JP2001011613A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60329638D1 (de) 2002-08-02 2009-11-19 Idemitsu Kosan Co Sputtertarget, Sinterkörper, unter deren Verwendung gebildeter leitfähiger Film, organische EL-Vorrichtung und für diesen verwendetes Substrat
DE10306925A1 (de) * 2003-02-19 2004-09-02 GfE Gesellschaft für Elektrometallurgie mbH PVD-Beschichtungsmaterial
KR101101456B1 (ko) * 2004-03-09 2012-01-03 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 기판, 이들의 제조방법, 이들을 사용한 액정 표시 장치, 관련된 장치 및방법, 및 스퍼터링 타깃, 이것을 사용하여 성막한 투명도전막, 투명 전극, 및 관련된 장치 및 방법
JP4428698B2 (ja) 2004-03-31 2010-03-10 出光興産株式会社 酸化インジウム−酸化セリウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜及び透明導電膜の製造方法
JP4504271B2 (ja) * 2005-06-30 2010-07-14 出光興産株式会社 酸化インジウム−酸化亜鉛系焼結体ターゲットの製造方法
JP5018553B2 (ja) * 2007-03-09 2012-09-05 三菱マテリアル株式会社 ZnO蒸着材及びその製造方法並びにそれにより形成されたZnO膜
JP5082927B2 (ja) * 2007-03-09 2012-11-28 三菱マテリアル株式会社 ZnO蒸着材の製造方法
JP5169313B2 (ja) * 2007-03-09 2013-03-27 三菱マテリアル株式会社 ZnO蒸着材の製造方法
JP5018552B2 (ja) * 2007-03-09 2012-09-05 三菱マテリアル株式会社 ZnO蒸着材及びその製造方法並びにそれにより形成されたZnO膜
JP5418747B2 (ja) * 2007-09-27 2014-02-19 三菱マテリアル株式会社 ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜形成方法
JP5418750B2 (ja) * 2007-09-27 2014-02-19 三菱マテリアル株式会社 ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜形成方法
US8231812B2 (en) 2007-09-27 2012-07-31 Mitsubishi Materials Corporation ZnO vapor deposition material, process for producing the same, and ZnO film
JP5418749B2 (ja) * 2007-09-27 2014-02-19 三菱マテリアル株式会社 ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜形成方法
JP5418748B2 (ja) * 2007-09-27 2014-02-19 三菱マテリアル株式会社 ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜形成方法
JP5516838B2 (ja) * 2007-09-27 2014-06-11 三菱マテリアル株式会社 ZnO蒸着材の製造方法
JP2009102698A (ja) * 2007-10-24 2009-05-14 Mitsubishi Materials Corp 透明導電膜形成用スパッタリングターゲットおよびこのターゲットを用いて形成された透明導電膜
JP5299662B2 (ja) * 2007-10-26 2013-09-25 三菱マテリアル株式会社 透明導電膜およびこの透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲット
JP5376117B2 (ja) * 2007-10-30 2013-12-25 三菱マテリアル株式会社 ZnOスパッタリングターゲットとその製造方法
JP5376116B2 (ja) * 2007-10-30 2013-12-25 三菱マテリアル株式会社 ZnO蒸着材とその製造方法
JP5292130B2 (ja) * 2009-02-27 2013-09-18 太平洋セメント株式会社 スパッタリングターゲット
JP5760857B2 (ja) * 2011-08-29 2015-08-12 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シート
JP5741325B2 (ja) * 2011-08-29 2015-07-01 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シート
JP2013047361A (ja) * 2011-08-29 2013-03-07 Mitsubishi Materials Corp スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シート
JP6343695B2 (ja) * 2017-03-01 2018-06-13 Jx金属株式会社 酸化インジウム−酸化亜鉛系(izo)スパッタリングターゲット及びその製造方法
CN113292315A (zh) * 2021-05-12 2021-08-24 先导薄膜材料(广东)有限公司 一种稀土掺杂氧化铟锌粉体及其制备方法、应用
CN116288181B (zh) * 2022-09-09 2024-12-13 长沙壹纳光电材料有限公司 一种镧系金属掺杂izo靶材及其制备方法与应用
CN115925410B (zh) * 2023-01-31 2023-07-18 郑州大学 镨掺杂氧化铟锌溅射靶材及其制备方法
CN117088679A (zh) * 2023-08-09 2023-11-21 芜湖映日科技股份有限公司 一种高密度低迁移率的氧化铟锌稀土掺杂靶材的制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08264021A (ja) * 1995-03-26 1996-10-11 Gunze Ltd 透明導電膜
JPH1088332A (ja) * 1996-09-11 1998-04-07 Asahi Glass Co Ltd スパッタリングターゲットおよび透明導電膜とその製造方法
JPH10106810A (ja) * 1996-09-30 1998-04-24 Hitachi Ltd ZnOセラミックス抵抗体及びその製造方法
JPH11232698A (ja) * 1998-02-17 1999-08-27 Mitsubishi Chemical Corp 光学的情報記録用媒体及びその製造方法

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