JP2001021431A - 圧力センサ - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価な簡素化された構成にて相対圧を検出す
ることができる圧力センサを提供する。 【解決手段】 それぞれ異なる圧力空間Ａ、Ｂに配置さ
れた２個のセンサ素子１０、２０は、内部に圧力基準室
１１、２１が形成された半導体基板よりなり、圧力基準
室１１、１２の一面に形成されたダイヤフラム１２、２
２と、ダイヤフラム１２、２２のたわみを電気信号に変
換するゲージ１３、２３とを有し、ダイヤフラム１２、
２２とは反対側の面同士が重ね合わされ、異なる圧力空
間Ａ、Ｂを仕切る樹脂基板３０のリードフレーム３１に
形成された穴部３２を塞ぐようにリードフレーム３１に
接着されている。そして、２個のセンサ素子１０、２０
における出力の差に基づいて、異なる圧力空間Ａ、Ｂ同
士の差圧を相対圧として検出する。
ることができる圧力センサを提供する。 【解決手段】 それぞれ異なる圧力空間Ａ、Ｂに配置さ
れた２個のセンサ素子１０、２０は、内部に圧力基準室
１１、２１が形成された半導体基板よりなり、圧力基準
室１１、１２の一面に形成されたダイヤフラム１２、２
２と、ダイヤフラム１２、２２のたわみを電気信号に変
換するゲージ１３、２３とを有し、ダイヤフラム１２、
２２とは反対側の面同士が重ね合わされ、異なる圧力空
間Ａ、Ｂを仕切る樹脂基板３０のリードフレーム３１に
形成された穴部３２を塞ぐようにリードフレーム３１に
接着されている。そして、２個のセンサ素子１０、２０
における出力の差に基づいて、異なる圧力空間Ａ、Ｂ同
士の差圧を相対圧として検出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、互いに圧力の異な
る空間同士の差圧を相対圧として検出する圧力センサに
関する。
る空間同士の差圧を相対圧として検出する圧力センサに
関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、相対圧を検出する圧力センサと
しては、特開平８−２３６７８８号公報のように、セン
サ基板内部に形成されたマイクロキャビティを狙って基
板裏面から穴あけしたものが提案されている。しかしな
がら、この構成においては穴あけするための裏面加工工
程の追加が必要であり、基板裏面から表面近傍のキャビ
ティとを接続するため、専用のアライメント装置が必要
である。
しては、特開平８−２３６７８８号公報のように、セン
サ基板内部に形成されたマイクロキャビティを狙って基
板裏面から穴あけしたものが提案されている。しかしな
がら、この構成においては穴あけするための裏面加工工
程の追加が必要であり、基板裏面から表面近傍のキャビ
ティとを接続するため、専用のアライメント装置が必要
である。
【０００３】また、基板裏面からＫＯＨ等による異方性
エッチングで穴あけしようとした場合、加工寸法のばら
つきが大きいため、あけようとする穴とキャビティとの
位置合わせを行うためには、キャビティを小型化するこ
とが困難であるといった問題がある。
エッチングで穴あけしようとした場合、加工寸法のばら
つきが大きいため、あけようとする穴とキャビティとの
位置合わせを行うためには、キャビティを小型化するこ
とが困難であるといった問題がある。
【０００４】このような事情に鑑みて、例えば特開平５
−５２６９１号公報においては、２個の感圧素子により
異なる圧力の差圧をとり、相対圧を検出するようにした
ものが提案されている。これは、２個の導圧管を有する
台座ガラス上に２個の感圧ダイヤフラムチップを設け、
これらを気密容器で覆い、１個の圧力基準室を形成した
ものである。
−５２６９１号公報においては、２個の感圧素子により
異なる圧力の差圧をとり、相対圧を検出するようにした
ものが提案されている。これは、２個の導圧管を有する
台座ガラス上に２個の感圧ダイヤフラムチップを設け、
これらを気密容器で覆い、１個の圧力基準室を形成した
ものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
後者公報による構成では、台座ガラスの一面に２個のチ
ップを設け、さらに気密容器で覆うようにしているた
め、センサ全体の構成が複雑なものとなってしまう。ま
た、圧力基準室を別体の気密容器によって形成したり、
ダイヤフラムチップを台座ガラスに接合する必要がある
ため、ダイヤフラムチップを製造する通常のウェハレベ
ルでの製造工程以外に、圧力基準室を形成したり、チッ
プを接合する工程が、別途必要となる。従って、圧力セ
ンサ自体のコストが増加してしまうという問題が生じ
る。
後者公報による構成では、台座ガラスの一面に２個のチ
ップを設け、さらに気密容器で覆うようにしているた
め、センサ全体の構成が複雑なものとなってしまう。ま
た、圧力基準室を別体の気密容器によって形成したり、
ダイヤフラムチップを台座ガラスに接合する必要がある
ため、ダイヤフラムチップを製造する通常のウェハレベ
ルでの製造工程以外に、圧力基準室を形成したり、チッ
プを接合する工程が、別途必要となる。従って、圧力セ
ンサ自体のコストが増加してしまうという問題が生じ
る。
【０００６】本発明は上記問題に鑑み、安価な簡素化さ
れた構成にて相対圧を検出することができる圧力センサ
を提供することを目的とする。
れた構成にて相対圧を検出することができる圧力センサ
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明では、内部に圧力基準室（１
１、２１）が形成された半導体基板よりなり、圧力基準
室の一面に形成されたダイヤフラム（１２、２２）と、
該ダイヤフラムのたわみを電気信号に変換する変換手段
（１３、２３）とを有するセンサ素子（１０、２０）を
少なくとも２個備え、該２個のセンサ素子をそれぞれ異
なる圧力空間に配置し、該２個のセンサ素子における出
力の差に基づいて異なる圧力空間同士の差圧を相対圧と
して検出するようにしたことを特徴としている。
め、請求項１に記載の発明では、内部に圧力基準室（１
１、２１）が形成された半導体基板よりなり、圧力基準
室の一面に形成されたダイヤフラム（１２、２２）と、
該ダイヤフラムのたわみを電気信号に変換する変換手段
