JPH05299671A - 半導体圧力センサ及びその製造方法 - Google Patents

半導体圧力センサ及びその製造方法

Info

Publication number
JPH05299671A
JPH05299671A JP4225942A JP22594292A JPH05299671A JP H05299671 A JPH05299671 A JP H05299671A JP 4225942 A JP4225942 A JP 4225942A JP 22594292 A JP22594292 A JP 22594292A JP H05299671 A JPH05299671 A JP H05299671A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure sensor
semiconductor pressure
sensor chip
stem
pedestal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4225942A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryoji Takahashi
良治 高橋
Hiroshi Otani
浩 大谷
Seiji Takemura
誠次 竹村
Tetsuya Hirose
哲也 広瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to KR1019920025987A priority Critical patent/KR970000779B1/ko
Priority to US08/003,437 priority patent/US5333505A/en
Priority to EP93300185A priority patent/EP0552017B1/en
Priority to DE69313310T priority patent/DE69313310T2/de
Publication of JPH05299671A publication Critical patent/JPH05299671A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/02—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
    • G01L9/06—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of piezo-resistive devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0061—Electrical connection means
    • G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14—Housings
    • G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015—Shape
    • H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49082—Resistor making
    • Y10T29/49103—Strain gauge making

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 この発明は、強度を向上させ、半導体圧力セ
ンサチップが熱歪みを受けて歪まないようにし、さらに
外装樹脂がダイヤフラム部に流入せず、精度良く信頼性
の高い半導体圧力センサを得ることを目的とする。 【構成】 半導体圧力センサチップ１の表面には、一体
モールド時に外装樹脂がダイヤフラム部に流れ出すのを
防止するために、樹脂で造られたダム２１がピエゾ抵抗
体２の外周を囲んで設けられている。また、外装樹脂の
線膨張係数を半導体圧力センサチップ１の線膨張係数よ
り大きく、台座の線膨張係数を半導体圧力センサチップ
１の線膨張係数より小さくすると共に、台座及び外装樹
脂の体積を所定の値とすることにより、半導体圧力セン
サチップ１に係る歪みを減少させ、精度が高く信頼性の
向上した半導体圧力センサが得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体圧力センサ及
びその製造方法、特に、半導体圧力センサの内部配線
が、外部より伝達される振動その他の外力により破断す
るのを防止するために、内部配線を一体成形外装した高
温高圧用半導体圧力センサ及びその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】半導体圧力センサは、被測定ガス又は液
体の圧力を直接ダイヤフラム例えばシリコンダイヤフラ
ムにて受け、このシリコンダイヤフラムの圧力による変
形をシリコンダイヤフラム上に形成されたピエゾ抵抗体
の抵抗値変化により感知するものである。従って、ダイ
ヤフラム部に圧力が印加されない時には、ピエゾ抵抗体
に変形を与えない必要がある。
【０００３】図３９は、従来の半導体圧力センサを示す
縦断面図である。なお、以下、各図中、同一符号は同一
又は相当部分を示している。図３９において、半導体圧
力センサチップ１の表面にはピエゾ抵抗体２が形成され
ており、半導体圧力センサチップ１は第１ダイボンド材
３により台座４に接着されている。さらに、台座４は、
第２ダイボンド材５によりステム６に接着されている。
半導体圧力センサチップ１に接続された内部接続用リー
ド７は、絶縁樹脂８によりステム６の貫通孔６aに固定
された外部接続用リード（ポスト）９に接続されてい
る。半導体圧力センサの外周は、半導体圧力センサチッ
プ１及び内部接続用リード７を保護するためのキャップ
１０が設けられている。
【０００４】従来の半導体圧力センサは上述したように
構成され、半導体圧力センサチップ１は、第１ダイボン
