JPH10163215A - バンプレベリング装置及びその方法 - Google Patents

バンプレベリング装置及びその方法

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JPH10163215A
JPH10163215A JP8324479A JP32447996A JPH10163215A JP H10163215 A JPH10163215 A JP H10163215A JP 8324479 A JP8324479 A JP 8324479A JP 32447996 A JP32447996 A JP 32447996A JP H10163215 A JPH10163215 A JP H10163215A
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bump
leveling
chip
leveler
height
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JP8324479A
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Akihiro Yamamoto
章博 山本
Makoto Imanishi
誠 今西
Takahiro Yonezawa
隆弘 米澤
Shinzo Eguchi
信三 江口
Osamu Nakao
修 中尾
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＩＣチップの厚さ変化にもバンプのレベリン
グ高さが一定にでき、バンプの自動検査ができるバンプ
レベリング装置及びその方法を提供する。 【解決手段】 １個のバンプ２０が所定高さまで変形す
る加圧力を測定しておくことによって、複数のバンプ２
０を同時に所定高さまで変形しレベリングする加圧力は
設定可能であり、所定の加圧力がかかったことをロード
セル１４で検出し、この加圧を保持することで、複数の
バンプ２０を同一の所定高さまでレベリングする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップボ
ンディング用ＩＣチップの電極上のバンプをレベリング
するバンプレベリング装置及びその方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣチップの高周波化に伴ないそ
の耐ノイズ性を高めるため、ＩＣチップの実装の際に
は、ＩＣチップ上の内部電極と回路基板上の外部電極と
の接続距離を短縮することができるフリップチップボン
ディングが行われている。
【０００３】このフリップチップボンディング用のＩＣ
チップにその内部電極と回路基板上の外部電極とを接続
するための突起電極（一般に、バンプという）を形成す
る電極形成工程において、従来から、ＩＣチップの電極
上に形成した複数のバンプを全て同一高さにレベリング
するために、バンプレベリング装置が利用されている。
【０００４】従来のバンプレベリング装置およびその方
法としては、例えば図３に示すように、ＩＣチップ厚み
とレベリング後のバンプ高さに応じて、ステージとレベ
ラの間にスペーサを挟んで、ステージとレベラを所定距
離に保持しバンプをレベリングする方法がある。
【０００５】このような従来のバンプレベリング装置お
よびその方法について 図面を参照しながら以下に説明
する。図３は従来のバンプレベリング装置の構成を示す
概略断面図である。図３において、１はＩＣチップ２を
保持するステージ、３はスペーサ、４はバンプ５の高さ
をレベリングするレベラである。
【０００６】以上のように構成されたバンプレベリング
装置について、その動作を以下に説明する。不均一な高
さに形成されたバンプ５を同一高さにするためレベリン
グする際に、レベラ４は加圧手段（図示しない）により
ａ方向に移動する。このレベラ４が、ステージ１と所定
の距離を保つようにそれらの間に設けられたスペーサ３
によって保持されると、不均一な高さのバンプ５は、図
４に示すように、その先端５ａが平坦になるとともに、
複数のバンプ５は全て同一の所定高さにレベリングされ
る。
【０００７】図４はレベリング後のバンプ形状を表す。
図４において、ｂは台座径、ｃはレベリング径、ｄは台
座厚、ｅは全高、２はＩＣチップ、６は内部電極、７は
台座であり、上記のレベリング後に、台座径ｂ、レベリ
ング径ｃ、台座厚ｄ、全高ｅ、および、ＩＣチップ２の
内部電極６と台座７とのずれを目視により検査すること
によって、バンプ５が良品かどうかを判定する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな従来のバンプレベリング装置では、ロット間で厚さ
ばらつきとして±１０μｍ有るＩＣチップ２において、
そのバンプ５の全高精度を±２μｍに維持するために
は、スペーサ３を複数個保有し、これらのスペーサ３
を、測定したＩＣチップの個々の厚さに対応させて、交
換しなければならないという問題点を有していた。
