JP2000252045A - プレートヒーターとその製造方法 - Google Patents
プレートヒーターとその製造方法Info
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- JP2000252045A JP2000252045A JP5177399A JP5177399A JP2000252045A JP 2000252045 A JP2000252045 A JP 2000252045A JP 5177399 A JP5177399 A JP 5177399A JP 5177399 A JP5177399 A JP 5177399A JP 2000252045 A JP2000252045 A JP 2000252045A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 極めて均一な加熱を可能とし得るプレートヒ
ーターを提供する。 【解決手段】 粒界成分が酸化イットリウムアルミニウ
ム相のＡＩＮ焼結体からなるカバープレート１とベース
プレート２が発熱回路３を介在しＡＩＮと酸化イットリ
ウムアルミニウムを主成分とする接合剤層４によって接
合され、カバープレートの加熱面１ａの平面度が２０μ
ｍ以下で、発熱回路と加熱面の間隔の最大値と最小値の
差が５０μｍ以下である。
ーターを提供する。 【解決手段】 粒界成分が酸化イットリウムアルミニウ
ム相のＡＩＮ焼結体からなるカバープレート１とベース
プレート２が発熱回路３を介在しＡＩＮと酸化イットリ
ウムアルミニウムを主成分とする接合剤層４によって接
合され、カバープレートの加熱面１ａの平面度が２０μ
ｍ以下で、発熱回路と加熱面の間隔の最大値と最小値の
差が５０μｍ以下である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置等
に使用されるＡｌＮ（窒化アルミニウム）焼結体からな
るプレートヒーターとその製造方法に関する。
に使用されるＡｌＮ（窒化アルミニウム）焼結体からな
るプレートヒーターとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のプレートヒーターとして
は、ＡｌＮ焼結体からなるプレート中にＷ（タングステ
ン）からなる発熱回路を埋設したもの（特開平７−３２
６６５５号公報参照）、又はＡｌＮ焼結体からなるプレ
ート中にＷ等の金属からなるスパイラル状の抵抗発熱体
を埋設したもの（特開平５−１０１８７１号公報参照）
が知られている。前者のものは、ＡｌＮ粉末にＹ2 Ｏ3
（イットリア）を添加、混合した原料をシート状に形成
し、２枚のグリーンシートの一方に発熱回路用ペースト
を塗布すると共に、他方のグリーンシートをその上に積
層し、積層体を窒素ガス雰囲気において１７５０℃の温
度で焼成して製造される。又、後者のものは、原料粉末
を成形する時点で内部にスパイラル状の抵抗発熱体を入
れ、脱脂、焼成し、あるいはホットプレスを行って製造
されるものである。
は、ＡｌＮ焼結体からなるプレート中にＷ（タングステ
ン）からなる発熱回路を埋設したもの（特開平７−３２
６６５５号公報参照）、又はＡｌＮ焼結体からなるプレ
ート中にＷ等の金属からなるスパイラル状の抵抗発熱体
を埋設したもの（特開平５−１０１８７１号公報参照）
が知られている。前者のものは、ＡｌＮ粉末にＹ2 Ｏ3
（イットリア）を添加、混合した原料をシート状に形成
し、２枚のグリーンシートの一方に発熱回路用ペースト
を塗布すると共に、他方のグリーンシートをその上に積
層し、積層体を窒素ガス雰囲気において１７５０℃の温
度で焼成して製造される。又、後者のものは、原料粉末
を成形する時点で内部にスパイラル状の抵抗発熱体を入
れ、脱脂、焼成し、あるいはホットプレスを行って製造
されるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のいずれ
かのプレートヒーターも、加熱面の平面度が低下し、か
つ、発熱回路又は抵抗発熱体と焼結体表面の加熱面との
間の距離のばらつきが大きくなり、加熱面における加熱
温度のむらを生じ、均一な加熱が困難になる不具合があ
る。これは、いずれのプレートヒーターの製造方法にお
いても、成形体の形成時点で発熱回路又は抵抗発熱体を
埋設しており、この成形体の焼成に伴って反り等の変形
を生じるためだと考えられる。又、たとえ、変形の生じ
たプレートヒーターの加熱面に研削加工を施し、平面度
を改善したとしても、発熱回路又は抵抗発熱体と加熱面
との間の距離のばらつきは解消されず、加熱面における
加熱温度のむらを生じる。そこで、本発明は、極めて均
一な加熱を可能とし得るプレートヒーターとその製造方
法を提供することを目的とする。
かのプレートヒーターも、加熱面の平面度が低下し、か
つ、発熱回路又は抵抗発熱体と焼結体表面の加熱面との
間の距離のばらつきが大きくなり、加熱面における加熱
温度のむらを生じ、均一な加熱が困難になる不具合があ
る。これは、いずれのプレートヒーターの製造方法にお
いても、成形体の形成時点で発熱回路又は抵抗発熱体を
埋設しており、この成形体の焼成に伴って反り等の変形
を生じるためだと考えられる。又、たとえ、変形の生じ
たプレートヒーターの加熱面に研削加工を施し、平面度
を改善したとしても、発熱回路又は抵抗発熱体と加熱面
との間の距離のばらつきは解消されず、加熱面における
加熱温度のむらを生じる。そこで、本発明は、極めて均
一な加熱を可能とし得るプレートヒーターとその製造方
法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明のプレートのヒーターは、粒界成分が酸化イ
ットリウムアルミニウム相のＡｌＮ焼結体からなるカバ
ープレートとベースプレートが発熱回路を介在しＡｌＮ
と酸化イットリウムアルミニウムを主成分とする接合剤
層によって接合され、カバープレートの加熱面の平面度
が２０μｍ以下で、発熱回路と加熱面の間隔の最大値と
最小値の差が５０μｍ以下であることを特徴とする。第
１のプレートヒーターの製造方法は、粒界成分が酸化イ
ットリウムアルミニウム相のＡｌＮ焼結体からなるカバ
ープ用レート及びベース用プレートにおけるカバー用プ
レートの一方の面又はベース用プレートの一方の面のい
ずれかに研削加工を施して平面度１０μｍ以下とし、こ
の一方の面に発熱回路用ペーストを発熱回路パターンで
塗布し、かつ、その面の残余部分にＡｌＮ粉末１００重
量部、Ｙ2 Ｏ3 換算でＹ（イットリウム）化合物粉末
０．５〜３０重量部及びＬｉ2 Ｏ（酸化リチウム）換算
でＬｉ（リチウム）化合物粉末が上記Ｙ2 Ｏ3 換算量に
対し外率で０．１〜１００ｗｔ％の混合粉末からなる接
合剤をペースト状として塗布する一方、残る面に研削加
工を施して平面度１０μｍ以下とし、この一方の面に前
記ペースト状とした接合剤を塗布した後、両プレートを
一方の面同士が当接するように平行に積層して不活性ガ
スまたは真空雰囲気において１５５０℃以上１８５０℃
未満の温度で熱処理し、しかる後に、カバー用プレート
の他方の面に研削加工を施してカバー用プレートの一方
の面と平行で平面度２０μｍ以下とすることを特徴とす
る。第２のプレートヒーターの製造方法は、粒界成分が
酸化イットリウムアルミニウム相のＡｌＮ焼結体からな
るカバー用プレート及びベース用プレートにおけるカバ
ー用プレートの一方の面又はベース用プレートの一方の
面のいずれかに研削加工を施して平面度１０μｍ以下と
し、この一方の面に発熱回路用ペーストを発熱回路パタ
ーンで塗布し、かつ、その面の残余部分にＡｌＮ粉末１
００重量部、Ｙ2 Ｏ3 換算でＹ化合物粉末０．５〜３０
重量部及びＬｉ2 Ｏ換算でＬｉ化合物粉末が上記Ｙ2 Ｏ
3 換算量に対し外率で０．１〜１００ｗｔ％の混合粉末
からなる接合剤をペースト状として塗布し、又、それら
の上に前記ペースト状とした接合剤を塗布する一方、残
る面に研削加工を施して平面度１０μｍ以下とした後、
両プレートを一方の面同士が当接するように平行に積層
して不活性ガス又は真空雰囲気において１５５０℃以上
１８５０℃未満の温度で熱処理し、しかる後に、カバー
用プレートの他方の面に研削加工を施してカバー用プレ
ートの一方の面と平行で平面度２０μｍ以下とすること
を特徴とする。又、第３のプレートヒーターの製造方法
は、粒界成分が酸化イットリウムアルミニウム相のＡｌ
Ｎ焼結体からなるカバープ用レート及びベース用プレー
トにおけるカバー用プレートの一方の面又はベース用プ
レートの一方の面のいずれかに研削加工を施して平面度
１０μｍ以下とし、この一方の面に発熱回路ペーストを
発熱回路パターンで塗布し、かつ、その面の残余部分及
び発熱回路用ペーストを覆うようにしてＡｌＮ粉末１０
０重量部、Ｙ2 Ｏ3 換算でＹ化合物粉末０．５〜３０重
量部及びＬｉ2 Ｏ換算でＬｉ化合物粉末が上記Ｙ2 Ｏ3
換算量に対し外率で０．１〜１００ｗｔ％の混合粉末か
らなる接合剤をペースト状として塗布する一方、残る面
に前記発熱回路用ペースト等の塗布部と係合可能な凹部
を形成し、かつ、この残る面及び凹部の底面に研削加工
を施して互いに平行で平面度１０μｍ以下とした後、両
プレートを発熱回路用ペースト等の塗布部と凹部が係合
