JP2001189607A - 非可逆回路素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 中心導体組立体と容量素子基板を内面電極同
士で接続するとき、電気的にも機械的にも確実かつ強固
であって、かつ製造容易で大量生産向きな非可逆回路素
子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 フェライト及びこのフェライトと絶縁状
態を保って配置された中心導体１０とを有する中心導体
組立体１と、略中央に形成した凹穴２０内に中心導体組
立体１を収容し、中心導体組立体１と電気的に接続され
た容量素子基板２と、中心導体組立体１に直流磁界を印
加する永久磁石４と、これらを磁性ヨークを兼ねる金属
製上下ケース５、６内に配置してなる非可逆回路素子で
あって、前記中心導体組立体１及び／又は容量素子基板
２を積層燒結体で形成すると共に、中心導体組立体の外
側面電極１１と容量素子基板の内側面電極２２の下部に
非導通部１７、２２０を有する半割スルーホールを形成
し、外側面電極１１と内側面電極２２を対向配置し電極
材を充填して両者を接続した非可逆回路素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波信号に対し
て非可逆伝送特性を有する非可逆回路素子に関し、具体
的には携帯電話などの移動体通信システムの中で使用さ
れ、一般にアイソレータやサーキュレータと呼ばれる非
可逆回路素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】非可逆回路素子は、ガーネット等のフェ
ライトに複数の中心導体を交差させて設け、直流磁界を
磁石によってフェライトに加え、フェライト内に磁気共
鳴回転磁界を生じさせて、ある中心導体に入力された信
号を減衰させること無く特定方向の中心導体へ伝送する
回路素子である。例えば、アイソレータは、３つの中心
導体を交差させ、うち一つを無反射終端とすることによ
り、他の２つの中心導体間で、特定方向の信号はほとん
ど減衰させずに通過させるが、逆方向の信号は大きく減
衰させるような特性を持たせた非可逆回路素子である。
この様な非可逆回路素子は、移動体通信機や携帯電話機
等に使用され、送信部及び受信部内での反射波の除去、
インピーダンス整合、増幅器・発振器等の安定動作など
のために必要不可欠な回路素子となっている。

【０００３】従来の非可逆回路素子の中心導体として
は、薄い銅板から成るア−ス電極から３方向に放射状に
延びたストリップラインで円盤状フェライトを包み、こ
れらのストリップラインを互いに絶縁を保ち中央１２０
度で交差するようにして織り込んで設けている。このよ
うにして組み立てられたフェライトは貫通穴を有する誘
電体基板内に装着され、中心導体のアース電極側はアー
ス板に、入出力電極は誘電体基板上面の外部電極にそれ
ぞれ半田付け等して接続されている。さらにフェライト
の中心導体の上には直流磁界を与えるための永久磁石と
ヨークを兼ねた金属製ケースを配置し、さらに下側の金
属製ケースとの間で磁気回路を構成して非可逆回路素子
としている。

【０００４】移動体通信の分野では、このような非可逆
回路素子においても小型高性能化の要求は高まるばかり
で、今やコンマ数ｍｍ単位での低背化が求められてい
る。しかしながら、上記のような中心導体とフェライト
を織り込む構造では小型・低背化には限界がある。ま
た、中心導体に対するフェライトの位置合わせが困難で
微妙なズレがその特性に大きな影響を与えるといった問
題があった。そこで、フェライトを複数のフェライトグ
リーンシートを積層した燒結積層体となし、積層体内部
に中心導体を印刷形成したものが種々提案されている
（例えば特開平７−２１２１０７号公報）。また、同様
に誘電体基板についても複数のセラミックグリーンシー
トに整合用コンデンサを電極パターンで印刷形成しなが
ら積層し、一体燒結することが提案されている（例えば
特開平９−５５６０７号公報）。

【０００５】図１０は特開平７−２１２１０７号公報で
開示された一例を示すものである。非可逆回路素子９
は、フェライト積層体９０と、フェライト積層体９０を
収容する基台９１と、誘電体フィルム９２と、遮蔽板９
３と、永久磁石９４ａ，９４ｂと、上部ヨーク９５ａ
と、下部ヨーク９５ｂとから構成されている。ここでフ
ェライト積層体９０は、円板状のグリーンシートの上面
に互いに絶縁され、かつ等角度で交差する中心導体を導
電ペーストを印刷し、この上に他の同形状のグリーンシ
ートを積層密着して中心導体を挟み込み、その後、積層
したグリーンシートの側面及び上下面にそれぞれ電極と
なる導電体ペーストを印刷して焼成を行なうことで一体
燒結型のフェライト積層体９０としている。

