JP2001010872A - セラミック接合体とその製造方法 - Google Patents
セラミック接合体とその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 板に対して接合される管又は棒の位置精度や
垂直度が高いと共に、接合部の耐食性、耐熱性に優れる
セラミック接合体を提供する。 【解決手段】 片面に周面を外方へ拡開したテーパー面
３とする凹部４が形成され、粒界成分が酸化イットリウ
ムアルミニウム相のＡｌＮ焼結体からなる板１と、その
凹部のテーパー面と係合可能なテーパー面５が一端部の
外周に形成され、上記板と同様のＡｌＮ焼結体からなる
管２又棒とが、両テーパー面間にＡｌＮと酸化イットリ
ウムアルミニウムを主成分とする接合剤層を介在して接
合されている。
垂直度が高いと共に、接合部の耐食性、耐熱性に優れる
セラミック接合体を提供する。 【解決手段】 片面に周面を外方へ拡開したテーパー面
３とする凹部４が形成され、粒界成分が酸化イットリウ
ムアルミニウム相のＡｌＮ焼結体からなる板１と、その
凹部のテーパー面と係合可能なテーパー面５が一端部の
外周に形成され、上記板と同様のＡｌＮ焼結体からなる
管２又棒とが、両テーパー面間にＡｌＮと酸化イットリ
ウムアルミニウムを主成分とする接合剤層を介在して接
合されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック接合体
とその製造方法に関し、特に、粒界成分が酸化イットリ
ウムアルミニウム相のＡｌＮ（窒化アルミニウム）焼結
体からなる板と管又は棒とを板の片面に管又は棒を垂直
に接合したセラミック接合体とその製造方法に関する。
とその製造方法に関し、特に、粒界成分が酸化イットリ
ウムアルミニウム相のＡｌＮ（窒化アルミニウム）焼結
体からなる板と管又は棒とを板の片面に管又は棒を垂直
に接合したセラミック接合体とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のセラミック接合体として
は、複数の穿設孔を有するセラミック板状体とを該穿設
孔に装入したセラミック管状体とからなり、該板状体の
穿設孔がテーパー状であり、かつ該管状体の穿設孔装入
部が該穿設孔に対応したテーパー状に形成されているも
のが知られている（特許第２７７１３０６号公報参
照）。上記セラミック接合体は、板状体の穿設孔と管状
体の穿設孔装入部とを両者のテーパー面間にガラス接着
材、例えばＰb Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 （一酸化鉛−三酸化二ホウ
素）ガラスを介在して係合し、接着固定して製造されて
いる。
は、複数の穿設孔を有するセラミック板状体とを該穿設
孔に装入したセラミック管状体とからなり、該板状体の
穿設孔がテーパー状であり、かつ該管状体の穿設孔装入
部が該穿設孔に対応したテーパー状に形成されているも
のが知られている（特許第２７７１３０６号公報参
照）。上記セラミック接合体は、板状体の穿設孔と管状
体の穿設孔装入部とを両者のテーパー面間にガラス接着
材、例えばＰb Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 （一酸化鉛−三酸化二ホウ
素）ガラスを介在して係合し、接着固定して製造されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のセラミ
ック接合体とその製造方法では、板と管とをテーパー状
の穿設孔と穿設孔装入部で係合して接着固定しているの
で、板に対する管の位置精度や垂直度を高めることがで
きるものの、板と管とをガラス接着材による接着固定に
よって接合しているので、セラミック接合体を半導体製
造プロセスにおいて使用する場合、接合剤としてのガラ
ス接着材がクリーニングガスであるフッ素プラズマによ
って腐食されたり、あるいは雰囲気温度（６００〜１５
００℃）によって融解したりする不具合がある。そこ
で、本発明は、板に対して垂直に接合される管又は棒の
位置精度や垂直度が高いと共に、接合部の耐食性、耐熱
性に優れるセラミック接合体とその製造方法を提供する
ことを目的とする。
ック接合体とその製造方法では、板と管とをテーパー状
の穿設孔と穿設孔装入部で係合して接着固定しているの
で、板に対する管の位置精度や垂直度を高めることがで
きるものの、板と管とをガラス接着材による接着固定に
よって接合しているので、セラミック接合体を半導体製
造プロセスにおいて使用する場合、接合剤としてのガラ
ス接着材がクリーニングガスであるフッ素プラズマによ
って腐食されたり、あるいは雰囲気温度（６００〜１５
００℃）によって融解したりする不具合がある。そこ
で、本発明は、板に対して垂直に接合される管又は棒の
位置精度や垂直度が高いと共に、接合部の耐食性、耐熱
性に優れるセラミック接合体とその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の第１のセラミック接合体は、片面に周面を
外方へ拡開したテーパー面とする凹部が形成され、粒界
成分が酸化イットリウムアルミニウム相のＡｌＮ焼結体
からなる板と、その凹部のテーパー面と係合可能なテー
パー面が一端部の外周に形成され、上記板と同様のＡｌ
Ｎ焼結体からなる管又は棒とが、両テーパー面間にＡｌ
Ｎと酸化イットリウムアルミニウムを主成分とする接合
剤層を介在して接合されていることを特徴とする。第２
のセラミック接合体は、第１のものにおいて、前記板に
電極が埋設されていることを特徴とする。又、第３のセ
ラミック接合体は、第１又は第２のものにおいて、前記
板に発熱回路が埋設されていることを特徴とする。
め、本発明の第１のセラミック接合体は、片面に周面を
外方へ拡開したテーパー面とする凹部が形成され、粒界
成分が酸化イットリウムアルミニウム相のＡｌＮ焼結体
からなる板と、その凹部のテーパー面と係合可能なテー
パー面が一端部の外周に形成され、上記板と同様のＡｌ
Ｎ焼結体からなる管又は棒とが、両テーパー面間にＡｌ
Ｎと酸化イットリウムアルミニウムを主成分とする接合
