JP2001118869A - バンプボンディング用加熱装置、バンプボンディング方法、及びバンプ形成装置、並びに半導体ウエハ - Google Patents
バンプボンディング用加熱装置、バンプボンディング方法、及びバンプ形成装置、並びに半導体ウエハInfo
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 装置構成が大型化せず、かつ取り扱い容易な
バンプボンディング用加熱装置、バンプボンディング方
法、及びバンプ形成装置を提供する。 【解決手段】 旋回部材１１１、旋回装置１１２、及び
ウエハ加熱装置１１３を備え、上記ウエハ加熱装置を旋
回させることなく、上記旋回装置にて上記旋回部材を旋
回させ上記旋回部材に載置されている半導体ウエハ２０
１の旋回を行うようにした。このように上記ウエハ加熱
装置が旋回しないので装置構成をコンパクト化でき、か
つ上記旋回装置にて上記旋回部材を直接に旋回させるの
で、従来の気体浮上式の旋回方法に比べて、半導体ウエ
ハの旋回角度を高精度にて実現可能である。
バンプボンディング用加熱装置、バンプボンディング方
法、及びバンプ形成装置を提供する。 【解決手段】 旋回部材１１１、旋回装置１１２、及び
ウエハ加熱装置１１３を備え、上記ウエハ加熱装置を旋
回させることなく、上記旋回装置にて上記旋回部材を旋
回させ上記旋回部材に載置されている半導体ウエハ２０
１の旋回を行うようにした。このように上記ウエハ加熱
装置が旋回しないので装置構成をコンパクト化でき、か
つ上記旋回装置にて上記旋回部材を直接に旋回させるの
で、従来の気体浮上式の旋回方法に比べて、半導体ウエ
ハの旋回角度を高精度にて実現可能である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハに形
成された回路上の電極部分にバンプを形成する際に上記
半導体ウエハを載置し該半導体ウエハをバンプボンディ
ング温度に加熱するバンプボンディング用加熱装置、該
バンプボンディング用加熱装置を使用して実行されるバ
ンプボンディング方法、及び上記バンプボンディング用
加熱装置を備えたバンプ形成装置、並びに半導体ウエハ
に関する。
成された回路上の電極部分にバンプを形成する際に上記
半導体ウエハを載置し該半導体ウエハをバンプボンディ
ング温度に加熱するバンプボンディング用加熱装置、該
バンプボンディング用加熱装置を使用して実行されるバ
ンプボンディング方法、及び上記バンプボンディング用
加熱装置を備えたバンプ形成装置、並びに半導体ウエハ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、バンプ形成装置には、上記バンプ
ボンディング用加熱装置が備わる。図２４及び図２５に
示すように、従来のバンプボンディング用加熱装置１で
は、上記バンプボンディング温度に加熱するために当該
バンプボンディング用加熱装置に搬入され、ヒートステ
ージ２に載置された半導体ウエハ３に対して、ヒートス
テージ２に開口する気体噴出孔４から気体が噴出され
る。該気体噴出により、半導体ウエハ３はヒートステー
ジ２上で半導体ウエハ３の周方向へ回転され、予め設定
された回転角度に配置される。このような気体浮上式に
よる半導体ウエハ３のダイレクト旋回方法は、半導体ウ
エハ３を旋回させる構造としては気体供給装置５のみを
備えれば良く、バンプボンディング用加熱装置１のコン
パクト化を図れる点で好ましい。
ボンディング用加熱装置が備わる。図２４及び図２５に
示すように、従来のバンプボンディング用加熱装置１で
は、上記バンプボンディング温度に加熱するために当該
バンプボンディング用加熱装置に搬入され、ヒートステ
ージ２に載置された半導体ウエハ３に対して、ヒートス
テージ２に開口する気体噴出孔４から気体が噴出され
る。該気体噴出により、半導体ウエハ３はヒートステー
ジ２上で半導体ウエハ３の周方向へ回転され、予め設定
された回転角度に配置される。このような気体浮上式に
よる半導体ウエハ３のダイレクト旋回方法は、半導体ウ
エハ３を旋回させる構造としては気体供給装置５のみを
備えれば良く、バンプボンディング用加熱装置１のコン
パクト化を図れる点で好ましい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
造のものでは以下のような問題がある。即ち、半導体ウ
エハ３が、上記バンプボンディング温度までの加熱等に
よる温度差に起因して電荷を生じるような電荷発生半導
体基板であるときには、ヒートステージ２に載置される
とき帯電により上記電荷発生半導体基板がヒートステー
ジ２に静電付着してしまう。又、半導体ウエハ３を設定
角度分旋回させるためには、半導体ウエハ３の大きさや
重さによって噴出する気体の圧力、流量等を制御しなけ
ればならず取り扱いが容易ではなく、又、高い精度にて
設定角度分旋回させるのは困難である。
造のものでは以下のような問題がある。即ち、半導体ウ
エハ３が、上記バンプボンディング温度までの加熱等に
よる温度差に起因して電荷を生じるような電荷発生半導
体基板であるときには、ヒートステージ２に載置される
とき帯電により上記電荷発生半導体基板がヒートステー
ジ２に静電付着してしまう。又、半導体ウエハ３を設定
角度分旋回させるためには、半導体ウエハ３の大きさや
重さによって噴出する気体の圧力、流量等を制御しなけ
ればならず取り扱いが容易ではなく、又、高い精度にて
設定角度分旋回させるのは困難である。
【０００４】一方、上記気体浮上式による半導体ウエハ
３の旋回方法を採らない場合には、半導体ウエハ３を保
持したヒートステージ２を回転させる構造が考えられる
が、該構造では装置が大型化するという問題がある。本
発明はこのような問題点を解決するためになされたもの
で、装置構成が大型化せず、かつ取り扱い容易なバンプ
ボンディング用加熱装置、該バンプボンディング用加熱
装置にて実行されるバンプボンディング方法、及び上記
バンプボンディング用加熱装置を備えたバンプ形成装
置、並びに半導体ウエハを提供することを目的とする。
３の旋回方法を採らない場合には、半導体ウエハ３を保
持したヒートステージ２を回転させる構造が考えられる
が、該構造では装置が大型化するという問題がある。本
発明はこのような問題点を解決するためになされたもの
で、装置構成が大型化せず、かつ取り扱い容易なバンプ
ボンディング用加熱装置、該バンプボンディング用加熱
装置にて実行されるバンプボンディング方法、及び上記
バンプボンディング用加熱装置を備えたバンプ形成装
置、並びに半導体ウエハを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下のように構成する。本発明の第１態様
のバンプボンディング用加熱装置によれば、バンプボン
ディングが行われる半導体ウエハを載置し、載置された
上記半導体ウエハの周方向へ旋回されるウエハ旋回部材
と、上記ウエハ旋回部材を上記周方向へ旋回させる旋回
装置と、上記ウエハ旋回部材を載置し該ウエハ旋回部材
を介して上記半導体ウエハをバンプボンディング温度に
加熱し、かつ旋回する上記ウエハ旋回部材に対して非旋
回状態に設置されるウエハ加熱装置と、を備えたことを
特徴とする。
に、本発明は以下のように構成する。本発明の第１態様
のバンプボンディング用加熱装置によれば、バンプボン
ディングが行われる半導体ウエハを載置し、載置された
上記半導体ウエハの周方向へ旋回されるウエハ旋回部材
と、上記ウエハ旋回部材を上記周方向へ旋回させる旋回
装置と、上記ウエハ旋回部材を載置し該ウエハ旋回部材
を介して上記半導体ウエハをバンプボンディング温度に
加熱し、かつ旋回する上記ウエハ旋回部材に対して非旋
回状態に設置されるウエハ加熱装置と、を備えたことを
特徴とする。
【０００６】又、本発明の第２態様のバンプボンディン
グ方法によれば、バンプを形成する半導体ウエハをウエ
ハ旋回部材上に載置し、上記ウエハ旋回部材を介して上
記半導体ウエハをバンプボンディング温度に加熱するウ
エハ加熱装置を旋回させることなく、上記半導体ウエハ
を載置した上記ウエハ旋回部材のみを上記半導体ウエハ
に要求される旋回角度にて上記半導体ウエハの周方向へ
旋回させ、上記旋回後、上記半導体ウエハにバンプボン
ディング温度にてバンプボンディングを行うことを特徴
とする。
グ方法によれば、バンプを形成する半導体ウエハをウエ
ハ旋回部材上に載置し、上記ウエハ旋回部材を介して上
記半導体ウエハをバンプボンディング温度に加熱するウ
エハ加熱装置を旋回させることなく、上記半導体ウエハ
を載置した上記ウエハ旋回部材のみを上記半導体ウエハ
に要求される旋回角度にて上記半導体ウエハの周方向へ
旋回させ、上記旋回後、上記半導体ウエハにバンプボン
ディング温度にてバンプボンディングを行うことを特徴
とする。
【０００７】又、本発明の第３態様のバンプ形成装置
は、上記第１態様のバンプボンディング用加熱装置を備
えたことを特徴とする。
は、上記第１態様のバンプボンディング用加熱装置を備
えたことを特徴とする。
【０００８】又、本発明の第４態様の半導体ウエハは、
上記第２態様のバンプボンディング方法を使用してバン
プを形成したことを特徴とする。
上記第２態様のバンプボンディング方法を使用してバン
プを形成したことを特徴とする。
【０００９】又、本発明の第５態様の半導体ウエハは、
半導体ウエハの結晶方位とは異なりかつ上記結晶方位に
傾斜した方向に沿って回路を形成した回路形成後半導体
ウエハを上記結晶方位と上記傾斜方向との差異に基づい
た角度にて旋回装置にて旋回して上記回路にバンプが形
成されたことを特徴とする。
半導体ウエハの結晶方位とは異なりかつ上記結晶方位に
傾斜した方向に沿って回路を形成した回路形成後半導体
ウエハを上記結晶方位と上記傾斜方向との差異に基づい
た角度にて旋回装置にて旋回して上記回路にバンプが形
成されたことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明にかかる実施の形
態であるバンプボンディング用加熱装置、該バンプボン
ディング用加熱装置にて実行されるバンプボンディング
方法、及び上記バンプボンディング用加熱装置を備えた
バンプ形成装置、並びに上記バンプボンディング方法を
使用してバンプが形成された半導体ウエハについて、図
を参照しながら説明する。尚、各図において、同じ構成
部分については同じ符号を付している。又、本実施形態
では、処理対象となる半導体ウエハとして、室温から上
記バンプボンディング温度までの温度変化に伴い電荷を
生じ帯電する電荷発生半導体基板を例に採る。その中で
も特に、上記ＳＡＷフィルタを形成するウエハ状の圧電
基板（以下、「圧電基板ウエハ」と記す）を処理するの
に適している。しかしながら、処理対象を上記圧電基板
ウエハに限定するものではない。即ち、上記電荷発生半
導体基板に相当する、例えばＬｉＴａＯ3やＬｉＮｂＯ3
等の化合物半導体ウエハや、水晶を基板とする水晶半導
体ウエハ等に対しても本実施形態のバンプボンディング
用加熱装置は適用可能である。又、Ｓｉを基板とするＳ
ｉ半導体ウエハにも適用可能である。尚、その場合、バ
ンプを形成するときのウエハの温度を約２５０℃〜約２
７０℃まで加熱することになる。
態であるバンプボンディング用加熱装置、該バンプボン
