JP2000500242A - フィルム剥離方法 - Google Patents

フィルム剥離方法

Info

Publication number
JP2000500242A
JP2000500242A JP9509806A JP50980697A JP2000500242A JP 2000500242 A JP2000500242 A JP 2000500242A JP 9509806 A JP9509806 A JP 9509806A JP 50980697 A JP50980697 A JP 50980697A JP 2000500242 A JP2000500242 A JP 2000500242A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
processing
agent
stripping
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9509806A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000500242A5 (ja
JP4035165B2 (ja
Inventor
デビッド ティー. バローン
ラインハルト シュナイダー
Original Assignee
アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング filed Critical アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
Publication of JP2000500242A publication Critical patent/JP2000500242A/ja
Publication of JP2000500242A5 publication Critical patent/JP2000500242A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4035165B2 publication Critical patent/JP4035165B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/041Cleaning travelling work
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0085Apparatus for treatments of printed circuits with liquids not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46; conveyors and holding means therefor
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1111Using solvent during delaminating [e.g., water dissolving adhesive at bonding face during delamination, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168Gripping and pulling work apart during delaminating
    • Y10T156/1189Gripping and pulling work apart during delaminating with shearing during delaminating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Materials For Medical Uses (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 本発明は、プレート状の電気メッキ板の表面からレジスト層を容易に濾過可能な粒子の形状において均一に化学的に引き離すための方法と装置に関する。上記方法は導体プレート技術の連続製造の水平設備において最も好ましい適用を与えられる。従来技術においてはスプレープロセスや噴き付けプロセスがレジスト剥離のために用いられている。他にも色々あるが、溶解するためにレジストが使用済溶液から完全に濾し出しできないことで、浴の耐用期間が短いことが欠点である。本発明によれば、レジストはほどよく流れる処理液体で導体プレート表面から剥ぎ取られる。第1プロセスステップにおいて、細長いスウェルノズルで大量の処理液体が溢れ出しのために導体プレートの表面にスウェルされる。第2ステップにおいて特に好都合に加圧及び吸引領域を有したスウェルノズルがフィルム剥離に用いられる。後処理が強い流れの助けで滔々と流れて実施される。多段のカスケードすすぎで上記方法は汚水なしで作用し、剥離剤の耐用期間が伸びる。表面から剥離されたレジストは最短のルートですばやく固形物フィルターに送られ、溶解前に溶媒から分離される。フィルムはほぼ完全に且つほとんど乾燥して濾し出される。

