JP2001144452A - 多層プリント基板 - Google Patents
多層プリント基板Info
- Publication number
- JP2001144452A JP2001144452A JP32444099A JP32444099A JP2001144452A JP 2001144452 A JP2001144452 A JP 2001144452A JP 32444099 A JP32444099 A JP 32444099A JP 32444099 A JP32444099 A JP 32444099A JP 2001144452 A JP2001144452 A JP 2001144452A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal lines
- printed circuit
- circuit board
- multilayer printed
- dielectric layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、多層プリント基板における配線の
クロストークを低減し、しかも多層プリント基板の大型
化とコストアップを防止する。 【解決手段】 多層プリント基板１を、二つの誘電層
（比誘電率ε１）１３とこれらに挟まれるように形成さ
れた誘電層（比誘電率ε２）１４，これらの上面と下面
に形成されたＧＮＤ層１１，誘電層１３と誘電層１４の
間に挟まれかつ垂直方向に配線された二本の信号線１２
とで構成し、誘電層１４の比誘電率を誘電層１３の比誘
電率より小さくする。
クロストークを低減し、しかも多層プリント基板の大型
化とコストアップを防止する。 【解決手段】 多層プリント基板１を、二つの誘電層
（比誘電率ε１）１３とこれらに挟まれるように形成さ
れた誘電層（比誘電率ε２）１４，これらの上面と下面
に形成されたＧＮＤ層１１，誘電層１３と誘電層１４の
間に挟まれかつ垂直方向に配線された二本の信号線１２
とで構成し、誘電層１４の比誘電率を誘電層１３の比誘
電率より小さくする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、信号線路間のクロ
ストークを低減した多層プリント基板に関するものであ
る。
ストークを低減した多層プリント基板に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器のさらなる高速化・小型
化が進むにつれて、多層プリント基板も高速化・高密度
化されている。ところが、多層プリント基板は、高密度
化されると配線が近接し、隣接する配線からの信号の影
響を受けるいわゆるクロストークノイズが問題となって
いる。
化が進むにつれて、多層プリント基板も高速化・高密度
化されている。ところが、多層プリント基板は、高密度
化されると配線が近接し、隣接する配線からの信号の影
響を受けるいわゆるクロストークノイズが問題となって
いる。
【０００３】図１３および図１４は、従来例の多層プリ
ント基板における配線の要部を示す概略断面図である。
図１３に示す多層プリント基板は、一種類の誘電体から
なる誘電層１１３，この誘電層１１３中に垂直方向（同
図において）に配線された二本の信号線１１２及び誘電
層１１３の上面と下面に形成されたＧＮＤ（グランド）
層１１１を有する構成としてあり、信号線１１２の間隔
を広げることによって、クロストークノイズを抑制して
いた。また、図１４に示す多層プリント基板は、誘電層
１１３，信号線１１２，ＧＮＤ層１１１及び信号線１１
２の間に形成したＧＮＤ層１１４を有する構成としてあ
り、信号線１１２の間にＧＮＤ層１１４を設けることに
よって、クロストークノイズを抑制していた。
ント基板における配線の要部を示す概略断面図である。
図１３に示す多層プリント基板は、一種類の誘電体から
なる誘電層１１３，この誘電層１１３中に垂直方向（同
図において）に配線された二本の信号線１１２及び誘電
層１１３の上面と下面に形成されたＧＮＤ（グランド）
層１１１を有する構成としてあり、信号線１１２の間隔
を広げることによって、クロストークノイズを抑制して
いた。また、図１４に示す多層プリント基板は、誘電層
１１３，信号線１１２，ＧＮＤ層１１１及び信号線１１
２の間に形成したＧＮＤ層１１４を有する構成としてあ
り、信号線１１２の間にＧＮＤ層１１４を設けることに
よって、クロストークノイズを抑制していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の多層
プリント基板は、クロストークノイズを抑制するため
に、信号線間の間隔を広げたり、信号線の間にＧＮＤ層
を設けていたので、厚さ方向にサイズが拡大して大型化
するといった問題や、ＧＮＤ層を設けることにより多層
化してコストが増大するといった問題が生じていた。ま
た、ＧＮＤ層を新たに設ける場合には、このＧＮＤ層の
接地が必要となり配線が複雑化し、配線設計の設計費が
増加するといった問題もあった。
プリント基板は、クロストークノイズを抑制するため
に、信号線間の間隔を広げたり、信号線の間にＧＮＤ層
を設けていたので、厚さ方向にサイズが拡大して大型化
するといった問題や、ＧＮＤ層を設けることにより多層
化してコストが増大するといった問題が生じていた。ま
た、ＧＮＤ層を新たに設ける場合には、このＧＮＤ層の
接地が必要となり配線が複雑化し、配線設計の設計費が
増加するといった問題もあった。
【０００５】本発明は、上記の問題を解決すべくなされ
たものであり、垂直方向に配線された信号線間に、比誘
電率の異なる誘電層を形成することにより、基板の大型
化やコストアップすることなくクロストークノイズを抑
制する多層プリント基板の提供を目的とする。
たものであり、垂直方向に配線された信号線間に、比誘
電率の異なる誘電層を形成することにより、基板の大型
化やコストアップすることなくクロストークノイズを抑
制する多層プリント基板の提供を目的とする。
【０００６】なお、上記課題に関連する技術として、特
許公報第２５００７８３号にて、絶縁層中の、回路パタ
ーンと接地層との間に、絶縁層よりも誘電率の高い誘電
体が設けられたプリント基板が提案されている。この技
術は、回路パターンの自己容量が大きくなるので、クロ
ストークを低減することができる技術ではあるものの、
同一基材上の隣接する回路パターンに対する技術であ
り、上記課題を解決することはできない。
許公報第２５００７８３号にて、絶縁層中の、回路パタ
ーンと接地層との間に、絶縁層よりも誘電率の高い誘電
体が設けられたプリント基板が提案されている。この技
術は、回路パターンの自己容量が大きくなるので、クロ
ストークを低減することができる技術ではあるものの、
同一基材上の隣接する回路パターンに対する技術であ
り、上記課題を解決することはできない。
【０００７】また、上記課題に関連する技術として、特
開平９−９７９５２号にて、下部配線と絶縁層との間に
空気層を設けた電子部品が提案されている。この技術
は、空気層（比誘電率ε＝１）によって、配線間に発生
する浮遊容量を低減し、一方の配線の信号が他方の配線
にノイズとして残るクロストーク現象の発生を防ぐこと
が可能な技術ではあるものの、同一基板上の隣接する下
部配線に対する技術であり、上記課題を解決することは
できない。
開平９−９７９５２号にて、下部配線と絶縁層との間に
空気層を設けた電子部品が提案されている。この技術
は、空気層（比誘電率ε＝１）によって、配線間に発生
する浮遊容量を低減し、一方の配線の信号が他方の配線
にノイズとして残るクロストーク現象の発生を防ぐこと
が可能な技術ではあるものの、同一基板上の隣接する下
部配線に対する技術であり、上記課題を解決することは
できない。
【０００８】また、上記課題に関連する技術として、特
開平１１−６８３２２号にて、線間を絶縁する材料は層
間を絶縁する材料よりも誘電率が高いことを特徴とする
多層プリント配線板が提案されている。この技術は、層
間を絶縁する材料の誘電率が低いため、上下層の信号線
の結合容量が低下するので、上下層の信号線間でのクロ
ストークが低減される技術ではあるものの、線間の材料
の誘電率と層間の材料の誘電率とを比較するため、層間
のクロストークに対して上記課題を最適に解決すること
はできない。
開平１１−６８３２２号にて、線間を絶縁する材料は層
間を絶縁する材料よりも誘電率が高いことを特徴とする
多層プリント配線板が提案されている。この技術は、層
間を絶縁する材料の誘電率が低いため、上下層の信号線
の結合容量が低下するので、上下層の信号線間でのクロ
ストークが低減される技術ではあるものの、線間の材料