ド材３により台座４に接着され、台座４は第２ダイボン
ド材５によりステム６に接着されている。従って、第１
ダイボンド材３と半導体圧力センサチップ１との線膨張
係数の違いによって生じる熱応力を、半導体圧力センサ
チップ１の表面に設けられたピエゾ抵抗体２が直接受け
る。また、ピエゾ抵抗体２は、台座４や第２ダイボンド
材５、ステム６等材質の異なるものと一体に形成されて
いるため、線膨張係数の違いによって生じる熱応力を受
ける。
【０００５】さらに、キャップ１０をステム６に接着す
ることにより、ステム６、第２ダイボンド材５、台座
４、第１ダイボンド材３を介して、キャップ１０からも
熱応力がピエゾ抵抗体２に及ぼされる。また、外部接続
用リード９が外部電源や外部検出系（図示しない）に接
続されている時、これらから力を受けると絶縁樹脂８か
らステム６、第２ダイボンド材５、台座４、第１ダイボ
ンド材３を介して半導体圧力センサチップ１に外力が伝
達され、ピエゾ抵抗体２に歪みを及ぼす。
【０００６】従来の半導体圧力センサは、以上のように
外力の伝達がなされるので、台座４は半導体圧力センサ
チップ１と同じ材料を用いて接着を行った時に生じる線
膨張係数の違いによって生じる歪みを極力小さくする必
要があり、また、ステム６や第２ダイボンド材５を介し
て伝達される歪みを半導体圧力センサチップ１に伝える
のを軽減するために、台座４に溝４aを設ける必要があ
る。また、第１ダイボンド材３や第２ダイボンド材５
は、気密性を十分確保するため金シリコン箔を用いてお
り、高温での作業が必要であった。
【０００７】また、外部から伝達される歪みを少なくす
るために、内部接続用リード７は両端固定梁で構成され
ているため、振動に対して剛性を持たせるため線径と長
さを設計する時に制限を受けるという問題点があった。
以上のように、従来の方式では、歪みの伝達が半導体圧
力センサチップ１の下面すなわち台座４と接着する面か
らのみであるため、伝達される歪みを小さくするために
は材料の選定、特に線膨張係数が半導体圧力センサチッ
プ１に近いものを選定することと、台座４の寸法、形状
を最適化すること以外には、伝達される歪みを低減する
方法がなかった。
【０００８】図４０は、例えば特開昭６２−１４４３６
８号公報に示された従来の他の半導体圧力センサを示す
縦断面図である。図において、内部に酸化ケイ素（Ｓi
Ｏ2）膜１３が形成された低熱膨張性ポリイミド膜１４
は、シリコンダイヤフラム１１上に載置されており、シ
リコンダイヤフラム１１は、パイレックスガラス１５上
に搭載されている。さらに、このパイレックスガラス１
５は、パッケージ１６上に搭載され、金線１７及び外部
接続用リード９は、ゲル状シリコーン膜１８で固定され
ている。
【０００９】しかし、上述した半導体圧力センサでは、
ゲル状シリコーン膜１８は、塗布を精度良く行うことが
困難であり、ダイヤフラム領域へゲル状シリコーン膜１
８が流れ出るのを防止することは困難であった。また、
外部から伝達される外力に対して、ゲル状シリコーン樹
脂の弾性係数はモールドコパウンド材料に比べて４桁か
ら５桁も小さく、振動や外部から触っただけで容易に変
形し、金線１７を保護する手段としての効果が制限され
る欠点があった。すなわち、弾性係数の小さいゲル状シ
リコーン樹脂で外装する目的は、シリコンチップダイヤ
フラム部１１に外装することで生じる歪み、応力を低減
するために、弾性係数の低いゲル状シリコーン樹脂等が
材料として選択されたものである。しかし、樹脂の強度
が不十分であるために、金線１７やシリコンダイヤフラ
ム１１を十分保護できないという問題点があった。
【００１０】図４１は、従来の他の半導体圧力センサを
示す縦断面図である。この図の半導体圧力センサでは、
圧力検知部を除き、半導体圧力センサチップ１や内部接
続用リード７等がステム６上の外装樹脂２２によって覆
われている。しかし、ステム６と外装樹脂２２との接合
が十分でなく、水分が内部に侵入して内部接続用リード
７及びその接合部の接続の信頼性を低下させたり、内部
応力を増大させて正確な圧力測定を行うことができない
という問題点があった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
半導体圧力センサでは、台座４から伝達される歪みを小
さくするために、半導体圧力センサチップ１の線膨張係
数に近い値の台座４を選定する必要があるという問題点
があった。また、ゲル状シリコーン膜１８は塗布を精度
良く行うことが困難であり、強度が不十分であり内部配
線を十分保護できないという問題点があった。さらに、
ステム６と外装樹脂２２との接合が十分でなく、水分が
内部に侵入して内部接続用リード７及びその接合部の接
続の信頼性を低下させ、内部応力を増大させて正確な圧
力測定を行うことができないという問題点があった。
【００１２】この発明は、このような問題点を解決する
ためになされたもので、請求項第１項に係る発明は、外
装樹脂をダイヤフラム部に流れ込ませないようにして半
導体圧力センサチップ等をモールドすると共に、内部接
続用リードを弾性率の大きな一般の外装樹脂で固定し、
外部から伝達される振動に対して強度を格段に上昇させ
た半導体圧力センサを得ることを目的とする。
【００１３】請求項第２項に係る発明は、半導体圧力セ
ンサチップが台座から受ける引張力と半導体圧力センサ
チップが外装樹脂から受ける圧縮力とを釣り合わせるこ
とによって、半導体圧力センサチップに歪みが加わらな
い半導体圧力センサを得ることを目的とする。
【００１４】請求項第３項に係る発明は、ステムと外装
樹脂との接合を確実にすることにより、信頼性の高い半
導体圧力センサを得ることを目的とする。
【００１５】請求項第４項に係る発明は、外装樹脂がダ
イヤフラム部に流れ込まないようにして外装樹脂を精度
良くモールドすることができる半導体圧力センサの製造
方法を得ることを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項第１項
に係る半導体圧力センサは、半導体圧力センサチップ表
面のうちピエゾ抵抗体及びダイヤフラム部の外周の位置
