JP2001045378A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JP2001045378A JP2001045378A JP11221737A JP22173799A JP2001045378A JP 2001045378 A JP2001045378 A JP 2001045378A JP 11221737 A JP11221737 A JP 11221737A JP 22173799 A JP22173799 A JP 22173799A JP 2001045378 A JP2001045378 A JP 2001045378A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- imaging device
- signal
- state imaging
- signals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 センサが高密度となっても、画素信号の転送
時間と読み出し用の転送時間とのバランスを取り、高画
質で解像度の劣化のない読み取りを実行できる固体撮像
装置を提供することを課題とする。 【解決手段】 固体撮像装置において、複数の画素信号
を任意の時間間隔をもって複数に出力することを特徴と
する。また、複数の画素信号を蓄積する複数の蓄積部か
ら、任意の時間間隔をおいて前記複数の画素信号を出力
することを特徴とする。更に、１本の信号転送線に接続
された複数の画素信号を読み出す固体撮像装置におい
て、ある画素信号を画素信号蓄積部へ転送している期間
に、既に蓄積部へ転送済みの同一信号線につながる他の
画素信号を蓄積部から出力することを特徴とする。
時間と読み出し用の転送時間とのバランスを取り、高画
質で解像度の劣化のない読み取りを実行できる固体撮像
装置を提供することを課題とする。 【解決手段】 固体撮像装置において、複数の画素信号
を任意の時間間隔をもって複数に出力することを特徴と
する。また、複数の画素信号を蓄積する複数の蓄積部か
ら、任意の時間間隔をおいて前記複数の画素信号を出力
することを特徴とする。更に、１本の信号転送線に接続
された複数の画素信号を読み出す固体撮像装置におい
て、ある画素信号を画素信号蓄積部へ転送している期間
に、既に蓄積部へ転送済みの同一信号線につながる他の
画素信号を蓄積部から出力することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被写体を撮像する
固体撮像装置に関し、主に複数の画素信号を同時に出力
する固体撮像装置に関する。
固体撮像装置に関し、主に複数の画素信号を同時に出力
する固体撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の固体撮像装置について、図１３に
センサ部の簡略したブロック図を、図１４にその動作タ
イミング図を示して説明する。図１３において、光電変
換センサ中、ａ，ｂは画素部を表し、光電変換されたそ
れら画素部の信号電荷が蓄積される部分を蓄積部１とす
る。垂直シフトレジスタＶＳＲによりセンサの画素部に
接続する行選択線を走査し、水平シフトレジスタＨＳＲ
１により蓄積部１に蓄積された画素信号を順次走査、出
力していく。
センサ部の簡略したブロック図を、図１４にその動作タ
イミング図を示して説明する。図１３において、光電変
換センサ中、ａ，ｂは画素部を表し、光電変換されたそ
れら画素部の信号電荷が蓄積される部分を蓄積部１とす
る。垂直シフトレジスタＶＳＲによりセンサの画素部に
接続する行選択線を走査し、水平シフトレジスタＨＳＲ
１により蓄積部１に蓄積された画素信号を順次走査、出
力していく。
【０００３】図１４によれば、例えば、先ず光電変換セ
ンサの各画素に被写体の画像を蓄積し、つぎに、１水平
走査期間内（ＨＳＹＮＣ）で、まず蓄積部１への転送用
パルスＴＸがオンの間に、画素ａ11〜ａ1n，ｂ11〜ｂ1n
の信号をそれぞれ蓄積部１へ転送する。そして水平シフ
トレジスタＨＳＲ１のパルス動作に同期して、期間ＴＳ
のハイの間にａ，ｂの画素信号を順次出力（ＯＵＴ１，
ＯＵＴ２）させる。更に以降も、次の２行目ずつを同様
の動作を繰り返す。
ンサの各画素に被写体の画像を蓄積し、つぎに、１水平
走査期間内（ＨＳＹＮＣ）で、まず蓄積部１への転送用
パルスＴＸがオンの間に、画素ａ11〜ａ1n，ｂ11〜ｂ1n
の信号をそれぞれ蓄積部１へ転送する。そして水平シフ
トレジスタＨＳＲ１のパルス動作に同期して、期間ＴＳ
のハイの間にａ，ｂの画素信号を順次出力（ＯＵＴ１，
ＯＵＴ２）させる。更に以降も、次の２行目ずつを同様
の動作を繰り返す。
【０００４】（従来例の補足）図１５に、図１３のブロ
ック図で説明した水平シフトレジスタＨＳＲ部とその周
辺部の具体的構成を示す。ノイズ成分の蓄積容量をＣ
TN1、ＣTN2、画素信号ａ成分の蓄積容量をＣTS1 、画素
信号ｂ成分の蓄積容量をＣTS2 とする。また図１３の列
線を、各画素部からの信号電荷を転送する垂直信号線と
している。また、水平シフトレジスタＨＳＲ部とその周
辺部は、蓄積容量等をリセットするＭＯＳＲ１と、画素
ａに対するノイズ成分を蓄積容量ＣTN1に制御パルスφ
ＴＮ１によって導通する転送スイッチＴ１と、同様に転
送スイッチＴ２〜Ｔ４と、水平シフトレジスタの走査に
よりオン／オフするスイッチＨ１〜Ｈ４と、各画素信号
と各ノイズ信号を増幅するアンプＡ１〜Ａ４と、画素成
分からノイズ成分を差し引く差動アンプＤ１〜Ｄ２とか
らなる。
ック図で説明した水平シフトレジスタＨＳＲ部とその周
辺部の具体的構成を示す。ノイズ成分の蓄積容量をＣ
TN1、ＣTN2、画素信号ａ成分の蓄積容量をＣTS1 、画素
信号ｂ成分の蓄積容量をＣTS2 とする。また図１３の列
線を、各画素部からの信号電荷を転送する垂直信号線と
している。また、水平シフトレジスタＨＳＲ部とその周
辺部は、蓄積容量等をリセットするＭＯＳＲ１と、画素
ａに対するノイズ成分を蓄積容量ＣTN1に制御パルスφ
ＴＮ１によって導通する転送スイッチＴ１と、同様に転
送スイッチＴ２〜Ｔ４と、水平シフトレジスタの走査に
よりオン／オフするスイッチＨ１〜Ｈ４と、各画素信号
と各ノイズ信号を増幅するアンプＡ１〜Ａ４と、画素成
分からノイズ成分を差し引く差動アンプＤ１〜Ｄ２とか
らなる。
【０００５】図１６に、図１４の動作タイミング図中の
期間ＴＸにおける詳細なタイミングを示す。期間Ｔ1 に
おいてＭＯＳＲ１によって各蓄積容量ＣTをリセット、
垂直信号線をリセットする。Ｔ2 においてノイズ成分を
ＣTN1 に転送、Ｔ3 において画素ａの信号をＣTS1 に転
送、Ｔ4 において垂直信号線リセットする。また、Ｔ 4
〜Ｔ5 の間にｂのノイズ成分をＣTN2 に転送、Ｔ5 にお
いて画素ｂの信号をＣ TS2 に転送、Ｔ6 において各信号
出力を（Ｓ−Ｎを行いつつ）蓄積部から読み出す動作を
行っている。
期間ＴＸにおける詳細なタイミングを示す。期間Ｔ1 に
おいてＭＯＳＲ１によって各蓄積容量ＣTをリセット、
垂直信号線をリセットする。Ｔ2 においてノイズ成分を
ＣTN1 に転送、Ｔ3 において画素ａの信号をＣTS1 に転
送、Ｔ4 において垂直信号線リセットする。また、Ｔ 4
〜Ｔ5 の間にｂのノイズ成分をＣTN2 に転送、Ｔ5 にお
いて画素ｂの信号をＣ TS2 に転送、Ｔ6 において各信号
出力を（Ｓ−Ｎを行いつつ）蓄積部から読み出す動作を
行っている。
【０００６】したがって各画素信号を蓄積部へ転送する
期間が非常に長くなる。
期間が非常に長くなる。
【０００７】［他の従来の技術］他の従来技術として、
画像の読み出し方法には、複数の画素信号を加算、ある
いは複数の信号転送経路により、複数の画素信号を同時
に出力する方法がある。例えば、従来例１として、特開
平１０−２８５４７２号公報には、共通の読み出し線に
接続された複数の制御スイッチ素子を同時にオンとする
ことにより、電流モードで同時に複数の画素の読み出し
を行い、これら複数の画素の出力を、読み出し出力線上