の誘電率と層間の材料の誘電率とを比較するため、層間
のクロストークに対して上記課題を最適に解決すること
はできない。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明における請求項１記載の多層プリント基板
は、三層以上の誘電層と、これら誘電層の上面および下
面に形成されたグランド層と、前記各誘電層間に挟まれ
かつ垂直方向に配線された二本以上の信号線とを有する
多層プリント基板であって、前記信号線間の前記誘電層
の比誘電率を、前記信号線と前記グランド層間の前記誘
電層の比誘電率より小さくした構成としてある。
に、本発明における請求項１記載の多層プリント基板
は、三層以上の誘電層と、これら誘電層の上面および下
面に形成されたグランド層と、前記各誘電層間に挟まれ
かつ垂直方向に配線された二本以上の信号線とを有する
多層プリント基板であって、前記信号線間の前記誘電層
の比誘電率を、前記信号線と前記グランド層間の前記誘
電層の比誘電率より小さくした構成としてある。
【００１０】このようにすると、垂直方向に隣接する信
号線間に、信号線とグランド層間の誘電体の比誘電率よ
りも低い誘電体を充たすこととなり、信号線とグランド
層間の結合容量Ｃｇに対する信号線間の結合容量Ｃｍの
比Ｃｍ／Ｃｇが小さくなり、垂直方向に隣接する信号線
間のクロストークを低減することができる。また、従来
のプリント基板のように、信号線間の間隔を広げたり信
号線間にグランド層を形成したりする必要がないため、
プリント基板の大型化やコストアップを回避できる。
号線間に、信号線とグランド層間の誘電体の比誘電率よ
りも低い誘電体を充たすこととなり、信号線とグランド
層間の結合容量Ｃｇに対する信号線間の結合容量Ｃｍの
比Ｃｍ／Ｃｇが小さくなり、垂直方向に隣接する信号線
間のクロストークを低減することができる。また、従来
のプリント基板のように、信号線間の間隔を広げたり信
号線間にグランド層を形成したりする必要がないため、
プリント基板の大型化やコストアップを回避できる。
【００１１】請求項２記載の発明は、上記請求項１に記
載の多層プリント基板において、前記信号線が、互いに
水平かつ平行に複数本配線された構成としてある。
載の多層プリント基板において、前記信号線が、互いに
水平かつ平行に複数本配線された構成としてある。
【００１２】このようにすることにより、垂直方向に隣
接する信号線間のクロストークを低減することができる
とともに、水平方向に隣接する信号線間のクロストーク
をも低減することができる。
接する信号線間のクロストークを低減することができる
とともに、水平方向に隣接する信号線間のクロストーク
をも低減することができる。
【００１３】請求項３記載の発明は、上記請求項１また
は２に記載の多層プリント基板において、前記信号線間
の前記誘電層の幅を、前記信号線と同じ幅とした構成と
してある。
は２に記載の多層プリント基板において、前記信号線間
の前記誘電層の幅を、前記信号線と同じ幅とした構成と
してある。
【００１４】これにより、クロストークを防止する効果
を維持しつつ、信号線間の誘電層の構造を小型化するこ
とができる。
を維持しつつ、信号線間の誘電層の構造を小型化するこ
とができる。
【００１５】請求項４記載の発明は、上記請求項１〜３
のいずれかに記載の多層プリント基板において、前記信
号線間の前記誘電層が複数ある場合に、前記グランド層
より内部側に位置する前記誘電層ほど比誘電率を小さく
した構成としてある。
のいずれかに記載の多層プリント基板において、前記信
号線間の前記誘電層が複数ある場合に、前記グランド層
より内部側に位置する前記誘電層ほど比誘電率を小さく
した構成としてある。
【００１６】これにより、多層にわたって配線された信
号線のクロストークを効果的に防止することができる。
号線のクロストークを効果的に防止することができる。
【００１７】請求項５記載の発明は、上記請求項１〜４
のいずれかに記載の多層プリント基板において、前記誘
電層の材料を、エポキシ樹脂と、低誘電率でありかつ低
誘電正接の熱可塑性樹脂とを合成した材料とした構成と
してある。
のいずれかに記載の多層プリント基板において、前記誘
電層の材料を、エポキシ樹脂と、低誘電率でありかつ低
誘電正接の熱可塑性樹脂とを合成した材料とした構成と
してある。
【００１８】このようにすると、誘電層の比誘電率を容
易に可変することができ、例えば、多層基板を製作する
際に、材料を容易に調整することができる。
易に可変することができ、例えば、多層基板を製作する
際に、材料を容易に調整することができる。
【００１９】請求項６記載の発明は、上記請求項５に記
載の多層プリント基板において、前記エポキシ樹脂をビ
スフェノール型エポキシ樹脂とジシアンジアミドを組み
合わせたものとし、かつ、前記熱可塑性樹脂をポリテト
ラフルオロエチレン又は反応性ポリブタジエンとした構
成としてある。
載の多層プリント基板において、前記エポキシ樹脂をビ
スフェノール型エポキシ樹脂とジシアンジアミドを組み
合わせたものとし、かつ、前記熱可塑性樹脂をポリテト
ラフルオロエチレン又は反応性ポリブタジエンとした構
成としてある。
【００２０】このようにすると、誘電層の材料を容易に
入手することができるとともに、従来の基板の製造方法
で、比誘電率の異なる誘電層を容易に製作することがで
きる。
入手することができるとともに、従来の基板の製造方法
で、比誘電率の異なる誘電層を容易に製作することがで
きる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施形態に係る
多層プリント基板について、図面を参照して説明する。
先ず、本発明の第一実施形態に係る多層プリント基板に
ついて説明する。 「第一実施形態」図１は、第一実施形態に係る多層プリ
ント基板の概略断面図を示している。同図において、１
は多層プリント基板であり、二つの誘電層（比誘電率ε
１）１３とこれらに挟まれるように形成された誘電層
（比誘電率ε２）１４，これらの上面と下面に形成され
たＧＮＤ層１１，誘電層１３と誘電層１４の間に挟まれ
かつ垂直方向に配線された二本の信号線１２とで構成さ
れる。
多層プリント基板について、図面を参照して説明する。
先ず、本発明の第一実施形態に係る多層プリント基板に
ついて説明する。 「第一実施形態」図１は、第一実施形態に係る多層プリ
ント基板の概略断面図を示している。同図において、１
は多層プリント基板であり、二つの誘電層（比誘電率ε
１）１３とこれらに挟まれるように形成された誘電層
（比誘電率ε２）１４，これらの上面と下面に形成され
たＧＮＤ層１１，誘電層１３と誘電層１４の間に挟まれ
かつ垂直方向に配線された二本の信号線１２とで構成さ
れる。
【００２２】ここで、一般的に、プリント基板の水平方
向に隣接する信号線の近端におけるクロストークＶｎｅ
は、A Feller, H. R. Kaupp and J. J. Digiacomo, “C
rosstalk and Reflection in High-Speed Digital Syst
ems,” Proceedings-Fall JOINT COMPUTER CONFERENCE,
1965やA. J. Rainal, “Transmission Property ofVar
ious of Printed Wiring Boards,” The Bell System T
echnical Journal, Vol.58, No.5, May-June 1979によ
れば、結合係数をＫｎｅ、入力の信号電圧をＶｉｎ、信
号線路を伝播する時間をｔｆとすると式（１）のように
表すことができる。 Ｖｎｅ＝Ｋｎｅ｛Ｖｉｎ（ｔ）−Ｖｉｎ（ｔ−２ｔｆ）｝ 式（１）
向に隣接する信号線の近端におけるクロストークＶｎｅ
は、A Feller, H. R. Kaupp and J. J. Digiacomo, “C
rosstalk and Reflection in High-Speed Digital Syst
ems,” Proceedings-Fall JOINT COMPUTER CONFERENCE,
1965やA. J. Rainal, “Transmission Property ofVar
ious of Printed Wiring Boards,” The Bell System T
echnical Journal, Vol.58, No.5, May-June 1979によ
れば、結合係数をＫｎｅ、入力の信号電圧をＶｉｎ、信
号線路を伝播する時間をｔｆとすると式（１）のように
表すことができる。 Ｖｎｅ＝Ｋｎｅ｛Ｖｉｎ（ｔ）−Ｖｉｎ（ｔ−２ｔｆ）｝ 式（１）
【００２３】ここで、このクロストークＶｎｅを、多層
