ ガラス基板 ２ 透明導電膜 ３ 非晶質半導体層 ４ 裏面金属電極膜 ５ 第１の樹脂層 ６ 防湿樹脂層
Claims (3)
- 【請求項１】 透光性ガラス基板の一主面上に、透明導
電膜、非晶質半導体層、裏面金属電極膜をこの順序で積
層した光起電力装置であって、前記裏面金属電極膜上に
内部に粒状物を有する第１の樹脂層が設けられ、この第
１の樹脂層上に防湿樹脂層が設けられていることを特徴
とする光起電力装置。 - 【請求項２】 前記第１の樹脂層の粒状物は、粒径１〜
５μｍのシリカ粒であることを特徴とする請求項１に記
載の光起電力装置。 - 【請求項３】 前記第１の樹脂層は７００ｎｍ以上の波
長の可視光に対して高い反射率を有することを特徴とす
る請求項１又は２に記載の光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11063816A JP2000261010A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11063816A JP2000261010A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000261010A true JP2000261010A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13240283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11063816A Pending JP2000261010A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000261010A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008041489A1 (en) | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solar cell module |
| JP2010141192A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜太陽電池セルおよび薄膜太陽電池 |
| CN102136503A (zh) * | 2010-01-22 | 2011-07-27 | 周星工程股份有限公司 | 太阳能电池及其制造方法 |
| JP2014078548A (ja) * | 2012-10-09 | 2014-05-01 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 量子型赤外線センサ及びその製造方法 |
| KR101783735B1 (ko) * | 2010-09-21 | 2017-10-10 | 가부시키가이샤 피아이 기쥬츠 켄큐쇼 | 태양전지의 이면 반사층 형성용 폴리이미드 수지 조성물 및 그것을 사용한 태양전지의 이면 반사층 형성 방법 |
-
1999
- 1999-03-10 JP JP11063816A patent/JP2000261010A/ja active Pending
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