Description

【発明の詳細な説明】 フィルム剥離方法 本発明は、溶媒を用いてプレート状の電気メッキ物、例えば導体プレート(プ リント配線回路基板等)や導体箔の表面から容易に濾過可能な粒子の形状でレジ スト、特にフォトレジストの層を均一で化学的に剥離するための並びに剥離され たレジストを上記溶媒から除去するための方法に関するものである。 導体プレート技術において、処理されない表面の被覆のためにレジストが用い られている。このために例えばフォトレジスト及び孔版捺染ラッカー(Siebdruck lacke)が使用される。 導体プレートの製造の際、なかんずく次のプロセスステップが実行される。 - 全表面を銅で金属化され場合によってはスルーホールメッキされたプレートに 、フィルムとも称される固体乃至液体フォトレジストで表層処理すること.この 際、ふつうは感光性膨潤ポリマーが問題となる。 - 用いられる導体プレートプロセスに応じてポジ/ネガで導体画線(Leiterbild) を再現するマスクを介して上記フィルムを露光すること. - フィルムを現像すること.その場合、露光されていない個所はフィルムから解 放される。残りの個所は硬く接着力のある層とし て処理対象物表面にとどまる。 - 導体画線構造でのフィルムで被われていない表面を電気メッキすること、それ もエッチングレジストとして銅で、次いでスズ又はスズ/鉛合金でメッキするこ と. - フィルムを剥がすこと.この際、レジストフィルムは水性溶媒で表面から剥ぎ 取られ、完全に除去される。 - フィルムによって被覆された銅層をエッチングすること. - スズ又はスズ/鉛合金からなるエッチングレジスト層(レジスト被膜)を腐食 洗浄すること. フィルム剥離(Filmstrippen)は、好ましくは水平の連続設備において化学的に 実施される。この場合、処理されるべき表面は溶れる(angespritzt)。フィルム剥離のための普及した薬剤は苛性ソーダ溶液であ る。更にこのために、例えばアミノ化合物又はイオンの窒素化合物並びにアルカ リ乃至アルカリ土類水酸化物並びにこれら化合物の混合物を含有する水溶液が公 知である。剥離の際、フィルムはできる限り剥ぎ取られるべきであって、溶解さ れるべきでない。なぜなら溶液に溶解したフィルムはもはや濾し出され得ないか らである。それに由来して、対応する廃棄物処理の問題と特に浴の寿命が短いこ ととが結果として生じる。それ故、このためにフィルムは第1方法ステップにお いて先ず表面腐食 Quell)ステップとも称される表面腐食の方法ステップ並びに剥 び/又は噴き付けレジスタ(Spritzregistern)を備えた共通の浴において実施さ れる。 公知の方法の場合、次の欠点が生じる: - 溶液がフィルムを許容可能な時間において表面腐食するが後続する剥ぎ取りの 際に当該フィルムを激しく溶解しすぎないように溶媒の濃度を選択しなければな らない。このちぐはぐさは妥協でのみ解決可能である。長すぎる処理時間で溶液 中にフィルムの一部があると濾過でもはや除去することができない。短すぎる処 理時間ではフィルムを表面から充分に除去されない。 大量の活性液体を表面に送ることができないので、膨潤のためには長いスプレー 時間が必要である。膨潤されるべきフィルムとの溶液の緊密な接触がない。 - フィルムは高圧での集中的噴き付けによって導体プレート表面から剥ぎ取られ る。しかしながら、その場合フィルムは小さな破片に砕かれる。この破片はその 大きな表面のためにすばやく溶解する。剥ぎ取られたフィルムを溶液から除去す るための機械的に有効なフィルターはフィルムの溶解分にとっては効力がない。 このようなフィルム剥離浴の寿命はそれ故に不十分である。 - スプレーや噴き付けの際の気泡(Schaum)形成の防止のために、水溶液に消泡剤 が添加されなければならない。この消泡剤の使用によって多数の欠点が生じる: ・上記消泡剤が、運転容器の壁や搬送ローラに沈積することとなるどろどろし た粘着性の乳濁液を成形する。 ・上記容器がクリーニング困難である。 ・搬送ローラによって粘着性の乳濁液が処理対象物の表面上に広がる。後続の プロセスはこれによって影響を受ける。時々、スズ/鉛合金の剥離の際にミスが 生じる。粘着性の乳濁液は特に非 れる。汚れを取り除くために、高圧で表面を噴き付けることが試される。もっと もこれは導体プレートの場合にのみほどよい成果を収めることができるだけであ る。導体箔は噴き付け処理の場合搬送困難である。高い噴射圧、例えば10バー ルで導体箔はもはや搬送することができず、あるいは箔表面が十分に受け入れら れない多数のガイド要素を必要とする。 ・消泡剤は、容器や搬送ローラのプラスチック材料から可塑剤を浸出する重合 剤である。それ故に設備は特殊鋼から製造されなければならない。その製造コス トは設備がプラスチックからなる場合の約2倍の高さである。 - スプレーや噴き付けによって絶え間なく空気が溶液中に取り込まれる。これに よって望ましくない化学反応が進行する: ・空気によって酸素と二酸化炭素が塩基性溶媒中に取り込まれる。それで灰汁 が反応して炭酸塩となる。例えば苛性ソーダ溶液から炭酸ナトリウムが形成され る。この反応は高められた運転温度、例えば60℃〜65℃になる運転温度によ って支援される。 しかしながら、形成された炭酸塩は溶媒からもはや経済的に分離することができ ない。高まった炭酸塩含有量において溶媒の効能は低下する。剥離速度は増大す る炭酸塩含有量につれて減少し、その結果、浴の寿命が縮まる。 ・噴き付けの際にフィルム剥離溶液にもたらされる酸素は、スズ層又はスズ/ 鉛合金層のスズと反応して錫石(SnO(OH)x)となる。