するように平行に積層して不活性ガス又は真空雰囲気に
おいて１５５０℃以上１８５０℃未満の温度で熱処理
し、しかる後に、カバープ用レートの他方の面に研削加
工を施してカバー用プレートの一方の面と平行で平面度
２０μｍ以下とすることを特徴とする。
め、本発明のプレートのヒーターは、粒界成分が酸化イ
ットリウムアルミニウム相のＡｌＮ焼結体からなるカバ
ープレートとベースプレートが発熱回路を介在しＡｌＮ
と酸化イットリウムアルミニウムを主成分とする接合剤
層によって接合され、カバープレートの加熱面の平面度
が２０μｍ以下で、発熱回路と加熱面の間隔の最大値と
最小値の差が５０μｍ以下であることを特徴とする。第
１のプレートヒーターの製造方法は、粒界成分が酸化イ
ットリウムアルミニウム相のＡｌＮ焼結体からなるカバ
ープ用レート及びベース用プレートにおけるカバー用プ
レートの一方の面又はベース用プレートの一方の面のい
ずれかに研削加工を施して平面度１０μｍ以下とし、こ
の一方の面に発熱回路用ペーストを発熱回路パターンで
塗布し、かつ、その面の残余部分にＡｌＮ粉末１００重
量部、Ｙ2 Ｏ3 換算でＹ（イットリウム）化合物粉末
０．５〜３０重量部及びＬｉ2 Ｏ（酸化リチウム）換算
でＬｉ（リチウム）化合物粉末が上記Ｙ2 Ｏ3 換算量に
対し外率で０．１〜１００ｗｔ％の混合粉末からなる接
合剤をペースト状として塗布する一方、残る面に研削加
工を施して平面度１０μｍ以下とし、この一方の面に前
記ペースト状とした接合剤を塗布した後、両プレートを
一方の面同士が当接するように平行に積層して不活性ガ
スまたは真空雰囲気において１５５０℃以上１８５０℃
未満の温度で熱処理し、しかる後に、カバー用プレート
の他方の面に研削加工を施してカバー用プレートの一方
の面と平行で平面度２０μｍ以下とすることを特徴とす
る。第２のプレートヒーターの製造方法は、粒界成分が
酸化イットリウムアルミニウム相のＡｌＮ焼結体からな
るカバー用プレート及びベース用プレートにおけるカバ
ー用プレートの一方の面又はベース用プレートの一方の
面のいずれかに研削加工を施して平面度１０μｍ以下と
し、この一方の面に発熱回路用ペーストを発熱回路パタ
ーンで塗布し、かつ、その面の残余部分にＡｌＮ粉末１
００重量部、Ｙ2 Ｏ3 換算でＹ化合物粉末０．５〜３０
重量部及びＬｉ2 Ｏ換算でＬｉ化合物粉末が上記Ｙ2 Ｏ
3 換算量に対し外率で０．１〜１００ｗｔ％の混合粉末
からなる接合剤をペースト状として塗布し、又、それら
の上に前記ペースト状とした接合剤を塗布する一方、残
る面に研削加工を施して平面度１０μｍ以下とした後、
両プレートを一方の面同士が当接するように平行に積層
して不活性ガス又は真空雰囲気において１５５０℃以上
１８５０℃未満の温度で熱処理し、しかる後に、カバー
用プレートの他方の面に研削加工を施してカバー用プレ
ートの一方の面と平行で平面度２０μｍ以下とすること
を特徴とする。又、第３のプレートヒーターの製造方法
は、粒界成分が酸化イットリウムアルミニウム相のＡｌ
Ｎ焼結体からなるカバープ用レート及びベース用プレー
トにおけるカバー用プレートの一方の面又はベース用プ
レートの一方の面のいずれかに研削加工を施して平面度
１０μｍ以下とし、この一方の面に発熱回路ペーストを
発熱回路パターンで塗布し、かつ、その面の残余部分及
び発熱回路用ペーストを覆うようにしてＡｌＮ粉末１０
０重量部、Ｙ2 Ｏ3 換算でＹ化合物粉末０．５〜３０重
量部及びＬｉ2 Ｏ換算でＬｉ化合物粉末が上記Ｙ2 Ｏ3
換算量に対し外率で０．１〜１００ｗｔ％の混合粉末か
らなる接合剤をペースト状として塗布する一方、残る面
に前記発熱回路用ペースト等の塗布部と係合可能な凹部
を形成し、かつ、この残る面及び凹部の底面に研削加工
を施して互いに平行で平面度１０μｍ以下とした後、両
プレートを発熱回路用ペースト等の塗布部と凹部が係合
するように平行に積層して不活性ガス又は真空雰囲気に
おいて１５５０℃以上１８５０℃未満の温度で熱処理
し、しかる後に、カバープ用レートの他方の面に研削加
工を施してカバー用プレートの一方の面と平行で平面度
２０μｍ以下とすることを特徴とする。
【０００５】粒界成分が酸化イットリウムアルミニウム
相のＡｌＮ焼結体は、例えば、ＡｌＮ粉末にＹ化合物粉
末、適量の有機バインダー（ＰＶＢ）及び有機溶媒（メ
タノール）を添加してボールミル中で混合し、得られた
スラリーをスプレードライヤーを用いて造粒した後、造
粒粉を成形して成形体を得（例えば、一軸金型成形し、
更に、静水圧プレスで加圧して成形体を得ることができ
る）、しかる後に、成形体を空気中又は非酸化性雰囲気
において脱脂し（例えば、４００℃以上の温度で行うこ
とができる）、非酸化性雰囲気（不活性ガス又は真空雰
囲気）において１８００〜２０００℃の温度（好ましく
は１８５０〜１９００℃）で焼成して得られる。Ｙ化合
物粉末は、ＡｌＮ粉末１００重量部に対し、Ｙ2 Ｏ3 換
算で０．５〜２０重量部添加することが好ましい。Ｙ化
合物粉末の添加量が、ＡｌＮ粉末１００重量部に対し、
Ｙ2 Ｏ3 換算で０．５重量部未満であると、液相成分が
不足し緻密な焼結体を得難い。一方、２０重量部を越え
ると、未反応の焼結助剤が残存するおそれがある。Ｙ化
合物としては、後述する接合剤に用いられるものと同様
のものを用いることができる。又、後述するように接合
剤に含まれるＬｉ化合物は蒸発し、接合体（プレートヒ
ーター）中には残留しないため（残留したとしても数ｐ
ｐｍに抑えられる）、ＡｌＮ焼結体に含まれるＬｉ量を
低減することにより、得られるプレートヒーターのＬｉ
含有量を１０ｐｐｍ以下に抑えることができる。
相のＡｌＮ焼結体は、例えば、ＡｌＮ粉末にＹ化合物粉
末、適量の有機バインダー（ＰＶＢ）及び有機溶媒（メ
タノール）を添加してボールミル中で混合し、得られた
スラリーをスプレードライヤーを用いて造粒した後、造
粒粉を成形して成形体を得（例えば、一軸金型成形し、
更に、静水圧プレスで加圧して成形体を得ることができ
る）、しかる後に、成形体を空気中又は非酸化性雰囲気
において脱脂し（例えば、４００℃以上の温度で行うこ
とができる）、非酸化性雰囲気（不活性ガス又は真空雰
囲気）において１８００〜２０００℃の温度（好ましく
は１８５０〜１９００℃）で焼成して得られる。Ｙ化合
物粉末は、ＡｌＮ粉末１００重量部に対し、Ｙ2 Ｏ3 換
算で０．５〜２０重量部添加することが好ましい。Ｙ化
合物粉末の添加量が、ＡｌＮ粉末１００重量部に対し、
Ｙ2 Ｏ3 換算で０．５重量部未満であると、液相成分が
不足し緻密な焼結体を得難い。一方、２０重量部を越え
ると、未反応の焼結助剤が残存するおそれがある。Ｙ化
合物としては、後述する接合剤に用いられるものと同様
のものを用いることができる。又、後述するように接合
剤に含まれるＬｉ化合物は蒸発し、接合体（プレートヒ
ーター）中には残留しないため（残留したとしても数ｐ
ｐｍに抑えられる）、ＡｌＮ焼結体に含まれるＬｉ量を
低減することにより、得られるプレートヒーターのＬｉ
含有量を１０ｐｐｍ以下に抑えることができる。
【０００６】カバープレートの加熱面の平面度（ＪＩＳ
Ｂ０６２１−１９８４）が２０μｍ以下、発熱回路と
加熱面の間隔の最大値と最小値の差が５０μｍ以下であ
ることにより、加熱面温度の最大値と最小値の差が極め
て小さくなる。加熱面の平面度が２０μｍを超え、間隔
の最大、最小値の差が５０μｍを超えると、加熱面温度
の最大、最小値の差が大きくなる。ここで、加熱面温度
の最大値と最小値の差（温度むらの程度）は、加熱面の
設定温度によって変化し、設定温度が低いほど加熱面温
度の最大値と最小値の差は小さく、高いほど加熱面温度
の最大値と最小値の差は大きくなる。本発明によれば設
定温度が３００℃以下の場合には加熱面温度の最大値と
最小値の差が１℃以下となり、設定温度が３００〜６０
０℃の場合には加熱面温度の最大値と最小値の差が２℃
以下となり、設定温度が６００℃を越える場合でも加熱
面温度の最大値と最小値の差を５℃以下に抑えることが
できる。又、平面度が２０μｍを超えると、被加熱物が
加熱面と均一に接触することができず、被加熱物を均一
に加熱できないという不具合も生じる。好ましい平面度
は、１０μｍ以下、又、好ましい間隔の最大、最小値の
差は、３５μｍ以下である。ただし、プレートヒーター
の加熱面の面積が大きくなる程、加熱面の平面度を小さ
く加工することが困難となり、８インチサイズ以下のプ
レートヒーターの場合には１０μｍ以下とする加工は容
易にできるが、８インチを越えるサイズのプレートヒー
ターの場合には、平面度１０μｍを超えて２０μｍ以下
とする加工は容易にできるものの、平面度１０μｍ以下
の加工は困難となる。
Ｂ０６２１−１９８４）が２０μｍ以下、発熱回路と
加熱面の間隔の最大値と最小値の差が５０μｍ以下であ
ることにより、加熱面温度の最大値と最小値の差が極め
て小さくなる。加熱面の平面度が２０μｍを超え、間隔
の最大、最小値の差が５０μｍを超えると、加熱面温度
の最大、最小値の差が大きくなる。ここで、加熱面温度
の最大値と最小値の差（温度むらの程度）は、加熱面の
設定温度によって変化し、設定温度が低いほど加熱面温
度の最大値と最小値の差は小さく、高いほど加熱面温度
