JP2001011613A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2001011613A5
JP2001011613A5 JP1999183596A JP18359699A JP2001011613A5 JP 2001011613 A5 JP2001011613 A5 JP 2001011613A5 JP 1999183596 A JP1999183596 A JP 1999183596A JP 18359699 A JP18359699 A JP 18359699A JP 2001011613 A5 JP2001011613 A5 JP 2001011613A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
powder
hours
oxide
sintered
mixed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1999183596A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2001011613A (ja
JP4577924B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP18359699A priority Critical patent/JP4577924B2/ja
Priority claimed from JP18359699A external-priority patent/JP4577924B2/ja
Publication of JP2001011613A publication Critical patent/JP2001011613A/ja
Publication of JP2001011613A5 publication Critical patent/JP2001011613A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4577924B2 publication Critical patent/JP4577924B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP18359699A 1999-06-29 1999-06-29 酸化亜鉛を含有するスパッタリングターゲットの製造方法 Expired - Fee Related JP4577924B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18359699A JP4577924B2 (ja) 1999-06-29 1999-06-29 酸化亜鉛を含有するスパッタリングターゲットの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18359699A JP4577924B2 (ja) 1999-06-29 1999-06-29 酸化亜鉛を含有するスパッタリングターゲットの製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2001011613A JP2001011613A (ja) 2001-01-16
JP2001011613A5 true JP2001011613A5 (https=) 2006-07-20
JP4577924B2 JP4577924B2 (ja) 2010-11-10

