JP2001210600A - 化学的気相析出法による炭化ケイ素の製造方法及び装置 - Google Patents

化学的気相析出法による炭化ケイ素の製造方法及び装置

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JP2001210600A JP2000381817A JP2000381817A JP2001210600A JP 2001210600 A JP2001210600 A JP 2001210600A JP 2000381817 A JP2000381817 A JP 2000381817A JP 2000381817 A JP2000381817 A JP 2000381817A JP 2001210600 A JP2001210600 A JP 2001210600A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来技術よりもプロセスガスを高収量で得ら
れるＣＶＤプロセスによる炭化ケイ素（ＳｉＣ）の製造
方法及び装置を提供する。 【解決手段】 プロセスガス流２(第１のガス流)から基
板４上にＣＶＤプロセスによりＳｉＣを析出する。更に
プロセスガス流２を流動方向に完全に囲む希ガスからな
る第２のガス流３を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気相からの化学的
析出（ＣＶＤ）法により炭化ケイ素（ＳｉＣ）を製造す
るための方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】炭化ケイ素（ＳｉＣ）を製造するＣＶＤ
プロセスではケイ素又は炭素を供給するための作用ガス
及び担体ガス（一般に水素）からなるガス流は基板上に
導かれ、ガス混合物から化学反応によりＳｉＣが基板上
に析出される。「炭化ケイ素及びその関連物質に関する
国際会議の技術要綱（Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓ
ｔｏｆ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅ
ｎｃｅ ｏｎ ＳｉＣａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｍａｔ
ｅｒｉａｌｓ）」日本国、京都、１９９５年、第６０９
頁から単結晶のＳｉＣを製造するためのＣＶＤ法が公知
であり、その際基板の温度は１８００℃〜２３００℃の
間に設定される。それにより結晶品質に悪影響を及ぼす
ことなく高い成長率が達成される。この公知方法での成
長率は０．５ｍｍ／時間までである。もちろんこの公知
方法では最大で長さ２ｍｍの結晶を成長させることがで
きるに過ぎない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、従来
技術よりもプロセスガスの利用率の高いＣＶＤ法による
炭化ケイ素の製造方法及び装置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明の請求
項１又は請求項７に記載の特徴により解決される。
【０００５】請求項１に基づく炭化ケイ素の製造方法で
は、ケイ素（Ｓｉ）及び炭素（Ｃ）を供給するための少
なくとも１種の作用ガス及び少なくとも１種の担体ガス
からなる第１のガス流が基板上に向けられる。この第１
のガス流から基板上に化学的気相析出（ＣＶＤ）法によ
り炭化ケイ素が成長する。更に第１のガス流をその流れ
方向に平行に実質的に完全に囲む第２のガス流が形成さ
れる。
【０００６】請求項７に基づく炭化ケイ素（ＳｉＣ）を
製造する装置は１つの反応炉、この反応炉内に配設され
ている少なくとも１つの基板、化学的気相析出により炭
化ケイ素を基板上に成長させるためケイ素（Ｓｉ）及び
炭素（Ｃ）を供給する少なくとも１種の作用ガス及び少
なくとも１種の担体ガスからなり基板上に向けられる第
１のガス流を形成するための手段、及び第１のガス流を
その流れ方向に平行に実質的に完全に囲む第２のガス流
を形成するための手段を含んでいる。
【０００７】本発明は、第１のガス流を囲む第２のガス
