JPH11160179A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPH11160179A JPH11160179A JP9322966A JP32296697A JPH11160179A JP H11160179 A JPH11160179 A JP H11160179A JP 9322966 A JP9322966 A JP 9322966A JP 32296697 A JP32296697 A JP 32296697A JP H11160179 A JPH11160179 A JP H11160179A
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- G—PHYSICS
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- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
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- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で、低価格な半導体圧力センサを提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 本発明の半導体圧力センサは、下面に受
圧面を有し、上面側が真空室中におかれる半導体圧力セ
ンサチップを有する半導体圧力センサにおいて、上記半
導体圧力センサチップの上面に、当該上面との間で真空
室を形成する凹部を備えるキャップを設け、上記キャッ
プ上に上記半導体圧力センサチップから出力される信号
を処理するＩＣチップを接着したことを特徴とする。
ることを目的とする。 【解決手段】 本発明の半導体圧力センサは、下面に受
圧面を有し、上面側が真空室中におかれる半導体圧力セ
ンサチップを有する半導体圧力センサにおいて、上記半
導体圧力センサチップの上面に、当該上面との間で真空
室を形成する凹部を備えるキャップを設け、上記キャッ
プ上に上記半導体圧力センサチップから出力される信号
を処理するＩＣチップを接着したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体圧力センサ
の構造に関する。
の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１０は、従来の半導体圧力センサ２０
０の構成を示す図である。半導体圧力センサチップ２０
１は、いわゆるビエゾ抵抗式の圧力センサであり、裏面
に堀込まれた受圧面を有する。当該受圧面には抵抗が配
置されており、かつ、ホイーストンブリッジに結線され
ている。半導体圧力センサチップ２０１は、電源電圧の
供給端子、接地端子、２個の出力端子を備えている。半
導体圧力センサチップ２０１は、上記受圧面に加わる応
力（圧力）を所定の信号に変換し、該信号をワイヤ２０
２に出力する。当該ワイヤ２０２は、外部リード２０３
にボンディングされている。また、ワイヤ２０５は、半
導体圧力センサチップ２０１の電源電圧の供給端子に接
続されている。当該ワイヤ２０５は、外部リード２０６
にボンディングされている。上記外部リード２０３及び
２０６は、ハーメチックヘッダー２０４を通って外部に
伸びている。なお、図中、半導体圧力センサチップ２０
１の備える接地端子などに接続されるワイヤ及び外部リ
ードについては省略してある。
０の構成を示す図である。半導体圧力センサチップ２０
１は、いわゆるビエゾ抵抗式の圧力センサであり、裏面
に堀込まれた受圧面を有する。当該受圧面には抵抗が配
置されており、かつ、ホイーストンブリッジに結線され
ている。半導体圧力センサチップ２０１は、電源電圧の
供給端子、接地端子、２個の出力端子を備えている。半
導体圧力センサチップ２０１は、上記受圧面に加わる応
力（圧力）を所定の信号に変換し、該信号をワイヤ２０
２に出力する。当該ワイヤ２０２は、外部リード２０３
にボンディングされている。また、ワイヤ２０５は、半
導体圧力センサチップ２０１の電源電圧の供給端子に接
続されている。当該ワイヤ２０５は、外部リード２０６
にボンディングされている。上記外部リード２０３及び
２０６は、ハーメチックヘッダー２０４を通って外部に
伸びている。なお、図中、半導体圧力センサチップ２０
１の備える接地端子などに接続されるワイヤ及び外部リ
ードについては省略してある。
【０００３】半導体圧力センサチップ２０１は、受圧面
への通気孔を有するＳｉ台座２０７と裏面側で気密接合
（例えば、ダイボンド接着）されている。当該Ｓｉ台座
２０７は、半導体圧力センサチップ２０１とパッケージ
間に生じる応力の緩衝材として機能する。Ｓｉ台座２０
７は、その通気孔の当たる位置に開口部を有するハーメ
チックヘッダー２０４に気密接合されている。ハーメチ
ックヘッダー２０４の上記開口部には、所定の圧力媒体
を半導体圧力センサチップ２０１の受圧面に導く外圧導
入パイプ２０８が接続されている。ハーメチックヘッダ
ー２０４は、キャップ２０９と溶接接合され、パッケー
ジ内に真空室２１０を形成する。この真空室２１０内の
圧力は、半導体圧力センサチップ２０１の基準圧力とし
て作用する。
への通気孔を有するＳｉ台座２０７と裏面側で気密接合
（例えば、ダイボンド接着）されている。当該Ｓｉ台座
２０７は、半導体圧力センサチップ２０１とパッケージ
間に生じる応力の緩衝材として機能する。Ｓｉ台座２０
７は、その通気孔の当たる位置に開口部を有するハーメ
チックヘッダー２０４に気密接合されている。ハーメチ
ックヘッダー２０４の上記開口部には、所定の圧力媒体
を半導体圧力センサチップ２０１の受圧面に導く外圧導
入パイプ２０８が接続されている。ハーメチックヘッダ
ー２０４は、キャップ２０９と溶接接合され、パッケー
ジ内に真空室２１０を形成する。この真空室２１０内の
圧力は、半導体圧力センサチップ２０１の基準圧力とし
て作用する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ハーメチックヘッダー
２０４には、Ｓｉ台座２０７及び複数の外部リード２０
３，２０６，…をレイアウトするための面積が要求さ
れ、キャップ２０９には、半導体圧力センサチップ２０
１を気密接合したＳｉ台座２０７及び複数の外部リード
２０３，２０６，…を完全に覆うだけの容積が要求され
る。ハーメチックヘッダー２０４及びキャップ２０９に
要求されるこれらの条件は、半導体圧力センサ２００の
