JP2000015106A - 排ガス処理用触媒、排ガス処理方法及び処理装置 - Google Patents
排ガス処理用触媒、排ガス処理方法及び処理装置Info
- Publication number
- JP2000015106A JP2000015106A JP10186090A JP18609098A JP2000015106A JP 2000015106 A JP2000015106 A JP 2000015106A JP 10186090 A JP10186090 A JP 10186090A JP 18609098 A JP18609098 A JP 18609098A JP 2000015106 A JP2000015106 A JP 2000015106A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust gas
- catalyst
- gas treatment
- treatment
- chlorinated aromatic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 各種焼却炉からの排ガス中に含まれる窒素酸
化物やダイオキシン類等の塩素化芳香族化合物の処理用
触媒、処理方法、装置を提供する。 【解決手段】 所定のＸ線回折パターンを有し、酸化物
のモル比で表わして（１±０．８）Ｒ2 Ｏ・〔ａＭ2 Ｏ
3 ・ｂＭ′Ｏ・ｃＡｌ2 Ｏ3 〕・ｙＳｉＯ2 （Ｒはアル
カリ金属イオン及び／又は水素イオン、ＭはVIII族元
素、希土類元素、チタン、バナジウム、クロム、ニオ
ブ、アンチモン及びガリウム等選ばれた１種以上の元素
イオン、Ｍ′はアルカリ土類金属イオン、ａ＞０、２０
＞ｂ≧０、ａ＋ｃ＝１、３０００＞ｙ＞１１）なる化学
式を有する結晶性シリケートにＶ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｆｅ，
Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ａｕから
なる群より選ばれた少なくとも１種以上の金属を担持さ
せた触媒を用いた処理装置は、除塵装置１２と、触媒装
置１３とから成る。
化物やダイオキシン類等の塩素化芳香族化合物の処理用
触媒、処理方法、装置を提供する。 【解決手段】 所定のＸ線回折パターンを有し、酸化物
のモル比で表わして（１±０．８）Ｒ2 Ｏ・〔ａＭ2 Ｏ
3 ・ｂＭ′Ｏ・ｃＡｌ2 Ｏ3 〕・ｙＳｉＯ2 （Ｒはアル
カリ金属イオン及び／又は水素イオン、ＭはVIII族元
素、希土類元素、チタン、バナジウム、クロム、ニオ
ブ、アンチモン及びガリウム等選ばれた１種以上の元素
イオン、Ｍ′はアルカリ土類金属イオン、ａ＞０、２０
＞ｂ≧０、ａ＋ｃ＝１、３０００＞ｙ＞１１）なる化学
式を有する結晶性シリケートにＶ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｆｅ，
Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ａｕから
なる群より選ばれた少なくとも１種以上の金属を担持さ
せた触媒を用いた処理装置は、除塵装置１２と、触媒装
置１３とから成る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、都市ゴミ焼却炉，
産業廃棄物焼却炉，汚泥焼却炉等の各種焼却炉から排出
される排ガスを浄化する技術に関し、特に排ガス中に含
有される窒素酸化物やダイオキシン類等の塩素化芳香族
化合物を個別に、又は同時に無害化するための排ガス処
理用触媒、排ガス処理方法及び処理装置に関する。
産業廃棄物焼却炉，汚泥焼却炉等の各種焼却炉から排出
される排ガスを浄化する技術に関し、特に排ガス中に含
有される窒素酸化物やダイオキシン類等の塩素化芳香族
化合物を個別に、又は同時に無害化するための排ガス処
理用触媒、排ガス処理方法及び処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】都市ゴ
ミ焼却炉，産業廃棄物焼却炉，汚泥焼却炉等の各種焼却
炉から排出される排ガス中には、焼却対象物の種類や焼
却条件によって、窒素酸化物の他、ダイオキシン類やＰ
ＣＢ類に代表される有害な塩素化芳香族化合物、高縮合
度芳香族炭化水素等の有害物質が含有されることがあ
り、環境ホルモンとして人体や動植物に被害をもたら
し、自然環境を破壊するものとして、深刻な社会問題化
している。
ミ焼却炉，産業廃棄物焼却炉，汚泥焼却炉等の各種焼却
炉から排出される排ガス中には、焼却対象物の種類や焼
却条件によって、窒素酸化物の他、ダイオキシン類やＰ
ＣＢ類に代表される有害な塩素化芳香族化合物、高縮合
度芳香族炭化水素等の有害物質が含有されることがあ
り、環境ホルモンとして人体や動植物に被害をもたら
し、自然環境を破壊するものとして、深刻な社会問題化
している。
【０００３】従来においては、排ガスの煤塵の除去と同
時にダイオキシン類を吸着して除去する試みが提案され
ているが、例えば除塵装置（例えばバグフィルタ）で煤
塵と共にダイオキシン類を除去した場合には、該除塵装
置のフィルタには、ダイオキシン類が吸着されているの
で、該ダイオキシン類を吸着したフィルタを別途二次処
理する必要があり、手間がかかるという問題がある。同
様に、ダイオキシン類含んだ有害物質を高温で溶融処理
する場合も該溶融物の二次処理が必要となり、別途処理
工程が増大するという問題がある。
時にダイオキシン類を吸着して除去する試みが提案され
ているが、例えば除塵装置（例えばバグフィルタ）で煤
塵と共にダイオキシン類を除去した場合には、該除塵装
置のフィルタには、ダイオキシン類が吸着されているの
で、該ダイオキシン類を吸着したフィルタを別途二次処
理する必要があり、手間がかかるという問題がある。同
様に、ダイオキシン類含んだ有害物質を高温で溶融処理
する場合も該溶融物の二次処理が必要となり、別途処理
工程が増大するという問題がある。
【０００４】また、ダイオキシン類は焼却炉内での高温
時においては熱分解されるが、ガス冷却装置を通過して
除塵装置で除塵する場合に、４００℃以下の低温領域で
はダイオキシン類の再生成がされる場合があり、問題と
なる。
時においては熱分解されるが、ガス冷却装置を通過して
除塵装置で除塵する場合に、４００℃以下の低温領域で
はダイオキシン類の再生成がされる場合があり、問題と
なる。
【０００５】このため、従来において白金等を触媒とし
て高温（３００〜５００℃）で処理することが提案され
ている（特公平４−６３２８８号公報）が、４００℃近
傍での処理には、上述したようにダイオキシン類の再生
成があり、より低温での分解処理が望まれている。
て高温（３００〜５００℃）で処理することが提案され
ている（特公平４−６３２８８号公報）が、４００℃近
傍での処理には、上述したようにダイオキシン類の再生
成があり、より低温での分解処理が望まれている。
【０００６】本発明は、上記問題に鑑み、低温域（特に
２００℃以下）におけるダイオキシン類及び高縮合度芳
香族炭化水素等の有害物質の分解活性を向上させ、排ガ
ス中の有害物質を確実に分解する排ガス処理用触媒、排
ガス処理方法及び処理装置を提供することを課題とす
る。
２００℃以下）におけるダイオキシン類及び高縮合度芳
香族炭化水素等の有害物質の分解活性を向上させ、排ガ
ス中の有害物質を確実に分解する排ガス処理用触媒、排
ガス処理方法及び処理装置を提供することを課題とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
点に鑑み、高活性であり、かつ耐久性にも優れた安価な
触媒を開発すべく、鋭意検討した。その結果、本発明者