に、外装樹脂のモールド時に外装樹脂がダイヤフラム部
に流れ込まないようにするダムを設けたものである。
【００１７】この発明の請求項第２項に係る半導体圧力
センサは、半導体圧力センサチップ、台座及び外装樹脂
の熱膨張率をそれぞれα0、α1、α2としてα2＞α0＞
α1となる材料で半導体圧力センサチップ等を構成し、
半導体圧力センサが高温から常温に戻った際に、半導体
圧力センサチップが台座から受ける引張力と、半導体圧
力センサチップが外装樹脂から受ける圧縮力とが打ち消
し合うように、台座及び半導体圧力センサチップの体積
を調節したものである。
【００１８】この発明の請求項第３項に係る半導体圧力
センサは、ステムと外装樹脂との接合面に接合面積拡大
手段を設けたものである。
【００１９】この発明の請求項第４項に係る半導体圧力
センサの製造方法は、半導体圧力センサチップ表面のう
ちピエゾ抵抗体及びダイヤフラム部の外周の位置に、外
装樹脂のモールド時に外装樹脂がダイヤフラム部に流れ
込まないようにするダムを予め設け、このダムから外側
に、上記半導体圧力センサチップの側部近傍、上記台座
の側部、上記外部接続用リードの半導体圧力センサチッ
プ側突出部を覆って外装樹脂でモールドするものであ
る。
【００２０】
【作用】この発明の請求項第１項においては、半導体圧
力センサチップのダイヤフラム部に外装樹脂が流入する
のを防止できるので、安価で精度の高い半導体圧力セン
サが得られる。
【００２１】この発明の請求項第２項においては、半導
体圧力センサチップに歪みが掛からず、精度の高い圧力
測定を行うことができる。
【００２２】この発明の請求項第３項においては、接合
面積拡大手段がステムと外装樹脂との接合を確実にし、
内部に水分が侵入するのを防止して内部配線等の信頼性
を向上させる。
【００２３】この発明の請求項第４項においては、半導
体圧力センサチップのダイヤフラム部に外装樹脂が流入
するのを防止でき、外装樹脂と各構成物品との密着性が
向上し、信頼性の高い半導体圧力センサを製造すること
ができる。
【００２４】
【実施例】実施例１．図１は、この発明の実施例１によ
る半導体圧力センサを示す要部平面図である。なお、各
図中、同一符号は同一又は相当部分を示している。図に
おいて、半導体圧力センサチップ１の表面には、ピエゾ
抵抗体２及び電極２０が形成されている。また、一体モ
ールド時に外装樹脂がダイヤフラム部に流れ出すのを防
止するために樹脂で構成されたダム２１がピエゾ抵抗体
２の外周を囲んで設けられている。ダム２１としては、
例えば低熱膨張性のポリイミド系やシリコン系の樹脂が
好適に使用でき、印刷方式、写真製版等により形成する
ことができる。また、ダム２１の内径φＢは、半導体圧
力センサチップ１にエッチング等で形成されたダイヤフ
ラムの径φＡより大きくする。
【００２５】図２は、外装樹脂２２で一体にモールドし
た時の半導体圧力センサを示す平面図であり、図３はそ
の断面図である。これらの図に示すように、外装樹脂２
２は、ダム２１の外側に隣接するようにモールドされて
いる。また、電極２０と外部接続用リード９とは、内部
接続用リード７例えば金線、アルミニウム線、ＴＡＢリ
ード等により接続されている。
【００２６】実施例２．図４は、この発明の実施例２に
より半導体圧力センサを製造する際に用いるモールド金
型の構成を示す概略断面図である。図において、半導体
圧力センサチップ１上にダム２１を予め形成しておく。
次に、ダム２１を介して押さえて密着させた第２金型２
６と第１金型２５とにより半導体圧力センサを保持し、
外装樹脂２２がダイヤフラム部に流出するのを防止しな
がら樹脂モールドを行う。
【００２７】図５は、図４と同様な金型の構成を示す概
略断面図であり、第２金型２６と分離した第３金型２７
を備えている。すなわち、一般に半導体圧力センサを構
成するステム６、第２ダイボンド材５、台座４、半導体
圧力センサチップ１やダム２１は、設計許容差をもって
設計される。そのため、ダム２１を押さえる第３金型２
７を第２金型２６と分離して、設計許容差を調整し、一
定圧力でダム２１を押圧することができる。
【００２８】以上のような製造方法により、寸法精度の
高い樹脂モールドを行うことができると共に、外装樹脂
２２の体積を所定の値に決めて樹脂モールドを行うこと
ができる。なお、図４及び図５において、スプル、ゲー
ト、ランナーは図示を省略してあるが、注入樹脂量が多
いこと及び形状、肉厚寸法が変化する部分が多いため、
複数の多ゲート、多スプル、多ランナーで構成すること
もできる。
【００２９】実施例３．次に、台座の物性値、特に台座
の熱膨張率、体積、弾性係数に応じて外装樹脂の外装寸
法を決定し、ダイヤフラム領域に生じる歪みを減少させ
る方法について説明する。この発明では、上述した特開
昭６２−１４４３６８号公報に示されるように、単に外
装樹脂の弾性係数を下げることだけで外装樹脂がダイヤ
フラム部に及ぼす影響を少なくするのではなく、台座、
半導体圧力センサチップ、外装樹脂それぞれの物性例え
ば弾性係数Ｅ、熱膨張率α、寸法特に半導体圧力センサ
チップと台座の寸法が特性設計で決まった段階で、外装
樹脂をどのような寸法でモールドすればダイヤフラム部
に加わる歪み、応力の影響を小さくすることができるか
を、上記物性の関数で与え、精度の高い半導体圧力セン
サを得るものである。
【００３０】まず、台座の線膨張係数を半導体圧力セン
サチップの線膨張係数より小さい材料を選定し、外装樹
脂の線膨張係数を半導体圧力センサチップの線膨張係数
より大きい材料を選定する。これにより、半導体圧力セ
ンサを外装樹脂により外装を完了し高温から常温に戻っ
た時に、半導体圧力センサチップには外装樹脂から圧縮
歪みを受け、台座からは引っ張り歪みを受けるようにし
て、これらの圧縮歪みと引っ張り歪みを釣り合うように
する。
【００３１】すなわち、台座の体積をＶ1、線膨張係数
をα1、弾性係数Ｅ1、外装樹脂の体積をＶ2、線膨張係
数をα2、弾性係数Ｅ2、半導体圧力センサチップの体積
をＶ0、線膨張係数をα0、弾性係数Ｅ0とする。この