小型化を妨げる要因となっていた。
２０４には、Ｓｉ台座２０７及び複数の外部リード２０
３，２０６，…をレイアウトするための面積が要求さ
れ、キャップ２０９には、半導体圧力センサチップ２０
１を気密接合したＳｉ台座２０７及び複数の外部リード
２０３，２０６，…を完全に覆うだけの容積が要求され
る。ハーメチックヘッダー２０４及びキャップ２０９に
要求されるこれらの条件は、半導体圧力センサ２００の
小型化を妨げる要因となっていた。
【０００５】また、上記半導体圧力センサ２００では、
気密接合部分が半導体圧力センサチップ２０１とＳｉ台
座２０７との間、Ｓｉ台座２０７とハーメチックヘッダ
ー２０４との間、キャップ２０９とハーメチックヘッダ
ー２０４との間、ハーメチックヘッダー２０４と複数の
外部リード２０３，２０６，…との間に存在している。
これらの気密接合部分における信頼性を確保するには、
ハーメチックヘッダー２０４及びキャップ２０９に金属
を使用するほか、高度の加工技術が要求されて製品コス
トが高くなるといった問題があった。
気密接合部分が半導体圧力センサチップ２０１とＳｉ台
座２０７との間、Ｓｉ台座２０７とハーメチックヘッダ
ー２０４との間、キャップ２０９とハーメチックヘッダ
ー２０４との間、ハーメチックヘッダー２０４と複数の
外部リード２０３，２０６，…との間に存在している。
これらの気密接合部分における信頼性を確保するには、
ハーメチックヘッダー２０４及びキャップ２０９に金属
を使用するほか、高度の加工技術が要求されて製品コス
トが高くなるといった問題があった。
【０００６】更に、半導体圧力センサ２００は、外部リ
ード２０３から出力する電気信号の増幅及び温度補償機
能を持ち合わせたＡＳＩＣ（Application Specific I
C）と組み合わせて用いられることが多く、使用の際の
占有面積が大きいといった問題を有していた。
ード２０３から出力する電気信号の増幅及び温度補償機
能を持ち合わせたＡＳＩＣ（Application Specific I
C）と組み合わせて用いられることが多く、使用の際の
占有面積が大きいといった問題を有していた。
【０００７】上記のような問題に対して、真空室形成用
の凹部を備えるガラス又はシリコン等のキャップを、半
導体圧力センサチップ２０１の表面に陽極接合や低融点
ガラスなどを用いて接着して真空室を形成するタイプの
半導体圧力センサが提案されている（特開昭５９−２１
７１２６号公報及び特開平３−２９３５３２号公報）。
の凹部を備えるガラス又はシリコン等のキャップを、半
導体圧力センサチップ２０１の表面に陽極接合や低融点
ガラスなどを用いて接着して真空室を形成するタイプの
半導体圧力センサが提案されている（特開昭５９−２１
７１２６号公報及び特開平３−２９３５３２号公報）。
【０００８】上記構成を採用することで、ハーメチック
ヘッダー２０４及びキャップ２０９を溶接して気密接合
する必要が無くなり、金属製以外のものでも使用可能と
なる。これによりコストダウンを図ることができる。ま
た、使用条件によってはハーメチックヘッダー２０４を
キャップ２０９で覆う必要が無くなり、半導体圧力セン
サの小型化を図ることができる。
ヘッダー２０４及びキャップ２０９を溶接して気密接合
する必要が無くなり、金属製以外のものでも使用可能と
なる。これによりコストダウンを図ることができる。ま
た、使用条件によってはハーメチックヘッダー２０４を
キャップ２０９で覆う必要が無くなり、半導体圧力セン
サの小型化を図ることができる。
【０００９】しかし、上記提案されているタイプの半導
体圧力センサでも、その出力信号の増幅及び温度補償を
行うのには、依然として別途専用のＡＳＩＣを必要と
し、使用の際の占有面積が大きいといった問題を有して
いた。
体圧力センサでも、その出力信号の増幅及び温度補償を
行うのには、依然として別途専用のＡＳＩＣを必要と
し、使用の際の占有面積が大きいといった問題を有して
いた。
【００１０】本発明は、上記の問題を解決し、小型で低
価格な半導体圧力センサを提供することを目的とする。
価格な半導体圧力センサを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の半導体圧
力センサは、下面に受圧面を有し、上面側が真空室中に
おかれる半導体圧力センサチップを有する半導体圧力セ
ンサにおいて、上記半導体圧力センサチップの上面に、
当該上面との間で真空室を形成する凹部を備えるガラス
キャップを接合し、上記キャップ上に上記半導体圧力セ
ンサチップから出力される信号を処理するＩＣチップを
接着したことを特徴とする。
力センサは、下面に受圧面を有し、上面側が真空室中に
おかれる半導体圧力センサチップを有する半導体圧力セ
ンサにおいて、上記半導体圧力センサチップの上面に、
当該上面との間で真空室を形成する凹部を備えるガラス
キャップを接合し、上記キャップ上に上記半導体圧力セ
ンサチップから出力される信号を処理するＩＣチップを
接着したことを特徴とする。
【００１２】本発明の第２の半導体圧力センサは、上記
第１の半導体圧力センサにおいて、上記半導体圧力セン
サチップの受圧面に外圧を導入するための開口部を有
し、該半導体圧力センサチップ、キャップ及びＩＣチッ
プを封止する樹脂を備えることを特徴とする。
第１の半導体圧力センサにおいて、上記半導体圧力セン
サチップの受圧面に外圧を導入するための開口部を有
し、該半導体圧力センサチップ、キャップ及びＩＣチッ
プを封止する樹脂を備えることを特徴とする。
【００１３】本発明の第３の半導体圧力センサは、上記
第２の半導体圧力センサにおいて、上記樹脂は、半導体
圧力センサチップ及びキャップを、外部からの応力を回
避するための空隙を有した状態で収納する中空部を有す
ることを特徴とする。
第２の半導体圧力センサにおいて、上記樹脂は、半導体
圧力センサチップ及びキャップを、外部からの応力を回
避するための空隙を有した状態で収納する中空部を有す
ることを特徴とする。
【００１４】本発明の第４の半導体圧力センサは、上記
第２又は第３の半導体圧力センサにおいて、リードフレ
ームを更に備え、上記半導体圧力センサチップ及びＩＣ
チップの備える各端子が上記リードフレームの各リード
にワイヤボンディングされていることを特徴とする。
第２又は第３の半導体圧力センサにおいて、リードフレ
ームを更に備え、上記半導体圧力センサチップ及びＩＣ
チップの備える各端子が上記リードフレームの各リード
にワイヤボンディングされていることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】（１）実施の形態１ 図１は、実施の形態１にかかる半導体圧力センサ１００