らは、先ず、ダイオキシン等の有機塩素化合物の触媒に
よる分解メカニズムを種々の分光学的手法等により解析
し、下記の触媒メカニズムを解明した。
点に鑑み、高活性であり、かつ耐久性にも優れた安価な
触媒を開発すべく、鋭意検討した。その結果、本発明者
らは、先ず、ダイオキシン等の有機塩素化合物の触媒に
よる分解メカニズムを種々の分光学的手法等により解析
し、下記の触媒メカニズムを解明した。
【０００８】
【化１】
【０００９】
【化２】
【００１０】
【化３】
【００１１】
【化４】
【００１２】上記の触媒分解メカニズムに基づき、高活
性・高性能な触媒の条件としては、下記の要件〜を
満たす必要があると考えられる。 ダイオキシンを容易に吸着する高比表面積物質 ダイオキシンのＯ−Ｃ，Ｃ−Ｃｌ結合を開裂するこ
とができる固体酸物質 開裂した中間生成物を酸化する酸化能力物質 そこで、本発明者らは、Ｔｉ等の酸化物の比表面積や固
体酸量を多く形成する担体を用いて有機塩素化合物の高
性能化を図るとの観点より、さらに検討を続けた結果、
比表面積や固体酸量の増大方法として、Ｔｉ等の酸化物
を複合酸化物化すること等によって、上記の問題点が解
決されることを見い出した。本発明は、かかる見地より
完成されたものである。
性・高性能な触媒の条件としては、下記の要件〜を
満たす必要があると考えられる。 ダイオキシンを容易に吸着する高比表面積物質 ダイオキシンのＯ−Ｃ，Ｃ−Ｃｌ結合を開裂するこ
とができる固体酸物質 開裂した中間生成物を酸化する酸化能力物質 そこで、本発明者らは、Ｔｉ等の酸化物の比表面積や固
体酸量を多く形成する担体を用いて有機塩素化合物の高
性能化を図るとの観点より、さらに検討を続けた結果、
比表面積や固体酸量の増大方法として、Ｔｉ等の酸化物
を複合酸化物化すること等によって、上記の問題点が解
決されることを見い出した。本発明は、かかる見地より
完成されたものである。
【００１３】かかる知見に基づく本発明の［請求項１］
の発明は、下記「表２」に示されるＸ線回折パターンを
有し、脱水された状態において酸化物のモル比で表わし
て （１±０．８）Ｒ2 Ｏ・〔ａＭ2 Ｏ3 ・ｂＭ′Ｏ・ｃＡ
ｌ2 Ｏ3 〕・ｙＳｉＯ2 （上記式中、Ｒはアルカリ金属イオン及び／又は水素イ
オン、ＭはVIII族元素、希土類元素、チタン、バナジウ
ム、クロム、ニオブ、アンチモン及びガリウムからなる
群より選ばれた少なくとも１種以上の元素イオン、Ｍ′
はマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウ
ムのアルカリ土類金属イオン、ａ＞０、２０＞ｂ≧０、
ａ＋ｃ＝１、３０００＞ｙ＞１１）なる化学式を有する
結晶性シリケートにＶ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ａ
ｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ａｕからなる群よ
り選ばれた少なくとも１種以上の金属を担持させてなる
ことを特徴とする。
の発明は、下記「表２」に示されるＸ線回折パターンを
有し、脱水された状態において酸化物のモル比で表わし
て （１±０．８）Ｒ2 Ｏ・〔ａＭ2 Ｏ3 ・ｂＭ′Ｏ・ｃＡ
ｌ2 Ｏ3 〕・ｙＳｉＯ2 （上記式中、Ｒはアルカリ金属イオン及び／又は水素イ
オン、ＭはVIII族元素、希土類元素、チタン、バナジウ
ム、クロム、ニオブ、アンチモン及びガリウムからなる
群より選ばれた少なくとも１種以上の元素イオン、Ｍ′
はマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウ
ムのアルカリ土類金属イオン、ａ＞０、２０＞ｂ≧０、
ａ＋ｃ＝１、３０００＞ｙ＞１１）なる化学式を有する
結晶性シリケートにＶ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ａ
ｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ａｕからなる群よ
り選ばれた少なくとも１種以上の金属を担持させてなる
ことを特徴とする。
【表２】
【００１４】［請求項２］の発明は、排ガス中の有害物
質を請求項１の触媒に接触させ、排ガス中の塩素化芳香
族化合物を分解処理することを特徴とする。
質を請求項１の触媒に接触させ、排ガス中の塩素化芳香
族化合物を分解処理することを特徴とする。
【００１５】［請求項３］の発明は、請求項２におい
て、上記排ガス中の塩素化芳香族化合物がダイオキシン
類，ポリ塩化ビフェニル類，クロルベンゼン類，クロロ
フェノール及びクロロトルエンから選ばれる少なくとも
一種であることを特徴とする。
て、上記排ガス中の塩素化芳香族化合物がダイオキシン
類，ポリ塩化ビフェニル類，クロルベンゼン類，クロロ
フェノール及びクロロトルエンから選ばれる少なくとも
一種であることを特徴とする。
【００１６】［請求項４］の発明は、請求項２又は３に
おいて、アンモニアの存在下に、窒素酸化物を選択的に
還元除去すると同時に塩素化芳香族化合物を分解するこ
とを特徴とする。
おいて、アンモニアの存在下に、窒素酸化物を選択的に
還元除去すると同時に塩素化芳香族化合物を分解するこ
とを特徴とする。
【００１７】［請求項５］の発明は、焼却炉から排出さ
れる排ガスを浄化する排ガス処理装置であって、排ガス
中の煤塵を除塵する除塵装置と、該除塵装置の後流側に
設けた請求項１の排ガス処理用触媒を有する触媒装置と
からなることを特徴とする。
れる排ガスを浄化する排ガス処理装置であって、排ガス
中の煤塵を除塵する除塵装置と、該除塵装置の後流側に
設けた請求項１の排ガス処理用触媒を有する触媒装置と
からなることを特徴とする。
【００１８】［請求項６］の発明は、請求項５におい
て、上記触媒装置に塩基性物質を導入する手段を設けた
ことを特徴とする。
て、上記触媒装置に塩基性物質を導入する手段を設けた
ことを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。
るが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２０】本発明に係る触媒は、排ガス中に含有され
る有害物質と接触して分解して無害化することのできる
上記「表２」に示されるＸ線回折パターンを有し、脱水
された状態において酸化物のモル比で表わして （１±０．８）Ｒ2 Ｏ・〔ａＭ2 Ｏ3 ・ｂＭ′Ｏ・ｃＡ
ｌ2 Ｏ3 〕・ｙＳｉＯ2 （上記式中、Ｒはアルカリ金属イオン及び／又は水素イ
オン、ＭはVIII族元素、希土類元素、チタン、バナジウ
ム、クロム、ニオブ、アンチモン及びガリウムからなる
群より選ばれた少なくとも１種以上の元素イオン、Ｍ′
はマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウ
ムのアルカリ土類金属イオン、ａ＞０、２０＞ｂ≧０、
ａ＋ｃ＝１、３０００＞ｙ＞１１）なる化学式を有する
結晶性シリケートに、Ｖ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ａ
ｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ａｕからなる群よ
り選ばれた少なくとも１種以上の金属を担持させてなる
ものであり、後述する実施例に示すように固体酸量が従
来のハニカム触媒に比べて大幅に増大しているものであ
る。この結果、排ガス中の有害物質を効率よく分解する
ことが可能となる。ここで、上記触媒により分解される
排ガス中に含有されることの多い有害物質としては、窒
素酸化物，ダイオキシン類，高縮合度芳香族炭化水素等
の有害物質や気体状有機化合物である。
る有害物質と接触して分解して無害化することのできる