時、半導体圧力センサチップを基準として温度差ΔＴに
より台座はε1＝ΔＴ（α1−α0）なる勾束歪みを生じ
る。また、外装樹脂はε2＝ΔＴ（α2−α0）なる勾束
歪みを生じる。この歪みにより、台座内部に蓄積される
歪みエネルギーは、Ｕ1＝１／２Ｅ1ε1 2Ｖ1、外装樹脂
には、Ｕ2＝１／２Ｅ2ε2 2Ｖ2となる。理論的にはＵ1＝
Ｕ2とすることは可能で、この時には、半導体圧力セン
サチップは外装樹脂からは圧縮歪みを受けるが、台座か
らは引っ張り歪みを受け、それらが等しいために等価的
に歪みを受けないようにすることが可能である。具体的
には、Ｅ1ε1 2Ｖ1＝Ｅ2ε2 2Ｖ2を満足するように台座の
体積Ｖ1と外装樹脂の体積Ｖ2との体積比を理論的に求め
て、Ｖ2＝Ｅ1ε1 2Ｖ1／Ｅ2ε2 2とすればよい。
【００３２】さらに、半導体圧力センサチップ、台座、
外装樹脂の添字をそれぞれ０、１、２とし、半導体圧力
センサチップの外形寸法をｘ0、ｙ0、ｚ0で表しその形
状を立方体と仮定し、台座の外形寸法をｘ1、ｙ1、ｚ1
で表しその形状を立方体と仮定し、さらに外装樹脂の外
形寸法をｘ2、ｙ2、ｚ2で表しその形状を立方体と仮定
する。すると、外装樹脂のみの体積Ｖ2は、Ｖ2＝ｘ2ｙ2
ｚ2−ｘ0ｙ0ｚ0−ｘ1ｙ1ｚ1で表され、台座の体積Ｖ
1は、Ｖ1＝ｘ1ｙ1ｚ1で表されることから、外装樹脂の
外形寸法は次の(１)式の関係を満足するように選定すれ
ばよい。
【００３３】
【数１】
【００３４】従って、半導体圧力センサチップと台座の
全体を次の(２)式に示す量の外装樹脂で覆えばよいこと
になる。
【００３５】
【数２】
【００３６】台座と半導体圧力センサチップを立方体と
すると、半導体圧力センサ全体を次の(３)式に示す厚さ
ｔで覆えばよく、ｔの値は実現可能である。この発明に
おける外装樹脂での外装形状は、厚さｔで半導体圧力セ
ンサ全体を覆うのではなく、ダイヤフラム部は外装樹脂
を除いているため非対称となるが、厚さｔから最適厚さ
を求めることができる。
【００３７】
【数３】
【００３８】歪みエネルギーをＥ1（α1−α0）2Ｖ1＝
Ｅ2（α2−α0）2Ｖ2とすることは、（α1−α0）＜０
であるが、（α1−α0）2＞０であり、等式を満足する
Ｖ1、Ｖ2の関係を見い出すことは可能である。半導体圧
力センサチップの台座と接する部分の面積をＳ1とすれ
ば、半導体圧力センサチップは（α1−α0）Ｅ1Ｓ1ΔＴ
で与えられる引張力を受ける。同時に、外装樹脂と半導
体圧力センサチップとの接触する部分の面積をＳ2とす
れば、半導体圧力センサチップは（α2−α0）Ｅ2Ｓ2Δ
Ｔの圧縮力を受ける。本来は、引張力と圧縮力を受ける
部分が異なるため、圧縮力の中心と引張力の中心が一致
するような形状の工夫を要すると共に、ダイヤフラム上
のピエゾ抵抗体が配置された部分の４カ所で（α1−
α0）Ｅ1Ｓ1ΔＴ＋（α2−α0）Ｅ2Ｓ2ΔＴの値を零に
することができる。
【００３９】上述した歪みエネルギーの式Ｅ1（α1−α
0）2Ｖ1＝Ｅ2（α2−α0）2Ｖ2で設計する場合、部分的
力の均合式（α1−α0）Ｅ1Ｓ1ΔＴ＋（α2−α0）Ｅ2
Ｓ2ΔＴ＝０で設計する時に比べて誤差を生ずるが、設
計に要する手間は、歪みエネルギーの式で設計する方が
部分的力の均合式で設計する場合に比べ数十分の一で済
むため、半導体圧力センサの精度に応じて歪みエネルギ
ーの式か部分的力の均合式のいずれを使用するか選別す
ればよい。
【００４０】図３に示した半導体圧力センサを構成する
材料の物性値一例として、半導体圧力センサチップのα
0＝０.３５×１０-5（１／℃）、Ｅ0＝１.９２×１０4k
gf／mm2、台座にパイレックスガラスを使用すると、α1
＝０.３２×１０-5（１／℃）、Ｅ1＝０.６９×１０4kg
f／mm2、外装樹脂としてエポキシ樹脂を使用すると、α
2＝１.７×１０-5（１／℃）、Ｅ2＝０.１１４０×１０
4kgf／mm2等を選定することができる。また、台座に石
英ガラスを使用することもでき、この場合は、α1′＝
０.０５５×１０-5（１／℃）、Ｅ1＝０.７２×１０4kg
f／mm2となる。
【００４１】実施例４．なお、上述した実施例では、図
１ではダム２１として円形ドーナツ形のものを示した
が、外装樹脂がダイヤフラム部及び電極部に流れ出ない
構造、形状であれば、図６、図７、図８の示すように四
角形や四角形ドーナツ形、さらに他のどのような形状で
あってもよい。
【００４２】実施例５．また、外装樹脂２２は、図９及
び図１０のＡに示すように、ステム６の上面でモールド
してもよい。さらに、図９及び図１０等では表面受圧形
の半導体圧力センサを示したが、図１１に示すように、
裏面受圧形の半導体圧力センサにも同様に適用できる。
この場合、図１１には半導体圧力センサの裏面にパイプ
３０を備えたものを示したが、このパイプ３０は使用目
的に応じて設けても設けなくても良い。
【００４３】さらに、図１２及び図１３に示すように、
外部接続用リード９に部分的にネジ９Ａを切り、外装樹
脂２２との接着強度を増したり、ステム６の上面に同心
円状の溝６Ａを設け、外装樹脂２２とステム６との接着
強度を増加させることができる。外装樹脂２２は、高温
で真空注入されるが、常温になる迄冷却されると収縮す
る。従って、ステム６、外部接続用リード９、台座４、
半導体圧力センサチップ１と外装樹脂２２が境界面を有
するので、各々の境界面で滑りを生ずるような厳しい寸
法で設計されている時には、上述のネジ９Ａや溝６Ａは
有効に滑りを防止できる。なお、図１３には表面受圧形
の半導体圧力センサを示したが、図１４に示すように、
裏面受圧形の半導体圧力センサにも同様に適用できる。
この場合、図１４には半導体圧力センサの裏面にパイプ
３０を備えたものを示したが、このパイプ３０は使用目
的に応じて設けても設けなくても良い。
【００４４】実施例６．図１５はこの発明の実施例６に
よる半導体圧力センサの構成を示す断面図、図１６及び
図１７は、図１５に示した半導体圧力センサのステムの
構成を示すそれぞれ平面図及び断面図である。これらの
図において、図４１に示した従来の半導体圧力センサと