の構成を示す図である。半導体圧力センサ１００は、半
導体圧力センサチップ１上に、真空室形成用の凹部を備
えるガラスキャップ３を低融点ガラスを用いて接合して
真空室２を形成し、当該ガラスキャップ３の上面に半導
体圧力センサチップ１の出力信号処理用のＡＳＩＣ（Ap
plication Specific IC）４を接着してなる。
の構成を示す図である。半導体圧力センサ１００は、半
導体圧力センサチップ１上に、真空室形成用の凹部を備
えるガラスキャップ３を低融点ガラスを用いて接合して
真空室２を形成し、当該ガラスキャップ３の上面に半導
体圧力センサチップ１の出力信号処理用のＡＳＩＣ（Ap
plication Specific IC）４を接着してなる。
【００１６】半導体圧力センサチップ１は、いわゆるビ
エゾ抵抗式の圧力センサであり、裏面に堀込まれた受圧
面を有している。当該受圧面には抵抗が配置されてお
り、かつ、ホイーストンブリッジに結線されている。半
導体圧力センサチップ１は、電源電圧の供給端子、接地
端子、２個の出力端子を備えている。なお、上記真空室
２内の圧力は、半導体圧力センサチップ１の基準圧力と
して作用する。
エゾ抵抗式の圧力センサであり、裏面に堀込まれた受圧
面を有している。当該受圧面には抵抗が配置されてお
り、かつ、ホイーストンブリッジに結線されている。半
導体圧力センサチップ１は、電源電圧の供給端子、接地
端子、２個の出力端子を備えている。なお、上記真空室
２内の圧力は、半導体圧力センサチップ１の基準圧力と
して作用する。
【００１７】上記受圧面に応力（圧力）が加わると、半
導体のビエゾ抵抗効果により上記抵抗の抵抗値が変化す
る。半導体圧力センサ１００では、この抵抗値の変化を
上記ホイーストンブリッジに流れる電流又は電圧で検知
して、受圧面に受けた圧力に応じた所定の信号を出力す
る。
導体のビエゾ抵抗効果により上記抵抗の抵抗値が変化す
る。半導体圧力センサ１００では、この抵抗値の変化を
上記ホイーストンブリッジに流れる電流又は電圧で検知
して、受圧面に受けた圧力に応じた所定の信号を出力す
る。
【００１８】上記説明したように、半導体圧力センサチ
ップ１は、受圧面に受けた圧力に応じた信号をワイヤ５
に出力する。ＡＳＩＣ４は、半導体圧力センサチップ１
より出力される信号の増幅及び温度補償処理を行う。半
導体圧力センサチップ１及びＡＳＩＣ４間の電気的な接
続は、半導体圧力センサチップ１の信号出力端子及びＡ
ＳＩＣ４の信号入力端子にアルミニウム（Ａｌ）、銅
（Ａｕ）等のワイヤ５及び６をボンディングした後に、
これらのワイヤ５及び６を接続して行うが、センサの組
立状態によっては、上記の両端子を直接接続しても良い
し、外部のパッドを介して間接的に接続しても良い。な
お、図中、半導体圧力センサチップ１の備える電源電圧
の供給端子、接地端子などに接続されるワイヤなどにつ
いては省略してある。
ップ１は、受圧面に受けた圧力に応じた信号をワイヤ５
に出力する。ＡＳＩＣ４は、半導体圧力センサチップ１
より出力される信号の増幅及び温度補償処理を行う。半
導体圧力センサチップ１及びＡＳＩＣ４間の電気的な接
続は、半導体圧力センサチップ１の信号出力端子及びＡ
ＳＩＣ４の信号入力端子にアルミニウム（Ａｌ）、銅
（Ａｕ）等のワイヤ５及び６をボンディングした後に、
これらのワイヤ５及び６を接続して行うが、センサの組
立状態によっては、上記の両端子を直接接続しても良い
し、外部のパッドを介して間接的に接続しても良い。な
お、図中、半導体圧力センサチップ１の備える電源電圧
の供給端子、接地端子などに接続されるワイヤなどにつ
いては省略してある。
【００１９】以下、半導体センサチップ１上に低融点ガ
ラスを用いてガラスキャップ３を接合する手順について
説明する。まず、半導体センサチップ１の上面に真空室
形成用の凹部を有するガラスキャップ３を載せ、位置決
めを行う。この際、低融点ガラスの燃焼時にアライメン
ト効果によって位置ズレが生じないように縦横方向を固
定する。次に、キャップ３を載せた半導体センサチップ
１を焼成炉内にセットし、内部の圧力を１０-5torr程度
にまで排気し、上部から１psi程度の荷重をかけた後
に、低融点ガラスのシール温度にまで炉の温度を上昇さ
せる。なお、上記処理は、チップ単位で行うとコスト高
となるため、ウェハ単位で行う。
ラスを用いてガラスキャップ３を接合する手順について
説明する。まず、半導体センサチップ１の上面に真空室
形成用の凹部を有するガラスキャップ３を載せ、位置決
めを行う。この際、低融点ガラスの燃焼時にアライメン
ト効果によって位置ズレが生じないように縦横方向を固
定する。次に、キャップ３を載せた半導体センサチップ
１を焼成炉内にセットし、内部の圧力を１０-5torr程度
にまで排気し、上部から１psi程度の荷重をかけた後
に、低融点ガラスのシール温度にまで炉の温度を上昇さ
せる。なお、上記処理は、チップ単位で行うとコスト高
となるため、ウェハ単位で行う。
【００２０】以下、上記処理における留意点について説
明する。真空室形成用のガラスキャップ３の熱膨張計数
は、シリコン（Ｓｉ）に近い２５×１０-7〜３５×１０
-7℃-1の値が望ましい。また、接合時における残留応
力、及びその温度係数の差がチップの温度特性に与える
影響を考慮すると、その厚みは薄い方が望ましいが、薄
くするほど接合時にウェハが反りやすくなるといった問
題が生じる。即ち、残留応力が大きいとセンサ素子特性
に悪影響を及ぼし、ウェハの反りが大きいとアセンブリ
時に問題が生じる。この他、真空室形成用のガラスキャ
ップ３の強度などを考慮すると、キャップ３の厚みは
０．５〜１．０ｍｍが適当である。
明する。真空室形成用のガラスキャップ３の熱膨張計数
は、シリコン（Ｓｉ）に近い２５×１０-7〜３５×１０
-7℃-1の値が望ましい。また、接合時における残留応
力、及びその温度係数の差がチップの温度特性に与える
影響を考慮すると、その厚みは薄い方が望ましいが、薄
くするほど接合時にウェハが反りやすくなるといった問
題が生じる。即ち、残留応力が大きいとセンサ素子特性
に悪影響を及ぼし、ウェハの反りが大きいとアセンブリ
時に問題が生じる。この他、真空室形成用のガラスキャ
ップ３の強度などを考慮すると、キャップ３の厚みは
０．５〜１．０ｍｍが適当である。
【００２１】また、接合に用いる低融点ガラスも同じく
熱膨張計数がＳｉに近いもの、具体的には９０×１０-7
℃-1以下のものを選択しておかないと、上記同様に反
り、残留応力による悪影響が生じる。この他、反り、残
留応力は、焼成温度に依存する。具体的には、温度が高