【０００６】基台９１には、その中央にフェライト積層
体９０を収容する円形凹部９６を有している。円形凹部
９６の内面にはフェライト積層体９０を収容したとき
に、入出力電極９０ｂ及び９０ｃと接触導通する内部電
極９１ｂ及び９１ｃと、アース電極９０ｄに接触導通す
る側面アース電極９１ｄと、下部アース電極に接触導通
し下部アース電極と同一形状のアース面電極９７とが形
成されている（他のアース電極についても同様）。電極
９１ｂは、円形凹部９６の内周面から基台９１の上面に
かけて形成されており、スルーホール９８を介して基台
９１の下部に設けられた入出力端子９９に接続されてい
る。電極９１ｃについても電極９１ｂと同様である。

【０００７】次に、フェライト積層体９０を基台９１の
円形凹部９６に挿入すると、入出力電極９０ｂ及び９０
ｃは、それぞれ内面電極９１ｂ及び９１ｃに接触導通
し、スルーホールを介して入出力端子に電気的に接続さ
れる。フェライト積層体９０の上面には、誘電体フィル
ム９２が搭載され遮蔽板９３が冠着される。これによ
り、コンデンサ電極９０ｇ，９０ｈ，及び９０ｉ、誘電
体フィルム９２、及び遮蔽板９３は静電容量を構成す
る。遮蔽板９３を冠着するとその接続部９３ｄはアース
電極９０ｄに接触導通すると共に側面アース電極９１ｄ
に接触導通する（以下９３ｅ、９３ｆについても同
様）。次に、永久磁石９４ａは遮蔽板９３の上面に搭載
され、永久磁石９４ｂは基台９１の下部に配置される。
これら永久磁石９４ａ及び９４ｂは、上部ヨーク９５ａ
及び９５ｂによって固定されている。また、上部ヨーク
９５ａ及び下部ヨーク９５ｂは、互いに接続部を接続す
ることにより閉磁路を構成している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】さて、繰り返すようで
あるがこの分野では小型であると共に性能的にも高い信
頼性が要求される。例えば外部からのノイズによる誤作
動が少なく、かつ過酷な振動や衝撃などにも耐え得る構
造であることが必要である。ここで中心導体組立体と容
量素子基板との接続構造に着目してみると、特開平９−
５５６０７号公報で開示されたものは、中心導体を交互
に織り込み各中心導体の電極端を容量素子基板上面に形
成した電極パターンに半田付けして接続している。これ
は従来の接続構造であって低背化に問題がある。そこで
低背化を進めるために外面電極と内面電極を対向させ側
面同士を接続する構造が考えられる。上述の特開平７−
２１２１０７号公報によるものはその例であるが、本例
では遮蔽板を側面電極に嵌着することで接触導通させた
だけの構造であった。従って、振動や衝撃に対する信頼
性に極めて乏しいと言う問題がある。また、特開平１０
−１７８３０４号公報にも外側面電極と内側面電極の接
続が見られるが、この側面電極同士の接続に関し如何様
にしたかの具体的な開示はない。このように従来、側面
電極同士の接続構造について電気的また機械的に信頼性
の高い具体的な接続構造の提案はなかった。

【０００９】また、従来より外面側の側面電極の形成に
は印刷や転写等の手段が使われるが、貫通穴の側面にあ
る内側面電極はこれらの手段では大量にかつ低コストで
生産することが困難であった。