当該錫石は次の問題 を引き起こす: - 錫石は高めの温度でこの温度にとって必要な特殊鋼容器壁に、実際上もはや 除去することができないようにしっかりと付着して沈積する。 - 錫石はフィルムを取り除かれた銅表面にも沈殿する。これにより被われた面 は、後続での銅エッチング溶液において腐食されないか腐食されても不完全であ る。 - 錫石は導路(Leiterbahn)のスズ乃至鉛/スズエッチングレジスト層にも生じ る。それ故にエッチングレジストの後除去の際にこの欠陥個所では処理を長めに 行う必要がある。これによって欠陥個所の範囲外では銅導路の望ましくない剥削 (Abtrag)となる。 - 噴き付けによって追加的に設備技術上の問題を引き起こす: ・噴き付けによって膨潤剤(Queller)の溶媒を剥ぎ取り範囲の溶媒から分離し ておくことが簡単な手段では可能でない。これは膨潤剤溶液の寿命にとって利点 を有していた。剥ぎ取り範囲においてのみ機械手段により分離されるべきフィル ムが生じ、当該フィルムは確かに膨潤剤においてすばやく溶解する。更に夫々の プ ロセスステップに正確に適合する溶媒の種々の濃度で作用することが可能であっ た。しかしながら噴き付けレジスタによって両方の範囲の溶液は混合する。上記 のように接着力のある汚れの、並びに過剰に電気メッキされた個所(レジスト層 を越えるきのこ状の覆いつくし)からのレジストの完全な除去に際して問題があ る場合、上記したマイナスの作用が強くなる。この場合、大きな噴き付け圧、例 えば10バール以上の圧力で作用されなければならない。結果は更に大きな相互 噴き付けとレジスト層の剥ぎ取りのための次の溶液との膨潤剤溶液の混合である 。公知の設備におい は、それによって大幅に水泡に帰せしめられる。この際、剥ぎ取られたフィルム 粒子は膨潤剤範囲にも到達する。そこで当該粒子は溶解し、それで極めて大きく この溶液でも寿命を減らす。両溶液の種々の濃度は維持されない。 ・噴き付けによって、水平設備による導体箔の安全な搬送は危うい。この箔に 特に多層の内側層(Innenlagen)も一部とされる。当該内側層は重要な製造の割り 当て分を有する。言い替えれば、その製造は廉価で安全に行わなければならず、 これは噴き付け技術では不十分にしかできない。 - ひっくるめてフィルム剥離剤の寿命は不十分である。当該寿命は約1週間から 1ケ月である。 - 上記方法は大量の廃液を生ぜしめる。 ドイツ連邦共和国特許出願第3201880号公開公報(DE 32 01 880 A1)において、導体プレートの遅滞ない被覆除去のための方法が開示され 、そこでは被覆除去されるべき導体プレートがアルカリ性溶液と短時間接触され 、化学的溶解プロセスの開始前に温水と接触される。これによって、レジスト層 は単に表面腐食され、次いでまずまずの大きさの粒子又は薄平べったい塊で剥離 される。上記方法の実施のために、処理されるべき導体プレートは水平姿勢で装 置内を動かされ、その際に処理液体が、搬送経路に平行で上側の導体プレート稜 辺の近傍に配置されたスリットノズルから、導体プレート表面に送られ、そこか ら表面をしたたり落ちる。しかしながら、これによって必要な処理液体が均一に 導体プレート表面に近づけることができない。おまけに導体プレートにおける孔 への流れ込みが妨げられる。なぜならば、表面を滑り落ちる液体が他方の側から の液体の通り抜けを妨げ、逆向きにするからである。更にそのような設備におい て箔の搬送は不可能である。 最終的に、レジスト層の剥離のためにブラシ又は据付式拭い取りブレードも用 いることが、これらなしでは明らかに確実なレジスト除去が可能でないので、提 案される。これらブラシは粘着性のレジストで急速に動きが悪くなる:拭い取り ブレードに剥離レジストがくっついたままとなる。これによって、その実効性が 低下する。その上、導体プレート表面はこの機械的処理によって軽微ながら損傷 を受ける。 ドイツ連邦共和国特許出願第3011061号公開公報(DE 30 11 061 A1)において、導体プレートに対するスプレー及び噴き付け工程の強化 のための方法が開示されており、ここでは導体プ schwallstrecke)を通って案内されるようになっており、その際に上記スウェル 区間は、導体プレートに対する搬送路より低い位置で、スプレー剤が出る少なく とも1本のスリット管からなっている。 他の文献たるドイツ連邦共和国特許出願第3916694号公開公報(DE 39 1 6 694 A1)によれば、そのようなスウェル区間はまた導体プレートの清浄(Reinig ung、クリーニング)と化学処理のために用いられ得、その際、ここで開示され た設備において追加的に導体プレートの一方の側で且つスウェル区間に対峙して 吸引区間が備えられている。 もっとも、これら両文献においては導体プレートの被覆除去及び剥ぎ取りレジ ストの使用溶媒からの分離並びにこのために必要な処置に関する指摘が含まれて いない。 むしろ、開示の方法と装置では、良好な物質移動(物質交換)を保証するため に導体プレートに備えられた孔をできる限り効果的に貫流することが意図される 。しかしながら、これは、レジストがもっぱら導体プレート外面に塗布され、そ れ故にそこからも除去されなければならないので、導体プレートの被覆除去の際 に重要な役割を果たさない。 もっとも、フィルム剥離設備の開発は、進歩するファイン導体 (精密導体)技術をもってして、どんどん高圧噴き付けの方向に促進された。 それに起因して本発明は、従来技術の欠点を避け、特に処理浴の長い寿命を保 証し並びに廉価な廃棄物処理のために大幅に汚水なしで濾過可能な軽量粒子の形 状の剥ぎ取リフィルムを分離することができることを課題とする。