【０００９】ここで、バンプ５の高さを可変して複数種
類のバンプ高さを得る場合には、さらに多くのスペーサ
３を保有しなければならないという問題点を有してい
た。また、バンプ５の台座厚ｄや全高ｅなどの検査時間
として、レベリング工程とは別に長い時間を必要とする
ため、抜取り検査しかできないという問題点をも有して
いた。
【００１０】本発明は、上記問題点を解決するもので、
ＩＣチップのロット間や品種によるチップ厚さの変化に
対しても、バンプの全高をＩＣチップのチップ厚さに適
応して変化させることができるとともに、レベリングさ
れたバンプの形状を自動で全数検査することができるバ
ンプレベリング装置及びその方法を提供する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のバンプレベリング装置およびその方法は、
１個のバンプが所定高さまで変形する加圧力を測定して
おくことによって、複数のバンプを同時に所定高さまで
変形しレベリングするための所定の加圧力を設定し、レ
ベラに対して所定の加圧力がかかった状態を保持するこ
とでバンプを所定高さまでレベリングすることを特徴と
する。
【００１２】また、ＩＣチップ上面の高さをあらかじめ
計測し、レベラをＩＣチップ上面からバンプ全高分上方
で停止保持することでバンプを所定高さまでレベリング
することを特徴とする。
【００１３】また、レベリング後のＩＣチップ上面とバ
ンプの各部の高低差の計測とともにバンプの各部の寸法
や位置の検査を自動的に行うことを特徴とする。以上に
より、ＩＣチップのロット間や品種によるチップ厚さの
変化に対しても、バンプの全高をＩＣチップのチップ厚
さに適応して変化させることができるとともに、レベリ
ングされたバンプの形状を自動で全数検査することがで
きる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載のバンプ
レベリング装置は、フリップチップボンディング用のＩ
Ｃチップの電極上に形成されたバンプをレベリングする
バンプレベリング装置において、ＩＣチップを保持する
ステージと、前記ステージに保持されたＩＣチップを介
して前記ステージと平行に対向配置するレベラと、前記
レベラに対する加圧力を生成する加圧手段とを備え、前
記加圧手段を、レベラに対する加圧力を複数のバンプを
同時に所定高さにレベリングする所定の加圧力に保持す
るよう構成する。
【００１５】請求項２に記載のバンプレベリング装置
は、請求項１に記載の加圧手段とレベラとの間に、加圧
手段のレベラに対する加圧力を検出する加圧検出手段を
配置し、前記加圧手段を、加圧検出手段の検出値を所定
の加圧力に保持するよう構成する。
【００１６】請求項３に記載のバンプレベリング装置
は、フリップチップボンディング用のＩＣチップの電極
上に形成されたバンプをレベリングするバンプレベリン
グ装置において、ＩＣチップを保持するステージと、前
記ステージに保持されたＩＣチップを介して前記ステー
ジと平行に対向配置するレベラと、前記レベラに対して
加圧する加圧手段とを備え、前記加圧手段を、レベラが
ＩＣチップ上面からバンプ全高分上方にきたときにレベ
ラに対する加圧を停止するよう構成する。
【００１７】請求項４に記載のバンプレベリング装置
は、ＩＣチップの上面高さを計測する高さ計測手段を設
け、請求項３に記載の加圧手段を、レベラが前記高さ計
測手段の計測値よりバンプ全高分上方にきたときにレベ
ラに対する加圧を停止するよう構成する。
【００１８】請求項５に記載のバンプレベリング装置
は、請求項４に記載の高さ計測手段を、レベリング後に
おけるバンプの高さとレベリング径と台座径と位置ずれ
量とを自動検査するよう構成する。
【００１９】請求項６に記載のバンプレベリング装置
は、請求項１から請求項４のいずれかに記載のバンプレ
ベリング装置において、バンプの高さとレベリング径と
台座径と位置ずれ量とを検査項目として検査する計測手
段を設け、前記計測手段を、レベリング後に自動的に前
記検査項目を検査するよう構成する。
【００２０】請求項７に記載のバンプレベリング方法
は、バンプレベリング装置でフリップチップボンディン
グ用のＩＣチップの電極上に形成されたバンプをレベリ
ングするに際し、前記ＩＣチップをステージに保持し、
そのＩＣチップを介してステージと平行に対向配置した
レベラに対して加圧し、その加圧力を、複数のバンプを
同時に所定高さにレベリングする所定の加圧力に保持す
る方法とする。
【００２１】請求項８に記載のバンプレベリング方法
は、バンプレベリング装置でフリップチップボンディン
グ用のＩＣチップの電極上に形成されたバンプをレベリ
ングするに際し、前記ＩＣチップをステージに保持して
そのＩＣチップの上面高さを計測し、そのＩＣチップを
介してステージと平行に対向配置したレベラに対して加
圧し、その加圧を、レベラが前記計測されたＩＣチップ
上面高さからバンプ全高分上方にきたときに停止する方
法とする。
【００２２】請求項９に記載のバンプレベリング方法
は、請求項７または請求項８に記載のレベリング後に、