【００１０】以上のことより本発明は、アイソレータや
サーキュレータを構成する中心導体組立体と容量素子基
板との内外面電極部を側面同士で接続する場合、その位
置合わせが容易で、電極部が電気的にも機械的にも確実
かつ強固に接続できる信頼性の高い接続構造となした非
可逆回路素子及びこのとき内外面電極部の形成が容易で
大量生産向きな製造方法を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】そこで、本願発明者らは
中心導体組立体と容量素子基板を積層体で形成すること
によって、電極パターンの形成と共にスルーホールも容
易かつ正確に形成可能であることに着目し、このスルー
ホールを電極部に利用することにより上記問題を解決で
きると考え本発明に想到したものである。即ち、第１の
発明は、フェライト及びこのフェライトと絶縁状態を保
って配置された中心導体とを有する中心導体組立体と、
略中央に形成した凹穴内に前記中心導体組立体を収容
し、且つ中心導体組立体と電気的に接続された容量素子
基板と、前記中心導体組立体に直流磁界を印加する永久
磁石とを有し、これらを磁性ヨークを兼ねる金属製ケー
ス内に配置してなる非可逆回路素子において、前記中心
導体組立体及び／又は容量素子基板を積層燒結体で形成
すると共に、スルーホールの一部を切断することによっ
て前記中心導体組立体の外側面電極及び／又は前記容量
素子基板の内側面電極を形成し、前記外側面電極と内側
面電極を対向配置し、両者の間隙に導電材を充填して前
記中心導体組立体と容量素子基板とを側面同士で接続し
た非可逆回路素子である。

【００１２】上記において、中心導体組立体の電極部は
下端までスルーホールを貫通していない非導通部を持っ
た外側面電極となし、他方の容量素子基板の電極部は下
端までスルーホールを貫通していない非導通部を持った
内側面電極となし、電極材を充填したとき下端の非導通
部を除いて接続部を形成することが望ましい。また、ス
ルーホールの一部によって形成された電極部は、単数あ
るいは１０以下の複数であることが望ましい。さらに、
中心導体組立体は矩形体であると共に容量素子基板の略
中央部には中心導体組立体との間隙を０．２ｍｍ以内で
嵌合する貫通穴を有したものであることが望ましい。

【００１３】また、本発明では側面電極同士を接合する
場合、その基体を積層構造体で構成しているので接続部
の少なくとも一方は確実に電極に導通させ、他方は確実
にアース板に導通させないような電極構成とするときに
有利である。即ち、第２の発明は、フェライト及び該フ
ェライトと絶縁状態を保って配置された中心導体とを有
する中心導体組立体と、この中心導体組立体を略中央に
形成した凹穴内に収容し、且つ中心導体組立体と電気的
に接続した容量素子基板と、前記中心導体部に直流磁界
を印加する永久磁石とを有し、これらを磁性ヨークを兼
ねる金属製ケース内に配置してなる非可逆回路素子にお
いて、前記中心導体組立体の各電極部は外側面の下端に
非導通部を有し上端部のみに導通する外側面電極とな
し、他方、前記容量素子基板側の各電極部は内側面の下
端に非導通部を有し整合容量を形成する容量電極のみに
導通する内側面電極となし、これら外側面電極と内側面
電極を対向配置し、その間隙に導電材を充填することに
よって下端の非導通部を除いて中心導体組立体と容量素
子基板とを側面同士で接続した非可逆回路素子である。

【００１４】また、本発明は、中心導体組立体と容量素
子基板のそれぞれの内外側面に電極部を容易に且つ大量
生産で形成することができる製造方法として有効であ
る。即ち、第３の発明は、フェライト及びこのフェライ
トと絶縁状態を保って配置された中心導体とを有する中
心導体組立体と、略中央に形成した凹穴内に前記中心導
体組立体を収容し、且つ中心導体組立体と電気的に接続
された容量素子基板と、前記中心導体組立体に直流磁界
を印加する永久磁石とを有し、これらを磁性ヨークを兼
ねる金属製ケース内に配置してなる非可逆回路素子の製
造方法であって、前記中心導体組立体及び／又は容量素
子基板を積層燒結体で形成し、前記中心導体組立体の電
極部及び／又は前記容量素子基板の電極部にスルーホー
ルを設け、中心導体組立体側及び容量素子基板側にスル
ーホールの一部を切断することによって、スルーホール
の一部で形成された外側面電極及び内側面電極を形成す
る工程を含む非可逆回路素子の製造方法である。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の非可逆回路素子の
実施例を図面を参照して説明する。図１は本発明の非可
逆回路素子の一実施例を示す分解斜視図、図２はその非
可逆回路素子の中心導体組立体と容量素子基板の接合部
を示す拡大上面図、図３は積層型容量素子基板の内側面
電極部の一例を示す一部斜視図、図４は他の例を示す内
側面電極部の一部斜視図、図５はさらに他の実施例を示
す内側面電極部の一部斜視図、図６は容量素子基板を積
層圧着後に貫通穴を形成する例を示す分解斜視図、図７
は同じく貫通穴を形成した後に積層圧着する例を示す分
解斜視図、図８（Ａ）は図６の容量素子基板の完成後の
上面斜視図、（Ｂ）は同じく裏面から見た下面斜視図、
図９は積層型中心導体組立体の一例を示す分解斜視図で
ある。