更に均一なフ ィルム剥離によって、銅のエッチングやスズ/鉛剥離のような後続するプロセス が乱されるのではなく影響を受けることになる。結局、上記方法によって設備の 長さが短くなり、プロセス時間も短くすることが可能となる。 上記課題は請求の範囲第1項及び第13項によって解決される。本発明の好ま しい実施態様は、従属請求項に示される。 従来の見解に反して、高圧噴き付け設備は特にファイン導体の被覆除去の際の 問題を克服することができ、導体プレート上の除去されるべきフィルムと緊密接 触の関係にある鎮静化した液体の流れははるかに良好な結果と更に設備技術上の 利点を可能にしたことが判った。もっとも導体プレートをおよそ液で浸すのに十 分でないことも判った。ここで拡散層での液交換は著しく僅かである。ともかく 大量の液体を運ぶ(もたらす)スウェルノズルの使用は所望の成果をもたらした 。このノズルの採用によって噴き付けノズルの上記欠点とそれにより引き起こさ れた結果は回避される。ごく僅かの消泡剤が必要であるか、当該消泡剤は必要で ない。溶液中への空気流入はほぼ完全になくなる。プロセス全体の原則 的に良好な実効性のために、高い運転温度は必要でない。これは例えばポリプロ ピレンからなるような合成物質容器の使用を可能にする。 本発明に係る方法は噴き付けノズルなしで有効に作用する。公知のスプレープ ロセス及び噴き付けプロセスは鎮静化した液体の流れでのプロセスステップより も有効性が小さいことが判明した。鎮静化した液体の流れは、処理対象物のそば にノズルが配置され、小さな超過圧力での大量の適度に流れる液体での処理と解 釈される。スウェルノズルからのスウェルがこのための例示である。スウェルノ ズルは、僅かな超過圧力での大量の処理液体が連続したスウェルとして処理対象 物の表面にもたらされるような長く伸びたノズルと解釈される。上記スウェルの 横断面は、ノズルの縦スリットの幅に依存して噴き付けノズルと比べて大きい。 そのように生じたスウェル輪郭体は停滞波とも称される。ドイツ連邦共和国特許 出願第3528575号公開公報(DE 35 28 575 A1)に記載されるような長く伸 びたスウェルノズルがフィルムの膨潤と剥ぎ取りに対して有効であることが実証 される。このノズルは大量の液体を搬送するのに適する。それで例えば700m mのノズル長さで1秒当たり約7m3の液体が通過可能である。液体の一部は導 体プレートの孔を通り反対側の面に到達する。それでスウェルノズルは導体プレ ートに両面で作用する。このようにして、液体が隣接する処理浴に噴き付けられ ることなく、液体と導体プレート表面の間で激しい(集中的な)接触が作り出さ れる。 電気メッキ対象物、好ましくは導体プレートや導体箔は、適切な搬送手段によ って搬送面において水平な姿勢で水平方向に、多数の相前後して配置された処理 ステーションを通って搬送される。少なくともレジスト層が膨れ剥ぎ取られる処 理ステーションにおいて、搬送方向に横向きで搬送面に対し平行で僅かに間隔を おいた少なくとも1本の長く伸びたスウェルノズルが備えられる。このスウェル ノズルによって処理液体は導体プレート表面に対してスウェルとしてもたらされ る。 上記スウェルノズルは互いに向き合っているか、互い違いにずれて相対して配 置されている。 これらノズルは好ましくは導体プレートの搬送方向に対し横向きに連続設備の 運転全幅にわたって広がっている。上方のスウェルノズルの下方位置に、導体プ レートに対し僅かな間隔で当該導体プレートの下面に対向する受け容器が導体プ レート孔を通って到達する処理液体のためにある。これは導体プレート表面での 上方スウェルノズルの両面作用を促す。 ノズルがそれぞれ少なくとも1つの加圧室とその横に配置された吸引室と備え 、それぞれが少なくとも1つのスリットを有し、そのスリットが電気メッキ対象 物の同じ側に開いているのが、特に有利であることが判明した。これによって導 体プレート表面に対し平行に強力な流れが達成される。 レジスト層は先ず第1の処理ステーションにおいて膨潤剤によって膨潤される 。後続する処理段階において、これは濾過可能な 軽量粒子の形状で剥離剤によって剥ぎ取られる。処理液体として、本発明に係る 方法の全てのプロセスステップにおいて溶媒濃縮物の水溶液が用いられる。溶媒 濃縮物の計量添加は、処理液体が膨潤剤として用いられる第1処理ステーション においてのみ行われる。それ故、濃度は浴毎に異なる。オーバーフローによって 並びに処理対象物の引き出し(Ausschleppung)によって、処理液体は、レジスト 層のための剥離剤が存する第2処理ステーションにも達する。基本的に水による 最初の洗浄(水洗)である第3のプロセスステップは、第2処理ステーションか らの引き出しによって剥離剤を補充される。剥離剤のフィルター逆流(第3処理 ステーションへ戻る溶液の流れ)は要求によって3つのプロセスステップ全てに 完全に又は部分的に導かれる。それで全てのプロセスステップにおいて個別の溶 媒濃度が調整され維持される。処理液体の適切な液体案内によって両剤の混合が 十分に防止される。それ故、或る浴から他の浴へと液体の制御されない噴き付け は行われない。溶液は水平設備の作業空間における公知のローラ、例えば押し潰 しローラ(Abquetschwalzen)と堰によって、並びに分けられた受け容器と貯蔵容 器によって、及び分けられた循環案内によって確実に且つほぼ完全に分離される 。引き出しのみがそのままである。この分離によって、基本的にフィルム剥離の ための浴のみが剥ぎ取られたポリマーを負荷され、このことが3段階の全プロセ スの耐久性向上に寄与する。 以下、個々の処理ステップを記載する: 第1プロセスステップ、膨潤: 膨潤プロセスは高濃度で溶媒を有する膨潤剤で操作される。