JP2001059071A - ソルダーレジスト塗布液 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 本発明のソルダーレジスト塗布液にはシ
リコーン系消泡剤が含有されていないにも拘わらず、こ
れを用いて製造されたＴＡＢテープのソルダーレジスト
層はボイドあるいはピンホールが少ない。 【効果】 本発明によれば、シリコーン系消泡剤を含有
していないにも拘わらず、ソルダーレジスト層にピンホ
ールあるいはボイドが少ないＴＡＢテープが得られ、ま
た、デバイスをボンディングした後、デバイスを封止す
る樹脂によるデバイスの封止性が良好である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明は、電子部品実装用フィルム
キャリアテープ（ＴＡＢ(Tape AutomatedBonding)テー
プ）に塗布されるソルダーレジスト塗布液に関する。さ
らに詳しくは本発明は、電子部品実装用フィルムキャリ
アテープ（ＴＡＢテープ）に塗布した際に、ピンホール
が生じにくいソルダーレジスト塗布液に関する。

【０００２】

【発明の技術的背景】電子部品実装用フィルムキャリア
テープ（ＴＡＢテープ）は、ポリイミドフィルムのよう
な絶縁フィルムに銅箔を貼着し、この銅箔の上にフォト
レジストを塗布してこのフォトレジストを所望の形状に
露光し不要部分を除去してマスキングした後、酸でエッ
チングして銅箔を所望のパターンにエッチングし、マス
キング剤を除去し、さらに、形成されたリード部を除い
てソルダーレジストを塗布した後、リード部にスズ等の
ようなデバイスのバンプと例えば共晶物を形成してデバ
イスをボンディング可能な金属メッキをすることにより
製造されている。

【０００３】このようなＴＡＢテープの製造においてソ
ルダーレジストは、絶縁性の樹脂を塗工可能なように有
機溶媒に溶解若しくは分散させた塗工液として用いられ
ており、配線パターンが形成された表面にスクリーン印
刷技術を利用して塗布されている。このようにソルダー
レジストを塗布することにより、形成された配線パター
ンを保護すると共に隣接する配線パターン同士を確実に
絶縁し、さらに、次の工程であるメッキ工程におけるマ
スキング剤ともなる。

【０００４】このソルダーレジスト層は、エポキシ系樹
脂あるいはポリイミド系樹脂などが溶媒に溶解若しくは
分散した液を、通常は１０μｍ程度の厚さに塗布し、１
２０〜１６０℃程度の温度に加熱することにより、これ
らの樹脂を硬化させることにより形成されている。しか
しながら、このようなソルダーレジスト塗布液中には、
微細な気泡が含有されており、ソルダーレジスト塗布液
を塗布後に加熱硬化させる際に、この微細な気泡がソル
ダーレジスト層にボイドあるいはピンホールを形成す
る。リードピッチが広い従来のＴＡＢテープでは、こう
した多少のボイドあるいはピンホールは問題になること
が少なかったが、近時注目されているピッチ幅が１００
μｍに満たないようなファインピッチのＴＡＢテープで
は、こうした僅かなボイドあるいはピンホールの発生に
よっても、例えば配線パターン間に生ずることもあるマ
イグレーションなどによって電子機器の信頼性が低下す
るという問題がある。

【０００５】こうしたボイドあるいはピンホールの発生
を防止するために、例えば特開平８−１２４９６８号公
報には、「配線間の保護並びに絶縁のための被覆層を有
するＴＣＰ用ＴＡＢテープの製造方法において、真空中
のベーク処理で乾燥並びに反応凝固させて前記被覆層を
形成することを特徴とするＴＣＰ用ＴＡＢテープの製造
方法。」が開示されている。

【０００６】しかしながら、この公報に開示されている
方法では、ベーク処理を真空で行うことにより、ソルダ
ーレジスト層に含有される気泡をソルダーレジストが硬
化する前に除去しようとするものであり、従ってソルダ
ーレジスト塗布液中には、従来と同様に微細な気泡が含
有されている。減圧条件でソルダーレジストを硬化させ
ることにより、ソルダーレジスト層中に含有される気泡
は除去し易くなるが、ソルダーレジスト塗布液自体が気
泡を含有している以上、含有される気泡を完全に除去す
ることは不可能に近く、従って、この方法においてもボ
イドあるいはピンホールの生成を完全に防止することは
できない。

【０００７】ところで、ソルダーレジスト塗布液を調製
する際には、ソルダーレジスト塗布液に巻き込まれた空
気によって微細な泡（気泡）が含有されないように、ソ
ルダーレジスト塗布液中に少量のシリコーン系消泡剤を
配合するのが一般的である。こうしたシリコーン系消泡
剤は、優れた消泡作用を有しており、このようなシリコ
ーン系消泡剤を配合することにより、ソルダーレジスト
塗布液中に含まれる気泡量を非常に少なくすることがで
き、ボイドあるいはピンホールの生成を防止する手段と
してシリコーン系消泡剤の使用は極めて有効性が高い。

【０００８】ところで、ＴＡＢテープにデバイスを実装
後、このＴＡＢテープはデバイスを含めた領域を樹脂で
封止して使用される。ところが、シリコーン系消泡剤
は、他の樹脂との相溶性が低く、しかも耐熱性が高いこ
とから、ソルダーレジストを加熱硬化する際にソルダー
レジスト表面に滲み出し、この滲み出したシリコーン系
消泡剤によって封止樹脂がはじかれることがあり、ボン
ディングされたデバイスを完全に封止できないことがあ
る。