剤層を介在して接合されていることを特徴とする。第２
のセラミック接合体は、第１のものにおいて、前記板に
電極が埋設されていることを特徴とする。又、第３のセ
ラミック接合体は、第１又は第２のものにおいて、前記
板に発熱回路が埋設されていることを特徴とする。
【０００５】一方、第１のセラミック接合体の製造方法
は、粒界成分が酸化イットリウムアルミニウム相のＡｌ
Ｎ焼結体からなる板の片面に周面を外方へ拡開したテー
パー面とする凹部を形成する一方、上記板と同様のＡｌ
Ｎ焼結体からなる管又は棒の一端部の外周に上記凹部の
テーパー面と係合可能なテーパー面を形成し、凹部と一
端部とを両者のテーパー面間にＡｌＮ粉末及びＹ（イッ
トリウム）化合物粉末からなる接合剤を介在させて係合
し、１８００℃を超え１９００℃以下の温度で熱処理す
ることを特徴とする。第２のセラミック接合体の製造方
法は、粒界成分が酸化イットリウムアルミニウム相のＡ
ｌＮ焼結体からなる板の片面に周面を外方へ拡開したテ
ーパー面とする凹部を形成する一方、上記板と同様のＡ
ｌＮ焼結体からなる管又は棒の一端部の外周に上記凹部
のテーパー面と係合可能なテーパー面を形成し、凹部と
一端部とを両者のテーパー面間にＡｌＮ粉末、Ｙ化合物
粉末及びＬｉ（リチウム）化合物粉末からなる接合剤を
介在させて接合し、１５５０℃以上１８５０℃未満の温
度で熱処理することを特徴とする。第３のセラミック接
合体の製造方法は、第１又は第２の方法において、前記
板に予め電極を埋設しておくことを特徴とする。又、第
４のセラミック接合体の製造方法は、第１、第２又は第
３の方法において、前記板に予め発熱回路を埋設してお
くことを特徴とする。
は、粒界成分が酸化イットリウムアルミニウム相のＡｌ
Ｎ焼結体からなる板の片面に周面を外方へ拡開したテー
パー面とする凹部を形成する一方、上記板と同様のＡｌ
Ｎ焼結体からなる管又は棒の一端部の外周に上記凹部の
テーパー面と係合可能なテーパー面を形成し、凹部と一
端部とを両者のテーパー面間にＡｌＮ粉末及びＹ（イッ
トリウム）化合物粉末からなる接合剤を介在させて係合
し、１８００℃を超え１９００℃以下の温度で熱処理す
ることを特徴とする。第２のセラミック接合体の製造方
法は、粒界成分が酸化イットリウムアルミニウム相のＡ
ｌＮ焼結体からなる板の片面に周面を外方へ拡開したテ
ーパー面とする凹部を形成する一方、上記板と同様のＡ
ｌＮ焼結体からなる管又は棒の一端部の外周に上記凹部
のテーパー面と係合可能なテーパー面を形成し、凹部と
一端部とを両者のテーパー面間にＡｌＮ粉末、Ｙ化合物
粉末及びＬｉ（リチウム）化合物粉末からなる接合剤を
介在させて接合し、１５５０℃以上１８５０℃未満の温
度で熱処理することを特徴とする。第３のセラミック接
合体の製造方法は、第１又は第２の方法において、前記
板に予め電極を埋設しておくことを特徴とする。又、第
４のセラミック接合体の製造方法は、第１、第２又は第
３の方法において、前記板に予め発熱回路を埋設してお
くことを特徴とする。
【０００６】板の凹部と管又は棒の一端部のテーパー面
は、板の片面に対する垂線又は管若しくは棒の軸線とな
すテーパー角度θが３〜４０°の範囲が好ましい。テー
パー角度が、３°未満であると、係合時に嵌め合いがき
つくなり、テーパーとする意味がない、一方、４０°を
超えると、係合時に嵌め合いが緩いため横方向にずれた
り、管又は棒の傾きが発生し易くなる。より好ましい角
度は、５〜３０°である。テーパー面には、研削加工を
施し、表面粗さをＲａ＝０．２〜１．０μｍ、Ｒｍａｘ
＝２〜８μｍとしておくことが好ましい。上記範囲とす
ることにより、接合剤とＡｌＮ焼結体の密着性が向上す
る。
は、板の片面に対する垂線又は管若しくは棒の軸線とな
すテーパー角度θが３〜４０°の範囲が好ましい。テー
パー角度が、３°未満であると、係合時に嵌め合いがき
つくなり、テーパーとする意味がない、一方、４０°を
超えると、係合時に嵌め合いが緩いため横方向にずれた
り、管又は棒の傾きが発生し易くなる。より好ましい角
度は、５〜３０°である。テーパー面には、研削加工を
施し、表面粗さをＲａ＝０．２〜１．０μｍ、Ｒｍａｘ
＝２〜８μｍとしておくことが好ましい。上記範囲とす
ることにより、接合剤とＡｌＮ焼結体の密着性が向上す
る。
【０００７】粒界成分が酸化イットリウムアルミニウム
相のＡｌＮ焼結体からなる板は、例えば、ＡｌＮ粉末に
Ｙ化合物粉末、適量の有機バインダー（ＰＶＢ：ポリビ
ニルブチラール）及び有機溶媒（メタノール）を添加し
てボールミル中で混合し、得られたスラリーをスプレー
ドライヤーを用いて造粒した後、造粒粉を成形して成形
体を得（例えば、一軸金型成形し、更に冷間静水圧プレ
スで加圧して成形体を得ることができる）、しかる後
に、成形体を空気中又は非酸化性雰囲気（不活性ガス又
は真空雰囲気）において脱脂し、（例えば、４００℃以
上の温度で行うことができる）、非酸化性雰囲気におい
て１８００〜２０００℃の温度（好ましくは１８５０〜
１９００℃）で焼成して得られるものである。Ｙ化合物
粉末は、ＡｌＮ粉末１００重量部に対し、Ｙ2 Ｏ3 換算
で０．５〜２０重量部添加することが好ましい。Ｙ化合
物粉末の添加量がＡｌＮ粉末１００重量部に対し、Ｙ2
Ｏ3 換算で０．５重量部未満であると、液相成分が不足
し緻密な焼結体を得難い。一方、２０重量部を越える
と、未反応の焼結助剤が残存するおそれがある。Ｙ化合
物としては、後述する接合剤に用いられるものと同様の
ものを用いることができる。
相のＡｌＮ焼結体からなる板は、例えば、ＡｌＮ粉末に
Ｙ化合物粉末、適量の有機バインダー（ＰＶＢ：ポリビ
ニルブチラール）及び有機溶媒（メタノール）を添加し
てボールミル中で混合し、得られたスラリーをスプレー
ドライヤーを用いて造粒した後、造粒粉を成形して成形
体を得（例えば、一軸金型成形し、更に冷間静水圧プレ
スで加圧して成形体を得ることができる）、しかる後
に、成形体を空気中又は非酸化性雰囲気（不活性ガス又
は真空雰囲気）において脱脂し、（例えば、４００℃以
上の温度で行うことができる）、非酸化性雰囲気におい
て１８００〜２０００℃の温度（好ましくは１８５０〜
