JP2001068476A - 半導体基板の処理方法 - Google Patents

半導体基板の処理方法

Info

Publication number
JP2001068476A
JP2001068476A JP2000214483A JP2000214483A JP2001068476A JP 2001068476 A JP2001068476 A JP 2001068476A JP 2000214483 A JP2000214483 A JP 2000214483A JP 2000214483 A JP2000214483 A JP 2000214483A JP 2001068476 A JP2001068476 A JP 2001068476A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
layer
dry etching
metallic layer
dry
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000214483A
Other languages
English (en)
Inventor
Hans-Juergen Kruwinus
ハンス−ユルゲン・クルビーヌス
Nijs Geert De
ゲールト・ドゥ・ニース
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research AG
Infineon Technologies AG
Original Assignee
SEZ AG
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SEZ AG, Infineon Technologies AG filed Critical SEZ AG
Publication of JP2001068476A publication Critical patent/JP2001068476A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/03—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8501—Cleaning, e.g. oxide removal step, desmearing
    • H01L2224/85013—Plasma cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01022—Titanium [Ti]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01072—Hafnium [Hf]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/049—Nitrides composed of metals from groups of the periodic table
    • H01L2924/0494—4th Group
    • H01L2924/04941—TiN
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 金属層を露出させるための簡単化され短縮化
されたプロセスであって、同時にボンディングパッドが
不純物を含まないプロセスを提供する。 【解決手段】 本発明は、金属層に形成された１または
複数の半導体基板の表面層を除去して金属層を露出させ
る半導体基板の処理プロセスであって、層の第１の部分
をドライエッチング工程によって除去した後に、層の第
２の部分をウェットエッチング工程によって除去して、
露出を行うことを特徴とするプロセスに関する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属表面を露出さ
せる半導体基板の処理プロセスに関する。
【０００２】
【従来の技術】金属表面は、半導体チップの表面上に配
置されたボンディングパッドであり得る。これらのボン
ディングパッドは、集積回路の製造においてワイヤー
（例えば細い金ワイヤー）に接続するために使用され
る。ワイヤーは、外部回路またはその他の電子もしくは
電気部品に接続される。
【０００３】これらのボンディングパッドは、半導体製
品のいわゆる「あちこち(back andforth)」の領域に作
られる。
【０００４】半導体チップのボンディングパッドとなる
ようにデザインされた金属表面（金属層）は、チップの
残りの表面と同様にパッシベーション層で覆われる。こ
のパッシベーション層は、不純物、水分、機械的破壊、
その他の周囲の影響たとえば粒子放射線に対して、半導
体構造物を絶縁および保護するために用いられる。
【０００５】このパッシベーション層は、最も簡単な場
合には、通常二酸化珪素または窒化珪素の層からなる。
普通それは２層構造をなし、金属層に面する最初に形成
された層は通常二酸化珪素であり、２番目の層は通常窒
化珪素である。別の層をパッシベーション層の一部とし
てこれら２つの層の上に形成する場合もある。それは例
えば、特に周囲からの粒子放射線に対する追加された保
護層として用いるポリイミド層である。