【０００９】また、ソルダーレジストを硬化させる際に
滲み出したシリコーン系消泡剤はインナーリード表面な
どに付着することがあり、このように付着したシリコー
ン系消泡剤を除去することは極めて困難である。そし
て、このようにしてインナーリードにシリコーン系消泡
剤が付着すると、インナーリードとデバイスのバンプと
の間で接続不良が生じやすいという問題もある。

【００１０】

【発明の目的】本発明は、ピンホール等が生じにくいソ
ルダーレジスト塗布液を提供すること目的としている。
また、本発明は、インナーリードにデバイスが実装され
た後、この実装されたデバイスを含む領域を樹脂で封止
する際にこの封止樹脂をはじくことがないソルダーレジ
ストを提供することを目的としている。

【００１１】さらに本発明は、インナーリードとデバイ
スのバンプとの良好に接続することができるソルダーレ
ジスト塗布液を提供することを目的としている。

【００１２】

【発明の概要】本発明のソルダーレジスト塗布液は、絶
縁フィルム表面に所望の配線パターンが形成された絶縁
フィルムのリード部を除く部分に塗布されるソルダーレ
ジスト塗布液であって、該ソルダーレジスト塗布液が、
有機溶媒中に溶解若しくは分散された硬化性樹脂を含有
し、かつ該ソルダーレジスト塗布液がシロキサン骨格を
有する成分を含有していないことを特徴としている。

【００１３】本発明のソルダーレジストを用いた電子部
品実装用フィルムキャリアテープは、絶縁フィルム表面
に所望の配線パターンが形成され、該配線パターンのリ
ード部を除く部分にソルダーレジストが塗布された電子
部品実装用フィルムキャリアテープであって、該ソルダ
ーレジストが、シロキサン骨格を有する化合物を実質的
に含有してない。

【００１４】本発明のソルダーレジストを用いた電子部
品実装用フィルムキャリアテープの製造方法は、絶縁フ
ィルム表面に銅箔を接着し、該銅箔をエッチングして所
望の配線パターンを形成した後、該エッチングにより形
成されたリード部を除く配線パターンを覆うようにソル
ダーレジストを塗布する工程を有する電子部品実装用フ
ィルムキャリアテープの製造方法において、該ソルダー
レジスト塗布液を、平均塗布厚さ１５〜５０μｍの範囲
内であって、かつ塗布されたソルダーレジスト層が実質
的にピンホールを有しないように塗布する。

【００１５】本発明のソルダーレジスト塗布液は、シリ
コーン系消泡剤を実質的に含有していない。ソルダーレ
ジスト塗布液の調製中等に塗布液が発泡すると、発生し
た泡が塗布液中に内包され、この内包される気泡によっ
てソルダーレジスト層にボイドあるいはピンホール等が
形成されることから、一般にはこうした発泡を防止する
ために、ソルダーレジスト塗布液には、消泡剤が含有さ
れている。そして、この消泡剤として最も効果が高いの
は、シリコーン系消泡剤である。ところが、ソルダーレ
ジスト塗布液にシリコーン系消泡剤を配合すると、ソル
ダーレジストが加熱硬化する際にシリコーン系消泡剤が
表面ににじみ出しやすく、デバイスをボンディングした
後、このデバイス付近を樹脂で封止しようとしてもにじ
み出たシリコーン系消泡剤によって樹脂がはじかれてし
まうという問題を生ずる。この樹脂のはじきは、特にベ
ースフィルムにデバイスをボンディングした後、封止樹
脂を塗布する際に特に顕著に現れる。また、滲み出した
（ブリードした）シリコーン系消泡剤がインナーリード
の表面などに付着すると、デバイスのボンディング不良
が発生することが判った。

【００１６】シリコーン系消泡剤を配合しなければ上記
のような問題は生じないが、ソルダーレジスト塗布液を
調製する際に塗布液に微細な気泡が含有されやすく、形
成されたソルダーレジスト層に微細な気泡が除かれるこ
とによりボイドあるいはピンホールが形成される。本発
明者は、上記のような種々の問題を有するが、その消泡
効果が高いことから依然として使用され続けているシリ
コーン系消泡剤を用いることなく、ボイドあるいはピン
ホール等が発生しにくいＴＡＢテープの製造方法につい
て検討した結果、第１にソルダーレジスト層の厚さを一
定の範囲内にすることによりボイドあるいはピンホール
の発生を防止できるとの知見を得た。さらに、こうした
ソルダーレジスト層の厚さの他に、ソルダーレジスト塗
布液の攪拌方法、ソルダーレジストの塗布方法および塗
布装置等を改善することにより、従来必ず使用しなけれ
ばならないと考えられていたシリコーン系消泡剤を使用
せずにボイドあるいはピンホールの発生を防止すること
ができるのである。

