JP2000348593A - マイクロリレー - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
- H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
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- Micromachines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 接触安定性の高いマイクロリレーを提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 固定基板１０の上面のうち、固定接点１
３，１４の間に、前記固定接点１３，１４の対向する先
端縁部がはみ出す凹部１１ａを形成する。一方、前記可
動接点２７の接触面にテーパ面２７ａ，２７ｂを形成す
る。
ことを目的とする。 【解決手段】 固定基板１０の上面のうち、固定接点１
３，１４の間に、前記固定接点１３，１４の対向する先
端縁部がはみ出す凹部１１ａを形成する。一方、前記可
動接点２７の接触面にテーパ面２７ａ，２７ｂを形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロリレー、特
に、ダブルブレイク接点構造を有する静電マイクロリレ
ーに関するものである。
に、ダブルブレイク接点構造を有する静電マイクロリレ
ーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、マイクロリレーとしては、図９に
示す静電マイクロリレーがある（特開平２─１００２２
４号公報参照）。すなわち、この静電マイクロリレーで
は、固定基板１の上面両側縁部に配置した２本の棒状の
スペーサ手段２，２を介して可動基板３を組み付けたも
のである。そして、前記固定基板１に設けた固定電極４
ａ，４ｂに、静電引力で、前記可動基板３の可動電極５
ａ，５ｂを交互にそれぞれ吸着させることにより、枢支
部６を支点に可動電極５ａ，５ｂを回動させる。そし
て、前記可動電極５ａ，５ｂの下面先端縁部に設けた可
動接点７ａおよび７ｂを、前記固定基板１に設けた２対
の固定接点８ａ，８ｂおよび９ａ，９ｂに交互に接触さ
せ、開閉していた。
示す静電マイクロリレーがある（特開平２─１００２２
４号公報参照）。すなわち、この静電マイクロリレーで
は、固定基板１の上面両側縁部に配置した２本の棒状の
スペーサ手段２，２を介して可動基板３を組み付けたも
のである。そして、前記固定基板１に設けた固定電極４
ａ，４ｂに、静電引力で、前記可動基板３の可動電極５
ａ，５ｂを交互にそれぞれ吸着させることにより、枢支
部６を支点に可動電極５ａ，５ｂを回動させる。そし
て、前記可動電極５ａ，５ｂの下面先端縁部に設けた可
動接点７ａおよび７ｂを、前記固定基板１に設けた２対
の固定接点８ａ，８ｂおよび９ａ，９ｂに交互に接触さ
せ、開閉していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記静
電マイクロリレーでは、例えば、可動接点７ａが固定接
点８ａ，８ｂに接触する場合に、可動接点７ａが一方の
固定接点８ａだけに片当たりし、接触状態が安定しない
という問題点があった。これは、接点の膜厚を均一に形
成することが容易でなく、膜厚にバラツキが生じるため
である。さらに、固定基板１においては、プロセス中の
温度変化、金属を付着させることによる内部応力の発生
によって反りが生じるからである。
電マイクロリレーでは、例えば、可動接点７ａが固定接
点８ａ，８ｂに接触する場合に、可動接点７ａが一方の
固定接点８ａだけに片当たりし、接触状態が安定しない
という問題点があった。これは、接点の膜厚を均一に形
成することが容易でなく、膜厚にバラツキが生じるため
である。さらに、固定基板１においては、プロセス中の
温度変化、金属を付着させることによる内部応力の発生
によって反りが生じるからである。
【０００４】そこで、本発明は、前記問題点に鑑み、接
触安定性の高い静電マイクロリレーを提供することを課
題とする。
触安定性の高い静電マイクロリレーを提供することを課