流により第１のガス流の拡散を低減させることができ、
従って第１のガス流におけるプロセスガスの濃度の高い
安定性が達成されるという認識に基づく。その結果この
プロセス中に導入された作用ガスを一層良く利用するこ
とができる。従って基板の同じ成長温度及びプロセスガ
スの同じガス流全量で炭化ケイ素の成長率が高められ
る。本発明による第２のガス流によりこの第２のガス流
を使用しない場合よりも１０倍以上も高い作用ガス収量
を達成することができた。
【０００８】本発明方法及び装置の他の有利な実施態様
は請求項１又は７のそれぞれの従属請求項に記載されて
いる。第１の有利な実施態様では、２つのガス流を形成
するための手段を相応して形成することにより第１のガ
ス流の流速を第２のガス流の流速よりも大きく設定す
る。第１のガス流の流速が大きいことにより、プロセス
ガス及び少なくとも１種の担体ガスのガス粒子の第１の
ガス流から第２のガス流への相互拡散によるプロセスガ
スの損失は少なくなる。
【０００９】基板上に向けられる第１のガス流を形成す
るための手段は特に、基板に向けられた排出口を有する
少なくとも１つのノズル及び少なくとも１種の作用ガス
及び少なくとも１種のキャリアガスをノズルに供給する
ための手段を含んでいる。更に第２のガス流を形成する
ための手段は、十分に均質な第２のガス流を形成し、第
１のガス流を形成するための手段のノズルを囲むディフ
ューザを備えることができる。
【００１０】別の実施態様では、第２のガス流として第
１のガス流よりも粘度の低いガス又はガス混合物が用い
られる。それにより両方のガス流が渦流により混ざり合
うことが回避される。
【００１１】第２のガス流として有利なガスとしては、
黒鉛を化学的に腐食しないガスであり、特に希ガス又は
希ガス混合物があげられる。これにより高温でも反応炉
内に黒鉛部品を使用することができる。特に黒鉛部品が
炉内にない場合には、水素も第２のガス流として適して
いる。
【００１２】基板の成長温度は有利には約８００℃〜約
２５００℃の間に設定される。
【００１３】特に有利な実施態様では、特に半導体デバ
イスに使用することのできる単結晶の炭化ケイ素が製造
される。
【００１４】
【実施例】本発明を実施例及び図面に基づき以下に詳述
する。
【００１５】図１に示す装置は、特に中空円筒状（管
状）に形成可能であり有利には例えば水冷により冷却さ
れる外壁１１を有する反応炉１０を含んでいる。反応炉
１０の外壁１１は特に石英ガラスから形成できる。この
外壁１１上の端面には蓋１２が載置され、例えばフラン
ジ接続されている。外壁１１により囲まれている反応炉
１０の内部空間３３にはサセプタ６が設置されており、
これは特に中空円筒状に形成することができ、高周波コ
イル７により形成される高周波磁場により加熱される
（誘導加熱）。サセプタ６に適した材料は黒鉛である。
サセプタ６は、有利には例えば黒鉛フォームから形成可
能である熱絶縁部８により熱的に外壁１１と絶縁されて
いる。サセプタ６の内部には基板４を支持するための基
板ホルダ５が配設されている。基板ホルダ５は例えば黒
鉛からなる。基板４としてはＳｉＣのＣＶＤプロセスに
適した基板、例えばシリコン基板（約１４００℃までの
温度）、炭化タンタル（ＴａＣ）基板又はＳｉＣ基板を
使用することができる。
【００１６】反応炉１０の蓋１２の中心範囲内には、反
応炉１０の内部空間３３に通じ基板４に向けられた排出
口２１を有するノズル２０が通されている。ノズル２０
の排出口２１の寸法は少なくとも一方向で基板４の寸法
に適合させると有利である。ノズル２０の排出口２１と
基板４との間隔は一般に約２ｃｍ〜約５０ｃｍの間であ
る。ノズル２０には炭化ケイ素（ＳｉＣ）を製造するた
めの、特に単結晶の炭化ケイ素を製造するためのＣＶＤ
プロセスに適したプロセスガスが供給される。これらの
プロセスガスは、ケイ素（Ｓｉ）を供給するための少な
くとも１種の作用ガスＳｉＺ（前駆体、ソース）、炭素
（Ｃ）を供給するための少なくとも１種の作用ガスＣ
Ｙ、少なくとも担体ガス（キャリアガス）、一般に水素
Ｈ２・及び場合によっては所望のＳｉＣのドーピングの
