KR101717261B1 - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 Download PDF

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하인쯔 카플러
외르그 람프프레흐트
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게부르. 쉬미트 게엠베하
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Abstract

기판들의 처리 방법 및 장치에서, 레지스트층들이 공정 용액으로 스프레이됨에 의해 상기 기판들로부터 제거된다. 상기 기판들은 우선 메인 스트립 모듈 내에서, 이후 포스트 스트립 모듈 내에서 공정 용액으로 스프레이되며, 상기 공정 용액은 상기 모듈들 아래의 용기들 내에서 수집된다. 적어도 하나의 용기가 각각의 모듈을 위해 각각 제공된다. 상기 공정 용액은 상기 메인 스트립 모듈 내에서 두 개의 용기들 내에 수집되고, 우선 제2 용기 내부로 직접 공급되며, 이는 공정 용액의 표면 레벨보다 현저히 아래 영역에 위치하는 액체 투과성 월에 의해 상기 제1 용기로부터 대략 분리된다. 공정 용액은 상기 제1 용기로부터 거품 없이 제거되고, 상기 기판들의 웨팅을 위한 공정의 사이클 내부로 다시 한번 반송된다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{Method and device for treating substrates}
본 발명은 기판들의 처리 방법, 특히, 광전 모듈들(photovoltaic modules)의 생산을 위한 기판들의 처리 방법에 관한 것이고, 이러한 방법을 수행하기 적합한 장치에 관한 것이다.
광전지 기술에서, 그리고 특히 PCB 기술에서, 레지스트 층들은 대응하는 기판들로부터 공정 용액에 의해 제거된다. 때때로 이들은 거품, 또는 상기 레지스트와 결합하여, 또는 세정 동안 접촉하게 되는 다른 물질들과 결합하여 거품 형성을 유발하는 공정 용액들의 사용을 수반한다. 이러한 레지스트들은 프린터들 또는 포토리소그라피(photolithography) 및 스크린 프린팅(screen printing)에 의해 적용될 수 있는 왁스-유사 핫멜트(wax-like hot melts) 또는 서멀 잉크들(thermal inks) 또는 폴리머들(polymers) 또는 잉크들이다. 상기 거품 형성은 공정에서 중단들(interruptions)을 일으키거나 설비들의 오작동들(malfunctions)을 일으킬 수 있고, 특정 상황 하에서는 공정 용액이 더 이상 전혀 사용될 수 없는 정도까지 이를 수 있다. 거품은 또한 공정 용액이 재순환(recirculated)되거나 또는 기판들 상으로 스프레이되는 경우들에서 발생할 수 있고, 공정 챔버로부터 탱크 또는 용기로 반송되는 과정에서 역시 발생할 수 있다.
소포제들(antifrothing agents)은 거품을 감소하기 위한 첨가제들로서 사용된다. 그러나, 폐수의 총유기탄소(total organic carbon: TOC) 로드 및 화학적 산소 요구량(chemical oxygen demand: COD) 값이 모두 증가하고, 그 결과, 폐수를 위한 배출 값들(discharge values)이 초과되므로, 이들은 비용 및 환경 보호의 이유들로 점점 더 거부되고 있다. 그러므로, 이는 유기 물질들이 물에 로딩되는 양이 너무 높음을 의미한다.
본 발명은 도입부에서 특정된 방법을 제공할 때의 문제점을 지적하며, 종래 기술의 문제점들이 방지될 수 있고, 특히, 기판들로부터 레지스트 층들을 제거할 때 공정 용액 내에서 거품 형성이 최소화될 수 있는, 상기 방법을 수행하기에 적합한 장치를 제공한다.
이러한 문제점은 청구항 제1항의 특징들을 갖는 방법 및 청구항 제7항의 특징들을 갖는 장치에 의하여 해결된다. 본 발명의 유리하고 바람직한 실시예들은 이후 종속항들의 특징들이며, 하기에 더욱 상세하게 설명될 것이다. 아래에 열거된 특징들 중 일부는 오직 상기 방법 또는 상기 장치만을 위하여 언급될 수 있다. 그러나, 이와 무관하게, 그것들은 상기 방법 및 상기 장치 모두에 적용될 수 있도록 의도된다. 청구항들의 문구는 참조 부호에 의해 상세한 설명의 내용들에 의해 지지된다.
