JP2001110682A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
- H01G9/025—Solid electrolytes
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- Power Engineering (AREA)
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】２次電解重合時に形成される重合層の形状を良
好にしてコンデンサを小型化すると共に、コンデンサの
静電容量を減少させない高性能な固体電解コンデンサを
提供することを目的とする。 【解決手段】導電性高分子層の一部を電解重合で形成す
る固体電解コンデンサの製造工程において、電解重合す
る溶液中に界面活性作用が有る支持電解質、及び界面活
性作用が無い支持電解質をそれぞれ少なくとも１種類以
上それぞれ所定の濃度の範囲で添加することによって、
２次電解重合時に形成される重合層の形状を良好にする
とともに、コンデンサの静電容量減少をも抑制する。
好にしてコンデンサを小型化すると共に、コンデンサの
静電容量を減少させない高性能な固体電解コンデンサを
提供することを目的とする。 【解決手段】導電性高分子層の一部を電解重合で形成す
る固体電解コンデンサの製造工程において、電解重合す
る溶液中に界面活性作用が有る支持電解質、及び界面活
性作用が無い支持電解質をそれぞれ少なくとも１種類以
上それぞれ所定の濃度の範囲で添加することによって、
２次電解重合時に形成される重合層の形状を良好にする
とともに、コンデンサの静電容量減少をも抑制する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ポリピロール
系、ポリチオフェン系などの導電性高分子を支持電解質
とする固体電解コンデンサの製造方法に関するものであ
る。
系、ポリチオフェン系などの導電性高分子を支持電解質
とする固体電解コンデンサの製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】表面に誘電体酸化皮膜を形成したアルミ
ニウムやタンタルなどの弁作用金属からなる陽極体と、
ポリピロール系、ポリチオフェン系などの導電性高分子
を支持電解質とする陰極体とからなる固体電解コンデン
サが良く知られている。特にタンタルを陽極体とした固
体コンデンサは、小型大静電容量であり、低温から高温
まで広範囲で特性が安定している。また電圧依存性が少
なく、漏れ電流が小さい等の長所がある。
ニウムやタンタルなどの弁作用金属からなる陽極体と、
ポリピロール系、ポリチオフェン系などの導電性高分子
を支持電解質とする陰極体とからなる固体電解コンデン
サが良く知られている。特にタンタルを陽極体とした固
体コンデンサは、小型大静電容量であり、低温から高温
まで広範囲で特性が安定している。また電圧依存性が少
なく、漏れ電流が小さい等の長所がある。
【０００３】以下に従来のタンタルを用いて陽極体を形
成した場合の固体電解コンデンサの製造方法を示す。 （１）プレス成形によりタンタル金属粉にタンタル陽極
リードを埋設した成形体を作製し、真空焼結を行って多
孔質の固体電解コンデンサ用タンタル素子を得る。 （２）次に（１）で得たタンタル素子をリン酸水溶液
（0.6wt%）に浸せきし、タンタル陽極リードに正電極と
し、水溶液中の電極を負電極として電圧を印加して化成
を行う。 （３）化成により絶縁性（誘電性）酸化皮膜Ta2O5をタ
ンタル素子表面に形成する。 （４）酸化皮膜を形成したタンタル素子を酸化剤である
p-トルエンスルフォン酸鉄塩水溶液30wt%に５分間浸漬
し、乾燥した後、重合材であるエチレンジオキシチオフ
ェンモノマーに１分間浸漬し、乾燥を行い導電性高分子
プレコート層をタンタル素子多孔質内部に形成し１次化
学重合層を形成させる。 （５）モノマーとしてピロール0.7mol/lを用いて、電解
重合溶液にタンタル素子を浸漬し、給電端子を前期の化
学重合を実施したタンタル素子に接近させ、素子表面に
電解重合による導電性高分子層を形成し２次電解重合層
を形成させる。このときの重合電圧は標準電極電位で１
Ｖとし、通電時間は20分とした。 （６）上記電解重合完了後のタンタル素子の表面に、グ
ラファイト層、銀層をペースト塗布・硬化により形成
し、さらにその上に陰極引き出しリードを接続する。 （７）構成された素子を樹脂モールド等により外装する
事によりタンタル固体電解コンデンサを得る。
成した場合の固体電解コンデンサの製造方法を示す。 （１）プレス成形によりタンタル金属粉にタンタル陽極
リードを埋設した成形体を作製し、真空焼結を行って多
孔質の固体電解コンデンサ用タンタル素子を得る。 （２）次に（１）で得たタンタル素子をリン酸水溶液
（0.6wt%）に浸せきし、タンタル陽極リードに正電極と
し、水溶液中の電極を負電極として電圧を印加して化成
を行う。 （３）化成により絶縁性（誘電性）酸化皮膜Ta2O5をタ
ンタル素子表面に形成する。 （４）酸化皮膜を形成したタンタル素子を酸化剤である
p-トルエンスルフォン酸鉄塩水溶液30wt%に５分間浸漬
し、乾燥した後、重合材であるエチレンジオキシチオフ
ェンモノマーに１分間浸漬し、乾燥を行い導電性高分子
プレコート層をタンタル素子多孔質内部に形成し１次化
学重合層を形成させる。 （５）モノマーとしてピロール0.7mol/lを用いて、電解
重合溶液にタンタル素子を浸漬し、給電端子を前期の化
学重合を実施したタンタル素子に接近させ、素子表面に
電解重合による導電性高分子層を形成し２次電解重合層
を形成させる。このときの重合電圧は標準電極電位で１
Ｖとし、通電時間は20分とした。 （６）上記電解重合完了後のタンタル素子の表面に、グ
ラファイト層、銀層をペースト塗布・硬化により形成
し、さらにその上に陰極引き出しリードを接続する。 （７）構成された素子を樹脂モールド等により外装する
事によりタンタル固体電解コンデンサを得る。
【０００４】上記の製法により得られる固体電解コンデ
ンサを改良する方法として、特開平６−１２０８６号の
固体電解コンデンサの製造方法、及び特開平３−６４０
１４号の固体電解コンデンサ及びその製造方法の発明が
開示されている。特開平６−１２０８６号の固体電解コ
ンデンサの製造方法によれば、２次電解重合層を形成す
る上記（５）の工程において、電解重合溶液に界面活性
剤を添加することにより誘電正接値と高周波領域での等
価直列抵抗値が少ない固体電解コンデンサを得られると
されている。また特開平３−６４０１４号の固体電解コ
ンデンサ及びその製造方法の発明によれば、上記（５）
の工程において２次電解重合層を形成する電解重合溶液
にアニオン界面活性剤等の界面活性剤を添加することに
より静電容量及びTanδ等が改善されるとされている。
ンサを改良する方法として、特開平６−１２０８６号の
固体電解コンデンサの製造方法、及び特開平３−６４０
１４号の固体電解コンデンサ及びその製造方法の発明が
開示されている。特開平６−１２０８６号の固体電解コ
ンデンサの製造方法によれば、２次電解重合層を形成す
る上記（５）の工程において、電解重合溶液に界面活性
剤を添加することにより誘電正接値と高周波領域での等
価直列抵抗値が少ない固体電解コンデンサを得られると
されている。また特開平３−６４０１４号の固体電解コ
ンデンサ及びその製造方法の発明によれば、上記（５）
の工程において２次電解重合層を形成する電解重合溶液
にアニオン界面活性剤等の界面活性剤を添加することに
より静電容量及びTanδ等が改善されるとされている。
【０００５】しかし、以上の特開平６−１２０８６号に
開示された固体電解コンデンサの製造方法及び特開平３
−６４０１４号に開示された固体電解コンデンサ及びそ
の製造方法では、添加する界面活性剤の選択及び選択さ
れた界面活性剤の濃度の調整が非常に困難であった。界
面活性作用が有る支持電解質を用いて２次電解重合層を
