JP2002286566A - 半導体圧力センサ及びその調整方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ゲージケースクミの状態でセンサ特性調整を行
える半導体圧力センサ及びその調整方法を提供すること
にある。 【解決手段】圧力変換回路と特性補償回路を有する半導
体チップ１と、この半導体チップ１を収納する樹脂ケー
ス６と、この樹脂ケースからケース外部に引き出される
とともに樹脂ケースと一体成形されたリード端子７とを
有する。樹脂ケース６は、樹脂ケースの上下に形成され
た平面状の気密封止面６Ｃ１，６Ｃ２と、封止面の内側
に配置されるとともに、樹脂ケースから一部が露出する
ように一体成形された補強材８と、封止面と補強材の間
に設けられた溝部１３，１４とを備えている。半導体チ
ップ１は、補強材の上に配設される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体圧力センサ
及びその調整方法に係り、特に、特性調整に適したケー
ス構造を有する半導体圧力センサ及びその調整方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体圧力センサは、例えば、特
開昭５７−７９４１９号公報に記載されているように、
次のような構成となっている。圧力検出回路を有した半
導体チップと、ガラス台とを接合してチップクミを構成
する。次に、このチップクミをガラスベースに接着した
後、リード端子一体型樹脂ケースに接着して、チップと
リード端子をワイヤで接続し、更に、樹脂カバーを樹脂
ケースに接着してゲージケースクミを構成する。さら
に、圧力導入管を有した樹脂ベースに、ゲージケースク
ミを構成する樹脂ケースを接着し、更に、特性調整回路
を有した厚膜混成回路基板を樹脂ベースに接着して、ゲ
ージケースクミのリード端子と厚膜混成回路基板とコネ
クタリード端子を各々ワイヤで接続したのち、外装ケー
スに圧力を印加して厚膜混成回路基板の抵抗を所定の値
に合わせることでセンサの特性調整（０−スパン調整，
感度調整，温度特性調整等）を行っている。特性調整
後、外装ケースに樹脂カバーを接着して半導体圧力セン
サを構成している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
５７−７９４１９号公報に記載されている半導体圧力セ
ンサでは、ゲージケースクミを外装ケースに固定した状
態で、センサの特性調整を行うものであり、外装ケース
が大きく熱容量が大きいため、高温や低温状態に曝して
センサの温度特性を測定する際等に装置が大型化すると
いう問題点があった。また、特性調整不良品が発生した
場合、外装ケースごと廃棄する必要があり、経済的損失
が大きいという問題点があった。

【０００４】そこで、本発明者らは、外装ケースを取り
付ける前の状態であるゲージケースクミ単体で特性調整
を行うことを検討したが、ゲージケースクミの樹脂ケー
スを、上下から冶具で挟み込み押え力を加えて圧力を印
加して調整作業を行なおうとすると、ガラスベースの周
辺部で直接押さえ力を受けるため、ガラスベースの割れ
や、圧力を検出するための半導体チップに応力が加わ
り、正確な特性調整が行えないという問題が生じること
が判明した。

【０００５】本発明の目的は、ゲージケースクミの状態
でセンサ特性調整を行える半導体圧力センサ及びその調
整方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】（１）上記目的を達成す
るために、本発明は、被測定媒体の圧力変化を電気信号
に変換する半導体チップと、この半導体チップを収納す
る樹脂ケースと、この樹脂ケースからケース外部に引き
出されるとともに樹脂ケースと一体成形されたリード端
子と、上記半導体チップと上記リード端子を電気的に接
続する接続部材とを有する半導体圧力センサにおいて、
上記樹脂ケースは、この樹脂ケースの上下に形成された
平面状の封止面と、この封止面の内側に配置されるとと
もに、樹脂ケースから一部が露出するように一体成形さ
れた補強材と、上記封止面と上記補強材の間に設けられ
た溝部とを備え、上記補強材の上に半導体チップを配設
するようにしたものである。かかる構成により、ゲージ
ケースクミの状態でセンサ特性調整を行えるものとな
る。