【００１６】先ず、図１よりこの非可逆回路素子の基本
構成としては、中心導体組立体１、中央部の貫通穴の中
に前記中心導体組立体１を組み込むようになした容量素
子基板２、この容量素子基板１に組み入れられるチップ
あるいは抵抗膜で形成した抵抗体３、中心導体組立体１
に直流磁界を印加する永久磁石４、磁性ヨークを兼ねる
金属製の上ケース５と同じく下ケース６とからなってい
る。尚、容量素子基板２と下ケース６との間に導電板、
あるいは導電板を組み入れた樹脂ケース等を挿入しても
良い。また、基板中央部の貫通穴２０と中心導体組立体
１はその嵌合と位置合わせが容易かつ正確に行われるよ
うに矩形形状としているが、必ずしもこれに限ることは
なく円形や六角形、八角形等であっても良い。

【００１７】ここで本実施例の中心導体組立体１は、印
刷導体パターンからなる中心導体をガ−ネット等のフェ
ライト層間に内装した一体型の積層燒結体からなり、そ
の外側面には入力電極１１、出力電極１３及びロード電
極１５が、下面にはそれぞれのアース電極（図示せず）
が設けられている。容量素子基板２も一体型の積層燒結
体からなり、その上面には整合用のコンデンサを形成す
るための入力容量電極２１、出力容量電極２３と終端チ
ップ抵抗３が組まれるアース電極２９及びロード電極２
５が形成され、貫通穴２０の内側面には入出力容量電極
２１、２３と繋がる入出力電極２２、２４とロード側に
繋がるロード電極２６が形成されている。また、容量素
子基板２の外側面には実装基板に対して電気的に接続す
るための出力端子２７、アース端子２８及び入力端子、
アース端子（図示せず）がそれぞれ設けられている。そ
して入出力電極とアース端子及び下ケース６あるいはア
ース板（容量素子基板２と下ケース６との間に別途アー
ス板を設けた場合）との間で共振容量が得られるように
なっている。

【００１８】上記中心導体組立体１及び容量素子基板２
はそれぞれ別個に製造し、中心導体組立体１を容量素子
基板２の貫通穴２０内に嵌合装着させた後、中心導体組
立体１の外側面に形成した入出力電極１１、１３及びロ
ード電極１５を容量素子基板２の内側面に形成した入出
力電極２２、２４及びロード電極２６にそれぞれ電気的
に接続することによって非可逆回路素子が構成される。
このように外側面電極と内側面電極という側面電極同士
を直接接続することによって、周囲空間を有効に利用し
て非可逆回路素子の高さ方向および横方向の小型化を達
成することが出来る。尚、容量素子基板２には外面側に
設けた側面電極２７、２８他と貫通穴２０の周りに設け
た内側面電極２２、２４、２６とがあるが、本発明では
後者を内側面電極と呼び、他方の中心導体組立体１の外
側に設けた電極を外側面電極と呼び、これらが本願発明
の対象電極である。以下、本発明の外側面電極と内側面
電極との接続構造及び製造方法について説明する。