プリント基板１の垂直方向の信号線１２について求める
と、結合係数Ｋｎｅは、均質な媒体中において、図２に
示すように、信号線１２とＧＮＤ層１１間における誘電
層１３の単位長さあたりの結合容量をＣｇ、信号線１２
間における単位長さあたりの結合容量をＣｍとし、同様
にリアクタンスをＬｍ，Ｌｇとしたとき、式（２）によ
うに表せる。 Ｋｎｅ＝１／４｛（Ｃｍ／Ｃｇ）＋（Ｌｍ／Ｌｇ）｝＝Ｃｍ／２Ｃｇ 式（２） すなわち、プリント基板のクロストークを抑制するには
Ｃｍ／Ｃｇを低減すればよいことになる。
プリント基板１の垂直方向の信号線１２について求める
と、結合係数Ｋｎｅは、均質な媒体中において、図２に
示すように、信号線１２とＧＮＤ層１１間における誘電
層１３の単位長さあたりの結合容量をＣｇ、信号線１２
間における単位長さあたりの結合容量をＣｍとし、同様
にリアクタンスをＬｍ，Ｌｇとしたとき、式（２）によ
うに表せる。 Ｋｎｅ＝１／４｛（Ｃｍ／Ｃｇ）＋（Ｌｍ／Ｌｇ）｝＝Ｃｍ／２Ｃｇ 式（２） すなわち、プリント基板のクロストークを抑制するには
Ｃｍ／Ｃｇを低減すればよいことになる。
【００２４】なお、第一実施形態における多層プリント
基板１の製造方法は、ＧＮＤ層１１と信号線１２間の誘
電層１３と、信号線１２と信号線１２間の誘電層１４と
を別々に形成した後に、誘電層１３，１４をエッチング
してそこに信号線１２を埋め込み、さらに、その各誘電
層１３，１４を接着するといった一般的な多層プリント
基板の製造方法と同様としてある。
基板１の製造方法は、ＧＮＤ層１１と信号線１２間の誘
電層１３と、信号線１２と信号線１２間の誘電層１４と
を別々に形成した後に、誘電層１３，１４をエッチング
してそこに信号線１２を埋め込み、さらに、その各誘電
層１３，１４を接着するといった一般的な多層プリント
基板の製造方法と同様としてある。
【００２５】次に、第一実施形態における多層プリント
基板１の実験例として、信号線１２の幅を１００μｍ、
信号線１２の厚さを５０μｍ、信号線１２の間隔を３０
０μｍ、信号線１２とＧＮＤ層１１の間隔を２００μ
ｍ、信号線１２とＧＮＤ層１１間における誘電層１３の
比誘電率をε１＝５とし、信号線１２間における誘電層
１４の比誘電率ε２を１，２，３，４，５に変化させた
多層プリント基板１を製作しＣｍ／Ｃｇを求めた。
基板１の実験例として、信号線１２の幅を１００μｍ、
信号線１２の厚さを５０μｍ、信号線１２の間隔を３０
０μｍ、信号線１２とＧＮＤ層１１の間隔を２００μ
ｍ、信号線１２とＧＮＤ層１１間における誘電層１３の
比誘電率をε１＝５とし、信号線１２間における誘電層
１４の比誘電率ε２を１，２，３，４，５に変化させた
多層プリント基板１を製作しＣｍ／Ｃｇを求めた。
【００２６】ここで、誘電層１４の材料は、エポキシ樹
脂（ビスフェノール型エポキシ樹脂とジシアンジアミド
を組み合わせたもの）を用いており、それに低誘電率で
ありかつ低誘電正接の熱可塑性樹脂（ポリテトラフルオ
ロエチレン）を合成することによって比誘電率を可変し
た。このようにすると、誘電層１４の比誘電率を容易に
可変することができ、例えば、多層基板を製作する際
に、材料を容易に調整することができる。また、誘電層
１４の材料を容易に入手することができるとともに、従
来の基板の製造方法で、比誘電率の異なる誘電層１４を
容易に製作することができる。
脂（ビスフェノール型エポキシ樹脂とジシアンジアミド
を組み合わせたもの）を用いており、それに低誘電率で
ありかつ低誘電正接の熱可塑性樹脂（ポリテトラフルオ
ロエチレン）を合成することによって比誘電率を可変し
た。このようにすると、誘電層１４の比誘電率を容易に
可変することができ、例えば、多層基板を製作する際
に、材料を容易に調整することができる。また、誘電層
１４の材料を容易に入手することができるとともに、従
来の基板の製造方法で、比誘電率の異なる誘電層１４を
容易に製作することができる。
【００２７】このようにして製作した多層プリント基板
１のＣｍ／Ｃｇの特性としては、図３に示すように、縦
軸にＣｍ／Ｃｇ、横軸に比誘電率ε２をとったときに、
信号線１２間における比誘電率ε２が小さくなるにした
がってＣｍ／Ｃｇが減少していく様子がわかる。
１のＣｍ／Ｃｇの特性としては、図３に示すように、縦
軸にＣｍ／Ｃｇ、横軸に比誘電率ε２をとったときに、
信号線１２間における比誘電率ε２が小さくなるにした
がってＣｍ／Ｃｇが減少していく様子がわかる。
【００２８】次に、この多層プリント基板１の隣接する
信号線１２の近端におけるクロストークを評価した。図
４に示すクロストークの評価系は、隣接する二本の信号
線１２，入力信号源１６，終端抵抗１７及びＧＮＤ層１
１とで構成されている。終端抵抗１７は信号線１２との
インピーダンス整合をとるため信号線１２のインピーダ
ンスと同じ大きさの抵抗を接続している。
信号線１２の近端におけるクロストークを評価した。図
４に示すクロストークの評価系は、隣接する二本の信号
線１２，入力信号源１６，終端抵抗１７及びＧＮＤ層１
１とで構成されている。終端抵抗１７は信号線１２との
インピーダンス整合をとるため信号線１２のインピーダ
ンスと同じ大きさの抵抗を接続している。
【００２９】図５は、クロストーク電圧の比誘電率ε２
への依存性を示しており、Ｐｏｒｔ１に振幅０．５Ｖ、
立ち上がり時間Ｔｒ＝２５０ｐｓｅｃ、立ち下がり時間
Ｔｆ＝２５０ｐｓｅｃ、周波数ｆ＝２５０ＭＨｚの信号
を入力したときのＰｏｒｔ２で発生するクロストーク電
圧を評価した。
への依存性を示しており、Ｐｏｒｔ１に振幅０．５Ｖ、
立ち上がり時間Ｔｒ＝２５０ｐｓｅｃ、立ち下がり時間
Ｔｆ＝２５０ｐｓｅｃ、周波数ｆ＝２５０ＭＨｚの信号
を入力したときのＰｏｒｔ２で発生するクロストーク電
圧を評価した。
【００３０】同図から信号線１２間の誘電層１４の比誘
電率ε２が低いほどクロストーク電圧が小さくなってい
ることがわかる。また、クロストークの大きさは図３と
の比較からＣｍ／Ｃｇとほぼ同じ割合で変動しているこ
とがわかる。これは式（２）を実証するもので、Ｃｍ／
Ｃｇが決まればクロストークが予測できることを意味し
ている。
電率ε２が低いほどクロストーク電圧が小さくなってい
ることがわかる。また、クロストークの大きさは図３と
の比較からＣｍ／Ｃｇとほぼ同じ割合で変動しているこ
とがわかる。これは式（２）を実証するもので、Ｃｍ／
Ｃｇが決まればクロストークが予測できることを意味し
ている。
【００３１】このように、第一実施形態における多層プ
リント基板は、垂直方向に隣接する信号線間に、信号線
とグランド層間の誘電体の比誘電率よりも低い誘電体を
形成することにより、垂直方向に隣接する信号線間のク
ロストークを低減することができる。また、この多層プ
リント基板は、従来のプリント基板のように、信号線間
の間隔を広げたり信号線間にグランド層を形成したりす
る必要がないため、プリント基板の大型化やコストアッ
プを回避できる。
リント基板は、垂直方向に隣接する信号線間に、信号線
とグランド層間の誘電体の比誘電率よりも低い誘電体を
形成することにより、垂直方向に隣接する信号線間のク
ロストークを低減することができる。また、この多層プ
リント基板は、従来のプリント基板のように、信号線間
の間隔を広げたり信号線間にグランド層を形成したりす
る必要がないため、プリント基板の大型化やコストアッ
プを回避できる。
【００３２】次に、本発明の第二実施形態に係る多層プ
リント基板について説明する。「第二実施形態」図６
は、第二実施形態に係る多層プリント基板の概略断面図
を示している。同図において、１ａは多層プリント基板
であり、この上面と下面に形成されたＧＮＤ層１１ａ，
これらのＧＮＤ層１１ａの間に垂直方向に配列された四
本の信号線１２ａ，上面のＧＮＤ層１１ａと上方から第
一番目の信号線１２ａ間に形成された比誘電率ε１の誘
電層１３ａ，上方から一番目と二番目の信号線１２ａ間
に形成された比誘電率ε２の誘電層１４ａ，同じく二番
目と三番目の信号線１２ａ間に形成された比誘電率ε３
の誘電層１５ａ，同じく三番目と四番目の信号線１２ａ
間に形成された比誘電率ε２の誘電層１４ａ及び同じく
第四番目の信号線１２ａと下面のＧＮＤ層１１ａ間に形
成された比誘電率ε１の誘電層１３ａとで構成される。
リント基板について説明する。「第二実施形態」図６
は、第二実施形態に係る多層プリント基板の概略断面図
を示している。同図において、１ａは多層プリント基板
であり、この上面と下面に形成されたＧＮＤ層１１ａ，
これらのＧＮＤ層１１ａの間に垂直方向に配列された四
本の信号線１２ａ，上面のＧＮＤ層１１ａと上方から第
一番目の信号線１２ａ間に形成された比誘電率ε１の誘
電層１３ａ，上方から一番目と二番目の信号線１２ａ間