ディング用加熱装置にて実行されるバンプボンディング
方法、及び上記バンプボンディング用加熱装置を備えた
バンプ形成装置、並びに上記バンプボンディング方法を
使用してバンプが形成された半導体ウエハについて、図
を参照しながら説明する。尚、各図において、同じ構成
部分については同じ符号を付している。又、本実施形態
では、処理対象となる半導体ウエハとして、室温から上
記バンプボンディング温度までの温度変化に伴い電荷を
生じ帯電する電荷発生半導体基板を例に採る。その中で
も特に、上記ＳＡＷフィルタを形成するウエハ状の圧電
基板（以下、「圧電基板ウエハ」と記す）を処理するの
に適している。しかしながら、処理対象を上記圧電基板
ウエハに限定するものではない。即ち、上記電荷発生半
導体基板に相当する、例えばＬｉＴａＯ3やＬｉＮｂＯ3
等の化合物半導体ウエハや、水晶を基板とする水晶半導
体ウエハ等に対しても本実施形態のバンプボンディング
用加熱装置は適用可能である。又、Ｓｉを基板とするＳ
ｉ半導体ウエハにも適用可能である。尚、その場合、バ
ンプを形成するときのウエハの温度を約２５０℃〜約２
７０℃まで加熱することになる。
【００１１】又、所定の周波数の信号のみを伝達する半
導体素子としてＳＡＷ（surface Acoustic wave)フィル
タがあるが、近年では扱う周波数の数が増えたことに起
因して、従来の図２２に示すような、ウエハの結晶の方
位に対して直交方向に素子２５０を形成するものだけで
はなく、図２３に示すように、傾斜した方向に例えば上
記ＳＡＷフィルタ素子を形成しバンプ２５１をボンディ
ングした半導体ウエハ２０２を作製する場合も生じてい
る。このような上記傾斜方向に素子を形成したウエハに
対してバンプを形成するときには、バンプ形成ヘッドの
可動方向との関係で、その傾斜角度分、ウエハを旋回さ
せる必要が生じる。つまり従来に比べてより高い精度に
てウエハを旋回させる必要が生じてきている。本実施形
態のバンプボンディング用加熱装置、バンプボンディン
グ方法、及びバンプ形成装置は、上記傾斜角度の旋回が
必要な半導体ウエハに特に有効である。
導体素子としてＳＡＷ（surface Acoustic wave)フィル
タがあるが、近年では扱う周波数の数が増えたことに起
因して、従来の図２２に示すような、ウエハの結晶の方
位に対して直交方向に素子２５０を形成するものだけで
はなく、図２３に示すように、傾斜した方向に例えば上
記ＳＡＷフィルタ素子を形成しバンプ２５１をボンディ
ングした半導体ウエハ２０２を作製する場合も生じてい
る。このような上記傾斜方向に素子を形成したウエハに
対してバンプを形成するときには、バンプ形成ヘッドの
可動方向との関係で、その傾斜角度分、ウエハを旋回さ
せる必要が生じる。つまり従来に比べてより高い精度に
てウエハを旋回させる必要が生じてきている。本実施形
態のバンプボンディング用加熱装置、バンプボンディン
グ方法、及びバンプ形成装置は、上記傾斜角度の旋回が
必要な半導体ウエハに特に有効である。
【００１２】図１に示すように、本実施形態のバンプボ
ンディング用加熱装置１１０は、大きく分けて、ウエハ
旋回部材１１１と、旋回装置１１２と、ウエハ加熱装置
１１３とを備える。上記ウエハ旋回部材１１１は、バン
プボンディングが行われるバンプ形成前の上記圧電基板
ウエハ（以下、「バンプ形成前ウエハ」と記す）２０１
を載置し、載置した上記バンプ形成前ウエハ２０１の周
方向へ旋回される。尚、本実施形態では約２１０℃であ
る上記バンプボンディング温度にて、ウエハ旋回部材１
１１に載置されているバンプ形成前ウエハ２０１の電極
部に対してバンプ形成ヘッド１２０にてバンプが形成さ
れ、バンプ形成後の上記圧電基板ウエハを、以下「バン
プ形成後ウエハ２０２」と記す。
ンディング用加熱装置１１０は、大きく分けて、ウエハ
旋回部材１１１と、旋回装置１１２と、ウエハ加熱装置
１１３とを備える。上記ウエハ旋回部材１１１は、バン
プボンディングが行われるバンプ形成前の上記圧電基板
ウエハ（以下、「バンプ形成前ウエハ」と記す）２０１
を載置し、載置した上記バンプ形成前ウエハ２０１の周
方向へ旋回される。尚、本実施形態では約２１０℃であ
る上記バンプボンディング温度にて、ウエハ旋回部材１
１１に載置されているバンプ形成前ウエハ２０１の電極
部に対してバンプ形成ヘッド１２０にてバンプが形成さ
れ、バンプ形成後の上記圧電基板ウエハを、以下「バン
プ形成後ウエハ２０２」と記す。
【００１３】又、このようなウエハ旋回部材１１１は、
バンプ形成前ウエハ２０１が載置されバンプ形成前ウエ
ハ２０１よりも大径にてなる金属製で円板状のウエハ載
置台１１１１と、上記ウエハ載置台１１１１とほぼ同じ
大きさにてなる金属製で円板状のターンテーブル１１１
２とを有する。ターンテーブル１１１２は、上記２１０
℃を超える温度にて焼戻しして製造されているので、上
記約２１０℃程度の加熱により反りが生じることはな
い。ターンテーブル１１１２は、上記ウエハ載置台１１
１１を載置し、当該ターンテーブル１１１２の周囲に
は、上記旋回装置１１２に備わる後述の歯車１１２２に
係合する歯１１１２７が本実施形態では全周に渡って形
成されている。
バンプ形成前ウエハ２０１が載置されバンプ形成前ウエ
ハ２０１よりも大径にてなる金属製で円板状のウエハ載
置台１１１１と、上記ウエハ載置台１１１１とほぼ同じ
大きさにてなる金属製で円板状のターンテーブル１１１
２とを有する。ターンテーブル１１１２は、上記２１０
℃を超える温度にて焼戻しして製造されているので、上
記約２１０℃程度の加熱により反りが生じることはな
い。ターンテーブル１１１２は、上記ウエハ載置台１１
１１を載置し、当該ターンテーブル１１１２の周囲に
は、上記旋回装置１１２に備わる後述の歯車１１２２に
係合する歯１１１２７が本実施形態では全周に渡って形
成されている。
【００１４】又、図５に示すように、ウエハ載置台１１
１１を載置する、ターンテーブル１１１２の載置面１１
１２１には、同心円状にて大径の第１吸着溝１１１２２
と、小径の第２吸着溝１１１２３とが形成されている。
第１吸着溝１１１２２と第２吸着溝１１１２３とは、連
通部１１１２４にて互いにつながっている。又、第１吸
着溝１１１２２及び第２吸着溝１１１２３は、ターンテ
ーブル１１１２内に形成されている吸引用通路１１１２
６に連通しており、後述するように第１吸着溝１１１２
２及び第２吸着溝１１１２３並びに上記吸引用通路１１
１２６内の空気は、吸引装置１１７にて吸引される。よ
って、上記載置面１１１２１に載置されたウエハ載置台
１１１１を上記吸引動作にて上記載置面１１１２１に吸
着することができる。又、ターンテーブル１１１２の全
周にわたり第１吸着溝１１１２２及び第２吸着溝１１１
２３を形成することで、全周にわたり均一にウエハ載置
台１１１１を上記載置面１１１２１に吸着することがで
きる。
１１を載置する、ターンテーブル１１１２の載置面１１
１２１には、同心円状にて大径の第１吸着溝１１１２２
と、小径の第２吸着溝１１１２３とが形成されている。
第１吸着溝１１１２２と第２吸着溝１１１２３とは、連
通部１１１２４にて互いにつながっている。又、第１吸
着溝１１１２２及び第２吸着溝１１１２３は、ターンテ
ーブル１１１２内に形成されている吸引用通路１１１２
６に連通しており、後述するように第１吸着溝１１１２
２及び第２吸着溝１１１２３並びに上記吸引用通路１１
１２６内の空気は、吸引装置１１７にて吸引される。よ
って、上記載置面１１１２１に載置されたウエハ載置台
１１１１を上記吸引動作にて上記載置面１１１２１に吸
着することができる。又、ターンテーブル１１１２の全
周にわたり第１吸着溝１１１２２及び第２吸着溝１１１
２３を形成することで、全周にわたり均一にウエハ載置
台１１１１を上記載置面１１１２１に吸着することがで
きる。
【００１５】このようにターンテーブル１１１２に対し
てウエハ載置台１１１１を吸着にて保持するように構成
した理由は、処理対象である半導体ウエハの厚みや大き
さに応じてウエハ載置台１１１１を交換する必要があ
り、該交換動作を容易にするためであり、又、ターンテ
ーブル１１１２及びウエハ載置台１１１１は、バンプ形
成前ウエハ２０１を本実施形態では約２１０℃のバンプ
ボンディング用温度に加熱するため約２１０℃まで加熱
されるが、このときのウエハ載置台１１１１の熱膨張を
許容するためである。又、ターンテーブル１１１２の載
置面１１１２１には、載置されるウエハ載置台１１１１
を位置決めするため、円柱状の２本の位置決め用ピン１
１１２５−１、１１１２５−２が立設されている。
てウエハ載置台１１１１を吸着にて保持するように構成
した理由は、処理対象である半導体ウエハの厚みや大き
さに応じてウエハ載置台１１１１を交換する必要があ
り、該交換動作を容易にするためであり、又、ターンテ
ーブル１１１２及びウエハ載置台１１１１は、バンプ形
成前ウエハ２０１を本実施形態では約２１０℃のバンプ
ボンディング用温度に加熱するため約２１０℃まで加熱
されるが、このときのウエハ載置台１１１１の熱膨張を
許容するためである。又、ターンテーブル１１１２の載
置面１１１２１には、載置されるウエハ載置台１１１１
を位置決めするため、円柱状の２本の位置決め用ピン１
１１２５−１、１１１２５−２が立設されている。
【００１６】上述のように構成されたターンテーブル１
１１２の中央部には、図２に示すように、Ｔ字形の継手
１１５が取り付けられる。該継手１１５は、ターンテー
ブル１１１２内に埋設される円板状の取り付け部１１５
１と、該取り付け部１１５１に立設され取り付け部１１
５１と一体的に形成された通路形成部１１５２とから構
成される。ターンテーブル１１１２に継手１１５が取り
付けられた状態において、上記通路形成部１１５２は、
ターンテーブル１１１２の裏面１１１２８を超えて突出
し、ターンテーブル１１１２を載置している上記加熱装
置１１３に対して回転自在な状態にて加熱装置１１３を
貫通して延在し、当該通路形成部１１５２の接続部分１
１５３にて接続部材１１６に回転可能に嵌合される。
１１２の中央部には、図２に示すように、Ｔ字形の継手
１１５が取り付けられる。該継手１１５は、ターンテー
ブル１１１２内に埋設される円板状の取り付け部１１５
１と、該取り付け部１１５１に立設され取り付け部１１
５１と一体的に形成された通路形成部１１５２とから構
成される。ターンテーブル１１１２に継手１１５が取り
付けられた状態において、上記通路形成部１１５２は、
ターンテーブル１１１２の裏面１１１２８を超えて突出
し、ターンテーブル１１１２を載置している上記加熱装
置１１３に対して回転自在な状態にて加熱装置１１３を
貫通して延在し、当該通路形成部１１５２の接続部分１
１５３にて接続部材１１６に回転可能に嵌合される。
【００１７】上記接続部分１１５３は、ベース板１１４
に取り付けられ制御装置１８０にて動作制御される、本
実施形態ではエアーシリンダを有する昇降装置１１９に
て加熱位置１１９１と移載位置１１９２との間を昇降さ
れる昇降用板１２０に固定されている。尚、昇降用板１
２０は、２つのガイド部材１２１にて支持されるととも
に、昇降が案内される。
に取り付けられ制御装置１８０にて動作制御される、本
実施形態ではエアーシリンダを有する昇降装置１１９に
て加熱位置１１９１と移載位置１１９２との間を昇降さ