の最大値と最小値の差は大きくなる。本発明によれば設
定温度が３００℃以下の場合には加熱面温度の最大値と
最小値の差が１℃以下となり、設定温度が３００〜６０
０℃の場合には加熱面温度の最大値と最小値の差が２℃
以下となり、設定温度が６００℃を越える場合でも加熱
面温度の最大値と最小値の差を５℃以下に抑えることが
できる。又、平面度が２０μｍを超えると、被加熱物が
加熱面と均一に接触することができず、被加熱物を均一
に加熱できないという不具合も生じる。好ましい平面度
は、１０μｍ以下、又、好ましい間隔の最大、最小値の
差は、３５μｍ以下である。ただし、プレートヒーター
の加熱面の面積が大きくなる程、加熱面の平面度を小さ
く加工することが困難となり、８インチサイズ以下のプ
レートヒーターの場合には１０μｍ以下とする加工は容
易にできるが、８インチを越えるサイズのプレートヒー
ターの場合には、平面度１０μｍを超えて２０μｍ以下
とする加工は容易にできるものの、平面度１０μｍ以下
の加工は困難となる。
【０００７】後述する熱処理前のカバー用プレートの一
方の面の平面度が１０μｍ以下となるように研削加工を
行う。熱処理前のカバー用プレートの一方の面の平面度
が１０μｍを超えると、カバー用プレートの一方の面に
ペースト状とした接合剤や発熱回路用ペーストを塗布す
る場合には、均一な厚みで塗布することができず、発熱
回路と加熱面の間隔の最大値と最小値の差が大きくなっ
てしまう。又、塗布しない場合でも、発熱回路と加熱面
の間隔の最大値と最小値の差を大きくする要因となり、
かつ、接合剤層とカバー用プレートの一方の面との間に
わずかな隙間が生じ、両者の密着性が低下するといった
不具合も生じることとなる。好ましい平面度は、８μｍ
以下である。又、カバー用プレートの一方の面に後述す
る発熱回路用ペースト等の塗布部と係合可能な凹部が形
成されている場合には、一方の面（凹部を除く面）及び
凹部の底面の平面度を１０μｍ以下となるように研削加
工を行う。一方の面及び凹部底面の平面度が１０μｍを
超えると、発熱回路と加熱面の間隔の最大値と最小値の
差を大きくする要因となり、かつ、接合剤層とカバー用
プレートの一方の面や凹部の底面との間にわずかな隙間
が生じ、両者の密着性が低下するといった不具合も生じ
ることとなる。好ましい平面度は８μｍ以下である。更
に、熱処理前のカバー用プレートの他方の面にも研削加
工を施して一方の面と平行で平面度１０μｍ以下として
おくことが好ましい。更に又、カバー用プレートの一方
の面（前記凹部を形成する場合には凹部の底面も）の表
面粗さをＲａ＝０．２〜１．０μｍ、Ｒｍａｘ＝２〜８
μｍとしておくことが好ましい。カバー用プレートの一
方の面に発熱回路用ペーストを塗布する場合に、Ｒａ＜
０．２μｍ、Ｒｍａｘ＜２μｍであると、発熱回路の剥
離が生じるおそれがある一方、Ｒａ＞１．０μｍ、Ｒｍ
ａｘ＞８μｍであると、発熱回路の形成に不具合を生じ
る。また、発熱回路用ペーストを塗布しない場合でも、
表面粗さを上記範囲とすることにより接合剤層とカバー
用プレートの一方の面や凹部の底面との密着性を向上さ
せることができる。
方の面の平面度が１０μｍ以下となるように研削加工を
行う。熱処理前のカバー用プレートの一方の面の平面度
が１０μｍを超えると、カバー用プレートの一方の面に
ペースト状とした接合剤や発熱回路用ペーストを塗布す
る場合には、均一な厚みで塗布することができず、発熱
回路と加熱面の間隔の最大値と最小値の差が大きくなっ
てしまう。又、塗布しない場合でも、発熱回路と加熱面
の間隔の最大値と最小値の差を大きくする要因となり、
かつ、接合剤層とカバー用プレートの一方の面との間に
わずかな隙間が生じ、両者の密着性が低下するといった
不具合も生じることとなる。好ましい平面度は、８μｍ
以下である。又、カバー用プレートの一方の面に後述す
る発熱回路用ペースト等の塗布部と係合可能な凹部が形
成されている場合には、一方の面（凹部を除く面）及び
凹部の底面の平面度を１０μｍ以下となるように研削加
工を行う。一方の面及び凹部底面の平面度が１０μｍを
超えると、発熱回路と加熱面の間隔の最大値と最小値の
差を大きくする要因となり、かつ、接合剤層とカバー用
プレートの一方の面や凹部の底面との間にわずかな隙間
が生じ、両者の密着性が低下するといった不具合も生じ
ることとなる。好ましい平面度は８μｍ以下である。更
に、熱処理前のカバー用プレートの他方の面にも研削加
工を施して一方の面と平行で平面度１０μｍ以下として
おくことが好ましい。更に又、カバー用プレートの一方
の面（前記凹部を形成する場合には凹部の底面も）の表
面粗さをＲａ＝０．２〜１．０μｍ、Ｒｍａｘ＝２〜８
μｍとしておくことが好ましい。カバー用プレートの一
方の面に発熱回路用ペーストを塗布する場合に、Ｒａ＜
０．２μｍ、Ｒｍａｘ＜２μｍであると、発熱回路の剥
離が生じるおそれがある一方、Ｒａ＞１．０μｍ、Ｒｍ
ａｘ＞８μｍであると、発熱回路の形成に不具合を生じ
る。また、発熱回路用ペーストを塗布しない場合でも、
表面粗さを上記範囲とすることにより接合剤層とカバー
用プレートの一方の面や凹部の底面との密着性を向上さ
せることができる。
【０００８】発熱回路用ペーストは、導電性粉末にペー
スト用有機溶剤（例えば、ブチルカルビトール、アクリ
ル樹脂及びフタル酸ジブチルの混合物）を添加して調製
され、２００〜５００ポイズの粘度が好ましい。粘度
が、２００ポイズ未満であると、塗布物がだれる（形を
保てない）。一方、５００ポイズを超えると、塗布が良
好に行われず、スクリーン印刷の場合、スクリーンにペ
ーストが残留し、転写が行われない。導電性粉末として
は、Ｗ、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、銀
（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）等の金属粉末若しくはそれらの
混合物又は導電性セラミックスを用いることができる
が、ＡｌＮと熱膨張率が最も近いＷが発熱回路剥離防止
の観点から好ましい。又、Ｗには、Ｍｏ（モリブデ
ン）、Ｎｉ（ニッケル）及びＣｏ（コバルト）粉末の１
種以上を添加することが好ましく、このようにすること
により、低温接合においてＡｌＮ焼結体との密着性を向
上できる。ペーストの塗布は、発熱回路の厚みが均一と
なるように行われなければならず、スクリーン印刷によ
るのが望ましい。
スト用有機溶剤（例えば、ブチルカルビトール、アクリ
ル樹脂及びフタル酸ジブチルの混合物）を添加して調製
され、２００〜５００ポイズの粘度が好ましい。粘度
が、２００ポイズ未満であると、塗布物がだれる（形を
保てない）。一方、５００ポイズを超えると、塗布が良
好に行われず、スクリーン印刷の場合、スクリーンにペ
ーストが残留し、転写が行われない。導電性粉末として
は、Ｗ、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、銀
（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）等の金属粉末若しくはそれらの
混合物又は導電性セラミックスを用いることができる
が、ＡｌＮと熱膨張率が最も近いＷが発熱回路剥離防止
の観点から好ましい。又、Ｗには、Ｍｏ（モリブデ
ン）、Ｎｉ（ニッケル）及びＣｏ（コバルト）粉末の１
種以上を添加することが好ましく、このようにすること
により、低温接合においてＡｌＮ焼結体との密着性を向
上できる。ペーストの塗布は、発熱回路の厚みが均一と
なるように行われなければならず、スクリーン印刷によ
るのが望ましい。
【０００９】接合剤は、その使用時にＬｉ化合物が、先
ず、Ｙ又はＡｌ（アルミニウム）と複合酸化物を作り、
その複合酸化物から酸化イットリウムアルミニウム相
（ほとんどＹＡＧ（Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12）だが、ＹＡＭ（２
Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 又はＹ4Ａｌ2 Ｏ9 ）、ＹＡＰ
（Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 又はＹＡｌＯ3 等を含む。）を
生成し、その融点を低下させる。又、Ｌｉ化合物は、高
温で高蒸気圧を有するため、酸化イットリウムアルミニ
ウム相生成後、接合部分から蒸発し、接合体中に残留し
ない。このため、ＡｌＮ焼結体からなるカバー用プレー
トとベース用プレートが１８５０℃未満の温度で従来と
同等の純度で接合され、又、両プレートに変形を生じな
い。
ず、Ｙ又はＡｌ（アルミニウム）と複合酸化物を作り、
その複合酸化物から酸化イットリウムアルミニウム相
（ほとんどＹＡＧ（Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12）だが、ＹＡＭ（２
Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 又はＹ4Ａｌ2 Ｏ9 ）、ＹＡＰ
（Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 又はＹＡｌＯ3 等を含む。）を
