JP2001038206A

JP2001038206A - 排ガス処理用触媒、排ガス処理方法及び処理装置

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Publication number: JP2001038206A
Application number: JP11219606A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Sawada; 明宏沢田; Yasuhiko Tsuru; 靖彦水流; Masazumi Taura; 昌純田浦; Shigeru Nojima; 野島　　繁; Megumi Shida; 惠志田; Yuichiro Murakami; 勇一郎村上
Original assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Current assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date: 1999-08-03
Filing date: 1999-08-03
Publication date: 2001-02-13

Abstract

(57)【要約】【課題】都市ゴミ焼却炉，産業廃棄物焼却炉，汚泥焼
却炉等の各種焼却炉から排出される排ガスを浄化する排
ガス処理用触媒、排ガス処理方法及び処理装置を提供す
る。【解決手段】本発明の触媒は、酸化チタン又は酸化チ
タンに酸化珪素、酸化スズから一種以上を添加した酸化
チタン系複合酸化物を担体とし、その上に活性体を担持
させた触媒であり、この触媒を用いた排ガス処理装置
は、焼却炉から排出される排ガス１１中の煤塵を除去す
る除塵装置１２と、窒素酸化物，ダイオキシン類，高縮
合度芳香族炭化水素等の有害物質を除去する触媒装置１
３とから構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば都市ゴミ焼
却炉，産業廃棄物焼却炉，汚泥焼却炉等の各種焼却炉、
熱分解炉、溶融炉等から排出される排ガスを浄化する技
術に関し、特に排ガス中に含有される窒素酸化物やダイ
オキシン類等のハロゲン化芳香族化合物を個別に、又は
同時に無害化するための排ガス処理用触媒、排ガス処理
方法及び処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ボイラ、ゴミ焼却炉等の排ガス中の窒素
酸化物（ＮＯｘ）やダイオキシンは環境汚染物質であ
り、それらの無害化が必要となっている。環境浄化のた
めのＮＯｘ分解方法としては、通常酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ₂）に五酸化バナジウム（Ｖ₂Ｏ₅）を担持させた触
媒を用い、アンモニア（ＮＨ₃）を還元剤としてＮＯｘ
を還元する接触還元法が行われている。この方法では、
排ガス温度が約２００℃よりも低くなると脱硝率が小さ
くなるという問題がある。近年ゴミ焼却炉や産業廃棄物
焼却炉ではダイオキシンの生成が新たな環境問題となっ
ている。

【０００３】ダイオキシンを除去するためには、その蒸
気圧が低くなる２００℃以下の低温に排ガス温度を下げ
る必要がある。そこで、従来の技術では１５０℃程度の
低温でダイオキシンを除去した後、排ガス温度を２００
℃以上に加熱し、ＴｉＯ₂−Ｖ₂Ｏ₅系触媒で脱硝する
方法を用いざるを得ない。従来の触媒が低温で脱硝率が
低いという原因は、従来の触媒がメタバナジン酸アンモ
ニウム（ＮＨ₄ＶＯ₃）を原料として含浸法で製造され
るため、比表面積が２０〜９０ｍ²／ｇと小さい触媒し
か得られないことが考えられた。

【０００４】そこで、本発明者等は、先に提案した発明
（特願平９−２６６３３９号）において、三価のバナジ
ウムである三塩化バナジウム（ＶＣｌ₃）を原料として
用いた共沈法により、三価の水酸化バナジウムをＴｉＯ
₂粒子に担持した後、これを酸化雰囲気で加熱して水酸
化物を酸化物に変え、バナジウムの価数を三価から五価
に変えること（共沈及び原子価制御法）により、五価の
バナジウムを含む酸化バナジウムを担持した高比表面積
のバナジア系触媒が得られ、特に比表面積２００ｍ²／
ｇ以上の触媒は従来の含浸法の触媒と比較して１５０℃
前後の低温度領域でもＮＨ₃を還元剤として脱硝活性が
高い触媒を提供できることを示した。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、この三塩化バ
ナジウム（ＶＣｌ₃）を原料とした共沈法による高比表
面積の触媒は、長期間使用中に脱硝性能が極僅かに減少
するという問題点がある。一方、この触媒は高比表面積
であるので、芳香族化合物に対して酸化能力が高く、ダ
イオキシン類等の有害物質にも分解能力を持つことが期
待される。１５０℃程度の温度で窒素酸化物とダイオキ
シンを同時に分解できれば、排ガスの温度をダイオキシ
ン分解後に２００℃以上に再加熱する必要がなくなるの
で、排ガス処理コストが安くなることが期待される。

【０００６】本発明の課題は、窒素酸化物とハロゲン化
芳香族有機化合物の新規な分解触媒を共沈及び原子価制
御法で調製することにより、現用のＴｉＯ₂−Ｖ₂Ｏ₅
系触媒よりも高比表面積で低温でも排ガス処理能力が高
く、かつ長期安定性に優れた排ガス処理触媒を提供し、
環境浄化に役立てようとするものである。

【０００７】

【発明が解決するための手段】前記課題を解決する発明
の［請求項１］の排ガス処理用触媒の発明は、焼却炉，
熱分解炉，溶融炉等から排出される排ガスを浄化する排
ガス処理用触媒であって、酸化チタン又は酸化チタンに
酸化珪素、酸化スズから一種以上を添加した酸化チタン
系複合酸化物を担体とし、その上に活性体を担持させる
ことを特徴とする。

【０００８】［請求項２］の発明は、請求項１におい
て、上記担体の水溶液に主として三価の活性体成分を添
加し、アルカリ溶液で共沈させて、主として三価の活性
体を担体粒子に担持した後、酸化雰囲気で加熱して活性
体の価数を三価から五価に変える共沈及び原子価制御法
により活性体を担体に担持してなることを特徴とする。

【０００９】［請求項３］の発明は、請求項１又は２に
おいて、上記活性体が酸化バナジウム又は、酸化バナジ
ウムに、銅，モリブデン，タングステンの群からから選
ばれる少なくとも一種の酸化物を添加したバナジア系複
合酸化物微粒子であることを特徴とする。

【００１０】［請求項４］の発明は、請求項１乃至３に
おいて、上記活性体を３〜３０重量％担持させ、比表面
積が１００ｍ²／ｇ以上であり、触媒反応温度が１００
から３００℃であることを特徴とする。

【００１１】［請求項５］の発明は、請求項１乃至３に
おいて、上記活性体を３〜３０重量％担持させ、比表面
積が２００ｍ²／ｇ以上であり、触媒反応温度が１００
〜２００℃であることを特徴とする。