【００１７】

【発明の具体的説明】次に、本発明のソルダーレジスト
塗布液について、このソルダーレジスト塗布液を用いて
ＴＡＢテープを製造する工程に沿って具体的に説明す
る。図１、図２に示すように、本発明のソルダーレジス
ト塗布液を用いて製造される電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープ１には、絶縁フィルム１０と、この表面
に、例えば接着剤層１２により貼着された電解銅箔から
なる配線パターン３０がこの順序で積層されている。こ
の電解銅箔は、上面にフォトレジストを塗布し所望のパ
ターンを露光し、現像した後、酸等を用いることにより
エッチングして所望の配線パターン３０が形成される。
そして、この配線パターン３０のインナーリード或いは
アウターリードの部分を除いて、その表面を保護するよ
うにソルダーレジスト２０が塗布されている。

【００１８】本発明のソルダーレジストを用いて製造さ
れる電子部品実装用フィルムキャリアテープを構成する
絶縁フィルム１０は可撓性樹脂フィルムからなる。ま
た、この絶縁フィルム１０は、エッチングする際に酸な
どと接触することからこうした薬品に侵されない耐薬品
性、および、ボンディングする際の加熱によっても変質
しないような耐熱性を有している。このような可撓性樹
脂フィルムを素材の例としては、ガラスエポキシ、ＢＴ
レジン、ポリエステル、ポリアミドおよびポリイミドな
どを挙げることができる。特に本発明ではポリイミドか
らなるフィルムを用いることが好ましい。

【００１９】絶縁フィルム１０を構成するポリイミドフ
ィルムの例としては、ピロメリット酸２無水物と芳香族
ジアミンとから合成される全芳香族ポリイミド、ビフェ
ニルテトラカルボン酸２無水物と芳香族ジアミンとから
合成されるビフェニル骨格を有する全芳香族ポリイミド
を挙げることができる。特に本発明ではビフェニル骨格
を有する全芳香族ポリイミド（例；商品名：ユーピレッ
クス、宇部興産（株）製）が好ましく使用される。この
ような絶縁フィルム１０の厚さは、通常は２５〜１２５
μm、好ましくは５０〜７５μmの範囲内にある。

【００２０】このような絶縁フィルム１０には、デバイ
スホール４１、スプロケットホール４２、アウターリー
ドの切断穴、さらに屈曲部を有する場合には、屈曲位置
にフレックススリット等がパンチングにより形成されて
いる。配線パターン３０は、上記のような所定の穴４
１、４２・・・が形成された絶縁フィルム１０の少なくと
も一方の面に、絶縁性の接着剤を塗布して接着剤層１２
を形成し、この接着剤層１２のより銅箔を接着し、この
銅箔をエッチングすることにより形成される。ここで銅
箔としては、電解銅箔および圧延銅箔のいずれをも使用
することができるが、本発明では、昨今のファインピッ
チ化に対応可能な電解銅箔を使用することが好ましい。

【００２１】ここで使用される接着剤には、耐熱性、耐
薬品性、接着力、可撓性等の特性が必要になる。このよ
うな特性を有する接着剤の例としては、エポキシ系接着
剤およびフェノール系接着剤を挙げることができる。こ
のような接着剤は、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、ポリ
ビニルアセタール樹脂などで変性されていてもよく、ま
たエポキシ樹脂自体がゴム変性されていてもよい。この
ような接着剤は通常は加熱硬化性である。このような接
着剤層の厚さは、通常は８〜２３μm、好ましくは１０
〜２１μmの範囲内にある。なお、上記のような絶縁フ
ィルム１０に銅箔を貼着する際には、接着剤を用いるこ
となく貼着することもできる。

【００２２】このような接着剤からなる接着剤層１２
は、絶縁フィルム１０の表面に塗布して設けても良い
し、また電解銅箔の表面に塗布して設けても良い。ここ
で使用される電解銅箔としてはＴＡＢテープに製造に通
常使用されている厚さの銅箔を使用することができる
が、ファインピッチのＴＡＢテープを製造するために
は、銅箔として通常は６〜７５μmの範囲内、好ましく
は９〜７５μｍ、さらに好ましくは９〜５０μｍの範囲
内にある銅箔を使用する。このような薄い電解銅箔を使
用することにより、狭ピッチ幅のインナーリードを容易
に形成することが可能になる。

【００２３】このように絶縁フィルムの表面に銅箔を貼
着した後、この銅箔の表面にフォトレジストを塗布し、
このフォトレジストに所望の配線パターンを焼き付けて
フォトレジストを硬化させ、硬化していない部分のフォ
トレジストを除去する。また逆に、露光することによ
り、特定媒体に溶解可能となるフォトレジストを使用す
ることもできる。

【００２４】こうして硬化したフォトレジストによって
所望の配線パターンが形成された銅箔をエッチングし
て、フォトレジストの存在しない部分の銅箔を溶解除去
して絶縁フィルムの表面に銅箔からなる配線パターン３
０を形成する。こうしてエッチングにより配線パターン
３０を形成した後、硬化したフォトレジストを、例えば
アルカリ溶液などで除去する。

【００２５】本発明では、このように所定の配線パター
ンを形成した後、次の工程でメッキするインナーリード
５１及びアウターリード５２の先端部を除いてソルダー
レジスト塗布液を塗布する。本発明のソルダーレジスト
塗布液には、硬化性樹脂が有機溶媒に溶解若しくは分散
しており、このソルダーレジスト塗布液には、シリコー
ン系消泡剤は含有されていない。