본 발명에 따르면, 상기 기판들은 우선 메인 스트립 모듈 내에서 상기 공정 용액으로 웨팅되고, 이후 포스트 스트립 모듈 내에서 웨팅된다; 상기 포스트 스트립 모듈 없이 웨팅되는 것 역시 가능하다. 공정 용액은 상기 모듈들 하부의 용기들 내에 수집되거나, 적어도 상기 메인 스트립 모듈 하부의 하나의 용기 내에 수집된다. 이러한 경우에, 적어도 하나의 용기가 상기 포스트 스트립 모듈을 위해 제공되고, 적어도 두 개의 용기들이 상기 메인 스트립 모듈을 위해 제공된다. 공정 용액은 우선 상기 메인 스트립 모듈로부터 제2 용기 내부로 직접 공급되며, 특히 적어도 한번 구부러지거나(bent) 각도를 가지는(angled) 파이프에 의하여 공급된다. 상기 제2 용기는 상기 메인 스트립 모듈의 제1 용기로부터 그 사이의 월(wall)에 의하여 실질적으로 분리되며, 상기 월은 내부에 위치한 공정 용액의 표면 레벨보다 현저히 아래인 영역에 위치하는 클리어런스들(clearance), 홀들(holes), 컷아웃들(cutouts), 또는 이의 동류물에 의하여 액체 침투성(liquid-permeable)이다. 구체적으로, 상기 액체 침투성은 상기 용기들 내에서 가능한 아래 쪽에 제공된다. 상기 두 개의 용기들은 이러한 경우에 큰 용기 내부로 월을 삽입하여, 다시 말하면 분리함에 의해 형성될 수 있다. 상기 클리어런스들 또는 동류물들은 상기 월의 하부 영역 내에 제공되거나, 그렇지 않으면 상기 월이 매우 낮게 바닥까지 삽입되지 않는다. 공정 용액은 상기 제1 용기로부터 제거되고, 특히 펌프에 의해 펌핑아웃되며, 상기 기판들의 웨팅을 위한 공정의 사이클 내부로 반송된다.
결과적으로, 상기 메인 스트립 모듈 내에서, 상기 공정 용액이 상기 제2 용기 내에 수집되고, 거품은 이에 따라 그 표면 상에 생성되거나, 존재하던 거품이 상기 표면으로 떠오른다. 상기 제1 용기와 액체 이동성에 의해 연결되는 결과, 후자는 마찬가지로 공정 용액으로 채워지나, 가능한 거품 없이 채워진다. 그 결과, 실질적으로 거품 없는(froth-free) 공정 용액이 상기 기판의 새로운 스프레이 또는 웨팅 공정을 위하여 거기에서 제거될 수 있다.
상기 메인 스트립 모듈 내에, 또한 특정한 상황들 하에서 상기 포스트 스트립 모듈 내에, 상기 공정 용액을 수집하기 위하여, 팬 종류 또는 동류물이 수집 팬(collecting pan)으로서 제공될 수 있고, 수집 팬의 가장 낮은 지점으로부터 파이프 또는 다른 라인이 상기 용기 내부로 연결될 수 있다. 그러한 반송 파이프(return pipe)는 일반적으로 상기 벤딩 또는 형상에 기인하여 거품 형성을 감소시킬 수 있거나, 상기 거품을 다시 가능한 한 해체할 수 있다.
본 발명의 또 다른 변형에서, 상기 제2 용기 내에서, 그 내부에 위치한 공정 영역의 표면 상의 거품이 상기 용기의 사이드 월을 넘어 이동하고, 다시 말하면, 나란히 배열된 분리된 거품 팬 내부로 제거된다. 이는 다양한 방법들로 수행될 수 있고, 예를 들면, 기계적 슬라이드들에 의해, 압축된 공기를 발포(blasting)하거나, 스프레이함에 의해, 특히 공정 용액 자체로 스프레이함에 의해 수행될 수 있다. 이 경우, 상기 거품이 기계적으로 이동하는 것뿐만 아니라 적어도 부분적으로 분쇄되거나 해체되기 때문에 스프레이하는 방법이 특히 유리한 것으로 간주된다. 이러한 거품 팬 내에서, 마찬가지로 공정 용액이 한번 더 표면 상에 거품을 가지며, 상기 공정 용액은 한번 더 제거되며, 유리하게는 상기 제1 용기 내부로, 특히 유리하게는 펌핑에 의해 한번 더 반송된다. 이와는 달리, 폐수 배출 라인으로의 브랜치(branch) 또는 처리가 제공될 수 있다.
상기 거품을 상기 제2 용기로부터 상기 거품 팬 내부로 이동시키기 위한 더욱 향상된 조절이 가능하도록, 즉, 상기 거품이 상기 제2 용기의 사이드 월을 넘어 이동할 때, 높이 조절 가능한 일종의 댐(weir) 또는 일종의 칸막이 스트립(bulkhead strip)이 제공될 수 있다. 이것은 상기 공정 용액의 액체 레벨의 높이에 위치하도록 또는 약간 그 위에 위치하도록 각각 높이를 조정할 수 있다. 이는 가능한 한 공정 용액 없이, 오직 거품만이 상기 사이드 월을 넘어 밀리는 효과를 가진다.
본 발명의 유리한 변형에서, 상기 거품은 또한 스프레이에 의하여, 특히 공정 용액으로 다시 한번 스프레이됨에 의해 상기 거품 팬 내에서 해체되거나, 제거될 수 있다.