上記「表２」に示されるＸ線回折パターンを有し、脱水
された状態において酸化物のモル比で表わして （１±０．８）Ｒ2 Ｏ・〔ａＭ2 Ｏ3 ・ｂＭ′Ｏ・ｃＡ
ｌ2 Ｏ3 〕・ｙＳｉＯ2 （上記式中、Ｒはアルカリ金属イオン及び／又は水素イ
オン、ＭはVIII族元素、希土類元素、チタン、バナジウ
ム、クロム、ニオブ、アンチモン及びガリウムからなる
群より選ばれた少なくとも１種以上の元素イオン、Ｍ′
はマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウ
ムのアルカリ土類金属イオン、ａ＞０、２０＞ｂ≧０、
ａ＋ｃ＝１、３０００＞ｙ＞１１）なる化学式を有する
結晶性シリケートに、Ｖ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ａ
ｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ａｕからなる群よ
り選ばれた少なくとも１種以上の金属を担持させてなる
ものであり、後述する実施例に示すように固体酸量が従
来のハニカム触媒に比べて大幅に増大しているものであ
る。この結果、排ガス中の有害物質を効率よく分解する
ことが可能となる。ここで、上記触媒により分解される
排ガス中に含有されることの多い有害物質としては、窒
素酸化物，ダイオキシン類，高縮合度芳香族炭化水素等
の有害物質や気体状有機化合物である。
【００２１】排ガス処理に使用される触媒は、ペレット
状，板状，円筒状，コルゲート状，ハニカム状等の一体
成型された任意の形状とすればよい。なお、ガスとの接
触面積を大とすることが好ましいことは当然であるが、
粉体状触媒の充填密度の程度によっては排ガスの流動背
圧が上がり好ましくない。この対策としては通常は粉体
をその比表面積を過度に低下させることなく所定の密度
に圧縮して得た、例えばハニカム状の成型体を使用する
のが特に好ましい。また、バグフィルターに触媒成分を
含有させ、除塵と触媒分解の両方を働かせる場合は、触
媒の粉末成分をバグフィルターにコートする方法も採用
できる。
状，板状，円筒状，コルゲート状，ハニカム状等の一体
成型された任意の形状とすればよい。なお、ガスとの接
触面積を大とすることが好ましいことは当然であるが、
粉体状触媒の充填密度の程度によっては排ガスの流動背
圧が上がり好ましくない。この対策としては通常は粉体
をその比表面積を過度に低下させることなく所定の密度
に圧縮して得た、例えばハニカム状の成型体を使用する
のが特に好ましい。また、バグフィルターに触媒成分を
含有させ、除塵と触媒分解の両方を働かせる場合は、触
媒の粉末成分をバグフィルターにコートする方法も採用
できる。
【００２２】本発明に係る触媒組成物の成分及び組成比
は特に限定されるものではないが、代表例として結晶性
シリケート１００重量部に対して、触媒成分（Ｖ，Ｍ
ｎ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｉ
ｒ，Ｒｈ，Ａｕ）によって触媒活性を有するよう適宜調
製すればよい。例えばＶを触媒成分とした場合、一成分
系では例えば五酸化バナジウム等が0.００１〜５重量
部、二成分以上の系では各々0.００００５重量部以上の
配合とすることで十分活性を発現することができる。
は特に限定されるものではないが、代表例として結晶性
シリケート１００重量部に対して、触媒成分（Ｖ，Ｍ
ｎ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｉ
ｒ，Ｒｈ，Ａｕ）によって触媒活性を有するよう適宜調
製すればよい。例えばＶを触媒成分とした場合、一成分
系では例えば五酸化バナジウム等が0.００１〜５重量
部、二成分以上の系では各々0.００００５重量部以上の
配合とすることで十分活性を発現することができる。
【００２３】ここで、本発明の触媒で分解処理する排ガ
ス中の有害物質とは、窒素酸化物の他、ダイオキシン類
やＰＣＢ類に代表される有害な塩素化芳香族化合物、高
縮合度芳香族炭化水素等の有害物質や気体状有機化合物
をいうが、本発明の酸化触媒作用により分解できる排ガ
ス中の有害物質（又は環境ホルモン）であればこれらに
限定されるものではない。
ス中の有害物質とは、窒素酸化物の他、ダイオキシン類
やＰＣＢ類に代表される有害な塩素化芳香族化合物、高
縮合度芳香族炭化水素等の有害物質や気体状有機化合物
をいうが、本発明の酸化触媒作用により分解できる排ガ
ス中の有害物質（又は環境ホルモン）であればこれらに
限定されるものではない。
【００２４】ここで、上記ダイオキシン類とは、ポリ塩
化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン類（ＰＣＤＤｓ）及びポ
リ塩化ジベンゾフラン類（ＰＣＤＦｓ）の総称であり、
塩素系化合物とある種の有機塩素化合物の燃焼時に微量
発生するといわれ、化学的に無色の結晶である。塩素の
数によって二塩化物から八塩化物まであり、異性体には
ＰＣＤＤｓで７５種類、ＰＣＤＦｓで１３５種類におよ
び、これらのうち、特に四塩化ジベンゾ−ｐ−ダイオキ
シン（Ｔ4 ＣＤＤ）は、最も強い毒性を有するものとし
て知られている。なお、有害な塩素化芳香族化合物とし
ては、ダイオキシン類の他にその前駆体となる種々の有
機塩素化合物（例えば、フェノール，ベンゼン等の芳香
族化合物（例えばクロルベンゼン類，クロロフェノール
及びクロロトルエン等）、塩素化アルキル化合物等）が
含まれており、排ガス中から除去する必要がある。
化ジベンゾ−ｐ−ダイオキシン類（ＰＣＤＤｓ）及びポ
リ塩化ジベンゾフラン類（ＰＣＤＦｓ）の総称であり、
塩素系化合物とある種の有機塩素化合物の燃焼時に微量
発生するといわれ、化学的に無色の結晶である。塩素の
数によって二塩化物から八塩化物まであり、異性体には
ＰＣＤＤｓで７５種類、ＰＣＤＦｓで１３５種類におよ
び、これらのうち、特に四塩化ジベンゾ−ｐ−ダイオキ
シン（Ｔ4 ＣＤＤ）は、最も強い毒性を有するものとし
て知られている。なお、有害な塩素化芳香族化合物とし
ては、ダイオキシン類の他にその前駆体となる種々の有
機塩素化合物（例えば、フェノール，ベンゼン等の芳香
族化合物（例えばクロルベンゼン類，クロロフェノール
及びクロロトルエン等）、塩素化アルキル化合物等）が
含まれており、排ガス中から除去する必要がある。
【００２５】また、ＰＣＢ類（ポリ塩化ビフェニル類）
はビフェニールに塩素原子が数個付加した化合物の総称
であり、塩素の置換数、置換位置により異性体がある
が、２，６−ジクロロビフェニル、２，2'−ジクロロビ
フェニル、２，３，５−トリクロロビフェニル等が代表
的なものであり、毒性が強く、焼却した場合にはダイオ
キシン類が発生するおそれがあるものとして知られてお
り、排ガス中から除去する必要がある。
はビフェニールに塩素原子が数個付加した化合物の総称
であり、塩素の置換数、置換位置により異性体がある
が、２，６−ジクロロビフェニル、２，2'−ジクロロビ
フェニル、２，３，５−トリクロロビフェニル等が代表
的なものであり、毒性が強く、焼却した場合にはダイオ
キシン類が発生するおそれがあるものとして知られてお
り、排ガス中から除去する必要がある。
【００２６】また、高縮合度芳香族炭化水素は多核芳香
族化合物の総称であり、単数又は複数のＯＨ基を含んで
もよく、発癌性物質として認められており、排ガス中か
ら除去する必要がある。
族化合物の総称であり、単数又は複数のＯＨ基を含んで
もよく、発癌性物質として認められており、排ガス中か
ら除去する必要がある。
【００２７】また、多くの製造工程においては、煤塵に
加えて、例えばホルムアルデヒド，ベンゼン又はフェノ
ールのような気体状有機化合物を含む排ガスが発生する
こともある。これらの有機化合物もまた、環境汚染物質
