JPS62144368A - 半導体式圧力センサの保護膜 - Google Patents
半導体式圧力センサの保護膜Info
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- JPS62144368A JPS62144368A JP60286371A JP28637185A JPS62144368A JP S62144368 A JPS62144368 A JP S62144368A JP 60286371 A JP60286371 A JP 60286371A JP 28637185 A JP28637185 A JP 28637185A JP S62144368 A JPS62144368 A JP S62144368A
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- JP
- Japan
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- silicon
- diaphragm
- pressure sensor
- silicon oxide
- film
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15151—Shape the die mounting substrate comprising an aperture, e.g. for underfilling, outgassing, window type wire connections
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はダイヤフラム型圧力センサの出力のオフセット
値を温度により変化させることなく、シリコン基板表面
を外部からの不純物拡散から保護する保護膜に関する。
値を温度により変化させることなく、シリコン基板表面
を外部からの不純物拡散から保護する保護膜に関する。
半導体式圧力センサは被測定ガスの圧力を直接シリコン
ダイヤフラムにて受け、シリコンダイヤフラムの圧力に
よる変形をシリコンダイヤフラム上のピエゾ抵抗の抵抗
値変化により感知するものである。従って、ピエゾ抵抗
等のシリコンダイヤコラム上の回路素子を外部からの不
純物拡散から保護する必要がある。
ダイヤフラムにて受け、シリコンダイヤフラムの圧力に
よる変形をシリコンダイヤフラム上のピエゾ抵抗の抵抗
値変化により感知するものである。従って、ピエゾ抵抗
等のシリコンダイヤコラム上の回路素子を外部からの不
純物拡散から保護する必要がある。
第２図に従来技術によって作られた半導体式圧力センサ
の縦断面図を示す。シリコンダイヤフラム１上に酸化硅
素（Ｓ ｉ０２ ）膜３を形成し、さらにその上にケ゛
ル状シリコーン膜８を塗布上、保護膜を形成する。即ち
、酸化硅素膜３のみでは、外部からの不純物拡散を防げ
ないためにケ゛ル状シリコーン膜８を酸化硅素膜３上に
形成し表面の保護性能を改善していた。２はＰ型弘散抵
抗、５はパレックスガラス、６けノＺッケージ、７は金
線である。
の縦断面図を示す。シリコンダイヤフラム１上に酸化硅
素（Ｓ ｉ０２ ）膜３を形成し、さらにその上にケ゛
ル状シリコーン膜８を塗布上、保護膜を形成する。即ち
、酸化硅素膜３のみでは、外部からの不純物拡散を防げ
ないためにケ゛ル状シリコーン膜８を酸化硅素膜３上に
形成し表面の保護性能を改善していた。２はＰ型弘散抵
抗、５はパレックスガラス、６けノＺッケージ、７は金
線である。
上述した従来の保朽１％においては、ケ゛ル状／リコー
ンの熱膨張係数がシリコンの熱膨張係数と大きく異なっ
ているので、温度の変化によりシリコンダイヤフラムに
応力が加わり、半導体式圧力センサのオフセットに温度
依存性が生じるという欠点を持っていた。
ンの熱膨張係数がシリコンの熱膨張係数と大きく異なっ
ているので、温度の変化によりシリコンダイヤフラムに
応力が加わり、半導体式圧力センサのオフセットに温度
依存性が生じるという欠点を持っていた。
本発明は半導体式圧力センサのオフセット；（湛度依存
注が生じるのを防止する半導体式圧力センサの保護膜を
提供するものである。
注が生じるのを防止する半導体式圧力センサの保護膜を
提供するものである。
本発明の半導体式圧力センサの保護膜は半導体式圧力セ
ンサにおけるシリコンダイヤフラム上の回路形成側の表
面に酸化硅素（Ｓ ｉｏ。）膜を形成し、さらに酸化硅
素膜上に低熱膨張性ポリイミド系樹脂を塗布したことを
特徴とするものである。
ンサにおけるシリコンダイヤフラム上の回路形成側の表
面に酸化硅素（Ｓ ｉｏ。）膜を形成し、さらに酸化硅
素膜上に低熱膨張性ポリイミド系樹脂を塗布したことを
特徴とするものである。
次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。シリ
コンダイヤフラム１は厚さ３７０μｍのＮ型シリコン基
板を用いてケミカルエツチングにより形成したものであ
る。Ｐ型拡散抵抗２はダイヤフラム１上に形成され、圧
力が印加された際、ピエゾ抵抗効果により抵抗値の変動
を生ずる。酸化硅素膜３ばＣＶＤ法等により形成され、
シリコン基板への水分の浸透を防いでいる。低熱膨張性
ポリイミド膜４は、例えばスピンコードによシ形成され
、シリコンダイヤフラム１への不純物の拡散を防ぐと同
時てオフセットの温度依存性を防いでいる。低熱膨張性
のポリイミドの具体列とし又ハ信越化学製ＫＪＲ−６５
１などがある。ｉＥイレックスガラス５は熱膨張係数が
シリコンに近いものを選択し、ダイヤフラムの台座とし
て使用し、パッケージ６からの温度変化による応力がシ
リコンダイヤフラム１に伝達することを防いでいる。金
線７は半導体式圧力センサと外部とのコンタクトを計る
ために半導体式圧力センサのコンタクトポールとノ９ッ
ケージ間にポンディングされている。このぜンディング
部はケ゛ル状シリコーン膜８により保護されている。
る。第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。シリ
コンダイヤフラム１は厚さ３７０μｍのＮ型シリコン基
板を用いてケミカルエツチングにより形成したものであ
る。Ｐ型拡散抵抗２はダイヤフラム１上に形成され、圧
力が印加された際、ピエゾ抵抗効果により抵抗値の変動
を生ずる。酸化硅素膜３ばＣＶＤ法等により形成され、
シリコン基板への水分の浸透を防いでいる。低熱膨張性
ポリイミド膜４は、例えばスピンコードによシ形成され
、シリコンダイヤフラム１への不純物の拡散を防ぐと同
時てオフセットの温度依存性を防いでいる。低熱膨張性
のポリイミドの具体列とし又ハ信越化学製ＫＪＲ−６５
１などがある。ｉＥイレックスガラス５は熱膨張係数が
シリコンに近いものを選択し、ダイヤフラムの台座とし
て使用し、パッケージ６からの温度変化による応力がシ
リコンダイヤフラム１に伝達することを防いでいる。金
線７は半導体式圧力センサと外部とのコンタクトを計る
ために半導体式圧力センサのコンタクトポールとノ９ッ
ケージ間にポンディングされている。このぜンディング
部はケ゛ル状シリコーン膜８により保護されている。
本発明によれば、低熱膨張性ポリイミド膜４はシリコン
と熱膨張率が近いため、周辺部の温度が変化してもシリ
コンダイヤフラム１に熱による応力が加わらず、オフセ
ットの温度依存性を防ぐことができる。また酸化硅素膜
３と多層化することによシリコンダイヤフラム上の回路
を外部からの不純物の拡散及び水分の浸透から保護して
いる。
と熱膨張率が近いため、周辺部の温度が変化してもシリ
コンダイヤフラム１に熱による応力が加わらず、オフセ
ットの温度依存性を防ぐことができる。また酸化硅素膜