상기 거품을 반복적으로 해체하고 잘 이동시키도록 상기 거품 팬을 향하여 상기 거품의 이동 방향으로 복수의 노즐 장치들 또는 스프레이 장치들이 각각 줄지어 배열될 수 있다. 따라서, 개개의 장치들은 매우 높은 압력으로 작동될 필요가 없고, 이에 따라 다시 이동 및 공정 용액으로의 변환에 유리하다.
전술한 반송 파이프는 유리하게는 상기 제2 용기 내에서 상기 공정 용액의 표면 아래에서 끝나는 방식으로 형성될 수 있다. 이는 상기 제2 용기 내부로의 공급 과정에서 거품 형성이 감소될 수 있게 한다.
포스트 스트립 모듈은 상기 메인 스트립 모듈과 유사한 방식으로 구성될 수 있고, 다시 말하면, 대략 동일한 길이로, 또한 내부에 사용되는 상기 공정 용액을 위한 제1 및 제2 용기들을 구비하도록 구성될 수 있다. 상기 포스트 스트립 모듈은 더 짧고 더 간단한 구성일 수 있고, 오직 단일 용기를 구비할 수 있다. 이에 따라, 상기 포스트 스트립 모듈 내에서 사용되는 상기 공정 용액이 수집되고, 유리하게는 상기 메인 스트립 모듈 내에서의 방법과 유사한 방법으로 수집되며, 이후 상기 용기 내부로 공급된다. 이를 위해 전술한 반송 파이프가 다시 한번 제공될 수 있다. 오직 하나의 용기를 구비하는 포스트 스트립 모듈의 단순화된 구성으로, 다시 한번 재사용을 위하여 상기 공정 용액을 상기 메인 스트립 모듈의 상기 용기들 중 하나로 반송하는 것이 가능하다. 이러한 목적을 위하여, 액체 투과성 월이 다시 한번 제공될 수 있거나, 클리어런스들 또는 동류물을 구비하는 월이 제공될 수 있다. 이와는 달리, 공정 용액을 이동시키고, 또한 가능한 한 거품 형성을 방지하도록 상기 용기들의 캐스케이드가 상기 포스트 스트립 모듈 내에 제공될 수 있다.
상기 메인 스트립 모듈 및 상기 포스트 스트립 모듈 모두 내에서, 공정 용액을 위한 스프레이 장치들 또는 동류물은 단일 용기로부터, 즉, 상기 메인 스트립 모듈의 상기 제1 용기로부터 공급될 수 있다. 따라서, 거품 형성 방지는 이 용기 내에서 상기 공정 용액에 전부 집중될 수 있다.
이러한 특징들 및 더 나아간 특징들은 청구항뿐만 아니라 상세한 설명 및 도면들로부터 나타나고, 개별적인 특징들은 본 발명의 실시예 내에서 그리고 다른 분야들에서 단독으로, 또는 서브컴비네이션 형태의 복수로서 각각의 경우에 구현될 수 있으며, 여기에 그 보호가 청구되는, 유리하고 고유하게 보호받을 수 있는 실시예들을 구성할 수 있다. 각각의 부문들 및 작은 표제들로 본 출원을 세분화하는 것이 하기에 행해진 진술의 일반적인 효력을 제한하지는 않는다.
본 발명의 예시적인 실시예들은 도면 내에 개략적으로 도시되고, 하기에 더욱 더 상세하게 설명된다. 도면들에서:
도 1은 기판들의 처리를 위한 발명에 따른 장비의 개략적인 측면도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 메인 스트립 모듈 및 포스트 스트립 모듈의 기능적 도시를 확대하여 나타낸다.
도 3은 도 2에 따른 메인 스트립 모듈을 기판들이 관통하는 방향으로 도시하여 나타낸다.
도 4는 도 3에 대응되는 도면의 평면도이다.
도 5는 다른 메인 스트립 모듈 내에서 기판들을 위한 스프레이 파이프들을 대체하는 담금 욕조를 나타낸다.
도 1은 기판들(13)을 처리하기 위한 본 발명에 따른 장비(11)를 도시하고, 기판(13)은 유리하게는 광전지 모듈(photovoltaic modules)용 솔라 셀들(solar cells)을 위한 것이다. 장비(11)는 알려진 대로 본질적으로 에칭 모듈(etching module)(17)에 의해 연결되는 엔트리 모듈(entry module)(15)을 구비한다. 거기서, 에칭에 의해 기판들(13) 상의 구조물들이 개방되며, 이는 더욱 상세한 세부사항을 더 논의할 필요가 없을 정도로 잘 알려져 있다. 에칭 모듈(17) 이후에, 마찬가지로 공지된 린스 모듈(rinsing module)(19)이 구비된다.
이는 위에서 대략 설명된 메인 스트립 모듈(main stripping module)(21)에 의해 연결되며, 차례로 포스트 스트립 모듈(post stripping module)(23)이 뒤따른다. 이후, 제2 린스 모듈(25), 드라이 모듈(drying module)(27) 및 엑시트 모듈(exit module)(29)이 차례로 뒤따른다. 따라서, 기판들(13)은 본질적으로 알려진 방법으로, 좌측에서 우측으로 관통하는 방향을 따라 처리된다.