【０００６】多くの場合、金属層の上に配置される第１
の層（厚み０．３〜３μｍ、US5,911,887）は絶縁体ま
たは誘電体層と呼ばれ、誘電体層の上に配置される第２
の層（厚み０．３〜３μｍ、US5,911,887）は本当のパ
ッシベーション層と呼ばれて、区別される。
【０００７】金属層とパッシベーション層または誘電体
層との間には、いわゆる反射防止膜（ＡＲＣ）が、厚み
５〜２５０ｎｍで形成されることがある（US5,911,88
7）。この層は、フォトリソグラフィー処理における露
光を可能にしまたは促進するために使用される。この反
射防止膜は、例えばチタン、窒化チタン、またはチタン
−タングステンからなる。
【０００８】また、金属層と反射防止膜またはパッシベ
ーション層との間に、いわゆるエッチストップ層が厚み
６〜２５０ｎｍで形成されることがある（US5,911,88
7）。この層は、エッチングがこの層に達したときにエ
ッチングレートを大きく下げて、その下の金属層が侵食
されないようにするために用いられる。エッチストップ
層は同時に、反射防止膜としての働きも担うことができ
る。
【０００９】また、金属層とパッシベーション層との
間、またはもしあれば反射防止膜とパッシベーション層
との間に、いわゆる拡散バリア層（US5,756,376）が形
成されることもある。
【００１０】ボンディングパッドまたは金属層に構造を
与えるまたはこれらを露出させるために、上述した層の
一番上にフォトレジストを塗布し、露光、現像または硬
化の後に、それをエッチングマスクとして用いる。一番
上の層が例えば感光性のポリイミドの場合、金属層を露
出させた後にそれは追加のパッシベーション層の一部と
しての役割を果たし、除去する必要はない。
【００１１】ボンディングパッドは、サイズが例えば１
００×１００μｍで、互いの距離が５０ないし１００μ
ｍであり得る（US5,433,823）。
【００１２】US5,443,823では、この大きさの表面をウ
ェットエッチすることはできるが、ドライエッチングが
好ましいと述べられている。ドライエッチングが好まし
い理由は、この厚み（１μｍを上回る）の層は、薬品を
多量に消費しながらゆっくりと除去できるのみか、また
は非常に強力なエッチング溶液を用いて除去可能である
からである。さらに、エッチングがフォトレジスト（硬
化したフォトレジスト）の下で起こる危険性がある。ウ
ェットエッチングがどのように起こってボンディングパ
ッドを露出できるのかについては、US5,443,823では言
及されていない。パッシベーション層（ここでは、二酸
化珪素上の窒化珪素）に対するドライエッチングプロセ
スは、フォトレジスト（硬化したフォトレジスト）に対
して、また拡散バリア層または反射防止膜（ここでは、
チタン−タングステン）に対して高選択性を有するよう
にデザインされていると説明されている。
【００１３】US5,824,234には、ボンディングパッドの
製造プロセス、すなわち金属表面上に配置された層のエ
ッチングを、フッ素含有ガスを用いてリアクティブイオ
ンエッチングまたはプラズマエッチングにより行って、
金属表面を露出させるプロセスが記載されている。その
結果生じるフッ素含有層は、オーム接触抵抗を増加させ
るため、望ましくない汚染物となる。これらの汚染物質
は、一方でフッ素含有ポリマーであり、他方で金属フッ
化物（例えばＡｌＦ3）であり得る。ボンディングパッ
ドの洗浄または不純物の除去を、ウェハーを洗浄液に浸
して行う。洗浄液は塩基性水溶液であり、例えばテトラ
−メチル水酸化アンモニウム（ＴＭＡＨ）が含まれる。
【００１４】US5,911,887では、ボンディングパッド上
の種々の上部構造の層と、反射防止膜に同時になり得る
エッチストップ層とが提案されている。パッシベーショ
ン層および誘電体層を、第１のドライエッチング工程
（プラズマエッチングまたはリアクティブイオンエッチ
ング）によって除去する。このエッチング工程はエッチ
ストップ層を殆ど侵食せず、フッ素含有エッチングガス
（例えば、Ｃ2Ｆ6および／またはＣＨＦ3）を用いて行
われる。第２のエッチング工程では、エッチストップ層
を除去して金属層を露出させる。この第２のエッチング
工程もまた、ポリマーの形成を防ぐためにいかなる炭素
含有ガスも使用できないドライエッチング工程である。
例として含まれるのは、特にＣｌ2、ＨＣｌ、またはＳ
Ｆ6である。
【００１５】たとえ金属表面にポリマーが全く形成され
なくても、フッ素含有ガスを使用した場合には、少なく
ともUS5,824,234に記載されている金属フッ化物（例え
ばＡｌＦ3）が形成され、または塩素含有ガスを使用し
た場合には金属塩化物（例えばＡｌＣｌ3）が形成され
る。金属ハロゲン化物は除去または転化しなければなら
ない。
【００１６】US5,731,243には、ボンディングパッドの
金属層を露出させた後にボンディングパッドの近傍に残
存するポリマーを、ウェットケミカルに除去することが
記載されている。使用する溶液には、例えばジメチルス
ルホキシドおよびモノエタノールアミンが含まれる。こ
の工程はここでは、ウェハーを薄く研磨する前に行わ
れ、研磨する間、構造物が配置されているウェハーの表
面を粘着性フィルムを用いて保護している。薄く研磨す