れる昇降用板１２０に固定されている。尚、昇降用板１
２０は、２つのガイド部材１２１にて支持されるととも
に、昇降が案内される。
【００１８】ターンテーブル１１１２に継手１１５が取
り付けられたとき、継手１１５の取り付け部１１５１
は、ターンテーブル１１１２の載置面１１１２１と上記
継手１１５の一端面１１５１ａとが同一面に位置するよ
うにしてターンテーブル１１１２内に埋設される。継手
１１５内には、ターンテーブル１１１２に上記継手１１
５が埋設された状態にて、ターンテーブル１１１２内の
上記吸引用通路１１１２６に連通し上記通路形成部１１
５２に沿って当該通路形成部１１５２内を延在する気体
吸引通路１１５４と、ウエハ載置台１１１１内の上記気
体出入用通路１１１１５に連通し上記通路形成部１１５
２に沿って当該通路形成部１１５２内を延在する吸引ブ
ロー通路１１５５とが設けられている。
り付けられたとき、継手１１５の取り付け部１１５１
は、ターンテーブル１１１２の載置面１１１２１と上記
継手１１５の一端面１１５１ａとが同一面に位置するよ
うにしてターンテーブル１１１２内に埋設される。継手
１１５内には、ターンテーブル１１１２に上記継手１１
５が埋設された状態にて、ターンテーブル１１１２内の
上記吸引用通路１１１２６に連通し上記通路形成部１１
５２に沿って当該通路形成部１１５２内を延在する気体
吸引通路１１５４と、ウエハ載置台１１１１内の上記気
体出入用通路１１１１５に連通し上記通路形成部１１５
２に沿って当該通路形成部１１５２内を延在する吸引ブ
ロー通路１１５５とが設けられている。
【００１９】上記気体吸引通路１１５４は、上記接続部
材１１６を介して吸引装置１１７に接続される。吸引装
置１１７は制御装置１８０にて動作制御され、吸引装置
１１７の動作により気体吸引通路１１５４、上記吸引用
通路１１１２６を介して第１吸着溝１１１２２及び第２
吸着溝１１１２３内の空気が吸引される。又、上記吸引
ブロー通路１１５５は、上記接続部材１１６を介して吸
引ブロー装置１１８に接続される。吸引ブロー装置１１
８は制御装置１８０にて動作制御され、吸引ブロー装置
１１８の動作により吸引ブロー通路１１５５、上記気体
出入用通路１１１１５を介して上記気体出入孔１１１１
２から、気体の吸引又はブローが行われる。上記接続部
材１１６と、上述のように該接続部材１１６に回転可能
に嵌合されている上記通路形成部１１５２の接続部分１
１５３とは、Ｏ−リング等のシール部材を用いたシール
構造にて気密を保持している。よって上記気体吸引通路
１１５４及び上記吸引ブロー通路１１５５を流れる気体
が外部へ漏れることはない。
材１１６を介して吸引装置１１７に接続される。吸引装
置１１７は制御装置１８０にて動作制御され、吸引装置
１１７の動作により気体吸引通路１１５４、上記吸引用
通路１１１２６を介して第１吸着溝１１１２２及び第２
吸着溝１１１２３内の空気が吸引される。又、上記吸引
ブロー通路１１５５は、上記接続部材１１６を介して吸
引ブロー装置１１８に接続される。吸引ブロー装置１１
８は制御装置１８０にて動作制御され、吸引ブロー装置
１１８の動作により吸引ブロー通路１１５５、上記気体
出入用通路１１１１５を介して上記気体出入孔１１１１
２から、気体の吸引又はブローが行われる。上記接続部
材１１６と、上述のように該接続部材１１６に回転可能
に嵌合されている上記通路形成部１１５２の接続部分１
１５３とは、Ｏ−リング等のシール部材を用いたシール
構造にて気密を保持している。よって上記気体吸引通路
１１５４及び上記吸引ブロー通路１１５５を流れる気体
が外部へ漏れることはない。
【００２０】上記ウエハ載置台１１１１は、上記２１０
℃を超える温度にて焼戻しして製造されているので、上
記約２１０℃程度の加熱により反りが生じることはな
い。よって上述のように吸着によりターンテーブル１１
１２に保持可能である。又、バンプ形成前ウエハ２０１
を載置するウエハ載置台１１１１の載置面１１１１１に
は、図４に示すように、バンプ形成前ウエハ２０１を吸
着さらにはブローするための気体の出入孔１１１１２が
開口され、又、バンプ形成前ウエハ２０１を上記載置面
１１１１１に載置するときに、バンプ形成前ウエハ２０
１を保持しているウエハ保持部１４１１の保持爪１４１
２が進入する逃がし溝１１１１３が設けられ、さらに、
載置面１１１１１に載置されたバンプ形成前ウエハ２０
１のオリエンテーションフラット部分が接触しバンプ形
成前ウエハ２０１の規正を行うために使用される位置決
めローラ１１１１４が２つ設置されている。上記気体出
入孔１１１１２は、ウエハ載置台１１１１内に形成した
気体出入用通路１１１１５に連通している。
℃を超える温度にて焼戻しして製造されているので、上
記約２１０℃程度の加熱により反りが生じることはな
い。よって上述のように吸着によりターンテーブル１１
１２に保持可能である。又、バンプ形成前ウエハ２０１
を載置するウエハ載置台１１１１の載置面１１１１１に
は、図４に示すように、バンプ形成前ウエハ２０１を吸
着さらにはブローするための気体の出入孔１１１１２が
開口され、又、バンプ形成前ウエハ２０１を上記載置面
１１１１１に載置するときに、バンプ形成前ウエハ２０
１を保持しているウエハ保持部１４１１の保持爪１４１
２が進入する逃がし溝１１１１３が設けられ、さらに、
載置面１１１１１に載置されたバンプ形成前ウエハ２０
１のオリエンテーションフラット部分が接触しバンプ形
成前ウエハ２０１の規正を行うために使用される位置決
めローラ１１１１４が２つ設置されている。上記気体出
入孔１１１１２は、ウエハ載置台１１１１内に形成した
気体出入用通路１１１１５に連通している。
【００２１】上記載置面１１１１１に対向するウエハ載
置台１１１１の裏面１１１１６には、ターンテーブル１
１１２に立設されている上記位置決め用ピン１１１２５
−１、１１１２５−２に対応して、ピン挿入穴１１１１
７−１、１１１１７−２がそれぞれ形成されている。上
記ピン挿入穴１１１１７−１は、上記位置決め用ピン１
１１２５−１と嵌合する程度の穴径の円柱状にてなる
が、上記ピン挿入穴１１１１７−２は、ウエハ載置台１
１１１の直径方向に延在する長穴形状にてなる。この理
由は、上記約２１０℃にウエハ載置台１１１１が加熱さ
れたとき、該熱によるウエハ載置台１１１１の熱膨張分
を吸収可能とするためである。上述したようにウエハ載
置台１１１１は、ターンテーブル１１１２に吸着にて保
持され、かつ上記ピン挿入穴１１１１７−２を長穴形状
にしたことより、上記約２１０℃に加熱されたときにお
いてもウエハ載置台１１１１は自由に延伸でき、延伸が
制限されたときに生じる変形が生じることはない。よっ
て、ウエハ載置台１１１１の裏面１１１１６の全面がタ
ーンテーブル１１１２の載置面１１１２１に接触できる
ので、ウエハ載置台１１１１の温度は、ウエハ載置台１
１１１の全体においてほぼ均一となる。したがって、載
置しているバンプ形成前ウエハ２０１をほぼ均一に加熱
することができる。
置台１１１１の裏面１１１１６には、ターンテーブル１
１１２に立設されている上記位置決め用ピン１１１２５
−１、１１１２５−２に対応して、ピン挿入穴１１１１
７−１、１１１１７−２がそれぞれ形成されている。上
記ピン挿入穴１１１１７−１は、上記位置決め用ピン１
１１２５−１と嵌合する程度の穴径の円柱状にてなる
が、上記ピン挿入穴１１１１７−２は、ウエハ載置台１
１１１の直径方向に延在する長穴形状にてなる。この理
由は、上記約２１０℃にウエハ載置台１１１１が加熱さ
れたとき、該熱によるウエハ載置台１１１１の熱膨張分
を吸収可能とするためである。上述したようにウエハ載
置台１１１１は、ターンテーブル１１１２に吸着にて保
持され、かつ上記ピン挿入穴１１１１７−２を長穴形状
にしたことより、上記約２１０℃に加熱されたときにお
いてもウエハ載置台１１１１は自由に延伸でき、延伸が
制限されたときに生じる変形が生じることはない。よっ
て、ウエハ載置台１１１１の裏面１１１１６の全面がタ
ーンテーブル１１１２の載置面１１１２１に接触できる
ので、ウエハ載置台１１１１の温度は、ウエハ載置台１
１１１の全体においてほぼ均一となる。したがって、載
置しているバンプ形成前ウエハ２０１をほぼ均一に加熱
することができる。
【００２２】上記ウエハ加熱装置１１３は、上述のよう
にターンテーブル１１１２を載置し、ウエハ旋回部材１
１１のターンテーブル１１１２及びウエハ載置台１１１
１を介してバンプ形成前ウエハ２０１を上記バンプボン
ディング温度に加熱する。又、詳細後述するように、ウ
エハ旋回部材１１１は、上記旋回装置１１２にて上記周
方向へ旋回するが、このときウエハ加熱部材１１３は旋
回しないように構成している。
にターンテーブル１１１２を載置し、ウエハ旋回部材１
１１のターンテーブル１１１２及びウエハ載置台１１１
１を介してバンプ形成前ウエハ２０１を上記バンプボン
ディング温度に加熱する。又、詳細後述するように、ウ
エハ旋回部材１１１は、上記旋回装置１１２にて上記周
方向へ旋回するが、このときウエハ加熱部材１１３は旋
回しないように構成している。
【００２３】このようなウエハ加熱装置１１３は、図６
に示すように、上記ターンテーブル１１１２を載置する
ターンテーブル載置板１１３１と、ヒータ１１３２と、
支持部材１１３３とを有する。ターンテーブル載置板１
１３１には、図６に示すように、制御装置１８０にて動
作制御される吸引装置１１３１１が接続されており、該
吸引装置１１３１１の吸引動作によりターンテーブル載
置板１１３１上に載置されるターンテーブル１１１２
は、ターンテーブル載置板１１３１に保持される。上記
ヒータ１１３２は、ターンテーブル載置板１１３１に該
ターンテーブル載置板１１３１の厚み方向に直交する方
向にあけられた穴１１３４に挿入された、本実施形態で
はカートリッジヒータであり、本実施形態では４本のヒ
ータ１１３２が互いに平行に並列されている。上記支持
部材１１３３は、当該バンプボンディング用加熱装置１
１０のベース板１１４上に上記ターンテーブル載置板１
１３１を支持する部材である。
に示すように、上記ターンテーブル１１１２を載置する
ターンテーブル載置板１１３１と、ヒータ１１３２と、
支持部材１１３３とを有する。ターンテーブル載置板１
１３１には、図６に示すように、制御装置１８０にて動
作制御される吸引装置１１３１１が接続されており、該
吸引装置１１３１１の吸引動作によりターンテーブル載
置板１１３１上に載置されるターンテーブル１１１２
は、ターンテーブル載置板１１３１に保持される。上記
ヒータ１１３２は、ターンテーブル載置板１１３１に該
ターンテーブル載置板１１３１の厚み方向に直交する方
向にあけられた穴１１３４に挿入された、本実施形態で
はカートリッジヒータであり、本実施形態では４本のヒ
ータ１１３２が互いに平行に並列されている。上記支持
部材１１３３は、当該バンプボンディング用加熱装置１
１０のベース板１１４上に上記ターンテーブル載置板１
１３１を支持する部材である。
【００２４】ヒータ１１３２の加熱によりターンテーブ
ル載置板１１３１は加熱され、ターンテーブル載置板１
１３１の熱は、ターンテーブル１１１２へ伝導するとと
もに、その一部は支持部材１１３３へも伝導する。この
とき、もし支持部材１１３３をヒータ１１３２の延在方