で合成し、選択された複数の画素の信号の積和演算を行
う。
画像の読み出し方法には、複数の画素信号を加算、ある
いは複数の信号転送経路により、複数の画素信号を同時
に出力する方法がある。例えば、従来例１として、特開
平１０−２８５４７２号公報には、共通の読み出し線に
接続された複数の制御スイッチ素子を同時にオンとする
ことにより、電流モードで同時に複数の画素の読み出し
を行い、これら複数の画素の出力を、読み出し出力線上
で合成し、選択された複数の画素の信号の積和演算を行
う。
【０００８】また、従来例２として、特開平５−２４４
３４０号公報には、通常の電荷転送路とは別に、高速駆
動時専用の電荷転送路を設け、駆動パルスの切り換えに
より、高速のデータレートが必要な場合には電荷と複数
の経路に分岐させて複数の第１、第２出力部から分割し
て交互に信号を読み出す。
３４０号公報には、通常の電荷転送路とは別に、高速駆
動時専用の電荷転送路を設け、駆動パルスの切り換えに
より、高速のデータレートが必要な場合には電荷と複数
の経路に分岐させて複数の第１、第２出力部から分割し
て交互に信号を読み出す。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年は
高密度のセンサが強く求められている時であるが、セン
サが高画素数になると、１水平走査期間内で画素信号を
蓄積部へ転送したあと残った時間で、転送分の全画素信
号を読み出し切れなくなる。また、そのために信号を出
力させる水平シフトレジスタＨＳＲの動作周波数を高速
化するにも無理がある。また、複数の画素信号を加算す
る場合には、解像度が劣化する。また、複数の信号転送
経路は回路規模を増大させ、コスト高の要因となる。
高密度のセンサが強く求められている時であるが、セン
サが高画素数になると、１水平走査期間内で画素信号を
蓄積部へ転送したあと残った時間で、転送分の全画素信
号を読み出し切れなくなる。また、そのために信号を出
力させる水平シフトレジスタＨＳＲの動作周波数を高速
化するにも無理がある。また、複数の画素信号を加算す
る場合には、解像度が劣化する。また、複数の信号転送
経路は回路規模を増大させ、コスト高の要因となる。
【００１０】そこで、本発明は、上記各問題点を解決す
るため、センサが高密度となっても、画素信号の転送時
間と読み出し用の転送時間とのバランスを取り、高画質
で解像度の劣化のない読み取りを実行できる固体撮像装
置を提供することを課題とする。
るため、センサが高密度となっても、画素信号の転送時
間と読み出し用の転送時間とのバランスを取り、高画質
で解像度の劣化のない読み取りを実行できる固体撮像装
置を提供することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による固体撮像装
置は、複数の画素信号を任意の時間間隔をもって複数に
出力することを特徴とする。また、複数の画素信号を蓄
積する複数の蓄積部から、任意の時間間隔をおいて前記
複数の画素信号を出力することを特徴とする。更に、１
本の信号転送線に接続された複数の画素信号を読み出す
固体撮像装置において、ある画素信号を画素信号蓄積部
へ転送している期間に、既に蓄積部へ転送済みの同一信
号線につながる他の画素信号を蓄積部から出力すること
を特徴とする。また、ある画素信号を転送している期間
と、他の画素信号を蓄積部から出力する期間を並列に処
理できることから、蓄積部から信号を読み出す動作周波
数を低くすることができ、読み出し期間を長く取ること
ができ、高画素数センサに対応できることを特徴とす
る。
置は、複数の画素信号を任意の時間間隔をもって複数に
出力することを特徴とする。また、複数の画素信号を蓄
積する複数の蓄積部から、任意の時間間隔をおいて前記
複数の画素信号を出力することを特徴とする。更に、１
本の信号転送線に接続された複数の画素信号を読み出す
固体撮像装置において、ある画素信号を画素信号蓄積部
へ転送している期間に、既に蓄積部へ転送済みの同一信
号線につながる他の画素信号を蓄積部から出力すること
を特徴とする。また、ある画素信号を転送している期間
と、他の画素信号を蓄積部から出力する期間を並列に処
理できることから、蓄積部から信号を読み出す動作周波
数を低くすることができ、読み出し期間を長く取ること
ができ、高画素数センサに対応できることを特徴とす
る。
【００１２】また、本発明は、ＸＹマトリクス状に配置
された光電変換素子から画像信号を読み出す固体撮像装
置において、前記ＸＹマトリクス状に配置された光電変
換素子に各行を駆動する垂直シフトレジスタと、各列に
少なくとも２行の蓄積部と、各蓄積部を駆動する水平シ
フトレジスタとを備え、前記垂直シフトレジスタは２行
を同時に駆動し、前記各２行の画像信号を前記２行の蓄
積部にそれぞれ転送し、前記水平シフトレジスタの駆動
により、前記蓄積部の蓄積電荷をそれぞれ読み出すこと
を特徴とする。
された光電変換素子から画像信号を読み出す固体撮像装
置において、前記ＸＹマトリクス状に配置された光電変
換素子に各行を駆動する垂直シフトレジスタと、各列に
少なくとも２行の蓄積部と、各蓄積部を駆動する水平シ
フトレジスタとを備え、前記垂直シフトレジスタは２行
を同時に駆動し、前記各２行の画像信号を前記２行の蓄
積部にそれぞれ転送し、前記水平シフトレジスタの駆動
により、前記蓄積部の蓄積電荷をそれぞれ読み出すこと
を特徴とする。
【００１３】また、本発明は、複数の光電変換素子を１
つの出力線からそれぞれの画像信号を読み出し、前記複
数の光電変換素子をＸＹマトリクス状に配置した固体撮
像装置において、前記ＸＹマトリクス状に配置された光
電変換素子に対して複数行の蓄積部と、前記複数の光電
変換素子の各光電変換素子の各行を駆動する垂直シフト
レジスタと、前記各蓄積部を駆動する水平シフトレジス
タとを備え、前記垂直シフトレジスタは２行を同時に駆
動し、前記各２行の画像信号を前記複数行の蓄積部にそ
れぞれ転送し、前記水平シフトレジスタの駆動により、
前記複数行の蓄積部の蓄積電荷をそれぞれ読み出すこと
を特徴とする。
つの出力線からそれぞれの画像信号を読み出し、前記複
数の光電変換素子をＸＹマトリクス状に配置した固体撮
像装置において、前記ＸＹマトリクス状に配置された光
電変換素子に対して複数行の蓄積部と、前記複数の光電
変換素子の各光電変換素子の各行を駆動する垂直シフト
レジスタと、前記各蓄積部を駆動する水平シフトレジス
タとを備え、前記垂直シフトレジスタは２行を同時に駆
動し、前記各２行の画像信号を前記複数行の蓄積部にそ
れぞれ転送し、前記水平シフトレジスタの駆動により、
前記複数行の蓄積部の蓄積電荷をそれぞれ読み出すこと
を特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明による実施形態について、
図面を参照しつつ詳細に説明する。
図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１５】［実施形態１］図１に本発明の実施形態１
の固体撮像装置であるセンサ部の簡略したブロック図
を、図２にその動作タイミング図を示す。
の固体撮像装置であるセンサ部の簡略したブロック図
を、図２にその動作タイミング図を示す。
【００１６】本実施形態では、奇数行の画素（ａ11〜ａ
1n）の信号電荷を蓄積部１に、偶数行の画素（ｂ11〜ｂ
1n）の信号電荷を蓄積部２に転送し、各々について水平
シフトレジスタＨＳＲを有して、独立に動作する構成と
している。また、図１によれば、垂直シフトレジスタＶ
ＳＲにより奇数行及び偶数行の画素を駆動し、画素側の
各列には蓄積部１，２の選択スイッチが備えられてい
る。
1n）の信号電荷を蓄積部１に、偶数行の画素（ｂ11〜ｂ
1n）の信号電荷を蓄積部２に転送し、各々について水平
シフトレジスタＨＳＲを有して、独立に動作する構成と
している。また、図１によれば、垂直シフトレジスタＶ
ＳＲにより奇数行及び偶数行の画素を駆動し、画素側の
各列には蓄積部１，２の選択スイッチが備えられてい
る。
【００１７】この固体撮像装置の動作は、図２を参照し