題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係るマイクロリ
レーは、前記課題を解決するための手段として、固定基
板の上面に並設した一対の固定接点に、可動基板に設け
た可動接点を接離させて開閉するダブルブレーク接点構
造を有するマイクロリレーにおいて、前記固定基板の上
面のうち、前記固定接点の間に、前記固定接点の対向す
る先端縁部がはみ出す凹部を形成する一方、前記可動接
点の接触面に傾斜面を形成した構成としてある。
レーは、前記課題を解決するための手段として、固定基
板の上面に並設した一対の固定接点に、可動基板に設け
た可動接点を接離させて開閉するダブルブレーク接点構
造を有するマイクロリレーにおいて、前記固定基板の上
面のうち、前記固定接点の間に、前記固定接点の対向す
る先端縁部がはみ出す凹部を形成する一方、前記可動接
点の接触面に傾斜面を形成した構成としてある。
【０００６】また、固定基板の上面に並設した一対の固
定接点に、可動基板に設けた可動接点を接離させて開閉
するダブルブレーク接点構造を有するマイクロリレーに
おいて、前記固定基板の上面のうち、前記固定接点の間
に、前記固定接点の対向する先端縁部がはみ出す凹部を
形成するとともに、前記固定接点の少なくともいずれか
一方の接触面に傾斜面を形成した構成であってもよい。
定接点に、可動基板に設けた可動接点を接離させて開閉
するダブルブレーク接点構造を有するマイクロリレーに
おいて、前記固定基板の上面のうち、前記固定接点の間
に、前記固定接点の対向する先端縁部がはみ出す凹部を
形成するとともに、前記固定接点の少なくともいずれか
一方の接触面に傾斜面を形成した構成であってもよい。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る実施形態を添
付図面に従って説明する。第１実施形態に係る静電マイ
クロリレーは、図１ないし図６に示すように、固定基板
１０の上面に可動基板２０を積み重ねたものである。
付図面に従って説明する。第１実施形態に係る静電マイ
クロリレーは、図１ないし図６に示すように、固定基板
１０の上面に可動基板２０を積み重ねたものである。
【０００８】前記固定基板１０には、単結晶シリコン基
板１１の上面に絶縁膜１５を介して固定電極１２および
固定接点１３，１４が形成されている。また、前記固定
電極１２および固定接点１３，１４は、プリント配線１
６ａおよび１７ａ，１８ａを介して接続パッド１６およ
び１７，１８にそれぞれ接続されている。そして、前記
固定電極１２およびプリント配線１６ａ，１７ａ，１８
ａの表面が絶縁膜１５で被覆されている。また、前記固
定基板の略中央に凹部１１ａが形成され、この凹部１１
ａに前記固定接点１３，１４の対向する先端縁部が迫り
出している（図３（ａ））。
板１１の上面に絶縁膜１５を介して固定電極１２および
固定接点１３，１４が形成されている。また、前記固定
電極１２および固定接点１３，１４は、プリント配線１
６ａおよび１７ａ，１８ａを介して接続パッド１６およ
び１７，１８にそれぞれ接続されている。そして、前記
固定電極１２およびプリント配線１６ａ，１７ａ，１８
ａの表面が絶縁膜１５で被覆されている。また、前記固
定基板の略中央に凹部１１ａが形成され、この凹部１１
ａに前記固定接点１３，１４の対向する先端縁部が迫り
出している（図３（ａ））。
【０００９】前記可動基板２０は、前記ベース１０の上
面に立設した４本の支持部２１の上面縁部から側方にそ
れぞれ延在する第１梁部２２で、可動電極２３を均等に
支持したものである。そして、前記支持部２１の１本
は、前記固定基板１０の上面に設けたプリント配線１９
ａを介して接続パッド１９に接続されている。一方、前
記可動電極２３には、その中央に一対のスリット２４，
２４を設けることにより、第２梁部２５が形成されてい
る。第２梁部２５の下面中央には絶縁膜２６を介して可
動接点２７が設けられている。この可動接点２７は前記
固定接点１３，１４に接離可能に対向するテーパ面２７
ａ，２７ｂを有している。
面に立設した４本の支持部２１の上面縁部から側方にそ
れぞれ延在する第１梁部２２で、可動電極２３を均等に
支持したものである。そして、前記支持部２１の１本