同様な部分は、同一符号を付して説明を省略する。この
半導体圧力センサのステム３１には、外装樹脂２２との
接合面に接合面積拡大手段である環状の突起３１Ａが設
けられている。従って、この突起３１Ａによってステム
３１と外装樹脂２２との接合面積が拡大され、両者の接
合強度は接合面の面積に比例して増大するので、水分等
の侵入が防止でき信頼性が向上する。
【００４５】実施例７．図１８及び図１９は、この発明
の実施例７による半導体圧力センサのステムを示すそれ
ぞれ平面図及び断面図である。図に示すように、ステム
３１の上面を側方に出っ張らせて突起３１Ｂを形成して
いるので、この突起３１Ｂによって接合面積が拡大され
る。さらに、外装樹脂２２を突起３１Ｂの側方まで周り
こませて突起３１Ｂまで被覆するようにすれば、ステム
３１と外装樹脂２２との接合強度はさらに増大する。
【００４６】実施例８．図２０及び図２１は、この発明
の実施例８による半導体圧力センサのステムを示すそれ
ぞれ平面図及び断面図である。図に示すように、ステム
３１の上面最外周部に突起３１Ｃを形成してステム３１
と外装樹脂２０との接合面積の拡大を図るようにしたも
のである。
【００４７】実施例９．図２２は、この発明の実施例９
による半導体圧力センサのステムを示す平面図である。
図に示すように、ステム３１の上面に釦状の突起３１Ｄ
を複数個形成し、ステム３１と外装樹脂２２との接合面
積の拡大を図るようにしたものである。
【００４８】実施例１０．図２３及び図２４は、この発
明の実施例１０による半導体圧力センサのステムを示す
それぞれ平面図及び断面図である。図に示すように、ス
テム３１の上部側面に複数の突起３１Ｅを形成し、ステ
ム３１と外装樹脂２２との接合面積の拡大を図るように
したものである。
【００４９】実施例１１．図２５及び図２６は、この発
明の実施例１１による半導体圧力センサのステムを示す
それぞれ平面図及び断面図である。図に示すように、ス
テム３１の側面外周から外側に複数の突起３１Ｆを形成
し、ステム３１と外装樹脂２２との接合面積の拡大を図
るようにしたものである。
【００５０】実施例１２．図２７及び図２８は、この発
明の実施例１２による半導体圧力センサのステムを示す
それぞれ平面図及び断面図である。図に示すように、ス
テム３１の上面に環状の凹部３１Ｇを形成し、ステム３
１と外装樹脂２２との接合面積の拡大を図るようにした
ものである。
【００５１】実施例１３．図２９及び図３０は、この発
明の実施例１３による半導体圧力センサのステムを示す
それぞれ平面図及び断面図である。図に示すように、ス
テム３１の側面全周に環状の凹部３１Ｈを形成し、ステ
ム３１と外装樹脂２２との接合面積の拡大を図るように
したものである。
【００５２】実施例１４．図３１及び図３２は、この発
明の実施例１４による半導体圧力センサのステムを示す
それぞれ平面図及び断面図である。図に示すように、ス
テム３１の上面を全周に亘って切り欠き凹部３１Ｉを形
成し、ステム３１と外装樹脂２２との接合面積の拡大を
図るようにしたものである。
【００５３】実施例１５．図３３は、この発明の実施例
１５による半導体圧力センサのステムを示す平面図であ
る。図に示すように、ステム３１の上面に丸形の凹部３
１Ｊを複数個形成し、ステム３１と外装樹脂２２との接
合面積の拡大を図るようにしたものである。
【００５４】実施例１６．図３４及び図３５は、この発
明の実施例１６による半導体圧力センサのステムを示す
それぞれ平面図及び断面図である。図に示すように、ス
テム３１の側面に丸形の凹部３１Ｋを複数個形成し、ス
テム３１と外装樹脂２２との接合面積の拡大を図るよう
にしたものである。
【００５５】実施例１７．図３６は、この発明の実施例
１７による半導体圧力センサのステムを示す平面図であ
る。図に示すように、ステム３１の上面に面粗度の粗い
粗面３１Ｌを形成し、ステム３１と外装樹脂２２との接
合面積の拡大を図るようにしたものである。
【００５６】実施例１８．なお、上記実施例６〜１７で
は、各ステム３１の上面又は側面に外装樹脂２２との接
合面積を拡大させる接合面積拡大手段を形成して、複合
強度を向上させるように工夫されたものであるが、例え
ば図３７に示すように、実施例６と同様にステム３１の
上面に環状の突起３１Ａを形成して接合面積を拡大させ
ると共に、リード９の先端に太径部３２を形成してやれ
ば、接合強度はさらに向上する。
【００５７】実施例１９．また、上記実施例１８と同様
に、ステム３１の上面に環状の突起３１Ａを形成して接
合面の面積を拡大させると共に、図３８に示すように台
座４の側部に細径部３３を形成してやれば、接合強度は
上記実施例１８と同様さらに向上する。
【００５８】実施例２０．さらに、ステム３１の上面に
ニッケルメッキを施し（図示しない）、その上に台座４
をダイボンド材５で接着した後、残りの露出しているニ
ッケルメッキ面を酸化させてニッケル酸化膜を形成し、
このニッケル酸化膜上に外装樹脂２２を被覆させれば、
接合面には新和力を発現させる水素結合を形成し得る官
能基が多く存在するため、ステム３１と外装樹脂２２と
の接合強度は向上する。
【００５９】
【発明の効果】以上説明したとおり、請求項第１項に係
る半導体圧力センサは、表面にピエゾ抵抗体が設けら
れ、裏面にダイヤフラム部が形成された半導体圧力セン
サチップと、この半導体圧力センサチップを載置する台
座と、この台座を載置するステムと、上記半導体圧力セ
ンサチップの側部近傍及び上記台座の側部を覆ってステ
ム上にモールドされた外装樹脂とを備えた半導体圧力セ
ンサであって、上記半導体圧力センサチップ表面のうち
上記ピエゾ抵抗体及び上記ダイヤフラム部の外周の位置
に、上記外装樹脂のモールド時に外装樹脂がダイヤフラ
ム部に流れ込まないようにするダムを設けたので、内部
接続用のリードを弾性率の大きな一般の外装樹脂で固定
することができ、外装から伝達される振動に対して強度
を格段に向上させることができるという効果を奏する。
【００６０】請求項第２項に係る半導体圧力センサは、
表面にピエゾ抵抗体が設けられ、裏面にダイヤフラム部
