JP5168819B2 - 半導体パッケージおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
また、本発明の半導体パッケージは、機能性素子を表面に形成した素子基板と、機能性素子を囲うように素子基板に接合した額縁形状のリム基板と、リム基板の開口部を塞ぐようにリム基板に接合した蓋基板とを備え、素子基板は、機能性素子の外周部に機能性素子の信号を出力する引出電極を備え、リム基板は、リム基板を貫通する第1の貫通孔と、素子基板との接合面に引出電極に沿って形成され、第1の貫通孔をリム基板の内面に連通する溝とを有し、第1の貫通孔および溝に導体材料を充填して形成し、引出電極の信号引出口を封止し、信号引出口と取出電極とを電気的に接続する接続電極とを備え、蓋基板は、蓋基板を貫通する第2の貫通孔と、第2の貫通孔に導体材料を充填して形成し、機能性素子の信号を外部に取り出す取出電極とを備えることを特徴とする。
本発明の半導体パッケージの製造方法は、機能性素子と機能性素子の外周部に機能性素子の信号を出力する引出電極とを表面に形成した素子基板と、機能性素子を囲うように素子基板に接合した額縁形状のリム基板と、リム基板の開口部を塞ぐようにリム基板に接合した蓋基板とを備えた半導体パッケージの製造方法において、リム基板を貫通する第1の貫通孔を形成し、第1の貫通孔を形成したリム基板を素子基板に接合し、リム基板を素子基板に接合した後、第1の貫通孔に導体材料を充填して引出電極に接続された接続電極を形成し、第1の貫通孔に導体材料を充填した後、蓋基板を貫通する第2の貫通孔を形成し、第2の貫通孔を形成した蓋基板をリム基板に接合し、第2の貫通孔に導体材料を充填して接続電極に接続された取出電極を形成することを特徴とする。
さらに、本発明の半導体パッケージは、機能性素子と機能性素子の外周部に機能性素子の信号を出力する引出電極とを表面に形成した素子基板と、機能性素子を囲うように素子基板に接合した額縁形状のリム基板と、リム基板の開口部を塞ぐようにリム基板に接合した蓋基板とを備えた半導体パッケージの製造方法において、リム基板に、リム基板を貫通する第1の貫通孔を形成すると共に、リム基板の素子基板に対する接合面に引出電極に沿って、第1の貫通孔をリム基板の内面に連通する溝を形成し、第1の貫通孔および溝に導体材料を充填して引出電極に接続された接続電極を形成し、蓋基板を貫通する第2の貫通孔を形成し、第2の貫通孔に導体材料を充填して接続電極に接続された取出電極を形成することを特徴とする。
(1)貫通孔11を形成したリム基板4と、貫通孔11に導体材料を充填して形成した接続電極12とによって、赤外線検出素子5を形成した素子基板2と蓋基板3との間に空間8を形成して赤外線検出素子5をその空間8に封止した。したがって、赤外線検出素子5を封止するための領域とは別に、赤外線検出素子5の信号を外部へ取り出すための電極を設けるための領域を素子基板2上に設ける必要がないので、赤外線センサ1を小型化することができる。
(1)素子基板2に形成された機能性素子は赤外線検出素子4であったが、基板上に形成される機能性素子であれば実施形態に限定されない。たとえば、圧力センサ素子や加速度検出素子、ジャイロ素子、CCD(Charge Coupled Device )でもよい。この場合、蓋基板は赤外線を透過する必要がないので、蓋基板を、赤外線の透過性を有しないものとしてもよい。
3 蓋基板 4 リム基板
5 赤外線検出素子 6 引出電極
6a PAD開口部 7 絶縁層
9,11 貫通孔 10 取出電極
12 接続電極 90,90A 赤外線センサ集合体
100 半導体パッケージ 101 機能性素子
102 ゲッタ
Claims (8)
- 機能性素子を表面に形成した素子基板と、
前記機能性素子を囲うように前記素子基板に接合した額縁形状のリム基板と、
前記リム基板の開口部を塞ぐように前記リム基板に接合した蓋基板とを備え、
前記素子基板は、前記機能性素子の外周部に前記機能性素子の信号を出力する引出電極を備え、
前記リム基板は、前記リム基板を貫通する第1の貫通孔と、前記第1の貫通孔に導体材料を充填して形成し、前記引出電極の信号引出口を封止し、前記信号引出口と取出電極とを電気的に接続する接続電極とを備え、