向と同方向に延在させたとすると、支持部材１１３３に
近いヒータ１１３２の熱は、支持部材１１３３から遠い
ヒータ１１３２の熱に比べて、より多く支持部材１１３
３へ伝導しやすい。よって、ターンテーブル載置板１１
３１における温度が全体でほぼ均一にならず、ターンテ
ーブル載置板１１３１に載置されているターンテーブル
１１１２、ひいてはバンプ形成前ウエハ２０１が全体的
にほぼ均一な温度にならないという問題を生じる。又、
ヒータ１１３２においても、加熱開始当初では、その全
長に渡りほぼ均一に発熱することは困難であり、両端部
分は中央部分に比べると温度が低くなってしまう。
ル載置板１１３１は加熱され、ターンテーブル載置板１
１３１の熱は、ターンテーブル１１１２へ伝導するとと
もに、その一部は支持部材１１３３へも伝導する。この
とき、もし支持部材１１３３をヒータ１１３２の延在方
向と同方向に延在させたとすると、支持部材１１３３に
近いヒータ１１３２の熱は、支持部材１１３３から遠い
ヒータ１１３２の熱に比べて、より多く支持部材１１３
３へ伝導しやすい。よって、ターンテーブル載置板１１
３１における温度が全体でほぼ均一にならず、ターンテ
ーブル載置板１１３１に載置されているターンテーブル
１１１２、ひいてはバンプ形成前ウエハ２０１が全体的
にほぼ均一な温度にならないという問題を生じる。又、
ヒータ１１３２においても、加熱開始当初では、その全
長に渡りほぼ均一に発熱することは困難であり、両端部
分は中央部分に比べると温度が低くなってしまう。
【００２５】そこで本実施形態では、支持部材１１３３
へのヒータ１１３２の熱の伝導が偏らずターンテーブル
載置板１１３１の全体がほぼ均一な温度になるように、
ヒータ１１３２の延在方向及びターンテーブル載置板１
１３１の厚み方向に直交する方向に沿って、又、各ヒー
タ１１３２の上記両端部分に対応して支持部材１１３３
が延在するように、支持部材１１３３を延在させてい
る。このように構成することで、４本のヒータ１１３２
のそれぞれから支持部材１１３３へ熱が伝導するので、
ターンテーブル載置板１１３１の全体をほぼ均一な温度
にすることができ、バンプ形成前ウエハ２０１の全体を
ほぼ均一な温度にすることができる。
へのヒータ１１３２の熱の伝導が偏らずターンテーブル
載置板１１３１の全体がほぼ均一な温度になるように、
ヒータ１１３２の延在方向及びターンテーブル載置板１
１３１の厚み方向に直交する方向に沿って、又、各ヒー
タ１１３２の上記両端部分に対応して支持部材１１３３
が延在するように、支持部材１１３３を延在させてい
る。このように構成することで、４本のヒータ１１３２
のそれぞれから支持部材１１３３へ熱が伝導するので、
ターンテーブル載置板１１３１の全体をほぼ均一な温度
にすることができ、バンプ形成前ウエハ２０１の全体を
ほぼ均一な温度にすることができる。
【００２６】上記旋回装置１１２は、本実施形態ではサ
ーボモータにてなり制御装置１８０にて動作制御される
駆動源１１２１と、上記ターンテーブル１１１２の上記
歯１１１２７に係合する歯車１１２２と、ターンテーブ
ル１１１２の熱が上記駆動源１１２１に伝達するのを防
止し、かつ駆動源１１２１にて発生した駆動力を上記歯
車１１２２に伝達して歯車１１２２を回転させる回転力
伝達機構１１２３とを有する。本実施形態では、回転力
伝達機構１１２３としてタイミングベルトを使用してい
るが、該構造に限定されるものではない。
ーボモータにてなり制御装置１８０にて動作制御される
駆動源１１２１と、上記ターンテーブル１１１２の上記
歯１１１２７に係合する歯車１１２２と、ターンテーブ
ル１１１２の熱が上記駆動源１１２１に伝達するのを防
止し、かつ駆動源１１２１にて発生した駆動力を上記歯
車１１２２に伝達して歯車１１２２を回転させる回転力
伝達機構１１２３とを有する。本実施形態では、回転力
伝達機構１１２３としてタイミングベルトを使用してい
るが、該構造に限定されるものではない。
【００２７】上記昇降装置１１９にて上記加熱位置１１
９１と上記移載位置１１９２との間にて昇降する上記昇
降用板１２０には、図９〜図１１に示すように、ターン
テーブル１１１２の周囲にて周方向に等間隔で４箇所に
対応するように４本の支柱１２３が立設されている。各
支柱１２３の先端には、上記ターンテーブル１１１２の
周囲に形成されている歯１１１２７に係合し、かつ昇降
用板１２０の上記昇降に対応して上記ターンテーブル１
１１２を上記加熱位置１１９１と上記移載位置１１９２
との間にて昇降させるガイドローラ１２２が、各支柱１
２３に回転可能に支持されている。各ガイドローラ１２
２は、上記支柱１２３にベアリング１２２５にて回転可
能に支持された円筒体と、該円筒体の下端部及び上端部
にて該円筒体の直径方向に突出した下フランジ１２２１
及び上フランジ１２２２とを一体的に形成し、さらに、
図７に示すように、下フランジ１２２１及び上フランジ
１２２２の各周縁部にて下フランジ１２２１及び上フラ
ンジ１２２２の間にピン１２２３を設けた構造をなす。
下フランジ１２２１及び上フランジ１２２２の周方向に
沿って配列されたピン１２２３のピッチは、ターンテー
ブル１１１２の歯１１１２７の配列ピッチに等しい。よ
って、上記旋回装置１１２の動作によるターンテーブル
１１１２の回転に応じて、ガイドローラ１２２も回転す
る。このように構成されるガイドローラ１２２は、上記
ターンテーブル載置板１１３１上でのターンテーブル１
１１２の直径方向へのずれを防止するとともに、下フラ
ンジ１２２１とターンテーブル１１１２の歯１１１２７
との接触により上述のようにターンテーブル１１１２の
昇降を行う。
９１と上記移載位置１１９２との間にて昇降する上記昇
降用板１２０には、図９〜図１１に示すように、ターン
テーブル１１１２の周囲にて周方向に等間隔で４箇所に
対応するように４本の支柱１２３が立設されている。各
支柱１２３の先端には、上記ターンテーブル１１１２の
周囲に形成されている歯１１１２７に係合し、かつ昇降
用板１２０の上記昇降に対応して上記ターンテーブル１
１１２を上記加熱位置１１９１と上記移載位置１１９２
との間にて昇降させるガイドローラ１２２が、各支柱１
２３に回転可能に支持されている。各ガイドローラ１２
２は、上記支柱１２３にベアリング１２２５にて回転可
能に支持された円筒体と、該円筒体の下端部及び上端部
にて該円筒体の直径方向に突出した下フランジ１２２１
及び上フランジ１２２２とを一体的に形成し、さらに、
図７に示すように、下フランジ１２２１及び上フランジ
１２２２の各周縁部にて下フランジ１２２１及び上フラ
ンジ１２２２の間にピン１２２３を設けた構造をなす。
下フランジ１２２１及び上フランジ１２２２の周方向に
沿って配列されたピン１２２３のピッチは、ターンテー
ブル１１１２の歯１１１２７の配列ピッチに等しい。よ
って、上記旋回装置１１２の動作によるターンテーブル
１１１２の回転に応じて、ガイドローラ１２２も回転す
る。このように構成されるガイドローラ１２２は、上記
ターンテーブル載置板１１３１上でのターンテーブル１
１１２の直径方向へのずれを防止するとともに、下フラ
ンジ１２２１とターンテーブル１１１２の歯１１１２７
との接触により上述のようにターンテーブル１１１２の
昇降を行う。
【００２８】ガイドローラ１２２の上述の機能によれば
ガイドローラ１２２は、必ずしも、ターンテーブル１１
１２とともに一対一に旋回する必要はなく、図８に示す
ように、ピン１２２３を設けず、下フランジとターンテ
ーブル１１１２の歯１１１２７とを接触させても良い。
しかしながら該構造では、ガイドローラはターンテーブ
ル１１１２の旋回に一対一に対応して回転しないので、
本実施形態における上記ガイドローラ１２２の場合に比
べて、上記下フランジと歯１１１２７とはより多く擦れ
合う。よって、摩耗による粉塵が発生する可能性が高い
ので別途粉塵対策が必要となる。本実施形態のガイドロ
ーラ１２２では上述のように粉塵の発生は少ないが、下
フランジ１２２１には耐蝕耐熱焼入れ鋼を使用して粉塵
発生をさらに低減させている。
ガイドローラ１２２は、必ずしも、ターンテーブル１１
１２とともに一対一に旋回する必要はなく、図８に示す
ように、ピン１２２３を設けず、下フランジとターンテ
ーブル１１１２の歯１１１２７とを接触させても良い。
しかしながら該構造では、ガイドローラはターンテーブ
ル１１１２の旋回に一対一に対応して回転しないので、
本実施形態における上記ガイドローラ１２２の場合に比
べて、上記下フランジと歯１１１２７とはより多く擦れ
合う。よって、摩耗による粉塵が発生する可能性が高い
ので別途粉塵対策が必要となる。本実施形態のガイドロ
ーラ１２２では上述のように粉塵の発生は少ないが、下
フランジ１２２１には耐蝕耐熱焼入れ鋼を使用して粉塵
発生をさらに低減させている。
【００２９】又、図１２に示すように、４つのガイドロ
ーラ１２２は、上記旋回装置１１２の歯車１１２２によ
ってターンテーブル１１１２が旋回したとき、上記歯車
１１２２に対して遠い位置に設けられる２つのガイドロ
ーラ１２２−１では、ターンテーブル１１１２の歯１１
１２７における谷と該谷に係合する上記ピン１２２３と
の間に隙間が生じず、一方、上記歯車１１２２に対して
近い位置に設けられる２つのガイドローラ１２２−２で
は、ターンテーブル１１１２の歯１１１２７における谷
と該谷に係合する上記ピン１２２３との間に隙間１２２
６が生じるように配置されている。尚、本実施形態で
は、上記隙間１２２６は、ターンテーブル１１１２の直
径方向において常温時で０．２７ｍｍに設定している。
上述のようにターンテーブル１１１２は約２１０℃程度
に加熱されるが、上記隙間１２２６を設けることで、熱
によるターンテーブル１１１２の熱膨張分を吸収でき、
ターンテーブル１１１２の反り等の変形を防止しターン
テーブル１１１２の全体がほぼ均一の温度となるように
作用し、ひいてはウエハ載置台１１１１上のバンプ形成
前ウエハ２０１の全体がほぼ均一の温度になるように作
用する。
ーラ１２２は、上記旋回装置１１２の歯車１１２２によ
ってターンテーブル１１１２が旋回したとき、上記歯車
１１２２に対して遠い位置に設けられる２つのガイドロ
ーラ１２２−１では、ターンテーブル１１１２の歯１１
１２７における谷と該谷に係合する上記ピン１２２３と
の間に隙間が生じず、一方、上記歯車１１２２に対して
近い位置に設けられる２つのガイドローラ１２２−２で
は、ターンテーブル１１１２の歯１１１２７における谷
と該谷に係合する上記ピン１２２３との間に隙間１２２
６が生じるように配置されている。尚、本実施形態で
は、上記隙間１２２６は、ターンテーブル１１１２の直
径方向において常温時で０．２７ｍｍに設定している。
上述のようにターンテーブル１１１２は約２１０℃程度
に加熱されるが、上記隙間１２２６を設けることで、熱
によるターンテーブル１１１２の熱膨張分を吸収でき、
ターンテーブル１１１２の反り等の変形を防止しターン
テーブル１１１２の全体がほぼ均一の温度となるように
作用し、ひいてはウエハ載置台１１１１上のバンプ形成
前ウエハ２０１の全体がほぼ均一の温度になるように作
用する。
【００３０】さらに当該バンプボンディング用加熱装置
１１０には、ウエハ載置台１１１１上にバンプ形成前ウ
エハ２０１が載置されたとき、バンプ形成前ウエハ２０