【００１２】［請求項６］の排ガス処理用触媒の製造方
法発明は、チタン化合物、珪素化合物、スズ化合物から
一種以上を含有する水溶液に、３〜３０重量％触媒活性
体を担持させるのに必要な三価のバナジウム化合物、銅
化合物、モリブデン化合物、タングステン化合物の群か
らから一種以上を含有する溶液を添加し、次いで、水又
は水と水溶性アルコールを加えて溶液中のチタン化合物
の濃度が0.５〜0.０５モル／リットルになるように調製
し、続いて攪拌しながらこの溶液に濃度３〜0.５モル／
リットルのアルカリ性水溶液を滴下して中和する共沈法
により沈澱物を生成させ、この沈澱物を洗浄、乾燥し、
２５０〜５５０℃の温度で酸化雰囲気中で熱処理するこ
とによりバナジウムの価数を三価から五価に変えること
を特徴とする。

【００１３】［請求項７］の発明は、請求項６におい
て、共沈法により沈澱物を生成させた後、この沈澱物を
洗浄し、続いてタングステン化合物の溶液を加え、混練
して乾燥させ、２５０〜５５０℃の温度で酸化雰囲気中
で熱処理することを特徴とする。

【００１４】［請求項８］の排ガス処理方法の発明は、
排ガス中の有害物質を請求項１乃至５の触媒に接触さ
せ、排ガス中の有害物質を分解処理することを特徴とす
る。

【００１５】［請求項９］の発明は、請求項８におい
て、上記排ガス中の有害物質がダイオキシン類，ポリハ
ロゲン化ビフェニル類，ハロゲン化ベンゼン類，ハロゲ
ン化フェノール類及びハロゲン化トルエン類から選ばれ
る少なくとも一種のハロゲン化芳香族化合物であること
を特徴とする。

【００１６】［請求項１０］の発明は、請求項９におい
て、上記ダイオキシン類が、ポリ塩化ジベンゾ−ｐ−ダ
イオキシン類（ＰＣＤＤｓ）、ポリ塩化ジベンゾフラン
類（ＰＣＤＦｓ）、ポリ臭化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシ
ン類（ＰＢＤＤｓ）、ポリ臭化ジベンゾフラン類（ＰＢ
ＤＦｓ）、ポリ弗化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン類（Ｐ
ＦＤＤｓ）、ポリ弗化ジベンゾフラン類（ＰＦＤＦ
ｓ）、ポリ沃素化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン類（ＰＩ
ＤＤｓ）、ポリ沃素化ジベンゾフラン類（ＰＩＤＦｓ）
であることを特徴とする。

【００１７】［請求項１１］の発明は、請求項８におい
て、アンモニアの存在下に、窒素酸化物を選択的に還元
して分解することを特徴とする。

【００１８】［請求項１２］の排ガス処理装置の発明
は、焼却炉，熱分解炉，溶融炉等から排出される排ガス
を浄化する排ガス処理装置であって、排ガス中の煤塵を
除塵する除塵装置と、該除塵装置の後流側に設けた請求
項１乃至５の排ガス処理用触媒を有する触媒装置とから
なることを特徴とする。

【００１９】［請求項１３］の発明は、請求項１２にお
いて、上記触媒装置に塩基性物質を導入する手段を設け
たことを特徴とする。

【００２０】［請求項１４］の発明は、請求項１２又は
１３において、上記触媒装置に導入する排ガスの温度を
１００〜３００℃としたことを特徴とする。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を以下に説明
する。

【００２２】本発明に係わる触媒は、排ガス中の有害物
質を接触的に還元または分解して無害化できる高比表面
積の共沈及び原子価制御法による金属酸化物触媒であ
る。以下、本発明の実施形態を説明するが、本発明はこ
れに限定されるものではない。ここで、上記共沈及び原
子価制御法は、担体を構成する水溶液に主として三価の
活性体成分を添加し、アルカリ溶液で共沈させて、主と
して三価の活性体を担体粒子に担持した後、酸化雰囲気
で加熱して活性体の価数を三価から五価に変え、活性体
を担体に担持してなる方法をいう。

【００２３】本発明の排ガス処理用触媒の発明は、酸化
チタン又は酸化チタンに酸化珪素、酸化スズから1種以
上を添加した酸化チタン系複合酸化物からなる担体と、
バナジウム（Ｖ）単独又は、バナジウム（Ｖ）に銅（Ｃ
ｕ），タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）の酸化
物のうち少なくとも一種類の酸化物からなるバナジア系
複合酸化物の活性体とからなる触媒であり、１００〜３
００℃で排ガス中の有害物質を分解するものである。

【００２４】ここで、上記担体は、アナターゼ型構造を
有し、酸化チタン、酸化珪素、酸化スズから1種以上を
含む1成分系から３成分系の酸化物から成るものとして
いる。

【００２５】また、複合酸化物担体の場合における担体
組成は、特に限定されるものではないが、例えばチタン
が７０〜９８重量部に対して、シリコンとスズの酸化物
が３０〜２重量部とするのが好ましい。酸化チタンにＳ
ｉとＳｎの酸化物を添加した複合酸化物担体を用いる理
由は、複合化によりガスの吸着サイトすなわち活性点が
増えること及びガスの吸着力が変化することにより担体
の性質が改質され、ＮＯからＮ₂への分解反応の選択率
が向上するので、副反応生成物の吸着等による触媒の劣
化が少なくなるからである。また、添加したＳｉ，Ｓ
ｎはバナジアには固溶せず、ＴｉＯ₂に一部固溶してチ
タン系複合酸化物を形成するので、担体の性質を改質す
る作用を有する。複合酸化物担体を得るためのＳｉ化合
物、Ｓｎ化合物としては、珪酸エチル、メタ珪酸ソー
ダ、塩化スズ等を用いることができる。珪酸エチルは加
水分解しにくいので、アルコールに溶かして酸を加えて
加水分解を先に起こさせてから、塩化チタンや硫酸チタ
ンを含む原料水溶液に加えることがより好ましい実施態
様である。メタ珪酸ソーダの水溶液はアルカリ性である
ので、塩酸を加え塩酸酸性溶液にしてから塩化チタンや
硫酸チタンを含む原料水溶液に加えることがより好まし
い実施態様である。