いほど残留応力が残りやすく、反りやすい傾向がある。
そのため、シーリング温度が低くなるように、５００℃
以下の軟化点を持つ低融点ガラスを使用することが望ま
しい。また、真空室形成用に用いるガラスキャップ３は
Ｈｅの透過量がＳｉ等に比べて大きく、特に高い気密性
が要求される場合は、真空室形成素材はＳｉの方がよ
い。形成素材をＳｉとした場合にも上記留意点は有効と
なる。
熱膨張計数がＳｉに近いもの、具体的には９０×１０-7
℃-1以下のものを選択しておかないと、上記同様に反
り、残留応力による悪影響が生じる。この他、反り、残
留応力は、焼成温度に依存する。具体的には、温度が高
いほど残留応力が残りやすく、反りやすい傾向がある。
そのため、シーリング温度が低くなるように、５００℃
以下の軟化点を持つ低融点ガラスを使用することが望ま
しい。また、真空室形成用に用いるガラスキャップ３は
Ｈｅの透過量がＳｉ等に比べて大きく、特に高い気密性
が要求される場合は、真空室形成素材はＳｉの方がよ
い。形成素材をＳｉとした場合にも上記留意点は有効と
なる。
【００２２】上記構成の半導体圧力センサ１００では、
真空室２形成用のガラスキャップ３を半導体圧力センサ
チップ１の直上に被せることで、図１０に示す従来の半
導体圧力センサ２００のように、金属製のハーメチック
ヘッダー２０７及びキャップ２０８を用いて真空室を形
成する必要が無くなり、センサの大幅な小型化を図るこ
とができる。また、ガラスキャップ３の直上に直接ＡＳ
ＩＣ４を接着することでワンチップ化を実現し、実装基
板内での半導体圧力センサの占有面積を縮小することが
できる。
真空室２形成用のガラスキャップ３を半導体圧力センサ
チップ１の直上に被せることで、図１０に示す従来の半
導体圧力センサ２００のように、金属製のハーメチック
ヘッダー２０７及びキャップ２０８を用いて真空室を形
成する必要が無くなり、センサの大幅な小型化を図るこ
とができる。また、ガラスキャップ３の直上に直接ＡＳ
ＩＣ４を接着することでワンチップ化を実現し、実装基
板内での半導体圧力センサの占有面積を縮小することが
できる。
【００２３】（２）実施の形態２ 図２は、実施の形態２にかかる半導体圧力センサ１１０
の構成を示す図である。図中、半導体圧力センサ１００
と同じ構成物には同じ参照番号を付し、ここでの重複し
た説明は省く。なお、半導体圧力センサ１１０は、上記
「従来の技術」の欄において説明した図９に示す従来の
半導体圧力センサ２００の半導体圧力センサチップ２０
１の上に、上記実施の形態１において説明した手順で真
空室形成用のガラスキャップ３を接合し、その上にＡＳ
ＩＣ４を接着したものである。
の構成を示す図である。図中、半導体圧力センサ１００
と同じ構成物には同じ参照番号を付し、ここでの重複し
た説明は省く。なお、半導体圧力センサ１１０は、上記
「従来の技術」の欄において説明した図９に示す従来の
半導体圧力センサ２００の半導体圧力センサチップ２０
１の上に、上記実施の形態１において説明した手順で真
空室形成用のガラスキャップ３を接合し、その上にＡＳ
ＩＣ４を接着したものである。
【００２４】ＡＳＩＣ４は、半導体圧力センサチップ１
から出力される信号に対して増幅及び温度補償処理を施
した後に、処理後の信号をワイヤ７に出力する。当該ワ
イヤ７は、外部リード８にボンディングされている。ま
た、ワイヤ１２は、半導体圧力センサチップ１の電源印
加端子に接続されている。当該ワイヤ１２は、外部リー
ド１３にボンディングされている。上記外部リード９及
び１３は、ヘッダー１１を通って外部に伸びている。な
お、半導体圧力センサチップ１の備える電源電圧の供給
端子等の他の端子も図示しない外部リードにワイヤボン
ディングされている。
から出力される信号に対して増幅及び温度補償処理を施
した後に、処理後の信号をワイヤ７に出力する。当該ワ
イヤ７は、外部リード８にボンディングされている。ま
た、ワイヤ１２は、半導体圧力センサチップ１の電源印
加端子に接続されている。当該ワイヤ１２は、外部リー
ド１３にボンディングされている。上記外部リード９及
び１３は、ヘッダー１１を通って外部に伸びている。な
お、半導体圧力センサチップ１の備える電源電圧の供給
端子等の他の端子も図示しない外部リードにワイヤボン
ディングされている。
【００２５】半導体圧力センサチップ１は、受圧面への
通気孔を有するＳｉ台座８と裏面側で接合されている。
当該Ｓｉ台座８は、半導体圧力センサチップ１とパッケ
ージ間に生じる応力の緩衝材として機能する。Ｓｉ台座
８は、その通気孔の当たる位置に開口部を有するヘッダ
ー１１に接合されている。ヘッダー１１の上記開口部に
は、所定の圧力を半導体圧力センサチップ１の受圧面に
導く外圧導入パイプ１０が接続されている。ヘッダー１
１は、キャップ１２と接合されてパッケージを形成す
る。
通気孔を有するＳｉ台座８と裏面側で接合されている。
当該Ｓｉ台座８は、半導体圧力センサチップ１とパッケ
ージ間に生じる応力の緩衝材として機能する。Ｓｉ台座
８は、その通気孔の当たる位置に開口部を有するヘッダ
ー１１に接合されている。ヘッダー１１の上記開口部に
は、所定の圧力を半導体圧力センサチップ１の受圧面に
導く外圧導入パイプ１０が接続されている。ヘッダー１
１は、キャップ１２と接合されてパッケージを形成す
る。
【００２６】図示するように、半導体圧力センサ１１０
は、上記実施の形態１の半導体圧力センサ１００を従来
の半導体圧力センサと同様に、ヘッダー１１及びキャッ
プ１２にてパッケージングしたものであるが、半導体圧
力センサ１１０では、真空室２がキャップ３により既に
確保されているため、ヘッダー１１及びキャップ１２に
よるパッケージングに気密性は要求されない。半導体圧
力センサ１１０において、キャップ１２は、半導体圧力
センサ１の保護だけを目的として設けられるものであ
り、キャップの素材として金属以外の安価な材料を使用
することができる。これにより、半導体圧力センサのコ
ストダウンを図ることができる。
は、上記実施の形態１の半導体圧力センサ１００を従来
の半導体圧力センサと同様に、ヘッダー１１及びキャッ
プ１２にてパッケージングしたものであるが、半導体圧
力センサ１１０では、真空室２がキャップ３により既に
確保されているため、ヘッダー１１及びキャップ１２に
よるパッケージングに気密性は要求されない。半導体圧
力センサ１１０において、キャップ１２は、半導体圧力
センサ１の保護だけを目的として設けられるものであ
り、キャップの素材として金属以外の安価な材料を使用
することができる。これにより、半導体圧力センサのコ
ストダウンを図ることができる。