が形成された半導体圧力センサチップと、この半導体圧
力センサチップを載置する台座と、この台座を載置する
ステムと、上記半導体圧力センサチップの側部近傍及び
上記台座の側部を覆ってステム上にモールドされた外装
樹脂とを備えた半導体圧力センサであって、上記半導体
圧力センサチップ、台座及び外装樹脂の熱膨張率をそれ
ぞれα1、α2、α3としてα3＞α1＞α2となる材料で構
成し、半導体圧力センサが高温から常温に戻った際に、
上記半導体圧力センサチップが上記台座から受ける引張
力と、上記半導体圧力センサチップが上記外装樹脂から
受ける圧縮力とが打ち消し合うように、上記台座及び上
記半導体圧力センサチップの体積を調節したので、半導
体圧力センサチップが歪まず、精度の高い圧力測定を行
うことができるという効果を奏する。
【００６１】請求項第３項に係る半導体圧力センサは、
表面にピエゾ抵抗体が設けられ、裏面にダイヤフラム部
が形成された半導体圧力センサチップと、この半導体圧
力センサチップを載置する台座と、この台座を載置する
ステムと、上記半導体圧力センサチップの側部近傍及び
上記台座の側部を覆ってステム上にモールドされた外装
樹脂とを備えた半導体圧力センサであって、上記ステム
と上記外装樹脂との接合面に、接合面積拡大手段を設け
たので、ステムと外装樹脂との接合を確実にし、内部に
水分等が侵入するのを防止して、内部配線等の信頼性を
向上させることができるという効果を奏する。
【００６２】請求項第４項に係る半導体圧力センサの製
造方法は、半導体圧力センサチップ表面のピエゾ抵抗体
及びダイヤフラム部の外周にダムを設け、この半導体圧
力センサチップ、台座及びステムを接着し、上記半導体
圧力センサチップの電極と上記ステムに設けられた外部
接続用リードとを電気的に接続し、次いで、上記ダムか
ら外側に、上記半導体圧力センサチップの側部近傍、上
記台座の側部、上記外部接続用リードの半導体圧力セン
サチップ側突出部を覆って外装樹脂でモールドするの
で、半導体圧力センサチップのダイヤフラム部に外装樹
脂が流入するのを防止でき、外装樹脂と各構成物品との
密着性が向上し、信頼性の高い半導体圧力センサを製造
することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例１による半導体圧力センサを
示す要部平面図である。
【図２】外装樹脂で一体にモールドした時の半導体圧力
センサを示す平面図である。
【図３】図２に示した半導体圧力センサの断面図であ
る。
【図４】この発明の実施例２により半導体圧力センサを
型締めしている状態を示す断面図である。
【図５】図４と同様な金型の構成を示す概略断面図であ
る。
【図６】この発明のさらに他の実施例による半導体圧力
センサを示す要部平面図である。
【図７】この発明のさらに他の実施例による半導体圧力
センサを示す要部平面図である。
【図８】この発明のさらに他の実施例による半導体圧力
センサを示す要部平面図である。
【図９】この発明のさらに他の実施例による半導体圧力
センサを示す平面図である。
【図１０】図９に示した半導体圧力センサの断面図であ
る。
【図１１】この発明のさらに他の実施例による裏面受圧
形の半導体圧力センサを示す断面図である。
【図１２】この発明のさらに他の実施例による半導体圧
力センサを示す平面図である。
【図１３】図１２に示した半導体圧力センサの断面図で
ある。
【図１４】この発明のさらに他の実施例による裏面受圧
形の半導体圧力センサを示す断面図である。
【図１５】この発明の実施例６による半導体圧力センサ
を示す断面図である。
【図１６】この発明の実施例６による半導体圧力センサ
のステムを示す平面図である。
【図１７】この発明の実施例６による半導体圧力センサ
のステムを示す断面図である。
【図１８】この発明の実施例７による半導体圧力センサ
のステムを示す平面図である。
【図１９】この発明の実施例７による半導体圧力センサ
のステムを示す断面図である。
【図２０】この発明の実施例８による半導体圧力センサ
のステムを示す平面図である。
【図２１】この発明の実施例８による半導体圧力センサ
のステムを示す断面図である。
【図２２】この発明の実施例９による半導体圧力センサ
のステムを示す平面図である。
【図２３】この発明の実施例１０による半導体圧力セン
サのステムを示す平面図である。
【図２４】この発明の実施例１０による半導体圧力セン
サのステムを示す断面図である。
【図２５】この発明の実施例１１による半導体圧力セン
サのステムを示す平面図である。
【図２６】この発明の実施例１１による半導体圧力セン
サのステムを示す断面図である。
【図２７】この発明の実施例１２による半導体圧力セン
サのステムを示す平面図である。
【図２８】この発明の実施例１２による半導体圧力セン
サのステムを示す断面図である。
【図２９】この発明の実施例１３による半導体圧力セン
サのステムを示す平面図である。
【図３０】この発明の実施例１３による半導体圧力セン
サのステムを示す断面図である。
【図３１】この発明の実施例１４による半導体圧力セン
サのステムを示す平面図である。
【図３２】この発明の実施例１４による半導体圧力セン
サのステムを示す断面図である。
【図３３】この発明の実施例１５による半導体圧力セン
サのステムを示す平面図である。
【図３４】この発明の実施例１６による半導体圧力セン
サのステムを示す平面図である。
【図３５】この発明の実施例１６による半導体圧力セン
サのステムを示す断面図である。
【図３６】この発明の実施例１７による半導体圧力セン
サのステムを示す平面図である。
【図３７】この発明の実施例１８による半導体圧力セン
サのステムを示す断面図である。
【図３８】この発明の実施例１９による半導体圧力セン
サのステムを示す側面図である。
【図３９】従来の半導体圧力センサを示す断面図であ
る。
【図４０】従来の他の半導体圧力センサを示す断面図で
ある。
【図４１】従来のさらに他の半導体圧力センサを示す断
面図である。
【符号の説明】