る前にポリマーを除去するのは、フィルムの残留物がポ
リマーに付着してボンディングパッドを非常に汚染する
ことを防ぐためである。
【００１７】ボンディングパッド上の上述した不純物の
この不都合な点は、ワイヤーとの間のオーム接触抵抗が
高いこと、ボンディングパッド上へのワイヤーの付着強
度が低いこと、またはテスト中にテスト手段の接触部材
との間の接触が不十分となることであり得る。最後の場
合、実際には使用可能であるが、ボンディングパッドが
汚染されているという理由だけで不良として廃棄される
半導体チップにつながり得る。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、金属
層を露出させるための簡単化され短縮化されたプロセス
であって、同時にボンディングパッドが不純物を含まな
いプロセスを提供することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明においてクレーム
されているように、金属層に形成された１または複数の
半導体基板の表面層を除去して金属層を少なくとも部分
的に露出させるプロセスであって、層の第１の部分をド
ライエッチング工程によって除去した後に、層の第２の
部分をウェットエッチング工程によって除去して、露出
を行うことを特徴とするプロセスが提案される。
【００２０】こうすることで、ドライエッチング工程で
形成された副産物は、金属層の上に直接堆積することが
できない。むしろ、ドライエッチング工程の終了後にま
だ除去されていない層の第２の部分の上に、それらは少
なくとも部分的に堆積する。そして、この第２の部分を
ウェットエッチング工程によって除去して、ドライエッ
チング工程の副産物または残さを同時に除去する。
【００２１】他のプロセス工程を２つのエッチング工程
の間に行っても良い。層の残存する部分が、他のプロセ
ス工程の間に保護層の働きをなす。
【００２２】ドライエッチング工程によって除去する層
の第１の部分は、最初に形成した層の８０％を上回る部
分、または９０％を上回る部分であり得る。この工程を
通常の高速ドライエッチング工程によって行うため、全
体の除去（金属層上に形成された層の除去）が経済的な
ままであり得る。
【００２３】次に、層の第２の部分（この場合、層の第
１の部分よりも薄い）は、あと少し除去する必要がある
だけなので、低速のウェットエッチングプロセスによっ
て除去することができる。または、残存する層の厚さが
薄いため、そうでない場合には辛うじて達成される均一
性がそれほど問題にはならないので、高速ウェットエッ
チングプロセスによって行う。
【００２４】
【発明の実施の形態】露出させる金属層は、どんなタイ
プのボンディングパッドであっても良く、例えば２つの
メタライゼーション面の間にバイアホールを形成するた
めのボンディングパッド、または半導体をワイヤーに接
続するために用いるボンディングパッドである。
【００２５】本発明においてクレームされるプロセス
は、露出させる金属層が半導体をワイヤーに接続するた
めに用いるボンディングパッドであるとき、この場合比
較的大きな表面を露出させなければならないため、有利
な点をもたらす。
【００２６】本発明においてクレームされるプロセスの
１つの態様においては、層の第１の部分は第１の材料か
らなり、第２の部分は第２の材料からなり、第１の材料
と第２の材料とは異なる。
【００２７】こうすることによって、ドライエッチング
工程を、実質的に、層の第１の部分を除去した直後に、
停止させることができる。これは、終点検出システム、
またはドライエッチング工程によっては殆ど侵食されな
い第２の層の何れかによって行うことができる。
【００２８】本発明においてクレームされるプロセスの
別の態様においては、ドライエッチング工程のパラメー
ターを、層の第１の部分が層の第２の部分よりも強く侵
食され、層の第２の部分においてエッチングレートが低
下するように選択する。これは特に、好適な温度、エッ
チングガス混合物の好適な圧力または好適な組成を選択
することで行うことができる。
【００２９】ドライエッチング工程に対する好適なプロ
セスは、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッ
チング、および電子ビームエッチングからなる群から選
択することができる。プラズマエッチングが好ましいこ
とが分かっている。
【００３０】本プロセスの１つの態様において、ドライ
エッチング工程のエッチング媒体にはフッ素含有ガスが
含まれる。これは、除去すべき層の第１の部分がシリコ
ン含有不導体たとえば二酸化珪素および／または窒化珪
素からなる場合に、特に好ましい。
【００３１】本プロセスの別の態様においては、ドライ
エッチング工程のエッチング媒体にフッ素含有ガス以外
に酸素も含まれる。これは、除去すべき層の第１の部分
が窒化珪素からなる場合に、好ましい。
【００３２】ウェットエッチング工程のパラメーター
を、層の第２の部分が層の第１の部分よりも強く侵食さ
れるように選択すれば、層の第１の部分をドライエッチ
ングした後に形成された第１の部分の残存する側壁が、
ウェットエッチング工程の液体によってエッチングされ
ない。設定すべきパラメーターは特に、エッチング液の
