JP2009031005A - 半導体圧力センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】信頼性高く、且つ、安価な半導体圧力センサを提供する。
【解決手段】蓋部材3によって凹部4aを真空気密封止することにより、パッケージ部材2,蓋部材3,及びセンサチップ6の表面(上面)側により囲まれた空間が真空雰囲気(真空室)となっている。この半導体圧力センサ1は、ダイヤフラム部5の表面側と裏面側の圧力差により発生するダイヤフラム部5の歪みを歪みゲージ等を利用して電極8を介して電気信号として検出することにより、貫通孔10を介してダイヤフラム部5の裏面側に供給される大気の圧力と真空室内の圧力の圧力差を絶対圧として検出する。
【選択図】図1
【解決手段】蓋部材3によって凹部4aを真空気密封止することにより、パッケージ部材2,蓋部材3,及びセンサチップ6の表面(上面)側により囲まれた空間が真空雰囲気(真空室)となっている。この半導体圧力センサ1は、ダイヤフラム部5の表面側と裏面側の圧力差により発生するダイヤフラム部5の歪みを歪みゲージ等を利用して電極8を介して電気信号として検出することにより、貫通孔10を介してダイヤフラム部5の裏面側に供給される大気の圧力と真空室内の圧力の圧力差を絶対圧として検出する。
【選択図】図1
Description
本発明は、ダイヤフラム部の一方及び他方の面側をそれぞれ大気雰囲気及び真空雰囲気にすることにより絶対圧を検出する半導体圧力センサに関する。
従来より、ダイヤフラム部を有するセンサチップをガラス基板上に陽極接合し、センサチップとガラス基板により囲まれたダイヤフラム部の裏面側空間に真空室を形成することにより成形されたセンサユニットを備える半導体圧力センサが知られている(特許文献1参照)。このような構成を有する半導体圧力センサによれば、歪みゲージ等を利用してダイヤフラム部に発生する歪みを電気信号として検出することにより、ダイヤフラム部の表面側(大気側)の圧力と裏面側(真空室側)の圧力の圧力差を絶対圧として検出することができる。
特開平7−294351号公報
従来の半導体圧力センサでは、センサチップとガラス基板を真空雰囲気中で陽極接合することにより真空室を形成していた。但し、陽極接合は高温中での実施となるため、接合後、常温に戻った時に、センサチップとガラス基板との間に歪みが生じることによって絶対圧の検出精度が低下する可能性があり、信頼性の面で問題があった。またガラス基板を利用して真空室を形成するために、半導体圧力センサを安価に構成することが困難であった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、信頼性高く、且つ、安価な半導体圧力センサを提供することにある。
本発明に係る半導体圧力センサは、上面に凹部を有するパッケージ部材と、接着剤により凹部底面に全周部が接合され、中央部にダイヤフラム部を有するセンサ本体と、パッケージ部材の凹部周縁部に接合され、凹部内を真空気密封止する蓋部材と、センサ本体の全周部が接合されている凹部底面の内側領域に形成された貫通孔とを備える。
本発明に係る半導体圧力センサによれば、陽極接合及びガラス基板を用いることなく真空室を形成できるので、信頼性高く、且つ、安価な半導体圧力センサを提供することが可能となる。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態となる半導体圧力センサの構成について説明する。
〔半導体圧力センサの構成〕
本発明の実施形態となる半導体圧力センサ1は、図1(a),(b)に示すように樹脂製のパッケージ部材2とパッケージ部材2の上面に接合された金属製の蓋部材3とを備える。パッケージ部材2の上面には、図1(b)に示すように矩形形状の凹部4aが形成され、凹部4aの底面にはさらに矩形形状の凹部4bが形成されている。凹部4bの底面には、図1(b)及び図2に示すように中央にダイヤフラム部5を有するセンサチップ6の全周部がダイボンド7により接合されている。凹部4aの底面には、図2に示すように複数の電極8が形成され、電極8はワイヤ配線9を介してセンサチップ6の出力端子に接続されている。ダイボンド7が接合されている凹部4b底面の内側領域には、図1(b)及び図2に示すように貫通孔10が形成されている。
本発明の実施形態となる半導体圧力センサ1は、図1(a),(b)に示すように樹脂製のパッケージ部材2とパッケージ部材2の上面に接合された金属製の蓋部材3とを備える。パッケージ部材2の上面には、図1(b)に示すように矩形形状の凹部4aが形成され、凹部4aの底面にはさらに矩形形状の凹部4bが形成されている。凹部4bの底面には、図1(b)及び図2に示すように中央にダイヤフラム部5を有するセンサチップ6の全周部がダイボンド7により接合されている。凹部4aの底面には、図2に示すように複数の電極8が形成され、電極8はワイヤ配線9を介してセンサチップ6の出力端子に接続されている。ダイボンド7が接合されている凹部4b底面の内側領域には、図1(b)及び図2に示すように貫通孔10が形成されている。
この半導体圧力センサ1では、蓋部材3によって凹部4aを真空気密封止することにより、パッケージ部材2,蓋部材3,及びセンサチップ6の表面(上面)側により囲まれた空間が真空雰囲気(真空室)となっている。この半導体圧力センサ1は、ダイヤフラム部5の表面側と裏面側の圧力差により発生するダイヤフラム部5の歪みを歪みゲージ等を利用して電極8を介して電気信号として検出することにより、貫通孔10を介してダイヤフラム部5の裏面側に供給される大気の圧力と真空室内の圧力の圧力差を絶対圧として検出する。
このような半導体圧力センサ1の構成によれば、陽極接合技術及びガラス基板を用いることなく、信頼性の高いパッケージ封止技術を利用して真空室を形成することができるので、信頼性高く、且つ、安価に半導体圧力センサを構成することができる。またこの半導体圧力センサ1では、貫通孔10はパッケージ部材2の裏面側に形成されているので、貫通孔10からゴミが侵入してダイヤフラム部5に付着することにより、絶対圧の検出精度が低下することを抑制できる。
