JP2004163148A - 半導体圧力センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】この発明は、樹脂モールドした樹脂パッケージの底面に圧力センサチップを配置した半導体圧力センサにおいて、外形を小形化できる半導体圧力センサを得る。
【解決手段】この発明に係わる半導体圧力センサは、圧力導入孔1fを有する有底筒状の樹脂パッケージ1の底部1cに、接着剤3を充填し、この接着剤3でセラミック基板4を接着し、このセラミック基板4の連通孔4dと上記圧力導入孔1fとを通じて導入される圧力を応力に変換する圧力センサチップ6が上記セラミック基板4に接着剤5で接着されるものである。
【選択図】 図2
【解決手段】この発明に係わる半導体圧力センサは、圧力導入孔1fを有する有底筒状の樹脂パッケージ1の底部1cに、接着剤3を充填し、この接着剤3でセラミック基板4を接着し、このセラミック基板4の連通孔4dと上記圧力導入孔1fとを通じて導入される圧力を応力に変換する圧力センサチップ6が上記セラミック基板4に接着剤5で接着されるものである。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体圧力センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体圧力センサは、半導体圧力センサチップをガラス台座に陽極接合法等により接合し、ガラス台座の半導体圧力センサチップとの接合面と異なる面側は、ゴム、ゲル状のシリコン樹脂またはエポキシ樹脂等の低応力の接着剤により母基板にダイボンディングされている。半導体圧力センサチップは、単結晶シリコン基板に、片面に受圧面が形成されて圧力を応力に変換するダイヤフラムと、歪ゲージと、電極とを形成したもので、ピエゾ抵抗効果により圧力の変化を電気抵抗の変化に変換して出力するものである(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開平10−332505号公報(第2−3頁、図3)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述のような構成においては、樹脂モールドした樹脂パッケージの底面の略中央に凹部を設け、そこにガラス台座を接着剤によってマウントしている。このため、温度によって樹脂パッケージに微少なたわみが生じると、ガラス台座がそのたわみに応じて変形しようとする。それを防ぐためには、ガラス台座を厚くする必要があり、半導体圧力センサが大型化するといる問題を有していた。
【0005】
本発明は、上記のような問題点を解消するためになされたものであり、外形を小形化できる半導体圧力センサを得るものである。
また。第2の目的は、樹脂パッケージが熱変形した際においても、圧力センサチップの圧力検出精度を向上できる半導体圧力センサを得るものである。
更に、第3の目的は、接着層でのせん断力を大幅に低減でき、圧力センサチップの定格圧力を向上できる半導体圧力センサを得るものである。
また、更に、第4の目的は、圧力センサチップとセラミック基板との接着強度を改善でき、圧力パス(圧力が逃げる穴)の密閉効果が向上できる半導体圧力センサを得るものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
この発明に係わる半導体圧力センサは、圧力導入孔を有する有底筒状の樹脂パッケージの底部に、第1の接着剤を充填し、この第1の接着剤でセラミック基板を接着し、このセラミック基板の連通孔と上記圧力導入孔とを通じて導入される圧力を応力に変換する圧力センサチップが上記セラミック基板に第2の接着剤で接着されるものである。
【0007】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
この発明の実施の形態1を図1乃至図2により説明する。なお、図1は半導体圧力センサの斜視図、図2は半導体圧力センサの断面図である。図において、樹脂パッケージ1は、一端1aが開口した筒部1bと、この筒部1bに連続した底部1cと、他端1dからニップル1eが突出し、このニップル1eには樹脂パッケージ1の内外を連通させる圧力導入口1fが形成されている。 上記樹脂パッケージ1には上記筒部1bを貫通したリード2が一体に成型されており、一端2aは上記筒部1bからL状に突出し、他端2bは上記底部1cに露出している。