【００２７】（３）実施の形態３ 図３は、実施の形態３にかかる半導体圧力センサ１２０
の構成を示す図である。図中、既に説明した半導体圧力
センサ１００及び１１０と同じ構成物には同じ参照番号
を付し、ここでの重複した説明は省く。半導体圧力セン
サ１２０では、上記実施の形態２の半導体圧力センサ１
１０のようにヘッダー１１にキャップ１２を接着するの
ではなく、ヘッダー１１上部に設けられる半導体圧力セ
ンサチップ１、ガラスキャップ３、ＡＳＩＣ４、Ｓｉ台
座８、外部リード９，１３等を樹脂１４により封止した
ことを特徴とする。その他の構成については上記実施の
形態２の半導体圧力センサ１１０と全く同じ構成であ
る。
の構成を示す図である。図中、既に説明した半導体圧力
センサ１００及び１１０と同じ構成物には同じ参照番号
を付し、ここでの重複した説明は省く。半導体圧力セン
サ１２０では、上記実施の形態２の半導体圧力センサ１
１０のようにヘッダー１１にキャップ１２を接着するの
ではなく、ヘッダー１１上部に設けられる半導体圧力セ
ンサチップ１、ガラスキャップ３、ＡＳＩＣ４、Ｓｉ台
座８、外部リード９，１３等を樹脂１４により封止した
ことを特徴とする。その他の構成については上記実施の
形態２の半導体圧力センサ１１０と全く同じ構成であ
る。
【００２８】半導体圧力センサ１２０では、樹脂１４の
熱応力が、半導体圧力センサチップ１に直接加わること
になるため、実施の形態２の半導体圧力センサ１１０の
場合よりも電気温度特性は悪くなるが、低価格化を実現
することができる。
熱応力が、半導体圧力センサチップ１に直接加わること
になるため、実施の形態２の半導体圧力センサ１１０の
場合よりも電気温度特性は悪くなるが、低価格化を実現
することができる。
【００２９】（４）実施の形態４ 図４は、実施の形態４にかかる半導体圧力センサ１３０
の構成を示す図である。上記実施の形態１にかかる半導
体圧力センサ１００と同じ構成物には同じ参照番号を付
し、ここでの重複した説明は省く。半導体圧力センサ１
３０では、実施の形態１の半導体圧力センサ１００の半
導体圧力センサチップ１の下面に備える受圧面に、圧力
媒体を導く孔を有するＳｉ台座８及び外圧導入パイプ１
６を接合し、半導体圧力センサチップ１及びＡＳＩＣ４
の備える各端子をリードフレームの備える各リードにワ
イヤボンディングした後に、全体を樹脂１７により封止
したものである。なお、図４には、複数備えるリードの
内、一番手前に位置するリード１８のみを示す。
の構成を示す図である。上記実施の形態１にかかる半導
体圧力センサ１００と同じ構成物には同じ参照番号を付
し、ここでの重複した説明は省く。半導体圧力センサ１
３０では、実施の形態１の半導体圧力センサ１００の半
導体圧力センサチップ１の下面に備える受圧面に、圧力
媒体を導く孔を有するＳｉ台座８及び外圧導入パイプ１
６を接合し、半導体圧力センサチップ１及びＡＳＩＣ４
の備える各端子をリードフレームの備える各リードにワ
イヤボンディングした後に、全体を樹脂１７により封止
したものである。なお、図４には、複数備えるリードの
内、一番手前に位置するリード１８のみを示す。
【００３０】Ｓｉ台座８は、半導体圧力センサチップ１
への応力緩和のために設けられており、要求される測定
精度によってはなくても良い。
への応力緩和のために設けられており、要求される測定
精度によってはなくても良い。
【００３１】また、外圧導入パイプ１６は、定格圧力に
対応できればどんな素材でも良い。例えば、定格圧力が
高い場合や高い精度が要求される場合には、金属パイプ
をＳｉ台座８に溶接すればよいし、定格圧力が低い場合
や高い測定精度が要求されていない場合は、樹脂パイプ
をＳｉ台座８に接着すればよい。
対応できればどんな素材でも良い。例えば、定格圧力が
高い場合や高い精度が要求される場合には、金属パイプ
をＳｉ台座８に溶接すればよいし、定格圧力が低い場合
や高い測定精度が要求されていない場合は、樹脂パイプ
をＳｉ台座８に接着すればよい。
【００３２】半導体圧力センサ１３０では、通常の半導
体ＩＣと同様にリードフレームを用いて外部にリードを
取り出した構造を採用する。このため、通常の半導体Ｉ
Ｃのように基板上に実装することが可能になる。また、
リードフレームを採用することで、上記実施の形態２及
び３の半導体圧力センサ１１０及び１２０の場合と比べ
て、外部リードの小型化を図ることができ、センサの小
型化及び低価格化を実現することができる。
体ＩＣと同様にリードフレームを用いて外部にリードを
取り出した構造を採用する。このため、通常の半導体Ｉ
Ｃのように基板上に実装することが可能になる。また、
リードフレームを採用することで、上記実施の形態２及
び３の半導体圧力センサ１１０及び１２０の場合と比べ
て、外部リードの小型化を図ることができ、センサの小
型化及び低価格化を実現することができる。
【００３３】（５）実施の形態５ 図５は、実施の形態５にかかる半導体圧力センサ１４０
の構成を示す図である。半導体圧力センサ１４０は、上
記実施の形態４の半導体圧力センサ１３０を大気圧測定
用に組み直したものである。
の構成を示す図である。半導体圧力センサ１４０は、上
記実施の形態４の半導体圧力センサ１３０を大気圧測定
用に組み直したものである。
【００３４】半導体圧力センサ１４０は、実施の形態１
の半導体圧力センサ１００の半導体圧力センサチップ１
の下面に備える受圧面に、圧力媒体を導く孔を有するＳ
ｉ台座８を接合し、半導体圧力センサチップ１及びＡＳ
ＩＣ４の備える各端子をリードフレームの備える各リー
ドにワイヤボンディングした後に、半導体圧力センサチ
ップ１の受圧面に外圧を導入するための開口部を有した
状態で樹脂１９内により封止したものである。
の半導体圧力センサ１００の半導体圧力センサチップ１
の下面に備える受圧面に、圧力媒体を導く孔を有するＳ
ｉ台座８を接合し、半導体圧力センサチップ１及びＡＳ
ＩＣ４の備える各端子をリードフレームの備える各リー
ドにワイヤボンディングした後に、半導体圧力センサチ
ップ１の受圧面に外圧を導入するための開口部を有した
状態で樹脂１９内により封止したものである。
【００３５】半導体圧力センサ１４０では、半導体圧力
センサチップ１の受圧面に大気圧が加わっていれば良い
ため上記実施の形態４で示した半導体圧力センサ１３０
のように外圧導入パイプ１６を必要としない。このよう
に、半導体圧力センサ１７０では、簡単な構成で大気圧
を測定することができる。
センサチップ１の受圧面に大気圧が加わっていれば良い
ため上記実施の形態４で示した半導体圧力センサ１３０
のように外圧導入パイプ１６を必要としない。このよう
に、半導体圧力センサ１７０では、簡単な構成で大気圧