前記蓋基板は、前記蓋基板を貫通する第2の貫通孔と、前記第2の貫通孔に導体材料を充填して形成し、前記機能性素子の信号を外部に取り出す前記取出電極とを備え、
前記第1の貫通孔の前記素子基板側の断面積は、前記第1の貫通孔の前記蓋基板側の断面積より大きいことを特徴とする半導体パッケージ。 - 機能性素子を表面に形成した素子基板と、
前記機能性素子を囲うように前記素子基板に接合した額縁形状のリム基板と、
前記リム基板の開口部を塞ぐように前記リム基板に接合した蓋基板とを備え、
前記素子基板は、前記機能性素子の外周部に前記機能性素子の信号を出力する引出電極を備え、
前記リム基板は、前記リム基板を貫通する第1の貫通孔と、前記素子基板との接合面に前記引出電極に沿って形成され、前記第1の貫通孔を前記リム基板の内面に連通する溝とを有し、前記第1の貫通孔および前記溝に導体材料を充填して形成し、前記引出電極の信号引出口を封止し、前記信号引出口と取出電極とを電気的に接続する接続電極とを備え、
前記蓋基板は、前記蓋基板を貫通する第2の貫通孔と、前記第2の貫通孔に導体材料を充填して形成し、前記機能性素子の信号を外部に取り出す前記取出電極とを備えることを特徴とする半導体パッケージ - 請求項2に記載の半導体パッケージにおいて、
前記溝は、前記リム基板の内面の近傍で深さが浅くなっていることを特徴とする半導体パッケージ。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体パッケージにおいて、
前記第2の貫通孔に充填する導体材料の融点は、前記第1の貫通孔に充填する導体材料の融点より低いことを特徴とする半導体パッケージ。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体パッケージにおいて、
前記第2の貫通孔の断面積は、前記第1の貫通孔の前記蓋基板側の断面積より大きいことを特徴とする半導体パッケージ。 - 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体パッケージにおいて、
前記機能性素子は赤外線検出素子であることを特徴とする半導体パッケージ。 - 機能性素子と前記機能性素子の外周部に前記機能性素子の信号を出力する引出電極とを表面に形成した素子基板と、
前記機能性素子を囲うように前記素子基板に接合した額縁形状のリム基板と、
前記リム基板の開口部を塞ぐように前記リム基板に接合した蓋基板とを備えた半導体パッケージの製造方法において、
前記リム基板を貫通する第1の貫通孔を形成し、
前記第1の貫通孔を形成したリム基板を前記素子基板に接合し、
前記リム基板を前記素子基板に接合した後、前記第1の貫通孔に導体材料を充填して前記引出電極に接続された接続電極を形成し、
前記第1の貫通孔に導体材料を充填した後、前記蓋基板を貫通する第2の貫通孔を形成し、
前記第2の貫通孔を形成した蓋基板を前記リム基板に接合し、
前記第2の貫通孔に導体材料を充填して前記接続電極に接続された取出電極を形成することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。 - 機能性素子と前記機能性素子の外周部に前記機能性素子の信号を出力する引出電極とを表面に形成した素子基板と、
前記機能性素子を囲うように前記素子基板に接合した額縁形状のリム基板と、
前記リム基板の開口部を塞ぐように前記リム基板に接合した蓋基板とを備えた半導体パッケージの製造方法において、
前記リム基板に、前記リム基板を貫通する第1の貫通孔を形成すると共に、前記リム基板の前記素子基板に対する接合面に前記引出電極に沿って、前記第1の貫通孔を前記リム基板の内面に連通する溝を形成し、
前記第1の貫通孔および前記溝に導体材料を充填して前記引出電極に接続された接続電極を形成し、
前記蓋基板を貫通する第2の貫通孔を形成し、
前記第2の貫通孔に導体材料を充填して前記接続電極に接続された取出電極を形成することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
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