JPH07150371A - ニッケルのエッチング方法及びその装置 - Google Patents
ニッケルのエッチング方法及びその装置Info
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- JPH07150371A JPH07150371A JP29785793A JP29785793A JPH07150371A JP H07150371 A JPH07150371 A JP H07150371A JP 29785793 A JP29785793 A JP 29785793A JP 29785793 A JP29785793 A JP 29785793A JP H07150371 A JPH07150371 A JP H07150371A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 マイクロマシニング等で使用されるニッケル
メッキ膜のエッチングによる微細加工に関するものであ
る。 【構成】 硝酸と過酸化水素水と水よりなるエッチング
液と、エッチング液の撹拌時の渦巻き面を被エッチング
物の表面に直接当てるエッチング方法。
メッキ膜のエッチングによる微細加工に関するものであ
る。 【構成】 硝酸と過酸化水素水と水よりなるエッチング
液と、エッチング液の撹拌時の渦巻き面を被エッチング
物の表面に直接当てるエッチング方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロマシニング等の
材料であるニッケルの化学エッチング方法及びその装置
に関するものである。
材料であるニッケルの化学エッチング方法及びその装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ニッケルの微細厚膜パターン形成
方法として次の三つの方法が知られている。 （第１の方法）図２にその工程図を示す。基板１全面に
Ｎｉ、Ｎｂ−Ｎｉ等のメッキベース層（導電膜）２を真
空蒸着法等により形成する（ａ）。該膜２上を目的のパ
ターン以外レジスト膜３にて被覆し（ｂ）、ニッケルメ
ッキ膜４を形成する（ｃ）。次にレジスト膜３を除去し
（ｄ）、上記メッキベース層２の不必要部分を除去する
（ｅ）。
方法として次の三つの方法が知られている。 （第１の方法）図２にその工程図を示す。基板１全面に
Ｎｉ、Ｎｂ−Ｎｉ等のメッキベース層（導電膜）２を真
空蒸着法等により形成する（ａ）。該膜２上を目的のパ
ターン以外レジスト膜３にて被覆し（ｂ）、ニッケルメ
ッキ膜４を形成する（ｃ）。次にレジスト膜３を除去し
（ｄ）、上記メッキベース層２の不必要部分を除去する
（ｅ）。
【０００３】（第２の方法）図３にその工程図を示す。
基板１全面に真空蒸着法等によりメッキベース層２を形
成する（ａ）。該膜２上に目的のパターンでレジスト膜
３を被覆する（ｂ）。次に目的のパターン以外のメッキ
ベース層２を除去し（ｃ）、更にレジスト膜３を除去す
る（ｄ）。次にニッケルメッキ膜を形成する（ｅ）。
基板１全面に真空蒸着法等によりメッキベース層２を形
成する（ａ）。該膜２上に目的のパターンでレジスト膜
３を被覆する（ｂ）。次に目的のパターン以外のメッキ
ベース層２を除去し（ｃ）、更にレジスト膜３を除去す
る（ｄ）。次にニッケルメッキ膜を形成する（ｅ）。
【０００４】（第３の方法）図４にその工程図を示す。
基板１全面に真空蒸着法等によりメッキベース層２を形
成する（ａ）。次にニッケルメッキ膜４を形成する
（ｂ）。次に目的のパターンにてレジスト膜３を被覆す
る（ｃ）。次に目的のパターン以外のニッケルメッキ膜
４及び導電層（メッキベース層）２のエッチングを行う
（ｄ）。次にレジスト膜３を除去する（ｅ）。
基板１全面に真空蒸着法等によりメッキベース層２を形
成する（ａ）。次にニッケルメッキ膜４を形成する
（ｂ）。次に目的のパターンにてレジスト膜３を被覆す
る（ｃ）。次に目的のパターン以外のニッケルメッキ膜
４及び導電層（メッキベース層）２のエッチングを行う
（ｄ）。次にレジスト膜３を除去する（ｅ）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の３種類のエッチ
ング方法において、第１、第２の方法による微細パター
ン形成方法は、パターンが微細になるに従って膜厚の制