１をウエハ載置台１１１上の規定位置にセットするた
め、図３及び図１３に示すように、ウエハ規正装置１２
５が設けられる。該ウエハ規正装置１２５は、ウエハ載
置台１１１上のバンプ形成前ウエハ２０１の周囲に接触
する２つの規正ローラ１２５２と、該規正ローラ１２５
２を上記バンプ形成前ウエハ２０１の直径方向へ移動さ
せる、制御装置１８０にて動作制御される駆動部１２５
１とを有する。該ウエハ規正装置１２５は、バンプ形成
前ウエハ２０１をウエハ載置台１１１１から浮上させた
状態で、駆動部１２５１にて規正ローラ１２５２を上記
直径方向に移動させて、ウエハ載置台１１１上に設けら
れている上記位置決めローラ１１１１４に上記バンプ形
成前ウエハ２０１のオリエンテーションフラットがなら
うようにバンプ形成前ウエハ２０１を数回回転してバン
プ形成前ウエハ２０１の位置決めを行う。
１１０には、ウエハ載置台１１１１上にバンプ形成前ウ
エハ２０１が載置されたとき、バンプ形成前ウエハ２０
１をウエハ載置台１１１上の規定位置にセットするた
め、図３及び図１３に示すように、ウエハ規正装置１２
５が設けられる。該ウエハ規正装置１２５は、ウエハ載
置台１１１上のバンプ形成前ウエハ２０１の周囲に接触
する２つの規正ローラ１２５２と、該規正ローラ１２５
２を上記バンプ形成前ウエハ２０１の直径方向へ移動さ
せる、制御装置１８０にて動作制御される駆動部１２５
１とを有する。該ウエハ規正装置１２５は、バンプ形成
前ウエハ２０１をウエハ載置台１１１１から浮上させた
状態で、駆動部１２５１にて規正ローラ１２５２を上記
直径方向に移動させて、ウエハ載置台１１１上に設けら
れている上記位置決めローラ１１１１４に上記バンプ形
成前ウエハ２０１のオリエンテーションフラットがなら
うようにバンプ形成前ウエハ２０１を数回回転してバン
プ形成前ウエハ２０１の位置決めを行う。
【００３１】以上説明したバンプボンディング用加熱装
置１１０は、図３に示すように、上記バンプ形成前ウエ
ハ２０１上の回路部分の電極にバンプを形成するバンプ
形成装置１０１に組み込むことができる。尚、該バンプ
形成装置１０１は、バンプ形成前の圧電基板ウエハ２０
１を層状に収納した第１収納容器と、バンプ形成後の圧
電基板ウエハ２０２を層状に収納する第２収納容器との
両方を備えた、いわゆる両マガジンタイプであるが、該
タイプに限定されるものではなく、上記バンプ形成前圧
電基板ウエハ２０１及び上記バンプ形成後圧電基板ウエ
ハ２０２を一つの収納容器に収納するいわゆる片マガジ
ンタイプを構成することもできる。上記バンプ形成装置
１０１は、大別して、一つの上記バンプボンディング用
加熱装置１１０と、一つのバンプ形成ヘッド１９０と、
搬送装置１３０と、搬入側と搬出側にそれぞれ設けた移
載装置１４０と、上記収納容器についてそれぞれ設けら
れそれぞれの収納容器を昇降させる昇降装置１５０と、
プリヒート装置１６０と、ポストヒート装置１７０と、
制御装置１８０とを備える。
置１１０は、図３に示すように、上記バンプ形成前ウエ
ハ２０１上の回路部分の電極にバンプを形成するバンプ
形成装置１０１に組み込むことができる。尚、該バンプ
形成装置１０１は、バンプ形成前の圧電基板ウエハ２０
１を層状に収納した第１収納容器と、バンプ形成後の圧
電基板ウエハ２０２を層状に収納する第２収納容器との
両方を備えた、いわゆる両マガジンタイプであるが、該
タイプに限定されるものではなく、上記バンプ形成前圧
電基板ウエハ２０１及び上記バンプ形成後圧電基板ウエ
ハ２０２を一つの収納容器に収納するいわゆる片マガジ
ンタイプを構成することもできる。上記バンプ形成装置
１０１は、大別して、一つの上記バンプボンディング用
加熱装置１１０と、一つのバンプ形成ヘッド１９０と、
搬送装置１３０と、搬入側と搬出側にそれぞれ設けた移
載装置１４０と、上記収納容器についてそれぞれ設けら
れそれぞれの収納容器を昇降させる昇降装置１５０と、
プリヒート装置１６０と、ポストヒート装置１７０と、
制御装置１８０とを備える。
【００３２】上記バンプ形成ヘッド１９０は、上記バン
プボンディング用加熱装置１１０に載置され上記バンプ
ボンディング用温度に加熱されたバンプ形成前ウエハ２
０１の上記電極にバンプを形成するための公知の装置で
あり、バンプの材料となる金線を供給するワイヤ供給部
１９１の他、上記金線を溶融してボールを形成し該溶融
ボールを上記電極に押圧するバンプ作製部、上記押圧時
にバンプに超音波を作用させる超音波発生部等を備え
る。又、このように構成されるバンプ形成ヘッド１９０
は、例えばボールねじ構造を有し平面上で互いに直交す
るＸ，Ｙ方向に移動可能なＸ，Ｙテーブル１９２上に設
置されており、固定されている上記バンプ形成前ウエハ
２０１の各上記電極にバンプを形成可能なように上記
Ｘ，Ｙテーブル１２２によって上記Ｘ，Ｙ方向に移動さ
れる。
プボンディング用加熱装置１１０に載置され上記バンプ
ボンディング用温度に加熱されたバンプ形成前ウエハ２
０１の上記電極にバンプを形成するための公知の装置で
あり、バンプの材料となる金線を供給するワイヤ供給部
１９１の他、上記金線を溶融してボールを形成し該溶融
ボールを上記電極に押圧するバンプ作製部、上記押圧時
にバンプに超音波を作用させる超音波発生部等を備え
る。又、このように構成されるバンプ形成ヘッド１９０
は、例えばボールねじ構造を有し平面上で互いに直交す
るＸ，Ｙ方向に移動可能なＸ，Ｙテーブル１９２上に設
置されており、固定されている上記バンプ形成前ウエハ
２０１の各上記電極にバンプを形成可能なように上記
Ｘ，Ｙテーブル１２２によって上記Ｘ，Ｙ方向に移動さ
れる。
【００３３】当該バンプ形成装置１０１では、上記搬送
装置１３０として２種類設けられている。その一つであ
る搬入装置１３１は、上記第１収納容器から上記バンプ
形成前ウエハ２０１を取り出す装置であり、他の一つで
ある搬出装置１３２は、バンプ形成後のバンプ形成後ウ
エハ２０２を上記第２収納容器へ搬送し収納する装置で
ある。搬出装置１３２も搬入装置１３１と同様の構造を
有し、同様に動作する。又、搬入装置１３１の設置箇所
には、第１収納容器２０５から搬入装置１３１にて取り
出したバンプ形成前ウエハ２０１のオリエンテーション
フラットを所定方向に配向させる、オリフラ合わせ装置
１３３が設けられている。
装置１３０として２種類設けられている。その一つであ
る搬入装置１３１は、上記第１収納容器から上記バンプ
形成前ウエハ２０１を取り出す装置であり、他の一つで
ある搬出装置１３２は、バンプ形成後のバンプ形成後ウ
エハ２０２を上記第２収納容器へ搬送し収納する装置で
ある。搬出装置１３２も搬入装置１３１と同様の構造を
有し、同様に動作する。又、搬入装置１３１の設置箇所
には、第１収納容器２０５から搬入装置１３１にて取り
出したバンプ形成前ウエハ２０１のオリエンテーション
フラットを所定方向に配向させる、オリフラ合わせ装置
１３３が設けられている。
【００３４】上記移載装置１４０は、当該バンプ形成装
置１０１では、搬入側移載装置１４１と搬出側移載装置
１４２とを備える。搬入側移載装置１４１は、上記搬入
装置１３１の保持台１３１１に保持された上記バンプ形
成前ウエハ２０１をウエハ保持部１４１１にて挟持し、
プリヒート装置１６０への搬送と、プリヒート装置１６
０からバンプボンディング用加熱装置１１０への搬送を
行う。一方、搬出側移載装置１４２は、バンプボンディ
ング用加熱装置１１０の上記ウエハ載置台１１１上の上
記バンプ形成後ウエハ２０２をウエハ保持部１４２１に
て挟持し、ポストヒート装置１７０への搬送と、ポスト
ヒート装置１７０から上記搬出装置１３２の保持台１３
２１への搬送とを行う。
置１０１では、搬入側移載装置１４１と搬出側移載装置
１４２とを備える。搬入側移載装置１４１は、上記搬入
装置１３１の保持台１３１１に保持された上記バンプ形
成前ウエハ２０１をウエハ保持部１４１１にて挟持し、
プリヒート装置１６０への搬送と、プリヒート装置１６
０からバンプボンディング用加熱装置１１０への搬送を
行う。一方、搬出側移載装置１４２は、バンプボンディ
ング用加熱装置１１０の上記ウエハ載置台１１１上の上
記バンプ形成後ウエハ２０２をウエハ保持部１４２１に
て挟持し、ポストヒート装置１７０への搬送と、ポスト
ヒート装置１７０から上記搬出装置１３２の保持台１３
２１への搬送とを行う。
【００３５】上記昇降装置１５０は、上記第１収納容器
を載置する第１昇降装置１５１と、上記第２収納容器を
載置する第２昇降装置１５２とを備える。第１昇降装置
１５１は、上記バンプ形成前ウエハ２０１が上記搬入装
置１３１によって取り出し可能な位置に配置されるよう
に、上記第１収納容器を昇降する。第２昇降装置１５２
は、上記搬出装置１３２にて保持されているバンプ形成
後ウエハ２０２を第２収納容器内の所定位置へ収納可能
なように、上記第２収納容器を昇降する。
を載置する第１昇降装置１５１と、上記第２収納容器を
載置する第２昇降装置１５２とを備える。第１昇降装置
１５１は、上記バンプ形成前ウエハ２０１が上記搬入装
置１３１によって取り出し可能な位置に配置されるよう
に、上記第１収納容器を昇降する。第２昇降装置１５２
は、上記搬出装置１３２にて保持されているバンプ形成
後ウエハ２０２を第２収納容器内の所定位置へ収納可能
なように、上記第２収納容器を昇降する。
【００３６】上記プリヒート装置１６０は、搬入装置１
３１からウエハ保持部１４１１にて保持したバンプ形成
前ウエハ２０１を載置して、室温から、バンプボンディ
ング用加熱装置１１０にてバンプ形成を行うときの上記
バンプボンディング用温度である約２１０℃付近まで昇
温する装置である。上記ポストヒート装置１７０は、バ
ンプ形成後、バンプボンディング用加熱装置１１０から
ウエハ保持部１４２１にて保持したバンプ形成後ウエハ
２０２を載置して、上記バンプボンディング用温度の約
２１０℃付近から室温付近まで徐々に降温するための装
置である。
３１からウエハ保持部１４１１にて保持したバンプ形成
前ウエハ２０１を載置して、室温から、バンプボンディ
ング用加熱装置１１０にてバンプ形成を行うときの上記
バンプボンディング用温度である約２１０℃付近まで昇
温する装置である。上記ポストヒート装置１７０は、バ
ンプ形成後、バンプボンディング用加熱装置１１０から
ウエハ保持部１４２１にて保持したバンプ形成後ウエハ
２０２を載置して、上記バンプボンディング用温度の約
２１０℃付近から室温付近まで徐々に降温するための装
置である。
【００３７】尚、本実施形態のバンプ形成装置では、プ
リヒート装置１６０及びポストヒート装置１７０を設け
た場合を示しているが、プリヒート装置１６０及びポス
トヒート装置１７０を設けず、バンプボンディング用加
熱装置１１０にてプリヒート動作からポストヒート動作
までの昇降温動作を行うように構成することもできる。
リヒート装置１６０及びポストヒート装置１７０を設け
た場合を示しているが、プリヒート装置１６０及びポス
トヒート装置１７０を設けず、バンプボンディング用加
熱装置１１０にてプリヒート動作からポストヒート動作
までの昇降温動作を行うように構成することもできる。
【００３８】以上説明したバンプ形成装置１０１に備わ
るバンプボンディング用加熱装置１１０の動作について
以下に説明する。尚、各動作は、制御装置１８０にて制