て、１水平走査期間ＨＳＹＮＣのハイの内、期間ＴＸａ
で奇数行の画素（ａ11〜ａ1n）の信号電荷を蓄積部１に
転送した後、ＨＳＲ１のパルス動作に同期して、期間Ｔ
Ｓａで蓄積部１から順次画素ａ11〜ａ1nの信号がＯＵＴ
１として出力される。また期間ＴＸｂで偶数行の画素
（ｂ11〜ｂ1n）の信号電荷を蓄積部２に転送した後、Ｈ
ＳＲ２の動作に同期して、期間ＴＳｂで蓄積部２から順
次画素ｂ11〜ｂ1nの信号がＯＵＴ２として出力される。
以後、画素ａ，ｂの２行目以降も同様の動作を繰り返
す。
て、１水平走査期間ＨＳＹＮＣのハイの内、期間ＴＸａ
で奇数行の画素（ａ11〜ａ1n）の信号電荷を蓄積部１に
転送した後、ＨＳＲ１のパルス動作に同期して、期間Ｔ
Ｓａで蓄積部１から順次画素ａ11〜ａ1nの信号がＯＵＴ
１として出力される。また期間ＴＸｂで偶数行の画素
（ｂ11〜ｂ1n）の信号電荷を蓄積部２に転送した後、Ｈ
ＳＲ２の動作に同期して、期間ＴＳｂで蓄積部２から順
次画素ｂ11〜ｂ1nの信号がＯＵＴ２として出力される。
以後、画素ａ，ｂの２行目以降も同様の動作を繰り返
す。
【００１８】本実施形態によれば、ある水平走査期間に
２行分の信号電荷を蓄積部へ独立に転送することができ
るので、転送後の読み出し時間を長く確保でき、読み出
し動作周波数を低く抑えることができる。
２行分の信号電荷を蓄積部へ独立に転送することができ
るので、転送後の読み出し時間を長く確保でき、読み出
し動作周波数を低く抑えることができる。
【００１９】本実施形態によれば、各ＨＳＲのスタート
パルスのタイミングをずらすだけで、任意の時間間隔を
もって順次画素信号を読み出すことができる。
パルスのタイミングをずらすだけで、任意の時間間隔を
もって順次画素信号を読み出すことができる。
【００２０】図３に、図１の固体撮像装置の蓄積部とそ
の周辺部のブロック図のＨＳＲ１、蓄積部の具体的構成
を示す。
の周辺部のブロック図のＨＳＲ１、蓄積部の具体的構成
を示す。
【００２１】図１５と同様に、ノイズ成分の蓄積容量を
ＣTN、画素信号ａ成分の蓄積容量をＣTS1 とする。ま
た、図３の列線を各画素部からの信号電荷を転送する垂
直信号線としており、ＨＳＲ２、蓄積部２の構成も同様
とする。
ＣTN、画素信号ａ成分の蓄積容量をＣTS1 とする。ま
た、図３の列線を各画素部からの信号電荷を転送する垂
直信号線としており、ＨＳＲ２、蓄積部２の構成も同様
とする。
【００２２】また、図３によれば、水平シフトレジスタ
ＨＳＲ１と蓄積部１は、蓄積容量等をリセットするＭＯ
ＳＲ１と、画素ａに対するノイズ成分を蓄積容量ＣTN1
に制御パルスφＴＮ１によって導通する転送スイッチＴ
１と、画素ａの画像成分を蓄積容量ＣTS1に制御パルス
φＴＳ１によって導通する転送スイッチＴ２と、水平シ
フトレジスタＨＳＲ１の走査によりオン／オフするスイ
ッチＨ１，Ｈ２と、画素成分と各ノイズ成分をそれぞれ
増幅するアンプＡ１，Ａ２と、画素成分からノイズ成分
を差し引く差動アンプＤ１とからなる。
ＨＳＲ１と蓄積部１は、蓄積容量等をリセットするＭＯ
ＳＲ１と、画素ａに対するノイズ成分を蓄積容量ＣTN1
に制御パルスφＴＮ１によって導通する転送スイッチＴ
１と、画素ａの画像成分を蓄積容量ＣTS1に制御パルス
φＴＳ１によって導通する転送スイッチＴ２と、水平シ
フトレジスタＨＳＲ１の走査によりオン／オフするスイ
ッチＨ１，Ｈ２と、画素成分と各ノイズ成分をそれぞれ
増幅するアンプＡ１，Ａ２と、画素成分からノイズ成分
を差し引く差動アンプＤ１とからなる。
【００２３】図４に、図２で説明した固体撮像装置の動
作タイミング図中の期間ＴＸａ，ＴＸｂにおける詳細な
タイミングを示す。図１４と同様に、期間ＴＸａにおい
て、各蓄積容量ＣT および垂直信号線リセット、画素ａ
のノイズ成分をＣTN1 に転送、画素ａの画像信号をＣ
TS1 に転送する。そして、φＨｎによりＨＳＲ１を動作
させ、［画像信号Ｓ−ノイズ成分Ｎ］の差信号を得つ
つ、出力信号を得る。その期間と平行して期間ＴＸｂに
おいて、蓄積容量および垂直信号線リセットを行った
後、蓄積部選択スイッチを切りかえ画素ｂのノイズ成分
をＣTN2 に転送し、画素ｂの信号をＣTS2 に転送する。
そして、φＨｎ’によりＨＳＲ２を動作させ、［画像信
号Ｓ−ノイズ成分Ｎ］を行いつつ出力信号を得る。
作タイミング図中の期間ＴＸａ，ＴＸｂにおける詳細な
タイミングを示す。図１４と同様に、期間ＴＸａにおい
て、各蓄積容量ＣT および垂直信号線リセット、画素ａ
のノイズ成分をＣTN1 に転送、画素ａの画像信号をＣ
TS1 に転送する。そして、φＨｎによりＨＳＲ１を動作
させ、［画像信号Ｓ−ノイズ成分Ｎ］の差信号を得つ
つ、出力信号を得る。その期間と平行して期間ＴＸｂに
おいて、蓄積容量および垂直信号線リセットを行った
後、蓄積部選択スイッチを切りかえ画素ｂのノイズ成分
をＣTN2 に転送し、画素ｂの信号をＣTS2 に転送する。
そして、φＨｎ’によりＨＳＲ２を動作させ、［画像信
号Ｓ−ノイズ成分Ｎ］を行いつつ出力信号を得る。
【００２４】［実施形態２］図５に本実施形態における
センサ部の簡略したブロック図を示す。図５によれば、
画素及び垂直シフトレジスタＶＳＲの構成は図３と同様
である。
センサ部の簡略したブロック図を示す。図５によれば、
画素及び垂直シフトレジスタＶＳＲの構成は図３と同様
である。
【００２５】本実施形態では１つのＨＳＲ１で２つの蓄
積部１，２を動作させ、出力信号ＯＵＴ１，２を得るこ
とができる。そのＨＳＲ１と蓄積部１，２の接続部の具
体的構成の１例を図６に示す。奇数行の画素ａの信号電
荷を蓄積する蓄積容量Ｃa1〜Ｃanを蓄積部１、偶数行の
画素ｂの信号電荷を蓄積する蓄積容量Ｃb1〜Ｃbnを蓄積
部２とする。また、奇数行の画素ａの画素信号はスイッ
チＴ３により、蓄積容量Ｃa1〜Ｃanに転送され、偶数行
の画素ｂの画素信号はスイッチＴ４により、蓄積容量Ｃ
b1〜Ｃbnに転送される。その後、水平シフトレジスタＨ
ＳＲ１により、各スイッチＨ３，Ｈ４によりそれぞれア
ンプＡ３，Ａ４で増幅されて出力ＯＵＴ１，ＯＵＴ２と
して出力される。
積部１，２を動作させ、出力信号ＯＵＴ１，２を得るこ
とができる。そのＨＳＲ１と蓄積部１，２の接続部の具
体的構成の１例を図６に示す。奇数行の画素ａの信号電
荷を蓄積する蓄積容量Ｃa1〜Ｃanを蓄積部１、偶数行の
画素ｂの信号電荷を蓄積する蓄積容量Ｃb1〜Ｃbnを蓄積
部２とする。また、奇数行の画素ａの画素信号はスイッ
チＴ３により、蓄積容量Ｃa1〜Ｃanに転送され、偶数行
の画素ｂの画素信号はスイッチＴ４により、蓄積容量Ｃ
b1〜Ｃbnに転送される。その後、水平シフトレジスタＨ
ＳＲ１により、各スイッチＨ３，Ｈ４によりそれぞれア
ンプＡ３，Ａ４で増幅されて出力ＯＵＴ１，ＯＵＴ２と
して出力される。
【００２６】ここで、出力信号ＯＵＴ１，２間で時間差
をもたせるため、ＨＳＲ１の前半部分は蓄積部１のみ動
作させる。次に、蓄積部２の先頭である容量Ｃb1以降の
アドレスを、蓄積部１のｍ番目に出力する容量Ｃam以降
のアドレスと接続して同時に動作させることにより、容
量Ｃa1の出力時から容量Ｃamの出力時までの時間差をも
って、出力ＯＵＴ１，２を得ることができる。そしてＨ
ＳＲ１の後半部分は蓄積部２のみ動作させる。
をもたせるため、ＨＳＲ１の前半部分は蓄積部１のみ動
作させる。次に、蓄積部２の先頭である容量Ｃb1以降の
アドレスを、蓄積部１のｍ番目に出力する容量Ｃam以降
のアドレスと接続して同時に動作させることにより、容
量Ｃa1の出力時から容量Ｃamの出力時までの時間差をも
って、出力ＯＵＴ１，２を得ることができる。そしてＨ
ＳＲ１の後半部分は蓄積部２のみ動作させる。
【００２７】図７に、本実施形態での動作タイミング図
を示す。１水平走査期間の内、期間ＴＸａで奇数行の画
素ａの信号電荷を蓄積部１に転送し、期間ＴＸｂで偶数
行の画素ｂの信号電荷を蓄積部２に転送する。そして画
素ａの転送後、ＨＳＲ１前半部のパルス動作に同期して
期間ＴＳａで順次画素ａ11〜の信号が出力される。そし
てある時間差をおいて期間ＴＳｂで蓄積部２からも画素