御が難しく、パターン間で実効電流密度が異なることに
より面内膜厚均一性が悪くなり、また、内部応力もパタ
ーン間で異なることになる。即ち第１、第２の方法つま
り選択したメッキベース膜へのメッキによる微細パター
ン形成方法ははメッキ膜厚と内部応力制御性に難点があ
りメッキ膜の特性が劣る。
ング方法において、第１、第２の方法による微細パター
ン形成方法は、パターンが微細になるに従って膜厚の制
御が難しく、パターン間で実効電流密度が異なることに
より面内膜厚均一性が悪くなり、また、内部応力もパタ
ーン間で異なることになる。即ち第１、第２の方法つま
り選択したメッキベース膜へのメッキによる微細パター
ン形成方法ははメッキ膜厚と内部応力制御性に難点があ
りメッキ膜の特性が劣る。
【０００６】これに対し第３の方法、つまり全面ニッケ
ルメッキ膜をメッキ後エッチングすることにより微細加
工するものでは、予めニッケルメッキ膜の膜厚及び内部
応力の制御及び評価が容易であるという利点があるもの
の、従来のエッチング方法には以下の問題点がある。 ドライエッチング方法はリアクティブイオンエッチン
グ法やプラズマエッチング法が見つかっておらず、純物
理的なイオンミリング法でエッチングしなければなら
ず、被エッチング膜厚が数マイクロメートルの薄膜に限
られる。 ウェット化学エッチング方法のエッチング液として
は、硝酸もしくは硝酸：酢酸：アセトン＝１：１：１の
エッチング液が代表的であるが、硝酸はエッチング途中
に不動態膜が生じやすく、エッチングが途中で止まった
り、パターン部以外の箇所に残渣や抜け残りを生じる欠
点が有る。硝酸：酢酸：アセトンのエッチャントはエッ
チング速度が遅く、また面内でエッチング速度が異なる
ことによりサイドエッチング量のばらつきが大きいとい
う欠点に加え、アセトンを含むためポジレジストが使用
できず取り扱い上難点の多いネガレジストを使わなけれ
ばないこと、有機酸であるため廃液処理問題があること
やアセトンを含むためエッチングの反応熱で発火及び発
煙を生じる危険性が高い等の欠点がある。
ルメッキ膜をメッキ後エッチングすることにより微細加
工するものでは、予めニッケルメッキ膜の膜厚及び内部
応力の制御及び評価が容易であるという利点があるもの
の、従来のエッチング方法には以下の問題点がある。 ドライエッチング方法はリアクティブイオンエッチン
グ法やプラズマエッチング法が見つかっておらず、純物
理的なイオンミリング法でエッチングしなければなら
ず、被エッチング膜厚が数マイクロメートルの薄膜に限
られる。 ウェット化学エッチング方法のエッチング液として
は、硝酸もしくは硝酸：酢酸：アセトン＝１：１：１の
エッチング液が代表的であるが、硝酸はエッチング途中
に不動態膜が生じやすく、エッチングが途中で止まった
り、パターン部以外の箇所に残渣や抜け残りを生じる欠
点が有る。硝酸：酢酸：アセトンのエッチャントはエッ
チング速度が遅く、また面内でエッチング速度が異なる
ことによりサイドエッチング量のばらつきが大きいとい
う欠点に加え、アセトンを含むためポジレジストが使用
できず取り扱い上難点の多いネガレジストを使わなけれ
ばないこと、有機酸であるため廃液処理問題があること
やアセトンを含むためエッチングの反応熱で発火及び発
煙を生じる危険性が高い等の欠点がある。
【０００７】次にエッチング方式として、(１)スプレー
エッチング方式、(２)スピンエッチング方式、(３)ディ
ップエッチング方式がある。スプレーエッチング方式を
図６に示す。被エッチング物表面にエッチング液をスプ
レー状に吹き付けるタイプである。ディップエッチング
方式を図８(a)(b)に示す。被エッチング物をエッチング
液の中に浸漬するタイプである。両方式ともエッチング
速度とサイドエッチングの均一性に問題がある。
エッチング方式、(２)スピンエッチング方式、(３)ディ
ップエッチング方式がある。スプレーエッチング方式を
図６に示す。被エッチング物表面にエッチング液をスプ
レー状に吹き付けるタイプである。ディップエッチング
方式を図８(a)(b)に示す。被エッチング物をエッチング
液の中に浸漬するタイプである。両方式ともエッチング
速度とサイドエッチングの均一性に問題がある。
【０００８】それらを改良したのが図７に示すスピンエ
ッチング方式である。自転する被エッチング物の表面に
エッチング液をスプレー状に吹き付けるもので、通常は
優れたエッチング速度と均一性が得られる。ところが、