御される。図１４のステップ（図では「Ｓ」にて示す）
１０１では、図１５に示すように、上述したように上記
ウエハ保持部１４１１にて保持されたバンプ形成前ウエ
ハ２０１が上記プリヒート装置１６０からバンプボンデ
ィング用加熱装置１１０へ搬入される。次のステップ１
０２では、上記加熱装置１１３に備わる上記ターンテー
ブル載置板１１３１へのターンテーブル１１１２の上記
吸引装置１１３１１による吸着動作を停止する。尚、該
吸着動作停止前に、ターンテーブル１１１２及びウエハ
載置台１１１は、加熱装置１１０にて既に上記約２１０
℃程度に昇温されている。
るバンプボンディング用加熱装置１１０の動作について
以下に説明する。尚、各動作は、制御装置１８０にて制
御される。図１４のステップ（図では「Ｓ」にて示す）
１０１では、図１５に示すように、上述したように上記
ウエハ保持部１４１１にて保持されたバンプ形成前ウエ
ハ２０１が上記プリヒート装置１６０からバンプボンデ
ィング用加熱装置１１０へ搬入される。次のステップ１
０２では、上記加熱装置１１３に備わる上記ターンテー
ブル載置板１１３１へのターンテーブル１１１２の上記
吸引装置１１３１１による吸着動作を停止する。尚、該
吸着動作停止前に、ターンテーブル１１１２及びウエハ
載置台１１１は、加熱装置１１０にて既に上記約２１０
℃程度に昇温されている。
【００３９】次のステップ１０３では、上記昇降装置１
１９を動作させ、昇降用板１２０を上記加熱位置１１９
１から上記移載位置１１９２へ向かって上昇させる。該
上昇動作により、昇降用板１２０に固定されている接続
部材１１６、及び昇降用板１２０に立設されている支柱
１２３に回転自在に支持されている上記ガイドローラ１
２２がともに同時に上昇する。ガイドローラ１２２の上
昇により、図１１に示すように、ガイドローラ１２２の
下フランジ１２２１に接触している歯１１１２７を介し
てウエハ載置台１１１を載置しているターンテーブル１
１１２が上記移載位置１１９２まで上昇する。尚、ター
ンテーブル１１１２に固定されている上記継手１１５も
ターンテーブル１１１２とともに上昇するので、上記接
続部材１１６と継手１１５の接続部分１１５３とは昇降
方向に位置ずれを起こすことなく一体的に上昇する。
又、下降するときも上昇時と同様に動作するので、上記
接続部材１１６と継手１１５の接続部分１１５３とが上
記昇降方向に位置ずれを起こすことはない。
１９を動作させ、昇降用板１２０を上記加熱位置１１９
１から上記移載位置１１９２へ向かって上昇させる。該
上昇動作により、昇降用板１２０に固定されている接続
部材１１６、及び昇降用板１２０に立設されている支柱
１２３に回転自在に支持されている上記ガイドローラ１
２２がともに同時に上昇する。ガイドローラ１２２の上
昇により、図１１に示すように、ガイドローラ１２２の
下フランジ１２２１に接触している歯１１１２７を介し
てウエハ載置台１１１を載置しているターンテーブル１
１１２が上記移載位置１１９２まで上昇する。尚、ター
ンテーブル１１１２に固定されている上記継手１１５も
ターンテーブル１１１２とともに上昇するので、上記接
続部材１１６と継手１１５の接続部分１１５３とは昇降
方向に位置ずれを起こすことなく一体的に上昇する。
又、下降するときも上昇時と同様に動作するので、上記
接続部材１１６と継手１１５の接続部分１１５３とが上
記昇降方向に位置ずれを起こすことはない。
【００４０】上記ステップ１０３にてウエハ載置台１１
１が移載位置１１９２に到達することで、ステップ１０
４にて図１６及び図１９に示すように、ウエハ載置台１
１１が上記ウエハ保持部１４１１に保持されているバン
プ形成前ウエハ２０１に接触し、バンプ形成前ウエハ２
０１のウエハ載置台１１１上への受け取りが行われ、ウ
エハ載置台１１１上にバンプ形成前ウエハ２０１が載置
される。この状態において、ステップ１０５では、ウエ
ハ載置台１１１上でのバンプ形成前ウエハ２０１の位置
規正動作が行われる。即ち、図１７に示すようにウエハ
保持部１４１１の保持爪１４１２が開きバンプ形成前ウ
エハ２０１の保持を解除し、さらに、上記吸引ブロー装
置１１８が動作し上記吸引ブロー通路１１５５及び気体
出入用通路１１１１５を介して気体、本実施形態ではク
リーンエアー又は窒素ガスがウエハ載置台１１１の上記
気体出入孔１１１１２から噴出される。尚、このときバ
ンプ形成前ウエハ２０１はプリヒートされているので、
噴出する気体は、バンプ形成前ウエハ２０１の温度をほ
とんど低下させない温度に加熱されている。上記気体の
噴出により、バンプ形成前ウエハ２０１はウエハ載置台
１１１上より約０．５ｍｍ程度浮き上がる。該浮上して
いる間に、図２０に示すように、ウエハ規正装置１２５
の規正ローラ１２５２が駆動部１２５１によってバンプ
形成前ウエハ２０１の直径方向に移動して、バンプ形成
前ウエハ２０１の外周に接触し、バンプ形成前ウエハ２
０１のオリエンテーションフラットが上記位置決めロー
ラ１１１１４に当接するまでバンプ形成前ウエハ２０１
を押し進め、位置決めローラ１１１１４に上記オリエン
テーションフラットがならうように、バンプ形成前ウエ
ハ２０１のオリエンテーションフラットの規正を行う。
該動作にて上記位置規正が行われる。該位置規正動作の
終了後、吸引ブロー装置１１８は気体噴出動作を停止
し、吸引動作を開始する。よって該吸引動作により上記
気体出入孔１１１１２から空気が吸引され、バンプ形成
前ウエハ２０１はウエハ載置台１１１上に吸着される。
１が移載位置１１９２に到達することで、ステップ１０
４にて図１６及び図１９に示すように、ウエハ載置台１
１１が上記ウエハ保持部１４１１に保持されているバン
プ形成前ウエハ２０１に接触し、バンプ形成前ウエハ２
０１のウエハ載置台１１１上への受け取りが行われ、ウ
エハ載置台１１１上にバンプ形成前ウエハ２０１が載置
される。この状態において、ステップ１０５では、ウエ
ハ載置台１１１上でのバンプ形成前ウエハ２０１の位置
規正動作が行われる。即ち、図１７に示すようにウエハ
保持部１４１１の保持爪１４１２が開きバンプ形成前ウ
エハ２０１の保持を解除し、さらに、上記吸引ブロー装
置１１８が動作し上記吸引ブロー通路１１５５及び気体
出入用通路１１１１５を介して気体、本実施形態ではク
リーンエアー又は窒素ガスがウエハ載置台１１１の上記
気体出入孔１１１１２から噴出される。尚、このときバ
ンプ形成前ウエハ２０１はプリヒートされているので、
噴出する気体は、バンプ形成前ウエハ２０１の温度をほ
とんど低下させない温度に加熱されている。上記気体の
噴出により、バンプ形成前ウエハ２０１はウエハ載置台
１１１上より約０．５ｍｍ程度浮き上がる。該浮上して
いる間に、図２０に示すように、ウエハ規正装置１２５
の規正ローラ１２５２が駆動部１２５１によってバンプ
形成前ウエハ２０１の直径方向に移動して、バンプ形成
前ウエハ２０１の外周に接触し、バンプ形成前ウエハ２
０１のオリエンテーションフラットが上記位置決めロー
ラ１１１１４に当接するまでバンプ形成前ウエハ２０１
を押し進め、位置決めローラ１１１１４に上記オリエン
テーションフラットがならうように、バンプ形成前ウエ
ハ２０１のオリエンテーションフラットの規正を行う。
該動作にて上記位置規正が行われる。該位置規正動作の
終了後、吸引ブロー装置１１８は気体噴出動作を停止
し、吸引動作を開始する。よって該吸引動作により上記
気体出入孔１１１１２から空気が吸引され、バンプ形成
前ウエハ２０１はウエハ載置台１１１上に吸着される。
【００４１】次のステップ１０６では、旋回装置１１２
の駆動源１１２１が動作し、図２１に示すように、上記
歯車１１２２にてターンテーブル１１１２がボンディン
グ角度分旋回する。ここで、上記ボンディング角度とは
以下のような角度である。即ち、バンプ形成ヘッド１９
０がＸ，Ｙテーブル１９２にてＸ，Ｙ方向にのみ移動可
能であることから、ウエハの結晶の方位に対して傾斜し
た方向に素子を形成したウエハに対してバンプを形成す
るときには、上記Ｘ，Ｙ方向のいずれか一方向と上記傾
斜方向とを一致させた方がＸ，Ｙテーブル１９２の移動
量が少なくなりタクト短縮を図れることから好ましい。
よって上記ボンディング角度とは、上記Ｘ，Ｙ方向のい
ずれか一方向、即ち、回路素子を形成する前の半導体ウ
エハにおける例えば結晶方位又は該結晶方位方向に直交
する方向と、上記傾斜方向とを一致させるための、ウエ
ハの回転角度である。又、このようなボンディング角度
は、処理対象であるウエハの種類毎に制御装置１８０内
の記憶部に記憶されており、必要に応じて制御装置１８
０にて読み出さる。そして制御装置１８０は、上記ボン
ディング角度分の旋回がなされるように、駆動源１１２
１の動作制御を行う。
の駆動源１１２１が動作し、図２１に示すように、上記
歯車１１２２にてターンテーブル１１１２がボンディン
グ角度分旋回する。ここで、上記ボンディング角度とは
以下のような角度である。即ち、バンプ形成ヘッド１９
０がＸ，Ｙテーブル１９２にてＸ，Ｙ方向にのみ移動可
能であることから、ウエハの結晶の方位に対して傾斜し
た方向に素子を形成したウエハに対してバンプを形成す
るときには、上記Ｘ，Ｙ方向のいずれか一方向と上記傾
斜方向とを一致させた方がＸ，Ｙテーブル１９２の移動
量が少なくなりタクト短縮を図れることから好ましい。
よって上記ボンディング角度とは、上記Ｘ，Ｙ方向のい
ずれか一方向、即ち、回路素子を形成する前の半導体ウ
エハにおける例えば結晶方位又は該結晶方位方向に直交
する方向と、上記傾斜方向とを一致させるための、ウエ
ハの回転角度である。又、このようなボンディング角度
は、処理対象であるウエハの種類毎に制御装置１８０内
の記憶部に記憶されており、必要に応じて制御装置１８
０にて読み出さる。そして制御装置１８０は、上記ボン
ディング角度分の旋回がなされるように、駆動源１１２
１の動作制御を行う。
【００４２】上述のように本実施形態では、駆動源１１
２１としてサーボモータを使用し、かつ歯車１１２２に
係合する歯１１１２７を設けたターンテーブル１１１２
を上記サーボモータにて回転される上記歯車１１２２に
て旋回させるように構成したことから、従来の気体浮上
式に比べて、遥かに高い精度にてバンプ形成前ウエハ２
０１を旋回させることができる。したがって、上記ボン
ディング角度分の旋回を要する場合であっても、高精度
にてバンプ形成前ウエハ２０１を旋回させることができ
る。尚、歯車１１２２と歯１１１２７とを係合させてい
ることから、旋回動作を行ったときにはバックラッシュ
に起因する旋回量誤差が生じる。よって、本実施形態で
も、例えば正転、反転を行う等の公知の誤差是正方法を
採っている。
２１としてサーボモータを使用し、かつ歯車１１２２に
係合する歯１１１２７を設けたターンテーブル１１１２
を上記サーボモータにて回転される上記歯車１１２２に
て旋回させるように構成したことから、従来の気体浮上
式に比べて、遥かに高い精度にてバンプ形成前ウエハ２
０１を旋回させることができる。したがって、上記ボン
ディング角度分の旋回を要する場合であっても、高精度
にてバンプ形成前ウエハ２０１を旋回させることができ
る。尚、歯車１１２２と歯１１１２７とを係合させてい
ることから、旋回動作を行ったときにはバックラッシュ
に起因する旋回量誤差が生じる。よって、本実施形態で