１９００℃）で焼成して得られるものである。Ｙ化合物
粉末は、ＡｌＮ粉末１００重量部に対し、Ｙ2 Ｏ3 換算
で０．５〜２０重量部添加することが好ましい。Ｙ化合
物粉末の添加量がＡｌＮ粉末１００重量部に対し、Ｙ2
Ｏ3 換算で０．５重量部未満であると、液相成分が不足
し緻密な焼結体を得難い。一方、２０重量部を越える
と、未反応の焼結助剤が残存するおそれがある。Ｙ化合
物としては、後述する接合剤に用いられるものと同様の
ものを用いることができる。
【０００８】粒界成分が酸化イットリウムアルミニウム
相のＡｌＮ焼結体からなる管又は棒は、例えば、ＡｌＮ
粉末にＹ化合物粉末、適量の有機バインダー（ＰＶＢ）
及び有機溶媒（メタノール）を添加してボールミル中で
混合し、得られたスラリーをスプレードライヤーを用い
て造粒した後、造粒粉を成形して成形体を得（例えば、
冷間静水圧プレスで加圧して成形体を得ることができ
る）、しかる後に、成形体を空気中又は非酸化性雰囲気
において詰め粉（アルミナ粉末）に下端を埋没させて垂
直に立てて（横に寝かすと自重により変形するため）脱
脂し、非酸化性雰囲気において、吊り下げた状態で１８
００〜２０００℃の温度（好ましくは１８５０〜１９０
０℃）で焼成して得られるものである。Ｙ化合物粉末の
量、その種類は、板の場合と同様である。
相のＡｌＮ焼結体からなる管又は棒は、例えば、ＡｌＮ
粉末にＹ化合物粉末、適量の有機バインダー（ＰＶＢ）
及び有機溶媒（メタノール）を添加してボールミル中で
混合し、得られたスラリーをスプレードライヤーを用い
て造粒した後、造粒粉を成形して成形体を得（例えば、
冷間静水圧プレスで加圧して成形体を得ることができ
る）、しかる後に、成形体を空気中又は非酸化性雰囲気
において詰め粉（アルミナ粉末）に下端を埋没させて垂
直に立てて（横に寝かすと自重により変形するため）脱
脂し、非酸化性雰囲気において、吊り下げた状態で１８
００〜２０００℃の温度（好ましくは１８５０〜１９０
０℃）で焼成して得られるものである。Ｙ化合物粉末の
量、その種類は、板の場合と同様である。
【０００９】ＡｌＮ粉末及びＹ化合物粉末からなる接合
剤は、ＡｌＮ粉末１００重量部及びＹ2 Ｏ3 換算でＹ化
合物粉末０．５〜３０重量部の混合粉末に、適量の有機
溶剤（ＢＤＧ（ブチルカルビトール）、アクリル樹脂、
ＤＢＰ（フタル酸ジブチル）の混合物）を添加し、２０
０〜５００ポイズの粘度のペースト状として用いられ
る。
剤は、ＡｌＮ粉末１００重量部及びＹ2 Ｏ3 換算でＹ化
合物粉末０．５〜３０重量部の混合粉末に、適量の有機
溶剤（ＢＤＧ（ブチルカルビトール）、アクリル樹脂、
ＤＢＰ（フタル酸ジブチル）の混合物）を添加し、２０
０〜５００ポイズの粘度のペースト状として用いられ
る。
【００１０】ＡｌＮ粉末は、０．１〜１０μｍの粒径で
あることが好ましく、この粒径であると、Ｙ化合物粉末
の粒径のいかんにかかわらず、低温での接合強度が向上
する。
あることが好ましく、この粒径であると、Ｙ化合物粉末
の粒径のいかんにかかわらず、低温での接合強度が向上
する。
【００１１】Ｙ化合物としては、Ｙ2 Ｏ3 、フッ化イッ
トリウム（ＹＦ）、ＹＡＧ（Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12）又はＹ2
Ｏ3 とアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）をＹＡＧとなる配合比で
混合した混合物が用いられる。Ｙ2 Ｏ3 換算でＹ化合物
粉末の添加量が、０．５重量部未満であると、液相成分
が不足して接合できない。一方、３０重量部を超える
と、接合できない。好ましい添加量は、１〜１０重量部
である。Ｙ化合物粉末の粒径は、０．１〜５０μｍとす
ることによって、分散性が向上する。又、粒径が０．１
μｍ未満であると、ペーストの粘性が上がり易く、ペー
スト化が困難となる。一方、５０μｍを超えると、ペー
スト中で粉末が沈降し易くなり分散性が低下する。より
好ましい粒径は、０．１〜１０μｍである。
トリウム（ＹＦ）、ＹＡＧ（Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12）又はＹ2
Ｏ3 とアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）をＹＡＧとなる配合比で
混合した混合物が用いられる。Ｙ2 Ｏ3 換算でＹ化合物
粉末の添加量が、０．５重量部未満であると、液相成分
が不足して接合できない。一方、３０重量部を超える
と、接合できない。好ましい添加量は、１〜１０重量部
である。Ｙ化合物粉末の粒径は、０．１〜５０μｍとす
ることによって、分散性が向上する。又、粒径が０．１
μｍ未満であると、ペーストの粘性が上がり易く、ペー
スト化が困難となる。一方、５０μｍを超えると、ペー
スト中で粉末が沈降し易くなり分散性が低下する。より
好ましい粒径は、０．１〜１０μｍである。
【００１２】接合剤の厚みは、１００μｍ以下とするこ
とが好ましい。厚みが、１００μｍを超えると、板に対
する管又は棒の位置精度や垂直度が低下する。
とが好ましい。厚みが、１００μｍを超えると、板に対
する管又は棒の位置精度や垂直度が低下する。
【００１３】ＡｌＮ粉末及びＹ化合物粉末からなる接合
剤を用いる場合の熱処理温度が、１８００℃以下である
と、接合が不可能となる、一方、１９００℃を超える
と、板や管又は棒の変形が大きくなる。好ましい熱処理
温度は、１８５０〜１８８０℃である。
剤を用いる場合の熱処理温度が、１８００℃以下である
と、接合が不可能となる、一方、１９００℃を超える
と、板や管又は棒の変形が大きくなる。好ましい熱処理
温度は、１８５０〜１８８０℃である。
【００１４】ＡｌＮ粉末、Ｙ化合物粉末及びＬｉ化合物
粉末からなる接合剤は、ＡｌＮ粉末１００重量部、Ｙ2
Ｏ3 換算でＹ化合物粉末０．５〜３０重量部及びＬｉ2
Ｏ（酸化リチウム）換算でＬｉ化合物粉末が上記Ｙ2 Ｏ
3 換算量に対して外率で０．１〜１００wt％の混合粉末
に、適量の有機溶剤（ＢＤＧ、アクリル樹脂、ＤＢＰの