は、前記固定基板１０の上面に設けたプリント配線１９
ａを介して接続パッド１９に接続されている。一方、前
記可動電極２３には、その中央に一対のスリット２４，
２４を設けることにより、第２梁部２５が形成されてい
る。第２梁部２５の下面中央には絶縁膜２６を介して可
動接点２７が設けられている。この可動接点２７は前記
固定接点１３，１４に接離可能に対向するテーパ面２７
ａ，２７ｂを有している。
【００１０】次に、前述の構成からなる静電マイクロリ
レーの製造方法を説明する。まず、図４（ａ）のシリコ
ン基板１１に図４（ｂ）に示すように絶縁膜１５を介し
て固定電極１２および固定接点１３，１４を形成する。
これと同時に、接続パッド１６，１７，１８，１９、お
よび、プリント配線１６ａ，１７ａ，１８ａ，１９ａを
それぞれ形成する。そして、固定電極１２およびプリン
ト配線１６ａ，１７ａ，１８ａを絶縁膜１５で被覆す
る。さらに、前記固定接点１３，１４の間に凹部１１ａ
を形成することにより、固定接点１３，１４の対向する
先端縁部が凹部１１ａ内に迫り出し、固定基板１０が完
成する（図４（ｃ））。
レーの製造方法を説明する。まず、図４（ａ）のシリコ
ン基板１１に図４（ｂ）に示すように絶縁膜１５を介し
て固定電極１２および固定接点１３，１４を形成する。
これと同時に、接続パッド１６，１７，１８，１９、お
よび、プリント配線１６ａ，１７ａ，１８ａ，１９ａを
それぞれ形成する。そして、固定電極１２およびプリン
ト配線１６ａ，１７ａ，１８ａを絶縁膜１５で被覆す
る。さらに、前記固定接点１３，１４の間に凹部１１ａ
を形成することにより、固定接点１３，１４の対向する
先端縁部が凹部１１ａ内に迫り出し、固定基板１０が完
成する（図４（ｃ））。
【００１１】なお、前記絶縁膜１５として比誘電率３〜
４のシリコン酸化膜あるいは比誘電率７〜８のシリコン
窒化膜を用いれば、大きな静電引力が得られ、接触荷重
を増加させることができる。
４のシリコン酸化膜あるいは比誘電率７〜８のシリコン
窒化膜を用いれば、大きな静電引力が得られ、接触荷重
を増加させることができる。
【００１２】一方、図５（ａ）に示すように、上面側か
らシリコン層３１，酸化シリコン層３２およびシリコン
層３３からなるＳＯＩウエハ３０の下面に、接点間ギャ
ップを形成するため、ウェットエッチングを行う。ウェ
ットエッチングとしては、例えば、シリコン酸化膜をマ
スクとするＴＭＡＨによる方法がある。この結果、図５
（ｂ）に示すように、下方側に突出する支持部２１を形
成できる。そして、図５（ｃ）に示すように、絶縁膜２
６を設けた後、可動接点２７を形成し、ついで、不要な
絶縁膜２６を除去する（図５（ｄ））。
らシリコン層３１，酸化シリコン層３２およびシリコン
層３３からなるＳＯＩウエハ３０の下面に、接点間ギャ
ップを形成するため、ウェットエッチングを行う。ウェ
ットエッチングとしては、例えば、シリコン酸化膜をマ
スクとするＴＭＡＨによる方法がある。この結果、図５
（ｂ）に示すように、下方側に突出する支持部２１を形
成できる。そして、図５（ｃ）に示すように、絶縁膜２
６を設けた後、可動接点２７を形成し、ついで、不要な
絶縁膜２６を除去する（図５（ｄ））。
【００１３】次に、図６（ａ）に示すように、前記ベー
ス１０に前記ＳＯＩウエハ３０を所定の位置に接合一体
化する。そして、図６（ｂ）に示すように、ＳＯＩウエ
ハ３０の上面をＴＭＡＨ，ＫＯＨ等のアルカリエッチン
グ液で酸化シリコン層３２までエッチングし、薄くす
る。さらに、フッ素系エッチング液で前記酸化シリコン
層３２を除去し、図６（ｂ）に示すようにシリコン層３
３、すなわち可動電極２５を露出させる。そして、ＲＩ
Ｅ等を用いたドライエッチングで型抜きエッチングを行
い、切欠部およびスリット２４，２４を形成することに
より、第１，第２梁部２３，２５を切り出し、可動基板
２０が完成する。
ス１０に前記ＳＯＩウエハ３０を所定の位置に接合一体
化する。そして、図６（ｂ）に示すように、ＳＯＩウエ
ハ３０の上面をＴＭＡＨ，ＫＯＨ等のアルカリエッチン
グ液で酸化シリコン層３２までエッチングし、薄くす
る。さらに、フッ素系エッチング液で前記酸化シリコン
層３２を除去し、図６（ｂ）に示すようにシリコン層３