に形成された比誘電率ε２の誘電層１４ａ，同じく二番
目と三番目の信号線１２ａ間に形成された比誘電率ε３
の誘電層１５ａ，同じく三番目と四番目の信号線１２ａ
間に形成された比誘電率ε２の誘電層１４ａ及び同じく
第四番目の信号線１２ａと下面のＧＮＤ層１１ａ間に形
成された比誘電率ε１の誘電層１３ａとで構成される。
【００３３】ここで、同図に示してあるように、Ｃｍは
信号線１２ａ間の単位長さあたりの結合容量、Ｃｇは信
号線１２ａとＧＮＤ層１１ａの間における単位長さあた
りの結合容量を表している。
信号線１２ａ間の単位長さあたりの結合容量、Ｃｇは信
号線１２ａとＧＮＤ層１１ａの間における単位長さあた
りの結合容量を表している。
【００３４】また、第二実施形態における多層プリント
基板１ａは、ＧＮＤ層１１ａから離れた誘電層ほど、比
誘電率の小さい誘電体とすることを特徴としてある。し
たがって、各誘電層の比誘電率εは、ε１＞ε２＞ε３
の関係となる。
基板１ａは、ＧＮＤ層１１ａから離れた誘電層ほど、比
誘電率の小さい誘電体とすることを特徴としてある。し
たがって、各誘電層の比誘電率εは、ε１＞ε２＞ε３
の関係となる。
【００３５】この多層プリント基板１ａは、二番目と三
番目の信号線１２ａがＧＮＤ層１１ａより内部側に位置
するので、誘電層１５ａの結合容量Ｃｇの値が減少しこ
れら信号線１２ａ間のクロストークが増大することが懸
念されるが、誘電層１４ａの比誘電率を誘電層１３ａの
比誘電体率よりも小さくし、さらに、誘電層１５ａの比
誘電率を誘電層１４ａの比誘電体率よりも小さくするこ
とで、Ｃｍ／Ｃｇを減少させることができる。
番目の信号線１２ａがＧＮＤ層１１ａより内部側に位置
するので、誘電層１５ａの結合容量Ｃｇの値が減少しこ
れら信号線１２ａ間のクロストークが増大することが懸
念されるが、誘電層１４ａの比誘電率を誘電層１３ａの
比誘電体率よりも小さくし、さらに、誘電層１５ａの比
誘電率を誘電層１４ａの比誘電体率よりも小さくするこ
とで、Ｃｍ／Ｃｇを減少させることができる。
【００３６】次に、第二実施形態における多層プリント
基板１ａの実験例として、信号線１２ａの幅を１００μ
ｍ、信号線１２ａの厚さを５０μｍ、垂直方向に隣り合
う各信号線１２ａ間の間隔を３５０μｍ、信号線１２ａ
とＧＮＤ層１１ａの間隔を３００μｍ、誘電層１３ａの
比誘電率をε１＝５、誘電層１５ａの比誘電率をε３＝
３とし、誘電層１４ａの比誘電率ε２を１，２，３，４
に変化させたときのＣｍ／Ｃｇを求めた。
基板１ａの実験例として、信号線１２ａの幅を１００μ
ｍ、信号線１２ａの厚さを５０μｍ、垂直方向に隣り合
う各信号線１２ａ間の間隔を３５０μｍ、信号線１２ａ
とＧＮＤ層１１ａの間隔を３００μｍ、誘電層１３ａの
比誘電率をε１＝５、誘電層１５ａの比誘電率をε３＝
３とし、誘電層１４ａの比誘電率ε２を１，２，３，４
に変化させたときのＣｍ／Ｃｇを求めた。
【００３７】また、誘電層の材料は、エポキシ樹脂（ビ
スフェノール型エポキシ樹脂とジシアンジアミドを組み
合わせたもの）を用いており、それに低誘電率でありか
つ低誘電正接の熱可塑性樹脂（反応性ポリブタジエン）
を合成することによって比誘電率を可変した。このよう
にすると、誘電層１４ａ，１５ａの比誘電率を容易に可
変することができ、従来の基板の製造方法で、比誘電率
の異なる誘電層１４ａ，１５ａを容易に製作することが
できる。
スフェノール型エポキシ樹脂とジシアンジアミドを組み
合わせたもの）を用いており、それに低誘電率でありか
つ低誘電正接の熱可塑性樹脂（反応性ポリブタジエン）
を合成することによって比誘電率を可変した。このよう
にすると、誘電層１４ａ，１５ａの比誘電率を容易に可
変することができ、従来の基板の製造方法で、比誘電率
の異なる誘電層１４ａ，１５ａを容易に製作することが
できる。
【００３８】このようにして製作した多層プリント基板
１ａのＣｍ／Ｃｇの特性としては、図７の表１に示すよ
うに、ＧＮＤ層１１ａから遠いほど信号線１２ａ間の比
誘電率を低くすると結合係数Ｃｍ／Ｃｇが小さくなり、
クロストークを効果的に低減することができた。したが
って、第二実施形態における多層プリント基板は、多層
にわたって配線された信号線のクロストークを効果的に
防止することができる。
１ａのＣｍ／Ｃｇの特性としては、図７の表１に示すよ
うに、ＧＮＤ層１１ａから遠いほど信号線１２ａ間の比
誘電率を低くすると結合係数Ｃｍ／Ｃｇが小さくなり、
クロストークを効果的に低減することができた。したが
って、第二実施形態における多層プリント基板は、多層
にわたって配線された信号線のクロストークを効果的に
防止することができる。
【００３９】次に、本発明の第三実施形態に係る多層プ
リント基板について説明する。「第三実施形態」図８
は、第三実施形態に係る多層プリント基板の概略断面図
を示している。同図において、１ｂは多層プリント基板
であり、二層の誘電層（比誘電率ε１）１３ｂとこれら
に挟まれるように形成された誘電層（比誘電率ε２）１
４ｂ，これらの上面と下面に形成されたＧＮＤ層１１
ｂ，誘電層１３と誘電層１４の間に挟まれかつ垂直方向
に配線された二本の信号線１２ｂ及びこの二本の信号線
１２ｂとそれぞれ水平かつ平行な方向に配線された二本
の信号線１２ｂとで構成される。
リント基板について説明する。「第三実施形態」図８
は、第三実施形態に係る多層プリント基板の概略断面図
を示している。同図において、１ｂは多層プリント基板
であり、二層の誘電層（比誘電率ε１）１３ｂとこれら
に挟まれるように形成された誘電層（比誘電率ε２）１
４ｂ，これらの上面と下面に形成されたＧＮＤ層１１
ｂ，誘電層１３と誘電層１４の間に挟まれかつ垂直方向
に配線された二本の信号線１２ｂ及びこの二本の信号線
１２ｂとそれぞれ水平かつ平行な方向に配線された二本
の信号線１２ｂとで構成される。
【００４０】ここで、同図に示してあるように、Ｃｍは
信号線１２ｂ間の単位長さあたりの結合容量、Ｃｇは信
号線１２ｂとＧＮＤ層１１ｂの間における単位長さあた
りの結合容量を表している。
信号線１２ｂ間の単位長さあたりの結合容量、Ｃｇは信
号線１２ｂとＧＮＤ層１１ｂの間における単位長さあた
りの結合容量を表している。
【００４１】なお、第三実施形態における多層プリント
基板１ｂの製造方法は、ＧＮＤ層１１ｂと信号線１２ｂ
間の誘電層１３ｂと、信号線１２ｂ，１２ｂ間の誘電層
１４ｂとを別々に形成した後に、誘電層１３ｂをエッチ
ングしてそこに信号線１２ｂを埋め込み、さらに、その
各誘電層１３ｂ，１４ｂを接着するといった一般的な多
層プリント基板の製造方法と同様としてある。
基板１ｂの製造方法は、ＧＮＤ層１１ｂと信号線１２ｂ
間の誘電層１３ｂと、信号線１２ｂ，１２ｂ間の誘電層
１４ｂとを別々に形成した後に、誘電層１３ｂをエッチ
ングしてそこに信号線１２ｂを埋め込み、さらに、その
各誘電層１３ｂ，１４ｂを接着するといった一般的な多
層プリント基板の製造方法と同様としてある。
【００４２】次に、第三実施形態における多層プリント
基板１ｂの実験例として、信号線１２ｂの幅を１００μ
ｍ、信号線１２ｂの厚さを５０μｍ、垂直方向に隣り合
う各信号線間１２ｂの間隔を３５０μｍ、信号線１２ｂ
とＧＮＤ層１１ｂの間隔を３００μｍ、信号線１２ｂと
ＧＮＤ層１１ｂの間における誘電層１３ｂの比誘電率を
ε１＝５とし、信号線１２ｂ間における誘電層１４ｂの
比誘電率ε２を１，２，３，４，５に変化させたときの
Ｃｍ／Ｃｇを求めた。
基板１ｂの実験例として、信号線１２ｂの幅を１００μ
ｍ、信号線１２ｂの厚さを５０μｍ、垂直方向に隣り合
う各信号線間１２ｂの間隔を３５０μｍ、信号線１２ｂ
とＧＮＤ層１１ｂの間隔を３００μｍ、信号線１２ｂと
ＧＮＤ層１１ｂの間における誘電層１３ｂの比誘電率を
ε１＝５とし、信号線１２ｂ間における誘電層１４ｂの
比誘電率ε２を１，２，３，４，５に変化させたときの
Ｃｍ／Ｃｇを求めた。
【００４３】また、誘電層の材料は、エポキシ樹脂（ビ
スフェノール型エポキシ樹脂とジシアンジアミドを組み
合わせたもの）を用いており、それに低誘電率でありか
つ低誘電正接の熱可塑性樹脂（ポリテトラフルオロエチ
レン）を合成することによって比誘電率を可変した。
スフェノール型エポキシ樹脂とジシアンジアミドを組み
合わせたもの）を用いており、それに低誘電率でありか
つ低誘電正接の熱可塑性樹脂（ポリテトラフルオロエチ
レン）を合成することによって比誘電率を可変した。
【００４４】このようにして製作した多層プリント基板
１ｂのＣｍ／Ｃｇの特性としては、縦軸にＣｍ／Ｃｇ、
横軸に比誘電率ε２をとったときに、信号線１２ｂの間
における比誘電率ε２が小さくなるにしたがってＣｍ／
Ｃｇが減少していく様子を確認することができ、クロス