【０００７】（２）上記（１）において、好ましくは、
上記樹脂ケースの封止面の端面がリング形で、側面が円
筒形状に形成され、上記溝部は、上記円筒形状部の内側
にリング状に形成され、上記補強材が金属円盤から構成
するようにしたものである。

【０００８】（３）上記（１）において、好ましくは、
上記樹脂ケースの側面の平面部に設けられ、樹脂ケース
のチップが収納された側の開口部を覆う蓋を固定するた
めのスナップフィット勘合部を備えるようにしたもので
ある。 （４）上記目的を達成するために、本発明は、圧力変換
回路と特性補償回路を有する半導体チップと、この半導
体チップを収納する樹脂ケースと、この樹脂ケースから
ケース外部に引き出されるとともに樹脂ケースと一体成
形されたリード端子と、上記半導体チップと上記リード
端子を電気的に接続する接続部材とを有する半導体圧力
センサの特性を調整する半導体圧力センサの調整方法に
おいて、上記樹脂ケースは、この樹脂ケースの上下に形
成された平面状の封止面と、この封止面の内側に配置さ
れるとともに、樹脂ケースから一部が露出するように一
体成形された補強材と、上記封止面と上記補強材の間に
設けられた溝部とを備え、上記封止面の設けられた部分
の樹脂ケースを上下から固定し、上記半導体チップに圧
力を印加して、上記半導体チップの特性調整を行うよう
にしたものである。かかる構成により、ゲージケースク
ミの状態でセンサ特性調整を行えるものとなる。

【０００９】（５）上記（４）において、好ましくは、
上記樹脂ケースの上部の封止面をシール材を介して上か
ら押えて気密封止すると共にチップ上面に所定の圧力を
印加する可動冶具と、上記樹脂ケースの下部の封止面で
上記押え力を受ける固定冶具と、ケース側方のリード端
子に電気信号を与える可動プローブとを備える調整装置
を用いて、上記半導体センサに所定の圧力・温度を与
え、センサ特性を調整・検査するようにしたものであ
る。

【００１０】（６）上記（４）において、好ましくは、
上記樹脂ケースの上部の封止面をシール材を介して上か
ら押えて気密封止すると共にチップ上面に所定の圧力を
印加する可動冶具と、上記樹脂ケースの下部の封止面を
シール材を介して下から押えて気密封止すると共にチッ
プ下面に所定の圧力を印加する固定冶具と、ケース側方
のリード端子に電気信号を与える可動プローブとを備え
る調整装置を用いて、上記半導体センサに所定の圧力・
温度を与え、センサ特性を調整・検査するようにしたも
のである。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、図１〜図９を用いて、本発
明の一実施形態による半導体圧力センサの構成について
説明する。最初に、図１及び図２を用いて、本発明の一
実施形態による半導体相対圧センサのゲージケースクミ
の構成について説明する。図１は、本発明の一実施形態
による半導体相対圧センサのゲージケースクミ状態の構
成を示す断面図である。図２は、図１の平面図である。

【００１２】半導体チップ１は、シリコンから成る。半
導体チップ１は、中央部の下面をエッチング等により、
凹型形状に形成され、中央部には、薄肉のダイヤフラム
２が形成されている。半導体チップ１の上面であって、
ダイヤフラム２の部分には、図示しない圧力検出回路が
半導体プロセスにより一体的に形成されている。圧力検
出回路は、ダイアフラム２上に形成された４個の拡散抵
抗から成り、アルミ導体でブリッジに配線して構成され
る。また、半導体チップ１の上面で、ダイヤフラム以外
の周辺部には、図示しない特性補償回路及び保護回路が
半導体プロセルにより一体的に形成されている。特性補
償回路は、圧力と出力の関係を所定の伝達関数に調整す
るデジ・アナ混成回路である。デジ・アナ混成回路は、
特性調整信号を記憶・保持するＥＰＲＯＭを有したデジ
タル部と、信号増幅をするアナログ部を主要部として構
成される。特性調整信号とは、ゼロ−スパン調整，感度
調整，温度特性調整時に得られたこれらの各特性を調整
するための係数値等の調整値である。保護回路は、外部
と接続される入出力段に設けられた入出力信号に対する
保護を行う回路である。圧力検出回路，特性調整回路及
び保護回路は、それぞれ、アルミ導線等で電気的に接続
されている。