混合物）を添加し、２００〜５００ポイズの粘度のペー
スト状として用いられる。
粉末からなる接合剤は、ＡｌＮ粉末１００重量部、Ｙ2
Ｏ3 換算でＹ化合物粉末０．５〜３０重量部及びＬｉ2
Ｏ（酸化リチウム）換算でＬｉ化合物粉末が上記Ｙ2 Ｏ
3 換算量に対して外率で０．１〜１００wt％の混合粉末
に、適量の有機溶剤（ＢＤＧ、アクリル樹脂、ＤＢＰの
混合物）を添加し、２００〜５００ポイズの粘度のペー
スト状として用いられる。
【００１５】ＡｌＮ粉末の粒径、Ｙ化合物の種類、Ｙ化
合物粉末の添加量と粒径、接合剤の厚み等は、ＡｌＮ粉
末及びＹ化合物粉末からなる接合剤の場合と同様である
ので説明を省略する。
合物粉末の添加量と粒径、接合剤の厚み等は、ＡｌＮ粉
末及びＹ化合物粉末からなる接合剤の場合と同様である
ので説明を省略する。
【００１６】Ｌｉ化合物は、先ず、Ｙ又はアルミニウム
（Ａｌ）と複合酸化物を作り、その複合酸化物から酸化
イットリウムアルミニウム相（ほとんどＹＡＧだが、Ｙ
ＡＭ（２Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 又はＹ4 Ａｌ2 Ｏ3 ）、
ＹＡＰ（Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ 3 又はＹＡｌＯ3 ）等を含
む。）を生成し、その融点を低下させる。又、Ｌｉ化合
物は、高温で高い蒸気圧を有するため、酸化イットリウ
ムアルミニウム相生成後、接合部分から蒸発し、接合体
中に残留しない。このため、ＡｌＮ焼結体からなる板と
管又は棒が１８５０℃未満の温度で従来と同等の純度と
接合強度で接合され、又、板と管又は棒に変形を生じな
い。
（Ａｌ）と複合酸化物を作り、その複合酸化物から酸化
イットリウムアルミニウム相（ほとんどＹＡＧだが、Ｙ
ＡＭ（２Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 又はＹ4 Ａｌ2 Ｏ3 ）、
ＹＡＰ（Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ 3 又はＹＡｌＯ3 ）等を含
む。）を生成し、その融点を低下させる。又、Ｌｉ化合
物は、高温で高い蒸気圧を有するため、酸化イットリウ
ムアルミニウム相生成後、接合部分から蒸発し、接合体
中に残留しない。このため、ＡｌＮ焼結体からなる板と
管又は棒が１８５０℃未満の温度で従来と同等の純度と
接合強度で接合され、又、板と管又は棒に変形を生じな
い。
【００１７】Ｌｉ化合物としては、Ｌｉ2 Ｏ、炭酸リチ
ウム（Ｌｉ2 ＣＯ3 ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、硝
酸リチウム（ＬｉＮＯ3 ）、水酸化リチウム（ＬｉＯ
Ｈ）、塩化リチウム（ＬｉＣｌ）、酢酸リチウム（Ｌｉ
ＣＨ3 ＣＯＯ）、Ｙとの複合酸化合物及びＡｌとの複合
酸化物の１種以上が用いられる。Ｌｉ2 Ｏ換算でＬｉ化
合物粉末の添加量が、前述したＹ2 Ｏ3 換算量の０．１
wt％未満であると、１８５０℃未満の温度での接合がで
きない。一方、１００wt％を超えると、接合できない。
好ましい添加量は、５〜５０wt％である。Ｌｉ化合物粉
末の粒径は、０．１〜５０μｍとすることによって、分
散性が向上する。又、粒径が０．１μｍ未満であると、
ペーストの粘性が上がり易く、ペースト化が困難とす
る。一方、５０μｍを超えると、ペースト中で粉末が沈
降し易くなり分散性が低下する。より好ましい粒径は、
０．１〜１０μｍである。なお、ＬｉＣｌやＬｉＮＯ
3 、ＬｉＯＨ、ＬｉＣＨ3 ＣＯＯ等は、エタノールやア
セトン等の有機溶媒に溶解するので、それらの有機溶剤
可溶性Ｌｉ化合物が有機溶媒に溶解した溶液と、Ｙ化合
物粉末及びＡｌＮ粉末とを混合し、溶媒を除去後、不活
性ガス又は真空雰囲気において４００〜８００℃の温度
（８００℃を超えるとＬｉが揮発し、低温接合が困難と
なるおそれがある。）で仮焼すると、それらが均一に混
合した仮焼粉が得られ、接合剤となる。仮焼粉は、通
常、粉砕して使用される（好ましくは４００メッシュ以
下に粉砕する）。ＬｉＣｌ、ＬｉＮＯ3 は有機溶媒に対
する溶解度が高くこの方法に適しており、特にＬｉＣｌ
は潮解性を有し粉末の取り扱いが困難であるためこの方
法が有効である。
ウム（Ｌｉ2 ＣＯ3 ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、硝
酸リチウム（ＬｉＮＯ3 ）、水酸化リチウム（ＬｉＯ
Ｈ）、塩化リチウム（ＬｉＣｌ）、酢酸リチウム（Ｌｉ
ＣＨ3 ＣＯＯ）、Ｙとの複合酸化合物及びＡｌとの複合
酸化物の１種以上が用いられる。Ｌｉ2 Ｏ換算でＬｉ化
合物粉末の添加量が、前述したＹ2 Ｏ3 換算量の０．１
wt％未満であると、１８５０℃未満の温度での接合がで
きない。一方、１００wt％を超えると、接合できない。
好ましい添加量は、５〜５０wt％である。Ｌｉ化合物粉
末の粒径は、０．１〜５０μｍとすることによって、分
散性が向上する。又、粒径が０．１μｍ未満であると、
ペーストの粘性が上がり易く、ペースト化が困難とす
る。一方、５０μｍを超えると、ペースト中で粉末が沈
降し易くなり分散性が低下する。より好ましい粒径は、
０．１〜１０μｍである。なお、ＬｉＣｌやＬｉＮＯ
3 、ＬｉＯＨ、ＬｉＣＨ3 ＣＯＯ等は、エタノールやア
セトン等の有機溶媒に溶解するので、それらの有機溶剤
可溶性Ｌｉ化合物が有機溶媒に溶解した溶液と、Ｙ化合
物粉末及びＡｌＮ粉末とを混合し、溶媒を除去後、不活
性ガス又は真空雰囲気において４００〜８００℃の温度
（８００℃を超えるとＬｉが揮発し、低温接合が困難と
なるおそれがある。）で仮焼すると、それらが均一に混
合した仮焼粉が得られ、接合剤となる。仮焼粉は、通
常、粉砕して使用される（好ましくは４００メッシュ以
下に粉砕する）。ＬｉＣｌ、ＬｉＮＯ3 は有機溶媒に対
する溶解度が高くこの方法に適しており、特にＬｉＣｌ
は潮解性を有し粉末の取り扱いが困難であるためこの方
法が有効である。
【００１８】ＡｌＮ粉末、Ｙ化合物粉末及びＬｉ化合物
粉末からなる接合剤を用いる場合の熱処理温度が、１５
