JPH05283713A - 半導体センサ - Google Patents
半導体センサInfo
- Publication number
- JPH05283713A JPH05283713A JP4109216A JP10921692A JPH05283713A JP H05283713 A JPH05283713 A JP H05283713A JP 4109216 A JP4109216 A JP 4109216A JP 10921692 A JP10921692 A JP 10921692A JP H05283713 A JPH05283713 A JP H05283713A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- weight
- sensor chip
- semiconductor sensor
- adhesive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
Landscapes
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 構成部品，材料の強化を図った信頼性の高い
半導体センサを得る。 【構成】 重り１３とシリコンセンサチップ２との接着
に、フッ素を添加したシリコン系接着剤１４を用い、ま
た、重り１３の材質をコバールとした。 【効果】 シリコンオイルによる接着剤の膨潤，溶解等
を防止することができ、また、重りとシリコンセンサチ
ップとの線膨張係数の違いに起因するチップ折れ等の不
具合を防止した高精度の半導体センサが得られる。
半導体センサを得る。 【構成】 重り１３とシリコンセンサチップ２との接着
に、フッ素を添加したシリコン系接着剤１４を用い、ま
た、重り１３の材質をコバールとした。 【効果】 シリコンオイルによる接着剤の膨潤，溶解等
を防止することができ、また、重りとシリコンセンサチ
ップとの線膨張係数の違いに起因するチップ折れ等の不
具合を防止した高精度の半導体センサが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体センサに関
し、特に構成部品，材料を改良して、装置の強化および
信頼性の向上を図った加速度センサに関するものであ
る。
し、特に構成部品，材料を改良して、装置の強化および
信頼性の向上を図った加速度センサに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図２は加速度の感知に用いられる従来の
半導体センサの構造を示す図であり、図２(a) はその外
観を示す斜視図、図２(b) はその内部構造を示す斜視図
である。また、図３は図２に示した従来の半導体センサ
の構造を示す断面図である。図２および図３において、
２は加速度の感知を行うシリコンセンサチップ、１は凹
字型の金属製重りであり、シリコンセンサチップ２上に
該チップ２の端部を覆うようにして装着されている。３
はシリコンセンサチップ２をベース５上に支えるための
台座、６はシリコンセンサチップ２内部の電極と金属細
線１０により接続されているインナーリード、７はイン
ナーリード６とベース５とを電気的に絶縁するためのガ
ラス、８はインナーリード６と接続され、外部と信号の
やりとりを行うアウターリード、４は該半導体チップの
パッケージであり、ベース５，インナーリード６，ガラ
ス７，アウターリード８からなる。９はベース５上の素
子を覆ってパッケージ４内に封入するキャップであり、
その外縁部につば部を持つ。１１はキャップ９で封止さ
れたパッケージ４の内部に満たされたシリコンオイルで
ある。
半導体センサの構造を示す図であり、図２(a) はその外
観を示す斜視図、図２(b) はその内部構造を示す斜視図
である。また、図３は図２に示した従来の半導体センサ
の構造を示す断面図である。図２および図３において、
２は加速度の感知を行うシリコンセンサチップ、１は凹
字型の金属製重りであり、シリコンセンサチップ２上に
該チップ２の端部を覆うようにして装着されている。３
はシリコンセンサチップ２をベース５上に支えるための
台座、６はシリコンセンサチップ２内部の電極と金属細
線１０により接続されているインナーリード、７はイン
ナーリード６とベース５とを電気的に絶縁するためのガ
ラス、８はインナーリード６と接続され、外部と信号の
やりとりを行うアウターリード、４は該半導体チップの
パッケージであり、ベース５，インナーリード６，ガラ
ス７，アウターリード８からなる。９はベース５上の素
子を覆ってパッケージ４内に封入するキャップであり、
その外縁部につば部を持つ。１１はキャップ９で封止さ
れたパッケージ４の内部に満たされたシリコンオイルで
ある。
【０００３】次に、該半導体センサのパッケージ封入方
法について説明する。図４は上記に示した従来のシリコ
ンセンサチップ２周囲の構造を拡大して示した断面図で
あり、図中、図２あるいは図３と同一符号は同一または
相当部分を示す。該図４において、１２は金属製重り１