【００２６】本発明のソルダーレジスト塗布液中に含有
される硬化性樹脂は、エポキシ系樹脂、エポキシ系樹脂
のエラストマー変性物、ウレタン樹脂、ウレタン樹脂の
エラストマー変性物、ポリイミド樹脂およびポリイミド
樹脂のエラストマー変性物よりなる群から選ばれる少な
くとも一種類の樹脂成分を含有するものであることが好
ましい。特にエラストマー変性物を使用することが好ま
しい。このエラストマー変性には、エポキシ樹脂、ウレ
タン樹脂あるいはポリイミド樹脂にエラストマー成分を
混合して変性する方法と、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂
あるいはポリイミド樹脂を形成するモノマーと、エラス
トマーを形成するモノマーとを共重合させる方法がある
が、本発明ではいずれのエラストマー変性物を使用する
ことができるが、特にエラストマーを形成するモノマー
を共重合させて、主成分である樹脂に弾性を付与する方
法によって形成されたエラストマー変性物を使用するこ
とが特に好ましい。

【００２７】例えば、本発明においてソルダーレジスト
塗布液を形成するための樹脂としてウレタン樹脂を例に
して説明すると、本発明では、ソルダーレジストを形成
するウレタン樹脂としては、(a)数平均分子量が１００
０〜８０００の範囲内にあり、かつ１分子当たり２〜１
０個の水酸基を有するポリブタジエンポリオール、(b)
数平均分子量が１３０００〜３００００であって、かつ
１分子当たり２〜１０個の水酸基を有するポリエステル
ポリオール、(c)数平均分子量が１０００〜８０００で
あって、かつ１分子当たり２〜１０個の水酸基を有する
ポリブタジエンポリブロックイソシアネートを必須成分
として、ポリオールの重量比が固形分において(a)：(b)
=４０：６０〜９０：１０であり、ポリブロックイソシ
アネート(c)の量がポリオールの総水酸基当量に対し、
０.８〜３.５当量の量で含有されるウレタン樹脂が好ま
しく使用される。

【００２８】上記(a)成分により、耐熱性、耐薬品性
等、剛直性樹脂に見られる特性と、可撓性、低収縮性
等、軟質性樹脂に見られる特性の両者を樹脂に付与する
ことができる。分子量が上記規定する範囲より小さい場
合、あるいは、１分子当たりの水酸基の数が上記範囲よ
りも大きくなる場合は、硬化時の架橋密度が高くなるた
めに、より固い硬化物となり、ソルダーレジストに柔軟
性及び硬化後の低収縮性などの特性を充分には付与でき
ないことがある。また、分子量が上記規定する範囲より
も大きい場合、１分子当たりの水酸基の数が上記の範囲
よりも小さい場合は、硬化時の架橋密度が低くなり、硬
化物は柔軟性を有するものの、硬化体の耐熱性、耐薬品
性が低下しやすい。

【００２９】上記(b)成分は、柔軟性向上、硬化後の低
収縮性等、柔軟性硬化物に見られる特性を付与させると
共に、樹脂骨格に含まれる極性の高いエステル結合によ
って下地との密着性を向上させるものである。上記(c)
成分は、耐熱性、耐薬品性等剛直性樹脂に見られる特性
と、可撓性、低収縮性等、柔軟性樹脂に見られる特性の
両者を樹脂に付与するものである。分子量が上記規定す
る範囲よりも小さい場合、１分子当たりの水酸基の数が
上記規定する範囲よりも大きい場合は、硬化後の架橋密
度が高くなり、より固い硬化物となり、硬化塗膜柔軟性
および硬化時の低収縮性が充分に確保されないことがあ
る。また、分子量がこの範囲よりも小さい場合は、硬化
時の架橋密度が低くなるため、より柔軟な硬化物となる
反面、硬化塗膜の耐熱性及び薬品性が低下することがあ
る。また、この成分(a)がポリブタジエン骨格であるこ
とにより、ソルダーレジストの柔軟性及び硬化時の低収
縮性をより向上させることができる。

【００３０】ポリブタジエンポリオール(a)を単独で用
いて、これをポリブタジエンポリイソシアネート(b)で
硬化させると、耐熱性、耐薬品性、柔軟性、硬化時の低
収縮性等の特性については比較的バランスをとりやすい
が、これらの特性の中で、柔軟性、硬化時の低収縮性、
下地との密着性に関してはさらに改善の余地がある。こ
うした特性を改善するために、ポリエステルポリオール
を組み合わせて使用することが必要になる。すなわち
（ａ）：（ｂ）＝４０：６０〜９０：１０の範囲内で混
合して用いることが好ましく、ポリオール（ａ）がこの
範囲よりも少ないと、架橋密度が下がりすぎるため、塗
膜の耐熱性、耐薬品性等の特性が低下しやすい。また、
ポリブタジエンポリブロックイソシアネート（ｃ）の量
は、ポリオールの総水酸基当量に対し、０.８〜３.５当
量となることが好ましく、これよりも多い場合も少ない
場合も共に架橋密度が低くなるため、塗膜の耐熱性、耐
薬品性が充分に改善されないことがある。