【0008】
上記底部1cには、第1の接着剤としてエポキシ樹脂からなる接着剤3が充填されている。上記接着剤3にセラミック基板4の一端面4aの外周側のみが固着され、中央部4bには上記接着剤3は付着しない。また、上記セラミック基板4の他端面4cの外周側のみに、第2の接着剤としてエポキシ樹脂からなる接着剤5が塗布されており、この接着剤5に例えば単結晶シリコン基板からなる圧力センサチップ6が固着される。この圧力センサチップ6は、上記セラミック基板4に対向した薄肉状のダイヤフラム部6aと、このダイヤフラム部6aの周囲から上記セラミック基板4側に突設される鍔部6bとからなり、この鍔部6bの端面6c全域が上記セラミック基板4の他端面4cに上記接着剤5で接着される。
【0009】
測定される圧力は、上記ダイヤフラム部6aと上記鍔部6bとで囲まれる空間7に、上記セラミック基板4の連通孔4dと上記圧力導入口1fを介して導入される。圧力センサチップ6に設けられた電極(図示せず)はボンディングワイヤ8によりリード2の他端2bにボンディングされている。樹脂パッケージ1の一端1aは蓋9で塞がれており、樹脂パッケージ1の内部は上記蓋9に形成された連通孔9aを介して外部と連通している。
【0010】
上記のような構成では、圧力センサチップ6のダイヤフラム部6aと鍔部6bとで囲まれる空間7に、ニップル1eの圧力導入口1fと、セラミック基板4の連通孔4dとを介して測定される圧力が導入される。ダイヤフラム部6aには圧力に応じた歪が発生し、それが電気信号に変換され、ボンディングワイヤ8とリード2とを介して出力される。ここで、樹脂パッケージ1と圧力センサチップ6の間には、圧力センサチップ6の材料となるシリコンの熱膨張係数に近いセラミックス基板4を介在させており、樹脂パッケージ1が熱変形した際、セラミックス基板4を介して、樹脂パッケージ1の熱応力が緩和されることになり、圧力センサチップ6のダイヤフラム部6aの歪が抑えられ、ダイヤフラム部6aの圧力検出制度がお幅に向上する。また、セラミックス基板4自体が薄肉に構成できることから、樹脂パッケージ1の底部1cに位置する圧力センサチップ6の高さが低くなり、装置の小形化を図ることができる。
【0011】
実施の形態2.
この発明の実施の形態2を図3により説明する。なお、図3は半導体圧力センサの断面図である。図において、樹脂パッケージ1の圧力導入口1fの底部側端面1gには、この底部側端面1gよりも深く形成されて上記圧力導入孔1fの上記底部側端面1gの周囲をリング状に囲む凹部1hが形成されている。上記凹部1hには、この凹部1hの深さ寸法よりも大きい直径の球状ビース3aを含有したシリコンからなる接着剤3が充填されている。このため、樹脂パッケージ1とセラミックス基板4とを接着させる接着剤の厚みの偏りが防止され、樹脂パッケージ1が熱変形した際においても、セラミックス基板4に加わる応力が均一になる。また、上記セラミック基板4の他端面4cの外周側のみにシリコンからなる接着剤5が塗布されており、この接着剤5に例えば単結晶シリコン基板からなる圧力センサチップ6が固着される。この圧力センサチップ6は、鍔部6bの端面6cが上記セラミック基板4の他端面4cに接着剤5で接着される。
【0012】
上記のような構成では、上記凹部1hには、シリコンからなる接着剤3が充填されているので、樹脂パッケージ1が熱変形した際、その樹脂パッケージ1の歪はシリコンからなる接着剤3で緩衝され、更に、圧力センサチップ6は、セラミックス基板4にシリコンからなる接着剤5を介して固着されているので、圧力センサチップ6は、樹脂パッケージ1が熱変形した際においても、接着剤3、5とセラミック基板4とで熱応力が緩和され、圧力センサチップ6の圧力検出精度を大幅に向上できる。また更には、接着剤3は、凹部1hの深さ寸法よりも大きい直径の球状ビーズ3aを含有しているので、セラミック基板4の一端面4aは、圧力導入口1fの底部側端面1gから確実に離間することになり、樹脂パッケージ1の熱変形が、直接的にセラミック基板4に作用することを防止できる。
【0013】
実施の形態3.