とシリコンセンサチップ２とを接着するためのシリコン
系接着剤である。まず、あらかじめベース５上に接着剤
で装着された台座３上に、シリコンセンサチップ２を接
着剤にて装着する。次いで、シリコンセンサチップ２上
の一端に設けられている電極（図示せず）と、パッケー
ジ４に設けられているインナーリード６とを金属細線１
０で接続し、続いて、シリコンセンサチップ２の他端部
に金属製重り１をシリコン系接着剤１２で装着する。そ
の後、シリコンオイル１１で満たされたキャップ９と、
シリコンセンサチップ２等を装着したベース５とを、こ
れらキャップ９およびベース５のそれぞれの外縁に設け
られたつば部を溶接して、パッケージ４を封止する。
法について説明する。図４は上記に示した従来のシリコ
ンセンサチップ２周囲の構造を拡大して示した断面図で
あり、図中、図２あるいは図３と同一符号は同一または
相当部分を示す。該図４において、１２は金属製重り１
とシリコンセンサチップ２とを接着するためのシリコン
系接着剤である。まず、あらかじめベース５上に接着剤
で装着された台座３上に、シリコンセンサチップ２を接
着剤にて装着する。次いで、シリコンセンサチップ２上
の一端に設けられている電極（図示せず）と、パッケー
ジ４に設けられているインナーリード６とを金属細線１
０で接続し、続いて、シリコンセンサチップ２の他端部
に金属製重り１をシリコン系接着剤１２で装着する。そ
の後、シリコンオイル１１で満たされたキャップ９と、
シリコンセンサチップ２等を装着したベース５とを、こ
れらキャップ９およびベース５のそれぞれの外縁に設け
られたつば部を溶接して、パッケージ４を封止する。
【０００４】次に動作について説明する。例えば自動車
などにこの半導体センサを使用した場合、車の加速によ
り加速度が該半導体センサに作用すると、それに応じて
金属製重り１が変位し、この変位にともなってシリコン
センサチップ２の、歪みを感知し易い構造となっている
ハーフエッチ部（図示せず）が歪む。該半導体センサ
は、この歪み具合を電気信号に変換し、作用した加速度
の大きさを検知するようになっている。このとき、パッ
ケージ４内に満たされたシリコンオイル１１は、加速度
による振動以外の微振動による金属製重り１の変位を防
止し、検知値に誤差が生じることを低減している。ま
た、シリコン系接着剤１２はヤング率の小さな軟らかい
材質であるため、金属製重り１とシリコンセンサチップ
２との間にあって、両者間の線膨張係数の違いに起因す
る応力を緩和する役目を果たしている。
などにこの半導体センサを使用した場合、車の加速によ
り加速度が該半導体センサに作用すると、それに応じて
金属製重り１が変位し、この変位にともなってシリコン
センサチップ２の、歪みを感知し易い構造となっている
ハーフエッチ部（図示せず）が歪む。該半導体センサ
は、この歪み具合を電気信号に変換し、作用した加速度
の大きさを検知するようになっている。このとき、パッ
ケージ４内に満たされたシリコンオイル１１は、加速度
による振動以外の微振動による金属製重り１の変位を防
止し、検知値に誤差が生じることを低減している。ま
た、シリコン系接着剤１２はヤング率の小さな軟らかい
材質であるため、金属製重り１とシリコンセンサチップ
２との間にあって、両者間の線膨張係数の違いに起因す
る応力を緩和する役目を果たしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体センサは
以上のように構成されているので、耐シリコンオイル性
ではないシリコン系接着剤１２は、シリコンオイル１１
中で膨潤あるいは溶解するなどして接着剤としての働き
を失い、シリコンセンサチップ２と金属製重り１との接
着を果たさなくなるという問題があり、また、金属製の
重り１はシリコンセンサチップ２に対して線膨張係数が
大きく、両者の間にヤング率の小さなシリコン系接着剤
１２を介していても、両者の線膨張係数の違いは充分に
緩和することができず、結果、熱応力時にシリコンセン
サチップ２が折れてしまうなどの問題点があった。
以上のように構成されているので、耐シリコンオイル性
ではないシリコン系接着剤１２は、シリコンオイル１１
中で膨潤あるいは溶解するなどして接着剤としての働き
を失い、シリコンセンサチップ２と金属製重り１との接
着を果たさなくなるという問題があり、また、金属製の
重り１はシリコンセンサチップ２に対して線膨張係数が
大きく、両者の間にヤング率の小さなシリコン系接着剤
１２を介していても、両者の線膨張係数の違いは充分に
緩和することができず、結果、熱応力時にシリコンセン
サチップ２が折れてしまうなどの問題点があった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、構成部品の強化を図り、精度の
高い半導体センサを得ることを目的とする。
ためになされたもので、構成部品の強化を図り、精度の
高い半導体センサを得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体セ
ンサは、重りとシリコンセンサチップの装着にヤング率