も、例えば正転、反転を行う等の公知の誤差是正方法を
採っている。
【００４３】次のステップ１０７では、図１８に示すよ
うに、上記昇降装置１１９を動作させ、昇降用板１２０
を上記移載位置１１９２から上記加熱位置１１９１へ向
かって下降させる。該下降動作により、ガイドローラ１
２２も下降するのでターンテーブル１１１２が下降し、
ターンテーブル１１１２上のウエハ載置台１１１が上記
加熱位置１１９１へ配置される。そして次のステップ１
０８では、再び上記吸引装置１１３１１を動作させて、
ターンテーブル１１１２を加熱装置１１０のターンテー
ブル載置板１１３１へ吸着させる。これにてターンテー
ブル１１１２は、上述の上昇動作にて若干冷えた分、再
び約２１０℃程度に加熱され、バンプ形成前ウエハ２０
１はバンプボンディング用温度に加熱される。尚、バン
プ形成前ウエハ２０１もプリヒート動作にて既にほぼバ
ンプボンディング用温度に加熱されている。そして次の
ステップ１０９では、バンプ形成ヘッド１９０によって
バンプ形成前ウエハ２０１の回路部分の電極上にバンプ
が形成されていく。該バンプ形成終了後、ステップ１１
０にて、バンプ形成後ウエハ２０２は、搬出側移載装置
１４２のウエハ保持部１４２１にてウエハ載置台１１１
上から搬出される。
うに、上記昇降装置１１９を動作させ、昇降用板１２０
を上記移載位置１１９２から上記加熱位置１１９１へ向
かって下降させる。該下降動作により、ガイドローラ１
２２も下降するのでターンテーブル１１１２が下降し、
ターンテーブル１１１２上のウエハ載置台１１１が上記
加熱位置１１９１へ配置される。そして次のステップ１
０８では、再び上記吸引装置１１３１１を動作させて、
ターンテーブル１１１２を加熱装置１１０のターンテー
ブル載置板１１３１へ吸着させる。これにてターンテー
ブル１１１２は、上述の上昇動作にて若干冷えた分、再
び約２１０℃程度に加熱され、バンプ形成前ウエハ２０
１はバンプボンディング用温度に加熱される。尚、バン
プ形成前ウエハ２０１もプリヒート動作にて既にほぼバ
ンプボンディング用温度に加熱されている。そして次の
ステップ１０９では、バンプ形成ヘッド１９０によって
バンプ形成前ウエハ２０１の回路部分の電極上にバンプ
が形成されていく。該バンプ形成終了後、ステップ１１
０にて、バンプ形成後ウエハ２０２は、搬出側移載装置
１４２のウエハ保持部１４２１にてウエハ載置台１１１
上から搬出される。
【００４４】上記実施形態によれば、上記バンプボンデ
ィング用加熱装置１１０を備えたことで、従来の気体浮
上式のような半導体ウエハの大きさや重さによって噴出
する気体の圧力、流量等の制御を要するという煩わしさ
はなくなり、取り扱いが容易になる。さらに又、従来の
気体浮上式に比べて、遥かに高い精度にてバンプ形成前
ウエハ２０１を旋回させることができ、上記ボンディン
グ角度分の旋回を要する場合であっても、高精度にてバ
ンプ形成前ウエハ２０１を旋回させることができる。さ
らに又、ターンテーブル１１１２等を加熱する加熱装置
１１０は旋回しない構造であるので、コンパクトな装置
構成を図ることができる。
ィング用加熱装置１１０を備えたことで、従来の気体浮
上式のような半導体ウエハの大きさや重さによって噴出
する気体の圧力、流量等の制御を要するという煩わしさ
はなくなり、取り扱いが容易になる。さらに又、従来の
気体浮上式に比べて、遥かに高い精度にてバンプ形成前
ウエハ２０１を旋回させることができ、上記ボンディン
グ角度分の旋回を要する場合であっても、高精度にてバ
ンプ形成前ウエハ２０１を旋回させることができる。さ
らに又、ターンテーブル１１１２等を加熱する加熱装置
１１０は旋回しない構造であるので、コンパクトな装置
構成を図ることができる。
【００４５】
【発明の効果】以上詳述したように本発明の第１態様の
バンプボンディング用加熱装置、及び第２態様のバンプ
ボンディング方法によれば、旋回部材、旋回装置、及び
ウエハ加熱装置を備え、上記ウエハ加熱装置を旋回させ
ることなく、上記旋回装置にて上記旋回部材を旋回させ
上記旋回部材に載置されている半導体ウエハの旋回を行
うようにした。したがって、ウエハ加熱装置が旋回しな
いので装置構成をコンパクト化でき、かつ上記旋回装置
にて上記旋回部材を直接に旋回させるので、従来の気体
浮上式の旋回方法に比べて、半導体ウエハの旋回角度を
高精度にて実現可能である。
バンプボンディング用加熱装置、及び第２態様のバンプ
ボンディング方法によれば、旋回部材、旋回装置、及び
ウエハ加熱装置を備え、上記ウエハ加熱装置を旋回させ
ることなく、上記旋回装置にて上記旋回部材を旋回させ
上記旋回部材に載置されている半導体ウエハの旋回を行
うようにした。したがって、ウエハ加熱装置が旋回しな
いので装置構成をコンパクト化でき、かつ上記旋回装置
にて上記旋回部材を直接に旋回させるので、従来の気体
浮上式の旋回方法に比べて、半導体ウエハの旋回角度を
高精度にて実現可能である。
【００４６】又、本発明の第３態様における、上述のバ
ンプボンディング用加熱装置を備えたバンプ形成装置で
は、上述のように半導体ウエハの旋回角度を高精度に制
御できることから、半導体ウエハ上へのバンプ形成位置
を従来に比べて高精度に制御することができる。
ンプボンディング用加熱装置を備えたバンプ形成装置で
は、上述のように半導体ウエハの旋回角度を高精度に制
御できることから、半導体ウエハ上へのバンプ形成位置
を従来に比べて高精度に制御することができる。
【００４７】又、本発明の第４態様における、上述の第
２態様のバンプボンディング方法を使用してバンプをボ
ンディングした半導体ウエハでは、上述のように半導体
ウエハの旋回角度を高精度に制御できることから、半導
体ウエハ上のバンプ形成位置に、従来に比べて高精度に
て、バンプを形成することができる。
２態様のバンプボンディング方法を使用してバンプをボ
ンディングした半導体ウエハでは、上述のように半導体
ウエハの旋回角度を高精度に制御できることから、半導
体ウエハ上のバンプ形成位置に、従来に比べて高精度に
て、バンプを形成することができる。
【図１】 本発明の実施形態にかかるバンプボンディン
グ用加熱装置の斜視図である。
グ用加熱装置の斜視図である。
【図２】 図１に示すバンプボンディング用加熱装置の
断面図である。
断面図である。
【図３】 本発明の実施形態にかかるバンプ形成装置の
斜視図である。
斜視図である。
【図４】 図１に示すバンプボンディング用加熱装置に
備わるウエハ載置台部分を示す斜視図である。
備わるウエハ載置台部分を示す斜視図である。
【図５】 図１に示すバンプボンディング用加熱装置に
備わるターンテーブルを示す斜視図である。
備わるターンテーブルを示す斜視図である。
【図６】 図１に示すバンプボンディング用加熱装置に
備わる加熱装置を示す斜視図である。
備わる加熱装置を示す斜視図である。
【図７】 図１に示すバンプボンディング用加熱装置に
備わるガイドローラを示す斜視図である。
備わるガイドローラを示す斜視図である。
【図８】 図７に示すガイドローラの変形例を示す斜視
図である。
図である。
【図９】 図１に示すバンプボンディング用加熱装置に
備わるガイドローラを昇降させる部分を示す斜視図であ
る。
備わるガイドローラを昇降させる部分を示す斜視図であ
る。
【図１０】 図１に示すバンプボンディング用加熱装置
に備わるターンテーブル及びウエハ載置台が加熱位置に
あるときの図である。
に備わるターンテーブル及びウエハ載置台が加熱位置に
あるときの図である。
【図１１】 図１に示すバンプボンディング用加熱装置
に備わるターンテーブル及びウエハ載置台が移載位置に
あるときの図である。
に備わるターンテーブル及びウエハ載置台が移載位置に
あるときの図である。
【図１２】 図１に示すバンプボンディング用加熱装置
に備わるターンテーブルとガイドローラとの位置関係を
示す図である。
に備わるターンテーブルとガイドローラとの位置関係を
示す図である。
【図１３】 図１に示すバンプボンディング用加熱装置
に備わるウエハ規正装置の斜視図である。
に備わるウエハ規正装置の斜視図である。
【図１４】 図１に示すバンプボンディング用加熱装置
の動作を示すフローチャートである。
の動作を示すフローチャートである。
【図１５】 図１に示すバンプボンディング用加熱装置
にウエハが搬入された状態を示す図である。
にウエハが搬入された状態を示す図である。
【図１６】 図１に示すバンプボンディング用加熱装置
が移載位置へ上昇しウエハの受け取りを行う状態の図で
ある。
が移載位置へ上昇しウエハの受け取りを行う状態の図で
ある。
【図１７】 図１に示すバンプボンディング用加熱装置
がウエハの受け取った状態の図である。
がウエハの受け取った状態の図である。
【図１８】 図１に示すバンプボンディング用加熱装置
がウエハの受け取り加熱位置に戻った状態を示す図であ
る。
がウエハの受け取り加熱位置に戻った状態を示す図であ
る。
【図１９】 図１に示すバンプボンディング用加熱装置
にウエハが載置された状態を示す平面図である。
にウエハが載置された状態を示す平面図である。
【図２０】 図１に示すバンプボンディング用加熱装置
に備わるウエハ規正装置がウエハの規正を行う状態を示
す図である。
に備わるウエハ規正装置がウエハの規正を行う状態を示
す図である。
【図２１】 図１に示すバンプボンディング用加熱装置
に備わるウエハ規正装置によるウエハ規正動作が行われ
た後の状態を示す平面図である。
に備わるウエハ規正装置によるウエハ規正動作が行われ
た後の状態を示す平面図である。
【図２２】 半導体ウエハの結晶方位に沿って回路を形
成した、従来のウエハを示す図である。
成した、従来のウエハを示す図である。
【図２３】 半導体ウエハの結晶方位に対して傾斜した
方向に沿って回路を形成したウエハを示す図である。
方向に沿って回路を形成したウエハを示す図である。
【図２４】 従来のバンプボンディング用加熱装置の斜
視図である。
視図である。
【図２５】 従来のバンプボンディング用加熱装置にて
行われる気体噴出にてウエハが浮上した状態を示す図で
ある。
行われる気体噴出にてウエハが浮上した状態を示す図で
ある。
１０１…バンプ形成装置、１１０…バンプボンディング
用加熱装置、１１１…ウエハ旋回部材、１１２…旋回装
置、１１３…加熱装置、１１８…吸引ブロー装置、１１
９…将校機構、１２５…ウエハ規正装置、１８０…制御
装置、１１１１…ウエハ載置台、１１１２…ターンテー
ブル、１１２１…駆動源、１１２２…歯車、１１２３…
回転力伝達機構、１１３１…ターンテーブル載置板、１
１３２…ヒータ、１１３３…支持部材、１１９１…加熱
位置、１１９２…載置位置、１１１２７…歯。
用加熱装置、１１１…ウエハ旋回部材、１１２…旋回装
置、１１３…加熱装置、１１８…吸引ブロー装置、１１
９…将校機構、１２５…ウエハ規正装置、１８０…制御
装置、１１１１…ウエハ載置台、１１１２…ターンテー
ブル、１１２１…駆動源、１１２２…歯車、１１２３…
回転力伝達機構、１１３１…ターンテーブル載置板、１
１３２…ヒータ、１１３３…支持部材、１１９１…加熱
位置、１１９２…載置位置、１１１２７…歯。