自動的にバンプの高さとレベリング径と台座径と位置ず
れ量とを検査項目として検査する方法とする。
【００２３】請求項１または請求項２の構成または請求
項７の方法によると、１個のバンプが所定高さまで変形
する加圧力を測定しておくことによって、複数のバンプ
を同時に所定高さまで変形しレベリングするための所定
の加圧力を設定し、レベラに対して所定の加圧力がかか
った状態を保持することでバンプを所定高さまでレベリ
ングする。
【００２４】請求項３または請求項４の構成または請求
項８の方法によると、ＩＣチップ上面の高さをあらかじ
め計測し、レベラをＩＣチップ上面からバンプ全高分上
方で停止保持することでバンプを所定高さまでレベリン
グする。
【００２５】請求項６の構成または請求項９の方法によ
ると、レベリング後のＩＣチップ上面とバンプの各部の
高低差の計測とともにバンプの各部の寸法や位置の検査
を自動的に行う。
【００２６】以下、本発明の実施の形態を示すバンプレ
ベリング装置及びバンプレベリング方法について、図面
を参照しながら具体的に説明する。 （実施の形態１）本発明の実施の形態１のバンプレベリ
ング装置及びバンプレベリング方法を説明する。
【００２７】図１は本実施の形態のバンプレベリング方
法を用いたバンプレベリング装置の概略構成図である。
図１において、１１ａはＩＣチップ１２を保持するステ
ージ、１３ａはステージ１１ａと平行に配置されたレベ
ラ、１４はレベラ１３ａとそれを加圧するための加圧手
段としてのアーム１５との間に介装された加圧検出手段
としてのロードセルである。ここで、ロードセル１４は
バネ１６によりレベラ１３ａと加圧用アーム１５の間で
一定の力で挟まれ、加圧用のアーム１５は、モータ１７
でボールネジ１８が回転する時に推力を受け、矢印ｇ方
向にガイド１９に添って移動する。
【００２８】以上のように構成されたバンプレベリング
装置について、その動作を以下に説明する。ボールネジ
１８が回転すると、加圧アーム１５とロードセル１４と
レベラ１３ａとがガイド１９に添って下方のＩＣチップ
１２に向かって移動する。レベラ１３ａがＩＣチップ１
２上に形成されたバンプ２０に当たると、レベラ１３ａ
に加わった反力がロードセル１４に伝わり、ロードセル
１４が所定の加圧力を検出するまで、加圧アーム１５は
下降を続け、ロードセル１４が所定の加圧力を検出した
と同時に、加圧アーム１５の下降は停止しその状態が保
持される。数秒間の停止保持後、加圧アーム１５は上昇
する。
【００２９】このようにして、バンプを所定高さまでレ
ベリングしている。以上の動作により、加圧アーム１５
のレベラ１３ａへの加圧力を検出するロードセル１４を
設けたことで、バンプ２０に一定の力を付加し、複数の
バンプ２０を同一の所定高さまでレベリングすることが
できる。
【００３０】以上の結果、ＩＣチップのロット間や品種
によるチップ厚さの変化に対しても、バンプの全高をＩ
Ｃチップのチップ厚さに適応して変化させることができ
る。 （実施の形態２）本発明の実施の形態２のバンプレベリ
ング装置及びバンプレベリング方法を説明する。
【００３１】図２は本実施の形態のバンプレベリング方
法を用いたバンプレベリング装置の概略構成図である。
図２において、レベラ１３ｂは加圧アーム１５に固定さ
れ、ステージ１１ｂはステージガイド２１に添って高さ
計測手段２２の直下まで矢印ｈ方向に移動可能にした点
が図１と異なり、モータ１７、ボールネジ１８、ガイド
１９は図１の構成と同様なものである。
【００３２】以上のように構成されたバンプレベリング
装置について、その動作を以下に説明する。ステージ１
１ｂがｈ1 の位置にある時、高さ計測手段２２によっ
て、ＩＣチップ１２の厚さｉを計測する。ステージ１１
ｂがｈ2 の位置にある時のステージ１１ｂ上面とレベラ
１３ｂの下面との距離ｊはあらかじめ計測し一定にして
おく。レベリング後におけるバンプ２０の全高ｌは次の
式で求められる。
【００３３】ｌ＝ｊ−ｉ−ｋ ステージ１１ｂをｈ2 の位置に移動させ、ボールネジ１
８の送りにより、レベラ１３ｂを距離ｋだけ移動させる
と、バンプ２０の全高を寸法ｌにすることができる。ま
た、レベリング後にステージ１１ｂをｈ1 の位置に戻し
た時に、高さ計測手段２２をＩＣチップ１２と相対的に
平面ｘｙ方向に移動させながら、バンプ２０における台
座径ｂ、レベリング径ｃ、台座厚ｄ、全高ｅ、およびバ
ンプ２０の位置を計測し、検査するように構成すること
もできる。
【００３４】以上のように高さ計測手段２２であらかじ
めＩＣチップ１２の上面の高さを計測することにより、
レベラ１３ｂを所定の高さまで下降させ、所定高さにバ
ンプ２０をレベリングすることができ、また、高さ計測
手段２２でバンプ２０の形状寸法と位置をレベリング後
に自動的に検査することができる。
【００３５】なお、実施の形態１のバンプレベリング装
置においては、加圧アーム１５のレベラ１３ａへの加圧
をボールネジ１８の推力を用いて付加するように構成し
たが、ボールネジ１８の推力の代わりにシリンダの推力
を利用するように構成してもよい。