形成させる際に、添加濃度が大きいと２次電解重合層が
剥離して、その結果コンデンサの静電容量は減少する。
一方、界面活性作用が無い支持電解質を用いて２次電解
重合層の形成させる際に、導電性高分子層に突起部分が
多くなり形状が悪くなるという不都合があった。
開示された固体電解コンデンサの製造方法及び特開平３
−６４０１４号に開示された固体電解コンデンサ及びそ
の製造方法では、添加する界面活性剤の選択及び選択さ
れた界面活性剤の濃度の調整が非常に困難であった。界
面活性作用が有る支持電解質を用いて２次電解重合層を
形成させる際に、添加濃度が大きいと２次電解重合層が
剥離して、その結果コンデンサの静電容量は減少する。
一方、界面活性作用が無い支持電解質を用いて２次電解
重合層の形成させる際に、導電性高分子層に突起部分が
多くなり形状が悪くなるという不都合があった。
【０００６】図１に上記（５）の電解重合層溶液に添加
する界面活性剤を１種類のみ添加した場合のコンデンサ
の静電容量をグラフに示す。また図２に界面活性剤を１
種類のみ添加した場合の２次電解重合層の外観形状を示
す。 （従来例１）支持電解質として界面活性作用の有するド
デシルベンゼンスルフォン酸ナトリウム（以下Na-DBSと
略す。）のみを電解重合溶液に添加して使用した場合、
均一な重合形成ができる。しかし、本来１６０μＦ程度
得られるはずの静電容量（１kHz）が１４３μＦとな
り、静電容量は減少する。このとき外観形状は変化して
いない。 （従来例２）支持電解質として界面活性作用が無いｐ-
トルエンスルフォン酸ナトリウム（以下Na-pTSと略
す。）のみを電解重合溶液に添加して使用した場合、不
均一な突起が電解重合層に形成され、結果としてコンデ
ンサの外観形状が悪くなる。このとき静電容量（１kH
z）は１６５μＦであり、静電容量は減少しない。 （従来例3）支持電解質として界面活性作用の有るブチ
ルナフタレンスルフォン酸ナトリウム（以下Na-BNSと略
す。）のみを電解重合溶液に添加して使用した場合、本
来１６０μＦ程度得られるはずの静電容量（１kHz）が
１４１μＦとなり、静電容量は減少する。このとき外観
形状は変化しない。 （従来例4）支持電解質として界面活性作用が無いナフ
タレンスルフォン酸ナトリウム（以下Na-NSと略す。）
のみを電解重合溶液に添加して使用した場合、不均一な
突起が形成され、コンデンサの外観形状が悪くなる。静
電容量（１kHz）は１６４μＦであり、静電容量は減少
しない。
する界面活性剤を１種類のみ添加した場合のコンデンサ
の静電容量をグラフに示す。また図２に界面活性剤を１
種類のみ添加した場合の２次電解重合層の外観形状を示
す。 （従来例１）支持電解質として界面活性作用の有するド
デシルベンゼンスルフォン酸ナトリウム（以下Na-DBSと
略す。）のみを電解重合溶液に添加して使用した場合、
均一な重合形成ができる。しかし、本来１６０μＦ程度
得られるはずの静電容量（１kHz）が１４３μＦとな
り、静電容量は減少する。このとき外観形状は変化して
いない。 （従来例２）支持電解質として界面活性作用が無いｐ-
トルエンスルフォン酸ナトリウム（以下Na-pTSと略
す。）のみを電解重合溶液に添加して使用した場合、不
均一な突起が電解重合層に形成され、結果としてコンデ
ンサの外観形状が悪くなる。このとき静電容量（１kH
z）は１６５μＦであり、静電容量は減少しない。 （従来例3）支持電解質として界面活性作用の有るブチ
ルナフタレンスルフォン酸ナトリウム（以下Na-BNSと略
す。）のみを電解重合溶液に添加して使用した場合、本
来１６０μＦ程度得られるはずの静電容量（１kHz）が
１４１μＦとなり、静電容量は減少する。このとき外観
形状は変化しない。 （従来例4）支持電解質として界面活性作用が無いナフ
タレンスルフォン酸ナトリウム（以下Na-NSと略す。）
のみを電解重合溶液に添加して使用した場合、不均一な
突起が形成され、コンデンサの外観形状が悪くなる。静
電容量（１kHz）は１６４μＦであり、静電容量は減少
しない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上の従来技
術における問題に鑑みてなされたものであって、２次電
解重合時に形成される重合層の形状を良好にしてコンデ
ンサを小型化すると共に、コンデンサの静電容量を減少
させない高性能な固体電解コンデンサを提供することを
目的とする。
術における問題に鑑みてなされたものであって、２次電
解重合時に形成される重合層の形状を良好にしてコンデ
ンサを小型化すると共に、コンデンサの静電容量を減少
させない高性能な固体電解コンデンサを提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本出
願第１の発明は、陽極と、陰極と、誘電体とから成り、
誘電体の表面に１次化学重合層を形成した後、所定の溶
液中で電解重合を行うことによって、１次化学重合層の
表面に２次電解重合層が形成されてなる陰極を具備した
固体電解コンデンサにおいて、２次電解重合層を形成す
る所定の溶液に、前記溶液の溶媒に対して界面活性作用
が有る支持電解質と界面活性作用が無い支持電解質と
が、それぞれ所定の濃度で添加されて２次電解重合層が
形成されることを特徴とする固体電解コンデンサであ
る。
願第１の発明は、陽極と、陰極と、誘電体とから成り、
誘電体の表面に１次化学重合層を形成した後、所定の溶
液中で電解重合を行うことによって、１次化学重合層の
表面に２次電解重合層が形成されてなる陰極を具備した
固体電解コンデンサにおいて、２次電解重合層を形成す
る所定の溶液に、前記溶液の溶媒に対して界面活性作用
が有る支持電解質と界面活性作用が無い支持電解質と
が、それぞれ所定の濃度で添加されて２次電解重合層が
形成されることを特徴とする固体電解コンデンサであ
る。
【０００９】したがって本出願第１の発明の固体電解コ
ンデンサによれば、２次電解重合層を形成する所定の溶
液に、前記溶液の溶媒に対して界面活性作用が有る支持
電解質と界面活性作用が無い支持電解質とが、それぞれ
所定の濃度で添加されて２次電解重合層が形成される
と、２次電解重合時に形成される重合層の形状を良好に
するとともに、コンデンサの静電容量も減少させない利
点がある。
ンデンサによれば、２次電解重合層を形成する所定の溶
液に、前記溶液の溶媒に対して界面活性作用が有る支持
電解質と界面活性作用が無い支持電解質とが、それぞれ
所定の濃度で添加されて２次電解重合層が形成される
と、２次電解重合時に形成される重合層の形状を良好に
するとともに、コンデンサの静電容量も減少させない利
点がある。
【００１０】また本出願第２の発明は、本出願第１の発
明の固体電解コンデンサにおいて、前記界面活性作用が
有る支持電解質は少なくとも１種類の界面活性作用が有
る支持電解質からなることを特徴とする。
明の固体電解コンデンサにおいて、前記界面活性作用が
有る支持電解質は少なくとも１種類の界面活性作用が有
る支持電解質からなることを特徴とする。
【００１１】また本出願第３の発明は、本出願第１の発
明又は本出願第２の発明に記載の固体電解コンデンサに
おいて、前記界面活性作用が無い支持電解質は少なくと
も１種類の界面活性作用が無い支持電解質からなること
を特徴とする。
明又は本出願第２の発明に記載の固体電解コンデンサに
おいて、前記界面活性作用が無い支持電解質は少なくと
も１種類の界面活性作用が無い支持電解質からなること
を特徴とする。
【００１２】したがって本出願第２及び第３の発明の固
体電解コンデンサによれば、界面活性作用が有る支持電
解質を少なくとも１種類と界面活性作用が無い支持電解
質を少なくとも１種類とを組み合わせて用いることがで
きるため、２次電解重合時に形成される重合層の形状を
良好にするとともに、コンデンサの静電容量も減少させ
ない利点に加えて、固体電解コンデンサに所望の特性に
応じた添加物を添加することができる利点がある。
体電解コンデンサによれば、界面活性作用が有る支持電
解質を少なくとも１種類と界面活性作用が無い支持電解