【００２６】なお、複合酸化物を形成する場合の元素の
原料は、塩化物，硫酸塩，硝酸塩等のいずれの金属塩で
もよく、水溶液にした状態でアンモニア水や炭酸ナトリ
ウム等のアルカリ水溶液を滴下して共沈させる。またア
ンモニア水の代わりに尿素を用いても沈殿させることが
てきる。また、金属アルコキシド原料を各々使用して、
加水分解等により複合水酸化物を得ることもできるが、
この場合、ややコスト高となる。なお、共沈や加水分解
等により形成した複合水酸化物ケーキは洗浄後、乾燥さ
せた上で２５０〜５５０℃の範囲で焼成することによ
り、複合酸化物が得られる。

【００２７】本発明の触媒では、上記複合酸化物を担体
にして、バナジウム（Ｖ）単独又は、バナジウム（Ｖ）
に銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍ
ｏ）の酸化物を活性金属酸化物として添加して少なくと
も一種以上担持して用いる。またニオブ（Ｎｂ）、タン
タル（Ｔａ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）の酸化物
を添加することもできる。ここで、活性体としてバナジ
ア系複合酸化物を用いる理由は、第二成分をバナジアに
添加することによりＶの原子価が五価と四価、三価の混
合原子価状態になり、酸化還元サイクルがスムーズに繰
り返されるようになるため活性が向上するとともに、排
ガス中のＳＯ₂等の不純物ガスの酸化を抑制し、副反応
生成物の付着等による触媒の劣化が少なくなるからであ
る。チタニア系担体に対し担持させる触媒の担持量は、
３重量％未満の場合、触媒の分解性能が低く、また３０
重量％より多くしても性能はある値以上には増えないの
で、多量に担持しても効果が無く、逆に担持量が増える
と熱処理時に粒成長し比表面積が小さくなる等の不具合
が生ずる。より好ましい担持量の範囲は５〜２０重量％
である。

【００２８】共沈法により酸化バナジウムに固溶させる
ためのモリブデン化合物としては、塩化モリブデンを用
いることができる。タングステンは酸化バナジウムに固
溶するものではないが、有効な複合酸化物系の触媒成分
であり、タングステン酸塩、塩化タングステン等の化合
物を用いることができる。タングステン酸アンモニウム
を原料として用いる場合、共沈させることができないの
で、共沈法で得た沈殿物にタングステン酸アンモニウム
の溶液を加えて混練した後、乾燥、熱処理する方法がよ
り好ましい実施態様である。

【００２９】排ガス処理に使用される触媒は、ペレット
状，板状，円筒状，コルゲート状，ハニカム状等の一体
成型された任意の形状とすればよい。なお、ガスとの接
触面積を大とすることが好ましいことは当然であるが、
粉体状触媒の充填密度の程度によっては排ガスの流動背
圧が上がり好ましくない。この対策としては通常は粉体
をその比表面積を過度に低下させることなく所定の密度
に圧縮して得た、例えばハニカム状の成型体を使用する
のが特に好ましい。また、バグフィルターに触媒成分を
含有させ、除塵と触媒分解の両方を働かせる場合は、触
媒の粉末成分をバグフィルターにコートする方法も採用
できる。また、他の使用形態としては、顆粒状で用い
る、ハニカムの上に触媒粉末をウォッシュコートして用
いる等の使用形態が可能である。

【００３０】本発明の排ガス処理用触媒の製造方法は、
チタン化合物、珪素化合物、スズ化合物から一種以上を
添加した水溶液に、３〜３０重量％触媒活性体を担持さ
せるのに必要な三価のバナジウム化合物、銅化合物、モ
リブデン化合物、タングステン化合物の群からから一種
以上を含有する溶液を添加し、次いで、水又は水と水溶
性アルコールを加えて溶液中のチタン化合物の濃度が0.
５〜0.０５モル／リットルになるように調製し、続いて
攪拌しながらこの溶液に濃度３〜0.５モル／リットルの
アルカリ性水溶液を滴下して中和する共沈法により沈澱
物を生成させ、この沈澱物を洗浄、乾燥し、２５０〜５
５０℃の温度で酸化雰囲気中で熱処理することにより、
バナジウムの価数を三価から五価に変えて原子価制御す
る方法、即ち共沈及び原子価制御法により触媒を調製す
るものである。

【００３１】ここで、沈澱を作製する時の溶液中のチタ
ン化合物の濃度は0.５〜0.０５モル／リットルとするの
が好ましい。これは、溶液中のＴｉＣｌ₄濃度が0.５モ
ル／リットルより大きい場合、濃度が濃すぎて沈澱が糊
状になり攪拌しにくくなる等、取扱いしにくくなるの
で、濃度は0.５モル／リットル以下にする必要があるか
らである。しかし、濃度が0.０５モル／リットルよりも
小さい場合、溶液が薄いので触媒を作るのに多量の溶液
が必要になり、実用的ではない。より好ましいＴｉＣｌ
₄濃度は0.０５〜0.３モル／リットルの範囲とするのが
よい。ＴｉＣｌ₄濃度をこの範囲にするためには、水で
希釈するが、その他に、例えばメタノール、エタノール
等の水溶性アルコールと水との混合物で希釈することも
できる。なお、アルコールは触媒を高温で調整するとき
に分解し、生成した触媒微粒子に細孔を形成させ、比表
面積を大きくする作用がある。ここで、アルコールの添
加量は特に制限されるものではないが、１０容量％以下
の範囲が好ましい。

【００３２】アルカリ性水溶液の濃度は３〜0.５モル／
リットルとするのがよい。ここで、中和に使用するアル
カリ水溶液としては、アンモニア水、ＮａＯＨ等のアル
カリ金属水酸化物水溶液を用いることができるが、本発
明の実施例では代表的なアンモニア水を用いている。ア
ンモニア水が３モル／リットルよりも濃い場合、滴下し
たアンモニア水のまわりに沈澱が固まって生成するため
不均一となり、粗大化して沈澱の比表面積が小さくなる
ので、アンモニア水の濃度は３モル／リットル以下が望
ましい。これは、濃度が0.５モル／リットル未満の場
合、多量のアンモニア水を中和のために加える必要があ
り、溶液の体積が増えすぎて実用的でないからである。
アンモニア水のより好ましい濃度は0.５〜２モル／リッ
トルの範囲である。