Family

ID=16138593

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18359699A Expired - Fee Related JP4577924B2 (ja) 1999-06-29 1999-06-29 酸化亜鉛を含有するスパッタリングターゲットの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4577924B2 (https=)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG169230A1 (en) * 2002-08-02 2011-03-30 Idemitsu Kousan Co Ltd Sputtering target, sintered body, conductive film formed by using them, organic el device, and substrate used for the organic el device
DE10306925A1 (de) * 2003-02-19 2004-09-02 GfE Gesellschaft für Elektrometallurgie mbH PVD-Beschichtungsmaterial
US8038857B2 (en) * 2004-03-09 2011-10-18 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Thin film transistor, thin film transistor substrate, processes for producing the same, liquid crystal display using the same, and related devices and processes; and sputtering target, transparent electroconductive film formed by use of this, transparent electrode, and related devices and processes
JP4428698B2 (ja) 2004-03-31 2010-03-10 出光興産株式会社 酸化インジウム−酸化セリウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜及び透明導電膜の製造方法
JP4504271B2 (ja) * 2005-06-30 2010-07-14 出光興産株式会社 酸化インジウム−酸化亜鉛系焼結体ターゲットの製造方法
JP5018553B2 (ja) * 2007-03-09 2012-09-05 三菱マテリアル株式会社 ＺｎＯ蒸着材及びその製造方法並びにそれにより形成されたＺｎＯ膜
JP5082927B2 (ja) * 2007-03-09 2012-11-28 三菱マテリアル株式会社 ＺｎＯ蒸着材の製造方法
JP5169313B2 (ja) * 2007-03-09 2013-03-27 三菱マテリアル株式会社 ＺｎＯ蒸着材の製造方法
JP5018552B2 (ja) * 2007-03-09 2012-09-05 三菱マテリアル株式会社 ＺｎＯ蒸着材及びその製造方法並びにそれにより形成されたＺｎＯ膜
JP5516838B2 (ja) * 2007-09-27 2014-06-11 三菱マテリアル株式会社 ＺｎＯ蒸着材の製造方法
JP5418748B2 (ja) * 2007-09-27 2014-02-19 三菱マテリアル株式会社 ＺｎＯ蒸着材とその製造方法、およびそのＺｎＯ膜形成方法
KR101208380B1 (ko) 2007-09-27 2012-12-05 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 ＺｎＯ 증착재와 그 제조 방법, 및 ＺｎＯ 막
JP5418749B2 (ja) * 2007-09-27 2014-02-19 三菱マテリアル株式会社 ＺｎＯ蒸着材とその製造方法、およびそのＺｎＯ膜形成方法
JP5418747B2 (ja) * 2007-09-27 2014-02-19 三菱マテリアル株式会社 ＺｎＯ蒸着材とその製造方法、およびそのＺｎＯ膜形成方法
JP5418750B2 (ja) * 2007-09-27 2014-02-19 三菱マテリアル株式会社 ＺｎＯ蒸着材とその製造方法、およびそのＺｎＯ膜形成方法
JP2009102698A (ja) * 2007-10-24 2009-05-14 Mitsubishi Materials Corp 透明導電膜形成用スパッタリングターゲットおよびこのターゲットを用いて形成された透明導電膜
JP5299662B2 (ja) * 2007-10-26 2013-09-25 三菱マテリアル株式会社 透明導電膜およびこの透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲット
JP5376117B2 (ja) * 2007-10-30 2013-12-25 三菱マテリアル株式会社 ＺｎＯスパッタリングターゲットとその製造方法
JP5376116B2 (ja) * 2007-10-30 2013-12-25 三菱マテリアル株式会社 ＺｎＯ蒸着材とその製造方法
JP5292130B2 (ja) * 2009-02-27 2013-09-18 太平洋セメント株式会社 スパッタリングターゲット
JP2013047361A (ja) * 2011-08-29 2013-03-07 Mitsubishi Materials Corp スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シート
JP5760857B2 (ja) * 2011-08-29 2015-08-12 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シート
JP5741325B2 (ja) * 2011-08-29 2015-07-01 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シート
JP6343695B2 (ja) * 2017-03-01 2018-06-13 Ｊｘ金属株式会社 酸化インジウム−酸化亜鉛系（ｉｚｏ）スパッタリングターゲット及びその製造方法
CN113292315A (zh) * 2021-05-12 2021-08-24 先导薄膜材料（广东）有限公司 一种稀土掺杂氧化铟锌粉体及其制备方法、应用
CN116288181B (zh) * 2022-09-09 2024-12-13 长沙壹纳光电材料有限公司 一种镧系金属掺杂izo靶材及其制备方法与应用
CN115925410B (zh) * 2023-01-31 2023-07-18 郑州大学 镨掺杂氧化铟锌溅射靶材及其制备方法
CN117088679A (zh) * 2023-08-09 2023-11-21 芜湖映日科技股份有限公司 一种高密度低迁移率的氧化铟锌稀土掺杂靶材的制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08264021A (ja) * 1995-03-26 1996-10-11 Gunze Ltd 透明導電膜
JPH1088332A (ja) * 1996-09-11 1998-04-07 Asahi Glass Co Ltd スパッタリングターゲットおよび透明導電膜とその製造方法
JPH10106810A (ja) * 1996-09-30 1998-04-24 Hitachi Ltd ＺｎＯセラミックス抵抗体及びその製造方法
JPH11232698A (ja) * 1998-02-17 1999-08-27 Mitsubishi Chemical Corp 光学的情報記録用媒体及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001011613A5 (https=)
JP4577924B2 (ja) 酸化亜鉛を含有するスパッタリングターゲットの製造方法
JP2009013063A (ja) 高強度の磁器およびそのための方法
JPS61191562A (ja) アルミナ系耐摩耗性材料
JP2933616B2 (ja) アルミナ基焼結体及びその製造方法
JP2977214B2 (ja) チタン酸バリウム系セラミック原料の混合・粉砕方法
US7294598B2 (en) Dielectric oxide materials
CN116161972A (zh) 一种氧化铝陶瓷烧结助剂的制备方法
JP2786719B2 (ja) 希土類酸化物燒結体の製造方法
CN101423386A (zh) Ni掺杂(Ba，Sr)TiO3基陶瓷介质材料及其制备方法
JPH0826833A (ja) セラミック原料粉体の製造方法
CN1331803C (zh) (Ba1－x－ySrxYy)TiO3基电介质陶瓷材料及其制备方法
JP2679449B2 (ja) 正の抵抗温度係数を有する半導体磁器及びその製造方法
JPH03126664A (ja) ペロブスカイト型酸化物磁器およびその製造方法
JP2959402B2 (ja) 高強度陶磁器
JPH0234516A (ja) Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系超電導セラミックスの製造法
JP3447971B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP3322739B2 (ja) マイクロ波誘電体磁器組成物及びその製造方法
JP3243873B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JPS6392069A (ja) 圧電セラミツク薄板焼結体の製造方法
JPH0238368A (ja) 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JPH0784349B2 (ja) ネオジウムを含む誘電体セラミックスの製造方法
JPS6141859B2 (https=)
JPH0238540B2 (https=)
JPH04275967A (ja) 押出成形用坏土の調製方法