메인 스트립 모듈(21)은 기판들(13) 또는 관통 통로(running-through path) 상부에 상부 스프레이 파이프들(upper spraying pipes)(31a)을 구비하고, 하부에 하부 스프레이 파이프들(lower spraying pipes)(31b)을 구비한다. 이들은 각각 기판들(13) 상으로 공정 용액(33)을 스프레이할 수 있으며, 이와는 달리, 오직 일측으로부터 수행될 수도 있다. 전술한 바와 같이, 기판들(13)은 스프레이된 공정 용액(33)에 의해 레지스트가 없는 상태이다. 기판들(13) 아래에 공정 용액(33)이 최종적으로 수집되는 용기(32)가 구비된다. 공정 용액(33)의 표면 상에, 하기에 서술된 방법으로 가능한 한 방지되거나 제거되어야 할 거품(34)이 존재한다. 펌프(36)에 의해 공정 용액(33)이 용기(32) 외부로 펌핑되고, 기판들(13)로부터 레지스트 층들을 제거하기 위하여 스프레이 파이프들(31a, 31b)로 다시 공급된다.
포스트 스트립 모듈(23) 내에는, 기판들(13)을 위한 상부 스프레이 파이프들(38a) 및 하부 스프레이 파이프들(38b)이 구비된다. 이들은 기판들(13)로부터 레지스트 층들의 잔류물들을 제거하는 목적으로 기능하고, 일반적으로 더 이상 개수가 그다지 많지 않다. 그 결과 포스트 스트립 모듈(23) 내에 기판들(13) 아래의 용기(39) 내에 거품이 오직 매우 적거나 희박하게 발생하고, 따라서 실질적으로 오직 공정 용액(33)만이 여기에 함유된다. 캐스케이드 라인(cascade line)(40)에 의해, 실질적으로 거품이 없는 이러한 공정 용액이 메인 스트립 모듈(21)과 나란한 용기(32) 내부로 공급될 수 있다. 게다가, 스프레이 파이프들(38a, 38b)에 펌프(42)에 의해 공정 용액(33)이 공급될 수 있다.
도 2에 따른 상세도에서, 기판들(13) 아래에 또는 그들의 관통 통로 아래에 수집 팬(collecting pan)(44)이 구비되는 것을 관찰할 수 있다. 이것은 스프레이 파이프들(31a, 31b)로부터 배출된 모든 공정 용액(33)을 수집하고, 이를 반송 파이프(46)에 의해 용기(32) 내부로, 정확히는 우측의 제2 탱크 용기(49) 내부로 공급한다. 도시된 바와 같이, 반송 파이프(46)는 내부에 운반하는 공정 용액(33)을 제2 탱크 용기(49) 내부로 거품 없이 또는 거품이 가능한 한 많이 제거된 상태로 공급할 수 있도록 일회 또는 그 이상 구부러지거나(bent) 꼬이거나(kinked), 기타 방식으로 형성될 수 있다. 반송 파이프(46)의 일 단부는 공정 용액(33)의 표면 레벨 근처에서 끝날 수 있다. 이와는 달리, 거품을 더욱 감소시키기 위한 경우에 더욱 깊은 곳에서 끝날 수 있다.
기판들(13)로부터 분리되는 레지스트의 파편들에 의해 거품 형성이 여기에서 증가하기 때문에, 제2 탱크 용기(49) 내의 공정 용액(33)의 표면 상에 상당한 양의 거품(34)이 존재한다. 용기(32) 내에서 제1 탱크 용기(48)가 분리벽(separating wall)(51)에 의해 역시 형성된다. 이는 간단히 분리벽(51)을 용기(32) 내로 삽입하는 것에 의해 수행될 수 있다. 이러한 경우에, 분리벽(51)의 하부 영역 내에 개구부(openings)(52)가 제공되고, 예를 들면, 완전히 바닥부 아래까지 연장하지 않는 분리벽(51)에 의해 제공된다. 이와는 달리, 개구부들 또는 틈들(apertures) 혹은 클리어런스들(clearances) 또한 분리벽(51) 내에 제공될 수 있다. 결과적으로, 제1 탱크 용기(48) 및 제2 탱크 용기(49)는 액체 전달(liquid-carrying) 방식으로 서로 연결된다. 공정 용액(33) 단독의 교환, 즉, 거품(34) 없는 교환은 상기 하부 영역 내에서 개구부(52)를 통해 발생된다. 이에 따라 오염되지 않은 공정 용액(33)만이, 또는 거품이 거의 없는 공정 용액(33)이 실제로 제1 탱크 용기(48) 내에 수용되는 효과를 갖는다.