温度、流速、成分濃度、および溶媒の選択であり得る。
【００３３】可能なウェットエッチングプロセスは、浸
漬式プロセス、スプレー式エッチングプロセス、および
回転式プロセス、またはこれらの組み合わせである。浸
漬式プロセスは、１または複数のウェハーを液体中へ完
全に浸漬させ、そうしながら液体をウェハーの表面に流
すこともできるプロセスであると定義される。スプレー
式エッチングプロセスにおいては、液体を表面上へスプ
レーし、同時にウェハーを回転させることもできる。
【００３４】回転式エッチングプロセス（またはスピン
式エッチプロセス）は、ウェハーの少なくとも一方の表
面に、エッチング液を霧状にせずに連続した流れで供給
しながら、ウェハーを回転させて液体をウェハーの周囲
の端から飛び出させるプロセスであると定義される。
【００３５】回転式エッチングプロセスはウェハーを個
別に次々と処理するため好ましく、これは例えばEP0444
714B1に記載されている。
【００３６】本発明においてクレームされるプロセスの
１つの態様においては、ウェットエッチング工程のエッ
チング剤は水溶液である。これは特に、使用後のエッチ
ング溶液をより容易に処理できるという利点を伴う。
【００３７】好ましくは、ウェットエッチング工程のエ
ッチング剤は、特に、除去すべき層の第２の部分が金属
（例えばＴｉ）、合金（例えばＴｉＷ）、または非酸化
物金属化合物（例えばＴｉＮ）を含む場合に、酸化剤を
含む。
【００３８】良好な結果が酸溶液を用いて達成された。
硝酸およびフッ酸を含むエッチング剤が好ましいことが
分かり、ＨＮＯ3：ＨＦのモル比が３：１ないし１００
０：１の範囲にあるときに、容易に再現可能な結果が得
られた。
【００３９】また、塩基性溶液を用いて層の第２の部分
を除去したときにも結果は良好である。好ましいエッチ
ング剤の１つには、アンモニアまたはアミンおよび過酸
化水素が含まれる。
【００４０】本発明の別の部分はウェハーを薄くするプ
ロセスであって、薄くする前に層の第１の部分を除去す
るためのドライエッチング工程を行って層の第２の部分
を露出させ、薄くした後にウェットエッチング工程を行
って層の第２の部分を除去するプロセスである。
【００４１】薄くすることは、例えば、裏面を機械的に
薄く研磨して行い、研磨する直前に、構造物を載置する
ウェハー表面に構造物を保護するためのフィルムを付着
する。研磨した直後に、フィルムを再び除去する。フィ
ルムを除去した表面にウェットエッチング工程を施すこ
とで、フィルムの付着性残さを除去するために追加され
る洗浄工程を省くことができる。
【００４２】
【実施例】本発明の他の詳細を、以下の実施例で与え
る。
【００４３】構造物を載置するためのシリコンウェハー
の表面に、後に金ワイヤーに接続されるボンディングパ
ッドを形成する。こうするために、次の層を次の順序で
形成する。
【００４４】（１）６００ｎｍの厚さのアルミニウム層
（後のボンディングパッドの配置に従った構造が与えら
れる） （２）２０ｎｍの厚さのチタン層（反射防止膜） （３）３０ｎｍの厚さの窒化チタン層（拡散バリア層） （４）３００ｎｍの厚さの二酸化珪素層（パッシベーシ
ョン層の一部。プラズマを用いて形成）。
【００４５】（５）５００ｎｍの厚さの窒化珪素層（パ
ッシベーション層の一部。プラズマを用いて形成）。
【００４６】（６）感光性ポリイミド層（スピンコーテ
ィングを用いて形成。それ相応の構造が与えられ、後の
ボンディングパッド上の領域が除去される）。
【００４７】この時点で、四フッ化炭素と酸素とのガス
混合物を用いたプラズマエッチング処理を行って、窒化
珪素層と二酸化珪素層とを除去する。窒化チタン層に達
したときにエッチングレートが劇的に下がり、プラズマ
エッチング工程が終了する。
【００４８】次に、窒化チタンおよびチタンを除去する
ために、表面を硝酸（ｃ＝１０モル／Ｌ）およびフッ酸
（ｃ＝３モル／Ｌ）の水溶液を用いて処理する。処理
は、ＳＥＺスピンプロセッサー２０３を用いて、回転速
度５００ｒｐｍ（Ｔ＝２５℃、容積流量：１５Ｌ／分）
で行う。プロセスの間、裏面を窒素でフラッシュする。
アルミニウム層が露出したときに（これは終点検出シス
テムによって示される）、エッチング液の供給を止め、
エッチング液を振り落とした直後に純水によってフラッ
シュし、乾燥させる。
【００４９】アルミニウム層を、微調整されたオーバー
エッチングによって選択的にコンディショニングしても
良い。これは、アルミニウムの限定された除去（おおよ
そ２０ｎｍ）によって行う。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 500333361 インファインオン・テクノロジーズ・アー ゲー Ｉｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉ ｅｓ ＡＧ ドイツ連邦共和国、81541 ミュンヒェン、 セント−マルティン−シュトラーセ 53 (72)発明者 ハンス−ユルゲン・クルビーヌス オーストリア国、9551 ボーデンスドル フ、ロビッサーベーク 15 (72)発明者 ゲールト・ドゥ・ニース ドイツ連邦共和国、81545 ミュンヒェン、 グリュンバルダーシュトラーセ 270