５０℃未満であると、接合が行なわれない。一方、１８
５０℃であると、板と管又は棒を形成するＡｌＮ焼結体
の変形が大きくなり、特に真空雰囲気の場合、ＡｌＮ焼
結体の粒界成分の移動、蒸発を生じて所定形状の保持が
困難となる。ＡｌＮ焼結体の変形量は、その大きさや厚
みによって異なるため一概にいえないが、例えば直径１
５０mm、厚み５mm、平面度１０μｍのＡｌＮ焼結体を１
８５０℃以上の熱処理温度で接合した場合、接合後の平
面度が３０倍の３００μｍになってしまう。これに対
し、熱処理温度を１６００℃とし他を同一条件で接合し
た後の平面度は３０μｍ以下である。よって、熱処理温
度は、１５５０℃以上１８５０℃未満とし、好ましく
は、１６５０〜１７５０℃とする。この熱処理により、
接合剤は焼結し、接合部間にＡｌＮと酸化イットリウム
アルミニウムを主成分とする接合剤層を形成して板と管
又は棒を形成するＡｌＮ焼結体と接合する。その結果、
板と管又は棒が強固に接合される。
粉末からなる接合剤を用いる場合の熱処理温度が、１５
５０℃未満であると、接合が行なわれない。一方、１８
５０℃であると、板と管又は棒を形成するＡｌＮ焼結体
の変形が大きくなり、特に真空雰囲気の場合、ＡｌＮ焼
結体の粒界成分の移動、蒸発を生じて所定形状の保持が
困難となる。ＡｌＮ焼結体の変形量は、その大きさや厚
みによって異なるため一概にいえないが、例えば直径１
５０mm、厚み５mm、平面度１０μｍのＡｌＮ焼結体を１
８５０℃以上の熱処理温度で接合した場合、接合後の平
面度が３０倍の３００μｍになってしまう。これに対
し、熱処理温度を１６００℃とし他を同一条件で接合し
た後の平面度は３０μｍ以下である。よって、熱処理温
度は、１５５０℃以上１８５０℃未満とし、好ましく
は、１６５０〜１７５０℃とする。この熱処理により、
接合剤は焼結し、接合部間にＡｌＮと酸化イットリウム
アルミニウムを主成分とする接合剤層を形成して板と管
又は棒を形成するＡｌＮ焼結体と接合する。その結果、
板と管又は棒が強固に接合される。
【００１９】なお、接合剤とＡｌＮ焼結体からなる板及
び管又は棒との密着性を高めるため、板と管又は棒に荷
重をかけることが望ましい。ホットプレスによる加熱加
圧でもよいが、６g/cm2 以上の荷重をかけられれば、ホ
ットプレスに限定するものではない。又、接合に要する
熱処理時間は、接合剤とＡｌＮ焼結体からなる板及び管
又は棒が十分接合し、かつ、Ｌｉ化合物を十分除去し得
ればよく、通常、１〜１０時間でよく、好ましくは１〜
５時間である。
び管又は棒との密着性を高めるため、板と管又は棒に荷
重をかけることが望ましい。ホットプレスによる加熱加
圧でもよいが、６g/cm2 以上の荷重をかけられれば、ホ
ットプレスに限定するものではない。又、接合に要する
熱処理時間は、接合剤とＡｌＮ焼結体からなる板及び管
又は棒が十分接合し、かつ、Ｌｉ化合物を十分除去し得
ればよく、通常、１〜１０時間でよく、好ましくは１〜
５時間である。
【００２０】板に電極や発熱回路が埋設されていないも
のは、支持等のための管又は棒を有するサセプターとし
て、板に電極が埋設されているものは、支持等のための
管又は棒を有する静電チャックとして、板に発熱回路が
埋設されているものは、支持等のための管又は棒を有す
るプレートヒーターとして、又、板に電極と発熱回路が
埋設されているものは、支持等のための管又は棒を有す
るヒーター付き静電チャックとしてそれぞれ半導体を製
造する際に用いられるものである。
のは、支持等のための管又は棒を有するサセプターとし
て、板に電極が埋設されているものは、支持等のための
管又は棒を有する静電チャックとして、板に発熱回路が
埋設されているものは、支持等のための管又は棒を有す
るプレートヒーターとして、又、板に電極と発熱回路が
埋設されているものは、支持等のための管又は棒を有す
るヒーター付き静電チャックとしてそれぞれ半導体を製
造する際に用いられるものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て具体的な実施例を参照して説明する。支持と冷却用ガ
スを流すための管を有するサセプターを製造するため、
先ず、ＡｌＮ粉末１００重量部にＹ2 Ｏ3 粉末１重量
部、ＰＶＢ３重量部及び適量のメタノールを添加してボ
ールミルで１７時間混合し、得られたスラリーをスプレ
ードライヤーを用いて造粒した後、造粒粉を３０ＭＰａ
の圧力で一軸金型成形し、更に１００ＭＰａの圧力で冷
間静水圧プレスして成形体を得、しかる後に、成形体を
空気中において６００℃の温度で加熱して脱脂し、脱脂
体を窒素ガス雰囲気中において１９００℃の温度で焼成
して直径２００mm、厚み１０mmのＡｌＮ焼結体からなる
円板１（図１参照）を得た。
て具体的な実施例を参照して説明する。支持と冷却用ガ
スを流すための管を有するサセプターを製造するため、
先ず、ＡｌＮ粉末１００重量部にＹ2 Ｏ3 粉末１重量
部、ＰＶＢ３重量部及び適量のメタノールを添加してボ
ールミルで１７時間混合し、得られたスラリーをスプレ
ードライヤーを用いて造粒した後、造粒粉を３０ＭＰａ
の圧力で一軸金型成形し、更に１００ＭＰａの圧力で冷
間静水圧プレスして成形体を得、しかる後に、成形体を
空気中において６００℃の温度で加熱して脱脂し、脱脂
体を窒素ガス雰囲気中において１９００℃の温度で焼成
して直径２００mm、厚み１０mmのＡｌＮ焼結体からなる
円板１（図１参照）を得た。
【００２２】一方、ＡｌＮ粉末１００重量部にＹ2 Ｏ3
粉末１重量部、ＰＶＢ３重量部及び適量のメタノールを
添加してボールミルで１７時間混合し、得られたスラリ
ーをスプレードライヤーを用いて造粒した後、造粒粉を
１００ＭＰａの圧力で冷間静水圧プレスして成形体を
得、しかる後に、成形体を詰め粉（アルミナ粉末）に下
端に埋没させて垂直に立てて空気中に６００℃の温度で
加熱して脱脂し、脱脂体を窒素ガス雰囲気の炉内に吊り
下げて１９００℃の温度で焼成して外径５０mm、内径４
０mm、長さ２００mmのＡｌＮ焼結体からなる円管２（図
１参照）を得た。
粉末１重量部、ＰＶＢ３重量部及び適量のメタノールを