トークを低減することができた。つまり、第三実施形態
における多層プリント基板は、垂直方向に隣接する信号
線間のクロストークを低減することができるとともに、
水平方向に隣接する信号線間のクロストークをも低減す
ることができる。
１ｂのＣｍ／Ｃｇの特性としては、縦軸にＣｍ／Ｃｇ、
横軸に比誘電率ε２をとったときに、信号線１２ｂの間
における比誘電率ε２が小さくなるにしたがってＣｍ／
Ｃｇが減少していく様子を確認することができ、クロス
トークを低減することができた。つまり、第三実施形態
における多層プリント基板は、垂直方向に隣接する信号
線間のクロストークを低減することができるとともに、
水平方向に隣接する信号線間のクロストークをも低減す
ることができる。
【００４５】次に、本発明の第四実施形態に係る多層プ
リント基板について説明する。 「第四実施形態」図９は、第四実施形態に係る多層プリ
ント基板の概略断面図を示している。同図において、１
ｃは多層プリント基板であり、この上面と下面に形成さ
れたＧＮＤ層１１ｃ，これらのＧＮＤ層１１ｃの間に垂
直方向に配列された四本の信号線１２ｃ，上面のＧＮＤ
層１１ｃと上方から第一番目の信号線１２ｃ間に形成さ
れた比誘電率ε１の誘電層１３ｃ，上方から一番目と二
番目の信号線１２ｃ間に形成された比誘電率ε２の誘電
層１４ｃ，同じく二番目と三番目の信号線１２ｃ間に形
成された比誘電率ε３の誘電層１５ｃ，同じく三番目と
四番目の信号線１２ｃ間に形成された比誘電率ε２の誘
電層１４ｃ，同じく第四番目の信号線１２ｃと下面のＧ
ＮＤ層１１ｃ間に形成された比誘電率ε１の誘電層１３
ｃ及びこれらの信号線１２ｃとそれぞれ水平かつ平行な
方向に配線された四本の信号線１２ｃとで構成される。
リント基板について説明する。 「第四実施形態」図９は、第四実施形態に係る多層プリ
ント基板の概略断面図を示している。同図において、１
ｃは多層プリント基板であり、この上面と下面に形成さ
れたＧＮＤ層１１ｃ，これらのＧＮＤ層１１ｃの間に垂
直方向に配列された四本の信号線１２ｃ，上面のＧＮＤ
層１１ｃと上方から第一番目の信号線１２ｃ間に形成さ
れた比誘電率ε１の誘電層１３ｃ，上方から一番目と二
番目の信号線１２ｃ間に形成された比誘電率ε２の誘電
層１４ｃ，同じく二番目と三番目の信号線１２ｃ間に形
成された比誘電率ε３の誘電層１５ｃ，同じく三番目と
四番目の信号線１２ｃ間に形成された比誘電率ε２の誘
電層１４ｃ，同じく第四番目の信号線１２ｃと下面のＧ
ＮＤ層１１ｃ間に形成された比誘電率ε１の誘電層１３
ｃ及びこれらの信号線１２ｃとそれぞれ水平かつ平行な
方向に配線された四本の信号線１２ｃとで構成される。
【００４６】ここで、同図に示してあるように、Ｃｍは
信号線１２ｃ間の単位長さあたりの結合容量、Ｃｇは信
号線１２ｃとＧＮＤ層１１ｃの間における単位長さあた
りの結合容量を表している。
信号線１２ｃ間の単位長さあたりの結合容量、Ｃｇは信
号線１２ｃとＧＮＤ層１１ｃの間における単位長さあた
りの結合容量を表している。
【００４７】また、第四実施形態における多層プリント
基板１ｃは、ＧＮＤ層１１ｃから離れた誘電層ほど比誘
電率の小さい誘電体で充たすことを特徴としてある。し
たがって、各誘電層の比誘電率εは、ε１＞ε２＞ε３
の関係となる。
基板１ｃは、ＧＮＤ層１１ｃから離れた誘電層ほど比誘
電率の小さい誘電体で充たすことを特徴としてある。し
たがって、各誘電層の比誘電率εは、ε１＞ε２＞ε３
の関係となる。
【００４８】この多層プリント基板１ｃは、二番目と三
番目の信号線１２ｃがＧＮＤ層１１ｃより内部側に位置
するので、誘電層１５ｃの結合容量Ｃｇの値が減少しこ
れら信号線１２ｃ間のクロストークが増大することが懸
念されるが、誘電層１４ｃの比誘電率を誘電層１３ｃの
比誘電体率よりも小さくし、さらに、誘電層１５ｃの比
誘電率を誘電層１４ｃの比誘電体率よりも小さくするこ
とで、Ｃｍ／Ｃｇを減少させることができる。
番目の信号線１２ｃがＧＮＤ層１１ｃより内部側に位置
するので、誘電層１５ｃの結合容量Ｃｇの値が減少しこ
れら信号線１２ｃ間のクロストークが増大することが懸
念されるが、誘電層１４ｃの比誘電率を誘電層１３ｃの
比誘電体率よりも小さくし、さらに、誘電層１５ｃの比
誘電率を誘電層１４ｃの比誘電体率よりも小さくするこ
とで、Ｃｍ／Ｃｇを減少させることができる。
【００４９】次に、第四実施形態における多層プリント
基板１ｃの実験例として、信号線１２ｃの幅を１００μ
ｍ、信号線１２ｃの厚さを５０μｍ、垂直方向に隣り合
う各信号線間１２ｃの間隔を３５０μｍ、信号線１２ｃ
とＧＮＤ層１１ｃの間隔を３００μｍ、誘電層１３ｃの
比誘電率をε１＝５、誘電層１５ｃの比誘電率をε３＝
３とし、誘電層１４ｃの比誘電率ε２を１，２，３，４
に変化させたときのＣｍ／Ｃｇを求めた。
基板１ｃの実験例として、信号線１２ｃの幅を１００μ
ｍ、信号線１２ｃの厚さを５０μｍ、垂直方向に隣り合
う各信号線間１２ｃの間隔を３５０μｍ、信号線１２ｃ
とＧＮＤ層１１ｃの間隔を３００μｍ、誘電層１３ｃの
比誘電率をε１＝５、誘電層１５ｃの比誘電率をε３＝
３とし、誘電層１４ｃの比誘電率ε２を１，２，３，４
に変化させたときのＣｍ／Ｃｇを求めた。
【００５０】また、誘電層の材料は、エポキシ樹脂（ビ
スフェノール型エポキシ樹脂とジシアンジアミドを組み
合わせたもの）を用いており、それに低誘電率でありか
つ低誘電正接の熱可塑性樹脂（ポリテトラフルオロエチ
レン）を合成することによって比誘電率を可変した。
スフェノール型エポキシ樹脂とジシアンジアミドを組み
合わせたもの）を用いており、それに低誘電率でありか
つ低誘電正接の熱可塑性樹脂（ポリテトラフルオロエチ
レン）を合成することによって比誘電率を可変した。
【００５１】このようにして製作した多層プリント基板
１ｃのＣｍ／Ｃｇの特性としては、ＧＮＤ層１１ｃから
遠いほど信号線１２ｃ間の比誘電率を低くすると結合係
数Ｃｍ／Ｃｇが小さくなり、クロストークを低減するこ
とができた。つまり、第四実施形態における多層プリン
ト基板は、多層にわたって配線された信号線のクロスト
ークを効果的に防止することができ、さらに、水平方向
に隣接する信号線間のクロストークをも低減することが
できる。
１ｃのＣｍ／Ｃｇの特性としては、ＧＮＤ層１１ｃから
遠いほど信号線１２ｃ間の比誘電率を低くすると結合係
数Ｃｍ／Ｃｇが小さくなり、クロストークを低減するこ
とができた。つまり、第四実施形態における多層プリン
ト基板は、多層にわたって配線された信号線のクロスト
ークを効果的に防止することができ、さらに、水平方向
に隣接する信号線間のクロストークをも低減することが
できる。
【００５２】次に、本発明の第五実施形態に係る多層プ
リント基板について説明する。 「第五実施形態」図１０は、第五実施形態に係る多層プ
リント基板の概略断面図を示している。同図において、
１ｄは多層プリント基板であり、二層の誘電層（比誘電
率ε１）１３ｄとこれらに挟まれるように形成された誘
電層（比誘電率ε２）１４ｄ，これらの上面と下面に形
成されたＧＮＤ層１１ｄ，誘電層１３ｄと誘電層１４ｄ
の間に挟まれかつ垂直方向に配線された二本の信号線１
２ｄとで構成してあり、さらに誘電層１３ｄ，１４ｄの
幅を信号線１２ｄと同じ幅としてある。
リント基板について説明する。 「第五実施形態」図１０は、第五実施形態に係る多層プ
リント基板の概略断面図を示している。同図において、
１ｄは多層プリント基板であり、二層の誘電層（比誘電
率ε１）１３ｄとこれらに挟まれるように形成された誘
電層（比誘電率ε２）１４ｄ，これらの上面と下面に形
成されたＧＮＤ層１１ｄ，誘電層１３ｄと誘電層１４ｄ
の間に挟まれかつ垂直方向に配線された二本の信号線１
２ｄとで構成してあり、さらに誘電層１３ｄ，１４ｄの
幅を信号線１２ｄと同じ幅としてある。
【００５３】ここで、同図に示してあるように、Ｃｍは
信号線１２ｄ間の単位長さあたりの結合容量、Ｃｇは信
号線５２とＧＮＤ層１１ｄの間における単位長さあたり
の結合容量を表している。また、誘電層１４ｄを信号線
１２ｄと同じ幅の誘電層とするのは、信号線１２ｄ間の
結合容量のほとんどをこの領域で決定されるためであ
る。
信号線１２ｄ間の単位長さあたりの結合容量、Ｃｇは信
号線５２とＧＮＤ層１１ｄの間における単位長さあたり
の結合容量を表している。また、誘電層１４ｄを信号線
１２ｄと同じ幅の誘電層とするのは、信号線１２ｄ間の
結合容量のほとんどをこの領域で決定されるためであ
る。
【００５４】次に、第五実施形態における多層プリント
基板１ｄの実験例として、信号線１２ｄの幅を１００μ
ｍ、信号線１２ｄの厚さを５０μｍ、信号線１２ｄの間
隔を３５０μｍ、信号線１２ｄとＧＮＤ層１１ｄの間隔