であり、人間の健康を著しく損ねるので、排ガスから除
去する必要がある。
加えて、例えばホルムアルデヒド，ベンゼン又はフェノ
ールのような気体状有機化合物を含む排ガスが発生する
こともある。これらの有機化合物もまた、環境汚染物質
であり、人間の健康を著しく損ねるので、排ガスから除
去する必要がある。
【００２８】また、本発明で処理される窒素酸化物と
は、通常ＮＯ及びＮＯ2 の他、これらの混合物をいい、
ＮＯｘとも称されている。しかし、該ＮＯｘにはこれら
以外に各種酸化数の、しかも不安定な窒素酸化物も含ま
れている場合が多い。従ってｘは特に限定されるもので
はないが通常１〜２の値である。雨水等で硝酸、亜硝酸
等になり、またはＮＯは光化学スモッグの主因物質の一
つであるといわれており、人体には有害な化合物であ
る。
は、通常ＮＯ及びＮＯ2 の他、これらの混合物をいい、
ＮＯｘとも称されている。しかし、該ＮＯｘにはこれら
以外に各種酸化数の、しかも不安定な窒素酸化物も含ま
れている場合が多い。従ってｘは特に限定されるもので
はないが通常１〜２の値である。雨水等で硝酸、亜硝酸
等になり、またはＮＯは光化学スモッグの主因物質の一
つであるといわれており、人体には有害な化合物であ
る。
【００２９】すなわち、本発明による上記固体酸量が増
大した触媒を使用することにより、上述した有害物質で
ある窒素酸化物，ダイオキシン類，高縮合度芳香族炭化
水素等の有害物質や気体状有機化合物を接触的に還元又
は分解して無害化処理することができる。ここで、上記
有害物質の内排ガス中のダイオキシン類，ダイオキシン
類の前駆体，ＰＣＢ等の塩素化芳香族化合物、高縮合度
芳香族炭化水素は、本発明の酸化触媒の酸化分解により
無害化処理がなされる。
大した触媒を使用することにより、上述した有害物質で
ある窒素酸化物，ダイオキシン類，高縮合度芳香族炭化
水素等の有害物質や気体状有機化合物を接触的に還元又
は分解して無害化処理することができる。ここで、上記
有害物質の内排ガス中のダイオキシン類，ダイオキシン
類の前駆体，ＰＣＢ等の塩素化芳香族化合物、高縮合度
芳香族炭化水素は、本発明の酸化触媒の酸化分解により
無害化処理がなされる。
【００３０】また窒素酸化物については本発明の触媒を
充填した装置の前流側に塩基性物質（例えばアンモニア
等）の存在させ、還元反応により無害化処理が行われ
る。
充填した装置の前流側に塩基性物質（例えばアンモニア
等）の存在させ、還元反応により無害化処理が行われ
る。
【００３１】図１は上記触媒を用いた排ガス浄化装置の
概略図である。図１に示すように、排ガス浄化装置は、
都市ゴミ焼却炉，産業廃棄物焼却炉，汚泥焼却炉等の各
３焼却炉から排出される排ガス１１中の煤塵を除去する
除塵装置１２と、窒素酸化物，ダイオキシン類，高縮合
度芳香族炭化水素等の有害物質を除去する上述した排ガ
ス処理触媒を有する触媒装置１３と、有害物質を分解・
除去した排ガスを外部へ排出する煙突１４とから構成さ
れている。上記除塵装置１２においては、排ガス中の煤
塵及び固体状のダイオキシン類を捕集することができ、
触媒装置１３の劣化及び触媒の目詰まりを防止してい
る。
概略図である。図１に示すように、排ガス浄化装置は、
都市ゴミ焼却炉，産業廃棄物焼却炉，汚泥焼却炉等の各
３焼却炉から排出される排ガス１１中の煤塵を除去する
除塵装置１２と、窒素酸化物，ダイオキシン類，高縮合
度芳香族炭化水素等の有害物質を除去する上述した排ガ
ス処理触媒を有する触媒装置１３と、有害物質を分解・
除去した排ガスを外部へ排出する煙突１４とから構成さ
れている。上記除塵装置１２においては、排ガス中の煤
塵及び固体状のダイオキシン類を捕集することができ、
触媒装置１３の劣化及び触媒の目詰まりを防止してい
る。
【００３２】以下の排ガス中の窒素酸化物及び塩素化芳
香族化合物の濃度を示す。排ガス中の窒素酸化物の濃度
は、２００〜５０体積ｐｐｍである。排ガス中のダイオ
キシン類の塩素化芳香族化合物の濃度は、数十ｍｇ〜数
μｇ／Ｎｍ3 である。本発明では、上記排ガス１１と触
媒の接触条件は、２０〜２Ｎｍ3 ／ｈ／ｋｇ−触媒（接
触時間４〜0.４秒）である。また、排ガス処理温度は１
００〜３００℃である。この排ガス処理温度範囲では、
ダイオキシン類の前駆体の再合成によりダイオキシン類
が発生せず、好ましい処理温度である。
香族化合物の濃度を示す。排ガス中の窒素酸化物の濃度
は、２００〜５０体積ｐｐｍである。排ガス中のダイオ
キシン類の塩素化芳香族化合物の濃度は、数十ｍｇ〜数
μｇ／Ｎｍ3 である。本発明では、上記排ガス１１と触
媒の接触条件は、２０〜２Ｎｍ3 ／ｈ／ｋｇ−触媒（接
触時間４〜0.４秒）である。また、排ガス処理温度は１
００〜３００℃である。この排ガス処理温度範囲では、
ダイオキシン類の前駆体の再合成によりダイオキシン類
が発生せず、好ましい処理温度である。
【００３３】また、除塵装置（例えばバグフィルタ等）
１２で処理する際に排ガスを冷却して低温とした場合で
あっても、２００℃前後であれば、再可熱することなく
排ガス中の有害物質を処理することが可能となる。な
お、除塵装置１２での効率のよい捕集を行うために、除
塵装置１２の前流側で冷却装置を用いて冷却した場合で
も、触媒装置に入る前に、再加熱する場合であってもダ
イオキシン類の再生成率が低い２５０℃を限度とするの
がよい。
１２で処理する際に排ガスを冷却して低温とした場合で
あっても、２００℃前後であれば、再可熱することなく
排ガス中の有害物質を処理することが可能となる。な
お、除塵装置１２での効率のよい捕集を行うために、除
塵装置１２の前流側で冷却装置を用いて冷却した場合で
も、触媒装置に入る前に、再加熱する場合であってもダ
イオキシン類の再生成率が低い２５０℃を限度とするの
がよい。
【００３４】本発明の焼却炉からの排ガス浄化装置で
は、脱硝及びダイオキシン類の除去を一つの触媒装置１
３で同時に行うことができ、その場合には、塩基性物質
として例えばアンモニアを注入する注入ノズル１５を介
してアンモニアを触媒装置１３内に導入すればよい。
は、脱硝及びダイオキシン類の除去を一つの触媒装置１
３で同時に行うことができ、その場合には、塩基性物質
として例えばアンモニアを注入する注入ノズル１５を介
してアンモニアを触媒装置１３内に導入すればよい。
【００３５】本発明の処理対象としては、特に都市ゴミ
や産業廃棄物等の排ガスなどが挙げられる。このような
燃焼排ガスには、通常、テトラクロロジベンゾダイオキ
シンやペンタクロロジベンゾフランで代表されるダイオ
キシン類が１〜１００ｎｇＴＥＱ／Ｎｍ3 含まれてい
る。さらに、排ガス中にはこれらダイオキシンの前駆体
となる種々の有機塩素化合物も多量に含まれている。ダ
イオキシンの排出に関しては、法律（平成１０年度厚生
省排出規制値）により排出濃度として0.１ｎｇＴＥＱ／
Ｎｍ3 以下に制定されているが、本発明の触媒を適用す
ることにより、これらの基準を満たすことが可能とな
る。
や産業廃棄物等の排ガスなどが挙げられる。このような
燃焼排ガスには、通常、テトラクロロジベンゾダイオキ
シンやペンタクロロジベンゾフランで代表されるダイオ
キシン類が１〜１００ｎｇＴＥＱ／Ｎｍ3 含まれてい
る。さらに、排ガス中にはこれらダイオキシンの前駆体
となる種々の有機塩素化合物も多量に含まれている。ダ
イオキシンの排出に関しては、法律（平成１０年度厚生
省排出規制値）により排出濃度として0.１ｎｇＴＥＱ／
Ｎｍ3 以下に制定されているが、本発明の触媒を適用す
ることにより、これらの基準を満たすことが可能とな
る。
【００３６】本発明の触媒を用いて都市ゴミや産業廃棄
物等の排ガス中のダイオキシン等を含む有機塩素化合物
を除去する条件としては、好ましくは温度１００〜３０
０℃，ＧＨＳＶ１０００〜２００００ｈ-1，酸素濃度0.