添加してボールミルで１７時間混合し、得られたスラリ
ーをスプレードライヤーを用いて造粒した後、造粒粉を
１００ＭＰａの圧力で冷間静水圧プレスして成形体を
得、しかる後に、成形体を詰め粉（アルミナ粉末）に下
端に埋没させて垂直に立てて空気中に６００℃の温度で
加熱して脱脂し、脱脂体を窒素ガス雰囲気の炉内に吊り
下げて１９００℃の温度で焼成して外径５０mm、内径４
０mm、長さ２００mmのＡｌＮ焼結体からなる円管２（図
１参照）を得た。
【００２３】他方、ＡｌＮ粉末１００重量部、Ｙ2 Ｏ3
粉末３重量部及びＹ2 Ｏ3 粉末量の３５wt％のＬ2 Ｏ粉
末からなる混合粉末に、適量の有機溶剤（ＢＤＧ、アク
リル樹脂、ＤＢＰの混合物）を添加して、３００ポイズ
の粘度の接合剤を調製した。
粉末３重量部及びＹ2 Ｏ3 粉末量の３５wt％のＬ2 Ｏ粉
末からなる混合粉末に、適量の有機溶剤（ＢＤＧ、アク
リル樹脂、ＤＢＰの混合物）を添加して、３００ポイズ
の粘度の接合剤を調製した。
【００２４】次に、円板１の片面（図１においては上
面）の中央部に、周面を外方へ拡開したテーパー面３と
する円形の凹部４を形成すると共に、テーパー面３と円
板１の片面に対する垂線とのなすテーパー角度θが、表
１に示すように異なる種々の試料を得た。
面）の中央部に、周面を外方へ拡開したテーパー面３と
する円形の凹部４を形成すると共に、テーパー面３と円
板１の片面に対する垂線とのなすテーパー角度θが、表
１に示すように異なる種々の試料を得た。
【００２５】
【表１】
【００２６】又、円管２の一端部（図１においては下端
部）の外周に、円板１の凹部４のテーパー面３と係合可
能なテーパー面５を形成すると共に、各種の円板１に対
応させるため、テーパー面５と円管２の軸線とのなすテ
ーパー角度θが異なる種々の試料を得た。なお、円板１
と円管２の各試料のテーパー面３，５には研削加工を施
し、テーパー面３，５をＲａ＝０．６５μｍ、Ｒｍａｘ
＝５．２５μｍ、平面度１０μｍとした。
部）の外周に、円板１の凹部４のテーパー面３と係合可
能なテーパー面５を形成すると共に、各種の円板１に対
応させるため、テーパー面５と円管２の軸線とのなすテ
ーパー角度θが異なる種々の試料を得た。なお、円板１
と円管２の各試料のテーパー面３，５には研削加工を施
し、テーパー面３，５をＲａ＝０．６５μｍ、Ｒｍａｘ
＝５．２５μｍ、平面度１０μｍとした。
【００２７】次いで、円板１と円管２の各試料のテーパ
ー面３，５に前述した接合剤を刷毛で６０μｍの厚みで
塗布し、１１０℃の温度で加熱して乾燥させた後、窒素
ガス雰囲気において４５０℃の温度で加熱して接合剤の
脱脂を行った。脱脂後、接合面（テーパー面）の密着性
を良くするため、ＢＤＧを接合部分に噴霧し、図１に示
すように、各円板１を凹部４が上になるように水平に設
置した後、各円管２を一端部が下になるように垂直に支
持し、静かに円板１の上方から下降して係合可能なテー
パー面同士を密着させ、しかる後に、１１０℃の温度で
１時間保持して乾燥させた。なお、接合剤の脱脂工程
は、円板１と円管２を密着させた後に行ってもよく、
又、その工程を無くしてもよい。
ー面３，５に前述した接合剤を刷毛で６０μｍの厚みで
塗布し、１１０℃の温度で加熱して乾燥させた後、窒素
ガス雰囲気において４５０℃の温度で加熱して接合剤の
脱脂を行った。脱脂後、接合面（テーパー面）の密着性
を良くするため、ＢＤＧを接合部分に噴霧し、図１に示
すように、各円板１を凹部４が上になるように水平に設
置した後、各円管２を一端部が下になるように垂直に支
持し、静かに円板１の上方から下降して係合可能なテー
パー面同士を密着させ、しかる後に、１１０℃の温度で
１時間保持して乾燥させた。なお、接合剤の脱脂工程
は、円板１と円管２を密着させた後に行ってもよく、
又、その工程を無くしてもよい。
【００２８】次に、円板１と円管２が組み合わされた各
試料をカーボンケース内に、水平な円板１上に円管２が
垂直になるようにして納置し、窒素ガス雰囲気において
１７００℃の温度で３時間かけて焼成し、円板１と管２
とが接合剤層（図示せず）を介在して接合されたそれぞ
れの試料のセラミック接合体を得た。
試料をカーボンケース内に、水平な円板１上に円管２が
垂直になるようにして納置し、窒素ガス雰囲気において
１７００℃の温度で３時間かけて焼成し、円板１と管２
とが接合剤層（図示せず）を介在して接合されたそれぞ
れの試料のセラミック接合体を得た。
【００２９】得られた各試料としてのセラミック接合体
について、三次元測定器を使用して円板１に対する円管
２の直角度、及び円板１の中心線と円管２の軸線のずれ
（同軸度）を測定したところ、表１に示すようになっ
た。表１から分るように、凹部４のテーパー面３と一端
部のテーパー面５のテーパー面θを３〜４０°とするこ
とが好ましく、より好ましくは５〜３０°である。
について、三次元測定器を使用して円板１に対する円管
２の直角度、及び円板１の中心線と円管２の軸線のずれ
（同軸度）を測定したところ、表１に示すようになっ
た。表１から分るように、凹部４のテーパー面３と一端
部のテーパー面５のテーパー面θを３〜４０°とするこ
とが好ましく、より好ましくは５〜３０°である。
【００３０】又、得られた試料としてのセラミック接合
体の耐熱性をみるために、先ず、各セラミック接合体を
窒素ガス（Ｎ2 ）雰囲気のカーボン発熱体炉内に、円管
２を上にした円板１が水平になるように納置し、炉内を
室温から１７００℃まで４００℃／ｈｒの速度で昇温
し、１７００℃の温度に３０分間保持した後、加熱電源
を切って放冷した。この時の放冷速度は、６００℃／ｈ
ｒであった。次に、炉内が室温になった後、各セラミッ
ク接合体をカーボン発熱体炉から取り出し、接合後と同
様に、三次元測定器を使用して円板１に対する円管２の
直角度、及び円板１の中心線と円管２の軸線のずれを測
定したところ、全てのセラミック接合体が接合後と同じ
値を示した。したがって、各セラミック接合体の接合部
は、耐熱性に優れていることが分かる。
体の耐熱性をみるために、先ず、各セラミック接合体を
窒素ガス（Ｎ2 ）雰囲気のカーボン発熱体炉内に、円管
２を上にした円板１が水平になるように納置し、炉内を