ｂ11〜の信号が出力される。ＨＳＲ１の後半部は蓄積部
２のみ動作させ、画素ｂ1nまで全て読み出す。２行目以
降も同様の動作を繰り返す。
を示す。１水平走査期間の内、期間ＴＸａで奇数行の画
素ａの信号電荷を蓄積部１に転送し、期間ＴＸｂで偶数
行の画素ｂの信号電荷を蓄積部２に転送する。そして画
素ａの転送後、ＨＳＲ１前半部のパルス動作に同期して
期間ＴＳａで順次画素ａ11〜の信号が出力される。そし
てある時間差をおいて期間ＴＳｂで蓄積部２からも画素
ｂ11〜の信号が出力される。ＨＳＲ１の後半部は蓄積部
２のみ動作させ、画素ｂ1nまで全て読み出す。２行目以
降も同様の動作を繰り返す。
【００２８】本実施形態によれば、２つの蓄積部からの
信号読み出しに対するシフトレジスタＳＲを１つに共通
化することができ、実施形態１よりも回路規模の縮小を
図ることができる。
信号読み出しに対するシフトレジスタＳＲを１つに共通
化することができ、実施形態１よりも回路規模の縮小を
図ることができる。
【００２９】［実施形態３］本実施形態では、複数の画
素で１つの増幅手段（アンプ）等の共通回路を共有する
撮像装置において、その実施手段を説明する。
素で１つの増幅手段（アンプ）等の共通回路を共有する
撮像装置において、その実施手段を説明する。
【００３０】図８にセンサ部分の簡略したブロック図
を、図９にさらに具体的な構成を示す。ただし、ＨＳＲ
１，２の上下位置は逆に表記している。図８のａ，ｂ，
ｃ，ｄと、図９のａ，ｂ，ｃ，ｄは対応している。図８
において、単位セルとして画素ａ11，ｂ11，ｃ11，ｄ11
とが一つのソースフォロワで読み出す。また、図９にお
いて、単位セルは、各画素のフォトダイオードａ11，ｂ
11，ｃ11，ｄ11と、各画素の光電荷を転送するＴａ，Ｔ
ｂ，Ｔｃ，Ｔｄと、フローティングゲートをリセットす
るＴRと、ゲート電位を増幅するソースフォロワアンプ
ＴAと、列出力線に選択読み出すＴSとから構成されてい
る。
を、図９にさらに具体的な構成を示す。ただし、ＨＳＲ
１，２の上下位置は逆に表記している。図８のａ，ｂ，
ｃ，ｄと、図９のａ，ｂ，ｃ，ｄは対応している。図８
において、単位セルとして画素ａ11，ｂ11，ｃ11，ｄ11
とが一つのソースフォロワで読み出す。また、図９にお
いて、単位セルは、各画素のフォトダイオードａ11，ｂ
11，ｃ11，ｄ11と、各画素の光電荷を転送するＴａ，Ｔ
ｂ，Ｔｃ，Ｔｄと、フローティングゲートをリセットす
るＴRと、ゲート電位を増幅するソースフォロワアンプ
ＴAと、列出力線に選択読み出すＴSとから構成されてい
る。
【００３１】図１０にセンサ部分の簡略したブロック図
に対する動作タイミング図を示す。ａ，ｂ，ｃ，ｄは画
素部を表し、画素信号を蓄積する部分は、その４画素で
１つの共通アンプをもち、単位セルを構成し、蓄積部１
〜４と簡略している。ＶＳＲによりセンサの画素部に接
続する行選択線を走査し、ＨＳＲにより蓄積部に蓄積さ
れた画素信号を順次走査、出力していく。
に対する動作タイミング図を示す。ａ，ｂ，ｃ，ｄは画
素部を表し、画素信号を蓄積する部分は、その４画素で
１つの共通アンプをもち、単位セルを構成し、蓄積部１
〜４と簡略している。ＶＳＲによりセンサの画素部に接
続する行選択線を走査し、ＨＳＲにより蓄積部に蓄積さ
れた画素信号を順次走査、出力していく。
【００３２】例えば、１水平走査期間に、まずＴＸａに
より画素ａ1nつまり奇数行奇数列の信号を蓄積部１へ転
送する。そしてＴＳａによりａ11〜ａ1nの画素信号を順
次ＯＵＴ１から出力させる。そのＯＵＴ１から信号を出
力させている間に、ＴＸｂにより画素ｂ1nつまり偶数列
の信号を蓄積部２へ転送する。そしてＴＳｂによりｂ 11
〜ｂ1nの画素信号を順次ＯＵＴ２から出力させる。そし
て次の水平走査期間で、ＴＸｃによりｃ1nつまり偶数行
奇数列の信号を蓄積部３へ転送する。
より画素ａ1nつまり奇数行奇数列の信号を蓄積部１へ転
送する。そしてＴＳａによりａ11〜ａ1nの画素信号を順
次ＯＵＴ１から出力させる。そのＯＵＴ１から信号を出
力させている間に、ＴＸｂにより画素ｂ1nつまり偶数列
の信号を蓄積部２へ転送する。そしてＴＳｂによりｂ 11
〜ｂ1nの画素信号を順次ＯＵＴ２から出力させる。そし
て次の水平走査期間で、ＴＸｃによりｃ1nつまり偶数行
奇数列の信号を蓄積部３へ転送する。
【００３３】そしてＴＳｃによりｃ11〜ｃ1nの画素信号
を順次ＯＵＴ３から出力させる。そのＯＵＴ３から信号
を出力させている間に、ＴＸｄにより画素ｄ1nつまり偶
数列の信号を蓄積部４へ転送する。そしてＴＳｄにより
ｄ11〜ｄ1nの画素信号を順次ＯＵＴ４から出力させる。
このように、蓄積部１，２あるいは蓄積部３，４から各
々独立して各行の奇数列ａ，ｃあるいは偶数列ｂ，ｄの
画素信号を出力させることにより、高画素数の読み出し
速度アップに対応する。
を順次ＯＵＴ３から出力させる。そのＯＵＴ３から信号
を出力させている間に、ＴＸｄにより画素ｄ1nつまり偶
数列の信号を蓄積部４へ転送する。そしてＴＳｄにより
ｄ11〜ｄ1nの画素信号を順次ＯＵＴ４から出力させる。
このように、蓄積部１，２あるいは蓄積部３，４から各
々独立して各行の奇数列ａ，ｃあるいは偶数列ｂ，ｄの
画素信号を出力させることにより、高画素数の読み出し
速度アップに対応する。
【００３４】［実施形態４］前記までの実施形態では、
複数の画素信号は任意の時間間隔をおいて出力されると
ころまで述べた。しかし実際の撮像システムでは図１１
のように構成される。
複数の画素信号は任意の時間間隔をおいて出力されると
ころまで述べた。しかし実際の撮像システムでは図１１
のように構成される。
【００３５】図１１に本発明における固体撮像装置１０
を用いた撮像システムのブロック図を示す。同図に示す
ように、光学系１１を通って入射した画像光はＣＭＯＳ
センサ１２上に結像する。ＣＭＯＳセンサ１２上に配置
されている画素アレイによって光情報は電気信号へと変
換される。その電気信号は、信号処理回路１３に入力さ
れ、Ａ／Ｄ変換器１４、ＤＳＰ（デジタル信号処理）１
５、メモリ１６等で構成される信号処理回路１３によっ
て、信号変換処理され、出力される。
を用いた撮像システムのブロック図を示す。同図に示す
ように、光学系１１を通って入射した画像光はＣＭＯＳ
センサ１２上に結像する。ＣＭＯＳセンサ１２上に配置
されている画素アレイによって光情報は電気信号へと変
換される。その電気信号は、信号処理回路１３に入力さ
れ、Ａ／Ｄ変換器１４、ＤＳＰ（デジタル信号処理）１
５、メモリ１６等で構成される信号処理回路１３によっ
て、信号変換処理され、出力される。
【００３６】信号処理された信号は、エンコーダ１７に
より出力装置に対応して記録、通信、あるいは表示に順
応する画像信号に変換されて、各出力装置の記録系１
８、通信系１９、表示系２０に出力される。ＣＭＯＳセ
ンサ、信号処理回路１３はタイミング制御回路２１によ
り制御され、光学系１１、タイミング制御回路２１、エ
ンコーダ１７、記録系１８、通信系１９、表示系２０
は、システム制御回路２２により制御される。
より出力装置に対応して記録、通信、あるいは表示に順
応する画像信号に変換されて、各出力装置の記録系１
８、通信系１９、表示系２０に出力される。ＣＭＯＳセ
ンサ、信号処理回路１３はタイミング制御回路２１によ
り制御され、光学系１１、タイミング制御回路２１、エ
ンコーダ１７、記録系１８、通信系１９、表示系２０
は、システム制御回路２２により制御される。
【００３７】このようにセンサ出力のあとスムーズな信
号処理を行うためには、上述した画素ａおよびｂ又は第
３実施形態で説明した画素ａ，ｂ，ｃ，ｄに対するそれ
ぞれの出力のタイミングについて、信号間の時間差をな
くした方がよい。本実施形態では、その信号遅延を補償
する手段として各蓄積部からの出力にＦＩＦＯ（First
In First Out）メモリを用いている。図１２にその動作
タイミング図を示す。図１２には画素を記載していない
が、例えば蓄積部１，２間に、図１に示すように配置し
ているものとする。ここで、図１２に示すように、例え