【００３３】共沈法により得た沈澱を洗浄し乾燥した
後、酸化雰囲気中で２５０〜５５０℃の温度で熱処理す
る。アンモニア水で中和し沈澱を作製すると多量のＮＨ
₄Ｃｌが生成するため、これを洗浄により除去する必要
がある。得られた沈澱は水酸化物であるので、これを加
熱し酸化物粒子に変えるためには２５０℃以上に加熱す
る必要があり、さらに２５０〜５５０℃の温度で酸化雰
囲気中で熱処理し、Ｖの価数を三価から活性の高い五価
に変え、五価のＶを含む酸化バナジウム系複合酸化物に
する必要がある。これは、熱処理温度が２５０℃よりも
低温では、非晶質の酸化物が含まれ、結晶質の複合酸化
物が得られないからであり、一方、熱処理温度が５５０
℃よりも高温では触媒中の酸化物粒子が粒成長し、比表
面積が低くなり、低温での活性が低下し、共に好ましく
ないからである。そこで、より好ましい熱処理（仮焼）
温度は３００〜５００℃である。熱処理時間は得に制限
する必要はないが、１〜５時間で十分である。

【００３４】本発明の比表面積が特に２００ｍ²／ｇ以
上の触媒は、従来の触媒では活性が低かった２００℃以
下の温度領域（特に１５０℃以下）でも活性が高いとい
う特性を有する。これは共沈及び原子価制御法により触
媒の高比表面積化と高分散化が初めて可能になり、触媒
の低温での活性が大幅に向上したからである。本発明の
排ガス処理用触媒によれば、１００〜３００℃、好まし
くは１３０〜２００℃の温度範囲において、排ガス中の
有害物質を分解することができる。

【００３５】ここで、本発明の触媒で分解処理する排ガ
ス中の有害物質とは、窒素酸化物の他、ダイオキシン類
やＰＸＢ（Ｘはハロゲンを表す。）類に代表される有害
なハロゲン化芳香族化合物、高縮合度芳香族炭化水素等
の有害物質をいうが、本発明の酸化触媒作用により分解
できる排ガス中の有害物質（又は環境ホルモン）であれ
ばこれらに限定されるものではない。

【００３６】本発明で分解処理する灰や土壌中に含まれ
る芳香族ハロゲン系化合物としては、ダイオキシン類や
ＰＣＢ類に代表される有害な物質（例えば環境ホルモ
ン）であればこれらに限定されるものではない。ここ
で、上記ダイオキシン類とは、ポリハロゲン化ジベンゾ
−ｐ−ダイオキシン類（ＰＸＤＤｓ）及びポリハロゲン
化ジベンゾフラン類（ＰＸＤＦｓ）の総称であり（Ｘは
ハロゲンを示す）、ハロゲン系化合物とある種の有機ハ
ロゲン化合物の燃焼時に微量発生するといわれる。ハロ
ゲンの数によって一ハロゲン化物から八ハロゲン化物ま
であり、これらのうち、特に四塩化ジベンゾ−ｐ−ダイ
オキシン（Ｔ₄ＣＤＤ）は、最も強い毒性を有するもの
として知られている。なお、有害なハロゲン化芳香族化
合物としては、ダイオキシン類の他にその前駆体となる
種々の有機ハロゲン化合物（例えば、フェノール，ベン
ゼン等の芳香族化合物（例えばハロゲン化ベンゼン類，
ハロゲン化フェノール及びハロゲン化トルエン等）、ハ
ロゲン化アルキル化合物等）が含まれており、灰中から
除去する必要がある。すなわち、ダイオキシン類とは塩
素化ダイオキシン類のみならず、臭素化ダイオキシン類
等のハロゲン化ダイオキシン類を表す。また、ＰＸＢ類
（ポリハロゲン化ビフェニル類）はビフェニルにハロゲ
ン原子が数個付加した化合物の総称であり、ハロゲンの
置換数、置換位置により異性体があるが、ＰＣＢ（ポリ
塩化ビフェニル）の場合では、２，６−ジクロロビフェ
ニル、２，2'−ジクロロビフェニル、２，３，５−トリ
クロロビフェニル等が代表的なものであり、毒性が強
く、焼却した場合にはダイオキシン類が発生する恐れが
あるものとして知られており、灰中から除去する必要が
ある。なお、ＰＸＢ類には当然コプラナーＰＸＢも含ま
れるのはいうまでもない。

【００３７】また、高縮合度芳香族炭化水素は多核芳香
族化合物の総称であり、単数又は複数のＯＨ基を含んで
もよく、発癌性物質として認められており、排ガス中か
ら除去する必要がある。

【００３８】また、多くの製造工程においては、煤塵に
加えて、例えばホルムアルデヒド，ベンゼン又はフェノ
ールのような気体状有機化合物を含む排ガスが発生する
こともある。これらの有機化合物もまた、環境汚染物質
であり、人間の健康を著しく損ねるので、排ガスから除
去する必要がある。

【００３９】また、本発明で処理される窒素酸化物と
は、通常ＮＯ及びＮＯ₂の他、これらの混合物をいい、
ＮＯｘとも称されている。しかし、該ＮＯｘにはこれら
以外に各種酸化数の、しかも不安定な窒素酸化物も含ま
れている場合が多い。従ってｘは特に限定されるもので
はないが通常１〜２の値である。雨水等で硝酸、亜硝酸
等になり、またはＮＯは光化学スモッグの主因物質の一
つであるといわれており、人体には有害な化合物であ
る。

【００４０】本発明による上記触媒を使用することによ
り、上述した有害物質である窒素酸化物，ダイオキシン
類，高縮合度芳香族炭化水素等の有害物質や気体状有機
化合物を接触的に還元又は分解して無害化処理すること
ができる。ここで、上記有害物質の内排ガス中のダイオ
キシン類，ダイオキシン類の前駆体，ＰＸＢ等のハロゲ
ン化芳香族化合物、高縮合度芳香族炭化水素は、本発明
の酸強度を弱いものとした酸化触媒の酸化分解により無
害化処理がなされる。

【００４１】また窒素酸化物については本発明の触媒を
充填した装置の前流側に塩基性物質（例えばアンモニア
等）を存在させ、還元反応により無害化処理が行われ
る。

【００４２】図１は上記触媒を用いた排ガス浄化装置の
概略図の一例である。図１に示すように、排ガス浄化装
置は、都市ゴミ焼却炉，産業廃棄物焼却炉，汚泥焼却炉
等の各種焼却炉から排出される排ガス１１中の煤塵を除
去する除塵装置１２と、窒素酸化物，ダイオキシン類，
高縮合度芳香族炭化水素等の有害物質を除去する上述し
た排ガス処理触媒を有する触媒装置１３と、有害物質を
分解・除去した排ガスを外部へ排出する煙突１４とから
構成されている。上記除塵装置１２においては、排ガス
中の煤塵及び固体状のダイオキシン類を捕集することが
でき、触媒装置１３の劣化及び触媒の目詰まりを防止し
ている。