生成し、その融点を低下させる。又、Ｌｉ化合物は、高
温で高蒸気圧を有するため、酸化イットリウムアルミニ
ウム相生成後、接合部分から蒸発し、接合体中に残留し
ない。このため、ＡｌＮ焼結体からなるカバー用プレー
トとベース用プレートが１８５０℃未満の温度で従来と
同等の純度で接合され、又、両プレートに変形を生じな
い。
【００１０】ＡｌＮ粉末は、０．１〜１０μｍの粒径で
あることが望ましく、このようにすることにより、Ｙ化
合物粉末、Ｌｉ化合物粉末の存在のいかんにかかわら
ず、低温での接合強度が向上する。又、ＡｌＮ粉末の粒
径が、０．１μｍ未満であると、ペーストの粘性が上が
り易く、ペースト化が困難となる。一方、１０μｍを超
えると、緻密な接合剤層の形成が困難となり、接合強度
が低下するおそれがある。より好ましい粒径は、０．４
〜２．９μｍである。
あることが望ましく、このようにすることにより、Ｙ化
合物粉末、Ｌｉ化合物粉末の存在のいかんにかかわら
ず、低温での接合強度が向上する。又、ＡｌＮ粉末の粒
径が、０．１μｍ未満であると、ペーストの粘性が上が
り易く、ペースト化が困難となる。一方、１０μｍを超
えると、緻密な接合剤層の形成が困難となり、接合強度
が低下するおそれがある。より好ましい粒径は、０．４
〜２．９μｍである。
【００１１】Ｙ化合物としては、Ｙ2 Ｏ3 、ＹＦ（フッ
化イットリウム）、ＹＡＧ又はＹ2Ｏ3 とＡｌ2 Ｏ3
（アルミナ）をＹＡＧとなる配合比で混合した混合物が
用いられる。Ｙ2 Ｏ3 換算でＹ化合物粉末の添加量が、
０．５重量部未満であると、液相成分が不足して接合で
きない。一方、３０重量部を超えると、接合できない。
好ましい添加量は、１〜１０重量部である。Ｙ化合物粉
末は、０．１〜５０μｍの粒径であることが望ましく、
このようにすることによって、ペースト中での分散性が
向上する。又、Ｙ化合物粉末の粒径が、０．１μｍ未満
であると、ペーストの粘性が上がり易く、ペースト化が
困難となる。一方、５０μｍを超えると、ペースト中で
粉末が沈降し易くなり分散性が低下し、かつ、スクリー
ン印刷によりペースト状とした接合剤を塗布する際に使
用するスクリーンのメッシュが限定される。より望まし
い粒径は、０．１〜１０μｍである。
化イットリウム）、ＹＡＧ又はＹ2Ｏ3 とＡｌ2 Ｏ3
（アルミナ）をＹＡＧとなる配合比で混合した混合物が
用いられる。Ｙ2 Ｏ3 換算でＹ化合物粉末の添加量が、
０．５重量部未満であると、液相成分が不足して接合で
きない。一方、３０重量部を超えると、接合できない。
好ましい添加量は、１〜１０重量部である。Ｙ化合物粉
末は、０．１〜５０μｍの粒径であることが望ましく、
このようにすることによって、ペースト中での分散性が
向上する。又、Ｙ化合物粉末の粒径が、０．１μｍ未満
であると、ペーストの粘性が上がり易く、ペースト化が
困難となる。一方、５０μｍを超えると、ペースト中で
粉末が沈降し易くなり分散性が低下し、かつ、スクリー
ン印刷によりペースト状とした接合剤を塗布する際に使
用するスクリーンのメッシュが限定される。より望まし
い粒径は、０．１〜１０μｍである。
【００１２】Ｌｉ化合物としては、Ｌｉ2 Ｏ、Ｌｉ2 Ｃ
Ｏ3 （炭酸リチウム）、ＬｉＦ（フッ化リチウム）、Ｌ
ｉＮＯ3 （硝酸リチウム）、ＬｉＯＨ（水酸化リチウ
ム）、ＬｉＣｌ（塩化リチウム）、ＬｉＣＨ3 ＣＯＯ
（酢酸リチウム）、Ｙとの複合酸化物及びＡｌとの複合
酸化物の１種以上が用いられる。Ｌｉ2 Ｏ換算でＬｉ化
合物粉末の添加量が、前述したＹ2 Ｏ3 換算量の０．１
ｗｔ％未満であると、１８５０℃未満の温度での接合が
できない。一方、１００ｗｔ％を超えると、接合できな
い。好ましい添加量は、５〜５０ｗｔ％である。Ｌｉ化
合物粉末は、０．１〜５０μｍの粒径であることが望ま
しく、このようにすることによって、ペースト中での分
散性が向上する。又、Ｌｉ化合物粉末の粒径が、０．１
μｍ未満であると、ペーストの粘性が上がり易く、ペー
スト化が困難となる。一方、５０μｍを超えると、ペー
スト中で粉末が沈降し易くなり分散性が低下し、かつ、
スクリーン印刷によりペースト状とした接合剤を塗布す
る際に使用するスクリーンのメッシュが限定される。よ
り望ましい粒径は、０．１〜１０μｍである。なお、Ｌ
ｉＣｌやＬｉＮＯ3 、ＬｉＯＨ、ＬｉＣＨ3 ＣＯＯ等
は、エタノールやアセトン等の有機溶媒に溶解するの
で、それらの有機溶剤可溶性Ｌｉ化合物が有機溶媒に溶
解した溶液と、Ｙ化合物粉末及びＡｌＮ粉末とを混合
し、溶媒を除去後、不活性ガス又は真空雰囲気において
４００〜８００℃の温度（８００℃を超えるとＬｉが揮
発し、低温接合が困難となるおそれがある。）で仮焼す
ると、それらが均一に混合した仮焼粉が得られ、接合剤
となる。仮焼粉は、通常粉砕して使用される（好ましく
は４００メッシュ以下）。ＬｉＣｌ、ＬｉＮＯ3 は、有
機溶媒に対する溶解度が高くこの方法に適しており、特
にＬｉＣｌは潮解性を有し粉末での取り扱いが困難であ
るためこの方法が有効である。
Ｏ3 （炭酸リチウム）、ＬｉＦ（フッ化リチウム）、Ｌ
ｉＮＯ3 （硝酸リチウム）、ＬｉＯＨ（水酸化リチウ
ム）、ＬｉＣｌ（塩化リチウム）、ＬｉＣＨ3 ＣＯＯ
（酢酸リチウム）、Ｙとの複合酸化物及びＡｌとの複合
酸化物の１種以上が用いられる。Ｌｉ2 Ｏ換算でＬｉ化
合物粉末の添加量が、前述したＹ2 Ｏ3 換算量の０．１
ｗｔ％未満であると、１８５０℃未満の温度での接合が
できない。一方、１００ｗｔ％を超えると、接合できな
い。好ましい添加量は、５〜５０ｗｔ％である。Ｌｉ化
合物粉末は、０．１〜５０μｍの粒径であることが望ま
しく、このようにすることによって、ペースト中での分
散性が向上する。又、Ｌｉ化合物粉末の粒径が、０．１
μｍ未満であると、ペーストの粘性が上がり易く、ペー
スト化が困難となる。一方、５０μｍを超えると、ペー
スト中で粉末が沈降し易くなり分散性が低下し、かつ、
スクリーン印刷によりペースト状とした接合剤を塗布す
る際に使用するスクリーンのメッシュが限定される。よ
り望ましい粒径は、０．１〜１０μｍである。なお、Ｌ
ｉＣｌやＬｉＮＯ3 、ＬｉＯＨ、ＬｉＣＨ3 ＣＯＯ等
は、エタノールやアセトン等の有機溶媒に溶解するの
で、それらの有機溶剤可溶性Ｌｉ化合物が有機溶媒に溶
解した溶液と、Ｙ化合物粉末及びＡｌＮ粉末とを混合
し、溶媒を除去後、不活性ガス又は真空雰囲気において
４００〜８００℃の温度（８００℃を超えるとＬｉが揮
発し、低温接合が困難となるおそれがある。）で仮焼す
ると、それらが均一に混合した仮焼粉が得られ、接合剤
となる。仮焼粉は、通常粉砕して使用される（好ましく
は４００メッシュ以下）。ＬｉＣｌ、ＬｉＮＯ3 は、有
機溶媒に対する溶解度が高くこの方法に適しており、特
にＬｉＣｌは潮解性を有し粉末での取り扱いが困難であ
るためこの方法が有効である。
【００１３】接合剤をペースト状とするには、混合粉末
をペースト用有機溶剤（例えば、ブチルカルビトール、
アクリル樹脂及びフタル酸ジブチルの混合物）に分散さ
せて調製され、２００〜５００ポイズの粘度が好まし
い。粘度が、２００ポイズ未満であると、塗布物がだれ
る（形を保てない）。一方、５００ポイズを超えると、
塗布が良好に行われず、スクリーン印刷の場合、スクリ
ーンにペーストが残留し、転写が行われない。ペースト
状とした接合剤の塗布は、接合剤層の厚みが均一となる
ように行われなければならず、スクリーン印刷によるの
が望ましい。なお、ペースト用有機溶剤の除去は、用い
た有機溶剤の特性に合わせて行えばよく、十分除去でき
る温度（例えば、４００℃以上）で不活性ガス雰囲気
（窒素ガス（Ｎ2 ）、アルゴンガス（Ａｒ）等）で脱脂
を行えばよい。
をペースト用有機溶剤（例えば、ブチルカルビトール、
アクリル樹脂及びフタル酸ジブチルの混合物）に分散さ
せて調製され、２００〜５００ポイズの粘度が好まし
い。粘度が、２００ポイズ未満であると、塗布物がだれ
る（形を保てない）。一方、５００ポイズを超えると、
塗布が良好に行われず、スクリーン印刷の場合、スクリ
ーンにペーストが残留し、転写が行われない。ペースト
状とした接合剤の塗布は、接合剤層の厚みが均一となる
ように行われなければならず、スクリーン印刷によるの
が望ましい。なお、ペースト用有機溶剤の除去は、用い
た有機溶剤の特性に合わせて行えばよく、十分除去でき
る温度（例えば、４００℃以上）で不活性ガス雰囲気
（窒素ガス（Ｎ2 ）、アルゴンガス（Ａｒ）等）で脱脂
を行えばよい。
【００１４】後述する熱処理前のベース用プレートの一
方の面の平面度が１０μｍ以下となるように研削加工を
行う。熱処理前のカバー用プレートの一方の面の平面度
が１０μｍを超えると、ベース用プレートの一方の面に
ペースト状とした接合剤や発熱回路用ペーストを塗布す
る場合には、均一な厚みで塗布することができず、発熱
回路と加熱面の間隔の最大値と最小値の差が大きくなっ
てしまう。又、塗布しない場合でも、発熱回路と加熱面
の間隔の最大値と最小値の差を大きくする要因となり、
かつ、接合剤層とベース用プレートの一方の面との間に
わずかな隙間が生じ、両者の密着性が低下するといった
不具合も生じることとなる。好ましい平面度は、８μｍ