ば，ＨＳＲ１とＨＳＲ２あるいはＨＳＲ１のみでかかる
動作により蓄積部１，２からそれぞれＯＵＴ１、ＯＵＴ
２という出力が、時間差をもって得られる（図１２
（ａ））。
号処理を行うためには、上述した画素ａおよびｂ又は第
３実施形態で説明した画素ａ，ｂ，ｃ，ｄに対するそれ
ぞれの出力のタイミングについて、信号間の時間差をな
くした方がよい。本実施形態では、その信号遅延を補償
する手段として各蓄積部からの出力にＦＩＦＯ（First
In First Out）メモリを用いている。図１２にその動作
タイミング図を示す。図１２には画素を記載していない
が、例えば蓄積部１，２間に、図１に示すように配置し
ているものとする。ここで、図１２に示すように、例え
ば，ＨＳＲ１とＨＳＲ２あるいはＨＳＲ１のみでかかる
動作により蓄積部１，２からそれぞれＯＵＴ１、ＯＵＴ
２という出力が、時間差をもって得られる（図１２
（ａ））。
【００３８】その信号をＦＩＦＯメモリに通すことによ
り、位相がそろった信号として得ることができる（図１
２（ｂ））。こうして撮像システム全体として、スムー
ズな信号処理を行うことができる。
り、位相がそろった信号として得ることができる（図１
２（ｂ））。こうして撮像システム全体として、スムー
ズな信号処理を行うことができる。
【００３９】特に、シリアルな信号形態ではないので、
パラレルにそれぞれ信号処理するように、パラレル信号
処理又は、パイプライン的な信号処理形態が望まれ、Ｄ
ＳＰ（Digital Signal Processor）をパラレルに配置す
ることで現実的にも可能であり、通常の時系列的な画素
の読み出して信号処理する方法に比較して、蓄積部の出
力数だけの時間短縮を図ることができる。
パラレルにそれぞれ信号処理するように、パラレル信号
処理又は、パイプライン的な信号処理形態が望まれ、Ｄ
ＳＰ（Digital Signal Processor）をパラレルに配置す
ることで現実的にも可能であり、通常の時系列的な画素
の読み出して信号処理する方法に比較して、蓄積部の出
力数だけの時間短縮を図ることができる。
【００４０】
【発明の効果】複数の信号電荷を蓄積部へ転送する時間
と蓄積部から読み出す時間とを任意の時間間隔に設定し
その動作を行う手段により、シフトレジスタに繰り出す
クロック周波数を無理に高速にすることなく高画素数セ
ンサの読み出しに対応することができる。
と蓄積部から読み出す時間とを任意の時間間隔に設定し
その動作を行う手段により、シフトレジスタに繰り出す
クロック周波数を無理に高速にすることなく高画素数セ
ンサの読み出しに対応することができる。
【００４１】また、クロック周波数を基準に考えれば、
高速に複数の画素を同時に読み出し、それぞれで信号処
理を実行できるので、複雑な信号処理をも可能とし、多
彩な画像信号を得ることができる。
高速に複数の画素を同時に読み出し、それぞれで信号処
理を実行できるので、複雑な信号処理をも可能とし、多
彩な画像信号を得ることができる。
【図１】本発明の固体撮像装置の構成ブロック図であ
る。
る。
【図２】本発明の固体撮像装置の構成ブロック図による
動作タイミングである。
動作タイミングである。
【図３】本発明の固体撮像装置の構成ブロック図であ
る。
る。
【図４】本発明の固体撮像装置の構成ブロック図による
動作タイミングである。
動作タイミングである。
【図５】本発明の固体撮像装置の構成ブロック図であ
る。
る。
【図６】本発明の固体撮像装置の構成ブロック図であ
る。
る。
【図７】本発明の固体撮像装置の構成ブロック図による
動作タイミングである。
動作タイミングである。
【図８】本発明の固体撮像装置の構成ブロック図であ
る。
る。
【図９】本発明の固体撮像装置の構成ブロック図であ
る。
る。
【図１０】本発明の固体撮像装置の構成ブロック図によ
る動作タイミングである。
る動作タイミングである。
【図１１】本発明の固体撮像装置の構成ブロック図であ
る。
る。
【図１２】本発明の固体撮像装置の構成ブロック図によ
る動作タイミングである。
る動作タイミングである。
【図１３】従来例の固体撮像装置の構成ブロック図であ
る。
る。
【図１４】従来例の固体撮像装置の構成ブロック図によ
る動作タイミングである。
る動作タイミングである。
【図１５】従来例の固体撮像装置の構成ブロック図であ
る。
る。
【図１６】従来例の固体撮像装置の構成ブロック図によ
る動作タイミングである。
る動作タイミングである。
１１ 光学系 １２ センサ（固体撮像装置） １３ 信号処理回路 １４ Ａ／Ｄ変換器 １５ ＤＳＰ １６ メモリ １７ エンコーダ １８ 記録系 １９ 通信系 ２０ 表示系 ２１ タイミング制御回路 ２２ システム制御回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 英俊 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 橋本 誠二 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 4M118 AA10 AB01 BA14 CA02 DB01 DD09 DD10 DD12 FA06 FA38 FA44 5C024 AA01 CA16 GA01 GA31 JA04 JA09
Claims (11)
- 【請求項１】 複数の光電変換素子により得られる複数
の画素信号を任意の時間間隔をもって出力することがで
きる固体撮像装置。 - 【請求項２】 複数の画素信号を蓄積する複数の蓄積部
から、任意の時間間隔をおいて前記画素信号を出力する
ことができる固体撮像装置。 - 【請求項３】 １本の信号転送線に接続された複数の画
素信号を読み出す固体撮像装置において、ある画素信号
を画素信号蓄積部へ転送している期間に、既に蓄積部へ
転送済みの同一信号線につながる他の画素信号を蓄積部
から出力することを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の固体撮像装置におい
て、出力させた複数の画素信号の信号遅延を補償する手
段を有することを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項５】 請求項３に記載の固体撮像装置におい
て、前記画素信号蓄積部からの信号読み出し動作にかか
るシフトレジスタをそれぞれ独立に動作できることを特
徴とする固体撮像装置。 - 【請求項６】 ＸＹマトリクス状に配置された光電変換
素子から画像信号を読み出す固体撮像装置において、 前記ＸＹマトリクス状に配置された光電変換素子に各行
を駆動する垂直シフトレジスタと、各列に少なくとも２
行の蓄積部と、各蓄積部を駆動する水平シフトレジスタ
とを備え、前記垂直シフトレジスタは２行を同時に駆動
し、前記各２行の画像信号を前記２行の蓄積部にそれぞ
れ転送し、前記水平シフトレジスタの駆動により、前記
蓄積部の蓄積電荷をそれぞれ読み出すことを特徴とする
固体撮像装置。 - 【請求項７】 複数の光電変換素子を１つの出力線から
それぞれの画像信号を読み出し、前記複数の光電変換素
子をＸＹマトリクス状に配置した固体撮像装置におい
て、 前記ＸＹマトリクス状に配置された光電変換素子に対し
て複数行の蓄積部と、 前記複数の光電変換素子の各光電変換素子の各行を駆動
する垂直シフトレジスタと、前記各蓄積部を駆動する水
平シフトレジスタとを備え、前記垂直シフトレジスタは
２行を同時に駆動し、前記各２行の画像信号を前記複数
行の蓄積部にそれぞれ転送し、前記水平シフトレジスタ
の駆動により、前記複数行の蓄積部の蓄積電荷をそれぞ
れ読み出すことを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項８】 ＸＹマトリクス状に配置された複数の光
電変換素子と、 前記複数の光電変換素子からの信号を蓄積する蓄積手段
と、 前記蓄積手段からの信号を水平方向に順次出力する水平
出力手段とを備え、 前記水平方向の１行の光電変換素子からの信号を前記蓄
積手段から前記水平出力手段に読み出している期間中