【００４３】以下に排ガス中の窒素酸化物及び塩素化芳
香族化合物の濃度の一例を示す。排ガス中の窒素酸化物
の濃度は、２００〜５０体積ｐｐｍである。排ガス中の
ダイオキシン類の塩素化芳香族化合物の濃度は、数十ｍ
ｇ〜数μｇ／Ｎｍ³である。本発明では、上記排ガス１
１と触媒の接触条件は、２０〜２Ｎｍ³／ｈ／ｋｇ−触
媒（接触時間４〜0.４秒）である。また、排ガス処理温
度は１００〜３００℃、好ましくは１３０〜２５０℃で
ある。排ガス温度が３００℃よりも高温では、分解生成
物中の塩素化合物によりダイオキシン等の有害な化合物
が再合成される可能性があるので、より好ましくは排ガ
ス温度は２５０℃以下とするのがよい。排ガス温度が１
００℃よりも低いと触媒の脱硝率が非常に低くなり実用
的でない。そこで、窒素酸化物とハロゲン化芳香族化合
物の同時分解を起こさせるためには、排ガス温度として
は１００〜３００℃の範囲、好ましくは１３０〜２５０
℃にする必要があり、より好ましくは１５０〜２００℃
の範囲とするのがよい。

【００４４】また、除塵装置（例えばバグフィルタ等）
１２で処理する際に排ガスを冷却して低温とした場合で
あっても、１５０℃前後であれば、再可熱することなく
排ガス中の有害物質を処理することが可能となる。な
お、除塵装置１２での効率のよい捕集を行うために、除
塵装置１２の前流側で冷却装置を用いて冷却した場合で
も、触媒装置に入る前に、再加熱する場合であってもダ
イオキシン類の再生成率が低い２５０℃を限度とするの
が好ましい。

【００４５】本発明の焼却炉からの排ガス浄化装置で
は、脱硝及びダイオキシン類の除去を一つの触媒装置１
３で同時に行うことができ、その場合には、塩基性物質
として例えばアンモニアを注入する注入ノズル１５を介
してアンモニアを触媒装置１３内に導入すればよい。

【００４６】本発明の処理対象としては、特に都市ゴミ
や産業廃棄物等の排ガスなどが挙げられる。このような
燃焼排ガスには、通常、テトラクロロジベンゾダイオキ
シンやペンタクロロジベンゾフランで代表されるダイオ
キシン類が１〜１００ｎｇＴＥＱ／Ｎｍ³含まれてい
る。さらに、排ガス中にはこれらダイオキシンの前駆体
となる種々の有機塩素化合物も多量に含まれている。ダ
イオキシンの排出に関しては、法律（平成１０年度厚生
省排出規制値）により排出濃度として0.１ｎｇＴＥＱ／
Ｎｍ³以下に制定されているが、本発明の触媒を適用す
ることにより、これらの基準を満たすことが可能とな
る。

【００４７】本発明の触媒を用いて都市ゴミや産業廃棄
物等の排ガス中のダイオキシン等を含む有機塩素化合物
を除去する条件としては、好ましくは温度１００〜２５
０℃，ＧＨＳＶ１０００〜２００００ｈ^-1，酸素濃度0.
１〜２１％の範囲に入ることが挙げられ、アンモニアを
添加して排ガス窒素酸化物を同時に除去することもでき
る。

【００４８】

【実施例】以下に具体的な実施例及び参考例を挙げて本
発明の効果を説明する。

【００４９】（参考例１）初めに、ＶＣｌ₃を0.１モル
／リットル含む水溶液を調製し、アンモニア水を滴下し
て沈澱を作製し、適正なアンモニア水の濃度を把握する
試験を行った。アンモニア水の濃度が３モル／リットル
よりも大きいと、中和により沈澱が局所的に生成し、不
均質に反応が起こるとともに、刺激臭のため局所排気設
備が必要である。アンモニア水の濃度が0.５〜３モル／
リットルであれば、中和により溶液の色が次第に変化
し、均一に沈澱が生成するのが観察された。アンモニア
水の濃度が0.５モル／リットルよりも薄いと多量のアン
モニア水を加える必要があり、実用的でないことが判明
した。

【００５０】（参考例２）ＶＣｌ₃とＭｏＣｌ₅を１９
０対５の組成比で合計0.１モル／リットル含む水溶液を
調製し、１モル／リットルのアンモニア水で中和して沈
澱を作製した。得られた沈澱は水酸化物であり、加熱に
より約２００℃で水酸化物から酸化物に変わること、こ
の酸化物は非晶質であり、さらに加熱すると約３００℃
で発熱し結晶化して結晶質の複合酸化物に変わることが
熱分析とＸ線回折により確認された。すなわち、結晶質
の複合酸化物を得るためには、約３００℃以上に加熱す
る必要があることが判明した。三価のＶ化合物を原料と
しても、酸化雰囲気で熱処理することにより五価のＶの
複合酸化物である（Ｖ₂Ｏ₅）₉₅（ＭｏＯ₃）₅等のバ
ナジウム系複合酸化物微粒子を提供できることが実証で
きた。

【００５１】（参考例３）触媒を担持させるためのＴｉ
Ｏ₂微粒子を得るための条件を把握するため、種々の濃
度のＴｉＣｌ₄溶液を１モル／リットルのアンモニア水
で中和してＴｉＯ ₂の沈澱を作製し、これを３００℃で
２時間熱処理してＴｉＯ₂担体微粒子を作製した。Ｔｉ
Ｃｌ₄濃度は0.０５〜0.３モル／リットルの範囲では比
表面積１００〜２００ｍ²／ｇと大きい触媒が得られ、
かつ溶液の取扱い易さも良好であった。濃度が0.３モル
／リットルより濃いと沈澱が生成した時に液が糊のよう
になり、取扱い困難であった。

【００５２】（参考例４）ＴｉＣｌ₄の溶液を調製する
時、水と同時にエタノールを５容量％加え、参考例３と
同じ方法でＴｉＯ₂微粒子を調製した結果、エタノール
を加えて調製することによりＴｉＯ₂担体粒子の比表面
積が僅かに増えることが認められた。

【００５３】（実施例１）ＴｉＣｌ₄とその１／２０量
の珪酸エチル、ＳｎＣｌ₂、Ｎａ₂ＳｉＯ₃の添加剤を
一種以上含む塩酸酸性水溶液に、複合酸化物を調製する
のに必要な組成比のＶＣｌ₃，ＭｏＣｌ₅，ＣｕＣｌ₂
等の化合物を所定濃度担持するのに必要な量だけ加え、
さらに水と５容量％のエタノールを加えて溶液中のＴｉ
Ｃｌ₄濃度を0.２モル／リットルに調製し、１モル／リ
ットルのアンモニア水で中和し、共沈により得られた沈
澱を１２０℃で２０時間乾燥し、さらに２５０〜５５０
℃で２時間酸素雰囲気中で熱処理して、「表１」に示す
ような、チタニア系複合酸化物担体にＶ₂Ｏ₅またはバ
ナジア系複合酸化物微粒子を担持させた触媒を得た。