質を少なくとも１種類とを組み合わせて用いることがで
きるため、２次電解重合時に形成される重合層の形状を
良好にするとともに、コンデンサの静電容量も減少させ
ない利点に加えて、固体電解コンデンサに所望の特性に
応じた添加物を添加することができる利点がある。
【００１３】また本出願第４の発明は、本出願第1から
第３の発明のいずれか一に記載の固体電解コンデンサに
おいて、前記界面活性作用が有る支持電解質は臨界ミセ
ル濃度以上の界面活性作用を持つことを特徴とする。
第３の発明のいずれか一に記載の固体電解コンデンサに
おいて、前記界面活性作用が有る支持電解質は臨界ミセ
ル濃度以上の界面活性作用を持つことを特徴とする。
【００１４】したがって本出願４の発明の固体電解コン
デンサによれば、２次電解重合時に形成される重合層の
形状を良好にするとともに、コンデンサの静電容量を減
少させない利点がある。
デンサによれば、２次電解重合時に形成される重合層の
形状を良好にするとともに、コンデンサの静電容量を減
少させない利点がある。
【００１５】また本出願第５の発明は、本出願第1から
第４の発明のいずれか一に記載の固体電解コンデンサに
おいて、前記界面活性作用が有る支持電解質には、ドデ
シルベンゼンスルフォン酸ナトリウムが用いられること
を特徴とする。
第４の発明のいずれか一に記載の固体電解コンデンサに
おいて、前記界面活性作用が有る支持電解質には、ドデ
シルベンゼンスルフォン酸ナトリウムが用いられること
を特徴とする。
【００１６】したがって本出願５の発明の固体電解コン
デンサによれば、２次電解重合時に形成される重合層の
形状を良好にするとともに、コンデンサの静電容量を減
少させない利点がある。
デンサによれば、２次電解重合時に形成される重合層の
形状を良好にするとともに、コンデンサの静電容量を減
少させない利点がある。
【００１７】また本出願第６の発明は、本出願第1から
第５の発明のいずれか一に記載の固体電解コンデンサに
おいて、前記界面活性作用が有る支持電解質には、ブチ
ルナフタレンスルフォン酸ナトリウムが用いられること
を特徴とする。
第５の発明のいずれか一に記載の固体電解コンデンサに
おいて、前記界面活性作用が有る支持電解質には、ブチ
ルナフタレンスルフォン酸ナトリウムが用いられること
を特徴とする。
【００１８】したがって本出願６の発明の固体電解コン
デンサによれば、２次電解重合時に形成される重合層の
形状を良好にするとともに、コンデンサの静電容量を減
少させない利点がある。
デンサによれば、２次電解重合時に形成される重合層の
形状を良好にするとともに、コンデンサの静電容量を減
少させない利点がある。
【００１９】また本出願第７の発明は、本出願第1から
第６の発明のいずれか一に記載の固体電解コンデンサに
おいて、前記界面活性作用が無い支持電解質には、ｐ−
トルエンスルフォン酸ナトリウムが用いられることを特
徴とする。
第６の発明のいずれか一に記載の固体電解コンデンサに
おいて、前記界面活性作用が無い支持電解質には、ｐ−
トルエンスルフォン酸ナトリウムが用いられることを特
徴とする。
【００２０】したがって本出願７の発明の固体電解コン
デンサによれば、２次電解重合時に形成される重合層の
形状を良好にするとともに、コンデンサの静電容量を減
少させない利点がある。
デンサによれば、２次電解重合時に形成される重合層の
形状を良好にするとともに、コンデンサの静電容量を減
少させない利点がある。
【００２１】また本出願第８の発明は、本出願第1から
第７の発明のいずれか一に記載の固体電解コンデンサに
おいて、前記界面活性作用が無い支持電解質には、ナフ
タレンスルフォン酸ナトリウムが用いられることを特徴
とする。
第７の発明のいずれか一に記載の固体電解コンデンサに
おいて、前記界面活性作用が無い支持電解質には、ナフ
タレンスルフォン酸ナトリウムが用いられることを特徴
とする。
【００２２】したがって本出願８の発明の固体電解コン
デンサによれば、２次電解重合時に形成される重合層の
形状を良好にするとともに、コンデンサの静電容量を減
少させない利点がある。
デンサによれば、２次電解重合時に形成される重合層の
形状を良好にするとともに、コンデンサの静電容量を減
少させない利点がある。
【００２３】
【発明の実施の形態】図１１は本発明の実施の形態に基
づく固体電解コンデンサの素子構造を説明するための断
面図である。係る固体電解コンデンサは、陽極リード
１、及び陽極２より正極端子を成し、また陰極リード
７、グラファイト層および銀ペースト６、２次電解重合
層５、及び１次化学重合層４より負極端子を成し、絶縁
性酸化皮膜３が誘電体を成す構造と成っている。この実
施の形態の固体電解コンデンサにあっては２次電解重合
層５を形成する支持電解質に特徴がある。界面活性作用
が無い支持電解質により２次電解重合を行った場合は、
１次化学重合層４と２次電解重合層５との間隙に分子膜
が形成されないために、タンタル酸化皮膜３および１次
化学重合層４上に形成された突起部に電解重合中に電荷
集中を起こす。そのために、その突起部は優先的に成長
し、突起部の多い２次電解重合層５を形成する。しか
し、界面活性作用が無いため、タンタル酸化皮膜３と１
次化学重合層４との吸着の弱い箇所に支持電解質が進入
して１次化学重合層４を剥離させることは無い。そのた
めに、コンデンサの静電容量は減少しない。一方、界面
活性作用が有る支持電解質は１次化学重合層４と電解重
合液との界面に分子膜を形成し、高分子モノマーを分子
膜の疎水性領域に取り込むことによって高分子モノマー
の濃度を局所的に高める。そのため、２次電解重合層５
が上記の１次化学重合層４と電解重合液との界面に沿っ
て成長する傾向が強くなり、１次化学重合層４に突起部
がある場合でも２次電解重合層５は、突起部の成長を抑
制する。しかし、界面活性作用が有る支持電解質は、タ
ンタル酸化皮膜３と１次化学重合層４とが弱く吸着して
いる箇所に進入して１次化学重合層４を酸化皮膜３から
剥離させる。このためタンタル酸化皮膜３上の導電性高
分子層の被覆率が減少してコンデンサの静電容量は減少
する。本発明では、界面活性作用が無い支持電解質に界
面活性作用が有る支持電解質を所定の濃度の範囲で混合
して電解重合溶液に添加した溶液にて２次電解重合を行
うことにより、双方の支持電解質が有する特性を生かし
て、電解重合層の形状を良好とし、電解重合後のコンデ
ンサの静電容量減少を抑制する効果を得ることができ
る。
づく固体電解コンデンサの素子構造を説明するための断
面図である。係る固体電解コンデンサは、陽極リード
１、及び陽極２より正極端子を成し、また陰極リード
７、グラファイト層および銀ペースト６、２次電解重合
層５、及び１次化学重合層４より負極端子を成し、絶縁
性酸化皮膜３が誘電体を成す構造と成っている。この実
施の形態の固体電解コンデンサにあっては２次電解重合
層５を形成する支持電解質に特徴がある。界面活性作用
が無い支持電解質により２次電解重合を行った場合は、
１次化学重合層４と２次電解重合層５との間隙に分子膜
が形成されないために、タンタル酸化皮膜３および１次
化学重合層４上に形成された突起部に電解重合中に電荷
集中を起こす。そのために、その突起部は優先的に成長
し、突起部の多い２次電解重合層５を形成する。しか
し、界面活性作用が無いため、タンタル酸化皮膜３と１
次化学重合層４との吸着の弱い箇所に支持電解質が進入
して１次化学重合層４を剥離させることは無い。そのた
めに、コンデンサの静電容量は減少しない。一方、界面
活性作用が有る支持電解質は１次化学重合層４と電解重
合液との界面に分子膜を形成し、高分子モノマーを分子
膜の疎水性領域に取り込むことによって高分子モノマー
の濃度を局所的に高める。そのため、２次電解重合層５
が上記の１次化学重合層４と電解重合液との界面に沿っ
て成長する傾向が強くなり、１次化学重合層４に突起部
がある場合でも２次電解重合層５は、突起部の成長を抑
制する。しかし、界面活性作用が有る支持電解質は、タ
ンタル酸化皮膜３と１次化学重合層４とが弱く吸着して