に、前記水平方向の１行の光電変換素子以外の前記水平
方向の１行の光電変換素子からの信号を前記蓄積手段に
蓄積することを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項９】 請求項８に記載の固体撮像装置におい
て、前記水平出力手段は、前記水平方向の２行の信号を
並列的に読み出すことを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項１０】 請求項９に記載の固体撮像装置におい
て、前記水平出力手段から前記水平方向の２行の信号を
所定時間ずらして、並列的に読み出す駆動手段を有する
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載の固体撮像装置にお
いて、前記並列的に読み出す前記駆動手段はそれぞれ同
一の駆動手段であることを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11221737A JP2001045378A (ja) | 1999-08-04 | 1999-08-04 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11221737A JP2001045378A (ja) | 1999-08-04 | 1999-08-04 | 固体撮像装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009114857A Division JP2009177847A (ja) | 2009-05-11 | 2009-05-11 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001045378A true JP2001045378A (ja) | 2001-02-16 |
| JP2001045378A5 JP2001045378A5 (ja) | 2006-09-14 |
Family
ID=16771456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11221737A Pending JP2001045378A (ja) | 1999-08-04 | 1999-08-04 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001045378A (ja) |
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002366887A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Olympus Optical Co Ltd | シンボル情報読み取り装置 |
| JP2004236301A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびカメラ |
| JP2005518688A (ja) * | 2001-08-17 | 2005-06-23 | マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド | 列平行ａｄｃを有するｃｍｏｓセンサにおける倍速化 |
| EP1729503A2 (en) * | 2005-05-26 | 2006-12-06 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, driving method therefor, and imaging apparatus |
| JP2007142776A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びカメラ |
| JP2007194720A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Nikon Corp | 撮像装置 |
| JP2007202044A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Nikon Corp | 撮像装置 |
| US7355641B2 (en) | 2003-01-10 | 2008-04-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state imaging device reading non-adjacent pixels of the same color |
| JP2008086000A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-04-10 | Canon Inc | 撮像装置、その駆動方法及び放射線撮像システム |
| JP2009141528A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Canon Inc | 撮像装置及び撮像システム |
| US7586487B2 (en) | 2001-12-25 | 2009-09-08 | Sony Corporation | Solid state imaging apparatus and method for driving the same |
| US7652703B2 (en) | 2004-07-12 | 2010-01-26 | Micron Technology, Inc. | Dual panel pixel readout in an imager |
| WO2010035454A1 (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-01 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及び撮像装置 |
| JP2010114550A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Sony Corp | 撮像素子、撮像素子の駆動方法およびカメラ |
| US7746399B2 (en) | 2003-04-28 | 2010-06-29 | Olympus Corporation | Image pick-up device |
| WO2010090167A1 (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-12 | 株式会社 Ｒｏｓｎｅｓ | 固体撮像装置 |
| JP2011045051A (ja) * | 2008-02-01 | 2011-03-03 | Eastman Kodak Co | イメージセンサのサンプリングおよび読出し |
| US7907196B2 (en) | 2007-09-14 | 2011-03-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus and imaging system |
| US8169525B2 (en) | 2008-09-12 | 2012-05-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing device and image sensing system |
| CN101965639B (zh) * | 2008-03-14 | 2012-05-23 | 佳能株式会社 | 图像感测装置和成像系统 |
| KR101219865B1 (ko) | 2005-03-09 | 2013-01-18 | 소니 주식회사 | 촬상 디바이스 |
| US8411178B2 (en) | 2008-09-09 | 2013-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus, imaging system and driving method for solid-state imaging apparatus |