３と多層化することによシリコンダイヤフラム上の回路
を外部からの不純物の拡散及び水分の浸透から保護して
いる。
以上、説明したように本発明は酸化硅素膜の上に低熱膨
張性ポリイミド膜を形成した２層膜を保護膜として半導
体式圧力センサのシリコンダイヤフラム上に形成するこ
とにより、オフセットの温度依存性の原因となることの
ない保護膜を得る効果がある。
張性ポリイミド膜を形成した２層膜を保護膜として半導
体式圧力センサのシリコンダイヤフラム上に形成するこ
とにより、オフセットの温度依存性の原因となることの
ない保護膜を得る効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体式圧力センサの
縦断面図、第２図は従来の半導体式圧力センサの縦断面
図である。 １・・・ソリコンダイヤフラム、２・・・Ｐ型拡散抵抗
、３・・・酸化硅素（Ｓ １０２ ）膜、４・・低熱膨
張性ポリイミド１漠、５・・りやイレックスガラス、６
・・・パッケージ、７・・・金線、８・・・ケ゛ル状シ
リコーン膜。 特許比、順入 日本電気株式会社 −１゜゛ 、 代 理 人 弁理士 菅 野 中 ・第１図
縦断面図、第２図は従来の半導体式圧力センサの縦断面
図である。 １・・・ソリコンダイヤフラム、２・・・Ｐ型拡散抵抗
、３・・・酸化硅素（Ｓ １０２ ）膜、４・・低熱膨
張性ポリイミド１漠、５・・りやイレックスガラス、６
・・・パッケージ、７・・・金線、８・・・ケ゛ル状シ
リコーン膜。 特許比、順入 日本電気株式会社 −１゜゛ 、 代 理 人 弁理士 菅 野 中 ・第１図
Claims (1)
- （１）半導体式圧力センサにおけるシリコンダイヤフラ
ム上の回路形成側の表面に酸化硅素（ＳｉＯ＿２）膜を
形成し、さらに前記酸化硅素（ＳｉＯ＿２）膜上に低熱
膨張性ポリイミド系樹脂を塗布したことを特徴とする半
導体式圧力センサの保護膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286371A JPS62144368A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 半導体式圧力センサの保護膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286371A JPS62144368A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 半導体式圧力センサの保護膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62144368A true JPS62144368A (ja) | 1987-06-27 |
Family
ID=17703523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60286371A Pending JPS62144368A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 半導体式圧力センサの保護膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62144368A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02296373A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPH03229470A (ja) * | 1990-02-02 | 1991-10-11 | Nippondenso Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPH04317378A (ja) * | 1991-04-16 | 1992-11-09 | Honda Motor Co Ltd | 半導体センサ |
| JPH05299671A (ja) * | 1992-01-13 | 1993-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
| US5333505A (en) * | 1992-01-13 | 1994-08-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor pressure sensor for use at high temperature and pressure and method of manufacturing same |
| US5436491A (en) * | 1992-10-19 | 1995-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Pressure sensor for high temperature vibration intense environment |
| WO2004059722A1 (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-15 | Denso Corporation | 半導体式センサおよび半導体装置のめっき方法 |
| WO2012002233A1 (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | 大日本印刷株式会社 | センサデバイスの製造方法及びセンサデバイス |
| JP2014085206A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Denso Corp | 圧力センサ装置およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-12-19 JP JP60286371A patent/JPS62144368A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02296373A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPH03229470A (ja) * | 1990-02-02 | 1991-10-11 | Nippondenso Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPH04317378A (ja) * | 1991-04-16 | 1992-11-09 | Honda Motor Co Ltd | 半導体センサ |
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| JP2012013528A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Dainippon Printing Co Ltd | センサデバイスの製造方法及びセンサデバイス |
| US9209319B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-12-08 | Dai Nippon Printing Co., Ltd | Sensor device manufacturing method and sensor device |
| JP2014085206A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Denso Corp | 圧力センサ装置およびその製造方法 |
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