【００１９】図２は中心導体組立体１の外側面電極１１
と容量素子基板２の内側面電極２２との接続部を示す上
面図である。１１ａ、１１ｂ、１１ｃと２２ａ、２２
ｂ、２２ｃはそれぞれ積層体を製造する際に同時に設け
たスルーホールを切断した残りの一部であって、これを
外側面電極１１と内側面電極２２となしている。本例で
はφ０．２ｍｍのスルーホールを略中央で縦方向に切断
した略半割状の電極部（以下、半割スルーホールと言う
ことがある。）１１ａ〜１１ｃと２２ａ〜２２ｃをそれ
ぞれ３個形成したものである。中心導体組立体１を容量
素子基板２の貫通穴２０内に嵌合することによって外側
面電極１１と内側面電極２２は隙間ｇをもって対向配置
され、その後、隙間ｇ部分に半田などの導電材を充填し
加熱リフローして両者を電気的かつ機械的に接合したも
のである。この接続部によれば半割スルーホール形状と
したことにより電極材の結合が強くなり機械的にも強固
な接続状態が得られる。また半田をリフローする前の状
態においても、ある程度の強度を持って組み立っている
のでハンドリング等によるズレや破損の発生が抑えられ
るので都合がよい。しかし、その数が多くあってもその
効果は変わらず逆に製造上の手間が増え煩雑になる。基
板のサイズによって変わってくるが５ｍｍ角であれば３
〜５個、７ｍｍ角であれば４〜８個程度であろう。

【００２０】また、中心導体組立体１の外形と貫通穴２
０の形状は相似した矩形であり、中心導体組立体１を容
量素子基板２の貫通穴２０内に挿入することによって外
側面電極１１と内側面電極２２の位置決めを行うと共に
半割スルーホール１１ａ〜１１ｃと２２ａ〜２２ｃを対
向配置させることができる。これによってピンポイント
的に適量の導電材３０を充填し易くなり、加熱リフロー
することにより自然と両者を接合することができる。こ
のときの外側面電極１１と内側面電極２２の嵌合状態は
図２では少し誇張して見えるが、多くとも間隙ｇは０．
２ｍｍ以内になるように設定することが好ましい。ここ
では組立性も考慮して約０．１ｍｍとしているが性能的
に安定させるには０．０５ｍｍ程度を目処にする必要が
ある。これが約０．２ｍｍを越えると半田の量が多くな
るし、リフローした際に断続部分が生じる等の可能性が
あり好ましくない。

【００２１】また、半割スルーホール２２ａ〜２２ｃ又
は１１ａ〜１１ｃは図３に示すように下端まで連通する
ことがないように非道通部２２０を形成している。これ
により導電材３０が下端まで流出することなく電気的に
確実に非導通状態を保って接続することが出来るので電
気的な接続構造においても信頼性が高まるという効果が
ある。本発明の中心導体組立体及び／又は誘電体基板は
積層構造であるから、内側面であっても外側面であって
も部分的に電極を形成することが容易となる。特に下端
側に非導通部を形成する場合などグリーンシートの成形
段階で印刷パターンを変更するだけでよいので効率的
で、特に内側面電極の非導通部の形成が容易かつ正確に
行える。これによって余分な半田の流出やアース電極と
の導通短絡が抑えられると言う効果が達成される。よっ
て、上記した半割スルーホールで電極部を構成すると電
気的また機械的な接続構造として信頼性は向上する

【００２２】図４は他の実施例を示す部分斜視図であ
る。本例の内側面電極７２は下部に非導通部７２０を有
する長円状の半割スルーホール７２ａを１個設けたもの
である。上記したように半割スルーホールの数は電極部
の大きさ等を考慮して適宜設定すれば良いが、図のよう
な長円形でもよい。この場合の長径長さも適宜設定すれ
ばよい。この実施例では、スルーホールの数を少なくで
きるため製造コストを低減できる。また、内面電極の面
積を広くとることができるため、組立時に対向する外側
面電極の位置ズレが生じた場合にも接続の信頼性を保つ
ことができる。さらに、接合部における電気的な損失を
低減できるため低損失の非可逆回路素子を提供できる。

【００２３】図５は本発明の更に他の実施例を示す容量
素子基板の部分斜視図である。本例では内側面電極８２
ａの上端は容量形成用電極に繋がり、他方の下端部側に
は非導通部８２０を形成するようにしたもので全体を平
面電極としている。この実施例では、半割スルーホール
を設けないため、積層体の内部導体パターンを容量形成
のため広く有効に活用することができ素子全体をより小
型化することが可能である。一方で機械的な結合力はさ
ほど必要でない場合であるとか、或いは複数の接続部の
うち選択的に本例のような接続構造を採るような場合に
本実施例を採用しても良い。

