JP7044205B2

JP7044205B2 - 多層基板

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Publication number: JP7044205B2
Application number: JP2021530605A
Authority: JP
Inventors: 信之天野; 伸郎池本; 貴博馬場
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2019-07-10
Filing date: 2020-06-26
Publication date: 2022-03-30
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Also published as: US20220028578A1; JPWO2021006076A1; WO2021006076A1; CN216491174U

Description

本発明は、高周波信号を伝送する伝送線路を備えた多層基板に関する。

従来、導体パターンが形成された絶縁体層を含む複数の絶縁体層を積層することによって構成される多層基板が、例えば高周波信号を伝送する伝送線路として用いられている。

例えば、特許文献１には、信号導体が形成された絶縁体層とグランド導体が形成された絶縁体層とを含む複数の絶縁体層を積層することで構成された、多層基板が示されている。

国際公開第２０１６／０４７５４０号

特許文献１に示されるような複数の絶縁体層が積層されて構成される多層基板においては、伝送線路の電気的特性と、機械的構造的な適度な強度とが求められる。例えば、伝送線路を構成する部分の絶縁体層には、低損失性を確保することや、所定の特性インピーダンスにするための絶縁体層が必要となる。一方、機械的構造的な強度の面では、積層方向に互いに隣接する絶縁体層間の密着強度が高いことが望まれる。

しかし、伝送線路に求められる高周波特性を満足し、かつ、絶縁体層同士の密着強度を満足する絶縁体層の材料は限られた材料であって、多層基板内に構成される伝送線路の高周波特性と、多層基板の機械的構造的な強度とは両立しない。そのため、一方を犠牲にするか、折衷的な設計がなされていた。

本発明の目的は、伝送線路の高周波特性と機械的構造的な強度とを両立させた多層基板を提供することにある。

本発明の多層基板は、第１絶縁体層、第２絶縁体層及び第３絶縁体層を含む複数の絶縁体層が積層され、伝送線路が構成される多層基板であって、
前記第１絶縁体層は互いに対向する第１面及び第２面を有し、
前記第１絶縁体層の前記第１面に前記伝送線路の信号導体が形成され、
前記第２絶縁体層は前記第１絶縁体層の前記第１面に接して配置され、
前記第３絶縁体層は前記第１絶縁体層の前記第２面に接して配置され、
前記第２絶縁体層の誘電損は前記第３絶縁体層の誘電損よりも低く、
前記第１絶縁体層と前記第３絶縁体層との密着強度は、前記第１絶縁体層と前記第２絶縁体層との密着強度よりも高い、
ことを特徴とする。

一般に、多層基板が積層方向に屈曲されるとき、積層方向での中央から離れた位置に相対的に大きな応力が加わることになるが、上記構成により、積層方向での中央から離れた位置にある、第１絶縁体層と第３絶縁体層との密着強度は高いので、多層基板の屈曲に対する機械的構造的強度が高い。また、信号導体が接する第２絶縁体層の誘電損は、信号導体から離れた位置にある第３絶縁体層の誘電損よりも低いので、伝送線路の伝送損失等の高周波特性が高い。

本発明によれば、伝送線路の高周波特性が高く、機械的構造的な強度の高い多層基板が得られる。

図１は第１の実施形態に係る多層基板１０１の断面図である。図２は多層基板１０１の積層前の断面図である。図３は、多層基板１０１を積層方向に屈曲させた状態での、信号導体ＳＬに沿った面での断面図である。図４は第２の実施形態に係る多層基板１０２の断面図である。図５（Ａ）は、第３の実施形態に係る多層基板１０３の実装状態を示す、携帯電子機器１の断面図であり、図５（Ｂ）は当該携帯電子機器１の筐体内部の平面図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付す。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点について説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係る多層基板１０１の断面図である。図２は多層基板１０１の積層前の断面図である。