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板の表面上の金属層を、金属層
    に形成された少なくとも１つの層を侵食によって除去す
    ることによって、少なくとも部分的に露出させる方法で
    あって、層の第１の部分をドライエッチングによって除
    去した後に、層の第２の部分をウェットエッチングによ
    って除去することを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 ドライエッチングによって、層の８０％
    を上回る部分、特に９０％を上回る部分を除去すること
    を特徴とする請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 露出させる金属層が、半導体基板をワイ
    ヤーに接続するために用いるボンディングパッドである
    ことを特徴とする請求項１または２記載の方法。
  4. 【請求項４】 層の第１の部分は第１の材料からなり、
    第２の部分は第２の材料からなり、第１の材料と第２の
    材料とは異なることを特徴とする請求項１ないし３いず
    れか１項記載の方法。
  5. 【請求項５】 ドライエッチング中に、層の第１の部分
    が層の第２の部分よりも強く侵食されることを特徴とす
    る請求項４記載の方法。
  6. 【請求項６】 ドライエッチングは、プラズマエッチン
    グ、リアクティブイオンエッチング、および電子ビーム
    エッチングからなる群から選択されることを特徴とする
    請求項１ないし５いずれか１項記載の方法。
  7. 【請求項７】 ドライエッチングとしてプラズマエッチ
    ングを行うことを特徴とする請求項６記載の方法。
  8. 【請求項８】 ドライエッチングにおいて、フッ素含有
    ガスを含むエッチング媒体を用いることを特徴とする請
    求項１ないし７いずれか１項記載の方法。
  9. 【請求項９】 ドライエッチングにおいて、酸素を含む
    エッチング媒体を用いることを特徴とする請求項８記載
    の方法。
  10. 【請求項１０】 ウェットエッチング中に、層の第２の
    部分が層の第１の部分よりも強く侵食されることを特徴
    とする請求項４または５記載の方法。
  11. 【請求項１１】 ウェットエッチングは、浸漬式エッチ
    ング、スプレー式エッチング、および回転式エッチング
    からなる群から選択されることを特徴とする請求項１な
    いし１０いずれか１項記載の方法。
  12. 【請求項１２】 ウェットエッチングは、半導体基板を
    個別に連続して処理する回転式エッチングであることを
    特徴とする請求項１１記載の方法。
  13. 【請求項１３】 エッチング剤は水溶液であることを特
    徴とする請求項１１または１２記載の方法。
  14. 【請求項１４】 エッチング剤は酸化剤を含むことを特
    徴とする請求項１３記載の方法。
  15. 【請求項１５】 エッチング剤は酸溶液であることを特
    徴とする請求項１３または１４記載の方法。
  16. 【請求項１６】 エッチング剤は硝酸およびフッ酸を含
    むことを特徴とする請求項１５記載の方法。
  17. 【請求項１７】 ＨＮＯ3：ＨＦのモル比が２：１ない
    し１０００：１の範囲にあることを特徴とする請求項１
    ６記載の方法。
  18. 【請求項１８】 エッチング剤は塩基性溶液であること
    を特徴とする請求項１３または１４記載の方法。
  19. 【請求項１９】 エッチング剤はアンモニアまたはアミ
    ンおよび過酸化水素を含むことを特徴とする請求項１８
    記載の方法。
  20. 【請求項２０】 請求項１ないし１９いずれか１項記載
    の方法を用いる、ウェハー形状の半導体基板を薄くする
    方法であって、薄くする前にドライエッチングを行い、
    薄くした後にウェットエッチングを行うことを特徴とす
    る方法。
JP2000214483A 1999-07-15 2000-07-14 半導体基板の処理方法 Pending JP2001068476A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT1233/99 1999-07-15
AT0123399A AT409429B (de) 1999-07-15 1999-07-15 Verfahren zum ätzbehandeln von halbleitersubstraten zwecks freilegen einer metallschicht