を測定することができる。
【００３６】（６）実施の形態６ 図６は、実施の形態６にかかる半導体圧力センサ１５０
の構成を示す図である。半導体圧力センサ１５０は、上
記実施の形態４の半導体圧力センサ１３０を大気圧測定
用に組み直したものであって、要求される測定精度が低
い場合のものである。
の構成を示す図である。半導体圧力センサ１５０は、上
記実施の形態４の半導体圧力センサ１３０を大気圧測定
用に組み直したものであって、要求される測定精度が低
い場合のものである。
【００３７】半導体圧力センサ１５０は、実施の形態１
の半導体圧力センサ１００の半導体圧力センサチップ１
及びＡＳＩＣ４の備える各端子をリードフレームの備え
る各リードにワイヤボンディングした後に、半導体セン
サチップ１の受圧面に外圧を導入するための開口部を有
した状態で樹脂２０により封止したものである。即ち、
半導体圧力センサ１５０は、上記実施の形態５にかかる
半導体圧力センサ１４０からＳｉ台座８を省いたもので
ある。
の半導体圧力センサ１００の半導体圧力センサチップ１
及びＡＳＩＣ４の備える各端子をリードフレームの備え
る各リードにワイヤボンディングした後に、半導体セン
サチップ１の受圧面に外圧を導入するための開口部を有
した状態で樹脂２０により封止したものである。即ち、
半導体圧力センサ１５０は、上記実施の形態５にかかる
半導体圧力センサ１４０からＳｉ台座８を省いたもので
ある。
【００３８】半導体圧力センサ１５０は、高い測定精度
が要求されない場合に、より簡単な構成で大気圧を測定
することを可能にする。
が要求されない場合に、より簡単な構成で大気圧を測定
することを可能にする。
【００３９】（７）実施の形態７ 図７は、実施の形態７にかかる半導体圧力センサ１６０
の構成を示す図である。既に説明した実施の形態４の半
導体圧力センサ１３０と同じ構成物には同じ参照番号を
付し、ここでの重複した説明は省く。
の構成を示す図である。既に説明した実施の形態４の半
導体圧力センサ１３０と同じ構成物には同じ参照番号を
付し、ここでの重複した説明は省く。
【００４０】半導体圧力センサ１６０は、実施の形態１
の半導体圧力センサ１００の半導体圧力センサチップ１
の下面に備える受圧面に、圧力媒体を導く孔を有するＳ
ｉ台座８及び外圧導入パイプ１６を接合し、半導体圧力
センサチップ３及びＡＳＩＣ４の備える各端子をリード
フレームの備える各リードにワイヤボンディングした後
に、樹脂パッケージ２１内に収納したものである。図示
するように、上記樹脂パッケージ２１は、半導体圧力セ
ンサチップ１及びキャップ３を、外部からの応力を回避
するための空隙を有した状態で収納する所定の中空部を
有する。
の半導体圧力センサ１００の半導体圧力センサチップ１
の下面に備える受圧面に、圧力媒体を導く孔を有するＳ
ｉ台座８及び外圧導入パイプ１６を接合し、半導体圧力
センサチップ３及びＡＳＩＣ４の備える各端子をリード
フレームの備える各リードにワイヤボンディングした後
に、樹脂パッケージ２１内に収納したものである。図示
するように、上記樹脂パッケージ２１は、半導体圧力セ
ンサチップ１及びキャップ３を、外部からの応力を回避
するための空隙を有した状態で収納する所定の中空部を
有する。
【００４１】図４に示した実施の形態４の半導体圧力セ
ンサ１３０では、半導体圧力センサチップ１の側面など
が直接樹脂１７と接触するため、外部からの影響を受け
やすいのに対して、半導体圧力センサ１６０では、樹脂
パッケージ２１を採用することで、外部からの影響を受
けにくく、より高精度な圧力の測定を行うことができ
る。
ンサ１３０では、半導体圧力センサチップ１の側面など
が直接樹脂１７と接触するため、外部からの影響を受け
やすいのに対して、半導体圧力センサ１６０では、樹脂
パッケージ２１を採用することで、外部からの影響を受
けにくく、より高精度な圧力の測定を行うことができ
る。
【００４２】（８）実施の形態８ 図８は、実施の形態８にかかる半導体圧力センサ１７０
の構成を示す図である。半導体圧力センサ１７０は、上
記実施の形態７の半導体圧力センサ１６０を大気圧測定
用に組み直したものである。
の構成を示す図である。半導体圧力センサ１７０は、上
記実施の形態７の半導体圧力センサ１６０を大気圧測定
用に組み直したものである。
【００４３】半導体圧力センサ１７０は、実施の形態１
の半導体圧力センサ１００の半導体圧力センサチップ１
の下面に備える受圧面に、圧力媒体を導く孔を有するＳ
ｉ台座８を接合し、半導体圧力センサチップ３及びＡＳ
ＩＣ４の備える各端子をリードフレームの備える各リー
ドにワイヤボンディングした後に、樹脂パッケージ２２
内に収納したものである。図示するように、上記樹脂パ
ッケージ２２は、半導体圧力センサチップ１及びキャッ
プ３を、外部からの応力を回避するための空隙を有した
状態で収納する所定の中空部を有する。
の半導体圧力センサ１００の半導体圧力センサチップ１
の下面に備える受圧面に、圧力媒体を導く孔を有するＳ
ｉ台座８を接合し、半導体圧力センサチップ３及びＡＳ
ＩＣ４の備える各端子をリードフレームの備える各リー
ドにワイヤボンディングした後に、樹脂パッケージ２２
内に収納したものである。図示するように、上記樹脂パ
ッケージ２２は、半導体圧力センサチップ１及びキャッ
プ３を、外部からの応力を回避するための空隙を有した
状態で収納する所定の中空部を有する。
【００４４】半導体圧力センサ１７０では、半導体圧力
センサチップ１の受圧面に大気圧が加わっていれば良い
ため上記実施の形態７で示した半導体圧力センサ１６０
のように外圧導入パイプ１６を必要としない。また、半
導体圧力センサ１７０では、半導体センサチップ１、ガ
ラスキャップ３及びＡＳＩＣ４を樹脂で封止するのでは
なく、中空部を有する樹脂パッケージ２２に収納するこ
とで、パッケージ外部からの影響を緩和して、簡単な構
成で精度良く大気圧を測定することができる。
センサチップ１の受圧面に大気圧が加わっていれば良い
ため上記実施の形態７で示した半導体圧力センサ１６０
のように外圧導入パイプ１６を必要としない。また、半
導体圧力センサ１７０では、半導体センサチップ１、ガ
ラスキャップ３及びＡＳＩＣ４を樹脂で封止するのでは
なく、中空部を有する樹脂パッケージ２２に収納するこ
とで、パッケージ外部からの影響を緩和して、簡単な構
成で精度良く大気圧を測定することができる。
【００４５】（９）実施の形態９ 図９は、実施の形態９にかかる半導体圧力センサ１８０
の構成を示す図である。半導体圧力センサ１８０は、大
気圧測定用の半導体圧力センサであって、要求される測
定精度が低い場合のものである。