（１３、２３）とを有するセンサ素子（１０、２０）を
少なくとも２個備え、該２個のセンサ素子をそれぞれ異
なる圧力空間に配置し、該２個のセンサ素子における出
力の差に基づいて異なる圧力空間同士の差圧を相対圧と
して検出するようにしたことを特徴としている。
【０００８】本発明によれば、半導体基板の内部に圧力
基準室を持つセンサ素子を２個用いた構成であるため、
上記従来の２個の感圧素子及び気密容器等を用いたもの
に比べて、センサ全体の構成を簡素化できる。また、こ
のようなセンサ素子は、通常の半導体製造技術を用いて
ウェハレベルで作成可能なものであるため、製造コスト
を低減可能な構成とできる。従って、安価な簡素化され
た構成にて相対圧を検出することができる圧力センサを
提供することができる。
基準室を持つセンサ素子を２個用いた構成であるため、
上記従来の２個の感圧素子及び気密容器等を用いたもの
に比べて、センサ全体の構成を簡素化できる。また、こ
のようなセンサ素子は、通常の半導体製造技術を用いて
ウェハレベルで作成可能なものであるため、製造コスト
を低減可能な構成とできる。従って、安価な簡素化され
た構成にて相対圧を検出することができる圧力センサを
提供することができる。
【０００９】また、請求項１記載の圧力センサにおいて
は、センサ素子（１０、２０）が半導体基板よりなるか
ら、通常の半導体製造技術を用いて、請求項２の発明の
ように、２個のセンサ素子（１０、２０）の少なくとも
一方に信号処理回路構成用の素子（１４）を形成し、セ
ンサ素子と一体化させたものとすれば、より構成の簡素
化が図れる。
は、センサ素子（１０、２０）が半導体基板よりなるか
ら、通常の半導体製造技術を用いて、請求項２の発明の
ように、２個のセンサ素子（１０、２０）の少なくとも
一方に信号処理回路構成用の素子（１４）を形成し、セ
ンサ素子と一体化させたものとすれば、より構成の簡素
化が図れる。
【００１０】ここで、請求項３及び請求項４の発明のよ
うに、互いに異なる２種類の信号処理回路用の素子（１
４）を形成する場合、２個のセンサ素子（１０、２０）
の両方に、それぞれ１種類ずつ分類して形成するように
すれば、ウェハ工程を簡略化でき、結果として安価なセ
ンサを提供できる。
うに、互いに異なる２種類の信号処理回路用の素子（１
４）を形成する場合、２個のセンサ素子（１０、２０）
の両方に、それぞれ１種類ずつ分類して形成するように
すれば、ウェハ工程を簡略化でき、結果として安価なセ
ンサを提供できる。
【００１１】また、請求項５や請求項６の発明のよう
に、該センサ素子にトリミング可能な薄膜金属抵抗やＥ
ＰＲＯＭを形成することにより、製造上のばらつきによ
るセンサ特性の調整や補正が可能である。ただし、これ
ら専用の製造工程が必要なため、一方のセンサ素子（１
０）にのみ形成し、ウェハ工程の簡素化を図ることが好
ましい。
に、該センサ素子にトリミング可能な薄膜金属抵抗やＥ
ＰＲＯＭを形成することにより、製造上のばらつきによ
るセンサ特性の調整や補正が可能である。ただし、これ
ら専用の製造工程が必要なため、一方のセンサ素子（１
０）にのみ形成し、ウェハ工程の簡素化を図ることが好
ましい。
【００１２】また、請求項７〜請求項９記載の発明のよ
うに、２個のセンサ素子（１０、２０）を、双方のダイ
ヤフラム（１２、２２）とは反対側の面同士で重ね合わ
せた構成とすることによって、簡便で小型化された構成
とできる。
うに、２個のセンサ素子（１０、２０）を、双方のダイ
ヤフラム（１２、２２）とは反対側の面同士で重ね合わ
せた構成とすることによって、簡便で小型化された構成
とできる。
【００１３】特に、請求項９の発明のように、２個のセ
ンサ素子（１０、２０）を互いに基板面積が異なるもの
とすれば、基板面積の大きい方のセンサ素子（１０）は
両センサ素子の重ね合わせ部分以外にはみ出し部を有す
るため、このはみ出し部を利用して板部材（３０）の穴
部（３２）に容易に取り付けることができる。
ンサ素子（１０、２０）を互いに基板面積が異なるもの
とすれば、基板面積の大きい方のセンサ素子（１０）は
両センサ素子の重ね合わせ部分以外にはみ出し部を有す
るため、このはみ出し部を利用して板部材（３０）の穴
部（３２）に容易に取り付けることができる。
【００１４】また、２個のセンサ素子（１０、２０）の
配置形態としては、請求項１０の発明のように、該２個
のセンサ素子を、異なる圧力空間を仕切る板部材（６
０）の両面に、１個ずつ、ダイヤフラム（１２、２２）
とは反対側の面にて取り付けたものであってもよい。こ
のとき、請求項７の発明との組合せにおいては、該板部
材を介して該両センサ素子が重ね合わされた構成でもよ
い。
配置形態としては、請求項１０の発明のように、該２個
のセンサ素子を、異なる圧力空間を仕切る板部材（６
０）の両面に、１個ずつ、ダイヤフラム（１２、２２）
とは反対側の面にて取り付けたものであってもよい。こ
のとき、請求項７の発明との組合せにおいては、該板部
材を介して該両センサ素子が重ね合わされた構成でもよ
い。
【００１５】また、異なる圧力空間を仕切る板部材とし
ては、請求項１１の発明のように、両面にセンサ素子
（１０、２０）からの出力を受け取るための電極（６１
〜６３）が形成されているセラミック基板（６０）を採
用したり、請求項１２の発明のように、このような電極
（３１）がインサート成形された樹脂基板（３０）を採
用することができる。
ては、請求項１１の発明のように、両面にセンサ素子
（１０、２０）からの出力を受け取るための電極（６１
〜６３）が形成されているセラミック基板（６０）を採
用したり、請求項１２の発明のように、このような電極
（３１）がインサート成形された樹脂基板（３０）を採
用することができる。
【００１６】そして、これら電極（３１、６１〜６３）
は、請求項１３の発明のように、金属ワイヤ（４０〜４
２）により２個のセンサ素子（１０、２０）と電気的に
接続されたこのとできる。
は、請求項１３の発明のように、金属ワイヤ（４０〜４
２）により２個のセンサ素子（１０、２０）と電気的に
接続されたこのとできる。
【００１７】さらに、請求項１４の発明では、請求項１
２の圧力センサにおいて、樹脂基板（３０）と電極（３
１）との接触部を覆うように保護部材（５４、５５）を
設けたことを特徴としている。もし、樹脂基板と電極と