ためのドーピングガスＤを含んでいる。これらのプロセ
スガスからなるガス混合物は第１のガス流２としてノズ
ル２０の排出口２１を通って基板４に向かってサセプタ
６の加熱された内部空間に流れる。その際プロセスガス
の流速はノズル２０に流入する場合よりもノズル２０か
ら流出する場合の方が速い。第１のガス流２が加熱され
た基板４とぶつかる際に作用ガスの化学反応により水素
からなる担体ガスの共同作用下に炭化ケイ素が析出（Ｃ
ＶＤ＝化学的気相析出）される。析出された炭化ケイ素
の構造は特に基板の材料及び成長面を支配する成長温度
に依存する。一般に約８００℃以上の比較的高い成長温
度では成長するＳｉＣは単結晶であり、それ以下の成長
温度ではそれに反して多結晶又は非晶質である。成長温
度は高周波コイル７の高周波磁場のエネルギーにより調
整可能である。第１のガス流２は予め自由に設定可能の
角度０°〜９０°で、有利には約９０°で基板４に衝突
するようにできる。
【００１７】基板ホルダ５は有利には長手軸に沿って上
下に移動可能である。それにより基板４又はＳｉＣの成
長面はサセプタ６の内部の温度領域の所望の位置にもた
らされる。特に有利な実施例では基板ホルダ５はその長
手軸を中心に回転することができる。このプロセス中の
基板ホルダ５及びそれと共に基板４の連続回転により成
長するＳｉＣの均一性は明らかに高められる。典型的な
回転率は約５回転／分（ｒｐｍ）〜約１０００回転／分
（ｒｐｍ）である。回転する基板ホルダ５を有するこの
実施例はノズル２０のスリット状の排出口２１と関連し
て特に有利である。それというのも基板４の回転により
第１のガス流２の不均一性が補償されるからである。
【００１８】第１のガス流２の他にこの第１のガス流２
を側方から囲む第２のガス流３が形成される。従って両
ガス流２及び３は互いにほぼ平行に流れる。第２のガス
流３により排出口２１と基板４との間の第１のガス流２
の拡散は明らかに減少される。それにより使用されるプ
ロセスガス、特に作用ガスＳｉＺ及びＣＹの歩留りも１
０倍高められる。第２のガス流３を介して反応炉１０内
の圧力全体も有利に制御される。図１の実施例において
は第２のガス流３は第１のガス流２中の水素を主として
反応炉１０内の黒鉛部品、特にサセプタ６から遠ざける
という付加的利点をもたらす。こうしてサセプタ６の化
学的分解（腐食）は阻止され、第１のガス流２中の作用
ガスの調整比を良好に守ることができる。この第２のガ
ス流３は基板４の成長過程に化学的に作用しないガス又
はガス混合物からなると有利である。特に第２のガス流
３としては第１のガス流２のガス混合物の粘度より低い
ガス又はガス混合物が適している。特に第２のガス流３
としては例えばヘリウム（Ｈｅ）又はアルゴン（Ａｒ）
のような希ガス又は希ガス混合物が適している。
【００１９】第２のガス流３を形成するために反応炉１
０の蓋１２内に複数の流入口１３が備えられ、それを通
ってＸと符号付けられたガス又はガス混合物が外壁１１
により限定される反応炉１０の内部空間３３内に流入で
きるようにされる。これらの流入口１３は有利には同心
円的にノズル２０の排出口２１の周りに配設されてい
る。蓋１２内の流入口１３は供給されるガスＸから十分
に均質な第２のガス流３が生じるように形成すると有利
である。均質なガス流を形成するために有利には約１０
０μｍ〜約５００μｍの網目の大きさの金属製金網で形
成されているディフューザ１４を使用すると特に有利で
ある。このようなディフューザ１４は市販されている。
ディフューザ１４は縁部に適当な固定手段で挟み込まれ
ており、蓋１２の一部を構成する。図１の実施例では流
入口１３又はディフューザ１４のメッシュ（網目）はほ
ぼ同じ高さに、即ちほぼ一平面内にノズル２０の排出口
２１と共に配設されている。しかしノズル２０の排出口
２１は第１のガス流２の流れ方向に内部空間３３内に移
動させて配設してもよい。
【００２０】図２は図１に示す装置の蓋１２及びノズル
２０の図１のＩＩ−ＩＩ線で切断した断面を示すもので
ある。流入口１３を有するディフューザ１４は金属製金
網としてノズル２０と蓋１２の特に図示されていない縁
との間に挟み込まれている。ディフューザ１４の金網は