３、すなわち可動電極２５を露出させる。そして、ＲＩ
Ｅ等を用いたドライエッチングで型抜きエッチングを行
い、切欠部およびスリット２４，２４を形成することに
より、第１，第２梁部２３，２５を切り出し、可動基板
２０が完成する。
【００１４】なお、ベース１０は単結晶シリコン基板１
１に限らず、ガラス基板で形成してもよい。
１に限らず、ガラス基板で形成してもよい。
【００１５】次に、前記構成からなる静電マイクロリレ
ーの動作について説明する。両電極１２，２３間に電圧
を印加せず、静電引力を発生させていない状態では、図
１（ｂ），（ｃ）に示すように、第１梁部２２は弾性変
形せず、支持部２１から水平に延びた状態を維持する。
このため、可動基板２０は固定基板１０と所定間隔で対
向し、可動接点２７は両固定接点１３，１４から開離し
ている。
ーの動作について説明する。両電極１２，２３間に電圧
を印加せず、静電引力を発生させていない状態では、図
１（ｂ），（ｃ）に示すように、第１梁部２２は弾性変
形せず、支持部２１から水平に延びた状態を維持する。
このため、可動基板２０は固定基板１０と所定間隔で対
向し、可動接点２７は両固定接点１３，１４から開離し
ている。
【００１６】ここで、両電極１２，２３間に電圧を印加
して静電引力を発生させると、第１梁部２２が弾性変形
し、可動電極２３が固定電極１２に接近する。前記静電
引力は、電極間距離が小さくなるに従って増加する傾向
にある。そして、可動基板１０が固定基板２０に当接直
前まで接近すると、両電極１２，２３間に作用する静電
引力は急激に増大し、可動接点２７のテーパ面２７ａ，
２７ｂが固定接点１３，１４の先端縁部にそれぞれ接触
する。そして、可動電極２３が固定電極１２に絶縁膜１
５を介して吸着される。このため、可動接点２７が第２
梁部２５を介して固定接点１３，１４に押し付けられ
る。このとき、可動接点２７の表面はテーパ面２７ａ，
２７bを有している。一方、固定接点１３，１４の対向
する先端縁部が凹部１１ａ内に迫り出している。このた
め、可動接点２７が固定接点１３，１４に接触した後
も、固定接点１３，１４を凹部１１ａ内に押し込む。こ
の結果、固定接点１３，１４の膜厚にバラツキがあって
も、可動接点２７が固定接点１３，１４に確実に接触
し、安定した接触状態を確保できる。
して静電引力を発生させると、第１梁部２２が弾性変形
し、可動電極２３が固定電極１２に接近する。前記静電
引力は、電極間距離が小さくなるに従って増加する傾向
にある。そして、可動基板１０が固定基板２０に当接直
前まで接近すると、両電極１２，２３間に作用する静電
引力は急激に増大し、可動接点２７のテーパ面２７ａ，
２７ｂが固定接点１３，１４の先端縁部にそれぞれ接触
する。そして、可動電極２３が固定電極１２に絶縁膜１
５を介して吸着される。このため、可動接点２７が第２
梁部２５を介して固定接点１３，１４に押し付けられ
る。このとき、可動接点２７の表面はテーパ面２７ａ，
２７bを有している。一方、固定接点１３，１４の対向
する先端縁部が凹部１１ａ内に迫り出している。このた
め、可動接点２７が固定接点１３，１４に接触した後
も、固定接点１３，１４を凹部１１ａ内に押し込む。こ
の結果、固定接点１３，１４の膜厚にバラツキがあって
も、可動接点２７が固定接点１３，１４に確実に接触
し、安定した接触状態を確保できる。
【００１７】その後、両電極１２，２３間の印加電圧を
除去すると、第１，第２梁部２２，２５の弾性力が接点
開離力として作用する。このため、可動電極２３が固定
電極１２から開離し、可動接点２７が固定接点１３，１
４から開離し、元の状態に復帰する。
除去すると、第１，第２梁部２２，２５の弾性力が接点
開離力として作用する。このため、可動電極２３が固定
電極１２から開離し、可動接点２７が固定接点１３，１
４から開離し、元の状態に復帰する。
【００１８】また、本実施形態では、可動基板２０全体
をシリコンウェハ単体で形成すると共に、点対称，断面
線対称となるように形成してある。このため、可動電極
２５に反りや捩りが生じにくい。したがって、動作不能
および動作特性のバラツキを効果的に防止でき、円滑な
動作特性を確保できる。
をシリコンウェハ単体で形成すると共に、点対称，断面