【００３６】また、実施の形態２のバンプレベリング装
置においては、バンプ２０の形状と位置の検査を高さ計
測手段２２を用いて行うように構成した、ｘｙ方向の平
面寸法をカメラ等を利用した計測手段を用いて構成して
もよい。
【００３７】さらに、上記の各実施の形態のバンプレベ
リング装置をバンプ形成するバンプボンディング装置内
に設置し、バンプ形成後のＩＣチップ１２をステージ１
１ａまたはステージ１１ｂに移載してレベリングするこ
とで、バンプ形成とレベリング、検査を同時処理するよ
うに構成してもよい。
【００３８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、１個のバ
ンプが所定高さまで変形する加圧力を測定しておくこと
によって、複数のバンプを同時に所定高さまで変形しレ
ベリングするための所定の加圧力を設定し、レベラに対
して所定の加圧力がかかった状態を保持することでバン
プを所定高さまでレベリングすることができる。
【００３９】また、ＩＣチップ上面の高さをあらかじめ
計測し、レベラをＩＣチップ上面からバンプ全高分上方
で停止保持することでバンプを所定高さまでレベリング
することができる。
【００４０】また、レベリング後のＩＣチップ上面とバ
ンプの各部の高低差の計測とともにバンプの各部の寸法
や位置の検査を自動的に行うことができる。そのため、
ＩＣチップのロット間や品種によるチップ厚さの変化に
対しても、バンプの全高をＩＣチップのチップ厚さに適
応して変化させることができるとともに、レベリングさ
れたバンプの形状を自動で全数検査することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１のバンプレベリング装置
の概略構成図
【図２】本発明の実施の形態２のバンプレベリング装置
の概略構成図
【図３】従来のバンプレベリング装置の概略構成図
【図４】バンプのレベリング後の形状説明図
【符号の説明】
１１ａ，１１ｂ ステージ １３ａ，１３ｂ レベラ １４ ロードセル １５ アーム ２２ 高さ計測手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 江口 信三 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 中尾 修 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 フリップチップボンディング用のＩＣチ
    ップの電極上に形成されたバンプをレベリングするバン
    プレベリング装置において、ＩＣチップを保持するステ
    ージと、前記ステージに保持されたＩＣチップを介して
    前記ステージと平行に対向配置するレベラと、前記レベ
    ラに対する加圧力を生成する加圧手段とを備え、前記加
    圧手段を、レベラに対する加圧力を複数のバンプを同時
    に所定高さにレベリングする所定の加圧力に保持するよ
    う構成したバンプレベリング装置。
  2. 【請求項２】 加圧手段とレベラとの間に、加圧手段の
    レベラに対する加圧力を検出する加圧検出手段を配置
    し、前記加圧手段を、加圧検出手段の検出値を所定の加
    圧力に保持するよう構成した請求項１に記載のバンプレ
    ベリング装置。
  3. 【請求項３】 フリップチップボンディング用のＩＣチ
    ップの電極上に形成されたバンプをレベリングするバン
    プレベリング装置において、ＩＣチップを保持するステ
    ージと、前記ステージに保持されたＩＣチップを介して
    前記ステージと平行に対向配置するレベラと、前記レベ
    ラに対して加圧する加圧手段とを備え、前記加圧手段
    を、レベラがＩＣチップ上面からバンプ全高分上方にき
    たときにレベラに対する加圧を停止するよう構成したバ
    ンプレベリング装置。
  4. 【請求項４】 ＩＣチップの上面高さを計測する高さ計
    測手段を設け、加圧手段を、レベラが前記高さ計測手段
    の計測値よりバンプ全高分上方にきたときにレベラに対
    する加圧を停止するよう構成した請求項３に記載のバン
    プレベリング装置。
  5. 【請求項５】 高さ計測手段を、レベリング後における
    バンプの高さとレベリング径と台座径と位置ずれ量とを
    自動検査するよう構成した請求項４に記載のバンプレベ
    リング装置。
  6. 【請求項６】 バンプの高さとレベリング径と台座径と
    位置ずれ量とを検査項目として検査する計測手段を設
    け、前記計測手段を、レベリング後に自動的に前記検査
    項目を検査するよう構成した請求項１から請求項４のい
    ずれかに記載のバンプレベリング装置。
  7. 【請求項７】 バンプレベリング装置でフリップチップ
    ボンディング用のＩＣチップの電極上に形成されたバン
    プをレベリングするに際し、前記ＩＣチップをステージ
    に保持し、そのＩＣチップを介してステージと平行に対