の接触部に隙間があると、圧力媒体のリーク経路となる
が、本発明によれば、該接触部を保護部材で覆うため、
圧力媒体のリークを防止できる。
２の圧力センサにおいて、樹脂基板（３０）と電極（３
１）との接触部を覆うように保護部材（５４、５５）を
設けたことを特徴としている。もし、樹脂基板と電極と
の接触部に隙間があると、圧力媒体のリーク経路となる
が、本発明によれば、該接触部を保護部材で覆うため、
圧力媒体のリークを防止できる。
【００１８】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。
【００１９】
【発明の実施の形態】（第１実施形態）図１に本実施形
態に係る圧力センサ１００の概略断面構成を示す。この
圧力センサ１００は、例えば、自動車の燃料タンク内の
圧力を検出する燃料圧センサとして適用できる。圧力セ
ンサ１００は、２個のセンサ素子即ち第１のセンサ素子
１０と第２のセンサ素子２０とが重ね合わされたもので
あり、第１のセンサ素子１０が圧力空間（例えば大気圧
等の基準圧力側）Ａの絶対圧、第２のセンサ素子２０が
圧力空間（例えば燃料タンク等の検出圧力側）Ｂの絶対
圧を検出し、これらの差圧を相対圧として検出するよう
にしたものである。
態に係る圧力センサ１００の概略断面構成を示す。この
圧力センサ１００は、例えば、自動車の燃料タンク内の
圧力を検出する燃料圧センサとして適用できる。圧力セ
ンサ１００は、２個のセンサ素子即ち第１のセンサ素子
１０と第２のセンサ素子２０とが重ね合わされたもので
あり、第１のセンサ素子１０が圧力空間（例えば大気圧
等の基準圧力側）Ａの絶対圧、第２のセンサ素子２０が
圧力空間（例えば燃料タンク等の検出圧力側）Ｂの絶対
圧を検出し、これらの差圧を相対圧として検出するよう
にしたものである。
【００２０】圧力空間Ａに配置された第１のセンサ素子
１０は、シリコンからなる半導体基板より構成され、内
部には圧力基準室１１となるキャビティが形成されてい
る。第１のセンサ素子１０における圧力基準室１１（つ
まりキャビティ）の一面（表面）には薄肉状のダイアフ
ラム１２が形成されており、ダイアフラム１２上には本
発明の変換手段としてのゲージ１３が形成されている。
１０は、シリコンからなる半導体基板より構成され、内
部には圧力基準室１１となるキャビティが形成されてい
る。第１のセンサ素子１０における圧力基準室１１（つ
まりキャビティ）の一面（表面）には薄肉状のダイアフ
ラム１２が形成されており、ダイアフラム１２上には本
発明の変換手段としてのゲージ１３が形成されている。
【００２１】このゲージ１３は、半導体基板に形成され
た拡散抵抗で、図示しないが、ブリッジ回路を構成して
おり、ダイアフラム１２のたわみを電気信号に変換する
ものである。また、第１のセンサ素子１０の一面には、
上記ブリッジ回路からの電気信号を増幅したり、調整す
る等の信号処理を行うための信号処理回路を構成する信
号処理回路素子１４が形成されている。
た拡散抵抗で、図示しないが、ブリッジ回路を構成して
おり、ダイアフラム１２のたわみを電気信号に変換する
ものである。また、第１のセンサ素子１０の一面には、
上記ブリッジ回路からの電気信号を増幅したり、調整す
る等の信号処理を行うための信号処理回路を構成する信
号処理回路素子１４が形成されている。
【００２２】圧力空間Ｂに配置された第２のセンサ素子
２０は、第１のセンサ素子１０よりも基板面積の小さい
シリコンからなる半導体基板より構成され、内部には圧
力基準室２１となるキャビティが形成されている。第２
のセンサ素子２０における圧力基準室２１の一面（表
面）には薄肉状のダイアフラム２２が形成されており、
ダイアフラム２２上には本発明の変換手段として、上記
ゲージ１３と同機能を有するゲージ２３が形成されてい
る。なお、本例では、第２のセンサ素子２０には信号処
理回路は形成されていない。
２０は、第１のセンサ素子１０よりも基板面積の小さい
シリコンからなる半導体基板より構成され、内部には圧
力基準室２１となるキャビティが形成されている。第２
のセンサ素子２０における圧力基準室２１の一面（表
面）には薄肉状のダイアフラム２２が形成されており、
ダイアフラム２２上には本発明の変換手段として、上記
ゲージ１３と同機能を有するゲージ２３が形成されてい
る。なお、本例では、第２のセンサ素子２０には信号処
理回路は形成されていない。
【００２３】また、異なる圧力空間Ａ、Ｂは、板部材と
しての樹脂基板３０により仕切られている。この樹脂基
板３０は、例えばエポキシ、ＰＰＳ、ＰＢＴ等よりなる
樹脂に、センサ素子１０、２０からの出力を受け取るた
めの４２アロイ等よりなるリードフレーム（本発明の電
極に相当）３１がインサート成形されたものである。そ
して、樹脂基板３０の外周部は、樹脂等のケース３０ａ
に一体化されて支持されており、このケース３０ａは例
えば、被検出体である上記燃料タンクやその配管内に対
して取り付けられる。
しての樹脂基板３０により仕切られている。この樹脂基
板３０は、例えばエポキシ、ＰＰＳ、ＰＢＴ等よりなる
樹脂に、センサ素子１０、２０からの出力を受け取るた
めの４２アロイ等よりなるリードフレーム（本発明の電
極に相当）３１がインサート成形されたものである。そ
して、樹脂基板３０の外周部は、樹脂等のケース３０ａ
に一体化されて支持されており、このケース３０ａは例
えば、被検出体である上記燃料タンクやその配管内に対
して取り付けられる。
【００２４】ここで、互いに基板面積が異なる両センサ
素子１０、２０は、双方のダイヤフラム１２、２２とは
反対側の面（ダイヤフラムの無い面）、即ち裏面同士が
樹脂等よりなる接着剤５０により接着され重ね合わされ
ている。
素子１０、２０は、双方のダイヤフラム１２、２２とは
反対側の面（ダイヤフラムの無い面）、即ち裏面同士が
樹脂等よりなる接着剤５０により接着され重ね合わされ
ている。
【００２５】そして、基板面積の大きい第１のセンサ素
子１０は、その裏面のうち第２のセンサ素子２０の裏面
と接着されていない部位である周縁部（はみ出し部）に
て、樹脂基板３０の一部であるリードフレーム３１に形
成された穴部３２に対して、この穴部３２を塞ぐように
樹脂等よりなる接着剤５１により接着されている。こう
して、重ね合わされた両センサ素子１０、２０は、異な