この発明の実施の形態3を図4により説明する。なお、図4は半導体圧力センサの部分断面図である。図において、接着剤3は、100〜300μmの球状ビーズ3aが含有されたシリコンで構成されており、上記球状ビーズ3aにより上記接着剤3の厚みが100〜300μmに規制される。接着剤5は、球状ビーズを含まないシリコンで構成されている。ここで、セラミックス基板4は、樹脂パッケージ1とは熱膨張係数が相違しており、シリコンからなる弾性係数の低い接着剤3でセラミックス基板4を樹脂パッケージ1に接着した場合、セラミックス基板4へ発生する歪は、接着剤の厚みtの3乗に比例して低減できるが、接着剤3の厚みtが厚くなると、同じ圧力が加わった時でも樹脂パッケージ1との界面へ働くせん断応力が増加し、この界面で上記樹脂パッケージ1と接着剤3とがせん断しやすくなる。そこで、100〜300μmの球状ビーズ3aで、接着剤3の厚みを100〜300μmに規制しており、上記樹脂パッケージ1と接着剤3との界面でのせん断を防止できる。
【0014】
また、一方、接着剤5は、球状ビーズを含まないシリコンで構成されており、接着剤5の熱膨張係数が小さいため、接着剤5は球状ビーズを含有させなくても50μm程度の厚さに薄くできるので、上記圧力センサチップ6の電気特性が安定することになる。また、圧力が加わった際、接着層には圧縮力、または引っ張り力が作用することなり、接着層でのせん断力が大幅に低減できる。このように、接着剤3、5の双方の接着層でのせん断力を大幅に低減でき、圧力センサチップ6の定格圧力を向上できる。
【0015】
実施の形態4.
この発明の実施の形態4を図5により説明する。なお、図5は半導体圧力センサの断面図である。図において、上記セラミック基板4の外周方向寸法を、圧力センサチップ6の鍔部6bの外周方向寸法よりも大に構成しており、セラミック基板4と樹脂パッケージ1との接着面積を大きくとれ、また、上記圧力センサチップ6をセラミック基板4に接着する際に、接着幅を1.5mm以上確保できため、上記圧力センサチップ6とセラミック基板4との接着強度を改善でき、密閉効果が向上し、圧力パスが形成されること、即ち、セラミック基板との接着界面に圧力が逃げる穴が形成されることが防止できる。
【0016】
【発明の効果】
この発明は、以上説明したように、一端が開口し、底部に圧力導入孔を有する有底筒状の樹脂パッケージ、上記底部に充填された第1の接着剤、上記圧力導入孔に連通する連通孔を有して一端面が上記第1の接着剤に接着されたセラミック基板、このセラミック基板の他端面に充填された第2の接着剤、この第2の接着剤を介して上記セラミック基板に接着され、上記連通孔と上記圧力導入孔とを通じて導入される圧力を応力に変換する圧力センサチップ、及び上記樹脂パッケージの一端を塞ぐ蓋を備えているので、セラミック基板を介して樹脂パッケージの熱応力が緩和されることになり、圧力センサチップの圧力検出精度が向上する。また、セラミック基板自体の厚さを薄くできることから、樹脂パッケージの底部に位置する圧力センサチップの高さが低くなり、装置の小形化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1を示す半導体圧力センサの斜視図である。
【図2】この発明の実施の形態1を示す半導体圧力センサの断面図である。
【図3】この発明の実施の形態2を示す半導体圧力センサの断面図である。
【図4】この発明の実施の形態3を示す半導体圧力センサの部分断面図である。
【図5】この発明の実施の形態4を示す半導体圧力センサの断面図である。
【符号の説明】
1 樹脂パッケージ、 1a 一端、 1c 底部、 1f 圧力導入孔、 1h 凹部、 3 接着剤、 3a 球状ビーズ、 4 セラミック基板、 4d 連通孔、 5 接着剤、 6 圧力センサチップ、 6a ダイヤフラム部、 6b 鍔部、 7 空間、 9 蓋。
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体圧力センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体圧力センサは、半導体圧力センサチップをガラス台座に陽極接合法等により接合し、ガラス台座の半導体圧力センサチップとの接合面と異なる面側は、ゴム、ゲル状のシリコン樹脂またはエポキシ樹脂等の低応力の接着剤により母基板にダイボンディングされている。半導体圧力センサチップは、単結晶シリコン基板に、片面に受圧面が形成されて圧力を応力に変換するダイヤフラムと、歪ゲージと、電極とを形成したもので、ピエゾ抵抗効果により圧力の変化を電気抵抗の変化に変換して出力するものである(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開平10−332505号公報(第2−3頁、図3)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述のような構成においては、樹脂モールドした樹脂パッケージの底面の略中央に凹部を設け、そこにガラス台座を接着剤によってマウントしている。このため、温度によって樹脂パッケージに微少なたわみが生じると、ガラス台座がそのたわみに応じて変形しようとする。それを防ぐためには、ガラス台座を厚くする必要があり、半導体圧力センサが大型化するといる問題を有していた。