| US8692917B2 (en) | 2008-10-22 | 2014-04-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor and image sensing apparatus with plural vertical output lines per column |
| JP2015076852A (ja) * | 2013-10-11 | 2015-04-20 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその制御方法 |
| US9473714B2 (en) | 2010-07-01 | 2016-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solid-state imaging device and semiconductor display device |
| US11523075B2 (en) | 2020-10-23 | 2022-12-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging device, imaging system, and method of driving imaging device |
-
1999
- 1999-08-04 JP JP11221737A patent/JP2001045378A/ja active Pending
Cited By (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4531294B2 (ja) * | 2001-06-05 | 2010-08-25 | オリンパス株式会社 | シンボル情報読み取り装置 |
| JP2002366887A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Olympus Optical Co Ltd | シンボル情報読み取り装置 |
| US7565033B2 (en) | 2001-08-17 | 2009-07-21 | Aptina Imaging Corporation | Apparatus and method for increasing readout speed of a solid state imager |
| JP2005518688A (ja) * | 2001-08-17 | 2005-06-23 | マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド | 列平行ａｄｃを有するｃｍｏｓセンサにおける倍速化 |
| JP4521411B2 (ja) * | 2001-08-17 | 2010-08-11 | マイクロン テクノロジー， インク． | 列並列ａｄｃを有するｃｍｏｓセンサにおける倍速化 |
| JP2007243930A (ja) * | 2001-08-17 | 2007-09-20 | Micron Technology Inc | 列平行ａｄｃを有するｃｍｏｓセンサにおける倍速化 |
| US7586487B2 (en) | 2001-12-25 | 2009-09-08 | Sony Corporation | Solid state imaging apparatus and method for driving the same |
| JP2004236301A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびカメラ |
| US7355641B2 (en) | 2003-01-10 | 2008-04-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state imaging device reading non-adjacent pixels of the same color |
| US7746399B2 (en) | 2003-04-28 | 2010-06-29 | Olympus Corporation | Image pick-up device |
| US7924337B2 (en) | 2004-07-12 | 2011-04-12 | Micron Technology, Inc. | Dual panel pixel readout in an imager |
| US7652703B2 (en) | 2004-07-12 | 2010-01-26 | Micron Technology, Inc. | Dual panel pixel readout in an imager |
| KR101219865B1 (ko) | 2005-03-09 | 2013-01-18 | 소니 주식회사 | 촬상 디바이스 |
| EP1729503A2 (en) * | 2005-05-26 | 2006-12-06 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, driving method therefor, and imaging apparatus |
| JP2006333035A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 |
| US7567281B2 (en) | 2005-11-17 | 2009-07-28 | Panasonic Corporation | Solid state imaging device, method for driving the same, and camera |
| JP4695967B2 (ja) * | 2005-11-17 | 2011-06-08 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| JP2007142776A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びカメラ |
| JP2007194720A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Nikon Corp | 撮像装置 |
| JP2007202044A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Nikon Corp | 撮像装置 |
| JP2008086000A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-04-10 | Canon Inc | 撮像装置、その駆動方法及び放射線撮像システム |
| US7907196B2 (en) | 2007-09-14 | 2011-03-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus and imaging system |
| JP2009141528A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Canon Inc | 撮像装置及び撮像システム |
| JP2011045051A (ja) * | 2008-02-01 | 2011-03-03 | Eastman Kodak Co | イメージセンサのサンプリングおよび読出し |
| US8368785B2 (en) | 2008-03-14 | 2013-02-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing device and imaging system |
| CN101965639B (zh) * | 2008-03-14 | 2012-05-23 | 佳能株式会社 | 图像感测装置和成像系统 |