【００３１】上記の説明は、ソルダーレジストとしてウ
レタン樹脂を変性して使用する場合について詳細に説明
したが、その他の樹脂、例えばエポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂などを用いる場合にも同様に得られる樹脂の特性
を考慮して変性する必要がある。また、本発明におい
て、ソルダーレジスト塗布液中には、上記のような樹脂
成分の他に、硬化促進剤、充填剤、添加剤、チキソ剤、
溶剤等、通常ソルダーレジスト塗布液に添加される物質
を添加することができる。さらに、ソルダーレジスト層
の可撓性等の特性を向上させるために、ゴム微粒子のよ
うな弾性を有する微粒子などを配合することも可能であ
る。

【００３２】このようなソルダーレジスト塗布液を塗工
可能なように通常の攪拌装置を用いて攪拌すると、微細
な気泡が塗布液中に混入し、このように一旦混入した微
細な気泡は通常の方法で除去することは非常に難しい。
従って、従来から樹脂成分に対して１〜３重量％程度の
シリコーン系消泡剤を配合して、微細な気泡が発生する
のを防止してボイドあるいはピンホールの発生を防止し
ていた。しかしながら、このようにシリコーン系消泡剤
を用いたとしても、例えば一般的な攪拌装置であるプロ
ペラ型の攪拌装置を使用した場合には、微細な気泡の混
入を完全に防止することはできない。

【００３３】本発明において、ソルダーレジスト塗布液
を混合する際には、図３に示すような、容器６１が自転
し、この容器６１が公転する攪拌装置を使用することが
好ましい。このような攪拌装置を用いることにより、ソ
ルダーレジスト塗布液を良好に混合することができると
共に、ソルダーレジスト塗布液に混入している微細な気
泡を除去することができる。このときの公転速度は１０
００〜４０００rpm、自転速度は３００〜１２００rpmの
範囲内にあることが好ましい。このような装置を用いた
脱気泡処理に要する時間は、通常は５秒〜１５分、好ま
しくは１〜１０分である。このような条件で処理するこ
とにより、ソルダーレジストに大きな遠心力が連続的に
かかり、ソルダーレジスト塗布液中に含有される微細な
気泡の殆どが除去される。

【００３４】さらに、本発明では、上記のような処理が
施されていない塗布液、好ましくは上記のような脱気泡
処理を施した塗布液をスクリーン印刷技術を利用して塗
布する。従来、このスクリーン印刷技術を利用したソル
ダーレジスト塗布液の塗布には、１８０メッシュ程度の
比較的目開きの小さいスクリーンマスクが使用されてい
るが、本発明では、こうした従来から一般に使用されて
いるスクリーンマスクよりも目開きの大きいスクリーン
マスクを使用する。

【００３５】特に本発明では、１７０メッシュ以下のス
クリーンマスクを使用することが好ましく、また、１２
０〜１６５メッシュの範囲内のスクリーンマスクを使用
することが特に好ましい。このようなスクリーンマスク
を用いることにより、ソルダーレジストの塗布厚さを１
５〜５０μｍの範囲内、好ましくは２５〜４０μｍの範
囲内とすることができ、このようにソルダーレジストの
厚さを上記のように厚くすることにより、ピンホールの
形成を防止することができる。殊にこのようにソルダー
レジストを厚くする本発明においては、ソルダーレジス
トが弾性を有していることが好ましい。そして、本発明
ではソルダーレジストの樹脂成分としてエラストマー変
性物を使用しているので、ソルダーレジストを厚く塗工
してもソルダーレジストにクラック等が発生することを
有効に防止することができる。

【００３６】こうしたソルダーレジスト塗布液は、スキ
ージエッジを用いて塗布する。通常このスキージエッジ
としては、底部が平坦な板状のスキージエッジが使用さ
れる。従って、このスキージエッジは、スクリーンマス
クに対してほぼ直角に接触しながらソルダーレジストを
塗布する。しかしながら、このように底部が平坦な板状
のスキージエッジでは、スクリーンマスク上のソルダー
レジストのためが少なくなりやすく、ソルダーレジスト
の塗布厚さを充分に確保することが困難になる。

【００３７】本発明では、図４に示すように、このスキ
ージエッジ７０をスキージエッジ厚さの少なくとも１／
１０、好ましくは１／９〜１／２に亘って、スクリーン
マスク７２に対して通常は４５度以下の角度、好ましく
は３０〜４５度の角度で接触するように幅方向に切欠７
１を形成して使用する。このように切欠７１を形成する
ことにより、この切欠７１部分にソルダーレジスト塗布
液がより多く保持され、ソルダーレジストの厚塗りが可
能になる。

【００３８】さらに、本発明では、このような切欠７１
を有するスキージエッジ７０を用いて、ソルダーレジス
ト塗布液を塗布するに際して、スクリーンマスク７２上
を通常は５０〜２００mm/秒の範囲内の速度、好ましく
は８０〜１５０mm/秒の範囲内の速度で移動させてソル
ダーレジスト塗布液を塗布する。このように従来よりも
ゆっくりスキージエッジ７０を移動させてソルダーレジ
スト塗布液を塗布することにより、気泡が巻き込まれに
くくなり、また、スキージエッジ７０に切欠７１を形成
することにより、気泡含有量の少ないソルダーレジスト
塗布液を多量にスクリーンマスクのソルダーレジスト塗
布部分に供給することができるので、シリコーン系消泡
剤を用いなくとも、絶縁フィルム上に形成された配線パ
ターンを覆うように気泡含有量の少ないソルダーレジス
ト層を所定の厚さで形成することができる。そして、こ
のようにして形成されたソルダーレジスト層には、気泡
が実質的に含有されていないので、ピンホールあるいは
ボイド等が形成されることはない。