【００５４】得られた触媒の比表面積は「表１」に示す
ように１００〜４００ｍ²／ｇであり、従来のＮＨ₄Ｖ
Ｏ₃を原料とする含浸法によるバナジア系触媒（従来
材）よりも大きいことがわかった。これは、共沈法で作
製することによりバナジア系複合酸化物微粒子がチタニ
ア系担体微粒子上に均一に高分散したためと考えられ
る。

【００５５】タングステン含有触媒は、共沈法で得た酸
化チタン担持酸化バナジウム系触媒の沈殿物にタングス
テン酸アンモニウム水溶液を混練した後、乾燥、熱処理
により触媒を調製した。

【００５６】「表１」で熱処理温度が高くなると比表面
積は減少するが、これは高温では触媒粒子が粒成長する
ためと考えられる。触媒番号１２は、担持量が大きいの
で、高温で仮焼すると粒成長し、活性体粒子が凝集して
比表面積が小さくなった触媒の例である。

【００５７】（実施例２）Ｔｉ（ＳＯ₄）₂とその１／
２０量の珪酸エチル、ＳｎＣｌ₂，Ｎａ₂ＳｉＯ ₃の添
加剤を一種以上含む塩酸酸性水溶液を用いて、実施例１
と同じ方法で触媒を調製し、チタニア系複合酸化物担体
にバナジア系複合酸化物微粒子を担持させ、「表１」に
示す触媒を得た。ここで、「表１」中、Ｓ１は硫酸チタ
ンを原料として調製した触媒であり、Ｋ１〜Ｋ３はＴｉ
Ｏ₂のみを担体とする触媒である。

【００５８】（実施例３）脱硝率の評価は、得られた顆
粒状の触媒を固定床流通式反応器に充填し、一定組成の
反応ガス（ＮＯ：１００ｐｐｍ、ＮＨ₃：１００ｐｐ
ｍ、ＳＯ₂：１０ｐｐｍ、ＣＯ₂：１０％、Ｈ₂Ｏ：２
０％、Ｏ₂：１０％、Ｎ₂：残部）を空間速度５０００
ｈ^-1で流し、１５０℃で１００時間継続して行った。試
験結果を表１に示す。ＮＯ濃度はＮＯｘ計を用いて計測
した。

【００５９】この結果を「表１」に示す。

【００６０】

【表１】

【００６１】本発明のチタニア系複合酸化物担体にＶ₂
Ｏ₅またはバナジア系複合酸化物微粒子を３〜３０重量
％担持した触媒の中でも、特に２００ｍ²／ｇ以上の高
比表面積の触媒は、従来の触媒では性能が低かった１５
０℃の低温でも脱硝率が高く、かつ劣化も小さいので、
低温領域でも使用できる排ガス処理触媒が提供できた。

【００６２】（実施例４）「表１」に示す触媒の中で触
媒７，触媒９、触媒１０及び触媒Ｋ２を用い、実施例３
と同じ方法で、脱硝率の初期性能の温度依存性を１３０
〜２５０℃で測定した。その結果を「表２」に示す。

【００６３】

【表２】

【００６４】得られた触媒は、これらの温度範囲で脱硝
性能が高いことがわかった。これは、触媒の比表面積が
大きくなったため、活性が低温でも高いことが考えられ
る。

【００６５】（実施例５）ハロゲン化芳香族化合物の一
例としてオルソクロロフェノールを用い、触媒によるそ
の分解率を試験した。なお、試験した触媒は、「表１」
に示す触媒の中で触媒７，触媒９、触媒１０及び触媒Ｋ
２を用いた。空気をキャリアーガスとしてオルソクロロ
フェノールを顆粒状の触媒を入れたマイクロリアクター
に空間速度５０００ｈ^-1で流通させ、出てきたガスをガ
スクロマトグラフで分析した。その結果を「表３」に示
す。

【００６６】

【表３】

【００６７】上記「表３」に示すように、１５０℃にお
いても分解率が８０％以上であり、従来の含浸法による
触媒よりも低温で活性が高いことがわかった。共沈法に
より高比表面積の触媒が得られたので、触媒の酸化力が
向上し、ハロゲン化芳香族化合物の分解性能が向上した
ものと考えられる。

【００６８】（実施例６）ゴミ焼却炉において１５０℃
の除塵装置を通過した後の排ガスの一部を分岐させて、
ハニカム状にした本発明の触媒を充填した排ガス処理装
置に流通させ、装置の入口と出口におけるＮＯｘとダイ
オキシン類の濃度を計測した。なお、試験した触媒は、
「表１」に示す触媒の中で触媒７，触媒９、触媒１０及
び触媒Ｋ２を用いた。装置入口におけるＮＯｘ濃度は１
１０ｐｐｍ、ダイオキシン類の濃度は1.２ｎｇ−ＴＥＱ
／Ｎｍ³であり、空間速度は９０００ｈ^-1であった。Ｎ
Ｏｘの還元剤として排ガスに添加したＮＨ₃量は排ガス
中のＮＯｘと当量（１１０ｐｐｍ）である。その結果を
「表４」に示す。

【００６９】

【表４】

【００７０】本発明の触媒を用いることにより、１５０
℃前後の低温度領域でも脱硝率が従来の触媒よりも高く
８０％以上となることが明らかになった。ダイオキシン
類の濃度は１５０℃でも0.１ｎｇ−ＴＥＱ／Ｎｍ³以下
を達成しており、本発明の触媒により排ガス温度が従来
の排ガス処理触媒の場合よりも低い２００℃以下の温度
でもＮＯｘとハロゲン化芳香族化合物の同時分解ができ
ることが判明した。

【００７１】（実施例７）本発明の触媒の脱硝性能の経
時変化をさらに１０００ｈにわたり詳細に観測した。そ
の結果、共沈法による触媒は表面に最初からＮＨ₃又は
ＮＨ₄ ⁺を吸着しているため、ＮＯガスを流すと次第に
この吸着アンモニアが反応で消費されて反応初期には性
能の低下即ち劣化が現れるが、約３０ｈ経過後にはほぼ
定常状態となった。１００ｈから１０００ｈ経過後の性
能低下率は、従来の触媒が０．００５％／ｈであるのに
対し、本発明の「表２」に記載の触媒は、0.００１％／
ｈと安定性にも優れていることが明らかになった。