多層基板１０１は、第１絶縁体層１１、第２絶縁体層１２、第３絶縁体層１３、第４絶縁体層１４及び第５絶縁体層１５がＺ軸方向に積層された積層体と、この積層体の内部に設けられた信号導体ＳＬ及び外面に形成されたグランド導体ＧＰ１，ＧＰ２と、を備える。多層基板１０１はＸ軸方向が長手方向、Ｙ軸方向が短手方向であり、信号導体ＳＬはＸ軸方向に延びる。信号導体ＳＬ、グランド導体ＧＰ１，ＧＰ２、及びその間の絶縁体層１１～１５によって、ストリップライン型の伝送線路が構成されている。これにより、第１絶縁体層１１は、Ｚ軸方向（積層方向）において信号導体ＳＬとグランド導体ＧＰ１（第１グランド導体）との間に位置している。第２絶縁体層１２は、Ｚ軸方向（積層方向）において信号導体ＳＬとグランド導体ＧＰ２（第２グランド導体）との間に位置している。

第１絶縁体層１１、第４絶縁体層１４及び第５絶縁体層１５は、ポリイミド（ＰＩ）、変性ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）等の樹脂の層である。第２絶縁体層１２及び第３絶縁体層１３は接合材層である。第２絶縁体層１２は例えばフッ素樹脂の層であり、第３絶縁体層１３は、例えばポリイミド（ＰＩ）や液晶ポリマ（ＬＣＰ）等のプリプレグの層である。

第１絶縁体層１１は互いに対向する第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２を有し、第１絶縁体層１１の第１面Ｓ１に信号導体ＳＬが形成されている。第４絶縁体層１４の下面にはグランド導体ＧＰ１が形成されていて、第５絶縁体層１５の上面にはグランド導体ＧＰ２が形成されている。第２絶縁体層１２は第１絶縁体層１１の第１面Ｓ１に接して配置されていて、第３絶縁体層１３は第１絶縁体層１１の第２面Ｓ２に接して配置されている。

図１中のＣＨは多層基板１０１の積層方向での中央高さ位置である。この中央高さ位置ＣＨから明らかなように、第１絶縁体層１１は第３絶縁体層１３に比べて多層基板１０１の積層方向での中央寄りに位置する。第１絶縁体層１１と第２絶縁体層１２との界面ＢＳ１２は、第１絶縁体層１１と第３絶縁体層１３との界面ＢＳ１３より積層方向での中央の近くに存在する。そして、第１絶縁体層１１と第３絶縁体層１３との密着強度は、第１絶縁体層１１と第２絶縁体層１２との密着強度よりも高い。この構造により、次に述べるように、多層基板１０１は、その屈曲に対する機械的構造的強度が高い。

図３は、多層基板１０１を積層方向に屈曲させた状態での、信号導体ＳＬに沿った面での断面図である。このように、多層基板１０１が積層方向に屈曲されると、屈曲部において、第１絶縁体層１１と第２絶縁体層１２との界面ＢＳ１２に加わる応力に比べて、第１絶縁体層１１と第３絶縁体層１３との界面ＢＳ１３に加わる応力は大きい。前者の界面に比べて後者の界面が、複数の絶縁体層の積層方向での中央から離れた位置にあるからである。この加わる応力が大きい、第１絶縁体層１１と第３絶縁体層１３との密着強度は高いので、多層基板１０１は屈曲に対する機械的構造的強度が高い。

また、本実施形態の多層基板１０１は、第３絶縁体層１３のヤング率が第２絶縁体層１２のヤング率より小さい。つまり、第３絶縁体層１３は第２絶縁体層１２より柔らかい。

図３に示したように、多層基板１０１が積層方向に屈曲されると、第２絶縁体層１２に加わる応力に比べて、第３絶縁体層１３に加わる応力は大きい。第２絶縁体層１２に比べて第３絶縁体層１３は、複数の絶縁体層の積層方向での中央から離れた位置にあるからである。上記のとおり、この加わる応力が大きい第３絶縁体層１３は柔らかいので、多層基板１０１の屈曲に対する機械的構造的強度は高い。

また、本実施形態の多層基板１０１は、第２絶縁体層１２と第４絶縁体層１４との界面ＢＷ２４は、第３絶縁体層１３と第５絶縁体層１５との界面ＢＳ３５より積層方向での中央の近くに存在し、第３絶縁体層１３と第５絶縁体層１５との密着強度は、第２絶縁体層１２と第４絶縁体層１４との密着強度よりも高い。多層基板１０１が積層方向に屈曲されると、界面ＢＳ２４に加わる応力に比べて、界面ＢＳ３５に加わる応力は大きい。しかし、この加わる応力が大きい界面ＢＳ３５の密着強度は高いので、多層基板１０１の屈曲に対する機械的構造的強度は高い。