が小さく、かつ、耐シリコンオイル性である接着剤を用
いたものである。
ンサは、重りとシリコンセンサチップの装着にヤング率
が小さく、かつ、耐シリコンオイル性である接着剤を用
いたものである。
【０００８】また、この発明に係る半導体センサは、重
りの材質としてシリコンセンサチップより比重が大き
く、かつ、線膨張係数がシリコンに近いものを用いたも
のである。
りの材質としてシリコンセンサチップより比重が大き
く、かつ、線膨張係数がシリコンに近いものを用いたも
のである。
【０００９】
【作用】この発明における半導体センサは、重りとシリ
コンセンサチップの装着にヤング率が小さく、かつ、耐
シリコンオイル性である接着剤を用いたので、シリコン
オイルに対して、接着剤が膨潤，溶解することはないの
で、重りとシリコンセンサチップとの間の応力緩和の効
果を保ちながら両者間の接着も強化することができる。
コンセンサチップの装着にヤング率が小さく、かつ、耐
シリコンオイル性である接着剤を用いたので、シリコン
オイルに対して、接着剤が膨潤，溶解することはないの
で、重りとシリコンセンサチップとの間の応力緩和の効
果を保ちながら両者間の接着も強化することができる。
【００１０】また、この発明における半導体センサは、
重りにシリコンセンサチップより比重が大きく、かつ、
線膨張係数がシリコンに近いものを用いたので、たとえ
熱変化が生じても、重り側とシリコンセンサチップ側の
伸縮率はほとんど同じであるため、チップ折れ等の発生
を防ぐことができる。
重りにシリコンセンサチップより比重が大きく、かつ、
線膨張係数がシリコンに近いものを用いたので、たとえ
熱変化が生じても、重り側とシリコンセンサチップ側の
伸縮率はほとんど同じであるため、チップ折れ等の発生
を防ぐことができる。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図１はこの発明の一実施例による半導体センサのシ
リコンセンサチップ周辺の構造を拡大して示す断面図で
あり、図中、図２ないし図４と同一符号は同一または相
当部分を示す。図１において、１３はコバール（Covar)
を材料として用いた側面凹字型のコバール製重り、１４
はフッ素を添加したシリコン系接着剤である。
る。図１はこの発明の一実施例による半導体センサのシ
リコンセンサチップ周辺の構造を拡大して示す断面図で
あり、図中、図２ないし図４と同一符号は同一または相
当部分を示す。図１において、１３はコバール（Covar)
を材料として用いた側面凹字型のコバール製重り、１４
はフッ素を添加したシリコン系接着剤である。
【００１２】次に動作について説明する。従来例で用い
ていたシリコン系接着剤１２にフッ素を添加して得られ
る該接着剤１４は耐シリコンオイル性となる。本実施例
による半導体センサにおいては、シリコンセンサチップ
２とコバール製重り１３との接着にフッ素を添加したシ
リコン系接着剤１４を使用しており、該接着剤１４はヤ
ング率が小さく軟らかいため、重りとシリコンセンサチ
ップとの線膨張係数の違いによる応力を緩和できるばか
りでなく、その材質により耐シリコンオイル性であるか
ら、パッケージ４中のシリコンオイル１１に対して、膨
潤，溶解することはなく、このため、コバール製重り１
３とシリコンセンサチップ２との接着が外れるというこ
ともなくなる。
ていたシリコン系接着剤１２にフッ素を添加して得られ
る該接着剤１４は耐シリコンオイル性となる。本実施例
による半導体センサにおいては、シリコンセンサチップ
２とコバール製重り１３との接着にフッ素を添加したシ
リコン系接着剤１４を使用しており、該接着剤１４はヤ
ング率が小さく軟らかいため、重りとシリコンセンサチ
ップとの線膨張係数の違いによる応力を緩和できるばか
りでなく、その材質により耐シリコンオイル性であるか
ら、パッケージ４中のシリコンオイル１１に対して、膨
潤，溶解することはなく、このため、コバール製重り１
３とシリコンセンサチップ２との接着が外れるというこ
ともなくなる。
【００１３】また、重り１３の材質として用いたコバー
ルは、線膨張係数がセラミックに近い。このため、コバ
ール製重り１３は線膨張係数がシリコンセンサチップ２
に近いものとなっているので、たとえ熱変化が生じて
も、コバール製重り１３側とセンサチップ２側の伸縮率
はほとんど同じとなるため、チップ折れ等を防ぐことが
できる。
ルは、線膨張係数がセラミックに近い。このため、コバ
ール製重り１３は線膨張係数がシリコンセンサチップ２
に近いものとなっているので、たとえ熱変化が生じて
も、コバール製重り１３側とセンサチップ２側の伸縮率
はほとんど同じとなるため、チップ折れ等を防ぐことが
できる。
【００１４】このように、上記実施例においては、重り
とシリコンセンサチップとの接着に耐シリコンオイル性
の接着剤を用い、また、重りの材質をシリコンセンサチ
ップの線膨張係数に近いものとしたことにより、重りと
シリコンセンサチップとの接着を強固なものとし、ま
た、熱変化時に生じるチップ折れ等の不具合を防ぐこと
ができる。