の構成を示す図である。半導体圧力センサ１８０は、大
気圧測定用の半導体圧力センサであって、要求される測
定精度が低い場合のものである。
【００４６】半導体圧力センサ１８０は、実施の形態１
の半導体圧力センサ１００の半導体圧力センサチップ１
及びＡＳＩＣ４の備える各端子をリードフレームの備え
る各リードにワイヤボンディングした後に、半導体セン
サチップ１の受圧面に外圧を導入するための開口部を有
した状態で樹脂パッケージ２３内に収納したものであ
る。図示するように、上記樹脂パッケージ２３は、半導
体圧力センサチップ１及びキャップ３を、外部からの応
力を回避するための空隙を有した状態で収納する所定の
中空部を有する。半導体圧力センサ１８０は、上記実施
の形態８の半導体圧力センサ１７０よりＳｉ台座８を省
いたものである。
の半導体圧力センサ１００の半導体圧力センサチップ１
及びＡＳＩＣ４の備える各端子をリードフレームの備え
る各リードにワイヤボンディングした後に、半導体セン
サチップ１の受圧面に外圧を導入するための開口部を有
した状態で樹脂パッケージ２３内に収納したものであ
る。図示するように、上記樹脂パッケージ２３は、半導
体圧力センサチップ１及びキャップ３を、外部からの応
力を回避するための空隙を有した状態で収納する所定の
中空部を有する。半導体圧力センサ１８０は、上記実施
の形態８の半導体圧力センサ１７０よりＳｉ台座８を省
いたものである。
【００４７】半導体圧力センサ１８０では、実施の形態
１の半導体圧力センサ１００の半導体センサチップ１、
ガラスキャップ３及びＡＳＩＣ４を樹脂で封止するので
はなく、中空部を有する樹脂パッケージ２１に収納する
ことで、パッケージ外部から影響を緩和して、より簡単
な構成で精度良く大気圧を測定することを可能にする。
１の半導体圧力センサ１００の半導体センサチップ１、
ガラスキャップ３及びＡＳＩＣ４を樹脂で封止するので
はなく、中空部を有する樹脂パッケージ２１に収納する
ことで、パッケージ外部から影響を緩和して、より簡単
な構成で精度良く大気圧を測定することを可能にする。
【００４８】
【発明の効果】本発明の第１の半導体圧力センサは、半
導体圧力センサチップ上に真空室形成用の凹部を有する
ガラスキャップを接合することで、真空室を形成し、更
に、当該キャップ上に半導体圧力センサからの出力信号
を処理するＩＣチップを接着する構成を採用すること
で、従来のように金属製のハーメチックヘッダー及びキ
ャップにより真空室を形成する必要が無くなると共に、
実際の使用に際して、別途信号処理用のＡＳＩＣを用意
する必要が無くなる。これにより、半導体圧力センサの
小型化、低価格化を図ることができる。
導体圧力センサチップ上に真空室形成用の凹部を有する
ガラスキャップを接合することで、真空室を形成し、更
に、当該キャップ上に半導体圧力センサからの出力信号
を処理するＩＣチップを接着する構成を採用すること
で、従来のように金属製のハーメチックヘッダー及びキ
ャップにより真空室を形成する必要が無くなると共に、
実際の使用に際して、別途信号処理用のＡＳＩＣを用意
する必要が無くなる。これにより、半導体圧力センサの
小型化、低価格化を図ることができる。
【００４９】本発明の第２の半導体圧力センサでは、上
記第１の半導体圧力センサを樹脂により封止すること
で、従来のように半導体圧力センサチップの保護のため
に金属製のハーメチックヘッダー及びキャップを用いる
場合に比べて、小型化を図ることができる。
記第１の半導体圧力センサを樹脂により封止すること
で、従来のように半導体圧力センサチップの保護のため
に金属製のハーメチックヘッダー及びキャップを用いる
場合に比べて、小型化を図ることができる。
【００５０】本発明の第３の半導体圧力センサでは、上
記第２の半導体圧力センサを樹脂により封止する際に、
半導体圧力センサチップ及びキャップを、外部からの応
力を回避するための空隙を有した状態で収納する中空部
を設けることで、外部からの応力による影響を低減する
ことができ、圧力の測定精度を向上することができる。
記第２の半導体圧力センサを樹脂により封止する際に、
半導体圧力センサチップ及びキャップを、外部からの応
力を回避するための空隙を有した状態で収納する中空部
を設けることで、外部からの応力による影響を低減する
ことができ、圧力の測定精度を向上することができる。
【００５１】本発明の第４の半導体圧力センサは、上記
第２又は第３の半導体圧力センサの半導体圧力センサチ
ップ及びＩＣチップの備える各端子をリードフレームの
備える各リードに接続する構成を採用することで、通常
の半導体ＩＣのように基板上に実装することが可能とな
る。また、リードフレームを用いることで、各端子に個
別に外部リードを接続する従来の半導体圧力センサに比
べて一層の小型化を図ることができる。
第２又は第３の半導体圧力センサの半導体圧力センサチ
ップ及びＩＣチップの備える各端子をリードフレームの
備える各リードに接続する構成を採用することで、通常
の半導体ＩＣのように基板上に実装することが可能とな
る。また、リードフレームを用いることで、各端子に個
別に外部リードを接続する従来の半導体圧力センサに比
べて一層の小型化を図ることができる。
【図１】 実施の形態１にかかる半導体圧力センサの構
成図である。
成図である。
【図２】 実施の形態２にかかる半導体圧力センサの構
成図である。
成図である。
【図３】 実施の形態３にかかる半導体圧力センサの構
成図である。
成図である。
【図４】 実施の形態４にかかる半導体圧力センサの構
成図である。
成図である。
【図５】 実施の形態５にかかる半導体圧力センサの構
成図である。
成図である。
【図６】 実施の形態６にかかる半導体圧力センサの構
成図である。
成図である。
【図７】 実施の形態７にかかる半導体圧力センサの構
成図である。
成図である。
【図８】 実施の形態８にかかる半導体圧力センサの構
成図である。
成図である。
【図９】 実施の形態９にかかる半導体圧力センサの構
成図である。
成図である。
【図１０】 従来の半導体圧力センサの構成を示す図で
ある。
ある。
１ 半導体圧力センサチップ、２ 真空室、３ ガラス
キャップ、４ ＡＳＩＣ、５，６，７，１３，１５ ワ
イヤ、８ Ｓｉ台座、９，１３，１８ 外部リード、１
０ 外圧導入パイプ、１２ キャップ、１４，１７，１
９，２０，２１，２２，２３ 樹脂、１００，１１０，
１２０，１３０，１４０，１５０，１６０，１７０，１
８０ 半導体圧力センサ
キャップ、４ ＡＳＩＣ、５，６，７，１３，１５ ワ
イヤ、８ Ｓｉ台座、９，１３，１８ 外部リード、１
０ 外圧導入パイプ、１２ キャップ、１４，１７，１