【００１３】半導体チップ１は、ガラス台３とアノーデ
イックボンデイング等で接合されている。半導体チップ
１とガラス台３により、チップクミを構成する。ガラス
台３は、その中央に貫通孔４を有している。貫通孔４
は、半導体チップ１のダイヤフラム２の下面に圧力を導
入する圧力導入口となる。ガラス台３の線膨張係数は、
半導体チップ１の線膨張係数を、略等しいものである。

【００１４】樹脂ケース６は、リード端子７及び補強板
８をインサートモールドして形成される。樹脂ケース６
は、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂からなる。リード端子
７は、リン青銅からなる。補強板８は、円形形状であ
り、４２アロイからなる。補強板８の中央には、貫通孔
９が形成されている。貫通孔９は、半導体チップ１のダ
イヤフラム２の下面に圧力を導入する圧力導入口とな
る。樹脂ケース６の中央部にも、半導体チップ１のダイ
ヤフラム２の下面に圧力を導入する圧力導入口となる貫
通孔１５が形成されている。樹脂ケース６に対してイン
サートモールド成形された補強板８の中央上面は、樹脂
ケース６から露出している。リード端子７は、図２に示
すように、チップクミ５の配設部近傍を取り囲むように
設置され、樹脂ケースを介して外側に引き出されてい
る。

【００１５】半導体チップ１とガラス台３からなるチッ
プクミは、樹脂ケース６の中央部に露出した補強板８
に、シリコーン接着剤１６を用いて、接着・固定されて
いる。半導体チップ１のチップ電極は、アルミワイヤ１
７で、リード端子７をワイヤボンデイングで接続されて
いる。

【００１６】樹脂ケース６には、溝１３，１４が形成さ
れている。溝１３，１４は、図２に示すように、リング
状である。溝１３，１４の半径は、共に等しく、リード
端子７の形成されている面に対して、上下の同じ位置に
設けられている。樹脂ケース６の外径形状の内、リード
端子７が設けられる部分は、図２に示すように、平面形
状が正方形状である。樹脂ケース６の外径形状の内、溝
１３が設けられる部分は、図２に示すように、平面形状
が円形形状である。樹脂ケース６の外径形状の内、溝１
４が設けられる部分は、溝１３に対応する部分と同じよ
うに、平面形状が円形形状である。樹脂ケース６は、溝
１３、１４の内周側の剛体部分６Ａと、溝１３の外周側
のリング状の変形部分６Ｂ１と、溝１４の外周のリング
状の変形部分６Ｂ２とに分けることができる。補強板８
は、剛体部分６Ａにインサートモールドにより埋設され
ており、剛体部分６Ａの剛性をさらに高めている。リン
グ状の変形部分６Ｂ１の上面は、平坦であり、リング状
の凸型気密封止面６Ｃ１となっている。また、リング状
の変形部分６Ｂ２の下面は、平坦であり、リング状の凸
型気密封止面６Ｃ２となっている。凸型気密封止面６Ｃ
１と、凸型気密封止面６Ｃ２とは、上下略対称となって
いる。