を３００μｍ、信号線１２ｄとＧＮＤ層１１ｄの間にお
ける誘電層１３ｄの比誘電率をε１＝５とし、信号線１
２ｄの間における誘電層１４ｄの比誘電率ε２を１，
２，３，４，５に変化させたときのＣｍ／Ｃｇを求め
た。
基板１ｄの実験例として、信号線１２ｄの幅を１００μ
ｍ、信号線１２ｄの厚さを５０μｍ、信号線１２ｄの間
隔を３５０μｍ、信号線１２ｄとＧＮＤ層１１ｄの間隔
を３００μｍ、信号線１２ｄとＧＮＤ層１１ｄの間にお
ける誘電層１３ｄの比誘電率をε１＝５とし、信号線１
２ｄの間における誘電層１４ｄの比誘電率ε２を１，
２，３，４，５に変化させたときのＣｍ／Ｃｇを求め
た。
【００５５】また、誘電層の材料は、エポキシ樹脂（ビ
スフェノール型エポキシ樹脂とジシアンジアミドを組み
合わせたもの）を用いており、それに低誘電率でありか
つ低誘電正接の熱可塑性樹脂（反応性ポリブタジエン）
を合成することによって比誘電率を可変した。
スフェノール型エポキシ樹脂とジシアンジアミドを組み
合わせたもの）を用いており、それに低誘電率でありか
つ低誘電正接の熱可塑性樹脂（反応性ポリブタジエン）
を合成することによって比誘電率を可変した。
【００５６】このようにして製作した多層プリント基板
１ｄのＣｍ／Ｃｇの特性としては、図１１に示すよう
に、縦軸にＣｍ／Ｃｇ、横軸に比誘電率ε２をとったと
きに、信号線１２ｄの間における比誘電率ε２が小さく
なるにしたがってＣｍ／Ｃｇが減少し、クロストークを
減少することができた。つまり、第五実施形態における
多層プリント基板は、クロストークを防止する効果を維
持しつつ、信号線間の誘電層の構造を小型化することが
できる。
１ｄのＣｍ／Ｃｇの特性としては、図１１に示すよう
に、縦軸にＣｍ／Ｃｇ、横軸に比誘電率ε２をとったと
きに、信号線１２ｄの間における比誘電率ε２が小さく
なるにしたがってＣｍ／Ｃｇが減少し、クロストークを
減少することができた。つまり、第五実施形態における
多層プリント基板は、クロストークを防止する効果を維
持しつつ、信号線間の誘電層の構造を小型化することが
できる。
【００５７】次に、本発明の第六実施形態に係る多層プ
リント基板について説明する。 「第六実施形態」図１２は、第六実施形態に係る多層プ
リント基板の概略断面図を示している。同図において、
１ｅは多層プリント基板であり、この上面と下面に形成
されたＧＮＤ層１１ｅ，これらのＧＮＤ層１１ｅの間に
垂直方向に配列された四本の信号線１２ｅ，上面のＧＮ
Ｄ層１１ｅと上方から第一番目の信号線１２ｅ間に形成
された比誘電率ε１の誘電層１３ｅ，上方から一番目と
二番目の信号線１２ｅ間に形成された比誘電率ε２の誘
電層１４ｅ，同じく二番目と三番目の信号線１２ｅ間に
形成された比誘電率ε３の誘電層１５ｅ，同じく三番目
と四番目の信号線１２ｅ間に形成された比誘電率ε２の
誘電層１４ｅ及び同じく第四番目の信号線１２ｅと下面
のＧＮＤ層１１ｅ間に形成された比誘電率ε１の誘電層
１３ｅとで構成してあり、さらに誘電層１３ｅ，１４
ｅ，１５ｅの幅を信号線１２ｅと同じ幅としてある。
リント基板について説明する。 「第六実施形態」図１２は、第六実施形態に係る多層プ
リント基板の概略断面図を示している。同図において、
１ｅは多層プリント基板であり、この上面と下面に形成
されたＧＮＤ層１１ｅ，これらのＧＮＤ層１１ｅの間に
垂直方向に配列された四本の信号線１２ｅ，上面のＧＮ
Ｄ層１１ｅと上方から第一番目の信号線１２ｅ間に形成
された比誘電率ε１の誘電層１３ｅ，上方から一番目と
二番目の信号線１２ｅ間に形成された比誘電率ε２の誘
電層１４ｅ，同じく二番目と三番目の信号線１２ｅ間に
形成された比誘電率ε３の誘電層１５ｅ，同じく三番目
と四番目の信号線１２ｅ間に形成された比誘電率ε２の
誘電層１４ｅ及び同じく第四番目の信号線１２ｅと下面
のＧＮＤ層１１ｅ間に形成された比誘電率ε１の誘電層
１３ｅとで構成してあり、さらに誘電層１３ｅ，１４
ｅ，１５ｅの幅を信号線１２ｅと同じ幅としてある。
【００５８】ここで、同図に示してあるように、Ｃｍは
信号線１２ｅ間の単位長さあたりの結合容量、Ｃｇは信
号線１２ｅとＧＮＤ層１１ｅの間における単位長さあた
りの結合容量を表している。
信号線１２ｅ間の単位長さあたりの結合容量、Ｃｇは信
号線１２ｅとＧＮＤ層１１ｅの間における単位長さあた
りの結合容量を表している。
【００５９】また、第六実施形態における多層プリント
基板１ｅは、ＧＮＤ層１１ｅから離れた誘電層ほど比誘
電率を小さく形成してある。したがって、各誘電層の比
誘電率εは、ε１＞ε２＞ε３の関係となり、第二実施
形態および第四実施形態に係る多層プリント基板と同様
に、信号線１２ｅがＧＮＤ層１１ｅから遠くなるほどＣ
ｍ／Ｃｇが大きくならないようにしてある。
基板１ｅは、ＧＮＤ層１１ｅから離れた誘電層ほど比誘
電率を小さく形成してある。したがって、各誘電層の比
誘電率εは、ε１＞ε２＞ε３の関係となり、第二実施
形態および第四実施形態に係る多層プリント基板と同様
に、信号線１２ｅがＧＮＤ層１１ｅから遠くなるほどＣ
ｍ／Ｃｇが大きくならないようにしてある。
【００６０】ここで、同図に示してあるように、Ｃｍは
信号線１２ｅ間の単位長さあたりの結合容量、Ｃｇは信
号線１２ｅとＧＮＤ層１１ｅの間における単位長さあた
りの結合容量を表している。信号線１２ｅ間の結合容量
は、信号線１２ｅと同じ幅でかつ信号線１２ｅの間に挟
まれた誘電層の容量でほとんど決定されることから、こ
の領域のみを異なる比誘電率の誘電層１４ｅ，１５ｅで
形成してある。
信号線１２ｅ間の単位長さあたりの結合容量、Ｃｇは信
号線１２ｅとＧＮＤ層１１ｅの間における単位長さあた
りの結合容量を表している。信号線１２ｅ間の結合容量
は、信号線１２ｅと同じ幅でかつ信号線１２ｅの間に挟
まれた誘電層の容量でほとんど決定されることから、こ
の領域のみを異なる比誘電率の誘電層１４ｅ，１５ｅで
形成してある。
【００６１】次に、第六実施形態における多層プリント
基板１ｅの実施例として、信号線１２ｅの幅を１００μ
ｍ、信号線１２ｅの厚さを５０μｍ、隣り合う各信号線
間１２ｅの間隔を３５０μｍ、信号線１２ｅとＧＮＤ層
１１ｅの間隔を３００μｍ、誘電層１３ｅの比誘電率を
ε１＝５、誘電層１５ｅの比誘電率をε３＝３とし、誘
電層１４ｅの比誘電率ε２を変数としたときのＣｍ／Ｃ
ｇを求めた。
基板１ｅの実施例として、信号線１２ｅの幅を１００μ
ｍ、信号線１２ｅの厚さを５０μｍ、隣り合う各信号線
間１２ｅの間隔を３５０μｍ、信号線１２ｅとＧＮＤ層
１１ｅの間隔を３００μｍ、誘電層１３ｅの比誘電率を
ε１＝５、誘電層１５ｅの比誘電率をε３＝３とし、誘
電層１４ｅの比誘電率ε２を変数としたときのＣｍ／Ｃ
ｇを求めた。
【００６２】このようにして製作した多層プリント基板
１ｅのＣｍ／Ｃｇの特性としては、ＧＮＤ層１１ｅから
遠いほど信号線１２ｅ間の比誘電率を低くすると結合係
数Ｃｍ／Ｃｇが小さくなり、クロストークを低減するこ
とができた。つまり、第六実施形態における多層プリン
ト基板は、多層にわたって配線された信号線のクロスト
ークを効果的に防止することができ、さらに、信号線間
の誘電層の構造を小型化することができる。
１ｅのＣｍ／Ｃｇの特性としては、ＧＮＤ層１１ｅから
遠いほど信号線１２ｅ間の比誘電率を低くすると結合係
数Ｃｍ／Ｃｇが小さくなり、クロストークを低減するこ
とができた。つまり、第六実施形態における多層プリン
ト基板は、多層にわたって配線された信号線のクロスト
ークを効果的に防止することができ、さらに、信号線間
の誘電層の構造を小型化することができる。
【００６３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
二本以上の信号線が誘電体中に垂直方向に配列され、そ
の信号線の上下方向にＧＮＤ層を有する多層プリント基
板において、信号線間の誘電層の比誘電率をＧＮＤ層と
信号線間の誘電体の比誘電率よりも小さくすることによ
り、信号線間の結合容量Ｃｍと、信号線とＧＮＤ層間の
結合容量Ｃｇとの比Ｃｍ／Ｃｇが小さくなり、その結果
隣接する信号線間のクロストークを低減することができ
る。また、この多層プリント基板は、従来の多層プリン
ト基板のように信号線間の間隔を広げたり信号線間にＧ
ＮＤ線を配置する必要がないため、基板の大型化やコス
トの増大の問題を回避できる。
二本以上の信号線が誘電体中に垂直方向に配列され、そ
の信号線の上下方向にＧＮＤ層を有する多層プリント基
板において、信号線間の誘電層の比誘電率をＧＮＤ層と
信号線間の誘電体の比誘電率よりも小さくすることによ
り、信号線間の結合容量Ｃｍと、信号線とＧＮＤ層間の
結合容量Ｃｇとの比Ｃｍ／Ｃｇが小さくなり、その結果
隣接する信号線間のクロストークを低減することができ