【００３９】さらに、本発明では、上記のようにしてソ
ルダーレジスト塗布液を塗布した後、より穏和な条件で
このソルダーレジスト層中に含有される樹脂を硬化させ
ることにより、仮に少量の気泡が含有される場合であっ
ても、これらの気泡が消失した後、ソルダーレジストの
有するセルフレベリング性によって消泡した部分に樹脂
が流れ込み、ボイドあるいはピンホールの発生を防止で
きる。すなわち、本発明では、ソルダーレジスト塗布液
を塗布した後、塗布温度〜１７０℃の範囲内、好ましく
は４０℃〜１７０℃の範囲内で段階的に昇温してソルダ
ーレジスト層中に含有される溶剤を除去すると共に、樹
脂を硬化させる。このときの段階的昇温の例としては、
第１硬化段階における硬化温度を９０℃以下に設定して
硬化対象物をこの第１硬化段階で５〜１２０分間保持し
た後、徐々に温度を挙げて９０℃よりも高い第２硬化段
階に移行させる。この第２硬化段階では９０℃よりも高
い温度、好ましくは９５〜１８０℃程度の温度で１０〜
３００分間硬化対象物を保持する。上記例は、２段階で
硬化させる例であるが、同様にして３段階以上の多段階
であってもよい。なお、このように多段階に温度設定を
して硬化させる場合、ある硬化段階から次の硬化段階に
加熱する際には、できるだけ穏和な条件で昇温すること
が好ましく、たとえば、上記の例で示したように、第１
硬化段階から第２硬化段階への昇温速度は、通常は、
０.０１℃/１分間〜１０℃/１分間、好ましくは０.１℃
/１分間〜５℃/１分間の範囲内にするとよい。

【００４０】なお、この加熱には、通常のヒーターの
他、熱風、（遠）赤外線ヒーター等を使用することがで
きる。また、加熱は減圧乃至加圧条件で行うことができ
るが、特に減圧条件で加熱することにより、ボイドある
いはピンホールの発生を予防することができる。こうし
てソルダーレジスト層を形成した後、この配線パターン
およびソルダーレジスト層の形成された絶縁フィルムを
メッキ槽に移動して、配線パターンの表面にメッキ層を
形成する。本発明においてこのメッキ層は、種々の金属
により形成することができるが、通常はこのメッキ層
は、スズメッキ層である。スズメッキ層は、無電解スズ
メッキあるいは電気スズメッキ等の方法によって形成さ
れる。こうして形成された当初のスズメッキ層は、通常
は実質的にスズから形成されているが、このスズメッキ
層の特性を損なわない範囲内で他の金属が含有されてい
ても良い。

【００４１】スズメッキ層の厚さは、０.１〜０.６μｍ
の範囲内にあることが好ましい。このような厚さでスズ
メッキ層を形成することにより、インナーリードとデバ
イスのバンプをボンディングする際、バンプを形成する
金等の金属とスズとが適量の共晶物を形成するので、イ
ンナーリードとバンプとを良好に接合することができる
と共に、過度の共晶物が形成されることがなく、ファイ
ンピッチのＴＡＢテープであってもボンディングの際に
インナーリード部で短絡が生ずることが少ない。このス
ズメッキ層は、ソルダーレジスト層が形成されている部
分から露出している配線パターン全面に形成される。こ
うしてスズメッキ層を形成した後、加熱することによ
り、リードを形成する銅の一部がスズメッキ層に拡散
し、リード部からのウィスカーの生成を抑制することが
できる。また、上記のようにしてスズメッキ層を形成し
た後、形成されたスズメッキ層の表面に薄いスズメッキ
層が形成されるようにスズメッキ（フラッシュメッキ）
することによっても、ウィスカーの生成を制御すること
ができる。

【００４２】上記の方法では、ソルダーレジスト層を形
成した後に、メッキ層を形成するが、メッキ層を形成し
た後にソルダーレジストを塗布する前にメッキ層を形成
しても良い。すなわち、エッチングにより配線パターン
を形成した後、この配線パターンが形成された絶縁フィ
ルムをメッキ槽に移して例えばスズメッキ層を形成し、
次いで、こうしてメッキ層が形成された上からソルダー
レジストを塗布することができる。

【００４３】こうして形成されたＴＡＢテープには、通
常の方法に従ってデバイスをボンディングすることがで
きる。こうしてデバイスをボンディングした後、通常の
方法に従って、樹脂を塗布してデバイスを封止する。本
発明では、ソルダーレジスト塗布液がシリコーン系消泡
剤を使用していないので、このような封止樹脂がベース
フィルム上などで封止不良（密着不良）を起こすことが
ない。

【００４４】

【発明の効果】本発明で使用するソルダーレジスト塗布
液中には、シリコーン系消泡剤は含有されていない。こ
のように本発明のソルダーレジスト塗布液は、シリコー
ン系消泡剤を含有していないけれども、ソルダーレジス
ト塗布液の塗布厚さ、さらにソルダーレジストの攪拌方
法の改善、塗布装置の改良、印刷方法の改良、乾燥方法
の改良などによりソルダーレジスト層にボイドあるいは
ピンホールなどが発生するのを防止することができる。