【００１７】凸型気密封止面６Ｃ２から溝１４の底面ま
での高さをＨ１とし、凸型気密封止面６Ｃ２から補強板
８の上面（ガラス台３の取付面）までの高さをＨ２とす
ると、Ｈ１≧Ｈ２なる関係となるように、溝１４の深さ
を設定している。また、別の見方をすると、凸型気密封
止面６Ｃ１から溝１４の底面までの高さをＨ３とし、凸
型気密封止面６Ｃ１から補強板８の上面（ガラス台３の
取付面）までの高さをＨ４とすると、Ｈ４≧Ｈ３なる関
係となるように、溝１４の深さを設定している。なお、
図示の例では、Ｈ１＝Ｈ２，Ｈ４＝Ｈ３としているが、
Ｈ１＞Ｈ２とし、Ｈ４＞Ｈ３としてもよいものである。
すなわち、溝１４は、開口部側（凸型気密封止面６Ｃ２
の側）を基準にしたとき、その底面は、補強板８の上面
（ガラス台３の取付面）よりも深い位置まで形成されて
いる。したがって、リング状の凸型気密封止面６Ｃ１の
上面から均一に力Ｆ１を加え、また、リング状の凸型気
密封止面６Ｃ２の下面から均一に力Ｆ２を加えた場合、
溝１３，１４が形成されていることによって、変形部分
６Ｂ１，６Ｂ２が変形したとしても、力Ｆ１，Ｆ２は、
剛体部分６Ａには作用しないものである。また、仮に多
少の応力が剛体部分６Ａに作用したとしても、剛体部分
６Ａに設けられている補強板８は、樹脂ケース６よりも
強度の強い金属製であるため、力Ｆ１．Ｆ２による応力
が、補強板８の上に取り付けられたガラス台３及び半導
体チップ１には及ばないものである。

【００１８】さらに、樹脂ケース６の内部の補強板８の
上に取り付けられた半導体チップ１とガラス台３からな
るチップクミの上面は、フロロシリコーン系またはフッ
素系のコートゲル１８を充填・硬化させている。コート
ゲル１８は、半導体チップ１に圧力を伝達するととも
に、半導体チップ１に腐食性の液体や気体が接触するこ
とを防止している。

【００１９】なお、凹部４４は、スナップフィット固定
用の凹部（スナップフィット勘合部）であり、この点に
ついては、図８を用いて後述する。

【００２０】以上のようにして、半導体チップ１とガラ
ス台３からなるチップクミと、補強板８及びリード端子
７を一体成形した樹脂ケース６によって、ゲージケース
クミ１０が構成される。

【００２１】次に、図３を用いて、本実施形態による半
導体相対圧センサのゲージケースクミを用いた特性調整
方法について説明する。図３は、本発明の一実施形態に
よる半導体相対圧センサのゲージケースクミを用いた特
性調整装置の構成を示す要部断面図である。

【００２２】特性調整冶具２７は、固定冶具２２と、可
動冶具２６とから構成される。固定冶具２２は、Ｏリン
グ２０と、圧力導入孔２１とを、主要部として構成され
る。可動冶具２６は、Ｏリング２３と、圧力導入孔２４
と、プローブ２５とを、主要部として構成される。

【００２３】ゲージケースクミ１０は、固定冶具２２
に、下面気密封止面１２とＯリング２０が合致するよう
搭載され、次に、可動冶具２６のＯリング２３と上部気
密封止面１１が合致し、且つ、リード端子７とプローブ
２５がそれぞれ合致するように、ゲージケースクミ１０
を固定冶具２２と可動冶具２６で挟み込むように、図３
に示した状態でセットする。

【００２４】図３に示した状態で、例えば、固定冶具２
２側に大気圧ＰAを印加し、可動冶具２６側に被測定圧
力ＰMを印加することで、半導体チップ１は大気圧を基
準とした相対圧（ＰA−ＰM）が印加される。相対圧力に
よって、半導体チップ１のダイヤフラム２が変形する
と、シリコンのピエゾ抵抗効果で拡散抵抗値が変化し、
圧力検出回路のブリッジ電圧変化として、出力信号に変
換することができる。