１ 半導体圧力センサチップ ２ ピエゾ抵抗体 ４ 台座 ５ 第２ダイボンド材 ６ ステム ６Ａ 溝 ７ 内部接続用リード ８ 絶縁樹脂 ９ 外部接続用リード ９Ａ ネジ ２０ 電極 ２１ ダム ２１Ａ ダム ２１Ｂ ダム ２１Ｃ ダム ２２ 外装樹脂 ２５ 第１金型 ２６ 第２金型 ２７ 第３金型 ３０ パイプ ３１ ステム ３１Ａ、３１Ｂ、３１Ｃ、３１Ｄ、３１Ｅ、３１Ｆ 突
起 ３１Ｇ、３１Ｈ、３１Ｉ、３１Ｊ、３１Ｋ 凹部 ３１Ｌ 粗面 ３２ 太径部 ３３ 細径部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 広瀬 哲也 伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機株式会 社北伊丹製作所内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 表面にピエゾ抵抗体が設けられ、裏面に
    ダイヤフラム部が形成された半導体圧力センサチップ
    と、 この半導体圧力センサチップを載置する台座と、 この台座を載置するステムと、 上記半導体圧力センサチップの側部近傍及び上記台座の
    側部を覆ってステム上にモールドされた外装樹脂とを備
    えた半導体圧力センサであって、 上記半導体圧力センサチップ表面のうち上記ピエゾ抵抗
    体及び上記ダイヤフラム部の外周の位置に、上記外装樹
    脂のモールド時に外装樹脂がダイヤフラム部に流れ込ま
    ないようにするダムを設けたことを特徴とする半導体圧
    力センサ。
  2. 【請求項２】 表面にピエゾ抵抗体が設けられ、裏面に
    ダイヤフラム部が形成された半導体圧力センサチップ
    と、 この半導体圧力センサチップを載置する台座と、 この台座を載置するステムと、 上記半導体圧力センサチップの側部近傍及び上記台座の
    側部を覆ってステム上にモールドされた外装樹脂とを備
    えた半導体圧力センサであって、 上記半導体圧力センサチップ、台座及び外装樹脂の熱膨
    張率をそれぞれα0、α1、α2としてα2＞α0＞α1とな
    る材料で構成し、半導体圧力センサが高温から常温に戻
    った際に、上記半導体圧力センサチップが上記台座から
    受ける引張力と、上記半導体圧力センサチップが上記外
    装樹脂から受ける圧縮力とが打ち消し合うように、上記
    台座及び上記半導体圧力センサチップの体積を調節した
    ことを特徴とする半導体圧力センサ。
  3. 【請求項３】 表面にピエゾ抵抗体が設けられ、裏面に
    ダイヤフラム部が形成された半導体圧力センサチップ
    と、 この半導体圧力センサチップを載置する台座と、 この台座を載置するステムと、 上記半導体圧力センサチップの側部近傍及び上記台座の
    側部を覆ってステム上にモールドされた外装樹脂とを備
    えた半導体圧力センサであって、 上記ステムと上記外装樹脂との接合面に、接合面積拡大
    手段を設けたことを特徴とする半導体圧力センサ。
  4. 【請求項４】 半導体圧力センサチップ表面のピエゾ抵
    抗体及びダイヤフラム部の外周にダムを設け、 この半導体圧力センサチップ、台座及びステムを接着
    し、 上記半導体圧力センサチップの電極と上記ステムに設け
    られた外部接続用リードとを電気的に接続し、次いで、 上記ダムから外側に、上記半導体圧力センサチップの側
    部近傍、上記台座の側部、上記外部接続用リードの半導
    体圧力センサチップ側突出部を覆って外装樹脂でモール
    ドすることを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
JP4225942A 1992-01-13 1992-08-25 半導体圧力センサ及びその製造方法 Pending JPH05299671A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920025987A KR970000779B1 (ko) 1992-01-13 1992-12-29 반도체 압력센서 및 그 제조방법
US08/003,437 US5333505A (en) 1992-01-13 1993-01-12 Semiconductor pressure sensor for use at high temperature and pressure and method of manufacturing same
EP93300185A EP0552017B1 (en) 1992-01-13 1993-01-13 Semiconductor pressure sensor and method of manufacturing same
DE69313310T DE69313310T2 (de) 1992-01-13 1993-01-13 Halbleiterdruckwandler und Herstellungsverfahren dazu

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP373092 1992-01-13
JP4-3730 1992-02-19
JP3200892 1992-02-19
JP4-32008 1992-02-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05299671A true JPH05299671A (ja) 1993-11-12

Family

ID=26337366

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4225942A Pending JPH05299671A (ja) 1992-01-13 1992-08-25 半導体圧力センサ及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH05299671A (ja)