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001068476A true JP2001068476A (ja) 2001-03-16

Family

ID=3509488

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000214483A Pending JP2001068476A (ja) 1999-07-15 2000-07-14 半導体基板の処理方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6627548B1 (ja)
EP (1) EP1069604A3 (ja)
JP (1) JP2001068476A (ja)
KR (1) KR100717359B1 (ja)
AT (1) AT409429B (ja)
SG (1) SG99313A1 (ja)
TW (1) TW519685B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107634006A (zh) * 2017-09-12 2018-01-26 武汉新芯集成电路制造有限公司 晶圆的返工方法
CN108091556A (zh) * 2017-11-09 2018-05-29 上海华力微电子有限公司 刻蚀工艺方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT409429B (de) * 1999-07-15 2002-08-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Verfahren zum ätzbehandeln von halbleitersubstraten zwecks freilegen einer metallschicht
DE10111989C2 (de) * 2001-03-13 2003-11-06 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung von Strukturen in einer Halbleiterschaltung, wobei eine Verringerung plasmainduzierter Aufladung eintritt
JP4260405B2 (ja) * 2002-02-08 2009-04-30 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置の製造方法
US7320942B2 (en) * 2002-05-21 2008-01-22 Applied Materials, Inc. Method for removal of metallic residue after plasma etching of a metal layer
US7193295B2 (en) * 2004-08-20 2007-03-20 Semitool, Inc. Process and apparatus for thinning a semiconductor workpiece
US7288489B2 (en) * 2004-08-20 2007-10-30 Semitool, Inc. Process for thinning a semiconductor workpiece
US7354649B2 (en) 2004-08-20 2008-04-08 Semitool, Inc. Semiconductor workpiece
US20060046499A1 (en) * 2004-08-20 2006-03-02 Dolechek Kert L Apparatus for use in thinning a semiconductor workpiece
US20060040111A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Dolechek Kert L Process chamber and system for thinning a semiconductor workpiece
US20060102197A1 (en) * 2004-11-16 2006-05-18 Kang-Lie Chiang Post-etch treatment to remove residues
CN102487040A (zh) * 2010-12-06 2012-06-06 无锡华润上华半导体有限公司 通孔形成方法
KR102297245B1 (ko) * 2016-09-13 2021-09-01 재단법인 포항산업과학연구원 티타늄의 결정립 현출 방법 및 티타늄의 결정립 입경 측정 방법
CN113675083B (zh) * 2021-10-25 2021-12-21 江山季丰电子科技有限公司 暴露绝缘体上硅器件有源区的方法、应用和失效分析方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01115144A (ja) * 1987-10-28 1989-05-08 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
JPH0349231A (ja) * 1989-07-17 1991-03-04 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JPH07150371A (ja) * 1993-11-29 1995-06-13 Sharp Corp ニッケルのエッチング方法及びその装置
JPH07201986A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH10303197A (ja) * 1997-04-24 1998-11-13 Matsushita Electron Corp 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1069604B (de) * 1959-11-26 Ohn Mathieson Chemical Corporation, New York, N Y (V St A) Verfahren zum katalytischen Polymerisieren von C2- bis C4-Monoolefin und Acetylenkohlenwasserstoffen
JPS63257229A (ja) * 1987-04-14 1988-10-25 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPS63289938A (ja) * 1987-05-22 1988-11-28 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
AT389959B (de) 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
JP3128811B2 (ja) * 1990-08-07 2001-01-29 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