【００２４】次に、容量素子基板２を製造方法と共に説
明する。図６及び図７は容量素子基板２の分解斜視図で
あり、図８に完成後の姿を示し、（Ａ）は上面斜視図を
（Ｂ）は下面斜視図を示している。本例の容量素子基板
２は第１、第２、第３及び第４の誘電体層２ａ、２ｂ、
２ｃ及び２ｄと実装面に電気的な接続をするための脚部
２０１、２０２とからなる多層構造である。まずガラス
を主成分とした第１〜第４の誘電体層２ａ〜２ｄ用のグ
リーンシートをドクターブレード法にて作成し、所定の
位置にスル−ホ−ルを開ける。第１の誘電体層２ａのグ
リーンシート上には、所定の整合容量が得られるように
第１の入力容量電極２１ａ、第１の出力容量電極２３
ａ、第１のロード容量電極２５ａ及び接地電極２９ａを
銀ペースト等の導電材で印刷する。そして、これらの整
合容量用電極について後に貫通穴を形成することによっ
て内側面電極部２２、２４、２６を形成するような位置
にスルーホール２２ａ、２４ａ、２６ａが形成されてい
る。また、接地電極２９ａには、この電極をグランド電
極と接続するためのスル−ホ−ル３０ａが形成されてい
る。第２の誘電体層２ｂのグリーンシート上にはグラン
ド電極２００ｂと後に入出力端子と連なる電極２０１
ｂ、２０３ｂおよび内側面電極部２２、２４、２６と連
なる電極２０２ｂ、２０４ｂ、２０６ｂを印刷し、また
第１の誘電体層２ａに設けたスルーホール２２ａ、２４
ａ、２６ａに対応合致する位置にスルーホールを形成し
ておく。

【００２５】第３の誘電体層２ｃのグリーンシート上に
は第２の入力容量電極２１ｃ、第２の出力容量電極２３
ｃ及び第２のロード容量電極２５ｃを同様に印刷し、さ
らに第１、第２の誘電体層２ａ、２ｂと対応合致する位
置に各スルーホールを形成する。第４の誘電体層２ｄの
グリーンシート上には第２の誘電体層と同様にグランド
電極２００ｄと入出力端子と連なる電極２０１ｄ、２０
３ｄを印刷形成する。第４の誘電体層２ｄにはグランド
電極２００ｄとケ−ス下を接続するスルーホール３００
ｄ、３０１ｄのみが形成されている。次いで、第１〜第
４の誘電体層２ａ〜２ｄのグリーンシートと脚部２０
１、２０２を順次積層し熱圧着して一体型の積層体を得
る。得られた積層体に中心導体組立体１が嵌合されるべ
き貫通穴２０を上記スルーホールを略２分割するように
して打ち抜いて形成する。その後、シートを所定の大き
さに切断し９００℃で焼成する。焼成した積層体の側面
と脚部側面および裏面に入出端子及び接地端子として銀
ペーストを塗布し焼成炉にて焼きつけて容量素子基板２
を形成するものである。

【００２６】図７は図６と同様に第１〜第４の誘電体層
７ａ〜７ｄ用のグリーンシートと脚部７０１、７０２を
順次積層して一体型の積層体としたものであるが、図６
は積層後に貫通穴２０を形成したものであったのに対
し、図７ではそれぞれのグリーンシートに貫通穴７０ａ
〜７０ｄを予め設けたものを積層したものである点で相
違している。またスルーホールは設けない例を示してい
るが半割スルーホールの形で単数または複数設けても良
い。他の構成については同様であるのでここでの説明は
省略する。