１〜２１％の範囲に入ることが挙げられ、アンモニアを
添加して排ガス窒素酸化物を同時に除去することもでき
る。
物等の排ガス中のダイオキシン等を含む有機塩素化合物
を除去する条件としては、好ましくは温度１００〜３０
０℃，ＧＨＳＶ１０００〜２００００ｈ-1，酸素濃度0.
１〜２１％の範囲に入ることが挙げられ、アンモニアを
添加して排ガス窒素酸化物を同時に除去することもでき
る。
【００３７】
【実施例】以下、実施例により本発明をより詳細に説明
するが、本発明はこれらの実施例によって何ら制限され
るものではない。
するが、本発明はこれらの実施例によって何ら制限され
るものではない。
【００３８】［実施例１：排ガス中の有害物質の分解触
媒の調製］ 水ガラス１号（ＳｉＯ2 ：３０％）：５６１６ｇを水：
５４２９ｇに溶解し、この溶液を溶液Ａとした。一方、
水：４１７５ｇに硫酸アルミニウム：７１８．９ｇ、塩
化第二鉄：１１０ｇ、酢酸カルシウム：４７．２ｇ、塩
化ナトリウム：２６２ｇ及び濃塩酸：２０２０ｇを混合
して溶解し、この溶液を溶液Ｂとした。溶液Ａと溶液Ｂ
を一定割合で供給して沈殿を生成させ、十分攪拌してｐ
Ｈ：８．０のスラリを得た。このスラリを２０リットル
のオートクレーブに仕込み、さらにテトラプロピルアン
モニウムブロマイドを５００ｇを添加し、１６０℃にて
７２時間水熱合成を行い、合成後水洗して乾燥させ、さ
らに５００℃、３時間焼成させ結晶性シリケート１を得
た。この結晶性シリケート１は酸化物のモル比で（結晶
水を省く）０．５Ｎａ2 Ｏ・０．５Ｈ2 Ｏ・〔０．８Ａ
ｌ2 Ｏ3 ・０．２Ｆｅ2 Ｏ3 ・０．２５ＣａＯ〕・２５
ＳｉＯ2 の組成式で表され、結晶構造はＸ線回折で前記
表１にて表示されるものであった。
媒の調製］ 水ガラス１号（ＳｉＯ2 ：３０％）：５６１６ｇを水：
５４２９ｇに溶解し、この溶液を溶液Ａとした。一方、
水：４１７５ｇに硫酸アルミニウム：７１８．９ｇ、塩
化第二鉄：１１０ｇ、酢酸カルシウム：４７．２ｇ、塩
化ナトリウム：２６２ｇ及び濃塩酸：２０２０ｇを混合
して溶解し、この溶液を溶液Ｂとした。溶液Ａと溶液Ｂ
を一定割合で供給して沈殿を生成させ、十分攪拌してｐ
Ｈ：８．０のスラリを得た。このスラリを２０リットル
のオートクレーブに仕込み、さらにテトラプロピルアン
モニウムブロマイドを５００ｇを添加し、１６０℃にて
７２時間水熱合成を行い、合成後水洗して乾燥させ、さ
らに５００℃、３時間焼成させ結晶性シリケート１を得
た。この結晶性シリケート１は酸化物のモル比で（結晶
水を省く）０．５Ｎａ2 Ｏ・０．５Ｈ2 Ｏ・〔０．８Ａ
ｌ2 Ｏ3 ・０．２Ｆｅ2 Ｏ3 ・０．２５ＣａＯ〕・２５
ＳｉＯ2 の組成式で表され、結晶構造はＸ線回折で前記
表１にて表示されるものであった。
【００３９】上記結晶性シリケート１を４ＮのＮＨ4 Ｃ
ｌ水溶液４０℃に３時間攪拌してＮＨ4 イオン交換を実
施した。イオン交換後洗浄して１００℃、２４時間乾燥
させた後、４００℃、３時間焼成してＨ型の結晶性シリ
ケート１を得た。
ｌ水溶液４０℃に３時間攪拌してＮＨ4 イオン交換を実
施した。イオン交換後洗浄して１００℃、２４時間乾燥
させた後、４００℃、３時間焼成してＨ型の結晶性シリ
ケート１を得た。
【００４０】このＨ型結晶性シリケートに、各々メタバ
ナジン酸アンモニウム水溶液、硝酸マンガン水溶液、硝
酸コバルト水溶液、硝酸銅水溶液硝酸銀、塩化白金酸水
溶液、硝酸パラジウム水溶液、塩化ルテニウム水溶液、
塩化イリジウム水溶液、塩化ロジウム水溶液を含浸し、
蒸発乾固後、５００℃×３時間焼成して粉末触媒を得
た。
ナジン酸アンモニウム水溶液、硝酸マンガン水溶液、硝
酸コバルト水溶液、硝酸銅水溶液硝酸銀、塩化白金酸水
溶液、硝酸パラジウム水溶液、塩化ルテニウム水溶液、
塩化イリジウム水溶液、塩化ロジウム水溶液を含浸し、
蒸発乾固後、５００℃×３時間焼成して粉末触媒を得
た。
【００４１】得られた粉末触媒：１００ｇに対して、バ
インダとしてアルミナゾル：３ｇ（Ａｌ2 Ｏ3 ：１０
％）、シリカゾル：５５ｇ（ＳｉＯ2 ：２０ｗｔ％）及
び水：２００ｇを加え、スラリとし、コージェライトハ
ニカム基材（４００セル／ｉｎｃｈ2 ）にウォッシュコ
ートして基材表面積あたり８０ｇ／ｍ2 のコート量に担
持した。
インダとしてアルミナゾル：３ｇ（Ａｌ2 Ｏ3 ：１０
％）、シリカゾル：５５ｇ（ＳｉＯ2 ：２０ｗｔ％）及
び水：２００ｇを加え、スラリとし、コージェライトハ
ニカム基材（４００セル／ｉｎｃｈ2 ）にウォッシュコ
ートして基材表面積あたり８０ｇ／ｍ2 のコート量に担
持した。
【００４２】得られた触媒を有害物質分解触媒１〜１０
とした。これらの分解触媒１〜１０はそれぞれＶ2 Ｏ5
を３ｗｔ％、ＭｎＯ2 を３ｗｔ％、Ｃｏ3 Ｏ4 を３ｗｔ
％、ＣｕＯを３ｗｔ％、ＡｇＯを３ｗｔ％、Ｐｔを１ｗ
ｔ％、Ｐｄを１ｗｔ％、Ｒｕを１ｗｔ％、Ｉｒを１ｗｔ
％、Ｒｈを１ｗｔ％、各々担持されたものであった。
とした。これらの分解触媒１〜１０はそれぞれＶ2 Ｏ5
を３ｗｔ％、ＭｎＯ2 を３ｗｔ％、Ｃｏ3 Ｏ4 を３ｗｔ
％、ＣｕＯを３ｗｔ％、ＡｇＯを３ｗｔ％、Ｐｔを１ｗ
ｔ％、Ｐｄを１ｗｔ％、Ｒｕを１ｗｔ％、Ｉｒを１ｗｔ
％、Ｒｈを１ｗｔ％、各々担持されたものであった。
【００４３】（有害物質分解触媒１１〜２４の調製）上
記分解触媒１〜１０の調製での結晶性シリケート１の合
成法において、塩化第二鉄の代わりに、塩化コバルト，
塩化ルテニウム，塩化ロジウム，塩化ランタン，塩化セ
リウム，塩化チタン，塩化バナジウム，塩化クロム，塩
化アンチモン，塩化ガリウム及び塩化ニオブを各々酸化
物換算でＦｅ2 Ｏ3 と同じモル数だけ添加した以外は結
晶性シリケート１と同様の操作を繰り返して結晶性シリ
ケート２〜１２を調製した。これらの結晶性シリケート
２〜１２の結晶構造はＸ線回折で前記「表２」に表示さ
れるものであり、その組成は酸化物のモル比（脱水され
た形態）で表わして、０．５Ｎａ2 Ｏ・０．５Ｈ2 Ｏ・
（０．２Ｍ2 Ｏ3 ・０．８Ａｌ2 Ｏ3 ・０．２５Ｃａ