る圧力空間ＡとＢとを仕切る樹脂基板３０の一部として
作用している。
子１０は、その裏面のうち第２のセンサ素子２０の裏面
と接着されていない部位である周縁部（はみ出し部）に
て、樹脂基板３０の一部であるリードフレーム３１に形
成された穴部３２に対して、この穴部３２を塞ぐように
樹脂等よりなる接着剤５１により接着されている。こう
して、重ね合わされた両センサ素子１０、２０は、異な
る圧力空間ＡとＢとを仕切る樹脂基板３０の一部として
作用している。
【００２６】また、第１のセンサ素子１０及び第２のセ
ンサ素子２０の図示しないパッドから、それぞれ図１中
の右側のリードフレーム３１ａに結線されているワイヤ
４０及びワイヤ４１は、両方のセンサ素子１０、２０を
電気的に接続するためのものである。これらワイヤ４
０、４１には、本例では、両センサ素子１０、２０のゲ
ージ１３、２３によるブリッジ回路の４端子（ブリッジ
電源、ブリッジＧＮＤ、ブリッジ出力１、ブリッジ出力
２）の信号線が接続される。
ンサ素子２０の図示しないパッドから、それぞれ図１中
の右側のリードフレーム３１ａに結線されているワイヤ
４０及びワイヤ４１は、両方のセンサ素子１０、２０を
電気的に接続するためのものである。これらワイヤ４
０、４１には、本例では、両センサ素子１０、２０のゲ
ージ１３、２３によるブリッジ回路の４端子（ブリッジ
電源、ブリッジＧＮＤ、ブリッジ出力１、ブリッジ出力
２）の信号線が接続される。
【００２７】また、第１のセンサ素子１０の図示しない
パッドから、それぞれ図１中の左側のリードフレーム３
１ｂに結線されているワイヤ４２は、センサ素子１０、
２０の信号を外部に取り出すためのもので、具体的に
は、回路電源、ＧＮＤ、出力信号、調整用端子等の機能
を持つものである。また、リードフレーム３１は、図示
しない外部回路（例えば車両のＥＣＵ等）に電気的に接
続されている。
パッドから、それぞれ図１中の左側のリードフレーム３
１ｂに結線されているワイヤ４２は、センサ素子１０、
２０の信号を外部に取り出すためのもので、具体的に
は、回路電源、ＧＮＤ、出力信号、調整用端子等の機能
を持つものである。また、リードフレーム３１は、図示
しない外部回路（例えば車両のＥＣＵ等）に電気的に接
続されている。
【００２８】かかる構造を有し、樹脂基板３０に取り付
けられた圧力センサ１００においては、第１のセンサ素
子１０によって、圧力空間Ａの圧力を絶対圧として検出
し、第２のセンサ素子２０によって、圧力空間Ｂの圧力
を絶対圧として検出し、第１のセンサ素子１０に設けら
れた信号処理回路素子１４を含む信号処理回路によっ
て、両絶対圧の差圧（相対圧）を検出することができ
る。
けられた圧力センサ１００においては、第１のセンサ素
子１０によって、圧力空間Ａの圧力を絶対圧として検出
し、第２のセンサ素子２０によって、圧力空間Ｂの圧力
を絶対圧として検出し、第１のセンサ素子１０に設けら
れた信号処理回路素子１４を含む信号処理回路によっ
て、両絶対圧の差圧（相対圧）を検出することができ
る。
【００２９】次に、圧力センサ１００の製造方法の一例
を述べる。信号処理回路素子を有しない第２のセンサ素
子２０の場合には、圧力検出部のみ形成すればよい。即
ち、例えば、シリコン基板の表面（一面）に拡散層によ
るゲージを形成し、これにコンタクトホール、Ａｌ（ア
ルミニウム）薄膜による電極、表面保護膜等の基板表面
構造を形成した後、裏面をＫＯＨ（水酸化カリウム）に
より異方性エッチングしてダイアフラムを形成し、陽極
接合法によりガラスと接合し、ダイシングにより１個ず
つのチップにカットする。
を述べる。信号処理回路素子を有しない第２のセンサ素
子２０の場合には、圧力検出部のみ形成すればよい。即
ち、例えば、シリコン基板の表面（一面）に拡散層によ
るゲージを形成し、これにコンタクトホール、Ａｌ（ア
ルミニウム）薄膜による電極、表面保護膜等の基板表面
構造を形成した後、裏面をＫＯＨ（水酸化カリウム）に
より異方性エッチングしてダイアフラムを形成し、陽極
接合法によりガラスと接合し、ダイシングにより１個ず
つのチップにカットする。
【００３０】信号処理回路素子１４を有する第１のセン
サ素子１０の場合には、通常の半導体プロセスによっ
て、圧力検出部及び信号処理回路素子１４を形成する。
即ち、基板表面に回路素子及び拡散層によるゲージを形
成した後、裏面をＫＯＨにより異方性エッチングしてダ
イアフラムを形成し、陽極接合法によりガラスと接合
し、ダイシングにより１個ずつのチップにカットする。
こうして、上記各場合、内部に基準圧力室１１、２１が
形成された第１及び第２のセンサ素子１０、２０が出来
上がる。
サ素子１０の場合には、通常の半導体プロセスによっ
て、圧力検出部及び信号処理回路素子１４を形成する。
即ち、基板表面に回路素子及び拡散層によるゲージを形
成した後、裏面をＫＯＨにより異方性エッチングしてダ
イアフラムを形成し、陽極接合法によりガラスと接合
し、ダイシングにより１個ずつのチップにカットする。
こうして、上記各場合、内部に基準圧力室１１、２１が
形成された第１及び第２のセンサ素子１０、２０が出来
上がる。
【００３１】これ以外にも、ガラスを用いずに、シリコ
ン基板同士を真空接合する方法によって、圧力基準室と
なるキャビティを内蔵したセンサ素子（センサチップ）
を形成するようにしてもよい。
ン基板同士を真空接合する方法によって、圧力基準室と
なるキャビティを内蔵したセンサ素子（センサチップ）
を形成するようにしてもよい。
【００３２】また、ダイアフラムエッチングは、上記の
ＫＯＨ以外にも、ＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ
ａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）等の異方性エ
ッチング材料を用いることもできるし、ドライエッチン
グによる方法を用いることもできる。
ＫＯＨ以外にも、ＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ
ａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）等の異方性エ
ッチング材料を用いることもできるし、ドライエッチン