【００４５】そして、本発明で使用するソルダーレジス
ト塗布液は、シリコーン系消泡剤を含有していないの
で、インナーリードに良好にデバイスをボンディングす
ることができると共に、デバイスをボンディングした
後、このデバイスを含む部分を樹脂で封止する際ににじ
み出たシリコーン系消泡剤によって樹脂による封止性が
低下することがない。また、本発明で使用されるソルダ
ーレジストは、シリコーン系消泡剤を使用していないの
で、工場全体がシリコーン汚染されることがないとの利
点もある。

【００４６】

【実施例】次に本発明の実施例を示して本発明を更に詳
細に説明するが、本発明はこれらによって限定されるも
のではない。

【００４７】

【実施例１】厚さ７５μｍのポリイミドフィルムに、パ
ンチングにより、デバイスホール、スプロケットホール
を形成した。次いで、このポリイミドフィルム表面に、
エポキシ系接着剤を塗布し、厚さ１８μｍの銅箔を貼着
した。さらに、この銅箔上にフォトレジストを塗布し、
このフォトレジストを露光し、さらにエッチングするこ
とにより銅箔に配線パターンを形成した。

【００４８】これとは別に、シリコーン系消泡剤を含有
していないウレタン系ソルダーレジスト塗布液を、自転
公転型攪拌装置（株式会社シンキー製、コンディショニ
ングミキサーＭＸ−２０１）に入れ、自転速度６００rp
m、公転速度２０００rpmの速度で２分間攪拌して、含有
される微細な気泡の大部分を除去した脱泡ウレタン系ソ
ルダーレジスト塗布液を得た。

【００４９】次いで、インナーリードおよびアウターリ
ードの先端部がマスキングされたシルクスクリーン（目
開き１５０メッシュ）に、塗布方向のエッジが図３に示
すように、切欠かれたスキージエッジを配置し、ここに
上記のようにして調製した脱泡ウレタン系ソルダーレジ
スト塗布液を供給した。上記のように配置したソルダー
レジスト塗布装置を用いて、形成された配線パターンの
上からウレタン系の脱泡ソルダーレジストを乾燥厚さが
４０μｍになるように、スキージエッジの移動速度；８
０mm/secの塗布速度で塗布した。

【００５０】こうしてソルダーレジストを塗布した後、
８０〜１４０℃の温度に段階的に２.５時間かけて昇温
して加熱してソルダーレジストを硬化させた。なお、こ
の加熱は、常圧で行った。こうしてソルダーレジスト層
を形成した後、このフィルムを無電解スズメッキ層に移
してソルダーレジストが塗工されていない配線パターン
表面に０.２μｍの厚さでスズメッキ層を形成した。

【００５１】スズメッキ層を形成した後、このＴＡＢテ
ープを１２０℃の温度に１時間保持した。こうして得ら
れたＴＡＢテープ１００個について、ソルダーレジスト
層のピンホールおよびボイドの数を測定したところ、Ｔ
ＡＢテープ１個当たりのピンホールあるいはボイドの平
均発生数は、０.０１個であり、実質的にボイドあるい
はピンホールは発生しなかった。

【００５２】上記のようにして１００個のＴＡＢテープ
についてボンディング不良を測定した結果、ボンディン
グ不良は実質的に見られなかった。こうして得られたＴ
ＡＢテープにデバイスをボンディングし、このデバイス
を含む部分にエポキシ系樹脂を塗布してデバイスを封止
したが、封止樹脂はデバイスおよびＴＡＢテープに良好
に密着して封止不良は見られなかった。

【００５３】なお、本発明におけるピンホールあるいは
ボイドの平均発生数およびボンディング不良は、１００
個のＴＡＢテープを１単位として測定した平均値であ
る。

【００５４】

【比較例１】実施例１と同様にエッチングして配線パタ
ーンを形成した。これとは別にシリコーン系消泡剤を１
重量％含有するウレタン系ソルダーレジストを、プロペ
ラ型攪拌機にいれ、１００rpmで１５分間攪拌してウレ
タン系ソルダーレジストの塗布液を得た。

【００５５】次いで、インナーリードおよびアウターリ
ードの先端部がマスキングされたシルクスクリーン（目
開き１８０メッシュ）に、エッジに切欠の形成されてい
ないスキージエッジを配置し、ここに上記のようにして
調製した脱泡ウレタン系ソルダーレジスト塗布液を供給
し、実施例１と同様にして、ウレタン系の脱泡ソルダー
レジストを乾燥厚さが２５μｍになるように、スキージ
エッジの移動速度；１２０mm/secの塗布速度で塗布し
た。

【００５６】こうして塗布したソルダーレジストを実施
例１と同様にして硬化させた。こうしてソルダーレジス
ト層を形成した後、このフィルムを無電解スズメッキ層
に移してソルダーレジストが塗工されていない配線パタ
ーン表面に０.２μｍの厚さでスズメッキ層を形成し
た。スズメッキ層を形成した後、このＴＡＢテープを１
２０℃の温度に１時間保持した。

【００５７】こうして得られたＴＡＢテープ１００個に
ついて、ソルダーレジスト層のピンホールおよびボイド
の数を測定したところ、ＴＡＢテープ１個当たりのピン
ホールあるいはボイドの平均発生数は、０.０１個であ
り、実質的にボイドあるいはピンホールは発生しなかっ
た。上記のようにして１００個のＴＡＢテープについて
ボンディング不良を測定した結果、ボンディング不良は
実質的に見られなかった。