【００２５】特性調整冶具２７とゲージケースクミ１０
に所定の温度と圧力を与えながら、センサ出力が所定値
となるように、図示しない調整装置からプローブ２５を
介して、チップ１に内在するＥＰＲＯＭに調整値に記憶
・保持することで、センサの特性調整作業が行われる。

【００２６】ここで、ゲージケースクミ１０を固定冶具
２２と可動冶具２６で挟み込んだ際、樹脂ケース６の上
下気密封止面１１，１２に応力が発生するが、補強板８
と上下気密封止面１１，１２の間に配置された凹型溝１
３，１４により、樹脂ケース６の変形部６Ｂ１，６Ｂ２
で変形を吸収し、且つ金属の補強板８の剛性によって、
補強板８上に配設されたガラス台３及びその上に固定さ
れた半導体チップ１に歪が伝達されることはなく、安定
した状態で調整作業が行える。したがって、ゲージケー
スクミ１０の状態で特性調整作業が行えるため、高温や
低温状態に曝してセンサの温度特性を測定する際等で
も、調整装置を小型化することができる。また、不良品
が発生した場合でも、ゲージケースクミ１０を廃棄する
だけですみ、経済的損失を小さくすることができる。

【００２７】なお、本実施形態による樹脂ケース構造を
採用することで、ガラス台３の高さＨ５を従来のものよ
りも低くすることができる。すなわち、従来のガラス台
は、チップに伝達する外力（例えば、樹脂ケース、調整
冶具などからの外力・応力）を緩和する目的で用いてい
るため、ある程度の高さを有するものとして、それによ
って、外力を緩和している。それに対して、本実施形態
では、外力は樹脂ケース６の構造（溝１３，１４を有す
ることと、補強板８を用いること）で吸収され、ガラス
台３には及ばないため、ガラス台３の高さを低くするこ
とができる。その結果、半導体圧力センサを、小型・低
コスト化することができる。ちなみに、従来のガラス台
の高さは、２．５ｍｍ程度あったものを、本実施形態で
は、０．６ｍｍまで低くすることができる。

【００２８】次に、図４を用いて、本発明の一実施形態
による半導体相対圧センサのゲージケースクミの他の構
成について説明する。図４は、本発明の一実施形態によ
る半導体相対圧センサのゲージケースクミ状態の他の構
成を示す断面図である。なお、図１と同一符号は、同一
部分を示している。

【００２９】本例のゲージケースクミ１０’では、下面
気密封止面６Ｂ２を、補強板８の下面より上部に配置し
ている。すなわち、凸型気密封止面６Ｃ２’から溝１
４’の底面までの高さＨ１’は、図１に示したものより
も、小さくなっている。しかしながら、上述したよう
に、凸型気密封止面６Ｃ１から溝１４’の底面までの高
さＨ３と、凸型気密封止面６Ｃ１から補強板８の上面
（ガラス台３の取付面）までの高さＨ４との間には、Ｈ
４≧Ｈ３なる関係があるように、溝１４’の深さを設定
している。すなわち、溝１４’は、開口部側（凸型気密
封止面６Ｃ２の側）を基準にしたとき、その底面は、補
強板８の上面（ガラス台３の取付面）よりも深い位置ま
で形成されている。したがって、リング状の凸型気密封
止面６Ｃ１の上面と、リング状の凸型気密封止面６Ｃ２
の下面から均一に力を加えた場合、溝１３，１４’が形
成されていることによって、変形部分６Ｂ１，６Ｂ２’
が変形したとしても、力は、剛体部分６Ａには作用しな
いものである。また、仮に多少の応力が剛体部分６Ａに
作用したとしても、剛体部分６Ａに設けられている補強
板８は、樹脂ケース６よりも強度の強い金属製であるた
め、応力が、補強板８の上に取り付けられたガラス台３
及び半導体チップ１には及ばないものである。