グによる方法を用いることもできる。
【００３３】そして、両センサ素子１０、２０の裏面
（ダイヤフラムとは反対側の面）同士を接着剤５０によ
り接着し、接着された両センサ素子を、基板面積の大き
い第１のセンサ素子１０の裏面周縁部にて接着剤５１に
より、ケース３０ａに支持された樹脂基板３０のリード
フレーム３１に接着する。続いて、ワイヤボンディング
等を行うことにより、ワイヤ４０〜４２を形成し、本実
施形態の圧力センサ１００を完成させる。
（ダイヤフラムとは反対側の面）同士を接着剤５０によ
り接着し、接着された両センサ素子を、基板面積の大き
い第１のセンサ素子１０の裏面周縁部にて接着剤５１に
より、ケース３０ａに支持された樹脂基板３０のリード
フレーム３１に接着する。続いて、ワイヤボンディング
等を行うことにより、ワイヤ４０〜４２を形成し、本実
施形態の圧力センサ１００を完成させる。
【００３４】このように、上記圧力センサ１００は、半
導体基板の内部に圧力基準室１１、２１を持つセンサ素
子１０、２０を２個用いた構成であるため、従来の２個
の感圧素子を用いたものに比べて、センサ全体の構成を
簡素化できる。
導体基板の内部に圧力基準室１１、２１を持つセンサ素
子１０、２０を２個用いた構成であるため、従来の２個
の感圧素子を用いたものに比べて、センサ全体の構成を
簡素化できる。
【００３５】また、このように半導体基板の内部に圧力
基準室１１、２１を持つセンサ素子１０、２０は、上述
のように、通常の半導体製造技術を用いてウェハレベル
で作成可能なものであるため、製造コストを低減可能な
構成とできる。従って、本実施形態によれば、安価な簡
素化された構成にて相対圧を検出することができる圧力
センサ１００を提供することができる。
基準室１１、２１を持つセンサ素子１０、２０は、上述
のように、通常の半導体製造技術を用いてウェハレベル
で作成可能なものであるため、製造コストを低減可能な
構成とできる。従って、本実施形態によれば、安価な簡
素化された構成にて相対圧を検出することができる圧力
センサ１００を提供することができる。
【００３６】また、上記圧力センサ１００は、両センサ
素子１０、２０を裏面にて重ね合わせた構成であるた
め、簡便な構成にてセンサ全体の体格を小型化できる。
また、裏面同士を直接接着しているため、全体の高さ
（基板厚み方向の寸法）を低くできるとともに、熱伝導
性が良くなるため、センサの温度特性のばらつきを小さ
くすることができる。
素子１０、２０を裏面にて重ね合わせた構成であるた
め、簡便な構成にてセンサ全体の体格を小型化できる。
また、裏面同士を直接接着しているため、全体の高さ
（基板厚み方向の寸法）を低くできるとともに、熱伝導
性が良くなるため、センサの温度特性のばらつきを小さ
くすることができる。
【００３７】ところで、図１に示す圧力センサ１００に
おいては、２個のセンサ素子１０、２０のうち第１のセ
ンサ素子１０に信号処理回路素子１４を形成し、センサ
と一体化させた構成としているが、２個のセンサ素子１
０、２０に形成する信号処理回路素子の例としては、図
２に示すような種々の例〜を採用することが可能で
ある。
おいては、２個のセンサ素子１０、２０のうち第１のセ
ンサ素子１０に信号処理回路素子１４を形成し、センサ
と一体化させた構成としているが、２個のセンサ素子１
０、２０に形成する信号処理回路素子の例としては、図
２に示すような種々の例〜を採用することが可能で
ある。
【００３８】例は、信号処理回路を両センサ素子１
０、２０以外の別部分（例えば、樹脂基板３０）に設け
る例である。例、、は上記圧力センサ１００に相
当するもので、各々バイポーラトランジスタ素子、ＭＯ
Ｓトランジスタ素子、Ｂｉ−ＣＭＯＳトランジスタ素子
のみで信号処理回路を構成する場合、これらの素子を第
１のセンサ素子１０に形成する信号処理回路素子１４と
して用いるものである。
０、２０以外の別部分（例えば、樹脂基板３０）に設け
る例である。例、、は上記圧力センサ１００に相
当するもので、各々バイポーラトランジスタ素子、ＭＯ
Ｓトランジスタ素子、Ｂｉ−ＣＭＯＳトランジスタ素子
のみで信号処理回路を構成する場合、これらの素子を第
１のセンサ素子１０に形成する信号処理回路素子１４と
して用いるものである。
【００３９】これらの場合、第２のセンサ素子２０の信
号処理に必要な信号処理回路素子も、第１のセンサ素子
１０に形成するようにしているため、第２のセンサ素子
２０においては、上述の製造方法に示したように、圧力
基準室２１、ダイヤフラム２２及びゲージ２３等からな
る圧力検出部のみの形成でよく、信号処理回路素子の形
成工程を無しとでき、ウェハ工程の簡略化ができる。
号処理に必要な信号処理回路素子も、第１のセンサ素子
１０に形成するようにしているため、第２のセンサ素子
２０においては、上述の製造方法に示したように、圧力
基準室２１、ダイヤフラム２２及びゲージ２３等からな
る圧力検出部のみの形成でよく、信号処理回路素子の形
成工程を無しとでき、ウェハ工程の簡略化ができる。
【００４０】なお、バイポーラトランジスタ素子は、信
号処理回路において、上記ゲージ１３により構成された
ブリッジ回路からの電気信号を増幅する増幅回路を構成
するものであり、ＭＯＳトランジスタ素子及びＢｉ−Ｃ
ＭＯＳトランジスタ素子は、上記ブリッジ回路からの電
気信号を補正する補正回路を構成するものである。
号処理回路において、上記ゲージ１３により構成された
ブリッジ回路からの電気信号を増幅する増幅回路を構成
するものであり、ＭＯＳトランジスタ素子及びＢｉ−Ｃ
ＭＯＳトランジスタ素子は、上記ブリッジ回路からの電
気信号を補正する補正回路を構成するものである。
【００４１】例は両センサ素子１０、２０の信号処理
回路として、バイポーラ素子とＭＯＳ素子の両方が必要
な場合であり、第１のセンサ素子１０はバイポーラ素子
形成工程、第２のセンサ素子２０はＭＯＳ素子形成工程
を追加するのみで、形成可能とできる。このように、互
いに異なる２種類の信号処理回路素子を形成する場合、
２個のセンサ素子１０、２０の両方に、それぞれ１種類
ずつ分類して形成するようにすれば、ウェハ製造工程を
簡略化できる。
回路として、バイポーラ素子とＭＯＳ素子の両方が必要
な場合であり、第１のセンサ素子１０はバイポーラ素子