線対称となるように形成してある。このため、可動電極
２５に反りや捩りが生じにくい。したがって、動作不能
および動作特性のバラツキを効果的に防止でき、円滑な
動作特性を確保できる。
【００１９】本発明に係る静電マイクロリレーの第２実
施形態は、図７に示すように、固定接点１３，１４の表
面にテーパ面１３ａ，１４ａをそれぞれ形成する一方、
可動接点２７の下面を平滑とした場合である。この静電
マイクロリレーによれば、可動接点２７が下降して固定
接点１３，１４に接触すると、可動接点２７はテーパ面
１３ａ，１４ａの対向する先端縁部に接触する。つい
で、固定接点１３，１４は弾性変形し、凹１１ａ内に押
し込まれる（図７（ｂ））。このため、可動接点２７ま
たは固定接点１３，１４の膜厚にバラツキがあっても、
可動接点２７が固定接点１３，１４に確実に接触し、接
触信頼性が高いという利点がある。他は前述の第１実施
形態と同様であるので、説明を省略する。
施形態は、図７に示すように、固定接点１３，１４の表
面にテーパ面１３ａ，１４ａをそれぞれ形成する一方、
可動接点２７の下面を平滑とした場合である。この静電
マイクロリレーによれば、可動接点２７が下降して固定
接点１３，１４に接触すると、可動接点２７はテーパ面
１３ａ，１４ａの対向する先端縁部に接触する。つい
で、固定接点１３，１４は弾性変形し、凹１１ａ内に押
し込まれる（図７（ｂ））。このため、可動接点２７ま
たは固定接点１３，１４の膜厚にバラツキがあっても、
可動接点２７が固定接点１３，１４に確実に接触し、接
触信頼性が高いという利点がある。他は前述の第１実施
形態と同様であるので、説明を省略する。
【００２０】第３実施形態は、図８に示すように、一対
の固定接点１３，１４のうち、一方の固定接点１３の上
面を平滑にする一方、残る固定接点１４の上面にテーパ
面１４ａを形成した場合である。この静電マイクロリレ
ーによれば、可動接点２７が下降して固定接点１３，１
４に接触すると、可動接点２７はテーパ面１４ａの先端
縁部に接触する。ついで、固定接点１４を弾性変形させ
ながら、可動接点２７が固定接点１３に接触する（図８
（ｂ））。このため、第２実施形態と同様、可動接点２
７が固定接点１３，１４に確実に接触する。
の固定接点１３，１４のうち、一方の固定接点１３の上
面を平滑にする一方、残る固定接点１４の上面にテーパ
面１４ａを形成した場合である。この静電マイクロリレ
ーによれば、可動接点２７が下降して固定接点１３，１
４に接触すると、可動接点２７はテーパ面１４ａの先端
縁部に接触する。ついで、固定接点１４を弾性変形させ
ながら、可動接点２７が固定接点１３に接触する（図８
（ｂ））。このため、第２実施形態と同様、可動接点２
７が固定接点１３，１４に確実に接触する。
【００２１】なお、前記実施形態では、可動基板を４本
の第１梁部２２で支持するようにしたが、３本あるいは
２本の第１梁部２２で支持するようにしてもよい。これ
により、面積効率の良い静電マイクロリレーを得ること
が可能となる。また、前記可動接点および固定接点の接
触面に形成するのは、テーパ面に限らず、円弧面であっ
てもよい。
の第１梁部２２で支持するようにしたが、３本あるいは
２本の第１梁部２２で支持するようにしてもよい。これ
により、面積効率の良い静電マイクロリレーを得ること
が可能となる。また、前記可動接点および固定接点の接
触面に形成するのは、テーパ面に限らず、円弧面であっ
てもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の請求項１に記載の静電マイクロリレーによれば、可動
接点の傾斜面が固定接点の対向する先端縁部に当接した
後、固定接点を弾性変形させつつ、固定基板の凹部に嵌
合する。このため、可動接点が固定接点に確実に接触
し、接触信頼性の高いマイクロリレーが得られる。
の請求項１に記載の静電マイクロリレーによれば、可動
接点の傾斜面が固定接点の対向する先端縁部に当接した
後、固定接点を弾性変形させつつ、固定基板の凹部に嵌
合する。このため、可動接点が固定接点に確実に接触
し、接触信頼性の高いマイクロリレーが得られる。
【００２３】請求項２によれば、一対の固定接点のう
ち、少なくともいずれか一方の固定接点に傾斜面を形成