【００３０】以上のようにして、変形部分６Ｂ２’の高
さを低くすることにより、樹脂ケース６の惰肉が排除で
き、ゲージケースクミを、更にコンパクトにすることが
できる。

【００３１】次に、図５を用いて、本発明の一実施形態
による半導体相対圧センサの構成について説明する。図
５は、本発明の一実施形態による半導体相対圧センサの
構成を示す断面図である。なお、図１と同一符号は、同
一部分を示している。

【００３２】本例の相対圧センサクミ４０は、スタンド
アロン型のものである。外装ケース３２の内部に、相対
圧用ゲージケースクミ１０’を設置し、固定する。外装
ケースは、例えば、ＰＢＴからなる。なお、ゲージケー
スクミ１０’は、図４に示したゲージケースクミ１０’
の上下を逆して、外装ケース３２内に取り付けている。

【００３３】図４に示した相対圧用ゲージケースクミ１
０’の凸型気密封止面１１を、外装ケース３２の凹型溝
に接着剤３３により固定する。リード端子７と、コネク
タ端子３４をアルミワイヤ３５で接続する。リード端子
７やコネクタ端子３４を覆うように、シリコーンゲル３
６を充填する。大気導入孔３７を有したカバー３８が、
外装ケース３２に、接着剤３９により取り付けられる。

【００３４】外装ケース３２の圧力導入管３１から導入
された被測定圧力は、半導体センサのチップ上面に受圧
し、カバー３８の大気導入孔３７からチップ下面に大気
圧を受圧することで、大気圧基準の相対圧が測定でき
る。

【００３５】外装ケース３２とゲージケースクミ１０の
接合部には、接着時に生じる残留歪や、両ケースが異な
る材料で構成された場合に生じる熱歪が生じるが、ゲー
ジケースクミ１０の接着面１１と補強板８の間に配置し
た凹型溝１３，１４と補強板８が上記歪みを吸収してチ
ップクミ５に影響を与えないため、ゲージケースクミ１
０の状態でセンサ特性を調整したのち、センサクミ４０
に組み込んでも、特性変化が生じないものである。

【００３６】本例では、図４に示したゲージケースクミ
１０’を用いているが、図１に示したゲージケースクミ
１０を同様に実装しても同様の効果が得られる。また、
図１に示したゲージケースクミ１０は、上下面に勘合溝
を有しているので、上下反転させてチップ下面に被測定
圧、上面に大気圧を印加できるように配設しても良い構
造となっている。

【００３７】次に、図６及び図７を用いて、本発明の一
実施形態による半導体絶対圧センサの構成について説明
する。図６は、本発明の一実施形態による半導体絶対圧
センサのゲージケースクミ状態の構成を示す断面図であ
る。図７は、本発明の一実施形態による半導体絶対圧セ
ンサの構成を示す断面図である。なお、図１，図５と同
一符号は、同一部分を示している。

【００３８】図６に示すように、本例による絶対圧測定
用のゲージケースクミ１０Ａにおいて、図１に示した例
と相違する点は、ガラス台３Ａに貫通孔４がない点及
び、半導体チップ１のダイヤフラム２の下面とガラス台
３Ａの上面に挟まれた部分に真空室３０を設けた点であ
る。これにより、半導体チップ１の上面から被測定圧力
ＰMを印加することで、絶対圧を基準としたゲージケー
スクミ１０Ａが得られる。

【００３９】次に、図７を用いて、スタンドアロン型絶
対圧センサクミ４１の構成について説明する。図５に示
した構成と同様に、図６に示す絶対圧用ゲージケースク
ミ１０Ａを外装ケース３２に実装する。カバー４２に
は、大気導入孔は設けられておらず、実装ケース３２に
取り付けられる。外装ケース４２の圧力導入管３１を介
して、チップ上面被測定圧力を受圧し、チップ下面に配
設した真空室を基準に絶対圧の測定ができる。