ノズル２０の排出口２１をできるだけ狭い間隔で囲んで
いる。ノズル２０の排出口２１は図２の実施例ではスリ
ット状に形成されており、その長手寸法は基板４の直径
に合せられている。
【００２１】図３は反応炉１０の上部のガス流入範囲の
拡大断面を示すものである。外壁１１により囲まれる反
応炉１０の内部空間３３内にノズル２０が突出してい
る。ノズル２０はディフューザ１４により囲まれてい
る。外壁１１、ディフューザ１４及びノズル２０との間
には反応炉１０の内部空間３３と分離されているガス予
備室３０が形成されている。このガス予備室３０内には
１個又は複数個の流入口１５を介して第２のガス流３用
のガスＸが導入され、ディフューザ１４を通して反応炉
１０の内部空間３３内に第２のガス流３として供給され
る。ノズル２０のノズル内部空間２３内には第１の流入
口１６を介して作用ガスＳｉＺが、第２の流入口１７を
介して作用ガスＣＹが、第３の流入口１８を介して担体
ガスである水素が、また第４の流入口１９を介してドー
ピングガスＤが導入される。これらのプロセスガスから
なるガス混合物はノズル２０の排出口２１を通って第１
のガス流２として反応炉１０の内部空間３３内に流れ
る。ノズル２０の排出口２１はこの実施例においてはデ
ィフューザ１４に対して反応炉１０の内部空間３３に移
動され、従ってここにはディフューザ１４よりも図示さ
れていない基板４の近くに配設されている。第２のガス
流３は外壁１１とノズル２０との間にノズル２０の排出
口２１の高さにまで流れ、従ってほぼガス流２に平行に
流れる。この実施例においてはノズル２０は反応炉１０
の加熱範囲の近くに配置されているので、ノズル２０の
ための冷却装置２２、例えば導管及びこの導管に平行に
案内される排出管を有する液体冷却装置を備えると有利
である。このような液体冷却装置２２、特に水冷装置は
当業者に公知である。内部空間３３内に突出しているノ
ズル２０の利点は共通路が短いことによりガス流２及び
３が混ざり合うことが少ないことである。
【００２２】図４による別の実施例では図１の実施例に
比べて９０°回転させた反応炉１０（水平反応炉）を有
する装置が示されている。図４の実施例では第１のガス
流２及び第２のガス流３はほぼ水平方向に向けられてい
る。基板４は基板ホルダ５の傾斜面に配置されている。
従って第１のガス流２は基板４に角度をもってぶつか
り、第１のガス流２がほぼ基板４上に垂直にぶつかる図
１の実施例とは異なり基板４を越えて流れる。しかし基
板４を図１におけるように第１のガス流に対して垂直に
配設してもよい。サセプタ６は台座９上に配設されてい
る。図１の実施例とのもう１つの相違点は、ノズル２０
が図３による実施例と同様に反応炉１０の内部空間３３
内に突出していることである。それにより基板４とノズ
ル２０の排出口２１との間隔が短くなる。ノズル２０は
この実施例でも冷却すると有利である。また基板ホルダ
５をその長手軸に沿って移動させてもよい。
【００２３】図５には炭化ケイ素を製造するための装置
のもう１つの実施例が示されている。この実施例では基
板ホルダ５は直接加熱される。そのため基板ホルダ５の
下に高周波コイル７０、有利にはフラットコイル（パン
ケーキコイル）が配設される。この基板４を加熱するた
めの加熱手段の実施例は、第１のガス流２及び第２のガ
ス流３の送られる反応炉１０の内部空間３３内に黒鉛部
品が配設されないという利点を有する。従って第２のガ
ス流３用のガスＸとして水素を使用することさえでき
る。反応炉１０の外壁１１には例えば特殊鋼を使用する
ことができる。この外壁１１は冷却されると有利であ
る。また反応炉１０の内部空間３３内にはノズル２０が
突出しており、このノズルは同様に冷却されると有利で
ある。更に排出口３４及び３５も図示されており、それ
らを介して図示されていないポンプにより余分なガスが
反応炉１０の内部空間３３から排出される。このような
排出口はこの装置の他の実施例の場合にも設けることが
できる。基板４を有する基板ホルダ５は同様に長手軸を
中心に回転できるようにすると有利である。
【００２４】基板ホルダ５は電流を流すようにして直接
加熱してもよい（抵抗加熱）。第１のガス流２を形成す