いる箇所に進入して１次化学重合層４を酸化皮膜３から
剥離させる。このためタンタル酸化皮膜３上の導電性高
分子層の被覆率が減少してコンデンサの静電容量は減少
する。本発明では、界面活性作用が無い支持電解質に界
面活性作用が有る支持電解質を所定の濃度の範囲で混合
して電解重合溶液に添加した溶液にて２次電解重合を行
うことにより、双方の支持電解質が有する特性を生かし
て、電解重合層の形状を良好とし、電解重合後のコンデ
ンサの静電容量減少を抑制する効果を得ることができ
る。
【００２４】本発明の固体電解コンデンサを作成する工
程を以下に示す。 （１）プレス成形によりタンタル金属粉にタンタル陽極
リード１を埋設した成形体を作製し、真空焼結を行って
陽極２である多孔質の固体電解コンデンサ用タンタル素
子を得る。 （２）次に（１）で得られたタンタル素子をリン酸水溶
液に浸漬し、タンタル陽極リード１を正電極とし、水溶
液中の電極を負電極として電圧を印加して化成を行う。 （３）化成により絶縁性（誘電性）酸化皮膜３をタンタ
ル素子表面に形成する。 （４）絶縁性酸化皮膜３を形成したタンタル素子を酸化
剤水溶液に浸漬し、乾燥した後、重合材であるチオフェ
ン系モノマーに１分間浸漬し、乾燥を行い導電性高分子
プレコート層をタンタル素子多孔質内部に形成し１次化
学重合層４を形成させる。 （５）溶媒中に、界面活性剤、支持電解質、及び導電性
高分子のドーパントを兼ねて用いる溶媒に対して界面活
性作用が有る支持電解質と界面活性作用が無い支持電解
質とを、それぞれ所定の濃度で添加した電解重合溶液に
タンタル素子を浸漬し、給電端子を前期の化学重合を実
施したタンタル素子に接近させ、素子表面に電解重合に
よる導電性高分子層を形成し２次電解重合層５を形成さ
せる。 （６）上記電解重合完了後のタンタル素子の表面に、グ
ラファイト層及び銀ペースト６をペースト塗布・硬化に
より形成し、さらにその上に陰極引き出しリード７を接
続する。 （７）構成された素子を樹脂モールド等により外装する
事により係る本願発明のタンタル固体電解コンデンサを
得る。
程を以下に示す。 （１）プレス成形によりタンタル金属粉にタンタル陽極
リード１を埋設した成形体を作製し、真空焼結を行って
陽極２である多孔質の固体電解コンデンサ用タンタル素
子を得る。 （２）次に（１）で得られたタンタル素子をリン酸水溶
液に浸漬し、タンタル陽極リード１を正電極とし、水溶
液中の電極を負電極として電圧を印加して化成を行う。 （３）化成により絶縁性（誘電性）酸化皮膜３をタンタ
ル素子表面に形成する。 （４）絶縁性酸化皮膜３を形成したタンタル素子を酸化
剤水溶液に浸漬し、乾燥した後、重合材であるチオフェ
ン系モノマーに１分間浸漬し、乾燥を行い導電性高分子
プレコート層をタンタル素子多孔質内部に形成し１次化
学重合層４を形成させる。 （５）溶媒中に、界面活性剤、支持電解質、及び導電性
高分子のドーパントを兼ねて用いる溶媒に対して界面活
性作用が有る支持電解質と界面活性作用が無い支持電解
質とを、それぞれ所定の濃度で添加した電解重合溶液に
タンタル素子を浸漬し、給電端子を前期の化学重合を実
施したタンタル素子に接近させ、素子表面に電解重合に
よる導電性高分子層を形成し２次電解重合層５を形成さ
せる。 （６）上記電解重合完了後のタンタル素子の表面に、グ
ラファイト層及び銀ペースト６をペースト塗布・硬化に
より形成し、さらにその上に陰極引き出しリード７を接
続する。 （７）構成された素子を樹脂モールド等により外装する
事により係る本願発明のタンタル固体電解コンデンサを
得る。
【００２５】
【実施例】（実施例１）以下に本発明による実施例１を
示す。 （１）プレス成形によりタンタル金属粉にタンタル陽極
リードを埋設した成形体を作製し、真空焼結を行って多
孔質の固体電解コンデンサ用タンタル素子を得る。 （２）次に（１）で得たタンタル素子をリン酸水溶液
（0.6wt%）に浸せきし、タンタル陽極リードに正電極と
し、水溶液中の電極を負電極として電圧を印加して化成
を行う。 （３）化成により絶縁性（誘電性）酸化皮膜Ta2O5をタ
ンタル素子表面に形成する。 （４）酸化皮膜を形成したタンタル素子を酸化剤である
p-トルエンスルフォン酸鉄塩水溶液30wt%に５分間浸漬
し、乾燥した後、重合材であるエチレンジオキシチオフ
ェンモノマーに１分間浸漬し、乾燥を行い導電性高分子
プレコート層をタンタル素子多孔質内部に形成し１次化
学重合層を形成させる。 （５）モノマーとしてピロール0.7mol/lを用いて、界面
活性剤、支持電解質、及び導電性高分子のドーパントを
兼ねてNa-DBSを0.01mol/l 、Na-pTSを0.5mol/l含む水溶
媒の電解重合溶液にタンタル素子を浸漬し、給電端子を
前期の化学重合を実施したタンタル素子に接近させ、素
子表面に電解重合による導電性高分子層を形成し２次電
解重合層を形成させる。このときの重合電圧は標準電極
電位で１Ｖとし、通電時間は20分とした。 （６）上記電解重合完了後のタンタル素子の表面に、グ
ラファイト層、銀層をペースト塗布・硬化により形成
し、さらにその上に陰極引き出しリードを接続する。 （７）構成された素子を樹脂モールド等により外装する
事によりタンタル固体電解コンデンサを得る。
示す。 （１）プレス成形によりタンタル金属粉にタンタル陽極
リードを埋設した成形体を作製し、真空焼結を行って多
孔質の固体電解コンデンサ用タンタル素子を得る。 （２）次に（１）で得たタンタル素子をリン酸水溶液
（0.6wt%）に浸せきし、タンタル陽極リードに正電極と
し、水溶液中の電極を負電極として電圧を印加して化成
を行う。 （３）化成により絶縁性（誘電性）酸化皮膜Ta2O5をタ
ンタル素子表面に形成する。 （４）酸化皮膜を形成したタンタル素子を酸化剤である
p-トルエンスルフォン酸鉄塩水溶液30wt%に５分間浸漬
し、乾燥した後、重合材であるエチレンジオキシチオフ
ェンモノマーに１分間浸漬し、乾燥を行い導電性高分子
プレコート層をタンタル素子多孔質内部に形成し１次化
学重合層を形成させる。 （５）モノマーとしてピロール0.7mol/lを用いて、界面
活性剤、支持電解質、及び導電性高分子のドーパントを
兼ねてNa-DBSを0.01mol/l 、Na-pTSを0.5mol/l含む水溶
媒の電解重合溶液にタンタル素子を浸漬し、給電端子を
前期の化学重合を実施したタンタル素子に接近させ、素
子表面に電解重合による導電性高分子層を形成し２次電
解重合層を形成させる。このときの重合電圧は標準電極
電位で１Ｖとし、通電時間は20分とした。 （６）上記電解重合完了後のタンタル素子の表面に、グ
ラファイト層、銀層をペースト塗布・硬化により形成
し、さらにその上に陰極引き出しリードを接続する。 （７）構成された素子を樹脂モールド等により外装する
事によりタンタル固体電解コンデンサを得る。
【００２６】図３に本実施例で作製した実施例１のコン
デンサと、従来例１及び従来例２で得られたコンデンサ
の静電容量の比較を示す。また図４に実施例１で作成さ
れた２次電解重合層の外観形状を示す。従来例１は、前
述のNa-DBSのみを用いて２次電解重合層を形成したコン
デンサであり、従来例２は、前述の界面活性作用が無い
Na-pTSのみを用いて２次電解重合層を形成したコンデン
サである。本実施例のコンデンサは図３より静電容量は
減少しないこと、及び図４より２次電解重合層の形状が
良好であることがわかる。
デンサと、従来例１及び従来例２で得られたコンデンサ
の静電容量の比較を示す。また図４に実施例１で作成さ
れた２次電解重合層の外観形状を示す。従来例１は、前
述のNa-DBSのみを用いて２次電解重合層を形成したコン
デンサであり、従来例２は、前述の界面活性作用が無い
Na-pTSのみを用いて２次電解重合層を形成したコンデン
サである。本実施例のコンデンサは図３より静電容量は
減少しないこと、及び図４より２次電解重合層の形状が
良好であることがわかる。
【００２７】（実施例２）実施例１の（４）の工程によ