| US8411178B2 (en) | 2008-09-09 | 2013-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus, imaging system and driving method for solid-state imaging apparatus |
| US8169525B2 (en) | 2008-09-12 | 2012-05-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing device and image sensing system |
| JP2010081270A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Panasonic Corp | 固体撮像装置及び撮像装置 |
| WO2010035454A1 (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-01 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及び撮像装置 |
| US8421892B2 (en) | 2008-09-25 | 2013-04-16 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device and imaging apparatus |
| US8692917B2 (en) | 2008-10-22 | 2014-04-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor and image sensing apparatus with plural vertical output lines per column |
| US9294744B2 (en) | 2008-10-22 | 2016-03-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor and image sensing apparatus with plural vertical output lines |
| JP2010114550A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Sony Corp | 撮像素子、撮像素子の駆動方法およびカメラ |
| WO2010090167A1 (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-12 | 株式会社 Ｒｏｓｎｅｓ | 固体撮像装置 |
| US9473714B2 (en) | 2010-07-01 | 2016-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solid-state imaging device and semiconductor display device |
| TWI596942B (zh) * | 2010-07-01 | 2017-08-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 固態成像裝置及半導體顯示裝置 |
| JP2015076852A (ja) * | 2013-10-11 | 2015-04-20 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその制御方法 |
| US11523075B2 (en) | 2020-10-23 | 2022-12-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging device, imaging system, and method of driving imaging device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001045378A (ja) | 固体撮像装置 | |
| US7990448B2 (en) | Solid-state image pickup apparatus and method for driving the same | |
| US8890990B2 (en) | Solid-state image pickup device and camera system | |
| US8436926B2 (en) | Physical quantity detecting device, solid-state imaging device, and imaging apparatus | |
| JP4442669B2 (ja) | 固体撮像素子およびカメラシステム | |
| JP5594362B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2010147684A (ja) | 固体撮像装置及び固体撮像装置を用いた撮像システム | |
| JP2012049912A (ja) | 光電変換装置および撮像システム | |
| JP6025348B2 (ja) | 信号伝送装置、光電変換装置および撮像システム | |
| JP4665276B2 (ja) | 固体撮像装置及びその駆動方法 | |
| JP2012049911A (ja) | 光電変換装置および撮像システム | |
| JP5400428B2 (ja) | 撮像装置、撮像素子およびその駆動方法 | |
| US9313426B2 (en) | Photoelectric conversion device and imaging system | |
| JP2005086246A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP5365223B2 (ja) | 撮像装置、撮像装置の信号処理方法およびイメージセンサチップ | |
| JP7344045B2 (ja) | 撮像素子 | |
| JPH05137071A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP6261210B2 (ja) | 走査回路、光電変換装置、および撮像システム | |
| JP2009177847A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP4764905B2 (ja) | 撮像システム | |
| JP4059278B2 (ja) | 画像読取装置 | |
| JP3432002B2 (ja) | 撮像装置 | |
| JP6351691B2 (ja) | 光電変換装置および撮像システム | |
| JP2004221771A (ja) | 固体撮像装置、カメラおよびカメラシステム | |
| JP2573029B2 (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060728 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060728 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090310 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090313 |
|
| RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20090427 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090511 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090623 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091110 |