확대된 비율로 도시된 것과 같이, 포스트 스트립 모듈(23) 내에서도 마찬가지로 수집 팬(collecting pan)(55)이 제공되며, 이는 매우 간단한 방법으로 공정 용액(33)을 용기(39) 내에 공급할 수 있게 한다. 레지스트의 파편들이 여기 공정 용액(33) 내에 희박하게 함유되어 있거나, 전혀 없기 때문에, 거품 형성은 실제로 현저하게 감소된다. 이와는 달리, 반송 파이프(46)는 메인 스트립 모듈(21) 내에서와 유사한 방법으로 제공될 수 있다. 용기(39) 내의 공정 용액(33)이 거품을 구비하지 않는 것을 관찰할 수 있다.
더욱이, 거품이 없고 실질적으로 레지스트가 없어서, 결과적으로 아직 매우 사용되지 않은 공정 용액(33)을 용기(32) 내부로 공급하기 위하여, 다시 말하면, 공정 용액을 거기에서 재충전(refresh)하도록 캐스케이드 라인(40)이 제공된다. 이러한 캐스케이드 라인(40)은 반송 파이프(46)와 유사한 방법으로 거품을 감소하도록 설계될 수 있다. 그것은 제1 탱크 용기(48)로 연결되거나, 또는 도시된 바와 같이 제2 탱크 용기(49)로 연결될 수 있다.
도 3에서, 기판들이 통과하는 방향으로의 메인 스트립 모듈(21)을 통한 단면이 도시된다. 제2 탱크 용기(49) 상에 형성된 거품(34)이 처리되거나 이동되는 것을 관찰할 수 있다. 이러한 목적을 위하여, 제2 탱크 용기(49)의 우측으로 나란히, 사이드 월(50)에 의해 분리된 거품 팬(froth pan)(59)이 구비된다. 공정 용액(33)이 다시 한번 사용될 수 있도록 거품(34)이 이러한 거품 팬 내부로 도입되어 해체되는 것이 의도된다. 가능한 한, 거품(34)만이 우측으로 수송되고 공정 용액(33)은 제2 탱크 용기(49) 외부로 배출되지 않도록, 높이 조절 가능한 칸막이 스트립(bulkhead strip)(57)이 제공된다. 이것은 제2 탱크 용기(49) 내의 오염되지 않은 공정 용액(33)의 표면 레벨에 대략 상응하는 높이까지 이동될 수 있다. 오직 거품(34)만이 이를 넘어 우측으로 거품 팬(59) 내부로 여전히 이동된다.
거품(34)을 이동시키기 위하여, 파이프 같은(pipe-like) 연장된(elongated) 거품 노즐들(froth nozzles)(61a)이 스프레이 장치들로서 제2 탱크 용기(49) 상부의 가장 좌측 상에 제공되고, 거품 노즐들(61b)이 사이드 월(50) 또는 칸막이 스트립(57) 근처에 제공된다. 이러한 노즐들은 거품을 이동시키거나 해체시키도록 설계되고 이러한 목적으로 기능하므로 거품 노즐들이라고 불릴 수 있다. 그러나, 그것들은 어떠한 방식으로든 거품을 생성하는데 기능하거나 도움이 되도록 의도되지는 않는다. 상기 노즐들은 라운드진 노즐 개구부들 또는 연장된 개구부들, 예를 들면, 슬릿 노즐들의 방식으로 연장된 개구부들을 구비할 수 있다. 이러한 노즐들은 복수 개 또는 다수 개가 연장된 파이프들 상에 제공될 수 있으며, 실제로 이러한 이유로 파이프 같은(pipe-like) 및 연장된(elongated)과 같이 지칭된다.
이러한 거품 노즐들은 모두 우측으로, 비스듬히 아래 방향으로 향해지고, 다시 말하면, 대략 일 방향으로 향해지며, 거품 노즐들(61a)은 여전히 더 얕은 각도를 가지고 있다. 그것들은 공정 용액(33)을 고압에서 다소 미세한 미스트(mist)로서 외부로 스프레이하고, 이는 제2 탱크 용기(49) 내의 공정 용액(33)의 표면으로부터 거품(34)을 우측으로 거품 팬(59) 내부로 이동시키며, 이미 어느 정도 해체시키고, 다시 말하면 감소시킨다.
거품 팬(59) 상부에 제3 거품 노즐들(61c)이 구비되고, 공정 용액(33)의 제트(jet) 방향이 좌측으로 비스듬히 아래 방향으로, 정확히는 거품 팬(59) 내의 거품(34) 전체 표면 상으로 향하도록 배열된다. 이는 거품(34)을 이동시키도록 기능하지 않고, 해체시키도록 기능하며, 따라서 다시 오염되지 않은 공정 용액(33)의 형태로 가정한다. 공정 용액(33)은 이후 거품 팬(59)으로부터 배출 라인(discharge line)(62) 및 배수 펌프(drainage pump)(63)에 의해 제거될 수 있고, 그 상태 또는 레지스트 함량에 따라 폐수 처리(waste-water treatment)를 위해 통과하거나, 그렇지 않으면 상기 사이클 내부로 반송될 수 있다.