９，２０，２１，２２，２３ 樹脂、１００，１１０，
１２０，１３０，１４０，１５０，１６０，１７０，１
８０ 半導体圧力センサ
Claims (4)
- 【請求項１】 下面に受圧面を有し、上面側が真空室中
におかれる半導体圧力センサチップを有する半導体圧力
センサにおいて、 上記半導体圧力センサチップの上面に、当該上面との間
で真空室を形成する凹部を有するガラスキャップを接合
し、 上記キャップ上に上記半導体圧力センサチップから出力
される信号を処理するＩＣチップを接着したことを特徴
とする半導体圧力センサ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体圧力センサであ
って、 上記半導体圧力センサチップの受圧面に外圧を導入する
ための開口部を有し、該半導体圧力センサチップ、キャ
ップ及びＩＣチップを封止する樹脂を備えることを特徴
とする半導体圧力センサ。 - 【請求項３】 請求項２に記載の半導体圧力センサであ
って、 上記樹脂は、半導体圧力センサチップ及びキャップを、
外部からの応力を回避するための空隙を有した状態で収
納する中空部を有することを特徴とする半導体圧力セン
サ。 - 【請求項４】 請求項２又は請求項３に記載の半導体圧
力センサにおいて、 リードフレームを更に備え、 上記半導体圧力センサチップ及びＩＣチップの備える各
端子が上記リードフレームの各リードにワイヤボンディ
ングされていることを特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9322966A JPH11160179A (ja) | 1997-11-25 | 1997-11-25 | 半導体圧力センサ |
| DE19830805A DE19830805A1 (de) | 1997-11-25 | 1998-07-09 | Halbleiter-Druckmeßfühler |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9322966A JPH11160179A (ja) | 1997-11-25 | 1997-11-25 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11160179A true JPH11160179A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18149647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9322966A Pending JPH11160179A (ja) | 1997-11-25 | 1997-11-25 | 半導体圧力センサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11160179A (ja) |
| DE (1) | DE19830805A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012500974A (ja) * | 2008-08-21 | 2012-01-12 | エススリーシー， インコーポレイテッド | センサデバイスパッケージ及び方法 |
| JP2017207462A (ja) * | 2016-05-17 | 2017-11-24 | エーエーシー テクノロジーズ ピーティーイー リミテッドＡａｃ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｐｔｅ．Ｌｔｄ． | 圧力センサー |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2867854B1 (fr) * | 2004-03-17 | 2007-03-30 | Denso Corp | Detecteur de pression compact, tres precis et resistant fortement a la corrosion |
| JP4111158B2 (ja) | 2004-03-19 | 2008-07-02 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
| US9013013B1 (en) | 2013-12-06 | 2015-04-21 | Infineon Technologies Ag | Pressure sensor package having a stacked die arrangement |
| DE102014014103A1 (de) | 2014-09-30 | 2016-03-31 | Hella Kgaa Hueck & Co. | Sensormodul zur Messung eines Druckes eines Fluides mit mindestens einer auf einem Schaltungsträger angeordneten elektronischen Schaltung, insbesondere einem integrierten Schaltkreis und mindestens einem Druckmesschip |
-
1997
- 1997-11-25 JP JP9322966A patent/JPH11160179A/ja active Pending
-
1998
- 1998-07-09 DE DE19830805A patent/DE19830805A1/de not_active Ceased
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012500974A (ja) * | 2008-08-21 | 2012-01-12 | エススリーシー， インコーポレイテッド | センサデバイスパッケージ及び方法 |
| JP2017207462A (ja) * | 2016-05-17 | 2017-11-24 | エーエーシー テクノロジーズ ピーティーイー リミテッドＡａｃ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｐｔｅ．Ｌｔｄ． | 圧力センサー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19830805A1 (de) | 1999-06-02 |
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