形成工程、第２のセンサ素子２０はＭＯＳ素子形成工程
を追加するのみで、形成可能とできる。このように、互
いに異なる２種類の信号処理回路素子を形成する場合、
２個のセンサ素子１０、２０の両方に、それぞれ１種類
ずつ分類して形成するようにすれば、ウェハ製造工程を
簡略化できる。
【００４２】また、圧力センサは、製造上のばらつきに
より、センサ特性のばらつきを生じたり、温度特性を持
つため、これらを補正する手段として、薄膜金属抵抗を
レーザーによってトリミングしたり、薄膜金属抵抗で作
ったヒューズを電流を流して切断したり、ＥＰＲＯＭを
使って、補正値データを書き込むといったことが行われ
る。
より、センサ特性のばらつきを生じたり、温度特性を持
つため、これらを補正する手段として、薄膜金属抵抗を
レーザーによってトリミングしたり、薄膜金属抵抗で作
ったヒューズを電流を流して切断したり、ＥＰＲＯＭを
使って、補正値データを書き込むといったことが行われ
る。
【００４３】具体的には、薄膜金属抵抗は、上記バイポ
ーラトランジスタ素子の代わりに用いられ、上記ブリッ
ジ回路からの電気信号の増幅を調整し、ＥＰＲＯＭは、
上記ＭＯＳトランジスタ素子と組み合わせて用いること
により、上記ブリッジ回路からの電気信号を補正する。
ーラトランジスタ素子の代わりに用いられ、上記ブリッ
ジ回路からの電気信号の増幅を調整し、ＥＰＲＯＭは、
上記ＭＯＳトランジスタ素子と組み合わせて用いること
により、上記ブリッジ回路からの電気信号を補正する。
【００４４】従って、本実施形態においても、このよう
な薄膜金属抵抗やＥＰＲＯＭをセンサ素子１０、２０に
設けることが好ましく、例えば、信号処理回路素子１４
に含まれるように形成できる。なお、このような薄膜金
属抵抗やＥＰＲＯＭをセンサ素子に形成するとなると、
専用の製造工程を用いることになるため、センサ素子１
０、２０のどちらか一方のみに形成することにより、ウ
ェハ工程の簡略化ができる。
な薄膜金属抵抗やＥＰＲＯＭをセンサ素子１０、２０に
設けることが好ましく、例えば、信号処理回路素子１４
に含まれるように形成できる。なお、このような薄膜金
属抵抗やＥＰＲＯＭをセンサ素子に形成するとなると、
専用の製造工程を用いることになるため、センサ素子１
０、２０のどちらか一方のみに形成することにより、ウ
ェハ工程の簡略化ができる。
【００４５】（第２実施形態）図３に本発明の第２実施
形態に係る圧力センサ２００の概略断面構成を示す。本
実施形態は上記第１実施形態に比べて、樹脂基板３０に
穴部を形成せず、２個のセンサ素子１０、２０を一個ず
つ、樹脂基板３０の両面にダイヤフラム１２、２２の無
い裏面にて取り付けたことが、相違する部分であり、他
は同一である。なお、該同一部分には、図３中、図１と
同一符号を付し説明を省略する。
形態に係る圧力センサ２００の概略断面構成を示す。本
実施形態は上記第１実施形態に比べて、樹脂基板３０に
穴部を形成せず、２個のセンサ素子１０、２０を一個ず
つ、樹脂基板３０の両面にダイヤフラム１２、２２の無
い裏面にて取り付けたことが、相違する部分であり、他
は同一である。なお、該同一部分には、図３中、図１と
同一符号を付し説明を省略する。
【００４６】図３に示す様に、圧力空間Ａに配置された
第１のセンサ素子１０の裏面は、樹脂等よりなる接着剤
５２を介して樹脂基板３０のリードフレーム３１の一面
に接着され、圧力空間Ｂに配置された第２のセンサ素子
２０の裏面は、樹脂等よりなる接着剤５３を介して樹脂
基板３０のリードフレーム３１の他面に接着されてい
る。
第１のセンサ素子１０の裏面は、樹脂等よりなる接着剤
５２を介して樹脂基板３０のリードフレーム３１の一面
に接着され、圧力空間Ｂに配置された第２のセンサ素子
２０の裏面は、樹脂等よりなる接着剤５３を介して樹脂
基板３０のリードフレーム３１の他面に接着されてい
る。
【００４７】本実施形態によっても、上記第１実施形態
と同様に、安価な構成にて相対圧を検出することができ
る圧力センサ２００を提供することができる。特に、本
実施形態の場合は、圧力空間ＡとＢとが、樹脂基板３０
によって隔離されているため、気密性をより良好とでき
る。
と同様に、安価な構成にて相対圧を検出することができ
る圧力センサ２００を提供することができる。特に、本
実施形態の場合は、圧力空間ＡとＢとが、樹脂基板３０
によって隔離されているため、気密性をより良好とでき
る。
【００４８】なお、上記第１及び第２実施形態では、い
ずれもセンサ素子１０、２０を樹脂基板３０のリードフ
レーム３１に接着してあるが、樹脂部に接着することも
できる。
ずれもセンサ素子１０、２０を樹脂基板３０のリードフ
レーム３１に接着してあるが、樹脂部に接着することも
できる。
【００４９】上記両実施形態のように、センサ素子１
０、２０をリードフレーム３１に接着する場合は、リー
ドフレーム３１は上記の４２アロイ等の低熱膨張係数を
有する材料を用いる方が、熱歪みが小さく温度特性は良
好である。樹脂基板３０の樹脂材料としては、上記のよ
うに、エポキシ、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイ
ド）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等が使用
可能であるが、他の材料でも構わない。
０、２０をリードフレーム３１に接着する場合は、リー
ドフレーム３１は上記の４２アロイ等の低熱膨張係数を
有する材料を用いる方が、熱歪みが小さく温度特性は良
好である。樹脂基板３０の樹脂材料としては、上記のよ
うに、エポキシ、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイ
ド）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等が使用
可能であるが、他の材料でも構わない。
【００５０】また、樹脂基板３０の樹脂部にセンサ素子
１０、２０を接着し、別の場所、例えば、図１及び図３
において、センサ素子１０の上方（またはセンサ素子２
０の下方）に電極を設け、ここにボンディングワイヤで
接続するようにしてもよい。
１０、２０を接着し、別の場所、例えば、図１及び図３
において、センサ素子１０の上方（またはセンサ素子２