るために全ての実施例で簡単な流入口のみをノズルの代
わりに備えてもよく、それを介してプロセスガス及び担
体ガス並びに場合によってはドーピングガスを反応炉内
に導入することができる。
【００２５】基板４上に向けられる第１のガス流２の流
速は全ての実施例において一般にできるだけ大きく設定
され、一般に１０ｍ／分〜３００ｍの間、有利には２０
ｍ／分〜６００ｍ／分の間に設定される。この設定はノ
ズル２０を適当に選択することにより行われる。
【００２６】第２のガス流３の流速はガスの消費量を抑
えるために小さくすると有利である。有利な一実施例で
は第１のガス流２の流速は第２のガス流３の流速よりも
大きく、一般に約３倍〜３０倍に設定される。
【００２７】第１のガス流２内のプロセスガスとしては
全ての実施例において原則としてケイ素及び／又は炭素
を供給するための全ての公知の作用ガス及び担体ガス並
びに場合によってはドーピングガスを使用することがで
きる。例えばシリコンを供給するための作用ガスＳｉＺ
としてシランを、炭素を供給するための作用ガスＣＹと
してプロパンを、また担体ガスとして水素（Ｈ２・）を
使用可能である。シランの濃度は第１のガス流２内で約
０．１％〜約３％であると有利である。プロパンの濃度
は一般にシランの濃度の約３分の１に設定すると有利で
ある。原則として全ての公知のガス濃度及びガス比を設
定することができる。
【００２８】第１のガス流２の流動断面積は基板４の寸
法により定められる。外側の第２のガス流３の流動断面
積は一般にＣＶＤプロセス用に備えられた反応炉１０の
寸法により設定され、原則として任意に選択可能であ
る。
【００２９】反応炉１０内の全ガス圧は一般に０．１〜
１バールの間、有利には０．２〜０．５バールの間に設
定される。
【００３０】基板４の成長温度は単結晶の炭化ケイ素を
製造するために一般に８００℃〜２５００℃、有利には
１２００℃〜２４００℃の間に設定される。
【００３１】本発明に基づく方法及び装置の特別な利点
は、ＳｉＣ結晶を極めて長く、また大きな直径に成長さ
せることができることである。即ち反応炉内に黒鉛壁及
び黒鉛部品が存在していても析出及び／又は解離現象が
起こらないからである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による炭化ケイ素の製造装置の一実施例
の縦断面図。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線により切断した装置の横断
面図。
【図３】反応炉の上部の第２のガス流を形成するための
部分の拡大断面図。
【図４】本発明による炭化ケイ素の製造装置の別の実施
例の縦断面図。
【図５】本発明による炭化ケイ素の製造装置のもう１つ
の実施例の縦断面図。
【符号の説明】
２ 第１のガス流 ３ 第２のガス流 ４ 基板 ５ 基板ホルダ ６ サセプタ ７、７０ 高周波コイル ８ 熱絶縁部 ９ 台座 １０ 反応炉 １１ 外壁 １２ 蓋 １３、１５、１６、１７、１８、１９ 流入口 １４ ディフユーザ ２０ ノズル ２１、３４、３５ 排出口 ２３ ノズルの内部空間 ３０ ガス予備室 ３３ 内部空間

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ａ）ケイ素（Ｓｉ）及び炭素（Ｃ）を供
    給するための少なくとも１種の作用ガス（ＳｉＺ、Ｃ
    Ｙ）及び少なくとも１種の担体ガスを含む第１のガス流
    （２）を基板（４）上に向け、基板（４）上のこの第１
    のガス流（２）から化学的気相析出（ＣＶＤ）法により
    炭化ケイ素を析出し、 ｂ）第１のガス流（２）をその流れ方向に平行に実質的
    に完全に囲む第２のガス流（３）を形成し、 ｃ）第１のガス流（２）の流速を第２のガス流（３）の
    流速よりも大きく設定することを特徴とする炭化ケイ素
    （ＳｉＣ）の製造方法。
  2. 【請求項２】 ａ）ケイ素（Ｓｉ）及び炭素（Ｃ）を供
    給するための少なくとも１種の作用ガス（ＳｉＺ、Ｃ
    Ｙ）及び少なくとも１種の担体ガスを含む第１のガス流
    （２）を基板（４）上に向け、基板（４）上のこの第１