    向配置したレベラに対して加圧し、その加圧力を、複数
    のバンプを同時に所定高さにレベリングする所定の加圧
    力に保持するバンプレベリング方法。
  8. 【請求項８】 バンプレベリング装置でフリップチップ
    ボンディング用のＩＣチップの電極上に形成されたバン
    プをレベリングするに際し、前記ＩＣチップをステージ
    に保持してそのＩＣチップの上面高さを計測し、そのＩ
    Ｃチップを介してステージと平行に対向配置したレベラ
    に対して加圧し、その加圧を、レベラが前記計測された
    ＩＣチップ上面高さからバンプ全高分上方にきたときに
    停止するバンプレベリング方法。
  9. 【請求項９】 レベリング後に、自動的にバンプの高さ
    とレベリング径と台座径と位置ずれ量とを検査項目とし
    て検査する請求項７または請求項８に記載のバンプレベ
    リング方法。
JP8324479A 1996-12-05 1996-12-05 バンプレベリング装置及びその方法 Pending JPH10163215A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8324479A JPH10163215A (ja) 1996-12-05 1996-12-05 バンプレベリング装置及びその方法
US08/985,204 US5899140A (en) 1996-12-05 1997-12-04 Bump levelling method and bump levelling apparatus
KR1019970065966A KR100516617B1 (ko) 1996-12-05 1997-12-04 범프 레벨링 장치 및 그 방법
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000164630A (ja) * 1998-11-26 2000-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の実装方法及び電子部品実装基板
JP2005286166A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Nec Electronics Corp コイニング装置およびコイニング方法
JP2008166468A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Nidec-Read Corp 基板処理装置
JP2014132650A (ja) * 2012-12-04 2014-07-17 Canon Machinery Inc プレス装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000133672A (ja) * 1998-10-28 2000-05-12 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP4371497B2 (ja) * 1999-10-19 2009-11-25 パナソニック株式会社 バンプボンディング用加熱装置
US6590404B2 (en) 2001-07-05 2003-07-08 International Business Machines Corp. Force and centrality measuring tool

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4784058A (en) * 1986-08-13 1988-11-15 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Press control for maintaining a level position and a uniform pressure on a workpiece

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000164630A (ja) * 1998-11-26 2000-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の実装方法及び電子部品実装基板
JP2005286166A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Nec Electronics Corp コイニング装置およびコイニング方法
JP2008166468A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Nidec-Read Corp 基板処理装置
JP2014132650A (ja) * 2012-12-04 2014-07-17 Canon Machinery Inc プレス装置

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