とシリコンセンサチップとの接着に耐シリコンオイル性
の接着剤を用い、また、重りの材質をシリコンセンサチ
ップの線膨張係数に近いものとしたことにより、重りと
シリコンセンサチップとの接着を強固なものとし、ま
た、熱変化時に生じるチップ折れ等の不具合を防ぐこと
ができる。
【００１５】なお、上記実施例では重り１３の材質をコ
バールとしたが、比重がシリコンセンサチップ２より大
きく、かつ、線膨張係数がシリコンに近いものであれ
ば、どのようなものを用いても構わない。
バールとしたが、比重がシリコンセンサチップ２より大
きく、かつ、線膨張係数がシリコンに近いものであれ
ば、どのようなものを用いても構わない。
【００１６】また、上記実施例では接着剤１４としてフ
ッ素を添加したシリコン系接着剤を用いたが、ヤング率
が小さく、弾性的で軟らかく、強度のあるもので、シリ
コンオイル１１中で溶解，膨潤しないものであれば、ど
のようなものを用いても構わない。
ッ素を添加したシリコン系接着剤を用いたが、ヤング率
が小さく、弾性的で軟らかく、強度のあるもので、シリ
コンオイル１１中で溶解，膨潤しないものであれば、ど
のようなものを用いても構わない。
【００１７】さらに、上記実施例では片持梁式の半導体
センサの場合について説明したが、接着剤が溶融する
等、あるいは重りとセンサチップとの間の熱膨張係数が
大きく異なる等の同様な環境条件の下にある、他のタイ
プの半導体センサの場合に対しても適用でき、上記実施
例と同様の効果を奏する。
センサの場合について説明したが、接着剤が溶融する
等、あるいは重りとセンサチップとの間の熱膨張係数が
大きく異なる等の同様な環境条件の下にある、他のタイ
プの半導体センサの場合に対しても適用でき、上記実施
例と同様の効果を奏する。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る半導体セ
ンサによれば、重りとシリコンセンサチップの接着に、
ヤング率が小さく、かつ、耐シリコンオイル性である接
着剤を用いたので、パッケージ中のシリコンオイルに対
して、接着剤が膨潤，溶解することはなく、また、重り
とセンサチップ間の線膨張係数の違いに起因する応力の
緩和も同時に行うことができるため、重りとシリコンセ
ンサチップとの接着を強固にし、両者が外れるというこ
とを防いだ精度の高い半導体センサが得られるという効
果がある。
ンサによれば、重りとシリコンセンサチップの接着に、
ヤング率が小さく、かつ、耐シリコンオイル性である接
着剤を用いたので、パッケージ中のシリコンオイルに対
して、接着剤が膨潤，溶解することはなく、また、重り
とセンサチップ間の線膨張係数の違いに起因する応力の
緩和も同時に行うことができるため、重りとシリコンセ
ンサチップとの接着を強固にし、両者が外れるというこ
とを防いだ精度の高い半導体センサが得られるという効
果がある。
【００１９】また、この発明に係る半導体センサによれ
ば、重りにシリコンセンサチップより比重が大きく、か
つ、線膨張係数がシリコンに近いものを用いたので、た
とえ熱変化が生じても、重り側とシリコンセンサチップ
側の伸縮率はほとんど同じとなるため、チップ折れ等の
発生を防ぐことができ、精度の高い半導体センサが得ら
れるという効果がある。
ば、重りにシリコンセンサチップより比重が大きく、か
つ、線膨張係数がシリコンに近いものを用いたので、た
とえ熱変化が生じても、重り側とシリコンセンサチップ
側の伸縮率はほとんど同じとなるため、チップ折れ等の
発生を防ぐことができ、精度の高い半導体センサが得ら
れるという効果がある。
【図１】この発明の一実施例による半導体センサのシリ
コンセンサチップ周辺の構造を拡大して示す断面図であ
る。
コンセンサチップ周辺の構造を拡大して示す断面図であ
る。
【図２】従来の半導体センサの外観および内部の構造を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図３】従来の半導体センサの内部構造を示す断面図で
ある。
ある。
【図４】従来の半導体センサチップ周辺の構造を拡大し
て示す断面図である。
て示す断面図である。
１ 金属製重り ２ シリコンセンサチップ ３ 台座 ４ パッケージ ５ ベース ６ インナーリード ７ ガラス ８ アウターリード ９ キャップ １０ 金属細線 １１ シリコンオイル １２ シリコン系接着剤 １３ コバール製重り １４ 接着剤
【手続補正書】
【提出日】平成４年７月２４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】また、重り１３の材質として用いたコバー
ルは、線膨張係数がシリコンに近い。このため、コバー
ル製重り１３は線膨張係数がシリコンセンサチップ２に
近いものとなっているので、たとえ熱変化が生じても、
コバール製重り１３側とセンサチップ２側の伸縮率はほ
とんど同じとなるため、チップ折れ等を防ぐことができ
る。
ルは、線膨張係数がシリコンに近い。このため、コバー
ル製重り１３は線膨張係数がシリコンセンサチップ２に
近いものとなっているので、たとえ熱変化が生じても、