【００４０】以上のように、ガラス台３，３Ａを変える
のみで、絶対圧用と相対圧用圧力センサにおいて、他の
構成部品を共用化することができる。

【００４１】次に、図８を用いて、本発明の一実施形態
による半導体センサの他の構成について説明する。図８
は、本発明の一実施形態による半導体センサの他の構成
を示す斜視図である。なお、図１，図２と同一符号は、
同一部分を示している。

【００４２】図８に示す半導体センサは、オンボード型
大気圧センサ４３である。相対圧用ゲージケースクミ１
０の中央部の平面形状が正方形の部分（剛体部６Ａの外
周部）には、スナップフィット固定用の凹部（スナップ
フィット勘合部）４４が４箇所形成されている（図２に
おける凹部４４参照）。凹部４４は、平面形状が正方形
の剛体部６Ａの４側面の内、リード端子７が配置されて
いる２面とは異なる２面に設けられている。凹部４４に
対して、カバー４７に形成されたスナップフィット用爪
４５を用いて、カバー４７を嵌合させる。カバー４７に
は、大気導入孔４６が設けられている。なお、剛体部６
Ａの平面形状は、正方形に限らず、長方形でもよいもの
である。

【００４３】ゲージケースクミ１０にカバー４７を嵌合
させた後、リード端子７をプリント板に挿入する。リー
ド端子７には、予めはんだがデイップされており、この
はんだを用いて、プリント基板に接合する。

【００４４】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、ゲージケースクミの特性調整時や、外装ケース組み
込み後に生じるケースの歪みを排除できるため、高精度
・高信頼性な圧力センサを提供できる。

【００４５】また、チップを保持するガラス台の高さを
低くできるため、ゲージケースの小型化・低コスト化が
可能となる。

【００４６】さらに、オンボード用、相対圧と絶対圧の
スタンドアロン用のゲージケースクミを共用化できるた
め、ゲージケースクミの製造ラインを共用化でき、混流
ラインを構築することができるため、設備投資が削減で
き、低コスト化が図れる。

【００４７】なお、上述の各例において、基本的考え方
としては請求項に示した内容に包括されており、これら
の構成要素以外で個別の構成要素（例えばゲージケース
と外装ケースとの接続を溶接にするなど）については全
く限定しないものである。

【００４８】

【発明の効果】本発明によれば、ゲージケースクミの状
態でセンサ特性調整を行えるものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態による半導体相対圧センサ
のゲージケースクミ状態の構成を示す断面図である。

【図２】図１の平面図である。

【図３】本発明の一実施形態による半導体相対圧センサ
のゲージケースクミを用いた特性調整装置の構成を示す
要部断面図である。

【図４】本発明の一実施形態による半導体相対圧センサ
のゲージケースクミ状態の他の構成を示す断面図であ
る。

【図５】本発明の一実施形態による半導体相対圧センサ
の構成を示す断面図である。

【図６】本発明の一実施形態による半導体絶対圧センサ
のゲージケースクミ状態の構成を示す断面図である。

【図７】本発明の一実施形態による半導体絶対圧センサ
の構成を示す断面図である。

【図８】本発明の一実施形態による半導体センサの他の
構成を示す斜視図である。

【符号の説明】

１…半導体チップ ２…ダイアフラム ３…ガラス台 ４，９，１５…貫通孔 ６…樹脂ケース ６Ａ…剛体部 ６Ｂ１，６Ｂ２…変形部 ６Ｃ１，６Ｃ２…凸型気密封止面 ７…リード端子 ８…補強板 １０…ゲージケースクミ １３，１４…凹型溝 ２０，２３…Ｏリング ２１，２４…圧力導入孔 ２２…固定冶具 ２５…プローブ ２６…可動冶具 ２７…特性調整冶具 ３０…真空室 ３２…外装ケース ３８，４２…カバー ４３…オンボード型大気圧センサ ４４…スナップフィット固定用凹部 ４５…スナップフィット用爪 ４７…カバー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 人志 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器グループ内 (72)発明者 斉藤 和典 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 芦野 仁泰 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 上柳 勝道 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 Ｆターム(参考） 2F055 BB01 BB03 CC02 DD05 EE14 FF11 FF43 GG25 HH01 4M112 AA01 CA55 DA17 DA18