ニッケルエッチングの場合このスプレーエッチング方式
ではエッチング中に不動態膜状の物が発生し、エッチン
グが途中までしか進行しない欠点がある。
ッチング方式である。自転する被エッチング物の表面に
エッチング液をスプレー状に吹き付けるもので、通常は
優れたエッチング速度と均一性が得られる。ところが、
ニッケルエッチングの場合このスプレーエッチング方式
ではエッチング中に不動態膜状の物が発生し、エッチン
グが途中までしか進行しない欠点がある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するためになされたものであって、硝酸と、過酸化水素
水及び水を含み、少なくとも前記液組成が硝酸１１〜２
６％、過酸化水素水９〜１５％であるエッチング液を用
いたニッケルのエッチング方法を提供するものである。
するためになされたものであって、硝酸と、過酸化水素
水及び水を含み、少なくとも前記液組成が硝酸１１〜２
６％、過酸化水素水９〜１５％であるエッチング液を用
いたニッケルのエッチング方法を提供するものである。
【００１０】また、ディップ方式で、エッチング液の撹
拌回転面より発生する渦巻きの渦巻き面と、被エッチン
グ物表面とを対向させると共に、略平行（１８０±４０
°）に保持させたニッケルのエッチング装置を提供する
ものである。
拌回転面より発生する渦巻きの渦巻き面と、被エッチン
グ物表面とを対向させると共に、略平行（１８０±４０
°）に保持させたニッケルのエッチング装置を提供する
ものである。
【００１１】さらに、硝酸と、過酸化水素水及び水を含
み、少なくとも前記液組成が硝酸１１〜２６％、過酸化
水素水９〜１５％であるエッチング液を用いるニッケル
のエッチング装置を提供するものである。
み、少なくとも前記液組成が硝酸１１〜２６％、過酸化
水素水９〜１５％であるエッチング液を用いるニッケル
のエッチング装置を提供するものである。
【００１２】
【作用】これにより、ニッケルを用いた膜を成膜する場
合、均質な膜を形成することが可能になる。
合、均質な膜を形成することが可能になる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明に係るエッチング方法及びその
装置の実施例を図面を用いて説明する。 実施例１ 本実施例には図１に示すような、ディップ方式で、エッ
チング液の撹拌回転面より発生する渦巻きの渦巻き面
と、被エッチング物表面とを対向させると共に、略平行
（１８０±４０°）に保持させたエッチング装置を用い
た。前記エッチング装置はディップ式であり、エッチン
グ液の撹拌回転面より発生する渦巻き面と、被エッチン
グ物表面とが対面して向かい合うと共に、略平行（１８
０±４０°）に保持されている。また、エッチング液
は、硝酸（ＨＮＯ3）、過酸化水素水（Ｈ2０2）及び 水
からなるものであり、次のような組成にて配合したもの
で試験した。 ＨＮＯ3（ｘｍｌ）＋Ｈ2０2（ｙｍｌ）＋Ｈ2０で総量１
０００ｍｌのうち 、ｘ＝１００〜５００、ｙ＝０〜２
００、液温１５〜３５℃、撹拌１００〜９００ｒｐｍ 上記エッチング液及び現有のニッケルエッチング液を用
いて、メッキベース層が１０００ÅのＮｉ膜の上にメッ
キした厚さ１０μｍのスルファミン酸ニッケルメッキに
対しニッケルエッチングを行い、微細加工を施したとこ
ろ次のような結果が得られた。
装置の実施例を図面を用いて説明する。 実施例１ 本実施例には図１に示すような、ディップ方式で、エッ
チング液の撹拌回転面より発生する渦巻きの渦巻き面
と、被エッチング物表面とを対向させると共に、略平行
（１８０±４０°）に保持させたエッチング装置を用い
た。前記エッチング装置はディップ式であり、エッチン
グ液の撹拌回転面より発生する渦巻き面と、被エッチン
グ物表面とが対面して向かい合うと共に、略平行（１８
０±４０°）に保持されている。また、エッチング液
は、硝酸（ＨＮＯ3）、過酸化水素水（Ｈ2０2）及び 水
からなるものであり、次のような組成にて配合したもの
で試験した。 ＨＮＯ3（ｘｍｌ）＋Ｈ2０2（ｙｍｌ）＋Ｈ2０で総量１
０００ｍｌのうち 、ｘ＝１００〜５００、ｙ＝０〜２
００、液温１５〜３５℃、撹拌１００〜９００ｒｐｍ 上記エッチング液及び現有のニッケルエッチング液を用
いて、メッキベース層が１０００ÅのＮｉ膜の上にメッ