０の下方）に電極を設け、ここにボンディングワイヤで
接続するようにしてもよい。
【００５１】また、図３に示す様に、圧力空間Ａ、Ｂを
隔てるリードフレーム３１と樹脂基板３０との間に隙間
があると、圧力媒体のリーク経路となるので、ボンディ
ング後、樹脂やゴム、ゲル等からなる保護部材５４、５
５をリードフレーム３１と樹脂基板３０との接合部上に
設けることが好ましい。なお、保護部材５４、５５は、
上記第１実施形態や次に述べる第３実施形態において
も、適用可能である。
隔てるリードフレーム３１と樹脂基板３０との間に隙間
があると、圧力媒体のリーク経路となるので、ボンディ
ング後、樹脂やゴム、ゲル等からなる保護部材５４、５
５をリードフレーム３１と樹脂基板３０との接合部上に
設けることが好ましい。なお、保護部材５４、５５は、
上記第１実施形態や次に述べる第３実施形態において
も、適用可能である。
【００５２】（第３実施形態）また、異なる圧力空間
Ａ、Ｂを仕切る板部材としては、上記の樹脂基板３０の
ようにリードフレーム３１をインサート成形した樹脂で
はなく、セラミック基板等を用いてもよい。この場合、
スルーホールを形成したセラミック基板を用いることに
より、２個のセンサ素子からボンディングワイヤによっ
て取り出した電気信号を、電気的に接続することができ
る。図４に、セラミック基板６０を用いた一例を示す。
Ａ、Ｂを仕切る板部材としては、上記の樹脂基板３０の
ようにリードフレーム３１をインサート成形した樹脂で
はなく、セラミック基板等を用いてもよい。この場合、
スルーホールを形成したセラミック基板を用いることに
より、２個のセンサ素子からボンディングワイヤによっ
て取り出した電気信号を、電気的に接続することができ
る。図４に、セラミック基板６０を用いた一例を示す。
【００５３】セラミック基板６０は、両面に導電性厚膜
（例えば銅厚膜等）６１が形成されており、両面を貫通
するスルーホールの壁面を通ってつながっている。ま
た、６２は、スルーホールに充填された導電性部材（本
例でははんだ）である。また、セラミック基板６０の圧
力空間Ａ側の面にはワイヤ４２から外部に信号を取り出
すための導電性厚膜６３が形成されている。
（例えば銅厚膜等）６１が形成されており、両面を貫通
するスルーホールの壁面を通ってつながっている。ま
た、６２は、スルーホールに充填された導電性部材（本
例でははんだ）である。また、セラミック基板６０の圧
力空間Ａ側の面にはワイヤ４２から外部に信号を取り出
すための導電性厚膜６３が形成されている。
【００５４】これら部材６１〜６３は、センサ素子１
０、２０からの出力をワイヤ４０〜４２を介して受け取
るための電極として構成されており、両センサ素子１
０、２０の信号は、各部材４０〜４２及び６１〜６３を
介して外部に取り出されるようになっている。なお、図
示しないが、セラミック基板６０の端部は上記樹脂基板
と同様に、ケースに支持されている。（他の実施形態）
ところで、上記実施形態においては、、両センサ素子１
０、２０は、接着剤５０〜５３を介して裏面同士が直接
重ね合わされたり、基板３０あるいは６０を介して裏面
同士が重ね合わせられた配置形態としているが、これら
以外にも、例えば、基板３０あるいは６０の両面に、両
センサ素子１０、２０が互いに基板面方向にずれた形で
１個ずつ接着された配置形態であってもよい。
０、２０からの出力をワイヤ４０〜４２を介して受け取
るための電極として構成されており、両センサ素子１
０、２０の信号は、各部材４０〜４２及び６１〜６３を
介して外部に取り出されるようになっている。なお、図
示しないが、セラミック基板６０の端部は上記樹脂基板
と同様に、ケースに支持されている。（他の実施形態）
ところで、上記実施形態においては、、両センサ素子１
０、２０は、接着剤５０〜５３を介して裏面同士が直接
重ね合わされたり、基板３０あるいは６０を介して裏面
同士が重ね合わせられた配置形態としているが、これら
以外にも、例えば、基板３０あるいは６０の両面に、両
センサ素子１０、２０が互いに基板面方向にずれた形で
１個ずつ接着された配置形態であってもよい。
【００５５】また、センサ素子を、互いに異なる圧力空
間に１個ずつ配置する形態以外にも、例えば、圧力空間
Ａに１個、圧力空間Ｂに複数個、あるいはその逆、さら
には、両圧力空間Ａ、Ｂ共に、複数個ずつ配置する形態
であってもよい。
間に１個ずつ配置する形態以外にも、例えば、圧力空間
Ａに１個、圧力空間Ｂに複数個、あるいはその逆、さら
には、両圧力空間Ａ、Ｂ共に、複数個ずつ配置する形態
であってもよい。
【００５６】なお、本発明は、上記燃料圧センサ以外に
も、異なる圧力空間の相対圧を検出するものならば、適
用可能である。
も、異なる圧力空間の相対圧を検出するものならば、適
用可能である。
【図１】本発明の第１実施形態に係る圧力センサの構成
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図２】２個のセンサ素子に形成する信号処理回路素子
の例を示す図表である。
の例を示す図表である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る圧力センサの構成
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係る圧力センサの構成
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
１０…第１のセンサ素子、１１…第１のセンサ素子の圧
力基準室、１２…第１のセンサ素子のダイヤフラム、１
３…第１のセンサ素子のゲージ、１４…信号処理回路素
子、２０…第２のセンサ素子、２１…第２のセンサ素子
の圧力基準室、２２…第２のセンサ素子のダイヤフラ
ム、２３…第２のセンサ素子のゲージ、３０…樹脂基
板、３１…リードフレーム、３２…穴部、４０、４１、
４２…ワイヤ、６０…セラミック基板、６１、６３…導
電性厚膜、６２…導電性部材。
力基準室、１２…第１のセンサ素子のダイヤフラム、１
３…第１のセンサ素子のゲージ、１４…信号処理回路素
子、２０…第２のセンサ素子、２１…第２のセンサ素子
の圧力基準室、２２…第２のセンサ素子のダイヤフラ
ム、２３…第２のセンサ素子のゲージ、３０…樹脂基
板、３１…リードフレーム、３２…穴部、４０、４１、