以下である。又、ベース用プレートの一方の面に後述す
る発熱回路用ペースト等の塗布部と係合可能な凹部が形
成されている場合には、一方の面（凹部を除く面）及び
凹部の底面の平面度１０μｍ以下となるように研削加工
を行う。一方の面及び凹部の底面の平面度が１０μｍを
超えると、発熱回路と加熱面の間隔の最大値と最小値の
差を大きくする要因となり、かつ、接合剤層とベース用
プレートの一方の面や凹部の底面との間にわずかな隙間
が生じ、両者の密着性が低下するといった不具合も生じ
ることとなる。好ましい平面度は８μｍ以下である。更
に、熱処理前のベース用プレートの他方の面にも研削加
工を施して一方の面と平行で平面度１０μｍ以下として
おくことが好ましい。更に又、ベース用プレートの一方
の面（前記凹部を形成する場合には凹部の底面も）の表
面粗さをＲａ＝０．２〜１．０μｍ、Ｒｍａｘ＝２〜８
μｍとしておくことが好ましい。ベース用プレートの一
方の面に発熱回路用ペーストを塗布する場合に、Ｒａ＜
０．２μｍ、Ｒｍａｘ＜２μｍであると、発熱回路の剥
離が生じるおそれがある一方、Ｒａ＞１．０μｍ、Ｒｍ
ａｘ＞８μｍであると、発熱回路の形成に不具合を生じ
る。また、発熱回路用ペーストを塗布しない場合でも、
表面粗さを上記範囲とすることにより接合剤層とベース
用プレートの一方の面や凹部の底面との密着性を向上さ
せることができる。又、カバー用プレートの一方の面又
はベース用プレートの一方の面に発熱回路用ペースト等
の塗布部と係合可能な凹部が形成されている場合には、
凹部の底面を加工する際に、カバー用プレートの一方の
面又はベース用プレートの一方の面と凹部の底面が互い
に平行となるようにする。カバー用プレートの一方の面
又はベース用プレートの一方の面と凹部の底面が互いに
平行でないと、加熱面と発熱回路の間隔の最大値と最小
値の差を大きくする要因となり、かつ、接合剤層と凹部
との間にわずかな隙間が生じ、両者の密着性が低下する
といった不具合も生じることとなる。更に、カバー用プ
レートの一方の面又はベース用プレートの一方の面の発
熱回路用ペーストを覆うペースト状とした接合剤の厚み
は、その面の残余部分を覆うペースト状の接合剤と同等
とすることが望ましい。カバー用プレート及びベース用
ペレートを一方の面同士が当接するように平行に積層す
る。カバー用プレート及びベース用プレートを一方の面
同士が当接するように平行に積層しないと、加熱面と発
熱回路の間隔の最大値と最小値の差が大きくなってしま
う。更に又、カバー用プレートの一方の面又はベース用
プレートの一方の面に発熱回路用ペースト等の塗布部と
係合可能な凹部が形成されている場合には、カバー用プ
レート及びベース用プレートを発熱回路用ペースト等の
塗布部と凹部が係合するように平行に積層する。カバー
用プレート及びベース用プレートを発熱回路用ベースト
等の塗布部と凹部が係合するように平行に積層しない
と、加熱面と発熱回路の間隔の最大値と最小値の差が大
きくなってしまう。
方の面の平面度が１０μｍ以下となるように研削加工を
行う。熱処理前のカバー用プレートの一方の面の平面度
が１０μｍを超えると、ベース用プレートの一方の面に
ペースト状とした接合剤や発熱回路用ペーストを塗布す
る場合には、均一な厚みで塗布することができず、発熱
回路と加熱面の間隔の最大値と最小値の差が大きくなっ
てしまう。又、塗布しない場合でも、発熱回路と加熱面
の間隔の最大値と最小値の差を大きくする要因となり、
かつ、接合剤層とベース用プレートの一方の面との間に
わずかな隙間が生じ、両者の密着性が低下するといった
不具合も生じることとなる。好ましい平面度は、８μｍ
以下である。又、ベース用プレートの一方の面に後述す
る発熱回路用ペースト等の塗布部と係合可能な凹部が形
成されている場合には、一方の面（凹部を除く面）及び
凹部の底面の平面度１０μｍ以下となるように研削加工
を行う。一方の面及び凹部の底面の平面度が１０μｍを
超えると、発熱回路と加熱面の間隔の最大値と最小値の
差を大きくする要因となり、かつ、接合剤層とベース用
プレートの一方の面や凹部の底面との間にわずかな隙間
が生じ、両者の密着性が低下するといった不具合も生じ
ることとなる。好ましい平面度は８μｍ以下である。更
に、熱処理前のベース用プレートの他方の面にも研削加
工を施して一方の面と平行で平面度１０μｍ以下として
おくことが好ましい。更に又、ベース用プレートの一方
の面（前記凹部を形成する場合には凹部の底面も）の表
面粗さをＲａ＝０．２〜１．０μｍ、Ｒｍａｘ＝２〜８
μｍとしておくことが好ましい。ベース用プレートの一
方の面に発熱回路用ペーストを塗布する場合に、Ｒａ＜
０．２μｍ、Ｒｍａｘ＜２μｍであると、発熱回路の剥
離が生じるおそれがある一方、Ｒａ＞１．０μｍ、Ｒｍ
ａｘ＞８μｍであると、発熱回路の形成に不具合を生じ
る。また、発熱回路用ペーストを塗布しない場合でも、
表面粗さを上記範囲とすることにより接合剤層とベース
用プレートの一方の面や凹部の底面との密着性を向上さ
せることができる。又、カバー用プレートの一方の面又
はベース用プレートの一方の面に発熱回路用ペースト等
の塗布部と係合可能な凹部が形成されている場合には、
凹部の底面を加工する際に、カバー用プレートの一方の
面又はベース用プレートの一方の面と凹部の底面が互い
に平行となるようにする。カバー用プレートの一方の面
又はベース用プレートの一方の面と凹部の底面が互いに
平行でないと、加熱面と発熱回路の間隔の最大値と最小
値の差を大きくする要因となり、かつ、接合剤層と凹部
との間にわずかな隙間が生じ、両者の密着性が低下する
といった不具合も生じることとなる。更に、カバー用プ
レートの一方の面又はベース用プレートの一方の面の発
熱回路用ペーストを覆うペースト状とした接合剤の厚み
は、その面の残余部分を覆うペースト状の接合剤と同等
とすることが望ましい。カバー用プレート及びベース用
ペレートを一方の面同士が当接するように平行に積層す
る。カバー用プレート及びベース用プレートを一方の面
同士が当接するように平行に積層しないと、加熱面と発
熱回路の間隔の最大値と最小値の差が大きくなってしま
う。更に又、カバー用プレートの一方の面又はベース用
プレートの一方の面に発熱回路用ペースト等の塗布部と
係合可能な凹部が形成されている場合には、カバー用プ
レート及びベース用プレートを発熱回路用ペースト等の
塗布部と凹部が係合するように平行に積層する。カバー
用プレート及びベース用プレートを発熱回路用ベースト
等の塗布部と凹部が係合するように平行に積層しない
と、加熱面と発熱回路の間隔の最大値と最小値の差が大
きくなってしまう。
【００１５】不活性ガス雰囲気としては、Ａｒ雰囲気中
やＮ2 雰囲気が用いられ、真空雰囲気としては、１０-1
〜１０-3Ｔｏｒｒの真空雰囲気が用いられる。Ｌｉ化合
物の蒸発除去効果を上げるため、又、接合剤とＡｌＮ焼
結体からなる両プレートとの密着性を上げるため、真空
雰囲気であることが好ましい。
やＮ2 雰囲気が用いられ、真空雰囲気としては、１０-1
〜１０-3Ｔｏｒｒの真空雰囲気が用いられる。Ｌｉ化合
物の蒸発除去効果を上げるため、又、接合剤とＡｌＮ焼
結体からなる両プレートとの密着性を上げるため、真空
雰囲気であることが好ましい。
【００１６】熱処理温度が、１５５０℃未満であると、
接合が行われない。一方、１８５０℃以上であると、Ａ
ｌＮ焼結体である両プレートの変形が大きくなり、特に
真空雰囲気の場合、ＡｌＮ焼結体の粒界成分の移動、蒸
発を生じて所定形状の保持が困難となる。ＡｌＮ焼結体
の変形量は、その大きさや厚みによって異なるため一概
にいえないが、例えば、直径１５０ｍｍ、厚み５ｍｍ、
平面度１０μｍのＡｌＮ焼結体を１８５０℃以上の熱処
理温度で接合した場合、接合後の平面度が３０倍の３０
０μｍになってしまう。これに対し、熱処理温度を１６
００℃とし他を同一条件で接合した後の平面度は３０μ
ｍ以下である。よって、熱熱処理温度は、１５００℃以
上１８５０℃未満とする。好ましい熱処理温度は、１６
５０〜１７５０℃である。この熱処理により、接合剤は
焼結し、両プレート間にＡｌＮと酸化イットリウムアル
ミニウムを主成分とする接合剤層を形成して両プレート
と接合する。その結果、両プレートが強固に接合される
こととなる。又、接合剤層がＡｌＮと酸化イットリウム
アルミニウムを主成分としており、粒界成分が酸化イッ
トリウムアルミニウム相のＡｌＮ焼結体からなるプレー
トと同じ材質であるため、プレートと同様に熱を伝える
ことができ、加熱面における加熱温度のむらを生じな
い。更に、プレートと同様にフッ素系ガス等の腐食性ガ
スに対する耐食性や耐プラズマ性にも優れている。
接合が行われない。一方、１８５０℃以上であると、Ａ
ｌＮ焼結体である両プレートの変形が大きくなり、特に
真空雰囲気の場合、ＡｌＮ焼結体の粒界成分の移動、蒸
発を生じて所定形状の保持が困難となる。ＡｌＮ焼結体
の変形量は、その大きさや厚みによって異なるため一概
にいえないが、例えば、直径１５０ｍｍ、厚み５ｍｍ、
平面度１０μｍのＡｌＮ焼結体を１８５０℃以上の熱処
理温度で接合した場合、接合後の平面度が３０倍の３０
０μｍになってしまう。これに対し、熱処理温度を１６
００℃とし他を同一条件で接合した後の平面度は３０μ