JPH04342133A (ja) * 1991-05-17 1992-11-27 Ricoh Co Ltd 半導体装置の製造方法
EP0523856A3 (en) * 1991-06-28 1993-03-17 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Method of via formation for multilevel interconnect integrated circuits
EP0536790B1 (en) * 1991-10-11 2004-03-03 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing semiconductor articles
US5633175A (en) * 1991-12-19 1997-05-27 Hitachi, Ltd. Process for stripping photoresist while producing liquid crystal display device
EP0553852B1 (en) * 1992-01-30 2003-08-20 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing semiconductor substrate
JP3187109B2 (ja) * 1992-01-31 2001-07-11 キヤノン株式会社 半導体部材およびその製造方法
KR970007601B1 (en) * 1993-03-15 1997-05-13 Hyundai Electronics Ind Method of forming contact hall of a semiconductor device
JPH0737780A (ja) * 1993-07-20 1995-02-07 Sony Corp レジスト除去装置及びこれを用いたレジスト除去方法
US6267122B1 (en) * 1993-09-10 2001-07-31 Texas Instruments Incorporated Semiconductor cleaning solution and method
US5409861A (en) * 1993-09-15 1995-04-25 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Method of forming a via plug in a semiconductor device
US5433823A (en) 1993-09-30 1995-07-18 Cain; John L. Selective dry-etching of bi-layer passivation films
US5384271A (en) * 1993-10-04 1995-01-24 General Electric Company Method for reduction of off-current in thin film transistors
US5484740A (en) * 1994-06-06 1996-01-16 Motorola, Inc. Method of manufacturing a III-V semiconductor gate structure
DE19525521B4 (de) * 1994-07-15 2007-04-26 Lam Research Corp.(N.D.Ges.D.Staates Delaware), Fremont Verfahren zum Reinigen von Substraten
US6127279A (en) * 1994-09-26 2000-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solution applying method
US6124179A (en) * 1996-09-05 2000-09-26 Adamic, Jr.; Fred W. Inverted dielectric isolation process
KR100216674B1 (ko) * 1995-06-30 1999-09-01 김영환 폴리실리콘 콘택의 불량분석을 위한 개선된 디프로세싱 방법
US5731243A (en) * 1995-09-05 1998-03-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of cleaning residue on a semiconductor wafer bonding pad
US5670426A (en) * 1996-01-29 1997-09-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Method for reducing contact resistance
US5756376A (en) 1996-05-23 1998-05-26 United Microelectronics Corporation Method for removing a diffusion barrier layer on pad regions
US5911887A (en) * 1996-07-19 1999-06-15 Cypress Semiconductor Corporation Method of etching a bond pad
WO1998004646A1 (en) * 1996-07-25 1998-02-05 Ekc Technology, Inc. Chemical mechanical polishing composition and process
US5824234A (en) * 1996-10-02 1998-10-20 Mosel Vitelic, Inc. Method for forming low contact resistance bonding pad
US6331476B1 (en) * 1998-05-26 2001-12-18 Mausushita Electric Industrial Co., Ltd. Thin film transistor and producing method thereof
GB9819821D0 (en) * 1998-09-12 1998-11-04 Secr Defence Improvements relating to micro-machining
US6332988B1 (en) * 1999-06-02 2001-12-25 International Business Machines Corporation Rework process
AT409429B (de) * 1999-07-15 2002-08-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Verfahren zum ätzbehandeln von halbleitersubstraten zwecks freilegen einer metallschicht