【００７２】

【発明の効果】以上実施例と共に述べたように、［請求
項１］の発明によれば、焼却炉，熱分解炉，溶融炉等か
ら排出される排ガスを浄化する排ガス処理用触媒であっ
て、酸化チタン又は酸化チタンに酸化珪素、酸化スズか
ら一種以上を添加した酸化チタン系複合酸化物を担体と
し、その上に活性体を担持させるので、窒素酸化物とハ
ロゲン化芳香族化合物等の有害物質を含む排ガスに対し
て従来の触媒よりも低温でも分解処理活性が高い高比表
面積の排ガス処理触媒を提供することができ、環境浄化
に寄与するところが大きいので、産業上の利用価値が高
い。

【００７３】［請求項２］の発明によれば、上記担体の
水溶液に主として三価の活性体成分を添加し、アルカリ
溶液で共沈させて、主として三価の活性体を担体粒子に
担持した後、酸化雰囲気で加熱して活性体の価数を三価
から五価に変える共沈及び原子価制御法により活性体を
担体に担持してなるので、窒素酸化物とハロゲン化芳香
族化合物等の有害物質を含む排ガスに対して従来の触媒
よりも低温でも分解処理活性が高い高比表面積の排ガス
処理触媒を提供することができ、環境浄化に寄与すると
ころが大きいので、産業上の利用価値が高い。

【００７４】［請求項３］の発明によれば、上記活性体
が酸化バナジウム又は、酸化バナジウムに、銅，モリブ
デン，タングステンの群からから選ばれる少なくとも一
種の酸化物を添加したバナジア系複合酸化物微粒子であ
りかつそれらが高分散し高比表面積となっているので、
低温においてもダイオキシン類の分解及び脱硝率が良好
なものとなる。

【００７５】［請求項４］の発明によれば、上記活性体
が３〜３０重量％担持させ、比表面積が１００ｍ²／ｇ
以上であるので、１００〜３００℃の低温でもダイオキ
シン類等の分解が可能となり、長期間に亙って触媒活性
が持続する。。

【００７６】［請求項５］の発明によれば、上記活性体
を３〜３０重量％担持させ、比表面積が２００ｍ²／ｇ
以上であるので、従来の触媒では困難であった触媒反応
温度１００〜２００℃の温度領域で処理できるので、ダ
イオキシン類の再生成がなく、ダイオキシン類を分解す
ることができる。

【００７７】［請求項６］の排ガス処理用触媒の製造方
法の発明によれば、チタン化合物、珪素化合物、スズ化
合物から一種以上を含む水溶液に、３〜３０重量％触媒
活性体を担持させるのに必要な三価のバナジウム化合
物、銅化合物、モリブデン化合物、タングステン化合物
の群からから一種以上を含有する溶液を添加し、次い
で、水又は水と水溶性アルコールを加えて溶液中のチタ
ン化合物の濃度が0.５〜0.０５モル／リットルになるよ
うに調製し、続いて攪拌しながらこの溶液に濃度３〜0.
５モル／リットルのアルカリ性水溶液を滴下して中和す
る共沈法により沈澱物を生成させ、この沈澱物を洗浄、
乾燥し、２５０〜５５０℃の温度で酸化雰囲気中で熱処
理し、バナジウムの価数を三価から五価に変えて活性の
高い酸化物にするので、窒素酸化物とハロゲン化芳香族
化合物等の有害物質を含む排ガスに対して従来の触媒よ
りも低温でも分解処理活性が高い高比表面積の排ガス処
理触媒を提供することができる。

【００７８】［請求項７］の発明によれば、共沈法によ
り沈澱物を生成させた後、この沈澱物を洗浄し、続いて
タングステン化合物の溶液を加え、混練して乾燥させ、
２５０〜５５０℃の温度で酸化雰囲気中で熱処理するの
で、窒素酸化物とハロゲン化芳香族化合物等の有害物質
を含む排ガスに対して従来の触媒よりも低温でも分解処
理活性が高い高比表面積の排ガス処理触媒を提供するこ
とができる。

【００７９】［請求項８］の発明によれば、排ガス中の
有害物質を請求項１乃至５の触媒に接触させるので、排
ガス中の有害物質を分解処理することができる。

【００８０】［請求項９］の発明によれば、特に、上記
排ガス中の有害物質がダイオキシン類，ポリハロゲン化
ビフェニル類，ハロゲン化ベンゼン類，ハロゲン化フェ
ノール及びハロゲン化トルエンから選ばれる少なくとも
一種のハロゲン化素化芳香族化合物を分解処理すること
ができる。

【００８１】［請求項１０］の発明によれば、上記ダイ
オキシン類が、特にポリ塩化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシ
ン類（ＰＣＤＤｓ）、ポリ塩化ジベンゾフラン類（ＰＣ
ＤＦｓ）、ポリ臭化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン類（Ｐ
ＢＤＤｓ）、ポリ臭化ジベンゾフラン類（ＰＢＤＦ
ｓ）、ポリ弗化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン類（ＰＦＤ
Ｄｓ）、ポリ弗化ジベンゾフラン類（ＰＦＤＦｓ）、ポ
リ沃素化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン類（ＰＩＤＤ
ｓ）、ポリ沃素化ジベンゾフラン類（ＰＩＤＦｓ）の有
害物質を分解処理できる。

【００８２】［請求項１１］の発明によれば、アンモニ
アの存在下においては、更に窒素酸化物を選択的に還元
して分解処理することができる。

【００８３】［請求項１２］の排ガス処理装置の発明に
よれば、焼却炉，熱分解炉，溶融炉等から排出される排
ガスを浄化する排ガス処理装置であって、排ガス中の煤
塵を除塵する除塵装置と、該除塵装置の後流側に設けた
請求項１乃至５の排ガス処理用触媒を有する触媒装置と
からなるので、高比表面積の排ガス処理触媒により排ガ
ス中のダイオキシン類，ダイオキシン類の前駆体，ＰＸ
Ｂ等のハロゲン化芳香族化合物、高縮合度芳香族炭化水
素の酸化分解が可能となる。

【００８４】［請求項１３］の発明によれば、上記触媒
装置に塩基性物質を導入する手段を設けたので、また塩
基性ガスの添加により脱硝が可能となり、両者の併合し
た分解が可能となる。