また、本実施形態の多層基板１０１は、第１絶縁体層１１と第３絶縁体層１３との界面ＢＳ１３は、第２絶縁体層１２と第４絶縁体層１４との界面ＢＳ２４より積層方向での中央の近くに存在し、第１絶縁体層１１と第３絶縁体層１３との密着強度は、第２絶縁体層１２と第４絶縁体層１４との密着強度よりも高い。多層基板１０１が積層方向に屈曲されると、界面ＢＳ２４に加わる応力に比べて、界面ＢＳ１３に加わる応力は大きい。しかし、この加わる応力が大きい界面ＢＳ１３の密着強度は高いので、多層基板１０１の屈曲に対する機械的構造的強度は高い。

また、本実施形態の多層基板１０１の第２絶縁体層１２の誘電損は第３絶縁体層１３の誘電損よりも低い。ここで、誘電体の誘電損は、比誘電率εｒと誘電正接ｔａｎδとの積εｒｔａｎδで表されるので、比誘電率εｒが低く、誘電正接ｔａｎδが低いほど絶縁体層の誘電損は小さい。例えば、フッ素樹脂である第２絶縁体層１２の比誘電率は２．１、誘電正接は０．００１であり、ポリイミドのプリプレグである第３絶縁体層１３の比誘電率は３．２、誘電正接は０．００３である。このように、信号導体ＳＬから離れた位置にある第３絶縁体層１３の誘電損より、信号導体ＳＬに接する第２絶縁体層１２の誘電損が低いと、信号導体ＳＬ、グランド導体ＧＰ１，ＧＰ２、及びその間の絶縁体層１１～１５によって構成される伝送線路の、高周波信号に対する損失が抑えられる。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、複数の信号導体を備える多層基板の例を示す。

図４は第２の実施形態に係る多層基板１０２の断面図である。多層基板１０２は、Ｘ軸方向が長手方向、Ｙ軸方向が短手方向であり、信号導体ＳＬ１，ＳＬ２はＸ軸方向に延びる。この多層基板１０２は、それぞれストリップライン型の、二つの伝送線路ＴＬＡ，ＴＬＢを備える。伝送線路ＴＬＡは、第１絶縁体層１１Ａ、第２絶縁体層１２Ａ、第３絶縁体層１３Ａ、第４絶縁体層１４Ａ、第５絶縁体層１５Ａ、第６絶縁体層１６、信号導体ＳＬ１及びグランド導体ＧＰ１，ＧＰ２を備える。伝送線路ＴＬＢは、第１絶縁体層１１Ｂ、第２絶縁体層１２Ｂ、第３絶縁体層１３Ｂ、第４絶縁体層１４Ｂ、第５絶縁体層１５Ｂ、第７絶縁体層１７、信号導体ＳＬ２及びグランド導体ＧＰ１，ＧＰ３を備える。

第２絶縁体層１２Ａ，１２Ｂ、第３絶縁体層１３Ａ，１３Ｂ及び第６絶縁体層１６はいずれも接合材層である。

第１絶縁体層１１Ａは互いに対向する第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２を有し、第１絶縁体層１１Ａの第１面Ｓ１に信号導体ＳＬ１が形成されている。第５絶縁体層１５Ａの上面にはグランド導体ＧＰ２が形成されている。

第１絶縁体層１１Ｂは互いに対向する第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２を有し、第１絶縁体層１１Ｂの第１面Ｓ１に信号導体ＳＬ２が形成されている。第４絶縁体層１４Ｂの上面にはグランド導体ＧＰ１が形成されていて、第５絶縁体層１５Ｂの下面又は第７絶縁体層１７の上面にはグランド導体ＧＰ３が形成されている。

図４中のＣＨは多層基板１０２の積層方向での中央高さ位置である。図４から明らかなように、本実施形態の多層基板１０２は、第１絶縁体層１１Ａと第２絶縁体層１２Ａとの界面は、第１絶縁体層１１Ａと第３絶縁体層１３Ａとの界面より積層方向での中央の近くに存在する。そのため、多層基板１０２が積層方向に屈曲されると、第１絶縁体層１１Ａと第２絶縁体層１２Ａとの界面に加わる応力に比べて、第１絶縁体層１１Ａと第３絶縁体層１３Ａとの界面に加わる応力が大きい。しかし、この加わる応力が大きい、第１絶縁体層１１Ａと第３絶縁体層１３Ａとの密着強度は高いので、多層基板１０２の屈曲に対する機械的構造的強度は高い。