【００２７】次に、中心導体組立体１を製造方法と共に
説明する。この組立体はガーネット等のフェライト（中
心導体組立体用）のグリーンシートをドクターブレード
法にて作成し、このグリーンシートに所定パターンの中
心導体及び電極部をそれぞれ導電性のペ−ストを印刷し
て形成する。図９にその構造を斜視図で示すように、グ
リーンシート１ａ、１ｂ、１ｃにはそれぞれ中心導体１
０ａ、１０ｂ、１０ｃを互いに絶縁を保って等角度で交
差するように設け、グリーンシート１ｄにはその裏面に
アース電極（図示せず）を形成している。各シートの外
側面には中心導体１０ａの一端と接続して入力電極１１
を構成する電極（１１ｂ、１１ｃ）と、１０ａの他端と
接続してアース電極に接続する電極（１２ｂ、１２ｃ、
１２ｄ）と、また中心導体１０ｂの一端と接続してロー
ド電極１５を構成する電極（１５ａ、１５ｃ）と、１０
ｂの他端と接続してアース電極に接続する電極（１６
ａ、１６ｃ、１６ｄ）と、同じく中心導体１０ｃの一端
と接続して出力電極１３を構成する電極（１３ａ、１３
ｂ）と、１０ｃの他端と接続してアース電極に接続する
電極（１４ａ、１４ｂ、１４ｄ）の各電極部を形成して
いる。

【００２８】このとき電極部１１、１３及び１５の外側
面の端部には下層のグリーンシート１ｄを除いて貫通す
るスルーホールを形成しておく（図示せず）。このよう
にして形成したグリーンシートを重ねて熱圧着し、積層
体を得た後スルーホールを２分割するような位置でこの
積層体を所定の大きさの所定の形状に切断する。その
後、これをフェライトの所定の焼成温度で焼成し次い
で、焼成体の下面、側面に銀ペーストを焼き付けること
によってグランド電極、入出力電極を形成する。以上に
より電極１１、１３及び１５の下端に非導通部を有しス
ルーホールの一部で構成された半割状の外側面電極１１
ａ〜１１ｃが形成された（図２参照）中心導体組立体１
が得られる。尚、ここで外側面電極の場合はスルーホー
ルを利用した半割状電極部とするまでもなく、単に下端
に非導通部を有した平面電極部としても良い。

【００２９】以上のように本発明の非可逆回路素子の製
造方法によれば、スルーホールを利用しているので内側
面電極と外側面電極及びこれらの中にある非導通部など
を極めて正確かつ容易に形成することが出来る。従来の
ような印刷や転写などの手段より効率的で大量生産向き
であり低コスト化も可能である。尚、上記した実施例は
本発明の一例を示すものであってこれに限定されるもの
ではない。本発明は他の実施態様によっても実施するこ
とが出来る。例えば、穴２０が貫通でなくキャビティ状
の底があるものにも適用できる。

【００３０】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、容
量素子基板の貫通穴の中に中心導体組立体を収容し、両
者の側面電極同士を接続する構造としたので非可逆回路
素子の特に高さ方向の小型化に有効である。このとき、
内側面電極及び／又は外側面電極をスルーホールの一部
を用いた電極構造とすることによって両者の電気的な接
続および機械的な接続において高信頼性を発揮すること
が出来る。また、中心導体積層体と磁石の間や、中心導
体積層体と金属下ケ−スの間に、容量素子基板との電気
的接続を取るための基板等の介在物を入れないで漏れ磁
束を小さくできることから磁石を薄くしさらに低背化を
進めることが可能となる。また、本発明によれば製造面
においても効率的に大量生産が可能となる。よって、低
背化と信頼性の向上をはかった非可逆回路素子を得るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の非可逆回路素子の一実施例を示す分解
斜視図である。

【図２】実施例の中心導体組立体と容量素子基板の接合
部を示す拡大上面図である。

【図３】積層型容量素子基板の内側面電極部の一例を示
す一部斜視図である。

【図４】積層型容量素子基板の他の例を示す内側面電極
部の一部斜視図である。

【図５】本発明のさらに他の実施例を示す内側面電極部
の一部斜視図である。

【図６】容量素子基板を積層圧着後に貫通穴を形成する
例を示す分解斜視図である。

【図７】同じく貫通穴を形成した後に積層圧着する例を
示す分解斜視図である。

【図８】図６の容量素子基板の完成後の姿を示し、
（Ａ）は上面斜視図を（Ｂ）は下面斜視図である。

【図９】積層型中心導体組立体の一例を示す分解斜視図
である。

【図１０】従来の非可逆回路素子の構造の一例を示す斜
視図である。

【符号の説明】

１：中心導体組立体 ２、７、８：容量素子基板 ３：抵抗素子 ４：永久磁石 ５：金属上ケース ６：金属下ケース １０ａ、１０ｂ、１０ｃ：中心導体、１１、１３、１
５：外側面電極、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ：半割スルー
ホール電極、２０：貫通穴、２１、２３、２５：整合容
量用電極、２２、２４、２６：内側面電極、２２ａ、２
２ｂ、２２ｃ：半割スルーホール電極、２２０、７２
０、８２０：非導通部