【００５８】こうして得られたＴＡＢテープにデバイス
をボンディングし、このデバイスを含む部分にエポキシ
系樹脂を塗布してデバイスを封止したが、封止樹脂はデ
バイスホール近傍のベースフィルム上で８０個にはじき
がみられ封止不良が生じていた。

【００５９】

【実施例２】厚さ７５μｍのポリイミドフィルムに、パ
ンチングにより、デバイスホール、スプロケットホール
を形成した。次いで、このポリイミドフィルム表面に、
エポキシ系接着剤を塗布し、厚さ１８μｍの銅箔を貼着
した。さらに、この銅箔上にフォトレジストを塗布し、
このフォトレジストを露光し、さらにエッチングするこ
とにより銅箔に配線パターンを形成した。

【００６０】これとは別に、シリコーン系消泡剤を含有
していないウレタン系ソルダーレジスト塗布液を、実施
例１と同様に処理して、脱泡ウレタン系ソルダーレジス
ト塗布液を得た。次いで、インナーリードおよびアウタ
ーリードの先端部がマスキングされたシルクスクリーン
（目開き１８０メッシュ）に、エッジに切欠の形成され
ていないスキージエッジを配置し、ここに上記のように
して調製した脱泡ウレタン系ソルダーレジスト塗布液を
供給し、実施例１と同様にして、ウレタン系の脱泡ソル
ダーレジストを乾燥厚さが２０μｍになるように、スキ
ージエッジの移動速度；１２０mm/secの塗布速度で塗布
した。

【００６１】こうして塗布したソルダーレジストを実施
例１と同様にして硬化させた。こうしてソルダーレジス
ト層を形成した後、このフィルムを無電解スズメッキ層
に移してソルダーレジストが塗工されていない配線パタ
ーン表面に０.２μｍの厚さでスズメッキ層を形成し
た。スズメッキ層を形成した後、このＴＡＢテープを１
２０℃の温度に１時間保持した。

【００６２】実施例１とはスキージエッジーが異なるこ
とにより、ピンホールの平均発生数は、実施例１よりも
多少多くなったが、上記のようにして１００個のＴＡＢ
テープについてボンディング不良を測定した結果、ボン
ディング不良は実質的に見られなかった。こうして得ら
れたＴＡＢテープにデバイスをボンディングし、このデ
バイスを含む部分にエポキシ系樹脂を塗布してデバイス
を封止したが、封止樹脂はデバイスおよびＴＡＢテープ
に良好に密着して封止不良は見られなかった。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は、電子部品実装用フィルムキャリアテ
ープの例を模式的に示す平面図である。

【図２】 図２は、電子部品実装用フィルムキャリアテ
ープの例を模式的に示す断面図である。

【図３】 図３は、自転公転型攪拌装置を模式的に示す
図である。

【図４】 図４は、本発明で好適に使用されるスキージ
エッジを模式的に示す図である。

【符号の説明】

１・・・ＴＡＢテープ １０・・・絶縁フィルム １２・・・接着剤層 ２０・・・ソルダーレジスト ３０・・・銅箔（配線パターン） ４１・・・デバイスホール ４２・・・スプロケットホール ５１・・・インナーリード ５２・・・アウターリード ６１・・・容器 ７０・・・スキージエッジ ７１・・・切欠 ７２・・・スクリーンマスク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 織 壁 宏 神奈川県川崎市川崎区鈴木町１−１ 味の 素株式会社アミノサイエンス研究所内 (72)発明者 佐 川 幸一郎 神奈川県川崎市川崎区鈴木町１−１ 味の 素株式会社アミノサイエンス研究所内 Ｆターム(参考） 2H025 AA14 AB06 AB15 CB22 CB25 CB30 CB57 CC20 EA01 FA43 4J038 DB001 DB421 DG001 DG111 DG191 DG301 DG321 DJ021 GA15 MA07 MA09 MA15 NA21 PB09 PC02 PC08 5F044 MM03 MM44

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁フィルム表面に所望の配線パターン
   が形成された絶縁フィルムのリード部を除く部分に塗布
   されるソルダーレジスト塗布液であって、該ソルダーレ
   ジスト塗布液が、有機溶媒中に溶解若しくは分散された
   硬化性樹脂を含有し、かつ該ソルダーレジスト塗布液が
   シロキサン骨格を有する成分を含有していないことを特
   徴とするソルダーレジスト塗布液。
2. 【請求項２】 上記ソルダーレジスト塗布液中に含有さ
   れる硬化性樹脂が、エポキシ系樹脂、エポキシ系樹脂の
   エラストマー変性物、ウレタン樹脂、ウレタン樹脂のエ
   ラストマー変性物、ポリイミド樹脂およびポリイミド樹
   脂のエラストマー変性物よりなる群から選ばれる少なく
   とも一種類の樹脂成分を含有することを特徴とする請求
   項第１項のソルダーレジスト塗布液。
3. 【請求項３】 上記ソルダーレジスト塗布液の２５℃に
   おける粘度が、５０〜２５００ポイズの範囲内にあるこ
   とを特徴とする請求項第１項または第２項記載のソルダ
   ーレジスト塗布液。