コバール製重り１３側とセンサチップ２側の伸縮率はほ
とんど同じとなるため、チップ折れ等を防ぐことができ
る。
Claims (4)
- 【請求項１】 パッケージのベース上に台座を設け、そ
の一端に重りが装着されたシリコンセンサチップをその
他端で上記台座上に装着し、その中がシリコンオイルで
満たされたキャップで上記ベースを覆うように封止して
なる半導体センサにおいて、 上記重りとシリコンセンサチップとの接着はヤング率が
小さく、かつ、耐シリコンオイル性である接着剤を用い
て行ったものであることを特徴とする半導体センサ。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体センサにおいて、 上記接着剤はフッ素を添加したシリコン系接着剤である
ことを特徴とする半導体センサ。 - 【請求項３】 パッケージのベース上に台座を設け、そ
の一端に重りが装着されたシリコンセンサチップをその
他端で上記台座上に装着し、その中がシリコンオイルで
満たされたキャップで上記ベースを覆うように封止して
なる半導体センサにおいて、 上記重りは上記シリコンセンサチップより比重が大き
く、かつ、線膨張係数がシリコンに近い材質にて形成さ
れたものを用いてなるものであることを特徴とする半導
体センサ。 - 【請求項４】 請求項３記載の半導体センサにおいて、 上記重りの材質はコバールであることを特徴とする半導
体センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4109216A JPH05283713A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 半導体センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4109216A JPH05283713A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 半導体センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283713A true JPH05283713A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=14504545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4109216A Pending JPH05283713A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 半導体センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05283713A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5747694A (en) * | 1995-07-28 | 1998-05-05 | Nippondenso Co., Ltd. | Pressure sensor with barrier in a pressure chamber |
| JP2003042883A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Saginomiya Seisakusho Inc | 液封型圧力センサ |
| US6658937B2 (en) | 2001-07-12 | 2003-12-09 | Denso Corporation | Oscillatory angular rate sensor |
| JP2004198147A (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Toyoda Mach Works Ltd | 圧力センサ |
| JP2012220461A (ja) * | 2011-04-14 | 2012-11-12 | Seiko Epson Corp | 加速度検出器、加速度検出デバイス及び電子機器 |
| WO2020009091A1 (ja) * | 2018-07-06 | 2020-01-09 | 北陸電気工業株式会社 | 圧力センサ装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0413971A (ja) * | 1990-05-02 | 1992-01-17 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度センサ |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP4109216A patent/JPH05283713A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0413971A (ja) * | 1990-05-02 | 1992-01-17 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度センサ |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5747694A (en) * | 1995-07-28 | 1998-05-05 | Nippondenso Co., Ltd. | Pressure sensor with barrier in a pressure chamber |