室温から１７００℃まで４００℃／ｈｒの速度で昇温
し、１７００℃の温度に３０分間保持した後、加熱電源
を切って放冷した。この時の放冷速度は、６００℃／ｈ
ｒであった。次に、炉内が室温になった後、各セラミッ
ク接合体をカーボン発熱体炉から取り出し、接合後と同
様に、三次元測定器を使用して円板１に対する円管２の
直角度、及び円板１の中心線と円管２の軸線のずれを測
定したところ、全てのセラミック接合体が接合後と同じ
値を示した。したがって、各セラミック接合体の接合部
は、耐熱性に優れていることが分かる。
【００３１】更に、得られた試料としてのセラミック接
合体の耐食性をみるために、先ず、上述した加熱試験後
の各セラミック接合体における円管２を接合部から１０
mmの位置で切断し、後述するフッ素プラズマが接合部に
直接照射されるようにした。次に、上記各セラミック接
合体を半導体製造装置のチャンバー内に、円管２を上に
した円板１が水平になるように納置し、チャンバー内に
ＣＦ4 とＯ2 ガスを導入すると共に、チャンバー内を４
００℃の温度に保持し、かつ、平行平板の電極間に１
３．５６ＭＨｚの電圧を印加してフッ素プラズマを１０
分間発生させる処理を３００回繰り返した。処理後、各
セラミック接合体をチャンバーから取り出し、接合部分
の状態を電子顕微鏡で観察したところ、接合部分には、
フッ素プラズマによって侵食された痕跡は認められなか
った。したがって、各セラミック接合体の接合部は、耐
食性に優れていることが分かる。
合体の耐食性をみるために、先ず、上述した加熱試験後
の各セラミック接合体における円管２を接合部から１０
mmの位置で切断し、後述するフッ素プラズマが接合部に
直接照射されるようにした。次に、上記各セラミック接
合体を半導体製造装置のチャンバー内に、円管２を上に
した円板１が水平になるように納置し、チャンバー内に
ＣＦ4 とＯ2 ガスを導入すると共に、チャンバー内を４
００℃の温度に保持し、かつ、平行平板の電極間に１
３．５６ＭＨｚの電圧を印加してフッ素プラズマを１０
分間発生させる処理を３００回繰り返した。処理後、各
セラミック接合体をチャンバーから取り出し、接合部分
の状態を電子顕微鏡で観察したところ、接合部分には、
フッ素プラズマによって侵食された痕跡は認められなか
った。したがって、各セラミック接合体の接合部は、耐
食性に優れていることが分かる。
【００３２】なお、上述した実施の形態においては、接
合剤としてＡｌＮ粉末、Ｙ化合物粉末及びＬｉ化合物粉
末からなるものを用いる場合について述べたが、これに
限定されるものではなく、ＡｌＮ粉末及びＹ化合物粉末
からなる接合剤を用いてもよい。又、サセプターとして
用いられるセラミック接合体は、支持等のための管に代
わる棒を有するものであってもよい。更に、セラミック
接合体は、支持等のための管又は棒を有する円板に電極
及び／又は発熱回路を埋設したものであってもよく、円
板に電極を埋設したものは静電チャックとして、発熱回
路を埋設したものはプレートヒーターとして、又、電極
と発熱回路を埋設したものはヒーター付き静電チャック
として用いられる。
合剤としてＡｌＮ粉末、Ｙ化合物粉末及びＬｉ化合物粉
末からなるものを用いる場合について述べたが、これに
限定されるものではなく、ＡｌＮ粉末及びＹ化合物粉末
からなる接合剤を用いてもよい。又、サセプターとして
用いられるセラミック接合体は、支持等のための管に代
わる棒を有するものであってもよい。更に、セラミック
接合体は、支持等のための管又は棒を有する円板に電極
及び／又は発熱回路を埋設したものであってもよく、円
板に電極を埋設したものは静電チャックとして、発熱回
路を埋設したものはプレートヒーターとして、又、電極
と発熱回路を埋設したものはヒーター付き静電チャック
として用いられる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１のセ
ラミック接合体とその製造方法によれば、板と管又は棒
がテーパー面を介して係合されるので、板に対して接合
される管又は棒の位置精度や垂直度を高めることができ
ると共に、両者が両者と同じセラックスによって接合さ
れるので、接合部の耐食性と耐熱性に極めて優れたセラ
ミック接合体を得ることができる。第２のセラミック接
合体とその製造方法によれば、第１のものとその製法に
よる作用効果の他、静電チャックとして用いられるセラ
ミック接合体を得ることができる。又、第３のセラミッ
ク接合体とその製造方法によれば、第１のものとその製
法による作用効果の他、プレートヒーター、ヒーター付
き静電チャックとして用いられるセラミック接合体を得
ることができる。
ラミック接合体とその製造方法によれば、板と管又は棒
がテーパー面を介して係合されるので、板に対して接合
される管又は棒の位置精度や垂直度を高めることができ
ると共に、両者が両者と同じセラックスによって接合さ
れるので、接合部の耐食性と耐熱性に極めて優れたセラ
ミック接合体を得ることができる。第２のセラミック接
合体とその製造方法によれば、第１のものとその製法に
よる作用効果の他、静電チャックとして用いられるセラ
ミック接合体を得ることができる。又、第３のセラミッ
ク接合体とその製造方法によれば、第１のものとその製
法による作用効果の他、プレートヒーター、ヒーター付
き静電チャックとして用いられるセラミック接合体を得
ることができる。
【図１】本発明に係るセラミック接合体の製造方法の実
施の形態の一例を示す工程の説明である。
施の形態の一例を示す工程の説明である。
１ 円板 ２ 円管 ３ テーパー面 ４ 凹部 ５ テーパー面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤田 光広 神奈川県秦野市曽屋30番地 東芝セラミッ クス株式会社開発研究所内 (72)発明者 小林 慶朗 神奈川県秦野市曽屋30番地 東芝セラミッ クス株式会社開発研究所内 Ｆターム(参考） 4G026 BA16 BB16 BC01 BD12 BF04 BF06 BF44 BG04 BG25 BH13 5F031 DA13 EA01 HA02 HA03 HA10 HA17 HA37