キした厚さ１０μｍのスルファミン酸ニッケルメッキに
対しニッケルエッチングを行い、微細加工を施したとこ
ろ次のような結果が得られた。
【００１４】
【表１】
【００１５】上記表１の試験は、従来のエッチング液と
本発明のエッチング液との比較であるが、硝酸と水のみ
で過酸化水素水を加えない場合はエッチングが途中で止
まってしまう。硝酸＋過酸化水素水＋水は、エッチング
速度が遅くエッチング速度及びサイドエッチ量の均一性
共に良くない。また、抜け残り等のエッチングむらが観
察された。本発明の液は、組成比によりエッチング速度
が遅くサイドエッチング量のバラツキが大きい場合もあ
るが、前二者よりは優れている。
本発明のエッチング液との比較であるが、硝酸と水のみ
で過酸化水素水を加えない場合はエッチングが途中で止
まってしまう。硝酸＋過酸化水素水＋水は、エッチング
速度が遅くエッチング速度及びサイドエッチ量の均一性
共に良くない。また、抜け残り等のエッチングむらが観
察された。本発明の液は、組成比によりエッチング速度
が遅くサイドエッチング量のバラツキが大きい場合もあ
るが、前二者よりは優れている。
【００１６】図５は硝酸：過酸化水素水：水の組成比を
順次変えて、エッチング速度とサイドエッチング量がど
のように変化するのか調べた図である。硝酸が２６％以
上で過酸化水素水が９％以下になるとエッチングが途中
で止まる現象が出てくる。逆に硝酸が１１％以下で過酸
化水素水が１５％以上になるとエッチング速度の低下が
激しくなりサイドエッチング量の均一性も悪くなる。結
局、図５に示すように硝酸１１〜２６％で過酸化水素水
９〜１５％なるエッチング液がエッチング速度２.３μ
ｍ以上でサイドエッチング量のばらつきが小さく ま
た、パターン部以外のエッチング抜け残り等も観察され
なかった。
順次変えて、エッチング速度とサイドエッチング量がど
のように変化するのか調べた図である。硝酸が２６％以
上で過酸化水素水が９％以下になるとエッチングが途中
で止まる現象が出てくる。逆に硝酸が１１％以下で過酸
化水素水が１５％以上になるとエッチング速度の低下が
激しくなりサイドエッチング量の均一性も悪くなる。結
局、図５に示すように硝酸１１〜２６％で過酸化水素水
９〜１５％なるエッチング液がエッチング速度２.３μ
ｍ以上でサイドエッチング量のばらつきが小さく ま
た、パターン部以外のエッチング抜け残り等も観察され
なかった。
【００１７】実施例２ 次にエッチング方式の比較を行った。上述の従来の(１)
スプレーエッチ方式、(２)スビンエッチ方式、(３)ディ
ップエッチ方式と、本発明のエッチング方式との比較を
行った。本発明のエッチング装置の該略図を図１に示
す。図１（ａ）（ｂ）に示すように本発明のエッチング
方式はスターラ又はスクリューで回転撹拌されるエッチ
ング液の渦巻き面と、被エッチング物表面とが対向する
と共に、略平行（１８０±４０°）に保持されている。
スプレーエッチ方式、(２)スビンエッチ方式、(３)ディ
ップエッチ方式と、本発明のエッチング方式との比較を
行った。本発明のエッチング装置の該略図を図１に示
す。図１（ａ）（ｂ）に示すように本発明のエッチング
方式はスターラ又はスクリューで回転撹拌されるエッチ
ング液の渦巻き面と、被エッチング物表面とが対向する
と共に、略平行（１８０±４０°）に保持されている。
【００１８】尚、エッチング液は実施例１の液組成であ
る硝酸：過酸化水素水：水＝２６：９：６５の液を用い
て行い、スプレーエッチングの条件はウェハ面のスプレ
ースキャン回数が、１０回／分でスプレー圧力１ｋｇ／
ｃｍ2、スピンエッチングの条件は前記スプレーエッチ
ングの条件に、基板の自転５００〜１０００ｒｐｍ、デ
ィップエッチング及び本発明のエッチングは液量１００
０ｍｌ の液をマグネチックスターラーで３００〜８０
０ｒｐｍで撹拌することにより試験を行った。その結果
を表２に示す。
る硝酸：過酸化水素水：水＝２６：９：６５の液を用い
て行い、スプレーエッチングの条件はウェハ面のスプレ
ースキャン回数が、１０回／分でスプレー圧力１ｋｇ／
ｃｍ2、スピンエッチングの条件は前記スプレーエッチ
ングの条件に、基板の自転５００〜１０００ｒｐｍ、デ
ィップエッチング及び本発明のエッチングは液量１００
０ｍｌ の液をマグネチックスターラーで３００〜８０
０ｒｐｍで撹拌することにより試験を行った。その結果
を表２に示す。
【００１９】
【表２】