同様に、第１絶縁体層１１Ｂと第２絶縁体層１２Ｂとの界面は、第１絶縁体層１１Ｂと第３絶縁体層１３Ｂとの界面より積層方向での中央の近くに存在する。そのため、多層基板１０２が積層方向に屈曲されると、第１絶縁体層１１Ｂと第２絶縁体層１２Ｂとの界面に加わる応力に比べて、第１絶縁体層１１Ｂと第３絶縁体層１３Ｂとの界面に加わる応力が大きい。しかし、この加わる応力が大きい、第１絶縁体層１１Ｂと第３絶縁体層１３Ｂとの密着強度は高いので、多層基板１０２の屈曲に対する機械的構造的強度は高い。

また、本実施形態の多層基板１０２は、第３絶縁体層１３Ａのヤング率は第２絶縁体層１２Ａのヤング率より小さい。多層基板１０２が積層方向に屈曲されると、第２絶縁体層１２Ａに加わる応力に比べて、第３絶縁体層１３Ａに加わる応力は大きい。第２絶縁体層１２Ａに比べて第３絶縁体層１３Ａは、複数の絶縁体層の積層方向での中央から離れた位置にあるからである。この加わる応力が大きい第３絶縁体層１３Ａは柔らかいので、多層基板１０２の屈曲に対する機械的構造的強度は高い。

同様に、第３絶縁体層１３Ｂのヤング率は第２絶縁体層１２Ｂのヤング率より小さい。多層基板１０２が積層方向に屈曲されると、第２絶縁体層１２Ｂに加わる応力に比べて、第３絶縁体層１３Ｂに加わる応力は大きい。第２絶縁体層１２Ｂに比べて第３絶縁体層１３Ｂは、複数の絶縁体層の積層方向での中央から離れた位置にあるからである。この加わる応力が大きい第３絶縁体層１３Ｂは柔らかいので、多層基板１０２の屈曲に対する機械的構造的強度は高い。

また、本実施形態の多層基板１０２は、第２絶縁体層１２Ａと第４絶縁体層１４Ａとの界面は、第３絶縁体層１３Ａと第５絶縁体層１５Ａとの界面より積層方向での中央の近くに存在し、第３絶縁体層１３Ａと第５絶縁体層１５Ａとの密着強度は、第２絶縁体層１２Ａと第４絶縁体層１４Ａとの密着強度よりも高い。多層基板１０２が積層方向に屈曲されると、第２絶縁体層１２Ａと第４絶縁体層１４Ａとの界面に加わる応力に比べて、第３絶縁体層１３Ａと第５絶縁体層１５Ａとの界面に加わる応力は大きい。しかし、この加わる応力が大きい界面の密着強度は高いので、多層基板１０２の屈曲に対する機械的構造的強度は高い。

同様に、第２絶縁体層１２Ｂと第４絶縁体層１４Ｂとの界面は、第３絶縁体層１３Ｂと第５絶縁体層１５Ｂとの界面より積層方向での中央の近くに存在し、第３絶縁体層１３Ｂと第５絶縁体層１５Ｂとの密着強度は、第２絶縁体層１２Ｂと第４絶縁体層１４Ｂとの密着強度よりも高い。多層基板１０２が積層方向に屈曲されると、第２絶縁体層１２Ｂと第４絶縁体層１４Ｂとの界面に加わる応力に比べて、第３絶縁体層１３Ｂと第５絶縁体層１５Ｂとの界面に加わる応力は大きい。しかし、この加わる応力が大きい界面の密着強度は高いので、多層基板１０２の屈曲に対する機械的構造的強度は高い。

また、本実施形態の多層基板１０２は、第１絶縁体層１１Ａと第３絶縁体層１３Ａとの界面は、第２絶縁体層１２Ａと第４絶縁体層１４Ａとの界面より積層方向での中央の近くに存在し、第１絶縁体層１１Ａと第３絶縁体層１３Ａとの密着強度は、第２絶縁体層１２Ａと第４絶縁体層１４Ａとの密着強度よりも高い。多層基板１０２が積層方向に屈曲されると、第２絶縁体層１２Ａと第４絶縁体層１４Ａとの界面に加わる応力に比べて、第１絶縁体層１１Ａと第３絶縁体層１３Ａとの界面に加わる応力は大きい。しかし、この加わる応力が大きい界面の密着強度は高いので、多層基板１０２の屈曲に対する機械的構造的強度は高い。