り得られた素子に２次電解重合層を形成する工程におい
て界面活性作用が無い支持電解質としてNa-pTS0.5mol/l
と界面活性作用が有る支持電解質としてNa-DBS0.03mol/
lを混合した電解重合溶液にタンタル素子を浸漬し、以
下実施例1と同様に電解重合を行って実施例２の導電性
高分子層を得た。図３に本実施例で作製したコンデンサ
の静電容量の比較をグラフに示す。２次電解重合層の外
観形状は、実施例1とほぼ同様であるため省略した。図
３から静電容量は減少しないことがわかる。
り得られた素子に２次電解重合層を形成する工程におい
て界面活性作用が無い支持電解質としてNa-pTS0.5mol/l
と界面活性作用が有る支持電解質としてNa-DBS0.03mol/
lを混合した電解重合溶液にタンタル素子を浸漬し、以
下実施例1と同様に電解重合を行って実施例２の導電性
高分子層を得た。図３に本実施例で作製したコンデンサ
の静電容量の比較をグラフに示す。２次電解重合層の外
観形状は、実施例1とほぼ同様であるため省略した。図
３から静電容量は減少しないことがわかる。
【００２８】（実施例３）実施例１の（４）の工程によ
り得られた素子に２次電解重合層を形成する工程におい
て支持電解質として界面活性作用が無い支持電解質とし
てNa-pTS0.5mol/lと界面活性作用が有る支持電解質とし
てNa-DBS0.1mol/lを混合した電解重合溶液にタンタル素
子を浸漬し、以下実施例1と同様に電解重合を行って実
施例３の導電性高分子層を得た。図３に本実施例で作製
したコンデンサの静電容量の比較をグラフに示す。実施
例1及び実施例２のコンデンサの静電容量は（1kHz）は1
63〜164μＦであるが、本実施例のコンデンサの静電容
量（1kHz）は平均で148μＦとなり静電容量減少があ
る。しかし、従来例1と比較すれば静電容量の減少が抑
制されている。以上に示す様に、界面活性作用が有る支
持電解質と界面活性作用が無い支持電解質とを、それぞ
れ所定の濃度で添加する必要がある。本実施例における
系では、Na-DBSの濃度は0.1mol/lが限界である。
り得られた素子に２次電解重合層を形成する工程におい
て支持電解質として界面活性作用が無い支持電解質とし
てNa-pTS0.5mol/lと界面活性作用が有る支持電解質とし
てNa-DBS0.1mol/lを混合した電解重合溶液にタンタル素
子を浸漬し、以下実施例1と同様に電解重合を行って実
施例３の導電性高分子層を得た。図３に本実施例で作製
したコンデンサの静電容量の比較をグラフに示す。実施
例1及び実施例２のコンデンサの静電容量は（1kHz）は1
63〜164μＦであるが、本実施例のコンデンサの静電容
量（1kHz）は平均で148μＦとなり静電容量減少があ
る。しかし、従来例1と比較すれば静電容量の減少が抑
制されている。以上に示す様に、界面活性作用が有る支
持電解質と界面活性作用が無い支持電解質とを、それぞ
れ所定の濃度で添加する必要がある。本実施例における
系では、Na-DBSの濃度は0.1mol/lが限界である。
【００２９】（実施例４）実施例１の（４）の工程によ
り得られた素子に２次電解重合層を形成する工程におい
て界面活性作用が無い支持電解質としてNa-NS0.3mol/l
と界面活性作用が有る支持電解質としてNa-BNS0.01mol/
lを混合した電解重合溶液にタンタル素子を浸漬し、以
下実施例1と同様に電解重合を行って導電性高分子層を
得た。図５に本実施例４で得られたコンデンサと、従来
例３および従来例５で得られたコンデンサの静電容量の
比較を示す。また図６に実施例４で作成された２次電解
重合層の外観形状を示す。従来例３は前述のNa-DBSのみ
を用いた場合、従来例４は前述のNa-NSのみを用いた場
合である。図５より本実施例４は従来例４に比べて静電
容量は減少していないことがわかる。また図６より２次
電解重合層の外観形状も良好である。よってNa-DBSの代
わりに同じ界面活性作用を有する Na-BNSを用いても同
じ効果が得られる。
り得られた素子に２次電解重合層を形成する工程におい
て界面活性作用が無い支持電解質としてNa-NS0.3mol/l
と界面活性作用が有る支持電解質としてNa-BNS0.01mol/
lを混合した電解重合溶液にタンタル素子を浸漬し、以
下実施例1と同様に電解重合を行って導電性高分子層を
得た。図５に本実施例４で得られたコンデンサと、従来
例３および従来例５で得られたコンデンサの静電容量の
比較を示す。また図６に実施例４で作成された２次電解
重合層の外観形状を示す。従来例３は前述のNa-DBSのみ
を用いた場合、従来例４は前述のNa-NSのみを用いた場
合である。図５より本実施例４は従来例４に比べて静電
容量は減少していないことがわかる。また図６より２次
電解重合層の外観形状も良好である。よってNa-DBSの代
わりに同じ界面活性作用を有する Na-BNSを用いても同
じ効果が得られる。
【００３０】（実施例５）実施例１の（４）の工程によ
り得られた素子に２次電解重合層を形成する工程におい
て界面活性作用が無い支持電解質としてNa-NS0.3mol/l
と界面活性作用が有る支持電解質としてNa-DBS0.05mol/
lを混合した電解重合溶液にタンタル素子を浸漬し、以
下実施例1と同様に電解重合を行って導電性高分子層を
得た。図５に本実施例５で作製したコンデンサの静電容
量を比較したグラフを示す。２次電解重合層の外観形状
は実施例４とほぼ同様であるため省略した。図５から本
発明の実施例５の静電容量は減少していないことがわか
る。
り得られた素子に２次電解重合層を形成する工程におい
て界面活性作用が無い支持電解質としてNa-NS0.3mol/l
と界面活性作用が有る支持電解質としてNa-DBS0.05mol/
lを混合した電解重合溶液にタンタル素子を浸漬し、以
下実施例1と同様に電解重合を行って導電性高分子層を
得た。図５に本実施例５で作製したコンデンサの静電容
量を比較したグラフを示す。２次電解重合層の外観形状
は実施例４とほぼ同様であるため省略した。図５から本
発明の実施例５の静電容量は減少していないことがわか
る。
【００３１】（実施例６）実施例１の（４）の工程によ
り得られた素子に２次電解重合層を形成する工程におい
て界面活性作用が無い支持電解質としてNa-NS0.3mol/l
と界面活性作用が有る支持電解質としてNa-DBS0.10mol/
lを混合した電解重合溶液にタンタル素子を浸漬し、以
下実施例1と同様に電解重合を行って導電性高分子層を
得た。図５に本実施例６で作製したコンデンサの静電容
量を比較したグラフを示す。得られた２次電解重合層の
外観形状は実施例４とほぼ同様であるため省略した。図
５から本実施例のコンデンサの静電容量は実施例４およ
び５と比較して減少するが従来例３と比較して静電容量
の減少が抑制されている。実施例５及び実施例６に示す
様に、界面活性作用が有る支持電解質と界面活性作用が
無い支持電解質とが、それぞれ所定の濃度で添加される
必要があり、本実施例における界面活性作用が無いNa-p
TSの代わりにNa-NS を用いた場合で本実施例で用いられ
ている系では、Na-DBSの濃度は0.1mol/lが限界である。
り得られた素子に２次電解重合層を形成する工程におい
て界面活性作用が無い支持電解質としてNa-NS0.3mol/l
と界面活性作用が有る支持電解質としてNa-DBS0.10mol/
lを混合した電解重合溶液にタンタル素子を浸漬し、以
下実施例1と同様に電解重合を行って導電性高分子層を
得た。図５に本実施例６で作製したコンデンサの静電容
量を比較したグラフを示す。得られた２次電解重合層の
外観形状は実施例４とほぼ同様であるため省略した。図
５から本実施例のコンデンサの静電容量は実施例４およ
び５と比較して減少するが従来例３と比較して静電容量
の減少が抑制されている。実施例５及び実施例６に示す
様に、界面活性作用が有る支持電解質と界面活性作用が
無い支持電解質とが、それぞれ所定の濃度で添加される
必要があり、本実施例における界面活性作用が無いNa-p