【００２０】上記Ｎｉのエッチングにおいて、スプレー
エッチングおよびスピンエッチングは不動態状の黒い皮
膜が発生し易く、又除去されにくくエッチングが途中で
止まってしまうことが判明した。尚、その皮膜は水又は
エッチング液に浸漬した場合簡単に剥がれてしまうこと
から、ニッケルのエッチングの場合はディップ方式が適
していると考えられる。しかしながら、ディップ方式で
は表２に示すようにエッチング量の均一性が±３０％以
上と悪く、更にサイドエッチング量がニッケルの膜厚を
Ｔとすると４Ｔと大きく、それゆえ膜厚が厚膜になるほ
ど問題があったが、本発明の撹拌渦巻き面を基板エッチ
ング面に直接当てて基板表面を渦巻きで洗浄し、更にエ
ッチング液の置換を強制的に進めることにより、エッチ
ング量の均一性、サイドエッチング量共に半分以下にす
ることができた。
エッチングおよびスピンエッチングは不動態状の黒い皮
膜が発生し易く、又除去されにくくエッチングが途中で
止まってしまうことが判明した。尚、その皮膜は水又は
エッチング液に浸漬した場合簡単に剥がれてしまうこと
から、ニッケルのエッチングの場合はディップ方式が適
していると考えられる。しかしながら、ディップ方式で
は表２に示すようにエッチング量の均一性が±３０％以
上と悪く、更にサイドエッチング量がニッケルの膜厚を
Ｔとすると４Ｔと大きく、それゆえ膜厚が厚膜になるほ
ど問題があったが、本発明の撹拌渦巻き面を基板エッチ
ング面に直接当てて基板表面を渦巻きで洗浄し、更にエ
ッチング液の置換を強制的に進めることにより、エッチ
ング量の均一性、サイドエッチング量共に半分以下にす
ることができた。
【００２１】尚、本発明のエッチング装置において、渦
巻き面と被エッチング物表面の成す角度であるが、平行
面に対し４０〜４５°傾くとエッチングの均一性が悪く
なり始めることが判明した。よって渦巻き面と被エッチ
ング物表面の保持角度は１８０±４０°とする。
巻き面と被エッチング物表面の成す角度であるが、平行
面に対し４０〜４５°傾くとエッチングの均一性が悪く
なり始めることが判明した。よって渦巻き面と被エッチ
ング物表面の保持角度は１８０±４０°とする。
【００２２】
【発明の効果】本発明のエッチング方法及びその装置を
マイクロマシニング等の重要な材料であるニッケルの化
学エッチングに用いれば、上記実施例に示したように膜
厚が厚くても加工精度の高いニッケルパターンが得られ
る。また、化学エッチングによる微細加工であるからニ
ッケルメッキ膜の内部応力や膜厚等の制御及び評価が容
易で、マイクロマシン等フォトエッチングを用いる微細
素子の作成に好適なものである。
マイクロマシニング等の重要な材料であるニッケルの化
学エッチングに用いれば、上記実施例に示したように膜
厚が厚くても加工精度の高いニッケルパターンが得られ
る。また、化学エッチングによる微細加工であるからニ
ッケルメッキ膜の内部応力や膜厚等の制御及び評価が容
易で、マイクロマシン等フォトエッチングを用いる微細
素子の作成に好適なものである。
【図１】本発明のエッチング装置を示す図である。
【図２】従来のニッケルメッキ膜の微細パターンの作成
手順を示す図である。
手順を示す図である。
【図３】従来のニッケルメッキ膜の微細パターンの作成
手順を示す図である。
手順を示す図である。
【図４】従来のニッケルメッキ膜の微細パターンの作成
手順を示す図である。
手順を示す図である。
【図５】本発明に係るエッチング液を用いた評価試験結
果を示すグラフである。
果を示すグラフである。
【図６】従来のエッチング装置を示す図である。
【図７】従来のエッチング装置を示す図である。
【図８】従来のエッチング装置を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｃ２３Ｆ 1/00 Ｚ 8417−4Ｋ (72)発明者 的場 宏次 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 阿部 新吾 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 硝酸と、過酸化水素水及び水を含み、少
なくとも前記液組成が硝酸１１〜２６％、過酸化水素水
９〜１５％であるエッチング液を用いたことを特徴とす
るニッケルのエッチング方法。 - 【請求項２】 ディップ方式で、エッチング液の撹拌回