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01115144A (ja) * 1987-10-28 1989-05-08 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
JPH0349231A (ja) * 1989-07-17 1991-03-04 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JPH07150371A (ja) * 1993-11-29 1995-06-13 Sharp Corp ニッケルのエッチング方法及びその装置
JPH07201986A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH10303197A (ja) * 1997-04-24 1998-11-13 Matsushita Electron Corp 半導体装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107634006A (zh) * 2017-09-12 2018-01-26 武汉新芯集成电路制造有限公司 晶圆的返工方法
CN108091556A (zh) * 2017-11-09 2018-05-29 上海华力微电子有限公司 刻蚀工艺方法

Also Published As

Publication number Publication date
AT409429B (de) 2002-08-26
KR20010069990A (ko) 2001-07-25
SG99313A1 (en) 2003-10-27
ATA123399A (de) 2001-12-15
KR100717359B1 (ko) 2007-05-10
EP1069604A2 (de) 2001-01-17
EP1069604A3 (de) 2001-09-19
TW519685B (en) 2003-02-01
US6627548B1 (en) 2003-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100731850B1 (ko) 구리를 기본으로 한 본드패드에 종래의 와이어를 결합시킬수 있는 방법 및 이를 위한 장치
US6682659B1 (en) Method for forming corrosion inhibited conductor layer
EP0918081B1 (en) Etching composition and use
EP1055463B1 (en) Apparatus and method for plating a metal plating layer onto a surface of a seed layer of a wafer
US6627548B1 (en) Process for treating semiconductor substrates
JP3056431B2 (ja) 研磨工程後処理用の洗浄溶液及びこれを用いた半導体素子の洗浄方法
US5376235A (en) Method to eliminate corrosion in conductive elements
US5911887A (en) Method of etching a bond pad
US20030077903A1 (en) Copper post-etch cleaning process
US5744402A (en) Method of manufacturing semiconductor devices
US6355576B1 (en) Method for cleaning integrated circuit bonding pads
US5882425A (en) Composition and method for passivation of a metallization layer of a semiconductor circuit after metallization etching
JP3236225B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2006245468A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3161521B2 (ja) 半導体装置の製造方法および洗浄装置
US7055532B2 (en) Method to remove fluorine residue from bond pads
US6077777A (en) Method for forming wires of semiconductor device
JPH11154659A (ja) 基板表面金属汚染除去方法及び半導体基板
JP2003124316A (ja) 半導体装置の製造方法及び処理液
US7879533B2 (en) Etching residue removal method and semiconductor device fabrication method using this method
US6153018A (en) Metal rinsing process with controlled metal microcorrosion reduction
US20030119331A1 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JPH09213703A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH10303197A (ja) 半導体装置の製造方法
KR19980044194A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070524

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20070524

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20070524

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070524

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20070810

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20080208

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100526

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110308

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110603

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110608

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110707

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110712

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110803

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110811

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110905

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20111115