TSの代わりにNa-NS を用いた場合で本実施例で用いられ
ている系では、Na-DBSの濃度は0.1mol/lが限界である。
【００３２】（実施例７）実施例１の（４）の工程によ
り得られた素子に２次電解重合層を形成する工程におい
て、界面活性作用が無い支持電解質Na-pTS0.2mol/lとNa
-NS0.3mol/lを混合して用いて、界面活性作用が有る支
持電解質としてNa-DBS0.03mol/lを用いた電解重合溶液
にタンタル素子を浸漬し、以下実施例1と同様に電解重
合を行って導電性高分子層を得た。図５に本実施例７で
作製したコンデンサの静電容量を比較するグラフを示
す。得られた重合層の外観形状は実施例４とほぼ同様で
あるため省略した。図５から実施例７は実施例４とほぼ
同程度の静電容量が得られた。
り得られた素子に２次電解重合層を形成する工程におい
て、界面活性作用が無い支持電解質Na-pTS0.2mol/lとNa
-NS0.3mol/lを混合して用いて、界面活性作用が有る支
持電解質としてNa-DBS0.03mol/lを用いた電解重合溶液
にタンタル素子を浸漬し、以下実施例1と同様に電解重
合を行って導電性高分子層を得た。図５に本実施例７で
作製したコンデンサの静電容量を比較するグラフを示
す。得られた重合層の外観形状は実施例４とほぼ同様で
あるため省略した。図５から実施例７は実施例４とほぼ
同程度の静電容量が得られた。
【００３３】（実施例８）実施例１の（４）の工程によ
り得られた素子に２次電解重合層を形成する工程におい
て、界面活性作用が無い支持電解質Na-pTS0.5mol/lを用
いて、界面活性作用が有る支持電解質Na-DBS0.03mol/l
と、Na-BNS0.03mol/lを混合した用いた電解重合溶液に
タンタル素子を浸漬し、以下実施例1と同様に電解重合
を行って導電性高分子層を得た。
り得られた素子に２次電解重合層を形成する工程におい
て、界面活性作用が無い支持電解質Na-pTS0.5mol/lを用
いて、界面活性作用が有る支持電解質Na-DBS0.03mol/l
と、Na-BNS0.03mol/lを混合した用いた電解重合溶液に
タンタル素子を浸漬し、以下実施例1と同様に電解重合
を行って導電性高分子層を得た。
【００３４】（実施例９）また、実施例１の（４）の工
程により得られた素子に２次電解重合層を形成する工程
において、界面活性作用が無い支持電解質Na-pTS0.5mol
/lを用いて、界面活性作用が有る支持電解質Na-DBS0.03
mol/l、 Na-BNS0.05mol/lを混合して用いた電解重合溶
液にタンタル素子を浸漬し、以下実施例1と同様に電解
重合を行って同様な導電性高分子層を得た。
程により得られた素子に２次電解重合層を形成する工程
において、界面活性作用が無い支持電解質Na-pTS0.5mol
/lを用いて、界面活性作用が有る支持電解質Na-DBS0.03
mol/l、 Na-BNS0.05mol/lを混合して用いた電解重合溶
液にタンタル素子を浸漬し、以下実施例1と同様に電解
重合を行って同様な導電性高分子層を得た。
【００３５】図７に本実施例８および本実施例９により
作製されたコンデンサの静電容量の比較を示すグラフを
示す。また実施例８により得られた２次電解重合層の外
観形状を示す。実施例９の重２次電解重合層の形状は実
施例８とほぼ同様であるため省略した。図７より実施例
８および実施例９から得られたコンデンサの静電容量は
従来例２とほぼ同様の静電容量が得られた。また図８よ
り良好な外観形状が得られた。
作製されたコンデンサの静電容量の比較を示すグラフを
示す。また実施例８により得られた２次電解重合層の外
観形状を示す。実施例９の重２次電解重合層の形状は実
施例８とほぼ同様であるため省略した。図７より実施例
８および実施例９から得られたコンデンサの静電容量は
従来例２とほぼ同様の静電容量が得られた。また図８よ
り良好な外観形状が得られた。
【００３６】（実施例１０）実施例１の（４）の工程に
より得られた素子に２次電解重合層を形成する工程にお
いて、界面活性作用が無い支持電解質Na-pTS0.25mol/
l、Na-NS0.15mol/lと界面活性作用が有る支持電解質Na-
DBS0.03mol/l、 Na-BNS0.05mol/lを混合した電解重合溶
液にタンタル素子を浸漬し、以下実施例１と同様に電解
重合を行って導電性高分子層を得た。図７に本実施例１
０で作製したコンデンサの静電容量を示す。また得られ
た２次電解重合層の外観形状は実施例８と同様であるた
め省略した。図７に示す様に実施例１０のコンデンサの
静電容量（1kHz）は156μＦであった。この静電容量値
は従来例２とほぼ同等の数値であり、図１に示す従来例
１および従来例３で見られる静電容量減少は、しなかっ
た。界面活性作用が有る支持電解質を２種類以上と界面
活性作用が無い支持電解質を２種類以上混合した電解重
合溶液を用いた場合でも２次電解重合層の外観形状が良
好で有ると共に静電容量減少の生じないコンデンサが得
られた。ただし、実施例３の結果からも明らかな様に、
電解重合溶液に添加する界面活性作用が有る支持電解質
濃度の和は0.1mol/l程度以下に調製する必要がある。
より得られた素子に２次電解重合層を形成する工程にお
いて、界面活性作用が無い支持電解質Na-pTS0.25mol/
l、Na-NS0.15mol/lと界面活性作用が有る支持電解質Na-
DBS0.03mol/l、 Na-BNS0.05mol/lを混合した電解重合溶
液にタンタル素子を浸漬し、以下実施例１と同様に電解
重合を行って導電性高分子層を得た。図７に本実施例１
０で作製したコンデンサの静電容量を示す。また得られ
た２次電解重合層の外観形状は実施例８と同様であるた
め省略した。図７に示す様に実施例１０のコンデンサの
静電容量（1kHz）は156μＦであった。この静電容量値
は従来例２とほぼ同等の数値であり、図１に示す従来例
１および従来例３で見られる静電容量減少は、しなかっ
た。界面活性作用が有る支持電解質を２種類以上と界面
活性作用が無い支持電解質を２種類以上混合した電解重
合溶液を用いた場合でも２次電解重合層の外観形状が良
好で有ると共に静電容量減少の生じないコンデンサが得
られた。ただし、実施例３の結果からも明らかな様に、
電解重合溶液に添加する界面活性作用が有る支持電解質
濃度の和は0.1mol/l程度以下に調製する必要がある。
【００３７】（実施例１１）実施例１の（４）の工程に
より得られた素子に２次電解重合層を形成する工程にお
いて、ピロールの代わりにチオフェン（0.35mol/l）を
モノマーとした。チオフェンは水に難溶であるため、溶
媒として水とアセトニトリルの混合溶媒（各50wt％）を
用いた。この混合溶媒に支持電解質として界面活性作用
が有るNa-DBSを0.015mol/l、界面活性作用が無いNa-pTS
を0.25mol/l添加して得た電解重合溶液にタンタル素子
を浸漬し、以下実施例1と同様に電解重合を行って導電
性高分子層を得た。図９に本実施例で作成したコンデン
サの静電容量の比較を示すグラフを示す。また図１０に
本実施例１１と得られた２次電解重合層の外観形状を示
す。図９に示す様に静電容量（1kHz）は実施例1とほぼ
同等の161μＦであった。また図１０に示す様に２次電
解重合層の外観形状は良好であった。
より得られた素子に２次電解重合層を形成する工程にお
いて、ピロールの代わりにチオフェン（0.35mol/l）を
モノマーとした。チオフェンは水に難溶であるため、溶
媒として水とアセトニトリルの混合溶媒（各50wt％）を
用いた。この混合溶媒に支持電解質として界面活性作用
が有るNa-DBSを0.015mol/l、界面活性作用が無いNa-pTS
を0.25mol/l添加して得た電解重合溶液にタンタル素子
を浸漬し、以下実施例1と同様に電解重合を行って導電
性高分子層を得た。図９に本実施例で作成したコンデン
サの静電容量の比較を示すグラフを示す。また図１０に
本実施例１１と得られた２次電解重合層の外観形状を示