同様に、第１絶縁体層１１Ｂと第３絶縁体層１３Ｂとの界面は、第２絶縁体層１２Ｂと第４絶縁体層１４Ｂとの界面より積層方向での中央の近くに存在し、第１絶縁体層１１Ｂと第３絶縁体層１３Ｂとの密着強度は、第２絶縁体層１２Ｂと第４絶縁体層１４Ｂとの密着強度よりも高い。多層基板１０２が積層方向に屈曲されると、第２絶縁体層１２Ｂと第４絶縁体層１４Ｂとの界面に加わる応力に比べて、第１絶縁体層１１Ｂと第３絶縁体層１３Ｂとの界面に加わる応力は大きい。しかし、この加わる応力が大きい界面の密着強度は高いので、多層基板１０２の屈曲に対する機械的構造的強度は高い。

また、本実施形態の多層基板１０２の第２絶縁体層１２Ａの誘電損は第３絶縁体層１３Ａの誘電損よりも低い。信号導体ＳＬ１から離れた位置にある第３絶縁体層１３Ａの誘電損より、信号導体ＳＬ１に接する第２絶縁体層１２Ａの誘電損が低いと、信号導体ＳＬ１、グランド導体ＧＰ１，ＧＰ２、及びその間の絶縁体層１１Ａ～１５Ａ，１６によって構成される伝送線路ＴＬＡの、高周波信号に対する損失が抑えられる。

同様に、第２絶縁体層１２Ｂの誘電損は第３絶縁体層１３Ｂの誘電損よりも低い。信号導体ＳＬ２から離れた位置にある第３絶縁体層１３Ｂの誘電損より、信号導体ＳＬ２に接する第２絶縁体層１２Ｂの誘電損が低いと、信号導体ＳＬ２、グランド導体ＧＰ１，ＧＰ３、及びその間の絶縁体層１１Ｂ～１５Ｂ，１７によって構成される伝送線路ＴＬＢの、高周波信号に対する損失が抑えられる。

なお、本実施形態の多層基板１０２においては、信号導体ＳＬ１が第１絶縁体層１１Ａの下面（中央高さ位置ＣＨ寄り）に担持されていて、信号導体ＳＬ２が第１絶縁体層１１Ｂの上面（中央高さ位置ＣＨ寄り）に担持されている。このように、信号導体ＳＬ１，ＳＬ２が積層体の中央高さ位置ＣＨ寄りに配置されていることにより、多層基板１０２が積層方法に屈曲されたときに、信号導体ＳＬ１の両面の界面に加わる応力、及び信号導体ＳＬ２の両面の界面に加わる応力はそれぞれ小さい。そのため、信号導体ＳＬ１，ＳＬ２の界面が剥離し難く、界面剥離による電気的特性の変化が抑制される。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、多層基板を備える携帯電子機器１の例について示す。

図５（Ａ）は、第３の実施形態に係る多層基板１０３の実装状態を示す、携帯電子機器１の断面図であり、図５（Ｂ）は当該携帯電子機器１の筐体内部の平面図である。

携帯電子機器１は、薄型の筐体２を備える。筐体２内には、回路基板３Ａ，３Ｂ、バッテリーパック４等が配置される。回路基板３Ａ，３Ｂの表面には、複数のＩＣ５やチップ部品６等が実装される。回路基板３Ａ，３Ｂ及びバッテリーパック４は、筐体２を平面視して、回路基板３Ａ，３Ｂ間にバッテリーパック４が配置されるように、筐体２に設置される。筐体２はできる限り薄型に形成されるので、筐体２の厚み方向での、バッテリーパック４と筐体２との間隔は極狭い。

本実施形態の多層基板１０３はフラットケーブルとして用いる。この多層基板１０３の中央の断面構造は、第２の実施形態で図４に示したとおりである。つまり、二つの信号導体を備えるストリップライン型伝送線路である。長手方向の両端には、回路基板３Ａ，３Ｂ上の電極７Ａ，７Ｂへの接続部が形成されている。