【0005】
本発明は、上記のような問題点を解消するためになされたものであり、外形を小形化できる半導体圧力センサを得るものである。
また。第2の目的は、樹脂パッケージが熱変形した際においても、圧力センサチップの圧力検出精度を向上できる半導体圧力センサを得るものである。
更に、第3の目的は、接着層でのせん断力を大幅に低減でき、圧力センサチップの定格圧力を向上できる半導体圧力センサを得るものである。
また、更に、第4の目的は、圧力センサチップとセラミック基板との接着強度を改善でき、圧力パス(圧力が逃げる穴)の密閉効果が向上できる半導体圧力センサを得るものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
この発明に係わる半導体圧力センサは、圧力導入孔を有する有底筒状の樹脂パッケージの底部に、第1の接着剤を充填し、この第1の接着剤でセラミック基板を接着し、このセラミック基板の連通孔と上記圧力導入孔とを通じて導入される圧力を応力に変換する圧力センサチップが上記セラミック基板に第2の接着剤で接着されるものである。
【0007】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
この発明の実施の形態1を図1乃至図2により説明する。なお、図1は半導体圧力センサの斜視図、図2は半導体圧力センサの断面図である。図において、樹脂パッケージ1は、一端1aが開口した筒部1bと、この筒部1bに連続した底部1cと、他端1dからニップル1eが突出し、このニップル1eには樹脂パッケージ1の内外を連通させる圧力導入口1fが形成されている。 上記樹脂パッケージ1には上記筒部1bを貫通したリード2が一体に成型されており、一端2aは上記筒部1bからL状に突出し、他端2bは上記底部1cに露出している。
【0008】
上記底部1cには、第1の接着剤としてエポキシ樹脂からなる接着剤3が充填されている。上記接着剤3にセラミック基板4の一端面4aの外周側のみが固着され、中央部4bには上記接着剤3は付着しない。また、上記セラミック基板4の他端面4cの外周側のみに、第2の接着剤としてエポキシ樹脂からなる接着剤5が塗布されており、この接着剤5に例えば単結晶シリコン基板からなる圧力センサチップ6が固着される。この圧力センサチップ6は、上記セラミック基板4に対向した薄肉状のダイヤフラム部6aと、このダイヤフラム部6aの周囲から上記セラミック基板4側に突設される鍔部6bとからなり、この鍔部6bの端面6c全域が上記セラミック基板4の他端面4cに上記接着剤5で接着される。
【0009】
測定される圧力は、上記ダイヤフラム部6aと上記鍔部6bとで囲まれる空間7に、上記セラミック基板4の連通孔4dと上記圧力導入口1fを介して導入される。圧力センサチップ6に設けられた電極(図示せず)はボンディングワイヤ8によりリード2の他端2bにボンディングされている。樹脂パッケージ1の一端1aは蓋9で塞がれており、樹脂パッケージ1の内部は上記蓋9に形成された連通孔9aを介して外部と連通している。
【0010】
上記のような構成では、圧力センサチップ6のダイヤフラム部6aと鍔部6bとで囲まれる空間7に、ニップル1eの圧力導入口1fと、セラミック基板4の連通孔4dとを介して測定される圧力が導入される。ダイヤフラム部6aには圧力に応じた歪が発生し、それが電気信号に変換され、ボンディングワイヤ8とリード2とを介して出力される。ここで、樹脂パッケージ1と圧力センサチップ6の間には、圧力センサチップ6の材料となるシリコンの熱膨張係数に近いセラミックス基板4を介在させており、樹脂パッケージ1が熱変形した際、セラミックス基板4を介して、樹脂パッケージ1の熱応力が緩和されることになり、圧力センサチップ6のダイヤフラム部6aの歪が抑えられ、ダイヤフラム部6aの圧力検出制度がお幅に向上する。また、セラミックス基板4自体が薄肉に構成できることから、樹脂パッケージ1の底部1cに位置する圧力センサチップ6の高さが低くなり、装置の小形化を図ることができる。
【0011】
実施の形態2.