す。図９に示す様に静電容量（1kHz）は実施例1とほぼ
同等の161μＦであった。また図１０に示す様に２次電
解重合層の外観形状は良好であった。
【００３８】本実施例は陽極材料としてタンタルが用い
たが、固体電解コンデンサにはアルミニウムを用いるこ
とも多く、本願発明は陽極材料にアルミニウムを用いた
場合でも同様な効果を有し、また陽極材料に弁作用金属
以外の金属を用いた場合でも同様な効果が得られる。ま
た２次電解重合層溶液のモノマーは実施例で用いたピロ
ールの他に、他のポリピロール系溶液や、ポリチオフェ
ン系溶液を用いても同様な効果が得られる。
たが、固体電解コンデンサにはアルミニウムを用いるこ
とも多く、本願発明は陽極材料にアルミニウムを用いた
場合でも同様な効果を有し、また陽極材料に弁作用金属
以外の金属を用いた場合でも同様な効果が得られる。ま
た２次電解重合層溶液のモノマーは実施例で用いたピロ
ールの他に、他のポリピロール系溶液や、ポリチオフェ
ン系溶液を用いても同様な効果が得られる。
【００３９】
【発明の効果】以上の説明から明らかな様に、導電性高
分子層の一部を電解重合で形成する固体電解コンデンサ
の製造工程において、電解重合する溶液中に界面活性作
用が有る支持電解質を添加することにより、２次電解重
合の外観形状を良好にする特性、及び界面活性作用が無
い支持電解質を添加することによりコンデンサの静電容
量を減少させない特性に基づき、双方の特性を持つ界面
活性剤をそれぞれ少なくとも１種類以上それぞれ所定の
濃度の範囲で添加することによって、２次電解重合時に
形成される重合層の形状を良好にするとともに、コンデ
ンサの静電容量も減少させない効果がある。
分子層の一部を電解重合で形成する固体電解コンデンサ
の製造工程において、電解重合する溶液中に界面活性作
用が有る支持電解質を添加することにより、２次電解重
合の外観形状を良好にする特性、及び界面活性作用が無
い支持電解質を添加することによりコンデンサの静電容
量を減少させない特性に基づき、双方の特性を持つ界面
活性剤をそれぞれ少なくとも１種類以上それぞれ所定の
濃度の範囲で添加することによって、２次電解重合時に
形成される重合層の形状を良好にするとともに、コンデ
ンサの静電容量も減少させない効果がある。
【００４０】
【図１】 従来例１から従来例４におけるコンデンサの
静電容量を示すグラフである。
静電容量を示すグラフである。
【図２】 従来例１から従来例４における２次電解重合
層の外観形状を示す。
層の外観形状を示す。
【図３】 本発明における実施例１から実施例３のコン
デンサの静電容量と従来例１および従来例２とのコンデ
ンサの静電容量の比較を示すグラフである。
デンサの静電容量と従来例１および従来例２とのコンデ
ンサの静電容量の比較を示すグラフである。
【図４】 実施例１におけるコンデンサの外観形状を示
す。
す。
【図５】 本発明における実施例４から実施例７のコン
デンサの静電容量と従来例３および従来例４とのコンデ
ンサの静電容量の比較を示すグラフである。
デンサの静電容量と従来例３および従来例４とのコンデ
ンサの静電容量の比較を示すグラフである。
【図６】 実施例４における２次電解重合層の外観形状
を示す。
を示す。
【図７】 本発明における実施例８から実施例１０のコ
ンデンサの静電容量と従来例１および従来例２とのコン
デンサの静電容量の比較を示すグラフである。
ンデンサの静電容量と従来例１および従来例２とのコン
デンサの静電容量の比較を示すグラフである。
【図８】 実施例８における２次電解重合層の外観形状
を示す。
を示す。
【図９】 本発明における実施例１１のコンデンサの静
電容量と従来例１とのコンデンサの静電容量の比較を示
すグラフである。
電容量と従来例１とのコンデンサの静電容量の比較を示
すグラフである。
【図１０】実施例１１における２次電解重合層の外観形
状を示す。
状を示す。
【図１１】本発明の実施の形態に基づく固体電解コンデ
ンサの素子構造を説明するための断面図である。
ンサの素子構造を説明するための断面図である。
【００４１】
１ 陽極リード ２ 陽極 ３ 絶縁性酸化皮膜 ４ １次化学重合層 ５ ２次電解重合層 ６ グラファイト層及び銀ペースト ７ 陰極リード
Claims (8)
- 【請求項1】陽極と、陰極と、誘電体とから成り、誘電
体の表面に１次化学重合層を形成した後、所定の溶液中
で電解重合を行うことによって、１次化学重合層の表面
に２次電解重合層が形成されてなる陰極を具備した固体
電解コンデンサにおいて、２次電解重合層を形成する所
定の溶液に、前記溶液の溶媒に対して界面活性作用が有
る支持電解質と界面活性作用が無い支持電解質とが、そ
れぞれ所定の濃度で添加されて２次電解重合層が形成さ
れることを特徴とする固体電解コンデンサ。 - 【請求項２】前記界面活性作用が有る支持電解質は少な
くとも１種類の界面活性作用が有る支持電解質からなる
ことを特徴とする請求項１記載の固体電解コンデンサ。 - 【請求項３】前記界面活性作用が無い支持電解質は少な
くとも１種類の界面活性作用が無い支持電解質からなる
ことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の固体電解
コンデンサ。 - 【請求項４】前記界面活性作用が有る支持電解質は臨界
ミセル濃度以上の界面活性作用を持つことを特徴とする
請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の固体電解コ
ンデンサ。 - 【請求項５】前記界面活性作用が有る支持電解質には、
ドデシルベンゼンスルフォン酸ナトリウムが用いられる
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一に
記載の固体電解コンデンサ。 - 【請求項６】前記界面活性作用が有る支持電解質には、
ブチルナフタレンスルフォン酸ナトリウムが用いられる
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一に
記載の固体電解コンデンサ。 - 【請求項７】前記界面活性作用が無い支持電解質には、
ｐ−トルエンスルフォン酸ナトリウムが用いられること
を特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載
の固体電解コンデンサ。 - 【請求項８】前記界面活性作用が無い支持電解質には、
ナフタレンスルフォン酸ナトリウムが用いられることを
特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の
固体電解コンデンサ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29032299A JP3465076B2 (ja) | 1999-10-12 | 1999-10-12 | 固体電解コンデンサ |
| US09/680,913 US6327138B1 (en) | 1999-10-12 | 2000-10-06 | Solid electrolytic capacitor |
| KR10-2000-0059141A KR100390202B1 (ko) | 1999-10-12 | 2000-10-09 | 고체 전해 커패시터 |
| EP00122090A EP1093136B1 (en) | 1999-10-12 | 2000-10-11 | Solid electrolytic capacitor |
| DE60035321T DE60035321T2 (de) | 1999-10-12 | 2000-10-11 | Festelektrolytkondensator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29032299A JP3465076B2 (ja) | 1999-10-12 | 1999-10-12 | 固体電解コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001110682A true JP2001110682A (ja) | 2001-04-20 |