좌측으로 제2 탱크 용기(49)과 나란히, 제1 탱크 용기(48)의 제1 탱크 서브 용기(first tank sub container)(48’)가 구비될 수 있다. 그것은 하부 영역 내에 제공되는 개구부(52’)를 구비하는 분리벽(50’)에 의하여 분리되고, 스프레이 파이프들(31a, 31b)을 공급하는, 이미 서술된 펌프(36)를 구비할 수 있다.
도 4에 따른 평면도에서, 제1 탱크 용기(48) 및 제2 탱크 용기(49) 모두의 상부에서 공정 용액(33) 표면 상의 거품(34)이 도시에서와 같이 아래쪽으로, 거품 노즐들(61a, 61b)에 의해 거품 팬(59)을 향하여 이동되는 것이 관찰될 수 있다. 제1 탱크 용기(48) 및 제2 탱크 용기(49) 사이의 분리벽(51) 역시 관찰될 수 있다. 좌측 상부에서, 이미 상술한 제1 탱크 서브 용기(48’)가 분리벽(51’)에 의해 제1 탱크 용기(48)로부터 분리된다. 사이드 월(50)이 서로 나란한 제1 탱크 용기(48) 및 제2 탱크 용기(49)의 전체 폭 상에 이르고, 또한 유사하게 거품 팬(59)의 전체 폭 상에 이르는 것을 관찰할 수 있다. 이는 거품 노즐들(61a, 61b, 61c)에도 동일하게 적용된다.
도 5에는 도 2의 개략도로부터 메인 스트립 모듈(21’)이 변형된 변형예를 도시하였고, 여기서 용기(32’)가 내부에 공정 용액(33)을 구비하며, 반송 파이프(46’)가 도 2로부터의 구성에 대응된다. 여기서 변형은 기판들(13)이 롤러 수송 패스(roller transporting path)에 의해 공기 중에서 자유롭게 수송되고 스프레이 파이프들(31)에 의해 스프레이되는 것이 아니라, 담금 욕조(immersion bath)(45’)를 통과하는 것이다. 이러한 경우에, 기판(13) 상부 및 하부의 서지 파이프들(surge pipes)(65a, 65b)은 상기 담금 과정에서도 추가적으로 공정 용액(33)을 혼합하는 기능을 하며, 결과적으로 상기 처리의 효과를 강화하는 기능을 한다. 상부 서지 파이프들(65a)은, 공정 용액(33) 내에 담가질 수 있거나, 그렇지 않으면 부분적으로는 담가지고 부분적으로는 그 상부에 존재할 수 있어, 또한 스프레이 기능까지도 수행할 수 있다. 서지 파이프들(65a, 65b)은 액체 용기(32’) 내의 펌프(36’)에 의해 공급된다.
도 5는, 필수적으로 그러한 경우일 필요는 없으나 담금 욕조의 원리가 그 우측의 포스트 스트립 모듈의 경우에도 역시 구현될 수 있다는 것을 나타낸다. 따라서, 정확한 설명이 여기에 제공되지는 않는다. 스프레이 대신 담금 욕조 내에서의 기판들의 처리는 대체로 알려져 있다. 이러한 관점에서, 기술적 실시 역시 당업자에게 어려운 것은 아니다. 구체적으로, 여기서 그 장점은 메인 스트립 모듈(21)의 챔버 내에 거품이 거의 생성되지 않는다는 것이다. 이러한 기술들의 조합들 역시 가능하다.
여기에 도시된 것은 기판들이 스프레이되거나 연속적인 처리 욕조 또는 담금 욕조 내에서 담가지는 개개의 공정 챔버들 또는 모듈들 내에 본 발명을 적용한 것이다. 그러나, 담금 없이 웨팅이 표면적 상부에서 발생할 수 있도록 정상파들(standing waves)을 구비하는 욕조들의 경우에도 유리하게 사용될 수 있다. 본 발명의 효과적인 적용은 초음파(ultrasound)와의 결합에서도 얻어질 수 있다.