蓋部材3によって凹部4aを真空気密封止する方法としては、パッケージ部材2の凹部4a周縁部と蓋部材3とを真空雰囲気中でシーム溶接又ははんだ接合する方法を例示することができる。また図4(a)に示すように蓋部材3に少なくとも一つの微小孔11を形成し、図4(b)に示すように蓋部材3をパッケージ部材2の上面に載置して大気雰囲気中でパッケージ部材2の上面と蓋部材を接合し、(3)図3及び図4(c)に示すように真空雰囲気中で微小孔11をはんだ等で熱溶着することにより凹部4aを真空気密封止してもよい。図4(a)〜(c)に示す方法によれば、真空雰囲気中で行う作業は微小孔11の熱溶着のみとなるので、真空雰囲気中でシーム溶接又ははんだ接合する方法と比較して凹部4aを簡単に真空気密封止することができる。
上記実施形態では、パッケージ部材2を樹脂材料により形成したが、図5に示すように積層された複数のセラミックス層12a〜12fによりパッケージ部材2を形成してもよい。このような構成によれば、図6に示すように各セラミックス層12a〜12fにコンタクト13a〜13eを形成し、コンタクト13a〜13e間を電気配線14により電気的に接続することにより、パッケージ部材2の高さ寸法を変化させることなく、ワイヤ配線9を介して電極8に出力されたセンサチップ6からの出力信号を任意の位置から取り出すことができる。上記実施形態では、ワイヤ配線9とセンサチップ6及び電極8との連結部位やダイヤフラム部5上面は真空室内に露出していたが、図7及び図8に示すように連結部位やダイヤフラム部5上面にジャンクション・コート・レジン15を塗布するようにしてもよい。このような構成によれば、連結部位やダイヤフラム部5の信頼性を長期間保証することができる。
以上、本発明者らによってなされた発明を適用した実施の形態について説明したが、この実施の形態による本発明の開示の一部をなす論述及び図面により本発明は限定されることはない。すなわち、上記実施の形態に基づいて当業者等によりなされる他の実施の形態、実施例及び運用技術等は全て本発明の範疇に含まれることは勿論であることを付け加えておく。
1:半導体圧力センサ
2:パッケージ部材
3:蓋部材
4a,4b:凹部
5:ダイヤフラム部
6:センサチップ
7:ダイボンド
8:電極
9:ワイヤ配線
10:貫通孔
2:パッケージ部材
3:蓋部材
4a,4b:凹部
5:ダイヤフラム部
6:センサチップ
7:ダイボンド
8:電極
9:ワイヤ配線
10:貫通孔
Claims (6)
- 上面に凹部を有するパッケージ部材と、
凹部底面に全周部が接合され、中央部にダイヤフラム部を有するセンサ本体と、
前記パッケージ部材の凹部周縁部に接合され、前記凹部内を真空気密封止する蓋部材と、
前記センサ本体の全周部が接合されている凹部底面の内側領域に形成された貫通孔と
を備えることを特徴とする半導体圧力センサ。 - 請求項1に記載の半導体圧力センサにおいて、前記蓋部材は、真空雰囲気中でシーム溶接することにより前記パッケージ部材の凹部周縁部に接合されていることを特徴とする半導体圧力センサ。
- 請求項1に記載の半導体圧力センサにおいて、前記蓋部材は、真空雰囲気中ではんだ接合することにより前記パッケージ部材の凹部周縁部に接合されていることを特徴とする半導体圧力センサ。
- 請求項1に記載の半導体圧力センサにおいて、前記蓋部材は、蓋部材に少なくとも一つの微小孔を形成し、当該蓋部材をパッケージ部材の上面に載置し、大気雰囲気中でパッケージ部材の凹部周縁部と蓋部材を接合し、真空雰囲気中で前記微小孔を封止することにより、前記パッケージ部材の凹部周縁部に接合されていることを特徴とする半導体圧力センサ。
- 請求項1乃至請求項4のうち、いずれか1項に記載の半導体圧力センサにおいて、前記パッケージ部材は多層積層されたセラミックス材により形成されていることを特徴とする半導体圧力センサ。
- 請求項1乃至請求項5のうち、いずれか1項に記載の半導体圧力センサにおいて、少なくとも前記センサ本体及びパッケージ部材に形成された電極とワイヤ配線との連結部位、及び前記ダイヤフラム部の上面に塗布されたジャンクション・コート・レジン層を有することを特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007192380A JP2009031005A (ja) | 2007-07-24 | 2007-07-24 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007192380A JP2009031005A (ja) | 2007-07-24 | 2007-07-24 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2009031005A true JP2009031005A (ja) | 2009-02-12 |
Family
ID=40401684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2007192380A Pending JP2009031005A (ja) | 2007-07-24 | 2007-07-24 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2009031005A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016511401A (ja) * | 2013-02-21 | 2016-04-14 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag | センサシステム |
JP2016109606A (ja) * | 2014-12-09 | 2016-06-20 | アルプス電気株式会社 | センサパッケージ |
US9909946B2 (en) | 2013-02-21 | 2018-03-06 | Epcos Ag | Pressure sensor system |
-
2007
- 2007-07-24 JP JP2007192380A patent/JP2009031005A/ja active Pending
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