４２…ワイヤ、６０…セラミック基板、６１、６３…導
電性厚膜、６２…導電性部材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F055 BB01 BB05 CC02 DD04 DD09 DD11 EE13 FF43 GG11 4M112 AA01 BA01 CA06 CA10 CA12 CA13 CA15 CA16 DA04 DA12 DA18 EA02 EA11 EA13 FA11 GA01
Claims (14)
- 【請求項１】 内部に圧力基準室（１１、２１）が形成
された半導体基板よりなり、前記圧力基準室の一面に形
成されたダイヤフラム（１２、２２）と、このダイヤフ
ラムのたわみを電気信号に変換する変換手段（１３、２
３）とを有するセンサ素子（１０、２０）を、少なくと
も２個備え、 これら２個のセンサ素子は、それぞれ異なる圧力空間に
配置され、 前記２個のセンサ素子における出力の差に基づいて、前
記異なる圧力空間同士の差圧を相対圧として検出するよ
うにしたことを特徴とする圧力センサ。 - 【請求項２】 前記２個のセンサ素子（１０、２０）の
少なくとも一方に、前記変換手段（１３、２３）からの
電気信号を処理するための信号処理回路を構成する素子
（１４）が形成されていることを特徴とする請求項１に
記載の圧力センサ。 - 【請求項３】 前記素子（１４）は互いに異なる２種類
のものからなり、前記２個のセンサ素子（１０、２０）
の両方に、それぞれ１種類ずつ形成されていることを特
徴とする請求項２に記載の圧力センサ。 - 【請求項４】 前記互いに異なる２種類の素子は、一方
が前記変換手段（１３、２３）からの電気信号を増幅す
るバイポーラトランジスタ素子であり、他方が前記変換
手段からの電気信号を補正するＭＯＳトランジスタ素子
であることを特徴とする請求項３に記載の圧力センサ。 - 【請求項５】 前記２個のセンサ素子（１０、２０）の
一方にのみ、前記変換手段（１３、２３）からの電気信
号の増幅を調整するためのトリミング可能な薄膜金属抵
抗が形成されていることを特徴とする請求項２ないし４
のいずれか１つに記載の圧力センサ。 - 【請求項６】 前記２個のセンサ素子（１０、２０）の
一方にのみ、前記変換手段（１３、２３）からの電気信
号を補正するＥＰＲＯＭが形成されていることを特徴と
する請求項２ないし５のいずれか１つに記載の圧力セン
サ。 - 【請求項７】 前記２個のセンサ素子（１０、２０）
は、双方の前記ダイヤフラム（１２、２２）とは反対側
の面同士が重ね合わされていることを特徴とする請求項
１ないし６のいずれか１つに記載の圧力センサ。 - 【請求項８】 前記２個のセンサ素子（１０、２０）
は、前記異なる圧力空間を仕切る板部材（３０）の一部
に形成された穴部（３２）に対して、この穴部を塞ぐよ
うに取り付けられ、前記異なる圧力空間を仕切る機能の
一部として作用していることを特徴とする請求項７に記
載の圧力センサ。 - 【請求項９】 前記２個のセンサ素子（１０、２０）は
互いに基板面積が異なり、前記２個のセンサ素子（１
０、２０）のうち基板面積の大きい方が、前記穴部（３
２）に対して取り付けられていることを特徴とする請求
項８に記載の圧力センサ。 - 【請求項１０】 前記２個のセンサ素子（１０、２０）
は、前記異なる圧力空間を仕切る板部材（６０）の両面
に、１個ずつ、前記ダイヤフラム（１２、２２）とは反
対側の面にて取り付けられていることを特徴とする請求
項１ないし７のいずれか１つに記載の圧力センサ。 - 【請求項１１】 前記異なる圧力空間を仕切る板部材
は、両面に前記センサ素子（１０、２０）からの出力を
受け取るための電極（６１〜６３）が形成されているセ
ラミック基板（６０）であることを特徴とする請求項８
ないし１０のいずれか１つに記載の圧力センサ。 - 【請求項１２】 前記異なる圧力空間を仕切る板部材
は、前記センサ素子（１０、２０）からの出力を受け取
るための電極（３１）がインサート成形された樹脂基板
（３０）であることを特徴とする請求項８ないし１０の
いずれか１つに記載の圧力センサ。 - 【請求項１３】 前記電極（３１、６１〜６３）は、金
属ワイヤ（４０〜４２）により前記２個のセンサ素子
（１０、２０）と電気的に接続されていることを特徴と
する請求項１１または１２に記載の圧力センサ。 - 【請求項１４】 前記樹脂基板（３０）と前記電極（３
１）との接触部を覆うように保護部材（５４、５５）が
設けられていることを特徴とする請求項１２に記載の圧
力センサ。
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| JP2000071055A JP4389326B2 (ja) | 1999-05-06 | 2000-03-09 | 圧力センサ |
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| JP2000071055A JP4389326B2 (ja) | 1999-05-06 | 2000-03-09 | 圧力センサ |
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| US6955091B2 (en) | 2003-05-19 | 2005-10-18 | Seizo Fujimoto | Pressure sensor apparatus |
| JP2014174169A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Sensata Technologies Inc | 自己整合特徴を有する圧力トランスデューサ基板 |
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-
2000
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- 2000-05-01 US US09/562,134 patent/US6550339B1/en not_active Expired - Fee Related
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