してある。このため、可動接点が固定接点に設けた傾斜
面の先端縁部に当接した後、その固定接点を弾性変形さ
せて凹部内に押し込む。このため、可動接点と固定接点
との接触が確実になり、接触信頼性が向上するという効
果がある。
ち、少なくともいずれか一方の固定接点に傾斜面を形成
してある。このため、可動接点が固定接点に設けた傾斜
面の先端縁部に当接した後、その固定接点を弾性変形さ
せて凹部内に押し込む。このため、可動接点と固定接点
との接触が確実になり、接触信頼性が向上するという効
果がある。
【図１】 本発明の第１実施形態に係る静電マイクロリ
レーの平面図（ａ）、および、その断面図（ｂ），
（ｃ）である。
レーの平面図（ａ）、および、その断面図（ｂ），
（ｃ）である。
【図２】 図１の固定基板の平面図（ａ）、および、そ
の可動基板の底面図（ｂ）である。
の可動基板の底面図（ｂ）である。
【図３】 図１にかかる可動接点の動作前後を示す拡大
断面図（ａ），（ｂ）である。
断面図（ａ），（ｂ）である。
【図４】 図１にかかる固定基板のプロセス工程を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】 図１にかかる可動基板のプロセス工程を示す
断面図である。
断面図である。
【図６】 図１にかかる固定基板および可動基板の接合
後のプロセス工程を示す断面図である。
後のプロセス工程を示す断面図である。
【図７】 本発明の第１実施形態に係る静電マイクロリ
レーの可動接点の動作前後を示す拡大断面図（ａ），
（ｂ）である。
レーの可動接点の動作前後を示す拡大断面図（ａ），
（ｂ）である。
【図８】 本発明の第２実施形態に係る静電マイクロリ
レーの可動接点の動作前後を示す拡大断面図（ａ），
（ｂ）である。
レーの可動接点の動作前後を示す拡大断面図（ａ），
（ｂ）である。
【図９】 従来例に係る静電マイクロリレーの分解斜視
図（ａ）、および、断面図（ｂ）である。
図（ａ）、および、断面図（ｂ）である。
１０…固定基板、１１…シリコン基板、１１ａ…凹部、
１２…固定電極、１３，１４…固定接点、１３ａ，１４
ａ…テーパ面、１５…絶縁膜。２０…可動基板、２１…
支持部、２２…第１梁部、２３…可動電極、２４…スリ
ット、２５…第２梁部、２６…絶縁膜、２７…可動接
点、２７ａ，２７ｂ…テーパ面。
１２…固定電極、１３，１４…固定接点、１３ａ，１４
ａ…テーパ面、１５…絶縁膜。２０…可動基板、２１…
支持部、２２…第１梁部、２３…可動電極、２４…スリ
ット、２５…第２梁部、２６…絶縁膜、２７…可動接
点、２７ａ，２７ｂ…テーパ面。
Claims (2)
- 【請求項１】 固定基板の上面に並設した一対の固定接
点に、可動基板に設けた可動接点を接離させて開閉する
ダブルブレーク接点構造を有するマイクロリレーにおい
て、 前記固定基板の上面のうち、前記固定接点の間に、前記
固定接点の対向する先端縁部がはみ出す凹部を形成する
一方、前記可動接点の接触面に傾斜面を形成したことを
特徴とするマイクロリレー。 - 【請求項２】 固定基板の上面に並設した一対の固定接
点に、可動基板に設けた可動接点を接離させて開閉する
ダブルブレーク接点構造を有するマイクロリレーにおい
て、 前記固定基板の上面のうち、前記固定接点の間に、前記
固定接点の対向する先端縁部がはみ出す凹部を形成する
とともに、前記固定接点の少なくともいずれか一方の接
触面に傾斜面を形成したことを特徴とするマイクロリレ
ー。
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| JP15788099A Expired - Fee Related JP3669207B2 (ja) | 1999-06-04 | 1999-06-04 | マイクロリレー |
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1999
- 1999-06-04 JP JP15788099A patent/JP3669207B2/ja not_active Expired - Fee Related
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