    のガス流（２）から化学的気相析出（ＣＶＤ）法により
    炭化ケイ素を析出し、 ｂ）第１のガス流（２）をその流れ方向に平行に実質的
    に完全に囲む第２のガス流（３）を形成し、 ｃ）第２のガス流（３）として第１のガス流（２）より
    も粘度の低いガス又はガス混合物を使用することを特徴
    とする炭化ケイ素（ＳｉＣ）の製造方法。
  3. 【請求項３】 第２のガス流（３）に希ガス又は希ガス
    の混合物を使用することを特徴とする請求項１または２
    記載の方法。
  4. 【請求項４】 基板（４）における成長温度を約８００
    ℃〜約２５００℃の間に設定することを特徴とする請求
    項１乃至３の１つに記載の方法。
  5. 【請求項５】 単結晶の炭化ケイ素を製造するために使
    用することを特徴とする請求項１乃至４の１つに記載の
    方法。
  6. 【請求項６】 ａ）反応炉（１０）、 ｂ）反応炉（１０）内に配設された少なくとも１つの基
    板（４）、 ｃ）第１のガス流（２）から化学的気相析出法により炭
    化ケイ素を基板（４）上に成長させるために基板（４）
    上に向けられるケイ素（Ｓｉ）及び炭素（Ｃ）を供給す
    るための少なくとも１種の作用ガス（ＳｉＺ、ＣＹ）及
    び少なくとも１種の担体ガスを含んでいる第１のガス流
    （２）を形成するための手段（２０）、 ｄ）第１のガス流（２）をその流れ方向に平行に実質的
    に完全に囲む第２のガス流（３）を形成するための手段
    （１４）を備え、 ｅ）第１のガス流（２）を形成するための手段（２０）
    及び第２のガス流（３）を形成するための手段（１４）
    を第１のガス流（２）の流速が第２のガス流（３）の流
    速よりも大きくなるように構成したことを特徴とする炭
    化ケイ素（ＳｉＣ）の製造装置。
  7. 【請求項７】 ａ）反応炉（１０）、 ｂ）反応炉（１０）内に配設された少なくとも１つの基
    板（４）、 ｃ）第１のガス流（２）から化学的気相析出法により炭
    化ケイ素を基板（４）上に成長させるために基板（４）
    上に向けられるケイ素（Ｓｉ）及び炭素（Ｃ）を供給す
    るための少なくとも１種の作用ガス（ＳｉＺ、ＣＹ）及
    び少なくとも１種の担体ガスを含んでいる第１のガス流
    （２）を形成するための手段（２０）、 ｄ）第１のガス流（２）をその流れ方向に平行に実質的
    に完全に囲む第２のガス流（３）を形成するための手段
    （１４）を備え、 ｅ）第１のガス流（２）よりも粘度の低いガス又はガス
    混合物で第２のガス流（３）を形成することを特徴とす
    る炭化ケイ素（ＳｉＣ）の製造装置。
  8. 【請求項８】 第２のガス流（３）を希ガス又は希ガス
    混合物で形成することを特徴とする請求項６または７記
    載の装置。
  9. 【請求項９】 反応炉（１０）が黒鉛から形成されてい
    る部材（６、５）を含んでいることを特徴とする請求項
    ８記載の装置。
  10. 【請求項１０】 基板（４）の成長温度を約８００℃〜
    約２５００℃の間に設定するための手段（６、７、７
    ０）を有することを特徴とする請求項６乃至９の１つに
    記載の装置。
  11. 【請求項１１】 基板（４）上に向けられた第１のガス
    流（２）を形成するための手段が基板（４）の方向に向
    いた排出口（２１）を有する少なくとも１つのノズル
    （２０）を含んでいることを特徴とする請求項６乃至１
    ０の１つに記載の装置。
  12. 【請求項１２】 第２のガス流（３）を形成するための
    手段が第１のガス流（２）を形成するための手段として
    のノズル（２０）を囲んでいるディフューザ（１４）を
    含んでいることを特徴とする請求項１１記載の装置。
  13. 【請求項１３】 単結晶炭化ケイ素を形成するために使
    用されることを特徴とする請求項６乃至１２の１つに記
    載の装置。
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