Ｏ）・２５ＳｉＯ2 である。ここでＭはＣｏ，Ｒｕ，Ｒ
ｈ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｎｂで
ある。
記分解触媒１〜１０の調製での結晶性シリケート１の合
成法において、塩化第二鉄の代わりに、塩化コバルト，
塩化ルテニウム，塩化ロジウム，塩化ランタン，塩化セ
リウム，塩化チタン，塩化バナジウム，塩化クロム，塩
化アンチモン，塩化ガリウム及び塩化ニオブを各々酸化
物換算でＦｅ2 Ｏ3 と同じモル数だけ添加した以外は結
晶性シリケート１と同様の操作を繰り返して結晶性シリ
ケート２〜１２を調製した。これらの結晶性シリケート
２〜１２の結晶構造はＸ線回折で前記「表２」に表示さ
れるものであり、その組成は酸化物のモル比（脱水され
た形態）で表わして、０．５Ｎａ2 Ｏ・０．５Ｈ2 Ｏ・
（０．２Ｍ2 Ｏ3 ・０．８Ａｌ2 Ｏ3 ・０．２５Ｃａ
Ｏ）・２５ＳｉＯ2 である。ここでＭはＣｏ，Ｒｕ，Ｒ
ｈ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｎｂで
ある。
【００４４】さらに、結晶性シリケート１の合成法にお
いて、酢酸カルシウムの代わりに酢酸マグネシウム、酢
酸ストロンチウム、酢酸バリウムを各々酸化物換算でＣ
ａＯと同じモル数だけ添加した以外は結晶性シリケート
１と同様の操作を繰り返して、結晶性シリケート１３〜
１５を調製した。これらの結晶性シリケートの結晶構造
はＸ線回折で前記「表２」に表示されるものであり、そ
の組成は酸化物のモル比（脱水された形態）で表して、
０．５Ｎａ2 Ｏ：０．５Ｈ2 Ｏ・（０．２Ｆｅ2 Ｏ3 ・
０．８Ａｌ2 Ｏ3 ・０．２５ＭｅＯ）・２５ＳｉＯ2 で
ある。ここでＭｅはＭｇ，Ｓｒ，Ｂａである。
いて、酢酸カルシウムの代わりに酢酸マグネシウム、酢
酸ストロンチウム、酢酸バリウムを各々酸化物換算でＣ
ａＯと同じモル数だけ添加した以外は結晶性シリケート
１と同様の操作を繰り返して、結晶性シリケート１３〜
１５を調製した。これらの結晶性シリケートの結晶構造
はＸ線回折で前記「表２」に表示されるものであり、そ
の組成は酸化物のモル比（脱水された形態）で表して、
０．５Ｎａ2 Ｏ：０．５Ｈ2 Ｏ・（０．２Ｆｅ2 Ｏ3 ・
０．８Ａｌ2 Ｏ3 ・０．２５ＭｅＯ）・２５ＳｉＯ2 で
ある。ここでＭｅはＭｇ，Ｓｒ，Ｂａである。
【００４５】上記結晶性シリケート２〜１５を用いてハ
ニカム触媒１と同様の方法でＨ型の結晶性シリケート２
〜１５を得た。このＨ型結晶性シリケートに、各々塩化
白金酸水溶液を含浸し、蒸発乾固後、５００℃×３時間
焼成し、Ｐｔを１ｗｔ％担持した粉末触媒を得た。これ
らの粉末触媒を有害物質分解触媒１〜１０と同様にコー
ジェライトモノリス基材にコートして有害物質分解触媒
１１〜２４を得た。
ニカム触媒１と同様の方法でＨ型の結晶性シリケート２
〜１５を得た。このＨ型結晶性シリケートに、各々塩化
白金酸水溶液を含浸し、蒸発乾固後、５００℃×３時間
焼成し、Ｐｔを１ｗｔ％担持した粉末触媒を得た。これ
らの粉末触媒を有害物質分解触媒１〜１０と同様にコー
ジェライトモノリス基材にコートして有害物質分解触媒
１１〜２４を得た。
【００４６】〔比較例１〕ＴｉＯ2 担体にＶ2 Ｏ5 ３ｗ
ｔ％担持した粉末触媒を実施例１と同様の方法によりハ
ニカム基材にコートしてハニカム触媒を調製した。本粉
末触媒番号を比較粉末１、ハニカム触媒を比較ハニカム
触媒１とする。
ｔ％担持した粉末触媒を実施例１と同様の方法によりハ
ニカム基材にコートしてハニカム触媒を調製した。本粉
末触媒番号を比較粉末１、ハニカム触媒を比較ハニカム
触媒１とする。
【００４７】［触媒活性評価］上記得られた上記分解触
媒１〜２４、及び比較例１で得られた比較ハニカム触媒
１を用いて実排ガスによるダイオキシンの触媒分解試験
を行った。試験条件や実排ガスの組成等を以下に示す。 温 度 ： ２００℃ ガス量 ： １５２Ｎｍ3 ／ｈ 触媒形状： １５０ｍｍ×１５０ｍｍ×７５０ｍｍ（１
6.９Ｌ） ＧＨＳＶ： ９０００ｈ-1 空塔速度： 3.３ｍ／ｓ 〔ガス組成〕 入口ダイオキシン濃度： ５ｎｇＴＥＱ／ｍ3 Ｎ Ｈ2 Ｏ ： ２０％ Ｏ2 ： １０％ Ｎ2 ： バランス なお、触媒前後におけるダイオキシン濃度はＴＥＱ値に
て表示し、分析は排ガスを吸引して、種々の濃縮工程を
経て質量分析計を用いて行った。触媒反応装置の入口と
出口のダイオキシン類濃度をそれぞれ測定し、下記式
（１）より、ダイオキシン類（ポリ塩化ジベンゾ−ｐ−
ダイオキシン類（ＰＣＤＤｓ）及びポリ塩化ジベンゾフ
ラン類（ＰＣＤＦｓ））の分解率（η）を測定した。そ
の試験条件及び試験結果を「表３」，「表４」に示す。
媒１〜２４、及び比較例１で得られた比較ハニカム触媒
１を用いて実排ガスによるダイオキシンの触媒分解試験
を行った。試験条件や実排ガスの組成等を以下に示す。 温 度 ： ２００℃ ガス量 ： １５２Ｎｍ3 ／ｈ 触媒形状： １５０ｍｍ×１５０ｍｍ×７５０ｍｍ（１
6.９Ｌ） ＧＨＳＶ： ９０００ｈ-1 空塔速度： 3.３ｍ／ｓ 〔ガス組成〕 入口ダイオキシン濃度： ５ｎｇＴＥＱ／ｍ3 Ｎ Ｈ2 Ｏ ： ２０％ Ｏ2 ： １０％ Ｎ2 ： バランス なお、触媒前後におけるダイオキシン濃度はＴＥＱ値に
て表示し、分析は排ガスを吸引して、種々の濃縮工程を
経て質量分析計を用いて行った。触媒反応装置の入口と
出口のダイオキシン類濃度をそれぞれ測定し、下記式
（１）より、ダイオキシン類（ポリ塩化ジベンゾ−ｐ−
ダイオキシン類（ＰＣＤＤｓ）及びポリ塩化ジベンゾフ
ラン類（ＰＣＤＦｓ））の分解率（η）を測定した。そ
の試験条件及び試験結果を「表３」，「表４」に示す。
【００４８】
【数１】 分解率（η）＝（１−出口ＤＸＮ濃度／入口ＤＸＮ濃度）×１００ …(1)
【００４９】
【表３】
【００５０】
【表４】 この結果より、実排ガスを開発触媒に接触させることに
より、いずれの場合も触媒出口ダイオキシン濃度は、0.