Claims (13)

  1. 공정 용액으로 스프레이되거나 웨팅(wetting)됨에 의해 레지스트층들이 기판으로부터 제거되고,
    메인 스트립 모듈(main stripping module) 내에서 상기 기판들이 상기 공정 용액으로 먼저 적셔지고, 이후 포스트 스트립 모듈 내에서 적셔지며, 상기 공정 용액이 상기 모듈들 아래의 용기들 내에 수집되고,
    적어도 하나의 용기가 상기 메인 스트립 모듈 및 상기 포스트 스트립 모듈 각각을 위하여 제공되며,
    상기 메인 스트립 모듈의 상기 적어도 하나의 용기가 상기 포스트 스트립 모듈의 상기 적어도 하나의 용기로부터 분리되고,
    상기 메인 스트립 모듈 내의 상기 공정 용액이 두 개의 용기들 내에 수집되고, 월(wall)에 의해 제1 용기로부터 분리되는 제2 용기 내부로 먼저 직접 공급되며, 상기 월은 내부에 위치한 공정 용액의 표면 레벨보다 현저히 아래의 영역 내에 존재하는 클리어런스들(clearances) 또는 홀들(holes)에 기인하여 액체 투과성(liquid-permeable)이고,
    상기 공정 용액이 상기 제1 용기로부터 제거되고 다시 한번 상기 기판의 웨팅을 위한 공정의 사이클 내부로 반송(return)되며,
    상기 공정 용액의 표면 상의 상기 제2 용기 내의 거품이 상기 용기의 사이드 월(side wall)을 넘어 나란히 배열된 별도의 거품 팬(froth pan) 내부로 이동하고,
    해체된 거품 또는 세정된 공정 용액이 제거되거나, 상기 거품 팬 외부로 펌핑되어 상기 제1 용기 내부로 반송되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 공정 용액은 상기 메인 스트립 모듈 내의 편평한 형태의 수집 장치(collecting device)로부터 반송 파이프(return pipe) 내에서 상기 제2 용기 내부로 공급되며,
    상기 반송 파이프의 형상에 의하여 거품 형성이 감소되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 반송 파이프가 상기 제2 용기 내의 상기 공정 용액의 표면 레벨 아래에서 끝나는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 공정 용액의 표면 상의 상기 제2 용기 내의 상기 거품이 스프레이 장치들에 의해 상기 거품 팬 내부로 이동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 거품을 분쇄하거나 상기 거품을 제거하고 공정 용액으로 변환시키기 위한 스프레이 장치에 의해 상기 거품 팬 내의 상기 거품 역시 공정 용액으로 상부로부터 스프레이되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 포스트 스트립 모듈 또는 거기에 제공된 용기로부터의 공정 용액은 상기 메인 스트립 모듈 내의 상기 제2 용기 내부로 보내지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  7. 청구항 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 따른 기판 처리 방법을 수행하기 위한 기판 처리 장치로서,
    메인 스트립 모듈 및 하류 부분의(downstream) 포스트 스트립 모듈들이 기판들을 위하여 제공되고, 상기 스트립 모듈들을 통하여 수송 통로 내에서 공정 용액을 상기 기판 상에 제공하기 위한 스프레이 장치들 및 웨팅 장치들이 함께 제공되며,
    상기 메인 스트립 모듈은 상기 공정 용액을 수집하기 위한 제1 및 제2 용기들을 구비하고, 상기 공정 용액이 수집된 이후에 상기 제2 용기 내부로 공급되고,
    상기 제2 용기가 내부에 위치한 공정 용액의 표면 레벨보다 현저히 아래의 영역에 형성된 클리어런스들 또는 동류물에 기인하여 액체 투과성인 벽에 의해 상기 제1 용기로부터 분리되며,
    상기 공정 용액을 상기 제1 용기로부터 제거하고, 상기 기판들을 스프레이 또는 웨팅하기 위한 공정의 사이클로 상기 공정 용액을 반송시키기 위한 펌프가 제공되며,
    상기 공정 용액의 표면 상의 상기 제2 용기 내의 거품이 상기 제2 용기의 사이드 월을 넘어 거품 팬 내부로 이동하기 위하여, 상기 제2 용기 상부에 스프레이 장치들이 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2 용기 내부로 인도되는 반송 파이프를 구비하는, 상기 메인 스트립 모듈 내의 수집 장치를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 반송 파이프는 적어도 하나의 벤드에 의해 내부에 흐르는 공정 용액의 거품 형성을 감소시키도록 설계되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    또 다른 스프레이 장치가 공정 용액으로서 그 내부에 위치하는 상기 거품을 해체(break down)하기 위하여 상기 거품 팬의 안쪽 내부로 향하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제7항에 있어서,
    웨팅 장치로서 상기 메인 스트립 모듈 내에, 그리고 상기 포스트 스트립 모듈 내에도 또한 구비되며, 상기 기판들을 위한 공정 용액을 구비하는 담금 욕조(immersion bath)를 더 포함하며,
    상기 담금 욕조로부터 상기 제2 용기 내부로 오버플로(overflow)가 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    공정 용액으로 웨팅하기 위한 상기 담금 욕조를 통한 기판들의 관통 통로(running-through path) 상부 및 하부의 서지 파이프들(surge pipes)을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 포스트 스트립 모듈 내의 공정 용액을 상기 메인 스트립 모듈의 제2 용기 내부로 수집하기 위한 용기로부터 연결되는 캐스케이드 라인(cascade line)을 더 포함하는 기판 처리 장치.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2664762T3 (es) * 2013-09-18 2018-04-23 Flint Group Germany Gmbh Elemento de impresión flexográfica en donde puede realizarse la formación de imagen de forma digital y procedimiento para fabricar placas de impresión flexográfica

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006301024A (ja) * 2005-04-15 2006-11-02 Fujikura Ltd 現像機におけるスカム除去方法およびその装置

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1952727A (en) * 1929-10-26 1934-03-27 United Verde Copper Company Froth flotation
US3846330A (en) * 1973-08-16 1974-11-05 Du Pont Apparatus
DE2361150B2 (de) * 1973-12-07 1980-12-11 Agfa-Gevaert Ag, 5090 Leverkusen Fotografisches Gerät zur Naßbehandlung fotografischer Schichtträger