る。また、この多層プリント基板は、従来の多層プリン
ト基板のように信号線間の間隔を広げたり信号線間にＧ
ＮＤ線を配置する必要がないため、基板の大型化やコス
トの増大の問題を回避できる。
【図１】図１は、第一実施形態に係る多層プリント基板
の概略断面図を示している。
の概略断面図を示している。
【図２】図２は、第一実施形態に係る多層プリント基板
の誘電層の容量を示している。
の誘電層の容量を示している。
【図３】図３は、第一実施形態に係る多層プリント基板
のＣｍ／Ｃｇの比誘電率依存性のグラフを示している。
のＣｍ／Ｃｇの比誘電率依存性のグラフを示している。
【図４】図４は、第一実施形態に係る多層プリント基板
のクロストーク評価系の概略回路図を示している。
のクロストーク評価系の概略回路図を示している。
【図５】図５は、第一実施形態に係る多層プリント基板
のクロストークの比誘電率依存性のグラフを示してい
る。
のクロストークの比誘電率依存性のグラフを示してい
る。
【図６】図６は、第二実施形態に係る多層プリント基板
の概略断面図を示している。
の概略断面図を示している。
【図７】図７は、第二実施形態に係る多層プリント基板
のＣｍ／Ｃｇの表を示している。
のＣｍ／Ｃｇの表を示している。
【図８】図８は、第三実施形態に係る多層プリント基板
の概略断面図を示している。
の概略断面図を示している。
【図９】図９は、第四実施形態に係る多層プリント基板
の概略断面図を示している。
の概略断面図を示している。
【図１０】図１０は、第五実施形態に係る多層プリント
基板の概略断面図を示している。
基板の概略断面図を示している。
【図１１】図１１は、第五実施形態に係る多層プリント
基板のＣｍ／Ｃｇの比誘電率依存性のグラフを示してい
る。
基板のＣｍ／Ｃｇの比誘電率依存性のグラフを示してい
る。
【図１２】図１２は、第六実施形態に係る多層プリント
基板の概略断面図を示している。
基板の概略断面図を示している。
【図１３】図１３は、従来例の多層プリント基板におけ
る概略断面図を示している。
る概略断面図を示している。
【図１４】図１４は、従来例の多層プリント基板におけ
る概略断面図を示している。
る概略断面図を示している。
１ 多層プリント基板 １ａ〜ｅ 多層プリント基板 １１ ＧＮＤ層 １２ 信号線 １３ 誘電層 １４ 誘電層 １６ 入力信号源 １７ 終端抵抗 １１ａ〜ｅ ＧＮＤ層 １２ａ〜ｅ 信号線 １３ａ〜ｅ 誘電層 １４ａ〜ｅ 誘電層 １５ａ,１５ｃ，１５ｅ 誘電層 １１１ ＧＮＤ層 １１２ 信号線 １１３ 誘電層 １１４ ＧＮＤ層
Claims (6)
- 【請求項１】 三層以上の誘電層と、これら誘電層の上
面および下面に形成されたグランド層と、前記各誘電層
間に挟まれかつ垂直方向に配線された二本以上の信号線
とを有する多層プリント基板であって、 前記信号線間の前記誘電層の比誘電率を、前記信号線と
前記グランド層間の前記誘電層の比誘電率より小さくし
たことを特徴とする多層プリント基板。 - 【請求項２】 前記信号線が、互いに水平かつ平行に複
数本配線されたことを特徴とする請求項１に記載の多層
プリント基板。 - 【請求項３】 前記信号線間の前記誘電層の幅を、前記
信号線と同じ幅としたことを特徴とする請求項１または
２に記載の多層プリント基板。 - 【請求項４】 前記信号線間の前記誘電層が複数ある場
合に、前記グランド層より内部側に位置する前記誘電層
ほど比誘電率を小さくしたことを特徴とする請求項１〜
３のいずれかに記載の多層プリント基板。 - 【請求項５】 前記誘電層の材料を、エポキシ樹脂と、
低誘電率でありかつ低誘電正接の熱可塑性樹脂とを合成
した材料としたことを特徴とする請求項１〜４のいずれ
かに記載の多層プリント基板。 - 【請求項６】 前記エポキシ樹脂をビスフェノール型エ
ポキシ樹脂とジシアンジアミドを組み合わせたものと
し、かつ、前記熱可塑性樹脂をポリテトラフルオロエチ
レン又は反応性ポリブタジエンとしたことを特徴とする
請求項５に記載の多層プリント基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32444099A JP2001144452A (ja) | 1999-11-15 | 1999-11-15 | 多層プリント基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32444099A JP2001144452A (ja) | 1999-11-15 | 1999-11-15 | 多層プリント基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001144452A true JP2001144452A (ja) | 2001-05-25 |
Family
ID=18165845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32444099A Pending JP2001144452A (ja) | 1999-11-15 | 1999-11-15 | 多層プリント基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001144452A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005051075A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層回路基板およびその製造方法 |
| JP2005183949A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Endicott Interconnect Technologies Inc | 低クロストークノイズのプリント回路ボード、及びその製造方法 |
| US7102196B2 (en) | 2003-09-08 | 2006-09-05 | Pantech Co., Ltd. | Multi-layered printed circuit board for efficient electrostatic discharge protection |
| WO2009128598A1 (en) * | 2008-04-18 | 2009-10-22 | Gigalane Co.Ltd | Printed circuit board removing bonding sheet around signal transmission line |
| KR101081592B1 (ko) | 2009-12-10 | 2011-11-09 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 |
| KR101168900B1 (ko) * | 2005-11-22 | 2012-08-02 | 엘지전자 주식회사 | 층간 회로간섭이 방지된 연성회로기판 |
| US9287910B2 (en) | 2014-04-15 | 2016-03-15 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Electromagnetic resonance coupler and transmission apparatus |
| WO2017138745A1 (ko) * | 2016-02-11 | 2017-08-17 | 주식회사 기가레인 | 연성회로기판 |
| WO2018181077A1 (ja) * | 2017-03-27 | 2018-10-04 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品および積層型電子部品モジュール |
| JPWO2021006076A1 (ja) * | 2019-07-10 | 2021-01-14 | ||
| WO2021005972A1 (ja) * | 2019-07-10 | 2021-01-14 | 株式会社村田製作所 | 多層基板 |
-
1999
- 1999-11-15 JP JP32444099A patent/JP2001144452A/ja active Pending
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005051075A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層回路基板およびその製造方法 |