ｍ以下である。よって、熱熱処理温度は、１５００℃以
上１８５０℃未満とする。好ましい熱処理温度は、１６
５０〜１７５０℃である。この熱処理により、接合剤は
焼結し、両プレート間にＡｌＮと酸化イットリウムアル
ミニウムを主成分とする接合剤層を形成して両プレート
と接合する。その結果、両プレートが強固に接合される
こととなる。又、接合剤層がＡｌＮと酸化イットリウム
アルミニウムを主成分としており、粒界成分が酸化イッ
トリウムアルミニウム相のＡｌＮ焼結体からなるプレー
トと同じ材質であるため、プレートと同様に熱を伝える
ことができ、加熱面における加熱温度のむらを生じな
い。更に、プレートと同様にフッ素系ガス等の腐食性ガ
スに対する耐食性や耐プラズマ性にも優れている。
【００１７】なお、接合剤とＡｌＮ焼結体からなる両プ
レートの密着性を高めるため、荷重をかけることが望ま
しい。ホットプレスによる加熱加圧でもよいが、６ｇ／
ｃｍ2 以上の荷重をかけられれば、ホットプレスに限定
するものではない。又、接合に要する熱処理時間は、接
合剤とＡｌＮ焼結体が十分接合し、かつ、Ｌｉ化合物を
十分除去し得ればよく、通常、１〜１０時間でよく、望
ましくは１〜５時間である。カバー用プレートの他方の
面に研削加工を施す際には、カバー用プレートの一方の
面と平行となるようにする。カバー用プレートの一方の
面と他方の面が互いに平行でないと、加熱面と発熱回路
の間隔の最大値と最小値の差が大きくなってしまう。
レートの密着性を高めるため、荷重をかけることが望ま
しい。ホットプレスによる加熱加圧でもよいが、６ｇ／
ｃｍ2 以上の荷重をかけられれば、ホットプレスに限定
するものではない。又、接合に要する熱処理時間は、接
合剤とＡｌＮ焼結体が十分接合し、かつ、Ｌｉ化合物を
十分除去し得ればよく、通常、１〜１０時間でよく、望
ましくは１〜５時間である。カバー用プレートの他方の
面に研削加工を施す際には、カバー用プレートの一方の
面と平行となるようにする。カバー用プレートの一方の
面と他方の面が互いに平行でないと、加熱面と発熱回路
の間隔の最大値と最小値の差が大きくなってしまう。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。実施例１図１は本発明に係
るプレートヒーターの第１の実施形態を示す要部の概念
図である。このプレートヒーターは、６インチサイズの
大きさを有するもので、粒界成分が酸化イットリウムア
ルミニウム相のＡｌＮ焼結体からなる直径１５０ｍｍ、
厚み１ｍｍのカバープレート１と直径１５０ｍｍ、厚さ
５ｍｍのベースプレート２が、Ｗからなる発熱回路３を
介在してＡｌＮと酸化イットリウムアルミニウムを主成
分とする接合剤層４によって接合されると共に、発熱回
路３の周辺に隙間を生じるのをを防止するため、その周
辺にもそれと同等の厚みで接合剤層４が形成され、カバ
ープレート１の加熱面１ａの平面度が２０μｍ以下で、
発熱回路３と加熱面１ａの間隔の最大値と最小値の差が
５０μｍ以下となるように設けられている。
て図面を参照して説明する。実施例１図１は本発明に係
るプレートヒーターの第１の実施形態を示す要部の概念
図である。このプレートヒーターは、６インチサイズの
大きさを有するもので、粒界成分が酸化イットリウムア
ルミニウム相のＡｌＮ焼結体からなる直径１５０ｍｍ、
厚み１ｍｍのカバープレート１と直径１５０ｍｍ、厚さ
５ｍｍのベースプレート２が、Ｗからなる発熱回路３を
介在してＡｌＮと酸化イットリウムアルミニウムを主成
分とする接合剤層４によって接合されると共に、発熱回
路３の周辺に隙間を生じるのをを防止するため、その周
辺にもそれと同等の厚みで接合剤層４が形成され、カバ
ープレート１の加熱面１ａの平面度が２０μｍ以下で、
発熱回路３と加熱面１ａの間隔の最大値と最小値の差が
５０μｍ以下となるように設けられている。
【００１９】上記構成のプレートヒーターにおいては、
加熱面１ａの温度の最大値と最小値の差が極めて小さく
なるので（例えば、加熱面設定温度が６００℃の場合、
６００±１℃となり、最大値と最小値の差は２℃以下と
なる。）極めて均一な加熱を行うことができる。又、接
合剤層４がＡｌＮと酸化イットリウムアルミニウムを主
成分としており、粒界成分が酸化イットリウムアルミニ
ウム相のＡｌＮ焼結体からなるプレートと同じ材質であ
るため、プレートと同様に熱を伝えることができ、加熱
面における加熱温度のむらを生じない。
加熱面１ａの温度の最大値と最小値の差が極めて小さく
なるので（例えば、加熱面設定温度が６００℃の場合、
６００±１℃となり、最大値と最小値の差は２℃以下と
なる。）極めて均一な加熱を行うことができる。又、接
合剤層４がＡｌＮと酸化イットリウムアルミニウムを主
成分としており、粒界成分が酸化イットリウムアルミニ
ウム相のＡｌＮ焼結体からなるプレートと同じ材質であ
るため、プレートと同様に熱を伝えることができ、加熱
面における加熱温度のむらを生じない。
【００２０】上述したプレートヒータを製造するには、
先ず、ＡｌＮ粉末１００重量部、Ｙ 2 Ｏ3 粉末１重量
部、バインダーとしてＰＶＢ３重量部及び有機溶媒とし
て適量のメタノールをボールミル中で１７時間混合し、
得られたスラリーをスプレードライヤーを用いて造粒し
た後、造粒粉を３０ＭＰａの圧力で一軸金型成形し、更
に、１００ＭＰａの圧力で冷間静水圧プレスして成形体
を得、しかる後に、成形体を空気中において６００℃の
温度で脱脂し、Ｎ2 雰囲気において１９００℃の温度で
焼成して直径１５０ｍｍで、厚み２ｍｍと５ｍｍの円板
状の２枚のＡｌＮ焼結体を得てそれぞれカバー用プレー
トとベース用プレートとし、両プレートの一方の面（接
合面）及び他方の面、すなわち両面に研削加工を施し、
両面が互いに平行で、Ｒａ＝０．６５μｍ、Ｒｍａｘ＝
５．２５μｍ、平面度１０μｍとした。次に、発熱回路
用ペーストをＷ粉末にペースト用有機溶剤（ブチルカル
ビトール、アクリル樹脂、フタル酸ジブチルの混合物）
を用いて３００ポイズの粘度に調製し、この発熱回路用
ペーストをカバー用プレートの一方の面にスクリーン印
刷により後述する熱処理後の厚みが均一で２０μｍの厚
みとなるように発熱回路パターンで塗布して乾燥した。
一方、粒径０．４〜２．９μｍのＡｌＮ粉末１００重量
部に対し、粒径０．１〜１０μｍのＹ2 Ｏ3 粉末３重量
部及びＹ2 Ｏ3 粉末に対し外率で３５ｗｔ％のＬｉ2 Ｏ
粉末を添加した混合粉末からなる接合剤をペースト用有
機溶剤（ブチルカルビトール、アクリル樹脂、フタル酸
ジブチルの混合物）を用いて３００ポイズの粘度を有す
るペースト状の接合剤に調製し、このペースト状とした
接合剤をカバー用プレートの一方の面の残余部分にスク
リーン印刷により発熱回路用ペーストと同等の厚みで発
熱回路パターンと逆のパターンで塗布して乾燥した。
又、ベース用プレートの一方の面に上記ペースト状とし
た接合剤をスクリーン印刷により熱処理後の厚みが均一
で１００μｍとなるように塗布して乾燥した。次いで、
所定の端子等を取り付け、両プレートを一方の面同士が
当接するように平行に積層し、ペースト用有機溶剤を除
去するため、Ｎ2 雰囲気において４５０℃の温度で１時
間かけて脱脂し、６ｇ／ｍ2 に調整した荷重をかけ、１
０-2Ｔｏｒｒの真空雰囲気において１６００℃の温度で
３時間かけて熱処理して両プレートを接合した後、カバ
ー用プレートの他方の面に研削加工を施してカバー用プ
レートの一方の面と平行でその厚みを１ｍｍとしてプレ
ートヒーターを得た。プレートヒーターの加熱面１ａの
平面度は、接合後で３１μｍ、研削加工後で１０μｍ以
下であると共に、研削加工後の発熱回路３と加熱面１ａ
の間隔の最大値と最小値の差は、２０μｍ（１ｍｍ±１
０μｍ）であり、加熱面温度の最大値と最小値の差は、
加熱面設定温度６００℃で２℃（６００±１℃）となっ
た。又、接合後のＬｉ残量を調べるため、実施例１と同
一条件で、縦４０ｍｍ，横４０ｍｍ、厚さ５ｍｍのＡｌ
Ｎ焼結体を作製し、化学分析（ＩＣＰ）によって測定し
たところ、Ｌｉ量は１ｐｐｍであり、接合前のＡｌＮ焼
結体にはもともと１ｐｐｍのＬｉが含まれていることが
分かった。次いで、前記ＡｌＮ焼結体を実施例１と同一
条件で１００μｍの厚みの接合剤層を介在して接合して
接合体を得、化学分析（ＩＣＰ）によって測定したとこ
ろ、Ｌｉ量は１．５ｐｐｍであった。従って、接合剤に
Ｌｉ化合物を添加しても、接合体にはほとんどＬｉが残
存しないことが分かる。なお、実施例１でカバー用プレ
ートの一方の面に発熱回路を形成したが、ベース用プレ
ートの一方の面に形成してもよく、又、カバー用プレー
ト及びベース用プレートにおけるカバー用プレートの一
方の面又はベース用プレートの一方の面のいずれかに発
熱回路用ベーストを発熱回路パターンで塗布し、かつ、
その面の残余部分に接合剤をペースト状として塗布し乾
燥した後、それらの上に前記ペースト状とした接合剤を
塗布する一方、残る面に研削加工を施して平面度１０μ
ｍ以下とした後、両プレートを一方の面同士が当接する
ように平行に積層して熱処理し、接合してもよい。 比較例１ ＹＡＧ粉末のみからなる接合剤を用い、Ｎ2 雰囲気にお
いて１９００℃の温度で３時間かけて熱処理して両プレ