| US5900554A (en) * | 1995-07-28 | 1999-05-04 | Nippendenso Co., Ltd. | Pressure sensor |
| US6658937B2 (en) | 2001-07-12 | 2003-12-09 | Denso Corporation | Oscillatory angular rate sensor |
| JP2003042883A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Saginomiya Seisakusho Inc | 液封型圧力センサ |
| JP2004198147A (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Toyoda Mach Works Ltd | 圧力センサ |
| JP2012220461A (ja) * | 2011-04-14 | 2012-11-12 | Seiko Epson Corp | 加速度検出器、加速度検出デバイス及び電子機器 |
| WO2020009091A1 (ja) * | 2018-07-06 | 2020-01-09 | 北陸電気工業株式会社 | 圧力センサ装置 |
| JPWO2020009091A1 (ja) * | 2018-07-06 | 2021-07-08 | 北陸電気工業株式会社 | 圧力センサ装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4165360B2 (ja) | 力学量センサ | |
| JPS6341080A (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JPH11295172A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| US6293154B1 (en) | Vibration compensated pressure sensing assembly | |
| JPH0119528B2 (ja) | ||
| JPH06132545A (ja) | 圧力検出装置 | |
| US6612178B1 (en) | Leadless metal media protected pressure sensor | |
| JPH05283713A (ja) | 半導体センサ | |
| JPH06232423A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP2504737B2 (ja) | 圧力センサユニツト | |
| US4400682A (en) | Pressure sensor | |
| JPH0850142A (ja) | 半導体加速度センサ及びその製造方法 | |
| JPH06291334A (ja) | 加速度センサ | |
| JPH06242141A (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JPH11160179A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP2745919B2 (ja) | 加速度センサ | |
| JPS59154332A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP2001153881A (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JP2002039887A (ja) | 半導体力学量センサおよびその製造方法 | |
| JPH07131036A (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JP2625225B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH05299671A (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
| JPH0382059A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| CN216246925U (zh) | 一种降低输出漂移的mems压力传感器芯片 | |
| JP2000162076A (ja) | 半導体圧力センサ |