１ｎｇＴＥＱ／ｍ3 Ｎ以下を達成できることがわかっ
た。
より、いずれの場合も触媒出口ダイオキシン濃度は、0.
１ｎｇＴＥＱ／ｍ3 Ｎ以下を達成できることがわかっ
た。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の［請求項
１］によれば、前記「表２」に示されるＸ線回折パター
ンを有し、脱水された状態において酸化物のモル比で表
わして （１±０．８）Ｒ2 Ｏ・〔ａＭ2 Ｏ3 ・ｂＭ′Ｏ・ｃＡ
ｌ2 Ｏ3 〕・ｙＳｉＯ2 （上記式中、Ｒはアルカリ金属イオン及び／又は水素イ
オン、ＭはVIII族元素、希土類元素、チタン、バナジウ
ム、クロム、ニオブ、アンチモン及びガリウムからなる
群より選ばれた少なくとも１種以上の元素イオン、Ｍ′
はマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウ
ムのアルカリ土類金属イオン、ａ＞０、２０＞ｂ≧０、
ａ＋ｃ＝１、３０００＞ｙ＞１１）なる化学式を有する
結晶性シリケートにＶ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ａ
ｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ａｕからなる群よ
り選ばれた少なくとも１種以上の金属を担持させてなる
ので、固体酸量が増大し排ガス中の有害物質であるダイ
オキシン類の分解及び脱硝率が良好なものとなる。
１］によれば、前記「表２」に示されるＸ線回折パター
ンを有し、脱水された状態において酸化物のモル比で表
わして （１±０．８）Ｒ2 Ｏ・〔ａＭ2 Ｏ3 ・ｂＭ′Ｏ・ｃＡ
ｌ2 Ｏ3 〕・ｙＳｉＯ2 （上記式中、Ｒはアルカリ金属イオン及び／又は水素イ
オン、ＭはVIII族元素、希土類元素、チタン、バナジウ
ム、クロム、ニオブ、アンチモン及びガリウムからなる
群より選ばれた少なくとも１種以上の元素イオン、Ｍ′
はマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウ
ムのアルカリ土類金属イオン、ａ＞０、２０＞ｂ≧０、
ａ＋ｃ＝１、３０００＞ｙ＞１１）なる化学式を有する
結晶性シリケートにＶ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ａ
ｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ａｕからなる群よ
り選ばれた少なくとも１種以上の金属を担持させてなる
ので、固体酸量が増大し排ガス中の有害物質であるダイ
オキシン類の分解及び脱硝率が良好なものとなる。
【００５２】［請求項２］の発明によれば、排ガス中の
有害物質を請求項１又は２の触媒に接触させるので、排
ガス中の有害物質を分解処理することができる。
有害物質を請求項１又は２の触媒に接触させるので、排
ガス中の有害物質を分解処理することができる。
【００５３】［請求項３］の発明によれば、特に上記排
ガス中の有害物質がダイオキシン類，ポリ塩化ビフェニ
ル類，クロルベンゼン類，クロロフェノール及びクロロ
トルエンから選ばれる少なくとも一種の塩素化芳香族化
合物を分解処理することができる。
ガス中の有害物質がダイオキシン類，ポリ塩化ビフェニ
ル類，クロルベンゼン類，クロロフェノール及びクロロ
トルエンから選ばれる少なくとも一種の塩素化芳香族化
合物を分解処理することができる。
【００５４】［請求項４］の発明によれば、請求項２又
は３において、アンモニアの存在下においては、更に窒
素酸化物を選択的に還元して分解処理することができ
る。
は３において、アンモニアの存在下においては、更に窒
素酸化物を選択的に還元して分解処理することができ
る。
【００５５】［請求項５］の発明によれば、焼却炉から
排出される排ガスを浄化する排ガス処理装置であって、
排ガス中の煤塵を除塵する除塵装置と、該除塵装置の後
流側に設けた請求項１の排ガス処理用触媒を有する触媒
装置とからなるので、固体酸量の増大により排ガス中の
ダイオキシン類，ダイオキシン類の前駆体，ＰＣＢ等の
塩素化芳香族化合物、高縮合度芳香族炭化水素の酸化分
解が可能となる。
排出される排ガスを浄化する排ガス処理装置であって、
排ガス中の煤塵を除塵する除塵装置と、該除塵装置の後
流側に設けた請求項１の排ガス処理用触媒を有する触媒
装置とからなるので、固体酸量の増大により排ガス中の
ダイオキシン類，ダイオキシン類の前駆体，ＰＣＢ等の
塩素化芳香族化合物、高縮合度芳香族炭化水素の酸化分
解が可能となる。
【００５６】［請求項６］の発明によれば、請求項５に
おいて、上記触媒装置に塩基性物質を導入する手段を設
けたので、また塩基性ガスの添加により脱硝が可能とな
り、両者の併合した分解が可能となる。
おいて、上記触媒装置に塩基性物質を導入する手段を設
けたので、また塩基性ガスの添加により脱硝が可能とな
り、両者の併合した分解が可能となる。
【００５７】また、脱硝用の触媒と塩素化芳香族化合
物、高縮合度芳香族炭化水素の酸化分解用の触媒とを別
々にした触媒装置を並列にしても排ガスの分解が可能と
なる。
物、高縮合度芳香族炭化水素の酸化分解用の触媒とを別
々にした触媒装置を並列にしても排ガスの分解が可能と
なる。
【００５８】さらに、本発明による触媒装置と低温除塵
装置とを組み合わせることにより、排ガス中のダイオキ
シン類等の塩素化芳香族化合物、高縮合度芳香族炭化水
素の除去及び脱硝が可能となると共に、ダスト，ＨＣ
ｌ，ＳＯｘ，重金属等の有害物質を一括同時に除去する
ことが可能となる。
装置とを組み合わせることにより、排ガス中のダイオキ
シン類等の塩素化芳香族化合物、高縮合度芳香族炭化水
素の除去及び脱硝が可能となると共に、ダスト，ＨＣ
ｌ，ＳＯｘ，重金属等の有害物質を一括同時に除去する
ことが可能となる。
【００５９】以上のように、本発明によれば、Ｔｉ系の
複合酸化物を担体とする触媒は固体酸量を大幅に増大さ
せることができるため、例えばダイオキシン等に代表さ
れる有害物質をを容易に、かつ効率的に分解除去でき
る。そして、本発明の触媒を用いれば、環境問題等の生
じない低濃度まで有害物質を除去できるので、産業上極
めて大きな意義を有する。
複合酸化物を担体とする触媒は固体酸量を大幅に増大さ
せることができるため、例えばダイオキシン等に代表さ
れる有害物質をを容易に、かつ効率的に分解除去でき
る。そして、本発明の触媒を用いれば、環境問題等の生
じない低濃度まで有害物質を除去できるので、産業上極
めて大きな意義を有する。
【図１】排ガス処理装置の一例を示す概略図である。
１１ 排ガス １２ 除塵装置 １３ 触媒装置 １４ 煙突 １５ アンモニア注入ノズル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０１Ｊ 29/076 Ｂ０１Ｄ 53/36 １０２Ｇ １０３Ｃ
Claims (6)
- 【請求項１】 下記「表１」に示されるＸ線回折パター
ンを有し、脱水された状態において酸化物のモル比で表
わして （１±０．８）Ｒ2 Ｏ・〔ａＭ2 Ｏ3 ・ｂＭ′Ｏ・ｃＡ
ｌ2 Ｏ3 〕・ｙＳｉＯ2 （上記式中、Ｒはアルカリ金属イオン及び／又は水素イ
オン、ＭはVIII族元素、希土類元素、チタン、バナジウ
ム、クロム、ニオブ、アンチモン及びガリウムからなる
群より選ばれた少なくとも１種以上の元素イオン、Ｍ′
はマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウ
ムのアルカリ土類金属イオン、ａ＞０、２０＞ｂ≧０、
ａ＋ｃ＝１、３０００＞ｙ＞１１）なる化学式を有する
結晶性シリケートにＶ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ａ
ｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ａｕからなる群よ
り選ばれた少なくとも１種以上の金属を担持させてなる
ことを特徴とする排ガス処理用触媒。 【表１】 - 【請求項２】 排ガス中の有害物質を請求項１の触媒に
接触させ、排ガス中の塩素化芳香族化合物を分解処理す
ることを特徴とする排ガス処理方法。 - 【請求項３】 請求項２において、 上記排ガス中の塩素化芳香族化合物がダイオキシン類，
ポリ塩化ビフェニル類，クロルベンゼン類，クロロフェ
ノール及びクロロトルエンから選ばれる少なくとも一種
であることを特徴とする排ガス処理方法。 - 【請求項４】 請求項２又は３において、 アンモニアの存在下に、窒素酸化物を選択的に還元除去
すると同時に塩素化芳香族化合物を分解することを特徴
とする排ガス処理方法。 - 【請求項５】 焼却炉から排出される排ガスを浄化する
排ガス処理装置であって、排ガス中の煤塵を除塵する除
塵装置と、該除塵装置の後流側に設けた請求項１の排ガ
ス処理用触媒を有する触媒装置とからなることを特徴と
する排ガス処理装置。 - 【請求項６】 請求項５において、上記触媒装置に塩基
性物質を導入する手段を設けたことを特徴とする排ガス