ートを接合した以外は実施例１と全く同様にして、プレ
ートヒーターを得た。プレートヒーターの加熱面の平面
度は、接合後で３０ｌμｍ、研削加工後で１０μｍ以下
であると共に、研削加工後の発熱回路と加熱面の間隔の
最大値と最小値の差は３２０μｍ（１ｍｍ±１６０μ
ｍ）であり、加熱面温度の最大値と最小値の差は、加熱
面設定温度６００℃で６０℃（６００℃±３０℃）とな
った。なお、発熱回路と加熱面との間隔は渦電流式膜厚
計により、面内温度分布は赤外線画像装置により測定し
た。
先ず、ＡｌＮ粉末１００重量部、Ｙ 2 Ｏ3 粉末１重量
部、バインダーとしてＰＶＢ３重量部及び有機溶媒とし
て適量のメタノールをボールミル中で１７時間混合し、
得られたスラリーをスプレードライヤーを用いて造粒し
た後、造粒粉を３０ＭＰａの圧力で一軸金型成形し、更
に、１００ＭＰａの圧力で冷間静水圧プレスして成形体
を得、しかる後に、成形体を空気中において６００℃の
温度で脱脂し、Ｎ2 雰囲気において１９００℃の温度で
焼成して直径１５０ｍｍで、厚み２ｍｍと５ｍｍの円板
状の２枚のＡｌＮ焼結体を得てそれぞれカバー用プレー
トとベース用プレートとし、両プレートの一方の面（接
合面）及び他方の面、すなわち両面に研削加工を施し、
両面が互いに平行で、Ｒａ＝０．６５μｍ、Ｒｍａｘ＝
５．２５μｍ、平面度１０μｍとした。次に、発熱回路
用ペーストをＷ粉末にペースト用有機溶剤（ブチルカル
ビトール、アクリル樹脂、フタル酸ジブチルの混合物）
を用いて３００ポイズの粘度に調製し、この発熱回路用
ペーストをカバー用プレートの一方の面にスクリーン印
刷により後述する熱処理後の厚みが均一で２０μｍの厚
みとなるように発熱回路パターンで塗布して乾燥した。
一方、粒径０．４〜２．９μｍのＡｌＮ粉末１００重量
部に対し、粒径０．１〜１０μｍのＹ2 Ｏ3 粉末３重量
部及びＹ2 Ｏ3 粉末に対し外率で３５ｗｔ％のＬｉ2 Ｏ
粉末を添加した混合粉末からなる接合剤をペースト用有
機溶剤（ブチルカルビトール、アクリル樹脂、フタル酸
ジブチルの混合物）を用いて３００ポイズの粘度を有す
るペースト状の接合剤に調製し、このペースト状とした
接合剤をカバー用プレートの一方の面の残余部分にスク
リーン印刷により発熱回路用ペーストと同等の厚みで発
熱回路パターンと逆のパターンで塗布して乾燥した。
又、ベース用プレートの一方の面に上記ペースト状とし
た接合剤をスクリーン印刷により熱処理後の厚みが均一
で１００μｍとなるように塗布して乾燥した。次いで、
所定の端子等を取り付け、両プレートを一方の面同士が
当接するように平行に積層し、ペースト用有機溶剤を除
去するため、Ｎ2 雰囲気において４５０℃の温度で１時
間かけて脱脂し、６ｇ／ｍ2 に調整した荷重をかけ、１
０-2Ｔｏｒｒの真空雰囲気において１６００℃の温度で
３時間かけて熱処理して両プレートを接合した後、カバ
ー用プレートの他方の面に研削加工を施してカバー用プ
レートの一方の面と平行でその厚みを１ｍｍとしてプレ
ートヒーターを得た。プレートヒーターの加熱面１ａの
平面度は、接合後で３１μｍ、研削加工後で１０μｍ以
下であると共に、研削加工後の発熱回路３と加熱面１ａ
の間隔の最大値と最小値の差は、２０μｍ（１ｍｍ±１
０μｍ）であり、加熱面温度の最大値と最小値の差は、
加熱面設定温度６００℃で２℃（６００±１℃）となっ
た。又、接合後のＬｉ残量を調べるため、実施例１と同
一条件で、縦４０ｍｍ，横４０ｍｍ、厚さ５ｍｍのＡｌ
Ｎ焼結体を作製し、化学分析（ＩＣＰ）によって測定し
たところ、Ｌｉ量は１ｐｐｍであり、接合前のＡｌＮ焼
結体にはもともと１ｐｐｍのＬｉが含まれていることが
分かった。次いで、前記ＡｌＮ焼結体を実施例１と同一
条件で１００μｍの厚みの接合剤層を介在して接合して
接合体を得、化学分析（ＩＣＰ）によって測定したとこ
ろ、Ｌｉ量は１．５ｐｐｍであった。従って、接合剤に
Ｌｉ化合物を添加しても、接合体にはほとんどＬｉが残
存しないことが分かる。なお、実施例１でカバー用プレ
ートの一方の面に発熱回路を形成したが、ベース用プレ
ートの一方の面に形成してもよく、又、カバー用プレー
ト及びベース用プレートにおけるカバー用プレートの一
方の面又はベース用プレートの一方の面のいずれかに発
熱回路用ベーストを発熱回路パターンで塗布し、かつ、
その面の残余部分に接合剤をペースト状として塗布し乾
燥した後、それらの上に前記ペースト状とした接合剤を
塗布する一方、残る面に研削加工を施して平面度１０μ
ｍ以下とした後、両プレートを一方の面同士が当接する
ように平行に積層して熱処理し、接合してもよい。 比較例１ ＹＡＧ粉末のみからなる接合剤を用い、Ｎ2 雰囲気にお
いて１９００℃の温度で３時間かけて熱処理して両プレ
ートを接合した以外は実施例１と全く同様にして、プレ
ートヒーターを得た。プレートヒーターの加熱面の平面
度は、接合後で３０ｌμｍ、研削加工後で１０μｍ以下
であると共に、研削加工後の発熱回路と加熱面の間隔の
最大値と最小値の差は３２０μｍ（１ｍｍ±１６０μ
ｍ）であり、加熱面温度の最大値と最小値の差は、加熱
面設定温度６００℃で６０℃（６００℃±３０℃）とな
った。なお、発熱回路と加熱面との間隔は渦電流式膜厚
計により、面内温度分布は赤外線画像装置により測定し
た。
【００２１】図２は本発明に係るプレートヒーターの第
２の実施の形態を示す要部の概念図である。このプレー
トヒーターは、第１の実施形態のものが、カバープレー
ト１の一方の面に形成した発熱回路３の周辺に隙間を生
じるのを防止するため、発熱回路３の周辺にもそれと同
等の厚みの接合剤層４を形成しているのに対し、ベース
プレート２の一方の面（図２においては上面）に発熱回
路３等と係合する凹部５を形成し、発熱回路３を凹部４
と係合させるようにして接合剤層４によって接合したも
のである。他の構成及び作用効果は、第１の実施の形態
のものとほぼ同様であるので、同一の構成部材等には同
一の符号を付してその説明を省略する。
２の実施の形態を示す要部の概念図である。このプレー
トヒーターは、第１の実施形態のものが、カバープレー
ト１の一方の面に形成した発熱回路３の周辺に隙間を生
じるのを防止するため、発熱回路３の周辺にもそれと同
等の厚みの接合剤層４を形成しているのに対し、ベース
プレート２の一方の面（図２においては上面）に発熱回
路３等と係合する凹部５を形成し、発熱回路３を凹部４
と係合させるようにして接合剤層４によって接合したも
のである。他の構成及び作用効果は、第１の実施の形態
のものとほぼ同様であるので、同一の構成部材等には同
一の符号を付してその説明を省略する。
【００２２】上述したプレートヒーターを製造するに
は、先ず、第１の実施の形態のものと同様にしてカバー
用プレートとベース用プレートを得た後、カバー用プレ
ートの両面及びベース用プレートの他方の面に同様の精
度の研削加工を施した。又、ベース用プレートの一方の
面には、後述する発熱回路用ペースト等の塗布部と係合
可能な凹部を形成し、一方の面（凹部を除く面）及び凹
部の底面の平面度を１０μｍ以下、Ｒａ＝０．６５μ
ｍ、Ｒｍａｘ＝５．５２μｍとなるように、かつ、一方
の面と凹部の底面が互いに平行となるように研削加工を
施した。凹部の形成は、成形体の成形時に行うようにし
てもよい。次に、カバー用プレートの一方の面に、第１
の実施の形態のものと同様にして発熱回路用ペーストを
発熱回路パターンで塗布して乾燥した後、その面の残余
部分に第１の実施の形態のものと同様にしてペースト状
とした接合剤を塗布して乾燥し、更に、発熱回路用ペー
ストの上面及びその適宜周辺部に第１の実施の形態のも
のと同様のペースト状とした接合剤をスクリーン印刷に
より塗布して乾燥した。次いで、所定の端子等を取り付
け、両プレートを発熱回路用ペースト等の塗布部と凹部
が係合するように平行に積層し、ペースト用有機溶剤を
除去するため、Ｎ2 雰囲気において４５０℃の温度で１
時間かけて脱脂し、６ｇ／ｃｍ2 に調整した荷重をか
け、第１の実施の形態のものと同一条件で熱処理して両
プレートを接合した後、同様にカバー用プレートの他方
の面に研削加工を施してカバー用プレートの一方の面と
平行でその厚みを１ｍｍとしてプレートヒーターを得
た。プレートヒーターは、第１の実施の形態のものとほ
ぼ同様の性能を示した。
は、先ず、第１の実施の形態のものと同様にしてカバー
用プレートとベース用プレートを得た後、カバー用プレ
ートの両面及びベース用プレートの他方の面に同様の精
度の研削加工を施した。又、ベース用プレートの一方の
面には、後述する発熱回路用ペースト等の塗布部と係合
可能な凹部を形成し、一方の面（凹部を除く面）及び凹
部の底面の平面度を１０μｍ以下、Ｒａ＝０．６５μ
ｍ、Ｒｍａｘ＝５．５２μｍとなるように、かつ、一方
の面と凹部の底面が互いに平行となるように研削加工を
施した。凹部の形成は、成形体の成形時に行うようにし
てもよい。次に、カバー用プレートの一方の面に、第１
の実施の形態のものと同様にして発熱回路用ペーストを
発熱回路パターンで塗布して乾燥した後、その面の残余
部分に第１の実施の形態のものと同様にしてペースト状
とした接合剤を塗布して乾燥し、更に、発熱回路用ペー
ストの上面及びその適宜周辺部に第１の実施の形態のも