| US7102196B2 (en) | 2003-09-08 | 2006-09-05 | Pantech Co., Ltd. | Multi-layered printed circuit board for efficient electrostatic discharge protection |
| JP2005183949A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Endicott Interconnect Technologies Inc | 低クロストークノイズのプリント回路ボード、及びその製造方法 |
| KR101168900B1 (ko) * | 2005-11-22 | 2012-08-02 | 엘지전자 주식회사 | 층간 회로간섭이 방지된 연성회로기판 |
| US8198545B2 (en) | 2008-04-18 | 2012-06-12 | Gigalane Co. Ltd. | Printed circuit board removing bonding sheet around signal transmission line |
| KR100987191B1 (ko) | 2008-04-18 | 2010-10-11 | (주)기가레인 | 신호전송라인 주위의 본딩 시트를 제거한 인쇄회로기판 |
| WO2009128598A1 (en) * | 2008-04-18 | 2009-10-22 | Gigalane Co.Ltd | Printed circuit board removing bonding sheet around signal transmission line |
| KR101081592B1 (ko) | 2009-12-10 | 2011-11-09 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 |
| US9287910B2 (en) | 2014-04-15 | 2016-03-15 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Electromagnetic resonance coupler and transmission apparatus |
| CN108476587B (zh) * | 2016-02-11 | 2020-10-16 | 吉佳蓝科技股份有限公司 | 柔性电路板 |
| WO2017138745A1 (ko) * | 2016-02-11 | 2017-08-17 | 주식회사 기가레인 | 연성회로기판 |
| KR20170094692A (ko) * | 2016-02-11 | 2017-08-21 | 주식회사 기가레인 | 연성회로기판 |
| CN108476587A (zh) * | 2016-02-11 | 2018-08-31 | 吉佳蓝科技股份有限公司 | 柔性电路板 |
| US10477690B2 (en) | 2016-02-11 | 2019-11-12 | Gigalane Co., Ltd. | Flexible circuit board |
| KR102622767B1 (ko) | 2016-02-11 | 2024-01-09 | 주식회사 기가레인 | 연성회로기판 |
| WO2018181077A1 (ja) * | 2017-03-27 | 2018-10-04 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品および積層型電子部品モジュール |
| JPWO2018181077A1 (ja) * | 2017-03-27 | 2020-02-06 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品および積層型電子部品モジュール |
| JPWO2021006076A1 (ja) * | 2019-07-10 | 2021-01-14 | ||
| WO2021005972A1 (ja) * | 2019-07-10 | 2021-01-14 | 株式会社村田製作所 | 多層基板 |
| JPWO2021005972A1 (ja) * | 2019-07-10 | 2021-01-14 | ||
| WO2021006076A1 (ja) * | 2019-07-10 | 2021-01-14 | 株式会社村田製作所 | 多層基板 |
| JP7021721B2 (ja) | 2019-07-10 | 2022-02-17 | 株式会社村田製作所 | 多層基板 |
| JP7044205B2 (ja) | 2019-07-10 | 2022-03-30 | 株式会社村田製作所 | 多層基板 |
| US12004290B2 (en) | 2019-07-10 | 2024-06-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer board |
| US12112867B2 (en) | 2019-07-10 | 2024-10-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayered substrate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100283508B1 (ko) | 양방향 임피던스가 제어된 비고형 기준면 | |
| KR101573959B1 (ko) | 다층 배선 기판 | |
| US7349196B2 (en) | Composite distributed dielectric structure | |
| US20030107056A1 (en) | Substrate pads with reduced impedance mismatch and methods to fabricate substrate pads | |
| US8476533B2 (en) | Printed circuit board | |
| JP2005183949A (ja) | 低クロストークノイズのプリント回路ボード、及びその製造方法 | |
| KR101136423B1 (ko) | 용량성 결합이 감소된 회로기판 어셈블리 | |
| WO2009028108A1 (en) | Multi-layer substrate | |
| JP2001144452A (ja) | 多層プリント基板 | |
| JPH1041637A (ja) | 高密度多層配線基板 | |
| US20070194434A1 (en) | Differential signal transmission structure, wiring board, and chip package | |
| KR100613820B1 (ko) | 고주파 신호를 전송하기에 적합한 전자 장치 캐리어 | |
| US8089004B2 (en) | Semiconductor device including wiring excellent in impedance matching, and method for designing the same | |
| JP2009060150A (ja) | 差動平衡信号伝送基板 | |
| JP4834937B2 (ja) | 高周波回路用多層配線板 | |
| JPS629697A (ja) | 配線板 | |
| US20070228578A1 (en) | Circuit substrate | |
| JP2011023547A (ja) | 回路基板 | |
| JP4161577B2 (ja) | 電気配線板 | |
| JP2008211240A (ja) | 多層回路基板、その製造方法、および、その特性インピーダンス調整方法 | |
| JPH05275862A (ja) | 高周波回路用配線板 | |
| JP2004304134A (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
| JP2002076644A (ja) | 多層プリント配線板 | |
| JP2006080162A (ja) | プリント配線基板 | |
| JP2005294777A (ja) | プリント基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040302 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040706 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041102 |