【００８５】［請求項１４］の発明によれば、上記触媒
装置に導入する排ガスの温度を１００〜３００℃とした
ので、特に低温で排ガス中の分解処理が可能となる。

【００８６】更に、本発明によれば、特にゴミ焼却炉等
の排ガス処理において、排ガスを１５０℃程度の低温度
領域で除塵装置を通過させた後、２００℃以上に排ガス
を再加熱することなく、そのままの低温で有害物質を分
解できるので、排ガス処理装置の小型化や低コスト化が
でき、環境浄化に有効である。

【図面の簡単な説明】

【図１】排ガス処理装置の一例を示す概略図である。

【符号の説明】

１１排ガス１２除塵装置１３触媒装置１４煙突１５アンモニア注入ノズル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｂ０１Ｊ 32/00 ＺＡＢＢ０１Ｊ 23/84 ３０１Ａ (72)発明者田浦昌純神奈川県横浜市金沢区幸浦一丁目８番地１三菱重工業株式会社基盤技術研究所内 (72)発明者野島繁広島県広島市西区観音新町四丁目６番22号三菱重工業株式会社広島研究所内 (72)発明者志田惠神奈川県横浜市金沢区幸浦一丁目８番地１三菱重工業株式会社横浜研究所内 (72)発明者村上勇一郎神奈川県横浜市中区錦町12番地菱日エンジニアリング株式会社Ｆターム(参考） 4D048 AA06 AA11 AB03 BA06X BA07X BA14X BA21X BA23X BA26X BA27X BA35X BA42X BB01 4G069 AA03 BA01B BA02A BA02B BA04A BA04B BB06A BB06B BC01A BC22A BC22B BC31A BC31B BC50A BC50B BC54A BC54B BC59A BC59B BC60A BC60B BD05A BD05B CA02 CA04 CA10 CA13 CA19 EA01X EA01Y EC03X EC03Y FA02 FB06 FB09 FB30

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】焼却炉，熱分解炉，溶融炉等から排出さ
れる排ガスを浄化する排ガス処理用触媒であって、酸化チタン又は酸化チタンに酸化珪素、酸化スズから一
種以上を添加した酸化チタン系複合酸化物を担体とし、その上に活性体を担持させることを特徴とする排ガス処
理用触媒。
【請求項２】請求項１において、上記担体の水溶液に主として三価の活性体成分を添加
し、アルカリ溶液で共沈させて、主として三価の活性体
を担体粒子に担持した後、酸化雰囲気で加熱して活性体
の価数を三価から五価に変える共沈及び原子価制御法に
より活性体を担体に担持してなることを特徴とする排ガ
ス処理用触媒。
【請求項３】請求項１又は２において、上記活性体が酸化バナジウム又は、酸化バナジウムに、
銅，モリブデン，タングステンの群からから選ばれる少
なくとも一種の酸化物を添加したバナジア系複合酸化物
微粒子であることを特徴とする排ガス処理用触媒。
【請求項４】請求項１乃至３において、上記活性体を３〜３０重量％担持させ、比表面積が１０
０ｍ²／ｇ以上であり、触媒反応温度が１００から３０
０℃であることを特徴とする排ガス処理用触媒。
【請求項５】請求項１乃至３において、上記活性体を３〜３０重量％担持させ、比表面積が２０
０ｍ²／ｇ以上であり、触媒反応温度が１００〜２００
℃であることを特徴とする排ガス処理用触媒。
【請求項６】チタン化合物、珪素化合物、スズ化合物
から一種以上を含有する水溶液に、３〜３０重量％触媒活性体を担持させるのに必要な三価
のバナジウム化合物、銅化合物、モリブデン化合物、タ
ングステン化合物の群からから一種以上を含有する溶液
を添加し、次いで、水又は水と水溶性アルコールを加えて溶液中の
チタン化合物の濃度が0.５〜0.０５モル／リットルにな
るように調製し、続いて攪拌しながらこの溶液に濃度３〜0.５モル／リッ
トルのアルカリ性水溶液を滴下して中和する共沈法によ
り沈澱物を生成させ、この沈澱物を洗浄、乾燥し、２５０〜５５０℃の温度で
酸化雰囲気中で熱処理することによりバナジウムの価数
を三価から五価に変えることを特徴とする共沈及び原子
価制御法による排ガス処理用触媒の製造方法。
【請求項７】請求項６において、共沈法により沈澱物を生成させた後、この沈澱物を洗浄
し、続いてタングステン化合物の溶液を加え、混練して
乾燥させ、２５０〜５５０℃の温度で酸化雰囲気中で熱
処理することを特徴とする製造方法。
【請求項８】排ガス中の有害物質を請求項１乃至５の
触媒に接触させ、排ガス中の有害物質を分解処理するこ
とを特徴とする排ガス処理方法。
【請求項９】請求項８において、上記排ガス中の有害物質がダイオキシン類，ポリハロゲ
ン化ビフェニル類，ハロゲン化ベンゼン類，ハロゲン化
フェノール類及びハロゲン化トルエン類から選ばれる少
なくとも一種のハロゲン化芳香族化合物であることを特
徴とする排ガス処理方法。
【請求項１０】請求項８において、上記ダイオキシン類が、ポリ塩化ジベンゾ−ｐ−ダイオ
キシン類（ＰＣＤＤｓ）、ポリ塩化ジベンゾフラン類
（ＰＣＤＦｓ）、ポリ臭化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン
類（ＰＢＤＤｓ）、ポリ臭化ジベンゾフラン類（ＰＢＤ
Ｆｓ）、ポリ弗化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン類（ＰＦ
ＤＤｓ）、ポリ弗化ジベンゾフラン類（ＰＦＤＦｓ）、
ポリ沃素化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン類（ＰＩＤＤ
ｓ）、ポリ沃素化ジベンゾフラン類（ＰＩＤＦｓ）であ
ることを特徴とする排ガス処理方法。
【請求項１１】請求項９において、アンモニアの存在下に、窒素酸化物を選択的に還元して
分解することを特徴とする排ガス処理方法。
【請求項１２】焼却炉，熱分解炉，溶融炉等から排出
される排ガスを浄化する排ガス処理装置であって、排ガス中の煤塵を除塵する除塵装置と、該除塵装置の後
流側に設けた請求項１乃至５の排ガス処理用触媒を有す
る触媒装置とからなることを特徴とする排ガス処理装
置。
【請求項１３】請求項１２において、上記触媒装置に塩基性物質を導入する手段を設けたこと
を特徴とする排ガス処理装置。
【請求項１４】請求項１２又は１３において、上記触媒装置に導入する排ガスの温度を１００〜３００
℃としたことを特徴とする排ガス処理装置。