この発明の実施の形態2を図3により説明する。なお、図3は半導体圧力センサの断面図である。図において、樹脂パッケージ1の圧力導入口1fの底部側端面1gには、この底部側端面1gよりも深く形成されて上記圧力導入孔1fの上記底部側端面1gの周囲をリング状に囲む凹部1hが形成されている。上記凹部1hには、この凹部1hの深さ寸法よりも大きい直径の球状ビース3aを含有したシリコンからなる接着剤3が充填されている。このため、樹脂パッケージ1とセラミックス基板4とを接着させる接着剤の厚みの偏りが防止され、樹脂パッケージ1が熱変形した際においても、セラミックス基板4に加わる応力が均一になる。また、上記セラミック基板4の他端面4cの外周側のみにシリコンからなる接着剤5が塗布されており、この接着剤5に例えば単結晶シリコン基板からなる圧力センサチップ6が固着される。この圧力センサチップ6は、鍔部6bの端面6cが上記セラミック基板4の他端面4cに接着剤5で接着される。
【0012】
上記のような構成では、上記凹部1hには、シリコンからなる接着剤3が充填されているので、樹脂パッケージ1が熱変形した際、その樹脂パッケージ1の歪はシリコンからなる接着剤3で緩衝され、更に、圧力センサチップ6は、セラミックス基板4にシリコンからなる接着剤5を介して固着されているので、圧力センサチップ6は、樹脂パッケージ1が熱変形した際においても、接着剤3、5とセラミック基板4とで熱応力が緩和され、圧力センサチップ6の圧力検出精度を大幅に向上できる。また更には、接着剤3は、凹部1hの深さ寸法よりも大きい直径の球状ビーズ3aを含有しているので、セラミック基板4の一端面4aは、圧力導入口1fの底部側端面1gから確実に離間することになり、樹脂パッケージ1の熱変形が、直接的にセラミック基板4に作用することを防止できる。
【0013】
実施の形態3.
この発明の実施の形態3を図4により説明する。なお、図4は半導体圧力センサの部分断面図である。図において、接着剤3は、100〜300μmの球状ビーズ3aが含有されたシリコンで構成されており、上記球状ビーズ3aにより上記接着剤3の厚みが100〜300μmに規制される。接着剤5は、球状ビーズを含まないシリコンで構成されている。ここで、セラミックス基板4は、樹脂パッケージ1とは熱膨張係数が相違しており、シリコンからなる弾性係数の低い接着剤3でセラミックス基板4を樹脂パッケージ1に接着した場合、セラミックス基板4へ発生する歪は、接着剤の厚みtの3乗に比例して低減できるが、接着剤3の厚みtが厚くなると、同じ圧力が加わった時でも樹脂パッケージ1との界面へ働くせん断応力が増加し、この界面で上記樹脂パッケージ1と接着剤3とがせん断しやすくなる。そこで、100〜300μmの球状ビーズ3aで、接着剤3の厚みを100〜300μmに規制しており、上記樹脂パッケージ1と接着剤3との界面でのせん断を防止できる。
【0014】
また、一方、接着剤5は、球状ビーズを含まないシリコンで構成されており、接着剤5の熱膨張係数が小さいため、接着剤5は球状ビーズを含有させなくても50μm程度の厚さに薄くできるので、上記圧力センサチップ6の電気特性が安定することになる。また、圧力が加わった際、接着層には圧縮力、または引っ張り力が作用することなり、接着層でのせん断力が大幅に低減できる。このように、接着剤3、5の双方の接着層でのせん断力を大幅に低減でき、圧力センサチップ6の定格圧力を向上できる。
【0015】
実施の形態4.