溶液は既述のスウ ェルの間、導体プレート表面と激しく接触する。そこで溶液は大量に表面で繰り 返しすばやく新鮮な溶液によって交換される。フィルムは表面から始まってふや け、剥離するが、溶解しない。濃度並びには作用時間はこれに適合するように調 整される。急速な膨潤により、始めは堅いフィルムにおいて体積増加によって内 部張力が生じる。これは表面から上記フィルムを続いて剥離する際に補助的に効 果をもたらす。 膨潤プロセスと剥離プロセスの間に導体プレートの上側と下側で搬送方向に対 し横向きのローラは、内部張力を受けているフィルムを少なくとも部分的に土台 部から断ち切る。 第2プロセスステップ、剥離: 剥離剤中の溶媒濃縮物の濃度は、所定の作用時間でフィルムの分解が十分に起 こらないように調整される。圧力スウェルノズル ストを蓄積した剥離剤でのフィルムの剥離と場合によっては吸引(濾過)が、主 として全面で行われる。上記フィルムはその際、小さな破片に粉砕されない。一 般に導体プレートの側毎に互い違いにずらして配置された1本のスウェルノズル で十分である。そのために設備長さを短くすることができる。全面の剥離と調整 された化学薬品濃度とで水溶液中での剥離フィルムの急速な溶解を防止する。分 解は化学薬品の多くの消費量と同じ意味であって、 即ち、短い寿命と同意である。 第2処理ステーションから、フィルム分を有した剥離剤はセパレータに達する 。このセパレータは例えば斜めにセットされた篩い(フィルター)からなってい る。セパレータによってフィルムは溶媒から分離される。フィルムを取り除かれ た剥離剤は上記設備に再び供給される。剥離剤中にレジストが溶解することを防 止するために、剥離剤は短い運搬ルートと速い流れ速度の選択によってできるだ けすばやくセパレータに噴送される。 溶液からのレジストの分離は2段階でも行うことが可能である。フィルター逆 流又は固有の濾過循環における補助的な精密フィルター(Feinfilter)は、微細な フィルム粒子の除去をもたらす。このような処理溶液からのフィルムのほぼ完全 な除去により、プロセス全体の寿命は非常に大きくなる。実験結果は1年までの 寿命を示す。フィルターで分離されたフィルムは廉価な廃棄物処理のためにでき るだけ乾燥され、表面に化学薬品のないように回復する。これは分けられたフィ ルムの連続的乃至周期的な洗い流しによってセパレータの収集室から出口側に連 結されたフィルタでなされる。フィルターの周期的な洗い流しは例えば5〜60 分毎に行われる。洗い流しに用いられる水は洗浄カスケードから取り出され、そ こから導き戻される。特にフィルムから洗浄水を分離するためのフィルターにお いて遠心分離機が関わる場合、フィルムはほぼ乾燥してしまう。 第3プロセスステップ、後処理: 常に必要というわけではない後処理プロセスは、希薄な濃度の溶媒濃縮物で又 は添加された洗浄水でのみ実施される。このプロセスは、剥離プロセスの際に捕 捉されないフィルム残留物の除去のための安全ステップとして役立つ。原則的に ここでもスウェルノズルの使用が可能である。しかしながら、フラッド(Fluten) が効果的であることが実証された。フラッド空間(Flutraum)において導体プレー トは両面で、浴の水面(水位面)より下方への空気流入を回避するために、流体 を激しくとうとうと流される。この機械的な支援によって、予想されるフィルム 残留物が表面から除去される。希薄な濃度によって、フィルム残留物が溶解する 危険なしに処理時間を長くすることができる。 導体プレート表面に流すことによって機械的な剥離を発生するためのノズルは 、循環において処理液体を供給される。浴の水面より下方で同時に流体力学的な 手段で激しく流してキャビテーション気泡を生じるノズルが非常に有効であるこ とが判明した。導体プレートの表面でこれら気泡が内破する際、フィルム残留物 の除去を支援する張力及び圧縮力が生じる。浴の水面より下方で処理対象物の両 面に等しく流すことによって、導体箔を確実安全に搬送することも可能である。 後処理プロセスは洗浄乃至化学洗浄に相当する。必要により溶液は第3処理ステ ーションで精密セパレータを介して濾過されうる。この化学洗浄は別の洗浄に接 続する。当該洗浄はカスケードとして形成されるのが目的に適っている。洗浄カ スケードの数は、洗浄カスケードに連続的に加えられ る洗浄水の量が、計量添加されるプロセス薬品の量を除いて、或る処理ステーシ ョンから次のステーションに及び洗浄カスケードに電気メッキ対象物を搬送する 際の引き出しによる並びに蒸発による処理ステーションでの処理液体の損失に対 応するような大きさに選択される。後処理ステーションに乾燥ステーションが接 続する。 既述の3つのプロセスステップは次の特徴を有する: 第1プロセスステップ、膨潤: 激しいスウェルによる表面での強い物質移動。機械的支援の必要は少ない。 第2プロセスステップ、剥離: スウェルノズルによる表面での僅かな物質移動。圧力作用と吸引作用を備えた スウェルノズルによる強めの機械的支援。 第3プロセスステップ、後処理: フラッドによる表面での物質移動がないか、あっても僅か。激しい流れによる とキャビテーションによる強い機械的支援。 全体的なフィルム剥離プロセスは、汚水なしで5倍の洗浄カスケードにできる 。処理対象物の搬送方向で最後の洗浄カスケードは新鮮な水を供給される。補給 された量は乾燥機内で蒸発した液体を含む蒸発損失並びに剥離フィルムに伴う引 き出しをカバーする。処理液体は、化学薬品を連続してつけ加えられる。当該化 学薬品は第1プロセスステップに配量添加される。ここから化学薬品は、相応し て低めの濃度を有した次のプロセスステップに達す る。液体のオーバーフローの制御を介して並びに濾過循環管理を介して、個々の プロセスステップで濃度バランスが達成される。