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】被測定媒体の圧力変化を電気信号に変換す
   る半導体チップと、この半導体チップを収納する樹脂ケ
   ースと、この樹脂ケースからケース外部に引き出される
   とともに樹脂ケースと一体成形されたリード端子と、上
   記半導体チップと上記リード端子を電気的に接続する接
   続部材とを有する半導体圧力センサにおいて、 上記樹脂ケースは、 この樹脂ケースの上下に形成された平面状の封止面と、 この封止面の内側に配置されるとともに、樹脂ケースか
   ら一部が露出するように一体成形された補強材と、 上記封止面と上記補強材の間に設けられた溝部とを備
   え、 上記補強材の上に半導体チップを配設したことを特徴と
   する半導体圧力センサ。
2. 【請求項２】請求項１記載の半導体圧力センサにおい
   て、 上記樹脂ケースの封止面の端面がリング形で、側面が円
   筒形状に形成され、 上記溝部は、上記円筒形状部の内側にリング状に形成さ
   れ、 上記補強材が金属円盤から構成されることを特徴とする
   半導体圧力センサ。
3. 【請求項３】請求項１記載の半導体圧力センサにおい
   て、 上記樹脂ケースの側面の平面部に設けられ、樹脂ケース
   のチップが収納された側の開口部を覆う蓋を固定するた
   めのスナップフィット勘合部を備えたことを特徴とする
   半導体圧力センサ。
4. 【請求項４】圧力変換回路と特性補償回路を有する半導
   体チップと、この半導体チップを収納する樹脂ケース
   と、この樹脂ケースからケース外部に引き出されるとと
   もに樹脂ケースと一体成形されたリード端子と、上記半
   導体チップと上記リード端子を電気的に接続する接続部
   材とを有する半導体圧力センサの特性を調整する半導体
   圧力センサの調整方法において、 上記樹脂ケースは、 この樹脂ケースの上下に形成された平面状の封止面と、 この封止面の内側に配置されるとともに、樹脂ケースか
   ら一部が露出するように一体成形された補強材と、 上記封止面と上記補強材の間に設けられた溝部とを備
   え、 上記封止面の設けられた部分の樹脂ケースを上下から固
   定し、上記半導体チップに圧力を印加して、上記半導体
   チップの特性調整を行うことを特徴とする半導体圧力セ
   ンサの調整方法。
5. 【請求項５】請求項４記載の半導体圧力センサの調整方
   法において、 上記樹脂ケースの上部の封止面をシール材を介して上か
   ら押えて気密封止すると共にチップ上面に所定の圧力を
   印加する可動冶具と、 上記樹脂ケースの下部の封止面で上記押え力を受ける固
   定冶具と、 ケース側方のリード端子に電気信号を与える可動プロー
   ブとを備える調整装置を用いて、上記半導体センサに所
   定の圧力・温度を与え、センサ特性を調整・検査するこ
   とを特徴とする半導体圧力センサの調整方法。
6. 【請求項６】請求項４記載の半導体圧力センサの調整方
   法において、 上記樹脂ケースの上部の封止面をシール材を介して上か
   ら押えて気密封止すると共にチップ上面に所定の圧力を
   印加する可動冶具と、 上記樹脂ケースの下部の封止面をシール材を介して下か
   ら押えて気密封止すると共にチップ下面に所定の圧力を
   印加する固定冶具と、 ケース側方のリード端子に電気信号を与える可動プロー
   ブとを備える調整装置を用いて、上記半導体センサに所
   定の圧力・温度を与え、センサ特性を調整・検査するこ
   とを特徴とする半導体圧力センサの調整方法。