転面より発生する渦巻きの渦巻き面と、被エッチング物
表面とを対向させると共に、略平行（１８０±４０°）
に保持させたことを特徴とするニッケルのエッチング装
置。 - 【請求項３】 硝酸と、過酸化水素水及び水を含み、少
なくとも前記液組成が硝酸１１〜２６％、過酸化水素水
９〜１５％であるエッチング液を用いることを特徴とす
る請求項２に記載のニッケルのエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29785793A JPH07150371A (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | ニッケルのエッチング方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29785793A JPH07150371A (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | ニッケルのエッチング方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07150371A true JPH07150371A (ja) | 1995-06-13 |
Family
ID=17852050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29785793A Pending JPH07150371A (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | ニッケルのエッチング方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07150371A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001068476A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-03-16 | Sez Semiconductor Equip Zubehoer Fuer Die Halbleiterfertigung Gmbh | 半導体基板の処理方法 |
| KR100773786B1 (ko) * | 2005-08-12 | 2007-11-12 | (주)지원테크 | 유리 기판의 식각 장치 |
| WO2009118129A1 (fr) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | European Aeronautic Defence And Space Company Eads France | Procede de gravure chimique humide |
| US11495509B2 (en) | 2020-05-15 | 2022-11-08 | Denso Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
-
1993
- 1993-11-29 JP JP29785793A patent/JPH07150371A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001068476A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-03-16 | Sez Semiconductor Equip Zubehoer Fuer Die Halbleiterfertigung Gmbh | 半導体基板の処理方法 |
| KR100773786B1 (ko) * | 2005-08-12 | 2007-11-12 | (주)지원테크 | 유리 기판의 식각 장치 |
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| FR2929448A1 (fr) * | 2008-03-28 | 2009-10-02 | Eads Aeronautic Defence And Sp | Procede de gravure chimique humide |
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