これによって全体的なプロセス の寿命が伸び、大幅に汚水をなくすことができる。適切な濾過で、剥離してはい るが溶解していないフィルムは剥離剤からほぼ完全に分離でき、廃棄物処理のた めにほとんど乾燥して再生される。またこれは、全体的なプロセスのコストの減 少に寄与する。 本発明の更なる解説のために図1が用いられる。 好ましくはプラスチック等の合成物質から作られる組立式のスウェルノズル体 1が、図1に横断面で示される。当該ノズル体は2つの圧力室2と1つの吸引室 3とからできている。これら室は圧力ポンプ並びに吸引ポンプへの接続のための 管継手4を有する。上記ポンプは共通の受け容器から或いは当該受け容器へ搬送 する。スウェルノズルの上記室における均一な液体分布のために、上記ノズル体 に沿って多数の管継手4が取り付けられうる。圧力室2は互いに導管を介して連 結可能である。上記室2に流入する処理液体は斜めにセットされた縦スリット5 を介してスウェルとして流れ出す。矢印はこれを大まかに示す。処理対象物7が 僅かな間隔で圧力/吸引スウェルノズル12の前にある場合、前方に位置した空 白部分(Aussparungen)6において、それぞれ液体の超過圧力が生じる。上記ノズ ル12はスリット5,10を備える平面6,8を有する。当該平面は、電気メッ キ対象物が搬送される搬送面と上記スリットとの間で、上記スリットに対し両側 に錐形に広が る面6,8として形成される。処理対象物とともに経路を形成する空白部分8を 通って、液体が吸引領域の空白部分9に流れる。別の縦スリット10が吸引室3 への通り抜けを可能にする。空白部分6における超過圧力に空白部分9における 負圧が向かい合う。上記超過圧力は導体プレートの孔11を通って、ノズルに対 向する側での処理液体も搬送する。スウェルノズル12の吸引部分は、この液体 を上記孔を通して再び引き戻す。僅かな液体部分がこの循環から失われる。当該 部分は加圧されることなく共通の受け容器に戻る。このノズルの圧力及び吸引の 作用は、導体プレートと でも確実安全に処理可能であるように、補償される。簡略化のために上記ノズル 体1はまた、圧力室2のみを備えて作り上げられうる。この場合、中間の室3は 省略され、その結果、再び、好ましくは斜めにセットされた縦スリット5を備え た対称的な圧力/吸引スウェルノズルが作られる。もとの圧力室の一つは吸引室 になる。
【手続補正書】特許法第184条の8第1項 【提出日】1997年10月9日(1997.10.9) 【補正内容】 請求の範囲: 1.剥離剤を用いてプレート状の電気メッキ対象物、例えば導体プレートや導体 箔の表面からレジスト、特にフォトレジストの層を濾過可能な軽量粒子の形状で 均一に化学的に剥離し、剥離レジストを溶媒から除去するための方法において、 次の基本的な特徴:即ち、 − 電気メッキ対象物を水平姿勢で且つ水平方向に処理設備を通して搬送し、 − 縦に延び基本的に搬送方向に対し垂直に且つ電気メッキ対象物表面に対し平 行に調整されたノズルを用いて、処理液体が流れによるレジストの機械的剥離の ために液体スウェルとして電気メッキ対象物表面に運ばれるように、電気メッキ 対象物の上面と下面を処理液体と接触させ、 − 第1処理ステップにて処理液体としての膨潤剤を用いてレジスト層を膨潤し 、 − 濾過循環にて膨潤剤と剥離剤を案内し、その際、両剤の混合を適切な液体案 内によって十分に回避し、そして − 適切なセパレータを用いて剥離レジストを剥離剤から分離すること を特徴とする方法。 13.剥離剤を用いてプレート状の電気メッキ対象物、例えば導体プレートや導 体箔の表面からレジスト、特にフォトレジストの層を濾過可能な軽量粒子の形状 で均一に化学的に剥離し、剥離レジストを上記剥離剤から除去するための、特に 上記請求項のいずれか一項に記載の方法を実施するための装置であって、 − 電気メッキ対象物(7)が適切な搬送手段によって水平姿勢で搬送面にて水 平方向に搬送されるように構成された相前後して配置された多数の処理ステーシ ョンと、 − 流れによるレジストの機械的剥離のために、レジスト層が膨潤され剥離され る処理ステップの少なくともそれぞれにて、縦に延び搬送方向に対し横向きに且 つ搬送面に対し平行で僅かに間隔をおいて配置された少なくとも1本のスウェル ノズル(12)と、 − 処理液体と洗浄水の搬送のための適切な接続部及び運搬手段と、 − 剥離剤から剥離レジストを分離するためのセパレータと を備える装置。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.剥離剤を用いてプレート状の電気メッキ対象物、例えば導体プレートや導体 箔の表面からレジスト、特にフォトレジストの層を濾過可能な軽量粒子の形状で 均一に化学的に剥離し、剥離レジストを上記剥離剤から除去するための方法にお いて、次の基本的な特徴:即ち、 − 電気メッキ対象物を水平姿勢で且つ水平方向に処理設備を通して搬送し、 − 縦に延び基本的に搬送方向に対し垂直に且つ電気メッキ対象物表面に対し平 行に調整されたノズルを用いて、処理液体が液体スウェルとして電気メッキ対象 物表面に運ばれるように、電気メッキ対象物の上面と下面を処理液体と接触させ 、 − 第1処理ステップにて処理液体としての膨潤剤を用いてレジスト層を膨潤し 、 − その後、第2処理ステップにて処理剤としての剥離剤でレジストを剥ぎ取り 、 − 濾過循環にて膨潤剤と剥離剤を案内し、その際、両剤の混合を適切な液体案 内によって十分に回避し、そして − 適切なセパレータを用いて剥離レジストを剥離剤から分離すること を特徴とする方法。 2.