多層基板１０３は、その厚み方向と、筐体２の厚み方向とが一致するように配置し、かつ積層方向に屈曲させた状態で筐体２内に配置する。これにより、バッテリーパック４を中間に配して離間された回路基板３Ａ，３Ｂを、多層基板１０３を介して接続できる。

なお、以上に示した各実施形態では、一単位の多層基板について図示したが、当然ながら、複数の多層基板が繋がった集合基板状態で製造され（大判プロセスによって製造され）、最後に個片に分離されてもよい。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形及び変更が適宜可能であることは明らかである。例えば異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもない。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

ＢＳ１２，ＢＳ１３，ＢＳ２４，ＢＳ３５…界面
ＣＨ…中央高さ位置
ＧＰ１，ＧＰ２，ＧＰ３…グランド導体
Ｓ１…第１面
Ｓ２…第２面
ＳＬ，ＳＬ１，ＳＬ２…信号導体
ＴＬＡ，ＴＬＢ…伝送線路
１…携帯電子機器
２…筐体
３Ａ，３Ｂ…回路基板
４…バッテリーパック
５…ＩＣ
６…チップ部品
７Ａ，７Ｂ…電極
１１，１１Ａ，１１Ｂ…第１絶縁体層
１２，１２Ａ，１２Ｂ…第２絶縁体層
１３，１３Ａ，１３Ｂ…第３絶縁体層
１４，１４Ａ，１４Ｂ…第４絶縁体層
１５，１５Ａ，１５Ｂ…第５絶縁体層
１６…第６絶縁体層
１７…第７絶縁体層
１０１，１０２，１０３…多層基板

Claims

第１絶縁体層、第２絶縁体層及び第３絶縁体層を含む複数の絶縁体層が積層され、伝送線路が構成される多層基板であって、
前記第１絶縁体層は互いに対向する第１面及び第２面を有し、
前記第１絶縁体層の前記第１面に前記伝送線路の信号導体が形成され、
前記第２絶縁体層は前記第１絶縁体層の前記第１面に接して配置され、
前記第３絶縁体層は前記第１絶縁体層の前記第２面に接して配置され、
前記第２絶縁体層の誘電損は前記第３絶縁体層の誘電損よりも低く、
前記第１絶縁体層と前記第３絶縁体層との密着強度は、前記第１絶縁体層と前記第２絶縁体層との密着強度よりも高く、
前記第１絶縁体層と前記第２絶縁体層との界面は、前記第１絶縁体層と前記第３絶縁体層との界面より積層方向での中央の近くに存在する、
多層基板。
積層方向に曲げ部を有する、請求項１に記載の多層基板。
前記第３絶縁体層のヤング率は前記第２絶縁体層のヤング率より小さい、
請求項２に記載の多層基板。
前記第２絶縁体層の、前記第１絶縁体層が接する面とは反対側の面に接して配置される第４絶縁体層と、
前記第３絶縁体層の、前記第１絶縁体層が接する面とは反対側の面に接して配置される第５絶縁体層と、
を備え、
前記第２絶縁体層と前記第４絶縁体層との界面は、前記第３絶縁体層と前記第５絶縁体層との界面より積層方向での中央の近くに存在し、
前記第３絶縁体層と前記第５絶縁体層との密着強度は、前記第２絶縁体層と前記第４絶縁体層との密着強度よりも高い、
請求項１から３のいずれかに記載の多層基板。
前記第２絶縁体層の、前記第１絶縁体層が接する面とは反対側の面に接して配置される第４絶縁体層と、
前記第３絶縁体層の、前記第１絶縁体層が接する面とは反対側の面に接して配置される第５絶縁体層と、
を備え、
前記第２絶縁体層と前記第４絶縁体層との界面は、前記第１絶縁体層と前記第３絶縁体層との界面より積層方向での中央の近くに存在し、
前記第１絶縁体層と前記第３絶縁体層との密着強度は、前記第２絶縁体層と前記第４絶縁体層との密着強度よりも高い、
請求項１から３のいずれかに記載の多層基板。
前記多層基板は、
第１グランド導体を、
更に備えており、
前記第１絶縁体層は、積層方向において前記信号導体と前記第１グランド導体との間に位置している、
請求項１から５のいずれかに記載の多層基板。
前記多層基板は、
第２グランド導体を、
更に備えており、
前記第２絶縁体層は、積層方向において前記信号導体と前記第２グランド導体との間に位置している、
請求項１から６のいずれかに記載の多層基板。