KR (1) KR970000779B1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010190819A (ja) * 2009-02-20 2010-09-02 Denso Corp センサ装置
JP2013117240A (ja) * 2011-12-01 2013-06-13 Jatco Ltd トランスミッションケース
WO2014122855A1 (ja) * 2013-02-05 2014-08-14 株式会社鷺宮製作所 圧力検知ユニット
JP2018200327A (ja) * 2018-09-14 2018-12-20 ミツミ電機株式会社 半導体センサ装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5315763A (en) * 1976-07-28 1978-02-14 Hitachi Ltd Resin sealed type semiconductor device
JPS5429974A (en) * 1977-08-10 1979-03-06 Hitachi Ltd Semiconductor device of resin sealing type
JPS6113940B2 (ja) * 1980-12-10 1986-04-16 Lamb Co F Jos
JPS62144368A (ja) * 1985-12-19 1987-06-27 Nec Corp 半導体式圧力センサの保護膜
JPH02296373A (ja) * 1989-05-10 1990-12-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5315763A (en) * 1976-07-28 1978-02-14 Hitachi Ltd Resin sealed type semiconductor device
JPS5429974A (en) * 1977-08-10 1979-03-06 Hitachi Ltd Semiconductor device of resin sealing type
JPS6113940B2 (ja) * 1980-12-10 1986-04-16 Lamb Co F Jos
JPS62144368A (ja) * 1985-12-19 1987-06-27 Nec Corp 半導体式圧力センサの保護膜
JPH02296373A (ja) * 1989-05-10 1990-12-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010190819A (ja) * 2009-02-20 2010-09-02 Denso Corp センサ装置
JP2013117240A (ja) * 2011-12-01 2013-06-13 Jatco Ltd トランスミッションケース
WO2014122855A1 (ja) * 2013-02-05 2014-08-14 株式会社鷺宮製作所 圧力検知ユニット
JP2014153073A (ja) * 2013-02-05 2014-08-25 Saginomiya Seisakusho Inc 圧力検知ユニット
US20160069765A1 (en) * 2013-02-05 2016-03-10 Kabushiki Kaisha Saginomiya Seisakusho Pressure detection unit
US10352808B2 (en) 2013-02-05 2019-07-16 Kabushiki Kaisha Saginomiya Seisakusho Pressure detection unit
JP2018200327A (ja) * 2018-09-14 2018-12-20 ミツミ電機株式会社 半導体センサ装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR970000779B1 (ko) 1997-01-20
KR930017126A (ko) 1993-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0552017B1 (en) Semiconductor pressure sensor and method of manufacturing same
US5207102A (en) Semiconductor pressure sensor
US6997058B2 (en) Pressure sensor
JP4165360B2 (ja) 力学量センサ
US6925885B2 (en) Pressure sensor
JPH03289528A (ja) 半導体圧力センサ装置およびその製造方法
JPH11295172A (ja) 半導体圧力センサ
JP2004361308A (ja) 物理量検出装置および物理量検出手段格納ケース
JP5051039B2 (ja) 圧力センサ
US6591686B1 (en) Oil filled pressure transducer
US6951136B2 (en) Semiconductor pressure sensor device to detect micro pressure
JPH05299671A (ja) 半導体圧力センサ及びその製造方法
JP2004163148A (ja) 半導体圧力センサ
JPS6221031A (ja) 圧力センサユニツト
JPH07101747B2 (ja) 半導体圧力センサ
JPH07280679A (ja) 圧力センサ
JP3596199B2 (ja) 半導体式圧力センサ
JPH08114622A (ja) フルモールド実装型加速度センサ
JPH05283713A (ja) 半導体センサ
JP2625225B2 (ja) 半導体圧力センサ
JP2001153882A (ja) 半導体加速度センサ及びその製造方法
JPS5983023A (ja) 半導体圧力差圧検出器
JPH11108783A (ja) 静電容量型圧力センサ及びその固定構造
JP3149678B2 (ja) 半導体圧力センサ
JP2617174B2 (ja) 圧力測定装置