のと同様のペースト状とした接合剤をスクリーン印刷に
より塗布して乾燥した。次いで、所定の端子等を取り付
け、両プレートを発熱回路用ペースト等の塗布部と凹部
が係合するように平行に積層し、ペースト用有機溶剤を
除去するため、Ｎ2 雰囲気において４５０℃の温度で１
時間かけて脱脂し、６ｇ／ｃｍ2 に調整した荷重をか
け、第１の実施の形態のものと同一条件で熱処理して両
プレートを接合した後、同様にカバー用プレートの他方
の面に研削加工を施してカバー用プレートの一方の面と
平行でその厚みを１ｍｍとしてプレートヒーターを得
た。プレートヒーターは、第１の実施の形態のものとほ
ぼ同様の性能を示した。
【００２３】なお、プレートヒーターは、上述したもの
に限らず、ベースプレートにＲＦ電極を内蔵させるよう
にしてもよく、同様に製造できる。
に限らず、ベースプレートにＲＦ電極を内蔵させるよう
にしてもよく、同様に製造できる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のプレート
ヒーターとその製造方法によれば、カバープレートの加
熱面の温度の最大値と最小値の差が極めて小さくなるの
で、極めて均一な加熱を行うことができる。
ヒーターとその製造方法によれば、カバープレートの加
熱面の温度の最大値と最小値の差が極めて小さくなるの
で、極めて均一な加熱を行うことができる。
【図１】本発明に係るプレートヒーターの第１の実施の
形態を示す要部の概念図である。
形態を示す要部の概念図である。
【図２】本発明に係るプレートヒーターの第２の実施の
形態を示す要部の概念図である。
形態を示す要部の概念図である。
１ カバープレート １ａ 加熱面 ２ ベースプレート ３ 発熱回路 ４ 接合剤層 ５ 凹部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K034 AA03 AA06 AA10 AA16 AA34 BB04 BC04 BC15 BC25 FA14 FA33 JA01 JA10 3K092 PP20 QA05 QB02 QB03 QB33 QB62 QB70 QB76 RF03 RF11 RF25 SS12 SS18 SS31 VV22
Claims (4)
- 【請求項１】 粒界成分が酸化イットリウムアルミニウ
ム相のＡｌＮ焼結体からなるカバープレートとベースプ
レートが発熱回路を介在しＡｌＮと酸化イットリウムア
ルミニウムを主成分とする接合剤層によって接合され、
カバープレートの加熱面の平面度が２０μｍ以下で、発
熱回路と加熱面の間隔の最大値と最小値の差が５０μｍ
以下であることを特徴とするプレートヒーター。 - 【請求項２】 粒界成分が酸化イットリウムアルミニウ
ム相のＡｌＮ焼結体からなるカバー用プレート及びベー
ス用プレートにおけるカバー用プレートの一方の面又は
ベース用プレートの一方の面のいずれかに研削加工を施
して平面度１０μｍ以下とし、この一方の面に発熱回路
用ペーストを発熱回路パターンで塗布し、かつ、その面
の残余部分にＡｌＮ粉末１００重量部、Ｙ2 Ｏ3 換算で
Ｙ化合物粉末０．５〜３０重量部及びＬｉ2 Ｏ換算でＬ
ｉ化合物粉末が上記Ｙ2 Ｏ3 換算量に対し外率で０．１
〜１００ｗｔ％の混合粉末からなる接合剤をペースト状
として塗布する一方、残る面に研削加工を施して平面度
１０μｍ以下とし、この一方の面に前記ペースト状とし
た接合剤を塗布した後、両プレートを一方の面同士が当
接するように平行に積層して不活性ガス又は真空雰囲気
において１５５０℃以上１８５０℃未満の温度で熱処理
し、しかる後に、カバー用プレートの他方の面に研削加
工を施してカバー用プレートの一方の面と平行で平面度
２０μｍ以下とすることを特徴とするプレートヒーター
の製造方法。 - 【請求項３】 粒界成分が酸化イットリウムアルミニウ
ム相のＡｌＮ焼結体からなるカバー用プレート及びベー
ス用プレートにおけるカバー用プレートの一方の面又は
ベース用プレートの一方の面のいずれかに研削加工を施
して平面度１０μｍ以下とし、この一方の面に発熱回路
用ペーストを発熱回路パターンで塗布し、かつ、その面
の残余部分にＡｌＮ粉末１００重量部、Ｙ2 Ｏ3 換算で
Ｙ化合物粉末０．５〜３０重量部及びＬｉ2 Ｏ換算でＬ
ｉ化合物粉末が上記Ｙ2 Ｏ3 換算量に対し外率で０．１
〜１００ｗｔ％の混合粉末からなる接合剤をペースト状
として塗布し、又、それらの上に前記ペースト状とした
接合剤を塗布する一方、残る面に研削加工を施して平面
度１０μｍ以下とした後、両プレートを一方の面同士が
当接するように平行に積層して不活性ガス又は真空雰囲
気において１５５０℃以上１８５０℃未満の温度で熱処
理し、しかる後に、カバー用プレートの他方の面に研削
加工を施してカバー用プレートの一方の面と平行で平面
度２０μｍ以下とすることを特徴とするプレートヒータ
ーの製造方法。 - 【請求項４】 粒界成分が酸化イットリウムアルミニウ
ム相のＡｌＮ焼結体からなるカバー用プレート及びベー
ス用プレートにおけるカバー用プレートの一方の面又は
ベース用プレートの一方の面のいずれかに研削加工を施
して平面度１０μｍ以下とし、この一方の面に発熱回路
ペーストを発熱回路パターンで塗布し、かつ、その面の
残余部分及び発熱回路用ペーストを覆うようにしてＡｌ
Ｎ粉末１００重量部、Ｙ2 Ｏ3 換算でＹ化合物粉末０．
５〜３０重量部及びＬｉ2 Ｏ換算でＬｉ化合物粉末が上
記Ｙ2 Ｏ3 換算量に対し外率で０．１〜１００ｗｔ％の
混合粉末からなる接合剤をペースト状として塗布する一
方、残る面に前記発熱回路用ペースト等の塗布部と係合
可能な凹部を形成し、かつ、この残る面及び凹部の底面
に研削加工を施して互いに平行で平面度１０μｍ以下と
した後、両プレートを発熱回路用ペースト等の塗布部と
凹部が係合するように平行に積層して不活性ガス又は真
空雰囲気において１５５０℃以上１８５０℃未満の温度
で熱処理し、しかる後に、カバー用プレートの他方の面
に研削加工を施してカバー用プレートの一方の面と平行
で平面度２０μｍ以下とすることを特徴とするプレート
ヒーターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05177399A JP3486745B2 (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | プレートヒーターとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05177399A JP3486745B2 (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | プレートヒーターとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000252045A true JP2000252045A (ja) | 2000-09-14 |
| JP3486745B2 JP3486745B2 (ja) | 2004-01-13 |
Family
ID=12896279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05177399A Expired - Fee Related JP3486745B2 (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | プレートヒーターとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3486745B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004079734A (ja) * | 2002-08-15 | 2004-03-11 | Ngk Insulators Ltd | 加熱装置 |
| JP2005022966A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-27 | Tokuyama Corp | 窒化アルミニウム接合体及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-02-26 JP JP05177399A patent/JP3486745B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004079734A (ja) * | 2002-08-15 | 2004-03-11 | Ngk Insulators Ltd | 加熱装置 |
| JP2005022966A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-27 | Tokuyama Corp | 窒化アルミニウム接合体及びその製造方法 |
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|---|---|
| JP3486745B2 (ja) | 2004-01-13 |
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