この発明の実施の形態4を図5により説明する。なお、図5は半導体圧力センサの断面図である。図において、上記セラミック基板4の外周方向寸法を、圧力センサチップ6の鍔部6bの外周方向寸法よりも大に構成しており、セラミック基板4と樹脂パッケージ1との接着面積を大きくとれ、また、上記圧力センサチップ6をセラミック基板4に接着する際に、接着幅を1.5mm以上確保できため、上記圧力センサチップ6とセラミック基板4との接着強度を改善でき、密閉効果が向上し、圧力パスが形成されること、即ち、セラミック基板との接着界面に圧力が逃げる穴が形成されることが防止できる。
【0016】
【発明の効果】
この発明は、以上説明したように、一端が開口し、底部に圧力導入孔を有する有底筒状の樹脂パッケージ、上記底部に充填された第1の接着剤、上記圧力導入孔に連通する連通孔を有して一端面が上記第1の接着剤に接着されたセラミック基板、このセラミック基板の他端面に充填された第2の接着剤、この第2の接着剤を介して上記セラミック基板に接着され、上記連通孔と上記圧力導入孔とを通じて導入される圧力を応力に変換する圧力センサチップ、及び上記樹脂パッケージの一端を塞ぐ蓋を備えているので、セラミック基板を介して樹脂パッケージの熱応力が緩和されることになり、圧力センサチップの圧力検出精度が向上する。また、セラミック基板自体の厚さを薄くできることから、樹脂パッケージの底部に位置する圧力センサチップの高さが低くなり、装置の小形化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1を示す半導体圧力センサの斜視図である。
【図2】この発明の実施の形態1を示す半導体圧力センサの断面図である。
【図3】この発明の実施の形態2を示す半導体圧力センサの断面図である。
【図4】この発明の実施の形態3を示す半導体圧力センサの部分断面図である。
【図5】この発明の実施の形態4を示す半導体圧力センサの断面図である。
【符号の説明】
1 樹脂パッケージ、 1a 一端、 1c 底部、 1f 圧力導入孔、 1h 凹部、 3 接着剤、 3a 球状ビーズ、 4 セラミック基板、 4d 連通孔、 5 接着剤、 6 圧力センサチップ、 6a ダイヤフラム部、 6b 鍔部、 7 空間、 9 蓋。
Claims (4)
- 一端が開口し、底部に圧力導入孔を有する有底筒状の樹脂パッケージ、上記底部に充填された第1の接着剤、上記圧力導入孔に連通する連通孔を有して一端面が上記第1の接着剤に接着されたセラミック基板、このセラミック基板の他端面に充填された第2の接着剤、この第2の接着剤を介して上記セラミック基板に接着され、上記連通孔と上記圧力導入孔とを通じて導入される圧力を応力に変換する圧力センサチップ、及び上記樹脂パッケージの一端を塞ぐ蓋を備えた半導体圧力センサ。
- 第1の接着剤と第2の接着剤はシリコンで構成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体圧力センサ。
- 第1の接着剤は100〜300μmの球状ビーズを含有したシリコンからなる接着剤で構成され、第2の接着剤は球状ビーズを含有しないシリコンからなる接着剤で構成されたことを特徴とする請求項1乃至請求項2の何れかに記載の半導体圧力センサ。
- セラミック基板の外形方向寸法が、圧力センサチップの外形方向寸法よりも大に構成されたことを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れかに記載の半導体圧力センサ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002326743A JP2004163148A (ja) | 2002-11-11 | 2002-11-11 | 半導体圧力センサ |
DE10316084A DE10316084A1 (de) | 2002-11-11 | 2003-04-08 | Halbleiterdrucksensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002326743A JP2004163148A (ja) | 2002-11-11 | 2002-11-11 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004163148A true JP2004163148A (ja) | 2004-06-10 |
Family
ID=32211971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002326743A Pending JP2004163148A (ja) | 2002-11-11 | 2002-11-11 | 半導体圧力センサ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004163148A (ja) |
DE (1) | DE10316084A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US10422710B2 (en) | 2017-03-03 | 2019-09-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor differential pressure sensor |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2090873B1 (en) | 2008-02-14 | 2011-06-01 | Elmos Advanced Packaging B.V. | Integrated circuit package |
DE102009028244A1 (de) * | 2009-08-05 | 2011-02-10 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Relativdrucksensor |
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JP6462050B2 (ja) * | 2017-06-23 | 2019-01-30 | 株式会社鷺宮製作所 | センサチップの接合構造、および、圧力センサ |
-
2002
- 2002-11-11 JP JP2002326743A patent/JP2004163148A/ja active Pending
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2003
- 2003-04-08 DE DE10316084A patent/DE10316084A1/de not_active Withdrawn
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JP2019032238A (ja) * | 2017-08-08 | 2019-02-28 | 富士電機株式会社 | 圧力センサ装置の製造方法、圧力センサ装置、および、距離固定治具 |
JP7047278B2 (ja) | 2017-08-08 | 2022-04-05 | 富士電機株式会社 | 圧力センサ装置の製造方法、圧力センサ装置、および、距離固定治具 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10316084A1 (de) | 2004-05-27 |
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