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10186090A JP2000015106A (ja) | 1998-07-01 | 1998-07-01 | 排ガス処理用触媒、排ガス処理方法及び処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10186090A JP2000015106A (ja) | 1998-07-01 | 1998-07-01 | 排ガス処理用触媒、排ガス処理方法及び処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000015106A true JP2000015106A (ja) | 2000-01-18 |
Family
ID=16182202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10186090A Withdrawn JP2000015106A (ja) | 1998-07-01 | 1998-07-01 | 排ガス処理用触媒、排ガス処理方法及び処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000015106A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010100208A (ko) * | 2000-03-16 | 2001-11-14 | 김명환 | 배기가스 및 토양에 함유된 방향족 할로겐 화합물 및페놀류 화합물을 제거하는데 사용되는 복합 촉매 및 그제조방법 |
| KR100332224B1 (ko) * | 2000-01-31 | 2002-04-12 | 조성종 | 배가스내 다이옥신 배출 제어용 산화촉매, 이의 제조방법및 용도 |
| JP2002256926A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Hitachi Ltd | 内燃機関の排ガス浄化方法及び排ガス浄化装置 |
| JP2003071291A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-11 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 排ガス処理触媒 |
| KR100382050B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2003-05-09 | 한국전력기술 주식회사 | 배가스 내의 다이옥신 및 질소산화물 제거용 저온 촉매 및이를 이용한 연소배가스의 처리방법 |
| KR100515907B1 (ko) * | 2002-06-27 | 2005-09-20 | 재단법인 한국환경기술진흥원 | 다이옥신 및/또는 질소산화물 제거용 촉매 및 이의 제조방법 |
| JP2009125736A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 排ガス処理触媒および排ガス浄化装置 |
| KR101367725B1 (ko) * | 2010-12-06 | 2014-02-26 | 그린프라 주식회사 | 질소산화물 제거용 나노촉매의 제조방법 |
| CN108837830A (zh) * | 2018-05-23 | 2018-11-20 | 江苏浩日朗环保科技有限公司 | 脱硝脱二噁英复合催化剂和制备方法 |
| CN113828349A (zh) * | 2021-10-22 | 2021-12-24 | 浙江理工大学 | 一种含氯挥发性有机物催化燃烧催化剂及其制备方法和应用 |
-
1998
- 1998-07-01 JP JP10186090A patent/JP2000015106A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100332224B1 (ko) * | 2000-01-31 | 2002-04-12 | 조성종 | 배가스내 다이옥신 배출 제어용 산화촉매, 이의 제조방법및 용도 |
| KR20010100208A (ko) * | 2000-03-16 | 2001-11-14 | 김명환 | 배기가스 및 토양에 함유된 방향족 할로겐 화합물 및페놀류 화합물을 제거하는데 사용되는 복합 촉매 및 그제조방법 |
| KR100382050B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2003-05-09 | 한국전력기술 주식회사 | 배가스 내의 다이옥신 및 질소산화물 제거용 저온 촉매 및이를 이용한 연소배가스의 처리방법 |
| JP2002256926A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Hitachi Ltd | 内燃機関の排ガス浄化方法及び排ガス浄化装置 |
| JP2003071291A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-11 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 排ガス処理触媒 |
| KR100515907B1 (ko) * | 2002-06-27 | 2005-09-20 | 재단법인 한국환경기술진흥원 | 다이옥신 및/또는 질소산화물 제거용 촉매 및 이의 제조방법 |
| JP2009125736A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 排ガス処理触媒および排ガス浄化装置 |
| KR101367725B1 (ko) * | 2010-12-06 | 2014-02-26 | 그린프라 주식회사 | 질소산화물 제거용 나노촉매의 제조방법 |
| CN108837830A (zh) * | 2018-05-23 | 2018-11-20 | 江苏浩日朗环保科技有限公司 | 脱硝脱二噁英复合催化剂和制备方法 |
| CN108837830B (zh) * | 2018-05-23 | 2021-03-16 | 江苏浩日朗环保科技有限公司 | 脱硝脱二噁英复合催化剂和制备方法 |
| CN113828349A (zh) * | 2021-10-22 | 2021-12-24 | 浙江理工大学 | 一种含氯挥发性有机物催化燃烧催化剂及其制备方法和应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0547226B1 (en) | Method of oxidative decomposition of organic halogen compound | |
| EP0544282B1 (en) | Catalyst for purifying exhaust gas | |
| EP0686423B1 (en) | Use of ammonia decomposition catalysts | |
| JPH0775720A (ja) | 排ガス処理方法及び窒素酸化物・ダイオキシン除去用触媒 | |
| JP2000015106A (ja) | 排ガス処理用触媒、排ガス処理方法及び処理装置 | |
| JP3230427B2 (ja) | 燻蒸排ガス浄化用触媒および燻蒸排ガスの浄化方法 | |
| JP3448246B2 (ja) | バグフィルタ及び排ガス浄化方法 | |
| JP3021420B2 (ja) | 排ガス処理用触媒、排ガス処理方法及び処理装置 | |
| JP3457917B2 (ja) | 排ガス処理用触媒、排ガス処理方法及び処理装置 | |
| JP3212577B2 (ja) | 排ガス処理用触媒、排ガス処理方法及び処理装置 | |
| JPH0947661A (ja) | 排ガス浄化方法および浄化触媒 | |
| JP2000024500A (ja) | 排ガス処理用触媒、排ガス処理方法及び処理装置 | |
| JP2000051648A (ja) | 排ガス処理装置及び処理方法 | |
| KR100402430B1 (ko) | 독성 오염물질 분해용 촉매 및 그 제조방법 | |
| JP3510541B2 (ja) | 排ガス処理用触媒、排ガス処理方法及び処理装置 | |
| JP2001038206A (ja) | 排ガス処理用触媒、排ガス処理方法及び処理装置 | |
| JP2005111436A (ja) | 窒素酸化物を接触的に除去するための方法とそのための装置 | |
| JP3790943B2 (ja) | 排ガス浄化用触媒及び排ガス浄化方法 | |
| JPH05245343A (ja) | 排ガス処理方法 | |
| JP2000300959A (ja) | ハロゲン含有有機化合物分解方法およびその装置 | |
| JP2948578B1 (ja) | 排ガス処理用触媒及びその製造方法、排ガス処理方法及び処理装置 | |
| WO2005018807A1 (ja) | アンモニア分解触媒および該触媒を用いたアンモニア分解方法 | |
| KR20020057941A (ko) | 다이옥신 및/또는 질소산화물 제거용 촉매 및 이의 제조방법 | |
| JP2000024498A (ja) | 排ガス処理用触媒、排ガス処理方法及び処理装置 | |
| JP3756822B2 (ja) | ダイオキシン類分解触媒、分解処理方法及び装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050906 |