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フェライト及びこのフェライトと絶縁状
   態を保って配置された中心導体とを有する中心導体組立
   体と、略中央に形成した凹穴内に前記中心導体組立体を
   収容し、且つ中心導体組立体と電気的に接続された容量
   素子基板と、前記中心導体組立体に直流磁界を印加する
   永久磁石とを有し、これらを磁性ヨークを兼ねる金属製
   ケース内に配置してなる非可逆回路素子において、前記
   中心導体組立体及び／又は容量素子基板を積層燒結体で
   形成すると共に、スルーホールの一部を切断することに
   よって前記中心導体組立体の外側面電極及び／又は前記
   容量素子基板の内側面電極を形成し、前記外側面電極と
   内側面電極を対向配置し、両者の間隙に導電材を充填し
   て前記中心導体組立体と容量素子基板とを側面同士で接
   続したことを特徴とする非可逆回路素子。
2. 【請求項２】 前記中心導体組立体の電極部は下端まで
   スルーホールを貫通していない非導通部を持った外側面
   電極となし、他方、前記容量素子基板の電極部は下端ま
   でスルーホールを貫通していない非導通部を持った内側
   面電極となし、電極材を充填したとき下端の非導通部を
   除いて接続部を形成したことを特徴とする請求項１記載
   の非可逆回路素子。
3. 【請求項３】 前記スルーホールの一部によって形成さ
   れた電極部は、単数あるいは１０以下の複数からなるこ
   とを特徴とする請求項１又は２に記載の非可逆回路素
   子。
4. 【請求項４】 フェライト及び該フェライトと絶縁状態
   を保って配置された中心導体とを有する中心導体組立体
   と、この中心導体組立体を略中央に形成した凹穴内に収
   容し、且つ中心導体組立体と電気的に接続した容量素子
   基板と、前記中心導体部に直流磁界を印加する永久磁石
   とを有し、これらを磁性ヨークを兼ねる金属製ケース内
   に配置してなる非可逆回路素子において、前記中心導体
   組立体の電極部は外側面の下端に非導通部を有し上端部
   のみに導通する外側面電極となし、他方、前記容量素子
   基板側の電極部は内側面の下端に非導通部を有し整合容
   量を形成する容量電極のみに導通する内側面電極とな
   し、これら外側面電極と内側面電極を対向配置し、その
   間隙に導電材を充填することによって下端の非導通部を
   除いて中心導体組立体と容量素子基板とを側面同士で接
   続したことを特徴とする非可逆回路素子。
5. 【請求項５】 前記中心導体組立体は矩形体であると共
   に前記容量素子基板の略中央部には前記中心導体組立体
   との間隙を０．２ｍｍ以内で嵌合する貫通穴を有したも
   のであることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記
   載の非可逆回路素子。
6. 【請求項６】 フェライト及びこのフェライトと絶縁状
   態を保って配置された中心導体とを有する中心導体組立
   体と、略中央に形成した凹穴内に前記中心導体組立体を
   収容し、且つ中心導体組立体と電気的に接続された容量
   素子基板と、前記中心導体組立体に直流磁界を印加する
   永久磁石とを有し、これらを磁性ヨークを兼ねる金属製
   ケース内に配置してなる非可逆回路素子の製造方法であ
   って、前記中心導体組立体及び／又は容量素子基板を積
   層燒結体で形成し、前記中心導体組立体の電極部及び／
   又は前記容量素子基板の電極部にスルーホールを設け、
   中心導体組立体側及び容量素子基板側にスルーホールの
   一部を切断することによって、スルーホールの一部で形
   成された外側面電極及び内側面電極を形成する工程を含
   むことを特徴とする非可逆回路素子の製造方法。