フロントページの続き (72)発明者 前 貴晴 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 渡辺 展久 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 金山 真司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (13)
- 【請求項１】 バンプボンディングが行われる半導体ウ
エハ（２０１）を載置し、載置された上記半導体ウエハ
の周方向へ旋回されるウエハ旋回部材（１１１）と、 上記ウエハ旋回部材を上記周方向へ旋回させる旋回装置
（１１２）と、 上記ウエハ旋回部材を載置し該ウエハ旋回部材を介して
上記半導体ウエハをバンプボンディング温度に加熱し、
かつ旋回する上記ウエハ旋回部材に対して非旋回状態に
設置されるウエハ加熱装置（１１３）と、 を備えたことを特徴とするバンプボンディング用加熱装
置。 - 【請求項２】 上記旋回装置の動作制御を行い上記ウエ
ハ旋回部材に載置されている上記半導体ウエハに要求さ
れる旋回角度にて上記ウエハ旋回部材を旋回させる制御
装置（１８０）をさらに備えた、請求項１記載のバンプ
ボンディング用加熱装置。 - 【請求項３】 上記ウエハ旋回部材は、上記半導体ウエ
ハが載置されるウエハ載置台（１１１１）と、上記ウエ
ハ載置台を載置し吸着動作にて上記ウエハ載置台を保持
するとともに上記ウエハ加熱装置上に載置されるターン
テーブル（１１１２）と、を有する、請求項１又は２記
載のバンプボンディング用加熱装置。 - 【請求項４】 上記ウエハ加熱装置は、上記ターンテー
ブルを載置するターンテーブル載置板（１１３１）と、
該ターンテーブル載置板に該ターンテーブル載置板の厚
み方向に直交する方向にあけられた穴に挿入されたヒー
タ（１１３２）と、上記ターンテーブル載置板を支持す
る支持部材であって当該支持部材への上記ヒータの熱の
伝導が偏らず上記支持部材における上記ターンテーブル
載置部分における温度をほぼ均一にするため上記ヒータ
の延在方向及び上記厚み方向に直交する方向に延在する
支持部材（１１３３）と、を有する、請求項１ないし３
のいずれかに記載のバンプボンディング用加熱装置。 - 【請求項５】 上記ターンテーブルの周囲には歯（１１
１２７）が形成されており、 上記旋回装置は、駆動源（１１２１）と、上記ターンテ
ーブルの上記歯に係合する歯車（１１２２）と、上記タ
ーンテーブルの熱が上記駆動源に伝達するのを防止し、
かつ上記駆動源にて発生した駆動力を上記歯車に伝達し
て上記歯車を回転させる回転力伝達機構（１１２３）
と、有する、請求項３又は４記載のバンプボンディング
用加熱装置。 - 【請求項６】 上記ウエハ加熱装置に上記ウエハ旋回部
材が接触しウエハ旋回部材を介して上記半導体ウエハを
バンプボンディング温度に加熱する加熱位置（１１９
１）と、上記ウエハ旋回部材を旋回するときに上記ウエ
ハ旋回部材が配置される位置であって上記半導体ウエハ
が当該ウエハ旋回部材上に移載される移載位置（１１９
２）との間を、ウエハ旋回部材に載置された上記半導体
ウエハの厚み方向に沿って上記ウエハ旋回部材を昇降さ
せる昇降機構（１１９）をさらに備えた、請求項１ない
し５のいずれかに記載のバンプボンディング用加熱装
置。 - 【請求項７】 上記ウエハ旋回部材に載置された上記半
導体ウエハを上記ウエハ旋回部材から浮上させるブロー
装置（１１８）と、上記半導体ウエハが上記ウエハ旋回
部材から浮上しているとき、上記ウエハ旋回部材上にお
ける上記半導体ウエハの位置規正を行う規正装置（１２
５）と、をさらに備えた、請求項１ないし６のいずれか
に記載のバンプボンディング用加熱装置。 - 【請求項８】 上記半導体ウエハは、ＳＡＷフィルタ素
子を形成したウエハであり、上記旋回装置の動作制御に
て上記ウエハ旋回部材に載置されている上記半導体ウエ
ハに要求される旋回角度は、上記ＳＡＷフィルタ素子の
形成前におけるウエハの結晶方位に対して傾斜した方向
に上記ＳＡＷフィルタ素子を形成したとき、上記結晶方
位と上記傾斜方向との差異に基づいた角度である、請求
項２ないし７のいずれかに記載のバンプボンディング用
加熱装置。 - 【請求項９】 請求項１ないし７のいずれかに記載のバ
ンプボンディング用加熱装置（１１０）を備えたことを
特徴とするバンプ形成装置。 - 【請求項１０】 バンプを形成する半導体ウエハ（２０
１）をウエハ旋回部材（１１１）上に載置し、 上記ウエハ旋回部材を介して上記半導体ウエハをバンプ
ボンディング温度に加熱するウエハ加熱装置（１１３）
を旋回させることなく、上記半導体ウエハを載置した上
記ウエハ旋回部材のみを上記半導体ウエハに要求される
旋回角度にて上記半導体ウエハの周方向へ旋回させ、 上記旋回後、上記半導体ウエハにバンプボンディング温
度にてバンプボンディングを行う、 ことを特徴とするバンプボンディング方法。 - 【請求項１１】 上記ウエハ旋回部材上に上記半導体ウ
エハを載置した後、上記ウエハ旋回部材の旋回前に、上
記ウエハ旋回部材上にて上記半導体ウエハを浮上させて
上記ウエハ旋回部材上における上記半導体ウエハの位置
規正を行う、請求項１０記載のバンプボンディング方
法。 - 【請求項１２】 請求項１０又は１１記載のバンプボン
ディング方法にてバンプが形成されたことを特徴とする
半導体ウエハ。 - 【請求項１３】 半導体ウエハの結晶方位とは異なりか
つ上記結晶方位に傾斜した方向に沿って回路を形成した
回路形成後半導体ウエハを上記結晶方位と上記傾斜方向
との差異に基づいた角度にて旋回装置にて旋回して上記
回路にバンプが形成されたことを特徴とする半導体ウエ
ハ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29663199A JP4371497B2 (ja) | 1999-10-19 | 1999-10-19 | バンプボンディング用加熱装置 |
| US09/690,746 US6329640B1 (en) | 1999-10-19 | 2000-10-18 | Heating apparatus for bump bonding, bump bonding method and bump forming apparatus, and semiconductor wafer |
| DE60042471T DE60042471D1 (de) | 1999-10-19 | 2000-10-19 | Heizungsvorrichtung zum Bonden mittels Löthocker und Löthocker Bondenverfahren |
| EP00122813A EP1094499B1 (en) | 1999-10-19 | 2000-10-19 | Heating apparatus for bump bonding and bump bonding method |
| US09/955,110 US6392202B2 (en) | 1999-10-19 | 2001-09-19 | Heating apparatus for bump bonding, bump bonding method and bump forming apparatus, and semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29663199A JP4371497B2 (ja) | 1999-10-19 | 1999-10-19 | バンプボンディング用加熱装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001118869A true JP2001118869A (ja) | 2001-04-27 |
| JP2001118869A5 JP2001118869A5 (ja) | 2006-11-16 |
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ID=17836055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29663199A Expired - Fee Related JP4371497B2 (ja) | 1999-10-19 | 1999-10-19 | バンプボンディング用加熱装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP1094499B1 (ja) |
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| DE (1) | DE60042471D1 (ja) |
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| DE69936057T2 (de) * | 1998-06-19 | 2008-01-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Verfahren und anordnung zur herstellung von höckern |
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| CN102110634B (zh) * | 2010-11-22 | 2012-04-11 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 可旋转加热的吸附装置 |
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| US5060843A (en) * | 1989-06-07 | 1991-10-29 | Nec Corporation | Process of forming bump on electrode of semiconductor chip and apparatus used therefor |
| JPH05299492A (ja) * | 1992-04-17 | 1993-11-12 | Nachi Fujikoshi Corp | ウエハの位置決め装置 |
| JPH06232131A (ja) * | 1993-02-02 | 1994-08-19 | Toshiba Corp | ウエハ加熱装置およびバンプ形成装置 |
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2000
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- 2000-10-19 DE DE60042471T patent/DE60042471D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-19 EP EP00122813A patent/EP1094499B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-09-19 US US09/955,110 patent/US6392202B2/en not_active Expired - Fee Related
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