上記電気メッキ対象物が、レジストの剥離後に第3処理ステ ップにおいて後処理剤として水又は水と溶媒の混合物中での完全な浸漬によって 後処理されることを特徴とする請求項1に記載の方法。 3.上記後処理剤が電気メッキ対象物表面にもたらされることを特徴とする前記 請求項のいずれか一項に記載の方法。 4.流体力学的なキャビテーション気泡が、電気メッキ対象物表面にもたらされ た後処理剤の内部に形成されることを特徴とする請求項1に記載の方法。 5.膨潤剤と剥離剤並びにその他の処理液体の混じり合いを回避するために、ロ ーラと堰が形成され、分けられた処理液体循環が形成されることを特徴とする前 記請求項のいずれか一項に記載の方法。 6.レジスト層の剥離のためのノズルが少なくともそれぞれ1つの圧力領域及び 吸引領域を有し、処理液体が上記両領域を介して次々にもたらされることを特徴 とする前記請求項のいずれか一項に記載の方法。 7.処理液体の製造のために使用可能なプロセス化学薬品が第1処理ステップの 膨潤剤にのみ計量添加されることを特徴とする前記請求項のいずれか一項に記載 の方法。 8.第1処理ステップの膨潤剤と第3処理ステップの後処理剤がオーバーフロー によって案内され、それら両剤が第2処理ステップに達することを特徴とする前 記請求項のいずれか一項に記載の方法。 9.電気メッキ対象物表面がプロセス化学薬品の除去のために第1処理ステップ 、第2処理ステップ及び第3処理ステップでの各処理後にカスケードの形状の洗 浄浴と接触され、その際に洗浄カスケードに連続的に添加される洗浄水の量が、 計量添加されるプロセス化学薬品の量を含めずに、蒸発による並びに或る処理ス テップから次の処理ステップや洗浄カスケードへの電気メッキ対象物の搬送の際 の引き出しによる処理段階での処理液体の損失に対応するように、洗浄カスケー ドの数が選択されることを特徴とする前記請求項のいずれか一項に記載の方法。 10.剥離レジストを含有する処理液体が、短い運搬ルートと速い流れ速度の選 択によってできるだけすばやくセパレータに達することを特徴とする前記請求項 のいずれか一項に記載の方法。 11.剥離剤が細かく分かれたレジスト残留物の除去のために追加的にセパレー タとしての精密フィルターを通って導かれることを特徴とする前記請求項のいず れか一項に記載の方法。 12.セパレータによって剥離剤から分離されたレジストがセパレータから連続 的に又は周期的に洗浄水で洗い流され、洗浄水の分離のためにフィルターに供給 され、その結果、上記レジストがほぼ乾燥し、付着したプロセス化学薬品なしに 入手されることを特徴とする前記請求項のいずれか一項に記載の方法。 13.剥離剤を用いてプレート状の電気メッキ対象物、例えば導体プレートや導 体箔の表面からレジスト、特にフォトレジストの層を濾過可能な軽量粒子の形状 で均一に化学的に剥離し、剥離レ ジストを上記剥離剤から除去するための、特に上記請求項のいずれか一項に記載 の方法を実施するための装置であって、 − 電気メッキ対象物が適切な搬送手段によって水平姿勢で搬送面にて水平方向 に搬送されるように構成された相前後して配置された多数の処理ステーションと 、 − レジスト層が膨潤され剥離される処理ステップの少なくともそれぞれにて、 縦に延び搬送方向に対し横向きに且つ搬送面に対し平行で僅かに間隔をおいて配 置された少なくとも1本のスウェルノズルにして、電位メッキ対象物の側面に対 し同じ側に開口したスリットをそれぞれ少なくとも1つ備える圧力室とこれに並 ぶ吸引室とをそれぞれ有するノズルと、 − 処理液体と洗浄水の搬送のための適切な接続部及び運搬手段と、 − 剥離剤から剥離レジストを分離するためのセパレータと を備える装置。 14.上記ノズル(12)がスリット(5,10)を備えた平面(6,8)を有 し、当該平面が上記スリットに対し両側に広がる錐面(6,8)として、スリッ トと搬送面の間に空白部分があるように形成されることを特徴とする請求項13 に記載の装置。 15.吸引室(3)の方へ方向付けられ上記圧力室(2)の斜めにセットされた 縦スリット(5)を特徴とする請求項13と14のいずれか一項に記載の装置。 16.2つの圧力室(2)と当該圧力室(2)の間に配置された 吸引室(3)とを特徴とする請求項13〜15のいずれか一項に記載の装置。 17.剥離剤を用いてプレート状の電気メッキ対象物、例えば導体プレートや導 体箔の表面からレジスト、特にフォトレジストの層を濾過可能な軽量粒子の形状 で均一に化学的に剥離し、剥離レジストを上記剥離剤から除去するための方法に おいて、個々の若しくは全ての新規な特徴構成及び開示された特徴構成の組み合 わせを特徴とする方法。 18.剥離剤を用いてプレート状の電気メッキ対象物、例えば導体プレートや導 体箔の表面からレジスト、特にフォトレジストの層を濾過可能な軽量粒子の形状 で均一に化学的に剥離し、剥離レジストを上記剥離剤から除去するための装置に おいて、個々の若しくは全ての新規な特徴構成及び開示された特徴構成の組み合 わせを特徴とする装置。
JP50980697A 1995-08-23 1996-08-21 フィルム剥離方法 Expired - Lifetime JP4035165B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19530989A DE19530989C1 (de) 1995-08-23 1995-08-23 Verfahren zum Filmstrippen
DE19530989.8 1995-08-23
PCT/EP1996/003662 WO1997008589A1 (de) 1995-08-23 1996-08-21 Verfahren zum filmstrippen