| JP3465076B2 JP3465076B2 (ja) | 2003-11-10 |
Family
ID=17754591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29032299A Expired - Lifetime JP3465076B2 (ja) | 1999-10-12 | 1999-10-12 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6327138B1 (ja) |
| EP (1) | EP1093136B1 (ja) |
| JP (1) | JP3465076B2 (ja) |
| KR (1) | KR100390202B1 (ja) |
| DE (1) | DE60035321T2 (ja) |
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| JP2009099974A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-05-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2011210918A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Japan Carlit Co Ltd:The | 導電性高分子形成用電解重合液とそれを用いた固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP2020004758A (ja) * | 2018-06-25 | 2020-01-09 | テイカ株式会社 | 電解コンデンサの製造方法 |
| WO2022230818A1 (ja) * | 2021-04-30 | 2022-11-03 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電解コンデンサ |
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|---|---|---|---|---|
| US7061772B2 (en) * | 2002-08-05 | 2006-06-13 | Nec Tokin Corporation | Electronic circuit with transmission line type noise filter |
| JP4383204B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2009-12-16 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP4730908B2 (ja) * | 2006-11-28 | 2011-07-20 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサ |
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|---|---|---|---|---|
| JP2694670B2 (ja) * | 1989-06-15 | 1997-12-24 | マルコン電子株式会社 | タンタル固体電解コンデンサの製造方法 |
| JPH0364014A (ja) | 1989-08-02 | 1991-03-19 | Marcon Electron Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2945100B2 (ja) * | 1990-08-31 | 1999-09-06 | 日本カーリット株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JPH0695493B2 (ja) * | 1990-11-09 | 1994-11-24 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP3233365B2 (ja) * | 1991-02-22 | 2001-11-26 | 日本カーリット株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| JPH0736375B2 (ja) * | 1991-04-05 | 1995-04-19 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JPH06120086A (ja) | 1992-10-05 | 1994-04-28 | Fujitsu Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| KR960012294B1 (ko) * | 1993-05-15 | 1996-09-18 | 대우전자부품 주식회사 | 계면활성제를 이용한 탄탈륨 고체 전해콘덴서의 제조방법 |
| JP2765462B2 (ja) * | 1993-07-27 | 1998-06-18 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| KR0146612B1 (ko) * | 1995-01-25 | 1998-09-15 | 강박광 | 전도성 고분자 물질을 대향 전극으로 사용한 고체 전해 콘덴서 |
| JPH1060234A (ja) * | 1996-08-16 | 1998-03-03 | Nec Toyama Ltd | 導電性高分子及びその製造方法並びにこの導電性高分子 を用いた固体電解コンデンサ |
| JP3157748B2 (ja) * | 1997-07-30 | 2001-04-16 | 富山日本電気株式会社 | 導電性高分子を用いた固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-10-12 JP JP29032299A patent/JP3465076B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-10-06 US US09/680,913 patent/US6327138B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-09 KR KR10-2000-0059141A patent/KR100390202B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-10-11 EP EP00122090A patent/EP1093136B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-11 DE DE60035321T patent/DE60035321T2/de not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
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Also Published As
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| DE60035321T2 (de) | 2008-02-07 |
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| KR20010050922A (ko) | 2001-06-25 |
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