Claims (7)
- 【請求項１】 片面に周面を外方へ拡開したテーパー面
とする凹部が形成され、粒界成分が酸化イットリウムア
ルミニウム相のＡｌＮ焼結体からなる板と、その凹部の
テーパー面と係合可能なテーパー面が一端部の外周に形
成され、上記板と同様のＡｌＮ焼結体からなる管又は棒
とが、両テーパー面間にＡｌＮと酸化イットリウムアル
ミニウムを主成分とする接合剤層を介在して接合されて
いることを特徴とするセラミック接合体。 - 【請求項２】 前記板に電極が埋設されていることを特
徴とする請求項１記載のセラミック接合体。 - 【請求項３】 前記板に発熱回路が埋設されていること
を特徴とする請求項１又は２記載のセラミック接合体。 - 【請求項４】 粒界成分が酸化イットリウムアルミニウ
ム相のＡｌＮ焼結体からなる板の片面に周面を外方へ拡
開したテーパー面とする凹部を形成する一方、上記板と
同様のＡｌＮ焼結体からなる管又は棒の一端部の外周に
上記凹部のテーパー面と係合可能なテーパー面を形成
し、凹部と一端部とを両者のテーパー面間にＡｌＮ粉末
及びＹ化合物粉末からなる接合剤を介在させて係合し、
１８００℃を超え１９００℃以下の温度で熱処理するこ
とを特徴とするセラミック接合体の製造方法。 - 【請求項５】 粒界成分が酸化イットリウムアルミニウ
ム相のＡｌＮ焼結体からなる板の片面に周面を外方へ拡
開したテーパー面とする凹部を形成する一方、上記板と
同様のＡｌＮ焼結体からなる管又は棒の一端部の外周に
上記凹部のテーパー面と係合可能なテーパー面を形成
し、凹部と一端部とを両者のテーパー面間にＡｌＮ粉
末、Ｙ化合物粉末及びＬｉ化合物粉末からなる接合剤を
介在させて係合し、１５５０℃以上１８５０℃未満の温
度で熱処理することを特徴とするセラミック接合体の製
造方法。 - 【請求項６】 前記板に予め電極を埋設しておくことを
特徴とする請求項４又は５記載のセラミック接合体の製
造方法。 - 【請求項７】 前記板に予め発熱回路を埋設しておくこ
とを特徴とする請求項４、５又は６記載のセラミック接
合体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17458599A JP3688156B2 (ja) | 1999-06-21 | 1999-06-21 | セラミック接合体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17458599A JP3688156B2 (ja) | 1999-06-21 | 1999-06-21 | セラミック接合体とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001010872A true JP2001010872A (ja) | 2001-01-16 |
| JP3688156B2 JP3688156B2 (ja) | 2005-08-24 |
Family
ID=15981142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17458599A Expired - Fee Related JP3688156B2 (ja) | 1999-06-21 | 1999-06-21 | セラミック接合体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3688156B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002255666A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-11 | Kyocera Corp | 接合体及びその製造方法 |
| WO2002083596A1 (fr) * | 2001-04-13 | 2002-10-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Article ceramique assemble, structure de maintien de substrat et appareil permettant de traiter les substrats |
-
1999
- 1999-06-21 JP JP17458599A patent/JP3688156B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002255666A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-11 | Kyocera Corp | 接合体及びその製造方法 |
| JP4666791B2 (ja) * | 2001-02-27 | 2011-04-06 | 京セラ株式会社 | 接合体及びその製造方法 |
| WO2002083596A1 (fr) * | 2001-04-13 | 2002-10-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Article ceramique assemble, structure de maintien de substrat et appareil permettant de traiter les substrats |
| US7211153B2 (en) | 2001-04-13 | 2007-05-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Ceramic joined body, substrate holding structure and substrate processing apparatus |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3688156B2 (ja) | 2005-08-24 |
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