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2000500242A true JP2000500242A (ja) 2000-01-11
JP2000500242A5 JP2000500242A5 (ja) 2004-09-09
JP4035165B2 JP4035165B2 (ja) 2008-01-16

Family

ID=7770176

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP50980697A Expired - Lifetime JP4035165B2 (ja) 1995-08-23 1996-08-21 フィルム剥離方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6059919A (ja)
EP (1) EP0830642B1 (ja)
JP (1) JP4035165B2 (ja)
AT (1) ATE182694T1 (ja)
CA (1) CA2226520A1 (ja)
DE (2) DE19530989C1 (ja)
ES (1) ES2135914T3 (ja)
WO (1) WO1997008589A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101226514B1 (ko) 2006-06-22 2013-01-25 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 제조방법
KR101414402B1 (ko) * 2012-06-05 2014-07-01 노바테크 (주) 필름 박리 방법 및 필름 박리 시스템

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1133506A (ja) * 1997-07-24 1999-02-09 Tadahiro Omi 流体処理装置及び洗浄処理システム
TW464970B (en) * 1999-04-21 2001-11-21 Sharp Kk Ultrasonic cleaning device and resist-stripping device
JP2002075947A (ja) 2000-08-30 2002-03-15 Alps Electric Co Ltd ウェット処理装置
JP2006088033A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Future Vision:Kk ウェット処理装置
GB0718839D0 (en) * 2007-09-26 2007-11-07 Eastman Kodak Co method of patterning a mesoporous nano particulate layer
GB0718840D0 (en) * 2007-09-26 2007-11-07 Eastman Kodak Co Method of patterning vapour deposition by printing
CN102350860B (zh) * 2011-07-06 2014-04-09 奥士康精密电路(惠州)有限公司 一种pcb板制备过程中改善油墨入孔的方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3450262A (en) * 1966-12-20 1969-06-17 Gene Hirs Method of filtering
ES428207A1 (es) * 1973-07-12 1976-07-16 Burke Procedimiento y aparato para el tratamiento de fluidos.
US3958587A (en) * 1974-12-19 1976-05-25 Buckbee-Mears Company Manifold for fluid distribution and removal
DE3002732A1 (de) * 1980-01-25 1981-08-13 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Horizontal-durchlauf-tauchbad
DE3011061C2 (de) * 1980-03-21 1983-12-22 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur Intensivierung von Spül- und Reinigungsprozessen für Perforationen in Formstücken in Spül- und Reinigungsautomaten
DE3201880A1 (de) * 1982-01-22 1983-08-04 Egbert 6106 Erzhausen Kühnert Verfahren zum rueckstandsfreien entschichten von leiterplatten und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
US4784169A (en) * 1984-01-13 1988-11-15 Chemcut Corporation Apparatus for treating articles with solution to remove solids and then filtering the solution
DE8401675U1 (de) * 1984-01-21 1985-10-10 Theimer, Siegfried, 6484 Birstein Durchlaufentwicklungsgerät
DE3528575A1 (de) * 1985-08-06 1987-02-19 Schering Ag Verfahren und einrichtung zur reinigung, aktivierung und/oder metallisierung von bohrloechern in horizontal gefuehrten leiterplatten
KR950014323B1 (ko) * 1986-07-23 1995-11-24 스미도모쥬기가이고오교오 가부시기가이샤 포토레지스트 폐액의 처리방법
US4810390A (en) * 1986-10-10 1989-03-07 Ciba-Geigy Corporation Separation and purification of pigment suspensions and suspensions of pigment intermediates by a membrane separation process
US4938257A (en) * 1986-11-21 1990-07-03 Teledyne Industries, Inc. Printed circuit cleaning apparatus
DE8703114U1 (ja) * 1987-02-25 1987-04-09 Schering Ag, 1000 Berlin Und 4709 Bergkamen, De
DE3916694A1 (de) * 1989-05-23 1990-11-29 Schering Ag Anordnung zur chemischen behandlung und/oder reinigung von gut, insbesondere von mit bohrungen versehenen leiterplatten, sowie dazugehoeriges verfahren
US5063951A (en) * 1990-07-19 1991-11-12 International Business Machines Corporation Fluid treatment device
DE4141403A1 (de) * 1991-12-16 1993-06-17 Hoechst Ag Verfahren zum entschichten von lichtvernetzten photoresistschablonen
US5294259A (en) * 1992-05-18 1994-03-15 International Business Machines Corporation Fluid treatment device
JP3320549B2 (ja) * 1994-04-26 2002-09-03 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 被膜除去方法および被膜除去剤
DE4432402C2 (de) * 1994-08-30 1998-07-02 Ersa Loettechnik Gmbh Schwall-Lötdüse zum flußmittelfreien Löten
JPH09103732A (ja) * 1995-09-06 1997-04-22 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 流体供給装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101226514B1 (ko) 2006-06-22 2013-01-25 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 제조방법
KR101414402B1 (ko) * 2012-06-05 2014-07-01 노바테크 (주) 필름 박리 방법 및 필름 박리 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
DE19530989C1 (de) 1997-03-13
US6059919A (en) 2000-05-09
CA2226520A1 (en) 1997-03-06
EP0830642B1 (de) 1999-07-28
WO1997008589A1 (de) 1997-03-06
EP0830642A1 (de) 1998-03-25
ES2135914T3 (es) 1999-11-01
DE59602561D1 (de) 1999-09-02
ATE182694T1 (de) 1999-08-15
JP4035165B2 (ja) 2008-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3871914A (en) Etchant rinse apparatus
KR100556626B1 (ko) 기판 처리방법 및 기판 처리장치
JP5498886B2 (ja) ドライフィルムレジストの薄膜化処理方法
JP4035165B2 (ja) フィルム剥離方法
KR100593709B1 (ko) 기판처리장치
JP4675113B2 (ja) 基板洗浄装置
US6077359A (en) Procedure and device for the chemical and electrolytic treatment of printed circuit boards and conductor films
WO2005084831A1 (ja) アルカリ可溶型感光性樹脂の剥離方法
US5076885A (en) Process for etching workpieces
US5223037A (en) Plant for the manufacture of printed-circuit boards or multi-layers
JP3430826B2 (ja) アルミニウム帯板の連続表面処理装置及びアルミニウム帯板の洗浄方法
JP2005064312A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR101717261B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2005158911A (ja) 搬送式基板処理装置
JP4409901B2 (ja) 残液除去装置
JP5627404B2 (ja) ドライフィルムレジストの薄膜化処理方法
JP7441023B2 (ja) 被処理体の処理方法及び処理装置
JP2012073424A (ja) ドライフィルムレジストの薄膜化処理方法
JP2001156035A (ja) 基板処理装置及びその隣接処理槽への飛沫の浸入防止方法
WO2004043620A1 (en) Arrangement for treating the inner surface of a metal tube
JP2006301024A (ja) 現像機におけるスカム除去方法およびその装置
JP2006032802A (ja) ウェット装置、ディスプレイパネルの製造装置およびウェット処理方法
CS214655B2 (en) Method of cleaning the objects following galvanic and/or chemical treatment of the surface and facility for executing the same
JPH1187891A (ja) プリント回路基板の処理装置
JP4050538B2 (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060117

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20060414

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20060605

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060714

A524 Written submission of copy of amendment under article 19 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524

Effective date: 20060714

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071002

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071029

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121102

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131102

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term