DE2820815C2 (de) * 1978-05-12 1983-09-29 Gebr. Schmid GmbH & Co, 7290 Freudenstadt Durchlaufmaschine zum Entfernen von Fotoresisten und/oder Siebdruckfarben von Trägern
JPS5928154A (ja) * 1982-08-06 1984-02-14 Hitachi Chem Co Ltd アルカリ型感光性フイルムの現像又ははく離方法および現像又ははく離装置
US4722355A (en) * 1985-08-19 1988-02-02 Rolf Moe Machine and method for stripping photoresist from wafers
JPS6274089A (ja) * 1985-09-28 1987-04-04 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk プリント基板製造装置
US4861385A (en) * 1986-10-02 1989-08-29 Aisaburo Yagishita Article washing method
DE3736578A1 (de) * 1987-10-26 1989-05-03 Schering Ag Verfahren zum zerstoeren von schaum und vorrichtung dafuer
DE3813518A1 (de) * 1988-04-22 1989-11-02 Hoellmueller Maschbau H Maschine zum reinigen und/oder spuelen von bohrungen in leiterplatten
JPH0737311Y2 (ja) * 1990-03-30 1995-08-23 株式会社芝浦製作所 処理装置の気泡発生防止装置
JP2732725B2 (ja) * 1991-06-14 1998-03-30 富士写真フイルム株式会社 水なし平版印刷版の廃液処理装置
DE9200734U1 (ko) * 1992-01-23 1992-05-07 Gebr. Schmid Gmbh & Co, 7290 Freudenstadt, De
ES2093524T3 (es) * 1992-08-01 1996-12-16 Atotech Deutschland Gmbh Procedimiento para el tratamiento electrolitico de placas de circuitos impresos provistas de taladros, asi como disposicion, especialmente para la realizacion de este procedimiento.
US5759743A (en) * 1992-10-30 1998-06-02 Nippon Paint Co., Ltd. Developer-circulating method in flexographic printing plate-making process and apparatus for carrying out developer-circulating method
DE4406759A1 (de) * 1994-03-02 1995-09-07 Gat Handels U Servicegesellsch Reinigungs- und Wiederaufbereitungsverfahren für Wasser, Entwickler und Fixiererflüssigkeit, im Bereich von Filmentwicklung und Repros
US5494644A (en) * 1994-12-06 1996-02-27 Ecolab Inc. Multiple product dispensing system including dispenser for forming use solution from solid chemical compositions
DE19715893C2 (de) * 1997-04-16 1999-04-29 Boehringer Ingelheim Int Vorrichtung zum Entnehmen einer Flüssigkeit aus einem geschlossenen Behälter
EP0883027B1 (en) * 1997-06-05 2001-09-19 AGFA-GEVAERT naamloze vennootschap A method for making an offset printing plate according to the silver salt diffusion transfer process
US6247856B1 (en) * 1998-01-22 2001-06-19 Toyo Boseki Kabushiki Kaisha Developing system of photosensitive resin plates and apparatus used therein
DE19944908A1 (de) * 1999-09-10 2001-04-12 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum Bilden eines Leitermusters auf dielektrischen Substraten
US6454835B1 (en) * 2000-06-02 2002-09-24 Scitex Digital Printing, Inc. Two-phase flow separator
JP2002292315A (ja) * 2001-03-29 2002-10-08 Kyocera Corp 噴霧装置およびそれを用いた現像方法
KR100652044B1 (ko) * 2001-12-18 2006-11-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 스트립 장치
JP2003218502A (ja) * 2002-01-22 2003-07-31 Fujikura Ltd 回路基板製造処理装置
DE10225848A1 (de) * 2002-06-04 2003-12-24 Schmid Gmbh & Co Geb Vorrichtung und Verfahren zum Lösen von Schichten von der Oberseite von flächigen Substraten
JP2004327962A (ja) * 2003-04-07 2004-11-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd レジストの剥離装置及び剥離方法
DE102004002421A1 (de) * 2004-01-16 2005-08-18 Atotech Deutschland Gmbh Düsenanordnung
JP4099489B2 (ja) * 2005-04-15 2008-06-11 東京化工機株式会社 レジスト回収装置
JP2008013389A (ja) * 2006-07-04 2008-01-24 Nec Corp エッチング装置及び薄型ガラス基板の製造方法
JP2008085119A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Tokyo Kakoki Kk 薬液処理装置
KR20080036441A (ko) * 2006-10-23 2008-04-28 삼성전자주식회사 포토레지스트 제거 장치
JP2008137733A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Tokyo Kakoki Kk 表面処理装置のコンベア
DE102007063202A1 (de) * 2007-12-19 2009-06-25 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Silizium-Wafern

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006301024A (ja) * 2005-04-15 2006-11-02 Fujikura Ltd 現像機におけるスカム除去方法およびその装置

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